TW201633553A - 太陽能電池、太陽能電池模組及其製作方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種太陽能電池，包括PN接面、基板、透明導電膜以及匯流電極。透明導電膜係設置在基板表面上，其內設置有開口。匯流電極會填滿開口，致使其底面實質上切齊透明導電膜底面。

Description

太陽能電池、太陽能電池模組及其製作方法

本發明係關於太陽能電池之領域，特別是關於一種具有透明導電膜之太陽能電池、太陽能模組及其製作方法。

隨著消耗性能源日益枯竭，太陽能等替代能源的開發已成為世界各國重要之發展方向，其中，業界大多致力於開發具有高轉換效率(conversion efficiency)和低製作成本的太陽能電池。

在主流太陽能電池中，一般會在太陽能電池的表面上設置透明導電膜，例如由氧化物所組成之透明導電膜，致使光電流能夠更有效地傳導至金屬電極以及外部負載。由於透明導電膜會電連接至太陽能電池表面的金屬電極，因此產生於電池內部之載子不僅可以直接由半導體基板內部流動至金屬電極，其也可以先進入透明導電膜，之後再傳導至金屬電極。在這樣的情況下，可以減少載子在半導體基板內部的停留時間，因此增加了電流輸出量。

然而，上述具有透明導電膜的太陽能電池仍存有改進之空間。舉例而言，金屬電極一般係設置於透明導電膜之上，由於金屬電極和透明導電膜間具有較差的附著性，此導致金屬電極易在後續的製程階段或是使用階段產生剝離，降低了太陽能電池或相應模組的可靠度。

有鑑於此，有必要提供一種具有透明導電膜之太陽能電池，以解 決存在於習知技術中之缺陷。

本發明之一目的在於提供一種太陽能電池，以解決存在於習知技術中的缺陷。

本發明之另一目的在於提供一種太陽能電池模組，其包括改良的太陽能電池，以解決存在於習知技術中的缺陷。

本發明之又一目的在於提供一種太陽能電池的製作方法，其可以製得改良的太陽能電池，以解決存在於習知技術中的缺陷。

根據上述目的，本發明之一實施例揭露了一種太陽能電池，至少包括PN接面、基板、透明導電膜以及匯流電極。透明導電膜係設置在基板表面上，其內設置有開口。匯流電極會填滿開口，致使其底面切齊透明導電膜底面。

根據本發明之另一實施例，揭露了一種太陽能電池模組。太陽能電池模組至少包括前板、背板、多個太陽能電池以及外框。前板與背板係相對設置，而外框會被設置於前板以及背板之周邊。太陽能電池被設置於前板與背板間，且各自包括PN接面、基板、透明導電膜以及匯流電極。透明導電膜係設置在基板表面上，其內設置有開口。匯流電極會填滿開口，致使其底面切齊透明導電膜底面。

根據本發明之又一實施例，揭露了一種太陽能電池之製造方法。太陽能電池之製造方法包括下列步驟：首先，提供遮罩，以覆蓋住基板之部份表面。之後在遮罩覆蓋下，於基板表面上形成透明導電膜，並同時於透明 導電膜內形成開口。之後移除遮罩。最後形成匯流電極，以填滿開口，其中匯流電極之底面會切齊透明導電膜底面。

