TW201546901A - 電漿處理裝置、薄膜電晶體之製造方法及記憶媒體 - Google Patents

Abstract

提供一種可在薄膜電晶體之製造工程中，一邊抑制侵蝕之發生，一邊將包含有鋁之電極圖案化的電漿處理裝置。 電漿處理裝置(2)，係對形成有薄膜電晶體(4a、4b)的基板(F)執行電漿處理，進行前述電漿處理的處理容器(21)，係具備載置有基板(F)的載置台(231)。真空排氣部(214)，係進行處理容器(21)內之真空排氣，且從氫氣供給部(262)供給作為電漿產生用氣體的氫氣。電漿產生部(24)，係將前述電漿產生用氣體電漿化，在包含有鋁之金屬膜的上層側，形成有已被圖案化之光阻膜，且藉由包含有氯的蝕刻氣體，來進行前述金屬膜被蝕刻處理之基板的處理。

Description

電漿處理裝置、薄膜電晶體之製造方法及記憶媒體

本發明，係關於對形成於基板上之成為薄膜電晶體之電極的金屬膜進行電漿處理的技術。

在液晶顯示裝置(LCD：Liquid Crystal Display)等之FPD(Flat Panel Display)所使用的例如薄膜電晶體(TFT：Thin Film Transistor)，係藉由一邊在玻璃基板等的基板上將閘極電極或閘極絕緣膜、半導體層等圖案化，一邊依序進行層疊的方式而形成。

在該TFT中，當使用鋁或包含有鋁之合金的金屬膜作為連接於半導體層之源極電極或汲極電極的材料時，係存在有如下情形：藉由包含有氯之蝕刻氣體(稱為「氯系蝕刻氣體」)，將該些電極或配線(有時將該些總稱為電極)圖案化。然而，在使用氯系蝕刻氣體來進行圖案化的電極或圖案化時所使用的光阻劑中，係殘存有氯，在向下個工程搬送基板的過程中，大氣中的水分與氯會產生反應，而有引起電極之侵蝕(腐蝕)之虞。

在此，在引用文獻1中，係記載有如下技 術：使用氯系蝕刻氣體，在半導體基板上將半導體裝置之鋁配線圖案化之後，使用包含有水分之氧氣電漿來對光阻圖案進行灰化，藉由此，使光阻圖案與附著於鋁配線之表面的氯一起成為氣體狀的鹽酸(HCl)而去除。

另外，在引用文獻1中，雖記載有可利用「藉由包含有氫(H)或1氧化1氫(OH)之氧氣的電漿，對光阻圖案進行灰化去除的工程」，來去除附著於光阻圖案之氯的要點，但說明書中僅記載添加了水分之氧氣電漿的例子。

又，在引用文獻2中，係記載有如下技術：在通道蝕刻型之TFT製造工程中，在藉由濕蝕刻形成源極/汲極之電極，接下來，藉由氯系蝕刻氣體進行雜質半導體層的乾蝕刻之後，以水電漿來處理露出之非晶矽(a-Si)的表面，藉由此，形成穩定的絕緣層，並且去除光阻劑。又，亦記載有可藉由曝露於水電漿的方式，來去除成為侵蝕之發生原因之氯的要點。

〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕

〔專利文獻1〕日本特開平6-333924號公報：申請專利範圍第1項、第0002~0004、0027段

〔專利文獻2〕日本特開2009-283919號公報：申請專利範圍第4項、第0062~0064、0075段

依據該些記載於引用文獻1、2的技術，藉由利用電漿之灰化處理而進行光阻圖案的去除，係有無法完全將光阻劑去除乾淨而殘留有殘留物之情形。因此，有採用像這樣之去除光阻劑的情形，其係出現殘留物的問題少且使用可於更短時間內來去除光阻劑的剝離液，在該情形下，係無法利用灰化機會，來進行氯去除。

又，在將水分添加於氧氣電漿或使用水電漿的手法中，係難以充分供給去除氯的活性成分，且就抑制侵蝕方面，有無法充分去除氯之虞。

本發明，係有鑑於像這樣之情事而進行研究者，其目的，係提供一種可在薄膜電晶體之製造工程中，一邊抑制侵蝕之發生，一邊將包含有鋁之電極圖案化的電漿處理裝置、薄膜電晶體之製造方法及記憶該方法的記憶媒體。

