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TW201641290A - 光學薄膜 - Google Patents

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TW201641290A
TW201641290A TW105108765A TW105108765A TW201641290A TW 201641290 A TW201641290 A TW 201641290A TW 105108765 A TW105108765 A TW 105108765A TW 105108765 A TW105108765 A TW 105108765A TW 201641290 A TW201641290 A TW 201641290A
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polymer
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TW105108765A
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TWI700184B (zh
Inventor
Kazuyuki Obuchi
Taku Hatano
Original Assignee
Zeon Corp
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Publication date
Application filed by Zeon Corp filed Critical Zeon Corp
Publication of TW201641290A publication Critical patent/TW201641290A/zh
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Abstract

一種光學薄膜，係依照以下的順序具備：含有芳香族乙烯系化合物/共軛二烯化合物嵌段共聚物的氫化物之第一層；含有降莰烯系聚合物之第二層；及含有芳香族乙烯系化合物/共軛二烯化合物嵌段共聚物的氫化物之第三層。前述芳香族乙烯系化合物/共軛二烯化合物嵌段共聚物的氫化物，以苯乙烯/異戊二烯共聚物的氫化物為佳。在前述苯乙烯/異戊二烯共聚物的氫化物之苯乙烯/異戊二烯之共聚合比，以50/50~90/10為佳。

Description

光學薄膜
本發明係有關於一種光學薄膜。
作為相位差膜、偏光板保護膜及光學補償薄膜等的光學薄膜，通常係使用由樹脂所構成的薄膜。由此種樹脂所構成的光學薄膜之一，有含有降莰烯系聚合物之薄膜(參照專利文獻1及2)。
先前技術文獻
專利文獻
[專利文獻1]日本特開11-142645號公報
[專利文獻2]日本特開2004-156048號公報
光學薄膜係依照其用途，在使用時有可能被折彎。因此光學薄膜係被要求具有優異的耐折彎性。然而，含有降莰烯系聚合物之先前的薄膜，雖然具有優異的拉伸彈性模數及透明性等特性，但是耐折彎性有較差之傾向。
本發明係鑒於前述的課題而發明，其目的係提供一種含有降莰烯系聚合物且具有優異的耐折彎性之光學薄膜。
為了解決前述課題，本發明者專心研討之結果，發現依照以下的順序具備含有芳香族乙烯系化合物/共軛二烯化合物嵌段共聚物的氫化物之第一層、含有降莰烯系聚合物之第二層，及含有芳香族乙烯系化合物/共軛二烯化合物嵌段共聚物的氫化物之第三層之光學薄膜，具有優異的耐折彎性而完成了本發明。
亦即，本發明係如下述。
[1]一種光學薄膜，係依照以下的順序具備：含有芳香族乙烯系化合物/共軛二烯化合物嵌段共聚物的氫化物5第一層；含有降莰烯系聚合物之第二層；及含有芳香族乙烯系化合物/共軛二烯化合物嵌段共聚物的氫化物之第三層。
[2]如[1]所述之光學薄膜，其中前述芳香族乙烯系化合物/共軛二烯化合物嵌段共聚物的氫化物為苯乙烯/異戊二烯共聚物的氫化物。
[3]如[2]所述之光學薄膜，其中在前述苯乙烯/異戊二烯共聚物的氫化物之苯乙烯/異戊二烯的共聚合比為50/50~90/10。
[4]如[1]至[3]之任一項所述之光學薄膜，其中依據ASTM D570所測定的吸水率為0.1重量%以下。
依照本發明，能夠提供一種含有降莰烯系聚合物且具有優異的耐折彎性之光學薄膜。
用以實施發明之形態
以下，揭示實施形態及例示物而詳細地說明本發明。但是，本發明係不被以下所揭示的實施形態及例示物限定，在不脫離申請專利範圍的範圍及其均等的範圍之範圍，能夠任意地變更而實施。
在以下的說明中，所謂「偏光板」，只要未特別告知，不僅是剛直的板狀構件，亦包含如樹脂製的薄膜之具有可撓性的構件。
[1.光學薄膜的概要]
本發明的光學薄膜係依照以下的順序具備第一層、第二層及第三層之複層結構的薄膜。
[2.第一層]
第一層含有芳香族乙烯系化合物/共軛二烯化合物嵌段共聚物的氫化物。因而，第一層通常是由含有芳香族乙烯系化合物/共軛二烯化合物嵌段共聚物的氫化物的樹脂所構成之樹脂層，以下，有將前述含有芳香族乙烯系化合物/共軛二烯化合物嵌段共聚物的氫化物之樹脂，適當地稱為「氫化聚合物樹脂」之情形。該氫化聚合物樹脂係通常為熱可塑性樹脂。
芳香族乙烯系化合物/共軛二烯化合物嵌段共聚物，係將芳香族乙烯系化合物及共軛二烯化合物，以及視需要之任意的單體進行嵌段共聚合而得到之嵌段共聚物。前述的嵌段共聚物亦可以被例如烷氧基矽烷、羧酸、羧酸酐等改性。
作為芳香族乙烯系化合物，可舉出例如苯乙烯(styrene)、α-甲基苯乙烯、2-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、4-甲基苯乙烯、2,4-二異丙基苯乙烯、2,4-二甲基苯乙烯、4-第三丁基苯乙烯、5-第三丁基-2-甲基苯乙烯、4-單氯苯乙烯、二氯苯乙烯、4-單氟苯乙烯、4-苯基苯乙烯等。該等可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。尤其是就吸濕性的觀點而言，作為芳香族乙烯系化合物，係以不含有極性基者為佳。而且，舊工業上取得容易性、耐衝擊性的觀點而言，以苯乙烯為特佳。
作為共軛二烯化合物，係以鏈狀共軛二烯化合物為佳。作為鏈狀共軛二烯化合物，可舉出例如1,3-丁二烯、異戊二烯(isoprene)、2,3-二甲基-1,3-丁二烯、1,3-戊二烯等。該等可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。尤其是就吸濕性方面而言，係以不含有極性基者佳，以1,3-丁二烯及異戊二烯為較佳，以異戊二烯為特佳。
芳香族乙烯系化合物/共軛二烯化合物的共聚合比，係以50/50以上為佳，以55/45以上為較佳，以60/40以上為特佳，以90/10以下為佳，以85/15以下為較佳，以80/20以下為特佳。因而，例如在使用苯乙烯作為芳香族乙烯系化合物，且使用異戊二烯作為共軛二烯化合物之苯乙烯/異戊二烯嵌段共聚物，以使苯乙烯/異戊二烯的共聚合比落入前述的範圍為佳。藉由使前述的共聚合比成為前述範圍的下限值以上，能夠抑制光學薄膜的表面產生熔融接合，且能夠抑制黏結；藉由成為上限值以下，能夠使光學薄膜的耐折彎性進一步提升。
