TW201625969A - 晶圓檢查裝置之檢查用壓力設定值決定方法 - Google Patents
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 126
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 141
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 150
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 49
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 41
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 claims description 15
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims description 11
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 11
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 26
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 21
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 11
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 230000005483 Hooke's law Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
- G01R31/2891—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks related to sensing or controlling of force, position, temperature
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- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
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Abstract
在使探針卡與晶圓加壓接觸而進行的晶圓檢
查中，決定藉由真空吸引力來保證所期望之針測行程量之最適當之負壓的壓力設定值。
在該實施形態之探測器中，藉由第3真
空機構(92)之抽真空，而在環繞空間(82)內施加至探針卡(36)與晶圓(W)之間之真空吸引力的壓力，係略精確地和藉由較之前的移動平台(22)之吸盤頂上推而施加至探針卡(36)與晶圓(W)之間之推壓力的壓力一致。此係因為，針對在探測器所使用的各個探針卡(36)，針測行程保持用之第3真空機構(92)，係在控制器的控制下，使環繞空間(82)內之壓力減壓至藉由後述之檢查用壓力設定值決定處理(方法)所決定的壓力設定值PS之緣故。
Description
本發明，係關於在使探針卡與晶圓加壓接觸而進行的晶圓檢查中，決定用以藉由真空吸引力來獲得所期望的加壓力之負壓之檢查用壓力設定值的方法。
一般而言，在半導體元件之製造工場中，係在晶圓級之所有程序結束後的階段下，檢查形成於晶圓上之元件(積體電路)的電性特性，進行晶片是否良好之判定。在此型式之晶圓檢查中，係使用具有多數個針狀之接觸件的探針卡來作為檢查治具。
進行檢查時，係在探針卡與晶圓之間，進行使各接觸件與晶圓表面之各對應之電極相對向的對位後，進行相對加壓接觸。在該情況下，在各接觸件之前端接觸於晶圓表面後，因相對地推壓僅預定衝程亦即針測行程(overdrive)量，造成接觸件之前端彈性地變形的同時撕裂晶圓表面之保護膜或污染膜，進而與各對應之電極焊墊加壓接觸。
最近，開發了一種晶圓檢查裝置，其係在檢
查室內配置複數個探針卡，針對該些複數個探針卡中的一個，可在共用之搬送機械臂或移動平台進行晶圓之搬送、推壓或分離的期間，以其他探針卡來對其他晶圓進行檢查。在像這樣的晶圓檢查裝置中，由於是對複數個探針卡共用一台移動平台，因此，探測器的構成，特別是晶圓支撐體或吸盤頂周圍的構成會變得簡單，並且探測器之集約化及空間效率會大幅提升。
[專利文獻1]日本特開2002-22768號公報
如上述，對複數個探針卡共用一台移動平台的晶圓檢查裝置，係在使吸盤頂上之晶圓加壓接觸於各探針卡之際，形成用以使真空吸引力作用於探針卡與吸盤頂之間之可密閉的環繞空間。
通常，為了形成該環繞空間，而在探針卡之周圍設置有在縱方向上伸縮自如的筒狀構件例如波紋管。而且，在探針卡與晶圓之對位完成後，連動或追隨於移動平台所致之吸盤頂的上推，而進行該環繞空間之抽真空。
藉由該抽真空，因應於環繞空間之壓力(負壓)與周圍之壓力(大氣壓)的差壓之垂直向上的真空吸引力會作用於吸盤頂。藉由該真空吸引力，探針卡之各接觸件，係能夠以預定壓力來穩定地加壓接觸於晶圓表面之各對應的電極焊墊。
在該方式中，藉由真空吸引力而施加至探針卡與晶圓之間之負壓的壓力，係必須精確地和以往藉由移動平台之吸盤頂上推而施加至探針卡與晶圓之間的壓力一致。否則，因移動平台所致之吸盤頂的上推，以所期望之針測行程量而確立之探針卡與晶圓之間的加壓接觸狀態，係在移行至真空吸引力的保持後時會被撕裂，而無法正常的進行晶圓檢查，抑或在治具或工作件上產生損傷。亦即，在真空吸引力之壓力低於吸盤頂上推的壓力時，有針測行程量從所期望值減少，而造成晶圓檢查變差之情形。相反地，在真空吸引力之壓力高於吸盤頂上推的壓力時，有針測行程量從所期望值增加，而接觸件或電極焊墊受到損傷之情形。
一般而言，在探針卡中，相對於荷重之接觸件之變形量的特性會成為規格之一。因此，對於所施予的針測行程量，亦即對於接觸件的變形量，從規格求出應施加至探針卡之荷重(探針荷重)的設定值。因此，在晶圓檢查裝置中，係可從探針荷重的設定值與上述環繞空間的形狀或面積等，以理論計算來求出應施予至上述環繞空間之負壓的壓力設定值。
