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TW201540497A - 玻璃積層體 - Google Patents

玻璃積層體 Download PDF

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TW201540497A
TW201540497A TW104109553A TW104109553A TW201540497A TW 201540497 A TW201540497 A TW 201540497A TW 104109553 A TW104109553 A TW 104109553A TW 104109553 A TW104109553 A TW 104109553A TW 201540497 A TW201540497 A TW 201540497A
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TW
Taiwan
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glass substrate
resin layer
glass
unit
group
Prior art date
Application number
TW104109553A
Other languages
English (en)
Inventor
Daisuke Uchida
Kyon-Hun Min
Takashi Sasaki
Takamichi Shimosaka
Tatsuya Miyajima
Yuki Nakamura
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Publication of TW201540497A publication Critical patent/TW201540497A/zh

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Abstract

提供一種於高溫加熱處理後依舊可以抑制聚矽氧樹脂層分解的玻璃積層體。 一種玻璃積層體，係依序具備有支持基材層、聚矽氧樹脂層及玻璃基板層，且上述支持基材層與上述聚矽氧樹脂層的界面剝離強度高於上述玻璃基板層與上述聚矽氧樹脂層的界面剝離強度；上述聚矽氧樹脂層之聚矽氧樹脂為交聯性有機聚矽氧烷之交聯物，上述交聯性有機聚矽氧烷含有特定式(1)所示之矽氧烷單元(A)且實質上不具烯基及炔基。

Description

玻璃積層體 發明領域
本發明係有關於一種玻璃積層體。
發明背景
近年，太陽電池(PV)、液晶面板(LCD)、有機EL面板(OLED)等組件(電子機器)之薄型化、輕量化有所進展，且該等組件所用的玻璃基板之薄板化亦有進展。然而若因為薄板化使得玻璃基板之強度有所不足，在組件之製造步驟中玻璃基板之處置性便會下降。
最近，為了因應上述課題，有文獻提議一種方法，其係準備一積層有薄板玻璃基板及補強板之玻璃積層體，於玻璃積層體之薄板玻璃基板上形成顯示裝置等電子組件用構件後，將補強板從薄板玻璃基板分離(例如參照專利文獻1)。補強板具有支持板及固定於該支持板上之聚矽氧樹脂層，且聚矽氧樹脂層與薄板玻璃基板呈可剝離地密著一起。玻璃積層體之聚矽氧樹脂層與薄板玻璃基板之界面可剝離，且已從薄板玻璃基板分離的補強板可與另一個薄板玻璃基板積層為玻璃積層體進行再利用。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1：國際公開第2007/018028號
發明概要
有關專利文獻1中記載之玻璃積層體，近年傾向要求更高的耐熱性。隨著形成於玻璃積層體之玻璃基板上的電子組件用構件之高機能化及複雜化，形成電子組件用構件時的溫度變得更高溫以外，拉長暴露在該高溫下之時間的情況亦不少。
專利文獻1中記載之玻璃積層體可在大氣中承受300℃且1小時之處理。但，經由本發明人等的研討得知，專利文獻1所記載之玻璃積層體中的聚矽氧樹脂層在450℃下會於短時間內引發分解而產生多量的釋氣。此種釋氣的發生會污染形成於玻璃基板上之電子組件用構件，結果成為使電子組件之生產性下降之原因。
本發明係有鑑於以上諸點而進行，其目的在於提供一種於形成電子組件用構件時等之高溫加熱處理後依舊可以抑制聚矽氧樹脂層分解的玻璃積層體。
本發明人等為了達成上述目的進行精闢研討的結果發現，藉由採用特定的聚矽氧樹脂層，於高溫加熱處理後依舊可以抑制分解，進而完成本發明。
即，本發明提供以下[1]~[8]。
[1]一種玻璃積層體，係依序具備有支持基材層、聚矽氧樹脂層及玻璃基板層，且上述支持基材層與上述聚矽氧樹脂層的界面剝離強度高於上述玻璃基板層與上述聚矽氧樹脂層的界面剝離強度；上述聚矽氧樹脂層之聚矽氧樹脂為交聯性有機聚矽氧烷之交聯物，上述交聯性有機聚矽氧烷含有後述式(1)所示之矽氧烷單元(A)且實質上不具烯基及炔基。
[2]如[1]記載之玻璃積層體，其中上述矽氧烷單元(A)中之R1~R4分別獨立為碳數4以下之烷基。
[3]如[1]或[2]記載之玻璃積層體，其中上述交聯性有機聚矽氧烷更含有後述式(2)所示之矽氧烷單元(B)。
[4]如[3]記載之玻璃積層體，其中上述交聯性有機聚矽氧烷之中，相對於上述矽氧烷單元(A)與上述矽氧烷單元(B)之合計，上述矽氧烷單元(A)之比率為30~90莫耳%，且相對於總矽氧烷單元，上述矽氧烷單元(A)與上述矽氧烷單元(B)之合計比率為80~100莫耳%。
[5]如[3]或[4]記載之玻璃積層體，其中上述矽氧烷單元(B)係R5及R6為苯基之矽氧烷單元(B-1)或者是R5及R6中之任一者為碳數4以下之烷基且另一者為苯基之矽氧烷單元(B-2)。
[6]如[1]~[5]中任一項記載之玻璃積層體，其中上述矽氧烷單元(A)中之Ar為伸苯基、伸萘基、伸聯苯基或伸聯三苯基。
[7]如[1]~[6]中任一項記載之玻璃積層體，其上述交聯 性有機聚矽氧烷在其1分子中所含鍵結於矽原子的烯基及炔基之合計數在100個以下。
[8]如[1]~[7]中任一項記載之玻璃積層體，其中上述交聯性有機聚矽氧烷利用GPC測定所得之以聚苯乙烯換算的數量平均分子量為5000~100000。
依據本發明之玻璃積層體，於高溫加熱處理後依舊可以抑制聚矽氧樹脂層的分解。
10‧‧‧玻璃積層體
12‧‧‧支持基材
14‧‧‧聚矽氧樹脂層
14a‧‧‧表面(聚矽氧樹脂層之第1主面)
16‧‧‧玻璃基板
16a‧‧‧玻璃基板之第1主面
16b‧‧‧玻璃基板之第2主面
18‧‧‧附聚矽氧樹脂層之支持基材
20‧‧‧電子組件用構件
22‧‧‧附電子組件用構件之積層體
24‧‧‧附構件之玻璃基板
圖1係本發明之玻璃積層體之一實施形態的示意截面圖。
圖2(A)~(D)係依步驟順序顯示本發明之附構件之玻璃基板之製造方法一實施形態的示意截面圖。
用以實施發明之形態
以下參照圖式說明用以實施本發明之形態，惟本發明不受以下實施形態限制，可在不脫離本發明範圍之下於下述實施形態加上各種變形及置換。
本發明之玻璃積層體依序具備有支持基材層、聚矽氧樹脂層及玻璃基板層。即，於支持基材層與玻璃基板層之間具有聚矽氧樹脂層。因此，聚矽氧樹脂層之其中一側與支持基材層相接且另一側與玻璃基板層相接。
在本發明之玻璃積層體中，聚矽氧樹脂層之聚矽氧樹脂為後述交聯性有機聚矽氧烷之交聯物，藉此可對玻璃基 板顯示預定的密著性，且在高溫處理條件下可抑制聚矽氧樹脂之分解。結果可更為抑制釋氣之發生或玻璃基板之位移等。
可抑制聚矽氧樹脂分解的理由，有一點是交聯性有機聚矽氧烷之主鏈中含有2價芳香族烴基(例如伸苯基)。藉由含有該芳香族烴基，可提升交聯性有機聚矽氧烷之鍵結能，同時可降低交聯性有機聚矽氧烷的運動性，使矽氧烷鍵之開裂難以進行。
結果便可抑制伴隨開裂而生成矽氧烷之環狀化合物，且可更為抑制釋氣之發生或玻璃基板之位移等。
又，依據本發明之玻璃積層體，亦可發揮如下述之效果。
例如設想以下情況：經硬化會形成聚矽氧樹脂層之交聯性有機聚矽氧烷中之矽原子(Si)上鍵結有烯基或炔基(以乙烯基(Vi)為代表，以下即以乙烯基為例進行說明)。此時，若使交聯性有機聚矽氧烷例如在約300℃以上進行加熱硬化，Si-Vi部分會分解或Si-Vi部分氧化而生成Si-OH且該Si-OH彼此進一步脫水縮合，因此有時會於製得之聚矽氧樹脂層產生發泡或裂痕。一旦於聚矽氧樹脂層產生發泡或裂痕，便會殃及其與積層在聚矽氧樹脂層上之玻璃基板的密著性下降，或自始即無法於聚矽氧樹脂層上積層玻璃基板。
爰此，若為了避免所述發泡或裂痕發生而降低加熱硬化溫度，這下恐致已生成之Si-OH無法縮合而殘存，且因 殘存之Si-OH而使對積層在聚矽氧樹脂層上的玻璃基板之剝離強度提高。