因為前述的嵌段共聚物係芳香族乙烯系化合物及共軛二烯化合物的嵌段共聚合，所以通常包含含有芳香族乙烯系化合物單元的聚合物嵌段[A]及含有共軛二烯化合物單元的聚合物嵌段[B]。在此，所謂芳香族乙烯系化合物單元，係指具有將芳香族乙烯系化合物聚合而形成的結構之結構單元。而且，所謂共軛二烯化合物單元，係指具有將共軛二烯化合物聚合而形成的結構之結構單元。
聚合物嵌段[A]，以含有芳香族乙烯系化合物單元作為主成分為佳。具體而言，在聚合物嵌段[A]之芳香族乙烯系化合物單元的比例，係以90重量%~100重量%為佳，以95重量%~100重量%為較佳，以99重量%~100重量%為特佳。藉由使聚合物嵌段[A]之芳香族乙烯系化合物單元的量成為如前述之多，能夠提高氫化聚合物樹脂的耐熱性。
聚合物嵌段[A]，除了芳香族乙烯系化合物單元以外，亦能夠含有任意的結構單元。作為任意的結構單元，可舉出例如共軛二烯化合物單元、以及具有將芳香族乙烯系化合物以外的乙烯系化合物聚合而形成的結構之結構單元等。
作為芳香族乙烯系化合物以外的乙烯系化合物，可舉出例如鏈狀乙烯系化合物；環狀乙烯系化合物；具有腈基、烷氧基羰基、羥羰基、或鹵基之乙烯系化合物；不飽和的環狀酸酐；不飽和醯亞胺化合物等。尤其是就吸濕性方面而言，以乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-庚烯、1-辛烯、1-壬烯、1-癸烯、1-十二烯、1-二十烯、4-甲基-1-戊烯、4,6-二甲基-1-庚烯等的鏈狀烯烴；乙烯基環己烷等的環狀烯烴 等不含有極性基者為佳。其中，以鏈狀烯烴為較佳，以乙烯及丙烯為特佳。又，該等可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
在聚合物嵌段[A]之任意的結構單元之含有率，以10重量%以下為佳，以5重量%以下為較佳，以1重量%以下為特佳。
在嵌段共聚合物1分子之聚合物嵌段[A]的數目，以2個以上為佳，以5個以下為佳，以4個以下為較佳，以3個以下為特佳。在1分子中，複數個聚合物嵌段[A]，可互相相同亦可不同。
在1分子的嵌段共聚物包含複數個不同的聚合物嵌段[A]時，在聚合物嵌段[A]之中，將重量平均分子量最大的聚合物嵌段之重量平均分子量設為Mw(A1)，將重量平均分子量最少的聚合物嵌段之重量平均分子量設為Mw(A2)，此時Mw(A1)與Mw(A2)之比「Mw(A1)/Mw(A2)」以2.0以下為佳，以1.5以下為較佳，以1.2以下為特佳。藉此，能夠將各種物性值的偏差抑制成為較小。
聚合物嵌段[B]，係以含有共軛二烯化合物單元作為主成分為佳。具體而言，在聚合物嵌段[B]之共軛二烯化合物單元的比例，以90重量%~100重量%為佳，以95重量%~100重量%為較佳，以99重量%~100重量%為特佳。藉由使在聚合物嵌段[B]之共軛二烯化合物單元的量成為如前述之多，能夠使光學薄膜在低溫的耐折彎性有效地提升。
聚合物嵌段[B]，除了共軛二烯化合物單元以外， 亦能夠含有任意的結構單元。作為任意的結構單元，可舉出例如芳香族乙烯系化合物單元、以及具有將芳香族乙烯系化合物以外的乙烯系化合物聚合而形成的結構之結構單元等。
在聚合物嵌段[B]之任意的結構單元之含有率，以10重量%以下為佳，以5重量%以下為較佳，以1重量%以下為特佳。特別是藉由將在聚合物嵌段[B]之芳香族乙烯系化合物單元的含有率降低，能夠使氫化聚合物樹脂在低溫的柔軟性提升且能夠使光學薄膜在低溫的耐折彎性有效地提升。
在嵌段共聚合物1分子之聚合物嵌段[B]的數目，通常為1個以上，亦可為2個以上。在嵌段共聚物之聚合物嵌段[B]的數目為2個以上時，聚合物嵌段[B]可互相相同亦可不同。
在1分子的嵌段共聚物包含複數個不同的聚合物嵌段[B]時，在聚合物嵌段[B]之中，將重量平均分子量最大的聚合物嵌段之重量平均分子量設為Mw(B1)，將重量平均分子量最少的聚合物嵌段之重量平均分子量設為Mw(B2)，此時Mw(B1)與Mw(B2)之比「Mw(B1)/Mw(B2)」以2.0以下為佳，以1.5以下為較佳，以1.2以下為特佳。藉此，能夠將各種物性值的偏差抑制成為較小。
在嵌段共聚物，總聚合物嵌段[A]在嵌段共聚物全體所佔有的重量分率wA，與總聚合物嵌段[B]在嵌段共聚物全體所佔有的重量分率wB之比(wA/wB)，以50/50以上為佳，以55/45以上為較佳，以90/10以下為佳，以85/15以下為較佳。藉由使前述的比wA/wB成為前述範圍的下限值以上，能 夠提升氫化聚合物樹脂的耐熱性。又，藉由成為上限值以下，能夠提高氫化聚合物樹脂的柔軟性。再者，能夠降低嵌段共聚物的玻璃轉移溫度。
嵌段共聚物的嵌段之形態可為鏈狀型嵌段，亦可為放射狀型嵌段。尤其是因為具有優異的機械強度，以鏈狀型嵌段為佳。
嵌段共聚物具有鏈狀型嵌段的形態時，其兩端係以聚合物嵌段[A]為佳。藉此，能夠將氫化聚合物樹脂的發黏抑制成為較低的值。
嵌段共聚物的特佳嵌段形態，係聚合物嵌段[A]鍵結在聚合物嵌段[B]的兩端而成之具有[A]-[B]-[A]結構之三嵌段共聚物；聚合物嵌段[B]鍵結在聚合物嵌段[A]的兩端，而且聚合物嵌段[A]各自鍵結在該兩聚合物嵌段[B]的另一端而成之具有[A]-[B]-[A]-[B]-[A]結構之五嵌段共聚物。特別是因為容易製造且能夠使黏度等的物性在所需要的範圍，以三嵌段共聚物為特佳。
前述的嵌段共聚物的子量，係藉由以四氫呋喃(THF)作為溶劑之GPC所測定之聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)，以30,000以上為佳，以40,000以上為較佳，以50,000以上為特佳，以200,000以下為佳，以150,000以下為較佳，以100,000以下為特佳。
又，嵌段共聚物的分子量分布(Mw/Mn)，以3以下為佳，以2以下為較佳，以1.5以下為特佳。
上述芳香族乙烯系化合物/共軛二烯化合物嵌段共 聚物之製造方法係沒有限制，例如製造具有3個聚合物嵌段之嵌段共聚物時，可舉出下述的製造方法1及2。在此，稱為「單體組成物」之材料，不僅是2種類以上的物質之混合物，亦包含由單一物質所構成的材料。
(製造方法1)
包含具有以下的步驟之方法：使含有芳香族乙烯系化合物的單體組成物(a1)聚合而形成聚合物嵌段[A]之第一步驟；在該聚合物嵌段[A]的一端，使含有共軛二烯化合物之單體組成物(b1)聚合而形成聚合物嵌段[B]，來形成[A]-[B]的二嵌段聚合物之第二步驟；及在該二嵌段聚合物的嵌段[B]側的末端，使含有芳香族乙烯系化合物的單體組成物(a2)聚合而得到嵌段共聚物之第三步驟。但是，單體組成物(a1)與單體組成物(a2)可相同亦可不同。
(製造方法2)
包含具有以下的步驟之方法：使含有芳香族乙烯系化合物之單體組成物(a1)聚合而形成聚合物嵌段[A]之第一步驟；在該聚合物嵌段[A]的一端，使含有共軛二烯化合物之單體組成物(b1)聚合而形成聚合物嵌段[B]，來形成[A]-[B]的二嵌段聚合物之第二步驟；及在該等二嵌段聚合物彼此的聚合物嵌段[B]側的末端之間，藉由偶合劑使其偶合而得到嵌段共聚物之第三步驟。
作為將單體組成物聚合而得到各自的聚合物嵌段 之方法，能夠使用例如自由基聚合、陰離子聚合、陽離子聚合、配位陰離子聚合、配位陽離子聚合等。就使聚合操作及在後續步驟的氫化反應成為容易之觀點而言，係以藉由活性聚合(living polymerization)進行自由基聚合、陰離子聚合或陽離子聚合為佳，以藉由活性陰離子聚合進行之方法為特佳。
