TW201616703A

TW201616703A - 剝離方法、發光裝置、模組以及電子裝置

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Publication number: TW201616703A
Application number: TW104123092A
Authority: TW
Inventors: 保本清治; 佐藤将孝; 野村昌史; 宮本敏行
Original assignee: 半導體能源研究所股份有限公司
Priority date: 2014-07-25
Filing date: 2015-07-16
Publication date: 2016-05-01
Also published as: JP2020102459A; US9799829B2; JP6678406B2; US10388875B2; JP6856796B2; KR20160015158A; US20160028034A1; US20180047902A1; JP2016031930A; TWI695525B

Abstract

一種撓性半導體裝置的製造方法。該方法包括如下步驟：在基板上形成金屬的剝離層；在包含氮、氧、矽及氫的氛圍下對剝離層進行電漿處理；在進行了電漿處理的剝離層上形成層，該層能夠向剝離層供應氫及氮；在剝離層上形成功能層；進行加熱處理以促進從層的氫及氮的釋放；以及將基板從剝離層剝離。藉由進行上述步驟，在剝離層上形成極薄的氧化物層，該氧化物層使剝離變得容易，降低氧化物層殘留在層上，並有助於包括在功能層中的裝置的效率的提高。

Description

剝離方法、發光裝置、模組以及電子裝置

本發明涉及剝離技術，特別是關於剝離方法、具有剝離製程的裝置的製造方法、發光裝置、輸入輸出裝置、模組以及電子裝置。

注意，本發明的實施方式不侷限於上述技術領域。明確而言，作為本說明書所揭示的本發明的一個實施方式的技術領域的例子，包含半導體裝置、顯示裝置、發光裝置、蓄電裝置、記憶體裝置、電子裝置、照明設備、輸入裝置(例如觸控感測器等)、輸入輸出裝置(例如觸控面板等)、這些裝置的驅動方法或這些裝置的製造方法。

近年來，積極開發在具有撓性的基板(以下也稱為“撓性基板”)上設置有半導體元件、顯示元件或發光元件等功能元件的撓性裝置。作為撓性裝置的代表例子，除了照明設備和影像顯示裝置之外，還可包含包括電晶體等半導體元件的各種半導體電路等。

作為使用撓性基板的裝置的製造方法，已開發出在玻璃基板或石英基板等形成用基板上製造薄膜電晶體或有機EL(Electro luminescence)元件等功能元件之後將該功能元件轉置到撓性基板的技術。此技術需要將包含功能元件的層從形成用基板剝離的步驟(也記為剝離步驟)。

例如，在專利文獻1所揭示的使用雷射燒蝕的剝離技術中，首先在基板上設置由非晶矽等形成的剝離層，在該剝離層上設置由薄膜元件形成的被剝離層，並使用黏合層將該被剝離層黏合到轉置體。然後，藉由雷射照射使剝離層燒蝕來在剝離層中產生剝離。

另外，在專利文獻2中記載有用手等物理力進行剝離的技術。在專利文獻2中，在基板與氧化物層之間形成金屬層，並利用氧化物層與金屬層的結合較弱的特點來在使氧化物層與金屬層的介面處產生剝離，從而使被剝離層與基板分離。

[專利文獻1]日本專利申請公開第平10-125931號公報

[專利文獻2]日本專利申請公開第2003-174153號公報

在剝離製程中，如果剝離介面處的剝離性較低，很大的應力則施加到被剝離層，因此有時裂縫會產生在包括在被剝離層中的層，或者有時功能元件會受損。

本發明的一個實施方式的目的之一是提高剝離製程中的良率。

另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提高發光裝置、顯示裝置、半導體裝置、輸入輸出裝置、電子裝置或照明設備等裝置的製程中的良率。尤其是，本發明的一個實施方式的目的之一是提高輕量、薄型或具有撓性的發光裝置、顯示裝置、半導體裝置、輸入輸出裝置、電子裝置或照明設備的製程中的良率。

另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種剝離性高的剝離方法。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種生產性高的裝置的製造方法。

另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種可靠性高的發光裝置或類似的裝置。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種光提取效率高的發光裝置或類似的裝置。

注意，上述目的的記載並不妨礙其他目的存在。注意，本發明的一個實施方式並不需要實現所有上述目的。另外，可以從說明書、圖式、申請專利範圍的記載顯而易見地看出並衍生上述以外的目的。

另外，本發明的一個實施方式是一種剝離方法，包括如下步驟：在基板上形成剝離層的第一步驟、對剝離層的表面進行電漿處理的第二步驟、在剝離層上形成被剝離層的第三步驟、對剝離層和被剝離層進行加熱的第四步驟、以及將剝離層和被剝離層分離的第五步驟，在包含氮、氧、矽及氫的氛圍下進行電漿處理。

在上述方法中，較佳為在包含一氧化二氮及矽烷的氛圍下進行該電漿處理。

在上述方法中，較佳為在包含一氧化二氮、矽烷及氨的氛圍下進行該電漿處理。

在上述各方法中，較佳為在第二步驟中藉由進行該電漿處理在剝離層表面上形成氧化物層。例如，可在第一步驟中使用鎢形成剝離層，在第二步驟中藉由進行電漿處理形成包含鎢及氧的氧化物層。

另外，本發明的一個實施方式是一種發光裝置，該發光裝置包括依次層疊的第一基板、第一黏合層、第一氧化物層、第一絕緣層及元件層，第一基板具有撓性，元件層包括發光元件，由第一基板、第一黏合層、第一氧化物層及第一絕緣層構成的疊層結構的在450nm至700nm的波長範圍的平均光穿透率為70%以上且100%以下。該平均光穿透率較佳為80%以上。

在上述結構中，藉由對第一氧化物層的第一黏合層一側的面進行的X射線光電子能譜而得到的歸屬於W4f軌域的第一峰值的強度較佳為歸屬於W4f軌域的第二峰值的0.60倍以上且1.0倍以下，更佳為0.70倍以上，進一步較佳為0.75倍以上。第一峰值是指在源自於氧化鎢WO_x(2x<3)及鎢氮化物的峰值中強度最大的峰值，並且第二峰值是指在源自於氧化鎢(VI)(三氧化鎢，也稱為WO₃)的峰值中強度最大的峰值。作為WO_x(2x<3)，可包含WO₂、W₂O₅、W₄O₁₁等。

另外，在上述結構中，藉由對第一氧化物層的第一黏合層一側的面進行的X射線光電子能譜而得到的歸屬於W4f軌域的第三峰值的強度較佳為比歸屬於W4f軌域的第四峰值大，較佳為1.30倍以上且2.0倍以下。需注意，第三峰值是指在源自於氧化鎢WO_x(2x<3)及鎢氮化物的峰值中強度最大的峰值，並且第四峰值是指在源自於氧化鎢(VI)的峰值中強度第二大的峰值。

在上述各結構中，第一氧化物層的厚度也可以是1nm以上且小於5nm。

在上述各結構中，第一氧化物層的電阻率可以是1.0×10⁴Ω．m以上且1.0×10¹⁵Ω．m以下。

在上述各結構中，第一絕緣層也可以具有利用二次離子質譜分析(SIMS：Secondary Ion Mass Spectrometry)檢測出的氫濃度為1.0×10²⁰atoms/cm³以上且1.0×10²²atoms/cm³以下的區域。

在上述各結構中，第一絕緣層也可以具有利用SIMS檢測出的氮濃度為5.0×10²⁰atoms/cm³以上且1.0×10²³atoms/cm³以下的區域。

在上述各結構中，可以包括依次層疊的第二基板、第二黏合層、第二氧化物層、第二絕緣層，第二基板具有撓性，元件層設置在第一絕緣層和第二絕緣層之間，第二絕緣層設置在第二氧化物層和元件層之間，由第二基板、第二黏合層、第二氧化物層、第二絕緣層構成的疊層結構的在450nm至700nm的波長範圍的平均光穿透率為70%以上且100%以下。該平均光穿透率較佳為80%以上。

而且，在上述結構中，藉由對第二氧化物層的第二黏合層一側的面進行的X射線光電子能譜而得到的歸屬於W4f軌域的第五峰值的強度也可以為歸屬於W4f軌域的第六峰值的0.60倍以上且1.0倍以下，更佳為0.70倍以上，進一步較佳為0.75倍以上。第五峰值是指在源自於氧化鎢WO_x(2x<3)及鎢氮化物的峰值中強度最大的峰值，並且第六峰值是指在源自於氧化鎢(VI)的峰值中強度最大的峰值。

另外，在上述結構中，藉由對第二氧化物層的第二黏合層一側的面進行的X射線光電子能譜而得到的歸屬於W4f軌域的第七峰值的強度也可以比歸屬於W4f軌域的第八峰值大，較佳為第八峰值的1.30倍以上且2.0倍以下。第七峰值是指在源自於氧化鎢WO_x(2x<3)及鎢氮化物的峰值中強度最大的峰值，並且第八峰值是指在源自於氧化鎢(VI)的峰值中強度第二大的峰值。

在上述各結構中，第二氧化物層的厚度也可以是1nm以上且小於5nm。

在上述各結構中，第二氧化物層的電阻率可以是1.0×10⁴Ω．m以上且1.0×10¹⁵Ω．m以下。

在上述各結構中，第二絕緣層也可以具有利用SIMS檢測出的氫濃度為1.0×10²⁰atoms/cm³以上且1.0×10²²atoms/cm³以下的區域。

在上述各結構中，第二絕緣層也可以具有利用SIMS檢測出的氮濃度為5.0×10²⁰atoms/cm³以上且1.0×10²³atoms/cm³以下的區域。

適用上述各結構中的任何的顯示裝置、半導體裝置或輸入輸出裝置等裝置也包括在本發明的一個實施方式。這些裝置之間的不同之處在於：包括在功能層中的功能元件。例如，本發明的一個實施方式的顯示裝置作為功能元件包括顯示元件。本發明的一個實施方式的半導體裝置作為功能元件包括半導體元件。本發明的一個實施方式的輸入輸出裝置作為功能元件包括發光元件或顯示元件、感測元件或觸控感測器。

本發明的一個實施方式是一種模組，該模組為包括適用上述各結構中的任何的發光裝置、顯示裝置、半導體裝置、輸入輸出裝置，並安裝有FPC(Flexible Printed Circuit：撓性印刷電路)或TCP(Tape Carrier Package：捲帶式封裝)等的連接器的模組，或者利用COG(Chip On Glass：玻璃上晶片)方式等安裝有積體電路(IC)的模組等。

本發明的一個實施方式還包括使用了上述模組的電子裝置或照明設備。例如，本發明的一個實施方式是一種電子裝置，包括上述模組、天線、電池、外殼、揚聲器、麥克風、操作開關或操作按鈕。

根據本發明的一個實施方式，可以提高剝離製程中的良率。

另外，根據本發明的一個實施方式，可以提高發光裝置、顯示裝置、半導體裝置、輸入輸出裝置、電子裝置或照明設備等裝置的製程中的良率。尤其是，可以提高輕量、薄型或具有撓性的發光裝置、顯示裝置、半導體裝置、輸入輸出裝置、電子裝置或照明設備等裝置的製程中的良率。

另外，根據本發明的一個實施方式可以提供一種剝離性高的剝離方法。另外，根據本發明的一個實施方式可以提供一種生產性高的裝置的製造方法。

另外，根據本發明的一個實施方式可以提供一種可靠性高的發光裝置等。另外，根據本發明的一個實施方式可以提供一種光提取效率高的發光裝置等。

注意，這些效果的記載不妨礙其他效果的存在。此外，本發明的一個實施方式並不需要具有所有上述效果。另外，從說明書、圖式、申請專利範圍的記載可以顯而易見地看出這些效果外的效果，從而可以從說明書、圖式、申請專利範圍的記載中抽出這些效果外的效果。

101‧‧‧形成用基板

102‧‧‧剝離層

103‧‧‧第一層

104‧‧‧第二層

110‧‧‧被剝離層

111‧‧‧氧化物層

121‧‧‧基板

122‧‧‧黏合層

131‧‧‧基板

132‧‧‧黏合層

150‧‧‧包括被剝離層的層

151‧‧‧膠帶

153‧‧‧托輥

154‧‧‧導輥

159‧‧‧鈦電極

301‧‧‧顯示部

302‧‧‧像素

302B‧‧‧子像素

302G‧‧‧子像素

302R‧‧‧子像素

302t‧‧‧電晶體

303c‧‧‧電容器

303g(1)‧‧‧掃描線驅動電路

303g(2)‧‧‧撮像像素驅動電路

303s(1)‧‧‧畫像信號線驅動電路

303s(2)‧‧‧撮像信號線驅動電路

303t‧‧‧電晶體

304‧‧‧閘極

308‧‧‧撮像像素

308p‧‧‧光電轉換元件

308t‧‧‧電晶體

309‧‧‧FPC

311‧‧‧佈線

319‧‧‧端子

321‧‧‧絕緣層

328‧‧‧分隔壁

329‧‧‧隔離體

350R‧‧‧發光元件

351R‧‧‧下部電極

352‧‧‧上部電極

353‧‧‧EL層

353a‧‧‧EL層

353b‧‧‧EL層

354‧‧‧中間層

360‧‧‧黏合層

367B‧‧‧彩色層

367BM‧‧‧遮光層

367G‧‧‧彩色層

367p‧‧‧反射防止層

367R‧‧‧彩色層

390‧‧‧輸入輸出裝置

500‧‧‧顯示部

500TP‧‧‧輸入輸出裝置

501‧‧‧顯示部

503g‧‧‧驅動電路

503s‧‧‧驅動電路

505‧‧‧輸入輸出裝置

505B‧‧‧輸入輸出裝置

509‧‧‧FPC

590‧‧‧基板

591‧‧‧電極

592‧‧‧電極

593‧‧‧絕緣層

594‧‧‧佈線

595‧‧‧觸控感測器

597‧‧‧黏合層

598‧‧‧佈線

599‧‧‧連接層

600‧‧‧輸入部

602‧‧‧感測單元

603d‧‧‧驅動電路

603g‧‧‧驅動電路

650‧‧‧電容元件

651‧‧‧電極

652‧‧‧電極

653‧‧‧絕緣層

667‧‧‧窗戶部

670‧‧‧保護層

701‧‧‧基板

703‧‧‧黏合層

704‧‧‧氧化物層

705‧‧‧絕緣層

711‧‧‧基板

713‧‧‧黏合層

714‧‧‧氧化物層

715‧‧‧絕緣層

804‧‧‧發光部

806‧‧‧驅動電路部

808‧‧‧FPC

814‧‧‧導電層

815‧‧‧絕緣層

817‧‧‧絕緣層

817a‧‧‧絕緣層

817b‧‧‧絕緣層

820‧‧‧電晶體

821‧‧‧絕緣層

822‧‧‧黏合層

823‧‧‧隔離體

824‧‧‧電晶體

825‧‧‧連接器

830‧‧‧發光元件

831‧‧‧下部電極

832‧‧‧光學調整層

833‧‧‧EL層

835‧‧‧上部電極

845‧‧‧彩色層

847‧‧‧遮光層

849‧‧‧保護層

856‧‧‧導電層

857‧‧‧導電層

857a‧‧‧導電層

857b‧‧‧導電層

7000‧‧‧顯示部

7001‧‧‧顯示部

7100‧‧‧行動電話機

7101‧‧‧外殼

7103‧‧‧操作按鈕

7104‧‧‧外部連接埠

7105‧‧‧揚聲器

7106‧‧‧麥克風

7200‧‧‧電視機

7201‧‧‧外殼

7203‧‧‧支架

7211‧‧‧遙控器

7300‧‧‧可攜式資訊終端

7301‧‧‧外殼

7302‧‧‧操作按鈕

7303‧‧‧資訊

7304‧‧‧資訊

7305‧‧‧資訊

7306‧‧‧資訊

7310‧‧‧可攜式資訊終端

7320‧‧‧可攜式資訊終端

7400‧‧‧照明設備

7401‧‧‧底座

7402‧‧‧發光部

7403‧‧‧操作開關

7410‧‧‧照明設備

7412‧‧‧發光部

7420‧‧‧照明設備

7422‧‧‧發光部

7500‧‧‧可攜式資訊終端

7501‧‧‧外殼

7502‧‧‧構件

7503‧‧‧操作按鈕

7600‧‧‧可攜式資訊終端

7601‧‧‧外殼

7602‧‧‧鉸鏈部

7650‧‧‧可攜式資訊終端

7651‧‧‧非顯示部

7700‧‧‧可攜式資訊終端

7701‧‧‧外殼

7703a‧‧‧按鈕

7703b‧‧‧按鈕

7704a‧‧‧揚聲器

7704b‧‧‧揚聲器

7705‧‧‧外部連接埠

7706‧‧‧麥克風

7709‧‧‧電池

7800‧‧‧可攜式資訊終端

7801‧‧‧錶帶

7802‧‧‧輸入輸出端子

7803‧‧‧操作按鈕

7804‧‧‧圖示

7805‧‧‧電池

圖1A至圖1E是剝離方法的一個例子的示意圖；圖2A至圖2C是發光裝置的一個例子的示意圖；圖3A至圖3C是發光裝置的一個例子的示意圖；圖4A和圖4B是發光裝置的一個例子的示意圖；圖5A至圖5C是輸入輸出裝置的一個例子的示意圖；圖6A和圖6B是輸入輸出裝置的一個例子的示意圖；圖7A至圖7C是輸入輸出裝置的一個例子的示意圖；圖8A至圖8C是輸入輸出裝置的一個例子的示意圖；圖9是輸入輸出裝置的一個例子的示意圖；圖10是輸入輸出裝置的一個例子的示意圖；圖11A、圖11B、圖11C1、圖11C2、圖11D、圖11E、圖11F、圖11G及圖11H是電子裝置及照明設備的一個例子的示意圖；圖12A1、圖12A2、圖12B、圖12C、圖12D、圖12E、圖12F、圖12G、圖12H及圖12I是電子裝置的一個例子的示意圖。