然而，在本發明中，成為聚矽氧樹脂層之交聯性有機聚矽氧烷實質上不具有烯基及炔基，因此可抑制殘存之Si-Vi部分的分解或因Si-Vi部分等氧化所造成的Si-OH生成，其結果便是可抑制聚矽氧樹脂層中發生發泡及裂痕的，或抑制使加熱硬化溫度降低時玻璃基板之剝離強度上升。
此外，一般而言，隨著聚矽氧樹脂層厚度增加，亦有變得容易產生裂痕之傾向，但本發明之玻璃積層體如上述不易於聚矽氧樹脂層產生裂痕，因此可抑制裂痕之發生，同時可使聚矽氧樹脂層厚膜化。
圖1為本發明之玻璃積層體一例的示意截面圖。
如圖1所示，玻璃積層體10為一具有支持基材12之層、玻璃基板16之層與存在於其等之間之聚矽氧樹脂層14的積層體。聚矽氧樹脂層14之其中一面與支持基材12之層相接，同時另一面與玻璃基板16之第1主面16a相接。換言之，聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之第1主面16a相接。
由支持基材12之層及聚矽氧樹脂層14所構成的2層部分在製造液晶面板等電子組件用構件之構件形成步驟中係用以補強玻璃基板16。而，為了製造玻璃積層體10而預先製造之由支持基材12之層及聚矽氧樹脂層14所構成的2層部分稱為附聚矽氧樹脂層之支持基材18。
該玻璃積層體10可持續使用到後述之構件形成 步驟。即，該玻璃積層體10可持續使用直到在其玻璃基板16之第2主面16b表面上形成液晶顯示裝置等電子組件用構件為止。之後，將形成有電子組件用構件之玻璃積層體分離成支持基材12及附構件之玻璃基板，且附聚矽氧樹脂層之支持基材18不會成為構成電子組件的部分。附聚矽氧樹脂層之支持基材18可與另一個新的玻璃基板16積層為新的玻璃積層體10進行再利用。
支持基材12與聚矽氧樹脂層14之界面具有剝離強度(x)，一旦對支持基材12與聚矽氧樹脂層14之界面施加超過剝離強度(x)之剝開方向的應力，支持基材12與聚矽氧樹脂層14之界面便會剝離。聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面具有剝離強度(y)，一旦對聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面施加超過剝離強度(y)之剝開方向的應力，聚矽氧樹脂14層與玻璃基板16之界面便會剝離。
在本發明之玻璃積層體10(亦表示後述之附電子組件用構件之積層體)中，上述剝離強度(x)高於上述剝離強度(y)。因此，若對本發明之玻璃積層體10施加將支持基材12與玻璃基板16剝開之方向的應力，本發明之玻璃積層體10便會在聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面剝離而分離成玻璃基板16與附聚矽氧樹脂層之支持基材18。
剝離強度(x)宜充分高於剝離強度(y)。提高剝離強度(x)係表示提高聚矽氧樹脂層14對支持基材12之附著力，且在加熱處理後可維持比起對玻璃基板18來說相對較高的附著力。
為了提高聚矽氧樹脂層14對支持基材12之附著力，如後述使交聯性有機聚矽氧烷在支持基材12上交聯硬化而形成聚矽氧樹脂層14為佳。藉由交聯硬化時的接著力，可形成經高結合力結合於支持基材12的聚矽氧樹脂層14。
另一方面，慣例上，交聯性有機聚矽氧烷之交聯物的聚矽氧樹脂對玻璃基板16之結合力多半低於上述交聯硬化時產生之結合力。因此，宜在支持基材12上使交聯性有機聚矽氧烷交聯硬化而形成聚矽氧樹脂層14，然後於聚矽氧樹脂層14面上積層玻璃基板16來製造玻璃積層體10。
以下，首先針對構成玻璃積層體10之各層(支持基材12、玻璃基板16、聚矽氧樹脂層14)詳細說明，然後針對玻璃積層體及附構件之玻璃基板的製造方法詳細說明。
[支持基材]
支持基材12可支持且補強玻璃基板16，並在後述構件形成步驟(製造電子組件用構件之步驟)中，防止製造電子組件用構件時玻璃基板16變形、損傷、破損等。
支持基材12例如可使用玻璃板、塑膠板、SUS板等之金屬板等。通常，構件形成步驟會伴隨熱處理，因此支持基材12宜以與玻璃基板16之線膨脹係數差小的材料形成，且以與玻璃基板16相同材料形成較佳，即支持基材12以玻璃板為佳。尤其，支持基材12宜為與玻璃基板16相同玻璃材料所構成之玻璃板。
支持基材12之厚度可比玻璃基板16厚，亦可較 薄。宜根據玻璃基板16之厚度、聚矽氧樹脂層14之厚度、及玻璃積層體10之厚度來選擇支持基材12之厚度。例如，現行的構件形成步驟係設計成處理厚度0.5mm之基板，所以當玻璃基板16之厚度與聚矽氧樹脂層14之厚度之和為0.1mm時，支持基材12之厚度即設為0.4mm。支持基材12之厚度通常以0.2~5.0mm為佳。
支持基材12為玻璃板時，從好處理且不易破裂等理由來看，玻璃板之厚度以0.08mm以上為佳。又，從形成電子組件用構件後進行剝離時可望具有不會破裂而能適度撓曲之剛性的理由來看，玻璃板之厚度以1.0mm以下為佳。
支持基材12與玻璃基板16在25~300℃下之線膨脹係數之差宜為500×10-7/℃以下，較佳為300×10-7/℃以下，且200×10-7/℃以下更佳。相差一旦過大，在構件形成步驟之加熱冷卻時，會有玻璃積層體10激烈翹曲或支持基材12與玻璃基板16剝離之可能性。支持基材12之材料與玻璃基板16之材料相同時，可抑制此種問題發生。
[玻璃基板]
玻璃基板16其第1主面16a與聚矽氧樹脂層14相接，且可於與聚矽氧樹脂層14側為相反側之第2主面16b設置電子組件用構件。
玻璃基板16之種類可為一般種類，舉例如LCD、OLED等顯示裝置用之玻璃基板等。玻璃基板16的耐藥性、耐透濕性佳且熱收縮率低。而作為熱收縮率之指標， 乃使用JIS R 3102(1995年修正)所規定之線膨脹係數。
若玻璃基板16之線膨脹係數大，因為構件形成步驟多會伴隨加熱處理，所以容易產生各種困擾。例如，於玻璃基板16上形成TFT時，若在加熱下將已形成TFT之玻璃基板16冷卻，恐有因玻璃基板16熱收縮而使TFT之位移變得過大之虞。
玻璃基板16係熔融玻璃原料將熔融玻璃成形為板狀而製得。此種成形方法可為一般方法，例如可使用浮製玻板法、熔融法、流孔下引法、福考特法(Fourcault process)、魯伯(Lubbers)法等。又，尤其厚度薄的玻璃基板16可利用再伸延法成形製得，該再伸延法係將暫時成形為板狀之玻璃加熱至可成形溫度後，藉由延伸等手段拉伸薄化。
玻璃基板16之玻璃種類並無特別限定，以無鹼硼矽酸鹽玻璃、硼矽酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃、高矽玻璃、及其他以氧化矽為主要成分之氧化物系玻璃為佳。就氧化物系玻璃來說，以依氧化物換算所得之氧化矽含量為40~90質量%之玻璃為佳。
作為玻璃基板16之玻璃，可採用適合電子組件用構件之種類或其製造步驟之玻璃。例如，從鹼金屬成分之溶出容易對液晶造成影響的觀點來看，液晶面板用玻璃基板便由實質上不含鹼金屬成分之玻璃(無鹼玻璃)構成(惟，通常含有鹼土類金屬成分)。如此一來，玻璃基板16之玻璃便可依照適用之組件種類及其製造步驟來適當選 擇。
從玻璃基板16之薄型化及/或輕量化的觀點來看，玻璃基板16之厚度以0.3mm以下為佳，較佳為0.15mm以下。為0.3mm以下時，可對玻璃基板16賦予良好的可撓性。為0.15mm以下時，可將玻璃基板16捲取成滾筒狀。
又，基於容易製造玻璃基板16及容易處置玻璃基板16等理由，玻璃基板16之厚度宜為0.03mm以上。
而，玻璃基板16亦可由2層以上構成，此時，形成各層之材料可為同種材料亦可為不同材料。又，此時「玻璃基板16之厚度」係表示所有層之合計厚度。
[聚矽氧樹脂層]
聚矽氧樹脂層14可在進行將玻璃基板16與支持基材12分離之操作之前防止玻璃基板16位移，且可防止玻璃基板16等因分離操作而破損。
聚矽氧樹脂層14之與玻璃基板16相接之表面14a係可剝離地密著於玻璃基板16之第1主面16a。聚矽氧樹脂層14係以微弱的結合力結合於玻璃基板16之第1主面16a，其界面剝離強度(y)低於聚矽氧樹脂層14與支持基材12之間的界面剝離強度(x)。
即，分離玻璃基板16與支持基材12時係在玻璃基板16之第1主面16a與聚矽氧樹脂層14之界面剝離，而且在支持基材12與聚矽氧樹脂層14之界面難以剝離。
因此，聚矽氧樹脂層14具有雖與玻璃基板16之第1主面16a密著但可輕易將玻璃基板16剝離的表面特性。即， 聚矽氧樹脂層14對於玻璃基板16之第1主面16a係以某程度之結合力結合以防止玻璃基板16之位移等，同時又以剝離玻璃基板16時可在不破壞玻璃基板16下輕易剝離之程度的結合力結合。
在本發明中，該聚矽氧樹脂層14表面之可輕易剝離的性質稱為剝離性。另一方面，支持基材12之第1主面與聚矽氧樹脂層14係以相對難以剝離的結合力結合。
而，聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16的界面結合力可在玻璃積層體10之玻璃基板16之面(第2主面16b)上形成電子組件用構件的前後作改變(即，剝離強度(x)或剝離強度(y)可作改變)。但，即使是形成電子組件用構件之後，剝離強度(y)仍舊低於剝離強度(x)。
