TW201632441A - 吸具、其使用方法及光半導體裝置之製造方法 - Google Patents

Abstract

吸具係吸引被黏著體並移動者，且具備吸引部，該吸引部具有開口部及包圍開口部之抵接部。開口部相對於被黏著體之面積比為8%以上且88%以下，抵接部之蕭氏A硬度為65以上且未達95。

Description

吸具、其使用方法及光半導體裝置之製造方法

本發明係關於一種吸具、其使用方法及光半導體裝置之製造方法，詳細而言係關於一種吸具、使用吸具之方法、及使用吸具製造光半導體裝置之方法。

自先前以來，為了組裝光半導體裝置，例如，首先準備LED(Light Emitting Diode，發光二極體元件)等光半導體元件，將該光半導體元件安裝至安裝基材，並藉由密封材料將安裝後之光半導體元件密封。

而且，為了工業性地且有效地組裝光半導體裝置，預先準備大量之光半導體元件，繼而，將該大量之光半導體元件暫時收容於搬送帶等長條之搬送基材，繼而，將該收容有光半導體元件之搬送基材搬送至整齊排列配置有多個安裝基材之安裝台之周邊，繼而，自搬送基材拾取光半導體元件並使其移動至安裝台，將光半導體元件安裝至安裝基材，最後，藉由密封材料密封光半導體裝置。

此時，為了拾取光半導體元件等半導體元件，已知有使用具備吸具之吸引裝置(例如參照日本專利特開平8-181158號公報)。作為該吸引裝置之拾取之方法，具體而言，使形成有吸引開口部之吸具移動至半導體元件之上方附近，僅將半導體元件吸上來並使其抵接於吸具表面。

然而，近年來，由於光半導體裝置之種類或製造步驟之多樣化，存在將預先藉由密封層密封光半導體元件而成之密封半導體元件安裝至安裝基材之要求。密封半導體元件係與由反射材料或薄膜玻璃被覆之先前之半導體元件本身不同，存在光半導體元件之整個面被密封層(樹脂)被覆之情形。又，密封半導體元件係於到達拾取步驟之前，被實施複數次使用膠帶之轉移而被製造，從而存在於其表面殘存有黏著成分之情形。因此，一般而言，密封半導體元件係於其表面具備黏性。

於藉由吸具拾取此種密封半導體元件時，因其黏性之影響，而存在密封半導體元件不會自搬送帶表面離開之情形。即，發生無法拾取之不良狀況。

又，即便於能夠拾取密封半導體元件之情形時，於使吸具自搬送帶側移動至安裝台，並將密封半導體元件安裝至安裝基材之情形時，亦會產生密封半導體元件不會自吸具表面離開之情形。若如此，則會發生於已拾取密封半導體元件之狀態下吸具再次移動至搬送帶側之不良狀況(攜回現象)。

本發明提供一種拾取性良好且能夠抑制攜回之發生之吸具、其使用方法、及使用該吸具之光半導體裝置之製造方法。

本發明[1]包含一種吸具，其係吸引被黏著體並移動者，且具備吸引部，該吸引部具有開口部及包圍上述開口部之抵接部，且上述開口部相對於上述被黏著體之面積比為8%以上且88%以下，上述抵接部之蕭氏A硬度為65以上且未達95。

本發明[2]包含如[1]之吸具，其中上述開口部相對於上述被黏著體之面積比為8%以上且76%以下。

本發明[3]包含如[1]或[2]之吸具，其中上述吸引部相對於上述被黏著體之面積比為35%以上且126%以下。

本發明[4]包含一種吸具之使用方法，其具備：配置步驟，其係將如上述[1]至[3]中任一項之吸具以使上述吸引部與被黏著體隔開間隔而對向之方式配置；抵接步驟，其係藉由實施吸引而使上述被黏著體抵接於上述抵接部；移動步驟，其係使上述吸具移動；及隔離步驟，其係藉由解除吸引而使上述被黏著體自上述抵接部離開。

本發明[5]包含如[4]之吸具之使用方法，其中上述被黏著體係具備光半導體元件及密封上述光半導體元件之密封層之密封半導體元件，且上述密封層具備黏性，且於上述抵接步驟中，使上述密封層抵接於上述抵接部。