然而，實際上，在探針卡有設計上或製作上的誤差或個體差(偏差)，大多無法達到規格。因此，將產生下述課題：藉由真空吸引力，應施加至探針卡與晶圓之間之負壓的壓力(理論計算值)無法保證所施予的針測行程量。
本發明，係解決如上述般之習知技術的課題，提供一種檢查用壓力設定值決定方法，其係可在使探針卡與晶圓加壓接觸而進行的晶圓檢查中，決定藉由真空吸引力來保證所期望之針測行程量之最佳之負壓的壓力設定值。
本發明之檢查用壓力設定值決定方法，係一種用以在晶圓檢查裝置(該晶圓檢查裝置，係具備有：固定之探針卡，具有用以分別與形成於檢查對象之晶圓表面之複數個電極接觸的複數個接觸端子；可升降移動之吸盤頂，配置於前述探針卡之周圍，且與前述探針卡相對向，載置前述晶圓；及真空機構，為了在前述探針與前述晶圓之間形成或維持預定加壓力的加壓接觸狀態，而將由前述吸盤頂及前述探針卡所包圍之可密閉之環繞空間內的壓力控制為預定之負的檢查用壓力設定值)中決定前述檢查用壓力設定值的方法，其特徵係，具有：第1工程，藉由前述真空機構來對前述環繞空間抽真空，將使前述吸盤頂成為上浮狀態之前述環繞空間的最高負壓值作為基準壓力值
而進行測定；第2工程，將與前述基準壓力值對應之前述吸盤頂的高度位置作為基準高度位置而求出；及第3工程，針對前述探針卡與前述晶圓之間的加壓接觸狀態中之所施予的針測行程量，使前述環繞空間內的壓力比前述基準壓力值更下降，且測定前述吸盤頂到達對前述基準高度位置施加前述針測行程量的目標高度位置時之前述環繞空間內的壓力值，而將該壓力測定值設成為前述檢查用壓力設定值。
在上述構成之檢查用壓力設定值決定方法中，係組合上述第1工程之實測與上述第2工程之計算與上述第3工程之實測，求出晶圓檢查用之壓力設定值，亦即在形成於晶圓檢查裝置之可密閉的環繞空間內，用以在探針卡與晶圓之間獲得設定值之針測行程量的加壓接觸狀態之真空壓力的設定值亦即檢查用壓力設定值。在實際之晶圓檢查中，係只要將吸盤頂從下方上推至探針卡與晶圓對基準高度位置施加設定針測行程量的目標高度位置，且在探針卡與晶圓之間確立了設定針測行程量的加壓接觸狀態後，藉由上述真空機構，使環繞空間內之壓力減壓至檢查用壓力設定值即可。藉此，即使用以在探針卡與晶圓之間形成或保持一定之加壓接觸狀態的加壓手段從吸盤頂之上推移行至真空吸引力，針測行程量亦不會發生變動而被保持為設定值，因此，可正常地對該晶圓進行晶圓檢查。又，亦不會有探針卡之接觸探針或晶圓表面之電極受到超過設定值之針測行程量的過大加壓力而造成損傷的情形。
根據本發明之晶圓檢查裝置之檢查用壓力設定值決定方法，可藉由如上述般的構成及作用，在使探針卡與晶圓加壓接觸而進行的晶圓檢查中，決定藉由真空吸引力來保證所期望之針測行程量之最佳之負壓的壓力設定值。
10‧‧‧晶圓檢查裝置
20‧‧‧探測器
22‧‧‧移動平台
22a‧‧‧水平移動部(X軸移動部、Y軸移動部)
22b‧‧‧Z軸移動(升降)部
25‧‧‧高度感測器(距離感測器)
28‧‧‧搬送機械臂
34‧‧‧彈性框架
36‧‧‧探針卡
37‧‧‧接觸探針(接觸件)
38‧‧‧波紋管(可變形之筒狀構件)
40‧‧‧吸盤頂
64‧‧‧(探針卡保持用之)第1真空機構
80‧‧‧(波紋管連結用之)第2真空機構
92‧‧‧(針測行程保持用之)第3真空機構
94‧‧‧真空源
98B‧‧‧壓力感測器
102‧‧‧控制器
[圖1]概略地表示本發明之一實施形態之晶圓檢查裝置之全體構成的平面圖。
[圖2]概略地表示上述晶圓檢查裝置之全體構成的側視圖。
[圖3]表示實施形態之探測器之主要構成的剖面圖。
[圖4]表示進行1次晶圓檢查時之控制器之主要控制步驟的流程圖。
[圖5A]表示在上述探測器中進行1次晶圓檢查時之可動部之動作之一階段的圖。
[圖5B]表示進行晶圓檢查時之可動部之動作之一階段的圖。
[圖5C]表示進行晶圓檢查時之可動部之動作之一階段的圖。
[圖5D]表示進行晶圓檢查時之可動部之動作之一階
段的圖。
[圖6]表示針測行程保持用之真空機構之構成的方塊圖。
[圖7]表示實施形態之基準壓力實測處理之主要步驟(特別是控制器之控制步驟)的流程圖。
[圖8A]表示基準壓力實測處理之一階段(吸盤頂上浮前)之各部之狀態的圖。
[圖8B]表示基準壓力實測處理之一階段(吸盤頂上浮時)之各部之狀態的圖。
[圖9]表示基準壓力實測處理之環繞空間之壓力-吸盤頂高度位置之相關關係(特性)的圖表。
[圖10]表示實施形態之一實施例之基準高度位置算出處理之主要步驟(特別是控制器之控制步驟)的流程圖。
[圖11]表示基準高度位置算出處理之要部之狀態的圖。
[圖12]用以說明用以在基準高度位置算出處理中求出基準高度位置之一手法的圖表。
[圖13]表示其他實施例之基準高度位置算出處理之主要步驟(特別是控制器之控制步驟)的流程圖。
[圖14]用以說明用以在基準高度位置算出處理中求出基準高度位置之其他手法的圖表。
[圖15]表示實施形態之檢查用壓力設定值實測處理之主要步驟(特別是控制器之控制步驟)的流程圖。
[圖16A]表示在檢查用壓力設定值實測處理中，藉由實測來決定檢查用壓力設定值之手法之一例的圖表。
[圖16B]表示在檢查用壓力設定值實測處理中，藉由實測來決定檢查用壓力設定值之手法之其他例的圖表。
[圖17A]表示關於高度感測器之安裝位置之一變形的圖。
[圖17B]表示關於高度感測器之安裝位置之一變形例的圖。
[圖17C]表示關於高度感測器之構成及安裝位置之一變形例的圖。
以下，說明本發明之較佳的實施形態。首先，參閱圖1~圖5，說明可應用本發明之檢查用壓力設定值決定方法之晶圓檢查裝置的構成及作用。
在圖1及圖2中，概略地表示該晶圓檢查裝置之全體構成。圖示之晶圓檢查裝置10，係具備有晶圓檢查室12(該晶圓檢查室，係立體地收容裝設有探針卡的多數個探測器)。該晶圓檢查室12之內部，係如圖1之平面視圖所示，劃分成：檢查區域14，針對形成於檢查對象之晶圓上的多數個半導體元件，進行晶圓級之電性特性的檢查；搬入搬出區域16，進行晶圓及探針卡之搬
入/搬出或控制系統之人機介面；及搬送區域18，設置於檢查區域14及搬入搬出區域16之間。
在檢查區域14中，係如圖2之側視圖所示，晶圓檢查用介面或作為試驗裝置之測試器嵌入式的探測器20，係在複數層例如3層的各層中，沿水平方向多數配置成一列。而且，在每層中，針對沿水平方向排列成一列的複數台(例如6台)探測器20，在下方設置有1台可在配列方向(水平方向)移動的移動平台22，並且在靠近搬送區域18之前方或側方設置有1台可在同方向移動的攝像機24。移動平台22，係可水平移動並在各探測器20的正下方進行存取，且以可對裝設於各探測器20之探針卡，進行檢查對象之晶圓之定位、推壓或分離等的方式，具備有使載置晶圓的吸盤頂在水平面內及垂直方向移動的多軸移動機構。攝像機24，係使用於各探測器20之晶圓對位等。
