[go: up one dir, main page]

TW201606846A - 電漿處理裝置及電漿處理方法 - Google Patents

電漿處理裝置及電漿處理方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201606846A
TW201606846A TW104120866A TW104120866A TW201606846A TW 201606846 A TW201606846 A TW 201606846A TW 104120866 A TW104120866 A TW 104120866A TW 104120866 A TW104120866 A TW 104120866A TW 201606846 A TW201606846 A TW 201606846A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gas
processing container
plasma
exhaust efficiency
flow rate
Prior art date
Application number
TW104120866A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI659448B (zh
Inventor
舟久保隆男
芳賀博文
狐塚慎一
小澤亘
坂本晃浩
谷口直樹
辻本宏
大野久美子
Original Assignee
東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京威力科創股份有限公司 filed Critical 東京威力科創股份有限公司
Publication of TW201606846A publication Critical patent/TW201606846A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI659448B publication Critical patent/TWI659448B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/3299—Feedback systems

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)

Abstract

本發明之課題係提供：切換步驟後可迅速地使電漿穩定並且可進行適當的電漿處理的電漿處理裝置及電漿處理方法。控制裝置16在第1步驟中，以第1能量條件驅動射頻產生源1，在第2步驟中，以第2能量條件驅動射頻產生源1，在第1步驟與第2步驟的切換時間之前，先切換從氣體供給系統11供給至處理容器8內的氣體種類，並將剛切換後的初期期間的氣體流量設定成大於初期期間經過後的穩定期間的氣體流量。

Description

電漿處理裝置及電漿處理方法
本發明之態樣係有關於電漿處理裝置及電漿處理方法。
習知用以對半導體晶圓施行成膜處理、蝕刻處理等電漿處理之裝置已知有DRM(Dipole Ring Magnet：偶極環形磁鐵)型電漿處理裝置。此DRM型電漿處理裝置包含有：用以收納半導體晶圓的處理容器；在處理容器的周圍配置成環狀且點對稱成對地分別直立設置的複數圓筒型磁鐵，該複數圓筒型磁鐵可同步旋轉地連結於旋轉驅動設備。當各圓筒形磁鐵(段磁鐵)旋轉180度時，磁化方向則轉1圈(反相)。又，DRM型電漿處理裝置使複數圓筒型磁鐵同步旋轉而對處理容器內施加水平方向的磁場，以對水平配置於處理容器內的載置台上之半導體晶圓施行電漿處理(例如參照專利文獻1、專利文獻2)。
在此種DRM型電漿處理裝置中，依時間序列進行複數種電漿處理。在各電漿處理轉換時，會切換處理氣體之種類及射頻產生源的設定值。舉例而言，蝕刻含有Si的反射防止膜(Si-ARC)的電漿處理製程及蝕刻非晶碳的電漿處理製程各自所需的氣體種類及射頻產生源的設定值(頻率及電力)不同。
換言之，習知的電漿處理裝置，第1步驟結束時電漿便被停止，故有粒子堆積於基板上而使裝置的不良發生之可能性。裝置製造者近年實施了「藉連續產生電漿而維持基板上的電漿鞘，以抑制粒子堆積引起的裝置不良」的技術。舉例而言，一實施形態係包含有：處理容器；用以將氣體供給至處理容器內的氣體供給系統；用以將電漿產生用射頻導入處理容器內的射頻產生源；及控制氣體供給系統與射頻產生源的控制裝置，控制裝置在第1步驟中，以第1能量條件驅動射頻產生源，在第2步驟中，以第2能量條件驅動射頻產生源。此外，吾人已知有「電漿於條件切換前後皆連續產生者」。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利公開公報平7-130495號 [專利文獻2]日本專利公開公報2006-24775號
[發明所欲解決的課題]
然而，從第1步驟切換成第2步驟時，進入電漿的穩定期間相當耗時，此為其課題。當電漿不穩定時，便無法進行適當的處理。本發明即係鑑於此種課題而設計，其以提供「切換步驟後可迅速地使電漿穩定，並且可進行適當的電漿處理的電漿處理裝置及電漿處理方法」為目的。 [解決課題的手段]
為解決上述課題，本發明形態的第1電漿處理裝置包含有：處理容器；用以將氣體供給至該處理容器內的氣體供給系統；用以將電漿產生用射頻導入至該處理容器內的射頻產生源；及控制該氣體供給系統及該射頻產生源的控制裝置。又，該控制裝置在第1步驟中，以第1能量條件驅動該射頻產生源，在第2步驟中，以第2能量條件驅動該射頻產生源，在該第1步驟與該第2步驟的切換時間之前，先切換從該氣體供給系統供給至該處理容器內的氣體種類，並將剛切換後的初期期間的氣體流量設定成大於該初期期間經過後的穩定期間的氣體流量。
在此電漿處理裝置中，藉在射頻產生源的能量條件的切換時間之前，先切換氣體種類且使此氣體流量增大，可迅速地排放處理容器內的第1步驟的氣體，而使處理容器內的氣體之均一性改善，使壓力穩定，而可迅速地進入使電漿穩定的穩定期間。