圖13A和圖13B是根據實施例1的截面TEM影像；圖14A至圖14C是根據實施例1的用來測量在剝離時所需要的力量的裝置的示意圖；圖15是顯示根據實施例1的樣本的光穿透率；圖16是顯示根據實施例1的樣本的XPS分析結果；圖17A和圖17B是顯示根據實施例1的樣本的XPS分析結果；圖18是顯示根據實施例1的樣本的電流-電壓特性；圖19A和圖19B是顯示根據實施例1的SIMS分析結果；圖20A和圖20B是顯示根據實施例1的SIMS分析結果。

參照圖式對實施方式進行詳細說明。注意，本發明不侷限於以下說明，所屬技術領域具有通常知識者可以容易理解，在不脫離本發明的精神及其範圍的情況下，本發明可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅侷限在以下所示的實施方式所記載的內容中。

注意，在下面說明的發明結構中，在不同的圖式中共同使用相同的元件符號來表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反復說明。此外，當表示具有相同功能的部分時有時使用相同的陰影線，而不特別附加元件符號。

另外，為了便於理解，有時圖式中描繪的各構成的位置、大小及範圍等並不表示其實際的位置、大小及範圍等。因此，所揭示的發明不一定侷限於圖式所揭示的位置、大小、範圍等。

另外，根據情況或狀態，可以互相調換“膜”和“層”。例如，可以將“導電層”變換為“導電膜”。此外，可以將“絕緣膜”變換為“絕緣層”。

實施方式1

在本實施方式中，說明本發明的一個實施方式的剝離方法。

在本發明的一個實施方式中，在形成用基板上形成剝離層，對該剝離層的表面進行電漿處理，在進行了電漿處理的剝離層上形成被剝離層，在對剝離層及被剝離層進行加熱之後，將剝離層和被剝離層分離。

在本發明的一個實施方式中，在包含一氧化二氮(N₂O)及矽烷(SiH₄)的氛圍下進行電漿處理。藉由在包含一氧化二氮的氛圍下進行電漿處理，可以使剝離層的表面氧化，而形成氧化物層。該氧化物層含有包含在剝離層中的材料的氧化物。例如，當剝離層包含鎢時，可以形成包含氧化鎢的氧化物層。

在此，在將剝離層和被剝離層分離之後，有時包含氧化鎢等金屬氧化物的氧化物層的一部分殘留在被剝離層一側。當氧化物層的可見光穿透率低時，這有可能導致發光裝置或顯示裝置的光提取效率的降低。另外，有可能具有導電性的氧化物層產生寄生電容，而給半導體元件的特性帶來影響。

於是，在本發明的一個實施方式中，如上所述，在除了一氧化二氮以外，還包含矽烷的氛圍下進行電漿處理。藉由使用矽烷，可以控制一氧化二氮所引起的剝離層表面的氧化。由此，可以使在剝離層的表面上形成的氧化物層的厚度小。注意，氧化物層也可以為薄到利用電子顯微鏡等的截面觀察中難以觀察的層。當氧化物層極薄時，可以抑制發光裝置或顯示裝置的光提取效率的降低。或者，可以抑制半導體元件的特性變動。

在包含一氧化二氮及矽烷的氛圍下進行電漿處理時，在因一氧化二氮而剝離層的表面氧化的同時，因矽烷而在剝離層上形成膜(例如，氧氮化矽膜或氮氧化矽膜等)。由於在剝離層上形成膜，因此可以控制剝離層的氧化。如此，可以在剝離層的表面上形成具有低厚度的氧化物層。

被剝離層較佳為包括剝離層上的第一層以及第一層上的第二層。

第一層是在加熱步驟中可以釋放氫的層。藉由加熱處理而使氫從第一層釋放出，氫因而被供應到氧化物層。

第一層在加熱步驟中除了氫以外也可釋放氮。藉由加熱處理而使氮從第一層釋放出，氮因而被供應到氧化物層。

第二層是能夠阻擋氫的層。第二層也可以是能夠阻擋氫及氮的層。在第二層可以抑制氫(及氮)從第一層被供應到被剝離層中的同時，可以高效地向氧化物層供應氫(及氮)。

供應到氧化物層中的氫使氧化物層中的氧化物還原，而氧化物層處於其中混合存在氧的組成互不相同的多個氧化物的狀態。例如，當剝離層包含鎢時，因電漿處理而形成的WO₃被還原，生成其氧的成分比WO₃少的WO_x(2<x<3)及WO₂，而處於混合存在這些金屬氧化物的狀態。這種混合金屬氧化物根據氧的組成呈現不同的結晶結構，因此氧化物層中的機械強度變小。其結果是，可以實現氧化物層的內部容易發生損壞的狀態，而提高後面的剝離步驟中的剝離性。

並且，由於供應到氧化物層中的氮，而還生成包含在剝離層中的材料和包含氮的化合物。因為是這種化合物的存在，所以可以使氧化物層的機械強度更小，而提高剝離性。當剝離層包含金屬時，在氧化物層中生成包含金屬和氮的化合物(金屬氮化物)。例如，當剝離層包含鎢時，在氧化物層中生成鎢氮化物。

由於供應到氧化物層中的氫越多WO₃越容易被還原，並且容易處於氧化物層中混合存在氧的組成互不相同的多個氧化物的狀態，所以可以減少在剝離時所需要的力量。供應到氧化物層中的氮越多，可以使氧化物層的機械強度越小，所以可以減少在剝離時所需要的力量。第一層越厚氫(及氮)的釋放量越多，所以是較佳的。另一方面，第一層越薄，生產性越高，所以是較佳的。

於是，在本發明的一個實施方式中，在除了一氧化二氮及矽烷以外，還包含氨(NH₃)的氛圍下進行電漿處理。由此，可以減少需要從第一層供應的氫量及氮量，而可以使第一層薄膜化，由此可以同時實現生產性的提高和剝離性的提高。這是因為如下緣故：藉由在包含一氧化二氮、矽烷及氨的氛圍下進行電漿處理，氫及氮供應到氧化物層中。

在將剝離層和被剝離層分離之後，利用X射線光電子能譜(XPS：X-ray Photoelectron Spectroscopy)等對露出的剝離層的表面及剝離層的表面進行分析，由此可以確認到氧化物及氮化物的存在。就是說，即使在利用電子顯微鏡等的截面觀察時難以確認到氧化物層，也利用XPS分析等可以確認到氧化物層的形成。

例如，當對被剝離層的表面進行XPS分析時，確認到歸屬於W4f軌域的3個峰值(峰值A、峰值B、峰值C)。峰值A是強度最大的峰值，並源自於WO₃。峰值B是源自於WO₃的峰值中強度第二大的峰值。峰值B出現在比峰值A更接近高能量一側(例如，從峰值A+5eV以內)。峰值C是源自於WO_x(2<x<3)、WO₂及鎢氮化物的峰值中強度最大的峰值。峰值C出現在比峰值A更接近低能量一側(例如，從峰值A-4eV以內)。

明確而言，34.5eV以上且36.5eV以下的範圍的峰值(相當於峰值A)或37.5eV以上且39.5eV以下的範圍的峰值(相當於峰值B)是源自於WO₃的峰值。另外，32.5eV以上且小於34.5eV的範圍的峰值(相當於峰值C)是源自於WO_x(2<x<3)、WO₂或鎢氮化物等的峰值。

峰值C的強度較佳為峰值A的0.60倍以上。峰值C的強度更佳為峰值A的0.70倍以上，進一步較佳為0.75倍以上。當峰值C的強度比峰值A小時，峰值A和峰值C之間的強度差越小，可以使剝離時需要的力量越小。峰值C的強度也可以比峰值A大。

或者，峰值C的強度較佳為比峰值B大。當峰值C的強度比峰值B大時，剝離時需要的力量較小，所以是較佳的。

當在將剝離層和被剝離層的分離之後，對露出的被剝離層的表面的電阻進行測量時，可以確認到充分的絕緣性。例如，如在實施例1中後述，在露出的被剝離層上形成一對電極，得到一對電極之間的電流-電壓特性，由此可以求得被剝離層的表面的電阻。被剝離層的表面的電阻較佳為1.0×10¹⁰Ω以上且1.0×10¹⁴Ω以下，更佳為1.0×10¹²Ω以上且1.0×10¹⁴Ω以下。電阻也可以大於1.0×10¹⁴Ω。

氧化物層的電阻率較佳為1.0×10⁴Ω．m以上且1.0×10¹⁵Ω．m以下，更佳為1.0×10⁶Ω．m以上且1.0×10¹⁵Ω．m以下。氧化物層的電阻率也可以大於1.0×10¹⁵Ω．m。

以下，使用圖1A至圖1E更詳細地說明本發明的一個實施方式的剝離方法。注意，在用於各實施方式的說明的圖式中示出氧化物層(參照圖1B等所示的氧化物層111或圖2C等所示的氧化物層704、氧化物層714)，但是，如上所述，在本發明的一個實施方式中形成的氧化物層極薄，所以有時難以看到或在截面觀察等中確認到該氧化物層。

[第一步驟]

首先，在形成用基板101上形成剝離層102(圖1A)。

作為形成用基板101，使用具有至少可承受製程中的處理溫度的耐熱性的基板。作為形成用基板101，例如可以使用玻璃基板、石英基板、藍寶石基板、半導體基板、陶瓷基板、金屬基板以及塑膠基板等。

為了提高量產性，作為形成用基板101較佳為使用大型玻璃基板。例如，較佳為使用第3代(550mm×650mm)以上且第10代(2950mm×3400mm)以下的各玻璃基板或比第10代更大的玻璃基板。

在作為形成用基板101使用玻璃基板的情況下，當在形成用基板101與剝離層102之間形成基底膜時，可以防止來自玻璃基板的污染，所以是較佳的。作為基底膜可包含氧化矽膜、氧氮化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜等絕緣膜。

作為剝離層102可以使用無機材料。作為無機材料，可包含：包含選自鎢、鉬、鈦、鉭、鈮、鎳、鈷、鋯、鋅、釕、銠、鈀、鋨、銥、矽中的元素的金屬；包含該元素的合金；或者包含該元素的化合物等。包含矽的層的結晶結構可以為非晶、微晶或多晶。

當將鎢、鈦、鉬等高熔點金屬用於剝離層102時，被剝離層的形成製程的彈性得到提高，所以是較佳的。

當剝離層102具有單層結構時，較佳為形成鎢層、鉬層或者包含鎢和鉬的混合物的層。此外，鎢和鉬的混合物例如相當於鎢和鉬的合金。例如，也可以使用原子數比為3：1、1：1或1：3等的鉬和鎢的合金膜。例如，可以藉由使用Mo：W=49：51、61：39或14.8：85.2(重量%)的組成的金屬靶材的濺射法形成鉬和鎢的合金膜。

剝離層102例如可以利用濺射法、CVD(Chemical Vapor Deposition：化學氣相沉積)法(電漿CVD法、熱CVD法、MOCVD(Metal Organic(有機金屬)CVD法等)、ALD(Atomic Layer Deposition：原子層沉積)法、塗佈法(包括旋塗法、液滴噴射法、分配法等)、印刷法、蒸鍍法等形成。

剝離層102的厚度較佳為1nm以上且1000nm以下，較佳為10nm以上且200nm以下，更佳為10nm以上且100nm以下。

在本實施方式中，使用鎢形成剝離層102。

[第二步驟]

接著，對剝離層102的表面進行電漿處理(參照圖1A的虛線箭頭)。

藉由改變剝離層102的表面狀態，可以控制剝離層102和在後面形成的被剝離層之間的黏著性。

如上所述，在本發明的一個實施方式中，在包含一氧化二氮及矽烷的氛圍下進行電漿處理。由此，可以在剝離層102的表面上形成構成剝離層102的材料的氧化物層111。藉由該方法，可以形成極薄的氧化物層111。

較佳為在包含一氧化二氮、矽烷及氨的氛圍下進行電漿處理。由此，可以減少在第五步驟中在將剝離層102和被剝離層110分離時所需要的力量，可以提高製程中的良率。

藉由進行電漿處理，剝離層102的表面被氧化，而形成氧化物層111(圖1B)。

氧化物層111是含有剝離層所包含的材料的氧化物的層。當剝離層102包含金屬時，氧化物層111是含有剝離層102所包含的金屬的氧化物的層。氧化物層111較佳為包含鎢氧化物、鈦氧化物或鉬氧化物。

鎢氧化物通常還以WO_x(2x<3)表示，並可以作為能夠具有典型地如WO₃、W₂O₅、W₄O₁₁、WO₂等各種組成的非整比化合物(non-stoichiometric compound)存在。同樣地，鈦氧化物、鉬氧化物也可以作為非整比化合物存在。

在本實施方式中，氧化物層111包含鎢氧化物。

氧化物層111的厚度是1nm以上且小於5nm，較佳為1nm以上且3nm以下。氧化物層111的厚度可以小於1nm。注意，如上所述，當氧化物層111極薄時，在截面觀察影像中難以確認到氧化物層。

該階段的氧化物層111較佳為處於含有較多的氧的狀態。例如當作為剝離層102使用鎢時，氧化物層111較佳為以WO₃為主要成分的鎢氧化物。

在本發明的一個實施方式中，利用電漿處理形成氧化物層111，因此可以根據電漿處理的條件改變氧化物層111的厚度。注意，在本發明的一個實施方式中，也可以使用乙矽烷或丙矽烷代替矽烷。

[第三步驟]

接著，在剝離層102(及氧化物層111)上形成被剝離層110。明確而言，在剝離層102(及氧化物層111)上形成第一層103，在第一層103上形成第二層104(圖1B)。

