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TW201605958A - 片狀樹脂組合物、背面研磨用帶一體型片狀樹脂組合物及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

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TW201605958A
TW201605958A TW104119628A TW104119628A TW201605958A TW 201605958 A TW201605958 A TW 201605958A TW 104119628 A TW104119628 A TW 104119628A TW 104119628 A TW104119628 A TW 104119628A TW 201605958 A TW201605958 A TW 201605958A
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sheet
resin composition
resin
semiconductor wafer
acrylate
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TW104119628A
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福井章洋
高本尚英
花園博行
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日東電工股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種保存性良好，且於半導體裝置之製造製程中具有速硬化性之片狀樹脂組合物。 本發明之半導體裝置製造用之片狀樹脂組合物於120℃下加熱10分鐘後之熱硬化率為40%以下，於200℃下加熱20秒後之熱硬化率為50%以上。

Description

片狀樹脂組合物、背面研磨用帶一體型片狀樹脂組合物及半導體裝置之製造方法
本發明係關於一種片狀樹脂組合物、背面研磨用帶一體型片狀樹脂組合物及半導體裝置之製造方法。
先前，已知有一種片狀樹脂組合物，其係半導體晶片係藉由覆晶接合而安裝(覆晶連接)於基板上之覆晶型半導體裝置所使用之片狀樹脂組合物，其係用於密封半導體晶片與基板之間隙(例如參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第4438973號
於如專利文獻1之片狀樹脂組合物中，較多情況下係使用環氧樹脂作為熱硬化性樹脂，並且使用酚系樹脂作為其硬化劑。
然而，本發明者等人查明，於環氧樹脂之硬化反應中，於使用酚系樹脂作為硬化劑之情形時，硬化開始溫度至硬化結束溫度之溫度範圍相對較廣。因此，即便為低溫，硬化反應亦會緩慢進行，而存在變得缺乏於片狀樹脂組合物之狀態下之保存性等問題。
作為解決該問題之方法，而考慮使用如於高至保存時不進行硬 化反應之程度之溫度下使反應開始之酚系樹脂作為硬化劑之方法。然而，若使用此種酚系樹脂，則於半導體裝置之製造製程中之硬化反應中需要更高溫、更長時間之加熱，製造效率降低。
本發明係鑒於上述課題而完成者，其目的在於提供一種保存性良好，且於半導體裝置之製造製程中具有速硬化性之片狀樹脂組合物。又，本發明之目的在於提供一種含有該片狀樹脂組合物之背面研磨用帶一體型片狀樹脂組合物。又，本發明之目的在於提供一種使用該片狀樹脂組合物之半導體裝置之製造方法。
本案發明者等人發現藉由採用下述構成而可解決上述問題，從而完成本發明。
即，本發明係一種半導體裝置製造用之片狀樹脂組合物，其特徵在於：於120℃下加熱10分鐘後之熱硬化率為40%以下，於200℃下加熱20秒後之熱硬化率為50%以上。
根據本發明之片狀樹脂組合物，於120℃下加熱10分鐘後之熱硬化率為40%以下，低溫下之硬化反應之進行受到抑制。因此，於片狀樹脂組合物之狀態下之保存性優異。
又，由於在200℃下加熱20秒後之熱硬化率為50%以上，因此於半導體裝置之製造製程中之硬化反應中，可於溫度並未高至該程度之條件下、且於短時間內使硬化反應進行。其結果為，可提高製造效率。
如上所述，根據本發明之片狀樹脂組合物，可提供保存性良好，且於半導體裝置之製造製程中具有速硬化性之片狀樹脂組合物。
上述熱硬化率係將加熱前之狀態設為0%，將完全熱硬化之狀態設為100%，根據藉由示差掃描熱量測定(differential scanning calorimetry，DSC)而獲得之反應熱求出之值。於下文進一步進行詳細說明。
於上述構成中，較佳為含有環氧(甲基)丙烯酸酯樹脂與自由基產生劑。
通常，只要未成為產生自由基之條件，則自由基產生劑幾乎不產生自由基，若成為產生自由基之條件，則自由基產生劑會產生自由基。環氧(甲基)丙烯酸酯樹脂具有碳-碳雙鍵。於本發明中，由自由基產生劑產生自由基，環氧(甲基)丙烯酸酯樹脂所具有之碳-碳雙鍵參與之自由基加成反應一旦開始，則該自由基加成反應會連鎖進行。
因此，若使用於室溫(例如，120℃以下)下不產生自由基、而於雖然高於室溫但為相對低溫(例如，200℃)之條件下產生自由基之自由基產生劑，則變得容易使片狀樹脂組合物於120℃下加熱10分鐘後之熱硬化率成為40%以下，且使於200℃下加熱20秒後之熱硬化率成為50%以上。
再者，環氧(甲基)丙烯酸酯樹脂不得具有與硬化劑反應之環氧基。但例如於藉由二縮水甘油醚與(甲基)丙烯酸之酯反應製造環氧(甲基)丙烯酸酯樹脂之情形時等，可存在殘留極少量環氧基之情形。即，環氧(甲基)丙烯酸酯樹脂不得具有有助於硬化反應之程度之環氧基。例如，環氧乙烷氧濃度為0.2%重量以下即可。但亦可與碳-碳雙鍵不同地以官能基之形式具有環氧基。
於上述構成中，亦較佳為含有熱硬化性樹脂與硬化劑，上述熱硬化性樹脂為環氧樹脂，上述硬化劑為分子內具有兩個以上巰基之硫醇系硬化劑。
通常，硫醇系硬化劑與酚系樹脂相比，硬化開始溫度至硬化結束溫度之溫度範圍較窄。因此，若使用硫醇系硬化劑作為環氧樹脂之硬化劑，則容易使於120℃下加熱10分鐘後之熱硬化率成為40%以 下，且使於200℃下加熱20秒後之熱硬化率成為50%以上。
於上述構成中，較佳為含有熱塑性樹脂，上述熱塑性樹脂係重量平均分子量為3×105以上之丙烯酸系樹脂。
若含有重量平均分子量為3×105以上之丙烯酸系樹脂作為熱塑性樹脂，則容易將樹脂組合物製成片狀。
又，本發明之背面研磨用帶一體型片狀樹脂組合物之特徵在於：其係將上述片狀樹脂組合物積層於背面研磨用帶上。
根據本發明之背面研磨用帶一體型片狀樹脂組合物，由於上述片狀樹脂組合物係預先積層於背面研磨用帶上，因此於半導體裝置之製造製程中，可省略將背面研磨用帶貼合於片狀樹脂組合物之步驟等。又，由於上述片狀樹脂組合物於120℃下加熱10分鐘後之熱硬化率為40%以下，於200℃下加熱20秒後之熱硬化率為50%以上，因此保存性良好，且於半導體裝置之製造製程中具有速硬化性。
又，本發明之半導體裝置之製造方法之特徵在於包括：步驟A，準備於半導體晶片之凸塊形成面上貼附有上述片狀樹脂組合物之附片狀樹脂組合物之晶片；步驟B，準備形成有電極之安裝用基板；步驟C，將上述附片狀樹脂組合物之晶片以上述片狀樹脂組合物為貼合面貼附於上述安裝用基板上，使形成於上述半導體晶片上之上述凸塊與形成於上述安裝用基板上之電極相對向；步驟D，於上述步驟C後加熱上述片狀樹脂組合物而使其半硬化；及步驟E，於上述步驟D後，於高於上述步驟D中之加熱之溫度下進行加熱，而將上述凸塊與上述電極接合，並且使上述片狀組合物硬化。
根據本發明之半導體裝置之製造方法，由於係使用於120℃下加 熱10分鐘後之熱硬化率為40%以下、於200℃下加熱20秒後之熱硬化率為50%以上之片狀樹脂組合物，因此於步驟C後、步驟D之半硬化步驟前，即便不大幅提高溫度，硬化反應亦會開始並於早期結束。由於可迅速結束步驟D，因此可實現半導體裝置之製造製程之效率化。
根據本發明，可提供保存性良好，且於半導體裝置之製造製程中具有速硬化性之片狀樹脂組合物。又，可提供含有該片狀樹脂組合物之背面研磨用帶一體型片狀樹脂組合物。又，可提供使用該片狀樹脂組合物之半導體裝置之製造方法。
