TW201601210A - 晶圓之加工方法 - Google Patents

Abstract

本發明之課題為提供一種晶圓之加工方法，其為藉由所謂的先切割法，將裝設在被分割成一個個的半導體元件之半導體晶圓的背面的晶粒黏著用接著膜沿著被分割成一個個的半導體元件予以破斷，並且可以防止在破斷時微細地破碎的接著膜直接附著在半導體元件的表面。解決手段為將在表面上使複數條分割預定線形成為格子狀並且在以複數條分割預定線所劃分出的各個區域中形成有元件的晶圓之加工方法，其包含：分割溝形成步驟，從晶圓的表面側沿著分割預定線形成相當於元件晶片的完成品厚度之深度的分割溝；背面磨削步驟，磨削晶圓的背面而使該分割溝露出於背面，並將晶圓分割成一個個元件晶片；在晶圓的背面裝設接著膜，並且在接著膜上黏貼切割膠帶的步驟；以及接著膜破斷步驟，擴張切割膠帶以沿著一個個元件晶片將接著膜破斷。

Description

晶圓之加工方法 發明領域

本發明是有關於一種晶圓之加工方法，其為將在表面上以形成為格子狀之切割道所劃分出的複數個區域中形成有元件的晶圓沿著切割道分割成一個個元件晶片，並且在各個元件晶片的背面上裝設晶粒黏著(die bonding)用的接著膜。

發明背景

在例如半導體元件的製程中，是在大致呈圓板狀之半導體晶圓的表面上以形成為格子狀之分割預定線所劃分出的複數個區域中形成IC、LSI等元件，並將形成有該元件之各個區域沿著切割道分割，以製造出一個個的半導體元件。用以分割半導體晶圓之分割裝置，一般是使用切割裝置，此切割裝置是藉由厚度為20~30μm左右的切削刀而沿著切割道切削半導體晶圓。像這樣被分割之半導體元件晶片，可被封裝而廣泛地利用在行動電話或個人電腦等電子機器上。

作為將半導體晶圓分割成一個個元件晶片的方法，有一種稱為所謂的先切割法的分割技術已被實用化。 此先切割法，是自半導體晶圓的表面沿著切割道形成預定深度(相當於半導體元件晶片之完成品厚度的深度)的切削溝，之後，磨削表面已形成有切削溝之半導體晶圓的背面，使切削溝露出於該背面而分割成一個個半導體元件晶片的技術，且可將半導體元件晶片的厚度加工到50μm以下。(參照例如專利文獻1)。

被分割成一個個的半導體元件晶片，是在其背面裝設以聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂、丙烯酸系樹脂等所形成之厚度20~40μm之被稱為晶粒接合膜(DAF，die attach film)的晶粒黏著用接著膜，並藉由透過此接著膜加熱熔接在用以支撐半導體元件晶片之晶粒黏著框架上而被黏著。

然而，因為在將晶粒黏著用的接著膜裝設在半導體晶圓之背面的狀態下，藉由上述之所謂的先切割法並無法與半導體元件一起分割，而有下列技術被提出：在藉由所謂的先切割法而被分割成一個個半導體元件晶片的半導體晶圓的背面上裝設晶粒黏著用的接著膜，並且將接著膜側黏貼在切割膠帶上，藉由擴張該切割膠帶，以沿著被分割成一個個的半導體元件晶片將接著膜破斷之技術(參照例如專利文獻2)。

先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2003-7648號公報

專利文獻2：日本專利特開2008-235650號公報

發明概要

然而，將接著膜裝設在被分割成一個個元件晶片之晶圓的背面並黏貼切割膠帶，且藉由擴張該切割膠帶以沿著一個個元件晶片將接著膜破斷時，由於將接著膜形成得比晶圓稍大，所以會有接著膜之外周部微細地破碎而飛散，並附著於元件的表面的問題。

