TW201546478A - 反射鏡，尤其用於微影投影曝光裝置 - Google Patents

Abstract

本發明關於一種反射鏡，特別是用於一微影投影曝光裝置。根據本發明之一態樣，反射鏡具有一光學有效表面，其中針對具有一預設工作波長且以至少65度之基於個別表面法線的一入射角撞擊於光學有效表面上的電磁輻射，反射鏡具有至少0.5的反射率，其中反射鏡具有至少一層(160,170,320)，其包含由第二週期之一元素及4d過渡群組之一元素所形成的一化合物，其中反射鏡具有一保護層(430,530,630,730)，在光學有效表面之方向中配置於頂部，其中在光學有效表面之方向中在各個情況下配置在保護層之下之該層(420,510,620,705)的材料具有比保護層(430,530,630,730)的材料更低的吸收。

Description

反射鏡，尤其用於微影投影曝光裝置 【相關專利參照】

本申請案主張2014年3月13日申請之德國專利申請案DE 10 2014 204 660.2的優先權，其內容係併入本文做為參考。

本發明關於一種反射鏡，尤其用於微影投影曝光裝置。

微影用以產生微結構組件，例如積體電路或LCD。微影製程在具有照明裝置及投影透鏡(projection lens)的投影曝光裝置中實施。由照明裝置所照明之光罩(mask=reticle)的影像在此處係藉由投影透鏡投射至塗佈有光感層(光阻)的基板(例如矽晶圓)上，且配置在投影透鏡的影像平面中以將光罩結構轉移至基板的光感塗層。

在針對EUV範圍(即波長例如約為13奈米或約7奈米)而設計的投影透鏡中，因為缺乏可使用的適當透明折射材料，反射鏡係使用作為成像製程的光學組件。

反射鏡等用於切線入射(grazing incidence)的操作為已知的。此處及下文中，在切線入射下操作且因為可達成相對較高的反射率(例如80%及更高)所以基本上有利於使用的反射鏡為在EUV輻射的反射中所獲 得之基於個別表面法線的反射角為至少65度的反射鏡。這類反射鏡有時也簡稱為GI反射鏡。

為了最佳化投影曝光裝置的效能，不僅需要以期望有利的光學特性來選擇適當的個別反射鏡或層材料，也要考量到這些光學特性的損害(特別是反射耗損的形式或為入射角的函數之反射行為的不良變化)可能由於投影曝光裝置操作過程中的汙染而發生。

關於習知技術，將參考例如US 2005/0279951 A1。

依據前述的現有技術，本發明的一目的為提供一反射鏡，特別是用於微影投影曝光裝置，其在所考量之光學系統或投影曝光裝置的操作過程中有可能達成高反射率或低光耗損加上對汙染的低敏感度。

此目的係由申請專利範圍獨立項所述的特徵而達成。

根據本發明之一態樣，特別用於微影投影曝光裝置之反射鏡具有一光學有效表面(optically effective surface)，-其中針對具有一預設工作波長且以至少65度之基於個別表面法線(surface normal)的一入射角撞擊於光學有效表面上的電磁輻射，反射鏡具有至少0.5的反射率；-其中反射鏡具有至少一層，其包含由第二週期之一元素及4d過渡群組之一元素所形成的一化合物；-其中反射鏡具有一保護層，在光學有效表面之方向中配置於頂部；-其中在光學有效表面之方向中在各個情況下配置在保護層之下之該層的材料具有比保護層的材料更低的吸收。

本發明特別是基於達成以下組合的概念：保護作用或對光學系統操作過程中產生之汙染達到至少實質的化學抗性(chemical resistance)、與由在反射鏡之一層中之第二週期的元素(例如鈹(Be)、硼(B)、 碳(C)、氮(N)、或氧(O))與4d過渡群組的元素(例如鉬(Mo)、鈮(Nb)、或鋯(Zr))組合產生之反射鏡的有利光學特性。

