TW201600233A

TW201600233A - 研磨墊及研磨墊的製造方法

Info

Publication number: TW201600233A
Application number: TW104117700A
Authority: TW
Inventors: Fumihiro Mukai; Toshikazu Taura
Original assignee: Bando Chemical Ind
Priority date: 2014-06-17
Filing date: 2015-06-02
Publication date: 2016-01-01
Also published as: KR20170013315A; WO2015194278A1; CN106457523A; JPWO2015194278A1

Abstract

本發明的目的是提供一種能以高水準兼顧加工效率與精加工平坦性的研磨墊。本發明的研磨墊具有基材、及積層於所述基材的表面側的研磨層，且其特徵在於：所述研磨層具有以樹脂或無機物為主成分的黏合劑、及分散於所述黏合劑中的金剛石研磨粒，所述金剛石研磨粒的平均形狀係數為1以上、1.33以下。所述黏合劑的主成分可為熱硬化性樹脂或光硬化性樹脂。所述黏合劑的主成分可為矽酸鹽。所述研磨層在表面可具有多個凸狀部，所述多個凸狀部可規則地排列。在所述基材的背面側可具有黏接層。所述黏接層可由黏著劑構成。所述基材可具有可撓性或延性。

Description

研磨墊及研磨墊的製造方法

本發明是有關於一種研磨墊及研磨墊的製造方法。

近年來，硬碟等電子設備的精密化取得進展。考慮到可應對小型化或薄型化的剛性、耐衝擊性及耐熱性，此種電子設備的基板材料可使用玻璃等。

此種基板（被研磨體）的加工主要大致分為研磨加工與拋光加工。首先，在研磨加工中進行使用金剛石等硬質粒子的物理性研磨加工，進行基板的厚度控制或平坦化。繼而，在拋光加工中進行使用二氧化鈰等微細粒子的化學性研磨加工，提高基板表面的平坦化精度。

通常若欲提高精加工的平坦化精度，則有加工時間變長的傾向，加工效率與平坦化精度成為折衷的關係。因此難以兼顧加工效率與平坦化精度。對此，為了兼顧研磨加工時的加工效率與平坦化精度，而提出了如下的研磨墊，其具有包含黏合劑與研磨粒的研磨層，並且所述研磨層具有凸狀部（參照日本專利特表2002-542057號公報）。

然而，即便使用所述先前技術的研磨墊，亦說不上充分兼顧加工效率與平坦化精度，而迫切期望兼顧更高水準的加工效率與精加工平坦性。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特表2002-542057號公報

[發明所欲解決之課題]

本發明根據如上所述的情況而成，目的是提供一種能以高水準兼顧加工效率與精加工平坦性的研磨墊。 [解決課題之手段]

本發明者等人進行努力研究的結果，發現藉由使用平均形狀係數為一定範圍內的金剛石研磨粒，而能以高水準兼顧被研磨體的加工效率與精加工完成平坦性，從而完成了本發明。

即，為了解決所述課題而完成的發明是一種研磨墊，其具有基材、及積層於所述基材的表面側的研磨層，且所述研磨墊的特徵在於：所述研磨層具有以樹脂或無機物為主成分的黏合劑、及分散於所述黏合劑中的金剛石研磨粒，所述金剛石研磨粒的平均形狀係數為1以上、1.33以下。

所述研磨墊由於研磨層具有平均形狀係數為所述範圍內的金剛石研磨粒，因此能以高水準兼顧被研磨體的加工效率與精加工平坦性。因此，所述研磨墊可在短時間內將玻璃基板等被研磨體的表面平坦化。

所述黏合劑的主成分可為熱硬化性樹脂或光硬化性樹脂。如此藉由黏合劑的主成分設為熱硬化性樹脂或光硬化性樹脂，而在構成黏合劑時容易確保金剛石研磨粒的良好的分散性與對基材的良好的密接性，並且容易形成研磨層。其結果，可提高研磨層的耐久性，並且可提高研磨時的加工效率。

