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TW201601336A - 具有以金屬化結構連接之複數個次電池的太陽能電池 - Google Patents

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TW201601336A
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麥克 莫斯
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Abstract

敘述一種具有以金屬化結構連接之複數個次電池的太陽能電池、以及用以形成具有以金屬化結構連接之複數個次電池的太陽能電池之切單方法。在例示中，太陽能電池包含複數個次電池，次電池的每一個具有單一性且物理性分離的半導體基板部。相鄰的單一性且物理性分離的半導體基板部之間具有溝槽。太陽能電池亦包含單晶金屬化結構。部分的單晶金屬化結構連接複數個次電池。相鄰的單一性且物理性分離的半導體基板部之間的溝槽露出部分的單晶金屬化結構。

Description

具有以金屬化結構連接之複數個次電池的太陽能電池
本揭露的實施例係為再生能源的領域，特別是具有以金屬化結構連接之複數個次電池的太陽能電池，以及形成具有以金屬化結構連接之複數個次電池的太陽能電池的切單方法。
光伏打電池，俗稱為太陽能電池，為習知的用於將太陽能輻射直接轉化成電能的裝置。通常，太陽能電池可利用半導體製程技術在半導體晶圓或基板上製備以形成靠近基板表面的p-n接面。撞擊在基板表面上及進入基板的太陽能輻射在塊狀(bulk)基板中產生電子及電洞對。電子及電洞對遷移至在基板中的p-摻雜區及n-摻雜區，從而在摻雜區之間產生電壓差(voltage differential)。摻雜區連接至太陽能電池上的導電區域以從電池引導電流至連接至其的外部電路。
效率為太陽能電池的重要特徵，因為其與太陽能電池的發電能力直接相關。同樣的，生產太陽能電池的效率係與此種太陽能電池的成本效益直接相關。據此，普遍期望有用於增加太陽能電池的效率的技術，或用於增加太陽能電池生產效率的技術。本揭露的一些實施例經由提供用於製備太陽能電池結構的新穎製程而允許增加太陽能電池的生產效率。本揭露的一些實施例經由提供新穎的太陽能電池結構而允許增加之太陽能電池效率。
在實施例中，太陽能電池包含複數個次電池，次電池的每一個包含單一性且物理性分離的半導體基板部，其中相鄰的單一性且物理性分離的半導體基板部在其之間具有溝槽。並包含單晶金屬化結構，其中部分的單晶金屬化結構與複數個次電池耦合，且其中相鄰的單一性且物理性分離的半導體基板部之間的溝槽露出部分的單晶金屬化結構。
在一實施例中，太陽能電池進一步包含設置在相鄰的單一性且物理性分離的半導體基板部之間的溝槽之封裝材料。
在一實施例中，次電池的每一個具有大約相同的電壓特性以及大約相同的電流特性。
在一實施例中，複數個次電池是複數個並聯的二極體、串聯的二極體或其組合。
在一實施例中，太陽能電池係為一背觸式太陽能電池，且單晶金屬化結構係設置在單一性且物理性分離的半導體基板部的每一個之相對於光接收表面的後表面上。
在一實施例中，由次電池的每一個產生的電流大約相同。
在一實施例中，次電池的每一個的光接收表面係為粗糙化表面。
在一實施例中，單一性且物理性分離的半導體基板部的每一個係為一塊狀單晶矽基板部。
在一實施例中，光伏模組包含複數個太陽能電池。
在一實施例中，用於太陽能電池的每一個的光伏PV具有設置在相鄰的單一性且物理性分離的半導體基板部之間的溝槽之PV模組的層疊體之封裝材料。
在實施例中，一種製造太陽能電池的方法，係包含形成金屬化結構在半導體基板的第一表面上。該方法亦包含自半導體基板的相對地第二表面劃線半導體基板，藉由自第二表面露出部分的金屬化結構而停止劃線。
在一實施例中，形成金屬化結構在半導體基板的第一表面上，係包含圖樣化形成在半導體基板的第一表面上之金屬箔。
在一實施例中，形成金屬化結構在半導體基板的第一表面上，係包含在半導體基板的部分的第一表面上電鍍一或多個金屬膜。
在一實施例中，劃線係包含利用雷射劃線。
在一實施例中，該方法進一步包含劃線半導體基板之前，粗糙化半導體基板的第二表面。
在一實施例中，劃線係包含形成複數個次電池，次電池的每一個包含半導體基板的單一性且物理性分離的部分，具有與相鄰的單一性且物理性分離的半導體基板部之間的溝槽，其中金屬化結構連接複數個次電池。
在一實施例中，該方法進一步包含形成封裝材料在相鄰的單一性且物理性分離的半導體基板部之間的溝槽。
在一實施例中，形成複數個次電池，係包含形成次電池的每一個具有大約相同的電壓特性以及大約相同的電流特性。
在一實施例中，形成複數個次電池，係包含形成複數個並聯的二極體、串聯的二極體或其組合。
在一實施例中，該方法進一步包含，劃線半導體基板之後，包覆太陽能電池在光伏(PV)模組層疊體，其中PV模組層疊體的封裝材料填充在相鄰的單一性且物理性分離的半導體基板部之間的溝槽。
在實施例中，一種製造包含具有第一表面的半導體基板之太陽能電池的方法，係包含在切割半導體基板直到第一表面以物理性隔離至少兩個次太陽能電池之前，形成太陽能電池的至少兩個次太陽能電池之間的內連線直接在半導體基板的第一表面上，以提供電性電池間連接於至少兩個次太陽能電池之間。
在一實施例中，形成太陽能電池的至少兩個次太陽能電池之間的內連線，係進一步包含形成金屬化結構在太陽能電池的半導體基板的第一表面上。
在一實施例中，切割半導體基板，係進一步包含自半導體基板之相對的第二表面劃線半導體基板。
在一實施例中，劃線半導體基板，係進一步包含在自第二表面露出部分的金屬化結構時停止劃線。
在一實施例中，在自第二表面露出部分的金屬化結構時停止劃線，係包含在選自聚合物層、金屬層以及金屬網所組成的群組中之緩衝損傷層上停止劃線。