吾等認為聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之層是以微弱的接著力或源自凡得瓦力之結合力來結合。而在形成聚矽氧樹脂層14後欲於其表面積層玻璃基板16時，如果聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂未展現接著力而充分交聯，則認為是以源自凡得瓦力之結合力來結合。
但，聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂具有某種程度的微弱接著力之情況並不少。吾等認為即使是在接著性極低的情況下，在玻璃積層體10製造後欲於其積層體上形成電子組件用構件時，藉由加熱操作等將聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂接著於玻璃基板16面，聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之層之間的結合力就會上升。
視情況，亦可對積層前之聚矽氧樹脂層14表面或積層 前之玻璃基板16之第1主面16a進行減弱兩者間之結合力的處理後再進行積層。藉由對要積層之面進行非接著性處理等然後進行積層，可減弱聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之層的界面結合力，使剝離強度(y)降低。
聚矽氧樹脂層14係以接著力或黏著力等強勁的結合力結合於支持基材12表面。
例如，如上述，藉由使交聯性有機聚矽氧烷在支持基材12表面交聯硬化，可將交聯物之聚矽氧樹脂接著於支持基材12表面以獲得高結合力。又，施行使支持基材12表面與聚矽氧樹脂層14之間產生強勁結合力之處理(例如使用耦合劑之處理)，可提高支持基材12表面與聚矽氧樹脂層14之間的結合力。
聚矽氧樹脂層14與支持基材12之層以高結合力結合即表示兩者之界面剝離強度(x)很高。
聚矽氧樹脂層14之厚度並無特別限定，以2~100μm為佳，3~50μm較佳，且5~20μm更佳。
聚矽氧樹脂層14之厚度若在此範圍內，即使聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之間夾雜有氣泡或異物，依舊可以抑制玻璃基板16之變形缺陷的發生。
又，聚矽氧樹脂層14之厚度一旦過厚，於形成上便需要時間及材料，所以不夠經濟，且有耐熱性下降之情況。 另一方面，聚矽氧樹脂層14之厚度一旦太薄，聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之密著性便有降低之情況。
而，聚矽氧樹脂層14可由2層以上構成。此時，「聚矽 氧樹脂層14之厚度」係表示所有層之合計厚度。
又，聚矽氧樹脂層14由2層以上構成時，形成各層之樹脂可由不同的交聯聚矽氧樹脂構成。
聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂為後述的交聯性有機聚矽氧烷之交聯物。
以下將針對交聯性有機聚矽氧烷及其交聯物之態樣詳細說明。
(交聯性有機聚矽氧烷及其交聯物)
本發明中使用之交聯性有機聚矽氧烷含有式(1)所示之矽氧烷單元(A)且實質上不具烯基及炔基。
在本發明中，交聯性有機聚矽氧烷「實質上不具烯基及炔基」具體來說是表示交聯性有機聚矽氧烷1分子中所含鍵結於矽原子(Si)等之烯基及炔基(例如乙烯基、乙炔基等)的數量在100個以下，且以50個以下為佳，10個以下較佳，0個更佳。
鍵結於矽原子(Si)等之烯基及炔基的數量例如可使用NMR等來測定。
又如後述，本發明中使用之交聯性有機聚矽氧烷可使特定之矽烷化合物聚合來製造。所以，在本發明中，係不使用具有炔基及/或烯基之矽烷化合物來製造出交聯性有機聚矽氧烷，因而可稱該交聯性有機聚矽氧烷「實質上不具烯基及炔基」。
通常，有機聚矽氧烷之基本構成單元係依以甲基或苯基為代表之1價有機基有幾個鍵結於矽原子之情況 來作分類，並由以下所示單元等構成：稱為D單元之鍵結有2個有機基的雙官能性矽氧烷單元，稱為T單元之鍵結有1個有機基的3官能性矽氧烷單元，稱為M單元之鍵結有3個有機基的單官能性矽氧烷單元，稱為Q單元之無有機基鍵結的4官能性矽氧烷單元。
而，Q單元雖為不具鍵結於矽原子之有機基(具有鍵結於矽原子之碳原子的有機基)的單元，但在本發明中仍視為矽氧烷單元。以下式中，R表示以甲基或苯基為代表之1價有機基。
在矽氧烷單元中，矽氧烷鍵為2個矽原子隔著1個氧原子鍵結而成之鍵，所以矽氧烷鍵中每一個矽原子之氧原子視為1/2個，且在式中以O1/2來表現。
更具體來說，例如在1個D單元中，其1個矽原子係與2個氧原子鍵結，各氧原子又與其他單元之矽原子鍵結，藉此其式即為-O1/2-(R)2Si-O1/2-。由於存有2個O1/2，故D單元一般是以(R)2SiO2/2來表現。但，在本發明中，為配合後述矽氧烷單元(A)之表現，乃如以下針對各個氧原子使用O1/2之表現方式，來表現M單元、D單元、T單元、Q單元。
而，聚合物鏈之末端單元為M單元以外之單元時，鍵結於末端單元之O1/2之矽原子以外的原子為相當於1/2個之氧原子，合起來構成1個氧原子，來表現羥基或烷氧基等中之氧原子。若以與下述矽氧烷單元之表現同樣的方式來表現，例如鍵結於末端單元之矽原子的羥基即為-O1/2-H。
[化1]
在本發明之後述矽氧烷單元(A)中，2個矽原子分別與氧原子鍵結，且各氧原子又與單元外之矽原子鍵結，因此在式(1)中係以O1/2表現。由矽氧烷單元(A)為雙官能性的觀點來看，可視為D單元。
以下，在本發明中，將矽氧烷單元(A)視為D單元之1種來說明交聯性有機聚矽氧烷。
式(1)之R1~R4分別獨立表示碳數4以下之烷基或苯基。
碳數4以下之烷基例如可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、二級丁基、異丁基、三級丁基等，其中又以甲基、乙基為佳，甲基較佳。
上述R1~R4，在較可抑制高溫處理條件下之聚矽氧樹脂分解的觀點下，以甲基或苯基為佳。
式(1)中，Ar表示可具有取代基之2價芳香族烴基。而，Ar之2個鍵結位置為構成芳香族環之碳原子之鍵結位置。
2價芳香族烴基中所含碳數並無特別限制，在較可抑制高溫處理條件下之聚矽氧樹脂分解的觀點下，以6~18個為佳，6~12個較佳。
作為2價芳香族烴基之具體例，例如可列舉伸苯基、伸萘基、伸聯苯基、伸聯三苯基等。其中，在可低成本化且聚矽氧樹脂層14之柔軟性佳、聚矽氧樹脂層14對玻璃基板16之密著性及剝離性較優異的觀點下，以伸苯基為佳。
而，欲對聚矽氧樹脂層14賦予較優異的耐熱性時，Ar宜使用多環芳香族烴基。
而，取代基之種類並無特別限制，舉例如鹵素原子、脂肪族烴基、芳香族烴基、烷氧基、芳基烷基、芳氧基、雜環基、胺基、硝基、氰基等。
Ar若具有取代基，聚矽氧樹脂層就容易變柔軟；Ar若不具有取代基，聚矽氧樹脂層的耐熱性則容易提高。
本發明中之交聯性有機聚矽氧烷係僅含有矽氧烷單元(A)作為矽氧烷單元之聚合物或者是含有矽氧烷單元(A)及其他矽氧烷單元之共聚物。
本發明中之交聯性有機聚矽氧烷以線狀聚合物為佳，其他矽氧烷單元則以矽氧烷單元(A)以外之D單元為佳。
交聯性有機聚矽氧烷為線狀聚合物時，交聯性有機聚矽氧烷有僅含矽氧烷單元(A)之聚合物、含有矽氧烷單元 (A)及其他D單元之聚合物、含有矽氧烷單元(A)及M單元之聚合物、以及含有矽氧烷單元(A)與其他D單元及M單元之聚合物。惟，矽氧烷單元(A)、其他D單元、M單元可分別存有2種以上。
又，本發明中之交聯性有機聚矽氧烷亦可為具有少數分枝之非線狀聚合物。此時，除了具有少數造成分枝之T單元或Q單元以外，還具有上述線狀聚合物中之D單元或依情況更具有M單元。
本發明中之交聯性有機聚矽氧烷為交聯性，例如僅由R1~R4全部為甲基且Ar為伸苯基之矽氧烷單元(A)所構成的有機聚矽氧烷為交聯性，可藉由熱或紫外線等使其進行交聯。
就本發明中之交聯性有機聚矽氧烷而言，以僅含有矽氧烷單元(A)作為D單元之聚合物、以及含有矽氧烷單元(A)及其他D單元之聚合物為佳，且以含有矽氧烷單元(A)及其他D單元之聚合物較佳。
含有其他D單元之有機聚矽氧烷之交聯物(聚矽氧樹脂)的柔軟性高於不含其他D單元之有機聚矽氧烷之交聯物(聚矽氧樹脂)，且聚矽氧樹脂層對玻璃基板的密著性良好。
此外，當其他D單元為含有烯基之D單元時，可提升交聯性，且較可抑制高溫處理條件下之交聯物(聚矽氧樹脂)的分解。
矽氧烷單元(A)以外的D單元以式(2)所示之矽氧烷單元(B)為佳。
式(2)中，R5及R6分別獨立表示碳數4以下之烷基或苯基。
碳數4以下之烷基可舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、二級丁基、異丁基、三級丁基等，其中又以甲基、乙基為佳，且甲基較佳。
