TW201704886A

TW201704886A - 基於重疊製程窗之焦點劑量共同最佳化

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Publication number: TW201704886A
Application number: TW105106369A
Authority: TW
Inventors: 史蒂芬亨奇; 秋宏張; 維多托馬瑟羅; 馬利那喬錢森
Original assignee: Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date: 2015-03-06
Filing date: 2016-03-02
Publication date: 2017-02-01
Also published as: US10459345B2; US20180074413A1; WO2016142169A1; TWI613526B

Abstract

本文中揭示一種用以改良使用一微影裝置將一設計佈局之一部分處理至一基板上之一微影製程的電腦實施方法，該方法包括：調整該微影製程之處理參數當中的一第一處理參數，以致使該處理更耐受在處理期間該等處理參數中之至少一者的擾動；及調整該微影製程之處理參數當中的一第二處理參數，以致使該處理更耐受在處理期間該等處理參數中之至少一者的擾動。

Description

基於重疊製程窗之焦點劑量共同最佳化

本發明係關於調整器件(例如，半導體)製造過程之效能的方法。該方法可結合微影裝置而使用。

微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在此狀況下，圖案化器件(例如，遮罩)可含有或提供對應於IC之個別層之電路圖案(「設計佈局」)，且可藉由諸如經由圖案化器件上之電路圖案而輻照已塗佈有輻射敏感材料(「抗蝕劑」)層之基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含一或多個晶粒)的方法將此電路圖案轉印至該目標部分上。一般而言，單一基板含有複數個鄰近目標部分，電路圖案係由微影裝置連續地轉印至該複數個鄰近目標部分，一次一個目標部分。在一種類型之微影裝置中，將整個圖案化器件上之電路圖案一次性轉印至一個目標部分上；此裝置通常被稱作步進器(stepper)。在通常被稱作步進掃描裝置(step-and-scan apparatus)之替代裝置中，投影光束在給定參考方向(「掃描」方向)上遍及圖案化器件進行掃描，同時平行或反平行於此參考方向而同步地移動基板。圖案化器件上之電路圖案之不同部分漸進地轉印至一個目標部分。一般而言，由於微影裝置將具有放大因數M(通常<1)，所以移動基板之速度F將為投影光束掃描圖案化器件之速度的因數M倍。可(例如)自以引用之方式併入本文中之US 6,046,792搜集到關於如本文中所描述之微影器件的更多資訊。

本文中揭示一種用以改良使用微影裝置將設計佈局之一部分處理或成像至基板上之微影製程的電腦實施方法，該方法包含：調整微影製程之處理參數當中的第一處理參數，以致使處理或成像更耐受在處理或成像期間處理參數中之至少一者的擾動；及調整微影製程之處理參數當中的第二處理參數，以致使處理或成像更耐受在處理或成像期間處理參數中之至少一者的擾動。