所述黏合劑的主成分可為矽酸鹽。如此藉由將黏合劑的主成分設為矽酸鹽，而可提高研磨層的研磨粒子保持力。

所述研磨層在表面可具有多個凸狀部，並且所述多個凸狀部可規則地排列。如此藉由所述研磨層在表面具有多個凸狀部，並且所述多個凸狀部規則地排列，而研磨的各向異性降低，並且可容易使被研磨面進一步平坦化。

在所述基材的背面側可具有黏接層。如此藉由在所述基材的背面側具有黏接層，而可容易且可靠地將研磨墊固定於用以安裝於研磨裝置的支撐體。

所述黏接層可由黏著劑構成。如此藉由由黏著劑構成所述黏接層，而可自支撐體將研磨墊剝離而貼換，因此研磨墊及支撐體的再利用變得容易。

所述基材可具有可撓性或延性（ductility）。如此藉由所述基材具有可撓性或延性，而研磨墊會追隨被研磨體的表面形狀，而研磨面與被研磨體容易接觸，因此加工效率進一步提高。

為了解決所述課題而完成的另外的發明是一種研磨墊的製造方法，其用於製造具有基材、及積層於所述基材的表面側的研磨層的研磨墊，且所述製造方法的特徵在於具備藉由研磨層用組成物的印刷而形成所述研磨層的步驟，在所述研磨層形成步驟中使用研磨層用組成物，所述研磨層用組成物具有以樹脂或無機物為主成分的黏合劑成分、及平均形狀係數為1以上、1.33以下的金剛石研磨粒。

所述研磨墊的製造方法由於藉由研磨層用組成物的印刷而形成研磨層，因此製造效率佳。另外，所述研磨墊的製造方法由於形成具有平均形狀係數為1以上、1.33以下的金剛石研磨粒的研磨層，因此可製造能以高水準兼顧被研磨體的加工效率與精加工平坦性的研磨墊。

此處，所謂「平均形狀係數」，是在將與研磨粒的投影面外切的圓的直徑設為D（μm）、將研磨粒的投影面的面積設為A（μm² ）時，以（D² /A）×（π/4）表示的量的平均值。 [發明的效果]

如以上所說明般，根據本發明的研磨墊，能以高水準兼顧加工效率與精加工平坦性。因此，所述研磨墊可在短時間內將玻璃基板等被研磨體的表面平坦化。

[第一實施形態] 以下，一邊參照適當圖式，一邊對本發明的實施形態進行詳細說明。

＜研磨墊＞圖1A及圖1B所示的研磨墊1具備：樹脂製基材10、積層於所述基材10的表面側的研磨層20、及積層於基材10的背面側的黏接層30。

（基材）所述基材10是用以支撐研磨層20的板狀構件。

作為所述基材10的材質，並無特別限定，可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯（Polyethylene Terephthalate，PET）、聚丙烯（Polypropylene，PP）、聚乙烯（Polyethylene，PE）、聚醯亞胺（Polyimide，PI）、聚萘二甲酸乙二酯（Polyethylene Naphthalate，PEN）、芳族聚醯胺、鋁、銅等。其中，較佳為與研磨層20的黏接性良好的PET、PI。另外，可對基材10的表面進行化學處理、電暈處理、底塗處理等提高黏接性的處理。

所述基材10可具有可撓性或延性。如此藉由所述基材10具有可撓性或延性，而研磨墊1追隨被研磨體的表面形狀，研磨面與被研磨體容易接觸而加工效率進一步提高。作為此種具有可撓性的基材10的材質，例如可列舉PET或PI。另外，作為具有延性的基材10的材質，可列舉鋁或銅。

作為所述基材10的形狀及大小，並無特別限制，例如可設為150 mm×150 mm的方形形狀或外徑為637 mm及內徑為234 mm的圓環狀。另外，在平面上並置的多個基材10可為藉由單一支撐體支撐的構成。

作為所述基材10的平均厚度，並無特別限制，例如可設為75 μm以上、1 mm以下。在所述基材10的平均厚度小於所述下限時，有所述研磨墊1的強度或平坦性不足的擔憂。另一方面，在所述基材10的平均厚度超過所述上限時，有所述研磨墊1不必要地變厚而難以操作的擔憂。