作為第一層103，例如可以使用氧化矽膜、氮化矽膜、氧氮化矽膜或氮氧化矽膜。第一層103較佳為包含氧、氮及矽。

注意，在本說明書等中“氧氮化矽”是指在其組成中氧含量比氮含量多的物質。另外，在本說明書等中，“氮氧化矽”是指在其組成中氮含量比氧含量多的物質。

第一層103較佳為還包含氫。如上所述，第一層103具有在後面的加熱步驟中釋放氫的功能。第一層103也可以具有在後面的加熱步驟中釋放氫及氮的功能。氧化物層111和第一層103可以互不接觸，也可以在氧化物層111和第一層103之間具有其他層。

第一層103較佳為具有藉由SIMS檢測出的氫濃度為1.0×10²⁰atoms/cm³以上且1.0×10²²atoms/cm³以下、較佳為5.0×10²⁰atoms/cm³以上且5.0×10²¹atoms/cm³以下的區域。

第一層103較佳為具有藉由SIMS檢測出的氮濃度為5.0×10²⁰atoms/cm³以上且1.0×10²³atoms/cm³以下、更較佳為1.0×10²¹atoms/cm³以上且5.0×10²²atoms/cm³以下的區域。

第一層103可以利用濺射法、電漿CVD法等方法形成。尤其是藉由使用含有矽烷氣體及一氧化二氮氣體的沉積氣體的電漿CVD法形成第一層103中的氧氮化矽膜，可以使膜中含有較多的氫及氮，所以是較佳的。另外，沉積氣體中的矽烷氣體的比例越大，後面的加熱步驟中的氫釋放量越多，所以是較佳的。

因為第一層103的厚度越小氫及氮的釋放量越多所以是較佳的，但是較佳為考慮生產性設定其厚度。在本發明的一個實施方式中，藉由在包含氨的氛圍下對剝離層102進行電漿處理，可以減少從第一層103向剝離層102供應的氫量及氮量，因此可以使第一層103薄膜化，而提高生產性。第一層103的厚度較佳為1nm以上且1μm以下，更佳為50nm以上且800nm以下，還較佳為100nm以上且400nm以下，進一步較佳為100nm以上且200nm以下。

第二層104較佳為包含氮及矽。作為第二層104，例如可以使用氮化矽膜、氧氮化矽膜或氮氧化矽膜。尤其是，作為第二層104較佳為使用氮化矽膜或氮氧化矽膜。

如上所述，第二層104具有在後面的加熱步驟中阻擋從第一層103釋放的氫(及氮)的功能。也可以在第一層103和第二層104之間具有其他層。

第二層104可以利用濺射法、電漿CVD法等方法形成。例如，藉由使用含有矽烷氣體、氮氣體及氨氣體的沉積氣體的電漿CVD法形成第二層104中的氮化矽膜。

對第二層104的厚度沒有特別的限制。例如，可以將其厚度設定為50nm以上且600nm以下，較佳為100nm以上且300nm以下。

被剝離層110也可以具有功能元件。功能元件可以在第一層103上形成。功能元件也可以在第二層104上形成。例如，當將本發明的一個實施方式適用於使用電晶體的撓性裝置時，該電晶體可以形成在第二層104上。

[第四步驟]

接著，對剝離層102(和氧化物層111)和被剝離層110進行加熱。

藉由進行加熱處理，第一層103釋放出氫(及氮)並將其供應給氧化物層111。此時，由於第二層104阻擋所釋放的氫(及氮)，因此可以高效地對氧化物層111供應氫(及氮)。

可以以氫(及氮)從第一層103脫離的溫度以上且形成用基板101的軟化點以下的溫度進行加熱處理。另外，較佳為以氧化物層111內的金屬氧化物中的氫所引起的還原反應的溫度以上的溫度進行加熱。加熱處理的溫度越高，從第一層103脫離的氫量(及氮量)越多，因此可以提高之後的剝離性。注意，根據加熱時間、加熱溫度，剝離性變得過高，而有時在非意圖的時機發生剝離。因此，當作為剝離層102使用鎢時，以300℃以上且小於700℃、較佳為400℃以上且小於650℃、更佳為400℃以上且500℃以下的溫度進行加熱。

對進行加熱處理的氛圍沒有特別的限制，可以在大氣氛圍下進行，較佳為在氮或稀有氣體等惰性氣體氛圍下進行。

藉由加熱處理從被剝離層110釋放的氫或氮被限制於第一層103與剝離層102之間。其結果，在氧化物層111中形成有氫濃度或氮濃度較高的區域。例如，在氧化物層111中形成有利用SIMS檢出的氫濃度高於第一層103的區域。或者，在氧化物層111中形成有利用SIMS檢出的氮濃度高於第一層103的區域。

接著，使用黏合層122貼合形成用基板101和基板121(圖1C)。

作為基板121，可以適用可用於形成用基板101的各種基板。也可以使用撓性基板。作為基板121，可以使用預先形成有電晶體等半導體元件、有機EL元件等發光元件、液晶元件、感測元件等功能元件和濾色片等的基板。

作為黏合層122，可以使用紫外線固化黏合劑等光固化黏合劑、反應固化黏合劑、熱固性黏合劑、厭氧黏合劑等各種固化黏合劑。另外，作為黏合層122，也可使用水溶性樹脂、可溶於有機溶劑的樹脂、或者藉由照射紫外線等可使其可塑化的樹脂等在需要時能夠將基板121和被剝離層110分離的黏合劑。

[第五步驟]

接著，將剝離層102與被剝離層110分離(圖1D)。

作為剝離方法，例如，可以將形成用基板101或基板121固定於吸附台，在剝離層102與被剝離層110 之間形成剝離起點。例如，也可以將刀具等銳利的形狀的器具插入剝離層102與被剝離層110之間來形成剝離起點。另外，也可以藉由照射雷射使剝離層102的一部分溶化來形成剝離起點。另外，也可以藉由例如對剝離層102或被剝離層110的端部滴落液體(例如，酒精、水、含有二氧化碳的水等)，利用毛細現象使該液體滲透到剝離層102與被剝離層110的邊界來形成剝離起點。

接著，在形成有剝離起點的部分藉由沿著大致垂直於密接面的方向緩慢地施加物理力(藉由人的手或夾具進行剝離的處理、使滾筒轉動進行分離的處理等)，可以在不使被剝離層110損壞的情況下將其剝離。例如，也可以對形成用基板101或基板121貼合膠帶等並藉由向上述方向拉該膠帶來進行剝離，也可以以鉤狀構件鉤住形成用基板101或基板121的端部來進行剝離。另外，也可以將具有黏著性的構件或能夠進行真空吸附的構件吸附於形成用基板101或基板121的背面，並藉由拉該構件來進行剝離。

在此，在進行剝離時，藉由對剝離介面添加水或水溶液等含有水的液體，以該液體滲透到剝離介面的方式進行剝離，由此可以提高剝離性。此外，能夠抑制剝離時產生的靜電給包含在被剝離層110中的功能元件帶來不良影響(由於靜電而使半導體元件損壞等)。

剝離主要發生在氧化物層111的內部及氧化物層111與剝離層102的介面。因此，如圖1D所示，有時在剝離後的剝離層102的表面及第一層103的表面上附著有氧化物層111。另外，附著的氧化物層111的厚度可以各不相同，像上述那樣，因為容易在氧化物層111與剝離層102的介面進行剝離，所以在大多情況下附著到第一層103一側的氧化物層111較厚。在本發明的一個實施方式中，由於形成有極薄的氧化物層，所以即使在剝離之後的第一層103的表面上殘留氧化物層111，仍可以抑制發光裝置或顯示裝置的光提取效率的降低。或者，可以抑制半導體元件的特性改變。

藉由上述方法可以高良率地從形成用基板101剝離被剝離層110。

然後，也可以在被剝離層110的剝離面一側使用黏合層132貼合基板131(圖1E)。黏合層132可以適用可用於黏合層122的材料。基板131可以適用可用於基板121的材料。

藉由作為基板121及基板131都使用撓性基板，可以製造撓性層疊體。當基板121被用作臨時支撐基板時，也可以將基板121和被剝離層110分離，將被剝離層110貼合到其他基板(例如，撓性基板)。

在此，作為基板131及黏合層132使用具有可見光透過性的材料時，由基板131、黏合層132、氧化物層111、第一層103和第二層104構成的疊層結構的在450nm至700nm的波長範圍的平均光穿透率為70%以上或80%以上。該疊層結構也可以包括被剝離層110所包括的其他絕緣層。

如上所述，在本發明的一個實施方式的剝離方法中，藉由在包含一氧化二氮及矽烷的氛圍下進行電漿處理，可以在剝離層上形成極薄的氧化物層。由此，可以製造光提取效率高的發光裝置或顯示裝置。或者，可以製造可靠性高的半導體裝置等。而且，在本發明的一個實施方式的剝離方法中，藉由在包含一氧化二氮、矽烷及氨的氛圍下進行該電漿處理，可以減薄能夠因加熱而釋放氫或氮的層。因此，可以同時實現剝離性的提高和生產性的提高。藉由提高剝離性，可以提高剝離製程中的良率。

由於本發明的一個實施方式的剝離方法能夠藉由在形成用基板上形成功能元件之後進行剝離來實現撓性化，因此對形成功能元件的製程中的溫度幾乎沒有限制。因此，可以在耐熱性較差的撓性基板上高良率地製造以高溫製程製造的可靠性極高的功能元件。

本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。

實施方式2

在本實施方式中，參照圖式對本發明的一個實施方式的發光裝置進行說明。

在本實施方式中雖然主要例示出使用有機EL元件的發光裝置，但是本發明的一個實施方式不侷限於此。本發明的一個實施方式還包括本實施方式後面所例示出的使用其它發光元件或顯示元件的發光裝置或顯示裝置。另外，本發明的一個實施方式不侷限於發光裝置及顯示裝置，而可以適用於半導體裝置、輸入輸出裝置等各種裝置。

〈具體例子1〉

圖2A示出發光裝置的平面圖，圖2C示出沿著圖2A中的點劃線A1-A2間的截面圖的一個例子。具體例子1所示的發光裝置為採用濾色片方式的頂部發射型發光裝置。在本實施方式中，發光裝置例如可以採用：用R(紅色)、G(綠色)、B(藍色)三種顏色的子像素呈現一個顏色的結構；用R、G、B、W(白色)四種顏色的子像素呈現一個顏色的結構；以及用R、G、B、Y(黃色)四種顏色的子像素呈現一個顏色的結構等。對顏色要素沒有特別的限制，也可以使用RGBWY以外的顏色，例如也可以使用青色(cyan)、洋紅色(magenta)等。

圖2A所示的發光裝置包括發光部804、驅動電路部806以及FPC808。

圖2C所示的發光裝置包括基板701、黏合層703、氧化物層704、絕緣層705、多個電晶體、導電層857、絕緣層815、絕緣層817、多個發光元件、絕緣層821、黏合層822、彩色層845、遮光層847、絕緣層715、氧化物層714、黏合層713以及基板711。黏合層822、絕緣層715、氧化物層714、黏合層713以及基板 711使可見光透過。包括在發光部804及驅動電路部806中的發光元件或電晶體由基板701、基板711以及黏合層822密封。

在對氧化物層704的黏合層703一側的面或氧化物層714的黏合層713一側的面進行的XPS分析中，源自於WO_x(2x<3)及鎢氮化物的W4f軌域的峰值中強度最大的峰值的強度較佳為源自於WO₃的W4f軌域的峰值中強度最大的峰值的0.60倍以上。或者，源自於WO_x(2x<3)及鎢氮化物的W4f軌域的峰值中強度最大的峰值的強度較佳為比源自於WO₃的W4f軌域的峰值中強度第二大的峰值的強度大。

為了實現光提取效率高的發光裝置，基板711、黏合層713、氧化物層714、絕緣層715的疊層結構的在450nm至700nm的波長範圍的平均光穿透率較佳為70%以上，更佳為80%以上。

氧化物層704的厚度例如為1nm以上且小於5nm。氧化物層714的厚度例如為1nm以上且小於5nm。

為了抑制電晶體820等的特性變動，氧化物層704較佳為具有充分的絕緣性。氧化物層704的電阻率例如為1.0×10⁴Ω．m以上且1.0×10¹⁵Ω．m以下。

較佳為在絕緣層705中從氧化物層704一側依次層疊有第一層和第二層。較佳為在絕緣層715中從氧化物層714一側依次層疊有第一層和第二層。關於第一層和第二層的結構可以參照實施方式1的內容。

絕緣層705較佳為具有藉由SIMS檢測出的氫濃度為1.0×10²⁰atoms/cm³以上且1.0×10²²atoms/cm³以下的區域。絕緣層705較佳為具有藉由SIMS檢測出的氮濃度為5.0×10²⁰atoms/cm³以上且1.0×10²³atoms/cm³以下的區域。

絕緣層715較佳為具有藉由SIMS檢測出的氫濃度為1.0×10²⁰atoms/cm³以上且1.0×10²²atoms/cm³以下的區域。絕緣層715較佳為具有藉由SIMS檢測出的氮濃度為5.0×10²⁰atoms/cm³以上且1.0×10²³atoms/cm³以下的區域。

在發光部804中，在基板701上隔著黏合層703、氧化物層704及絕緣層705包括電晶體820及發光元件830。發光元件830包括絕緣層817上的下部電極831、下部電極831上的EL層833以及EL層833上的上部電極835。下部電極831與電晶體820的源極電極或汲極電極電連接。下部電極831的端部由絕緣層821覆蓋。下部電極831較佳為反射可見光。上部電極835使可見光透過。

此外，發光部804包括與發光元件830重疊的彩色層845及與絕緣層821重疊的遮光層847。在發光元件830與彩色層845之間填充有黏合層822。

絕緣層815具有抑制雜質擴散到構成電晶體的半導體中的效果。另外，為了減少起因於電晶體的表面凹凸，作為絕緣層817較佳為選擇具有平坦化功能的絕緣層。

在驅動電路部806中，在基板701上隔著黏合層703及絕緣層705包括多個電晶體。圖2C示出驅動電路部806所具有的電晶體中的一個電晶體。

使用黏合層703將絕緣層705與基板701貼合。此外，使用黏合層713將絕緣層715與基板711貼合。當絕緣層705或絕緣層715使用防潮性高的膜時，由於能夠抑制水等雜質侵入發光元件830或電晶體820中，發光裝置的可靠性得到提高，所以是較佳的。

導電層857與將來自外部的信號(視訊信號、時脈信號、啟動信號或重設信號等)或電位傳達給驅動電路部806的外部輸入端子電連接。在此，示出作為外部輸入端子設置FPC808的例子。為了防止製造步驟的數量的增加，導電層857較佳為使用與用於發光部或驅動電路部的電極或佈線相同的材料、相同的步驟製造。在此，說明使用與構成電晶體820的電極相同的材料、相同的步驟製造導電層857的例子。

在圖2C所示的發光裝置中，FPC808位於基板711上。連接器825藉由設置於基板711、黏合層713、氧化物層714、絕緣層715、黏合層822、絕緣層817及絕緣層815中的開口與導電層857連接。另外，連接器825連接於FPC808。FPC808與導電層857經由連接器825電連接。當導電層857與基板711重疊時，藉由在基板711中形成開口(或者使用具有開口部的基板)，可以使導電層857、連接器825及FPC808電連接。

〈具體例子2〉

圖2B示出發光裝置的平面圖，圖3A示出沿著圖2B中的點劃線A3-A4間的截面圖的一個例子。具體例子2所示的發光裝置為與具體例子1不同的採用濾色片方式的頂部發射型發光裝置。在此，只說明與具體例子1不同之處，省略說明與具體例子1相同之處。

