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TW201640229A - 製程差異感知適應性檢測及度量衡 - Google Patents

製程差異感知適應性檢測及度量衡 Download PDF

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TW201640229A
TW201640229A TW105102573A TW105102573A TW201640229A TW 201640229 A TW201640229 A TW 201640229A TW 105102573 A TW105102573 A TW 105102573A TW 105102573 A TW105102573 A TW 105102573A TW 201640229 A TW201640229 A TW 201640229A
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維努夠頗 維倫奇
維為克 庫瑪 簡
史蒂芬 亨奇
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Ａｓｍｌ荷蘭公司
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Abstract

本文中揭示一種用於涉及將一或多個圖案處理至一基板上之一器件製造製程的電腦實施缺陷預測方法，該方法包括：判定處理該一或多個圖案所依據的一或多個處理參數之值；及使用該一或多個處理參數之該等值來判定或預測由運用該器件製造製程產生該一或多個圖案而引起之一缺陷的存在、存在機率、一特性及/或選自前述各者之一組合。

Description

製程差異感知適應性檢測及度量衡
本發明係關於一種調整半導體製造製程之效能的方法。該方法可結合微影裝置而使用。
微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在此狀況下，圖案化器件(例如，光罩)可含有或提供對應於IC之個別層之電路圖案(「設計佈局」)，且可藉由諸如經由圖案化器件上之電路圖案而輻照已被塗佈有輻射敏感材料(「抗蝕劑」)層之基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含一或多個晶粒)的方法將此電路圖案轉印至該目標部分上。一般而言，單一基板含有複數個鄰近目標部分，電路圖案係由微影裝置順次地轉印至該複數個鄰近目標部分，一次一個目標部分。在一種類型之微影裝置中，將整個圖案化器件上之電路圖案一次性轉印至一個目標部分上；此裝置通常被稱作步進器(stepper)。在通常被稱作步進掃描裝置(step-and-scan apparatus)之替代裝置中，投影光束在給定參考方向(「掃描」方向)上遍及圖案化器件進行掃描，同時平行或反平行於此參考方向而同步地移動基板。圖案化器件上之電路圖案之不同部分被漸進地轉印至一個目標部分。一般而言，因為微影裝置將具有放大因數M(通常<1)，所以基板被移動之速度F將為投影光束掃描圖案化器件之速度的因數M倍。可(例如)自以引用的方式 併入本文中之US 6,046,792搜集到關於如本文中所描述之微影器件的更多資訊。
微影裝置可屬於具有兩個或兩個以上台(例如，兩個或兩個以上基板台、一基板台及一量測台、兩個或兩個以上圖案化器件台等等)之類型。在此等「多載物台」器件中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上實行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。舉例而言，以引用的方式併入本文中之US 5,969,441中描述雙載物台微影裝置。
在將電路圖案自圖案化器件轉印至基板之前，基板可經歷各種工序，諸如上底漆、抗蝕劑塗佈及軟烘烤。在曝光之後，基板可經受其他工序，諸如曝光後烘烤(post-exposure bake；PEB)、顯影、硬烘烤，及經轉印電路圖案之量測/檢測。此工序陣列用作製造一器件(例如，IC)之個別層的基礎。基板接著可經歷各種製程，諸如蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、化學機械拋光等等，該等製程皆意欲精整器件之個別層。若在器件中需要若干層，則針對每一層重複整個工序或其變型。最終，在基板上之每一目標部分中將存在一器件。接著藉由諸如切割或鋸切之技術而使此等器件彼此分離，由此可將個別器件安裝於載體上、連接至銷釘，等等。
如所提及，微影為IC製造中之中心步驟，其中形成於基板上之圖案界定IC之功能元件，諸如微處理器、記憶體晶片等等。相似微影技術亦用於形成平板顯示器、微機電系統(micro-electro mechanical system；MEMS)及其他器件。
本文中揭示一種用於涉及將一或多個圖案處理至一基板上之一器件製造製程的電腦實施缺陷預測方法，該方法包含：判定處理該一或多個圖案所依據的一或多個處理參數之值；及使用該一或多個處理 參數之該等值來判定或預測運用該器件製造製程而自該一或多個圖案產生之一缺陷的存在、存在機率、一特性及/或選自前述各者之一組合。
本文中揭示一種用於一器件製造製程之電腦實施缺陷預測方法，該方法包含：判定將一或多個圖案處理至一基板之一區域上所依據的一或多個處理參數之值；及使用該一或多個處理參數之該等值來判定或預測在該區域中由運用該器件製造製程產生該一或多個圖案而引起之一缺陷的存在、存在機率、一特性及/或選自前述各者之一組合。
本文中揭示一種用於涉及將一或多個圖案處理至一基板上之一器件製造製程的電腦實施缺陷預測方法，該方法包含：判定將一或多個圖案處理至該基板上所依據的該器件製造製程之一或多個處理參數橫越該基板之值，及利用該一或多個處理參數之該等值將一或多個區域識別為具有由運用該器件製造製程之產生而引起的一缺陷或具有該缺陷之增加存在機率。
本文中揭示一種用於一器件製造製程之電腦實施缺陷預測方法，該方法包含：判定將一或多個圖案處理至一基板之一區域上所依據的一或多個處理參數之值；及使用該一或多個處理參數之該等值來判定或預測由運用該器件製造製程產生該一或多個圖案而引起之一缺陷存在或具有一增加存在機率所處的該基板之一子區域。
本文中揭示一種用於選擇待在一基板上檢測之區域的器件，該器件經組態以獲得將一或多個圖案處理至該基板之一區域上所依據的一或多個處理參數之值；且該器件經組態以在一供檢測區域中由產生該一或多個圖案而引起之一缺陷的存在、存在機率、一特性及/或選自前述各者之一組合符合一或多個準則的情況下選擇該區域，其中使用該一或多個處理參數之該等值來判定或預測該存在、存在機率、特 性及/或選自前述各者之組合。