（研磨層）研磨層20具有黏合劑21、及分散於所述黏合劑21中的金剛石研磨粒22。另外，所述研磨層20在表面具有多個凸狀部23。

所述研磨層20的平均厚度（僅凸狀部23部分的平均厚度）並無特別限制，作為所述研磨層20的平均厚度的下限，較佳為100 μm，更佳為130 μm。另外，作為所述研磨層20的平均厚度的上限，較佳為1000 μm，更佳為800 μm。在所述研磨層20的平均厚度小於所述下限時，有研磨層20的耐久性不足的擔憂。另一方面，在所述研磨層20的平均厚度超過所述上限時，有所述研磨墊1不必要地變厚而難以操作的擔憂。

（黏合劑）所述黏合劑21將樹脂或無機物作為主成分。

作為所述樹脂，並無特別限定，較佳為熱硬化性樹脂及光硬化性樹脂。作為熱硬化性樹脂，可列舉：聚胺基甲酸酯、多酚、環氧樹脂、聚酯、纖維素、乙烯共聚物、聚乙烯縮醛、聚丙烯酸、丙烯酸酯樹脂、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚乙酸乙烯酯、聚醯胺等。另外，作為光硬化性樹脂，可列舉：丙烯酸酯樹脂、丙烯酸胺基甲酸酯樹脂、乙烯酯樹脂、聚酯-醇酸等。其中較佳為熱硬化性環氧樹脂。熱硬化性環氧樹脂在構成黏合劑21時，容易確保金剛石研磨粒22的良好的分散性、及對基材10的良好的密接性。另外，即便使用添加了紫外線硬化劑的紫外線硬化性樹脂或在聚丙烯酸等熱塑性樹脂中添加了硬化劑的樹脂，亦同樣容易確保金剛石研磨粒22的良好的分散性、及對基材10的良好的密接性。另外，所述黏合劑21的樹脂的至少一部分可交聯。

作為所述無機物，可列舉：矽酸鹽、磷酸鹽、多價金屬烷氧化物等。其中較佳為研磨層20的研磨粒子保持力優異的矽酸鹽。

在所述黏合劑21中，根據目的可適當含有：分散劑、偶合劑、界面活性劑、潤滑劑、消泡劑、著色劑等各種助劑及添加劑等。

（研磨粒）作為所述金剛石研磨粒22的平均粒徑的下限，較佳為1 μm，更佳為3 μm。另外，作為所述金剛石研磨粒22的平均粒徑的上限，較佳為20 μm，更佳為15 μm。在所述金剛石研磨粒22的平均粒徑小於所述下限時，有研磨速率不充分的擔憂。另一方面，在所述金剛石研磨粒22的平均粒徑超過所述上限時，有被研磨體受到損傷的擔憂。

作為所述金剛石研磨粒22的平均形狀係數的下限，為1。另外，作為所述金剛石研磨粒22的平均形狀係數的上限，為1.33，更佳為1.3。在所述金剛石研磨粒22的平均形狀係數超過所述上限時，有難以以高水準兼顧被研磨體的加工效率與精加工平坦性的擔憂。另外，所述金剛石研磨粒22的平均形狀係數根據其定義並非小於1。

作為所述金剛石研磨粒22相對於研磨層20的含量的下限，較佳為35質量%，更佳為40質量%。另外，作為所述金剛石研磨粒22相對於研磨層20的含量的上限，較佳為70質量%，更佳為65質量%。在所述金剛石研磨粒22相對於研磨層20的含量小於所述下限時，有研磨層20的研磨力不足的擔憂。另一方面，在所述金剛石研磨粒22相對於研磨層20的含量超過所述上限時，有被研磨體受到損傷的擔憂。

（凸狀部）所述研磨層20在表面具有配設成等間隔的格子狀的多個凸狀部23。所述多個凸狀部23的形狀為規則地排列的方塊圖案狀。研磨層20的凸狀部23以外的部分（槽部）的底面由基材10的表面構成。