前述的單體組成物之聚合，係能夠在聚合起始劑的存在下，在以0℃以上為佳、以10℃以上為較佳、以20℃以上為特佳、且以100℃以下為佳、以80℃以下為較佳、以70℃以下為特佳的溫度範圍進行。
進行活性陰離子聚合時，作為聚合起始劑，能夠使用例如正丁基鋰、第二丁基鋰、第三丁基鋰、己基鋰等的單有機鋰；二鋰甲烷、1,4-二鋰丁烷、1,4-二鋰-2-乙基環己烷等的多官能性有機鋰化合物等。該等可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
聚合反應的形態，可舉出例如溶液聚合及漿料聚合等。尤其是若使用溶液聚合，則反應熱的除去較為容易。
進行溶液聚合時，作為溶劑，能夠使用在各步驟所得到的聚合物能夠溶解的惰性溶劑。作為惰性溶劑，可舉出例如正戊烷、異戊烷、正己烷、正庚烷、異辛烷等的脂肪族烴溶劑；環戊烷、環己烷、甲基環戊烷、甲基環己烷、十氫萘(decalin)等的脂環式烴溶劑；苯、甲苯等的芳香族烴溶劑等。該等可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。尤其是使用脂環式烴溶劑作為溶劑時，因為在氫化反應能夠直接使用作為惰性溶劑且嵌段共聚合物的溶解性亦良好，乃是較佳。相 對於總使用單體100重量份，溶劑的使用量以200重量份~2000重量份為佳。
各自的單體組成物包含2種以上的單體時，為了防止只有某1成分的鏈變長，例如能夠使用無規化劑(randomizer)，特別是藉由陰離子聚合進行聚合反應時，使用例如路易斯鹼化合物作為無規化劑為佳。作為路易斯鹼化合物，可舉出例如二甲醚、二乙醚、二異丙基醚、二丁基醚、四氫呋喃、二苯基醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇甲基苯基醚等的醚化合物；四甲基乙二胺、三甲胺、三乙胺、吡啶等的第3級胺化合物；鉀-第三戊氧化物、鉀-第三丁氧化物等的鹼金屬烷氧化合物；三苯膦等的膦化合物等，該等可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
芳香族乙烯系化合物/共軛二烯化合物嵌段共聚物的氫化物，係經過將上述芳香族乙烯系化合物/共軛二烯化合物嵌段共聚物氫化之步驟而得到之聚合物。該氫化物亦可視需要而使用例如烷氧基矽烷、羧酸、羧酸酐等改性。藉由使用氫化物，能夠減少從氫化聚合物樹脂的排氣(out gas)產生量。
前述的氫化物，係將上述芳香族乙烯系化合物/共軛二烯化合物嵌段共聚物的不飽和鍵進行氫化而得到者。嵌段共聚物的不飽和鍵，係嵌段共聚物的主鏈及側鏈之芳香族性及非芳香族性的碳-碳不飽和鍵之任一者均包含。氫化率係以嵌段共聚物的總不飽和鍵的90%以上為佳，以97%以上為較佳，以99%以上為特佳。氫化率越高，能夠使氫化聚合物樹脂的耐熱性及耐光性成為越良好。氫化物的氫化率能夠藉由使用 1H-NMR測定來求取。
特別是非芳香族性的不飽和鍵之氫化率係以95%以上為佳，以99%以上為較佳。藉由提高非芳香族性的碳-碳不飽和鍵之氫化率，能夠進一步提高氫化聚合物樹脂的耐光性及耐氧化性。
又，芳香族性的碳-碳不飽和鍵之氫化率係以90%以上為佳，以93%以上為較佳，以95%以上為特佳。藉由提高芳香環的碳-碳不飽和鍵之氫化率，因為將聚合物嵌段[A]氫化而得到的聚合物嵌段之玻璃轉移溫度變高，所以能夠有效地提高氫化聚合物樹脂的耐熱性。
嵌段共聚物的氫化物的重量平均分子量(Mw)，係藉由以四氫呋喃作為溶劑的凝膠滲透層析法(gel permeation chromatography,GPC)所測定之聚苯乙烯換算的值，以30,000以上為佳，以40,000以上為較佳，以45,000以上為特佳，以200,000以下為佳，以150,000以下為較佳，以100,000以下為特佳。又，嵌段共聚物的氫化物的分子量分布(Mw/Mn)，係以3以下為佳，以2以下為較佳，以1.5以下為特佳。藉由使嵌段共聚物的氫化物之重量平均分子量Mw及分子量分布Mw/Mn落入前述的範圍，能夠使氫化聚合物樹脂的機械強度及耐熱性提升。
在嵌段共聚物的氫化物，總聚合物嵌段[A]在嵌段共聚物全體所佔有的重量分率wA與總聚合物嵌段[B]在嵌段共聚物全體所佔有的重量分率wB之比(wA/wB)，通常與氫化前在嵌段共聚物之wA/wB為同樣的值。
而且，嵌段共聚物的氫化物係以在其分子結構具有烷氧矽烷基為佳。具有該烷氧矽烷基之嵌段共聚物的氫化物，例如能夠藉由使烷氧矽烷基鍵結到不具有烷氧矽烷基的嵌段共聚物的氫化物來得到。此時，可使烷氧矽烷基直接鍵結到嵌段共聚物的氫化物，亦可透過例如伸烷基等的二價有機基而使其鍵結。
具有烷氧矽烷基之嵌段共聚物的氫化物，與例如玻璃、無機物、金屬等材料之接著性為特別優異。因此，在將光學薄膜與任意構件接著時，能夠特別地提高光學薄膜與任意構件之接著性。
相對於導入烷氧矽烷基之前的嵌段共聚物的氫化物100重量份，烷氧矽烷基的導入量以0.1重量份以上為佳，以0.2重量份以上為較佳，以0.3重量份以上為特佳，以10重量份以下為佳，以5重量份以下為較佳，以3重量份以下為特佳。使烷氧矽烷基的導入量落入前述範圍時，因為能夠防止被水分等分解後的烷氧矽烷基彼此之間的交聯度變為太高，所以能夠維持較高的接著性。
烷氧矽烷基的導入量，能夠使用1H-NMR光譜(導入量較少時則增加累計次數)而計量。
具有烷氧矽烷基之嵌段共聚物的氫化物的分子量，因為被導入的烷氧矽烷基的量少，所以通常與導入烷氧矽烷基之前的嵌段共聚物的氫化物之分子量相比變化不大。但是，導入烷氧矽烷基時，在過氧化物的存在下使嵌段共聚物的氫化物改性反應時，該氫化物進行交聯反應及切斷反應，使得 分子量分布有重大變化之情形。具有烷氧矽烷基之嵌段共聚物的氫化物的重量平均分子量，係藉由以四氫呋喃作為溶劑之凝膠滲透層析法(GPC)所測定之聚苯乙烯換算的值，以30,000以上為佳，以40,000以上為較佳，以50,000以上為特佳，以200,000以下為佳，以150,000以下為較佳，以120,000以下為特佳，又，具有烷氧矽烷基之嵌段共聚物的氫化物的分子量分布(Mw/Mn)，以3.5以下為佳，以2.5以下為較佳，以2.0以下為特佳。具有烷氧矽烷基之嵌段共聚物的氫化物之重量平均分子量Mw及分子量分布Mw/Mn為該範圍時，能夠使氫化聚合物樹脂的機械強度及拉伸伸長率成為良好。
如前述的嵌段共聚物的氫化物之製造方法，係通常包含將上述嵌段共聚物氫化。作為氫化方法，係以能夠提高氫化率且嵌段共聚物的鏈切斷反應較少的氫化方法為佳。作為此種較佳氫化方法，可舉出例如使用含有選自由鎳、鈷、鐵、鈦、銠、鈀、鉑、釕、錸所組成的群組之至少1種金屬之氫化觸媒而進行氫化之方法。氫化觸媒可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。氫化觸媒係不均勻系觸媒、均勻系觸媒的任一種均能夠使用。又，氫化反應以在有機溶劑中進行為佳。