本發明形態的第2電漿處理裝置更包含有：用以調整該處理容器內的氣體之排氣效率的排氣效率調整機構，該控制裝置控制該排氣效率調整機構，以在該初期期間內，使該處理容器內的氣體之排氣效率比該穩定期間的氣體之排氣效率增加。
如上述，在切換能量條件之前，先使氣體流量大增時，雖然內部的壓力有不規則地變動的情形，但藉使排氣效率增加，可抑制此壓力的變動。
本發明形態的第1電漿處理方法使用了電漿處理裝置，該電漿處理裝置包含有：處理容器；用以將氣體供給至該處理容器內的氣體供給系統；用以將電漿產生用射頻導入至該處理容器內的射頻產生源；及控制該氣體供給系統及該射頻產生源的控制裝置。該電漿處理方法包含有：以第1能量條件驅動該射頻產生源的第1步驟；及以第2能量條件驅動該射頻產生源的第2步驟。在該第1步驟與該第2步驟的切換時間之前，先切換從該氣體供給系統供給至該處理容器內的氣體種類，並將剛切換後的初期期間的氣體流量設定成大於該初期期間經過後的穩定期間的氣體流量。
此電漿處理方法中，與上述裝置的情形同樣地，藉在射頻產生源的能量條件的切換時間之前，先切換氣體種類且使此氣體流量增大，可迅速地排放處理容器內的第1步驟的氣體，而使處理容器內的氣體之均一性改善，使壓力穩定，而可迅速地進入使電漿穩定的穩定期間。
本發明形態的第2電漿處理方法係在該初期期間內，使該處理容器內的氣體之排氣效率比該穩定期間的氣體之排氣效率增加。
在此電漿處理方法中，與上述裝置的情形同樣地，在切換能量條件之前，先使氣體流量大增時，雖然內部的壓力有不規則地變動的情形，但藉使排氣效率增加，可抑制此壓力的變動。
又，本發明態樣的電漿處理裝置包含有：處理容器；用以將氣體供給至處理容器內的氣體供給系統；用以將電漿產生用射頻導入至該處理容器內的射頻產生源；用以調整處理容器內的氣體之排氣效率的排氣效率調整機構；及控制氣體供給系統及排氣效率調整機構的控制裝置。又，控制裝置於在處理容器內執行的第1步驟與第2步驟的該處理容器內的設定壓力不同時，將排氣效率調整機構控制成：依據「第2步驟的該處理容器內的設定壓力及從氣體供給系統供給的氣體的設定流量」而設定與該等值具有相關關係的排氣效率調整機構之排氣效率的目標值，俾使實際排氣效率達到排氣效率的該目標值。
由於將排氣效率的目標值依據與此具有相關關係的設定壓力及設定流量，預先求出，故可使處理容器內的壓力迅速地與目標值一致，而使處理容器內壓力及電漿狀態穩定。 [發明的功效]
根據本發明，可縮短從第1步驟的電漿轉變為第2步驟的電漿之際必定產生的氣體變化狀態時間，藉此，亦可縮短電漿到達穩定狀態的時間。亦即，可將電漿變化狀態改善成較短，結果，在以減低粒子為目標的連續放電處理(連續電漿)中，亦可更接近間歇放電處理的電漿處理結果。再者，藉對裝置的電漿蝕刻膜提供「已考慮改善硬體引起的氣體延遲之電漿處理」，可對裝置進行更適當的電漿處理。因而，根據本發明，由於可迅速地進入電漿穩定的穩定期間，故可進行適當的電漿處理。
[用以實施發明之形態]
以下，就實施形態的電漿處理裝置及電漿處理方法作說明。此外，同一要件使用同一符號，而省略重複之說明。
圖1係顯示電漿處理裝置的構造的圖。
此電漿處理裝置包含有：處理容器8；用以將氣體供給至處理容器8內的氣體供給系統11；用以將電漿產生用射頻導入處理容器8內的射頻產生源1；用以調整處理容器8內的氣體之排氣效率的可變傳導率之APC3(自動壓力控制閥：排氣效率調整機構)。APC3連接於渦輪分子泵等排氣裝置4，排氣裝置4藉由APC3排放處理容器8內的氣體。
於處理容器8的內部配置有「配置基板等試樣6的試樣台5」，在試樣台5的上方會產生電漿7。電漿7為射頻磁控電漿，從氣體供給系統11藉由氣體擴散空間9及氣體導入孔10將氣體供給至電漿7的產生空間。來自射頻產生源1的射頻從磁鐵14施加磁場予所供給的氣體而產生電漿。以所產生的電漿處理試樣6。
此外，磁鐵14具有「於處理容器8的周圍配置成環狀且點對稱成對地分別直立設置的複數圓筒型磁鐵」，該複數圓筒型磁鐵可同步旋轉地連結於旋轉驅動設備，而構成DRM型電漿裝置。
在處理容器8的內部所產生的電漿7可透過設於處理容器8的外壁之石英窗13以監視器裝置12來觀察。監視器裝置12可採用將從電漿輸出的光依各波長分解觀察的分光分析裝置等。在分光分析裝置中，藉進行光譜解析，可特定出對應於該光譜之成分。
在氣體供給系統11內，有複數種氣體配備於供給系統。在此氣體供給系統11中，將例如儲存於氣體源之A、B、C、D這4種氣體分別藉由前段閥11B、流量控制裝置11C、後段閥11D供給至氣體配管11A。流量控制裝置11C為控制通過本身的氣體流量之裝置，為MFC(Mass Flow Controller：質量流量控制器)或FCS(Flow Control System：流量控制系統)。氣體配管11A連接於處理容器8的氣體擴散空間9。該等氣體被導入設於處理容器8的上部的氣體擴散空間9內。氣體擴散空間9的底部15固定於接地電位，並設有複數氣體導入孔10。對底部15與射頻產生源1之間施加電漿產生用射頻電壓。
射頻產生源的輸出阻抗通常為50Ω，由於電漿的阻抗會根據電漿的狀態而變化，當對電漿負載直接供給射頻(RF)時，射頻會被反射。射頻匹配器可隨著電漿阻抗的變化，進行阻抗匹配。即，於射頻產生源1與試樣台5之間設有自動地對該等之間的阻抗進行匹配用的匹配器2。匹配器2由一對可變電容器(variable condenser)構成，藉調整該等電容器的值，可進行阻抗匹配，而減低來自處理容器8的反射波。此外，匹配器2具有一對電容器C1、C2，只有1個亦可發揮功能。
由於高效率產生電漿，故本裝置可發揮作為濺鍍裝置、CVD裝置、蝕刻裝置等電漿處理裝置的功能。從射頻產生源1輸出的射頻頻率宜為13.56MHz，亦適用27.12MHz或其以上的頻率、400KHz頻帶等的低頻率。射頻功率可使用例如數100瓦至數10千瓦的功率。
控制裝置16控制電漿處理裝置的各要件。即，控制裝置16控制射頻產生源1、匹配器2、氣體供給系統11、APC3、監視器裝置12。控制裝置16的控制條件可從輸入裝置17輸入，從監視裝置12所得的試樣6之觀察資料可顯示於顯示裝置18上。
