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TW201620120A - 薄膜電晶體陣列基板及液晶顯示面板 - Google Patents

薄膜電晶體陣列基板及液晶顯示面板 Download PDF

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TW201620120A TW103141187A TW103141187A TW201620120A TW 201620120 A TW201620120 A TW 201620120A TW 103141187 A TW103141187 A TW 103141187A TW 103141187 A TW103141187 A TW 103141187A TW 201620120 A TW201620120 A TW 201620120A
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Abstract

本發明涉及一種薄膜電晶體陣列基板及液晶顯示面板。本發明的薄膜電晶體陣列基板，其包括第一基底、設置於該第一基底上的閘極、覆蓋該閘極及該基板的閘極絕緣層、設置於該閘極絕緣層上且對應於該閘極上方的有源層、位於該有源層上的蝕刻阻擋層、位於該蝕刻阻擋層上的源極與汲極及覆蓋該薄膜電晶體的鈍化層，該蝕刻阻擋層的材質為彩色光阻。

Description

薄膜電晶體陣列基板及液晶顯示面板
本發明涉及一種薄膜電晶體陣列基板及具有此薄膜電晶體陣列基板的液晶顯示面板。
液晶顯示裝置已廣泛應用於各個領域，如家庭、公共場所、辦公場及個人電子相關產品等。目前，液晶顯示裝置已經從製作簡單、成本低廉但視角較小的扭曲向列（TwistedNematic, TN)型液晶顯示器，發展到多維電場（Advanced Super Dimension Switch,AD-SDS,簡稱ADS)型液晶顯示裝置，以及基於ADS模式提出的高開ロ率的HADS型液晶顯示裝置，無論哪ー種液晶顯示裝置，其液晶顯示面板的製作エ藝係單獨製造薄膜電晶體陣列基板和彩色濾光片基板，然後再將薄膜電晶體陣列基板和彩色濾光片基板進行對位、成盒（Cell)。
由於薄膜電晶體陣列基板及彩色濾光片基板係分別獨立製作再對位貼合在一起的，在將薄膜電晶體陣列基板及彩色濾光片基板對位貼合時，彩色濾光片基板與薄膜電晶體陣列基板之間容易出現對位偏差，而對位偏差又會導致漏光、透過率降低等不良，從而可能導致液晶顯示面板的開口率或顯示效果降低。
為解決薄膜電晶體陣列基板與彩色濾光片基板之間的對位偏差所導致的漏光、透過率降低等技術問題，有必要提供一種薄膜電晶體陣列基板。
進一步，提供一種具有前述薄膜電晶體陣列基板的液晶顯示面板。
一種薄膜電晶體陣列基板，其包括第一基底、設置於該第一基底上的閘極、覆蓋該閘極及該基板的閘極絕緣層、設置於該閘極絕緣層上且對應於該閘極上方的有源層、位於該有源層上的蝕刻阻擋層、位於該蝕刻阻擋層上的源極與汲極及覆蓋該薄膜電晶體的鈍化層，該蝕刻阻擋層的材質為彩色光阻。
一種液晶顯示面板，其包括薄膜電晶體陣列基板、與該薄膜電晶體陣列基板相對設置的對向基板及夾於該薄膜電晶體陣列基板與該對向基板之間的液晶層，該薄膜電晶體陣列基板包括第一基底、設置於該第一基底上的閘極、覆蓋該閘極及該基板的閘極絕緣層、設置於該閘極絕緣層上且對應於該閘極上方的有源層、位於該有源層上的蝕刻阻擋層、位於該蝕刻阻擋層上的源極與汲極及覆蓋該薄膜電晶體的鈍化層，該蝕刻阻擋層的材質為彩色光阻。