100‧‧‧太陽能電池

102‧‧‧基板

104‧‧‧第一表面

106‧‧‧第二表面

108‧‧‧本質非晶半導體層

110‧‧‧非晶半導體層

112‧‧‧本質非晶半導體層

114‧‧‧非晶半導體層

115‧‧‧導電金屬層

116‧‧‧電極層

117‧‧‧匯流電極

118‧‧‧指狀電極

120‧‧‧電極層

122‧‧‧透明導電膜

124‧‧‧金屬漿料層

126‧‧‧導電帶

128‧‧‧平坦接面

130‧‧‧遮罩

132‧‧‧沉積製程

134‧‧‧摻雜區

140‧‧‧太陽能電池模組

142‧‧‧前板

144‧‧‧背板

146‧‧‧包覆層

O‧‧‧開口

第1圖是本發明第一實施例太陽能電池之俯視圖。

第2圖是沿著第1圖A-A’切線所繪示之太陽能電池剖面圖。

第3圖是根據本發明另一實施例對應於第1圖A-A’切線所繪示之太陽能電池剖面圖。

第4圖是根據本發明又一實施例對應於第1圖A-A’切線所繪示之太陽能電池剖面圖。

第5圖是本發明第二實施例太陽能電池之俯視圖。

第6圖是沿著第5圖B-B’切線所繪示之太陽能電池剖面圖。

第7圖是根據本發明另一實施例對應於第5圖B-B’切線所繪示之太陽能電池剖面圖。

第8圖是根據本發明第三實施例對應於第1圖A-A’切線所繪示之太陽能電池剖面圖。

第9圖至第12圖是本發明一實施例之太陽能電池製作方法。

第13圖是本發明一實施例太陽能電池模組之局部剖面圖。

為了使本領域通常知識者能理解並實施本發明，下文中將配合圖式，詳細說明本發明之太陽能電池、太陽能電池模組及太陽能電池之製作方法。需注意的是，本發明之保護範圍當以後附之申請專利範圍所界定者為準，而非以揭露於下文之實施例為限。因此，在不違背本發明之發明精神和範圍之狀況下，當可對下述實施例作變化與修飾。此外，為了簡潔與清晰起見， 相同或類似之元件或裝置係以相同之元件符號表示，且部分習知的結構和製程細節將不會被揭露於下文中。需注意的是，圖式係以說明為目的，並未完全依照原尺寸繪製。

請參照第1圖和第2圖，其分別繪示了本發明第一實施例太陽能電池的俯視圖和剖面圖，其中第2圖係沿著第1圖切線A-A’所繪示。如第1圖和第2圖所示，太陽能電池100至少包括基板102、本質(intrinsic)非晶半導體層108、非晶半導體層110、透明導電膜122以及導電金屬層115。其中，基板102具有第一導電型，較佳為N型，且具有至少一表面，例如第一表面104，以作為接受太陽光之主要受光面。本質非晶半導體層108、非晶半導體層110以及透明導電膜122係依序設置於第一表面104上。透明導電膜122內設置有開口O，其可以暴露出部份之非晶半導體層110。導電金屬層115係填滿開口O並且直接接觸暴露出於開口O的非晶半導體層110。其中，導電金屬層115和非晶半導體層110間具有平坦接面，且導電金屬層115之底面實質上會切齊透明導電膜122之底面。需注意的是，全文所指的「實質上會切齊」係指匯流電極115的底面會切齊或略深於透明導電膜122的底面。

具體來說，上述基板102係為結晶半導體基板，例如是單晶矽基板、多晶矽基板或是III-V族化合物基板，較佳為單晶矽基板。本質非晶半導體層108之主體可以是本質半導體，較佳係為本質非晶矽(intrinsic amorphous silicon)，其係用以修補存在於第一表面104上之缺陷。非晶半導體層110具有相異於第一導電型之第二導電型，例如P型，致使非晶半導體層110和基板102間會存有PN接面。非晶半導體層110之主體可以是具有摻質之半導體，較佳為具有P型摻質之非晶矽。另外，透明導電膜122之組成主體可以是氧化物，例如氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)等透明導電氧化物(transparent conductive oxide,TCO)，但不限於此。導電 金屬層115可以包括依序堆疊的電極層116和金屬漿料層124，使得部份電極層116會被設置於基板102和金屬漿料層124之間，並且被金屬漿料層124完全包覆。其中電極層116可進一步包括匯流電極117及指狀電極118，而呈現如第1圖所示之佈局，但不限於此。

本發明之一特徵在於透明導電膜122內設置有開口O，致使導電金屬層115可以被嵌入至透明導電膜122內，且導電金屬層115可直接接觸暴露出於開口O的非晶半導體層110。由於導電金屬層115係被嵌入固定於透明導電膜122，且導電金屬層115與非晶半導體層110間的附著性優於其與透明導電膜122間的附著性，因此導電金屬層115不易在後續的製程階段或是使用階段剝離，因此可以提昇太陽能電池的可靠度。此外，本發明另一特徵在於電極層116較佳會以開口O為中心對稱設置，致使應力可以平均分佈在開口O兩側，而減少破片的發生。