接著，就控制裝置16的控制作說明。
圖2係各種參數之設計上的隨時間變化圖。
控制裝置16在第1步驟中以第1能量條件驅動射頻產生源1，在第2步驟中以第2能量條件驅動射頻產生源1。該等能量條件按試樣6的電漿處理條件，各式各樣情況皆構成條件，包含來自射頻產生源1的電力(射頻功率)及頻率。
在圖2中，令第1步驟與第2步驟的切換時間為時間t=0秒。即，在t=0秒之前後，切換射頻功率，在本例為增加。在本例中，在切換時間t=0之前(t=-0.5秒)，先將從圖1的氣體供給系統11供給至處理容器8內的氣體種類從第1氣體切換成第2氣體。即，在時間t=-0.5秒，使第1氣體流量降低(停止)，並使第2氣體流量增加。剛切換後的初期期間(T2)的氣體流量設定成大於初期期間(T2)經過後的穩定期間(t=1.5秒以後)的氣體流量。
在此，藉在時間t=0之後的期間TA之間，使APC3的開啟角增加(增加排氣效率)，處理容器8內的壓力降低。期間TA包含在初期期間T2內。將第2氣體比時間t=0提早期間T1供給時，期間T1因氣體種類及條件而異，在本例中，T1=0.5秒，鑑於本發明的原理，不論比0.5秒長或短，皆可獲得迅速的電漿穩定的效果，較佳為可採用0.1秒≦T1≦1.5秒。
又，第2氣體當到達預定的初期期間T2經過後的穩定期間時，則使流量降低。在本例中，T2=2秒，鑑於本發明的原理，不論比2秒長或短，皆可獲得迅速的電漿穩定的效果，較佳為可採用1秒≦T2≦3秒。
在本例中，TA=1秒，鑑於本發明的原理，不論比1秒長或短，皆可獲得抑制壓力的急遽變動的效果，較佳為可採用0.5秒≦TA≦2秒。
如以上，在上述電漿處理裝置中，在射頻產生源1的能量條件切換時刻(t=0秒)之前，先切換氣體種類，且使此氣體流量增大，藉此，可迅速排放處理容器8內的第1步驟的氣體，而改善處理容器8內的氣體之均一性，使壓力穩定，而可迅速進入使電漿穩定的穩定期間(期間T2經過後的期間)。
又，此電漿處理裝置更包含有調整處理容器8內的氣體之排氣效率的APC3，控制裝置16控制APC3，在初期期間T2內，使處理容器8內的氣體之排氣效率比穩定期間的氣體之排氣效率增加。如上述，在能量條件的切換之前，先使氣體流量大幅增加時，有處理容器內部的壓力不規則變動的情形，藉使排氣效率增加，可抑制此壓力的變動。
此外，上述電漿處理方法為使用上述電漿處理裝置的電漿處理方法，其包含有：以第1能量條件驅動射頻產生源1的第1步驟；及以第2能量條件驅動射頻產生源1的第2步驟。在第1步驟與第2步驟的切換時間之前，先切換從氣體供給系統供給至處理容器內的氣體種類，並將剛切換後的初期期間T2的氣體流量設定成大於初期期間T2經過後的穩定期間的氣體流量。而可發揮與上述裝置相同的作用效果。
又，此電漿處理方法在初期期間T2內，使處理容器8內的氣體之排氣效率比之後的穩定期間的氣體之排氣效率增加，而可發揮與上述裝置相同的作用效果。
關於上述T1、T2、TA，係取決於氣體供給配管，具體而言為：由氣體供給源至到達電漿產生的處理容器內的氣體配管及氣體擴散空間的容積，所以係不變。
以下，就實際的例子，使用圖3~圖7來說明。此外，在圖3~圖7的隨時間變化圖中，橫軸顯示時間(秒)。在以下的說明中，令氣體A、B、C、D的原來試樣之處理步驟的期間為時間圖中以A、B、C、D所示者。氣體A之處理步驟的期間為含有Si的反射防止膜的蝕刻製程，氣體B之處理步驟的期間為非晶碳的蝕刻製程，氣體C之處理步驟的期間為氮化矽的蝕刻製程，氣體D之處理步驟的期間為光阻的蝕刻或氧的乾式清洗過程。
氣體A為CF4 ，氣體B為N2 與O2 的混合氣體，氣體C為C4 F8 、Ar與O2 的混合氣體，氣體D為O2 。氣體C亦可為CHF3 、Ar、O2 、F4 的混合氣體。
圖3係各種參數之實際的隨時間變化圖，橫軸顯示時間(秒)。
(a)的左側之縱軸的單位為(W)及(V)，分別顯示射頻的電力(Lower RF)及射頻電壓的峰值間偏差電壓(Lower Vpp)。右側之縱軸的單位為(W)，顯示射頻電力的反射電力(Lower RF Reflect)。
(b)的左側及右側之縱軸為將「匹配器的匹配位置之匹配作動範圍」加以標準化得到的數值，分別顯示用於匹配器2的可變電容器C1、C2之位置(C1 Pos(Lower)、C 2 Pos(Lower))。
(c)的左側之縱軸為將分光分析裝置所檢測出的發光強度(大小)加以標準化得到的數值，顯示電漿中所含的複數成分量。電漿中包含CN(波長387nm)、CF(波長260nm)、CO(波長220nm)。
(d)的左側之縱軸的單位為mTorr，顯示處理容器內的壓力。
(e)的左側之縱軸的單位為(°)，顯示APC的開啟角(排氣效率)。
(f)的左側之縱軸的單位為(sccm)，顯示Ar流量。又，(g)的左側之縱軸的單位為(sccm)，顯示O2 流量。
在任一步驟，皆可適用圖2的手法，在本例中，令射頻功率為固定而進行實驗。又，從各步驟的切換時間至期間TA之間，使APC之排氣效率增加，在剛切換後的期間(Preset)，APC的開啟角設定為預定的值，之後進行自動回授控制以使內部的壓力成為一定值。
又，在氣體C的步驟中，於切換步驟前，供給Ar，接著，在初期期間使Ar的供給量增加，之後的穩定期間，則使其降低。同樣地，在氣體D的步驟中，於切換步驟前，供給O2 ，在初期期間使O2 的供給量增加，在之後的穩定期間，則使其降低。
圖4係各種參數之實際的隨時間變化圖。
當進行上述控制時，縮短電漿之到達穩定為止的期間，又，亦縮短「構成匹配器的可變電容器C1、C2的調整期間」。此外，對可變電容器C1、C2實施自動回授控制，以進行阻抗匹配。
(a)的左側之縱軸為將「匹配器的匹配位置之匹配作動範圍」加以標準化得到的數值，顯示改良前之裝置的可變電容器C1的位置(C1[pos]POR)、改良後之本發明裝置的可變電容器C1的位置(C1[pos]New)。(a)的右側之縱軸也是將「匹配器的匹配位置之匹配作動範圍」加以標準化得到的數值，顯示改良前之裝置的可變電容器C2的位置(C2[pos]POR)、改良後之本發明裝置的可變電容器C2的位置(C2[pos]New)。觀看該圖，可知阻抗匹配所需的時間縮短0.5秒左右。改良前之裝置無：第2氣體的先出、流量的增加、APC開啟角的增加，而與步驟的切換時間同時地輸出與穩定期間相同流量的第2氣體。