作為所述凸狀部23的平均面積的下限，較佳為0.5 mm² ，更佳為1 mm² 。另外，作為所述凸狀部23的平均面積的上限，較佳為3 mm² ，更佳為2.5 mm² 。在所述凸狀部23的平均面積小於所述下限時，有研磨層20的凸狀部23剝離的擔憂。另一方面，在所述凸狀部23的平均面積超過所述上限時，有研磨層20在研磨時的摩擦阻力變高，而被研磨體受到損傷的擔憂。

作為所述多個凸狀部23相對於所述研磨層20整體的面積佔有率的下限，較佳為15%，更佳為20%。另外，作為所述多個凸狀部23相對於所述研磨層20整體的面積佔有率的上限，較佳為40%，更佳為35%。在所述多個凸狀部23相對於所述研磨層20整體的面積佔有率小於所述下限時，有研磨層20的凸狀部23剝離的擔憂。另一方面，在所述多個凸狀部23相對於所述研磨層20整體的面積佔有率超過所述上限時，有研磨層20在研磨時的摩擦阻力變高，而被研磨體受到損傷的擔憂。另外，「研磨層整體的面積」是亦包括研磨層的空隙的面積的概念。

（黏接層）黏接層30是在支撐所述研磨墊1而用以安裝於研磨裝置的支撐體上固定所述研磨墊1的層。

作為所述黏接層30所用的黏接劑，並無特別限定，例如可列舉：反應型黏接劑、瞬間黏接劑、熱熔黏接劑、黏著劑等。

作為所述黏接層30所用的黏接劑，較佳為黏著劑。藉由使用黏著劑作為黏接層30所用的黏接劑，而可自支撐體剝離所述研磨墊1而貼換，因此所述研磨墊1及支撐體的再利用變得容易。作為此種黏著劑，並無特別限定，例如可列舉：丙烯酸系黏著劑、丙烯酸-橡膠系黏著劑、天然橡膠系黏著劑、丁基橡膠系等合成橡膠系黏著劑、矽酮系黏著劑、聚胺基甲酸酯系黏著劑、環氧系黏著劑、聚乙烯系黏著劑、聚酯系黏著劑等。

作為黏接層30的平均厚度的下限，較佳為0.05 mm，更佳為0.1 mm。另外，作為黏接層30的平均厚度的下限，較佳為0.3 mm，更佳為0.2 mm。在黏接層30的平均厚度小於所述下限時，有黏接力不足，而研磨墊1自支撐體剝離的擔憂。另一方面，在黏接層30的平均厚度超過所述上限時，例如有由於黏接層30的厚度而在將所述研磨墊1切成所期望的形狀時產生障礙等作業性降低的擔憂。

（研磨墊的製造方法）所述研磨墊1可藉由以下步驟而製造：準備研磨層用組成物的步驟、及藉由研磨層用組成物的印刷而形成所述研磨層20的步驟。

首先，在研磨層用組成物準備步驟中，準備使研磨層用組成物（黏合劑21的形成材料及金剛石研磨粒22）分散於溶劑而成的溶液作為塗敷液。作為所述溶劑，若為黏合劑21的形成材料可溶解，則並無特別限定。具體可使用：甲基乙基酮（Methyl Ethyl Ketone，MEK）、異佛爾酮、松脂醇、N-甲基吡咯啶酮、環己酮、碳酸丙二酯等。為了控制塗敷液的黏度或流動性，可添加水、醇、酮、乙酸酯、芳香族化合物等稀釋劑等。

繼而，在研磨層形成步驟中，將所述研磨層用組成物準備步驟中所準備的塗敷液塗佈於基材10的表面，藉由印刷法形成具有凸狀部23的研磨層20。為了形成所述凸狀部23，而使用具有與凸狀部23的形狀對應的形狀的遮罩。使用所述遮罩將所述塗敷液塗敷（印刷）。作為所述塗敷方式，例如可使用：棒塗、反輥塗佈、刮刀塗佈、網版印刷、凹版塗佈、模塗等。並且，藉由使經塗佈的塗敷液乾燥及反應硬化，而形成研磨層20。具體而言，例如藉由100℃以上、120℃以下的熱使塗敷液的溶劑蒸發後，藉由80℃以上、120℃以下的熱使塗敷液的溶劑硬化，而形成黏合劑21。