一種薄膜電晶體陣列基板，其包括第一基底、設置於該第一基底上的多條掃描線及多條資料線，多條該掃描線與多條該資料線絕緣相交限定出多個畫素區域，該畫素區域包括薄膜電晶體、畫素電極及彩色光阻層，該薄膜電晶體分別與該掃描線、該資料線及該畫素電極電連接，其中，該彩色光阻層作為該薄膜電晶體的蝕刻阻擋層。
相較於先前技術，本發明所提供的薄膜電晶體陣列基板及具有此薄膜電晶體陣列基板的液晶顯示面板，用彩色光阻層取代原有的蝕刻阻擋層，不僅可以省去一道光罩預算和製程時間，並且提高了彩膜基板與陣列基板對位的準確率，提高透光率。
圖1係本發明一較佳實施方式所提供的薄膜電晶體陣列基板的局部平面圖。
圖2係圖1所示薄膜電晶體陣列基板沿II-II處所示的剖面示意圖。
圖3係本發明第一實施方式所提供的液晶顯示面板的平面圖。
圖4係圖3所示液晶顯示面板沿IV-IV處的剖面示意圖。
圖5係本發明第二實施方式提供的顯示面板的剖面示意圖。
圖6係本發明第三實施方式提供的顯示面板的剖面示意圖。
圖7係本發明第四實施方式提供的顯示面板的剖面示意圖。
請同時參閱圖1及圖2，圖1為本發明一較佳實施方式所提供的薄膜電晶體陣列基板10的局部平面示意圖，圖2為圖1所示薄膜電晶體陣列基板10沿II-II處的剖面圖。該薄膜電晶體陣列基板10包括第一基底11、設置於該第一基底11上的多條掃描線12及與多條該掃描線12絕緣相交的多條資料線13。多條該掃描線12及多條該資料線13絕緣相交從而限定出多個位於相交的最小區域中的畫素區域14。本實施方式中，多條該掃描線12相互平行且均沿橫向延伸，多條該資料線13相互平行且與該多條掃描線12垂直，該畫素區域14為矩形。本實施方式中，該第一基底11可以為透光(如玻璃、石英、或類似物)或不透光(如晶片、陶瓷、或類似物)的剛性無機材質，亦可為塑膠、橡膠、聚酯、或聚碳酸酯等可撓性有機材質。
每一該畫素區域14包括薄膜電晶體141、畫素電極142及彩色光阻層143。該薄膜電晶體141位於該掃描線12及資料線13交叉處，且分別與該掃描線12及該資料線13電連接。該畫素電極142位於該畫素區域14中並與該薄膜電晶體141電性連接。該畫素電極142用於配合公共電極產生驅動液晶顯示面板的液晶層的電場以實現顯示。
該薄膜電晶體141包括閘極1411、覆蓋該閘極1411的閘極絕緣層1412、設置於該閘極絕緣層1412上且位於該閘極1411正上方的有源層1413、覆蓋該有源層1413的彩色光阻層143、位於該彩色光阻層143上並且與該有源層1413電性連接的源極1414和汲極1415及覆蓋該薄膜電晶體141的鈍化層1416。該掃描線12與該閘極1411連接，該資料線13與該源極1414連接。
本實施方式中，該薄膜電晶體14在該有源層1413的上方還包括一蝕刻阻擋層1431，該蝕刻阻擋層1431的材質為彩色光阻。本實施方式中，該彩色光阻層143與該蝕刻阻擋層1431位於同一層，該彩色光阻層143的一部分作為該蝕刻阻擋層1431，換言之，每一該畫素區域14的該彩色光阻層143還作為該畫素區域14中的該薄膜電晶體141的蝕刻阻擋層，且該彩色光阻層143在垂直於該薄膜電晶體陣列基板10的方向上的投影覆蓋該薄膜電晶體141、該畫素電極142、該掃描線12及該資料線13。該彩色光阻層143包括紅色光阻單元R、綠色光阻單元B及藍色光阻單元G，每一該畫素區域14具有一种颜色的彩色光阻单元。具體地，位於同一行的三個連續的該畫素區域14的彩色光阻單元分別為紅色光阻單元R、綠色光阻單元G及藍色光阻單元B，位於同一列的所有該畫素區域14的彩色光阻單元可以為相同顏色的彩色光阻單元。進一步地，位於同一行的相鄰的兩個該畫素區域14的彩色光阻單元顏色不同，且相鄰的兩個該畫素區域14的彩色光阻單元可以直接相接，也可以具有一定的間隔。另外，由於位於同一列的所有該畫素區域14的彩色光阻單元顏色相同，因此可以在同一道製程步驟中形成。