搬入搬出區域16，係被劃分成複數個收容空間26。在該些收容空間26，係設置有如下述等：載體埠26a，接收收容有一定數之晶圓的容器例如FOUP；對準器26b，進行晶圓搬送上之對位；探針卡裝載器26c，進行在該晶圓檢查裝置10所使用之預定或使用完畢之探針卡的搬入/搬出；及系統控制器26d，統合控制該晶圓檢查裝置10內的各部。
在搬送區域18，係配置有可在3維方向上移動的搬送機械臂28，該搬送機械臂28，係不僅可在該搬
送區域18內移動，另亦可在檢查區域14或搬入搬出區域16自由自在地進行存取。該搬送機械臂28，係在載體埠26a與檢查區域14內之任意的探測器20之間，進行檢查前或檢查完畢之晶圓的搬送，並且在探針卡裝載器26c與檢查區域14內之任意的各探測器20之間，進行零件交換之新舊探針卡的搬送。關於晶圓搬送，搬送機械臂28，係具有一對搬送臂29，以取放方式，先從對方側將晶圓收取至一方的搬送臂29，其後，以另一方的搬送臂29，將自行搬送而來的其他晶圓交付至對方側。
如此一來，在該晶圓檢查裝置10中，係在複數層上立體地配置有多數個探測器20(該探測器，係在晶圓檢查室12內，裝設有探針卡)。而且，在每層中，對於沿水平方向排列成一列的複數個探測器20，共通地使用1台移動平台22，在該移動平台22對一個探測器20之探針卡進行晶圓之推壓或分離的期間，以其他探測器20來對其他晶圓進行檢查。探測器20之裝置構成，特別是吸盤頂周圍的裝置構成簡單，且藉由探測器20的立體集約配置，檢查室12之空間效率(特別是佔有面積)佳。
在圖3中，表示該實施形態之探測器20的主要構成。該探測器20，係具備有：探針卡36，一體地組裝測試器30，可經由厚板狀之彈性框架34裝卸地裝設於
測試器30的主機板32；可伸縮之筒狀構件例如波紋管38，配置於該探針卡36的周圍；及厚板狀之吸盤頂40，與探針卡36相對向，載置檢查對象之晶圓W。
在彈性框架34之中心部，係形成有具有比探針卡36小一圈之口徑的貫穿孔或彈針塊裝設孔42。在該彈針塊裝設孔42，係可裝卸地插嵌有保持多數個彈簧銷44之略為圓柱狀的彈針塊46。各彈簧銷44，係藉由以後述之第1真空機構64而作用於探針卡36及彈性框架34的真空吸引力，其先端(下端)，係彈性地加壓接觸於探針卡36之上面之各對應的電極，頂部(上端)，係被推壓至主機板32之各對應的電極。
在探針卡36中，係以預定的配置圖案，安裝有多數個針狀接觸件或接觸探針37。各接觸探針37之前端，係從探針卡36之下面突出，且與設置於吸盤頂40上之晶圓W表面之各對應的電極焊墊相對向。
在彈性框架34與主機板32之間，係經由環狀隔板48，形成有間隙50。該間隙50，係藉由配置於彈針塊安裝區域之周圍的環狀密封構件52，在半徑方向被予以分斷。又，在彈性框架34與探針卡36之間，亦藉由配置於彈針塊安裝區域之周圍的環狀密封構件54，使兩者間之間隙56在半徑方向被予以分斷。藉由此，形成有由主機板32、探針卡36及密封構件52、54所包圍之可密閉的吸引空間58。
該吸引空間58，係經由形成於彈性框架34之
周邊部的氣體流路60及外部配管62，連接於探針卡保持用之第1真空機構64。第1真空機構64，係具有真空泵或工場真空動力等的真空源，使吸引空間58減壓至預定之負壓力，並穩定地維持該減壓狀態。藉此，探針卡36與彈性框架34，係受到吸引空間58之壓力(負壓)與周圍之壓力的差壓所致之向上的力，而可穩定地固定於主機板32。
波紋管38，係金屬製之蛇腹構造體，構成為在探針卡36之板面，沿垂直方向亦即上下方向伸縮自如。波紋管38之上端，係與彈性框架34之下面結合。波紋管38之下端，係經由環狀之下部凸緣68，以真空吸附力可裝卸地與吸盤頂40之周邊部的上面結合。
更詳細而言，吸盤頂40之上面，係分割成：載置晶圓W之中心部或晶圓載置面40a；及在該晶圓載置面40a之半徑方向外側，以環狀的方式延伸之周邊部或波紋管連結面40b。在該波紋管連結面40b，係固定有同心圓狀地配置口徑不同之2個O形環70a、70b而成的密封構件70。兩O形環70a、70b，係比波紋管連結面40b更高出一階地突出。被夾置於兩O形環70a、70b的環狀空間74，係在兩O形環70a、70b之頂面與下部凸緣68之下面接觸的狀態下，形成可密閉的吸引空間。
該吸引空間74，係經由形成於吸盤頂40之內部的氣體流路76及外部配管78，而連接於波紋管連結用之第2真空機構80。由於第2真空機構80，係具有真空
泵或工場真空動力等的真空源，且吸引空間74之容積小，因此，可使已密閉的吸引空間74從大氣壓瞬間減壓至預定之負壓力。藉由該抽真空，基於吸引空間74之壓力(負壓)與周圍之壓力亦即與大氣壓的差壓之向下的力，係作用於下部凸緣68，波紋管38之下端，係經由下部凸緣68與密封構件70，與吸盤頂40之波紋管連結面40b結合。
如上述，在波紋管38之下端與吸盤頂40之波紋管連結面40b結合的狀態下，係在探針卡36與波紋管38與吸盤頂40之間，形成有可密閉的吸引空間或環繞空間82。該環繞空間82，係經由形成於彈性框架34之內部的氣體流路84、86及外部之配管88、90，而連接於針測行程保持用之第3真空機構92。
該第3真空機構92，係具有真空泵或工場真空動力等的真空源，且即使環繞空間82之容積相當大，亦可高速．短時間地使環繞空間82從例如大氣壓附近的基準壓力減壓至所期望之真空吸引力所獲得之負的設定壓力。藉由該抽真空，基於環繞空間82之壓力(負壓)與周圍之壓力亦即與大氣壓的差壓之垂直向上之力，係作用於吸盤頂40，吸盤頂40上的晶圓W，係對抗吸盤頂40之重力及接觸探針37之彈性反作用力等，而被推壓至探針卡36。
在圖4中，表示在該實施形態之探測器20中進行1次晶圓檢查時之控制器102(圖6)之主要控制的步驟。探測器20內之各部，係在控制器102的控制下進行動作。以下，參閱圖4及圖5A~圖5D，說明1次之晶圓檢查之可動部的主要動作。另外，第3真空機構92所使用之檢查用壓力設定值PS，係預定的。
如圖5A所示，吸盤頂40，係在進行晶圓檢查前，從波紋管38脫離，探針卡36，係在具有足夠大的空間之下方的位置，被予以支撐於移動平台22。在該狀態下，搬送機械臂28(圖1)，係將檢查對象之晶圓W載置於吸盤頂40上(步驟S0)。被載置於吸盤頂40上的晶圓W，係藉由吸盤頂40所具備之真空式或機械式的吸盤機構(未圖示)被固定保持。此時，第1真空機構64，係保持ON狀態；第2及第3真空機構80、92，係保持OFF狀態。