本發明[6]包含一種光半導體裝置之製造方法，其具備：搬送步驟，其係對搬送基材及設置於上述搬送基材上之密封半導體元件進行搬送；移送步驟，其係使用如上述[1]至[3]中任一項之吸具，吸引並移送上述密封半導體元件；及安裝步驟，其係將上述密封半導體元件安裝至安裝基材。

關於本發明之吸具及其使用方法，由於吸具之開口部相對於被黏著體之面積比為8%以上且88%以下，且吸具之抵接部之蕭氏A硬度為65以上且未達95，故而拾取性良好，且能夠抑制攜回之發生。因此，被黏著體之安裝性優異。

又，根據本發明之光半導體裝置之製造方法，使用本發明之吸具，故而光半導體裝置之良率優異。

1‧‧‧元件搭載基材

2‧‧‧搬送帶

3‧‧‧密封半導體元件

4‧‧‧密封層

5‧‧‧光半導體元件

6‧‧‧吸具

7‧‧‧吸引部

8‧‧‧開口部

9‧‧‧抵接部

11‧‧‧收容部

12‧‧‧吸入口

13‧‧‧搬送區域

14‧‧‧拾取區域

15‧‧‧安裝區域

16‧‧‧安裝台

17‧‧‧安裝基材

18‧‧‧吸引移動裝置

19‧‧‧移動部

20‧‧‧支持部

21‧‧‧捲軸

22‧‧‧捲軸

圖1表示使用本發明之吸具之第1實施形態之步驟之立體圖。

圖2A及圖2B係於本發明之使用方法中使用之元件搭載基材。

圖2A表示側視圖及其放大圖。

圖2B表示圖2A之放大圖之俯視圖。

圖3A~圖3F係使用本發明之吸具製造光半導體裝置之步驟圖。

圖3A表示準備元件搭載基材並進行搬送之準備步驟。

圖3B表示配置吸具之配置步驟。

圖3C表示使密封半導體元件抵接於抵接部之抵接步驟。

圖3D表示移動吸具之移動步驟。

圖3E表示將密封半導體元件安裝至安裝基材之安裝步驟。

圖3F表示使密封半導體元件自抵接部離開之離開步驟。

圖4A~圖4B係表示圖1之吸具之吸引部之圖。

圖4A表示密封半導體元件未抵接於吸具之狀態。

圖4B表示密封半導體元件抵接於吸具之狀態。

圖5A~圖5B係表示本發明之吸具之第2實施形態(開口部為大致矩形之形態)之吸引部之圖。

圖5A表示密封半導體元件未抵接於吸具之狀態。

圖5B表示密封半導體元件抵接於吸具之狀態。

於圖1中，於以下所說明之方向係如各圖所示之方向箭頭記載般。

於圖2A中，紙面上下方向為元件搭載基材之上下方向(厚度方向、第1方向)，紙面上側為上側(厚度方向一側、第1方向一側)，紙面下側為下側(厚度方向另一側、第1方向另一側)。紙面左右方向為長度方向(與第1方向正交之第2方向)，紙面右側為長度方向一側(第2方向一側)，紙面左側為長度方向另一側(第2方向另一側)。紙面紙厚方向為寬度方向(與第1方向及第2方向正交之第3方向)，紙面裏側為寬度方向一側(第3方向一側)，紙面近前側為寬度方向另一側(第3方向另 一側)。於以下之說明中，關於與元件搭載基材之方向相關之記載，以圖2A之方向為準。

參照圖1~圖4B，對本發明之光半導體裝置10之製造方法之一實施形態進行說明。光半導體裝置10之製造方法具備準備步驟、搬送步驟、移送步驟及安裝步驟。以下，對各步驟進行詳細敍述。

(準備步驟)

於準備步驟中，如圖2A、圖2B及圖3A所示，準備元件搭載基材1。

元件搭載基材1具備作為搬送基材之一例之搬送帶2、及作為被黏著體之一例之密封半導體元件3。

搬送帶2係於長度方向上為長條之片材，且呈捲筒狀捲繞於捲軸21。搬送帶2具備支持部20、及設置於支持部20之複數個收容部11。

支持部20呈搬送帶2之外形形狀，且形成為平板形狀。

複數個收容部11係於支持部20之寬度方向(與長度方向正交之方向)之大致中央部，沿長度方向等間隔地配置。收容部11形成為俯視大致矩形。又，收容部11係以能夠將密封半導體元件3收容於搬送帶2內部之方式、且以搬送帶2朝向下側凹陷之方式形成，又，於側剖視下，形成為朝向上側擴展之錐形狀。再者，於收容部11之底部之大致中央部，形成有將密封半導體元件3向下方吸引而將密封半導體元件3配置於底部之吸入口12。又，收容部11之底部之厚度係與支持部20之厚度大致相同。