當微細地破碎的接著膜附著在露出於半導體元件之表面的電極上時，會有成為打線接合(wire bonding)的障礙，且發生導通不良而使元件品質降低的問題。

本發明是有鑒於上述事實而作成的發明，其主要技術課題在於提供一種晶圓之加工方法，其為藉由所謂的先切割法(Dicing Before Grinding)，將裝設在被分割成一個個的半導體元件晶片之半導體晶圓的背面的晶粒黏著用接著膜沿著被分割成一個個的半導體元件晶片破斷，並且可以防止在破斷時微細地破碎的接著膜直接附著在半導體元件的表面之情形。

為了解決上述之主要技術課題，根據本發明所提供的晶圓之加工方法，是將在表面上使複數條分割預定線形成為格子狀並且在藉由該複數條分割預定線所劃分出之各個區域中形成有元件的晶圓沿著分割預定線分割成一個個元件晶片，並且在各個元件晶片的背面裝設晶粒黏著用接著膜的晶圓之加工方法，特徵在於，其包含： 分割溝形成步驟，從晶圓的表面側沿著分割預定線形成相當於元件晶片的完成品厚度之深度的分割溝；保護膜形成步驟，在已實施過該分割溝形成步驟之晶圓的表面被覆水溶性樹脂以形成保護膜；保護構件黏貼步驟，對已在該保護膜形成步驟中被覆在晶圓的表面之保護膜的表面黏貼保護構件；背面磨削步驟，磨削已實施過該保護構件黏貼步驟之晶圓的背面而使該分割溝露出於背面，並將晶圓分割成一個個元件晶片；晶圓支撐步驟，在已實施過該背面磨削步驟之晶圓的背面裝設接著膜，並且在接著膜側黏貼切割膠帶且藉由環狀框架支撐切割膠帶的外周部，並將黏貼在晶圓表面的保護構件剝離；接著膜破斷步驟，擴張切割膠帶以沿著一個個元件晶片將接著膜破斷；以及保護膜洗淨步驟，對被覆於晶圓表面的保護膜供給洗淨水以洗掉保護膜。

根據本發明的晶圓之加工方法，在接著膜破斷步驟中雖然從晶圓的外周緣露出之接著膜的外周部的一部分會破碎飛散，而掉落在元件的表面側，但是因為元件的表面被覆有保護膜，所以破碎之接著膜的外周部的一部分會附著在被覆於元件的表面之保護膜的表面上，並不會有破碎之接著膜的外周部的一部分直接附著在元件的表面之情 形。因此，由於可藉由供給洗淨水以洗掉被覆於元件表面之保護膜，以將所附著之接著膜的外周部的一部分也去除掉，所以不會有導致元件之品質降低的情形。

又，因為在上述保護膜形成步驟中，在晶圓的表面形成保護膜之時，有水溶性樹脂被埋設於分割溝中，所以在實施背面磨削步驟之時，元件晶片的活動會受到限制而不會在元件晶片上產生缺陷，並且混入有磨削屑之磨削水的滲入會受到擋阻，使元件表面不會受到污染。

2‧‧‧半導體晶圓

2a、400a‧‧‧表面

2b‧‧‧背面

21‧‧‧分割預定線

22‧‧‧元件(元件晶片)