不均勻系觸媒，例如可在游離的金屬或金層化合物之狀態下使用，亦可負載在適當的載體而使用。作為載體，可舉出例如活性碳、氧化矽、氧化鋁、碳酸鈣、二氧化鈦、氧化鎂、氧化鋯、矽藻土、碳化矽、氟化鈣等。相對於觸媒及載體的合計量，觸媒的負載量以0.1重量%以上為佳，以1重量 %以上為較佳，以60重量%以下為佳，以50重量%以下為較佳。又，負載型觸媒的比表面積，以100m2/g~500m2/g為佳。而且，負載型觸媒的平均細孔徑係100Å以上為佳，以200Å以上為較佳，以1000Å以下為佳，以500Å以下為較佳。在此，比表面積係測定氮吸附量且使用BET式而求取。又，平均細孔徑係能夠使用水銀壓入法來測定。
作為均勻系觸媒，例如能夠使用將鎳、鈷、鈦或鐵的化合物與有機金層化合物組合而成之觸媒；銠、鈀、鉑、釕、錸等的有機金屬錯合物觸媒等。
作為鎳、鈷、鈦或鐵的化合物，例如可舉出各金屬的乙醯丙酮鹽(acetylacetonate)化合物、羧酸鹽、環戊二烯基化合物等。
又，作為有機金屬化合物，例如可舉出三乙基鋁、三異丁基鋁等的烷基鋁、氯化二乙基鋁、二氯化乙基鋁等的鹵化鋁、氫化二異丁基鋁等的氫化烷基鋁等的有機鋁化合物；以及有機鋰化合物等。
作為有機金屬錯合物觸媒，例如可舉出二氫化-四(三苯膦)釕、二氫化-四(三苯膦)鐵、雙(環辛二烯基)鎳、雙(環戊二烯基)鎳等的過渡金屬錯合物。
相對於嵌段共聚物100重量份，氫化觸媒的量以0.01重量份以上為佳，以0.05重量份以上為較佳，以0.1重量份以上為特佳，以100重量份以下為佳，以50重量份以下為較佳，以30重量份以下為特佳。
氫化反應的溫度以10℃以上為佳，以50℃以為上較佳，以80℃以上特佳為，以250℃以下為佳，以200℃以下 為較佳，以180以下為特佳。藉由在如此的溫度範圍進行氫化反應，能夠提高氫化率，而且能夠減少嵌段共聚物的分子切斷。
又，氫化反應時的氫壓力，以0.1MPa以上為佳，以1MPa以上為較佳，以2MPa以上為特佳，以30MPa以下為佳、以20MPa以下為較佳，以10MPa以下為特佳。藉由在如此的氫壓力進行氫化反應，能夠提高氫化率，能夠減少嵌段共聚物的分子切斷，操作性變為良好。
藉如前述地將嵌段共聚合物氫化，能夠得到嵌段共聚物的氫化物作為生成物。該氫化反應後的生成物可直接使用。又，亦可對氫化反應後的生成物，視需要而進一步施行任意的處理之後而使用。例如，亦可對氫化反應後的生成物，視需要而進行導入烷氧矽烷基之處理。
作為在嵌段共聚物的氫化物導入烷氧矽烷基之方法，例如，能夠使用在過氧化物的存在下，使導入烷氧矽烷基之前的嵌段共聚物的氫化物與乙烯性不飽和矽烷化合物反應之方法。
作為乙烯性不飽和矽烷化合物，能夠使用可與嵌段共聚物的氫化物接枝聚合且能夠在嵌段共聚物的氫化物導入烷氧矽烷基者。
作為此種乙烯性不飽和矽烷化合物的例子，可舉出乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、丙烯基三甲氧基矽烷、丙烯基三乙氧基矽烷、二甲氧基甲基乙烯基矽烷、二乙氧基甲基乙烯基矽烷、對-苯乙烯基三甲氧基矽烷、對-苯乙烯基三乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯 醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷及2-降莰烯-5-基三甲氧基矽烷等。尤其是以乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、丙烯基三甲氧基矽烷、丙烯基三乙氧基矽烷、二甲氧基甲基乙烯基矽烷、二乙氧基甲基乙烯基矽烷、對-苯乙烯基三甲氧基矽烷為佳。又，乙烯性不飽和矽烷化合物可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
相對於導入烷氧矽烷基之前的嵌段共聚物的氫化物100重量份，乙烯性不飽和矽烷化合物的量以0.1重量份以上為佳，以0.2重量份以上為較佳，以0.3重量份以上為特佳，以10重量份以下為佳，以5重量份以下為較佳，以3重量份以下為特佳。
作為過氧化物，例如可舉出過氧化二苯甲醯、過氧化乙酸第三丁酯、2,2-二-(第三丁基過氧化)丁烷、過氧化苯甲酸第三丁酯、第三丁基過氧化異丙苯、過氧化二異丙苯、二-第三己基過氧化物、2,5-二甲基-2,5-二(第三丁基過氧化己烷)、二-第三丁基過氧化物、2,5-二甲基-2,5-二(第三丁基過氧化)己烷-3、第三丁基過氧化氫、過氧化異丁酸第三丁酯、過氧化月桂醯、過氧化二丙醯、對薄荷烷過氧化氫等的有機過氧化物。尤其是以1分鐘半衰期溫度為170℃~190℃者為佳，例如以過氧化第三丁基異丙苯、過氧化二異丙苯、過氧化二-第三己基、2,5-二甲基-2,5-二(第三丁基過氧化己烷)、過氧化二-第三丁基等為佳。又，過氧化物可單獨使用1種類，亦可組合2 種以上而使用。
相對於導入烷氧矽烷基之前的嵌段共聚物的氫化物100重量份，過氧化物的量以0.01重量份以上為佳，以0.2重量份以上為較佳，以0.3重量份以上為特佳，以5重量份以下為佳，以3重量份以下為較佳，以2重量份以下為特佳。
上述使嵌段共聚合物的氫化物與乙烯性不飽和矽烷化合物在過氧化物的存在下反應之方法，例如能夠使用加熱混煉機及反應器而進行。舉出具體例時，能夠藉由將嵌段共聚物的氫化物、乙烯性不飽和矽烷化合物及過氧化物的混合物，使用雙軸混煉機使其在嵌段共聚物的氫化物的熔融溫度以上加熱熔融，進行所需時間的混煉，而將烷氧矽烷基導入至嵌段共聚物的氫化物。具體的溫度以180℃以上為佳，以190℃以上為較佳、以200℃以上為特佳，以240℃以下為佳，以230℃以下為較佳，以220℃以下為特佳。又，加熱混煉時間以0.1分鐘以上為佳，以0.2分鐘以上為較佳，以0.3分鐘以上為特佳，以15分鐘以下為佳，以10分鐘以下為較佳，以5分鐘以下為特佳。使用雙軸混煉機、單軸擠製機等的連續混煉設備時，係能夠使滯留時間成為上述範圍而連續地進行混煉及擠製。
使用上述所得到的嵌段共聚物的氫化物，係通常以含有嵌段共聚物的氫化物、氫化觸媒及聚合觸媒之反應液的方式得到。因此，嵌段共聚物的氫化物，係藉由從該反應液例如使用過濾及離心分離等的方法而除去氫化觸媒及聚合觸媒之後，而能夠從反應液回收。作為將嵌段共聚物的氫化物從反 應液回收之方法，例如可舉出從嵌段共聚物的氫化物溶解後的溶液，藉由汽提法(steam stripping)將溶劑除去之蒸氣凝固法；減壓加熱下將溶劑除去之直接脫溶劑法；將溶液注入嵌段共聚物的氫化物的弱溶劑中，而使嵌段共聚合物的氫化物析出及凝固之凝固法等。
氫化聚合物樹脂為使上述嵌段共聚物的氫化物組合而可含有任意成分。作為任意成分，例如可舉出用以調整玻璃轉移溫度及彈性模數之可塑劑、用以使耐候性及耐熱性提升之光安定劑、紫外線吸收劑、抗氧化劑、滑劑、無機填料等。又，任意成分可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
作為可塑劑，例如，聚異丁烯、氫化聚異丁烯、氫化聚異戊二烯、氫化1,3-戊二烯系石油樹脂、氫化環戊二烯系石油樹脂、氫化苯乙烯．茚系石油樹脂等。
相對於氫化聚合物樹脂100重量份，可塑劑的量以40重量份以下為佳，且能夠配合調整樹脂特性之目的而適當地選擇。
作為光安定劑，係以受阻胺(hindered amine)系光安定劑為佳，以在結構中具有3,5-二-第三丁基-4-羥苯基、2,2,6,6-四甲基哌啶基、或1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基之化合物為特佳。作為光安定劑的具體例，可舉出在國際公開第2014/091941號所記載的光安定劑。