10‧‧‧微影裝置
12‧‧‧照明源
14‧‧‧光學件
16a‧‧‧光學件
16b‧‧‧光學件
16c‧‧‧透射光學件
18‧‧‧圖案化器件
20‧‧‧可調整濾光器/孔徑
21‧‧‧輻射光束
22‧‧‧琢面化場鏡面器件
24‧‧‧琢面化光瞳鏡面器件
26‧‧‧經圖案化光束
28‧‧‧反射元件
29‧‧‧基板平面
30‧‧‧反射元件
100‧‧‧電腦系統
102‧‧‧匯流排
104‧‧‧處理器
105‧‧‧處理器
106‧‧‧主記憶體
108‧‧‧唯讀記憶體(ROM)
110‧‧‧儲存器件
112‧‧‧顯示器
114‧‧‧輸入器件
116‧‧‧游標控制件
118‧‧‧通信介面
120‧‧‧網路鏈路
122‧‧‧區域網路
124‧‧‧主機電腦
126‧‧‧網際網路服務提供者(ISP)
128‧‧‧網際網路
130‧‧‧伺服器
210‧‧‧EUV輻射發射電漿/極熱電漿/高度離子化電漿
211‧‧‧源腔室
212‧‧‧收集器腔室
220‧‧‧圍封結構
221‧‧‧開口
230‧‧‧氣體障壁/污染物截留器/污染截留器/污染物障壁
240‧‧‧光柵光譜濾光器
251‧‧‧上游輻射收集器側
252‧‧‧下游輻射收集器側
253‧‧‧掠入射反射器
254‧‧‧掠入射反射器
255‧‧‧掠入射反射器
291‧‧‧步驟
292‧‧‧步驟
293‧‧‧步驟
310‧‧‧資料
320‧‧‧資料
330‧‧‧資料
340‧‧‧資料
350‧‧‧一或多個處理參數之例示性源
411‧‧‧步驟
412‧‧‧步驟
420‧‧‧一或多個處理參數
430‧‧‧分類模型
440‧‧‧類別
510‧‧‧步驟
520‧‧‧步驟
530‧‧‧步驟
540‧‧‧步驟
610‧‧‧步驟
620‧‧‧步驟
630‧‧‧步驟
640‧‧‧步驟
650‧‧‧重疊製程窗(OPW)
651‧‧‧重疊製程窗(OPW)
1000‧‧‧微影裝置
B‧‧‧輻射光束
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧輻射收集器/收集器光學件
IF‧‧‧虛擬源點/中間焦點
IL‧‧‧照明系統/照明器/照明光學件單元
LA‧‧‧雷射
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構
O‧‧‧光軸
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PS2‧‧‧位置感測器
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧源收集器模組
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
對於一般熟習此項技術者而言，在結合附圖而檢閱特定實施例之以下描述後，以上態樣及其他態樣及特徵就將變得顯而易見，在該等圖中：圖1為根據一實施例之微影系統之各種子系統的方塊圖；圖2展示使用處理圖案所依據之條件(例如，如被表明為一或多個處理參數之值)來判定或預測運用器件製造製程而自圖案產生之缺陷之存在、存在機率、特性及/或選自前述各者之組合的方法的流程圖；圖3展示一或多個處理參數之例示性源；圖4A展示圖2之步驟292的實施；圖4B展示圖2之步驟292的另外實施；圖5展示使用圖2之方法的例示性流程；圖6展示使用圖2之方法的另一例示性流程；圖7為可供實施實施例之實例電腦系統的方塊圖；圖8為另一微影裝置之示意圖；圖9為圖8中之裝置的更詳細視圖；圖10為圖8及圖9之裝置之源收集器模組SO的更詳細視圖。
現在將參考圖式詳細地描述實施例，該等圖式被提供為說明性實例以便使得熟習此項技術者能夠實踐該等實施例。值得注意地，以下諸圖及實例並不意謂將範疇限於單一實施例，而是藉由互換所描述或所說明元件中之一些或全部而使其他實施例成為可能。在任何方便的情況下，將貫穿圖式使用相同參考編號以係指相同或類似部件。在可使用已知組件來部分地或完全地實施此等實施例之某些元素的情況 下，將僅描述理解該等實施例所必要的此等已知組件之彼等部分，且將省略此等已知組件之其他部分的詳細描述以免混淆該等實施例之描述。在本說明書中，展示單數組件之實施例不應被視為限制性的；實情為，範疇意欲涵蓋包括複數個相同組件之其他實施例，且反之亦然，除非本文中另有明確陳述。此外，申請人並不意欲使本說明書或申請專利範圍中之任何術語歸結於不常見或特殊涵義，除非有如此明確闡述。另外，範疇涵蓋本文中作為說明而提及之組件的目前及未來已知等效者。
作為簡明介紹，圖1說明例示性微影裝置10。主要組件為：照明源12，其可為深紫外線準分子雷射源或包括極紫外線(EUV)源的其他類型之源；照明光學件，其界定部分相干性(被表示為均方偏差(sigma))且可包括塑形來自源12之輻射之光學件14、16a及16b；圖案化器件(例如，光罩或比例光罩)18；及透射光學件16c，其將圖案化器件圖案之影像投影至基板平面29上。投影光學件之光瞳平面處的可調整濾光器或孔徑20可限定照射於基板平面29上之光束角之範圍，其中最大可能角度界定投影光學件之數值孔徑NA=sin(Θmax)。
在微影裝置中，源將照明(亦即，輻射)提供至圖案化器件；投影光學件經由圖案化器件而將照明導向及塑形至基板上。此處，術語「投影光學件」被廣泛地定義為包括可變更輻射光束之波前的任何光學組件。舉例而言，投影光學件可包括組件14、16a、16b及16c中之至少一些。空中影像(aerial image；AI)為基板上之輻射強度分佈。曝光基板上之抗蝕劑層，且將空中影像轉印至抗蝕劑層以在其中作為潛伏「抗蝕劑影像」(resist image；RI)。可將抗蝕劑影像(RI)定義為抗蝕劑層中之抗蝕劑的溶解度之空間分佈。可使用抗蝕劑模型以自空中影像計算抗蝕劑影像，可在揭示內容之全文以引用的方式併入本文中之共同讓渡之美國專利申請公開案第US 2009-0157360號中找到此情 形之實例。抗蝕劑模型係僅關於抗蝕劑層之屬性(例如，在曝光、PEB及顯影期間發生之化學製程之效應)。微影裝置之光學屬性(例如，照明、圖案化器件及投影光學件之屬性)規定空中影像。因為可改變微影裝置中使用之圖案化器件，所以需要將圖案化器件之光學屬性與至少包括照明及投影光學件的微影裝置之其餘部分之光學屬性分離。