圖3A所示的發光裝置與圖2C所示的發光裝置的不同之處在於以下。

圖3A所示的發光裝置包括絕緣層817a及絕緣層817b，在絕緣層817a上具有導電層856。電晶體820的源極電極或汲極電極與發光元件830的下部電極隔著導電層856電連接。

圖3A所示的發光裝置在絕緣層821上包括隔離體823。藉由設置隔離體823，可以調整基板701與基板711之間的間隔。

圖3A所示的發光裝置包括覆蓋彩色層845及遮光層847的保護層849。在發光元件830與保護層849之間填充有黏合層822。

另外，在圖3A所示的發光裝置中，基板701與基板711具有不同尺寸。FPC808位於絕緣層715上，不重疊於基板711。連接器825藉由設置於氧化物層714、絕緣層715、黏合層822、絕緣層817a及絕緣層 815中的開口與導電層857連接。因為不需要在基板711中設置開口，所以對基板711的材料沒有限制。

另外，如圖3B所示，發光元件830也可以在下部電極831與EL層833之間包括光學調整層832。作為光學調整層832較佳為使用具有透光性的導電性材料。由於濾色片(彩色層)與微腔結構(光學調整層)的組合，所以能夠從本發明的一個實施方式的發光裝置取出色純度高的光。使光學調整層的厚度根據各子像素的發光顏色變化，即可。

〈具體例子3〉

圖2B為發光裝置的平面圖，圖3C為沿著圖2B中的點劃線A3-A4間的截面圖的一個例子。具體例子3所示的發光裝置為採用分別著色方式的頂部發射型的發光裝置。

圖3C所示的發光裝置包括基板701、黏合層703、氧化物層704、絕緣層705、多個電晶體、導電層857、絕緣層815、絕緣層817、多個發光元件、絕緣層821、隔離體823、黏合層822及基板711。黏合層822及基板711使可見光透過。

與具體例子1相同，在對氧化物層704的黏合層703一側的面進行的XPS分析中，源自於WO_x(2x<3)或鎢氮化物的W4f軌域的峰值中強度最大的峰值的強度較佳為源自於WO₃的W4f軌域的峰值中強度最大的峰值的0.60倍以上。或者，源自於WO_x(2x<3)或鎢氮化物的W4f軌域的峰值中強度最大的峰值的強度較佳為比源自於WO₃的W4f軌域的峰值中強度第二大的峰值的強度大。

氧化物層704的厚度例如為1nm以上且小於5nm。

較佳為在絕緣層705中從氧化物層704一側依次層疊有第一層和第二層。

在圖3C所示的發光裝置中，連接器825位於絕緣層815上。連接器825藉由設置在絕緣層815中的開口與導電層857連接。此外，連接器825連接於FPC808。FPC808與導電層857藉由連接器825電連接。

〈具體例子4〉

圖2B示出發光裝置的平面圖，圖4A示出沿著圖2B中的點劃線A3-A4間的截面圖的一個例子。具體例子4 所示的發光裝置為使用濾色片方式的底部發射型發光裝置。

圖4A所示的發光裝置包括基板701、黏合層703、氧化物層704、絕緣層705、多個電晶體、導電層857、絕緣層815、彩色層845、絕緣層817a、絕緣層817b、導電層856、多個發光元件、絕緣層821、黏合層822以及基板711。基板701、黏合層703、氧化物層704、絕緣層705、絕緣層815、絕緣層817a及絕緣層817b使可見光透過。

在對氧化物層704的黏合層703一側的面進行的XPS分析中，源自於WO_x(2x<3)或鎢氮化物的W4f軌域的峰值中強度最大的峰值的強度較佳為源自於WO₃的W4f軌域的峰值中強度最大的峰值的0.60倍以上。或者，源自於WO_x(2x<3)或鎢氮化物的W4f軌域的峰值中強度最大的峰值的強度較佳為比源自於WO₃的W4f軌域的峰值中強度第二大的峰值的強度大。

為了實現光提取效率高的發光裝置，基板701、黏合層703、氧化物層704、絕緣層705的疊層結構的在450nm至700nm的波長範圍的平均光穿透率較佳為70%以上，更佳為80%以上。

氧化物層704的厚度例如為1nm以上且小於5nm。

較佳為在絕緣層705中從氧化物層704一側依次層疊有第一層和第二層。絕緣層705較佳為具有藉由SIMS檢測出的氫濃度為1.0×10²⁰atoms/cm³以上且1.0×10²²atoms/cm³以下的區域。絕緣層705較佳為具有藉由SIMS檢測出的氮濃度為5.0×10²⁰atoms/cm³以上且1.0×10²³atoms/cm³以下的區域。

發光部804在基板701上隔著黏合層703、氧化物層704及絕緣層705包括電晶體820、電晶體824及發光元件830。發光元件830包括絕緣層817b上的下部電極831、下部電極831上的EL層833以及EL層833上的上部電極835。下部電極831與電晶體820的源極電極或汲極電極電連接。下部電極831的端部由絕緣層821覆蓋。上部電極835較佳為反射可見光。下部電極831透射可見光。對設置與發光元件830重疊的彩色層845的位置沒有特別的限制，例如可以設置在絕緣層817a與絕緣層817b之間或設置在絕緣層815與絕緣層817a之間等。

在驅動電路部806中，在基板701上隔著黏合層703及絕緣層705形成有多個電晶體。圖4A示出驅動電路部806所具有的電晶體中的兩個電晶體。

使用黏合層703將絕緣層705與基板701貼合。當作為絕緣層705使用防潮性高的膜時，由於能夠抑制水等雜質侵入發光元件830、電晶體820、電晶體824中，發光裝置的可靠性得到提高，所以是較佳的。

導電層857與將來自外部的信號或電位傳達給驅動電路部806的外部輸入端子電連接。此處，描述了其中設置了FPC808作為外部輸入端子的示例。在此，示出使用與導電層856相同的材料、相同的步驟製造導電層857的例子。

〈具體例子5〉

圖4B為與具體例子1至具體例子4不同的發光裝置的例子。

圖4B所示的發光裝置包括基板701、黏合層703、氧化物層704、絕緣層705、導電層814、導電層857a、導電層857b、發光元件830、絕緣層821、黏合層822以及基板711。

導電層857a及導電層857b是發光裝置的外部連接電極，並且可以與FPC等電連接。

發光元件830包括下部電極831、EL層833以及上部電極835。下部電極831的端部由絕緣層821覆蓋。發光元件830可以採用底部發射結構、頂部發射結構或雙發射結構。取出光一側的電極、基板、絕緣層等都使可見光透過。導電層814與下部電極831電連接。

在圖4B中說明發光元件830為底部發射型時的例子。絕緣層705及氧化物層704的較佳結構與具體例子4相同。

在取出光一側的基板中，作為光提取結構可以具有半球透鏡、微透鏡陣列、具有凹凸結構的薄膜或光擴散薄膜等。例如，藉由使用具有與該基板、該透鏡或該薄膜相同程度的折射率的黏合劑等將上述透鏡或薄膜黏合於樹脂基板上，可以形成具有光提取結構的基板。

雖然導電層814不一定必須設置，但因為導電層814可以抑制起因於下部電極831的電阻的電壓下降，所以較佳為設置。另外，出於相似的目的，也可以在絕緣層821、EL層833或上部電極835上等設置與上部電極835電連接的導電層。

導電層814可以藉由使用選自銅、鈦、鉭、鎢、鉬、鉻、釹、鈧、鎳和鋁中的材料或以這些材料為主要成分的合金材料等，以單層或疊層形成。可以將導電層814的厚度例如設定為0.1μm以上且3μm以下，較佳為0.1μm以上且0.5μm以下。

〈材料的例子〉

接下來，說明可用於發光裝置的材料。注意，有時省略說明本說明書中的前面已說明的組件。

作為基板，可以使用玻璃、石英、有機樹脂、金屬、合金等材料。提取發光元件的光一側的基板使用使該光透過的材料。

尤其是，較佳為使用撓性基板。例如，可以使用有機樹脂或其厚度為允許具有撓性的程度的玻璃、金屬、合金。

由於有機樹脂的比重小於玻璃，因此藉由作為撓性基板使用有機樹脂，與作為撓性基板使用玻璃的情況相比，能夠使發光裝置的重量更輕，所以是較佳的。

基板較佳為使用韌性高的材料。由此，能夠實現耐衝擊性高的不易損壞的發光裝置。例如，藉由使用有機樹脂基板、厚度小的金屬基板或合金基板，與使用玻璃基板的情況相比，能夠實現輕量且不易損壞的發光裝置。

由於金屬材料以及合金材料的導熱性高，並且容易將熱傳導到基板整體，因此能夠抑制發光裝置的局部的溫度上升，所以是較佳的。使用金屬材料或合金材料的基板的厚度較佳為10μm以上且200μm以下，更佳為20μm以上且50μm以下。

對於構成金屬基板或合金基板的材料沒有特別的限制，例如，較佳為使用鋁、銅、鎳、鋁合金或不鏽鋼等金屬的合金等。

另外，當作為基板使用熱發射率高的材料時，能夠抑制發光裝置的表面溫度上升，從而能夠抑制發光裝置的損壞及可靠性的下降。例如，基板也可以採用金屬基板與熱發射率高的層(例如，可以使用金屬氧化物或陶瓷材料)的疊層結構。

作為具有撓性以及透光性的材料，例如包含如下材料：聚酯樹脂諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等、聚丙烯腈樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、聚醚碸(PES)樹脂、聚醯胺樹脂(尼龍、芳族聚醯胺等)、聚環烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺-醯亞胺樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚四氟乙烯(PTFE)樹脂等。尤其較佳為使用線膨脹係數低的材料，例如較佳為使用聚醯胺-醯亞胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂以及PET等。另外，也可以使用將樹脂浸滲於纖維體中的基板(也稱為預浸料)或將無機填料混合到有機樹脂中來降低線膨脹係數的基板。

撓性基板可以是疊層結構，其中層疊使用上述材料的層與保護發光裝置的表面免受損傷等的硬塗層(例如，氮化矽層等)或能夠分散壓力的材料的層(例如，芳族聚醯胺樹脂層等)等。

作為撓性基板也可以使用層疊多個層的撓性基板。特別是，藉由採用具有玻璃層的結構，可以提高對水或氧的阻擋性而提供可靠性高的發光裝置。

例如，可以使用從離發光元件近的一側層疊有玻璃層、黏合層及有機樹脂層的撓性基板。將該玻璃層的厚度設定為20μm以上且200μm以下，較佳為25μm以上且100μm以下。這種厚度的玻璃層可以同時實現對水或氧的高阻擋性和撓性。此外，有機樹脂層的厚度為10μm以上且200μm以下，較佳為20μm以上且50μm以下。藉由在玻璃層的外側設置這種有機樹脂層，可以抑制玻璃層的破裂或裂縫來提高機械強度。藉由將這種玻璃材料和有機樹脂的複合材料應用於基板，可以實現可靠性極高的撓性發光裝置。

作為黏合層，可以使用紫外線固化黏合劑等光固化黏合劑、反應固化黏合劑、熱固性黏合劑、厭氧黏合劑等各種固化黏合劑。作為這些黏合劑，包含環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛樹脂、聚醯亞胺樹脂、醯亞胺樹脂、PVC(聚氯乙烯)樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)樹脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)樹脂等。尤其較佳為使用環氧樹脂等透濕性低的材料。另外，也可以使用兩液混合型樹脂。此外，也可以使用黏合薄片等。

另外，在上述樹脂中也可以包含乾燥劑。例如，可以使用鹼土金屬的氧化物(氧化鈣或氧化鋇等)那樣的藉由化學吸附吸附水分的物質。或者，也可以使用沸石或矽膠等藉由物理吸附來吸附水分的物質。當在樹脂中包含乾燥劑時，能夠抑制水分等雜質侵入功能元件，從而提高發光裝置的可靠性，所以是較佳的。

此外，藉由在上述樹脂中混合折射率高的填料或光散射構件，可以提高發光元件的光提取效率。例如，可以使用氧化鈦、氧化鋇、沸石、鋯等。

絕緣層705或絕緣層715也可以具有防止雜質擴散到發光元件的功能。例如，絕緣層705或絕緣層715較佳為具有高防潮性。

作為防潮性高的絕緣膜，除了在實施方式1中說明的氮化矽膜、氮氧化矽膜、氧氮化矽膜等含有氮與矽的膜或氧化矽膜以外，還可包含氮化鋁膜等含有氮與鋁的膜或氧化鋁膜等。另外，還可以使用氧化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜等。

例如，將水蒸氣透過量設定為1×10^-5[g/(m²．day)]以下，較佳為1×10^-6[g/(m²．day)]以下，更佳為1×10^-7[g/(m²．day)]以下，進一步較佳為1×10^-8[g/(m²．day)]以下。

在發光裝置中，絕緣層705及絕緣層715中的至少一個需要使發光元件的發光透過。較佳為絕緣層705與絕緣層715中之一的使發光元件透過的發光一側的絕緣層的波長400nm以上且800nm以下中的平均光穿透率比另一個絕緣層高。

絕緣層705及絕緣層715較佳為包含氧、氮及矽。例如，絕緣層705及絕緣層715較佳為具有氧氮化矽。此外，絕緣層705及絕緣層715較佳為具有氮化矽或氮氧化矽。此外，絕緣層705及絕緣層715較佳為具有氧氮化矽膜及氮化矽膜的疊層結構，該氧氮化矽膜及該氮化矽膜較佳為彼此接觸。藉由將氧氮化矽膜與氮化矽膜交替地層疊，而使相反位相的干涉發生在可見區域中，能夠提高疊層體的可見區域中的透射率。

對發光裝置所具有的電晶體的結構沒有特別的限制。例如，可以採用交錯型電晶體或反交錯型電晶體。此外，還可以採用頂閘極型或底閘極型的電晶體結構。對於用於電晶體的半導體材料沒有特別的限制，例如包含矽、鍺及有機半導體等。或者，也可以使用包含銦、鎵和鋅中的至少一個的氧化物半導體諸如In-Ga-Zn類金屬氧化物等。

對用於電晶體的半導體材料的結晶性也沒有特別的限制，可以使用非晶半導體或結晶半導體(微晶半導體、多晶半導體、單晶半導體或其一部分具有結晶區域的半導體)。當使用結晶半導體時可以抑制電晶體的特性劣化，所以是較佳的。

為了實現電晶體的特性穩定化等，較佳為設置基底膜。作為基底膜，可以使用氧化矽膜、氮化矽膜、氧氮化矽膜、氮氧化矽膜等無機絕緣膜並以單層或疊層製造。基底膜可以藉由濺射法、CVD(Chemical Vapor Deposition：化學氣相沉積)法(電漿CVD法、熱CVD法、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金屬化學氣相沉積)法等)或ALD(Atomic Layer Deposition：原子層沉積)法、塗佈法、印刷法等形成。注意，基底膜若不需要則也可以不設置，此時絕緣層705可以兼用作電晶體的基底膜。

作為發光元件，可以使用能夠進行自發光的元件，並且在其範疇內包括由電流或電壓控制亮度的元件。例如，可以使用發光二極體(LED)、有機EL元件以及無機EL元件等。

發光元件可以採用頂部發射結構、底部發射結構或雙面發射結構。作為取出光一側的電極使用使可見光透過的導電膜。另外，作為不取出光一側的電極較佳為使用反射可見光的導電膜。

作為使可見光透過的導電膜，例如可以使用氧化銦、銦錫氧化物(ITO：Indium Tin Oxide)、銦鋅氧化物、氧化鋅(ZnO)、添加有鎵的氧化鋅等形成。另外，也可以藉由將金、銀、鉑、鎂、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅、鈀或鈦等金屬材料、包含這些金屬材料的合金或這些金屬材料的氮化物(例如，氮化鈦)等形成薄到具有透光性來使用。此外，可以使用上述材料的疊層膜作為導電層。例如，當使用銀和鎂的合金與ITO的疊層膜等時，可以提高導電性，所以是較佳的。另外，也可以使用石墨烯等。