相對於嵌段共聚物的氫化物100重量份，光安定劑的量以0.01重量份以上為佳，以0.02重量份以上為較佳，以0.03重 量份以上為特佳，以5重量份以下為佳，以2重量份以下為較佳，以1重量份以下為特佳。藉由使光安定劑的量成為前述範圍的下限值以上，能夠提高氫化聚合物樹脂的耐候性。又，藉由成為上限值以下，在將氫化聚合物樹脂成形時，能夠防止擠製機的T型模具及冷卻輥產生污染，而能夠提高加工性。
作為紫外線吸收劑，例如可舉出二苯基酮系紫外線吸收劑、柳酸系紫外線吸收劑、苯并三唑糸紫外線吸收劑等。作為紫外線安定劑的具體例，可舉出在國際公開第2014/091941號所記載的紫外線吸收劑。
相對於嵌段共聚物的氫化物100重量份，紫外線吸收劑的量以0.01重量份以上為佳，以0.02重量份以上為較佳，以0.04重量份以上為特佳，以1重量份以下為佳，以0.5重量份以下為較佳，以0.3重量份以下為特佳。藉由使紫外線吸收劑成為前述範圍的下限值以上而使用，能夠改善氫化聚合物樹脂的耐光性，但是即使超出上限而過剩地使用，亦難以得到進一步改善。
作為抗氧化劑，例如可舉出磷系抗氧化劑、酚系抗氧化劑、硫系氧化防止劑等，以著色較少的磷系抗氧化劑為佳。作為抗氧化劑的具體例，可舉出在國際公開第2014/091941號所記載的抗氧化劑。
相對於嵌段共聚物的氫化物100重量份，抗氧化劑的量以0.01重量份以上為佳，以0.05重量份以上為較佳，以0.1重量份以上為特佳，以1重量份以下為佳，以0.5重量份以下為較佳，以0.3重量份以下為特佳。藉由使抗氧化劑成為前述範圍 的下限值以上而使用，能夠改善氫化聚合物樹脂的熱安定性，但是即使超出上限而過剩地使用，亦難以得到進一步改善。
氫化聚合物樹脂的玻璃轉移溫度以30℃以上為佳，以50℃以上為較佳，以70℃以上為特佳，以200℃以下為佳，以180℃以下為較佳、以160℃以下為特佳。氫化聚合物樹脂可能具有複數個玻璃轉移溫度之情形，此時，以使樹脂的最高玻璃轉移溫度落入前述的範圍為佳。
因為上述嵌段共聚物的氫化物通常為彈性體，所以含有該嵌段共聚物的氫化物之氫化聚合物樹脂具有優異的柔軟性。因為本發明的光學薄膜，係在含有降莰烯系(norbornene)聚合物之第二層的兩側具備如此柔軟的氫化聚合物樹脂層(亦即，第一層及第三層)，所以對降莰烯系聚合物優異的特性損害不大，而能夠改善耐折彎性。
第一層的厚度以2μm以上為佳，以5μm以上為較佳，以50μm以下為佳，以30μm以下為較佳。藉由使第一層的厚度成為前述範圍的下限值以上，能夠使耐折彎性進一步提升，藉由成為前述範圍的上限值以下，能夠使光學薄膜全體的厚度薄化。
第一層的厚度與第二層的厚度之比(第一層/第二層)，係以5/95以上為佳，以10/90以上為較佳，以60/40以下為佳，以40/60以下為較佳，藉由使前述的厚度比成為前述範圍的下限值以上，能夠使耐折彎性進一步提升，藉由成為前述範圍的上限值以下，能夠維持光學薄膜全體的彈性模數及耐熱性。
[3.第二層]
第二層含有降莰烯系聚合物。因而，第二層通常是由含有降莰烯系聚合物的樹脂所構成之樹脂層。以下，有將含有降莰烯系聚合物的樹脂適當地稱為「降莰烯系樹脂」之情形。該降莰烯系樹脂通常為熱可塑性樹脂。
作為降莰烯系聚合物的例子，可舉出具有降莰烯結構的單體之開環聚合物及其氫化物；具有降莰烯結構的單體之加成聚合物及其氫化物。又，作為具有降莰烯結構的單體之開環聚合物的例子，可舉出具有降莰烯結構之1種類的單體之開環同元聚合物、具有降莰烯結構之2種類以上的單體之開環共聚物、以及具有降莰烯結構之單體和能夠與其共聚合的任意單體之開環共聚物。而且，作為具有降莰烯結構的單體之加成聚合物的例子，具有降莰烯結構之1種類的單體之加成同元聚合物、具有降莰烯結構之2種類以上的單體之加成共聚物、以及具有降莰烯結構之單體和能夠與其共聚合的任意單體之加成共聚物。該等之中，從成形性、耐熱性、低吸濕性、尺寸安定性、輕量性等的觀點而言，係以具有降莰烯結構的單體之開環共聚物的氫化物為特別適合。
作為具有降莰烯結構之單體，例如，能夠舉出雙環[2.2.1]庚-2-烯(慣用名：降莰烯)、三環[4.3.0.12,5]癸-3,7-二烯(慣用名：二環戊二烯)、7,8-苯并三環[4.3.0.12,5]癸-3-烯(慣用名：亞甲基四氫茀)、四環[4.4.0.12,5.17,10]十二-3-烯(慣用名：四環十二烯)、及該等化合物的衍生物(例如在環具有取代基者)等。在此，作為取代基，例如可舉出烷基、伸烷基、極性基等。 該等取代基可相同或不同，亦可在環鍵結有複數個。具有降莰烯結構的單體，可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
作為極性基的種類，例如可舉出雜原子、或具有雜原子之原子團等。作為雜原子，可舉出例如氧原子、氮原子、硫原子、矽原子、鹵素原子等。作為極性基的具體例，可舉出羧基、羰氧基羰基、環氧基、羥基、氧基、酯基、矽烷醇基、矽烷基、胺基、腈基、磺酸基等。
作為能夠與具有降莰烯結構的單體開環共聚合之單體，例如可舉出環己烯、環庚烯、環辛烯等的單環狀烯烴類及其衍生物；環己二烯、環庚二烯等的環狀共軛二烯及其衍生物等。能夠與具有降莰烯結構的單體開環共聚合的單體，可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
具有降莰烯結構的單體之開環聚合物，係例如能夠藉由將單體在開環聚合觸媒的存在下進行聚合或共聚合來製造。
作為能夠與具有降莰烯結構的單體加成共聚合的單體，例如可舉出乙烯、丙烯、1-丁烯等碳數2~20的α-烯烴及該等之衍生物；環丁烯、環戊烯、環己烯等的環烯烴及該等之衍生物；1,4-己二烯、4-甲基-1,4-己二烯、5-甲基-1,4-己二烯等的非共軛二烯等。該等之中，係以α-烯烴為佳，以乙烯為較佳。能夠與具有降莰烯結構的單體加成共聚合的其它單體，可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
具有降莰烯結構的單體之加成聚合物，係例如能 夠藉由將單體在加成聚合觸媒的存在下進行聚合或共聚合來製造。
上述的開環聚合物及加成聚合物的氫化物，係例如能夠藉由在開環聚合物及加成聚合物的溶液，在含有鎳、鈀等的過渡金屬之氫化觸媒的存在下，以將碳-碳不飽和鍵90%以上氫化為佳而製造。
降莰烯聚合物之中，作為結構單元，係以具有X：雙環[3.3.0]辛烷-2,4-二基-伸乙基結構、Y：三環[4.3.0.12,5]癸烷-7,9-二基-伸乙基結構，相對於降莰烯聚合物的結構單元全體，該等結構單元的量為90重量%以上，且X的比例與Y的比例之比X：Y以重量比計為100：0~40：60為佳。藉由使用此種聚合物，能夠使光學薄膜成為長期間無尺寸變化而具有優異的特性安定性者。
降莰烯系聚合物的重量平均分子量(Mw)以10,000以上為佳，以15,000以上為較佳，以20,000以上為特佳，以100,000以下為佳，以80,000以下為較佳，以50,000以下為特佳。當重量平均分子量為如此的範圍時，第二層的機械強度及成型加工性能夠高度地平衡。
降莰烯系聚合物的分子量分布(重量平均分子量(Mw)/數量平均分子量(Mn))，以1.2以上為佳，以1.5以上為較佳，以1.8以上為特佳，以3.5以下為佳，以3.0以下為較佳，以2.7以下為特佳。藉由使分子量分布成為前述範圍的下限值以上，能夠提高降莰烯系聚合物的生產性，而抑制製造成本。又，藉由成為上限值以下，因為低分子成分的量變小，所 以能夠抑制高溫曝露時的鬆弛，而能夠提高光學薄膜的安定性。