在一實施例中，劃線半導體基板進一步包含形成溝槽在至少兩個次太陽能電池之間，使金屬化結構電性連接部分的至少兩個次太陽能電池；以及形成封裝材料在溝槽。
在一實施例中，切割半導體基板，係進一步包含形成至少一二極體在至少兩個次太陽能電池的每一個；以及形成至少兩個次太陽能電池的每一個具有大約相同的電壓特性以及大約相同的電流特性。
在一實施例中，形成至少一二極體在至少兩個次太陽能電池的每一個係進一步包含：形成P型摻雜區以及N型摻雜區在至少兩個次太陽能電池的每一個的至少一二極體；形成第一金屬接觸至P型摻雜區；以及形成第二金屬接觸至N型摻雜區。
在一實施例中，形成金屬化結構，係進一步包含實質上同時形成金屬化結構，在半導體基板的部分的第一表面上電鍍一或多個金屬膜。
在一實施例中，形成金屬化結構，係進一步包含圖樣化形成在半導體基板的第一表面上的金屬箔。
在一實施例中，該方法係進一步包含劃線半導體基板之前，粗糙化半導體基板之第二表面。
下列詳細描述在本質上僅為說明性且不意圖限制本申請之申請標的之實施例或此實施例的應用。如用於本文中，文字「例示性的(exemplary)」表示「作為一個實施例(example)、實例(instance)或說明(illustration)」。在本文中被描述為例示性之任何實施方式不必然被詮釋為較佳於或優於其他實施方式。此外，不意圖被前述之技術領域、先前技術、發明內容或下列實施方式中提出的任何明示或暗示的理論束縛。
此說明書包含參照「一個實施例(one embodiment)」或「一實施例(an embodiment)」。慣用語「在一個實施例」或「在一實施例」的出現不必然表示相同實施例。特定的特徵、結構或性質可以與本揭露相符的任何合適之方式結合。
用語。下列段落提供在本揭露(包含所附的申請專利範圍)中發現的用語的定義及/或語境。
「包含(Comprising)」。此用語為開放式的。當用於所附的申請專利範圍中時，此用語不排除其他的結構或步驟。
「配置以(Configured To)」。各種單元或組成可描述或主張作為「配置以」實行一個工作或多個工作。在這樣的內文中，使用「配置以」以經由指出包含在操作期間實行那些工作或工作的結構的單元/組成而暗示結構。因此，縱使當特定單元/組成目前並未正在運作(例如，不是導通/活動的)，單元/組成也可以說是被配置以實行工作。描述一單元/電路/組成為被「配置以」實行一或多個工作係為明確地表示不援引35 U.S.C. §112，第六段對於該單元/組成。
「第一(First)」、「第二(Second)」等。如用於本文中，這些用語被用作為其所前綴之名詞的標籤，而不意味著任何類型的排序(例如，空間、時間、邏輯等)。例如，參照「第一」太陽能電池不必然意味著此太陽能電池在順序上為第一太陽能電池，而是用語「第一」係使用以區分此太陽能電池與另一太陽能電池(例如，「第二」太陽能電池)。
「連接(Coupled)」-下列描述表示元件或節點或特徵被「連接」在一起。如用於本文中，除非另有明確指出，否則「連接」表示一元件/節點/特徵直接地或間接地連接至(或直接地或間接地相通)另一元件/節點/特徵，且不必然為機械性的。
此外，特定用語也可僅為了參考之目的而使用在下列描述中，且因此不意圖為限制。例如，用語如「上(upper)」、「下(lower)」、「之上(above)」及「之下(below)」表示進行參照之圖式中的方向。用語如「前(front)」、「後(back)」、「背(rear)」、「側(side)」、「外側(outboard)」及「內側(inboard)」藉由參照討論中描述元件的內文及相關圖式，來明確描述組件的部分的方向及/或定位於所參照之一致但任意之框架中。這樣的用語可包含上面具體地提到的文字、衍生物及類似含意的文字。
在此闡述具有以金屬化結構連接之複數個次電池之太陽能電池、以及形成具有以金屬化結構連接之複數個次電池之太陽能電池的切單方法。在下文的說明中，描述數種例如特定製程流程操作之特定細節，以提供本揭露之實施例之完全的了解。對所屬技術領域中具有通常知識者而言將顯而易見的是，本揭露之實施例可不需要這些特定細節來實行。在其他例子中，為了避免不必要地模糊本揭露之實施例，例如，太陽能電池發射區的製造技術之眾所周知之製造技術並未被詳細描述。此外，將被理解的是圖中所示的各種實施例係為例示性表示而不需按比例繪製。
在此揭露為具有以金屬化結構連接的複數個次電池之太陽能電池。在實施例中，太陽能電池係包含複數個次電池，每一個次電池具有單一性且物理性分離的半導體基板部。相鄰的單一性且物理性分離的半導體基板部之間具有溝槽。太陽能電池亦包含單晶金屬化結構。部分的單晶金屬化結構與複數個次電池連接。在相鄰的單一性且物理性分離的半導體基板部之間的溝槽露出部分的單晶金屬化結構。
在此亦揭露形成具有以金屬化結構連接之複數個次電池的太陽能電池之切單方法。在實施例中，製造太陽能電池的方法，包含形成金屬化結構在半導體基板的第一表面上。該方法亦包含自半導體基板的相對性第二表面劃線半導體基板。藉由自第二表面露出部分之金屬化結構而停止劃線。
在另一實施例中，製造包含具有第一表面的半導體基板之太陽能電池的方法，包含在切割半導體基板直到第一表面以物理性隔離至少兩個次太陽能電池之前，形成太陽能電池的至少兩個次太陽能電池之間的內連線直接在半導體基板的第一表面上，以提供電性電池間連接於至少兩個次太陽能電池之間。
更普遍地，實施例是針對金屬化的使用作為操作以能夠進行太陽能電池晶圓的切割或切單，而不增加模組內連線或需要處理更小的電池。在例示性實施例中，單一太陽能電池(例如，125 cm、156 cm、210 cm) 劃分為更小的電池以允許在模組電流及電壓的靈活性，以及在金屬化的靈活性。作為例示，單晶矽P/N二極體具有0.6至0.74V的開放電路電壓(Voc)。用於太陽能電池的最大電源電壓(Vmp)可大約為0.63V。因此單一二極體電池將可具有0.63V的電壓。假如10個次二極體產生在單一全區域的晶圓上，且以串聯連結，用於整體電池(大約1/10的電流，或約0.5A於標準電池)的電壓將為6.3V。對於這種電壓範圍的電池之應用可為USB充電規格1.2。假如此電壓的96個電池在模組中被串聯配置，模組操作電壓將大約為604.8V DC。對於具這種電壓範圍的模組之應用是為了簡化電力電子內部反向器，反向器使電壓自低伏特的DC轉換成高伏特(大約240Vrms)AC的應用。