如本文中所使用之術語圖案化器件可被廣泛地解譯為係指可用以向入射輻射光束賦予經圖案化橫截面之通用圖案化器件，經圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中產生之圖案；術語「光閥」亦可用於此內容背景中。除了經典光罩(透射或反射；二元、相移、混合式等等)以外，其他此等圖案化器件之實例亦包括：
-可程式化鏡面陣列。此器件之一實例為具有黏彈性控制層及反射表面之矩陣可定址表面。此裝置所隱含之基本原理為(例如)：反射表面之經定址區域使入射輻射反射為繞射輻射，而未經定址區域使入射輻射反射為非繞射輻射。在使用適當濾光器的情況下，可自反射光束濾出該非繞射輻射，從而僅留下繞射輻射；以此方式，光束根據矩陣可定址表面之定址圖案而變得圖案化。可使用適合電子件來執行矩陣定址。可(例如)自以引用的方式併入本文中之美國專利第5,296,891號及第5,523,193號搜集到關於此等鏡面陣列之更多資訊。
-可程式化LCD陣列。以引用的方式併入本文中之美國專利第5,229,872號中給出此建構之一實例。
儘管可在本文中特定地參考在IC之製造中的實施例之使用，但應明確地理解，該等實施例具有許多其他可能應用。舉例而言，其可用來製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、液晶顯示面板、薄膜磁頭等等。熟習此項技術者將瞭解，在此等替代應用之內容背景中，在本文中對術語「比例光罩」、「晶圓」或「晶粒」之 任何使用應被視為可分別與更一般之術語「光罩」、「基板」及「目標部分」互換。
在本文件中，術語「輻射」及「光束」用以涵蓋全部類型之電磁輻射，包括紫外線輻射(例如，具有365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線輻射(EUV，例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)。
圖案化器件之各種圖案或由圖案化器件提供之各種圖案可具有不同製程窗，亦即，在一規格內將產生圖案所依據的處理參數之空間。圖案規格之實例(其係關於潛在系統性缺陷)包括針對頸縮、線拉回(line pull back)、線細化、臨界尺寸、邊緣置放、重疊、抗蝕劑頂部損耗、抗蝕劑底切及/或橋接之一或多個檢查。若產生在適用規格外之圖案，則其為缺陷。可藉由合併(例如，重疊)個別圖案中之每一者的製程窗，而獲得圖案化器件之圖案或由圖案化器件提供之圖案中之全部或一些(通常在特定區域內之一或多個圖案)的製程窗。因此，此等圖案之製程窗可被稱為重疊製程窗(overlapping process window；OPW)。OPW之邊界含有至少一些個別圖案之製程窗的邊界。換言之，此等個別圖案限制OPW。此等個別圖案可被稱作「製程窗限制圖案(process window limiting pattern；PWLP)」。當控制微影製程時，有可能且經濟的是集中於PWLP。當PWLP沒有缺陷時，任何圖案皆很可能沒有缺陷。
傾於產生缺陷之圖案通常可被稱為所關注圖案(pattern of interest；POI)。POI可包括一或多個PWLP，但未必限於一或多個PWLP。舉例而言，POI可包括憑經驗更可能產生缺陷之一或多個圖案。可藉由使設計佈局之圖案服從一或多個經驗規則而識別此POI。POI可包括不為PWLP但製程窗接近於OPW之邊界的一或多個圖案。POI可包括在過去產生缺陷之一或多個圖案(例如，藉由運用度量衡工 具之實際檢測所展示)。POI可包括具有根據(例如)統計模型產生缺陷之高或增加機率的一或多個圖案。高機率可包括大於或等於10%、大於或等於20%、大於或等於30%、大於或等於40%、大於或等於50%、大於或等於60%、大於或等於70%、大於或等於80%或大於或等於90%之缺陷產生。POI可包括具有某些幾何特點(例如，大小、形狀、相對於一或多個其他圖案之位置等等)之一或多個圖案。
一旦圖案被識別為POI，就需要使用適合的線上或離線度量衡工具來檢測彼圖案。然而，若POI之數目太大，則檢測該等POI將會非常耗時。因此，有益的是具有如下方法：其可較準確地判定或預測在給定條件下成像至給定基板上之圖案是否為缺陷，藉此縮減待檢測POI之數目且縮減檢測所需要之時間。除了改良該方法自身以外，考慮更多資訊亦可幫助改良判定或預測中之準確度。舉例而言，該方法可考慮處理或將處理圖案所依據之條件(例如，如被表明為一或多個處理參數之值)。該條件可隨著基板之位置或隨著時間而變化(例如，在基板之間、在基板上之晶粒之間等等)。此變化可由諸如溫度及/或濕度之環境的改變造成。此變化之其他原因可包括處理裝置中之一或多個組件(諸如照明系統、投影光學件、基板台)的漂移、基板表面之高度變化等等。將有益的是感知此變化及其對特定圖案是否將產生缺陷之效應。舉例而言，若原本不可能產生缺陷之圖案被成像至具有異常構形的基板之區域(例如，隆起區域或凹進區域)上，則該圖案可產生缺陷。當然，若非常可能產生缺陷之圖案被成像至此區域上，則該圖案可能被「儲存」。
根據一實施例，一種方法使用處理圖案所依據之條件(例如，如被表明為一或多個處理參數之值)來判定或預測運用器件製造製程而自圖案產生之缺陷之存在、存在機率、特性及/或選自前述各者之組合。
圖2展示此方法之實施例的流程圖。在步驟291中，判定處理一或多個圖案(例如，被成像或蝕刻至基板上)所依據的一或多個處理參數之值。在一實施例中，可獨佔式地在PWLP當中選擇一或多個圖案。在一實施例中，可在所有圖案當中選擇一或多個圖案。一或多個處理參數可為局域的-取決於一或多個圖案、晶粒或兩者之部位。一或多個處理參數可為全域的-獨立於一或多個圖案及晶粒之部位。用以判定一或多個處理參數之一種例示性方式係判定微影裝置之狀態。舉例而言，可自微影裝置量測諸如雷射頻寬、聚焦、劑量、照明形狀參數、投影光學件參數等等之一或多個處理參數，及/或一或多個此等參數之空間或時間變化。另一例示性方式係根據自對基板執行之度量衡或自處理裝置之業者獲得的資料推斷一或多個處理參數。舉例而言，度量衡可包括使用繞射工具(例如，ASML YieldStar度量衡工具)、電子顯微鏡或其他適合量測/檢測工具來檢測基板。有可能針對經處理基板上之任何部位(包括經識別POI)獲得一或多個處理參數之值。在一實施例中，一或多個處理參數包括聚焦深度及/或聚焦誤差(其為針對特定圖案之實際聚焦與最佳聚焦之間的差)。在一實施例中，可自諸如微影裝置、基板上聚焦度量衡及/或基板構形量測之多個源獲得聚焦誤差。聚焦誤差可歸因於基板之構形、投影光學件之漂移、照明系統(諸如輻射源)之漂移、基板之夾持、微影裝置之基板調平系統，及/或選自前述各者之組合。一或多個處理參數之值可被編譯成映圖(map)-隨部位而變之一或多個微影參數或製程條件。當然，可隨部位(亦即，映圖)而變來表示一或多個其他處理參數之值。在一實施例中，可在處理一或多個圖案之前或理想地即將處理一或多個圖案之前(例如，在判定一或多個處理參數之後及在處理一或多個圖案之前不處理其他圖案)或在處理一或多個圖案期間判定處理參數之值。