上述之太陽能電池100另可包括其他元件。仍參考第2圖，舉例來說，低電阻之導電帶(ribbon)126，例如金屬導電帶，可設置或貼覆在導電金屬層115之頂面上，以進一步將電流傳輸至外部負載。基板102另包括第二表面106，其上依序設置有本質非晶半導體層112、非晶半導體層114以及電極層120。此外，可選擇性地在第二表面106上設置透明導電層(圖未示)或導電帶(圖未示)，但不限於此。再者，抗反射層(圖未示)可以選擇性地被設置在第一表面104及/或第二表面106上，以降低光反射率。需注意的是，即便設置抗反射層，仍應滿足導電金屬層115和非晶半導體層110間具有平坦接面128，且導電金屬層115底面實質上會切齊透明導電膜122底面之特徵。

具體來說，本質非晶半導體層112之主體可以是本質半導體，較佳為本質非晶矽，其係用以修補存在於第二表面106上之缺陷。非晶半導體 層114之導電型較佳相同於基板102之導電型，亦即第一導電型，其主體可以是具有摻質之半導體，較佳為具有N型摻質之非晶矽。電極層120之組成可包括銀、鋁或其他合適之金屬。

本發明的太陽能電池除了上述實施例外，另可衍生其他變化型。於下文中，將加以描述這些變化型。需注意的是，由於下述變化型之結構大致類似於上述之實施例，因此以下僅就主要差異處加以描述，且相類似的元件與結構可以搭配參照。

第3圖是根據本發明另一實施例對應於第1圖A-A’切線所繪示之太陽能電池剖面圖。如第3圖所示，第3圖實施例係為第2圖實施例的變化型，兩者主要差異處在於，本實施例太陽能電池100的匯流電極117(或視為電極層116)和金屬漿料層124均會直接接觸暴露出開口O之非晶半導體層110，致使匯流電極117及金屬漿料層124會與非晶半導體層110形成平坦接面128。類似地，匯流電極117較佳會以開口O為中心對稱設置，致使應力可以平均分佈在開口O兩側，而減少破片的發生。本實施例之太陽能電池100除了匯流電極117不會完全填滿開口O外，其餘各部件的特徵、設置位置以及材料特性均相似於上述實施例，故在此並不再贅述。

第4圖是根據本發明又一實施例對應於第1圖A-A’切線所繪示之太陽能電池剖面圖。如第4圖所示，第4圖實施例係為第2圖實施例的變化型，兩者主要差異處在於，本實施例太陽能電池100的金屬漿料層124會填滿開口O並直接接觸暴露出開口O之非晶半導體層110，致使匯流電極117(或視為電極層116)完全不會接觸到非晶半導體層110。此外，部份匯流電極117會突出於金屬漿料層124，但不限於此。需注意的是，即便部份匯流電極117會突出於金屬漿料層124，匯流電極117較佳仍會以開口O為中心 對稱設置，致使應力可以平均分佈在開口O兩側，而減少破片的發生。本實施例之太陽能電池100除了匯流電極117不會直接接觸非晶半導體層110外，其餘各部件的特徵、設置位置以及材料特性均相似於上述實施例，故在此並不再贅述。

以上介紹了本發明之第一實施例及其變化型，但本發明不限於此。於下文中，將加以描述本發明之第二實施例。需注意的是下述第二實施例之結構大致類似於上述第一實施例，因此以下僅就主要差異處加以描述，且相類似的元件與結構可以搭配參照。

請參照第5圖和第6圖，其分別繪示了本發明第二實施例太陽能電池的俯視圖和剖面圖，其中第6圖係沿著第5圖切線B-B’所繪示。第二實施例與第一實施例之主要差異處在於，第二實施例的太陽能電池100的電極層116係為指狀電極118，而不包括匯流電極(圖未示)，因此可呈現如第5圖所示之佈局。在此情況下，導電金屬層115內的金屬漿料層124會包覆各個指狀電極118的部份區域。具體來說，如第6圖所示，本實施例之透明導電膜122內同樣會設置有開口O，其可以暴露出部份之非晶半導體層110。指狀電極118係填滿開口O並且直接接觸暴露出於開口O的非晶半導體層110。其中，指狀電極118和非晶半導體層110間具有平坦接面128，且指狀電極118底面會切齊透明導電膜122底面。本實施例之太陽能電池100除了電極層為指狀電極118外，其餘各部件的特徵、設置位置以及材料特性均相似於上述第一實施例，故在此並不再贅述。