在較可抑制高溫處理條件下之聚矽氧樹脂分解的觀點下，R5及R6以甲基或苯基為佳。
就矽氧烷單元(B)的較佳態樣而言，可列舉矽氧烷單元(B)為矽氧烷單元(B-1)或矽氧烷單元(B-2)之態樣，該矽氧烷單元(B-1)係R5及R6為苯基，該矽氧烷單元(B-2)則是R5及R6其中一者為碳數4以下之烷基且另一者為苯基。
交聯性有機聚矽氧烷亦可含有上述矽氧烷單元(A)及矽氧烷單元(B)以外的其他矽氧烷單元(例如、M單元、T單元、Q單元)。
但，一旦存在多個具有分枝之單元(T單元或Q單元)，交聯物(聚矽氧樹脂)之柔軟性便有降低之虞，而一旦存有多個M單元，恐成為數量平均分子量低之聚合物而使耐熱性等物性降低。
因此，該等之數量宜少，D單元(矽氧烷單元(A)與矽 氧烷單元(B))以外的單元含量以0~20莫耳%為佳，0~5莫耳%較佳。
交聯性有機聚矽氧烷含有上述矽氧烷單元(A)及上述矽氧烷單元(B)時，相對於矽氧烷單元(A)與矽氧烷單元(B)之合計，矽氧烷單元(A)之比率以10~90莫耳%為佳，30~90莫耳%較佳，40~60莫耳%更佳。
又，相對於交聯性有機聚矽氧烷中之總矽氧烷單元，矽氧烷單元(A)與矽氧烷單元(B)之合計比率以80~100莫耳%為佳，95~100莫耳%較佳。
此外，交聯性有機聚矽氧烷中之矽氧烷單元(A)及矽氧烷單元(B)的鍵結形式並無特別限制，例如可為無規共聚物、嵌段共聚物、交替共聚物中之任一者。其中，在較可抑制高溫處理條件下之聚矽氧樹脂分解的觀點下，以交替共聚物為佳。
在本發明中，矽氧烷單元(A)與矽氧烷單元(B)之交替共聚物係表示矽氧烷單元(A)與矽氧烷單元(B)之鍵結遠多於矽氧烷單元(A)與矽氧烷單元(A)之鍵結及矽氧烷單元(B)與矽氧烷單元(B)之鍵結的合計之共聚物。
這3種鍵結可藉由例如1H NMR測定及29Si NMR測定加以區別，藉由其測定可計算出該等鍵結之相對數的比率。
本發明中之矽氧烷單元(A)與矽氧烷單元(B)之交替共聚物亦可含有少數的無規鍵結部分或嵌段鍵結部分。
相對於上述3種鍵結之合計，交替共聚物中之矽氧烷單元(A)與矽氧烷單元(B)之鍵結比率以80~100莫耳%為佳， 90~100莫耳%較佳，95~100莫耳%更佳。
另外，雖非用以區別是否為交替共聚物，不過當本發明中之交聯性聚矽氧烷為交替共聚物時，相對於其交替共聚物中之矽氧烷單元(A)與矽氧烷單元(B)之合計，矽氧烷單元(A)之比率宜為50±5莫耳%。
本發明中之交替共聚物可為1種聚矽氧樹脂，或可將2種以上聚矽氧樹脂混合調整成矽氧烷單元(A)與矽氧烷單元(B)之鍵結比率為上述適當比率而製得。
交聯性有機聚矽氧烷之數量平均分子量並無特別限制，在處置性佳、成膜性亦佳且較可抑制高溫處理條件下之聚矽氧樹脂分解的觀點下，利用GPC(凝膠滲透層析法)測定所得之以聚苯乙烯換算的數量平均分子量以5,000~100,000為佳，10,000~50,000較佳。
交聯性有機聚矽氧烷之數量平均分子量的調節可藉由控制反應條件來進行。例如，藉由改變末端基量或種類或是單體混合比率，可控制分子量。若增加末端基量，便可製得低分子量物，減少末端基量則可獲得高分子量。又，使單體比率有偏差，可獲得低分子量物，使比率均等可則獲得高分子量物。
交聯性有機聚矽氧烷之製造方法只要含有上述式(1)所示之矽氧烷單元(A)，即無特別限制。例如，藉由縮合反應或水解‧縮合反應使式(3)所示之矽烷化合物進行聚合即可製得。
若是具有矽氧烷單元(B)之交聯性有機聚矽氧烷，更 可使用式(4)所示之矽烷化合物來製造。
還具有其他矽氧烷單元之交聯性有機聚矽氧烷則可使用具有1個以上矽醇基或水解性基之矽烷化合物來製造。
聚合反應通常在惰性溶劑中進行，可在無觸媒下僅以加熱使其進行反應。亦可因應需求使用反應觸媒。
具有矽氧烷單元(A)之交聯性有機聚矽氧烷及其製造方法基本上皆為公知，例如日本特開平9-59387號公報及特開2008-280402號公報中已有記載。本發明中之交聯性有機聚矽氧烷及其製造方法可使用此種公知文獻記載者。
式(3)及式(4)中，R1~R6與式(1)及式(2)中之R1~R6同義。
式(3)中，X、Y分別獨立表示羥基或水解性基(例如胺基、單烷基胺基、二烷基胺基等1~3級胺基；鹵素基；烷氧基等)。
交替共聚物可藉由使反應性相異的2種單體聚合而製得。例如，選擇X與Y的相互反應性高於X彼此之反應性及Y彼此之反應性中任一之物，其中，X係成為矽氧烷 單元(A)之上述式(3)所示矽烷化合物的聚合反應性基，Y係成為矽氧烷單元(B)之上述式(4)所示矽烷化合物的聚合反應性基，藉由使上述2種矽烷化合物實質上等莫耳量下進行反應，可製造交替共聚物。藉由使X與Y之反應性高於X彼此之反應性及Y彼此之反應性中任一，可製得無規鍵結部分或嵌段鍵結部分較少的交替共聚物。
製造交替共聚物時，以X及Y中任一者為羥基且另一者為胺基、單烷基胺基、二烷基胺基等1~3級胺基為佳。尤以其中一者為羥基且另一者為二烷基胺基為佳，且以X為羥基且Y為二烷基胺基較佳。而，單烷基胺基或二烷基胺基中之烷基以碳數4以下之烷基為佳，甲基尤佳。
有機聚矽氧烷之交替共聚物及其製造方法基本上為公知，例如Macromolecules 1998,31,8501或Journal of Applied Polymer Science,Vol.106,1007,2007)中已有記載。本發明中之交替共聚物及其製造方法可使用該等公知文獻中記載者。
就具體的製造方法來說，例如可藉由下述方法等來製造交替共聚物：將上述式(3)所示矽烷化合物(X為羥基者)之有機溶劑溶液與上述式(4)所示矽烷化合物(Y為二甲基胺基者)之有機溶劑溶液以兩矽烷化合物為等莫耳量之比率加以混合並在加熱攪拌下進行反應之方法；及，在加熱攪拌下將其中一有機溶劑溶液分批或連續添加至另一有機溶劑溶液中進行反應之方法。
交聯性有機聚矽氧烷係藉由預定的交聯反應進 行交聯硬化而成為本發明中之聚矽氧樹脂的交聯物。
本發明中之交聯形式可舉如利用加熱處理或紫外線等之交聯，且以利用加熱處理之交聯為佳。
在加熱處理之情況下，由於本發明中使用之交聯性有機聚矽氧烷所含之式(1)中之R1~R4其中任一者為碳數4以下之烷基(以甲基(Me)為代表，以下即以甲基為例進行說明)，因此例如在300℃以上之溫度下切斷一部分的Si-Me鍵，該切斷部分等便生成新的矽氧烷鍵(Si-O-Si)，亦即交聯。
而，以下，使交聯性有機聚矽氧烷交聯硬化而形成交聯物之聚矽氧樹脂的反應僅稱為交聯性有機聚矽氧烷之硬化。
[玻璃積層體及其製造方法]
本發明之玻璃積層體10如上述為一具有支持基材12、玻璃基板16及存在於其等之間之聚矽氧樹脂層14的積層體。
本發明之玻璃積層體10之製造方法並無特別限制，惟為了製得剝離強度(x)高於剝離強度(y)的積層體，以在支持基材12表面上使預定的交聯性有機聚矽氧烷硬化而形成聚矽氧樹脂層14之方法為佳。即，方法如下：於支持基材12表面形成交聯性有機聚矽氧烷之層，並使交聯性有機聚矽氧烷在支持基材12表面上硬化而形成聚矽氧樹脂層14，接著將玻璃基板16積層於聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂面來製造玻璃積層體10。
吾等認為，若使交聯性有機聚矽氧烷在支持基材12表面硬化，藉由硬化反應時與支持基材12表面之相互作用形成接著而提高聚矽氧樹脂與支持基材12表面之剝離強度。因此，即使玻璃基板16與支持基材12由相同材質構成，仍可於聚矽氧樹脂層14與兩者間之剝離強度上設定差異。
以下，將於支持基材12表面形成交聯性有機聚矽氧烷之層並使交聯性有機聚矽氧烷在支持基材12表面上硬化而形成聚矽氧樹脂層14之步驟稱為「樹脂層形成步驟」，將使玻璃基板16積層於聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂面而製成玻璃積層體10之步驟稱為「積層步驟」，並就各步驟程序詳細說明。
(樹脂層形成步驟)
在樹脂層形成步驟，係於支持基材12表面形成交聯性有機聚矽氧烷之層，並使交聯性有機聚矽氧烷在支持基材12表面上硬化而形成聚矽氧樹脂層14。
為了於支持基材12上形成交聯性有機聚矽氧烷之層，宜使用已將交聯性有機聚矽氧烷溶解於溶劑中之塗佈用組成物，將該組成物塗佈於支持基材12上形成溶液之層，接著除去溶劑而製成交聯性有機聚矽氧烷之層。藉由調整組成物中之交聯性有機聚矽氧烷之濃度等，可控制交聯性有機聚矽氧烷之層的厚度。
就溶劑而言，只要是可在作業環境下輕易地使交聯性有機聚矽氧烷溶解且可輕易地揮發除去之溶劑，即無特別限定。具體而言，例如可列舉甲苯、二甲苯、THF、三氯 甲烷等。
將含有交聯性有機聚矽氧烷之組成物塗佈於支持基材12表面上的方法無特別限定，可使用公知方法。舉例如噴塗法、模塗法、旋塗法、浸塗法、輥塗法、棒塗法、網版印刷法、凹版塗佈法等。
接著使支持基材12上之交聯性有機聚矽氧烷硬化而形成聚矽氧樹脂層14。更具體而言係如圖2(A)所示，在該步驟中於支持基材12之至少一面的表面上形成聚矽氧樹脂層14。