（優點）所述研磨墊1由於研磨層20具有平均形狀係數為1以上、1.33以下的金剛石研磨粒22，因此能以高水準兼顧被研磨體的加工效率與精加工平坦性。因此，所述研磨墊1可在短時間內將玻璃基板等被研磨體的表面平坦化。另外，所述研磨墊1藉由所述研磨層20在表面具有多個凸狀部23，並且所述多個凸狀部23的形狀為規則地排列的方塊圖案狀，而研磨的各向異性降低，可容易將被研磨面進一步平坦化。另外，所述研磨墊1藉由在所述基材10的背面側具有黏接層30，而可容易且可靠地將所述研磨墊1固定於用以安裝於研磨裝置的支撐體。而且，所述研磨墊1的製造方法由於藉由研磨層用組成物的印刷形成研磨層20，因此製造效率佳。

[其他實施形態] 本發明並不限定於所述實施形態，除了所述形態外，亦可藉由實施了各種變更、改良的形態而實施。在所述實施形態中，將凸狀部構成為等間隔的格子狀，但格子的間隔亦可不為等間隔，例如可在縱方向與橫方向改變間隔。但是，在凸狀部的間隔不同時，有研磨產生各向異性的擔憂，因此較佳為等間隔。另外，凸狀部的平面形狀亦可不為格子狀，例如可為重複四邊形以外的多邊形的形狀、圓形形狀、具有多條平行線的形狀等。

另外，在所述實施形態中，設為所述多個槽部的底面為基材的表面的構成，但槽部的深度小於研磨層的平均厚度，而槽部可不到達基材的表面。此時，槽部的深度可設為研磨層的平均厚度的50%以上。在槽部的深度小於所述下限時，有因磨耗而引起槽部消失的擔憂，並有研磨墊的耐久性差的情況。

在所述實施形態中，作為凸狀部的形成方法，揭示了使用遮罩的方法，但在基材表面的整個面印刷研磨層用組成物後，可藉由蝕刻加工或雷射加工等形成凸狀部。

另外，在所述實施形態中，研磨層設為具有凸狀部的構成，但凸狀部並非必需的構成要素。例如可在基材表面同樣地積層研磨層。

而且，如圖2所示般，所述研磨墊2可具備：經由背面側的黏接層30而積層的支撐體40、及積層於所述支撐體40的背面側的第二黏接層31。藉由所述研磨墊2具備支撐體40，而所述研磨墊2的操作變得容易。

作為所述支撐體40的材質，可列舉：聚丙烯、聚乙烯、聚四氟乙烯、聚氯乙烯等具有熱塑性的樹脂，或聚碳酸酯、聚醯胺、聚對苯二甲酸乙二酯等工程塑膠。藉由所述支撐體40使用此種材質，而所述支撐體40具有可撓性，所述研磨墊2追隨被研磨體的表面形狀，而研磨面與被研磨體容易接觸，因此加工效率進一步提高。

作為所述支撐體40的平均厚度，例如可設為0.5 mm以上、2 mm以下。在所述支撐體40的平均厚度小於所述下限時，有所述研磨墊2的強度不足的擔憂。另一方面，在所述支撐體40的平均厚度超過所述上限時，有難以將所述支撐體40安裝於研磨裝置的擔憂或所述支撐體40的可撓性不足的擔憂。 [實施例]

以下，列舉實施例及比較例對本發明進行更詳細的說明，但所述發明並不限定於以下的實施例。

[實施例1] 準備金剛石研磨粒（朗茲（Lands）公司的「LS系列」），使用馬爾文（Malvern）公司的「莫盧佛羅基（Morphologi）G3」，測量平均粒徑及平均形狀係數。將其結果表示於表1。