上述第二實施例亦可衍生其他變化型。如第7圖所示，其是根據本發明第二實施例變化型對應於第5圖B-B’切線所繪示之太陽能電池剖面圖。本變化型與上述第二實施例之主要差異在於，太陽能電池100的金屬漿 料層124會填滿開口O並直接接觸暴露出開口O之非晶半導體層110，致使指狀電極118完全不會接觸到非晶半導體層110。本實施例之太陽能電池100除了指狀電極118不會直接接觸非晶半導體層110外，其餘各部件的特徵、設置位置以及材料特性均相似於上述第二實施例，故在此並不再贅述。

在上述實施例中，係以異質接面矽太陽能電池作為本發明之應用標的，然而本發明並不以此為限。具體而言，在不違背本發明之範疇以及精神下，太陽能電池亦可以是同質接面(homojunction)太陽能電池，例如具有摻雜區的單晶矽太陽能電池。於下文中，將加以描述同質接面太陽能電池。需注意的是下述實施例之結構大致類似於上述第一實施例，因此以下僅就主要差異處加以描述，且相類似的元件與結構可以搭配參照。

第8圖是根據本發明第三實施例對應於第1圖A-A’切線所繪示之太陽能電池剖面圖。如第8圖所示，太陽能電池100至少包括基板102、摻雜區134、透明導電膜122以及導電金屬層115，其亦可選擇性地另包括導電帶126、電極層120以及抗反射層(圖未示)。其中，基板102係為結晶半導體基板，例如是單晶矽基板、多晶矽基板或是III-V族化合物基板，較佳係為單晶矽基板。基板102具有至少一表面，例如第一表面104，以作為接受太陽光之主要受光面。摻雜區134係被設置於基板102內，且兩者較佳具有相異之導電型，以於其間形成PN接面。類似上述第一實施例，透明導電膜122內設置有開口O，其可以暴露出部份基板102(或視為暴露出部份摻雜區134)。導電金屬層115係填滿開口O並且直接接觸暴露出於開口O的基板102(或視為摻雜區134)。其中，導電金屬層115和基板102間具有平坦接面128，且導電金屬層115之底面會切齊透明導電膜122之底面。本實施例之太陽能電池100除了設置有摻雜區134外，其餘各部件的特徵、設置位置以及材料特性均相似於上述第一實施例，故在此並不再贅述。

為了使本領域通常知識者能實施本發明，下文中將配合圖式，詳細說明本發明太陽能電池之製作方法。

第9圖至第12圖是本發明一實施例之太陽能電池製作方法。首先如第9圖和第10圖所示，其中第10圖是沿著第9圖中C-C’切線所繪示之剖面圖。首先提供基板102，其具有至少一表面。具體而言，基板102具有兩相對之第一表面104和第二表面106。第一表面104和第二表面106上分別依序堆疊有本質非晶半導體層108、112以及非晶半導體層110、114。本質非晶半導體層108、112以及非晶半導體層110、114可以分別是本質非晶矽層和摻雜非晶矽層。具體而言，非晶半導體層110、114其中一者之導電型會相同於基板102之導電型，而另一者則會相異。較佳來說，基板102和非晶半導體層110具有第一導電型，例如N型，而非晶半導體層114具有第二導電型，例如P型。接著，提供遮罩130，例如硬板或光阻，以覆蓋住部份第一表面104。具體來說，遮罩130係呈現條狀，並且直接接觸部份非晶半導體層110，但本發明不限於此。根據其他需求，遮罩130亦可呈現彎曲狀或非連續狀，而且遮罩130可以不直接接觸非晶半導體層110，致使兩者間具有間隙(圖未示)。

如第11圖所示，進行沉積製程132，同時於非晶半導體層110上以及遮罩130頂面上形成透明導電膜122。需注意的是，由於部份非晶半導體層110會被遮罩130覆蓋住，因此透明導電膜122不會被沉積至被覆蓋住的非晶半導體層110。

之後移除該遮罩130，而形成如第12圖所示之結構。此時，開口O會暴露出部份非晶半導體層110。在此需注意的是，本實施例是利用遮蔽之 方式，使得開口O在沉積製程132中同步形成，因此不必另行施加額外開孔製程。