10‧‧‧微影裝置

12‧‧‧照明源

14‧‧‧光學件

16a‧‧‧光學件

16b‧‧‧光學件

16c‧‧‧光學件

18‧‧‧圖案化器件

20‧‧‧孔隙

21‧‧‧輻射光束

22‧‧‧琢面化場鏡面器件

24‧‧‧琢面化光瞳鏡面器件

26‧‧‧經圖案化光束26

28‧‧‧反射元件

29‧‧‧基板平面

30‧‧‧反射元件

100‧‧‧電腦系統

102‧‧‧匯流排

104‧‧‧處理器

105‧‧‧處理器

106‧‧‧主記憶體

108‧‧‧唯讀記憶體

110‧‧‧儲存器件

112‧‧‧顯示器

114‧‧‧輸入器件

116‧‧‧游標控制件

118‧‧‧通信介面

120‧‧‧網路鏈路

122‧‧‧本端網路

124‧‧‧主機電腦

126‧‧‧網際網路服務提供者

128‧‧‧網際網路

130‧‧‧伺服器

210‧‧‧EUV輻射發射電漿/極熱電漿

211‧‧‧源腔室/收集器腔室

212‧‧‧收集器腔室

220‧‧‧圍封結構

221‧‧‧開口

230‧‧‧污染物截留器/污染物障壁

240‧‧‧光柵光譜濾光器

251‧‧‧上游輻射收集器側

252‧‧‧下游輻射收集器側

253‧‧‧掠入射反射器

254‧‧‧掠入射反射器

255‧‧‧掠入射反射器

310‧‧‧資料

320‧‧‧資料

330‧‧‧資料

340‧‧‧資料

350‧‧‧處理參數

500‧‧‧區域

510‧‧‧圖案

511‧‧‧製程窗

512‧‧‧製程窗

520‧‧‧圖案

550‧‧‧重疊製程窗

555‧‧‧點

560‧‧‧橢圓形/經擬合重疊製程窗

565‧‧‧點

610‧‧‧點

611‧‧‧點

612‧‧‧點

620‧‧‧點

621‧‧‧點

622‧‧‧點

845‧‧‧度量衡資料

1000‧‧‧裝置

B‧‧‧輻射光束

BK‧‧‧烘烤板

CH‧‧‧冷卻板

CO‧‧‧輻射收集器

DE‧‧‧顯影器

I/O1‧‧‧輸入/輸出通口

I/O2‧‧‧輸入/輸出通口

IF‧‧‧虛擬源點

IL‧‧‧照明器/照明系統

LA‧‧‧微影裝置

LACU‧‧‧微影控制單元

LB‧‧‧裝載間

LC‧‧‧微影單元

M1‧‧‧圖案化器件對準標記

M2‧‧‧圖案化器件對準標記

MA‧‧‧圖案化器件

MET‧‧‧度量衡/檢測系統

MT‧‧‧支撐結構

O‧‧‧點虛線/光軸

P1‧‧‧基板對準標記

P2‧‧‧基板對準標記

PM‧‧‧第一定位器

PS‧‧‧投影系統

PS2‧‧‧位置感測器

PW‧‧‧第二定位器

RO‧‧‧機器人

SC‧‧‧旋塗器

SCS‧‧‧監督控制系統

SO‧‧‧源收集器模組

TCU‧‧‧塗佈顯影系統控制單元

W‧‧‧基板

WT‧‧‧基板台

對於一般熟習此項技術者而言，在結合附圖檢閱特定實施例之以下描述後，以上態樣以及其他態樣及特徵就將變得顯而易見，在該等圖中：圖1為根據一實施例之微影系統之各種子系統的方塊圖；圖2示意性地描繪微影單元或叢集之一實施例；圖3展示處理參數之例示性源；圖4示意性說明重疊製程窗(OPW)之概念；圖5A示意性說明判定處理參數空間中之替代點之方法的實例，該點依據某些限制儘可能遠離OPW或經擬合OPW之邊界；圖5B示意性說明判定處理參數空間中之替代點之方法的另一實例，該點依據某些限制儘可能遠離OPW或經擬合OPW之邊界；圖6A及圖6B分別展示圖5A及圖5B之實例中之焦點及劑量之同時調整的實例；圖7展示判定處理參數空間中之替代點之方法可應用於的曝露流程；圖8為可供實施實施例之實例電腦系統的方塊圖；圖9為另一微影裝置之示意圖；且圖10為圖9中之裝置的更詳細視圖。

現在將參看圖式詳細地描述實施例，該等圖式被提供為說明性實例以便使熟習此項技術者能夠實踐該等實施例。值得注意的是，以下諸圖及實例不意欲將範疇限於單一實施例，而是借助於互換所描述或所說明元件中之一些或全部，其他實施例係可能的。在任何方便之處，將貫穿圖式而使用相同參考數字指相同或相似部分。在可使用已知組件來部分地或完全地實施此等實施例之某些元件的情況下，僅將描述理解該等實施例所必需的此等已知組件之彼等部分，且將省略此等已知組件的其他部分之詳細描述，以免混淆該等實施例之描述。在本說明書中，展示單數組件之實施例不應被視為限制性的；實情為，除非本文中另有明確陳述，否則範疇意欲涵蓋包括複數個相同組件之其他實施例，且反之亦然。此外，除非如此明確闡述，否則申請人不意欲對本說明書或申請專利範圍中之任何術語賦予不常見或特殊涵義。另外，範疇涵蓋與本文中借助於說明而提及之組件的目前及未來已知等效者。

作為簡明介紹，圖1說明例示性微影裝置10。主要組件為：照明源12，其可為深紫外線準分子雷射源或諸如極紫外線(EUV)源的其他類型之源；照明光學件，其界定部分相干性(被表示為Σ)且可包括整形來自源12之輻射之光學件14、16a及16b；圖案化器件(例如，遮罩或比例光罩)18；及光學件16c，其將圖案化器件圖案之影像投影至基板平面29上。投影光學件之光瞳平面處的可調整濾光器或孔隙20可限制照射於基板平面29上的光束角之範圍，其中最大可能角界定投影光學件之數值孔徑NA=sin(Θ_max)。

在微影裝置中，源提供照明(亦即，輻射)；投影光學件經由圖案化器件而引導及整形照明且將照明引導至基板上。此處，術語「投影光學件」被廣泛地定義為包括可變更輻射光束之波前的任何光學組件。舉例而言，投影光學件可包括組件14、16a、16b及16c中之至少一些。空中影像(AI)為基板上之輻射強度分佈。曝露基板上之抗蝕劑層，且將空中影像轉印至該抗蝕劑層以在其中作為潛伏「抗蝕劑影像」(RI)。可將抗蝕劑影像(RI)定義為抗蝕劑層中之抗蝕劑之溶解度的空間分佈。抗蝕劑模型可用於自空中影像計算抗蝕劑影像，可在共同讓渡之美國專利申請公開案第US 2009-0157360號中找到此情形之實例，該美國專利申請公開案之揭示內容之全文特此以引用的方式併入。抗蝕劑模型係僅關於抗蝕劑層之性質(例如，在曝露、PEB及顯影期間發生之化學製程之效應)。微影裝置之光學性質(例如，源、圖案化器件及投影光學件之性質)規定空中影像。由於可改變微影裝置中所使用之圖案化器件，所以需要將圖案化器件之光學性質與至少包括源及投影光學件之微影裝置之其餘部分的光學性質分離。

如本文中所使用之術語圖案化器件可被廣泛地解譯為指可用於提供具有經圖案化橫截面之輻射光束的通用圖案化器件，經圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中產生之圖案；術語「光閥」亦可用於此內容背景中。除經典遮罩(透射或反射；二元、相移、混合式等)以外，其他此類圖案化器件之實例包括：

- 可程式化鏡面陣列。此器件之實例為具有黏彈性控制層及反射表面之矩陣可定址表面。此裝置所基於之基本原理為(例如)：反射表面之經定址區域將入射輻射反射為繞射輻射，而未經定址區域將入射輻射反射為非繞射輻射。在使用適當濾光器之情況下，可自經反射光束濾出非繞射輻射，從而僅留下繞射輻射；以此方式，光束根據矩陣可定址表面之定址圖案而變得圖案化。可使用適合電子元件來執行矩陣定址。可(例如)自以引用之方式併入本文中之美國專利第5,296,891號及第5,523,193號搜集到關於此等鏡面陣列之更多資訊。

- 可程式化LCD陣列。此建構之實例在以引用之方式併入本文中之美國專利第5,229,872號中給出。

如圖2中所展示，微影裝置LA可形成微影單元LC(有時亦稱為微影單元(lithocell)或叢集)之部分，微影單元LC亦包括用以對基板執行曝露前程序及曝露後程序之裝置。習知地，此等裝置包括用以沈積一或多個抗蝕劑層之一或多個旋塗器SC、用以顯影經曝露抗蝕劑之一或多個顯影器DE、一或多個冷卻板CH及/或一或多個烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出通口I/O1、I/O2拾取一或多個基板，將其在不同製程裝置之間移動且將其遞送至微影裝置之裝載間LB。常常被統稱為塗佈顯影系統(track)之此等裝置受塗佈顯影系統控制單元TCU控制，塗佈顯影系統控制單元TCU自身由監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。