10‧‧‧片狀樹脂組合物
11‧‧‧切晶帶
11a‧‧‧基材
11b‧‧‧黏著劑層
12‧‧‧背面研磨用帶
12a‧‧‧基材
12b‧‧‧黏著劑層
16‧‧‧半導體晶圓
16b‧‧‧半導體晶圓之背面
18‧‧‧凸塊
22‧‧‧半導體晶片
22a‧‧‧凸塊形成面
40‧‧‧附片狀樹脂組合物之晶片
50‧‧‧安裝用基板
50a‧‧‧安裝用基板之表面
52‧‧‧電極
60‧‧‧半導體裝置
100‧‧‧背面研磨用帶一體型片狀樹脂組合物
圖1係表示本發明之一實施形態之背面研磨用帶一體型片狀樹脂組合物之剖面模式圖。
圖2係用以說明本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的剖面模式圖。
圖3係用以說明本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的剖面模式圖。
圖4係用以說明本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的剖面模式圖。
圖5係用以說明本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的剖面模式圖。
圖6係用以說明本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的剖面模式圖。
圖7係用以說明本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的剖面模式圖。
圖8係用以說明本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的剖面模式圖。
圖9係用以說明本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的剖面模式圖。
圖10係用以說明本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的剖面模式圖。
圖11係用以說明本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的剖面模式圖。
以下，一面參照圖式一面對本發明之實施形態進行說明。
[第1實施形態]
首先，對第1實施形態進行說明。
[背面研磨用帶一體型片狀樹脂組合物]
圖1係表示本發明之一實施形態之背面研磨用帶一體型片狀樹脂組合物之剖面模式圖。如圖1所示，本實施形態之背面研磨用帶一體型片狀樹脂組合物100具備背面研磨用帶12、及積層於背面研磨用帶12上之片狀樹脂組合物10。背面研磨用帶12具備基材12a及黏著劑層12b，黏著劑層12b係設置於基材12a上。片狀樹脂組合物10係設置於黏著劑層12b上。再者，片狀樹脂組合物10亦可並非如圖1所示般積層於背面研磨用帶12之整個面，以對於與半導體晶圓16(參照圖2)之貼合而言充分之尺寸設置即可。
(片狀樹脂組合物)
片狀樹脂組合物10具有於將半導體晶片22安裝於安裝用基板50(參照圖9)上時將半導體晶片22與安裝用基板50之間隙密封之功能。
片狀樹脂組合物10於120℃下加熱10分鐘後之熱硬化率為40%以下，較佳為35%以下，更佳為30%以下。片狀樹脂組合物10於120℃下加熱10分鐘後之熱硬化率為40%以下，低溫下之硬化反應之進行受到 抑制。因此，於片狀樹脂組合物之狀態下之保存性優異。
又，片狀樹脂組合物10於200℃下加熱20秒後之熱硬化率為50%以上，較佳為60%以上，更佳為70%以上。由於片狀樹脂組合物10於200℃下加熱20秒後之熱硬化率為50%以上，故而於半導體裝置之製造製程中之硬化反應中可於溫度並未高至該程度之條件下、且於短時間內進行硬化反應。其結果為，可提高製造效率。
如上所述，藉由片狀樹脂組合物10，可提供保存性良好，且於半導體裝置之製造製程中具有速硬化性之片狀樹脂組合物。
片狀樹脂組合物10於120℃下加熱10分鐘後之熱硬化率、及於200℃下加熱20秒後之熱硬化率可藉由片狀樹脂組合物10中所含之硬化劑之種類、或硬化促進劑之種類、硬化促進劑之含量、各種添加劑等進行控制。
上述熱硬化率係使用示差掃描熱量測定(DSC)，測定放熱量而求出。具體而言，首先製作未熱硬化之片狀樹脂組合物，對於升溫速度10℃/分鐘之條件下自-10℃升溫至350℃(假定熱硬化反應完全結束之溫度)時之放熱量(未硬化樣品之反應熱量)進行測定。又，製作於特定條件(於120℃下加熱10分鐘、或於200℃下加熱20秒)下對熱硬化前之片狀樹脂組合物進行加熱而獲得之樣品。
其次，對於在特定條件下經加熱之樣品，測定於升溫速度10℃/分鐘之條件下自-10℃升溫至350℃(假定熱硬化反應完全結束之溫度)時之放熱量(於特定條件下經熱硬化之樣品之反應熱量)。其後，藉由以下之式(1)獲得熱硬化率。再者，放熱量係使用由將藉由示差掃描熱量計測定之放熱峰之上升溫度與反應結束溫度之兩點連結而成之直線與波峰所圍成之面積而求出。
式(1)：熱硬化率=[{(未硬化樣品之反應熱量)-(於特定條件下經熱硬化 之樣品之反應熱量)}/(未硬化樣品之反應熱量)]×100(%)
片狀樹脂組合物10較佳為以於示差掃描熱量測定中在10℃/min之升溫條件下進行測定時熱硬化之峰值溫度成為130℃~190℃之範圍內之方式所製備者。作為以成為130℃~190℃之範圍內之方式調整上述熱硬化之峰值溫度之方法，例如可列舉藉由硬化促進劑之種類、硬化促進劑之含量進行調整之方法。
片狀樹脂組合物10較佳為於120℃下之黏度為0.1kPa‧s以上且10kPa‧s以下，更佳為0.5kPa‧s以上且9kPa‧s以下，進而較佳為1kPa‧s以上且8kPa‧s以下。若片狀樹脂組合物10於120℃下之黏度為0.1kPa‧s以上，則可抑制自步驟C之溫度升溫至半硬化步驟D之溫度時之孔隙膨脹。另一方面，若為10kPa‧s以下，則可將片狀樹脂組合物埋入至安裝用基板之凹凸中。
片狀樹脂組合物10較佳為於溫度：25℃之條件下保存1週後之於120℃下之黏度與保存前之於120℃下之黏度的黏度變化率X1以絕對值計為0~40%之範圍內，更佳為0~20%之範圍內。再者，黏度變化率X1係藉由下述式所獲得之值。
[黏度變化率X1(%)]=[100×{(保存1週後之於120℃下之黏度)-(保存前之於120℃下之黏度)}/(保存前之於120℃下之黏度)]
片狀樹脂組合物10較佳為於溫度：25℃之條件下保存2週後之於120℃下之黏度與保存前之於120℃下之黏度的黏度變化率X2以絕對值計為0~40%之範圍內，更佳為0~20%之範圍內。再者，黏度變化率X2係藉由下述式所獲得之值。
[黏度變化率X2(%)]=[100×{(保存2週後之於120℃下之黏度)-(保存前之於120℃下之黏度)}/(保存前之於120℃下之黏度)]
片狀樹脂組合物10較佳為於未達200℃下之最低熔融黏度處於10Pa‧s~5000Pa‧s之範圍內，更佳為處於50Pa‧s~3000Pa‧s之範 圍內，進而較佳為處於100Pa‧s~2000Pa‧s之範圍內。若片狀樹脂組合物10之於未達200℃下之最低熔融黏度處於10Pa‧s~5000Pa‧s之範圍內，則於下文所述之步驟C中，可容易地將形成於半導體晶片22上之凸塊18與形成於安裝用基板50上之電極52埋入至片狀樹脂組合物10中並使該等相對向。
所謂片狀樹脂組合物10之於未達200℃下之最低熔融黏度係指熱硬化前之於未達200℃下之最低熔融黏度。
片狀樹脂組合物10之於未達200℃下之最低熔融黏度可藉由片狀樹脂組合物10之構成材料之選擇進行控制。尤其是可藉由熱塑性樹脂之選擇進行控制。具體而言，若使用例如低分子量之樹脂作為熱塑性樹脂，則可減小於未達200℃下之最低熔融黏度，若使用例如高分子量之樹脂作為熱塑性樹脂，則可增大於未達200℃下之最低熔融黏度。
片狀樹脂組合物10較佳為含有熱硬化性樹脂。又，片狀樹脂組合物10較佳為含有硬化劑。
作為上述熱硬化性樹脂，可列舉環氧樹脂、酚系樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、矽酮樹脂、或熱硬化性聚醯亞胺樹脂等。該等樹脂可單獨使用，或可併用兩種以上。尤佳為腐蝕半導體晶片之離子性雜質等之含有較少之環氧樹脂。