前述重量平均分子量(Mw)及數量平均分子量(Mn)，係能夠藉由使用環己烷作為溶劑(但是，試料不溶解於環己烷時，亦可使用甲苯)之凝膠滲透層析法，設作聚異戊二烯或聚苯乙烯換算的重量平均分子量而測定。
降莰烯系聚合物的飽和吸水率，以0.03重量%以下為佳，以0.02重量%以下為更佳，以0.01重量%以下為特佳。若飽和吸水率為前述範圍，則能夠減小光學薄膜的遲滯值等光學特性的經時變化。又，能夠抑制具有光學薄膜之構件(偏光板等)及裝置(影像顯示裝置等)的劣化，而能夠實現該等的構件及裝置的長壽命化。
飽和吸水率係表示相對於浸漬前試片的質量，將試料浸漬一定溫度的水中一定時間而增加的質量以百分率表示之值。通常係在23℃的水中浸漬24小時而測定。聚合物的飽和吸水率，係例如能夠藉由減少聚合物中的極性基之量，而能夠調節成為前述的範圍。因此，從進一步減低飽和吸水率的觀點而言，降莰烯系聚合物係以不具有極性基為佳。
在降莰烯系樹脂之降莰烯系聚合物的量，以50.0重量%~100重量%為佳，以80.0重量%~100重量%為較佳，以90.0重量%~100重量%為特佳。藉由使降莰烯系聚合物的量落入前述範圍，能夠活用降莰烯系聚合物所具有之耐熱性、耐濕性、透明性、構械的強度、尺寸安定性、成形性等的特性，而得到優異的光學薄膜。
降莰烯系樹脂為使上述降莰烯系聚合物組合而可含有任意成分。作為任意成分，例如可舉出顏料、染料等的著色劑；可塑劑；螢光增白劑；分散劑；熱安定劑；光安定劑；抗靜電劑；紫外線吸收劑；抗氧化劑；界面活性劑等的調配劑。任意成分可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
降莰烯系樹脂的玻璃轉移溫度，以100℃以上為佳，以110℃以上為較佳，以120℃以上為特佳，以160℃以下為佳，以150℃以下為較佳，以140以下為特佳。藉由使降莰烯系樹脂的玻璃轉移溫度成為前述範圍的下限值以上，能夠提高在高溫環境下之光學薄膜的耐久性，藉由成為前述範圍的上限值以下，能夠容易地進行光學薄膜的製造。
因為光學薄膜係如前述地具備含有降莰烯系聚合物之第二層，所以在透明性及拉伸彈性模數等的特性，能夠顯示與含有降莰烯系聚合物之先前的薄膜同程度之優異的性質。而且，光學薄膜通常在耐熱性、耐濕性、尺寸安定性、成形性等的特性，也能夠顯示與含有降莰烯糸聚合物之先前的薄膜同程度之優異的性質。
第二層的厚度係以5μm以上為佳，以10μm以上為較佳，以200μm以下為佳，以100μm以下為較佳。藉由第二層的厚度成為前述範圍的下限值以上，能夠維持光學薄膜全體的彈性模數及耐熱性，藉由成為前述範圍的上限值以下，能夠使耐折彎性進一步提升。
[4.第三層]
第三層含有芳香族乙烯系化合物/共軛二烯化合物嵌段共聚物的氫化物。因而，第三層通常是由含有芳香族乙烯系化合物/共軛二烯化合物嵌段共聚物的氫化物之氫化聚合物樹脂所構成之樹脂層。
作為在第三層所含有的氫化聚合物樹脂，係能夠任意地使用已說明作為在第一層所含有的氫化聚合物樹脂之範圍者。在第一層所含有的氫化聚合物樹脂與在第三層所含有的氫化聚合物樹脂亦可不同，但是從抑制光學薄膜的製造成本及抑制捲曲的觀點而言，係以相同為佳。
第三層的厚度，係能夠任意地設定為已說明作為在第一層的厚度之範圍的厚度。第一層的厚度與第三層的厚度亦可不同，但是從抑制光學薄膜的捲曲之觀點而言，係以相同為佳。
[5.任意層]
光學薄膜，只要不顯著地損害本發明的效果，能夠是第一層、第二層及第三層組合而可具備任意層。但是，從使光學薄膜薄化的觀點而言，光學薄膜係以具備第一層、第二層及第三層之3層結構的薄膜為佳。
[6.光學薄膜的物性及尺寸]
上述光學薄膜係具有優異的耐折彎性。因此，光學薄膜係即便使用在伴隨著彎曲動作之用途，亦不容易破損。光學薄膜的耐折彎性係能夠藉由耐折度而評價。光學薄膜的耐折度，通常為500以上，以1000以上為佳，以1500以上為較佳。光學薄膜的耐折度之上限，沒有特別限定，例如能夠設為1,000,000 以下。
光學薄膜的耐折度，係能夠採用依據JIS P 8115「紙及板紙-耐折強度試驗方法-MIT試驗機法」之MIT耐折試驗，依照下述的程序而測定。
從作為試料的光學薄膜，切取寬度15mm±0.1mm、長度約110mm的試片。此時，光學薄膜係經過延伸處理而製成的薄膜時，係以被最強大地延伸的方向與試片的約110mm之邊平行之方式製造試片。隨後，使用MIT耐折度試驗機(安田精機製作所製「No.307」)，在荷重9.8N、彎曲部的曲率0.38±0.02mm、折彎角度135°±2°、折彎速度175次/分鐘的條件下，以在試片的寬度方向顯現折痕之方式將前述的試片折彎。繼續該折彎且測定試片斷裂為止的往復折彎次數。
製作10片試片，依照前述的方法測定至試片斷裂為止之往復折彎次數10次。將如此進行而測得的10次測定值之平均，設作該光學薄膜的耐折度(MIT耐折次數)。
又，相較於含有降莰烯系聚合物之先前的薄膜，上述光學薄膜同樣地具有優異的特性。例如，本發明的光學薄膜具有優異的透明性及機械強度。
具體而言，光學薄膜的總光線透射率，以70%~100%為佳，以80%~100%為較佳，以90%~100%為特佳。光學薄膜的總光線透射率，能夠使用紫外．可見分光計且在波長400nm~700nm的範圍進行測定。
又，光學薄膜的拉伸彈性模數以1000MPa以上為佳，以1400MPa以上為較佳，以1600MPa以上為特佳。光學 薄膜的拉伸彈性模數能夠依據JIS K 7161而測定。光學薄膜的拉伸彈性模數之上限，沒有特別限定，例如，能夠設為5000MPa以下。
光學薄膜所含有的揮發性成分之量，以0.1重量%以下為佳，以0.05重量%以下為較佳、以0.02重量%以下為更佳，藉由使揮發性成分的量成為前述範圍，能夠提升光學薄膜體的尺寸安定性且減少遲滯值等光學特性的經時變化。而且，能夠抑制具備光學薄膜之構件(偏光板等)及裝置(影像顯示裝置等)的劣化且能夠實現該等構件及裝置的長壽命化。在此，揮發性成分為分子量200以下的物質。作為揮發性成分，可舉出例如殘留單體及溶劑等。揮發性成分的量係設作分子量200以下的物質之合計，能夠藉由使用氣相層析儀分析而定量。
光學薄膜之厚度以較薄為佳。如此，即使厚度較薄，上述的光學薄膜仍具有較高的耐折彎性。光學薄膜的具體厚度以5μm以上為佳，以10μm以上為較佳，以200μm以下為佳，以100μm以下為較佳。
光學薄膜的吸水率以0.1重量%以下為佳，以0.05重量%以下為較佳，以0.01重量%以下為更佳，理想為0重量%。若吸水率為該範圍內，則能夠實現具備光學薄膜的構件(偏光板等)及裝置(影像顯示裝置等)之長壽命化。吸水率的下限沒有特別限定，理想為0重量%。光學薄膜的吸水率係依照ASTM D570所測得的值。具體而言，能夠藉由將100m×100mm的薄膜浸漬23℃的水中1小時，測定浸漬的增加重量來算出。
[7.光學薄膜的製造方法]
光學薄膜的製造方法沒有限制。光學薄膜係能夠藉由包含例如將氫化聚合物樹脂及降莰烯系樹脂成形為薄膜狀的步驟之製造方法來得到。
作為樹脂的成形方法，例如可舉出共擠製法及共流延法等。該等成形方法之中，因為共擠製法具有優異的製造效率且在光學薄膜中不容易殘留揮發性成分，乃是較佳。