為了正確且一致地曝露由微影裝置曝露之基板，需要檢測經曝露基板以量測一或多個性質，諸如後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)等。因此，微影單元LC所位於之製造設施亦通常包括度量衡/檢測系統MET，度量衡/檢測系統MET接收已在微影單元中經處理之基板W中之一些或所有。度量衡/檢測系統MET可為微影單元LC之部分，例如，其可為微影裝置LA之部分。

可將度量衡/檢測結果直接或間接提供至監督控制系統SCS。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝露(尤其在可足夠早且快速完成檢測以使得該批次之一或多個其他基板仍待曝露的情況下)及/或對經曝露基板之後續曝露進行調整。另外，已曝露基板可經剝離及重工以改良良率，或被捨棄，藉此避免對已知有缺陷之基板執行進一步處理。在基板之僅一些目標部分有缺陷之狀況下，可僅對良好的彼等目標部分執行進一步曝露。

在度量衡/檢測系統MET內，檢測裝置係用於判定基板之一或多個性質，且尤其判定不同基板之一或多個性質如何變化或同一基板之不同層在不同層間如何變化。檢測裝置可整合至微影裝置LA或微影單元LC中，或可為獨立器件。為實現快速量測，需要使檢測裝置緊接在曝露之後量測經曝露抗蝕劑層中之一或多個性質。然而，抗蝕劑中之潛影具有低對比度-在已曝露於輻射的抗蝕劑之部分與尚未曝露於輻射的抗蝕劑之部分之間僅存在極小折射率差-且並非所有檢測裝置皆具有足夠敏感度以進行潛影之有用量測。因此，可在曝露後烘烤步驟(PEB)之後採取量測，PEB通常為對經曝露基板進行之第一步驟且增加抗蝕劑之經曝露部分與未經曝露部分之間的對比度。在此階段，抗蝕劑中之影像可被稱作半潛影(semi-latent)。亦有可能進行經顯影抗蝕劑影像之量測--此時，抗蝕劑之經曝露部分或未經曝露部分已被移除-或在諸如蝕刻之圖案轉印步驟之後進行量測。後一可能性限制了重工有缺陷基板之可能性，但仍可提供有用資訊。

儘管可在本文中特定參考在IC製造中實施例之使用，但應明確理解，該等實施例具有許多其他可能應用。舉例而言，其可用於製造整合式光學系統、磁疇記憶體之導引及偵測圖案、液晶顯示面板、薄膜磁頭等。熟習此項技術者將瞭解，在此等替代應用之內容背景中，本文中對術語「比例光罩」、「晶圓」或「晶粒」之任何使用應被視為分別可與更一般之術語「遮罩」、「基板」及「目標部分」互換。

在本文件中，術語「輻射」及「光束」用以涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線輻射(例如，具有365nm、248nm、193nm、157nm或126nm之波長)及EUV(極紫外線輻射，例如，具有在5nm至20nm之範圍內之波長)。

如本文中所使用之術語「最佳化」意謂調整微影裝置或製程使得微影之結果及/或製程或其他處理具有更合乎需要之特性，諸如，設計佈局在基板上之投影的較高準確度，較大製程窗等。

可自設計佈局識別被稱為「剪輯」之一或多個部分。在一特定實施例中，提取剪輯之集合，其表示設計佈局中之複雜圖案(通常約50個至1000個剪輯，但可使用任何數目個剪輯)。如熟習此項技術者將瞭解，此等圖案或剪輯表示設計之小部分(亦即，電路、單元或圖案)，且特別地，該等剪輯表示需要特別注意及/或驗證之小部分。換言之，剪輯可為設計佈局之部分，或可為類似的或具有設計佈局之部分的類似行為，其中臨界特徵藉由經驗(包括由客戶提供之剪輯)、試誤法或執行全晶片模擬來予以識別。剪輯可含有一或多個測試圖案或量規圖案(gauge pattern)。

可由客戶基於設計佈局中應接收特定影像最佳化之一或多個已知臨界特徵區域而預先提供初始較大剪輯集合。替代或另外地，在一實施例中，可藉由使用識別臨界特徵區域之某種自動(諸如，機器視覺)或手動演算法自整個設計佈局提取初始較大剪輯集合。

在一系統之最佳化程序中，可將該系統之優值表示為成本函數。最佳化程序可隨後為發現(例如)最小化或最大化成本函數之系統之參數(設計變數)集合的程序。成本函數可取決於最佳化之目標而具有任何適合形式。舉例而言，成本函數可為系統之某些特性(評估點)相對於此等特性之預期值(例如，理想值)之偏差的加權均方根(RMS)；成本函數亦可為此等偏差之最大值。本文中之術語「評估點」應被廣泛地解譯為包括系統之任何特性。歸因於系統之實施的實務性，系統之設計變數可限於有限範圍及/或可相互相依。在微影裝置之狀況下，約束常常與硬體之實體性質及/或實體特性(諸如，可調範圍及/或圖案化器件可製造性設計規則)相關聯，且評估點可包括基板上之抗蝕劑影像的一或多個實體點及/或一或多個非實體特性，諸如劑量及焦點。