如上述，晶圓W被載置於吸盤頂40上之後，藉由攝像機24(圖2)及移動平台22之水平移動部22a，在探針卡36與晶圓W之間，進行水平面內之對位。水平移動部22a，係具有X軸移動部(未圖示)與Y軸移動部(未圖示)。移動平台22，係在水平移動部22a上，多層重疊地設置有Z軸移動(升降)部22b與θ軸移動部(未圖示)，且使平台全體可進行XYZ θ之4軸移動。圖5中以一點鏈線23所描繪之水平線，係示意地表示基座之移動平台22用以在X方向移動之例如由線性電
動機所構成之X方向移動部的導引軌。移動平台22之水平移動部22a，係經常在一定的高度位置上移動或靜止。
在進行如上述般之對位後，移動平台22，係使Z軸移動部22b作動，將吸盤頂40垂直向上地上推。如此一來，如圖5B所示，在密封構件70(O形環70a、70b)與下部凸緣68之下面接觸時或接觸後不久，波紋管連結用之第2真空機構80成為ON，而波紋管38被連結於吸盤頂40(步驟S1)，該密封構件70，係設置為突出至吸盤頂40之波紋管連結面40b。當波紋管38被連結於吸盤頂40時，則在探針卡36與波紋管38與吸盤頂40之間，形成有可密閉的環繞空間82。在該時點中，第3真空機構92仍保持OFF狀態。
在平台22之Z軸移動部22b的上部，係設置有與吸盤頂40之下面相對的距離感測器或高度感測器25。該高度感測器25，係例如光學式測定從該感測器起至正上方之對象物(吸盤頂40)的距離，且將距離測定值輸出為電訊號。控制器102，係通過施予至Z軸移動(升降)部22b的控制訊號，抑或通過藉由Z軸移動(升降)部22b內之位置感測器(例如編碼器)所接收的位置檢測訊號MZ來隨時掌握高度感測器25的高度位置。因此，控制器102，係可從高度感測器25之輸出訊號(距離測定值)來隨時測定或監測吸盤頂40的高度位置。
如上述，在波紋管38與吸盤頂40連結後，移動平台22，亦使Z軸移動(升降)部22b作動，並繼
續進行吸盤頂40之上推。而且，直至晶圓W之表面與探針卡36之接觸探針37的前端接觸後，亦對抗接觸探針37之彈性反作用力而上推，且在吸盤頂40之高度位置H到達檢查用之預定高度位置HS後，亦即在獲得預先設定於接觸探針37之針測行程量OD的位移後，停止上推動作(步驟S2)。藉由該針測行程動作，直至各接觸探針37之前端撕裂晶圓W表面之保護膜或污染膜的同時，進行摩擦並恰當地加壓接觸於各對應的電極焊墊。如此一來，如圖5C所示，確立預先設定於探針卡36與晶圓W之間之針測行程量OD中的加壓接觸狀態。
在該實施形態中，係如上述，在移動平台22之Z軸移動部22b所致之吸盤頂40的上推及針測行程動作結束，而在探針卡36與晶圓W之間確立了預定壓力之加壓接觸的狀態下，針測行程保持用之第3真空機構92成為ON。該真空機構92，係使環繞空間82從直至目前為止之大氣壓附近的壓力抽真空至所預先設定之真空壓力的檢查用壓力設定值PS(步驟S3)。藉由該抽真空，基於環繞空間82內之真空壓力與周圍之大氣壓的差壓之垂直向上的力，係作用於吸盤頂40，且在探針卡36與晶圓W之間所預先設定之針測行程量OD的加壓接觸狀態被予以保持。其後，如圖5D所示，Z軸移動(升降)部22b下降移動，移動平台22從吸盤頂40脫離(步驟S4)。其後，移動平台22，係朝同層的其他探測器20移動。
在該探測器20中，係如上述，在藉由從第3
真空機構92供給至環繞空間82的真空壓力或真空吸引力，使探針卡36與晶圓W之間保持一定之加壓接觸狀態的狀態下，測試器30進行作動(步驟S5)。測試器30，係經由主機板32及探針卡36(接觸探針37)，對晶圓W實施晶圓級之電性特性檢查。
在該實施形態之探測器20中，藉由第3真空機構92之抽真空而在環繞空間82內施加至探針卡36與晶圓W之間的真空吸引力，係略精確地和藉由較之前的移動平台22所致之吸盤頂40的上推而施加至探針卡36與晶圓W之間的推壓力一致。藉此，即使用以形成或保持兩者(36，W)間之加壓接觸狀態的加壓力施加手段從移動平台22之吸盤頂上推移行至真空吸引力，針測行程量亦不會發生變動而被保持為設定值，因此，可正常地對該晶圓W進行晶圓檢查。又，亦不會有探針卡36之接觸探針37或晶圓W表面之電極焊墊受到超過所期望之針測行程量的過度加壓力而造成損傷的情形。
當測試器30所致之晶圓級的電性特性檢查結束時，移動平台22會返回到吸盤頂40的下方(步驟S6)。配合該時點，第3真空機構92停止抽真空，耗費預定時間進行使環繞空間82從直至目前為止之減壓狀態切換至大氣壓附近之初始狀態的動作(壓力恢復動作)(步驟S7)。藉由該壓力恢復動作，使至此為止吸盤頂40上之晶圓W推壓至探針卡36的真空吸引力會減弱，且吸盤頂40下降，晶圓W從探針卡36脫離。最後，吸盤
頂40，係坐落於移動平台22上(步驟S8)。
其後，第2真空機構80停止抽真空，使吸引空間74從直至目前為止之減壓狀態切換為大氣壓附近的初始狀態。由於吸引空間74之容積小，因此，可瞬間進行該切換，而造成下部凸緣68從吸盤頂40之波紋管連結面40b分離。而且，藉由以移動平台22來進一步降低吸盤頂40的方式，吸盤頂40會移動至與圖4A相同的高度位置，等待搬送機械臂28到來(圖1)。當搬送機械臂28到達吸盤頂40的附近時，則從吸盤頂40搬出檢查完畢的晶圓W(步驟S9)，且予以替換以該探測器20將下一個應接受檢查的新晶圓W載置於吸盤頂40上。其後，係針對該新晶圓W反覆進行與上述相同的動作(步驟S1~S9)。
在此，參閱圖6，說明針測行程保持用之第3真空機構92的構成。
該真空機構92，係不僅對形成於探針卡36與波紋管38與吸盤頂40之間之可密閉的環繞空間82供給用以產生真空吸引力之負壓，亦可供給用以產生分離力的正壓。為此，真空機構92，係作為壓力源，不僅具備有由真空泵或工場真空動力所構成的真空源94，亦具備有壓縮機等的壓縮空氣源96。而且，真空機構92，係作為其他主要的構成要素，具有電空調整器98、電磁切換閥
100。在此，電空調整器98，係藉由比例控制閥98A、壓力感測器98B及閥控制部98C所構成。控制器102，係控制真空機構92內之各部的動作或狀態。
更詳細來說，真空源94之輸出埠，係經由配管104，而連接於電空調整器98之比例控制閥98A的埠a。另一方，壓縮空氣源96之輸出埠，係經由配管106，而連接於比例控制閥98A的埠b。