硬化方法如上述以利用加熱處理之交聯為佳。即，藉由熱硬化來製造聚矽氧樹脂層14為佳。以下針對熱硬化之態樣詳細說明。
使交聯性有機聚矽氧烷熱硬化之溫度條件以300~475℃為佳，350~450℃較佳。又，加熱時間通常以10~300分為佳，20~120分較佳。
而，交聯性有機聚矽氧烷宜在進行預硬化(precure)後進行硬化(正式硬化)來使其硬化為佳。藉由進行預硬化，可製得耐熱性優異的聚矽氧樹脂層14。
預硬化宜於溶劑除去後緊接著進行，此時未特別區別自層除去溶劑而形成交聯性有機聚矽氧烷之層的步驟與進行預硬化之步驟。
溶劑之除去宜加熱至100℃以上進行，藉由加熱至150℃以上，可緊接著進行預硬化。
溶劑之除去及進行預硬化的溫度及加熱時間以在100 ~420℃下進行5~60分為佳，且以在150~300℃下進行10~30分較佳。若在420℃以下，便容易製得易於剝離的聚矽氧樹脂層。
(積層步驟)
積層步驟係一將玻璃基板16積層於上述樹脂層形成步驟中所製得之聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂面上，而獲得依序具備有支持基材12之層、聚矽氧樹脂層14及玻璃基板16之層的玻璃積層體10之步驟。
更具體而言係如圖2(B)所示，將聚矽氧樹脂層14之與支持基材12側為相反側之表面14a以及具有第1主面16a及第2主面16b之玻璃基板16之第1主面16a作為積層面，將聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16積層而獲得玻璃積層體10。
將玻璃基板16積層於聚矽氧樹脂層14上之方法並無特別限制，可採用公知方法。
舉例如在常壓環境下將玻璃基板16疊放在聚矽氧樹脂層14表面上之方法。另外，亦可因應需求，於將玻璃基板16疊放在聚矽氧樹脂層14表面上以後，使用輥件或壓機將玻璃基板16壓接於聚矽氧樹脂層14上。藉由利用輥件或壓機之壓接比較容易除去混入聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之層之間的氣泡，故為理想。
若藉由真空積層法或真空壓製法進行壓接，可抑制氣泡混入及確保良好的密著，所以較為理想。藉由在真空下進行壓接，即使有微小的氣泡殘存，也不會因為加熱使氣泡成長，因此亦有不易有玻璃基板16之變形缺陷的優 點。
積層玻璃基板16時，宜將要與聚矽氧樹脂層14接觸之玻璃基板16表面充分洗淨，以在清潔度高的環境下進行積層。清潔度愈高，玻璃基板16之平坦性愈佳，故為理想。
將玻璃基板16積層以後，亦可因應需求進行預退火處理(加熱處理)。藉由進行該預退火處理，可提升經積層之玻璃基板16對聚矽氧樹脂層14的密著性，而可形成適當的剝離強度(y)，且在後述構件形成步驟時不易發生電子組件用構件之位移等，可提升電子組件之生產性。
預退火處理條件可因應使用之聚矽氧樹脂層14之種類來適當選擇最佳條件，而從可使玻璃基板16與聚矽氧樹脂層14間的剝離強度(y)更為適當的觀點來看，宜在300℃以上(理想為300~400℃)進行5分鐘以上(理想為5~30分鐘)加熱處理。
要形成在對於玻璃基板16之第1主面的剝離強度及對於支持基材12之第1主面的剝離強度上設有差異之聚矽氧樹脂層14，不限於上述方法。
例如，在使用對聚矽氧樹脂表面之密著性高於玻璃基板16之材質的支持基材12之情況下，可使交聯性有機聚矽氧烷在任一剝離性表面上硬化而製出聚矽氧樹脂之薄膜，並將該薄膜夾於玻璃基板16與支持基材12之間同時進行積層。
又，藉由交聯性有機聚矽氧烷硬化所產生之接著性對 於玻璃基板16充分夠低且該接著性對於支持基材12充分夠高時，可使交聯性有機聚矽氧烷在玻璃基板16與支持基材12之間硬化而形成聚矽氧樹脂層14。
此外，即便是支持基材12以與玻璃基板16相同之玻璃材料構成，也可施行提高支持基材12表面之接著性的處理，來提高對聚矽氧樹脂層14之剝離強度。可舉下述方法等為例：如矽烷耦合劑之類以化學方式提升固定力之化學方法(底漆處理)、如火焰(flame)處理之類使表面活性基增加之物理方法、及如噴砂處理之類使表面粗度增加藉以增加阻力之機械處理方法等。
(玻璃積層體)
本發明之玻璃積層體10可用在各種用途上，舉例如製造後述之顯示裝置用面板、PV、薄膜2次電池、於表面形成有電路之半導體晶圓等之電子零件的用途等。另外，就該用途來說，玻璃積層體10多半會曝露在高溫條件(例如400℃以上)下(例如1小時以上)。
在此，顯示裝置用面板包含LCD、OLED、電子紙、電漿顯示器面板、場發射面板、量子點LED面板、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微機電系統)光柵面板(SHUTTER PANEL)等。
[附構件之玻璃基板及其製造方法]
在本發明中，係使用上述積層體製造含有玻璃基板及電子組件用構件的附構件之玻璃基板(附電子組件用構件之玻璃基板)。
該附構件之玻璃基板的製造方法並無特別限定，惟從電子組件之生產性優異的觀點來看，以下述方法為佳：於上述玻璃積層體中之玻璃基板上形成電子組件用構件來製造附電子組件用構件之積層體，並從製得之附電子組件用構件之積層體中以聚矽氧樹脂層之玻璃基板側界面為剝離面，分離成附構件之玻璃基板及附聚矽氧樹脂層之支持基材。
以下，將於上述玻璃積層體中之玻璃基板上形成電子組件用構件來製造附電子組件用構件之積層體的步驟稱為「構件形成步驟」，並將從附電子組件用構件之積層體中以聚矽氧樹脂層之玻璃基板側界面為剝離面分離成附構件之玻璃基板及附聚矽氧樹脂層之支持基材的步驟稱為「分離步驟」。
以下針對各步驟中使用之材料及程序詳細說明。
(構件形成步驟)
構件形成步驟係於上述積層步驟所製得之玻璃積層體10中的玻璃基板16上形成電子組件用構件的步驟。更具體而言係如圖2(C)所示，於玻璃基板16之第2主面16b(露出表面)上形成電子組件用構件20而獲得附電子組件用構件之積層體22。
首先，針對本步驟中使用之電子組件用構件20詳細說明，然後針對步驟程序詳細說明。
(電子組件用構件(機能性元件))
電子組件用構件20係形成於玻璃積層體10中之玻璃基 板16上且構成電子組件之至少一部分的構件。
更具體來說，作為電子組件用構件20，可列舉用在顯示裝置用面板、太陽電池、薄膜2次電池或表面形成有電路之半導體晶圓等之電子零件等的構件(例如顯示裝置用構件、太陽電池用構件、薄膜2次電池用構件、電子零件用電路)。
例如，作為太陽電池用構件，就矽型來說，可列舉正極之氧化錫等透明電極、以p層/i層/n層表示之矽層、及負極之金屬等，此外還可列舉與化合物型、色素增感型、量子點型等對應之各種構件等。
又，作為薄膜2次電池用構件，就鋰離子型來說，可列舉正極及負極之金屬或金屬氧化物等透明電極、電解質層之鋰化合物、集電層之金屬、及作為密封層之樹脂等，此外可列舉與鎳氫型、聚合物型、陶瓷電解質型等對應之各種構件等。
又，作為電子零件用電路，就CCD或CMOS來說，可列舉導電部之金屬、絕緣部之氧化矽或氮化矽等，此外可列舉與壓力感測器‧加速度感測器等各種感測器或剛性印刷基板、可撓印刷基板、剛性可撓印刷基板等對應之各種構件等。
(步驟程序)
上述附電子組件用構件之積層體22的製造方法並無特別限定，可因應電子組件用構件之構成構件的種類，以習知公知之方法於玻璃積層體10之玻璃基板16的第2主面16b 表面上形成電子組件用構件20。
而，電子組件用構件20可以不是最終形成於玻璃基板16之第2主面16b的構件全部(以下稱為「總構件」)而是總構件的一部分(以下稱為「部分構件」)。亦可將從聚矽氧樹脂層14剝離的附部分構件之玻璃基板在後續步驟中作成附總構件之玻璃基板(相當於後述之電子組件)。
亦可於從聚矽氧樹脂層14剝離的附總構件之玻璃基板其剝離面(第1主面16a)形成其他電子組件用構件。
又，亦可在組裝附總構件之積層體後，從附總構件之積層體剝離附聚矽氧樹脂層之支持基材18來製造電子組件。進而，亦可使用2片附總構件之積層體加以組裝後，從附總構件之積層體將2片附聚矽氧樹脂層之支持基材18剝離，來製造具有2片玻璃基板的附構件之玻璃基板。
例如，若以製造OLED之情況為例，為於玻璃積層體10中玻璃基板16之與聚矽氧樹脂層14側為相反側之表面上(相當於玻璃基板16之第2主面16b)形成有機EL結構體，而進行下述各種層之形成或處理：形成透明電極；進一步於形成有透明電極之面上蒸鍍電洞注入層‧電洞輸送層‧發光層‧電子輸送層等；形成背面電極；及使用密封板加以密封等。該等層之形成或處理具體上例如可列舉成膜處理、蒸鍍處理、密封板之接著處理等。
又，例如在製造TFT-LCD時，具有下述各種步驟：TFT形成步驟，係於玻璃積層體10之玻璃基板16的第2主面16b上使用抗蝕液，於藉由CVD法及濺鍍法等一般成 膜法形成之金屬膜及氧化金屬膜等上形成圖案而形成薄膜電晶體(TFT)；CF形成步驟，係於另一玻璃積層體10之玻璃基板16的第2主面16b上將抗蝕液用以形成圖案而形成濾色器(CF)；及，貼合步驟，係將TFT形成步驟中所製得之附TFT之積層體與CF形成步驟中所製得之附CF之積層體予以積層。
