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TW201538685A - 用於自基板除去物質之組合物 - Google Patents

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TW201538685A TW104103790A TW104103790A TW201538685A TW 201538685 A TW201538685 A TW 201538685A TW 104103790 A TW104103790 A TW 104103790A TW 104103790 A TW104103790 A TW 104103790A TW 201538685 A TW201538685 A TW 201538685A
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Michael Tod Phenis
Kimberly Dona Pollard
Joshua Cummins
Meng Guo
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Dynaloy Llc
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Abstract

本發明闡述可用於自基板(例如電子裝置基板，例如微電子晶圓或平板顯示器)除去有機物質之清除組合物。該等清除組合物可適用於自電子裝置除去光阻劑，包括基於丙烯酸之負性乾膜光阻劑。在一實施例中，該等清除組合物可包括極性質子溶劑、胺或烷醇胺及氫氧化四級銨。在一實施例中，該等清除組合物可包括極性質子溶劑及至少兩種烷醇胺。該等清除組合物可不含極性非質子溶劑。

Description

用於自基板除去物質之組合物
各種物質(例如聚合物)可用於電子裝置(例如電腦晶片、記憶體裝置、發光二極體(LED)及諸如此類)之製造中。在一些情形下，該等物質可用於形成電子裝置中所包括之基板(例如，半導體裝置基板)之表面上的特徵。在基板處理中，該等物質可自基板之表面除去。在一個實例中，可將物質之層佈置於基板表面之至少一部分上且該層之至少一部分可在基板之後續處理期間除去。在另一實例中，物質可係在基板上實施具體製程時產生之殘餘物。在任一情形下，自基板除去物質之有效性可影響半導體裝置操作之品質。
在說明性情況中，光阻劑及基於有機物之電介質可用於電子裝置中所包括之半導體裝置之製造中。舉例而言，在光微影操作中，光阻劑可用於整個半導體裝置製造期間。光阻劑可經由光罩暴露於光化輻射。舉例而言，可將聚合物光阻劑作為遮罩施加至基板以界定焊料在基板上之位置。將焊料沈積至基板上之後，必須在可發生製程之下一步驟之前除去光阻劑。在另一實例中，可將聚合物光阻劑作為蝕刻遮罩施加至基板用於界定基板上在蝕刻製程中產生之結構。在蝕刻製程後，通常在基板上留下聚合物殘餘物，其在可發生製程之下一步驟之前必須除去。
在一些情形下，可使用正性光阻劑。將正性光阻劑暴露於光化 輻射下可引起增加鹼水溶液中之溶解度的化學反應，此允許所暴露之正性光阻劑溶解並用顯影劑沖洗掉。在其他情形下，可使用負性光阻劑。當負性光阻劑暴露於光化輻射時，在暴露區域中可發生聚合物之交聯，而在未暴露區域中者未發生變化。可藉由適宜顯影劑化學物質來溶解並清洗未暴露區域。顯影後，可留下抗蝕劑遮罩。抗蝕劑遮罩之設計及幾何結構可取決於抗蝕劑之正型或負型。正型抗蝕劑可與光罩之設計匹配，而負型抗蝕劑可提供與光罩設計相反之圖案。