本發明之電漿處理裝置，係對形成有薄膜電晶體之基板執行電漿處理，其特徵係，具備有：處理容器，具備有載置有基板之載置台，對前述基板進行電漿處理；真空排氣部，對前述處理容器內進行真空排氣；氫氣供給部，對前述處理容器內供給作為電漿產生用氣體的氫氣；及 電漿產生部，用於將供給至前述處理容器內的電漿產生用氣體電漿化，前述基板，係在包含有鋁之金屬膜的上層側，形成有已被圖案化之光阻膜，且藉由包含有氯之蝕刻氣體，對前述金屬膜進行蝕刻處理。

前述電漿處理裝置，係亦可具備有以下特徵。

(a)具備有：氧氣供給部，其係用於將氧氣添加於前述電漿產生用氣體。

(b)前述電漿處理，係在0.667Pa以上、13.3Pa以下的壓力範圍下進行。又，前述載置台，係具備有：溫度調節部，其係在執行電漿處理中，將前述基板溫度調節為25℃以上、250℃以下的溫度範圍。

(c)具備有：蝕刻氣體供給部，其係為了在前述電漿處理之前，於前述處理容器內進行前述金屬膜之蝕刻處理，而對該處理容器內供給包含有氯的蝕刻氣體，且藉由前述電漿產生部來將從該蝕刻氣體供給部供給的蝕刻氣體電漿化，從而進行前述金屬膜之蝕刻處理。此時，前述蝕刻處理，係在0.667Pa以上、13.3Pa以下的壓力範圍下進行。又，前述載置台，係具備有：溫度調節部，其係在執行蝕刻處理中，將前述基板溫度調節為25℃以上、120℃以下的溫度範圍。

(d)前述電漿產生部，係具備有：天線部，其係用於使感應耦合型電漿產生。

本發明，係對包含有使用氯系蝕刻氣體而被蝕刻處理之鋁的金屬膜，使用氫氣之電漿來進行處理，因此，在蝕刻處理時，可去除附著於金屬膜或光阻劑之氯，從而抑制侵蝕之發生。

F‧‧‧基板

1‧‧‧處理系統

2、2a~2d‧‧‧電漿處理裝置

21‧‧‧本體容器

214‧‧‧真空排氣機構

23‧‧‧處理室

231‧‧‧載置台

233‧‧‧加熱器

236‧‧‧直流電源

24‧‧‧天線部

25‧‧‧噴頭

261‧‧‧蝕刻氣體供給部

262‧‧‧氫氣供給部

263‧‧‧氧氣供給部

3‧‧‧控制部

4a、4b‧‧‧TFT

41‧‧‧玻璃基板

42‧‧‧閘極電極

43‧‧‧閘極絕緣膜

44‧‧‧半導體層

45‧‧‧電極

45a‧‧‧源極電極

45b‧‧‧汲極電極

46‧‧‧光阻膜

47‧‧‧層間絕緣膜

〔圖1〕表示應用發明之實施形態之加工處理(電漿處理)之TFT之一例的縱剖側視圖。

〔圖2〕表示應用前述加工處理之TFT之其他例子的縱剖側視圖。

〔圖3〕表示對源極/汲極電極進行配線之工程之一例的工程圖。

〔圖4〕進行前述電極之蝕刻處理及加工處理之處理系統的平面圖。

〔圖5〕設置於前述處理系統之電漿處理裝置的縱剖側視圖。

〔圖6〕表示由前述電漿處理裝置所執行之處理之流程的流程圖。

〔圖7〕表示蝕刻處理後之電極附近之樣態的示意圖。

〔圖8〕表示加工處理後之電極附近之樣態的示意 圖。

〔圖9〕表示進行前述電極之蝕刻處理及加工處理之處理系統之其他構成例的平面圖。

參閱圖1~圖2，說明應用本發明之實施形態之電漿處理之基板F的構成例。圖1、圖2，係表示形成於作為基板F之玻璃基板41之表面之TFT4a、4b的放大縱剖面。

圖1，係通道蝕刻型之下閘極型構造的TFT4a。TFT4a，係在玻璃基板41上形成有閘極電極42，且在其上設置有由SiN膜等所構成的閘極絕緣膜43，更在其上層層疊有表面為n+摻雜的a-Si或氧化物半導體的半導體層44。接下來，在半導體層44之上層側形成金屬膜，對該金屬膜進行蝕刻，從而形成有源極電極45a、汲極電極45b。