具體的，該閘極1411可以利用物理氣相沉積法(PVD)、濺鍍法、或類似方法，再配以光刻圖案化工藝搭配蝕刻法形成於該第一基底114上；鋪設該閘極絕緣層1412於該閘極1411上，並覆蓋該閘極1411及該第一基底114。進一步地，同樣利用物理氣相沉積法(PVD)、濺鍍法、或類似方法，再以光刻圖案化工藝搭配蝕刻法形成該有源層1413於該閘極絕緣層1412上，並位於該閘極1411的正上方，該有源層1413為金屬氧化物材質，如IGZO、IZO或IAZO等。更進一步地，設置該彩色光阻層143於該有源層1413上方，且覆蓋該有源層1413及該閘極絕緣層1412，該源極1414及該汲極1415設置該彩色光阻層143上，該源極1414及該汲極1415可使用相同的導電材料，如銅等金屬材料。本實施方式中，該掃描線12與該閘極1411在同一道工序中製成，該資料線13、該源極與該汲極1415在同一道光罩製程中製成。
進一步的，該彩色光阻層143包括貫穿該彩色光阻層143的第一通孔a及第二通孔b，該源極1414及該汲極1415分別藉由該第一通孔a及該第二通孔b與該有源層1413電性連接，該彩色光阻層143還包括依序間隔設置的紅色光阻單元R、綠色光阻單元G及藍色光阻單元B。該鈍化層1416包括貫穿該鈍化層1416的一第三通孔c，該第三通孔c對應設置於該汲極1415上方的位置，該畫素電極142位於該鈍化層1416上並且藉由該第三通孔c與該汲極1415電性連接。本實施方式中，該畫素電極142可以選用相同材質的透明導電材料，如氧化銦錫（Indium tin oxide，ITO）等。本實施方式中，該第一通孔a及該第二通孔b之間的彩色光阻層即為該蝕刻阻擋層1431，但並不局限於此，在其他實施方式中，可以將整層的該彩色光阻層143作為該蝕刻阻擋層1431。
與先前技術相比較，本實施方式的薄膜電晶體陣列基板10，用彩色光阻層代替薄膜電晶體中的蝕刻阻擋層，不僅可以省去一道光罩預算，還可以節省製程時間，並且提高了彩膜基板與陣列基板對位的準確率，提高透光率。
請同參閱圖3及圖4，圖3為本發明第一實施方式所提供的液晶顯示面板20的平面圖，圖4係圖3所示液晶顯示面板20的剖面示意圖。該液晶顯示面板20包括薄膜電晶體陣列基板21、對向基板22及夾於該薄膜電晶體陣列基板21及對向基板22之間的液晶層23。該薄膜電晶體陣列基板21採用圖1及圖2所示的薄膜電晶體陣列基板10，此處不再贅述其結構。
該對向基板22包括第二基底221、設置於該第二基底221上的該黑矩陣222及平坦層223。該平坦層223位於該第二基底221與該公共電極層26之間，該黑矩陣222設置於該第二基底221與該平坦層223之間。該黑矩陣222呈一縱橫交錯的網格狀，該黑矩陣222在垂直於該薄膜電晶體陣列基板21的方向上的投影完全覆蓋該薄膜電晶體陣列基板21的掃描線212、資料線213及薄膜電晶體2141，該黑矩陣222用於遮蔽該掃描線212、該資料線213及該薄膜電晶體陣列基板21的薄膜電晶體2141。同時，該黑矩陣222還作為該液晶顯示面板20的彩色濾光片的一部分，與該薄膜電晶體陣列基板21的彩色光阻層2143共同構成該液晶顯示面板20的彩色濾光片。該黑矩陣222對應於該彩色光阻層2143的紅色光阻單元R、綠色光阻單元G及藍色光阻單元B中任意相鄰的兩個光阻單元之間設置。本實施方式中，該第二基底221可以為透光(如玻璃、石英、或類似物)或不透光(如晶片、陶瓷、或類似物)的剛性無機材質，亦可為塑膠、橡膠、聚酯、或聚碳酸酯等可撓性有機材質。