比例控制閥98A，係除了上述埠a、b以外，另具有埠c，在比例控制閥98A之內部，埠a、b，係並聯地連接於埠c。電空調整器98，係以任意比來混合輸入至比例控制閥98A之埠a的負壓力與輸入至埠b的正壓力，且可在預定範圍內，將埠c之壓力控制為任意設定值。在此，上述範圍之下限，係對應於真空源94之輸出(負壓)值；上限，係對應於壓縮空氣源96之輸出(正壓)值。比例控制閥98A之埠c，係經由配管108，而連接於電磁切換閥100的埠d。
電磁切換閥100，係除了上述埠d以外，另具有埠e、f，在內部，埠e、f之任一方，係選擇性地連接於埠d。而且，埠e，係經由上述配管90及彈性框架34之內部流路86，而連接於環繞空間82。在配管90之中途，係設置有電空調整器98之壓力感測器98B。埠f，係經由上述配管88及彈性框架34之內部流路84，而連接於環繞空間82。
壓力感測器98B，係如上述，構成電空調整
器98的一部分。壓力感測器98B之輸出訊號亦即表示流路90內之壓力的壓力測定值訊號MP1，係被施予至閥控制部98C。閥控制部98C，係針對環繞空間82之壓力，加以比較指示來自控制器102之壓力設定值的設定壓力值訊號SP1與來自壓力感測器98B之壓力測定值訊號MP1而生成比較誤差，且以使該比較誤差接近零的方式，來驅動控制比例控制閥98A之內部的閥致動器。
在該實施形態中，閥控制部98C，係不僅由壓力感測器98B輸入壓力測定值訊號MP，且控制器102亦獲取相同的壓力測定值訊號MP。控制器102，係可通過壓力感測器98B，或者通過設置於配管88或配管90之其他壓力感測器(未圖示)，來隨時取得表示環繞空間82之目前之壓力的壓力測定值。在該實施形態中，係藉由電磁切換閥100、配管88、90、108及控制器102，形成有真空機構92之氣體流路網。在該氣體流路網，係亦設置有用以將環繞空間82開放於大氣的大氣埠或安全閥(未圖示)。
如上述，在該實施形態中，藉由第3真空機構92之抽真空而在環繞空間82內施加至探針卡36與晶圓W之間之真空吸引力的壓力，係略精確地和藉由較之前的移動平台22之吸盤頂上推而施加至探針卡36與晶圓W之間之推壓力的壓力一致。這是因為，針對在探測器
20所使用的各個探針卡36，針測行程保持用之第3真空機構92，係在控制器102的控制下，使環繞空間82內之壓力減壓至藉由後述之本實施形態之檢查用壓力設定值決定處理(方法)所決定的檢查用壓力設定值PS之緣故。
另外，在該實施形態中，控制器102，係不僅控制真空機構92內之各部的動作，且管理用以執行探測器20之檢查用壓力設定值決定處理的所有控制。控制器102，係包含有微處理器(CPU)，執行可由半導體記憶體、光磁碟、磁碟、磁帶等之記錄媒體讀出的所需程式，抑或通過網路執行可由其他電腦例如系統控制器26d(圖1)下載的所需程式。又，在該實施形態中，控制器102雖作為1個控制單元表示，但亦可採用複數個控制單元以並列或階層方式分擔控制器102之功能的形態。
以下，詳細說明該實施形態之檢查用壓力設定值決定處理(方法)。該檢查用壓力設定值決定處理，係包含有可分割成後述之基準壓力實測處理、基準高度位置算出處理及檢查用壓力設定值實測處理的3種處理。通常，當在該探測器20中更換探針卡36之際(亦即裝設新探針卡36之際)或改變針測行程量的設定值之際，可實施檢查用壓力設定值決定處理。
參閱圖7~圖9，說明基準壓力實測處理。在圖7中，表示基準壓力實測處理的主要步驟(特別是控制器102的控制步驟)。
首先，在進行基準壓力實測處理前，使用攝
像機24(圖2)，在探針卡36與吸盤頂40之間進行水平面內之對位。亦即，使移動平台22之水平移動部22a在探針卡36與晶圓W之位置一致的XY座標位置上移動。在進行該對位後，控制器102，係通過移動平台22之Z軸移動(升降)部22b，垂直地上推吸盤頂40(步驟S10)，使波紋管38與吸盤頂40連結(步驟S11)。在此，在吸盤頂40上，雖係亦可載置有晶圓W，但亦可不載置。吸盤頂40之重量，係在載置有晶圓W時與未載置晶圓W時幾乎一樣。
其後，控制器102，係不進行移動平台22所致之吸盤頂40的上推，取而代之，使針測行程保持用之第3真空機構92作動，開始進行環繞空間82之抽真空(步驟S12)。藉由該抽真空，環繞空間82內之壓力，係形成為比直至目前為止之大氣壓低的負壓或真空壓力。控制器102，係一邊通過來自壓力感測器98B之壓力檢測訊號MP1，監測環繞空間82內的壓力值，一邊通過第3真空機構92，使環繞空間82內的壓力逐段地(例如0.1kPa)逐漸下降(步驟S13→S14→S15→S16→S13．．)。
如此一來，當環繞空間82內之真空壓力的值以絕對值逐漸從P1→P2→P3→．．．變大時，則因應於該負壓之壓力與外部大氣壓的差壓而作用於吸盤頂40之垂直向上的力會逐漸變大。然而，直至該真空吸引力超過作用於吸盤頂40之垂直向下的力(主要為吸盤頂40的重量)時，吸盤頂40，係在基底的高度位置，亦即如圖8A所
示，在已載置於移動平台22之Z軸移動(升降)部22b的高度位置保持靜止狀態。
而且，當藉由第3真空機構92之抽真空而供給至環繞空間82之真空壓力的值從某值Pi-1移行至上一階段的值Pi時，在此，作用於吸盤頂40之垂直向上的真空吸引力會超過重力等之重直向下的力，如圖8B及圖9所示，吸盤頂40會從移動平台22之Z軸移動(升降)部22b遠離而上浮。在該情況下，吸盤頂40之浮升量，係數mm以上。
控制器102，係通過高度感測器25之輸出訊號(距離測定值訊號)MH來確認吸盤頂40已上浮(步驟S15)。高度感測器25，係指以μm等級進行距離測定的距離感測器，吸盤頂40上浮時的上浮高度(數mm以上)，係超過高度感測器25之測距範圍的上限LM(圖8B之虛線)。控制器102，係監測高度感測器25之輸出訊號，當吸盤頂40上浮至超過高度感測器25之測距範圍的高度時，判斷為吸盤頂40已上浮。而且，通過壓力感測器98b來測定此時之環繞空間82的壓力(步驟S17)，並將其壓力測定值Pi設成為基準壓力值PA(步驟S18)。而且，將基準壓力值PA之資料保存於記憶體(步驟S19)。
如此一來，藉由實測來求出基準壓力值PA。該基準壓力值PA，係如上述，被定義為吸盤頂40上浮時之環繞空間82的壓力。如改變看法，基準壓力值PA，係
為了在載置於上浮狀態之吸盤頂40的晶圓與探針卡36之間，獲得針測行程量(OD)=0的接觸狀態，而被定義為在應施加至環繞空間82之負壓中最高的壓力(作為絕對值，係最小的壓力)。