光阻劑廣泛地用於微電子裝置之封裝中。在晶圓級封裝中，將焊料直接施加至已完成微電子裝置之製造但尚未切割成個別晶片之晶圓。將光阻劑用作遮罩以界定焊料在晶圓上之位置。在焊料沈積至晶圓上之後，必須在可發生封裝製程中之下一步驟之前除去光阻劑。通常在晶圓級封裝中，光阻劑之厚度可大於約10微米且有時厚達120微米。光阻劑可為正性或負性的，且可作為液體或乾膜施加。在晶圓級封裝中，通常使用厚乾膜負性光阻劑。
由於乾膜負性光阻劑之厚度及交聯性質，在焊料沈積之後可難以除去此材料。在一些情形下，可將光阻劑沈積至介電材料上，其中光阻劑與電介質之間之黏著力強至足以使光阻劑難以除去。
提供此概述以引入用於自基板除去物質(例如自半導體晶圓除去光阻劑)之組合物之簡化概念。實例性組合物之其他細節進一步闡述於下文實施方式中。此概述並不欲識別所主張標的物之基本特徵，亦不欲用於確定所主張標的物之範疇。
本發明係關於自塗覆有介電膜或金屬層之基板除去物質之組合物及製程。該等物質可包括光阻劑，且基板可包括半導體晶圓。下伏介電及/或金屬膜可係圖案化或連續的且可具有在表面上經圖案化之其他不同材料之特徵。本發明中所闡述之清除組合物可有效地除去光 阻劑-包括厚負性光阻劑-而不損害下伏基板且不包括因環境健康及安全性法律及法規所致而受限之化學品。
根據實施例，用於自基板除去物質之組合物可包括1重量%至75重量%之極性質子溶劑、1重量%至75重量%之胺或烷醇胺及0.5重量%至10重量%之氫氧化四級銨。
根據實施例，用於自基板除去物質之組合物可包括1重量%至75重量%之極性質子溶劑、1重量%至75重量%之胺或第一烷醇胺及1重量%至75重量%之第二烷醇胺。
該等組合物可自塗覆有介電層之基板除去一或多種物質而不損害介電層。該等組合物可自塗覆有金屬薄膜(例如銅)之基板除去一或多種物質而不損害該金屬薄膜。該等組合物可在不使用極性非質子溶劑(或使用最少量之極性非質子溶劑)的情況下自基板有效地除去一或多種物質，該等溶劑係例如二甲基乙醯胺(DMAc)、二甲基甲醯胺(DMF)、二甲基亞碸(DMSO)及/或N-甲基吡咯啶酮(NMP)。
本發明闡述可用於自塗覆有介電膜或金屬層之基板(例如半導體晶圓)除去有機物質(例如光阻劑)之組合物。下伏介電及/或金屬膜可係圖案化或連續的且可具有在表面上經圖案化之其他不同材料之特徵。本文所揭示之清除組合物克服了當前清潔技術之健康及環境缺點，同時仍成功地自晶圓除去了厚負性光阻劑。
本發明之清除組合物可應用於製造多種裝置，包括(但不限於)半導體晶圓、射頻(RF)裝置、硬驅動機、記憶體裝置、微電機械系統(MEMS)裝置、光伏打裝置、顯示器、發光二極體(LED)、晶圓級封裝及組裝製程及焊料凸塊製造。亦可使用所揭示清除組合物之其他應 用，包括(但不限於)光阻劑之除去(後段製程(BEOL)、前段製程(FEOL)製程)、金屬化後掀離製程、蝕刻後殘餘物除去、植入後殘餘物、掀離、鈍化層之重工作及光阻劑重工作。
詞語「清除」、「除去」及「清潔」在整個本說明書中可互換使用。同樣，術語「清除組合物」、「清除溶液」、「清潔組合物」及「清潔溶液」可互換使用。頭字語「PR」及「抗蝕劑」可與衍生出其之詞語「光阻劑」互換使用。除非另外指明，否則術語「重量百分數」或「重量%」意指基於組合物之總重量的重量百分數。