例如，搬送帶2之厚度例如為0.05mm以上，較佳為0.1mm以上，又，例如為5mm以下，較佳為1mm以下。

收容部11之深度(自收容部11之底部之上表面至支持部20之上表面為止之上下方向長度)係以較下述之密封層4之厚度更高之方式調整，例如為0.1mm以上，較佳為0.5mm以上，又，例如為5mm以 下，較佳為3mm以下。

收容部11之底部之長度方向長度及寬度方向長度之各者係以較密封層4(於下文敍述)之長度方向長度及寬度方向長度之各者更長之方式調整，分別為例如0.1mm以上，較佳為0.5mm以上，又，例如為15mm以下，較佳為10mm以下。

搬送帶2係藉由如下方法獲得，即：例如以形成複數個收容部11之方式，將厚度均勻且為長條之片材之大致中央部朝向下側衝壓加工成俯視大致矩形。

於元件搭載基材1中，密封半導體元件3搭載於搬送帶2。詳細而言，密封半導體元件3係以接觸於收容部11之底部上表面之俯視大致中央部之方式，配置於搬送帶2。密封半導體元件3具備光半導體元件5及密封層4。

作為光半導體元件5，例如可列舉發出藍色光之藍色LED(發光二極體元件)。於光半導體元件5之下表面，設置有電極(未圖示)。

光半導體元件5之形狀例如為平板矩形，其尺寸可根據用途及目的而適當調整。具體而言，厚度例如為10μm以上且1000μm以下。長度方向長度及寬度方向長度之最大長度例如為0.05mm以上，較佳為0.1mm以上，又，例如為5mm以下，較佳為2mm以下。

密封層4係以密封光半導體元件5之方式形成。詳細而言，以被覆光半導體元件5之上表面及周側面，且使光半導體元件5之下表面露出之方式，形成為俯視大致矩形及側視大致矩形。又，密封層4之下表面(最下表面)係與收容部11之底部之上表面接觸。

密封層4具備黏性。即，密封層4係於其表面、具體而言為上表面、周側面及下表面，具備黏性。

密封層4之最小荷重值例如為5mN/10mm以上，較佳為40mN/10mm以上。又，例如為500mN/10mm以下，較佳為200mN/10mm以 下。於密封層4之最小荷重值成為上述範圍之情形時，密封層4具備適度之黏性。而且，本發明之製造方法中，特別是對具備具有黏性之密封層4之密封半導體元件3，能夠發揮良好之拾取性及攜回抑制。

密封層4之最小荷重值係藉由如下方法求出，即：使用精密荷重測定裝置(型號：M-1605IIVL、AIKOH ENGINEERING公司製造)，測定於將裝置之探針壓抵於密封層4之表面後上提時所測定之荷重之最小值之絕對值。測定條件設為探針前端：直徑4mm之丁腈橡膠，最大荷重：4500mN，速度：0.5(最慢速度)。

密封層4係由例如硬化性樹脂組合物形成。作為硬化性樹脂組合物，例如可列舉：熱固性樹脂組合物、紫外線硬化性樹脂組合物等，可較佳地列舉熱固性樹脂組合物。

作為熱固性樹脂組合物，可列舉：2段反應熱固性樹脂組合物、1段反應熱固性樹脂組合物等。

2段反應熱固性樹脂組合物係如下之樹脂組合物：具有2個反應機構，且能夠於第1段之反應中，自A-階段狀態進行B-階段化(半硬化)，繼而，於第2段之反應中，自B-階段狀態進行C-階段化(完全硬化)。亦即，2段反應熱固性樹脂可藉由適度之加熱條件而成為B-階段狀態。

1段反應熱固性樹脂組合物係如下之樹脂組合物：具有1個反應機構，且能夠於第1段之反應中，自A-階段狀態進行C-階段化(完全硬化)。能夠成為B-階段狀態之1段反應熱固性樹脂組合物可於第1段之反應之中途，使該反應停止，而維持B-階段狀態，且可藉由其後之進一步之加熱，使第1段之反應再次進行，而自B-階段狀態進行C-階段化(完全硬化)。