在形成了源極電極45a、汲極電極45b之後，TFT4a，係藉由對n+摻雜之半導體層44表面進行蝕刻的方式，形成通道部，接下來，為了保護表面，而形成有由例如SiN膜所構成的鈍化膜(未圖示)。而且，經由形成於鈍化膜之表面的接觸孔，源極電極45a或汲極電極45b，係連接於ITO(Indium Tin Oxide)等之未圖示的透明電極，該透明電極，係連接於驅動電路或驅動電極，來製造FPD。

又，圖2，係上閘極型構造的TFT4b。TFT4b，係在玻璃基板41上設置有LTPS(Low Temperature Poly-silicon)的半導體層44，且在其上層側，經由閘極絕緣膜43設置有閘極電極42之後，形成有由SiN膜等所構成的層間絕緣膜47。在該層間絕緣膜47先形成接觸孔再形成金屬膜，且進行蝕刻處理而形成源極電極45a、汲極電極45b。

關於之後的鈍化膜之成膜或之後的透明電極之形成(皆未圖示)，係由於與TFT4a的情形相同，故省略說明。

以上在對概略構成進行了說明的TFT4a、4b中，用於形成源極電極45a、汲極電極45b的金屬膜，係例如使用從下層側依序層疊鈦膜、鋁膜、鈦膜而成之Ti/Al/Ti構造的金屬膜。如圖1、圖2所示，在該金屬膜的表面，係藉由光阻膜46被圖案化，使用氯氣(Cl₂)或酸氯化硼(BCl₃)、四氯化碳(CCl₄)等之氯系蝕刻氣體來進行蝕刻處理的方式，形成有源極電極45a、汲極電極45b。

如此一來，當使用氯系蝕刻氣體來將電極45(源極電極45a、汲極電極45b)圖案化時，則如圖7所示，在光阻膜46附著有氯。又，在作為被蝕刻之金屬膜的電極45中，亦附著有氯或作為氯與鋁之化合物的氯化鋁。如此一來，當為了之後的光阻膜46之剝離，而大氣搬送附著有氯之狀態的TFT4a、4b時，則附著於光阻膜 46或電極45之氯與大氣中的水分會產生反應而生成鹽酸，從而成為引起電極45之侵蝕的要因。

因此，以往，係必須在進行光阻膜46之剝離前，進行對形成有TFT4a、4b之基板F進行水洗的水洗處理。又，作為抑制侵蝕之發生的乾式處理，亦可嘗試下述手法：將氧氣或於氧氣中添加了四氟化碳(CF₄)的氣體電漿化，而去除氯。然而，單獨為氧氣時，係抑制侵蝕的效果小，另一方面，在添加四氟化碳時，隨著氧化鋁(AlO)或氟化鋁(AlF)之生成所產生的揚塵問題變大，皆為實用上之課題。

因此，在本發明之實施形態中，係進行如下之電漿處理(以下，稱為「加工處理」)：對於使用氯系蝕刻氣體來蝕刻處理金屬膜，而形成電極45後的基板F，使用已電漿化的氫氣來去除氯。

以下，參閱圖4、圖5，說明關於執行該加工處理及其前段之蝕刻處理的處理系統1、設置於該處理系統1之電漿處理裝置2的構成。

在說明處理系統1之具體構成之前，參閱圖3，事先說明關於形成電極45之工程的概要。

如圖1、圖2所示，在形成有電極45之下層側之層疊體的基板F表面，藉由例如濺鍍來依序層疊鈦膜-鋁膜-鈦膜而形成金屬膜(P1)。接下來，對金屬膜之表面塗佈光阻液，而形成光阻膜(P2)。在將該光阻膜圖案化之後(P3)，使用氯系蝕刻氣體來對金屬膜進行蝕刻處理 (P4)。然後，進行使用了氫氣的加工處理，去除附著於電極45或光阻膜46之表面的氯(P5)，接下來，對基板F之表面供給光阻剝離液而去除光阻膜46(P6)。