特別地，本發明所源自的想法為，鉬(Mo)(舉例來說)從光學特性的觀點看來似乎基本上是特別好的材料(根據關於相對低的吸收以及相對低的折射率之理想有利的光學特性，其將導致比所有其他元素更高的反射率，特別是在電磁EUV輻射之切線入射的情況中)，但如此使用時(亦即以元素的形式)卻具有不可接受之對汙染的高敏感度(因為對氧的敏感度)。

從此想法出發，本發明結合鉬(Mo)或4d過渡群組的其他合適元素與第二週期的元素(特別是硼(B)、碳(C)、氮(N))，其結果為避免了氧化的風險並因此達成了同時有化學抗性及具有例如等於或甚至更優於純元素鉬(Mo)或釕(Ru)之光學特性的一層。

根據一具體實施例，反射鏡專有此層(結合第二週期之一元素及4d過渡群組之一元素)及一基板(該層形成或配置於其上)。

在一具體實施例中，結合第二週期之一元素及4d過渡群組之一元素的層可配置為在由釕(Ru)所組成之第一層上的第二層。

根據另一態樣，本發明也提供特別是用於微影投影曝光裝置之具有一光學有效表面的一反射鏡，-其中針對具有一預設工作波長且以至少65度之基於個別表面法線的一入射角撞擊於光學有效表面上的電磁輻射，該反射鏡具有至少0.5的反射率；以及-其中反射鏡具有第一層及第二層，第一層由包含釕(Ru)、銠(Rh)、或鈀(Pd)的一第一材料所組成，第二層在光學有效表面之方向中配置於此第一層的頂部且由具有比第一材料更低吸收的一第二材料所組成。

根據此另一態樣，在根據本發明之反射鏡的結構中，反射鏡中的層之間有「任務分工」，其中(包含釕、銠、鈀的)第一層作為具有相對有利之光學常數的「基底層(base layer)」並用以設定全反射(於此反射率 曲線具有其第一個反折點)的限制角度，而第二層(其具有比第一層材料更低的吸收)作為在切線入射的情況下增加反射率的「放大器層(amplifier layer)」。此組態有可能在目前情況(即在切線入射下)之相關角度範圍中或在基於個別表面法線之至少65度的入射角達成反射率的目標增加，同時能夠避免反射率曲線(其描述反射率為入射角的一函數)的「過早扭結(premature kinking)」。

在一具體實施例中，第二層的材料包含鉬(Mo)或由第二週期之一元素及4d過渡群組之一元素所形成的一化合物。

在一具體實施例中，4d過渡群組之元素係選自由以下所組成的群組：鉬(Mo)、鈮(Nb)、及鋯(Zr)。

在一具體實施例中，第二週期之元素係選自由以下所組成的群組：鈹(Be)、硼(B)、碳(C)、氮(N)、及氧(O)。

在一具體實施例中，反射鏡更具有一保護層，配置於光學有效表面之方向中的頂部。

由於反射鏡具有此一額外的保護層，可在本發明反射鏡的層結構中達成有關個別層之進一步的「任務分工」或功能分隔。特別地，所考量的保護層可由非常「化學穩定」或對在光學系統操作過程中所產生的汙染具有理想化學抗性但光學特性相對較差的材料所組成，後者的情況僅能夠允許非常低厚度(例如2-3奈米)的保護層。

換言之，保護層較佳係組態使得其剛好足夠厚以提供所需的化學抗性，並具有由位於保護層之下(基於光學有效表面)的第一及/或第二層(即上述的基底層及/或放大器層)所能夠達成之光學特性的最佳化或反射鏡之反射率的增加。同時，有關的基底層及/或放大器層的厚度在每一情況中可根據所期望之光學特性的最佳化而選擇，而不需考慮化學抗性(其由上述保護層所確保)。

由於保護層所提供之對光學系統操作過程中所產生之汙染 的保護作用，也可達成對下方層(基底層及/或放大器層)的材料選擇上有顯著更大的自由度，因為後層有保護層在其頂部，所以也可由反應性相對高的材料(comparatively reactive material)所製成。