作為硬化性樹脂組合物，具體而言，例如可列舉：聚矽氧樹脂組合物、環氧樹脂組合物、胺基甲酸酯樹脂組合物、聚醯亞胺樹脂組 合物、酚樹脂組合物、脲樹脂組合物、三聚氰胺樹脂組合物、不飽和聚酯樹脂組合物等，可較佳地列舉聚矽氧樹脂組合物。

作為聚矽氧樹脂組合物，可較佳地列舉：2段反應性熱固性聚矽氧樹脂組合物、1段反應性熱固性聚矽氧樹脂組合物，可更佳地列舉1段反應性熱固性聚矽氧樹脂組合物。

作為1段反應性熱固性聚矽氧樹脂組合物，例如可列舉於分子內含有苯基之苯基系聚矽氧樹脂組合物等。

形成密封層4之硬化性樹脂組合物，亦可含有例如螢光體、無機填料等。

螢光體具有波長轉換功能，例如可列舉：能夠將藍色光轉換成黃色光之黃色螢光體、能夠將藍色光轉換成紅色光之紅色螢光體等。

作為黃色螢光體，可列舉：例如(Ba,Sr,Ca)₂SiO₄；Eu、(Sr,Ba)₂SiO₄：Eu(正矽酸鋇(BOS))等矽酸鹽螢光體，例如Y₃Al₅O₁₂：Ce(YAG(Yttrium Aluminum Garnet，釔鋁石榴石)：Ce)、Tb₃Al₃O₁₂：Ce(TAG(Terbium Aluminum Garnet，鋱鋁石榴石)：Ce)等具有石榴石型晶體結構之石榴石型螢光體，例如Ca-α-SiAlON等氮氧化物螢光體等。作為紅色螢光體，可列舉例如CaAlSiN₃：Eu、CaSiN₂：Eu等氮化物螢光體等。

作為無機填料，可列舉如下等無機物粒子：例如二氧化矽、滑石、氧化鋁、氧化硼、氧化鈣、氧化鋅、氧化鍶、氧化鎂、氧化鋯、氧化鋇、氧化銻等氧化物，例如氮化鋁、氮化矽等氮化物。

密封層4之厚度(最上表面與最下表面之上下方向長度)(進而為密封半導體元件3之厚度)例如為0.1mm以上，較佳為0.2mm以上，又，例如為5mm以下，較佳為3mm以下。

密封層4之長度方向長度及寬度方向長度(特別是密封層4上表面之長度)分別為例如0.1mm以上，較佳為0.5mm以上，又，例如為10 mm以下，較佳為3mm以下。

具體而言，密封層4之上表面之面積例如為0.3mm²以上，較佳為1mm²以上，又，例如為9mm²以下，較佳為4mm²以下。

密封半導體元件3係藉由例如如下步驟而獲得，即：準備具備第1剝離片材、及設置於第1剝離片材上之密封層4(B-階段)之密封層轉移片材之步驟；準備具備第2剝離片材、及設置於第2剝離片材上之光半導體元件5之光半導體元件片材之步驟；將密封層轉移片材之密封層4轉移至光半導體元件片材，並藉由密封層4密封光半導體元件5之步驟；以及剝離第1剝離片材及第2剝離片材之步驟。

元件搭載基材1可藉由將上述所獲得之密封半導體元件3配置於搬送帶2之收容部11而製作。例如，可藉由如下步驟進行製作，即：一面自吸入口12朝向下方吸引，一面使用公知之搬送臂以密封半導體元件3之下表面接觸於收容部11之底部之上表面之方式配置密封半導體元件3之步驟；以及於維持吸引之狀態下，使搬送臂自密封半導體元件3離開之步驟。

(搬送步驟)

於搬送步驟中，於準備步驟後，如圖1及圖3A所示般，搬送元件搭載基材1。

具體而言，如圖1所示，於搬送區域13，藉由卷對卷法，以元件搭載基材1之長度方向與搬送方向一致之方式，將元件搭載基材1自搬送方向一側朝向搬送方向另一側進行搬送。即，藉由將捲繞於一捲軸21之搬送帶2捲繞至另一捲軸22，而搬送元件搭載基材1。