共擠製法係包含將氫化聚合物樹脂及降莰烯系樹脂共擠製之擠製步驟。在擠製步驟，氫化聚合物樹脂及降莰烯系樹脂係各自以熔融狀態被擠出成為層狀。此時，作為樹脂的擠製方法，例如可舉出共擠製T型模具法、共擠製吹塑法、共擠製層疊法等。尤其是以共擠製T型模具法為佳。共擠製T型模具法有供料塊(feed block)方式及多歧管(multi-manifold)方式，就能夠使厚度偏差較少而言，以多歧管方式為特佳。
在擠製步驟，被擠出的樹脂之熔融溫度，以(Tg+80℃)以上為佳，以(Tg+100℃)以上為較佳，以(Tg+180℃)以下為佳，以(Tg+170℃)以下為較佳。在此「Tg」係表示氫化聚合物樹脂及降莰烯系樹脂的玻璃轉移溫度之中最高的溫度。藉由使被擠出的樹脂之熔融溫度成為前述範圍的下限值以上，能夠充分地提高樹脂的流動性，而使成型性成為良好，又，藉由成為上限值以下，能夠抑制樹脂的劣化。
在擠製步驟中，在擠製機中的樹脂溫度，在樹脂投入口以Tg~(Tg+100℃)為佳，在擠製機出口以(Tg+50℃)~(Tg+170℃)為佳，擠壓模溫度以(Tg+50℃)~(Tg+170C)為佳。
在共擠製法，通常係使從模具被擠出的薄膜狀熔融樹脂密著在冷卻輥，而使其冷卻、硬化。此時，作為使熔融樹脂密著冷卻輥之方法，例如可舉出氣動刮刀(air knife)方式、真空箱(vacuum box)方式、靜電密著方式等。
冷卻輥的數目沒有特別限制，通常為2支以上。作為冷卻輥的配置方法，可舉出例如直線型、Z型、L型等。此時，從模具被擠製後的熔融樹脂通達至冷卻輥之方法沒有特別限制。
藉由如前述地進行，而能夠得到依照以下的順序具備下列層之光學薄膜：由將氫化聚合物樹脂及降莰烯系樹脂成形為薄膜狀氫化聚合物樹脂所構成之第一層；由降莰烯系樹脂所構成之第二層；及由氫化聚合物樹脂所構成之第三層。
光學薄膜的製造方法，除了上述的步驟以外，亦可進一步包含任意步驟。
例如，光學薄膜的製造方法，亦可包含對光學薄膜施行延伸處理之步驟。藉由施行延伸處理，能夠使光學薄膜顯現所需要的遲滯值，或改善顯現光學薄膜的機械特性。
又，例如光學薄膜的製造方法，亦可包含對光學薄膜施行表面處理之步驟。
[8.光學薄膜的用途]
光學薄膜的用途係任意。光學薄膜的用途，可舉出例如相位差膜、偏光板保護膜、光學裝置用封裝薄膜、有機電激發光元件用基材薄膜、可撓性電極用基材薄膜、觸控面板用基材薄膜等。
[實施例]
以下，揭示實施例而具體地說明本發明，本發明係不被以下所揭示的實施例限定，在不脫離本發明的申請專利範圍及其均等的範圍之範圍，能夠任意地變更而實施。
在以下的說明，表示量之「%」及「份」，只要未特別告知，就是重量基準。又，以下說明之操作，只要未特別告知，就是在常溫常壓大氣中進行。
[評價方法]
[拉伸彈性模數的測定方法]
光學薄膜的拉伸彈性模數依據JIS K 7161而測定。
[耐折度的評價方法]
光學薄膜的耐折度，藉由依據JIS P 8115「紙及板紙-耐折強度試驗方法-MIT試驗機法」之MIT耐折試驗，依照下述的程序而測定。
從作為試料的光學薄膜，切取寬度15mm±0.1mm、長度約110mm的試片。使用MIT耐折度試驗機(安田精機製作所製「No.307」)，在荷重9.8N、彎曲部的曲率0.38±0.02mm、折彎角度135°±2°、折彎速度175次/分鐘的條件下，以在試片的寬度方向顯現折痕之方式將前述的試片折彎。繼續該折彎且測定試片斷裂為止的往復折彎次數。
製作10片試片，依照前述的方法測定至試片斷裂為止之往復折彎次數10次。將如此進行而測得的10次測定值之平均，設作該光學薄膜的耐折度(MIT耐折次數)。
[總光線透射率的測定方法]
光學薄膜的總光線透射率，使用紫外．可見分光計且在波 長400nm~700nm的範圍進行測定。
[吸水率]
光學薄膜的吸水率，依照ASTM D570所測得的值。具體而言，能夠藉由將100mm×100mm的薄膜浸漬在23℃的水中1小時，測定其增加重量來算出。
[製造例1：樹脂A的製造]
(嵌段共聚物的製造)
在內部充分地被氮氣取代之具備攪拌裝置之反應器中，加入脫水環己烷550份、脫水苯乙烯30.0份及正二丁基醚0.475份。將全部內容物邊在60℃攪拌邊添加正丁基鋰(15%環己烷溶液)0.83份，而使其開始聚合，邊在60℃攪拌邊使其進一步反應60分鐘。將反應液使用氣體層析法測定時，在此時點之聚合轉化率為99.5%。
隨後，將脫水異戊二烯40.0份添加至反應液，直接在60℃繼續攪拌30分鐘。使用氣體層析法測定反應液時，在此時點的聚合轉化率為99%。
隨後，進一步在反應液中添加30.0份脫水苯乙烯，將全部內容物在60℃攪拌60分鐘。使用氣體層析法測定反應液時，在此時點的聚合轉化率為大約100%。
在此，添加異丙醇0.5份，使反應停止，而得到含有嵌段共聚物之聚合物溶液。所得到的嵌段共聚物之重量平均分子量(Mw)為48,300，分子量分布(Mw/Mn)為1.03，苯乙烯嵌段與異丁烯嵌段的比例以重量比計為60：40。
(氫化反應)
接著，將上述聚合物溶液移送至具有攪拌裝置之耐壓反應器，添加作為氫化觸媒之矽藻土負載型鎳觸媒(日揮觸媒化成公司製「E22U」、鎳負載量60%)4.0份及脫水環己烷100份並混合。使用氫氣取代反應器內部，而且邊攪拌溶液邊供給氫氣，在溫度170℃、壓力4.5MPa進行氫化反應6小時。藉由氫化反應而得到的嵌段共聚合物氫化物的重量平均分子量(Mw)為51,500，分子分布(Mw/Mn)為1.04。
(丸粒化)
氫化反應結束後，將反應液過濾而除去氫化觸媒。隨後，在濾液中添加將酚系抗氧化劑之新戊四醇．四[3-(3,5-二-第三丁基-4-羥苯基)丙酸酯](KOYO化學研究所公司製「Songnox1010」)0.05重量份溶解而成之二甲苯溶液1.0份。接著，使用Zeta Plus(註冊商標)FILTER 30H(CUNO公司製、孔徑0.5μm~1μm)將上述溶液進行過濾，進一步使用另外的金屬纖維製過濾機(NICHIDAI公司製、孔徑0.4μm)依次進行過濾，而將微小的固體成分除去。隨後，使用圓筒型的濃縮乾燥器(日立製作所公司製、KONTRO)，在溫度260℃、壓力0.001MPa以下，將溶劑之環己烷、二甲苯及其它的揮發成分從溶液除去。將剩餘的固體成分從直接連結在濃縮乾燥器之模具，在熔融狀態下擠出成為股線(strand)狀，冷卻後，使用製粒機進行切割，而得到含有嵌段共聚物氫化物之丸粒95份。所得到之丸粒的嵌段共聚物氫化物的重量平均分子量(Mw)為50,300，分子量分布(Mw/Mn)為1.05，氫化率為大約100%。以下，將該丸粒的樹脂適當地稱為「樹脂A」。
[製造例2：樹脂B的製造]
在內部充分地被氮氣取代之具備攪拌裝置之反應器中，加入脫水環己烷550份、脫水苯乙烯45.0份及正二丁基醚0.475份。將全部內容物邊在60℃攪拌邊添加正丁基鋰(15%環己烷溶液)0.83份，而使其開始聚合，邊在60℃攪拌邊使其進一步反應60分鐘。將反應液使用氣體層析法測定時，在此時點之聚合轉化率為99.5%。
隨後，將脫水異戊二烯10.0份添加至反應液，直接在60℃繼續攪拌30分鐘。使用氣體層析法測定反應液時，在此時點的聚合轉化率為99%。
隨後，進一步在反應液中添加45.0份脫水苯乙烯，將全部內容物在60℃攪拌60分鐘。使用氣體層析法測定反應液時，在此時點的聚合轉化率為大約100%。