另外，如上述，當使環繞空間82減壓至基準壓力值PA時，吸盤頂40雖為上浮，但嚴格說來，吸盤頂40上浮而靜止時的高度位置或姿勢，係不定且不能實測。
在圖9中，橫軸，係表示環繞空間82內之壓力(負壓)；縱軸，係表示根據高度感測器25之輸出訊號所測定之吸盤頂40的高度位置。圖中，一點鏈線J1，係表示假想之吸盤頂40上浮時之不能實測的壓力-吸盤頂高度位置特性。
在該實施形態中，係參閱圖10~圖12，藉由以下進行說明的基準高度位置算出處理，來求出在載置於上浮狀態之吸盤頂40的晶圓與探針卡36之間獲得針測行程量(OD)=0的接觸狀態時之吸盤頂40的高度位置(基準高度位置)HA。
在圖10中，表示基準高度位置算出處理的主要步驟(特別是控制器102的控制步驟)。
基準高度位置算出處理，係亦可在上述之基準壓力實測處理後接著實施，或亦可完全相獨立地實施。
在該例中，係說明與基準壓力實測處理相獨立地實施基準高度位置算出處理的情形。
首先，與進行晶圓檢查時相同地，將晶圓W載置於吸盤頂40上(步驟S20)，在探針卡36與吸盤頂40之間進行對位。
其次，在將波紋管38連結於吸盤頂40(步驟S21)，且藉由移動平台22之Z軸移動部22b，將吸盤頂40上推至在晶圓W與探針卡36之間獲得適當之加壓接觸狀態的一定高度位置後，使真空機構92成為ON，開始環繞空間82之抽真空(步驟S22)。而且，在環繞空間82之壓力達到基準壓力值PA後，使Z軸移動部22b降低至從吸盤頂40向下方稍微遠離的高度位置(高度感測器25之測距範圍內)，並固定Z軸移動部22b亦即高度感測器25的高度位置(步驟S23)。
如此一來，在固定了高度感測器25之高度位置的狀態下，藉由真空機構92之抽真空，使環繞空間82之壓力以一定的變化幅度從基準壓力值PA階段性地下降，在各階段中，通過壓力感測器98B來測定環繞空間82之壓力，並且通過高度感測器25來測定吸盤頂40的高度位置(步驟S24→S25→S26→S27→S24．．)。藉此，在低於基準壓力值PA之負壓的區域中，針對環繞空間82之壓力與對應於此之吸盤頂40的高度位置，取得複數組測定值Km(Pm，Hm)，Kn(Pn，Hn)(步驟S26)。而且，根據該些複數組環繞空間壓力測定值及吸盤頂高度位置測
定值Km(Pm，Hm)，Kn(Pn，Hn)與基準壓力值PA，藉由演算來求出基準高度位置HA(步驟S28)。
在圖12的例子中，係當將線形近似曲線F與從基準壓力值PA垂直地延伸之法線Y交叉的點設成為EA時，則將該交叉點EA的高度位置設成為基準高度位置HA，該線形近似曲線F，係根據複數組環繞空間壓力測定值及吸盤頂高度位置測定值Km(Pm，Hm)，Kn(Pn，Hn)，藉由最小二乘法而求出。
另外，環繞空間壓力及吸盤頂高度位置的測定點Km，Kn，．．越多，則一般來說線形近似曲線F之傾斜的精度或基準高度位置HA的精度越變高。然而，當吸盤頂40之高度位置變得過高時，亦即針測行程量(OD)過大時，則接觸探針37之彈性變形變得不遵從虎克定律，且直線近似或最小二乘法變得不適用。因此，將在接觸探針37之彈性變形遵從虎克定律之線形區域內所取得的複數組測定點Km，Kn，．．使用於基準高度位置HA之算出，係較理想。控制器102，係如上述，將藉由演算所求出之基準高度位置HA的值(資料)保存於記憶體(步驟S29)。
作為其他例子，如圖13及圖14，每當在低於基準壓力值PA之負壓的區域內追加測定點K，反覆進行線形近似曲線F之算出及基準高度位置HA之算出而加以更新基準高度位置HA之演算值的手法(步驟S30~S41)亦屬可能。該手法，係適用於從接近基準壓力PA的測定點
K1朝向遠離基準壓力PA的測定點Kn，階段性地增加測定點K之個數的情形，在基準高度位置HA之更新變化量落在預定範圍內後，確定基準高度位置HA之演算值(步驟S35~S40)。
其次，參閱圖15~圖16，說明檢查用壓力設定值實測處理。在圖15中，表示檢查用壓力設定值實測處理的主要步驟(特別是控制器102的控制步驟)。
檢查用壓力設定值實測處理(圖15)，係亦可在上述之基準高度位置算出處理後接著實施，或亦可獨立地實施。在以下的說明中，係設成為在基準高度位置算出處理(圖10或圖13)之「結束」後接著實施。
控制器102，係如上述，將針測行程量OD之設定值加算至藉由基準高度位置算出處理所求出的基準高度位置HA，並針對吸盤頂40之高度位置，決定目標高度位置HS(HS=HA+OD)(步驟S51)，而將該目標高度位置HS之資料保存於記憶體(步驟S52)。該目標高度位置HS，係對應於晶圓檢查中之吸盤頂40的檢查用高度位置。
其次，控制器102，係使環繞空間82之壓力下降直至吸盤頂40之高度位置H與目標高度位置HS一致，亦即進行使吸盤頂40上升的控制(步驟S53→S54→S55→S56→S53．．)。更詳細而言，控制器102，係一邊通
過高度感測器25，監測吸盤頂40的高度位置H，一邊通過真空機構92，使環繞空間82之壓力逐漸下降，在吸盤頂高度位置H與目標高度位置HS一致後，加以固定(保持)環繞空間82之壓力，並通過壓力感測器98b來測定此時之環繞空間82的壓力(步驟S57)。而且，將該壓力測定值確定為檢查用壓力設定值PS(步驟S58)，並將此值(資料)保存於記憶體(步驟S59)。
另外，在使環繞空間82之壓力下降的過程中，當吸盤頂40之高度位置H超過目標高度位置HS時，係切換成使環繞空間82之壓力上升的控制，從而調整環繞空間82之壓力直至最後吸盤頂40的高度位置與目標高度位置HS一致。
根據該檢查用壓力設定值實測處理，提高吸盤頂40之目標高度位置HS位於如圖16A所示使用於基準高度位置HA之算出之線形近似曲線F的延長上時，係理所當然如圖16B所示，即使較大地偏離線形近似曲線F，亦可針對在目標高度位置亦即檢查用之高度位置HS加以保持上浮狀態之吸盤頂40所需之環繞空間82的壓力，求出正確的設定值PS。
通常，當針測行程量(OD)超過某值時，藉由與晶圓W之加壓接觸而產生之接觸探針37的彈性變形會變得不遵從虎克定律，如圖16B所示，以虛線G所示，相對於環繞空間82之壓力，指數地增加吸盤頂的高度位置。在該情況下，藉由演算或推算來求出在線形近似