可(例如)在美國專利申請公開案第2011-0099526號中發現最佳化方法之實例，該美國專利申請公開案之揭示內容之全文特此以引用的方式併入。

各種技術可用於改良圖案再現至基板上之準確度。圖案至基板上之準確再現並非IC生產中的唯一關注點。另一關注點為良率，其大體上量測器件製造商或器件製造程序可在給定時段生產多少有作用的器件。各種方法可用於增強良率。一種此類方法試圖使器件之生產(例如，使用微影裝置將設計佈局之一部分成像至基板上)更耐受在處理基板期間(例如，在使用微影裝置將設計佈局之一部分成像至基板上期間)處理參數中之至少一者的擾動。重疊製程窗(OPW)之概念為此方法之有用工具。器件(例如，IC)之生產可包括其他步驟，諸如在成像之前、之後或期間的基板量測、裝載或卸載基板、裝載或卸載圖案化器件、在曝露之前將晶粒定位於投影光學件之下方、自一個晶粒步進至另一晶粒等。此外，圖案化器件上之各種圖案可具有不同製程窗(亦即，處理參數的空間，在其中將生產在規格內的圖案)。關於潛在系統性缺陷之圖案規格之實例包括檢查頸縮、線拉回、線薄化、CD、邊緣置放、重疊、抗蝕劑頂部損耗、抗蝕劑底切及/或橋接。可藉由合併(例如，重疊)每一個別圖案之製程窗來獲得圖案化器件上之圖案中之所有或一些(通常為特定區域內之圖案)的製程窗。此等圖案之製程窗因此被稱作重疊製程窗。OPW之邊界可含有個別圖案中的一些圖案之製程窗的邊界。換言之，此等個別圖案限制OPW。此等個別圖案可被稱作「熱點」或「製程窗限制圖案(PWLP)」，「熱點」與「製程窗限制圖案(PWLP)」在本文中可互換地使用。當控制微影製程時，聚焦於熱點上為可能的，且通常為低成本的。當熱點無缺陷時，很可能所有圖案都無缺陷。當在處理參數值在OPW外部的情況下處理參數值更接近於OPW時，或當在處理參數值在OPW內部的情況下處理參數值更遠離OPW之邊界時，成像變得更耐受擾動。

圖3展示處理參數350之例示性源。一個源可為處理裝置之資料310，諸如微影裝置、塗佈顯影系統等之源、投影光學件、基板平台等的參數。另一源可為來自各種基板度量衡工具之資料320，諸如基板高度圖、焦點圖、臨界尺寸均一性(CDU)圖等。可在可適用基板經受可防止基板之重工的步驟(例如，顯影)之前獲得資料320。另一源可為來自一或多個圖案化器件度量衡工具的資料330、圖案化器件CDU圖、圖案化器件(例如，遮罩)膜堆疊參數變化等。另一源可為來自處理裝置之操作者的資料340。

圖4示意性說明OPW之概念。為說明該概念，圖案化器件上之區域500經假定為僅具有兩個個別圖案510及520。區域可包括更多圖案。個別圖案510及520之製程窗分別為511及512。為說明該概念，處理參數經假定為僅包括焦點(水平軸)及劑量(垂直軸)。當然，處理參數可包括任何適合之參數。可藉由發現製程窗511與512之間的重疊而獲得區域之OPW 550。OPW 550被表示為圖4中之陰影區域。OPW 550可具有不規則形狀。然而，為了易於表示OPW且易於判定處理參數值之集合是否在OPW內，可改為使用「經擬合OPW」(例如，橢圓形560)。「經擬合OPW」可為(例如)在OPW內部擬合之最大超橢圓體(例如，如此實例中之二維處理參數空間中之橢圓形、橢球三維處理參數空間等)。使用「經擬合OPW」趨向於降低計算成本，但並不利用OPW之全部大小。

可選擇處理參數值使得其保持遠離OPW或經擬合OPW之邊界，以便減少處理參數移位於OPW外部且藉此導致缺陷且降低良率之機率。一種選擇處理參數值之方法包括：在實際成像之前，(1)最佳化微影裝置(例如，最佳化源及投影光學件)且最佳化設計佈局，(2)(例如，藉由模擬)判定OPW或經擬合OPW，及(3)判定處理參數空間中儘可能遠離OPW或經擬合OPW之邊界的點(亦即判定處理參數值)(此點可被稱作OPW或經擬合OPW之「中心」)。在圖4之實例中，點555為處理參數空間中儘可能遠離OPW 550之邊界的點，且點565為處理參數空間中儘可能遠離經擬合OPW 560之邊界的點。點555及點565可被稱作標稱條件。在成像期間或之前，若處理參數遠離點555或點565朝向OPW之邊界移位或甚至移位至OPW之邊界的外部，則有能力意識到此移位且進行適當校正以將處理參數放回至OPW中且遠離其邊界(理想地不中斷成像或其他處理)將為有益的。

在實際成像期間或之前，處理參數可具有致使其偏離儘可能遠離OPW或經擬合OPW之邊界之點的擾動。舉例而言，焦點可歸因於待曝露基板之構形、基板平台之漂移、投影光學件之變形等而改變；劑量可歸因於源強度、停留時間等之漂移而改變。擾動可足夠大，以致使處理參數在OPW外部，且因此可導致缺陷。各種技術可用於識別經擾動之處理參數且用於校正彼處理參數。舉例而言，若焦點被擾動(例如，因為自基板之其餘部分稍微升高的基板之區域被曝露)，則基板平台可經移動或傾斜以補償擾動。然而，有時，軟體或硬體限制可阻止對擾動之完全補償。舉例而言，基板平台可在補償對焦點之擾動時用盡其移動範圍。即，此等限制使得儘可能遠離OPW或經擬合OPW之邊界的點(例如，點555或565)不可達。

根據一實施例，可改為判定依據此等限制在處理參數空間中儘可能遠離OPW或經擬合OPW之邊界的替代點，且可在替代點處執行成像。圖5A示意性說明判定替代點之方法的實例。在此實例中，使用相同OPW 550及經擬合OPW 560。若對處理參數之調整不存在限制，則點555仍為儘可能遠離OPW 550之邊界的點。若對處理參數之調整不存在限制，則點565仍為儘可能遠離經擬合OPW 560之邊界的點。在一實例中，在成像期間或之前的擾動致使處理參數在點610處。在一實施例中，軟體及/或硬體限制阻止對焦點之調整(亦即，在焦點在水平軸中之情況下水平軸的調整)達到點611之左方。點555或點565皆不可達。點611相當靠近OPW 550之邊界且在經擬合OPW 560之邊界的外部。因此，若在點611處執行成像，則成像並非相當能耐受處理參數中之至少一者的擾動。可調整諸如劑量之其他處理參數(亦即，在劑量在垂直軸中之情況下垂直軸的調整)，以將處理參數自點611更遠離(例如)OPW 550之邊界地移動至作為可執行成像之替代點的點612。在點612處執行之成像比在點611處執行之成像更耐受擾動，但在點612處執行之成像並不與在點565或點555處執行之成像一樣耐受擾動。如以上所解釋，OPW並不限於兩個處理參數。實情為，可基於許多處理參數定義OPW。藉由調整一個處理參數將處理參數移動遠離OPW之邊界可使成像更耐受另一處理參數之擾動。舉例而言，在圖5A中，藉由調整劑量而自點611移動至點612亦給出更多空間以耐受焦點之擾動(亦即，點612在水平方向上比點611更遠離OPW之邊界)。