在環氧樹脂（三菱化學股份有限公司的「JER828」）中添加稀釋溶劑（異佛爾酮）、硬化劑（三菱化學股份有限公司的「YH306」、及四國化成工業股份有限公司的「庫亞佐盧（Curezol）1B2MZ」）及所述金剛石研磨粒進行混合，以金剛石研磨粒相對於研磨層的含量成為55質量%的方式進行調整，而獲得塗敷液。

作為基材，使用平均厚度為75 μm的PET膜（杜邦帝人薄膜（Teijin Dupont Films）股份有限公司的「邁立耐克斯（Melinex）S」），藉由印刷在所述基材的表面形成具有凸狀部的研磨層。另外，藉由使用與凸狀部對應的遮罩作為印刷的圖案，而在研磨層形成凸狀部。凸狀部設為俯視時一條邊為1.5 mm的正方形狀，將平均厚度設為135 μm。凸狀部設為規則地排列的方塊圖案狀，凸狀部相對於研磨層整體的面積佔有率設為36%。

另外，作為支撐研磨墊並固定於研磨裝置的支撐體，使用平均厚度為1 mm的硬質氯乙烯樹脂板（他喜龍（Takiron）股份有限公司的「SP770」），藉由平均厚度為130 μm的黏著材料將所述基材的背面與所述支撐體的表面貼合。作為所述黏著材料，使用雙面膠帶（積水化學股份有限公司的「#5605HGD」）。

[實施例2、實施例3、比較例1～比較例3] 如表1般改變實施例1的金剛石研磨粒的平均粒徑及平均形狀係數，而獲得實施例2、實施例3及比較例1～比較例3。

[實施例4] 使用與實施例1相同的金剛石研磨粒，在所述金剛石研磨粒中混合矽酸鹽（富士化學股份有限公司的「矽酸鈉矽璐（SEAL）商標」）及硬化劑（神戶理化學工業股份有限公司的「rikaset No.5」），以金剛石研磨粒的含量成為65質量%、矽酸鹽的含量成為34質量%、及硬化劑的含量成為1質量%的方式進行調整，而獲得成型液。

以一條邊為3 mm的正方形狀將所述成型液流入至深度為1 mm的聚四氟乙烯的樹脂模具中，在90℃下進行1 hr以上脫水後，自樹脂模具脫模，在300℃下煅燒1 hr，藉此製作凸狀部。

作為基材，使用平均厚度為500 μm的鋁板，在所述基材表面，將藉由所述煅燒而得的凸狀部以5 mm間距排列成方塊圖案狀，藉由無機黏接劑（東亞合成股份有限公司的「阿龍陶瓷（ARON CERAMIC）D」）進行黏接。凸狀部相對於研磨層整體的面積佔有率為36%。然後，使用WA#800研磨石進行凸狀部表面的平坦化。

另外，作為支撐研磨墊並固定於研磨裝置的支撐體，使用平均厚度為1 mm的硬質氯乙烯樹脂板（他喜龍股份有限公司的「SP770」），藉由平均厚度為130 μm的黏著材料將所述基材的背面與所述支撐體的表面貼合。作為所述黏著材料，使用雙面膠帶（積水化學股份有限公司的「#5605HGD」）。

[實施例5、比較例4] 如表1般改變實施例4的金剛石研磨粒的平均粒徑及平均形狀係數，而獲得實施例5及比較例4。

[研磨條件] 使用所述實施例1～實施例5及比較例1～比較例4中所得的研磨墊，進行玻璃基板的研磨。所述玻璃基板使用直徑為6.25 cm、比重為2.4的三片鹼石灰玻璃（平岡特殊硝子製作股份有限公司製造）。在所述研磨時使用市售的雙面研磨機（日本艾根斯（ENGIS JAPAN）股份有限公司「EJD-5B-3W」）。雙面研磨機的載體為厚度0.6 mm的環氧玻璃。研磨是將研磨壓力設為200 g/cm² ，在上壓盤轉速為60 rpm、下壓盤轉速為90 rpm及太陽（SUN）齒輪轉速為30 rpm的條件下進行15分鐘。此時，作為冷卻劑，以每分鐘120 cc供給莫萊斯柯（MORESCO）股份有限公司的「赤露麥特（Toolmate）GR-20」。