210‧‧‧分割溝

3‧‧‧切削裝置

31、61‧‧‧工作夾台

32‧‧‧切削手段

321‧‧‧主軸殼體

322‧‧‧旋轉主軸

323‧‧‧切削刀

33‧‧‧攝像手段

4‧‧‧保護膜形成裝置

40‧‧‧水溶性樹脂

41‧‧‧旋轉台

42‧‧‧樹脂液供給噴嘴

400‧‧‧保護膜

5‧‧‧保護膠帶

6‧‧‧磨削裝置

62‧‧‧磨削手段

631‧‧‧主軸殼體

632‧‧‧旋轉主軸

633‧‧‧安裝座

634‧‧‧磨削輪

635‧‧‧基台

636‧‧‧磨削磨石

637‧‧‧連結螺栓

7‧‧‧接著膜

71‧‧‧外周部

71a‧‧‧外周部的一部分

8‧‧‧膠帶擴張裝置

81‧‧‧框架保持手段

811‧‧‧框架保持構件

811a、911a‧‧‧載置面

812‧‧‧夾具

82‧‧‧膠帶擴張手段

821‧‧‧擴張滾筒

822‧‧‧支撐凸緣

823‧‧‧支撐手段

823a‧‧‧氣缸

823b‧‧‧活塞桿

9‧‧‧洗淨水供給噴嘴

F‧‧‧環狀框架

T‧‧‧切割膠帶

322a、A、B、C、X、Y‧‧‧箭頭

圖1是半導體晶圓的立體圖。

圖2(a)、(b)是顯示分割溝形成步驟的說明圖。

圖3(a)~(c)是顯示保護膜形成步驟的說明圖。

圖4(a)、(b)是顯示保護構件黏貼步驟的說明圖。

圖5(a)~(c)是顯示背面磨削步驟的說明圖。

圖6(a)~(c)是顯示晶圓支撐步驟之第1實施形態的說明圖。

圖7(a)、(b)是顯示晶圓支撐步驟之第2實施形態的說明圖。

圖8是用來實施接著膜破斷步驟之膠帶擴張裝置的立體圖。

圖9(a)、(b)是顯示接著膜破斷步驟的說明圖。

圖10(a)、(b)是顯示保護膜洗淨步驟的說明圖。

用以實施發明之形態

以下，針對本發明的晶圓之加工方法的較佳實施形態，參照附加之圖式以作更詳細之說明。

圖1中所示為半導體晶圓2的立體圖。圖1所示之半導體晶圓2，是由例如厚度為500μm之矽晶圓所構成，且在表面2a上將複數條分割預定線21形成為格子狀。並且，在半導體晶圓2之表面2a上，在被形成為格子狀之複數條分割預定線21所劃分之複數個區域中形成有IC、LSI等的元件22。以下說明晶圓之加工方法，其為沿著分割預定線21將此半導體晶圓2分割成一個個元件(元件晶片)22，並且在各個元件22之背面裝設晶粒黏著用接著膜。

首先，針對藉由所謂的先切割法將半導體晶圓2分割成一個個元件晶片22的方法進行說明。

要藉由所謂的先切割法將半導體晶圓2分割成一個個元件22，首先，是沿著形成在半導體晶圓2的表面2a之分割預定線21形成預定深度(相當於各個元件之完成品厚度的深度)的分割溝(分割溝形成步驟)。此分割溝形成步驟，在本實施形態中是使用圖2(a)所示的切削裝置3來實施。圖2(a)所示之切削裝置3具備有保持被加工物之工作夾台31、將保持於該工作夾台31上之被加工物予以切削之切削手段32、對保持於該工作夾台31上之被加工物進行拍攝之攝像手段33。工作夾台31是構成為可吸引保持被加工物，並形成為可藉由圖未示的切削進給機構使其在圖2(a)中於箭頭X所示之切削進給方向上移動，並且可藉由圖未示之分度進給機構使其在箭頭Y所示之分度進給方向上移動。

上述切削手段32包含有實質上水平地配置之主軸殼體321、被該主軸殼體321支撐成旋轉自如的旋轉主軸322，及裝設在該旋轉主軸322的前端部的切削刀323，並形成為旋轉主軸322可藉由配置在主軸殼體321內之圖未示的伺服馬達而朝箭頭322a所示之方向旋轉。再者，切削刀323的厚度在本實施形態中是設定在30μm。上述攝像手段33是裝設在主軸殼體321的前端部，具備用於照明被加工物之照明手段、捕捉被該照明手段照明之區域的光學系統、對被該光學系統所捕捉到的影像進行拍攝之攝像元件(CCD)等，並將所拍攝到的影像信號傳送到圖未示之控制手段。

要使用上述之切削裝置3來實施分割溝形成步驟，是如圖2(a)所示，將半導體晶圓2的背面2b側載置在工作夾台31上，並藉由作動圖未示之吸引手段以將半導體晶圓2保持在工作夾台31上。因此，保持於工作夾台31上的半導體晶圓2會變成表面2a在上側。像這樣進行而吸引保持半導體晶圓2之工作夾台31，可藉由圖未示之切削進給機構定位到攝像手段33的正下方。