上述環氧樹脂只要為通常用作接著劑組合物者，則無特別限定，例如可使用：雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、fluonrene型、酚系酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥基苯基甲烷型、四酚基乙烷型等二官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂；或者乙內醯脲型、三縮水甘油基異氰尿酸酯型或縮水甘油胺型等環氧樹脂。該等可單獨使用，或可併用兩種以上。於使用硫醇系硬化劑作為硬化劑之情形時，就與硫醇系硬化劑 之反應性或通用性之觀點而言，於上述環氧樹脂中，尤佳為雙酚A型、聯苯型、萘型、酚系酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型。
熱硬化性樹脂相對於片狀樹脂組合物10整體之含量只要為片狀樹脂組合物可發揮作為熱硬化性之片材之功能之程度，則無特別限定，較佳為5~50重量%之範圍內，更佳為10~30重量%之範圍內。
上述硬化劑可根據熱硬化性樹脂之種類而適當選擇。於上述熱硬化性樹脂為環氧樹脂之情形時，作為上述硬化劑，較佳為分子內具有兩個以上巰基之硫醇系硬化劑。其中，較佳為分子內具有4個巰基之硫醇系硬化劑。通常，硫醇系硬化劑與酚系樹脂相比，硬化開始溫度至硬化結束溫度之溫度範圍較窄。因此，若使用硫醇系硬化劑作為環氧樹脂之硬化劑，則容易使於120℃下加熱10分鐘後之熱硬化率成為40%以下，且使於200℃下加熱20秒後之熱硬化率成為50%以上。
上述硫醇系硬化劑中，更佳為分子內具有1個以上二級巰基之硫醇系硬化劑，進而較佳為分子內具有4個二級巰基之硫醇系硬化劑。通常，二級巰基因甲基之存在而產生之位阻較大，與環氧基之反應性低於一級巰基。又，由於二級巰基可內部氫鍵結於β位之羰基上，因此會成為穩定之狀態而反應性降低。因此，更容易使片狀樹脂組合物10於120℃下加熱10分鐘後之熱硬化率成為40%以下。
硫醇系硬化劑中，較佳為可使片狀樹脂組合物10之硬化開始溫度高於使用酚系樹脂之情形(例如，120~180℃左右)者。作為此種硫醇系硬化劑之具體例，可列舉：分子內具有二級巰基之下述式(2)所表示之季戊四醇四(3-巰基丁酸酯)、下述式(3)所表示之1,4-雙(3-巰基丁醯氧基)丁烷、下述式(4)所表示之1,3,5-三(3-巰基丁醯氧基乙基)1,3,5-三-2,4,6(1H,3H,5H)-三酮等。
[化1]
[化3]
於上述熱硬化性樹脂為環氧樹脂之情形時，作為上述硬化劑之調配量，並無特別限定，較佳為相對於片狀樹脂組合物10整體為5~30重量%，更佳為10~20重量%。
片狀樹脂組合物10亦可含有熱硬化促進劑。作為上述熱硬化促進劑，並無特別限制，可自公知之熱硬化促進劑中適當選擇而使用。熱硬化促進劑可單獨使用，或可組合兩種以上而使用。作為熱硬化促進劑，例如可使用：胺系硬化促進劑、磷系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、硼系硬化促進劑、磷-硼系硬化促進劑等。其中，就反應性、溶解性之觀點而言，較佳為分子內含有氮原子之有機化合物(例如，胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑)。
上述熱硬化促進劑之含量相對於熱硬化性樹脂100重量份，較佳為0.3重量份以上，更佳為1.0重量份以上，進而較佳為2.0重量份以上。若為4.8重量份以上，則於下文所述之半硬化步驟(步驟D)中可容易地將片狀樹脂組合物10半硬化。又，熱硬化促進劑之含量較佳為24 重量份以下。若為24重量份以下，則可提高熱硬化性樹脂之保存性。
片狀樹脂組合物10較佳為含有熱塑性樹脂。作為上述熱塑性樹脂，可列舉：天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-尼龍或6，6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸系樹脂、PET(polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)或PBT(polybutylene terephthalate，聚對苯二甲酸丁二酯)等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、氟樹脂等。該等熱塑性樹脂可單獨使用，或可併用兩種以上。該等熱塑性樹脂中，尤佳為離子性雜質較少、耐熱性較高、且可確保半導體晶片之可靠性之丙烯酸系樹脂。
作為上述丙烯酸系樹脂，並無特別限定，可列舉以具有碳數30以下，尤其是碳數4~18之直鏈或支鏈烷基之丙烯酸或甲基丙烯酸之酯之一種或兩種以上作為成分之聚合物等。作為上述烷基，例如可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、或十二烷基等。
又，作為形成上述聚合物之其他單體，並無特別限定，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸；如丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸或丁烯酸等之含羧基之單體；如順丁烯二酸酐或伊康酸酐等之酸酐單體；如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯或甲基丙烯酸(4-羥基甲基環己酯)等之含羥基之單體；如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙 磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等之含磺酸基之單體；或如丙烯醯基磷酸2-羥基乙酯等之含磷酸基之單體。
就製膜性之觀點而言，上述丙烯酸系樹脂較佳為重量平均分子量為3×105以上，更佳為4×105以上。若含有重量平均分子量為3×105以上之丙烯酸系樹脂作為上述熱塑性樹脂，則容易將樹脂組合物製成片狀。重量平均分子量之測定係藉由GPC(Gel Permeation Chromatography，凝膠滲透層析法)進行，並藉由聚苯乙烯換算而算出之值。
熱塑性樹脂相對於片狀樹脂組合物10整體之含量較佳為1重量%以上，更佳為3重量%以上。若為1重量%以上，則可獲得良好之可撓性。另一方面，樹脂成分中之熱塑性樹脂之含量較佳為15重量%以下，更佳為12重量%以下，進而較佳為8重量%以下。若為15重量%以下，則可獲得良好之熱可靠性。
又，可於片狀樹脂組合物10中適當調配無機填充劑。無機填充劑之調配可實現導熱性之提高、儲存模數之調節等。
作為上述無機填充劑，例如可列舉：二氧化矽、黏土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、碳化矽、氮化矽等陶瓷類；碳等無機粉末。該等可單獨使用，或可併用兩種以上。其中，可較佳地使用二氧化矽、尤其是熔融二氧化矽。
無機填充劑之平均粒徑較佳為10~1000nm之範圍內，更佳為20~500nm之範圍內，進而較佳為50~300nm之範圍內。再者，於本發明中，亦可將平均粒徑互相不同之無機填充劑彼此組合，而整體之平均粒徑成為上述數值範圍內。若上述無機填充劑之平均粒徑為10nm以上，則可容易地製膜。另一方面，若上述無機填充劑之平均粒徑為10000nm以下，則可對膜賦予透明性。上述平均粒徑係藉由光度式之 粒度分佈計(HORIBA製造，裝置名：LA-910)求出之值。
上述無機填充劑之調配量較佳為相對於有機樹脂成分100重量份而設定為50~1400重量份。尤佳為100~900重量份。若將無機填充劑之調配量設為50重量份以上，則耐熱性或強度提高。又，藉由設為1400重量份以下，可確保流動性。藉此，可防止接著性或埋入性降低。
再者，於片狀樹脂組合物10中，除了上述無機填充劑以外，可視需要而適當調配其他添加劑。作為其他添加劑，例如，可列舉阻燃劑、矽烷偶合劑、離子捕捉劑、碳黑等顏料等。作為上述阻燃劑，例如，可列舉三氧化銻、五氧化銻、溴化環氧樹脂等。該等可單獨使用，或可併用兩種以上。作為上述矽烷偶合劑，例如，可列舉β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。該等化合物可單獨使用，或可併用兩種以上。作為上述離子捕捉劑，例如，可列舉水滑石類、氫氧化鉍等。該等可單獨使用，或可併用兩種以上。又，為了於安裝時去除焊料之氧化膜，亦可添加有機酸等助焊劑。