圖5B示意性說明判定替代點之方法的另一實例。在此實例中，使用相同OPW 550及經擬合OPW 560。若對處理參數之調整不存在限制，則點555仍為儘可能遠離OPW 550之邊界的點。若對處理參數之調整不存在限制，則點565仍為儘可能遠離經擬合OPW 560之邊界的點。在一實例中，在成像期間或之前的擾動致使處理參數在點620處。在一實施例中，軟體及/或硬體限制阻止劑量之調整(亦即，在劑量在垂直軸中之情況下垂直軸的調整)達到點621下方。點555或點565皆不可達。點621在OPW 550之邊界的外部且在經擬合OPW 560之邊界的外部。因此，若在點621處執行成像，則成像可導致基板上之一或多個缺陷。可調整諸如焦點之一或多個其他處理參數(亦即，在焦點在水平軸中之情況下水平軸的調整)，以將處理參數自點621(例如)進入OPW 550中且遠離其邊界地移動至作為可執行成像之替代點的點622。在點622處執行之成像可不導致系統性缺陷，但在點622處執行之成像並不與在點565或點555處執行之成像一樣耐受擾動。

在圖5A及圖5B中，交替調整處理參數。可同時調整處理參數。圖6A及圖6B分別展示圖5A及圖5B之實例中之焦點及劑量的同時調整。

可使用任何適合之方法調整處理參數。舉例而言，可計算成本函數，成本函數為處理參數之函數且量測處理參數空間中之點至OPW或經擬合OPW之邊界的距離。舉例而言，成本函數可為OPW內部的點至OPW之邊界上的點之間的距離當中之最小距離。替代點612或622為處理參數空間中致使成本函數(例如)到達最大值(或最大值之60%、70%、80%、90%或95%內)之點，其受到任何軟體及/或硬體限制。可使用任何適合之方法發現替代點612或622，該等方法諸如，高斯牛頓演算法、雷文柏格馬括特演算法、梯度下降演算法、模擬退火及/或遺傳演算法。

圖7展示判定處理參數空間中之替代點之方法可應用於的成像流程。在步驟810中，最佳化待用於成像之微影裝置或最佳化待用於成像之設計佈局，或最佳化兩者。在步驟820中，獲得整個設計佈局或其一部分的OPW或經擬合OPW。在步驟830中，獲得處理參數空間中儘可能遠離OPW或經擬合OPW之邊界的點。此點之實例為圖4之實例中之點555或565。在步驟840中，(例如)自度量衡資料845判定處理參數自儘可能遠離OPW或經擬合OPW之邊界的點的偏離，或判定對處理參數之擾動。在步驟850中，藉由使用本文中所描述之方法中之任一者調整處理參數而判定替代點。可交替或同時調整處理參數。

在一實施例中，可藉由發現設計佈局之一部分中之少於所有圖案之製程窗之間的重疊獲得區域之OPW或經擬合OPW。該等少於所有圖案可包括彼部分中之所有PWLP。製程窗不用於獲得OPW或經擬合OPW之圖案可為較不臨界(亦即，更耐受處理參數中之至少一者之擾動)圖案。藉由發現設計佈局之一部分中之少於所有圖案之製程窗之間的重疊獲得的OPW或經擬合OPW與藉由發現該部分中之所有圖案之製程窗之間的重疊一樣大或比其更大。

圖8為說明可輔助實施本文中所揭示之方法及流程之電腦系統100的方塊圖。電腦系統100包括用於傳達資訊之匯流排102或其他通信機制及與匯流排102耦接以用於處理資訊之處理器104(或多個處理器104及105)。電腦系統100亦包括耦接至匯流排102以用於儲存待由處理器104執行之資訊及指令的主記憶體106，諸如，隨機存取記憶體(RAM)或其他動態儲存器件。主記憶體106亦可用於在待由處理器104執行之指令之執行期間儲存暫時變數或其他中間資訊。電腦系統100進一步包括耦接至匯流排102以用於儲存用於處理器104之靜態資訊及指令的唯讀記憶體(ROM)108或其他靜態儲存器件。提供諸如磁碟或光碟之儲存器件110，且儲存器件110耦接至匯流排102以用於儲存資訊及指令。

電腦系統100可經由匯流排102耦接至用於向電腦使用者顯示資訊之顯示器112，諸如，陰極射線管(CRT)或平板顯示器或觸控面板顯示器。包括文數字按鍵及其他按鍵之輸入器件114耦接至匯流排102以用於將資訊及命令選擇傳達至處理器104。另一類型之使用者輸入器件為用於將方向資訊及命令選擇傳達至處理器104且用於控制顯示器112上之游標移動的游標控制件116，諸如，滑鼠、軌跡球或游標方向鍵。此輸入器件通常具有在兩個軸(第一軸(例如，x)及第二軸(例如，y))上之兩個自由度，其允許器件指定在平面中之位置。亦可將觸控面板(螢幕)顯示器用作輸入器件。

根據一個實施例，可由電腦系統100回應於處理器104執行主記憶體106中所含有的一或多個指令之一或多個序列而執行最佳化程序之部分。可將此等指令自另一電腦可讀媒體(諸如，儲存器件110)讀取至主記憶體106中。主記憶體106中所含有之指令序列之執行致使處理器104執行本文中所描述之程序步驟。亦可使用呈多處理配置之一或多個處理器以執行主記憶體106中所含有之指令序列。在替代實施例中，可代替或結合軟體指令而使用硬連線電路。因此，實施例不限於硬體電路與軟體之任何特定組合。