作為反射可見光的導電膜，例如可以使用鋁、金、鉑、銀、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅或鈀等金屬材料或包含這些金屬材料的合金。另外，也可以在上述金屬材料或合金中添加有鑭、釹或鍺等。此外，反射可見光的導電膜可以使用鋁和鈦的合金、鋁和鎳的合金、鋁和釹的合金、鋁、鎳及鑭的合金(Al-Ni-La)等包含鋁的合金(鋁合金)以及銀和銅的合金、銀和鈀和銅的合金(Ag-Pd-Cu，還記載為APC)、銀和鎂的合金等包含銀的合金來形成。包含銀和銅的合金具有高耐熱性，所以是較佳的。並且，藉由以與鋁合金膜接觸的方式層疊金屬膜或金屬氧化物膜，可以抑制鋁合金膜的氧化。作為該金屬膜、該金屬氧化物膜的材料，可包含鈦、氧化鈦等。另外，也可以層疊上述使可見光透過的導電膜與由金屬材料構成的膜。例如，可以使用銀與ITO的疊層膜、銀和鎂的合金與ITO的疊層膜等。

各電極可以藉由利用蒸鍍法或濺射法形成。除此之外，也可以藉由利用噴墨法等噴出法、網版印刷法等印刷法、或者鍍法形成。

當在下部電極831與上部電極835之間施加高於發光元件的臨界電壓的電壓時，電洞從陽極一側注入到EL層833中，而電子從陰極一側注入到EL層833中。被注入的電子和電洞在EL層833中再結合，由此，包含在EL層833中的發光物質發光。

EL層833至少包括發光層。作為發光層以外的層，EL層833也可以還包括包含電洞注入性高的物質、電洞傳輸性高的物質、電洞阻擋材料、電子傳輸性高的物質、電子注入性高的物質或雙極性的物質(電子傳輸性及電洞傳輸性高的物質)等的層。

作為EL層833既可以使用低分子化合物，也可以使用高分子化合物，並還可以包含無機化合物。構成EL層833的層分別可以藉由蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、轉印法、印刷法、噴墨法、塗佈法等的方法形成。

發光元件830也可以包含兩種以上的發光物質。由此，例如能夠實現白色發光的發光元件。例如，藉由以使兩種以上的發光物質的各發光成為補色關係的方式選擇發光物質，來能夠得到白色發光。例如，可以使用呈現R(紅)、G(綠)、B(藍)、Y(黃)或O(橙)等發光的發光物質或呈現包含R、G及B中之兩種以上的顏色的光譜成分的發光的發光物質。例如，也可以使用呈現藍色發光的發光物質及呈現黃色發光的發光物質。此時，呈現黃色發光的發光物質的發光光譜較佳為包含綠色及紅色的光譜成分。另外，發光元件830的發光光譜較佳為在可見區域(例如為350nm以上且750nm以下，或400nm以上且800nm以下等)的範圍內具有兩個以上的峰值。

EL層833也可以具有多個發光層。在EL層833中，既可以彼此接觸地層疊多個發光層，又可以隔著剝離層層疊。例如，也可以在螢光發光層與磷光發光層之間設置剝離層。

設置剝離層以用來例如防止從在磷光發光層中生成的磷光材料的激發狀態到螢光發光層中的螢光材料的由於Dexter機制所引起的能量轉移(尤其是三重態能量轉移)。剝離層具有幾nm左右的厚度即可。明確而言，0.1nm以上且20nm以下，或1nm以上且10nm以下，或1nm以上且5nm以下。剝離層包含單個材料(較佳為雙極性物質)，或者多個材料(較佳為電洞傳輸性材料及電子傳輸性材料)。

剝離層也可以使用與該剝離層接觸的發光層所包含的材料來形成。由此，可以容易製造發光元件，並且驅動電壓降低。例如，在磷光發光層由主體材料、輔助材料及磷光材料(客體材料)構成的情況下，也可以使用該主體材料及輔助材料形成剝離層。換言之，剝離層具有不包含磷光材料的區域，磷光發光層具有包含磷光材料的區域。由此，能夠根據磷光材料的有無對剝離層及磷光發光層進行蒸鍍。另外，藉由採用這種結構，能夠在同一個小室中形成剝離層及磷光發光層。由此，能夠減少製造成本。

此外，發光元件830也可以是包括一個EL層的單元件，又可以是包括隔著電荷產生層層疊的多個EL層的串聯元件。

發光元件較佳為設置於一對防潮性高的絕緣膜之間。由此，能夠抑制水等雜質侵入發光元件中，從而能夠抑制發光裝置的可靠性下降。明確而言，如上所述，當作為絕緣層705及絕緣層715使用防潮性高的絕緣膜時，發光元件位於一對防潮性高的絕緣膜之間，因此可以抑制發光裝置的可靠性下降。

作為絕緣層815，例如可以使用氧化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜等無機絕緣膜。另外，作為絕緣層817、絕緣層817a以及絕緣層817b，例如分別可以使用聚醯亞胺、丙烯酸樹脂、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、苯并環丁烯類樹脂等有機材料。還可以使用低介電常數材料(low-k材料)等。此外，也可以層疊多個絕緣膜來形成各絕緣層。

絕緣層821使用有機絕緣材料或無機絕緣材料形成。作為樹脂，例如，可以使用聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、丙烯酸樹脂、矽氧烷樹脂、環氧樹脂或酚醛樹脂等。尤其是，較佳為使用感光性的樹脂材料在下部電極831上形成開口部，並且將絕緣層821的側壁形成為具有曲率的傾斜面。

雖然對絕緣層821的形成方法沒有特別的限制，但可以利用光微影法、濺射法、蒸鍍法、液滴噴射法(噴墨法等)、印刷法(網版印刷、平板印刷等)等。

隔離體823可以使用無機絕緣材料、有機絕緣材料或金屬材料等形成。例如，作為無機絕緣材料及有機絕緣材料，可包含可用於上述絕緣層的各種材料。此外，作為金屬材料可以使用鈦、鋁等。藉由使包含導電材料的隔離體823與上部電極835電連接，能夠抑制起因於上部電極835的電阻的電位下降。另外，隔離體823的形狀可以為正錐形或反錐形。

作為用作電晶體的電極或佈線、或者發光元件的輔助電極等的用於發光裝置的導電層，例如可以藉由使用鉬、鈦、鉻、鉭、鎢、鋁、銅、釹、鈧等金屬材料或含有上述元素的合金材料並以單層或疊層形成。另外，導電層可以使用導電金屬氧化物形成。作為導電金屬氧化物，可以使用氧化銦(In₂O₃等)、氧化錫(SnO₂等)、ZnO、ITO、銦鋅氧化物(In₂O₃-ZnO等)或者在這些金屬氧化物材料中含有氧化矽的材料。

彩色層是使特定波長範圍的光透過的有色層。例如，可以使用使紅色波長範圍的光、綠色波長範圍的光、藍色波長範圍的光、黃色波長範圍的光透過的濾色片等。各彩色層藉由使用各種材料並利用印刷法、噴墨法、使用光微影法技術的蝕刻方法等在所需的位置形成。此外，也可以在白色子像素中，與發光元件重疊地設置透明樹脂。

遮光層設置在相鄰的彩色層之間。遮光層遮擋從相鄰的發光元件射出的光，從而抑制相鄰的發光元件之間的混色。這裡，藉由以其端部與遮光層重疊的方式設置彩色層，可以抑制漏光。遮光層可以使用遮擋從發光元件發射的光的材料，例如可以使用包含金屬材料以及顏料或染料的樹脂材料等形成黑矩陣。另外，藉由將遮光層設置於驅動電路部等發光部之外的區域中，可以抑制起因於導光等的非意圖的漏光，所以是較佳的。

保護層可以防止包含在彩色層中的雜質等擴散到發光元件。保護層由透射從發光元件發射的光的材料構成，例如可以使用氮化矽膜、氧化矽膜等無機絕緣膜或丙烯酸樹脂膜、聚醯亞胺膜等有機絕緣膜，也可以採用有機絕緣膜與無機絕緣膜的疊層結構。

此外，當將黏合層的材料塗佈於彩色層及遮光層上時，作為保護層的材料較佳為使用對黏合層的材料具有高潤濕性的材料。例如，作為保護層，較佳為使用ITO膜等氧化物導電膜或其厚度小得足以具有透光性的Ag膜等金屬膜。

作為連接器，可以使用各種異方性導電膜 (ACF：Anisotropic Conductive Film)、異方性導電膏(ACP：Anisotropic Conductive Paste)等。

如上所述，本發明的一個實施方式可以適用於發光裝置、顯示裝置、照明設備等的各種裝置。

另外，將本發明的一個實施方式的發光裝置既可以用作顯示裝置，又可以用作照明設備。例如，也可以用作背光源或前光源等光源，亦即，用於顯示面板的照明設備。

以上，如本實施方式所示，因為在本發明的一個實施方式中包括極薄的氧化物層，所以能夠高良率地製造光提取效率高的發光裝置或顯示裝置。另外，因為在本發明的一個實施方式中包括極薄的氧化物層，所以能夠高良率地製造半導體元件等的特性變動得到抑制的可靠性高的半導體裝置等裝置。

本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。

實施方式3

在本實施方式中，使用圖式說明本發明的一個實施方式的輸入輸出裝置。另外，在輸入輸出裝置所包括的組件中，關於與實施方式2所說明的發光裝置相似的組件，可以參照上面的記載。此外，雖然在本實施方式中例示出使用發光元件的輸入輸出裝置，但是不侷限於此。在本實施方式中說明的輸入輸出裝置也可以被稱為觸控面板。

因為在本發明的一個實施方式中包括極薄的氧化物層，所以能夠高良率地製造光提取效率高的輸入輸出裝置。另外，因為在本發明的一個實施方式中包括極薄的氧化物層，所以能夠高良率地製造半導體元件或觸控感測器等的特性變動得到抑制的可靠性高的輸入輸出裝置等裝置。

〈結構實例1〉

圖5A是輸入輸出裝置的俯視圖。圖5B是沿著圖5A中的點劃線A-B及點劃線C-D的截面圖。圖5C是沿著圖5A中的點劃線E-F的截面圖。

圖5A所示的輸入輸出裝置390包括顯示部301(兼作輸入部)、掃描線驅動電路303g(1)、成像像素驅動電路303g(2)、影像信號線驅動電路303s(1)及成像信號線驅動電路303s(2)。

顯示部301包括多個像素302及多個成像像素308。

像素302包括多個子像素。每個子像素包括發光元件及像素電路。

像素電路可以供應驅動發光元件的電力。像素電路與能夠供應選擇信號的佈線電連接。此外，像素電路與能夠供應影像信號的佈線電連接。

掃描線驅動電路303g(1)能夠對像素302供應選擇信號。

影像信號線驅動電路303s(1)能夠對像素302供應影像信號。

使用成像像素308能夠構成觸控感測器。明確而言，成像像素308能夠感測出接觸於顯示部301的手指等。

成像像素308包括光電轉換元件及成像像素電路。

成像像素電路能夠驅動光電轉換元件。成像像素電路與能夠供應控制信號的佈線電連接。此外，成像像素電路與能夠供應電源電位的佈線電連接。

作為控制信號，例如可包含能夠選擇用於讀出所記錄的成像信號的成像像素電路的信號、能夠使成像像素電路初始化的信號以及能夠決定成像像素電路感測光的時間的信號等。

成像像素驅動電路303g(2)能夠對成像像素308供應控制信號。

成像信號線驅動電路303s(2)能夠讀出成像信號。

如圖5B及圖5C所示，輸入輸出裝置390包括基板701、黏合層703、氧化物層704、絕緣層705、基板711、黏合層713、氧化物層714及絕緣層715。此外，基板701與基板711由黏合層360貼合。

基板701與氧化物層704由黏合層703貼合。此外，基板711與氧化物層714由黏合層713貼合。

關於用於基板、黏合層、氧化物層及絕緣層的材料，可以參照實施方式2。

像素302包括子像素302R、子像素302G及子像素302B(圖5C)。

例如，子像素302R包括發光元件350R及像素電路。像素電路包括能夠對發光元件350R供應電力的電晶體302t。子像素302R還包括光學元件(例如，使紅色光透過的彩色層367R)。

發光元件350R包括依次層疊的下部電極351R、EL層353及上部電極352(圖5C)。

EL層353包括依次層疊的第一EL層353a、中間層354及第二EL層353b。

另外，為了高效地取出特定波長的光，可以在發光元件350R中設置微腔結構。明確而言，也可以在為了高效地取出特定光設置的反射可見光的膜與半反射半透射膜之間設置EL層。

子像素302R包括與發光元件350R及彩色層367R接觸的黏合層360。

彩色層367R位於與發光元件350R重疊的位置。由此，發光元件350R所發射的光的一部分透過黏合層360及彩色層367R，而如圖5B或圖5C中的箭頭的方向發射到子像素302R的外部。

輸入輸出裝置390包括遮光層367BM。以包圍著彩色層(例如彩色層367R)的方式設置有遮光層 367BM。

輸入輸出裝置390將反射防止層367p設置在與顯示部301重疊的位置。作為反射防止層367p，例如可以使用圓偏光板。

輸入輸出裝置390包括絕緣層321。絕緣層321覆蓋電晶體302t等。另外，可以將絕緣層321用作使起因於像素電路或成像像素電路的凹凸平坦化的層。此外，可以將能夠抑制雜質向電晶體302t等擴散的絕緣層用於絕緣層321。

輸入輸出裝置390包括與下部電極351R的端部重疊的分隔壁328。此外，在分隔壁328上包括用來控制基板701與基板711之間的間隔的隔離體329。

影像信號線驅動電路303s(1)包括電晶體303t及電容器303c。另外，驅動電路可以藉由與像素電路相同的製程形成在與像素電路相同的基板上。如圖5B所示，電晶體303t可以在絕緣層321上設置有第二閘極304。既可使第二閘極304與電晶體303t的閘極電連接，又可對第二閘極304以及電晶體303t的閘極施加不同的電位。另外，若需要，則可以在電晶體308t及電晶體302t等中分別設置第二閘極304。

成像像素308包括光電轉換元件308p及成像像素電路。成像像素電路可以感測出照射到光電轉換元件308p的光。成像像素電路包括電晶體308t。

例如，可以將pin型光電二極體用於光電轉換元件308p。

輸入輸出裝置390包括能夠供應信號的佈線311，並且佈線311設置有端子319。能夠供應影像信號及同步信號等信號的FPC309與端子319電連接。該FPC309也可以安裝有印刷線路板(PWB)。

另外，可以藉由相同的製程形成電晶體302t、電晶體303t及電晶體308t等電晶體。或者，這些電晶體也可以藉由彼此不同的製程形成。

〈結構實例2〉

圖6A及圖6B是輸入輸出裝置505的透視圖。為了簡明，圖6A及圖6B僅說明主要的組件。圖7A至圖7C是沿著圖6A中的點劃線X1-X2的截面圖。

如圖6A及圖6B所示，輸入輸出裝置505包括顯示部501、掃描線驅動電路303g(1)及觸控感測器595等。另外，輸入輸出裝置505包括基板701、基板711及基板590。

輸入輸出裝置505包括多個像素及多個佈線311。多個佈線311能夠對像素供應信號。多個佈線311被引導在基板701的外周部，其一部分構成端子319。端子319與FPC509(1)電連接。

輸入輸出裝置505包括觸控感測器595及多個佈線598。多個佈線598與觸控感測器595電連接。多個佈線598被引導在基板590的外周部，其一部分構成端子。並且，該端子與FPC509(2)電連接。注意，為了容易理解，在圖6B中由實線表示設置在基板590的背面一側(與基板701相對的面一側)的觸控感測器595的電極或佈線等。