在以上所說明之電極45的形成工程中，在以下說明的處理系統1中，係執行圖3中以虛線包圍所示之金屬膜的蝕刻處理(P4)及由氫氣進行之加工處理(P5)。

如圖4之平面圖所示，處理系統1，係構成為對基板F執行已述之蝕刻處理及加工處理的多腔室型真空處理系統。

處理系統1，係具備有：載體C1、C2，被載置於未圖示的載體載置部上，且收容有多數個基板F；及第1搬送機構11，在與可於常壓環境與真空環境之間切換內部之壓力環境的裝載鎖定室12之間，進行基板F之收授。裝載鎖定室12，係例如層疊為2段，在各裝載鎖定室12內，係設置有保持基板F的齒條122或進行基板F之位置調節的定位器121。

在裝載鎖定室12之後段，係設置有第2搬送機構14，且連接有例如平面形狀為四方形的真空搬送室13。在該真空搬送室13中，除了連接有裝載鎖定室12的側壁面外，其他3個側壁面，係各別連接有本實施形態的電漿處理裝置2a~2c。

又，在第1搬送機構11側裝載鎖定室12的開口部、裝載鎖定室12與真空搬送室13之間、真空搬送 室13與各電漿處理裝置2a~2c之間，係各別介設有閘閥G1~G3，該閘閥，係構成為氣密地密封裝載鎖定室12或真空搬送室13，且可進行開關。

電漿處理裝置2a~2c，係在內部對基板F執行蝕刻處理或之後的加工處理。

該電漿處理裝置，係具備有本體容器21，該本體容器，係由導電性材料例如內壁面被陽極氧化處理的鋁所構成且形成為角筒形狀，氣密且電性接地。本體容器21，係構成為例如橫剖平面圖的一邊為2.9m、另一邊為3.1m左右的大小，可處理例如一邊為2200mm、另一邊為2500mm左右之大小的矩形基板F。

本體容器21的內部空間，係藉由介電質壁2上下區隔，其上方側，係形成為配置有用以使感應耦合電漿(ICP(Induced Coupled Plasma))產生之天線部24的天線室241，下方側，係形成為進行基板F之處理的處理室23(處理容器之內部空間)。介電質壁22，係由氧化鋁(Al₂O₃)等的陶瓷或石英等所構成。

在介電質壁22的下面側，係嵌入有用以對處理室23供給蝕刻氣體或加工處理用氣體(將該些總稱為「處理氣體」)的噴頭25。噴頭25，係由作為導電性材料的金屬，例如表面被陽極氧化處理的鋁所構成，且經由未圖示的接地線來電性接地。

在噴頭25的下面，係設置有用於朝向處理室23，將處理氣體吐出至下方側的多數個氣體吐出孔251。 另一方面，在嵌入有該噴頭25之介電質壁22的中央部，係以連通於噴頭25內之空間的方式，連接有氣體供給管26。氣體供給管26，係貫通本體容器21之頂部而向外側延伸，在其中途分歧，並各別連接於蝕刻氣體供給部261、氫氣供給部262、氧氣供給部263。

蝕刻氣體供給部261，係進行金屬膜之蝕刻處理所使用之氯系蝕刻氣體的供給。氫氣供給部262，係為了對蝕刻處理後的基板F進行加工處理，而進行作為電漿產生用氣體之氫氣的供給。氧氣供給部263，係在前述加工處理時，進行添加於電漿產生用氣體之氧氣的供給。各氣體供給部261~263，係具備有各種處理氣體之供給源或流量調節部等。從該些氣體供給部261~263所供給的處理氣體，係在經由氣體供給管26被供給至噴頭25之後，在噴頭25的空間內擴散，而通過各氣體吐出孔251供給至處理室23內。