當將工作夾台31定位至攝像手段33的正下方時，即可藉由攝像手段33以及圖未示出之控制手段實行檢測半導體晶圓2之沿著分割預定線21用來形成分割溝的切削區域的校準(alignment)作業。亦即，攝像手段33和圖未示出之控制手段會實行用於進行半導體晶圓2之第1方向上所形成的分割預定線21與切削刀323的位置對齊之型樣匹配(pattern matching)等的影像處理，而完成切削區域之校準 (校準步驟)。又，針對在半導體晶圓2上所形成之相對於上述第1方向為在直角上延伸的分割預定線21，也是同樣地完成切削區域之校準。

當如以上地進行，而執行完用以檢測保持在工作夾台31上之半導體晶圓2的切削區域的校準後，即可將保持有半導體晶圓2之工作夾台31移動到切削區域之切削開始位置。然後，一邊將切削刀323在圖2(a)中往箭頭322a所示之方向旋轉一邊向下方移動以實施切入進給。此切入進給位置是設定在使切削刀323的外周緣位於距離半導體晶圓2的表面相當於元件的完成品厚度之深度位置(例如50μm)處。像這樣進行而實施過切削刀323之切入進給後，即可藉由一邊旋轉切削刀323一邊使工作夾台31在圖2(a)中於箭頭X所示之方向上切削進給，以如圖2(b)所示地沿著分割預定線21形成寬度為30μm且相當於元件完成品厚度之深度(例如50μm)的分割溝210(分割溝形成步驟)。

實施過上述分割溝形成步驟後，即可實施在半導體晶圓2的表面2a被覆水溶性樹脂而形成保護膜的保護膜形成步驟。此保護膜形成步驟是使用圖3(a)以及(b)所示之保護膜形成裝置4來實施。保護膜形成裝置4具備有保持晶圓之旋轉台41，與配置於該旋轉台41之旋轉中心上方的樹脂液供給噴嘴42。將已實施過上述分割溝形成步驟之半導體晶圓2的背面2b側載置在像這樣所構成之保護膜形成裝置4的旋轉台41上。然後，作動圖未示出之吸引手段，將半導體晶圓2吸引保持於旋轉台41上。因此，被保持於旋轉台 41上之半導體晶圓2會成為表面2a在上側。像這樣進行而將半導體晶圓2保持於旋轉台41上後，即可如圖3(a)所示，在使旋轉平台41朝箭頭所示之方向以預定的旋轉速度(例如300~1000rpm)旋轉時，從配置於旋轉台41上方之樹脂液供給噴嘴42將預定量之液狀的水溶性樹脂40滴下到半導體晶圓2之表面2a的中央區域。然後，藉由將旋轉台41旋轉60秒左右，以如圖3(b)以及(c)所示，在半導體晶圓2的表面2a上形成保護膜400。在此保護膜400形成之時，會將液狀之水溶性樹脂40埋設於分割溝210內。像這樣進行而被覆在半導體晶圓2的表面2a上之保護膜400的厚度雖然可取決於上述液狀之水溶性樹脂40的滴下量，但以在50μm左右即可。再者，作為水溶性樹脂40，可以使用聚乙烯醇(PVA)、水溶性酚醛樹脂、丙烯酸系水溶性樹脂等。

當藉由實施上述保護膜形成步驟而使被覆於半導體晶圓2之表面2a的保護膜400被乾燥且固化後，即可實施在保護膜400之表面400a黏貼保護構件之保護構件黏貼步驟。亦即，如圖4所示，在被覆於半導體晶圓2之表面的保護膜400的表面400a上黏貼作為保護構件的保護膠帶5。再者，在本實施形態中，保護膠帶5是在厚度為100μm之聚氯乙烯(PVC)所製成之片狀基材的表面上將丙烯酸樹脂系之膠料塗佈為厚度5μm左右。