作為觸控感測器595，例如可以適用靜電電容式的觸控感測器。作為靜電電容式，有表面型靜電電容式、投射型靜電電容式等。在此，以下說明應用投射型靜電電容式觸控感測器的情況。

作為投射電容式觸控感測，有自電容式、互電容式等。較佳為使用互電容式，因為可以同時進行多點感測。

另外，對觸控感測器595可以適用可感測出手指等感測物件的靠近或接觸的各種感測器。

投射型靜電電容式觸控感測器595包括電極591及電極592。電極591與多個佈線598中的任一個電連接，電極592與多個佈線598中的其他的一個電連接。

如圖6A和圖6B所示，電極592具有在一個方向上反復地配置的多個四邊形在角部相互連接的形狀。

電極591是四邊形且在與電極592延伸的方向交叉的方向上反復地配置。多個電極591不一定配置得與一個電極592正交，也可以以它們之間的角度小於90°的方式設置。

佈線594以與電極592交叉的方式設置。佈線594使夾著一個電極592的兩個電極591電連接。此時，較佳為儘量使電極592與佈線594交叉部的面積小。由此，可以減少不設置電極的區域的面積，所以可以降低透射率的不均勻。其結果，可以減少透過觸控感測器595的光的亮度不均勻。

電極591及電極592的形狀不侷限於此，而可以具有各種形狀。例如，也可以採用如下結構：將多個帶狀第一電極配置為儘量沒有間隙，並且以與第一電極交叉的方式隔著絕緣層設置多個帶狀第二電極。此時，也可以間隔開地設置相鄰的兩個第二電極。並且，藉由在相鄰的兩個第二電極之間設置與這些電絕緣的虛擬電極，可以減少透射率不同的區域的面積，所以是較佳的。

如圖7A所示，輸入輸出裝置505包括基板701、黏合層703、氧化物層704、絕緣層705、基板711、黏合層713、氧化物層714及絕緣層715。此外，基板701及基板711由黏合層360貼合。

黏合層597以使觸控感測器595與顯示部501重疊的方式將基板590與基板711貼合在一起。黏合層597具有透光性。

電極591及電極592使用透光導電材料形成。作為透光導電材料，可以使用氧化銦、ITO、銦鋅氧化物、ZnO、添加有鎵的氧化鋅等導電氧化物。也可以使用包含石墨烯的膜。包含石墨烯的膜例如可以使形成為膜狀的氧化石墨烯還原而形成。作為還原方法，可以使用加熱等方法。

另外，用於電極591、電極592及佈線594等的導電膜，亦即，構成觸控面板的佈線或電極的材料的電阻值較佳較低。作為例子，可以使用ITO、銦鋅氧化物、ZnO、銀、銅、鋁、碳奈米管及石墨烯等。並且，也可以使用由極細的(例如，其直徑為幾奈米)多個導電體構成的金屬奈米線。作為例子，也可以使用Ag奈米線、Cu奈米線、或Al奈米線等。當使用Ag奈米線時，例如能夠實現89%以上的光透射率以及40Ω/□以上且100Ω/□以下的片狀電阻值。另外，由於透射率高，所以金屬奈米線、碳奈米管及石墨烯等可以用於顯示元件的電極，例如，像素電極或共同電極。

在藉由濺射法將透光導電材料形成在基板590上之後，可以藉由光微影法等各種圖案化技術去除不需要的部分來形成電極591及電極592。

電極591及電極592由絕緣層593覆蓋。此外，到達電極591的開口設置在絕緣層593中，並且佈線594使相鄰的電極591電連接。此外，因為可以提高輸入輸出裝置的開口率，所以作為佈線594較佳為使用透光導電材料。另外，由於其導電性比電極591及電極592高的材料可以減少電阻，所以可以適用於佈線594。

另外，藉由設置覆蓋絕緣層593及佈線594的絕緣層，可以保護觸控感測器595。

此外，連接層599使佈線598與FPC509(2)電連接。

顯示部501包括多個配置為矩陣狀的像素。因為像素與結構實例1相同，所以省略說明。

另外，可以將各種電晶體適用於輸入輸出裝置。在圖7A和圖7B中示出適用底閘極型電晶體時的結構。

例如，可以將包含氧化物半導體、非晶矽等的半導體層適用於圖7A所示的電晶體302t及電晶體303t。

例如，可以將包含利用雷射退火法等處理被結晶化的多晶矽的半導體層適用於圖7B所示的電晶體302t及電晶體303t。

另外，在圖7C中示出適用頂閘極型電晶體時的結構。

例如，可以將包含多晶矽或從單晶矽基板等轉置的單晶矽膜等的半導體層適用於圖7C所示的電晶體302t及電晶體303t。

〈結構實例3〉

圖8A至圖8C是輸入輸出裝置505B的截面圖。在本實施方式中說明的輸入輸出裝置505B與結構實例2的輸入輸出裝置505的不同之處在於：將被供應的影像資料顯示在設置有電晶體的一側；以及觸控感測器設置在顯示部的基板701一側。在此，僅對不同的結構進行詳細的說明，而關於可使用相同結構的部分，援用上述說明。

彩色層367R位於與發光元件350R重疊的位置。另外，圖8A所示的發光元件350R向設置有電晶體302t的一側射出光。由此，發光元件350R所發射的光的一部分透過彩色層367R，而發射到圖8A中的箭頭的方向上的輸入輸出裝置505B的外部。

輸入輸出裝置505B在射出光的方向上包括遮光層367BM。以包圍彩色層(例如為彩色層367R)的方式設置有遮光層367BM。

觸控感測器595設置在基板701一側，而非基板711一側(圖8A)。

黏合層597以使觸控感測器595與顯示部重疊的方式將基板590與基板701貼合。黏合層597具有透光性。

另外，在圖8A和圖8B中示出將底閘極型電晶體適用於顯示部501時的結構。

例如，可以將包含氧化物半導體、非晶矽等的半導體層適用於圖8A所示的電晶體302t及電晶體303t。

例如，可以將包含多晶矽等的半導體層適用於圖8B所示的電晶體302t及電晶體303t。

另外，在圖8C中示出適用頂閘極型電晶體時的結構。

例如，可以將包含多晶矽或從單晶矽基板轉置的單晶矽膜等的半導體層適用於圖8C所示的電晶體 302t及電晶體303t。

〈結構實例4〉

如圖9所示，輸入輸出裝置500TP包括重疊的顯示部500及輸入部600。圖10是沿著圖9中所示的點劃線Z1-Z2的截面圖。

下面，對輸入輸出裝置500TP的各組件進行說明。注意，有時無法明確區分上述組件，一個結構可能兼作其他結構或包含其他結構的一部分。另外，將顯示部500與輸入部600重疊的輸入輸出裝置500TP也稱為觸控面板。

輸入部600包括設置為矩陣狀的多個感測單元602。此外，輸入部600包括選擇信號線G1、控制線RES及信號線DL等。

選擇信號線G1及控制線RES與在列方向(在圖中以箭頭R表示)上配置的多個感測單元602電連接。信號線DL與在行方向(在圖中以箭頭C表示)上配置的多個感測單元602電連接。

感測單元602感測靠近或接觸的物體並供應感測信號。例如感測靜電電容、照度、磁力、電波或壓力等，供應根據所感測的物理量的資訊。明確而言，可以將電容元件、光電轉換元件、磁感測元件、壓電元件或諧振器等用於感測元件。

例如，感測單元602感測與靠近或接觸的物體之間的靜電電容的變化。

另外，在大氣中，當指頭等具有比大氣大的介電常數的物體靠近導電膜時，指頭與導電膜之間的靜電電容發生變化。藉由感測該靜電電容變化可以供應感測資料。

例如，靜電電容的變化引起導電膜和電容元件之間的電荷分佈，而使電容元件的兩端的電極的電壓發生變化。可以將該電壓變化用於感測信號。

感測單元602具備感測電路。感測電路與選擇信號線G1、控制線RES或信號線DL等電連接。

感測電路包括電晶體或/及感測元件等。例如作為感測電路可以使用導電膜、以及電連接到該導電膜的電容元件。另外，作為感測電路也可以使用電容元件、以及電連接到該電容元件的電晶體。

在感測電路中，例如，也可以使用包括絕緣層653、夾有絕緣層653的第一電極651及第二電極652的電容元件650(參照圖10A)。當物體靠近與電容元件650的一個電極電連接的導電膜時，電容元件650的電極之間的電壓變化。

感測單元602包括可以根據控制信號處於開啟狀態或關閉狀態的開關。例如，可以將電晶體M12用作開關。

另外，可以將放大感測信號的電晶體用於感測單元602。

可以將以同一個製程製造的電晶體用於放大感測信號的電晶體及開關。由此，可以以簡化的製程提供輸入部600。

另外，感測單元包括設置為矩陣狀的多個窗戶部667。窗戶部667也可以使可見光透過且在多個窗戶部667之間配置遮光性的層BM。

輸入輸出裝置500TP在與窗戶部667重疊的位置包括彩色層。彩色層使預定顏色的光透過。注意，也可以將彩色層稱為濾色片。例如，可以使用使藍色光透過的彩色層367B、使綠色光透過的彩色層367G或使紅色光透過的彩色層367R。此外，也可以使用使黃色光透過的彩色層或使白色光透過的彩色層。

顯示部500包括設置為矩陣狀的多個像素302。像素302以與輸入部600的窗戶部667重疊的方式設置。也可以以比感測單元602高的解析度設置像素302。因為像素與結構實例1相同，所以省略說明。

輸入輸出裝置500TP包括使可見光透過的窗戶部667、具有設置為矩陣狀的多個感測單元602的輸入部600、以及具有重疊於窗戶部667的多個像素302的顯示部500，並且在窗戶部667和像素302之間包括彩色層。另外，在各感測單元中設置有用來降低感測單元之間的干涉的開關。

由此，可以將各感測單元感測出的感測資料與感測單元的位置資料一起供應。此外，也可以與顯示影像的像素的位置資料相關聯地供應感測資料。此外，藉由使不供應感測資料的感測單元與信號線不電性連接，可以減少對供應感測信號的感測單元的干涉。其結果，能夠提供一種方便性或可靠性高的輸入輸出裝置500TP。明確而言，輸入輸出裝置500TP的使用者可以使用接觸輸入部600的指頭等進行各種各樣的動作(輕按、拖動、滑動或者擠壓等)。

算術裝置根據程式等判斷被供應的資料是否滿足預定的條件，而執行與預定動作有關的指令。

由此，輸入部600的使用者藉由由指頭等進行預定動作，可以使算術裝置執行與預定動作有關的指令。

例如，在輸入輸出裝置500TP的輸入部600中，首先在能夠對一個信號線供應感測資料的多個感測單元中選擇一個感測單元X。然後，使除了感測單元X以外的其他感測單元與該一個信號線處於非導通狀態。由此，能夠減少其他感測單元所引起的對感測單元X的干涉。

由此，輸入輸出裝置500TP能夠與其尺寸無關地驅動感測單元而使它供應感測資料。例如，可以提供可以用於手持設備到可以用於電子黑板的各種尺寸的輸入輸出裝置500TP。

另外，輸入輸出裝置500TP可以處於折疊狀態及展開狀態。還有，即使在折疊狀態與展開狀態中，在其他感測單元所引起的對感測單元X的干涉不同的情況下，也能夠與輸入輸出裝置500TP的狀態無關地驅動感測單元而使它供應感測資料。

此外，輸入輸出裝置500TP的顯示部500可以被供應顯示資料。例如，算術裝置能夠供應顯示資料。

除了上述結構之外，輸入輸出裝置500TP也可以具有下面的結構。

輸入輸出裝置500TP也可以包括驅動電路603g或驅動電路603d。另外，輸入輸出裝置500TP(或驅動電路)也可以與FPC1電連接。

驅動電路603g例如可以以預定的時序供應選擇信號。明確而言，按預定的順序對每個選擇信號線G1供應選擇信號。可以將各種電路用於驅動電路603g。例如，也可以採用移位暫存器、正反器電路、以及組合電路等。

驅動電路603d根據感測單元602所供應的感測信號供應感測資料。可以將各種電路用於驅動電路603d。例如，可以將如下電路用於驅動電路603d，即藉由與設置在感測單元中的感測電路電連接，可以構成源極隨耦器電路或電流鏡電路的電路。驅動電路603d也可包括將感測信號轉換成數位信號的類比數位轉換電路。

FPC1供應時序信號及電源電位等，並且被供應感測信號。

輸入輸出裝置500TP也可以包括驅動電路503g、驅動電路503s、佈線311或端子319。此外，輸入輸出裝置500TP(或驅動電路)也可以與FPC2電連接。

此外，也可以包括防止受損傷的保護輸入輸出裝置500TP的保護層670。例如，可以將陶瓷塗層或硬塗層用作保護層670。明確而言，可以使用包含氧化鋁的層或者UV固化樹脂。

本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。

實施方式4

在本實施方式中，參照圖式說明本發明的一個實施方式的電子裝置及照明設備。

可用於電子裝置或照明設備的發光裝置、顯示裝置、半導體裝置等藉由適用本發明的一個實施方式的剝離方法能夠高良率地製造。藉由適用本發明的一個實施方式的剝離方法，可以以高生產性製造具有曲面或具有撓性的電子裝置或照明設備。

作為電子裝置，例如包含：電視機(也稱為電視或電視接收機)；用於電腦等的顯示器；數位相機；數位攝影機；數位相框；行動電話機(也稱為行動電話、行動電話裝置)；可攜式遊戲機；可攜式資訊終端；音頻再生裝置；彈珠機等固定式遊戲機等。

此外，由於本發明的一個實施方式的電子裝置或照明設備具有撓性，因此也可以將該電子裝置或照明設備沿著房屋及高樓的內壁或外壁、汽車的內部裝飾或外部裝飾的曲面組裝。

本發明的一個實施方式的電子裝置可以包括二次電池，較佳為藉由非接觸電力傳送對二次電池充電。

作為二次電池，例如，包含利用凝膠狀電解質的鋰聚合物電池(鋰離子聚合物電池)等鋰離子二次電池、鎳氫電池、鎳鎘電池、有機自由基電池、鉛蓄電池、空氣二次電池、鎳鋅電池、銀鋅電池等。

本發明的一個實施方式的電子裝置可以包括天線。藉由由天線接收信號，可以在顯示部上顯示影像或資訊等。另外，在電子裝置包括二次電池的情況下，可以將天線用於非接觸電力傳送。

圖11A、圖11B、圖11C1、圖11C2、圖11D及圖11E示出具有彎曲的顯示部7000的電子裝置的一個例子。顯示部7000的顯示面彎曲，可沿著其彎曲的顯示面進行顯示。顯示部7000也可以具有撓性。

使用本發明的一個實施方式的發光裝置、顯示裝置或輸入輸出裝置等製造圖11A、圖11B、圖11C1、圖11C2、圖11D及圖11E所示的各電子裝置所具有的顯示部7000。

根據本發明的一個實施方式，可以高良率地提供具有彎曲顯示部的電子裝置。

圖11A示出行動電話機的一個例子。行動電話機7100包括外殼7101、顯示部7000、操作按鈕7103、外部連接埠7104、揚聲器7105、麥克風7106等。

在圖11A所示的行動電話機7100在顯示部7000包含觸控感測器。藉由用手指或觸控筆等觸摸顯示部7000可以進行打電話或輸入文字等所有操作。

此外，藉由操作按鈕7103的操作，可以進行電源的ON、OFF工作或切換顯示在顯示部7000的影像的種類。例如，可以將電子郵件的編寫畫面切換為主功能表畫面。

圖11B為電視機的一個例子。在電視機7200中，外殼7201組裝有顯示部7000。在此示出利用支架7203支撐外殼7201的結構。

可以藉由利用外殼7201所具備的操作開關、另外提供的遙控器7211進行圖11B所示的電視機7200的操作。或者，顯示部7000也可以包含觸控感測器，可以藉由用手指等接觸顯示部7000進行操作。遙控器7211也可以具有顯示從該遙控器7211輸出的資訊的顯示部。藉由利用遙控器7211所具備的操作鍵或觸控面板，可以進行頻道及音量的操作，並可以對在顯示部7000上顯示的影像進行操作。