在介電質壁22之上方側的天線室241內，係配置有天線部24。天線部24，係藉由天線線(該天線線，係由例如銅等所構成)所構成，並在處理室23內形成均一的感應電場，因此，被配置有複數個與基板F(該基板，係水平地配置於該處理室23)相對向的區域(作為天線部24之配置手法的一例，係參閱日本特開2013-162035)。

天線部24，係經由供電部271或匹配器272被連接於高頻電源273，且從高頻電源273供給例如頻率 為13.56MHz的高頻電力。藉此，在處理室23內生成感應電場，藉由該感應電場，從噴頭25所供給的處理氣體會被電漿化。天線部24、供電部271或高頻電源273等，係相當於本實施形態之電漿產生部。

在處理室23內，係以隔著介電質壁22而與天線部24相對向的方式，設置有基板F之載置台231。載置台231，係由導電性材料，例如表面被陽極氧化處理的鋁所構成。在載置台231，係經由匹配器237，連接有用以將電漿中之離子吸入至基板F之施加偏壓電力的高頻電源238。該高頻電源238，係可對載置台施加例如頻率為6MHz的高頻電力。又，在載置台231，係設置有藉由例如電阻發熱體所構成且連接於直流電源236的加熱器233，可根據未圖示之溫度檢測部的溫度檢測結果，來加熱載置台231上的基板F。而且，在載置台231，係形成有使冷媒流通之未圖示的冷媒流路，且亦可抑制基板F之過度的溫度上升。

又，在成為真空環境的處理室23內，由於利用上述加熱器233或冷媒流路進行基板F的溫度調節，因此，在載置台231之基板F的背面，係經由未圖示的氣體流路，供給有作為熱傳達用氣體的氦氣。

而且，載置於載置台231的基板F，係藉由未圖示的靜電夾盤予以吸附保持。

載置台231，係被收納於絕緣體製的蓋體232內，而且被支撐於中空的支柱235。支柱235，係貫通本 體容器21之底面，其下端部，係連接於未圖示的升降機構，可使載置台231向上下方向移動。在收納載置台231之蓋體232與本體容器21的底部之間，係配設有波紋管234，該波紋管，係用於包圍支柱235，並維持本體容器21的氣密狀態。又，在處理室23的側壁，係設置有用於搬入搬出基板F的搬入搬出口211及對其進行開關的閘閥212(圖4之閘閥G3)。

在處理室23之底部，係經由排氣管213，連接有真空泵等的真空排氣機構214。藉由該真空排氣機構214，可對處理室23內進行排氣，且在蝕刻處理或加工處理的實施期間中，將處理室23內調節為預定之真空環境。連接於真空排氣機構214之排氣管213，係相當於本實施形態的真空排氣部。

具備有以上所說明之構成的處理系統1及各電漿處理裝置2，係如圖4、圖5所示，與整合控制其全體動作的控制部3連接。控制部3，係由具備有未圖示之CPU與記憶部的電腦所構成，在記憶部，係記錄有程式，該程式，係編入有關於處理系統1或電漿處理裝置2之作用，亦即經由裝載鎖定室12或真空搬送室13，將從載體C1、C2取出的基板F搬入至各電漿處理裝置2(2a~2c)，以預定順序供給各種處理氣體，從而執行金屬膜之蝕刻處理或之後的加工處理，使處理後之基板F返回至原來的載體C1、C2之動作等的步驟(命令)群。該程式，係儲存於例如硬碟、光碟、磁光碟、記憶卡等之記 憶媒體，且由該些被安裝於電腦。

參閱圖6之流程圖，來說明關於具備有以上之構成的處理系統1、電漿處理裝置2的作用。

一開始，從載體C1、C2取出處理對象之基板F，且搬送至裝載鎖定室12或真空搬送室13內(開始)。然後，打開進行該基板F之處理之電漿處理裝置2a~2c的閘閥212，將基板F搬入至處理室23內進而將基板F載置並吸附固定於載置台231上，並且調節載置台231的高度位置(步驟S101)。