由於金屬的功率損耗與電阻性損耗相關，因此具有控制電壓的能力係反向地允許控制電流，以最終決定成品裝置所需的金屬厚度。例如，在5 英吋晶圓上的交指背接觸(IBC)電池，名義上的指狀長度為125 mm長，且大約需要30微米的鍍銅(Cu)以防止柵損耗。趨至6英吋晶圓延伸成156毫米的指狀長度，且由於長度平方的電阻性損耗，因此可能需要大約48微米的金屬厚度。例如，藉由具有更直接的材料成本以及藉由減少工具的生產量，潛在的增加實質上成本以金屬化。因此，藉由趨至多重二極體溶液以控制指狀長度以及電池參數的能力，而允許在太陽能電池金屬化的過程更加的靈活。特別是，對於較大電池上的應用，增加電池的尺寸亦產生更大的電流。此外，在操作領域中裝置的溫度是基於電流且通常應最小化，以避免加速老化的影響，且較高溫度的風險使電池進入反向偏壓。此外，通常較低的電流將改善模組整體的可靠性。
在實施例中，金屬化方法係用於保持及提供與母電池一起的次電池的機械完整性，當建造模組時使其不需要複雜地額外處理，且電池仍維持物理性分離。部分實施例在次電池的內連線進一步包含內建式應力消除的使用。所述實施例使得可擴展至更大的晶圓而在製造上不會有處理複雜性或金屬化問題，或增加之應用可靠性的考量。
提供本文，當朝向利用具有形成在晶圓上的單一二極體之較大的晶圓製造太陽能電池時，會產生較大的電流。這樣增加之電流通常需要較厚的金屬以避免Rs損耗，其可能增加製造太陽能電池的成本以及複雜性。目前工業技術水平的解決方案係包含將電池切割為更小的個別二極體，例如2、4、16等，使得同時藉由較小的面積以及藉由沿著接觸指狀較短的電流傳輸長度以降低電流。然而當實施此方法時經常發生兩個問題。第一點是產生個別的組件，在此需要處理及內連每一個次電池。因而，需要增加電池對電池的內連線的數量，以及需要處理不同的尺寸，在電池內需要較小的晶圓。第二點為在模板(例如，背板)上有時產生次組件，使次電池連結在一起。與這種方法相關的問題為背板的成本，以及經由背板連結的複雜性。此外，對於此系統的最佳性能，應符合每一個次電池的電流，由於各種對稱軸，以及在電池上來自例如，電鍍或測試墊，或是內連墊的「死」角而提供準方形的單結晶晶圓的複雜性。此提供部分的幾何限制。此外，其中金屬需要物理性保持次電池組合在一起而不會分路至附近的次電池，這提供了一些挑戰，例如於串聯¼電池設計需要新穎射極以及金屬配置，以保持電池在一起而無須個別組件的處理。
為了解決上述問題，在此描述之一或多個實施例，係包含有效地執行單晶金屬化結構作為背板以在切單之前使次電池連結在一起。此方法能在對應母電池上而使電池間連結，使其不需處理個別的次電池或額外的金屬內連線的層級。此外，其允許內建金屬化的內連線且因此移除或實質上降低在傳統上內連墊的任何死角。應當理解的是利用金屬或金屬化結構以使電池連結在一起可涉及新的挑戰及風險。例如，通常每一個次電池應具有相同電流及電壓特性，在此其通常應全具有相同面積。在特定實施例中，對於準方形配置，射極和金屬的設計需要可允許以簡單的內連方式被製造。根據本文所述之實施例，利用半個電池、四分之一個電池、10個或6個電池設計的數個例示性佈置將在下文更詳細描述。此外，本文所描述的一或多個實施例可與背側金屬化結構不同在不使用背板下來實施。部分實施例涉及背接觸式太陽能電池，且部分實施例能製造被切割且具有可控的電壓及電流的多重二極體電池、具有各種電壓及電流的模組，且製造相對較大的電池。
根據本文描述之其他實施例，此方法係描述用於解決電池間次電池金屬失效的風險，例如藉由提供用於電池間應力消除之方法。在例示性實施例中，建立在用於電池間內連線的應力消除的設計係連同上述切單方法來實施。
在另一實施例中，描述用於解決來自被切割的電池之功率損耗的風險的方法。在例示性實施例中，實現用於降低邊緣損耗的方法。在一此實施例中，在太陽能電池的光接收表面的粗糙化之前進行預切槽。其後為藉由斷裂製程，且可能的話，為後隔離鈍化製程。在一此實施例中，設計射極以使劃線主要或完全落在N摻雜區內，當與未鈍化的P摻雜區相比未鈍化的N摻雜區具有較低的重組率，且因此結果顯著為具有較少的功率損耗。在其他實施例中，由於未鈍化接面具有顯著較高的重組而造成更多的功率耗損，因此射極及劃線被設計成與P-N接面交集的劃線為較少或沒有。此外，在實施例中，理解到某些雷射參數可能會造成側壁損傷、熔化、以及在後側上絕緣介電質堆疊的破壞，因此選擇雷射參數以使此類損傷、熔化、以及破壞最小化。通常，這驅使雷射選擇為較短的脈衝長度(例如，小於大約10奈秒)驅動雷射，以及停止短暫的後介電質破壞(例如，切槽接續機械性分離)的製程。
在進一步的實施例中，描述用於解決在基板或晶圓(例如，矽)隔離製程期間金屬損傷的風險之方法。在例示性實施例中，藉由利用緩衝材料作為剝蝕停止以消除或至少減輕損傷，使得金屬不會被直接切割。
額外的風險可能包含經由基底，例如藉由不完全隔離的矽(Si)，或在循環期間具有隔離的矽區域互相接觸而分路。一或多個實施例藉由引入封裝物以填充在個別矽部分之間的溝槽以解決此問題，用以減輕分路的風險以及矽的耗損。在此一實施例中，耐金屬鈍化材料用於作為主要或次要抗反射塗(ARC)層以鈍化和絕緣邊緣。
如根據附圖以下所詳細地描述的，本文所述特定實施例基於具有大於大約20微米厚度的金屬或金屬化結構可藉由使用金屬保持電池在一起，而用於防止在太陽能電池中其他與矽(si)破裂相關的功率耗損之理解而被執行。本文所述之實施例為提供一個結合至具有次電池的全面積晶圓的金屬結構(例如，藉由電鍍、金屬薄膜或帶狀物等)。圖樣化金屬，使得次電池內連線在相同操作中形成而作為次電池金屬化。此外，配置次電池在全電池，使得矽可被隔離以提供整數的次二極體，並經由產生的金屬化結構連接。對於部分實施例，這種配置可能需要使用並聯二極體的配置(例如2、4等)，其例示在下文進行詳細描述。隨後利用足夠厚度的金屬化結構連接，而可隔離二極體。在此一實施例中，在電鍍或形成期間圖樣化金屬以包含在電池之間應力消除的特徵，如具有圓形溝槽。之後以隔離，而可鈍化及/或絕緣邊緣，既可在邊緣自重組限制功率損耗，並還提供絕緣以對抗分路。