如本文中所使用之術語「電腦可讀媒體」係指參與將指令提供至處理器104以供執行之任何媒體。此媒體可採取許多形式，包括(但不限於)非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。非揮發性媒體包括(例如)光碟或磁碟，諸如，儲存器件110。揮發性媒體包括動態記憶體，諸如主記憶體106。傳輸媒體包括同軸電纜、銅線及光纖，其包括組成匯流排102之電線。傳輸媒體亦可採取聲波或光波之形式，諸如在射頻(RF)及紅外線(IR)資料通信期間產生之聲波或光波。電腦可讀媒體之常見形式包括(例如)軟碟、可撓性碟、硬碟、磁帶、任何其他磁性媒體、CD-ROM、DVD、任何其他光學媒體、打孔卡、紙帶、具有孔圖案之任何其他實體媒體、RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或卡匣、如下文所描述之載波，或可供電腦讀取之任何其他媒體。

各種形式之電腦可讀媒體可涉及將一或多個指令之一或多個序列攜載至處理器104以供執行。舉例而言，最初可將該等指令承載於遠端電腦之磁碟上。遠端電腦可將該等指令載入至其動態記憶體中，且經由通信線路發送該等指令。電腦系統100可在線路上接收資料且將資料置於匯流排102上。匯流排102將資料攜載至主記憶體106，處理器104自主記憶體106擷取並執行指令。由主記憶體106接收之指令可視情況在由處理器104執行之前或之後儲存於儲存器件110上。

電腦系統100亦可包括耦接至匯流排102之通信介面118。通信介面118提供與網路鏈路120之雙向資料通信耦接，網路鏈路120連接至本端網路122。可實施有線或無線鏈路。在任何此類實施中，通信介面118發送及接收攜載表示各種類型之資訊的數位資料串流的電、電磁或光學信號。

網路鏈路120通常經由一或多個網路將資料通信提供至其他資料器件。舉例而言，網路鏈路120可經由本端網路122而將連接提供至主機電腦124或由網際網路服務提供者(ISP)126操作之資料設備。ISP 126又經由全球封包資料通信網路(現在通常被稱作「網際網路」128)而提供資料通信服務。本端網路122及網際網路128皆使用攜載數位資料串流之電、電磁或光學信號。經由各種網路之信號及在網路鏈路120上且經由通信介面118之信號為輸送資訊的例示性形式之載波，該等信號將數位資料攜載至電腦系統100且自電腦系統100攜載數位資料。

電腦系統100可經由網路、網路鏈路120及通信介面118發送訊息且接收包括程式碼之資料。在網際網路實例中，伺服器130可能經由網際網路128、ISP 126、本端網路122及通信介面118而傳輸用於應用程式之經請求程式碼。根據一或多個實施例，一個此經下載應用程式提供(例如)實施例之照明最佳化。所接收程式碼可在其被接收時由處理器104執行，及/或儲存於儲存器件110或其他非揮發性儲存器中以供稍後執行。以此方式，電腦系統100可獲得呈載波形式之應用程式碼。

圖9示意性地描繪可利用本文中所描述之方法最佳化照明源的另一例示性微影裝置1000。微影裝置1000包括：

- 源收集器模組SO

- 照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)。

- 支撐結構(例如，遮罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，遮罩或比例光罩)MA，且連接至經組態以準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；

- 基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二定位器PW；及

- 投影系統(例如，反射投影系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。

如此處所描繪，裝置1000屬於反射類型(例如，使用反射遮罩)。應注意，因為大多數材料在EUV波長範圍內具吸收性，所以圖案化器件可具有包含(例如)鉬與矽之多層堆疊的多層反射器。在一個實例中，多層堆疊反射器具有鉬與矽之至少40個層對，其中每一層之厚度為四分之一波長。可藉由X射線微影來產生甚至更小的波長。由於大多數材料在EUV及x射線波長下具吸收性，所以圖案化器件構形上之經圖案化吸收材料的薄片段(例如，多層反射器之頂部上之TaN吸收器)界定特徵將印刷(正型抗蝕劑)或不印刷(負型抗蝕劑)之處。

參看圖9，照明器IL自源收集器模組SO接收極紫外線輻射光束。用以產生EUV輻射之方法包括但未必限於將材料轉換成具有帶有在EUV範圍內之一或多個發射譜線的至少一種元素(例如，氙、鋰或錫)之電漿狀態。在常常被稱為雷射產生電漿(「LPP」)的一種此類方法中，可藉由用雷射光束輻照燃料(諸如，具有譜線發射元素之材料的小滴、流或叢集)而產生電漿。源收集器模組SO可為包括雷射(圖9中未展示)之EUV輻射系統之部分，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輸出輻射係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器來收集。舉例而言，當使用CO₂雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射與源收集器模組可為分離實體。

在此等狀況下，雷射不被視為形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包含(例如)適合引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器模組。在其他狀況下，舉例而言，當源為放電產生電漿EUV產生器(常常被稱為DPP源)時，源可為源收集器模組之整體部分。

照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器。一般而言，可至少調整照明器IL之光瞳平面中之強度分佈的外部及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ-外及σ-內)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。

輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，遮罩台)MT上之圖案化器件(例如，遮罩)MA上，且係由該圖案化器件而圖案化。在自圖案化器件(例如，遮罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化器件(例如，遮罩)MA。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，遮罩)MA及基板W。

所描繪裝置1000可用於以下模式中至少一者中：

1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，遮罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝露)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝露不同目標部分C。

2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，遮罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝露)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，遮罩台)MT之速度及方向。

3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，遮罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板平台WT之每一移動之後或在掃描期間之連續輻射脈衝之間視需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無遮罩微影。