(b)的左側之縱軸為將分光分析裝置所檢測出的發光強度加以標準化所得的數值，顯示改良前之裝置的電漿中的CN量(RE387nm_CN POR)、改良後之裝置的電漿中的CN量(RE387nm_CN New)。可知在改良前後，CN提早0.5秒~1.1秒左右被導入至處理容器內。
(c)的左側之縱軸也是將分光分析裝置所檢測出的發光強度加以標準化所得的數值，顯示改良前之裝置的電漿中的CO量(RE226nm_CO POR)、改良後之裝置的電漿中的CO量(RE226nm_CO New)。可知在改良前後，CN提早0.5秒~1.4秒左右被導入至處理容器內。
(d)的左側之縱軸也是將分光分析裝置所檢測出的發光強度加以標準化所得的數值，顯示改良前之裝置的電漿中的CF量(RE260nm_CF POR)、改良後之裝置的電漿中的CF量(RE260nm_CF New)。可知在改良前後，CN提早0.5秒~0.8秒左右被導入至處理容器內。
(e)的左側之縱軸的單位為(mTorr)，顯示改良前之裝置的處理容器內的壓力(Chamber Pressure POR)、改良後之裝置的處理容器內的壓力(Chamber Pressure New)。在大致的程序可確認本發明的效果，但在一部份、氣體流量、壓力設定等無法獲得本發明的效果之情況亦存在。
(f)的左側之縱軸的單位為(°)，顯示APC的開啟角(排氣效率)。在步驟剛切換後增加了排氣效率。
如上述，在上述裝置中，進行：(1)第2氣體的先出；(2)第2氣體之流量的增加；(3)APC的開啟，而確認了個別效果。
圖5係用以確認第2氣體的先出效果的各種參數之實際的隨時間變化圖。
(a)為在時間t=0導入第2氣體的情形；(b)為在時間t=-1.0秒導入第2氣體的情形；(c)為在時間t=-0.5秒導入第2氣體的情形；(d)為在時間t=-1.5秒導入第2氣體的情形。
又，在圖5及圖6，在(a)~(d)中，(i)的左側之縱軸的單位為(W)及(V)，分別顯示射頻的電力(Lower RF)及射頻電壓的峰值間差電壓(Lower Vpp)。右側之縱軸的單位為(W)，顯示射頻電力的反射電力(Lower RF Reflect)。(ii)的左側及右側之縱軸為將「匹配器的匹配位置之匹配作動範圍」加以標準化得到的數值，分別顯示用於匹配器2的可變電容器C1、C2之位置(C1 Pos(Lower)、 C2 Pos(Lower))。(c)的左側之縱軸為將分光分析裝置所檢測出的發光強度加以標準化所得的數值，顯示電漿中所含的複數成分量。電漿中包含：CN(波長387nm)、CF(波長260nm)、及CO(波長220nm)。
從該圖可知第2氣體的先出使得：到達下個步驟的穩定期間的延遲縮短。在該圖中，可知(c)的狀態最適當地進行了縮短。此外，在該圖的實驗中，APC的開啟角固定在8.5(°)。
在圖5及圖6中，氣體A亦即CF4 的流量為345(sccm)，氣體B亦即N2 的流量=500(sccm)，O2 的流量=20(sccm)，氣體C亦即CHF3 的流量=4.6(sccm)，Ar的流量=385.7(sccm)，O2 的流量=4(sccm)，CF4 的流量=37.1(sccm)，氣體D亦即O2 的流量=480(sccm)。
又，在圖5及圖6中，所有製程的壓力為50mTorr(6.7Pa)，射頻功率為1000W，試樣的中心區域之處理氣體之流量(FC)與試樣的周圍區域之處理氣體之流量(FE)之比率設定為RDC=FC/FE=50。
圖6係用以確認「第2氣體之流量的增加效果」的各種參數之實際的隨時間變化圖。
(a)顯示令第2氣體之流量與第2步驟的穩定期間之流量相同(1.0倍)的情形，(b)顯示令第2氣體之流量為第2步驟的穩定期間之流量的1.8倍的情形，(c)顯示令第2氣體之流量為第2步驟的穩定期間之流量的0.5倍的情形。
從該圖可知，第2氣體之流量的增加(b)使得：到達下個步驟的穩定期間的延遲縮短。
圖7係用以確認APC的開啟之壓力的隨時間變化圖，橫軸顯示時間(秒)，縱軸顯示壓力(mTorr)。
(a)顯示使第2氣體的初期期間之流量增加為穩定期間之流量的1.5倍、持續2秒鐘，且不使APC的開啟角增加的情形；(b)顯示使第2氣體的初期期間之流量增加為穩定期間之流量的1.5倍、持續2秒鐘，且使APC的開啟角增加以作為TA=1秒鐘之預設期間的情形；(c)顯示使第2氣體的初期期間之流量增加為穩定期間之流量的1.5倍、持續2秒鐘，且使APC的開啟角增加以作為TA=2秒鐘之預設期間的情形。其他條件則與圖6相同。
(a)、(b)、(c)的平均壓力分別為11.5mTorr、10.7mTorr、11.0mTorr，(b)的條件最能抑制壓力變動。
此外，在步驟間轉移之際，進行連貫各步驟的連續放電處理(連續電漿)。即，在電漿一直產生的狀態下，進行各步驟之轉移。此時，由於電漿不中斷，故可抑制粒子掉落至基板或晶圓等試樣，而可抑制粒子混入試樣等的情形。
在上述實施形態中，可縮短「從第1步驟的電漿轉移至第2步驟的電漿之際的氣體變化狀態時間」，藉此，亦可縮短電漿到達穩定狀態的時間。匹配器到達自動收斂為適當值為止的時間，亦即電漿之到達穩定為止的時間，改善了例如30%。亦即，由於可將電漿處理的品質不穩定的電漿變化狀態縮短，故可進行更精密的電漿處理。因而，在以減低粒子為目的的連續放電處理中，亦可更接近「使各電漿處理獨立而維持電漿處理的品質之間歇放電處理的電漿處理結果」。
再者，藉對裝置的電漿蝕刻膜提供「考慮改善了硬體引起的氣體延遲的電漿處理」，可對裝置進行更適當的電漿處理。
又，在上述實施形態中，在變化的前後，以不同的氣體對試樣進行蝕刻時，因使變化時的電漿之響應速度增加，故可減少蝕刻變化的影響程度，而可提高對蝕刻(裝置)加工的精確度。