再者，搬送元件搭載基材1之搬送區域13之搬送方向中央被劃分成拾取區域14。

於拾取區域14之正交方向(與搬送方向正交之方向)一側，隔開間隔，而劃分形成有安裝區域15。

於安裝區域15，配置有安裝台16。

於安裝台16之上表面，整齊排列配置有複數個安裝基材17。安裝基材17例如包含絕緣基板。於安裝基材17之上表面，形成有包含電極之導體圖案(未圖示)。

(移送步驟)

於移送步驟中，於搬送步驟後，使用具備吸具6之吸引移動裝置18，將密封半導體元件3自拾取區域14移送至安裝區域15。具體而言，具備配置步驟、抵接步驟、移動步驟。

如圖1所示，吸引移動裝置18具備吸具6、及移動部19(由假想線表示)。

吸具6形成為沿上下方向(與搬送方向及正交方向正交之方向)延伸之管狀，且於下端部具備吸引部7。

如圖4A所示，吸引部7形成為仰視大致矩形，且具備開口部8及抵接部9。

吸引部7之面積(即開口部8之面積與抵接部9之面積之合計)係設定為相對於密封半導體元件3之上表面之面積，其面積比(吸引部7/密封半導體元件3)例如為20%以上，較佳為35%以上，又，例如為160%以下，較佳為126%以下。具體而言，吸引部7之面積(即開口部8之面積與抵接部9之面積之合計)例如為0.06mm²以上，較佳為0.1mm²以上，又，例如為14mm²以下，較佳為11mm²以下。藉由將吸引部7之面積比設為上述範圍內，能夠確保密封半導體元件3與吸引部7之接觸面積。又，能夠減少吸引部7之面積相對於密封半導體元件3之面積之超出，而確保與已安裝後之密封半導體元件3之間隔更窄。因此，針對密集之安裝基材17群，亦能夠高速且確實地安裝所拾取之密封半導體元件3。

開口部8係形成為仰視大致圓形狀，且沿上下方向貫通吸具6。 開口部8係以開口部8之中心與吸引部7之重心(中心)一致之方式形成。

開口部8之面積係設定為相對於密封半導體元件3之上表面之面積，其面積比(開口部8/密封半導體元件3)為8%以上且88%以下。面積比較佳為12%以上，又，較佳為76%以下。具體而言，開口部8之面積例如為0.03mm²以上，較佳為0.04mm²以上，又，例如為8mm²以下，較佳為7mm²以下。藉由將開口部8設為上述範圍內，能夠利用吸具6確實地拾取密封半導體元件3，且抑制密封半導體元件3之攜回而將其確實地安裝至安裝基材17。又，能夠以高速進行拾取及安裝。

抵接部9形成為以包圍開口部8之方式形成之仰視框形狀。

抵接部9形成為仰視大致矩形(特別是大致正方形狀)。抵接部9之外部形狀係與吸引部7之外部形狀一致，抵接部9之內部形狀係與開口部8之形狀一致。

抵接部9之搬送方向長度及正交方向長度分別為例如1mm以上，較佳為10mm以上，又，例如為1000mm以下，較佳為100mm以下。

抵接部9之蕭氏A(硬度)為65以上，且未達95。較佳為70以上，更佳為80以上，又，較佳為90以下，更佳為85以下。藉由將抵接部9之蕭氏A硬度設為上述範圍內，能夠利用吸具6確實地拾取密封半導體元件3，且抑制密封半導體元件3之攜回而將其確實地安裝至安裝基材17。

蕭氏A硬度係基於JIS K 6253-3(2012年)，並使用硬度計(彈簧式橡膠硬度計)而測定。

抵接部9係由例如橡膠等形成。作為橡膠，例如可列舉：天然橡膠、合成橡膠等。作為合成橡膠，例如可列舉：丁基橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠(SBR)、異戊二烯橡膠(IR)、乙烯丙烯橡膠(EPM)、乙烯-丙烯-二烯橡膠(EPDM)、胺基甲酸酯橡膠、聚矽氧橡膠、氟橡膠等。

移動部19係如圖1所示般，使吸具6沿搬送方向、正交方向及上下方向移動之裝置(X-Y-Z平台)。移動部19配置於拾取區域14及安裝區域15之上方，且使吸具6以能夠移動之方式於移動部19之下表面卡止。