在一具體實施例中，在光學有效表面之方向中在各個情況下位於保護層之下之該層的材料具有比保護層的材料更低的吸收。

在一具體實施例中，保護層包含氮化矽(Si₃N₄)、碳化矽(SiC)、或包含3d過渡群組(Sc,Ti,V,...)、4d過渡群組(Y,Zr,Nb,...)或鑭系元素(La,Ce,Pr,Nd,...)之元素的一化合物。

在一具體實施例中，保護層具有不多於5奈米的厚度。

在一具體實施例中，第二層及保護層每一者具有一厚度分佈，使得反射鏡就反射率對入射角的相依性與僅具有相同組態的第一層而不具第二層及保護層的一反射鏡的差別不超過2%、特別是不超過1%、更特別是不超過0.5%。在此處，所考量之層的厚度分佈可為一恆定的厚度或是有局部變化的厚度。

根據本發明之此進一步的態樣，在由第一層、第二層及保護層所形成的上述層結構中的第二層及保護層的個別厚度分佈可選擇使得反射率分佈(即反射率與入射角的相依性)與僅具第一層(「基底層」)的反射鏡相較並無變化(或僅有相對小或可忽略的變化)。

換言之，由第一層、第二層及保護層所組成之根據本發明的層結構中的層厚度可選擇以精準地達成反射率對入射角之相依性的特定分佈。特別地，層結構可例如就第一層、第二層及保護層的個別厚度來組態，在此方式中並沒有達成反射鏡的最大反射率，而是接受反射率的一些降低，以設定一特定期望的反射率分佈(例如無第二層且無保護層之「純釕反射鏡」的反射率分佈)。因此，舉例來說，可避免必須調整光學設計來使用具有根據本發明之層結構的反射鏡。特別地，保護層所造成之反射率的降低可至少部分地由第二層補償。

在一具體實施例中，反射鏡具有至少一阻障層。舉例來說，此一阻障層可配置在第一層與第二層之間及/或直接在所存在之任何保護層之下。此一阻障層可例如作為擴散阻障(diffusion barrier)，以避免第一層與第二層之間不想要的擴散或避免例如存在於保護層中的任何氧擴散至底下的一層或底下的多層。僅為例示，此一阻障層可具有範圍在數奈米或更少的厚度。

根據另一態樣，本發明係關於特別是用於微影投影曝光裝置之具有一光學有效表面的一反射鏡，-其中針對具有一預設工作波長且以至少65度之基於個別表面法線的一入射角撞擊於光學有效表面上的電磁輻射，反射鏡具有至少0.5的反射率，-其中反射鏡具有至少一層，其包含由第二週期之一元素及4d過渡群組之一元素所形成的一化合物，以及-其中反射鏡專有此層或專有此層及一基板。

在一具體實施例中，4d過渡群組之元素係選自由以下所組成的群組：鉬(Mo)、鈮(Nb)、及鋯(Zr)。

在一具體實施例中，第二週期的元素係選自由以下所組成的群組：鈹(Be)、硼(B)、碳(C)、氮(N)、及氧(O)。

在一具體實施例中，工作波長小於30奈米，特別是可在10奈米到15奈米的範圍中。

本發明更提供具有一照明裝置及一投影透鏡的微影投影曝光裝置，其中照明裝置照明在投影曝光裝置操作過程中位在投影透鏡之物體平面中一光罩，且投影透鏡將在此光罩上的結構投影至位在投影透鏡之影像平面中的一光感層，且投影曝光裝置具有包含上述特徵的一光學系統。