[評價方法] 使用實施例1～實施例5及比較例1～比較例4的研磨墊，對經研磨的玻璃基板求出研磨速率與研磨後的被研磨體的表面粗糙度（Ra），作為加工效率與精加工平坦性的兼顧的評價，進行將所述研磨速率除以所述表面粗糙度（Ra）而得的值（兼顧水準）的評價。所述兼顧水準在研磨速率高且加工效率高時及表面粗糙度低且精加工平坦性高時成為大的數值，表示加工效率與精加工平坦性的兼顧性的程度。將結果表示於表1。另外，研磨速率及表面粗糙度（Ra）藉由以下所示的方法求出。

（研磨速率）關於研磨速率，將研磨前後的玻璃基板的重量變化（g）除以玻璃基板的表面積（cm² ）、玻璃基板的比重（g/cm³ ）及研磨時間（分鐘）並計算。

（表面粗糙度）關於表面粗糙度，使用接觸式表面粗糙度計（三豐（Mitutoyo）股份有限公司的「S-3000」），測定表面及背面各任意的四個部位，求出合計八個部位的平均值。

根據表1，將研磨速率除以Ra而得的兼顧水準，並不取決於金剛石研磨粒的研磨粒平均粒徑或研磨粒量，在平均形狀係數為1.33以下的實施例1～實施例5中高，在平均形狀係數超過1.33的比較例1～比較例4中低。因此可知，藉由將金剛石研磨粒的平均形狀係數設為1.33以下，而能以高水準兼顧加工效率與精加工平坦性。 [產業上之可利用性]

根據本發明的研磨墊，能以高水準兼顧加工效率與精加工平坦性。因此，所述研磨墊可在短時間內將玻璃基板等被研磨體的表面平坦化。

1、2‧‧‧研磨墊
10‧‧‧基材
20‧‧‧研磨層
21‧‧‧黏合劑
22‧‧‧金剛石研磨粒
23‧‧‧凸狀部
30‧‧‧黏接層
31‧‧‧第二黏接層
40‧‧‧支撐體

圖1A是表示本發明的實施形態的研磨墊的示意性俯視圖。圖1B是圖1A的A-A線的示意性端面圖。圖2是表示與圖1B不同的實施形態的研磨墊的示意性端面圖。

1‧‧‧研磨墊

10‧‧‧基材

20‧‧‧研磨層

21‧‧‧黏合劑

22‧‧‧金剛石研磨粒

23‧‧‧凸狀部

30‧‧‧黏接層

Claims

一種研磨墊，其具有基材、及積層於所述基材的表面側的研磨層，且所述研磨墊的特徵在於：所述研磨層具有以樹脂或無機物為主成分的黏合劑、及分散於所述黏合劑中的金剛石研磨粒，所述金剛石研磨粒的平均形狀係數為1以上、1.33以下。
如申請專利範圍第1項所述的研磨墊，其中所述黏合劑的主成分為熱硬化性樹脂或光硬化性樹脂。
如申請專利範圍第1項所述的研磨墊，其中所述黏合劑的主成分為矽酸鹽。
如申請專利範圍第1項所述的研磨墊，其中所述研磨層在表面具有多個凸狀部，所述多個凸狀部規則地排列。
如申請專利範圍第1項所述的研磨墊，其中在所述基材的背面側具有黏接層。
如申請專利範圍第5項所述的研磨墊，其中所述黏接層由黏著劑構成。
如申請專利範圍第1項所述的研磨墊，其中所述基材具有可撓性或延性。
一種研磨墊的製造方法，其用於製造具有基材、及積層於所述基材的表面側的研磨層的研磨墊，且所述製造方法的特徵在於包括藉由研磨層用組成物的印刷而形成所述研磨層的步驟，在所述研磨層形成步驟中，使用研磨層用組成物，所述研磨層用組成物具有以樹脂或無機物為主成分的黏合劑成分、及平均形狀係數為1以上、1.33以下的金剛石研磨粒。