實施過上述保護構件黏貼步驟後，即可實施對半導體晶圓2的背面一邊供給磨削水一邊磨削以形成為預定的厚度並且使分割溝露出於背面，而將半導體晶圓2分割成 一個個的元件晶片之背面磨削步驟。此背面磨削步驟是使用圖5(a)所示之磨削裝置6來實施。圖5(a)所示之磨削裝置6具備有作為保持被加工物之保持手段的工作夾台61，與用以磨削被保持於該工作夾台61上之被加工物的磨削手段62。工作夾台61是構成為可將被加工物吸引保持在上表面，並可藉由圖未示出之旋轉驅動機構使其在圖5(a)中朝箭頭A所示的方向旋轉。磨削手段62具備有主軸殼體631，被該主軸殼體631支撐成旋轉自如並藉由圖未示的旋轉驅動機構使其旋轉之旋轉主軸632、裝設在該旋轉主軸632之下端的安裝座633，及安裝在該安裝座633之下表面的磨削輪634。此磨削輪634是由圓環狀之基台635，與在該基台635之下表面裝設成環狀之磨削磨石636所構成，且基台635是藉由連結螺栓637而被安裝在安裝座633的下表面。再者，在構成上述磨削裝置6之旋轉主軸632上設置有沿軸心形成之磨削水供給通路，並形成為通過該磨削水供給通路將磨削水供給至磨削磨石636的磨削區域。

使用上述之磨削裝置6而實施上述晶圓分割步驟時，如圖5(a)所示，是將黏貼於半導體晶圓2表面之保護膠帶5側載置在工作夾台61的上表面(保持面)。然後，藉由圖未示出之吸引手段隔著保護膠帶5將半導體晶圓2吸附保持於工作夾台61上(晶圓保持步驟)。因此，被保持於工作夾台61上之半導體晶圓2會成為背面2b在上側。像這樣隔著保護膠帶5將半導體晶圓2吸引保持於工作夾台61上後，即可在將工作夾台61於圖5(a)中朝箭頭A所示的方向以例如 300rpm旋轉時，使磨削手段62之磨削輪634在圖5(a)中朝箭頭B所示的方向以例如6000rpm旋轉，以如圖5(b)所示，使磨削磨石636接觸作為被加工面之半導體晶圓2的背面2b，並將磨削輪634如箭頭C所示地以例如1μm/秒的磨削進給速度往下方(相對於工作夾台61之保持面垂直的方向)磨削進給預定量。然後，藉由磨削到使分割溝210露出為止，以如圖5(b)以及(c)所示，將半導體晶圓2分割成一個個的元件晶片22。再者，已被分割之複數個元件晶片22，因為其表面黏貼有保護膠帶5，因此不會變得分散凌亂而可維持半導體晶圓2的形態。再者，因為在上述保護膜形成步驟中，於半導體晶圓2之表面2a形成保護膜400之時，有液狀之水溶性樹脂40被埋設於分割溝210內，所以在實施晶圓分割步驟時，元件晶片22之活動會受到限制而不會在元件晶片22上產生缺陷，並且混入有磨削屑之磨削水的滲入會受到擋阻，使元件晶片22的表面不會被污染。

接著，實施在已實施過上述晶圓分割步驟之半導體晶圓2的背面裝設接著膜且在接著膜側黏貼切割膠帶並藉由環狀框架支撐該切割膠帶之外周部的晶圓支撐步驟。在此晶圓支撐步驟之實施形態中，如圖6(a)以及(b)所示，是將接著膜7裝設於半導體晶圓2的背面2b(接著膜裝設步驟)。再者，接著膜7為了可確實地裝設在半導體晶圓2的整個背面上，會形成為比半導體晶圓2稍大。當如此進行而將接著膜7裝設在半導體晶圓2的背面2b後，就可以如圖6(c)所示，將裝設有接著膜7之半導體晶圓2的接著膜7側黏貼在 被裝設在環狀框架F上之可拉伸的切割膠帶T上。然後，將被黏貼在被覆於半導體晶圓2之表面2a的保護膜400的表面上的保護膠帶5剝離(保護構件剝離步驟)。再者，圖6(a)到(c)所示之實施形態中，雖然顯示了將裝設有接著膜7之半導體晶圓2的接著膜7側黏貼在已被裝設於環狀框架F的切割膠帶T上的例子，但是也可在將切割膠帶T黏貼到裝設有接著膜7之半導體晶圓2的接著膜7側時，同時將切割膠帶T的外周部裝設到環狀框架F上。