根據實施例，本發明係關於使用不含任何極性非質子溶劑之經調配清潔溶液自基板除去基於丙烯酸之負性光阻劑。清除組合物克服了使用可清潔光阻劑、但不符合日益增加的限制性EHS政策及立法之當前清潔技術之缺點。
在本發明之實施例中，已使用新穎清除組合物自具有經暴露電介質之基於錫之無鉛焊料凸塊半導體晶圓完全除去基於丙烯酸之厚乾膜負性光阻劑。在一些應用中，光阻劑可能極難除去，使得當前市售經調配之抗蝕劑清除組合物無法除去光阻劑，或可除去光阻劑但對晶圓表面上之永久性結構造成其他損壞。業內需要能夠除去該等難以除去之光阻劑而不損害下伏基板且順從更具限制性之新HSE要求之新穎清除組合物。
改良界面相互作用之抗蝕劑除去溶液需要與抗蝕劑與下伏介電層之間之界面接觸。可在晶圓邊緣處接觸，然而，在晶圓經圖案化之情形下，亦可在特徵與光阻劑之間之邊界處接觸。效應在於抗蝕劑自存在高密度特徵之區域之除去較快速，且自存在較低密度特徵之區域之除去更緩慢。
在本發明之實施例中，介電膜包含以下各項中之任一者：(i)有機聚合物膜，(ii)經矽或二氧化矽浸漬之有機聚合物膜，或(iii)經含 碳有機物質浸漬之含矽無機膜。介電膜係緊鄰光阻劑下方之層且可係連續的，但更通常而言經由納入已圖案化至表面中之特徵而不連續。光阻劑與介電材料之黏著可能更強於與抗蝕劑下方之金屬層的黏著。尤其在亦需要與下伏電介質相容時，較強黏著會增加抗蝕劑除去之挑戰。介電膜之損壞會產生因電介質分解所致之漏電之可能且縮短其中放置其之裝置的壽命。
在一些實施例中，可使電介質在用光阻劑塗覆之前經受其他處理步驟。例如，可將電介質暴露於乾式化學製程(例如電漿製程)下以例如改變表面粗糙度，及/或高溫製程(例如沈積後烘焙)及/或濕式化學製程(例如沖洗)下以改變電介質之疏水性或親水性，然後將光阻劑塗覆於晶圓上。
在一些實施例中，在抗蝕劑除去之前可使圖案化光阻劑經受高溫步驟(退火步驟)，例如焊料回流製程。所添加之熱步驟可產生負性光阻劑之額外交聯，此使其甚至更難除去。在一些情形下，除去可因在高溫製程期間電介質之緻密化及界面處之變化而變得較為容易。
在本發明之另一實施例中，已使用本發明清除組合物自塗覆有金屬、金屬合金或金屬汞齊薄膜之基於錫之不含鉛的焊料凸塊半導體晶圓完全除去基於丙烯酸之厚乾膜負性光阻劑。金屬膜之實例包括(但不限於)Cu、Al、TiW、Ti、W、Sn及SnAg。在自金屬表面除去聚合物之情形下，除去可利用以下機制來進行：在金屬/PR膜界面處進行底割以起始PR膜之掀離或自表面溶解PR膜。對PR膜進行底割因對裝置造成損壞而較為不利。溶脹並掀離或溶解PR膜之調配物可能較佳。含有極性非質子溶劑(例如DMSO及NMP)之調配物已廣泛用於除去該等應用中之負型光阻劑，此乃因溶劑容易滲透至基於丙烯酸之聚合物中。然而，改變環境健康及安全性(EHS)要求限制了DMSO及NMP之使用。
本文所揭示之新穎清除組合物提供具有類似或優於使用NMP及DMSO之調配物之清潔性能、同時包括最少量之極性非質子溶劑或不使用任何極性非質子溶劑的調配物。因此，本文所述清除組合物之獨特之處在於其除去難清除光阻劑之能力及順從限制性EHS法規的組合。
根據實施例，清除組合物可包括極性質子溶劑、胺或烷醇胺及氫氧化四級銨。清除組合物可不含任何極性非質子溶劑。