又，由於可縮短電漿到達穩定化為止的時間，故可提高生產量。在步驟間變化時，連續電漿的影響程度明顯很大時，則將「在步驟間的變化期間之產生電漿用的功率」設定成「遠低於變化前後的步驟者」。如此，可抑制在變化期間的電漿影響，而抑制多餘的蝕刻，處理容器內的氣體條件完全轉移到接下來的第2步驟的狀態後，使電漿的功率回復至原本的功率而進行蝕刻。此外，當使用本發明的方法，亦可縮短此種低功率的變化時間，而可改善生產量。
此外，在上述實施例中，顯示了關於連續電漿的效果，在連續電漿以外的一般程序，由於進行氣體的先出，而使處理時間縮短。因而，根據本發明，由於可迅速地進入電漿穩定的穩定期間，故可進行適當的電漿處理。
接著，就可縮短「從第1步驟與第2步驟的切換時間至處理容器內的壓力達穩定化的時間的期間」的方法作說明。此外，以下的方法亦可適用於上述實施形態。另，電漿處理裝置之結構如上述。
圖8係顯示上述電漿處理裝置的壓力控制系統之方塊圖。
從氣體源藉由流量控制裝置11C將各種氣體供給至處理容器8。從處理容器8藉由APC3以排氣裝置4排放處理容器內部的氣體。換言之，控制「氣體的每單位時間之流入量」者係流量控制裝置11C，控制氣體的每單位時間之流出量者係APC3。處理容器8內的壓力以壓力感測器PS量測，所量測的壓力值輸入至控制裝置16。
在一般的壓力穩定化控制中，當處理容器8內的壓力到達成為目標的壓力P(TARGET)時，控制裝置16即進行回授控制。即，令以壓力感測器PS檢測出的實際壓力值為P(REAL)時，控制裝置16計算距離目標的偏差值△P = P(TARGET) - P(REAL)，自動調整APC3以使偏差值△P成為最小值。假設APC3的開啟角為θ，若△P為正(壓力增加)，只要使成為目標之APC3的開啟角θ(TARGET)與(1/△P)成比例地縮小即可(比例控制)。舉例而言，進行θ(TARGET)=α×(1/△P)的控制(α為適當的係數)。
於θ的每單位時間之變化量預先設置上限值(△θ(LIMIT))，於每一控制週期使θ變動，當△P非常大時，θ於每一控制週期以上限值△θ(LIMIT)變化，而在依據壓力感測器S之輸出的回授控制中，產生控制延遲，控制量會超值。換言之，即使開啟角θ為到達成為目標的壓力之值，由於處理容器內的壓力依然未到達目標值，故計算的θ(TARGET)會顯示(向下)超過目標值的值，當以超過的值作為目標來進行控制時，會產生超值，因此達到希望的壓力會相當費時。
此外，在實際的控制中，不僅可進行上述比例控制，還可進行加上積分控制的PI控制，或者於PI控制再加上微分控制的PID控制。
在積分控制中，偏差值△P相當小，受限於θ的變化量設定有下限等，θ無變化，即使存在殘留偏差，當偏差值△P的積分值超過預定值時，使θ變化，而消除殘留偏差。
此外，當進行積分控制等時，到達目標值為止相當費時，此為其缺點。在微分控制中，當前次的值與目前的值之壓力偏差大時，為了迅速到達目標值，會將操作量增大為超值傾向。
此外，回授控制(PID控制)之APC3的角度操作量，當使Kp、Ki、Kd為適當的係數時，則如下述。
APC的角度操作量 = (比例項)+(積分項)+(微分項) = Kp×偏差值△P+Ki×偏差值△P的累積值+Kd×與前次偏差的差。
此外，當△P為負(壓力減少)時，只要使成為目標之APC3的開啟角θ(TARGET)與∣△P∣成比例地增大即可(比例控制)。舉例而言，可進行θ(TARGET)= ∣α×△P∣的控制(α為適當的係數)。當然，此種情況亦可進行PI控制或PID控制。
在此，電漿處理從第1步驟切換成第2步驟時，預先決定：處理容器內的壓力設定值；與流量控制裝置11C引起的壓力設定值。因而，處理容器內的壓力控制是以APC3來進行，以期儘量減少超值的量，使氣體壓力迅速地到達目標值而穩定下來。
是故，當研究處理容器內的傳導率(=氣體的設定流量/處理容器內的設定壓力)與壓力穩定狀態之APC3的開啟角之關係時，明白兩者之間有一定的相關，藉由將此關係用於控制上，而使壓力迅速地穩定下來。
圖9(A)係顯示傳導率(sccm/mTorr)與APC開啟角(°)之關係的曲線；圖9(B)係顯示相應於壓力(mTorr)與流量(sccm)的APC開啟角(°)之表；圖9(C)係顯示相應於壓力(mTorr)與流量(sccm)的傳導率(sccm/mTorr)之表。
即，傳導率增加時，APC3的開啟角會成比例而增加。假設傳導率(sccm/mTorr)為x；APC的開啟角(°)為y的話，一次函數y=ax+b的關係成立。本評價的情況，傳導率為3以上時，a=0.326，b=4.7957；傳導率不到3時，a=2.2619，b=-0.2619。其斜率a與截距b可有±30%的誤差。
根據上述的相關關係，可知在測量實際壓力之前的階段，得知第2步驟的設定值亦即傳導率時，便可決定APC的開啟角的目標值。即，並非回授來自壓力感測器之輸出，而是將從上述曲線之關係預測的APC開啟角作為目標值，進行APC控制(前授控制)時，可有迅速且超值少的壓力變化。
圖10(A)係實施例的APC開啟角的隨時間變化圖；圖10(B)係比較例的APC開啟角的隨時間變化圖。此外，在第1步驟及第2步驟中，電漿處理條件不同，如上述，控制裝置在第1步驟中，以第1能量條件驅動射頻產生源，在第2步驟中，以第2能量條件驅動射頻產生源。
在實施例中，於從第1步驟切換為第2步驟的期間T(EF)，為了使APC的開啟角θ達到從上述相關求出的目標值，而前授控制實際的APC的開啟角θ，在之後的期間T(FB)，為了使從壓力感測器檢測出的實際壓力達到目標壓力，而進行回授控制，使處理容器內壓力穩定下來(APC開啟角θ收斂為一定值)。
此外，本評價的情況，期間T(FF)為0.1秒以上、2秒以下。
第1步驟之APC的實際開啟角θ(第1步驟)、在第2步驟從上述相關關係求出之作為目標值的開啟角θ(TARGET)、1次控制週期中之APC開啟角的變化量θ(△)滿足以下的關係。
變化量θ(△)=θ(第1步驟)+(開啟角θ(TARGET)-θ(第1步驟))×γ
此外，γ為係數，本評價的情況，為0.5以上、2以下。γ的值大於1時，微分控制的控制要件影響大，雖會超值，仍可高速地移動至目標值。在APC的開啟角θ超過目標值1次後，或切換步驟後經過0.1秒以上的預定期間後，轉移至回授控制。