針對上述之晶圓支撐步驟的其他實施形態，參照圖7作說明。此實施形態是使用事先將接著膜7黏貼在切割膠帶T的表面之附有接著膜的切割膠帶。亦即，如圖7(a)、(b)所示，是將半導體晶圓2的背面2b裝設在以覆蓋環狀框架F之內側開口部的方式裝設外周部之切割膠帶T的表面上所黏貼的接著膜7上。像這樣使用附有接著膜之切割膠帶時，是藉由將半導體晶圓2的背面2b裝設於被黏貼在切割膠帶T的表面之接著膜7上，以藉由被裝設在環狀框架F上之切割膠帶T來支撐裝設有接著膜7之半導體晶圓2。再者，已事先黏貼於切割膠帶T之表面的接著膜7，為了能確實地裝設在半導體晶圓2的整個背面，也會形成為比半導體晶圓2稍大。然後，如圖7(b)所示，可將黏貼在被覆於半導體晶圓2的表面2a之保護膜400的表面上的保護膠帶5剝離(保護構件剝離步驟)。再者，在本實施形態中，雖然是顯示將半導體晶圓2之背面2b裝設在接著膜7上，而該接著膜7已被黏貼在已將外周部裝設在環狀框架F之切割膠帶T的表面之例，但是 也可以在將已黏貼在切割膠帶T上之接著膜7裝設到半導體晶圓2之背面2b時，同時將切割膠帶T的外周部裝設到環狀框架F上。

當如以上地進行而實施過晶圓支撐步驟後，即可實施藉由擴張切割膠帶T而沿著一個個的元件晶片22將接著膜7破斷的接著膜破斷步驟。此接著膜破斷步驟是使用圖8所示之膠帶擴張裝置8來實施。圖8所示之膠帶擴張裝置8具備有保持上述環狀框架F之框架保持手段81，與將被保持在該框架保持手段81之環狀框架F上所裝設的切割膠帶T予以擴張的膠帶擴張手段82。框架保持手段81是由環狀的框架保持構件811，和配置在該框架保持構件811的外周之作為固定手段的複數個夾具812所構成。框架保持構件811的上表面形成有可載置環狀框架F之載置面811a，並將環狀框架F載置於此載置面811a上。並且，被載置於載置面811a上之環狀框架F是透過夾具812而被固定於框架保持構件811上。如此所構成之框架保持手段81，是以膠帶擴張手段82支撐成可在上下方向上作進退。

膠帶擴張手段82具備有配置在上述環狀的框架保持構件811內側之擴張滾筒821。此擴張滾筒821具有比環狀框架F之內徑還小且比被裝設在該環狀框架F上之切割膠帶T上所黏貼的半導體晶圓2的外徑還大的內徑及外徑。又，擴張滾筒821，於下端設有支撐凸緣822。膠帶擴張手段82具備有可將上述環狀的框架保持構件811於上下方向上進退的支撐手段823。這個支撐手段823是由配置在上述支撐 凸緣822上的複數個氣缸823a所構成，並將其活塞桿823b連結至上述環狀的框架保持構件811的下表面。像這樣由複數個氣缸823a所構成之支撐手段823，使環狀的框架保持構件811可在如圖9(a)所示地使載置面811a與擴張滾筒821的上端成為大致相同高度的基準位置，和如圖9(b)所示地距離擴張滾筒821的上端預定量下方的擴張位置之間於上下方向上移動。