當使第2搬送機構14之搬送臂從處理室23退避，而關閉閘閥212後，將處理室23內之壓力調節為蝕刻處理時的壓力(步驟S102)。在本例中，在蝕刻處理時，係將處理室23內的壓力調節為後述之比以往蝕刻處理時之壓力更低壓的0.667~13.3Pa(5~100mTorr)之範圍，較佳的是0.667~4.00Pa(5~30mTorr)之範圍的值。

又，與壓力調節並行地進行基板F之溫度調節，調節為25~120℃的範圍，較佳的是25~80℃之範圍的值。

在完成處理室23內之基板F之溫度的調節後，從蝕刻氣體供給部261，以例如2000~6000ml/分(0℃、1氣壓基準，以下相同)的範圍，較佳的是3000~5000ml/分範圍的流量來供給氯系蝕刻氣體。此時，藉由真空排氣機構214，對處理室23內進行排氣，而將處理室23內調節為預定壓力的真空環境。而且，從高頻電源273朝各天線部24供給高頻電力，使ICP發生而進 行金屬膜之蝕刻處理(步驟S103)。此時，在載置台231，係從高頻電源238施加偏壓電力，將電漿中之離子吸入而進行異方性蝕刻。其中亦可，在不進行異方性蝕刻時，不進行偏壓電力之施加，又，省略載置台231側之高頻電源238的設置。

在僅以像這樣事先設定的時間來進行蝕刻處理後，停止蝕刻氣體之供給及朝天線部24之電力的供給。在藉由該蝕刻處理所形成之電極45及其上層側的光阻膜46，係如使用圖7所說明的，附著有包含於蝕刻氣體之氯或由氯與鋁之反應所產生的氯化鋁。

因此，對附著有氯或鋁的基板F，利用已電漿化之氫氣進行加工處理。

在開始該加工處理之前，將蝕刻處理後之處理室23內的壓力調節為0.667~13.3Pa(5~100mTorr)的範圍，較佳的是0.667~4.00Pa(5~30mTorr)之範圍的值(步驟S104)。另外，當與蝕刻處理比較時，加工處理時之壓力，係設定為若干高的壓力。又，與壓力調節並行地進行基板F之溫度調節，調節為25~250℃的範圍，較佳的是80~250℃之範圍的值。

在完成處理室23內之基板F之溫度的調節後，從氫氣供給部262，以例如1000~5000ml/分之範圍，較佳的是2000~4000ml/分範圍的流量，供給作為電漿用氣體的氫氣。又，從氧氣供給部263，以例如0~5000ml/分之範圍，較佳的是0~4000ml/分範圍的流量，供給氧氣 (氫氣/氧氣供給量比；1/0~1/1)。而且，從高頻電源273向各天線部24供給高頻電力，使ICP發生而進行基板F之加工處理(步驟S105)。

如此一來，藉由將混合有氫氣與氧氣的氣體設成為電漿產生用氣體的方式，相較於將包含有水分之氣體電漿化的情形，可自由地調節氫與氧之存在比。

又，此時，亦可停止從高頻電源238施加偏壓電力。

如圖8所示，藉由供給由電漿所活性化之氫的方式，附著於光阻膜46或電極45之氯或氯化鋁會與氫原子產生反應，而生成氯化氫，從光阻膜46或電極45被去除。又，藉由將氧氣添加至電漿產生用氣體的方式，使光阻膜46之表面一部分氧化(燃燒)並去除，藉由此，可使吸入至比光阻膜46之表面更往內側的氯露出，而使其與氫產生反應並去除。

在此，以實驗的方式確認：在利用了ICP的本加工處理中，係相較於以往之蝕刻處理(例如為ICP時，13.3~66.7Pa(100~500mTorr))，可藉由將處理室23內之壓力環境設成為比較低壓環境的方式，來獲得更良好的氯去除效果。可獲得像這樣之結果的理由雖不清楚，但吾人認為可能是因藉由降低壓力而減低處理室23內之氣體的內部能量或不進行偏壓電力之施加，相較於例如RIE(Reactive Ion Etching)，可使氫或氧氣與光阻膜46之表面碰撞的能量比較降低。