在此，添加異丙醇0.5份，使反應停止，而得到含有嵌段共聚物之聚合物溶液。所得到的嵌段共聚物之重量平均分子量(Mw)為50,400，分子量分布(Mw/Mn)為1.03，苯乙烯嵌段與異丁烯嵌段的比例以重量比計為90：10。
與製造例1同樣地進行，將所得到的嵌段共聚物進行氫化反應。藉由氫化反應而得到的嵌段共聚物氫化物之重量平均分子量(Mw)為53,000，分子分布(Mw/Mn)為1.04。
與製造例1同樣地進行，將所得到的嵌段聚合物氫化物進行丸粒化。所得到之丸粒的嵌段共聚物氫化物的重量平均分子量(Mw)為52,200，分子量分布(Mw/Mn)為1.05，氫化率大約為100%。以下，將該丸粒的樹脂適當地稱為「樹脂B」。
[製造例3：樹脂C的製造]
在內部充分地被氮氣取代之具備攪拌裝置之反應器中，加入脫水環己烷550份、脫水苯乙烯37.5份及正二丁基醚0.475份。將全部內容物邊在60℃攪拌邊添加正丁基鋰(15%環己烷溶液)0.83份，而使其開始聚合，邊在60℃攪拌邊使其進一步反應60分鐘。將反應液使用氣體層析法測定時，在此時點之聚合轉化率為99.5%。
隨後，將脫水異戊二烯25.0份添加至反應液，直接在60℃繼續攪拌30分鐘。使用氣體層析法測定反應液時，在此時點的聚合轉化率為99%。
隨後，進一步在反應液中添加37.5份脫水苯乙烯，將全部內容物在60℃攪拌60分鐘。使用氣體層析法測定反應液時，在此時點的聚合轉化率為大約100%。
在此，添加異丙醇0.5份，使反應停止，而得到含有嵌段共聚物之聚合物溶液。所得到的嵌段共聚物之重量平均分子量(Mw)為54,000，分子量分布(Mw/Mn)為1.04，苯乙烯嵌段與異丁烯嵌段的比例以重量比計為75：25。
與製造例1同樣地進行，將所得到的嵌段共聚物進行氫化反應。藉由氫化反應而得到的嵌段共聚物氫化物之重量平均分子量(Mw)為53,100，分子分布(Mw/Mn)為1.04。
與製造例1同樣地進行，將所得到的嵌段聚合物氫化物進行丸粒化。所得到之丸粒的嵌段共聚物氫化物的重量平均分子量(Mw)為52,500，分子量分布(Mw/Mn)為1.05，氫化率大約為100%。以下，將該丸粒的樹脂適當地稱為「樹脂C」。
[製造例.4：樹脂D的製造]
在內部充分地被氮氣取代之具備攪拌裝置之反應器中，加入脫水環己烷550份、脫水苯乙烯47.5份及正二丁基醚0.475份。將全部內容物邊在60℃攪拌邊添加正丁基鋰(15%環己烷溶液)0.83份，而使其開始聚合，邊在60℃攪拌邊使其進一步反應60分鐘。將反應液使用氣體層析法測定時，在此時點之聚合轉化率為99.5%。
隨後，將脫水異戊二烯5.0份添加至反應液，直接在60℃繼續攪拌30分鐘。使用氣體層析法測定反應液時，在此時點的聚合轉化率為99%。
隨後，進一步在反應液中添加47.5份脫水苯乙烯，將全部內容物在60℃攪拌60分鐘。使用氣體層析法測定反應液時，在此時點的聚合轉化率為大約100%。
在此，添加異丙醇0.5份，使反應停止，而得到含有嵌段共聚物之聚合物溶液。所得到的嵌段共聚物之重量平均分子量(Mw)為54,000，分子量分布(Mw/Mn)為1.04，苯乙烯嵌段與異丁烯嵌段的比例重量比計為95：5。
與製造例1同樣地進行，將所得到的嵌段共聚物進行氫化反應。藉由氫化反應而得到的嵌段共聚物氫化物之重量平均分子量(Mw)為53,000，分子分布(Mw/Mn)為1.04。
與製造例1同樣地進行，將所得到的嵌段聚合物氫化物進行丸粒化。所得到之丸粒的嵌段共聚物氫化物的重量平均分子量(Mw)為52,200，分子量分布(Mw/Mn)為1.05，氫化率大約為100%。以下，將該丸粒的樹脂適當地稱為「樹脂D」。
[實施例1]
準備3種3層之共擠製成形用薄膜成形裝置，其具有具備雙螺紋型的螺桿之3台單軸擠製機a、b及c。在此，所謂3種3層的薄膜成形裝置，係表示能夠使用3種類的樹脂而製造3層結構的薄膜之薄膜成形裝置。在本實施例所使用的薄膜成形裝置，係以能夠製造依照以下的順序具備下列層之薄膜的方式設置：被投入單軸擠製機a之樹脂的層；被投入單軸擠製機b之樹脂的層；及被投入單軸擠製機c之樹脂的層。
將樹脂A的丸粒投入單軸擠製機a及單軸擠製機c。又，將降莰烯系樹脂(日本ZEON製「ZEONOR 1600」)的丸粒投入單軸擠製機b。隨後，將已投入單軸延伸機a、b及c的樹脂各自在擠製溫度260℃使其熔融。
將熔融後的樹脂A及降莰烯系樹脂，通過孔眼開度10μm的葉盤(leaf disc)形狀的聚合物過濾機而供給至多歧管模具，從多歧管模具在260℃同時擠出成為薄膜狀。將被擠出後的薄膜狀熔融樹脂，鑄塑(cast)在經調整表面溫度為100。℃之冷卻輥，接著，通過經調整表面溫度為50℃之2支冷卻輥之間，而得到依照以下的順序具備由樹脂A所構成的第一層(厚度5μm)/由降莰烯系樹脂所構成的第二層((厚度40μm)/由樹脂A所構成的第三層(厚度5μm)之厚度50μm的光學薄膜。
針對所得到的光學薄膜，使用上述的方法進行評價。
[實施例2]
除了使用樹脂B代替樹脂A以外，係與實施例1同樣地進行，製造光學薄膜及評價。
[實施例3]
除了使用樹脂C代替樹脂A以外，係與實施例1同樣地進行，製造光學薄膜及評價。
[實施例4]
除了使用樹脂D代替樹脂A以外，係與實施例1同樣地進行，製造光學薄膜及評價。
[比較例1]
除了使用降莰烯系樹脂代替樹脂A以外，係與實施例1同樣地進行，製造只具備由降莰烯系樹脂所構成的層之單層構造光學薄膜及評價。
[比較例2]
除了使用樹脂A代替降莰烯系樹脂以外，係與實施例1同樣地進行，製造只具備由樹脂A所構成的層之單層構造光學薄膜及評價。
[結果]
將上述實施例及比較例的結果，顯示在下述的表1。在下述的表1，簡稱的意思如下。
St/IP比：在芳香族乙烯系化合物/共軛二烯化合物嵌段共聚物的氫化物之苯乙烯與異戊二烯的重量比(苯乙烯/異戊二烯)
ZNR：降莰烯系樹脂
彈性模數：光學薄膜的拉伸彈性模數
透過率：光學薄膜的總光線透射率
[研討]
從表1能夠得知，實施例1~4的光學薄膜係耐折度大、吸水率低，而且拉伸彈性模數及總光線透射率的雙方均優異。因而，依照本發明，能夠確認可得到具有與由先前的降莰烯系樹脂所構成的薄膜同程度的特性，同時能夠實現具有優異的耐折彎性之光學薄膜。

Claims (4)

  1. 一種光學薄膜，係依照以下的順序具備：含有芳香族乙烯系化合物/共軛二烯化合物嵌段共聚物的氫化物之第一層；含有降莰烯系聚合物之第二層；及含有芳香族乙烯系化合物/共軛二烯化合物嵌段共聚物的氫化物之第三層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之光學薄膜，其中前述芳香族乙烯系化合物/共軛二烯化合物嵌段共聚物的氫化物為苯乙烯/異戊二烯共聚物的氫化物。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之光學薄膜，其中在前述苯乙烯/異戊二烯共聚物的氫化物之苯乙烯/異戊二烯的共聚合比為50/50~90/10。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之光學薄膜，其中依據ASTM D570所測定的吸水率為0.1重量%以下。
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