該液晶顯示面板20還包括第一偏光片24、第二偏光片25及公共電極層26。該第一偏光片24位於該薄膜電晶體陣列基板21遠離該液晶層23的一側。該第二偏光片25位於該對向基板22遠離該液晶層23的一側。該公共電極層26設置于該對向基板22靠近該液晶層23的一側。該第一偏光片24及該第二偏光片25主要用於使特定方向的偏振光藉由以使該液晶顯示面板20成像。本實施方式中，該公共電極層26作為產生用以驅動該液晶層23的電場的電極之一，與該薄膜電晶體陣列基板21的畫素電極2142共同作用產生用以驅動該液晶層23旋轉的電場。本實施方式中，該公共電極層26可以選用與該畫素電極242相同材質的透明導電材料，如氧化銦錫（Indium tin oxide，ITO）等，但並不局限於此，在其他實施方式中，該公共電極28也可以選用其他材質的透明導電材料。
與先前技術相比較，本發明液晶顯示面板20中，利用彩色光阻層代替薄膜電晶體中的蝕刻阻擋層，不僅可以省去一道光罩預算，還可以節省製程時間。同時彩色光阻層與畫素電極製作在同一基板上，相較於彩色光阻層與畫素電極製作在不同基板上更容易對位，進而可以改善先前技術中彩色濾光片基板與薄膜電晶體陣列基板對位時存在偏差等技術問題，提高開口率。
雖然以上已經對本發明進行了詳盡的描述，但並非對發明進行限製。如圖5所示的實施例，其中圖5係本發明第二實施方式的液晶顯示面板的剖面結構示意圖。本實施方式的液晶顯示面板30與本發明第一實施方式的液晶顯示面板20的主要區別在於：該液晶顯示面板30的黑矩陣322及平坦層323設置於薄膜電晶體陣列基板31上，該平坦層323位於該薄膜電晶體陣列基板31與靠近該液晶層33的一側，該黑矩陣322位於該平坦層323及該薄膜電晶體陣列基板31之間，該黑矩陣322與該薄膜電晶體陣列基板31的彩色光阻層3143共同做為該液晶顯示面板30的彩色濾光片。另外，該薄膜電晶體陣列基板31的薄膜電晶體3141與該黑矩陣322之間還具有一平坦層340，以且平坦化該薄膜電晶體陣列基板31，便於該黑矩陣322的形成。
如圖6所示的實施例，本實施方式的液晶顯示面板40與本發明第一實施方式的液晶顯示面板20的主要區別在於：該液晶顯示面板40的公共電極層46設置於薄膜電晶體陣列基板41上，並位於該薄膜電晶體陣列基板41靠近液晶層43的一側。另外，該薄膜電晶體陣列基板41的薄膜電晶體4141與該公共電極層46之間還具有一平坦層440，以使該公共電極層46與該薄膜電晶體陣列基板41的畫素電極4142彼此絕緣，且平坦化該薄膜電晶體陣列基板41。
如圖7所示的實施列，本實施方式的液晶顯示面板50與本發明第一實施方式的液晶顯示面板20的主要區別在於：該顯示面板50的公共電極層56、黑矩陣522及平坦層523設置於薄膜電晶體陣列基板51上，該公共電極層56位於該薄膜電晶體陣列基板51靠近液晶層53的一側，該平坦層523位於該薄膜電晶體陣列基板51與該公共電極層56之間，該黑矩陣522位於該平坦層523及該薄膜電晶體陣列基板51之間，該黑矩陣522與該薄膜電晶體陣列基板51的彩色光阻層5143共同做為該液晶顯示面板50的彩色濾光片。另外，該薄膜電晶體陣列基板51的薄膜電晶體5141與該公共電極層56之間還具有一平坦層540，以平坦化該薄膜電晶體陣列基板51，便於該黑矩陣522的貼附。
又如，其他變更實施例中，還可以將該黑矩陣製作於該薄膜電晶體陣列基板上，並與彩色光阻層製作於同一層，共同做為液晶顯示面板的彩色濾光片。
綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，爰依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施方式，本發明之範圍並不以上述實施例為限，該舉凡熟悉本案技藝之人士爰依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。
10、21、31、41、51‧‧‧薄膜電晶體陣列基板
11‧‧‧第一基底
12、212‧‧‧掃描線
13、213‧‧‧數據線
14‧‧‧畫素區域
141、2141、3141、4141、5141‧‧‧薄膜電晶體
142、2142、4142‧‧‧畫素電極
143、2143、3143、5143‧‧‧彩色光阻層
1431‧‧‧蝕刻阻擋層
R‧‧‧紅色光阻單元
B‧‧‧綠色光阻單元
G‧‧‧藍色光阻單元
1411‧‧‧閘極
1412‧‧‧閘極絕緣層
1413‧‧‧有源層
1414‧‧‧源極
1415‧‧‧汲極
1416‧‧‧鈍化層
a‧‧‧第一通孔
b‧‧‧第二通孔
c‧‧‧第三通孔
20、30、40、50‧‧‧液晶顯示面板
22、32‧‧‧對向基板
23、33、43、53‧‧‧液晶層
24‧‧‧第一偏光片
25‧‧‧第二偏光片
26、46、56‧‧‧公共電極層
221‧‧‧第二基底
222、322、522‧‧‧黑矩陣
223、323、340、440、523、540‧‧‧平坦層
無
10‧‧‧薄膜電晶體基板
12‧‧‧掃描線
13‧‧‧數據線
14‧‧‧畫素區域
141‧‧‧薄膜電晶體
142‧‧‧畫素電極
143‧‧‧彩色光阻層
1431‧‧‧蝕刻阻擋層
R‧‧‧紅色光阻單元
B‧‧‧綠色光阻單元
G‧‧‧藍色光阻單元

Claims (12)

  1. 一種薄膜電晶體陣列基板，其包括第一基底、設置於該第一基底上的閘極、覆蓋該閘極及該基板的閘極絕緣層、設置於該閘極絕緣層上且對應於該閘極上方的有源層、位於該有源層上的蝕刻阻擋層、位於該蝕刻阻擋層上的源極與汲極及覆蓋該薄膜電晶體的鈍化層，其中，該蝕刻阻擋層的材質為彩色光阻。
  2. 如請求項1所述的薄膜電晶體陣列基板，其中，該薄膜電晶體陣列基板包括彩色光阻層，該彩色光阻層與該蝕刻阻擋層位於同一層。
  3. 如請求項2所述的薄膜電晶體陣列基板，其中，該彩色光阻層的一部分作為該蝕刻阻擋層。
  4. 如請求項2所述的薄膜電晶體陣列基板，其中，該彩色光阻層包括紅色光阻單元、綠色光阻單元及藍色光阻單元，位於同一行的三個連續的彩色光阻單元的顏色不同。
  5. 如請求項4所述的薄膜電晶體陣列基板，其中，相鄰的彩色光阻单元直接相接。
  6. 一種液晶顯示面板，其包括薄膜電晶體陣列基板、與該薄膜電晶體陣列基板相對設置的對向基板及夾於該薄膜電晶體陣列基板與該對向基板之間的液晶層，該薄膜電晶體陣列基板採用請求項1-5項任一項所述的薄膜電晶體陣列基板。
  7. 如請求項6所述的液晶顯示面板，其中，該液晶顯示面板包括黑矩陣，該黑矩陣呈縱橫交錯的網格狀，該黑矩陣在垂直於該薄膜電晶體陣列基板的方向上的投影完全覆蓋該薄膜電晶體陣列基板的掃描線、資料線及薄膜電晶體。
  8. 如請求項7所述的液晶顯示面板，其中，該黑矩陣位於該對向基板靠近該液晶層的一側，且該黑矩陣對應於該薄膜電晶體陣列基板的彩色光阻層的紅色光阻單元、綠色光阻單元及藍色光阻單元中任意相鄰的兩個光阻單元之間設置。
  9. 如請求項7所述的液晶顯示面板，其中，該黑矩陣位於該薄膜電晶體陣列基板靠近該液晶層的一側，且該黑矩陣對應於該薄膜電晶體陣列基板的彩色光阻層的紅色光阻單元、綠色光阻單元及藍色光阻單元中任意相鄰的兩個光阻單元之間設置。
  10. 一種薄膜電晶體陣列基板，其包括第一基底、設置於該第一基底上的多條掃描線及多條資料線，多條該掃描線與多條該資料線絕緣相交限定出多個畫素區域，該畫素區域包括薄膜電晶體、畫素電極及彩色光阻層，該薄膜電晶體分別與該掃描線、該資料線及該畫素電極電連接，其中，至少部分該彩色光阻層作為該薄膜電晶體的蝕刻阻擋層。