在步驟292中，使用處理一或多個圖案所依據的一或多個處理參數之值來判定或預測一或多個圖案所產生之缺陷的存在、存在機率、特性及/或選自前述各者之組合。在一實施例中，一或多個圖案之一或多個特性亦可用於判定或預測。在一實施例中，在不使用一或多個圖案之任何特性的情況下進行判定或預測。此判定可簡單地比較一或多個處理參數之值與一或多個圖案之OPW-若該等值屬於該OPW，則不存在缺陷；若該等值不屬於該OPW，則預期存在至少一個缺陷。亦可使用適合經驗模型(包括統計模型)來進行此判定。舉例而言，可使用分類模型以提供缺陷之存在機率。用以進行此判定之另一方式係使用計算模型以模擬一或多個圖案依據一或多個處理參數之值而產生的影像或經預期圖案化輪廓，且評估(例如，量測)一或多個影像或輪廓參數。在一實施例中，可在處理一或多個圖案或一基板之後立即(例如，在處理一或多個圖案或下一基板之前)判定一或多個處理參數。缺陷之經判定存在及/或特性可充當用於決定是否檢測一或多個圖案之基礎。在一實施例中，一或多個處理參數之值可用以計算一或多個微影參數之移動平均值。移動平均值有用於在不受到短期波動擾亂的情況下捕捉一或多個微影參數之長期漂移。
在選用步驟293中，在經判定或經預測存在、存在機率、特性及/或選自前述各者之組合符合一或多個準則(例如，機率高於臨限值)的情況下檢測一或多個圖案。
圖3展示一或多個處理參數之例示性源350。一個源可為處理裝置之資料310，諸如微影裝置之照明系統、投影光學件、基板載物台等等之參數。另一源可為來自一或多個基板度量衡工具之資料320，諸如基板高度映圖/資料、聚焦映圖/資料、臨界尺寸均一性(CDU)映圖/資料等等可在基板經受防止基板之重工的步驟(例如，蝕刻)之前獲得資料320。另一源可為來自一或多個圖案化器件度量衡工具之資 料330，諸如圖案化器件(例如，光罩)CDU映圖/資料、圖案化器件(例如，光罩)膜堆疊參數變化等等。又一源可為來自處理裝置之業者的資料340。
圖4A展示圖2之步驟292的實施。在步驟411中，藉由使用模型或藉由查詢資料庫而獲得一或多個圖案之OPW。舉例而言，OPW可為由諸如聚焦及劑量之處理參數跨越之空間。在步驟412中，比較在圖2之步驟291中判定的一或多個處理參數之值與OPW。若一或多個處理參數之值屬於OPW，則不存在缺陷；若一或多個處理參數之值不屬於OPW，則預期存在至少一個缺陷。
圖4B展示圖2之步驟292的另外實施。一或多個處理參數420可用作至分類模型430之輸入(例如，獨立變數)。一或多個處理參數420可包括照明之特性(例如，強度、光瞳剖面等等)、投影光學件之特性、劑量、聚焦、抗蝕劑之特性、抗蝕劑之顯影及/或曝光後烘烤之特性，及/或蝕刻之特性。術語「分類器」或「分類模型」有時亦係指藉由分類演算法而實施之數學函數，其將輸入資料映射至一類別。在機器學習及統計學中，分類為基於含有類別成員資格為吾人所知之觀測(或例項)的資料之訓練集而識別新觀測屬於類別440(子群體)之集合中之哪一類別的問題。個別觀測被分析成可定量屬性之集合，其被稱為各種解釋性變數、特徵等等。此等屬性可不同地為分類的(例如，「良好」-不產生缺陷之微影製程，或「不良」-產生缺陷之微影製程；「類型1」、「類型2」、……「類型n」-不同類型之缺陷)。分類被視為監督學習之例項，亦即，經正確識別之觀測之訓練集為可用的學習。分類模型之實例為邏輯回歸、多元羅吉特(multinomial logit)、機率單位回歸、感知器演算法、支援向量機器、匯入向量機器及/或線性判別分析。
圖5展示使用圖2之方法的例示性流程。在步驟510中，對產生至 基板之部分或整體上的一或多個圖案實行步驟291，其中，在此實例中，藉由在圖案化器件及/或基板上使用一或多個度量衡工具且藉由獲得(例如，量測)器件製造製程或設備(例如，微影裝置)之一或多個參數之值而判定一或多個處理參數之值。在步驟520中，實行步驟292，其中，在此實例中，若用於一或多個圖案之一或多個處理參數之值超出一或多個臨限值，則預期存在由一或多個圖案產生之至少一個缺陷。在步驟530中，識別被預期為產生至少一個缺陷的圍封一或多個圖案之區域(「所關注部位(location of interest；LOI)」)。LOI亦可圍封被預期為不產生至少一個缺陷之一或多個圖案。可將一或多個LOI編譯為映圖且呈現給使用者。在步驟540中，檢測一或多個LOI中之一或多個圖案。
圖6展示使用圖2之方法的另一例示性流程。在步驟610中，對產生至基板之部分或整體上的一或多個圖案實行步驟291，其中，在此實例中，藉由在圖案化器件及/或基板上使用一或多個度量衡工具且藉由獲得(例如，量測)器件製造製程或設備(例如，微影裝置)之一或多個參數之值而判定一或多個處理參數之值。在步驟620中，實行步驟292，其中，在此實例中，若用於一或多個圖案之一或多個處理參數之值超出一或多個圖案之OPW 650或所有圖案之OPW 651，則預期存在由一或多個圖案產生之至少一個缺陷。在步驟630中，識別被預期為產生至少一個缺陷的圍封一或多個圖案之區域(「所關注部位(LOI)」)。LOI亦可圍封被預期為不產生至少一個缺陷之一或多個圖案。可將一或多個LOI編譯為映圖且呈現給使用者。在步驟640中，檢測一或多個LOI中之一或多個圖案。
在一實施例中，一種用於一器件製造製程之電腦實施缺陷預測方法可包括：判定將一或多個圖案處理至一基板之一區域上所依據的一或多個處理參數之值；及使用該一或多個處理參數之該等值來判定 或預測在該區域中運用該器件製造製程而自該一或多個圖案產生之一缺陷的存在、存在機率、一特性及/或選自前述各者之一組合。可藉由比較該一或多個圖案之一製程窗與該一或多個處理參數之該等值而進行判定或預測該存在、存在機率、特性及/或選自前述各者之組合。該方法可進一步包括在該經判定或經預測存在、存在機率、特性及/或選自前述各者之組合符合一或多個準則的情況下檢測該區域。該一或多個準則可包含該一或多個處理參數之該等值不屬於該一或多個圖案之一製程窗。
在一實施例中，一種用於選擇待在一基板上檢測之區域的器件可獲得將一或多個圖案處理至該基板之一區域上所依據的一或多個處理參數之值；在一供檢測區域中自該一或多個圖案產生之一缺陷的存在、存在機率、一特性及/或選自前述各者之一組合符合一或多個準則的情況下選擇該區域。可使用該一或多個處理參數之該等值來判定或預測該存在、存在機率、特性及/或選自前述各者之組合。該器件可匯出包括表示該區域之一資料結構的一檔案。