如本文所涉及的例示性代表概念，第1A圖及第1B圖係分別為根據本揭露的實施例之在切單以形成物理性分離的次電池之前與之後的太陽能電池之截面圖。
參照第1A圖，太陽能電池100包含具有設置於基板102上的金屬化結構104之基板102。太陽能電池100包含在基板102中或在基板102上的交互N型及P型區。在一實施例中，金屬化結構104係為單晶金屬化結構，其係在下文更詳細描述。參照第1B圖，太陽能電池100被切單或被切割以提供具有彼此物理性分離的次電池108及110的太陽能電池106。在一實施例中，利用雷射剝蝕切單太陽能電池100，其係在下文進行詳細描述。在實施例中，切單所形成之生成溝槽112被填充有封裝材料114，係如第1B圖所示。在實施例中，亦如第1B圖所示，金屬化結構104的部分116橋接兩個次電池108及110。在具體實施例中，次電池108及110提供串聯或並聯的二極體結構，其例示係在下文進行詳細描述。
再次參照第1A及1B圖，利用金屬化結構104的部分116作為在切割期間，例如在基板102材料的雷射剝蝕期間的機械性支持以及逆止。在第一具體例示中，第2圖係為根據本揭露的實施例之利用金屬作為用於電池切單的逆止之一對單一性次電池之部分截面圖。參照第2圖，次電池108及110係在基板102的切單所形成，且在次電池108及110之間具有溝槽112。形成金屬化結構104的部分116直接在基板102的後表面上，且同樣地，在切單期間，金屬或金屬區域被用於逆止。
在第二具體例示中，第3圖係為根據本揭露的實施例之利用緩衝材料作為用於電池切單的逆止之一對單一性次電池之部分截面圖。參照第3圖，次電池108及110係在基板102的切單所形成，且在次電池108及110之間具有溝槽112。然而，金屬化結構104的部分116形成在聚合物區域120上，其進而直接形成在基板102的後表面上，且同樣地，在切單期間，聚合物、其他金屬或非金屬區域被用於作為逆止。在第2圖及第3圖的任一情況下，應當理解的是在實施例中，金屬化結構能可被作為單晶金屬化結構，其係在下文進行詳細描述。此外，在實施例中的任一情況下，次電池的內連線在次電池金屬的相同操作中被製造。另外，次電池的內連線可被外部施加，但是將需要額外製程的操作。
再次參照第1A圖、第1B圖以及第2圖，更通常地，在實施例中，太陽能電池包含複數個次電池。次電池的每一個具有單一性且物理性分離的半導體基板部。相鄰的單一性且物理性分離的半導體基板部之間具有溝槽。太陽能電池亦包含金屬化結構。部分的金屬化結構連接複數個次電池中。此外，在相鄰的單一性且物理性分離的半導體基板部之間的溝槽露出部分的金屬化結構。
在實施例中，金屬化結構係由金屬薄膜(例如，傳導性金屬薄膜，如具有或不具有額外晶種層的鋁金屬薄膜)所製造，或藉由電鍍製程製造。在此一實施例中，在此情況下利用相對較厚(例如，大於大約25微米)的背金屬，並且部分雷射剝蝕到金屬的誤差是可被容許的。然而，若是利用較薄的金屬化結構(例如，小於大約25微米)時，沒有任何劃線的金屬化結構可能需要暫停剝蝕，從而維持金屬所需的電性及物理性的完整以通過可靠性測試。金屬化結構可藉由電鍍、印刷、藉由結合方法的使用(例如，在金屬薄膜的情況下)來製造，或可藉由沉降、光刻以及蝕刻方法來製造。
在實施例中，在執行止衝的情況下(如與第3圖的描述相關)，止衝物係為聚合物，如聚亞醯胺。聚合物可被沉降在全域，且接著被圖樣化，或是僅沉降在期望的區域，例如，藉由印刷。在其他實施例中，這種止衝物是由介電質材料組成，例如，二氧化矽(SiO2 )、矽氮化物(SiN)或矽氮氧化物(SiON)，但不以此為限。在此一實施例中，介電質材料係利用沉降技術，例如，低壓化學氣相沈積法(LPCVD)、電漿輔助化學氣相沈積法(PECVD)、高密度電漿化學氣相沉積法(HDPCVD)或物理氣相沈積法(PVD)所形成，但不限於此。
應理解的是，在此所述的一或多個實施例係包含單一層級的「單晶」橫跨所有次電池之金屬化的實施。因此所產生的電池金屬化可同時與內連金屬化相同且在相同製程製造。在此一實施例中，單晶金屬化結構的利用在所有二極體被金屬化後作為完成致使實現電池隔離。這與傳統方法中金屬化為多步驟的製程有所區別。在更多具體實施例中，單晶金屬化方法係結合在其上形成單晶金屬化結構的緩衝或保護層(例如，根據第3圖所述)來執行。此實施例可允許在緩衝或保護層上停止剝蝕而不會使金屬露出，其係在下文進行更詳細描述。
如根據第1B圖所述，切割太陽能電池進一步包含封裝材料，例如，乙烯乙烯醇(EVA)、聚烯烴(poly-olefin)且設置在相鄰的單一性且物理性分離的半導體基板部之間的溝槽。在此一實施例中，封裝物在相鄰的次電池部分之間提供分路電阻以及抗磨耗性。在一實施例中，封裝材料具有大於大約1000V/cm的介電質破壞強度，使得該材料在相鄰的次電池之間提供充分的分路保護。在一實施例中，在施用時，封裝物具有充分的低黏性或高熔化流動性以確保封裝材料流入自切單產生的細溝槽中，在一實施例中，藉由封裝物填充溝槽係作用以經由矽/金屬/聚合物複合物的合成來改善系統的機械性強度。
根據本揭露的實施例，切割太陽能電池的每一個次電池具有大約相同的電壓特性以及大約相同的電流特性。在實施例中，複數個次電池為複數個並聯的二極體、串聯的二極體或其組合。在實施例中，太陽能電池，且因此次電池部分係為背接觸式太陽能電池，且金屬化結構設置在單一性且物理性分離的半導體基板部的每一個的相對於光接收表面的後表面上。在此一實施例中，次電池的每一個後表面具有大約相同的表面積。在具體實施例中，次電池的每一個光接收表面係為粗糙化表面，其係在下文進行詳細描述。