極性質子溶劑係具有至少一個一級羥基之含烴溶劑。其可包括(但不限於)糠醇(FFA)、四氫糠醇(THFA)、苄醇、環己醇、(4-甲基環己基)甲醇、羥甲基環己烷、間甲酚或其混合物。在一些實施例中，極性質子溶劑可係具有至少一個一級羥基之環狀烴溶劑。極性質子溶劑可以下列量存在於清除組合物中：1重量%至90重量%、10重量%至75重量%、15重量%至60重量%、15重量%至50重量%、20重量%至50重量%、25重量%至60重量%、50重量%至90重量%、60重量%至90重量%或70重量%至90重量%。在實施例中，極性質子溶劑可以至少1重量%、至少10重量%或至少25重量%之量存在。在實施例中，極性質子溶劑可以不大於90重量%、不大於75重量%、不大於60重量%之量存在。另一選擇為，極性質子溶劑可以小於40重量%、小於30重量%或小於25重量%之量存在。或極性質子溶劑可以大於60重量%、或至少70重量%、或至少80重量%且在每一情形下至多90重量%之量存在。
表1指示一些說明性溶劑之閃點及沸點。
根據實施例，清除組合物可包括胺。胺可包括(但不限於)二伸乙基三胺(DETA)、三伸乙基四胺(TETA)、四伸乙基五胺、苄基胺、二甲基苄基胺、丙二醯胺、四氫糠胺、糠胺、2-吡咯啶酮或其混合物。胺可以下列量存在於清除組合物中：1重量%至75重量%、或3重量%至75重量%、或3重量%至50重量%、或3重量%至30重量%、或3重量%至15重量%、或3重量%至10重量%、或3重量%至8重量%、或4重量%至75重量%、或4重量%至60重量%、或4重量%至30重量%、或4重量%至10重量%、或7重量%至50重量%。在實施例中，胺可以至少1重量%、至少4重量%或至少7重量%之量存在。在實施例中，胺可以不大於75重量%、不大於60重量%或不大於50重量%之量存在。
根據一實施例，清除組合物可包括烷醇胺。烷醇胺可具有至少兩個碳原子、至少一個胺基取代基及至少一個羥基取代基，其中胺基及羥基取代基附接至兩個不同的碳原子。胺基取代基可係一級、二級或三級胺。烷醇胺可包括(但不限於)胺基乙基乙醇胺(AEEA)、二甲基胺基乙醇(DMAE)、單乙醇胺(MEA)、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-乙基二乙醇胺、單異丙醇胺(MIPA)、二異丙醇胺、三異丙醇胺、N-甲基異丙醇胺、N-乙基異丙醇胺、N-丙基異丙醇胺、2-胺基丙-1-醇、N-甲基-2-胺基丙-1-醇、N-乙基-2-胺基丙-1-醇、1-胺基丙-3-醇、N-甲基-1-胺基丙-3-醇、N-乙基-1-胺基丙-3-醇、1-胺基丁-2-醇、N-甲基-1-胺基丁-2-醇、N-乙基-1-胺基丁-2-醇、2-胺基丁-1- 醇、N-甲基-2-胺基丁-1-醇、N-乙基-2-胺基丁-1-醇、3-胺基丁-1-醇、N-甲基-3-胺基丁-1-醇、N-乙基-3-胺基丁-1-醇、1-胺基丁-4-醇、N-甲基-1-胺基丁-4-醇、N-乙基-1-胺基丁-4-醇、1-胺基-2-甲基丙-2-醇、2-胺基-2-甲基丙-1-醇、1-胺基戊-4-醇、2-胺基-4-甲基戊-1-醇、2-胺基己-1-醇、3-胺基庚-4-醇、1-胺基辛-2-醇、5-胺基辛-4-醇、1-胺基丙-2,3-二醇、2-胺基丙-1,3-二醇、參(氧基甲基)胺基甲烷、1,2-二胺基丙-3-醇、1,3-二胺基丙-2-醇、2-(2-胺基乙氧基)乙醇、(DGA)、羥乙基嗎啉、1-(2-羥乙基)六氫吡啶、N-(2-羥乙基)-2-吡咯啶酮或其混合物。