圖10更詳細地展示裝置1000，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構及配置以使得可將真空環境維持於源收集器模組SO之圍封結構220中。可由放電產生電漿源形成EUV輻射發射電漿210。可藉由氣體或蒸氣(例如，氙氣體、鋰蒸氣或錫蒸氣)產生EUV輻射，在該氣體或蒸氣中產生極熱電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內的輻射。舉例而言，藉由造成至少部分電離電漿之放電而產生極熱電漿210。為了輻射之高效產生，可需要氙、鋰、錫蒸氣或任何其他適合氣體或蒸氣之(例如)10Pa之分壓。在一實施例中，提供經激發錫(Sn)電漿以產生EUV輻射。

由熱電漿210發射之輻射係自源腔室211經由經定位於源腔室211中之開口中或後方的視情況選用的氣體障壁或污染物截留器230(在一些狀況下，亦被稱作污染物障壁或箔片截留器)而傳遞至收集器腔室212中。污染物截留器230可包括通道結構。污染截留器230亦可包括氣體障壁，或氣體障壁與通道結構之組合。如此項技術中所知，本文中進一步指示之污染物截留器或污染物障壁230至少包括通道結構。

收集器腔室211可包括可為所謂掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿收集器CO之輻射可自光柵光譜濾光器240被反射以沿著由點虛線「O」指示之光軸聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器模組經配置成使得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。

隨後，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24，琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24經配置以提供圖案化器件MA處的輻射光束21之所要角分佈，以及圖案化器件MA處之輻射強度的所要均勻性。在由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處輻射光束21之反射後，形成經圖案化光束26，且投影系統PS將經圖案化光束26經由反射元件28、30成像至由基板台WT固持之基板W上。

比所展示之元件多的元件通常可存在於照明光學件單元IL及投影系統PS中。取決於微影裝置之類型，光柵光譜濾波器240可視情況存在。此外，可存在比圖10中所展示之鏡面更多的鏡面，(例如)在投影系統PS中可存在比圖10中所展示之反射元件多1至6個之額外反射元件。

如圖10所說明之收集器光學件CO被描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢狀收集器，僅作為收集器(或收集器鏡面)之一實例。掠入射反射器253、254及255圍繞光軸O軸向地對稱安置，且此類型之收集器光學件CO較佳地結合放電產生電漿源(常常被稱為DPP源)而使用。

或者，源收集器模組SO可為LPP輻射系統之部分。在此系統中，雷射經配置以將雷射能量沈積至燃料(諸如，氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li))中，從而產生具有數十eV之電子溫度的高度電離電漿。在此等離子之去激發及再結合期間產生之高能輻射係自電漿發射、由近正入射角收集器光學件收集，且聚焦至圍封結構中之開口上。

本文中所揭示之概念可模擬或數學上模型化用於成像次波長特徵之任何通用成像系統，且可尤其適用於能夠產生具有愈來愈小之大小之波長的新興成像技術。已在使用中之新興技術包括EUV(極紫外線)微影，其能夠藉由使用ArF雷射來產生193nm之波長且甚至能夠藉由使用氟雷射來產生157nm之波長。此外，EUV微影能夠藉由使用同步加速器或藉由用高能電子來撞擊材料(固體抑或電漿)而產生20nm至5nm範圍內之波長，以便產生此範圍內之光子。

雖然本文中所揭示之概念可用於在諸如矽晶圓之基板上成像，但應理解，所揭示概念可與任何類型之微影成像系統一起使用，例如，用於在除矽晶圓以外之基板上成像的微影成像系統。

可使用以下條項來進一步描述本發明：

1.一種改良使用一微影裝置將一設計佈局之一部分成像至一基板上之一微影製程的電腦實施方法，該方法包含：在該成像期間或之前，調整該微影製程之處理參數當中的一第一處理參數，以致使該成像更耐受該等處理參數中之至少一者的擾動；及在該成像期間或之前，調整該微影製程之處理參數當中的一第二處理參數，以致使該成像更耐受該等處理參數中之至少一者的擾動。

2.如條項1之方法，其中該第一處理參數為劑量。

3.如條項1或條項2之方法，其中該第二處理參數為焦點。

4.如條項1至3中任一項之方法，其中交替調整該第一處理參數及該第二處理參數。

5.如條項1至4中任一項之方法，其中同時調整該第一處理參數及該第二處理參數。

6.如條項1至5中任一項之方法，其中致使該成像更耐受該等處理參數中之至少一者的擾動包含：(1)在該等處理參數之值在該部分之一重疊製程窗(OPW)外部的情況下，致使該等處理參數之該等值更接近於該OPW，或(2)在該等處理參數之值在該OPW內部的情況下，致使該等處理參數之該等值更遠離該OPW之一邊界。

7.如條項6之方法，其中該OPW為一經擬合OPW。

8.如條項1至7中任一項之方法，其中該第一處理參數之一值經受一或多個限制。

9.如條項1至8中任一項之方法，其中該第一處理參數為焦點，且其中調整該第一處理參數包含移動或傾斜該基板。

10.如條項1至9中任一項之方法，其中調整該第一處理參數或該第二處理參數包含計算一成本函數，該成本函數為該等處理參數之一函數且量測該等處理參數之一空間中之一點至該部分之一重疊製程窗(OPW)之邊界的距離。