片狀樹脂組合物10之厚度(於多層之情形時為總厚度)並無特別限定，但若考慮硬化後之樹脂之強度或填充性，則較佳為5μm以上且500μm以下。再者，片狀樹脂組合物10之厚度可考慮晶片22與安裝用基板50之間隙之寬度而適當設定。
片狀樹脂組合物10例如係以如下方式而製作。首先，製作作為片狀樹脂組合物10之形成材料之樹脂組合物溶液。如上文所述，於該樹脂組合物溶液中調配有上述樹脂組合物或填料、其他各種添加劑等。
繼而，以成為特定厚度之方式將樹脂組合物溶液塗佈於基材隔離件上而形成塗佈膜後，於特定條件下對該塗佈膜加以乾燥，從而形 成片狀樹脂組合物10。作為塗佈方法，並無特別限定，例如，可列舉輥塗、網版塗佈、凹版塗佈等。又，作為乾燥條件，例如可於乾燥溫度70~160℃、乾燥時間1~5分鐘之範圍內進行。
(背面研磨用帶)
背面研磨用帶12具備基材12a、及積層於基材12a上之黏著劑層12b。
上述基材12a係成為背面研磨用帶一體型片狀樹脂組合物100之強度母體者。例如可列舉：低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、homopolyprolene、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物；聚胺基甲酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯；聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚苯硫醚、芳族聚醯胺(紙)、玻璃、玻璃布、氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素系樹脂、矽酮樹脂、金屬(箔)、紙等。於黏著劑層12b為紫外線硬化型之情形時，基材12a較佳為對紫外線有透過性者。
上述基材12a可適當選擇同種或異種者而使用，視需要可使用將多種混合而成者。可對基材12a之表面實施慣用之表面處理。為了對基材12a賦予防靜電功能，可於上述基材12a上設置含有金屬、合金、該等之氧化物等之厚度為30~500Å左右之導電性物質之蒸鍍層。基材12a可為單層或兩種以上之複層。
基材12a之厚度可適當地決定，通常為5μm以上且200μm以下左右，較佳為35μm以上且120μm以下。
再者，於基材12a中可含有各種添加劑(例如，著色劑、填充劑、 塑化劑、防老化劑、抗氧化劑、界面活性劑、阻燃劑等)。
形成黏著劑層12b所使用之黏著劑只要為於半導體晶圓之背面研磨時可保持半導體晶圓、於背面研磨後可自半導體晶圓剝離者，則無特別限制。例如，可使用丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等通常之感壓性接著劑。作為上述感壓性接著劑，就避忌半導體晶圓或玻璃等之污染之電子零件之利用超純水或醇等有機溶劑的清洗性等方面而言，較佳為以丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物之丙烯酸系黏著劑。
作為上述丙烯酸系聚合物，可列舉使用丙烯酸酯作為主單體成分者。作為上述丙烯酸酯，例如，可列舉使用(甲基)丙烯酸烷基酯(例如，甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基之碳數1~30、尤其是碳數4~18之直鏈狀或支鏈狀之烷基酯等)及(甲基)丙烯酸環烷基酯(例如，環戊酯、環己酯等)之一種或兩種以上作為單體成分之丙烯酸系聚合物等。再者，所謂(甲基)丙烯酸酯係指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯，本發明之所謂(甲基)全部為相同之含義。
為了對凝聚力、耐熱性等進行改質，上述丙烯酸系聚合物亦可視需要而含有對應於可與上述(甲基)丙烯酸烷基酯或環烷基酯共聚合之其他單體成分之單元。作為此種單體成分，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸等含羧基之單體；順丁烯二酸酐、伊康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等含羥基之單 體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基之單體；丙烯醯基磷酸2-羥基乙酯等含磷酸基之單體；丙烯醯胺、丙烯腈等。該等可共聚合之單體成分可使用一種或兩種以上。該等可共聚合之單體之使用量較佳為總單體成分之40重量%以下。
進而，為了進行交聯，上述丙烯酸系聚合物亦可視需要而含有多官能性單體等作為共聚合用單體成分。作為此種多官能性單體，例如可列舉：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯等。該等多官能性單體亦可使用一種或兩種以上。就黏著特性等方面而言，多官能性單體之使用量較佳為總單體成分之30重量%以下。
上述丙烯酸系聚合物可藉由將單一之單體或兩種以上之單體混合物進行聚合而獲得。聚合可以溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、懸浮聚合等任一方式進行。就防止污染潔淨之被黏著體等方面而言，較佳為低分子量物質之含量較小。就該方面而言，丙烯酸系聚合物之數量平均分子量較佳為30萬以上，進而較佳為40萬~300萬左右。
又，為了提高作為基礎聚合物之丙烯酸系聚合物等之數量平均分子量，於上述黏著劑中亦可適當採用外部交聯劑。作為外部交聯方法之具體手段，可列舉添加聚異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺系交聯劑等所謂之交聯劑並使之反應之方法。於使用外部交聯劑之情形時，其使用量可根據與應交聯之基礎聚合物之平衡、進而根據作為黏著劑之使用用途而適當決定。通常，相對於上述 基礎聚合物100重量份，較佳為調配5重量份左右以下，進而較佳為調配0.1~5重量份。進而，於黏著劑中，除了上述成分以外，亦可視需要而使用先前公知之各種黏著賦予劑、防老化劑等添加劑。
黏著劑層12b可由放射線硬化型黏著劑形成。放射線硬化型黏著劑可藉由照射紫外線等放射線增大交聯度，而容易地使其黏著力降低，可容易地進行拾取。作為放射線，可列舉X射線、紫外線、電子束、α射線、β射線、中子射線等。
放射線硬化型黏著劑可無特別限制地使用具有碳-碳雙鍵等放射線硬化性之官能基、且表現出黏著性者。作為放射線硬化型黏著劑，例如，可例示於上述丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等通常之感壓性黏著劑中調配放射線硬化性之單體成分或低聚物成分而獲得之添加型之放射線硬化性黏著劑。
作為所調配之放射線硬化性之單體成分，例如可列舉：胺基甲酸酯低聚物、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、pentaerythtol tra(meta)acrylate、dipentaerythtol monohydroxy penta(meta)acrylate、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。又，放射線硬化性之低聚物成分可列舉胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物，其重量平均分子量為100~30000左右之範圍者較為適當。放射線硬化性之單體成分或低聚物成分之調配量可根據上述黏著劑層之種類而適當決定可降低黏著劑層之黏著力之量。通常，相對於構成黏著劑之丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100重量份，例如為5~500重量份，較佳為40~150重量份左右。