曲線F上對應於目標高度位置HS的檢查用設定值PS，且如果將其檢查用設定值PS使用於實際的晶圓檢查中，必會產生問題。亦即，在移動平台22之Z軸移動部22b使吸盤頂40上推至檢查用之高度位置HS後(亦即，在確立了預先設定之針測行程量後)，當真空機構92作動而使環繞空間82減壓至檢查用設定值PS時，吸盤頂40之高度位置H，係在從檢查用之高度位置HS上升的方向上變化，針測行程量，係在從設定量增大的方向上變化。其結果，不僅變得無法進行預先設定之針測行程量中的晶圓檢查，亦有晶圓W之電極焊墊或接觸探針37因過大的接觸加壓力而受到損傷之虞。
該點，在該實施形態中，係藉由如上述般之檢查用壓力設定值實測處理，藉由實測來決定使上浮狀態之吸盤頂40保持於目標高度位置亦即檢查用之高度位置HS所需之環繞空間82的壓力值(亦即檢查用壓力設定值)PS。藉此，即使將針測行程量(OD)之設定值選擇為任意值(特別是比較大的值)，或即使在探針卡36有設計上或製作上的誤差或個體差(偏差)，亦可在進行晶圓檢查時，一邊使吸盤頂40成為上浮狀態，一邊以如同設定般的針測行程量，在探針卡36與晶圓W之間，穩定確實地獲得一定的加壓接觸狀態。
如上述，在該實施形態中，係組合基準壓力實測處理(圖7)與基準高度位置算出處理(圖10或圖13)與檢查用壓力設定值實測處理(圖15)，而決定晶
圓檢查用之壓力設定值，亦即用以在探測器20的環繞空間82內，在探針卡36與晶圓W之間，以預先設定之針測行程量來獲得加壓接觸狀態之真空壓力的設定值(檢查用壓力設定值)PS。
而且，在實際的晶圓檢查中，移動平台22，係將吸盤頂40上推至探針卡36與晶圓W實質以0的針測行程量接觸時之基準高度位置HA加上設定針測行程量OD的目標高度位置HS(HS=HA+OD)，且在探針卡36與晶圓W之間確立了預先設定之針測行程量OD的加壓接觸狀態後，針測行程保持用之第3真空機構92，係使環繞空間82內的壓力減壓至檢查用壓力設定值PS。藉此，即使用以在探針卡36與晶圓W之間形成或保持一定之加壓接觸狀態的加壓手段從移動平台22之吸盤頂上推移行至真空吸引力，針測行程量亦不會發生變動而被保持為設定值OD，因此，可正常地對該晶圓W進行晶圓檢查。又，亦不會有探針卡36之接觸探針37或晶圓W表面之電極焊墊受到超過所期望之針測行程量OD的過大加壓力而造成損傷的情形。
根據該實施形態之檢查用壓力設定值決定處理，即使在探針卡36有設計上或製作上的誤差或個體差(偏差)，亦不會對晶圓檢查之可靠性或者治具或工作件的安全性造成妨礙。
在上述的實施形態中，係經常藉由實測來求出檢查用壓力設定值PS。然而，明確得知在適用基準高度位置算出處理中所獲得之線形近似曲線F的線形區域內存在目標高度位置HS時，係亦可藉由演算或推算來求出在線形近似曲線F上對應於目標高度位置HS的檢查用設定值PS。
在上述實施形態中，係在可接近吸盤頂40之底面的平台22之Z軸移動部22b的上部，安裝用以測定吸盤頂40之高度位置H的高度感測器25。然而，高度感測器25之構成或配置場所並不限定，可進行各種變形。
例如，如圖17A所示，亦可在吸盤頂40安裝高度感測器25，藉由高度感測器25來測定吸盤頂40與彈性框架34的距離間隔，且從其距離測定值測定吸盤頂40之高度位置。雖省略圖示，但亦可在彈性框架34側安裝高度感測器25。又，在高度感測器25之光學式測距範圍非常大時，係如圖17B所示，亦可在移動平台22之水平移動部22a的上面配置高度感測器25。或者，亦可將具有測距功能的對位用攝像機代替高度感測器25。又，如圖17C所示，亦可藉由接觸式之距離感測器來構成高度感測器25。圖示之例子，係利用例如度盤規者，以使推壓部110(該推壓部，係安裝於吸盤頂40之上面的周緣部)從下方抵接於接觸式高度感測器25之可動部112的方式，測定吸盤頂40之高度位置。
20‧‧‧探測器
30‧‧‧測試器
32‧‧‧主機板
34‧‧‧彈性框架
36‧‧‧探針卡
37‧‧‧接觸探針
38‧‧‧波紋管
40‧‧‧吸盤頂
40a‧‧‧晶圓載置面
40b‧‧‧波紋管連結面
42‧‧‧彈針塊裝設孔
44‧‧‧彈簧銷
46‧‧‧彈針塊
48‧‧‧隔板
50‧‧‧間隙
52‧‧‧密封構件
54‧‧‧密封構件
56‧‧‧間隙
58‧‧‧吸引空間
60‧‧‧氣體流路
62‧‧‧外部配管
64‧‧‧第1真空機構
68‧‧‧下部凸緣
70‧‧‧密封構件
70a‧‧‧O形環
70b‧‧‧O形環
74‧‧‧環狀空間
76‧‧‧氣體流路
78‧‧‧外部配管
80‧‧‧第2真空機構
82‧‧‧環繞空間
84‧‧‧氣體流路
86‧‧‧氣體流路
88‧‧‧配管
90‧‧‧配管
92‧‧‧真空機構
W‧‧‧晶圓
Claims (14)
- 一種檢查用壓力設定值決定方法，係用以在晶圓檢查裝置(該晶圓檢查裝置，係具備有：固定之探針卡，具有用以分別與形成於檢查對象之晶圓表面之複數個電極接觸的複數個接觸端子；可升降移動之吸盤頂，配置於前述探針卡之周圍，且與前述探針卡相對向，載置前述晶圓；及真空機構，為了在前述探針與前述晶圓之間形成或維持預定加壓力的加壓接觸狀態，而將由前述吸盤頂及前述探針卡所包圍之可密閉之環繞空間內的壓力控制為預定之負的檢查用壓力設定值)中決定前述檢查用壓力設定值的方法，其特徵係，具有：第1工程，藉由前述真空機構來對前述環繞空間抽真空，將使前述吸盤頂成為上浮狀態之前述環繞空間的最高負壓值作為基準壓力值而進行測定；第2工程，將與前述基準壓力值對應之前述吸盤頂的高度位置作為基準高度位置而求出；及第3工程，針對前述探針卡與前述晶圓之間的加壓接觸狀態中之所施予的針測行程量，使前述環繞空間內的壓力比前述基準壓力值更下降，且測定前述吸盤頂到達對前述基準高度位置施加前述針測行程量的目標高度位置時之前述環繞空間內的壓力值，而將該壓力測定值設成為前述檢查用壓力設定值。
- 如申請專利範圍第1項之檢查用壓力設定值決定方法，其中， 前述第1工程，係包含有：第4工程，將前述吸盤頂配置於從前述探針卡脫離之正下方的第1高度位置；及第5工程，藉由前述真空機構來對前述環繞空間抽真空，使前述環繞空間之壓力逐漸下降，且測定前述吸盤頂從前述第1高度位置上浮時之前述環繞空間的壓力值，而將其壓力測定值設成為前述基準壓力值。
- 如申請專利範圍第2項之檢查用壓力設定值決定方法，其中，前述第5工程，係使前述環繞空間之壓力以一定的變化幅度階段性地下降，每次測定前述環繞空間之壓力，並且檢查前述吸盤頂是否已從前述第1高度位置上浮，而將第一次確認到前述吸盤頂已上浮時的壓力測定值設成為前述基準壓力值。
- 如申請專利範圍第3項之檢查用壓力設定值決定方法，其中，在前述第5工程中，前述吸盤頂是否已從前述第1高度位置上浮之檢查，係根據從前述吸盤頂脫離而配置於其正下方之非接觸式或接觸式之第1感測器的輸出訊號而決定。