烷醇胺可以下列量存在於清除組合物中：1重量%至75重量%、或3重量%至75重量%、或3重量%至50重量%、或3重量%至30重量%、或3重量%至15重量%、或3重量%至10重量%、或3重量%至8重量%、或4重量%至75重量%、或4重量%至60重量%、或4重量%至30重量%、或4重量%至10重量%、或7重量%至50重量%。在實施例中，烷醇胺可以至少1重量%、至少4重量%或至少7重量%之量存在。在實施例中，烷醇胺可以不大於75重量%、不大於60重量%或不大於50重量%之量存在。
根據實施例，清除組合物可包括氫氧化四級銨。例如，氫氧化四級銨可包括(但不限於)氫氧化四甲基銨(TMAH)、氫氧化四乙基銨(TEAH)、氫氧化二甲基二丙基銨(DMDPAH)、氫氧化苄基三甲基銨(BTMAH)、氫氧化四丙基銨(TPAH)、氫氧化四丁基銨(TBAH)或其混合物。氫氧化四級銨可以0.5重量%至10重量%、1重量%至8重量%或2重量%至6重量%存在於清除組合物中。在實施例中，氫氧化四級銨可以至少0.5重量%、至少1重量%或至少2重量%之量存在。在實施例中，氫氧化四級銨可以不大於10重量%、不大於8重量%或不大於6重量%之量存在。
根據一些實施例，清除組合物可進一步包括不大於20重量%、不 大於10重量%、不大於5重量%、不大於2重量%或不大於1重量%之量的極性非質子溶劑。實例性極性非質子溶劑包括(但不限於)二甲基乙醯胺(DMAc)、二甲基甲醯胺(DMF)、二甲基亞碸(DMSO)、1-甲醯基六氫吡啶及/或N-甲基吡咯啶酮(NMP)。
根據一實施例，清除組合物可包括極性質子溶劑、胺或第一烷醇胺及第二烷醇胺。清除組合物亦可包括第三烷醇胺。清除組合物可不含任何極性非質子溶劑。
極性質子溶劑係具有至少一個一級羥基之含烴溶劑。其可包括(但不限於)糠醇(FFA)、四氫糠醇(THFA)、苄醇、環己醇、(4-甲基環己基)甲醇、羥甲基環己烷、間甲酚或其混合物。在一些實施例中，極性質子溶劑可係具有至少一個一級羥基之環狀烴溶劑。極性質子溶劑可以1重量%至90重量%、10重量%至75重量%或20重量%至60重量%存在於清除組合物中。在實施例中，極性質子溶劑可以至少1重量%、至少10重量%或至少20重量%之量存在。在實施例中，極性質子溶劑可以不大於90重量%、不大於75重量%或不大於60重量%之量存在。
根據一實施例，清除組合物可包括兩種或更多種烷醇胺。烷醇胺可具有至少兩個碳原子、至少一個胺基取代基及至少一個羥基取代基，其中胺基及羥基取代基附接至兩個不同的碳原子。胺基取代基可係一級、二級或三級胺。烷醇胺可包括(但不限於)胺基乙基乙醇胺(AEEA)、二甲基胺基乙醇(DMAE)、單乙醇胺(MEA)、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-乙基二乙醇胺、單異丙醇胺(MIPA)、二異丙醇胺、三異丙醇胺、N-甲基異丙醇胺、N-乙基異丙醇胺、N-丙基異丙醇胺、2-胺基丙-1-醇、N-甲基-2-胺基丙-1-醇、N-乙基-2-胺基丙-1-醇、1-胺基丙-3-醇、N-甲基-1-胺基丙-3-醇、N-乙基-1-胺基丙 -3-醇、1-胺基丁-2-醇、N-甲基-1-胺基丁-2-醇、N-乙基-1-胺基丁-2-醇、2-胺基丁-1-醇、N-甲基-2-胺基丁-1-醇、N-乙基-2-胺基丁-1-醇、3-胺基丁-1-醇、N-甲基-3-胺基丁-1-醇、N-乙基-3-胺基丁-1-醇、1-胺基丁-4-醇、N-甲基-1-胺基丁-4-醇、N-乙基-1-胺基丁-4-醇、1-胺基-2-甲基丙-2-醇、2-胺基-2-甲基丙-1-醇、1-胺基戊-4-醇、2-胺基-4-甲基戊-1-醇、2-胺基己-1-醇、3-胺基庚-4-醇、1-胺基辛-2-醇、5-胺基辛-4-醇、1-胺基丙-2,3-二醇、2-胺基丙-1,3-二醇、參(氧基甲基)胺基甲烷、1,2-二胺基丙-3-醇、1,3-二胺基丙-2-醇、2-(2-胺基乙氧基)乙醇、(DGA)、羥乙基嗎啉、1-(2-羥乙基)六氫吡啶、N-(2-羥乙基)-2-吡咯啶酮或其混合物。
第一烷醇胺可以1重量%至75重量%、4重量%至60重量%或7重量%至50重量%存在於組合物中。在實施例中，第一烷醇胺可以至少1重量%、至少4重量%或至少7重量%之量存在。在實施例中，第一烷醇胺可以不大於75重量%、不大於60重量%或不大於50重量%之量存在。第二烷醇胺可以0.5重量%至50重量%、1重量%至25重量%或2重量%至20重量%存在於組合物中。在實施例中，第二烷醇胺可以至少0.5重量%、至少1重量%或至少2重量%之量存在。在實施例中，第二烷醇胺可以不大於50重量%、不大於25重量%或不大於20重量%之量存在。第三烷醇胺可以0.5重量%至30重量%、1重量%至25重量%或2重量%至20重量%存在於組合物中。在實施例中，第三烷醇胺可以至少0.5重量%、至少1重量%或至少2重量%之量存在。在實施例中，第三烷醇胺可以不大於30重量%、不大於25重量%或不大於20重量%之量存在。
在實施例中，清除組合物可包括胺替代第一烷醇胺。胺可包括(但不限於)二伸乙基三胺(DETA)、三伸乙基四胺(TETA)、四伸乙基五胺、二甲基苄基胺、丙二醯胺、四氫糠胺、糠胺、2-吡咯啶酮或其 混合物。胺可以1重量%至75重量%、4重量%至60重量%或7重量%至50重量%存在於清除組合物中。在實施例中，胺可以至少1重量%、至少4重量%或至少7重量%之量存在。在實施例中，胺可以不大於75重量%、不大於60重量%或不大於50重量%之量存在。
本發明之任一組合物亦可包括水。水可以下列量存在於本發明之任何組合物中：0.5重量%至15重量%、或0.5重量%至10重量%、或0.5重量%至8重量%、或0.5重量%至6重量%、或0.5重量%至4重量%、或0.5重量%至3重量%、或0.5重量%至2重量%、或1重量%至15重量%、或1重量%至10重量%、或1重量%至8重量%、或1重量%至6重量%、或1重量%至4重量%、或2重量%至15重量%、或2重量%至10重量%、或2重量%至8重量%、或2重量%至6重量%或2重量%至4重量%。
本發明之清除組合物可用於自多個不同基板且經由多種不同方法(包括涉及浸沒基板之方法)除去光阻劑。可使基板與清除組合物接觸以自基板除去一或多種物質中之至少一部分。清除組合物可溶解佈置於基板上之目標物質(例如，光阻劑)及/或使目標物質自基板釋放。具體而言，清除組合物可自基板除去至少75%之目標物質，自基板除去至少85%之目標物質，自基板除去至少95%之目標物質，或自基板除去至少99%之目標物質。此外，清除組合物可自基板除去實質上所有的物質。清除組合物可包括本文所闡述之任一調配物。