本發明的其他具體實施例可衍生自說明內容及申請專利範圍附屬項。

本發明將在所附隨圖式中所顯示範例的輔助下進行描述。

100‧‧‧投影曝光裝置

101‧‧‧電漿光源

102‧‧‧集光器反射鏡

103‧‧‧場琢面反射鏡

104‧‧‧光瞳琢面反射鏡

105‧‧‧第一伸縮式反射鏡

106‧‧‧第二伸縮式反射鏡

107‧‧‧偏折反射鏡

120‧‧‧光罩

121‧‧‧光罩

150‧‧‧投影透鏡、基板

160‧‧‧晶圓檯、層

161‧‧‧基板

170‧‧‧層

205‧‧‧基板

210‧‧‧第一層

220‧‧‧第二層

305‧‧‧基板

310‧‧‧第一層

320‧‧‧第二層

405‧‧‧基板

410‧‧‧第一層

420‧‧‧第二層

430‧‧‧保護層

505‧‧‧基板

510‧‧‧第一層

530‧‧‧保護層

605‧‧‧基板

620‧‧‧層

630‧‧‧保護層

705‧‧‧基板

730‧‧‧保護層

圖1a示意性地顯示針對EUV中操作所設計的投影曝光裝置；圖1b-c示意性地顯示在本發明之說明性具體實施例中之反射鏡的結構；以及圖2-7示意性地顯示本發明其他具體實施例中之反射鏡的可能結構。

圖1a示意性地顯示針對EUV中操作所設計且本發明可實施於其中的投影曝光裝置。

根據圖1a，針對EUV所設計之投影曝光裝置100中的照明裝置具有場琢面反射鏡(field facet mirror)103及光瞳琢面反射鏡(pupil facet mirror)104。包含電漿光源101及集光器反射鏡102之光源單元的光係導向場琢面反射鏡103。第一伸縮式反射鏡(telescope mirror)105及第二伸縮式反射鏡106係配置於光路徑中之光瞳琢面反射鏡104之後。在進一步的光路徑中有一偏折反射鏡(deflection mirror)107，其在切線入射下操作且將撞擊於其上的輻射導向至投影透鏡之物體平面中的物場，其顯示於圖1a中。反射式結構光罩121配置於位在物場位置的光罩檯120上，且此光罩是由投影透鏡投影至影像平面，其中塗佈光感層(光阻)的基板161係設置於晶圓檯(wafer table)160上。

僅為例示，在切線入射下操作的偏折反射鏡107可具有根據本發明的結構，下文中將參考圖1b、圖1c或圖2等進行描述。

舉例來說，投影透鏡150可具有如DE 10 2012 202 675 A1所 描述的結構(其中此結構同樣具有在切線入射下操作的反射鏡且可根據本發明組態)或不同的結構。

在下文中，在切線入射下操作之根據本發明的反射鏡的可能具體實施例將參照圖1b-c及圖2-7的示意圖來進行描述。

根據圖1b，根據本發明的反射鏡具有層160，其在特定範例中係由硼化鉬(MoB)所組成且在範例中具有30奈米的說明性厚度於基板150(由任何適當的材料製成)上。

在其他具體實施例中，層160可包含由第二週期元素(例如元素鋰(Li)、鈹(Be)、硼(B)、碳(C)、氮(N)、氧(O)、或氟(F)之其中之一)與4d過渡群組元素(例如元素釔(Y)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鉬(Mo)、鎝(Tc)、釕(Ru)、銠(Rh)、及鈀(Pd)之其中之一)所形成之不同的化學化合物。

若所考慮的光學有效材料可作為塊材、具有適當的熱特性且也在光學特性上可調整及修改，則有可能省略進一步的層，如圖1c所示，在此情況中反射鏡也可完全由層170所製成，其包含類似圖1a之層160的材料。在後者的情況中，單獨形成反射鏡的層170較佳具有至少50奈米的厚度。

在下文中，根據本發明之反射鏡的其他具體實施例將參考圖2-6的示意圖進行描述，其不僅具有前文在圖1b、1c輔助下所描述的層(選擇性地具有額外的基板)，且藉由提供由複數個層所組成之結構而達成的功能分隔或任務分工。

在圖2a的範例中，根據本發明的反射鏡具有在基板205(其再次可由任何適合的材料所製成)上的第一層210釕(Ru)及第二層220鉬(Mo)。在此處，僅為例示(且本發明並不受限於此)，第一層210具有30奈米的厚度且第二層220具有9奈米的厚度。