- 如申請專利範圍第4項之檢查用壓力設定值決定方法，其中，前述第1感測器，係搭載於用以從下方支撐前述吸盤頂而上升下降的升降機構。
- 如申請專利範圍第3項之檢查用壓力設定值決定方法，其中，在前述第5工程中，前述吸盤頂是否已從前述第1高度位置上浮之檢查，係根據安裝於支撐前述探針卡之支撐構件的非接觸式或接觸式之第1感測器的輸出訊號而決定。
- 如申請專利範圍第1~6項中任一項之檢查用壓力設定值決定方法，其中，前述第1工程，係在使晶圓不載置於前述吸盤頂上的狀態下進行。
- 如申請專利範圍第1~6項中任一項之檢查用壓力設定值決定方法，其中，前述第2工程，係具有：第6工程，在低於前述基準壓力值之負壓的區域中，取得複數組前述環繞空間之壓力的測定值和與其對應之前述吸盤頂之高度位置的測定值；及第7工程，根據前述複數組壓力測定值及高度位置測定值，以演算來求出與前述基準壓力值對應之前述吸盤頂的高度位置，而將其所求出的高度位置設成為前述基準高度位置。
- 如申請專利範圍第8項之檢查用壓力設定值決定方法，其中，前述第6工程，係包含有：第8工程，在將前述環繞空間開放於大氣的狀態下， 使前述吸盤頂從下方上推至第3高度位置，該第3高度位置，係從自前述探針卡脫離的第2高度位置，在前述探針卡與前述晶圓之間獲得適當的加壓接觸狀態；第9工程，開始前述真空機構所致之前述環繞空間的抽真空；第10工程，在前述環繞空間內之壓力低於前述基準壓力值後，解除相對於前述吸盤頂之推壓力；及第11工程，在低於前述基準壓力值之負壓的區域中，任意改變前述環繞空間之壓力，以複數個取樣點來測定前述吸盤頂的高度位置及前述環繞空間的壓力。
- 如申請專利範圍第11項之檢查用壓力設定值決定方法，其中，在前述第8工程中，前述第3高度位置，係高於前述基準高度位置。
- 如申請專利範圍第9或10項之檢查用壓力設定值決定方法，其中，每次藉由前述第7工程，取得新的前述環繞空間之壓力的測定值及前述吸盤頂之高度位置的測定值，並藉由前述第7工程更新前述基準高度位置之演算值。
- 如申請專利範圍第8項之檢查用壓力設定值決定方法，其中，在前述第6工程中，前述吸盤頂之高度位置的測定，係使用從前述吸盤頂脫離而配置於其正下方之非接觸式或接觸式的第2感測器而進行。
- 如申請專利範圍第9項之檢查用壓力設定值決定方法，其中，前述第2感測器，係搭載於用以從下方支撐前述吸盤頂而上升下降的升降機構。
- 如申請專利範圍第8項之檢查用壓力設定值決定方法，其中，在前述第6工程中，前述吸盤頂之高度位置的測定，係使用安裝於支撐前述探針卡之支撐構件之非接觸式或接觸式的第2感測器而進行。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014-182897 | 2014-09-09 | ||
| JP2014182897A JP6423660B2 (ja) | 2014-09-09 | 2014-09-09 | ウエハ検査装置における検査用圧力設定値決定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201625969A true TW201625969A (zh) | 2016-07-16 |
| TWI664432B TWI664432B (zh) | 2019-07-01 |
Family
ID=55437309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW104128825A TWI664432B (zh) | 2014-09-09 | 2015-09-01 | 晶圓檢查裝置之檢查用壓力設定值決定方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9689916B2 (zh) |
| JP (1) | JP6423660B2 (zh) |
| KR (1) | KR101785789B1 (zh) |
| CN (1) | CN105606987B (zh) |
| SG (1) | SG10201507239RA (zh) |
| TW (1) | TWI664432B (zh) |
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2014
- 2014-09-09 JP JP2014182897A patent/JP6423660B2/ja active Active
-
2015
- 2015-09-01 TW TW104128825A patent/TWI664432B/zh active
- 2015-09-07 KR KR1020150126035A patent/KR101785789B1/ko active Active
- 2015-09-08 SG SG10201507239RA patent/SG10201507239RA/en unknown
- 2015-09-09 CN CN201510569698.3A patent/CN105606987B/zh active Active
- 2015-09-09 US US14/848,765 patent/US9689916B2/en active Active
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105606987B (zh) | 2018-10-19 |
| SG10201507239RA (en) | 2016-04-28 |
| US9689916B2 (en) | 2017-06-27 |
| KR101785789B1 (ko) | 2017-10-16 |
| JP6423660B2 (ja) | 2018-11-14 |
| KR20160030371A (ko) | 2016-03-17 |
| CN105606987A (zh) | 2016-05-25 |
| JP2016058506A (ja) | 2016-04-21 |
| TWI664432B (zh) | 2019-07-01 |
| US20160069951A1 (en) | 2016-03-10 |
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