針對利用如以上所構成之膠帶擴張裝置8所實施的接著膜破斷步驟，參照圖9加以說明。亦即，將裝設有黏貼著半導體晶圓2的切割膠帶T的環狀框架F，如圖9(a)所示地載置於構成框架保持手段81之框架保持構件811的載置面811a上，並藉由夾具812而固定在框架保持構件811上(框架保持步驟)。此時，框架保持構件811被定位在圖9(a)所示之基準位置上。接著，作動作為構成膠帶擴張手段82之支撐手段823的複數個氣缸823a，以使環狀的框架保持構件811下降到圖9(b)所示之擴張位置。因此，由於被固定在框架保持構件811之載置面911a上的環狀框架F也會下降，所以如圖9(b)所示，被裝設在環狀框架F上的切割膠帶T會接觸於擴張滾筒821的上端緣而使其得以被擴張(膠帶擴張步驟)。因此，透過接著膜7而被黏貼在切割膠帶T上之半導體晶圓2(已沿著分割預定線21被分割)，會在元件22間形成間隙(s)。其結果為，被裝設在半導體晶圓2的背面上之接著膜7，會沿著各元件晶片22而被破斷並被分離。如此進行而將接著膜7沿著各個元件晶片22破斷時，如圖9(b)所示，雖然 從半導體晶圓2之外周緣突出的接著膜7的外周部71的一部分71a會破碎而飛散，並掉落在元件晶片22的表面側，但是由於元件晶片22的表面上被覆有保護膜400，因此不會有破碎之接著膜7的外周部71的一部分71a直接附著在元件晶片22的表面之情形。因此，可藉由去除被覆在元件晶片22的表面上之保護膜400，而將附著之接著膜7的外周部71的一部分71a也去除，所以不會有造成元件晶片22的品質降低之情形。

實施過上述接著膜破斷步驟後，即可實施對一個個的元件晶片22的表面供給洗淨液以去除保護膜400之保護膜去除步驟。此保護膜去除步驟是從已實施過上述接著膜破斷步驟之圖9(b)所示的狀態，將膠帶擴張裝置8如圖10(a)所示地定位至洗淨水供給噴嘴9的正下方，並從洗淨水供給噴嘴9將作為洗淨液之洗淨水供給至被覆在一個個的元件晶片22之表面上的保護膜400的表面上，其中該一個個的元件晶片22是黏貼在被裝設於環狀框架F上之切割膠帶T上。其結果為，如圖10(b)所示，由於保護膜400是由水溶性樹脂所構成，因此可容易地以洗淨水去除，並且使附著在保護膜400的表面之接著膜7的一部分也被去除。因此，不會有在元件晶片22的表面附著接著膜之一部分的情形，因而不會使元件晶片22的品質降低。

如以上地進行而實施過保護膜去除步驟後，就可將背面裝設有接著膜7之元件晶片22從切割膠帶T剝離以搬送至進行拾取的拾取步驟。

2‧‧‧半導體晶圓

22‧‧‧元件(元件晶片)

400‧‧‧保護膜

7‧‧‧接著膜

8‧‧‧膠帶擴張裝置

81‧‧‧框架保持手段

811‧‧‧框架保持構件

811a‧‧‧載置面

812‧‧‧夾具

821‧‧‧擴張滾筒

823‧‧‧支撐手段

823a‧‧‧氣缸

823b‧‧‧活塞桿

9‧‧‧洗淨水供給噴嘴

F‧‧‧環狀框架

T‧‧‧切割膠帶

Claims (1)

1. 一種晶圓之加工方法，是將在表面上使複數條分割預定線形成為格子狀並且在藉由該複數條分割預定線所劃分出的各個區域中形成有元件的晶圓沿著分割預定線分割成一個個元件晶片，並且在各個元件晶片的背面裝設晶粒黏著用接著膜的晶圓之加工方法，特徵在於，其包含：分割溝形成步驟，從晶圓的表面側沿著分割預定線形成相當於元件晶片的完成品厚度之深度的分割溝；保護膜形成步驟，在已實施過該分割溝形成步驟之晶圓的表面被覆水溶性樹脂以形成保護膜；保護構件黏貼步驟，對已在該保護膜形成步驟中被覆在晶圓的表面之保護膜的表面黏貼保護構件；背面磨削步驟，磨削已實施過該保護構件黏貼步驟之晶圓的背面而使該分割溝露出於背面，並將晶圓分割成一個個元件晶片；晶圓支撐步驟，在已實施過該背面磨削步驟之晶圓的背面裝設接著膜，並且在接著膜側黏貼切割膠帶且藉由環狀框架支撐切割膠帶的外周部，並將黏貼在晶圓表面的保護構件剝離；接著膜破斷步驟，擴張切割膠帶以沿著一個個元件晶片將接著膜破斷；以及保護膜洗淨步驟，對被覆於晶圓表面的保護膜供給 洗淨水以洗掉保護膜。