一種基板檢測工具可檢測處理至基板上之圖案。該基板檢測工具可獲得包括表示待在該基板上檢測之一區域(代替特定部位或除了特定部位以外)之一資料結構的一檔案。該基板檢測工具可檢測該區域。
在一實施例中，一種用於涉及將一或多個圖案處理至一基板上之一器件製造製程的電腦實施缺陷預測方法，該方法包含：判定橫越該基板的一或多個處理參數之值；及利用該一或多個處理參數之該等值將一或多個區域識別為待檢測之一或多個區域。
該一或多個處理參數可為一或多個全域處理參數。可在不使用該一或多個圖案之任何特性的情況下識別該一或多個區域。
所識別之該一或多個區域可具有運用該器件製造製程而產生之 一缺陷的增加存在機率(例如，相較於該基板之另一部分(例如，其餘部分)具有較高機率)。
圖7為說明可輔助實施本文中所揭示之方法及流程之電腦系統100的方塊圖。電腦系統100包括：用於傳達資訊之一匯流排102或其他通信機構；及與匯流排102耦接以用於處理資訊之一處理器104(或多個處理器104及105)。電腦系統100亦包括耦接至匯流排102以用於儲存待由處理器104執行之資訊及指令的主記憶體106，諸如隨機存取記憶體(RAM)或其他動態儲存器件。主記憶體106亦可用於在執行待由處理器104執行之指令期間儲存暫時變數或其他中間資訊。電腦系統100進一步包括耦接至匯流排102以用於儲存用於處理器104之靜態資訊及指令的唯讀記憶體(ROM)108或其他靜態儲存器件。提供諸如磁碟或光碟之儲存器件110，且其耦接至匯流排102以用於儲存資訊及指令。
電腦系統100可經由匯流排102而耦接至用於向電腦使用者顯示資訊之顯示器112，諸如陰極射線管(cathode ray tube；CRT)或平板顯示器或觸控面板顯示器。包括文數字按鍵及其他按鍵之輸入器件114耦接至匯流排102以用於將資訊及命令選擇傳達至處理器104。另一類型之使用者輸入器件為用於將方向資訊及命令選擇傳達至處理器104且用於控制顯示器112上之游標移動的游標控制件116，諸如滑鼠、軌跡球或游標方向按鍵。此輸入器件通常具有在兩個軸線(第一軸線(例如，x)及第二軸線(例如，y))上之兩個自由度，其允許該器件指定在一平面中之位置。亦可將觸控面板(螢幕)顯示器用作輸入器件。
根據一個實施例，可由電腦系統100回應於處理器104執行主記憶體106中含有的一或多個指令之一或多個序列而執行本文中所描述之製程中之部分或全部。可將此等指令自另一電腦可讀媒體(諸如儲存器件110)讀取至主記憶體106中。主記憶體106中含有之指令序列的 執行致使處理器104執行本文中所描述之製程步驟。亦可使用呈多處理配置之一或多個處理器以執行主記憶體106中含有之指令序列。在替代實施例中，可代替或結合軟體指令而使用硬連線電路系統。因此，實施例不限於硬體電路系統與軟體之任何特定組合。
如本文中所使用之術語「電腦可讀媒體」係指參與將指令提供至處理器104以供執行之任何媒體。此媒體可採取許多形式，包括但不限於非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。非揮發性媒體包括(例如)光碟或磁碟，諸如儲存器件110。揮發性媒體包括動態記憶體，諸如主記憶體106。傳輸媒體包括同軸纜線、銅線及光纖，其包括包含匯流排102之電線。傳輸媒體亦可採取聲波或光波之形式，諸如在射頻(RF)及紅外線(IR)資料通信期間產生之聲波或光波。常見形式之電腦可讀媒體包括(例如)軟性磁碟、可撓性磁碟、硬碟、磁帶、任何其他磁性媒體、CD-ROM、DVD、任何其他光學媒體、打孔卡、紙帶、具有孔圖案之任何其他實體媒體、RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或卡匣、如下文中所描述之載波，或可供電腦讀取之任何其他媒體。
可在將一或多個指令之一或多個序列攜載至處理器104以供執行時涉及各種形式之電腦可讀媒體。舉例而言，最初可將該等指令承載於遠端電腦之磁碟上。遠端電腦可將指令載入至其動態記憶體中，且使用數據機經由電話線而發送指令。在電腦系統100本端之數據機可接收電話線上之資料，且使用紅外線傳輸器以將資料轉換成紅外線信號。耦接至匯流排102之紅外線偵測器可接收紅外線信號中攜載之資料且將資料置放於匯流排102上。匯流排102將資料攜載至主記憶體106，處理器104自主記憶體106擷取及執行指令。由主記憶體106接收之指令可視情況在由處理器104執行之前或之後儲存於儲存器件110上。
電腦系統100亦可包括耦接至匯流排102之通信介面118。通信介面118提供與網路鏈路120之雙向資料通信耦接，網路鏈路120連接至區域網路122。舉例而言，通信介面118可為整合式服務數位網路(ISDN)卡或數據機以提供與對應類型之電話線的資料通信連接。作為另一實例，通信介面118可為區域網路(LAN)卡以提供與相容LAN之資料通信連接。亦可實施無線鏈路。在任何此類實施中，通信介面118發送及接收攜載表示各種類型之資訊之數位資料串流的電信號、電磁信號或光學信號。
網路鏈路120通常經由一或多個網路而將資料通信提供至其他資料器件。舉例而言，網路鏈路120可經由區域網路122而向主機電腦124或向由網際網路服務提供者(ISP)126操作之資料設備提供連接。ISP 126又經由全球封包資料通信網路(現在通常被稱作「網際網路」128)而提供資料通信服務。區域網路122及網際網路128兩者皆使用攜載數位資料串流之電信號、電磁信號或光學信號。經由各種網路之信號及在網路鏈路120上且經由通信介面118之信號(該等信號將數位資料攜載至電腦系統100及自電腦系統100攜載數位資料)為輸送資訊的例示性形式之載波。
電腦系統100可經由網路、網路鏈路120及通信介面118而發送訊息且接收資料(包括程式碼)。在網際網路實例中，伺服器130可能經由網際網路128、ISP 126、區域網路122及通信介面118而傳輸用於應用程式之經請求程式碼。根據一或多個實施例，一個此類經下載應用程式提供(例如)本文中所描述之實施例的製程。經接收程式碼可在其被接收時由處理器104執行，及/或儲存於儲存器件110或其他非揮發性儲存體中以供稍後執行。以此方式，電腦系統100可獲得呈載波之形式之應用程式碼。