前述的任務分工在圖2a所繪示之結構的例子中係由第一層210(作為「基底層」)所實現，其提供了非常有利之全反射的限制角度(以避免反射率分佈中反射率曲線的過早「扭結(kinking)」)，而相關角度範圍中 之反射的放大(亦即特別針對切線入射或在基於個別表面法線之至少65度的入射角)係由第二層220(其作為「放大器層」)所達成。

第一層210由純釕(Ru)所組成，而第二層220的材料可為圖2a所示的鉬(Mo)或前文參考圖1b及1c所述材料的其中一者(亦即第二週期的一元素與4d過渡群組的一元素所形成的化合物)。於此處，第二層的材料在每一情況中具有比釕(Ru)更低的吸收。即使釕(Ru)在每一情況中已選擇作為以下範例中之第一層的材料，但在其他具體實施例中，第一層也可包含銠(Rh)或鈀(Pd)或釕(Ru)、銠(Rh)或鈀(Pd)的組合。以類似的方式，第二層的材料在每一情況中應具有比第一層材料更低的吸收。

為描述上述效應，圖2b顯示反射率分佈為入射射線或反射射線相對反射表面之角度的函數，兩者皆針對僅有一層的情況(由釕(Ru)或鉬(Mo)所組成)以及針對鉬(Mo)或釕(Ru)所形成的各種層序列(其中圖標中首先提到的材料為基底層或第一層的材料且最後提到的材料是放大器層或第二層的材料)。由圖2b可看出，可藉由根據依圖2a之本發明來選擇材料達成相關角度範圍中反射率的顯著增加並結合反射率曲線顯著較晚的「扭結」。

圖3b用以描述藉由根據依圖3a之本發明的結構所達成之反射率增加；在圖3b中，在每一情況中所達成之反射率以及在純釕(Ru)層情況中所達成之反射率之間的差異係繪示為入射射線或反射射線相對反射表面之角度的一函數。在圖3b中，個別層的厚度為30奈米的釕(Ru)、5奈米的碳化鉬(Mo₂C)、9奈米的硼化鉬(MoB)及5奈米的碳化鈮(NbC)。此外，顯示了具有30奈米厚度之單一鉬(Mo)層與具有30奈米厚度的純釕(Ru)層的比較以作為參考，在後續的圖4b及圖5b中也同樣顯示。

圖4a用以描述根據本發明另一具體實施例之反射鏡的結構，其中與圖3a類似的組件或基本上具有相同功能的組件係以增加了「100」的元件符號標示。

圖4a中所示之反射鏡與圖3a之具體實施例的不同處在於其具有額外的保護層430，其由具有很高化學穩定性的材料所製成；由於相對低的厚度(例如2-3奈米)，相對不利的光學特性是可以接受的。因此，保護層430可例如由氮化矽(Si₃N₄)所組成。

在另一可能的具體實施例中，也可選擇具有相對更有利光學特性的材料、特別是類似於圖1b、1c之具體實施例的材料(即第二週期之元素及4d過渡群組之元素所形成的化合物)來作為保護層430的材料。

至於第二層420(再次稱作「放大器層」或用以以類似圖3a的方法增加在切線入射下相關角度範圍中之反射率的層)的材料，基於保護層430所提供之對光學系統操作過程中所產生之汙染的保護作用，在此也可選擇化學反應性相對較高的材料(例如純鈮(Nb)或純鉬(Mo))。

圖4b用以描述藉由根據依圖4a之本發明的結構所達成之反射率增加；在圖4b中，在每一情況中所達成之反射率以及在純釕(Ru)層情況中所達成之反射率之間的差異再次繪示為入射射線或反射射線相對反射表面之角度的一函數。在圖4b中，個別層的厚度為30奈米的釕(Ru)、5奈米的鉬(Mo)、2奈米的氮化矽(Si₃N₄)、2奈米的氮化鋯(ZrN)、3奈米的氮化鉬(MoN)及3奈米的硼化鉬(MoB)。於此處，5奈米厚的Mo層係配置於厚度為30奈米之第一層Ru(或是Mo或Nb)與個別覆蓋層之間。