根據本揭露的實施例，單一性且物理性分離的半導體基板部的每一個係為塊狀單晶矽基板部，例如由N型單晶體基板所製造。在此一實施例中，每一個矽部分包含形成於基板本身之一或多個N+區(例如，磷或砷摻雜區)以及一或多個P+區(例如，硼摻雜區)。在其他實施例中，每一個矽部分包含一個或多個多晶體矽N+區以及一個或多個多晶體矽P+區形成在矽基板之上。
應理解的是，切單的太陽能電池中的次電池的數量配置以及電性連接的變化在本文所描述的實施例的精神與範圍內是可預期的。在第一例示中，第4A圖係為根據本揭露的實施例之分割成四個次電池之太陽能電池400A的金屬化側之平面圖。參照第4A圖，切單太陽能電池400A以提供四個次電池402A、404A、406A以及408A。金屬化線410A係用於保持四個電池在一起的設計，其中次電池的每一個交會。在一實施例中，應力消除特徵420A係包含在金屬化線410A中，如第4A圖所示。此外，並描述金屬化連接至下一個第一電池的位置412A以及下一個第二電池的位置414A。
再次參照第4A圖，示意性二極體450A顯示並聯的四個電池設計的電性配置。在實施例中，個別的次電池係為單一二極體的全電池的¼電流，以及具有與單一二極體電池相同的電壓，而結合4-二極體的全電池現具有與全尺寸的單一二極體電池相同的電流與相同的電壓。劃線切割係在具有較低重組後隔離的擴散區域進行。金屬線長度係為與¼ 電池橋接的½標準電池的長度，而能減少任一用於相同尺寸電池的金屬厚度，或是允許擴大到更大的晶圓而不需增加金屬厚度。
在第二例示中，第4B圖係為根據本揭露的另一實施例之分割成四個次電池之另一太陽能電池400B的金屬化側之平面圖。參照第4B圖，切單太陽能電池400B以提供四個次電池402B、404B、406B、及408B。金屬化線410B係用於保持四個電池在一起的設計，其中次電池的每一個交會。在一實施例中，應力消除特徵420B係包含在金屬化線410B，如第4B圖所示。此外，並描述金屬化連接至下一個第一電池的位置412B以及下一個第二電池的位置414B。
再次參照第4B圖，示意性二極體450B顯示並聯的四個電池設計的電性配置。在實施例中，次電池係為¼電流、相同的電壓的次電池，且與結合的全電池有相同的電流與相同的電壓。劃線切割係在具有較低重組後隔離的擴散區域上進行。金屬線長度係為¼標準電池的長度。
在第三例示中，第5A圖係為根據本揭露的實施例之依並聯配置分割成兩個次電池之太陽能電池500A的金屬化側之平面圖。參照第5A圖，切單太陽能電池500A以提供兩個次電池502A以及504A。金屬化線510A係用於保持二個電池在一起的設計，其中次電池的每一個交會。在一實施例中，應力消除特徵520A係包含在金屬化線510A，如第5A圖所示。此外，並描述金屬化連接至下一個第一電池的位置512A以及下一個第二電池的位置514A。
再次參照第5A圖，示意性二極體550A顯示並聯的兩個電池設計的電性配置。在實施例中，次電池係為½電流、相同的電壓的次電池，且與結合的全電池有相同電流與相同電壓。劃線切割係在具有較低重組後隔離的擴散區域上進行。金屬線長度係為½標準電池的長度，以提供保持兩個半電池在一起的單一金屬接頭。
在第四例示中，第5B圖係為根據本揭露的實施例之在串聯配置上分割成兩個次電池之太陽能電池500B的金屬化側之平面圖。參照第5B圖，切單太陽能電池500B以提供兩個次電池502B以及504B。金屬化線510B係用於保持兩個電池在一起的設計，其中次電池的每一個交會。在一實施例中，應力消除特徵520B係包含在金屬化線510B，如第5B圖所示。此外，並描述金屬化連接至下一個第一電池的位置512B以及下一個第二電池的位置514B。
再次參照第5B圖，示意性二極體550B顯示串聯的兩個電池設計的電性配置。在實施例中，次電池係為單一二極體全電池的½電流，且具有相同的電壓，以及具有結合的全電池的½電流，但相同尺寸的單一二極體電池的兩倍電壓。劃線切割係沿著射極接面進行。金屬線長度係為½標準電池的長度，以提供保持兩個半電池在一起的單一金屬接頭。
再次參照第4A圖、第4B圖、第5A圖以及第5B圖，應理解的是複數個太陽能電池的每一個切單成次電池可被包含在光伏(PV)模組。在一實施例中，對於每一個太陽能電池，PV模組的層疊體的封裝材料係設置在相鄰的單一性且物理性分離的半導體基板部之間的溝槽。亦即，在一實施例中，劃線半導體基板之後，太陽能電池被嵌入在光伏(PV)模組層疊體中。PV模組層疊體的封裝材料填充相鄰的單一性且物理性分離的半導體基板部之間的溝槽。此外，在PV模組中電池對電池的內連線可包括串聯、並聯或其組合的內連線。
應理解的是，對於次電池的其他配置亦可利用此所述之方法達成，例如，但不限於此，3x3、4x4等型式配置。並且，在原電池中的次電池的串聯以及並聯配置的組合亦為可能的。方法可能皆有利於背接觸式及前接觸式電池。如例示性其他配置，第5C圖係為根據本揭露的實施例之在串聯配置上分割成六個次電池之太陽能電池500C的金屬化側之平面圖。第5D圖係為根據本揭露的實施例之在串聯配置上分割成十個次電池之太陽能電池500D的金屬化側之平面圖。參照第5D圖，全尺寸電池係在電池內以10個次二極體所製，並以串聯配置。結合電池的電壓係為相同尺寸的單一二極體電池的10倍，亦即，約6.3Vmp。結合電池中的電流係為原電池(例如，約0.5A)的電流的約1/10。電池500D在實施例中可直接利用以充電USB於消費性充電的應用，或若是內建至96電池模組可產生大約600V的電壓的模組。在降低10倍電流的此種型式的電池設計可經由降低由於電阻加熱引起的尖峰溫度而改善可靠性及安全性。並且，在需要反向器的交流電源的應用，縮放電壓以配合反向器的輸出將顯著節省在反向器組件的成本，亦即所需之自標準面板電壓(例如，大約50V)升至需求之一般住宅或商用電源(大約240Vrms AC)的升壓電子設備。