圖8示意性地描繪利用本文中所描述之方法或該等方法可被應用 的另一例示性微影裝置1000。微影裝置1000包括：-源收集器模組SO-照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)；-支撐結構(例如，圖案化器件台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩或比例光罩)MA，且連接至經組態以準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；-基板台(例如，基板台)WT，其經建構以固持基板(例如，塗佈有抗蝕劑之晶圓)W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二定位器PW；及-投影系統(例如，反射投影系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
如此處所描繪，裝置1000屬於反射類型(例如，使用反射光罩)。應注意，因為大多數材料在EUV波長範圍內具吸收性，所以光罩可具有包含(例如)鉬與矽之多堆疊的多層反射器。在一個實例中，多堆疊反射器具有鉬與矽之40個層對，其中每一層之厚度為四分之一波長。可運用X射線微影來產生甚至更小的波長。因為大多數材料在EUV及x射線波長下具吸收性，所以圖案化器件構形上之經圖案化吸收材料薄片件(例如，多層反射器之頂部上之TaN吸收體)界定特徵將印刷(正型抗蝕劑)或不印刷(負型抗蝕劑)之處。
參看圖8，照明器IL自源收集器模組SO接收極紫外線輻射光束。用以產生EUV輻射之方法包括但未必限於運用在EUV範圍內之一或多種發射譜線將具有至少一個元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(常常被稱為雷射產生電漿(「LPP」))中，可藉由運用雷射光束來輻照燃料(諸如具有譜線發射元素之材料小滴、 串流或叢集)而產生電漿。源收集器模組SO可為包括雷射(圖8中未繪示)之EUV輻射系統之部件，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輸出輻射係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO2雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射與源收集器模組可為分離實體。
在此等狀況下，雷射不被視為形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包含(例如)適合導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器模組。在其他狀況下，舉例而言，當源為放電產生電漿EUV產生器(常常被稱為DPP源)時，源可為源收集器模組之整體部件。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在自圖案化器件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準 標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。
所描繪裝置1000可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，圖案化器件台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，圖案化器件台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，圖案化器件台)MT之速度及方向。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，圖案化器件台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間視需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可容易地應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
圖9更詳細地展示裝置1000，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於源收集器模組SO之圍封結構220中。可藉由放電產生電漿源而形成EUV輻射發射電漿210。可藉由氣體或蒸汽(例如，Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽)而產生EUV輻射，其中產生極熱電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內的輻射。舉例而言，藉由造成至少部分離子化電漿之放電而產生極熱電漿210。為了輻射之有效率產生，可需要為(例如)10Pa之分壓之Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他適合氣體或蒸汽。在一 實施例中，提供經激發錫(Sn)電漿以產生EUV輻射。
由熱電漿210發射之輻射係經由定位於源腔室211中之開口中或後方的選用氣體障壁或污染物截留器230(在一些狀況下亦被稱作污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物截留器230可包括通道結構。污染截留器230亦可包括氣體障壁，或氣體障壁與通道結構之組合。本文中進一步所指示之污染物截留器或污染物障壁230至少包括通道結構，如此項技術中所知。
收集器腔室211可包括可為所謂的掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿收集器CO之輻射可自光柵光譜濾光器240反射以沿著由點虛線「O」指示之光軸而聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器模組經配置成使得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。
隨後，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24，琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24經配置以提供在圖案化器件MA處的輻射光束21之所要角分佈，以及在圖案化器件MA處的輻射強度之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處的輻射光束21之反射後，就形成經圖案化光束26，且由投影系統PS將經圖案化光束26經由反射元件28、30而成像至由基板台WT固持之基板W上。