圖5a用以描述根據本發明之反射鏡的另一可能具體實施例。這與圖4a的具體實施例不同處特別在於省略了「放大器層」(圖4a中的第二層420)，使得保護層530直接配置於第一層510(其作為「基底層」)上。當可省去額外的放大器層，圖5a的具體實施例特別有用，因為所要提供之針對最大入射角之相對小的數值或對反射率相對不嚴格的要求。

針對圖5a所示的層結構，圖5b繪示了相對純釕(Ru)之反射率所達成的反射變化，其類似於前述圖3b及4b的反射率曲線。於此處，相關層的個別厚度為30奈米的釕(Ru)、2奈米的氮化矽(Si₃N₄)、2奈米的氮化鋯 (ZrN)、30奈米的鉬(Mo)、3奈米的氮化鉬(MoN)及1奈米的氧化鈮(NbO₂)。

圖6顯示用以描述根據本發明之反射鏡的另一可能具體實施例的示意圖；與圖4a結構的差異為省略了基底層(即圖4a之反射鏡中的第一層410)。根據圖6，作為「放大器層」的層620因此直接配置在基板605上，且保護層630再次直接配置在作為放大器層的層620上。於此處，基板605本身係作為上述意義中「基底層」(亦即用以對全反射設定適當的限制角度)且在範例中係由釕(Ru)所製成。

圖7顯示用以描述反射鏡的另一可能結構的示意圖；在此處，保護層730直接配置於基板705(其再次以類似圖6的方式作為「基底層」)上。保護層730的材料有可能使用特別是參照圖1b及1c所述的材料(即第二週期的元素及4d過渡群組的元素所形成的化合物)。保護層730的厚度係選擇使得首先達到對光學系統操作過程中所產生汙染的期望保護作用或化學抗性，其次為在針對切線入射之相關角度範圍中的反射率非常高且保護層730的厚度能夠只有例如2-3奈米。由於保護層730所提供的保護作用，基板705的材料也可能使用化學反應性相對高的元素，例如鉬(Mo)或鈮(Nb)。

於此處，針對以釕(Ru)作為基底層用於由任何材料所組成之基板的那些範例，反射率分佈是相同的(參照圖4b及圖5b)。

即使本發明已在特定具體實施例的協助下進行描述，熟此技藝者將能夠利用許多變化及替代的具體實施例，例如藉由結合及/或交換個別具體實施例的特徵。因此，對熟此技藝者來說，這類變化及替代的具體實施例當然包含於本發明，且本發明範疇僅由附隨的申請專利範圍及其均等所界定。

305‧‧‧基板

310‧‧‧第一層

320‧‧‧第二層

Claims (23)