在其他態樣，該方法被認為是有利於太陽能電池切單。例如，切單可以實施為採取標準矽基板型電池的耐破裂特性的優點作為設計特徵。在此一實施例中，標準尺寸電池係被鍍以x-次二極體且故意導入裂紋。電池的切割僅在金屬化結構保持不變時，經由矽(Si)來執行。金屬橋接最終保持與被切割的矽在一起。在部分實施例中，整體的應力消除被納入在所產生的配置。
作為電池切單的考量與方法的代表性例示，第6圖示出，根據本揭露的一或多個實施例，(a)為太陽能電池的前側(光接收側)。在(b)中，示意性提供繪示劃線的矽基板以及橋接金屬的截面圖。在(c)中，劃線基板的背側顯示對應二極體1及二極體2的次電池，其中電鍍金屬602維持兩個次電池在一起。在(d)中，顯示應力消除特徵的放大視圖。
第7圖係為根據本揭露的實施例之用於形成次電池之太陽能電池的切單的雷射劃線之可能途徑。參照第7圖，太陽能電池700包含矽基板702以及在矽基板背側上的金屬化結構704。
參照第7圖的途徑(a)，係描述劃線及斷裂方法，其中(i)基板係部分劃線(例如，大約70%深度)以及接著(ii)沿著斷裂破裂而終止在金屬化結構。參照第7圖的途徑(b)，劃線唯一方法係闡述為其中矽的雷射剝蝕停止在(或部分進入)金屬化結構的金屬上。參照第7圖的途徑(c)，劃線及損傷緩衝斷裂方法係闡述為其中經由矽的整體深度執行矽的雷射剝蝕，且接著停止在(或部分進入)與金屬化結構的金屬不同的損傷緩衝層。在任何此情況下，雷射參數，包含具有清潔製程的皮秒雷射剝蝕、較低的重組以及較窄的劃線寬度選項。其他選項包含具有較寬劃線的奈秒或更長時間的雷射以及較高的生產量但提高了重組和碎片的可能性。
現參照第8圖之流程圖800，在實施例中，太陽能電池的製造方法係包含形成金屬化結構在半導體基板的第一表面上，如流程圖800的操作802所示。方法接著包含自半導體基板的相對地第二表面劃線半導體基板，如流程圖800的操作804所示。在此一實施例中，藉由自第二表面露出部分的金屬化結構而停止劃線。
在實施例中，藉由金屬化結構的內連金屬停止劃線。在其他實施例中，損傷緩衝係用於保護金屬化結構的金屬。在此一實施例中，損傷緩衝係為聚合物材料，如上所述。在另一實施例中，損傷緩衝係為與金屬化結構的金屬不同的金屬。在另一實施例中，損傷緩衝係為經由電鍍的網狀材料。在最後的例示中，由於矽的破裂/分離可能破裂或損傷金屬，且因而造成其可靠性降低，其有幾個選項，例如在金屬化之前印刷或黏貼損傷緩衝以作為破裂/雷射的停止。
在實施例中，形成金屬化結構在半導體基板的第一表面上係包含圖樣化形成在半導體基板的第一表面上之金屬箔。在其他實施例中，然而金屬化結構係藉由印刷金屬、電鍍金屬或堆疊金屬，或藉由金屬沉降及蝕刻製程而形成。在任何情況下，在實施例中金屬化結構經由在製造及測試方法中執行的所有可靠性測試而形成為具有足以橋接兩個次電池在一起的機械性特性。
在實施例中，劃線包含利用雷射劃線。然而，應理解的是機械性劃線製程可被替代或結合雷射劃線製程來實施。例如，在特定實施例中，執行部分雷射劃線，接著藉由斷裂或鋸切控制深度。
在實施例中，電池製造方法進一步包含劃線半導體基板之前，粗糙化半導體基板之第二表面(光接收表面)。在此一實施例中，以此順序執行此操作可減輕切割損傷。在此一實施例中，首先執行晶圓的部分切槽，且接著在矽蝕刻製程(例如，粗糙化)期間除去任何損傷。然而，在其他實施例中，然而，在其他實施例中，可執行劃線，且隨後實施濕式蝕刻。在任何情況下，太陽能電池的光接收表面的粗糙化可在一實施例中，包含利用氫氧化物系的蝕刻製程粗糙化。應理解的是粗糙化表面可為具有規則或不規則形狀的表面用於散射入射光者，以降低太陽能電池的光接收表面的光反射掉的量。另外實施例可包含形成鈍化或抗反射塗層在光接收表面上。
現參照第9圖的流程圖900。在實施例中，製造包含具有第一表面的半導體基板之太陽能電池的方法，係包含形成太陽能電池的至少兩個次太陽能電池之間的內連線直接在半導體基板的第一表面上，以提供電性電池間連接於至少兩個次太陽能電池之間，如參照流程圖900的操作902所示。方法接著包含切割半導體基板直到第一表面以物理性隔離至少兩個次太陽能電池，如流程圖900的操作904所示。
在實施例中，形成內連線在太陽能電池的至少兩個次太陽能電池之間，係進一步包含形成金屬化結構在太陽能電池的半導體基板的第一表面上。在實施例中，切割半導體基板進一步包含自半導體基板的相對地第二表面劃線半導體基板。在此一實施例中，直到自第二表面露出部分的金屬化結構而停止劃線。
在實施例中，劃線半導體基板進一步包含形成溝槽在至少兩個次太陽能電池之間，以使金屬化結構電性連接部分的至少兩個次太陽能電池。在該實施例中，方法進一步包含形成封裝材料在溝槽。
在實施例中，切割半導體基板進一步包含形成至少一二極體在至少兩個次太陽能電池的每一個。至少兩個次太陽能電池的每一個係形成為具有大約相同的電壓特性以及大約相同的電流特性。在此一實施例中，形成至少一二極體在至少兩個次太陽能電池的每一個係進一步包含形成P型摻雜區以及N型摻雜區在至少兩個次太陽能電池的每一個的至少一二極體，形成第一金屬接觸至P型摻雜區，以及形成第二金屬接觸至N型摻雜區。
在實施例中，形成金屬化結構實質上與藉由電鍍一或多個金屬膜在半導體基板的部分的第一表面上的金屬化結構的形成同時。在一實施例中，金屬化結構是在用於電鍍一或多個金屬膜在半導體基板的部分的第一表面上的相同製程操作中形成。然而，在其他實施例，形成金屬化結構係包含圖樣化形成在半導體基板的第一表面上的金屬箔。在實施例中，方法進一步包含劃線半導體基板之前，粗糙化半導體基板之第二表面。
整體而言，雖然某些材料被具體描述於上，但是部分材料可輕易地被其他的材料替代，而此種實施例仍在本揭露的實施例的精神與範圍內。例如，在實施例中，不同材料的基板，例如III-V族材料的基板，可被用以替代矽基板。在其他的實施例中，使用多晶矽或多晶體矽基板。此外，應理解的是，雖然具體描述N+及P+型區，但是預期的其他實施例包含相反的導電型，例如分別為P+及N+型摻雜區。