另一方面，在(B)的比較例中，APC的開啟角之調整僅使用回授控制，使處理容器內壓力至穩定下來(APC開啟角θ收斂為一定值)的時間比實施例久。又，由於為未考慮氣體流量的控制，故氣體流量變化引起的對壓力變化之響應性降低。
使用實際的資料，驗證了上述發明。
圖11係顯示實施例1與比較例1的APC開啟角(°)與處理容器內壓力(mTorr)之隨時間變化的曲線。第1步驟的處理容器內壓力為100mTorr，從氣體源供給至處理容器內之Ar的流量為700sccm。第2步驟的處理容器內壓力為190mTorr，從氣體源供給至處理容器內之Ar的流量為1000sccm。
在實施例1與比較例1中，當從第1步驟切換為第2步驟時，使APC的開啟角縮小，而使處理容器內壓力上升。
實施例1的方法進行使用上述相關關係的預測控制(圖10(A))，相對於此，比較例1的方法則進行一般的回授控制(圖10(B))。當令第2步驟的目標壓力為190mTorr時，在該±6%的範圍內，當處理容器內壓力停留1秒以上時，便判斷為壓力穩定下來，並求出在此範圍內壓力最初到達的時間。實施例1的情形為時間t1，比較例1的情形為時間t2。獲得了時間t1比時間t2早0.6秒左右的結果。
圖12係顯示實施例2與比較例2的APC開啟角(°)與處理容器內壓力(mTorr)之隨時間變化的曲線。
第1步驟的處理容器內壓力為100mTorr，從氣體源供給至處理容器內之Ar的流量為700sccm。第2步驟的處理容器內壓力為40mTorr，從氣體源供給至處理容器內之Ar的流量為1300sccm。
在實施例及比較例2中，當從第1步驟切換為第2步驟時，使APC的開啟角增大，而使處理容器內壓力減少。此外，此控制亦可適用於圖1~圖7所記載的實施形態。
實施例2的方法進行使用上述相關關係的預測控制(圖10(A))，相對於此，比較例2的方法進行一般的回授控制(圖10(B))。第2步驟的目標壓力為40mTorr時，在該±6%的範圍內，當處理容器內壓力停留1秒以上時，便判斷為壓力穩定下來，並求出在此範圍內壓力最初到達的時間。實施例2的情形為時間t1，比較例2的情形為時間t2。獲得了時間t1比時間t2早0.6秒左右的結果。
如以上所說明，上述電漿處理裝置包含有：處理容器；用以將氣體供給至處理容器內的氣體供給系統；用以將電漿產生用射頻導入至處理容器內的射頻產生源；調整處理容器內的氣體之排氣效率的排氣效率調整機構(APC) ；及控制氣體供給系統及排氣效率調整機構的控制裝置。控制裝置在處理容器內執行的第1步驟與第2步驟的處理容器內的設定壓力不同時，將排氣效率調整機構控制成：依據「第2步驟的該處理容器內的設定壓力與從氣體供給系統供給的氣體的設定流量」而設定與該等值具有相關關係的排氣效率調整機構之排氣效率的目標值，俾使實際排氣效率達到排氣效率的該目標值。
由於將排氣效率的目標值依據「與此具有相關關係的設定壓力及設定流量」預先求出，故可使處理容器內的壓力迅速地與目標值一致，而可使處理容器內壓力及電漿狀態穩定。
1‧‧‧射頻產生源
2‧‧‧匹配器
3‧‧‧APC(自動壓力控制閥：排氣效率調整機構)
4‧‧‧排氣裝置
5‧‧‧試樣台
6‧‧‧試樣
7‧‧‧電漿
8‧‧‧處理容器
9‧‧‧氣體擴散空間
10‧‧‧氣體導入孔
11‧‧‧氣體供給系統
11A‧‧‧氣體配管
11B ‧‧‧前段閥
11C ‧‧‧流量控制裝置
11D‧‧‧後段閥
12‧‧‧監視器裝置
13‧‧‧石英窗
14‧‧‧磁鐵
15‧‧‧底部
16‧‧‧控制裝置
17‧‧‧輸入裝置
18‧‧‧顯示裝置
A‧‧‧氣體
B‧‧‧氣體
C‧‧‧氣體
C1‧‧‧可變電容器
C2‧‧‧可變電容器
D‧‧‧氣體
P‧‧‧目標壓力
PS‧‧‧壓力感測器
T1‧‧‧期間
T2‧‧‧初期期間
TA‧‧‧期間
T(FB)‧‧‧期間
T(FF)‧‧‧期間
t1‧‧‧時間
t2‧‧‧時間
圖1係顯示電漿處理裝置的構造之圖。 圖2係各種參數之設計上的隨時間變化圖。 圖3(a)~(g)係各種參數之實際的隨時間變化圖。 圖4(a)~(f)係各種參數之實際的隨時間變化圖。 圖5(a)~(d)係各種參數之實際的隨時間變化圖。 圖6(a)~(c)係各種參數之實際的隨時間變化圖。 圖7(a)~(c)係壓力的隨時間變化圖。 圖8係電漿處理裝置的壓力控制系統之方塊圖。 圖9(A)係顯示傳導率(sccm/mTorr)與APC開啟角(°)之關係的曲線；圖9(B)係顯示相應於壓力(mTorr)與流量(sccm)的APC開啟角(°)之表；圖9(C)係顯示相應於壓力(mTorr)與流量(sccm)的傳導率(sccm/mTorr)之表。 圖10(A)係實施例的APC開啟角的隨時間變化圖；圖10(B)係比較例的APC開啟角的隨時間變化圖。 圖11係顯示實施例1與比較例1的APC開啟角(°)與處理容器內壓力(mTorr)之隨時間變化的曲線。 圖12係顯示實施例2與比較例2的APC開啟角(°)與處理容器內壓力(mTorr)之隨時間變化的曲線。
1‧‧‧射頻產生源
2‧‧‧匹配器
3‧‧‧APC(自動壓力控制閥：排氣效率調整機構)
4‧‧‧排氣裝置
5‧‧‧試樣台
6‧‧‧試樣
7‧‧‧電漿
8‧‧‧處理容器
9‧‧‧氣體擴散空間
10‧‧‧氣體導入孔
11‧‧‧氣體供給系統
11A‧‧‧氣體配管
11B‧‧‧前段閥
11C‧‧‧流量控制裝置
11D‧‧‧後段閥
12‧‧‧監視器裝置
13‧‧‧石英窗
14‧‧‧磁鐵
15‧‧‧底部
16‧‧‧控制裝置
17‧‧‧輸入裝置
18‧‧‧顯示裝置
A‧‧‧氣體
B‧‧‧氣體
C‧‧‧氣體
D‧‧‧氣體

Claims (5)

  1. 一種電漿處理裝置，其包含有： 處理容器； 氣體供給系統，用以將氣體供給至該處理容器內； 射頻產生源，用以將電漿產生用射頻導入至該處理容器內；及 控制裝置，控制該氣體供給系統及該射頻產生源， 又，該控制裝置在第1步驟中，以第1能量條件驅動該射頻產生源， 在第2步驟中，以第2能量條件驅動該射頻產生源， 在該第1步驟與該第2步驟的切換時間之前，先切換從該氣體供給系統供給至該處理容器內的氣體種類，並將剛切換後的初期期間的氣體流量設定成大於該初期期間經過後的穩定期間的氣體流量。