又，作為放射線硬化型黏著劑，除了上述所說明之添加型之放射線硬化性黏著劑以外，可列舉使用於聚合物側鏈或主鏈中、或者主 鏈末端具有碳-碳雙鍵者作為基礎聚合物之內在型之放射線硬化性黏著劑。由於內在型之放射線硬化性黏著劑無需含有作為低分子成分之低聚物成分等，或所含不多，因此不存在低聚物成分等經時性地於黏著劑中移動之情況，從而可形成穩定之層結構之黏著劑層，故而較佳。
上述具有碳-碳雙鍵之基礎聚合物可無特別限制地使用具有碳-碳雙鍵、且具有黏著性者。作為此種基礎聚合物，較佳為以丙烯酸系聚合物作為基本骨架者。作為丙烯酸系聚合物之基本骨架，可列舉上述所例示之丙烯酸系聚合物。
將碳-碳雙鍵導入至上述丙烯酸系聚合物中之方法並無特別限制，可採用各種方法，分子設計容易的是將碳-碳雙鍵導入至聚合物側鏈中。例如，可列舉如下方法：預先使具有官能基之單體與丙烯酸系聚合物進行共聚合後，於維持碳-碳雙鍵之放射線硬化性之狀態下使具有可與該官能基反應之官能基及碳-碳雙鍵之化合物進行縮合或加成反應。
作為該等官能基之組合之例，可列舉羧酸基與環氧基、羧酸基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。該等官能基之組合中，就反應追蹤之容易程度而言，較佳為羥基與異氰酸酯基之組合。又，藉由該等官能基之組合，只要為產生上述具有碳-碳雙鍵之丙烯酸系聚合物之組合，則官能基可位於丙烯酸系聚合物與上述化合物之任一側，於上述較佳之組合中，較佳為丙烯酸系聚合物具有羥基、上述化合物具有異氰酸酯基之情形。於該情形時，作為具有碳-碳雙鍵之異氰酸酯化合物，例如可列舉：甲基丙烯醯基異氰酸酯、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等。又，作為丙烯酸系聚合物，可使用使上述例示之含羥基之單體或2-羥基乙基乙烯醚、4-羥基丁基乙烯醚、二乙二醇單乙烯醚之醚系化合物等共聚合而成者。
上述內在型之放射線硬化性黏著劑可單獨使用上述具有碳-碳雙鍵之基礎聚合物(尤其是丙烯酸系聚合物)，亦可以不使特性變差之程度調配上述放射線硬化性之單體成分或低聚物成分。放射線硬化性之低聚物成分等通常相對於基礎聚合物100重量份為30重量份之範圍內，較佳為0~10重量份之範圍。
於藉由紫外線等進行硬化之情形時，較佳為於上述放射線硬化型黏著劑中含有光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，例如可列舉：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇系化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-啉基丙烷-1等苯乙酮系化合物；安息香乙醚、安息香異丙醚、大茴香偶姻甲醚等安息香醚系化合物；苯偶醯二甲基縮酮等縮酮系化合物；2-萘磺醯氯等芳香族磺醯氯系化合物；1-苯酮-1,1-丙二酮-2-(o-乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物；9-氧硫、2-氯-9-氧硫、2-甲基-9-氧硫、2,4-二甲基-9-氧硫、異丙基-9-氧硫、2,4-二氯-9-氧硫、2,4-二乙基-9-氧硫、2,4-二異丙基-9-氧硫等9-氧硫系化合物；樟腦醌；鹵化酮；醯基膦氧化物；醯基膦酸鹽等。光聚合起始劑之調配量相對於構成黏著劑之丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100重量份，例如為0.05~20重量份左右。
再者，於照射放射線時產生由氧引起之硬化阻礙之情形時，較理想為藉由某些方法將氧(空氣)阻斷而避免接觸放射線硬化型之黏著劑層12b之表面。例如，可列舉以隔離件被覆上述黏著劑層12b之表面之方法、或於氮氣環境中照射紫外線等放射線之方法等。
再者，於黏著劑層12b中亦可含有各種添加劑(例如，著色劑、增 黏劑、增量劑、填充劑、黏著賦予劑、塑化劑、防老化劑、抗氧化劑、界面活性劑、交聯劑等)。
黏著劑層12b之厚度並無特別限定，就兼顧防止晶片切割面之缺陷與片狀樹脂組合物10之固定保持等觀點而言，較佳為1~50μm左右。較佳為2~30μm，進而較佳為5~25μm。
(背面研磨用帶一體型片狀樹脂組合物之製造方法)
背面研磨用帶一體型片狀樹脂組合物100例如可藉由預先分開製作背面研磨用帶12及片狀樹脂組合物10，最後將該等貼合而製作。
(半導體裝置之製造方法)
其次，對本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法進行說明。圖2~圖11係用以說明本發明之一實施形態之半導體裝置之製造方法的剖面模式圖。
本實施形態之半導體裝置之製造方法至少包括：步驟A，準備於半導體晶片之凸塊形成面貼附有片狀樹脂組合物之附片狀樹脂組合物之晶片；步驟B，準備形成有電極之安裝用基板；步驟C，將上述附片狀樹脂組合物之晶片以上述片狀樹脂組合物為貼合面貼附於上述安裝用基板上，使形成於上述半導體晶片上之上述凸塊與形成於上述安裝用基板上之電極相對向；步驟D，於上述步驟C後加熱上述片狀樹脂組合物而使其半硬化；及步驟E，於上述步驟D後，於高於上述步驟D中之加熱之溫度下進行加熱，而將上述凸塊與上述電極接合，並且使上述片狀組合物硬化。
[準備附片狀樹脂組合物之晶片之步驟]
於本實施形態之半導體裝置之製造方法，首先如圖8所示，準備 附片狀樹脂組合物之晶片40(步驟A)。以下，一面參照圖2~圖7，一面對附片狀樹脂組合物之晶片40之具體之準備方法進行說明。
(附片狀樹脂組合物之晶片之準備方法)
本實施形態之附片狀樹脂組合物之晶片之準備方法包括：貼合步驟，將半導體晶圓16之形成有凸塊18之凸塊形成面22a與背面研磨用帶一體型片狀樹脂組合物100之片狀樹脂組合物10貼合；研磨步驟，對半導體晶圓16之背面16b進行研磨；晶圓固定步驟，於半導體晶圓16之背面16b貼附切晶帶11；剝離步驟，將背面研磨用帶12剝離；切割步驟，將半導體晶圓16切割而形成附片狀樹脂組合物之半導體晶片40；及拾取步驟，將附片狀樹脂組合物之半導體晶片40自切晶帶11剝離。
<貼合步驟>
於貼合步驟中，將半導體晶圓16之形成有凸塊18之凸塊形成面22a與背面研磨用帶一體型片狀樹脂組合物100之片狀樹脂組合物10貼合(參照圖2)。
於半導體晶圓16之凸塊形成面22a上形成有複數個凸塊18(參照圖2)。凸塊18之高度係根據用途而定，通常為5~100μm左右。當然，半導體晶圓16中之各凸塊18之高度可相同亦可不同。
較佳為形成於半導體晶圓16表面之凸塊18之高度X(μm)與片狀樹脂組合物10之厚度Y(μm)滿足0.5≦Y/X≦2之關係。更佳為0.5≦Y/X≦1.5，進而較佳為0.8≦Y/X≦1.3。
藉由凸塊18之高度X(μm)與片狀樹脂組合物10之厚度Y(μm)滿足上述關係，可充分填充半導體晶片22與安裝用基板50之間之空間，並且可防止片狀樹脂組合物10自該空間過度溢出，而可防止由片狀樹脂組合物10引起之半導體晶片22之污染等。再者，於各凸塊18之高度不同之情形時，以最高之凸塊18之高度作為基準。
首先，將任意設置於背面研磨用帶一體型片狀樹脂組合物100之片狀樹脂組合物10上之隔離件適當地剝離，如圖2所示，使半導體晶圓16之形成有凸塊18之凸塊形成面22a與片狀樹脂組合物10相對向，而將片狀樹脂組合物10與半導體晶圓16貼合(安裝)。
貼合之方法並無特別限定，較佳為利用壓接之方法。壓接之壓力較佳為0.1MPa以上，更佳為0.2MPa以上。若為0.1MPa以上，則可良好地填埋半導體晶圓16之凸塊形成面22a之凹凸。又，壓接之壓力之上限並無特別限定，較佳為1MPa以下，更佳為0.5MPa以下。
貼合之溫度較佳為40℃以上，更佳為60℃以上。若為40℃以上，則片狀樹脂組合物10之黏度降低，可無空隙地填充半導體晶圓16之凹凸。又，貼合之溫度較佳為100℃以下，更佳為80℃以下。若為100℃以下，則可於抑制片狀樹脂組合物10之硬化反應之狀態下進行貼合。
貼合較佳為於減壓下進行，例如於1000Pa以下，較佳為500Pa以下。下限並無特別限定，例如為1Pa以上。
<研磨步驟>
於研磨步驟中，對與半導體晶圓16之凸塊形成面22a為相反側之面(即，背面)16b進行研磨(參照圖3)。作為半導體晶圓16之背面研磨所使用之薄型加工機，並無特別限定，例如可例示研磨機(背面研磨機)、研磨墊等。又，亦可藉由蝕刻等化學方法進行背面研磨。背面研磨係進行至半導體晶圓16成為所需之厚度(例如，20~700μm)為止。