亦即，當氫或氧氣與光阻膜46碰撞的能量較 大時，則有導致受到碰撞影響之氯進入到光阻膜46的內側，而妨礙有效率地去除氯之虞。對此，吾人推測可能是因氯或氯化鋁會與氫產生反應，而且，以足以從光阻膜46脫離的能量來供給氫者，係有效地作用於從光阻膜46去除氯。

當僅以事先設定的時間進行加工處理之後，停止氫氣、氧氣之供給及向天線部24之電力的供給。

接下來，在以將基板F搬出至真空搬送室13的方式進行處理室23內的壓力調節之後，打開閘閥212，使第2搬送機構14之搬送臂進入而搬出基板F，結束電漿處理裝置2之基板F的處理動作(步驟S106，結束)。

然後，以與搬入時相反的路徑來搬送基板F，將基板F收納於原來的載體C1、C2。當完成載體C1、C2內之基板F的處理後，將載體C1、C2朝向進行光阻劑之剝離的裝置搬送(圖3之P6)。

根據本實施形態之電漿處理裝置2，具有下述效果。由於對包含有使用氯系蝕刻氣體而被蝕刻處理之鋁的電極45，使用氫氣之電漿來進行處理，因此，可在蝕刻處理時，去除附著於電極45或光阻膜46的氯，從而抑制侵蝕之發生。

在此，在圖4所示的處理系統1中，係可在各電漿處理裝置2a~2c中，執行金屬膜之蝕刻處理與加工處理兩者。對此，在圖9所示意的處理系統1a中，係表示各別設置使用了氯系蝕刻氣體的蝕刻處理專用蝕刻裝置 20與加工處理專用電漿處理裝置2d之例子。在該情況下，係在蝕刻處理或加工處理的期間，可藉由增加處理時間變長之裝置20、2d的設置台數之方式，使處理系統1a全體的生產率提升。

又，在圖5所示之電漿處理裝置2的載置台231，係亦可連接吸入用高頻電源。在該情形下，係例如在蝕刻處理時，對載置台231供給高頻電力，而進行已電漿化之蝕刻氣體的吸入。而且，在之後的加工處理時，係相較於與蝕刻處理時相同地持續供給高頻電力的情形，亦可藉由減低吸入用高頻電力或停止其供給的方式，來提高氯之去除効果。

而且，加工處理，係並不限定於將氧氣添加於氫氣而進行的情形，亦可僅使用氫氣而進行。又，在加工用氣體(氫氣或將氧氣添加於氫氣的氣體)中，係亦可因應所需而添加氬等的惰性氣體。

其他，由氯系蝕刻氣體所蝕刻處理的電極45，係不限於Ti/Al/Ti構造者，亦可為單獨的鋁之電極45或AlNd等之鋁合金。

2(2a~2c)‧‧‧電漿處理裝置

3‧‧‧控制部

21‧‧‧本體容器

22‧‧‧介電質壁

23‧‧‧處理室

24‧‧‧天線部

25‧‧‧噴頭

26‧‧‧氣體供給管

211‧‧‧搬入搬出口

212‧‧‧閘閥

213‧‧‧排氣管

214‧‧‧真空排氣機構

231‧‧‧載置台

232‧‧‧蓋體

233‧‧‧加熱器

234‧‧‧波紋管

235‧‧‧支柱

236‧‧‧直流電源

237‧‧‧匹配器

238‧‧‧高頻電源

241‧‧‧天線室

251‧‧‧氣體吐出孔

261‧‧‧蝕刻氣體供給部

262‧‧‧氫氣供給部

263‧‧‧氧氣供給部

271‧‧‧供電部

272‧‧‧匹配器

273‧‧‧高頻電源

F‧‧‧基板

Claims (16)