  2. 如申請專利範圍第1項的電漿處理裝置，該電漿處理裝置更包含有用以調整該處理容器內的氣體之排氣效率的排氣效率調整機構， 該控制裝置控制該排氣效率調整機構，以在該初期期間內，使該處理容器內的氣體之排氣效率比該穩定期間的氣體之排氣效率增加。
  3. 一種電漿處理方法，使用一電漿處理裝置，該電漿處理裝置包含有： 處理容器； 氣體供給系統，用以將氣體供給至該處理容器內； 射頻產生源，用以將電漿產生用射頻導入至該處理容器內；及 控制裝置，控制該氣體供給系統及該射頻產生源， 該電漿處理方法包含有： 第1步驟，以第1能量條件驅動該射頻產生源；及 第2步驟，以第2能量條件驅動該射頻產生源， 在該第1步驟與該第2步驟的切換時間之前，先切換從該氣體供給系統供給至該處理容器內的氣體種類，並將剛切換後的初期期間的氣體流量設定成大於該初期期間經過後的穩定期間的氣體流量。
  4. 如申請專利範圍第3項的電漿處理方法，其中， 在該初期期間內，使該處理容器內的氣體之排氣效率比該穩定期間的氣體之排氣效率增加。
  5. 一種電漿處理裝置，其包含有： 處理容器； 氣體供給系統，用以將氣體供給至該處理容器內； 射頻產生源，用以將電漿產生用射頻導入至該處理容器內； 排氣效率調整機構，用以調整該處理容器內的氣體之排氣效率；及 控制裝置，控制該氣體供給系統及該排氣效率調整機構， 又，該控制裝置於在該處理容器內執行的第1步驟與第2步驟的該處理容器內的設定壓力不同時， 將該排氣效率調整機構控制成：依據「該第2步驟的該處理容器內的設定壓力及從該氣體供給系統供給的氣體的設定流量」而設定與該等值具有相關關係的該排氣效率調整機構之排氣效率的目標值，俾使實際排氣效率達到排氣效率的該目標值。
TW104120866A 2014-06-30 2015-06-29 電漿處理裝置及電漿處理方法 TWI659448B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014134500 2014-06-30
JP2014-134500 2014-06-30
JP2014186820A JP6504770B2 (ja) 2014-06-30 2014-09-12 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2014-186820 2014-09-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201606846A true TW201606846A (zh) 2016-02-16
TWI659448B TWI659448B (zh) 2019-05-11

Family

ID=54931316

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104120866A TWI659448B (zh) 2014-06-30 2015-06-29 電漿處理裝置及電漿處理方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10204763B2 (zh)
JP (1) JP6504770B2 (zh)
KR (1) KR102490189B1 (zh)
CN (1) CN105225913B (zh)
TW (1) TWI659448B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI672742B (zh) * 2017-03-23 2019-09-21 日商日立全球先端科技股份有限公司 電漿處理裝置及電漿處理方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6310866B2 (ja) * 2015-01-30 2018-04-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びに解析方法
US9941121B1 (en) 2017-01-24 2018-04-10 International Business Machines Corporation Selective dry etch for directed self assembly of block copolymers
JP7296699B2 (ja) * 2018-07-02 2023-06-23 東京エレクトロン株式会社 ガス供給システム、プラズマ処理装置およびガス供給システムの制御方法
KR20230168145A (ko) 2022-06-03 2023-12-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법, 압력 밸브 제어 장치, 압력 밸브 제어 방법 및 압력 조정 시스템
JP2024094869A (ja) 2022-12-28 2024-07-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07130495A (ja) 1993-11-05 1995-05-19 Tokyo Electron Ltd マグネトロン型プラズマ処理装置
JP2002297244A (ja) * 2001-04-03 2002-10-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 反応室の圧力制御方法および装置
US7115520B2 (en) * 2003-04-07 2006-10-03 Unaxis Usa, Inc. Method and apparatus for process control in time division multiplexed (TDM) etch process