吸引移動裝置18具備未圖示之壓縮機。藉由壓縮機，可吸引吸具6之開口部8內部之空氣，進而吸引密封半導體元件3。

於配置步驟中，如圖3B所示，將吸具6以吸引部7與密封半導體元件3隔開間隔而對向之方式配置。

詳細而言，於拾取區域14，於收容於搬送帶2且連續地被搬送而來之密封半導體元件3之上方附近，藉由移動部19使吸具6移動。

此時，如圖4B所示，以於沿上下方向投影時開口部8包含於密封半導體元件3之方式進行配置。更具體而言，以密封半導體元件3之重心與開口部8之中心及吸引部7之重心一致之方式配置。

吸引部7之下表面(抵接面)與密封半導體元件3之上表面之間隔例如為10μm以上，較佳為50μm以上，又，例如為1000μm以下，較佳為500μm以下。

於抵接步驟中，於配置步驟後，如圖3C所示，藉由實施吸引而使密封半導體元件3抵接於抵接部9。

具體而言，藉由使壓縮機運轉，將開口部8內部設為低壓(負壓)，而實施吸引。

吸引力係設定為例如0.1atm以上，較佳為0.2atm以上，又，例如為10atm以下，較佳為3atm以下。

藉此，密封半導體元件3係朝向開口部8(上方)而被吸上來，故而自搬送帶2離開，並抵接於抵接部9。即，密封半導體元件3由吸具6拾取。

再者，於抵接步驟中，開口部8係被密封半導體元件3之上表面 完全被覆。

於移動步驟中，於抵接步驟後，如圖3D所示般，使吸具6移動。

具體而言，一面藉由吸引使密封半導體元件3抵接於抵接部9，一面以使吸具6沿搬送方向、正交方向及上下方向任意移動之方式使移動部19運轉，而使吸具6自拾取區域14移動至安裝區域15。

藉此，密封半導體元件3被移送至安裝區域15。

(安裝步驟)

安裝步驟係於移送步驟後，將密封半導體元件3安裝至安裝基材17之步驟，具體而言，具備接觸步驟及離開步驟。

於接觸步驟中，如圖3E所示般，使密封半導體元件3接觸於安裝基材17。

具體而言，藉由使吸具6向下方移動，而使密封半導體元件3之下表面接觸於安裝基材17之上表面。更詳細而言，使密封半導體元件3之下表面之電極(未圖示)與安裝基材17之上表面之電極(未圖示)接觸。即，實施覆晶安裝。

於該接觸步驟時，使吸具6向下方移動而使密封半導體元件3接觸於安裝基材17後，以藉由抵接部9使密封層4之上表面沿上下方向稍微凹陷之方式，使吸具6向下方移動(壓入)。藉此，能夠將密封半導體元件3確實地配置於安裝基材17。

密封層4凹陷之上下方向高度(壓入距離)係設定為例如10μm以上，較佳為50μm以上，又，例如為1000μm以下，較佳為500μm以下。

於離開步驟中，於接觸步驟後，如圖3F所示般，藉由解除吸引而使密封半導體元件3自抵接部9離開。

具體而言，於停止實施吸引後，使吸具6向上方移動。藉此，密封半導體元件3自抵接部9離開，密封半導體元件3被安裝至安裝基材 17。

於該離開步驟時，藉由壓縮機之運轉而將空氣送入至開口部8。藉此，密封半導體元件3被空氣向下方推出，而自抵接部9容易地離開。

氣壓係設定為例如0.01atm以上，較佳為0.1atm以上，又，例如為10atm以下，較佳為1atm以下。

以此方式，能夠獲得於安裝基材17安裝有密封半導體元件3之光半導體裝置10。

繼而，視需要，對光半導體裝置10，實施熱或紫外線照射，而使密封層4完全硬化。

根據該光半導體裝置10之製造方法，能夠使吸具6確實地拾取密封半導體元件3，且抑制密封半導體元件3之攜回而將其確實地安裝至安裝基材17。因此，可提高光半導體裝置10之製造之良率。

再者，具備配置步驟、抵接步驟、移動步驟及離開步驟之方法係本發明之吸具之使用方法之一實施形態。

(變化例)