1. 一種電漿處理裝置，係對形成有薄膜電晶體之基板執行電漿處理，其特徵係，具備有：處理容器，具備有載置有基板之載置台，對前述基板進行電漿處理；真空排氣部，對前述處理容器內進行真空排氣；氫氣供給部，對前述處理容器內供給作為電漿產生用氣體的氫氣；及電漿產生部，用於將供給至前述處理容器內的電漿產生用氣體電漿化，前述基板，係在包含有鋁之金屬膜的上層側，形成有已被圖案化之光阻膜，且藉由包含有氯之蝕刻氣體，對前述金屬膜進行蝕刻處理。
2. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，具備有：氧氣供給部，其係用於將氧氣添加於前述電漿產生用氣體。
3. 如申請專利範圍第1或2項之電漿處理裝置，其中，前述電漿處理，係在0.667Pa以上、13.3Pa以下的壓力範圍下進行。
4. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之電漿處理裝置，其中，前述載置台，係具備有：溫度調節部，其係在執行電漿處理中，將前述基板溫度調節為25℃以上、250℃以下 的溫度範圍。
5. 如申請專利範圍第1~4中任一項之電漿處理裝置，其中，具備有：蝕刻氣體供給部，其係為了在前述電漿處理之前，於前述處理容器內進行前述金屬膜之蝕刻處理，而對該處理容器內供給包含有氯的蝕刻氣體，且藉由前述電漿產生部來將從該蝕刻氣體供給部所供給的蝕刻氣體電漿化，從而進行前述金屬膜之蝕刻處理。
6. 如申請專利範圍第5項之電漿處理裝置，其中，前述蝕刻處理，係在0.667Pa以上、13.3Pa以下的壓力範圍下進行。
7. 如申請專利範圍第5或6項之電漿處理裝置，其中，前述載置台，係具備有：溫度調節部，其係在執行蝕刻處理中，將前述基板溫度調節為25℃以上、120℃以下的溫度範圍。
8. 如申請專利範圍第1~7中任一項之電漿處理裝置，其中，前述電漿產生部，係具備有：天線部，其係用於使感應耦合型電漿產生。
9. 一種薄膜電晶體之製造方法，其特徵係，包含有：在包含有鋁之金屬膜的上層側，形成有已被圖案化之光阻膜，並在處理容器內配置藉由包含有氯之蝕刻氣體來 對前述金屬膜進行蝕刻處理之基板的工程；對前述處理容器內進行真空排氣，並且對該處理容器內供給作為電漿產生用氣體之氫氣的工程；及將供給至前述處理容器內之電漿產生用氣體電漿化，而去除附著於前述基板之氯的工程。
10. 如申請專利範圍第9項之薄膜電晶體之製造方法，其中，包含有將氧氣添加於前述電漿產生用之氣體的工程。
11. 如申請專利範圍第9或10項之薄膜電晶體之製造方法，其中，去除附著於前述基板之氯的工程，係在0.667Pa以上、13.3Pa以下的壓力範圍下進行。
12. 如申請專利範圍第9~11項中任一項之薄膜電晶體之製造方法，其中，去除附著於前述基板之氯的工程，係在將該基板溫度調節為25℃以上、250℃以下的溫度範圍進行。
13. 如申請專利範圍第9~12項中任一項之薄膜電晶體之製造方法，其中，在處理容器內配置前述已被蝕刻處理之基板的工程，係包含有：將在包含有鋁之金屬膜之上層側形成有已被圖案化之光阻膜的基板搬入至前述處理容器內的工程；對搬入有前述基板的處理容器內進行真空排氣，並且對該處理容器內供給包含有氯之蝕刻氣體的工程；及 將供給至前述處理容器內的蝕刻氣體電漿化，而進行前述金屬膜之蝕刻處理的工程。
14. 如申請專利範圍第13項之薄膜電晶體之製造方法，其中，進行前述蝕刻處理之工程，係在0.667Pa以上、13.3Pa以下的壓力範圍下進行。
15. 如申請專利範圍第13或14項之薄膜電晶體之製造方法，其中，進行前述蝕刻處理之工程，係在將前述基板溫度調節為25℃以上、120℃以下的溫度範圍下進行。
16. 一種記憶媒體，係儲存有對形成有薄膜電晶體之基板執行電漿處理之電漿處理裝置所使用的電腦程式，該記憶媒體，其特徵係，前述程式，係編入有步驟以執行申請專利範圍第9~15項中任一項所記載之薄膜電晶體之製造方法。