最後，類似如第1圖和第2圖所示，形成導電金屬層115以填滿開口O，其中導電金屬層115底面會切齊透明導電膜122底面。具體來說，形成導電金屬層115可包括下列步驟。首先，利用網板印刷或其他合適之製程，於第一表面104上形成導電漿料(圖未示)，例如銀漿料，以覆蓋部份透明導電膜122。之後進行燒結，形成如圖1所示之固狀之電極層116。然後，網印另一導電漿料於第一表面104上，以覆蓋部份電極層116，繼以進行燒結，以形成金屬漿料層124。需注意的是，形成金屬漿料層124所使用之導電漿料較佳係為低溫導電漿料，其燒結溫度較佳可以低於230℃。

相較於在雷射開孔製程中，部份非晶半導體層110或基板102容易被雷射去除或是喪失原有電性，本實施例之一特徵在於開口O會在沉積製程132中與透明導電膜122同時形成，因此可有效避免受光面積的減損，而提昇了太陽能電池之電流輸出量。

在此需注意的是，上述太陽能電池製作方法之概念亦適用於製作如第8圖所示之同質接面太陽能電池。具體來說，本質非晶半導體層和非晶半導體層不會被設置在基板上。取而代之的是會在提供遮罩前先施行摻雜製程，以於鄰近表面之基板內形成摻雜區，且摻雜區之導電型相異於基板之導電型。因此，在形成導電金屬層後，摻雜區會直接接觸導電金屬層，且摻雜區和導電金屬層間具有平坦接面。

本發明亦提供一種太陽能電池模組，其包括上述改良後的太陽能電池。在以下的實施例中，係針對太陽能電池模組的結構加以描述。

請參照第13圖，其是本發明一實施例太陽能電池模組之局部剖面圖。太陽能電池模組140係包括前板142、背板144、多個太陽能電池100以及外框(圖未示)。前板142與背板144係相對設置，且太陽能電池100係設置於前板142和背板144之間。外框係設置於前板142以及背板144之周邊。

具體而言，各太陽能電池100係藉由導電帶126互相串聯及/或並聯。前板142和背板144間亦設置有包覆層146，使得前板142黏合至背板144。包覆層146亦可固定住太陽能電池100和導電帶126，避免太陽能電池100和導電帶126與外界直接接觸。上述包覆層146之材質可為高分子共聚物，例如聚乙烯醋酸乙烯酯(ethylene vinyl acetate,EVA)或是離子聚合物(ionomer)，但不限於此。類似地，太陽能電池模組140內的太陽能電池100具有與上述第一實施例相同之結構。具體而言，各太陽能電池100至少包括基板102、本質非晶半導體層108、112、非晶半導體層110、114、透明導電膜122以及導電金屬層(圖未示)，其亦可選擇性地另包括抗反射層(圖未示)。此外，為了提供不同之輸出電壓及電流，太陽能電池模組140內的各太陽能電池100可以適當地串聯、並聯或上述兩者之結合。

綜上所述，本發明係提供一種太陽能電池、太陽能電池模組及太陽能電池之製作方法。太陽能電池的導電金屬層可以被嵌入至透明導電膜內，且導電金屬層可以直接接觸暴露出於開口的非晶半導體層或基板，因此導電金屬層不易在後續的製程階段或是使用階段剝離，進而提昇了太陽能電池的可靠度。此外，電極層較佳會以開口為中心對稱設置，致使應力可以平均分佈在開口兩側，而減少破片的發生。再者，由於開口係在沉積製程中與透明導電層同時形成，因此可以捨棄雷射開孔製程，有效避免受光面積的減損，而提昇了太陽能電池之電流輸出量。

以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

100‧‧‧太陽能電池

102‧‧‧基板

104‧‧‧第一表面

106‧‧‧第二表面

108‧‧‧本質非晶半導體層

110‧‧‧非晶半導體層

112‧‧‧本質非晶半導體層

114‧‧‧非晶半導體層

115‧‧‧導電金屬層

117‧‧‧匯流電極

120‧‧‧電極層

122‧‧‧透明導電膜

124‧‧‧金屬漿料層

126‧‧‧導電帶

128‧‧‧平坦接面

O‧‧‧開口

Claims (20)