在TFT形成步驟或CF形成步驟中，係使用周知的光刻技術或蝕刻技術等，於玻璃基板16之第2主面16b形成TFT或CF。此時，使用抗蝕液作為圖案形成用塗佈液。
而，形成TFT或CF之前，可因應需求將玻璃基板16之第2主面16b洗淨。就洗淨方法而言，可使用周知的乾式洗淨或濕式洗淨。
在貼合步驟中，係使附TFT之積層體的薄膜電晶體形成面與附CF之積層體的濾色器形成面相對，並使用密封劑(例如單元形成用紫外線硬化型密封劑)進行貼合。然後於以附TFT之積層體及附CF之積層體形成之單元內注入液晶材。注入液晶材之方法例如有減壓注入法及滴下注入法。
(分離步驟)
分離步驟係如圖2(D)所示之步驟：從上述構件形成步驟所製得之附電子組件用構件之積層體22中，以聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面作為剝離面而分離成積層有電子組件用構件20之玻璃基板16(附構件之玻璃基板)及附聚矽氧樹脂層之支持基材18，而獲得含有電子組件用構件20 及玻璃基板16的附構件之玻璃基板24。
在剝離時玻璃基板16上之電子組件用構件20為形成總構成構件所必需之一部分的情況下，亦可於分離後將剩餘的構成構件形成於玻璃基板16上。
將玻璃基板16與附聚矽氧樹脂層之支持基材18剝離之方法並無特別限定。具體而言，例如可將銳利的刀狀物插入玻璃基板16與聚矽氧樹脂層14之界面，賦予剝離之開端後，再噴附水與壓縮空氣之混合流體來進行剝離。
宜以使附電子組件用構件之積層體22的支持基材12為上側且電子組件用構件20側為下側的方式設置於定盤上，並將電子組件用構件20側真空吸附於定盤上(於兩面已積層有支持基材之情況下則依序進行)，在此狀態下首先將刀具插入玻璃基板16與聚矽氧樹脂層14之界面。然後以多個真空吸附墊吸附支持基材12側，從插入刀具之處附近開始依序使真空吸附墊上升。如此一來，便可於聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面或聚矽氧樹脂層14之凝聚破壞面形成空氣層，該空氣層會廣佈到界面或凝聚破壞面整面，而可輕易地將支持基材12剝離。
又，支持基材12可與另一新的玻璃基板積層來製造本發明之玻璃積層體10。
另外，從玻璃積層體10分離附構件之玻璃基板24時，藉由靜電消除器之噴附或控制濕度，較可抑制聚矽氧樹脂層14之屑片靜電吸附於附構件之玻璃基板24。
上述附構件之玻璃基板24的製造方法適於製造 智慧型手機或輸入板型PC等移動終端機所使用的小型顯示裝置。顯示裝置主要為LCD或OLED，就LCD而言，包含TN型、STN型、FE型、TFT型、MIM型、IPS型、VA型等。基本上，無論是被動驅動型、主動驅動型中任一顯示裝置均可適用。
以上述方法製成之附構件之玻璃基板24，可列舉具有玻璃基板及顯示裝置用構件之顯示裝置用面板、具有玻璃基板及太陽電池用構件之太陽電池、具有玻璃基板及薄膜2次電池用構件之薄膜2次電池、以及具有玻璃基板及電子組件用構件之電子零件等。顯示裝置用面板則包含液晶面板、有機EL面板、電漿顯示器面板、場發射面板等。
實施例
以下將以實施例等來具體說明本發明，惟本發明不受該等例限定。
以下，玻璃基板係使用由無鹼硼矽酸鹽玻璃所構成之玻璃板(縱274mm、橫274mm、板厚0.2mm、線膨脹係數38×10-7/℃、旭硝子公司製商品名「AN100」)。
又，支持基材係使用同樣由無鹼硼矽酸鹽玻璃所構成之玻璃板(縱274mm、橫274mm、板厚0.4mm、線膨脹係數38×10-7/℃、旭硝子公司製商品名「AN100」)。
<製造例1：交聯性有機聚矽氧烷(Sx1)之製造>
於氮氣體環境中，將作為構成矽氧烷單元(A)之化合物的1,4-雙(羥二甲基矽基)苯(41.6質量份、Gelest,Inc.製) 及作為構成矽氧烷單元(B)之化合物的雙(二甲基胺基)二苯基矽烷(54質量份、Gelest,Inc.製)加入脫水甲苯(160質量份、關東化學公司製)中。將反應溶液在85℃下攪拌1小時後，再將反應溶液加熱至110℃並攪拌1小時。攪拌結束後，使反應溶液自然冷卻至室溫，並將該反應溶液加入甲醇(1500質量份)中進行再沉澱處理。接著回收沉澱物，藉由進行真空乾燥而獲得無色透明且為液體狀的交聯性有機聚矽氧烷(Sx1)。
製得之交聯性有機聚矽氧烷(Sx1)使用GPC(凝膠滲透層析法)裝置(東曹公司製)所測得之數量平均分子量(以聚苯乙烯換算)為5.0×103。
接下來，藉由1H NMR測定、29Si NMR測定及13C NMR測定來鑑定交聯性有機聚矽氧烷(Sx1)之結構。1H NMR測定及29Si NMR測定中之頻譜分配係參照Journal of Applied Polymer Science,2007,106,1007-1013。
1H NMR、29Si NMR及13C NMR測定裝置：JEOL RESONANCE公司製ECA600
1H NMR測定方法：於試料添加CDCL3並進行調製使試料濃度成為10質量%。基準係使用四甲基矽烷。
29Si NMR測定方法：於試料添加CDCL3並進行調製使試料濃度成為30質量%。又，添加了丙酮乙醯鉻鹽作為緩和試藥，並將其調整成相對於試料為0.1質量%。基準係使用四甲基矽烷。
13C NMR測定：於試料添加CDCL3並進行調製使試料 濃度成為10質量%。基準係使用四甲基矽烷。
從1H NMR測定求出共聚物之組成。將從1H NMR測定所得之頻譜以Journal of Applied Polymer Science,2007,106,1007-1013中記載之方法求出各分配。
從29Si NMR及13C NMR則可獲得鍵結相關的資訊。
將從29Si NMR測定所得之頻譜以Journal of Applied Polymer Science,2007,106,1007-1013中記載之方法求出各分配。
測定結果確認為矽氧烷單元(A)與矽氧烷單元(B)交替配置而成之交替共聚物。又，確認矽氧烷單元(A)與矽氧烷單元(B)之鍵結在交聯性有機聚矽氧烷(Sx1)中為90莫耳%。
又，相對於交聯性有機聚矽氧烷(Sx1)中之總矽氧烷單元的比率，矽氧烷單元(A)為50莫耳%且矽氧烷單元(B)為50莫耳%。
<製造例2：交聯性有機聚矽氧烷(Sx2)之製造>
在氮氣體環境中，將作為構成矽氧烷單元(A)之化合物的1,4-雙(羥二甲基矽基)苯(41.6質量份、Gelest,Inc.製)及作為構成矽氧烷單元(B)之化合物的雙(二甲基胺基)甲基苯基矽烷(41.6質量份、Gelest,Inc.製)加入脫水甲苯(183質量份、關東化學公司製)中。將反應溶液在85℃下攪拌1小時後，再將該反應溶液加熱至110℃並攪拌1小時。攪拌結束後，使反應溶液自然冷卻至室溫後，將反應溶液加入甲 醇(1700質量份)中進行再沉澱處理。接著回收沉澱物，藉由進行真空乾燥而獲得無色透明且為液體狀的交聯性有機聚矽氧烷(Sx2)。
製得之交聯性有機聚矽氧烷(Sx2)使用GPC(凝膠滲透層析法)裝置(東曹公司製)所測得之數量平均分子量(以聚苯乙烯換算)為1.0×104。
接下來以與製造例1同樣的方式鑑定交聯性有機聚矽氧烷(Sx2)之結構，結果確認為矽氧烷單元(A)與矽氧烷單元(B)交替配置而成之交替共聚物。又確認矽氧烷單元(A)與矽氧烷單元(B)之鍵結在交聯性有機聚矽氧烷(Sx2)中為90莫耳%。
而且，相對於交聯性有機聚矽氧烷(Sx2)中之總矽氧烷單元的比率，矽氧烷單元(A)為50莫耳%且矽氧烷單元(B)為50莫耳%。
<實施例1>
(附聚矽氧樹脂層之支持基材之製造)
首先，使製得之交聯性有機聚矽氧烷(Sx1)(30質量份)溶解於二甲苯(70質量份)，製出含有交聯性有機聚矽氧烷(Sx1)之液狀物。
接著將支持基材純水洗淨後，再進行UV洗淨予以清潔淨化。
接下來，於支持基材之第1主面上，以旋塗機塗敷含有交聯性有機聚矽氧烷(Sx1)之液狀物(塗敷量120g/m2)。
再來在350℃下於大氣中加熱硬化60分鐘，於支持基 材之第1主面形成厚度10μm之聚矽氧樹脂層而獲得附聚矽氧樹脂層之支持基材。而，在所得之附聚矽氧樹脂層之支持基材中確認聚矽氧樹脂層無裂痕。
(玻璃積層體S1之製造)
接下來，使附聚矽氧樹脂層之支持基材的聚矽氧樹脂層之剝離性表面與玻璃基板之第1主面相對，在室溫下，於大氣壓下利用積層裝置以兩基板之重心重疊的方式將兩基板疊合而獲得玻璃積層體S1。
另外，製得之玻璃積層體S1相當於上述圖1之玻璃積層體10，且玻璃積層體S1中，支持基材之層與聚矽氧樹脂層之界面剝離強度(x)高於聚矽氧樹脂層與玻璃基板之界面剝離強度(y)。
接下來使用製得之玻璃積層體S1進行以下評估。
(耐熱性評估)