  11. 如請求項10所述的薄膜電晶體陣列基板，其中，該彩色光阻層在垂直於該薄膜電晶體陣列基板的方向上的投影覆蓋該薄膜電晶體、該畫素電極、該掃描線及該資料線。
  12. 如請求項10所述的薄膜電晶體陣列基板，其中，該彩色光阻層包括紅色光阻單元、綠色光阻單元及藍色光阻單元，位於同一行的三個連續的彩色光阻單元的顏色不同。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106855673A (zh) * 2017-03-20 2017-06-16 惠科股份有限公司 主动开关阵列基板及其制造方法与其应用的显示设备
TWI754349B (zh) * 2020-08-07 2022-02-01 大陸商深超光電（深圳）有限公司 薄膜電晶體陣列基板及顯示面板

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106847872B (zh) * 2017-03-24 2020-03-20 京东方科技集团股份有限公司 显示装置
US20190187527A1 (en) * 2017-12-19 2019-06-20 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate, array substrate preparation method and display device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090020838A1 (en) * 2007-07-17 2009-01-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for reducing optical cross-talk in image sensors
CN102388413A (zh) * 2009-03-23 2012-03-21 夏普株式会社 有源矩阵基板及其制造方法以及使用由该方法所制造的有源矩阵基板的显示设备
TWI457672B (zh) * 2011-12-23 2014-10-21 Au Optronics Corp 畫素結構及其製造方法
TWI485754B (zh) * 2012-04-10 2015-05-21 Innocom Tech Shenzhen Co Ltd 陣列基板、具有其之液晶顯示裝置及其製造方法
KR101438039B1 (ko) * 2012-05-24 2014-11-03 엘지디스플레이 주식회사 산화물 박막 트랜지스터, 그 제조방법, 이를 구비한 표시장치 및 그 제조방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106855673A (zh) * 2017-03-20 2017-06-16 惠科股份有限公司 主动开关阵列基板及其制造方法与其应用的显示设备
WO2018171078A1 (zh) * 2017-03-20 2018-09-27 惠科股份有限公司 主动开关阵列基板及其制造方法与其应用的显示设备
TWI754349B (zh) * 2020-08-07 2022-02-01 大陸商深超光電（深圳）有限公司 薄膜電晶體陣列基板及顯示面板

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