在此描述之實施例的一或多個益處或優點可包含能使用較大的晶圓(例如，156 cm)而不須實施用於太陽能電池製造的額外金屬。實施例可被實現為可縮放電壓及電流的設計，包含高電壓設計，例如如上所述用於5V USB的應用，或120/240Vrms反向器的應用。一或多個實施例涉及使用標準電池的製造製程而不需改變已經用於常規電池製造的晶圓廠模組。其可不需特殊處理或使用額外的次電池內連線。由於金屬柵格電阻的功率損耗可與金屬柵格指狀的長度之平方成比例地降低。最後，效率效益可基於較低的電流以及可能更可靠之電池製備而達到。
因此，具有藉由金屬化結構連接之複數個次電池的太陽能電池、以及形成具有藉由金屬化結構連接之複數個次電池的太陽能電池的切單方法被揭露。
雖然特定實施例已於上文中描述，但這些實施例並不意於限制本揭露之範疇，即使其中相對於特定特徵僅描述單個實施例。提供於本揭露中之特徵之範例意為說明而非限制，除非另有敘述。以上描述意於涵蓋對於所屬技術領域中具有通常知識者而言將為顯而易見之具有本揭露之效益的此類替換物、修改物以及等效物。
本揭露之範疇包含文中所揭露之任意特徵或特徵之結合(明示地或暗示地)，或是任何其概括，而不論其是否減少任何或所有文中所處理之問題。因此，於本申請(或是對其主張優先權之申請)之審查期間新的申請專利範圍可制定為任意此類特徵之結合。具體地，參閱後附之申請專利範圍，來自附屬項之特徵可與獨立項之特徵結合且來自個別獨立項之特徵可用任何適合的方式結合而不僅是於後附申請專利範圍中所列舉之特定組合。
100、106、400A、400B、500A、500B、500C、500D、700‧‧‧太陽能電池
102‧‧‧基板
104、704‧‧‧金屬化結構
108、110、402A、402B、404A、404B、406A、406B、408A、408B、502A、502B、504A、504B‧‧‧次電池
112‧‧‧溝槽
114‧‧‧封裝材料
116‧‧‧部分
120‧‧‧聚合物區域
410A、410B、510A、510B‧‧‧金屬化線
412A、412B、512A、512B、414A、414B、514A、514B‧‧‧位置
420A、420B、520A、520B‧‧‧應力消除特徵
450A、450B、550A、550B‧‧‧示意性二極體
602‧‧‧電鍍金屬
702‧‧‧矽基板
800、900‧‧‧流程圖
802、804、902、904‧‧‧操作
第1A圖係為根據本揭露的實施例之在切單以形成物理性分離的次電池之前的太陽能電池之截面圖。
第1B圖係為根據本揭露的實施例之在切單以形成物理性分離的次電池之後的太陽能電池之截面圖。
第2圖係為根據本揭露的實施例之利用金屬作為用於電池切單的逆止(back-stop)之一對單一性次電池之部分截面圖。
第3圖係為根據本揭露的實施例之利用聚合物或其他非金屬作為用於電池切單的逆止之一對單一性次電池之部分截面圖。
第4A圖係為根據本揭露的實施例之分割成四個並聯的次電池之太陽能電池的金屬化側之平面圖。
第4B圖係為根據本揭露的另一實施例之分割成四個並聯的次電池之另一太陽能電池的金屬化側之平面圖。
第5A圖係為根據本揭露的實施例之依並聯配置分割成兩個次電池之太陽能電池的金屬化側之平面圖。
第5B圖係為根據本揭露的實施例之依串聯配置分割成兩個次電池之太陽能電池的金屬化側之平面圖。
第5C圖係為根據本揭露的實施例之依串聯配置分割成六個次電池之太陽能電池的金屬化側之平面圖。
第5D圖係為根據本揭露的實施例之依串聯配置分割成十個次電池之太陽能電池的金屬化側之平面圖。
第6圖係為根據本揭露的一或多個實施例之電池切單的考量與方法的代表性示例。
第7圖係為根據本揭露的實施例之用於形成次電池之太陽能電池的切單的雷射劃線之三個可能途徑。
第8圖係為表示根據本揭露的實施例之利用切單以形成次電池之製造太陽能電池的方法中操作之流程圖。
第9圖係為表示根據本揭露的另一實施例之利用切單以形成次電池之製造太陽能電池的另一方法中操作之流程圖。
106‧‧‧太陽能電池
108、110‧‧‧次電池
112‧‧‧溝槽
114‧‧‧封裝材料
116‧‧‧部分

Claims (32)

  1. 一種太陽能電池，其包含： 複數個次電池，該複數個次電池的每一個包含一單一性且物理性分離半導體基板部，其中相鄰的該單一性且物理性分離半導體基板部之間具有一溝槽；以及 一單晶金屬化結構，其中部分的該單晶金屬化結構與該複數個次電池耦合，其中相鄰的該單一性且物理性分離半導體基板部之間的該溝槽露出部分的該單晶金屬化結構。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該太陽能電池進一步包含： 一封裝材料，係設置在相鄰的該單一性且物理性分離半導體基板部之間的該溝槽。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該複數個次電池的每一個具有大約相同的電壓特性以及大約相同的電流特性。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該複數個次電池為複數個並聯二極體、串聯二極體或其組合。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該太陽能電池係為一背觸式太陽能電池，且其中該單晶金屬化結構係設置在該單一性且物理性分離半導體基板部的每一個之相對於一光接收表面的一後表面上。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之太陽能電池，其中由該複數個次電池的每一個產生的電流大約相同。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之太陽能電池，其中該複數個次電池的每一個的該光接收表面係為粗糙化表面。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該單一性且物理性分離半導體基板部的每一個係為一塊狀單晶矽基板部。