從玻璃積層體S1切出50mm正方形之試樣，將該試樣載置於已加熱至450℃(氮氣體環境下)之熱風烘箱內，放置60分後將之取出。確認取出之試樣內的聚矽氧樹脂層無發泡或著色，由此可評估為業已抑制聚矽氧樹脂層之分解。又，亦無玻璃基板位移之情形。
(剝離性評估)
從玻璃積層體S1切出50mm正方形之試樣，將該試樣載置於已加熱至450℃(氮氣體環境下)之熱風烘箱內，放置60分後將之取出。接著使玻璃積層體S1之玻璃基板的第2主面真空吸附於定盤後，於玻璃積層體S1之1個隅角部的 玻璃基板與聚矽氧樹脂層之界面插入厚度0.1mm之不鏽鋼製刀具，對上述玻璃基板之第1主面與上述聚矽氧樹脂層之剝離性表面之間賦予剝離之開端。然後，將玻璃積層體S1之支持基材的第2主面以多個間隔90mm之真空吸附墊按進行吸附後，使其從靠近上述隅角部之吸附墊開始依序上升，而將玻璃基板之第1主面與聚矽氧樹脂層之剝離性表面予以剝離。
由上述結果確認於高溫加熱處理後，玻璃基板依舊得以剝離(界面剝離)。
另外，聚矽氧樹脂層的主要部位係與支持基材一起從玻璃基板分離，由該結果確認支持基材層與樹脂層之界面剝離強度(x)高於聚矽氧樹脂層與玻璃基板之界面剝離強度(y)。
<實施例2>
使用交聯性有機聚矽氧烷(Sx2)來替代交聯性有機聚矽氧烷(Sx1)，除此以外，依照與實施例1同樣的程序製得附聚矽氧樹脂層之支持基材後，再以同樣方式製得玻璃積層體S2。
而，在製得之附聚矽氧樹脂層之支持基材中，確認聚矽氧樹脂層無裂痕。
又，在製得之玻璃積層體S2中，支持基材層與聚矽氧樹脂層之界面剝離強度(x)高於聚矽氧樹脂層與玻璃基板之界面剝離強度(y)。
(耐熱性評估)
使用製得之玻璃積層體S2，以與實施例1同樣的方式進行耐熱性評估。其結果確認取出之試樣內的聚矽氧樹脂層無發泡或著色，由此可評估為業已抑制聚矽氧樹脂層之分解。又，亦無玻璃基板位移之情形。
(剝離性評估)
使用製得之玻璃積層體S2，以與實施例1同樣的方式進行剝離性評估。其結果確認即使於高溫加熱處理後，玻璃基板依舊得以剝離(界面剝離)。
而，聚矽氧樹脂層之主要部分係與支持基材一起從玻璃基板分離，由該結果確認支持基材層與樹脂層之界面剝離強度(x)高於聚矽氧樹脂層與玻璃基板之界面剝離強度(y)。
<比較例1>
使用不具式(1)所示結構的無溶劑加成反應型剝離紙用聚矽氧(信越矽利光公司製，商品名KNS-320A)100質量份與鉑系觸媒(信越矽利光公司製，商品名CAT-PL-56)2質量份的混合物來替代含有交聯性有機聚矽氧烷(Sx1)之液狀物，除此以外依照與實施例1同樣的程序製得玻璃積層體C1。
另外，上述玻璃積層體C1之態樣相當於專利文獻1中記載之態樣。
(耐熱性評估)
使用製得之玻璃積層體C1，以與實施例1同樣的方式進行耐熱性評估。其結果確認取出之試樣內的聚矽氧樹脂 層有發泡及著色。因此，推測聚矽氧樹脂層已產生分解。
(剝離性評估)
使用製得之玻璃積層體C1，以與實施例1同樣的方式進行剝離性評估。其結果，聚矽氧樹脂層發泡，呈現其一部分附著於玻璃基板之第1主面如同凝聚破壞之狀態而產生剝離。
<實施例3>
本例中，使用實施例1中所得之玻璃積層體S1來製造OLED。
首先，於玻璃積層體S1中之玻璃基板的第2主面上，藉由電漿CVD法依序形成氮化矽、氧化矽、非晶矽之膜。接著，藉由離子摻雜裝置將低濃度之硼注入非晶矽層，在氮氣體環境下，進行450℃且60分鐘之加熱處理進行脫氫處理。接下來藉由雷射退火裝置進行非晶矽層之結晶化處理。再來藉由使用光刻法之蝕刻及離子摻雜裝置，將低濃度之磷注入非晶矽層而形成N型及P型之TFT區域。然後，於玻璃基板之第2主面側藉由電漿CVD法成膜形成一氧化矽膜而形成閘極絕緣膜之後，藉由濺鍍法使鉬成膜，並藉由使用光刻法之蝕刻形成閘極電極。接著藉由光刻法與離子摻雜裝置將高濃度之硼與磷注入至N型及P型各自的期望區域而形成源極區域及汲極區域。然後於玻璃基板之第2主面側，利用電漿CVD法進行氧化矽成膜而形成層間絕緣膜，藉由濺鍍法使鋁成膜，及藉由使用光刻法之蝕刻形成TFT電極。接著在氫氣體環境下進行450℃且60分鐘之加熱 處理進行氫化處理後，利用電漿CVD法進行氮化矽成膜而形成鈍化層。接下來於玻璃基板之第2主面側塗佈紫外線硬化性樹脂，並藉由光刻法形成平坦化層及接觸孔。再藉由濺鍍法使氧化銦錫成膜，並藉由利用光刻法之蝕刻形成像素電極。
接下來，藉由蒸鍍法於玻璃基板之第2主面側依序成膜形成電洞注入層、電洞輸送層、發光層及電子輸送層，該電洞注入層為4,4’,4”-參(3-甲基苯基苯基胺基)三苯基胺，該電洞輸送層為雙[(N-萘基)-N-苯基]聯苯胺，該發光層係於8-喹啉酚鋁錯合物(Alq3)中混合有40體積%之2,6-雙[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]胺基苯乙烯基]萘-1,5-二甲腈(BSN-BCN)者，該電子輸送層為Alq3。接著藉由濺鍍法使鋁成膜，並藉由使用光刻法之蝕刻形成相對電極。接下來於玻璃基板之第2主面側隔著紫外線硬化型接著層貼合另一片玻璃基板進行密封。經由上述程序於玻璃基板上形成有機EL結構體。在玻璃基板上具有有機EL結構體之玻璃積層體S1(以下稱為面板S1)即為本發明之附電子組件用構件之積層體(附支持基材之顯示裝置用面板)。
接下來將面板S1之密封體側真空吸附於定盤以後，將厚度0.1mm之不鏽鋼製刀具插入面板S1隅角部的玻璃基板與聚矽氧樹脂層之界面，對玻璃基板與聚矽氧樹脂層之界面賦予剝離之開端。而且在以真空吸附墊吸附面板S1之支持基材表面後，使吸附墊上升。在此，刀具之插入係在由靜電消除器(基恩斯公司製)對該界面噴附去電性流體時進 行。接下來向著已形成之空隙由靜電消除器持續噴附去電性流體同時將真空吸附墊拉起。其結果，可於定盤上僅留下形成有有機EL結構體之玻璃基板，而將附聚矽氧樹脂層之支持基材剝離。
接著以與實施例1同樣的方法將已分離之玻璃基板的剝離面予以清潔淨化，並使用雷射切刀或劃線裂片(scribe-break)法將已分離之玻璃基板切斷，分割成多數個單元以後，將形成有有機EL結構體之玻璃基板與對向基板組裝並實施模組形成步驟來製作OLED。以此方法製得之OLED在特性上不會產生問題。
<實施例4>
本例中，係使用實施例1中所得之玻璃積層體S1來製造LCD。
首先準備2片玻璃積層體S1，於其中一玻璃積層體S1(以下亦稱「玻璃積層體S1-1」)中之玻璃基板的第2主面上藉由電漿CVD法依序形成氮化矽、氧化矽、非晶矽之膜。接著，藉由離子摻雜裝置將低濃度之硼注入非晶矽層，在氮氣體環境下進行450℃且60分鐘之加熱處理，並進行脫氫處理。再來藉由雷射退火裝置進行非晶矽層之結晶化處理。接下來藉由使用光刻法之蝕刻及離子摻雜裝置，將低濃度之磷注入非晶矽層，形成N型及P型之TFT區域。然後於玻璃基板之第2主面側藉由電漿CVD法形成氧化矽膜而形成閘極絕緣膜後，藉由濺鍍法形成鉬膜，並藉由使用光刻法之蝕刻形成閘極電極。接下來藉由光刻法及 離子摻雜裝置，將高濃度之硼及磷注入N型、P型各自的期望區域而形成源極區域及汲極區域。接著於玻璃基板之第2主面側利用電漿CVD法進行氧化矽成膜來形成層間絕緣膜，藉由濺鍍法使鋁成膜，及藉由使用光刻法之蝕刻形成TFT電極。再來在氫氣體環境下進行450℃且60分鐘之加熱處理並進行氫化處理以後，利用電漿CVD法進行氮化矽成膜而形成鈍化層。接下來於玻璃基板之第2主面側塗佈紫外線硬化性樹脂，藉由光刻法形成平坦化層及接觸孔。然後藉由濺鍍法形成氧化銦錫膜，並藉由使用光刻法之蝕刻形成像素電極。
接下來，將另一玻璃積層體S1(以下亦稱「玻璃積層體S1-2」)在大氣氣體環境下進行450℃且60分鐘之加熱處理。接著，於玻璃積層體S1中之玻璃基板之第2主面上藉由濺鍍法形成鉻膜，並藉由使用光刻法之蝕刻形成遮光層。然後於玻璃基板之第2主面側藉由模塗法塗佈防染劑，並藉由光刻法及熱硬化形成濾色器層。再藉由濺鍍法形成氧化銦錫膜，以形成相對電極。之後於玻璃基板之第2主面側藉由模塗法塗佈紫外線硬化樹脂液，並藉由光刻法及熱硬化形成柱狀隔件。再以輥塗法塗佈聚醯亞胺樹脂液，並藉由熱硬化形成定向層，進行摩擦。
接著藉由分注法將密封用樹脂液描繪成框狀並於框內以分注法滴下液晶後，使用上述形成有像素電極之玻璃積層體S1-1將2片玻璃積層體S1之玻璃基板的第2主面側彼此貼合，藉由紫外線硬化及熱硬化而獲得LCD面板。
接下來，將玻璃積層體S1-1之第2主面真空吸附於定盤，對玻璃積層體S1-2隅角部的玻璃基板與聚矽氧樹脂層之界面插入厚度0.1mm之不鏽鋼製刀具，賦予玻璃基板之第1主面與聚矽氧樹脂層之剝離性表面的剝離開端。在此，刀具之插入係在由靜電消除器(基恩斯公司製)對該界面噴附去電性流體時進行。接著，向著已形成之空隙由靜電消除器持續噴附去電性流體同時將真空吸附墊拉起。並且，在以真空吸附墊吸附玻璃積層體S1-2之支持基材的第2主面後使吸附墊上升。其結果，可使定盤上僅留下附有玻璃積層體S1-1之支持基材的LCD空單元，而將附聚矽氧樹脂層之支持基材剝離。