比所展示之元件更多的元件通常可存在於照明光學件單元IL及投影系統PS中。取決於微影裝置之類型，可視情況存在光柵光譜濾光器240。另外，可存在比諸圖所展示之鏡面更多的鏡面，例如，在投影系統PS中可存在比圖9所展示之反射元件多1至6個的額外反射元件。
如圖9所說明，收集器光學件CO被描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢狀收集器，僅僅作為收集器(或收集器鏡面)之一 實例。掠入射反射器253、254及255圍繞光軸O軸向對稱地安置，且此類型之收集器光學件CO較佳地結合放電產生電漿源(常常被稱為DPP源)而使用。
替代地，源收集器模組SO可為如圖10所展示之LPP輻射系統之部件。雷射LA經配置以將雷射能量沈積至諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)之燃料中，從而產生具有數十電子伏特之電子溫度的高度離子化電漿210。在此等離子之去激發及再組合期間產生之高能輻射係自電漿發射、由近正入射角收集器光學件CO收集，且聚焦至圍封結構220中之開口221上。
本文中所揭示之概念可模擬或數學上模型化用於成像次波長特徵之任何通用成像系統，且可尤其有用於能夠產生具有愈來愈小之大小之波長的新興成像技術。已經在使用中之新興技術包括極紫外線(EUV)微影，其能夠藉由使用ArF雷射而產生193奈米之波長，且甚至能夠藉由使用氟雷射而產生157奈米之波長。此外，EUV微影能夠藉由使用同步加速器或藉由運用高能電子來撞擊材料(固體或電漿)而產生在20奈米至5奈米之範圍內的波長，以便產生在此範圍內之光子。
雖然本文中所揭示之概念可用於在諸如矽晶圓之基板上成像，但應理解，所揭示之概念可用於任何類型之微影成像系統，例如，用於在除了矽晶圓以外之基板上成像的微影成像系統。
可使用以下條項來進一步描述本發明：
1.一種用於涉及將一或多個圖案處理至一基板上之一器件製造製程的電腦實施缺陷預測方法，該方法包含：判定處理該一或多個圖案所依據的一或多個處理參數之值；及使用該一或多個處理參數之該等值來判定或預測由運用該器件製造製程產生該一或多個圖案而引起之一缺陷的存在、存在機率、一特性及/或選自前述各者之一組合。
2.如條項1之方法，其進一步包含在該經判定或經預測存在、存在機率、特性及/或選自前述各者之一組合符合一或多個準則的情況下檢測該一或多個圖案。
3.如條項1或條項2之方法，其進一步包含在該經判定或經預測存在、存在機率、特性及/或選自前述各者之組合符合一或多個準則的情況下識別圍封該一或多個圖案之一或多個區域。
4.如條項1至3中任一項之方法，其中該判定或預測該存在、存在機率、特性及/或選自前述各者之組合進一步使用該一或多個圖案之一特性。
5.如條項1至4中任一項之方法，其中該一或多個圖案包含一製程窗限制圖案。
6.如條項1至5中任一項之方法，其中判定或預測該存在、存在機率、特性及/或選自前述各者之組合包含比較該一或多個處理參數之該等值與該一或多個圖案之一重疊製程窗。
7.如條項1至5中任一項之方法，其中判定或預測該存在、存在機率、特性及/或選自前述各者之組合包含判定該一或多個處理參數之該等值是否超出一或多個臨限值。
8.如條項1至5中任一項之方法，其中判定或預測該存在、存在機率、特性及/或選自前述各者之組合包含使用一分類模型，其中該一或多個處理參數之該等值作為至該分類模型之輸入。
9.如條項8之方法，其中該分類模型為選自以下各者之一或多者：邏輯回歸、多元羅吉特、機率單位回歸、感知器演算法、支援向量機器、匯入向量機器及/或線性判別分析。
10.如條項1至5中任一項之方法，其中判定或預測該缺陷之該存在、存在機率、特性及/或選自前述各者之組合包含依據該一或多個處理參數之該等值而模擬該一或多個圖案之一影像或經預期圖案化 輪廓，及判定一影像或輪廓參數。
11.如條項1至10中任一項之方法，其中使用一經驗模型或一計算模型來識別該一或多個圖案。
12.如條項1至11中任一項之方法，其中該一或多個處理參數係選自以下各者：聚焦、聚焦深度、聚焦誤差、劑量、一照明參數、一投影光學件參數、自度量衡獲得之資料，及/或來自該器件製造製程中使用之一處理裝置之一業者的資料。
13.如條項1至12中任一項之方法，其中自度量衡獲得該一或多個處理參數之該等值。
14.如條項1至13中任一項之方法，其中使用一模型或藉由查詢一資料庫來判定或預測該一或多個處理參數。
15.如條項1至14中任一項之方法，其中該器件製造製程包含使用一微影裝置。
16.如條項1至15中任一項之方法，其中該器件製造製程包含蝕刻該基板。
17.如條項1至16中任一項之方法，其中在處理該一或多個圖案之前、即將處理該一或多個圖案之前或在處理該一或多個圖案期間判定該一或多個處理參數之該等值。
18.如條項1至17中任一項之方法，其中該一或多個處理參數包含一或多個局域處理參數、一或多個全域處理參數及/或選自前述各者之一組合。
19.如條項1至18中任一項之方法，其中該缺陷在該基板被不可逆地處理之前為不可偵測的。
20.如條項1至19中任一項之方法，其中該缺陷為選自以下各者之一或多者：頸縮、線拉回、線細化、臨界尺寸誤差、重疊、抗蝕劑頂部損耗、抗蝕劑底切及/或橋接。
21.如條項1至20中任一項之方法，其中該一或多個圖案包含製程窗限制圖案(PWLP)。
22.一種用於一器件製造製程之電腦實施缺陷預測方法，該方法包含：判定將一或多個圖案處理至一基板之一區域上所依據的一或多個處理參數之值；及使用該一或多個處理參數之該等值來判定或預測在該區域中由運用該器件製造製程產生該一或多個圖案而引起之一缺陷的存在、存在機率、一特性及/或選自前述各者之一組合。
23.如條項22之方法，其中判定或預測該存在、存在機率、特性及/或選自前述各者之一組合包含比較該一或多個圖案之一製程窗與該一或多個處理參數之該等值。
24.如條項22或條項23之方法，其進一步包含在該經判定或經預測存在、存在機率、特性及/或選自前述各者之組合符合一或多個準則的情況下檢測該區域。
25.如條項24之方法，其中該一或多個準則包含該一或多個處理參數之該等值不屬於該一或多個圖案之一製程窗。
26.一種用於涉及將一或多個圖案處理至一基板上之一器件製造製程的電腦實施缺陷預測方法，該方法包含：判定將一或多個圖案處理至該基板上所依據的該器件製造製程之一或多個處理參數橫越該基板之值，及利用該一或多個處理參數之該等值將一或多個區域識別為具有由運用該器件製造製程之產生而引起的一缺陷或具有該缺陷之增加存在機率。