1. 一種太陽能電池，具有一PN接面，其中該太陽能電池包括：一基板，具有一表面；一透明導電膜，設置於該表面上，其中該透明導電膜內設置有一開口；以及一匯流電極，填滿該開口，其中該匯流電極之底面實質上切齊該透明導電膜之底面。
2. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中部份該基板會直接接觸該匯流電極。
3. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該匯流電極包括一電極層和一金屬漿料層。
4. 如申請專利範圍第3項所述之太陽能電池，其中該電極層係被設置於該金屬漿料層和該基板之間。
5. 如申請專利範圍第3項所述之太陽能電池，其中部份該基板會直接接觸該電極層及/或金屬漿料層。
6. 如申請專利範圍第3項所述之太陽能電池，其中該電極層及/或金屬漿料層會填滿該開口。
7. 如申請專利範圍第3項所述之太陽能電池，其中另包括一導電帶，設置於該金屬漿料層之頂面上。
8. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中另包括一非晶半導體層，設置於該表面上，其中暴露出於該開口的該非晶半導體層會直接接觸該匯流電極，該非晶半導體層和該匯流電極間有一平坦接面。
9. 如申請專利範圍第8項所述之太陽能電池，其中該非晶半導體層之導電型相異於該基板之導電型。
10. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中另包括一摻雜區，設置於鄰近該表面之該基板內，其中暴露出於該開口的該摻雜區會直接接觸該匯流電極，該摻雜區和該匯流電極間有一平坦接面。
11. 一種太陽能電池模組，包括：一前板；一背板，與該前板相對設置；複數個太陽能電池，設置於該前板和該背板之間，其中各該太陽能電池具有一PN接面，且各該太陽能電池包括：一基板，具有一表面；一透明導電膜，設置於該表面上，其中該透明導電膜內設置有一開口；以及一匯流電極，填滿該開口，其中該匯流電極之底面實質上切齊該透明導電膜之底面；以及一外框，設置於該前板以及該背板之周邊。
12. 如申請專利範圍第11項所述之太陽能電池模組，其中該匯流電極包括一電極層和一金屬漿料層，其中該電極層係被設置於該金屬漿料層和該基板之間。
13. 如申請專利範圍第11項所述之太陽能電池模組，其中另包括一非晶半導體層，設置於該表面上，其中暴露出於該開口的該非晶半導體層會直接接觸該匯流電極，該非晶半導體層和該匯流電極間有一平坦接面。
14. 如申請專利範圍第11項所述之太陽能電池模組，其中另包括一摻雜區，設置於鄰近該表面之該基板內，其中暴露出於該開口該摻雜區會直接接觸該匯流電極，該摻雜區和該匯流電極間有一平坦接面。
15. 一種太陽能電池製造方法，包括：提供一基板，具有一表面；提供一遮罩，以覆蓋住部份該表面；在該遮罩之覆蓋下，於該表面上形成一透明導電膜，同時於該透明導電膜內形成一開口；移除該遮罩；以及形成一匯流電極，以填滿該開口，其中該匯流電極之底面實質上切齊該透明導電膜之底面。
16. 如申請專利範圍第15項所述之太陽能電池製造方法，其中在形成該透明導電膜時，該透明導電膜時會同時形成在該遮罩之頂面。
17. 如申請專利範圍第15項所述之太陽能電池製造方法，其中形成該匯流電極之步驟包括：形成一電極層於該表面上，以覆蓋部份該透明導電膜；形成一低溫導電漿料於該表面上，以覆蓋部份該電極層；以及燒結該低溫導電漿料，其中該燒結之溫度低於230℃。
18. 如申請專利範圍第15項所述之太陽能電池製造方法，其中在提供該遮罩之前，另包括於該表面上依序形成一本質非晶半導體層以及一非晶半導體層，該非晶半導體層之導電型相異於該基板之導電型。
19. 如申請專利範圍第18項所述之太陽能電池製造方法，其中在形成該匯流電極後，部份該非晶半導體層會暴露出該開口以及直接接觸該匯流電極，該非晶半導體層和該匯流電極間有一平坦接面。
20. 如申請專利範圍第15項所述之太陽能電池製造方法，另包括於基板內形成一摻雜區，其中在形成該匯流電極後，部份該摻雜區會暴露出該開口以及直接接觸該匯流電極，該摻雜區和該匯流電極間有一平坦接面。