<晶圓固定步驟>
研磨步驟後，於半導體晶圓16之背面16b貼附切晶帶11(參照圖4)。再者，切晶帶11具有於基材11a上積層有黏著劑層11b之結構。作為基材11a及黏著劑層11b，可使用於背面研磨用帶12之基材12a及黏 著劑層12b之項中所示之成分及製法而較佳地製作。
<剝離步驟>
繼而，將背面研磨用帶12剝離(參照圖5)。藉此，成為露出片狀樹脂組合物10之狀態。
於將背面研磨用帶12剝離時，於黏著劑層12b具有放射線硬化性之情形時，藉由對黏著劑層12b照射放射線而使黏著劑層12b硬化，可容易地進行剝離。關於放射線之照射量，考慮所使用之放射線之種類或黏著劑層之硬化度等適當進行設定即可。
<切割步驟>
於切割步驟中，如圖6所示，將半導體晶圓16及片狀樹脂組合物10切割而形成經切割之附片狀樹脂組合物之半導體晶片40。切割係依照常規方法自半導體晶圓16之貼合有片狀樹脂組合物10之凸塊形成面22a起進行。例如，可採用切至切晶帶11之被稱為全切之切斷方式等。作為本步驟所使用之切割裝置，並無特別限定，可使用先前公知者。
再者，於在切割步驟後進行切晶帶11之擴展之情形時，該擴展可使用先前公知之擴展裝置進行。
<拾取步驟>
如圖7所示，將附片狀樹脂組合物之半導體晶片40自切晶帶11剝離(拾取附片狀樹脂組合物之半導體晶片40)。作為拾取之方法，並無特別限定，可採用先前公知之各種方法。
此處，於切晶帶11之黏著劑層11b為紫外線硬化型之情形時，拾取係於對黏著劑層11b照射紫外線後進行。藉此，黏著劑層11b對半導體晶片22之黏著力降低，半導體晶片22之剝離變得容易。
藉由以上，而完成附片狀樹脂組合物之半導體晶片40之準備。
以上述方式獲得之附片狀樹脂組合物之晶片40具有形成有凸塊 18之半導體晶片22、及貼附於半導體晶片22之凸塊形成面22a之片狀樹脂組合物10(參照圖8)。於附片狀樹脂組合物之晶片40中，係將凸塊18埋入至片狀樹脂組合物10中，並且半導體晶片22之凸塊形成面22a係貼附於片狀樹脂組合物10上。
作為半導體晶片22之厚度，並無特別限定，例如，可於10~1000μm之範圍內適當進行設定。
作為形成於半導體晶片22上之凸塊18之高度，並無特別限定，例如，可於2~300μm之範圍內適當進行設定。
作為凸塊18之構成材料，並無特別限定，較佳為焊料，可列舉Sn-Pb系、Pb-Sn-Sb系、Sn-Sb系、Sn-Pb-Bi系、Bi-Sn系、Sn-Cu系、Sn-Pb-Cu系、Sn-In系、Sn-Ag系、Sn-Pb-Ag系、Pb-Ag系、Sn-Ag-Cu系之焊料。其中，可較佳地使用熔點處於210~230℃之範圍內者，上述焊料中，例如較佳為Sn-Ag系。
[準備安裝用基板之步驟]
又，如圖9所示，準備於表面50a形成有電極52之安裝用基板50(步驟B)。
作為安裝用基板50，可使用引線框架或電路基板(配線電路基板等)等各種基板。作為此種基板之材質，並無特別限定，可列舉陶瓷基板、或塑膠基板。作為塑膠基板，例如，可列舉環氧基板、雙馬來醯亞胺三基板、聚醯亞胺基板等。又，亦可使用半導體晶圓作為安裝用基板50。
[使形成於半導體晶片上之凸塊與形成於安裝用基板上之電極相對向之步驟]
於上述步驟A及上述步驟B後，如圖10所示，以片狀樹脂組合物10作為貼合面將附片狀樹脂組合物之晶片40貼附於安裝用基板50上，而使形成於半導體晶片22上之凸塊18與形成於安裝用基板50上之電極 52相對向(步驟C)。具體而言，首先，將附片狀樹脂組合物之晶片40之片狀樹脂組合物10與安裝用基板50對向配置，繼而，使用覆晶接合機，自附片狀樹脂組合物之晶片40側施加壓力。藉此，將凸塊18與電極52埋入至片狀樹脂組合物10中，並使該等相對向。貼合時之溫度較佳為100~200℃，更佳為150~190℃。其中，較佳為低於焊料之熔點之溫度。又，貼合時之壓力較佳為0.01~10MPa，更佳為0.1~1MPa。
若貼合之溫度為150℃以上，則片狀樹脂組合物10之黏度降低，而可無空隙地填充凹凸。又，若貼合之溫度為200℃以下，則可於抑制片狀樹脂組合物10之硬化反應之狀態下進行貼合。
此時，若片狀樹脂組合物10之於未達200℃下之最低熔融黏度處於10Pa‧s~5000Pa‧s之範圍內，則可容易地將形成於半導體晶片22上之凸塊18與形成於安裝用基板50上之電極52埋入至片狀樹脂組合物10中並使該等相對向。
[使片狀樹脂組合物半硬化之步驟]
於上述步驟C後，對片狀樹脂組合物10進行加熱而使其半硬化(步驟D)。上述步驟D中之加熱溫度較佳為100~230℃，更佳為150~210℃。上述步驟D中之加熱溫度較佳為低於焊料之熔點之溫度。又，加熱時間較佳為1~300秒之範圍內，更佳為3~120秒之範圍內。
此時，由於片狀樹脂組合物10之於200℃下加熱20秒後之熱硬化率為50%以上，因此於步驟C後、步驟D之半硬化步驟前，即便不大幅提高溫度，硬化反應亦會開始並於早期結束。由於可迅速地結束步驟D，因此可實現半導體裝置之製造製程之效率化。
[將凸塊與電極接合，並且將片狀組合物硬化之步驟]
於上述步驟D後，於高於上述步驟D中之加熱之溫度下進行加熱，而如圖11所示，將凸塊18與電極52接合，並且將片狀組合物10硬 化(步驟E)。於圖11中表示出凸塊18含有焊料，藉由凸塊18熔融而將凸塊18與電極52接合(電性連接)之情況。
此時之加熱溫度較佳為180~400℃，更佳為200~300℃。又，加熱時間較佳為1~300秒之範圍內，更佳為3~120秒之範圍內。
如上所述般，於本實施形態中，較佳為凸塊18係熔點處於180~260℃之範圍內之焊料，上述步驟D係於100~230℃之範圍內進行加熱之步驟，且上述步驟D中之加熱溫度係低於上述焊料之上述熔點之溫度。若使用熔點處於180~260℃之範圍內之焊料，則於上述步驟D中之加熱中，焊料不會熔融。另一方面，片狀樹脂組合物10進行半硬化。即，於步驟D中，係於不使焊料熔融之態樣下使片狀樹脂組合物10半硬化。於步驟D中，由於未使焊料熔融，因此於步驟D中基本不存在焊料流動之情況。
其後，於該步驟E中，於高於上述步驟D中之加熱之溫度下進行加熱，使焊料熔融而將凸塊18與電極52接合，並且使片狀組合物10硬化。於步驟E之階段，由於片狀樹脂組合物10已半硬化，因此構成片狀樹脂組合物10之樹脂變得難以流動。因此，即便為了將凸塊18與電極52接合而使焊料熔融，亦可抑制焊料伴隨片狀樹脂組合物10之流動而流動之情況。其結果為，可進一步抑制產生由焊料流動引起之短路或接觸不良之情況。
藉由以上而獲得半導體裝置60。
以上，已對第1實施形態進行了說明。
[第2實施形態]
第2實施形態之片狀樹脂組合物與第1實施形態之片狀樹脂組合物10相比，區別在於構成材料不同，而各種物性(熱硬化率、黏度、黏度變化率等)共通。因此，於第2實施形態中，僅對與第1實施形態不同之方面進行說明，除此以外省略說明。
(片狀樹脂組合物)
第2實施形態之片狀樹脂組合物較佳為含有環氧(甲基)丙烯酸酯樹脂與自由基產生劑。再者，所謂環氧(甲基)丙烯酸酯意指環氧丙烯酸酯或環氧甲基丙烯酸酯。
作為上述環氧(甲基)丙烯酸酯樹脂之具體例，可列舉乙氧化(3)雙酚A二丙烯酸酯等雙酚A型環氧(甲基)丙烯酸酯。
上述環氧(甲基)丙烯酸酯樹脂之分子量(重量平均分子量)並無特別限定，較佳為100~10000，更佳為200~1000。若重量平均分子量為100~10000，則就硬化物之凝聚力變強之方面而言較佳。重量平均分子量之測定可藉由GPC法，並進行聚苯乙烯換算而求出。
作為上述環氧(甲基)丙烯酸酯樹脂相對於片狀樹脂組合物整體之含量，就保存性與反應性之觀點而言，較佳為2~70重量%之範圍內，更佳為10~30重量%之範圍內。
上述自由基產生劑係至少藉由加熱而產生自由基者。
作為藉由加熱產生自由基之自由基產生劑，例如可列舉：如過氧化苯甲醯(BPO)、過硫酸鉀、過氧化二異丙苯之有機過氧化物及無機過氧化物；如偶氮二異丁腈(AIBN)之偶氮化合物等。
作為上述自由基產生劑相對於片狀樹脂組合物整體之含量，就反應速度之觀點而言，較佳為0.001~2重量%之範圍內，更佳為0.1~1重量%之範圍內。
第2實施形態之片狀樹脂組合物亦可含有熱硬化性樹脂。又，亦可含有硬化劑。尤其是於片狀樹脂組合物含有熱塑性樹脂，且該熱塑性樹脂具有與環氧基進行交聯反應之官能基之情形時，較佳為含有作為熱硬化性樹脂之環氧樹脂。