11.如條項10之方法，其中調整該第一處理參數或該第二處理參數進一步包含獲得最小化或最大化該成本函數的該等處理參數之值。

12.如條項11之方法，其中最小化或最大化該成本函數的該等處理參數之該等值係由高斯牛頓演算法、雷文柏格馬括特演算法、梯度下降演算法、模擬退火或遺傳演算法獲得。

13.如條項1至12中任一項之方法，其進一步包含最佳化該微影裝置。

14.如條項1至13中任一項之方法，其進一步包含最佳化該設計佈局之該部分。

15.如條項1至14中任一項之方法，其進一步包含獲得該部分或該設計佈局之一整體的一重疊製程窗(OPW)。

16.如條項1至15中任一項之方法，其進一步包含獲得一標稱條件。

17.如條項16之方法，其進一步包含判定自該標稱條件的偏差。

18.如條項1至17中任一項之方法，其進一步包含判定該等擾動。

19.一種用以改良使用一微影裝置將一設計佈局之一部分成像至一基板上之一微影製程的電腦實施方法，該方法包含：在該成像期間，調整該微影製程之處理參數當中的一第一處理參數，以致使該成像更耐受該等處理參數中之至少一者的擾動；及在該成像期間，調整該微影製程之處理參數當中的一第二處理參數，以致使該成像更耐受該等處理參數中之至少一者的擾動，其中致使該成像更耐受該等處理參數中之至少一者的擾動包含：(1)在該等處理參數之值在該部分之一重疊製程窗(OPW)外部的情況下，致使該等處理參數之該等值更接近於該OPW，或(2)在該等處理參數之值在該OPW內部的情況下，致使該等處理參數之該等值更遠離該OPW之一邊界，且其中藉由發現該部分中之至少一些圖案之製程窗的一重疊而獲得該OPW。

20.如條項19之方法，其中該等至少一些圖案少於該部分中之所有圖案。

21.如條項19或條項20之方法，其中該第一處理參數為劑量。

22.如條項19至21中任一項之方法，其中該第二處理參數為焦點。

23.如條項1至22中任一項之方法，其中調整該第一處理參數致使該成像更耐受不同於該第一處理參數之另一處理參數的擾動；或其中調整該第二處理參數致使該成像更耐受不同於該第二處理參數之另一處理參數的擾動。

24.一種用以改良使用一微影裝置將一設計佈局之一部分處理至一基板上之一微影製程的電腦實施方法，該方法包含：在該處理期間，調整該微影製程之處理參數當中的一第一處理參數，以致使該處理更耐受該等處理參數中之至少一者的擾動；及在該處理期間，調整該微影製程之處理參數當中的一第二處理參數，以致使該處理更耐受該等處理參數中之至少一者的擾動。

25.如條項24之方法，其中該第一處理參數為劑量。

26.如條項24或條項25之方法，其中該第二處理參數為焦點。

27.如條項24至26中任一項之方法，其中交替調整該第一處理參數及該第二處理參數。

28.如條項24至27中任一項之方法，其中同時調整該第一處理參數及該第二處理參數。

29.如條項24至28中任一項之方法，其中致使該處理更耐受該等處理參數中之至少一者的擾動包含：(1)在該等處理參數之值在該部分之一重疊製程窗(OPW)外部的情況下，致使該等處理參數之該等值更接近於該OPW，或(2)在該等處理參數之值在該OPW內部的情況下，致使該等處理參數之該等值更遠離該OPW之邊界。

30.如條項29之方法，其中該OPW為一經擬合OPW。

31.如條項24至30中任一項之方法，其中該第一處理參數之一值經受一或多個限制。

32.如條項24至31中任一項之方法，其中該第一處理參數為焦點，且其中調整該第一處理參數包含移動或傾斜該基板。

33.如條項24至32中任一項之方法，其中調整該第一處理參數或該第二處理參數包含計算一成本函數，該成本函數為該等處理參數之一函數且量測該等處理參數之一空間中之一點至該部分之一重疊製程窗(OPW)之邊界的距離。

34.如條項33之方法，其中調整該第一處理參數或該第二處理參數進一步包含獲得最小化或最大化該成本函數的該等處理參數之值。

35.如條項34之方法，其中最小化或最大化該成本函數的該等處理參數之該等值係由高斯牛頓演算法、雷文柏格馬括特演算法、梯度下降演算法、模擬退火或遺傳演算法獲得。

36.如條項24至35中任一項之方法，其進一步包含最佳化該微影裝置。

37.如條項24至36中任一項之方法，其進一步包含最佳化該設計佈局之該部分。

38.如條項24至37中任一項之方法，其進一步包含獲得該部分或該設計佈局之一整體的一重疊製程窗(OPW)。

39.如條項24至38中任一項之方法，其進一步包含獲得一標稱條件。

40.如條項39之方法，其進一步包含判定自該標稱條件的偏差。

41.如條項24至40中任一項之方法，其進一步包含判定該等擾動。

42.一種用以改良使用一微影裝置將一設計佈局之一部分處理至一基板上之一微影製程的電腦實施方法，該方法包含：在該處理期間，調整該微影製程之處理參數當中的一第一處理參數，以致使該處理更耐受該等處理參數中之至少一者的擾動；及在該處理期間，調整該微影製程之處理參數當中的一第二處理參數，以致使該處理更耐受該等處理參數中之至少一者的擾動，其中致使該處理更耐受該等處理參數中之至少一者的擾動包含：(1)在該等處理參數之值在該部分之一重疊製程窗(OPW)外部的情況下，致使該等處理參數之該等值更接近於該OPW，或(2)在該等處理參數之值在該OPW內部的情況下，致使該等處理參數之該等值更遠離該OPW之邊界，且其中藉由發現該部分中之至少一些圖案之製程窗的一重疊而獲得該OPW。

43.如條項42之方法，其中該等至少一些圖案少於該部分中之所有圖案。

44.如條項42或條項43之方法，其中該第一處理參數為劑量。

45.如條項42至44中任一項之方法，其中該第二處理參數為焦點。

46.如條項25至45中任一項之方法，其中調整該第一處理參數致使該處理更耐受不同於該第一處理參數之另一處理參數的擾動；或其中調整該第二處理參數致使該處理更耐受不同於該第二處理參數之另一處理參數的擾動。

47.一種電腦程式產品，其包含上面記錄有指令之一電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施如以上條項中任一項之方法。

可以任何便利形式實施本發明之態樣。舉例而言，可由一或多個適當電腦程式實施實施例，該一或多個適當電腦程式可攜載於可為有形載體媒體(例如，磁碟)或無形載體媒體(例如，通信信號)之適當載體媒體上。可使用可特定地採取可程式化電腦之形式的適合裝置來實施本發明之實施例，該可程式化電腦執行經配置以實施如本文中所描述之方法的電腦程式。

上文之描述意欲為說明性而非限制性的。因此，熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之實施例進行修改。