JP2006024775A (ja) 2004-07-08 2006-01-26 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置、該装置の制御方法及び該方法を実行するプログラム
JP4179311B2 (ja) 2004-07-28 2008-11-12 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
JP4512533B2 (ja) * 2005-07-27 2010-07-28 住友精密工業株式会社 エッチング方法及びエッチング装置
US20070151668A1 (en) * 2006-01-04 2007-07-05 Tokyo Electron Limited Gas supply system, substrate processing apparatus, and gas supply method
JP4943047B2 (ja) * 2006-04-07 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
CN101523570A (zh) 2006-10-13 2009-09-02 欧姆龙株式会社 利用了等离子反应炉处理系统的电子装置的制造方法
US7775236B2 (en) * 2007-02-26 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber
JP5723678B2 (ja) * 2011-05-31 2015-05-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びそのガス供給方法
JP5887201B2 (ja) * 2012-05-14 2016-03-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置、基板処理プログラム、及び記憶媒体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI672742B (zh) * 2017-03-23 2019-09-21 日商日立全球先端科技股份有限公司 電漿處理裝置及電漿處理方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI659448B (zh) 2019-05-11
US20150380282A1 (en) 2015-12-31
US20190139744A1 (en) 2019-05-09
US10861675B2 (en) 2020-12-08
KR20160002356A (ko) 2016-01-07
US10204763B2 (en) 2019-02-12
KR102490189B1 (ko) 2023-01-18
JP6504770B2 (ja) 2019-04-24
JP2016027592A (ja) 2016-02-18
CN105225913B (zh) 2018-10-16
CN105225913A (zh) 2016-01-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10861675B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP7519507B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US9236230B2 (en) Plasma processing apparatus and gas supply method therefor
US9593421B2 (en) Particle generation suppressor by DC bias modulation
TWI523065B (zh) Control method of plasma processing device
KR102279088B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
TWI420589B (zh) Plasma processing device
CN103811300B (zh) 真空装置、其压力控制方法和蚀刻方法
TW201642303A (zh) 電漿處理裝置及電漿處理方法
KR101729625B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
JP2017011055A (ja) ガス供給系、ガス供給制御方法、及びガス置換方法
TW202044324A (zh) 半導體處理中之異常電漿事件的偵測及緩解
KR20250130751A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
US20150000707A1 (en) Cleaning method and processing apparatus
US10748779B2 (en) Substrate processing method
TW201535569A (zh) 氣體供給方法及半導體製造裝置
US20170069469A1 (en) Cyclical plasma etching
JP4673457B2 (ja) プラズマ処理方法
US12046449B2 (en) Methods and apparatus for processing a substrate
KR20220036885A (ko) 에칭 방법 및 플라즈마 처리 장치
JP2021197378A (ja) エッチング方法及び基板処理装置
JP2005277270A (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置