作為上述熱硬化性樹脂，可列舉環氧樹脂、酚系樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、矽酮樹脂、或熱硬化性聚 醯亞胺樹脂等。該等樹脂可單獨使用，或可併用兩種以上。尤佳為腐蝕半導體晶片之離子性雜質等之含有較少之環氧樹脂。
上述環氧樹脂只要為通常用作接著劑組合物者，則無特別限定，例如可使用：雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、fluonrene型、酚系酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥基苯基甲烷型、四酚基乙烷型等二官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂；或者乙內醯脲型、三縮水甘油基異氰尿酸酯型或縮水甘油胺型等環氧樹脂。該等可單獨使用，或可併用兩種以上。於使用硫醇系硬化劑作為硬化劑之情形時，就與硫醇系硬化劑之反應性或通用性之觀點而言，於上述環氧樹脂中，尤佳為雙酚A型、聯苯型、萘型、酚系酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型。
就片狀樹脂組合物之可靠性之觀點而言，熱硬化性樹脂相對於片狀樹脂組合物整體之含量較佳為0.1~50重量%之範圍內，更佳為0.4~20重量%之範圍內。
第2實施形態之片狀樹脂組合物亦可含有熱硬化促進劑。作為上述熱硬化促進劑，並無特別限制，可自公知之熱硬化促進劑中適當選擇而使用。熱硬化促進劑可單獨使用，或可組合兩種以上而使用。作為熱硬化促進劑，例如可使用：胺系硬化促進劑、磷系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、硼系硬化促進劑、磷-硼系硬化促進劑等。其中，就反應性、溶解性之觀點而言，較佳為分子內含有氮原子之有機化合物(例如，胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑)。
上述熱硬化促進劑之含量相對於熱硬化性樹脂100重量份，較佳為0.001~2重量%之範圍內，更佳為0.01~1重量%之範圍內。若為0.001重量份以上，則可將熱硬化性樹脂充分硬化，若為2重量份以下，則可維持良好之保存性。
第2實施形態之片狀樹脂組合物較佳為含有熱塑性樹脂。再者， 於第2實施形態中，熱塑性樹脂不含環氧(甲基)丙烯酸酯樹脂。又，於第2實施形態中，熱塑性樹脂可於分子內含有碳-碳雙鍵。作為上述熱塑性樹脂，可列舉：天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-尼龍或6,6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸系樹脂、PET或PBT等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、氟樹脂等。該等熱塑性樹脂可單獨使用，或可併用兩種以上。該等熱塑性樹脂中，尤佳為離子性雜質較少、耐熱性較高、且可確保半導體晶片之可靠性之丙烯酸系樹脂。再者，第2實施形態之熱塑性樹脂係指重量平均分子量大於10000者，可於分子內含有自由基反應性之碳-碳雙鍵。
作為上述丙烯酸系樹脂，於不含環氧(甲基)丙烯酸酯樹脂之範圍內，可使用與第1實施形態所說明者相同之丙烯酸系樹脂。
熱塑性樹脂相對於片狀樹脂組合物整體之含量較佳為1重量%以上，更佳為3重量%以上。若為1重量%以上，則可獲得良好之可撓性。另一方面，樹脂成分中之熱塑性樹脂之含量較佳為40重量%以下，更佳為30重量%以下，進而較佳為25重量%以下。若為40重量%以下，則可獲得良好之熱可靠性。
又，可於第2實施形態之片狀樹脂組合物中適當調配無機填充劑。無機填充劑之調配可實現導熱性之提高、儲存模數之調節等。
作為上述無機填充劑，可使用與第1實施形態所說明者相同之無機填充劑，調配量亦可設為同樣。
再者，於第2實施形態之片狀樹脂組合物中，除了上述無機填充劑以外，可視需要而適當調配其他添加劑。作為其他添加劑，可列舉與第1實施形態所說明者相同之添加劑。
以上，已對第2實施形態之片狀樹脂組合物進行了說明。
再者，第2實施形態之片狀樹脂組合物可藉由與第1實施形態同樣之方法而製造。又，可與第1實施形態同樣地製成與背面研磨用帶之一體型。又，可用於與第1實施形態同樣之半導體裝置之製造方法。因此，此處省略說明。
[其他變化例]
於上述之實施形態中，作為準備附片狀樹脂組合物之晶片之步驟A，已對使用背面研磨用帶一體型片狀樹脂組合物之情形進行了說明。然而，本發明中之步驟A並不限定於該例。例如，亦可使用切晶帶一體型片狀樹脂組合物而準備。切晶帶一體型片狀樹脂組合物具備切晶帶、與片狀樹脂組合物。切晶帶具備基材及黏著劑層，黏著劑層係設置於基材上。片狀樹脂組合物係設置於黏著劑層上。切晶帶可採用與上述之背面研磨用帶同樣之構成。
具體而言，該附片狀樹脂組合物之晶片之準備方法包括：貼合步驟，將半導體晶圓之形成有凸塊之凸塊形成面與切晶帶一體型片狀樹脂組合物之片狀樹脂組合物貼合；切割步驟，將半導體晶圓切割而形成附片狀樹脂組合物之半導體晶片；及拾取步驟，將附片狀樹脂組合物之半導體晶片自切晶帶剝離。
又，作為準備附片狀樹脂組合物之半導體晶片之步驟A，亦可使用單一之片狀樹脂組合物而準備。
具體而言，使用單一之片狀樹脂組合物之附片狀樹脂組合物之晶片之準備方法例如包括：將半導體晶圓之形成有凸塊之凸塊形成面與片狀樹脂組合物貼合之貼合步驟；將背面研磨用帶貼合於片狀樹脂組合物之與半導體晶圓貼合面為相反側之面之步驟；對半導體晶圓之背面進行研磨之研磨步驟；將切晶帶貼附於半導體晶圓之背面之晶圓固定步驟；將背面研磨用帶剝離之剝離步驟；將半導體晶圓切割而形成附片狀樹脂組合物之半導體晶片之切割步驟；及將附片狀樹脂組合 物之半導體晶片自切晶帶剝離之拾取步驟。
又，作為準備使用單一之片狀樹脂組合物之附片狀樹脂組合物之半導體晶片之步驟A的其他例，包括：將半導體晶圓之形成有凸塊之凸塊形成面與片狀樹脂組合物貼合之貼合步驟；將切晶帶貼合於片狀樹脂組合物之與半導體晶圓貼合面為相反側之面之步驟；將半導體晶圓切割而形成附片狀樹脂組合物之半導體晶片之切割步驟；及將附片狀樹脂組合物之半導體晶片自切晶帶剝離之拾取步驟。
又，於上述之實施形態中，已對本發明之片狀樹脂組合物為將半導體晶片與安裝用基板之間隙進行密封者(所謂之底部填充用片材)之情形進行了說明。然而，本發明之片狀樹脂組合物只要為用於半導體裝置之製造者、即半導體裝置製造用，則無特別限定。例如，亦可為用以將半導體元件黏晶於被黏著體上之黏晶膜，亦可為用以形成於覆晶連接於被黏著體上之半導體元件之背面之覆晶型半導體背面用膜，亦可為用以將半導體元件密封之密封膜。
[實施例]
以下，例示性地對該發明之較佳之實施例進行詳細說明。其中，關於該實施例中所記載之材料或調配量等，只要無特別限定性之記載，則主旨並非將該發明之範圍僅限定於該等。
<片狀樹脂組合物之製作>
以表1所示之比率將以下成分溶解於甲基乙基酮中，製備固形物成分濃度成為25.4~60.6重量%之接著劑組合物之溶液。
丙烯酸系聚合物：以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯作為主成分之丙烯酸酯系聚合物(商品名「Paracron W-197C」，根上工業股份有限公司製造，重量平均分子量：4×105)
環氧樹脂1：商品名「Epikote 1004」，JER股份有限公司製造
環氧樹脂2：商品名「Epikote 828」，JER股份有限公司製造
硫醇系硬化劑：季戊四醇四(3-巰基丁酸酯)，商品名「Karenz MT PE1」，昭和電工公司製造
環氧丙烯酸酯樹脂(雙A型環氧丙烯酸酯樹脂)：商品名「CN-104NS」，Sartomer公司製造，重量平均分子量10000以下。
酚系硬化劑：商品名「MEH-7851H」，明和化成股份有限公司製造
助焊劑：2-苯氧基苯甲酸
無機填充劑：球狀二氧化矽(商品名「SO-25R」，Admatechs股份有限公司製造，平均粒徑：500nm)
熱硬化促進劑：咪唑系硬化促進劑(商品名「2PHZ-PW」，四國化成股份有限公司製造)