27.如條項26之方法，其中該識別包含：比較與位於經識別之該一或多個區域處之該一或多個圖案相關 聯的一製程窗與在經識別之該一或多個區域處的該一或多個處理參數之該等值，及使用該比較來判定或預測運用該器件製造製程而自在經識別之該一或多個區域處之該一或多個圖案產生之一缺陷的存在、存在機率、一特性或其一組合。
28.一種用於一器件製造製程之電腦實施缺陷預測方法，該方法包含：判定將一或多個圖案處理至一基板之一區域上所依據的一或多個處理參數之值；及使用該一或多個處理參數之該等值來判定或預測由運用該器件製造製程產生該一或多個圖案而引起之一缺陷存在或具有一增加存在機率所處的該基板之一子區域。
29.一種用於選擇待在一基板上檢測之區域的器件，該器件經組態以獲得將一或多個圖案處理至該基板之一區域上所依據的一或多個處理參數之值；且該器件經組態以在一供檢測區域中由產生該一或多個圖案而引起之一缺陷的存在、存在機率、一特性及/或選自前述各者之一組合符合一或多個準則的情況下選擇該區域，其中使用該一或多個處理參數之該等值來判定或預測該存在、存在機率、特性及/或選自前述各者之組合。
30.如條項29之器件，其中該器件經進一步組態以匯出包括表示該區域之一資料結構的一檔案。
31.一種經組態以檢測處理至一基板上之圖案的基板檢測工具，其中該基板檢測工具經組態以獲得包括表示一區域之一資料結構的一檔案，該區域包含待在該基板上檢測之該等圖案，其中該基板檢測工具經組態以檢測該區域。
32.一種用於涉及將一或多個圖案處理至一基板上之一器件製造製程的電腦實施缺陷預測方法，該方法包含：判定橫越該基板的一或多個處理參數之值，及利用該一或多個處理參數之該等值來識別一或多個區域以供檢測。
33.如條項32之方法，其中該一或多個處理參數為一或多個全域處理參數。
34.如條項32或條項33中任一項之方法，其中在不使用該一或多個圖案之任何特性的情況下識別該一或多個區域。
35.如條項32至34中任一項之方法，其中所識別之該一或多個區域相較於該基板之另一部分具有運用該器件製造製程而產生之一缺陷的較高存在機率。
36.如條項32至35中任一項之方法，其進一步包含檢測該一或多個區域。
37.如條項32至36中任一項之方法，其進一步包含匯出包括表示該一或多個區域之一資料結構的一檔案。
38.如條項32至37中任一項之方法，其中該一或多個處理參數係選自以下各者：聚焦、聚焦深度、聚焦誤差、劑量、一照明參數、一投影光學件參數、自度量衡獲得之資料，及/或來自該器件製造製程中使用之一處理裝置之一業者的資料。
39.如條項32至38中任一項之方法，其中自度量衡獲得該一或多個處理參數之該等值。
40.如條項32至39中任一項之方法，其中使用一模型或藉由查詢一資料庫來判定或預測該一或多個處理參數。
41.如條項32至40中任一項之方法，其中該器件製造製程包含使用一微影裝置。
42.如條項32至41中任一項之方法，其中該器件製造製程包含蝕刻該基板。
43.一種包含一電腦可讀媒體之電腦程式產品，該電腦可讀媒體上記錄有指令，該等指令在由一電腦執行時實施如條項1至28或32至42中任一項之方法。
可以任何方便形式實施本發明之態樣。舉例而言，可由一或多個適當電腦程式實施一實施例，該一或多個適當電腦程式可被攜載於可為有形載體媒體(例如，磁碟)或無形載體媒體(例如，通信信號)之適當載體媒體上。可使用可特定地採取可程式化電腦之形式的適合裝置來實施本發明之實施例，該可程式化電腦執行經配置以實施如本文中所描述之方法的電腦程式。
以上描述意欲為說明性的而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之實施例作出修改。
291‧‧‧步驟
292‧‧‧步驟
293‧‧‧步驟

Claims (15)

  1. 一種用於涉及將一或多個圖案處理至一基板上之一器件製造製程的電腦實施缺陷預測方法，該方法包含：判定處理該一或多個圖案所依據的一或多個處理參數之值；及使用該一或多個處理參數之該等值來判定或預測由運用該器件製造製程產生該一或多個圖案而引起之一缺陷的存在、存在機率、一特性及/或選自前述各者之一組合。
  2. 如請求項1之方法，其進一步包含在該經判定或經預測存在、存在機率、特性及/或選自前述各者之一組合符合一或多個準則的情況下檢測該一或多個圖案。
  3. 如請求項1之方法，其進一步包含在該經判定或經預測存在、存在機率、特性及/或選自前述各者之組合符合一或多個準則的情況下識別圍封該一或多個圖案之一或多個區域。
  4. 如請求項1之方法，其中該判定或預測該存在、存在機率、特性及/或選自前述各者之組合進一步使用該一或多個圖案之一特性。
  5. 如請求項1之方法，其中該一或多個圖案包含一製程窗限制圖案。
  6. 如請求項1之方法，其中判定或預測該存在、存在機率、特性及/或選自前述各者之組合包含：比較該一或多個處理參數之該等值與該一或多個圖案之一重疊製程窗，或判定該一或多個處理參數之該等值是否超出一或多個臨限值，或 使用一分類模型，其中該一或多個處理參數之該等值作為至該分類模型之輸入。
  7. 如請求項1之方法，其中判定或預測該缺陷之該存在、存在機率、特性及/或選自前述各者之組合包含：依據該一或多個處理參數之該等值而模擬該一或多個圖案之一影像或經預期圖案化輪廓；及判定一影像或輪廓參數。
  8. 如請求項1之方法，其中使用一經驗模型或一計算模型來識別該一或多個圖案。
  9. 如請求項1之方法，其中該一或多個處理參數係選自以下各者：聚焦、聚焦深度、聚焦誤差、劑量、一照明參數、一投影光學件參數、自度量衡獲得之資料，及/或來自該器件製造製程中使用之一處理裝置之一業者的資料。
  10. 如請求項1之方法，其中自度量衡獲得該一或多個處理參數之該等值。
  11. 如請求項1之方法，其中使用一模型或藉由查詢一資料庫來判定或預測該一或多個處理參數。
  12. 如請求項1之方法，其中該一或多個處理參數包含一或多個局域處理參數、一或多個全域處理參數及/或選自前述各者之一組合。
  13. 如請求項1之方法，其中該缺陷在該基板被不可逆地處理之前為不可偵測的。
  14. 一種用於選擇待在一基板上檢測之區域的器件，該器件經組態以獲得將一或多個圖案處理至該基板之一區域上所依據的一或多個處理參數之值；且該器件經組態以在一供檢測區域中由產生該一或多個圖案而引起之一缺陷的存在、存在機率、一特性及/或選自前述各者之 一組合符合一或多個準則的情況下選擇該區域，其中使用該一或多個處理參數之該等值來判定或預測該存在、存在機率、特性及/或選自前述各者之組合。
  15. 如請求項14之器件，其中該器件經進一步組態以匯出包括表示該區域之一資料結構的一檔案。
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