注意，電視機7200採用具備接收機或數據機等的結構。藉由利用接收機可以接收一般的電視廣播。再者，經由數據機連接到有線或無線方式的通訊網路，可以進行單向(從發送者到接收者)或雙向(發送者和接收者之間或接收者之間等)的資訊通訊。

圖11C1、圖11C2、圖11D及圖11E示出可攜式資訊終端的例子。各可攜式資訊終端具有外殼7301及顯示部7000。而且，各可攜式資訊終端還可以具有操作按鈕、外部連接埠、揚聲器、麥克風、天線或電池等。顯示部7000具備觸控感測器。可以藉由用手指或觸控筆等接觸顯示部7000進行可攜式資訊終端的操作。

圖11C1是可攜式資訊終端7300的斜視圖，圖11C2是可攜式資訊終端7300的俯視圖。圖11D是可攜式資訊終端7310的斜視圖。圖11E是可攜式資訊終端7320的斜視圖。

可攜式資訊終端例如具有選自電話機、筆記型電腦和資訊閱讀裝置等中的一種或多種的功能。明確而言，可以將可攜式資訊用作智慧手機。例如，可攜式資訊終端可以執行行動電話、電子郵件、文章的閱讀及編寫、音樂播放、網路通訊、電腦遊戲等各種應用程式。

可攜式資訊終端7300、可攜式資訊終端7310及可攜式資訊終端7320可以將文字或影像資料顯示在多個面上。例如，如圖11C1、圖11D所示，可以將三個操作按鈕7302顯示在一個面上，將以矩形表示的資訊7303顯示在其他面上。圖11C2為在可攜式資訊終端的上側顯示資訊7303的例子，圖11D為在可攜式資訊終端的側面顯示資訊7303的例子。也可以在可攜式資訊終端的三個以上的面上顯示資訊，圖11E為資訊7304、資訊7305以及資訊7306顯示在互不相同的面上的例子。

此外，作為資訊的例子，包含提示收到SNS (Social Networking Services：社交網路服務)的通知、電子郵件或電話的顯示；電子郵件的標題或發送者姓名；日期；時間；電量；以及天線接收強度等。或者，也可以在顯示資訊的位置顯示操作按鈕或圖示等代替資訊。

例如，可攜式資訊終端7300的使用者能夠在將可攜式資訊終端7300放在上衣口袋裡的狀態下確認其顯示(這裡是資訊7303)。

明確而言，將打來電話的人的電話號碼或姓名等顯示在能夠從可攜式資訊終端7300的上方看到這些資訊的位置。使用者可以確認到該顯示而無需從口袋裡拿出可攜式資訊終端7300，由此能夠判斷是否接電話。

圖11F至圖11H為具有彎曲發光部的照明設備的例子。

使用本發明的一個實施方式的發光裝置等製造圖11F至圖11H所示的各照明設備所具有的發光部。

根據本發明的一個實施方式，可以高良率地提供具有彎曲發光部的照明設備。

圖11F所示的照明設備7400包含具有波狀的發光面的發光部7402。因此，提供設計性高的照明設備。

圖11G所示的照明設備7410所包含的發光部7412採用對稱地配置彎曲為凸狀的兩個發光部的結構。因此，可以以照明設備7410為中心全方位地進行照射。

圖11H所示的照明設備7420包含彎曲為凹狀的發光部7422。因此，因為將來自發光部7422的發光聚集到照明設備7420的前面，所以適合應用於照亮特定的範圍的情況。藉由採用這樣結構，可以發揮不容易產生影子的效果。

照明設備7400、照明設備7410及照明設備7420所包含的各發光部也可以具有撓性。也可以採用使用可塑性構件或可動框架等構件固定發光部並按照用途能夠隨意使發光部的發光面彎曲的結構。

照明設備7400、照明設備7410及照明設備7420都包括包含操作開關7403的底座7401、以及由底座7401支撐的發光部。

雖然在此例示了由底座支撐發光部的照明設備，但是也可以以將具備發光部的外殼固定或吊在天花板上的方式使用照明設備。由於能夠在使發光面彎曲的狀態下使用照明設備，因此能夠使發光面以凹狀彎曲而照亮特定區域或者使發光面以凸狀彎曲而照亮整個房間。

圖12A1、圖12A2、圖12B至圖12I為具有撓性顯示部7001的可攜式資訊終端的例子。

使用本發明的一個實施方式的發光裝置、顯示裝置或輸入輸出裝置等製造各可攜式資訊終端所具有的顯示部7001。例如，可以適用能夠以0.01mm以上且150mm以下的曲率半徑彎曲的發光裝置、顯示裝置或輸入輸出裝置等。顯示部7001也可以包含觸控感測器，可以藉由用手指等接觸顯示部7001進行可攜式資訊終端的操作。

圖12A1、圖12A2是可攜式資訊終端的一個例子的透視圖及側面圖。可攜式資訊終端7500包含外殼7501、顯示部7001、取出構件7502、操作按鈕7503等。

可攜式資訊終端7500在外殼7501內包含有捲成捲筒狀的具有撓性的顯示部7001。

此外，可攜式資訊終端7500能夠由內置的控制部接收影像信號，且能夠將所接收的影像顯示於顯示部7001。此外，在可攜式資訊終端7500中內置有電池。此外，也可以採用外殼7501包含連接連接器的端子部而以有線的方式從外部直接供應影像信號或電力的結構。

此外，可以由操作按鈕7503進行電源的ON、OFF工作或顯示的影像的切換等。圖12A1、圖12A2和圖12B示出在可攜式資訊終端7500的側面配置操作按鈕7503的例子，但是不侷限於此，也可以將操作按鈕7503配置在可攜式終端7500的與顯示面同一的面(正面)或背面上。

圖12B示出使用取出構件7502取出顯示部7001的狀態的可攜式資訊終端7500。在這樣的狀態下，可以在顯示部7001上顯示影像。也可以在圖12A1所示的顯示部7001的一部分被捲成捲筒狀狀態和圖12B所示的取出顯示部7001的狀態下，可攜式資訊終端7500進行不同顯示。例如，在圖12A1所示的狀態下，藉由將顯示部7001的捲成捲筒狀的部分設定為非顯示狀態，可以降低可攜式資訊終端7500的功耗。

另外，可以在顯示部7001的側部設置用來加固的框，以便在取出顯示部7001時該顯示部7001的顯示面被固定為平面狀。

此外，除了該結構以外，也可以採用在外殼中設置揚聲器並使用與影像信號同時接收的音訊信號輸出聲音的結構。

圖12C至圖12E為能夠折疊的可攜式資訊終端的例子。圖12C為展開狀態的可攜式資訊終端7600，圖12D為從展開狀態和折疊狀態中的一個狀態變為另一個狀態時的中途狀態的可攜式資訊終端7600，圖12E為折疊狀態的可攜式資訊終端7600。可攜式資訊終端7600在折疊狀態下可攜性好，在展開狀態下因為具有無縫拼接的較大的顯示區域所以顯示一覽性強。

顯示部7001由鉸鏈7602所連接的三個外殼7601來支撐。藉由鉸鏈7602使兩個外殼7601之間彎折，可以從可攜式資訊終端7600的展開狀態可逆性地變為折疊狀態。

圖12F、圖12G為折疊狀態的可攜式資訊終端的例子。圖12F為以使顯示部7001位於內側的方式折疊的可攜式資訊終端7650。圖12G為以使顯示部7001位於外側的方式折疊的可攜式資訊終端7650。可攜式資訊終端7650具有顯示部7001及非顯示部7651。藉由在不使用可攜式資訊終端7650時，以使顯示部7001向內側的方式折疊，能夠抑制顯示部7001被弄髒或受損傷。

圖12H為具有撓性的可攜式資訊終端的一個例子。可攜式資訊終端7700具有外殼7701及顯示部7001。而且，可攜式資訊終端可以包括用作輸入單元的按鈕7703a及按鈕7703b、用作聲音輸出單元的揚聲器7704a、揚聲器7704b、外部連接埠7705、麥克風7706等。可攜式資訊終端7700也可以安裝有具有撓性的電池7709。例如，也可以以與顯示部7001重疊的方式配置電池7709。

外殼7701、顯示部7001及電池7709具有撓性。因此，可以容易使可攜式資訊終端7700彎曲為所希望的形狀，或者使可攜式資訊終端7700扭曲。例如，以使顯示部7001位於內側或外側的方式折疊並使用可攜式資訊終端7700。或者，可以將可攜式資訊終端7700捲成捲筒狀並使用。如此，可以自由地使外殼7701及顯示部7001變形，因此可攜式資訊終端7700具有如下優點：即使掉落或被施加非意圖的外力，也不容易破損。

因為可攜式資訊終端7700是輕量的，所以在使用夾子等夾住外殼7701的上部將可攜式資訊終端7700吊下並使用的情況或者在使用磁鐵等將外殼7701固定在牆上並使用的情況等各種情況下可以以良好的方便性使用可攜式資訊終端7700。

圖12I為手錶型的可攜式資訊終端的一個例子。可攜式資訊終端7800具有錶帶7801、顯示部7001、輸入輸出端子7802、操作按鈕7803等。錶帶被用作外殼。可攜式資訊終端7800包括具有撓性的電池7805。例如，也可以與顯示部7001或錶帶7801重疊的方式配置電池7805。

錶帶7801、顯示部7001及電池7805具有撓性。因此容易使可攜式資訊終端7800彎曲為所希望的形狀。

操作按鈕7803除了時間設定之外還可以具有電源開關、無線通訊的開關、靜音模式的開啟及關閉、省電模式的開啟及關閉等各種功能。例如，藉由利用組裝在可攜式資訊終端7800中的作業系統，還可以自由地設定操作按鈕7803的功能。

藉由使用手指等接觸顯示在顯示部7001上的圖示7804，可以啟動應用程式。

另外，可攜式資訊終端7800可以實施基於現行通訊標準之通訊方法的近場通訊。例如，藉由與可進行無線通訊的耳機相互通訊，可以進行免提通話。

在可攜式資訊終端7800包含輸入輸出端子7802的情況下，可以經由連接器直接與其他資訊終端進行資料的交換。另外，也可以藉由輸入輸出端子7802進行充電。另外，在本實施方式中舉例的可攜式資訊終端的充電工作也可以利用非接觸電力傳送進行，而不藉由輸入輸出端子。

本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。

實施例1

在本實施例中，說明調查對剝離層進行的電漿處理所帶來的影響的結果。

首先，使用圖1A至圖1E說明樣本的製造方法。製造4種樣本(樣本1、樣本2、比較樣本1及比較樣本2)，在互不相同的條件下對剝離層進行電漿處理。

[第一步驟]

首先，在形成用基板101上形成剝離層102。

作為形成用基板101使用玻璃基板。作為剝離層102，使用30nm厚的鎢膜。鎢膜藉由濺射法在Ar氣體的流量為100sccm，電源功率為60kW，壓力為2Pa，基板溫度為100℃的條件下形成。

[第二步驟]

關於樣本1，在包含N₂O氣體及SiH₄氣體的氛圍下進行電漿處理。在N₂O氣體的流量為1200sccm，SiH₄氣體的流量為5sccm，電源功率為120W，壓力為 70Pa，基板溫度為330℃的條件下進行300秒的電漿處理。

關於樣本2，在包含N₂O氣體、SiH₄氣體及NH₃氣體的氛圍下進行電漿處理。在N₂O氣體的流量為1200sccm，SiH₄氣體的流量為5sccm，NH₃氣體的流量為250sccm，電源功率為500W，壓力為70Pa，基板溫度為330℃的條件下進行300秒的電漿處理。

關於比較樣本1，在包含N₂O氣體的氛圍下進行電漿處理。在N₂O氣體的流量為100sccm，電源功率為500W，壓力為100Pa，基板溫度為330℃的條件下進行240秒的電漿處理。

關於比較樣本2，在包含N₂O氣體及NH₃氣體的氛圍下進行電漿處理。在N₂O氣體的流量為1200sccm，NH₃氣體的流量為250sccm，電源功率為500W，壓力為70Pa，基板溫度為330℃的條件下進行240秒的電漿處理。

接著，在剝離層102上形成被剝離層110(圖1B)。本實施例的被剝離層110具有從剝離層102一側層疊有第一氧氮化矽膜(相當於第一層103)、氮化矽膜(相當於第二層104)、第二氧氮化矽膜、氮氧化矽膜及第三氧氮化矽膜的結構。

作為被剝離層110，首先在剝離層102上形成大約600nm厚的第一氧氮化矽膜。第一氧氮化矽膜藉由電漿CVD法在SiH₄氣體和N₂O氣體的流量分別為 75sccm、1200sccm，電源功率為120W，壓力為70Pa，基板溫度為330℃的條件下形成。

接著，在第一氧氮化矽膜上形成大約200nm厚的氮化矽膜。氮化矽膜藉由電漿CVD法在SiH₄氣體、H₂氣體及NH₃氣體的流量分別為30sccm、800sccm、300sccm，電源功率為600W，壓力為60Pa，基板溫度為330℃的條件下形成。

接著，在氮化矽膜上形成大約200nm厚的第二氧氮化矽膜。第二氧氮化矽膜藉由電漿CVD法在SiH₄氣體和N₂O氣體的流量分別為50sccm、1200sccm，電源功率為120W，壓力為70Pa，基板溫度為330℃的條件下形成。

接著，在第二氧氮化矽膜上形成大約140nm厚的氮氧化矽膜。氮氧化矽膜藉由電漿CVD法在SiH₄氣體、H₂氣體、N₂氣體、NH₃氣體、N₂O氣體的流量分別為110sccm、800sccm、800sccm、800sccm、70sccm，電源功率為320W，壓力為100Pa，基板溫度為330℃的條件下形成。

接著，在氮氧化矽膜上形成大約100nm厚的第三氧氮化矽膜。第三氧氮化矽膜藉由電漿CVD法在SiH₄氣體及N₂O氣體的流量分別為10sccm及1200sccm，電源功率為30W，壓力為22Pa，基板溫度為330℃的條件下形成。

接著，在氮氣氛圍下以450℃進行1小時的加熱處理。

使用黏合層122貼合被剝離層110和基板121(圖1C)。作為基板121使用有機樹脂薄膜。作為黏合層122使用環氧樹脂。

[截面觀察]

對加熱處理之後的樣本(沒有貼合基板121的樣本)的截面進行觀察。利用STEM(Scanning Transmission Electron Microscopy：掃描穿透式電子顯微鏡)法進行截面觀察。

圖13A是樣本2的截面觀察影像。圖13B是比較樣本1的截面觀察影像。

在樣本2中，觀察不到在剝離層102(鎢膜)和第一層103(氧氮化矽膜)之間的氧化鎢膜。同樣地，在樣本1中也觀察不到氧化鎢膜。

另一方面，在比較樣本1中，觀察到在鎢膜和氧氮化矽膜之間形成有大約10nm厚的氧化鎢膜。同樣地，在比較樣本2中，觀察到在鎢膜和氧氮化矽膜之間形成有氧化鎢膜。

各樣本的共同之處在於在電漿處理中使用的N₂O氣體。各樣本的不同之處在於：樣本1及樣本2在電漿處理中使用SiH₄氣體；比較樣本1及比較樣本2在電漿處理中不使用SiH₄氣體。由此可知：藉由在電漿處理中使用N₂O氣體和SiH₄氣體，可以抑制鎢膜的氧化的發展且在剝離層和被剝離層之間的介面形成較厚的氧化物層。