1. 一種特別用於一微影投影曝光裝置之具有一光學有效表面的反射鏡，其中針對具有一預設工作波長且以至少65度之基於個別表面法線的一入射角撞擊於該光學有效表面上的電磁輻射，該反射鏡具有至少0.5的一反射率；其中該反射鏡具有至少一層，其包含由第二週期之一元素及4d過渡群組之一元素所形成的一化合物；其中該反射鏡具有一保護層，在該光學有效表面之方向中配置於頂部；其中在該光學有效表面之方向中在各個情況下配置在該保護層之下之該層的材料具有比該保護層的材料更低的吸收。
2. 如申請專利範圍第1項所述之反射鏡，其特徵在於4d過渡群組之該元素係選自由以下所組成的群組：鉬、鈮、及鋯。
3. 如申請專利範圍第1或2項所述之反射鏡，其特徵在於第二週期之該元素係選自由以下所組成的群組：鈹、硼、碳、氮、及氧。
4. 如申請專利範圍第1至3項之其中任一項所述之反射鏡，其特徵在於該反射鏡專有該層及一基板。
5. 如申請專利範圍第1至3項之其中任一項所述之反射鏡，其特徵在於此層係配置為在由釕所組成之一第一層上的一第二層。
6. 一種特別用於一微影投影曝光裝置之具有一光學有效表面的反射鏡， 其中針對具有一預設工作波長且以至少65度之基於個別表面法線的一入射角撞擊於該光學有效表面上的電磁輻射，該反射鏡具有至少0.5的一反射率；以及其中該反射鏡具有一第一層及一第二層，該第一層由包含釕、銠、或鈀的一第一材料所組成，該第二層在該光學有效表面之方向中配置於該第一層的頂部且由具有比該第一材料更低吸收的一第二材料所組成。
7. 如申請專利範圍第6項所述之反射鏡，其特徵在於該第二層的材料包含鉬或由第二週期之一元素及4d過渡群組之一元素所形成的一化合物。
8. 如申請專利範圍第7項所述之反射鏡，其特徵在於4d過渡群組之該元素係選自由以下所組成的群組：鉬、鈮、及鋯。
9. 如申請專利範圍第7或8項所述之反射鏡，其特徵在於第二週期之該元素係選自由以下所組成的群組：鈹、硼、碳、氮、及氧。
10. 如申請專利範圍第6至9項之其中任一項所述之反射鏡，其特徵在於其具有一保護層，在該光學有效表面之方向中配置於頂部。
11. 如申請專利範圍第10項所述之反射鏡，其特徵在於在該光學有效表面之方向中在各個情況下配置在該保護層之下之該層的材料具有比該保護層的材料更低的吸收。
12. 如申請專利範圍第1至5、10與11項之其中任一項所述之反射鏡，其特徵在於該保護層包含氮化矽(Si₃N₄)、碳化矽(SiC)、或包含3d過渡群組、4d過渡群組或鑭系元素之一元素的一化合物。
13. 如申請專利範圍第1至5、10到12項之其中任一項所述之反射鏡，其特徵在於該保護層的厚度不多於5奈米。
14. 如申請專利範圍第6至9項之其中任一項以及申請專利範圍第10至13項之其中任一項所述之反射鏡，其特徵在於該第二層及該保護層每一者具有一厚度分佈，使得該反射鏡就該反射率對該入射角的相依性與僅具有相同組態的第一層而不具有該第二層及該保護層的一反射鏡的差別不超過2%、特別是不超過1%、更特別是不超過0.5%。
15. 如申請專利範圍第6至9項之其中任一項以及申請專利範圍第10至14項之其中任一項所述之反射鏡，其特徵在於由該保護層所造成之該反射率的降低至少部分地被該第二層補償。
16. 如申請專利範圍第1至5項之其中任一項以及申請專利範圍第10至15項之其中任一項所述之反射鏡，其特徵在於該保護層係直接配置於一基板上。
17. 如前述申請專利範圍任一項所述之反射鏡，其特徵在於其具有至少一阻障層。
18. 一種特別用於一微影投影曝光裝置之具有一光學有效表面的反射鏡， 其中針對具有一預設工作波長且以至少65度之基於個別表面法線的一入射角撞擊於該光學有效表面上的電磁輻射，該反射鏡具有至少0.5的一反射率；以及其中該反射鏡具有至少一層，其包含由第二週期之一元素及4d過渡群組之一元素所形成的一化合物；其中該反射鏡專有該層或專有該層及一基板。
19. 如申請專利範圍第18項所述之反射鏡，其特徵在於4d過渡群組之該元素係選自由以下所組成的群組：鉬、鈮、及鋯。
20. 如申請專利範圍第18或19項所述之反射鏡，其特徵在於第二週期之該元素係選自由以下所組成的群組：鈹、硼、碳、氮、及氧。
21. 如前述申請專利範圍任一項所述之反射鏡，其特徵在於該工作波長小於30奈米、特別是在10奈米至15奈米的範圍中。
22. 一種用於一微影投影曝光裝置的光學系統，其特徵在於具有至少一個前述申請專利範圍之任一項所述之反射鏡。
23. 一種具有一照明裝置及一投影透鏡的微影投影曝光裝置，其中該照明裝置在該投影曝光裝置操作過程中照明位在該投影透鏡之一物體平面中的一光罩，且該投影透鏡將在該光罩上的結構投影至位在該投影透鏡之一影像平面中的一光感層，且該投影曝光裝置具有至少一個申請專利範圍第1至21項之任一項所述之反射鏡。