於圖4A之實施形態中，開口部8形成為仰視大致矩形，但例如圖5A所示，亦可將開口部8形成為仰視大致矩形。

圖5A中之開口部8係以開口部8之重心與吸引部7之重心一致之方式形成。開口部8係以開口部8之各邊與吸引部7之各邊平行之方式形成。

而且，於配置步驟中，如圖5B所示，以於沿上下方向進行投影時開口部8包含於密封半導體元件3之方式配置。即，以密封半導體元件3之重心與開口部8之重心及吸引部7之重心一致之方式配置。又，以密封半導體元件3之各邊與開口部8之各邊平行之方式配置。

於該實施形態中，亦發揮與圖4A相同之作用效果。

又，於圖4A之實施形態中，吸引部7之外部形狀形成為仰視大致矩形，但例如，雖未圖示，亦可將吸引部7之外部形狀形成為仰視大致圓形狀。

又，於圖4A之實施形態中，吸具6整體由同一材料(例如橡膠)形成，但例如，亦可僅使吸具6之下端部之吸引部7由為特定之蕭氏A硬度之材料形成，而於較下端部更靠上側，由不同之材料形成。

又，雖未圖示，但亦可於搬送帶2設置複數個對準標記。對準標記係為了使吸引移動裝置18識別收容部11之位置，而與收容部11對應地設置。對準標記形成於各收容部11之長度方向大致中央部、且收容部11之寬度方向一側或另一側。

實施例

以下，列舉實施例及比較例而對本發明進而詳細地進行說明，但本發明並不限定於其等。又，於以下之記載中使用之調配比率(含有比率)、物性值、參數等具體之數值可替代為於上述之「用以實施發明之形態」中記載之與其等對應之調配比率(含有比率)、物性值、參數等相應記載之上限值(定義為「以下」、「未達」之數值)或下限值(定義為「以上」、「超過」之數值)。

實施例1

(元件搭載基材)

作為被黏著體，使用藉由1.6mm×1.6mm且厚度0.45mm之密封層密封光半導體元件(藍色LED)而成之密封半導體元件。

密封層係藉由加熱使苯基系聚矽氧樹脂組合物(1段反應性熱固性)硬化而成者。該密封層之最小荷重值為80mN/10mm。

作為搬送基材，使用沿長度方向等間隔地形成有多個收容部之長條之搬送帶(厚度0.23mm)。再者，收容部(底部)之尺寸為1.8mm×1.8mm、深度0.65mm。

於搬送帶之各收容部收容密封半導體元件，而獲得元件搭載基材(參照圖2A)。

再者，密封層之最小荷重值係以如下方式測定。

首先，製作將密封層成形為10mm×20mm×厚度0.4mm之最小荷重值測定用樣品。

繼而，準備精密荷重測定裝置(型號：M-1605IIVL、AIKOH ENGINEERING公司製造)，並將樣品固定於其台上。

於精密荷重測定裝置之探針(探針直徑4mm)前端，安裝丁腈橡膠(直徑4mm、厚度0.6mm)。繼而，以最大荷重：4500mN、速度：0.5(最慢速度)之設定條件，將該探針前端相對於樣品之上表面自上方朝向下方壓抵後，繼而將探針朝向上方上提。

將於該抵壓時及上提時所測定之探針前端之上下方向位置(移位)及荷重分別繪製成X軸及Y軸，而獲得曲線圖。於該曲線圖中之上提時之曲線圖中，求出荷重(Y軸)之最小值(負值)之絕對值作為最小荷重值。

(吸引移動裝置)

作為吸引移動裝置，使用表面安裝機(SUMSUNG公司製造、SMT(Surface Mount Technology，表面黏著技術)裝置、「CP45FV」)。

用於吸引移動裝置之吸具之抵接部係由蕭氏A硬度為80之橡膠形成。吸具之吸引部之形狀設為仰視大致矩形，面積設為0.903mm²(相對於密封半導體元件為35%)。吸具之開口部之形狀設為大致圓形狀，面積設為0.196mm²(相對於密封半導體元件為8%)(參照圖4A)。

再者，蕭氏A硬度係使用硬度計(彈簧式橡膠硬度計)，並基於JIS K 6253-3(2012年)而測定。

(半導體裝置之製造方法)

關於表面安裝機之設定條件，以如下方式進行設定。

．拾取時

吸引力：-0.79atm、待機時間：30ms、吸引部與密封半導體元件之距離：100μm、拾取速度：最快(設定值1)