自由基產生劑：有機過氧化物(商品名「Percumyl D」，日油公司製造)
關於實施例1、實施例2、比較例1、比較例2，將該接著劑組合物之溶液塗佈於作為剝離襯墊(隔離件)之經矽酮脫模處理之厚度為38μm之包含聚對苯二甲酸乙二酯膜的脫模處理膜上後，於130℃下乾燥2分鐘，藉此製作實施例1、實施例2、比較例1、比較例2之片狀樹脂組合物。於實施例1、實施例2、比較例1、比較例2中，將厚度全部設為35μm。
又，關於實施例3、實施例4，將該接著劑組合物之溶液塗佈於作為剝離襯墊(隔離件)之經矽酮脫模處理之厚度為38μm之包含聚對苯二甲酸乙二酯膜的脫模處理膜上後，於120℃下乾燥3分鐘，藉此製作實施例3、實施例4之片狀樹脂組合物。於實施例3、實施例4中，將厚度全部設為35μm。
(於120℃下加熱10分鐘後之熱硬化率之測定)
關於實施例、比較例之片狀樹脂組合物，以下述方式測定於120 ℃下加熱10分鐘後之熱硬化率。測定係使用TA Instruments公司製造之示差掃描熱量計、製品名「Q2000」。
首先，對於升溫速度10℃/分鐘之條件下將未進行熱硬化處理之片狀樹脂組合物自-10℃升溫至350℃(假定熱硬化反應完全結束之溫度)時之放熱量(未硬化樣品之反應熱量)進行測定。再者，此時，亦對放熱峰值溫度進行讀取。將該值示於表1。
又，準備於120℃下將片狀樹脂組合物加熱10分鐘而獲得之樣品，對於升溫速度10℃/分鐘之條件下自-10℃升溫至350℃(假定熱硬化反應完全結束之溫度)時之放熱量(於200℃下加熱10秒而獲得之樣品之反應熱量)進行測定。其後，藉由以下之式(1a)獲得熱硬化率。
式(1a)：熱硬化率=[{(未硬化樣品之反應熱量)-(於120℃下加熱10分鐘而獲得之樣品之反應熱量)}/(未硬化樣品之反應熱量)]×100(%)
再者，放熱量係使用由將藉由示差掃描熱量計測定之放熱峰之上升溫度與反應結束溫度之兩點連結而成之直線與峰所圍成之面積而求出。
將結果示於表1。
(於200℃下加熱20秒後之熱硬化率之測定)
關於實施例、比較例之片狀樹脂組合物，以下述方式測定於200℃下加熱20秒後之熱硬化率。測定係使用TA Instruments公司製造之示差掃描熱量計、製品名「Q2000」。
首先，對於升溫速度10℃/分鐘之條件下將未進行熱硬化處理之片狀樹脂組合物自-10℃升溫至350℃(假定熱硬化反應完全結束之溫度)時之放熱量(未硬化樣品之反應熱量)進行測定。
又，準備於200℃下將片狀樹脂組合物加熱20秒而獲得之樣品，對於升溫速度10℃/分鐘之條件下自-10℃升溫至350℃(假定熱硬化反 應完全結束之溫度)時之放熱量(於200℃下加熱10秒而獲得之樣品之反應熱量)進行測定。其後，藉由以下之式(1b)獲得熱硬化率。
式(1b)：熱硬化率=[{(未硬化樣品之反應熱量)-(於200℃下加熱20秒而獲得之樣品之反應熱量)}/(未硬化樣品之反應熱量)]×100(%)
再者，放熱量係使用由將藉由示差掃描熱量計測定之放熱峰之上升溫度與反應結束溫度之兩點連結而成之直線與峰所圍成之面積而求出。
將結果示於表1。
[保存性評估1]
首先，藉由旋轉式黏度計(Thermo Fisher Scientific公司製造，製品名「HAAKE Roto Visco 1」)測定未進行熱硬化處理之片狀樹脂組合物之靜態黏度。測定條件係設為間隙100μm、旋轉板直徑20mm、升溫速度10℃/min、剪切速度5(1/s)，而對於80℃~230℃下之黏度進行測定。
又，關於在溫度：25℃之條件下放置(保存)7天(1週)時間之片狀樹脂組合物，以與上述同樣之方式測定黏度。
將保存1週前與保存1週後之於120℃下之測定黏度進行比較，將保存後之黏度與保存前之黏度之變化為1000Pa‧s以下之情形評估為○，將大於1000Pa‧s之情形評估為×。將評估基準設定為如上所述之原因在於：若上述黏度變化為1000Pa‧s以下，則安裝時之接合變得良好。將結果示於表1。再者，於表1中亦一併示出保存前與保存後之於120℃下之測定黏度。
[保存性評估2]
將於上述之保存性評估1中所測定之保存1週前與保存1週後之於120℃下之測定黏度進行比較，將保存後之黏度相較於保存前之變化 率(黏度變化率X1)為0~20%之範圍之情形評估為○，將為20%~40%之情形評估為△，將超過40%之情形評估為×。將評估基準設定為如上所述之原因在於：若上述黏度變化率為20%以下，則安裝時之接合變得良好。將結果示於表1。
黏度變化率X1係藉由下述式獲得之值之絕對值。
[黏度變化率X1(%)]=[100×{(保存1週後之於120℃下之黏度)-(保存前之於120℃下之黏度)}/(保存前之於120℃下之黏度)
[保存性評估3]
關於在溫度：25℃之條件下放置(保存)14天(2週)時間之片狀樹脂組合物，以與上述保存性評估1同樣之方式測定黏度。
將保存2週前與保存2週後之於120℃下之測定黏度進行比較，將保存後之黏度相較於保存前之變化率(黏度變化率X2)為0~20%之範圍之情形評估為○，將為20%~40%之情形評估為△，將超過40%之情形評估為×。將評估基準設定為如上所述之原因在於：若上述黏度變化率為20%以下，則安裝時之接合變得良好。將結果示於表1。
黏度變化率X2係藉由下述式獲得之值之絕對值。
[黏度變化率X2(%)]=[100×{(保存2週後之於120℃下之黏度)-(保存前之於120℃下之黏度)}/(保存前之於120℃下之黏度)
[孔隙評估]
將厚度40μm之片狀樹脂組合物貼附於WALTS股份有限公司之測試載具(於厚度725μm之晶圓上形成有高度40μm之凸塊者)上。貼附條件係於真空度：100Pa之條件下，設為溫度：60℃、貼附壓力：0.5Mpa。藉此，獲得如圖8所示之形態之樣品A。
繼而，於該樣品A上貼附具有電極之安裝用基板(電極之高度：15μm)。貼附時係使用Toray Engineering公司之覆晶接合機(FC3000W)，貼附條件係於荷重：0.5Mpa之條件下，於200℃下保持 10秒後，於260℃下保持10秒。
以平行於晶片(晶圓)之方式對所得之安裝後之樣品進行研磨，而使片狀樹脂組合物露出。藉由光學顯微鏡(200倍)確認露出之樹脂部分之孔隙狀態，將未確認到產生孔隙(最大直徑：超過3μm)之情形評估為「○」，將確認到即便1處產生孔隙之情形評估為「×」。將結果示於表1。於實施例中，認為由於在200℃下保持10秒時已充分進行片狀樹脂組合物之半硬化，因此孔隙之膨脹受到抑制。另一方面，於比較例2中，認為由於在200℃下保持10秒時並未充分進行片狀樹脂組合物之半硬化，因此孔隙之膨脹並未受到抑制。
10‧‧‧片狀樹脂組合物
12‧‧‧背面研磨用帶
12a‧‧‧基材
12b‧‧‧黏著劑層
100‧‧‧背面研磨用帶一體型片狀樹脂組合物

Claims (6)

  1. 一種半導體裝置製造用之片狀樹脂組合物，其特徵在於：於120℃下加熱10分鐘後之熱硬化率為40%以下，於200℃下加熱20秒後之熱硬化率為50%以上。
  2. 如請求項1之片狀樹脂組合物，其含有環氧(甲基)丙烯酸酯樹脂、及自由基產生劑。
  3. 如請求項1之片狀樹脂組合物，其含有熱硬化性樹脂與硬化劑，上述熱硬化性樹脂為環氧樹脂，上述硬化劑為分子內具有兩個以上巰基之硫醇系硬化劑。
  4. 如請求項1之片狀樹脂組合物，其含有熱塑性樹脂，上述熱塑性樹脂係重量平均分子量為3×105以上之丙烯酸系樹脂。
  5. 一種背面研磨用帶一體型片狀樹脂組合物，其特徵在於：其係將如請求項1至4中任一項之片狀樹脂組合物積層於背面研磨用帶上。
  6. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於包括：步驟A，準備於半導體晶片之凸塊形成面上貼附有如請求項1至4中任一項之片狀樹脂組合物之附片狀樹脂組合物之晶片；步驟B，準備形成有電極之安裝用基板；步驟C，將上述附片狀樹脂組合物之晶片以上述片狀樹脂組合物為貼合面貼附於上述安裝用基板上，使形成於上述半導體晶片上之上述凸塊與形成於上述安裝用基板上之電極相對向；步驟D，於上述步驟C後加熱上述片狀樹脂組合物而使其半硬 化；及步驟E，於上述步驟D後，於高於上述步驟D中之加熱之溫度下進行加熱，而將上述凸塊與上述電極接合，並且使上述片狀組合物硬化。
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