接著，使於第1主面形成有濾色器之玻璃基板之第2主面真空吸附於定盤，並對玻璃積層體S1-1隅角部的玻璃基板與聚矽氧樹脂層之界面插入厚度0.1mm之不鏽鋼製刀具，賦予玻璃基板之第1主面與聚矽氧樹脂層之剝離性表面的剝離開端。並且在以真空吸附墊吸附玻璃積層體S1-1之支持基材之第2主面後使吸附墊上升。其結果，可於定盤上僅留下LCD單元而將固定有聚矽氧樹脂層之支持基材剝離。如此一來，即可獲得以厚度0.1mm之玻璃基板構成的多個LCD單元。
接下來，藉由切斷步驟分割成多個LCD單元。實施將偏光板貼附於完成之各LCD單元的步驟，接著實施模組形成步驟而獲得LCD。以此方式製得之LCD於特性上不會產生問題。
<實施例5>
本例中係使用實施例1中所得之玻璃積層體S1來製造OLED。
首先，於玻璃積層體S1中之玻璃基板之第2主面上藉由濺鍍法形成鉬膜，並藉由使用光刻法之蝕刻形成閘極電極。接著藉由電漿CVD法，於玻璃基板之第2主面側進一步形成氮化矽膜以形成閘極絕緣膜，接著藉由濺鍍法形成氧化銦鎵鋅膜，並藉由使用光刻法之蝕刻形成氧化物半導體層。接下來藉由電漿CVD法於玻璃基板之第2主面側進一步形成氮化矽膜以形成通道保護層，接下來藉由濺鍍法形成鉬膜，並藉由使用光刻法之蝕刻形成源極電極及汲極電極。然後在大氣中，在450℃下進行60分鐘加熱處理。接著於玻璃基板之第2主面側進一步藉由電漿CVD法形成氮化矽膜以形成鈍化層，接著藉由濺鍍法形成氧化銦錫膜，並藉由使用光刻法之蝕刻形成像素電極。
接下來藉由蒸鍍法於玻璃基板之第2主面側依序成膜形成電洞注入層、電洞輸送層、發光層及電子輸送層，該電洞注入層為4,4’,4”-參(3-甲基苯基苯基胺基)三苯基胺，該電洞輸送層為雙[(N-萘基)-N-苯基]聯苯胺，該發光層係於8-喹啉酚鋁錯合物(Alq3)中混合有40體積%之2,6-雙[4-[N-(4-甲氧苯基)-N-苯基]胺基苯乙烯基]萘-1,5-二甲腈(BSN-BCN)者，該電子輸送層為Alq3。再以濺鍍法形成鋁膜，並藉由使用光刻法之蝕刻形成相對電極。然後於玻璃基板之第2主面側隔著紫外線硬化型接著層貼合另一片玻 璃基板進行密封。藉由上述程序，於玻璃基板上形成有機EL結構體。玻璃基板上具有有機EL結構體之玻璃積層體S1(以下稱為面板S1)為本發明之附電子組件用構件之積層體(附支持基材之顯示裝置用面板)。
接著在已將面板S1之密封體側真空吸附於定盤後，對面板S1隅角部的玻璃基板與聚矽氧樹脂層之界面插入厚度0.1mm之不鏽鋼製刀具，對玻璃基板與聚矽氧樹脂層之界面賦予剝離之開端。並且，在已以真空吸附墊吸附面板S1之支持基材表面後，使吸附墊上升。在此，刀具之插入係在由靜電消除器(基恩斯公司製)對該界面噴附去電性流體時進行。接下來向著已形成之空隙由靜電消除器持續噴附去電性流體同時將真空吸附墊拉起。其結果，可於定盤上僅留下形成有有機EL結構體之玻璃基板，而剝離附聚矽氧樹脂層之支持基材。
接下來，將以與實施例1同樣方法分離後之玻璃基板的剝離面加以清潔淨化，並使用雷射切刀或劃線裂片法將已分離之玻璃基板切斷而分割成多個單元後，將形成有有機EL結構體之玻璃基板與對向基板組裝並實施模組形成步驟來製作OLED。以此方式製得之OLED於特性上不會產生問題。
如實施例1及2所示，本發明之積層體因為交聯性有機聚矽氧烷實質上不具烯基及炔基，所以即使進行高熱加熱處理，仍可抑制釋氣發生，且無玻璃基板之位移，剝離性良好。
產業上之可利用性
本發明之玻璃積層體可廣泛地使用在例如LCD、OLED、電子紙、電漿顯示器面板、場發射面板、量子點LED面板、MEMS、光柵面板等顯示裝置用面板、PV、薄膜2次電池、表面形成有電路之半導體晶圓等之電子零件的領域中。
另外，在此引用已於2014年3月26日提出申請之日本專利申請案2014-064419號之說明書、申請專利範圍、圖式及摘要之全部內容，並納入作為本發明說明書之揭示。
10‧‧‧玻璃積層體
12‧‧‧支持基材
14‧‧‧聚矽氧樹脂層
14a‧‧‧表面
16‧‧‧玻璃基板
16a‧‧‧玻璃基板之第1主面
16b‧‧‧玻璃基板之第2主面
18‧‧‧附聚矽氧樹脂層之支持基材

Claims (8)

  1. 一種玻璃積層體，係依序具備有支持基材層、聚矽氧樹脂層及玻璃基板層，且前述支持基材層與前述聚矽氧樹脂層的界面剝離強度高於前述玻璃基板層與前述聚矽氧樹脂層的界面剝離強度；前述聚矽氧樹脂層之聚矽氧樹脂為交聯性有機聚矽氧烷之交聯物，前述交聯性有機聚矽氧烷含有式(1)所示之矽氧烷單元(A)且實質上不具烯基及炔基； (式(1)中，R1~R4分別獨立表示碳數4以下之烷基或苯基；惟，R1~R4中之任一者表示碳數4以下之烷基；Ar表示可具有取代基之2價芳香族烴基)。
  2. 如請求項1之玻璃積層體，其中前述矽氧烷單元(A)中之R1~R4分別獨立為碳數4以下之烷基。
  3. 如請求項1或2之玻璃積層體，其中前述交聯性有機聚矽氧烷更含有式(2)所示之矽氧烷單元(B)；[化2] (式(2)中，R5及R6分別獨立表示碳數4以下之烷基或苯基)。
  4. 如請求項3之玻璃積層體，其中前述交聯性有機聚矽氧烷之中，相對於前述矽氧烷單元(A)與前述矽氧烷單元(B)之合計，前述矽氧烷單元(A)之比率為30~90莫耳%，且相對於總矽氧烷單元，前述矽氧烷單元(A)與前述矽氧烷單元(B)之合計比率為80~100莫耳%。
  5. 如請求項3或4之玻璃積層體，其中前述矽氧烷單元(B)係R5及R6為苯基之矽氧烷單元(B-1)或者是R5及R6中之任一者為碳數4以下之烷基且另一者為苯基之矽氧烷單元(B-2)。
  6. 如請求項1至5中任一項之玻璃積層體，其中前述矽氧烷單元(A)中之Ar為伸苯基、伸萘基、伸聯苯基或伸聯三苯基。
  7. 如請求項1至6中任一項之玻璃積層體，其前述交聯性有機聚矽氧烷在其1分子中所含鍵結於矽原子的烯基及炔基之合計數在100個以下。
  8. 如請求項1至7中任一項之玻璃積層體，其中前述交聯性有機聚矽氧烷利用GPC測定所得之以聚苯乙烯換算的數量平均分子量為5000~100000。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017518954A (ja) 2014-04-09 2017-07-13 コーニング インコーポレイテッド デバイスで改質された基体物品、およびそれを製造する方法
EP3297824A1 (en) 2015-05-19 2018-03-28 Corning Incorporated Articles and methods for bonding sheets with carriers
KR102524620B1 (ko) 2015-06-26 2023-04-21 코닝 인코포레이티드 시트 및 캐리어를 포함하는 방법들 및 물품들
TWI892429B (zh) * 2016-08-30 2025-08-01 美商康寧公司 用於片材接合的矽氧烷電漿聚合物
TWI821867B (zh) 2016-08-31 2023-11-11 美商康寧公司 具以可控制式黏結的薄片之製品及製作其之方法
WO2019036710A1 (en) 2017-08-18 2019-02-21 Corning Incorporated TEMPORARY BINDING USING POLYCATIONIC POLYMERS
CN111615567B (zh) 2017-12-15 2023-04-14 康宁股份有限公司 用于处理基板的方法和用于制备包括粘合片材的制品的方法
KR102252182B1 (ko) * 2018-01-10 2021-05-14 주식회사 엘지화학 곡면 접합 유리의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 곡면 접합 유리

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5346980A (en) * 1992-04-14 1994-09-13 Minnesota Mining And Manufacturing Company Crosslinkable silarylene-siloxane copolymers
KR101285442B1 (ko) * 2005-08-09 2013-07-12 아사히 가라스 가부시키가이샤 박판 유리 적층체 및 박판 유리 적층체를 이용한 표시장치의 제조 방법
JP2008280402A (ja) * 2007-05-09 2008-11-20 Univ Nihon ポリ（シルアリーレンシロキサン）誘導体及びその共重合体並びにシリコーンゴム
JP2015231668A (ja) * 2012-09-27 2015-12-24 旭硝子株式会社 ガラス積層体およびその製造方法、並びに、シリコーン樹脂層付き支持基材およびその製造方法

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