．安裝時

氣壓：0.2atm、待機時間：30ms、吸具之壓入距離：100μm、安裝速度：最快(設定值1)

於安裝台，以200μm之間隔整齊排列配置有1.6mm×1.6mm之安裝基材共60個(20行×3行)。

藉由以上述設定條件使表面安裝機運轉，而拾取自元件搭載基材搬送而來之密封半導體元件，並安裝至安裝基材(參照圖3A~圖3F)。

(評價)

(1)拾取性

將完成吸引密封半導體元件並將其抵接於吸具之成功率為95%以上之情形評價為○，將未達95%評價為×。將結果示於表1。

(2)安裝性(攜回發生之抑制)

將完成將所拾取之密封半導體元件安裝至安裝基材之成功率(即不發生攜回之比率)為95%以上之情形評價為○，將未達95%之情形評價為×。將結果示於表1。

(3)速度

於拾取速度及安裝速度之設定為3以上之情形時，將能夠進行上述拾取性及安裝性之測定之情形評價為○，於設定為4之情形時，將對上述拾取性及安裝性進行了測定之情形評價為△，於設定為5之情形時，將對上述拾取性及安裝性進行了測定之情形評價為×。將結果示於表1。再者，速度之設定係最快為1，最慢為5。

(4)安裝密度

於各安裝基材之間隔為200μm以下之情形時，將能夠進行上述拾取性及安裝性之測定之情形評價為○，於各安裝基材之間隔超過200μm且為600μm以下之情形時，將對上述拾取性及安裝性進行了測定之情形評價為△，於各安裝基材之間隔超過600μm之情形時，將對上述拾取性及安裝性進行了測定之情形評價為×。將結果示於表1。

實施例2~9

將吸具之抵接部之形狀及材質等變更為表1所記載之形狀及材質，除此以外，與實施例1同樣地實施各實施例之光半導體裝置之製造。又，對上述評價進行測定。將結果示於表1。

比較例1~7

將吸具之抵接部之形狀及材質等變更為表1所記載之形狀及材質，除此以外，與實施例1同樣地，實施各比較例之光半導體裝置之製造。又，對上述評價進行測定。將結果示於表1。

再者，上述發明係作為本發明之例示之實施形態而提供，其僅為例示，不可限定地進行解釋。由本技術領域之業者所明確之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍中。

1‧‧‧元件搭載基材

2‧‧‧搬送帶

6‧‧‧吸具

11‧‧‧收容部

13‧‧‧搬送區域

14‧‧‧拾取區域

15‧‧‧安裝區域

16‧‧‧安裝台

17‧‧‧安裝基材

18‧‧‧吸引移動裝置

19‧‧‧移動部

21‧‧‧捲軸

22‧‧‧捲軸

Claims (6)

1. 一種吸具，其特徵在於：其係吸引被黏著體並移動之吸具，且具備吸引部，該吸引部具有開口部及包圍上述開口部之抵接部；且上述開口部相對於上述被黏著體之面積比為8%以上且88%以下；且上述抵接部之蕭氏A硬度為65以上且未達95。
2. 如請求項1之吸具，其中上述開口部相對於上述被黏著體之面積比為8%以上且76%以下。
3. 如請求項1之吸具，其中上述吸引部相對於上述被黏著體之面積比為35%以上且126%以下。
4. 一種吸具之使用方法，其特徵在於具備：配置步驟，其係將如請求項1之吸具以上述吸引部與被黏著體隔開間隔而對向之方式配置；抵接步驟，其係藉由實施吸引而使上述被黏著體抵接於上述抵接部；移動步驟，其係使上述吸具移動；及離開步驟，其係藉由解除吸引而使上述被黏著體自上述抵接部離開。
5. 如請求項4之使用方法，其中上述被黏著體係具備光半導體元件及密封上述光半導體元件之密封層之密封半導體元件，且上述密封層具備黏性，且於上述抵接步驟中，使上述密封層抵接於上述抵接部。
6. 一種光半導體裝置之製造方法，其特徵在於具備： 搬送步驟，其係對搬送基材及配置於上述搬送基材上之密封半導體元件進行搬送；移送步驟，其係使用如請求項1之吸具，吸引並移送上述密封半導體元件；及安裝步驟，其係將上述密封半導體元件安裝至安裝基材。