  9. 一種光伏模組，其包含複數個如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之光伏(PV)模組，其中對於各該太陽能電池，該PV模組的層疊體之一封裝材料係設置在相鄰的該單一性且物理性分離半導體基板部之間的該溝槽。
  11. 一種製造太陽能電池的方法，該方法包含： 形成一金屬化結構在一半導體基板的一第一表面上；以及 自該半導體基板的相對地一第二表面劃線該半導體基板，藉由自該第二表面露出部分的該金屬化結構而停止劃線。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中形成該金屬化結構在該半導體基板的該第一表面上，係包含圖樣化形成在該半導體基板的該第一表面上之一金屬箔。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中形成該金屬化結構在該半導體基板的該第一表面上，係包含在該半導體基板的部分的該第一表面上電鍍一或多個金屬膜。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中劃線係包含利用雷射劃線。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其進一步包含： 劃線該半導體基板之前，粗糙化該半導體基板的該第二表面。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中劃線包含形成複數個次電池，該複數個次電池的每一個包含該半導體基板的一單一性且物理性分離部分，具有一溝槽於相鄰的該半導體基板的該單一性且物理性分離部分之間，其中該金屬化結構連接該複數個次電池。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其進一步包含： 形成一封裝材料在相鄰的該半導體基板的該單一性且物理性分離部分之間的該溝槽。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中形成該複數個次電池係包含形成該複數個次電池的每一個具有大約相同的電壓特性以及大約相同的電流特性。
  19. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中形成該複數個次電池係包含形成複數個並聯二極體、串聯二極體或其組合。
  20. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其進一步包含： 劃線該半導體基板之後，嵌入該太陽能電池在一光伏(PV)模組層疊體，其中該PV模組層疊體的一封裝材料填充在相鄰的該半導體基板的該單一性且物理性分離部分之間的該溝槽。
  21. 一種太陽能電池，係根據如申請專利範圍第11項所述之方法所製造。
  22. 一種製造包含具有第一表面的半導體基板之太陽能電池的方法，該方法包含： 在切割該半導體基板直到該第一表面以物理性隔離至少兩個次太陽能電池之前，形成該太陽能電池的該至少兩個次太陽能電池之間的一內連線直接在該半導體基板的該第一表面上，以提供一電性電池間連接於該至少兩個次太陽能電池之間。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之方法，其中形成該太陽能電池的該至少兩個次太陽能電池之間的該內連線係進一步包含： 形成一金屬化結構在該太陽能電池的該半導體基板的該第一表面上。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之方法，其中切割該半導體基板進一步包含： 自該半導體基板之相對的一第二表面劃線該半導體基板。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中劃線該半導體基板係進一步包含： 在自該第二表面露出部分的該金屬化結構時停止劃線。
  26. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中在自該第二表面露出部分的該金屬化結構時停止劃線係包含停止在選自由一聚合物層、一金屬層以及一金屬網所組成的群組中之緩衝損傷層。
  27. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中劃線該半導體基板進一步包含： 形成一溝槽在該至少兩個次太陽能電池之間，使得該金屬化結構電性連接部分的該至少兩個次太陽能電池；以及 形成一封裝材料在該溝槽。
  28. 如申請專利範圍第22項所述之方法，其中切割該半導體基板係進一步包含： 形成至少一二極體在該至少兩個次太陽能電池的每一個；以及 形成該至少兩個次太陽能電池的每一個以具有大約相同的電壓特性以及大約相同的電流特性。
  29. 如申請專利範圍第28項所述之方法，其中形成該至少一二極體在該至少兩個次太陽能電池的每一個係進一步包含： 形成一P型摻雜區以及一N型摻雜區在該至少兩個次太陽能電池的每一個的該至少一二極體； 形成一第一金屬接觸至該P型摻雜區；以及 形成一第二金屬接觸至該N型摻雜區。
  30. 如申請專利範圍第23項所述之方法，其中形成該金屬化結構係進一步包含： 與該金屬化結構的形成實質上同時在該半導體基板的部分的該第一表面上電鍍一或多個金屬膜。
  31. 如申請專利範圍第23項所述之方法，其中形成該金屬化結構係進一步包含： 圖樣化形成在該半導體基板的該第一表面上的一金屬箔。
  32. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其進一步包含： 劃線該半導體基板之前，粗糙化該半導體基板之該第二表面。
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