[剝離試驗]

關於本實施例的樣本，對在從形成用基板101剝離被剝離層110時所需要的力量進行評價。在評價中，使用如圖14A所示的夾具。夾具具有多個導輥154和托輥153。作為測量方法，首先，在預先形成於形成用基板101上的包括被剝離層的層150上貼合膠帶151並將其端部部分剝離。然後，將形成用基板101以膠帶151掛住托輥153的方式安裝於夾具，並使膠帶151及層150垂直於形成用基板101。此時，可以由如下方法測量在剝離時所需要的力量：在向垂直於形成用基板101的方向拉起膠帶151(速度：20mm/min)而使層150從形成用基板101剝離時，測量在向垂直方向拉起時所需的力量。在進行剝離時，在剝離層102露出的狀態下形成用基板101沿著導輥154在平面方向上移動。為了去除層150及形成用基板101在移動中的摩擦的影響，托輥153及導輥154能夠旋轉。

在剝離試驗中，使用島津製作所製造的小型臺式試驗機(EZ-TEST EZ-S-50N)以及依照日本工業規格(JIS)的規格號碼JIS Z0237的黏合膠帶/黏合薄片試驗方法。各樣本的尺寸為126mm×25mm。

表1示出本實施例的各樣本的電漿處理中的氣體種類及時間、在剝離時所需要的力量、在截面觀察中是否觀察到氧化物層111的結果。各樣本的在剝離時所需要的力量由以在各樣本中的6點進行測量而得到的平均值表示。

當在剝離時所需要的力量為0.14N以上時，容易在剝離試驗之後被剝離層110殘留在形成用基板101一側。另一方面，當在剝離時所需要的力量小於0.14N時，被剝離層110沒有殘留在形成用基板101，而可以進行良好的剝離。

根據表1可知：本實施例的樣本的在剝離時所需要的力量都小，因此能夠以被剝離層110沒有殘留在形成用基板101的方式進行剝離。樣本1在電漿處理中使用N₂O氣體及SiH₄氣體，另一方面，樣本2在電漿處理中除了N₂O氣體及SiH₄氣體以外還使用NH₃氣體。由此可知：藉由在電漿處理中使用N₂O氣體、SiH₄氣體及 NH₃氣體，可以減少在剝離時所需要的力量。

[穿透率測量]

對本實施例的樣本的從形成用基板101剝離的層150(參照圖14B)的穿透率進行測量。

圖15示出樣本2及比較樣本1的波長為300nm至800nm的範圍的光穿透率(%)。

與在截面觀察中觀察到氧化鎢膜的比較樣本1相比，觀察不到氧化鎢膜的樣本2的可見光穿透率高。明確而言，關於波長為450nm至700nm的範圍的光穿透率的平均值，比較樣本1的是67%左右，樣本2的是84%左右。由此可知，藉由形成薄得在利用電子顯微鏡等的截面觀察中難以確認的氧化物層，可以抑制發光裝置或顯示裝置的光提取效率的降低。

[XPS分析]

利用XPS對本實施例的樣本的從形成用基板101剝離的包括被剝離層的層150(參照圖14B)的剝離面進行組成分析。

圖16、圖17A及圖17B示出源自於W4f軌域的峰值。圖16、圖17A和圖17B分別示出樣本1、樣本2和比較樣本1的結果。

在所有樣本中，確認到源自於WO₃的峰值、源自於WO_x(2<x<3)、WO₂及鎢氮化物等的峰值。

在樣本1中，在XPS光譜中，32.5eV以上且33.5eV以下的範圍的峰值(相當於源自於WO_x(2<x<3)、WO₂、鎢氮化物等的峰值中強度最大的峰值的強度是34.5eV以上且35.5eV以下的範圍的峰值(相當於源自於WO₃的峰值中強度最大的峰值)的0.67倍。

在樣本2中，在XPS光譜中，33.5eV以上且34.5eV以下的範圍的峰值(相當於源自於WO_x(2<x<3)、WO₂、鎢氮化物等的峰值中強度最大的峰值)的強度是35.5eV以上且36.5eV以下的範圍的峰值(相當於源自於WO₃的峰值中強度最大的峰值)的強度的0.76倍。

在比較樣本1中，在XPS光譜中，32.5eV以上且33.5eV以下的範圍的峰值(相當於源自於WO_x(2<x<3)、WO₂、鎢氮化物等的峰值中的強度最大的峰值)的強度是34.5eV以上且35.5eV以下的範圍的峰值(相當於源自於WO₃的的峰值中強度最大的峰值)的強度的0.76倍。

樣本2及比較樣本1的與源自於WO₃的峰值的強度相應的源自於WO_x(2<x<3)、WO₂、鎢氮化物等的峰值的強度比樣本1大。由此可知：在樣本2及比較樣本1中，供應到氧化物層的氫使WO₃還原，而存在更多的氧化數小的鎢氧化物。或者，可知：在樣本2及比較樣本1中，供應到氧化物層的氮生成更多的鎢氧化物。

在樣本1中，在XPS光譜中，32.5eV以上且 33.5eV以下的範圍的峰值的強度比37.5eV以上且38.5eV以下的範圍的峰值(相當於源自於WO₃的峰值中強度第二大的峰值)小。

在樣本2中，在XPS光譜中，33.5eV以上且34.5eV以下的範圍的峰值的強度比38.5eV以上且39.5eV以下的範圍的峰值(相當於源自於WO₃的峰值中強度第二大的峰值)大。

在比較樣本1中，在XPS中，32.5eV以上且33.5eV以下的範圍的峰值的強度比37.5eV以上且38.5eV以下的範圍的峰值(相當於源自於WO₃的峰值中強度第二大的峰值)大。

在樣本2中，因為殘留的鎢化合物少且有雜訊的影響，所以難以辨識源自於WO₃的峰值中強度第二大的峰值的位置。因此，根據樣本1及比較樣本1的峰值的相對位置關係辨識該峰值。可以說在樣本1及比較樣本1中，源自於WO₃的強度第二大的峰值位於源自於WO₃的峰值中強度最大的峰值的+3eV左右的位置、源自於WO_x(2<x<3)、WO₂、鎢氮化物等的峰值中強度最大的峰值的+7eV左右的位置。因此，在樣本2中，將相當於這些位置的33.5eV以上且34.5eV以下的範圍的峰值看作源自於WO₃的峰值中強度第二大的峰值。

與樣本1不同，在樣本2及比較樣本1中，源自於WO_x(2<x<3)、WO₂、鎢氮化物等的峰值的強度比源自於WO₃的峰值中強度第二大的峰值大。由此可知：在樣本2及比較樣本1中，存在有更多的氧化數小的鎢氧化物或鎢氮化物。

樣本2及比較樣本1的在剝離時所需要的力量比樣本1小。根據上述結果可以考慮到：因為在樣本2及比較樣本1中存在有比樣本1中多的氧化數小的鎢氧化物及鎢氮化物，所以氧化物層中的機械強度變小，這會引起在剝離時所需要的力量的減少。

[電阻測量]

對本實施例的樣本的從形成用基板101剝離的包括被剝離層的層150的剝離面的電阻進行測量。

在實施例中，如圖14C所示，在層150的剝離面上利用濺射法形成鈦電極159，且測量電流-電壓特性，由此對電極之間的電阻值進行評價。鈦電極159的寬度為1mm，長度為70.9mm。在本實施例中，對樣本2及比較樣本1進行評價。以在各樣本的6點測量的平均值表示電阻。

圖18示出樣本2的電流-電壓特性。電極之間的電阻為1.69×10¹²Ω。該值比比較樣本1(7.16×10⁵Ω)的電阻高。由此可知藉由適用本發明的一個實施方式，層150的剝離面具有高絕緣性。因此，這不容易導致寄生電容，而可以抑制電晶體等元件的特性變動。

[SIMS分析]

對使用SIMS測量加熱處理之後的樣本2及比較樣本1的深度方向的氫濃度及氮濃度而得到的結果進行說明。

圖19A為樣本2的氫濃度分佈，圖19B為比較樣本1的氫濃度分佈。圖20A為樣本2的氮濃度分佈，圖20B為比較樣本1的氮濃度分佈。從被剝離層110一側進行分析。在圖19A和圖19B以及圖20A和圖20B中，氧化物層111的厚度比橫軸的一個分度小得多，所以未圖示氧化物層111，但是如圖1B所示，氧化物層111位於第一層103和剝離層102之間。

首先，使用圖19A和圖19B對比較樣本1和比較樣本2的氫濃度分佈進行比較。可知在比較樣本1中，氫濃度分佈具有從第一層103的第二層104一側到剝離層102一側降低的梯度。另一方面，在樣本2中，確認不到這樣的梯度，氫濃度實質上在1.0×10²¹atoms/cm³至1.0×10²²atoms/cm³的範圍內穩定。在所有樣本中，確認到第一層103和剝離層102之間(氧化物層111中或氧化物層111附近)的其氫濃度高於第一層103的區域。比較樣本1的該區域的氫濃度比樣本2高。

使用圖20A和圖20B對比較樣本1和樣本2的氮濃度分佈進行比較。可知，與氫濃度相同，在比較樣本1中，氮濃度分佈具有從第一層103的第二層104一側到剝離層102一側降低的梯度。另一方面，在樣本2中，確認不到這樣的梯度，氮濃度實質上在5.0×10²⁰atoms/cm³至1.0×10²³atoms/cm³的範圍內穩定。在所有樣本中，確認到第一層103和剝離層102之間(氧化物層111中或氧化物層111附近)的其氮濃度高於第一層103的區域。比較樣本1的該區域的氮濃度比樣本2高。

從以上的結果可知：與比較樣本1中相比，在樣本2中，第一層103需要供應到氧化物層111的氫量或氮量少。這可以認為是因為在是樣本2的情況下由於電漿處理而預先氫或氮被供應到氧化物層111的緣故。因為第一層103需要供應到氧化物層111的氫量或氮量少，所以可以減薄第一層103。因此，可以提高生產性。並且，可以降低生產成本。

實施例2

在本實施例中，說明對第一層103的厚度的影響。

首先，使用圖1A至圖1E說明樣本的製造方法。製造3種樣本(樣本A至樣本C)，該樣本包括其厚度互不相同的第一層103。

[第一步驟]

首先，在形成用基板101上形成剝離層102。形成用基板101的結構及剝離層102的形成條件與實施例1相同。

[第二步驟]

在本實施例中，在包含N₂O氣體、SiH₄氣體及NH₃氣體的氛圍下進行電漿處理。在N₂O氣體的流量為1200sccm，SiH₄氣體的流量為5sccm，NH₃氣體的流量為250sccm，電源功率為500W，壓力為70Pa，基板溫度為330℃的條件下進行240秒的電漿處理。

接著，在剝離層102上形成被剝離層110。本實施例的被剝離層110具有從剝離層102一側層疊有第一氧氮化矽膜(相當於第一層103)、氮化矽膜(相當於第二層104)、第二氧氮化矽膜、氮氧化矽膜及第三氧氮化矽膜的結構。

作為被剝離層110，首先在剝離層102上形成第一氧氮化矽膜。第一氧氮化矽膜藉由電漿CVD法在SiH₄氣體和N₂O氣體的流量分別為75sccm、1200sccm，電源功率為120W，壓力為70Pa，基板溫度為330℃的條件下形成。

樣本A、樣本B及樣本C的第一氧氮化矽膜的厚度分別為大約600nm、大約400nm及大約200nm。

接著，在第一氧氮化矽膜上依次形成大約200nm厚的氮化矽膜、大約200nm厚的第二氧氮化矽膜、大約140nm厚的氮氧化矽膜以及大約100nm厚的第三氧氮化矽膜。各膜的形成條件與實施例1相同。

然後，在氮氣氛圍下以450℃進行加熱處理1 小時。

使用黏合層122貼合被剝離層110和基板121(圖1C)。

對在上述條件下製造的各樣本的在從形成用基板剝離被剝離層時所需要的力量進行評價。在樣本A及樣本B中，在剝離時所需要的力量為0.066N，在樣本C中，在剝離時所需要的力量為0.075N。

在只使用N₂O氣體的電漿處理中，有時因第一層103較薄而剝離的良率降低。這可認為是因為從第一層103供應到氧化物層111的氫量及氮量不足夠的緣故。另一方面，在本實施例中，即使減薄第一層103也可以抑制剝離性的降低，而可以同時實現高剝離性和高生產性。這可以認為是因為可以減少第一層103需要供應到氧化物層111的氫量及氮量的緣故。就是說，藉由使用N₂O氣體、SiH₄氣體及NH₃氣體，可以藉由電漿處理向氧化物層111供應氫或氮。

101‧‧‧形成用基板

102‧‧‧剝離層

Claims

一種製造半導體裝置的方法，包括如下步驟：在基板上形成剝離層，該剝離層包括金屬；在包含氮、氧、矽及氫的氛圍下對該剝離層進行電漿處理；在進行該電漿處理之後在該剝離層上形成絕緣膜；在該絕緣膜上形成功能層；以及將該絕緣膜和該功能層從該基板剝離。
如申請專利範圍第1項之方法，還包括：在將該絕緣膜和該功能層從該基板剝離之前，對該剝離層、該絕緣膜及該功能層進行加熱。
如申請專利範圍第1項之方法，其中該絕緣膜能夠向該剝離層供應氫和氮中的至少一個。
如申請專利範圍第1項之方法，其中該氛圍包含一氧化二氮及矽烷。
如申請專利範圍第1項之方法，其中該氛圍包含一氧化二氮、矽烷及氨。
如申請專利範圍第1項之方法，其中藉由進行該電漿處理形成厚度為1nm以上且5nm以下的氧化物層，並且該氧化物層包括該金屬的氧化物。
如申請專利範圍第1項之方法，其中該金屬是鎢。
如申請專利範圍第1項之方法，其中該功能層包括發光元件。
一種半導體裝置，包括：第一撓性基板；該第一撓性基板上的氧化物層；該氧化物層上的絕緣膜；該絕緣膜上的功能層；以及該功能層上的第二撓性基板，其中，該絕緣膜的氫濃度實質上固定在1.0×10²¹atoms/cm³至1.0×10²²atoms/cm³的範圍內。
如申請專利範圍第9項之半導體裝置，其中，該氧化物層包括氧化鎢。
如申請專利範圍第9項之半導體裝置，其中該功能層包括發光元件。
如申請專利範圍第9項之半導體裝置，還包括該第一撓性基板和該氧化物層之間的黏合層，其中包括該第一撓性基板、該黏合層、該氧化物層和該絕緣膜的疊層體的對波長為450nm至700nm的平均光穿透率為70%以上。
一種包括申請專利範圍第9項之半導體裝置的電子裝置。
一種半導體裝置，包括：第一撓性基板；該第一撓性基板上的氧化物層；該氧化物層上的絕緣膜；該絕緣膜上的功能層；以及該功能層上的第二撓性基板，其中，該絕緣膜的氮濃度實質上固定在5.0×10²⁰atoms/cm³至1.0×10²³atoms/cm³的範圍內。
如申請專利範圍第14項之半導體裝置，其中該氧化物層包括氧化鎢。
如申請專利範圍第14項之半導體裝置，其中該功能層包括發光元件。
如申請專利範圍第14項之半導體裝置，還包括該第一撓性基板和該氧化物層之間的黏合層，其中包括該第一撓性基板、該黏合層、該氧化物層和該絕緣膜的疊層體的對波長為450nm至700nm的平均光穿透率為70%以上。
一種包括申請專利範圍第14項之半導體裝置的電子裝置。