本發明中所提供之清除組合物可用於除去存在於單層或某些類型之雙層抗蝕劑中之聚合物抗蝕劑材料。例如，雙層抗蝕劑通常具有由第二聚合物層覆蓋之第一無機層或可具有兩個聚合物層。利用下文所教示之方法，可自具有單一聚合物層之標準晶圓有效地除去單聚合物抗蝕劑層。亦可使用相同方法自具有由第一無機層及第二或外聚合物層構成之雙層之晶圓除去單一聚合物層。最後，可自具有由兩個聚合物層構成之雙層之晶圓有效地除去兩個聚合物層。可使用新穎清除 組合物除去一個、兩個或更多個抗蝕劑層。
在實施例中，可將基板浸沒於清除組合物中。舉例而言，基板可浸沒於清除組合物之浴中。在實施例中，該浴可容納100mL清除組合物。另一選擇為，可將清除組合物施加至基板之一或多側。為進行說明，可將清除組合物分配於基板之一或多側上。亦可將清除組合物塗覆於基板之一或多側上。當浸沒基板時，攪動清除組合物可促進光阻劑除去。攪動可藉由機械攪拌、循環或藉由使惰性氣體鼓泡通過清除組合物來實現。
使基板上之物質與清除組合物接觸亦可包括將清除組合物、基板或二者加熱至在指定時間段內提供物質之除去的溫度。可將清除組合物、基板或二者加熱至不大於130℃、不大於99℃或不大於80℃之溫度。此外，可將清除組合物、基板或二者加熱至至少30℃、至少45℃或至少60℃之溫度。此外，可將清除組合物、基板或二者加熱至包括於40℃至130℃、50℃至105℃或60℃至90℃範圍內之溫度。使清除組合物及/或基板之溫度升高之熱量可由熱源來提供，例如傳導性熱源、輻射性熱源或對流性熱源。
可使基板與清除組合物接觸達不大於120分鐘、不大於60分鐘、不大於30分鐘或不大於10分鐘之指定持續時間。此外，可使基板與清除組合物接觸達至少5分鐘、至少20分鐘或至少30分鐘之指定持續時間。亦可將清除組合物、基板或二者加熱達5分鐘至90分鐘之時間範圍。
與清除組合物接觸一段時間後，然後可將基板沖洗並乾燥。例如，可使用去離子水(DI)及/或低沸點溶劑(例如丙酮及異丙醇(IPA))使基板經受一或多個沖洗操作。可使用多個操作來沖洗基板，例如DI沖洗，隨後IPA沖洗。另一選擇為，可使基板於IPA中沖洗，隨後於DI中沖洗。施加該等沖洗步驟之順序可發生變化，且沖洗步驟可重複多 次。最後，可使基板經受一或多個乾燥操作，例如使用空氣、氮或氬中之一或多者之流乾燥或表面張力梯度乾燥(馬蘭哥尼效應(Marangoni effect))。
在實施例中，基板或「晶圓」可置於具有容納一定體積之清除組合物之孔的容器內部。可將一定體積之清除組合物添加至孔中，使得晶圓頂部上液體塗層之厚度小於4mm厚、或可小於3.5mm厚、或小於3mm厚、或小於2.5mm厚、或小於2mm厚。另一選擇為，調配物之厚度可大於0.5mm厚、大於1mm厚或大於1.5mm厚。晶圓上方液體塗層之厚度可較薄或較厚，此端視應用及欲除去物質(例如抗蝕劑)而定。
使容器中基板上之物質與清除組合物接觸亦可包括將清除組合物、基板或二者加熱至在指定時間段內提供物質之除去的溫度。可將清除組合物、基板或二者加熱至不大於130℃、不大於120℃或不大於110℃之溫度。另一選擇為，可將清除組合物、基板或二者加熱至至少90℃、至少100℃或至少105℃之溫度。此外，可將清除組合物、基板或二者加熱至包括於95℃至110℃範圍內之溫度。使清除組合物及/或基板之溫度升高之熱量可由熱源來提供，例如傳導性熱源、輻射性熱源或對流性熱源。
可使基板與清除組合物接觸達不大於20分鐘、不大於12分鐘或不大於8分鐘之指定持續時間。此外，可使基板與清除組合物接觸達至少1分鐘、至少3分鐘或至少10分鐘之指定持續時間。亦可將清除組合物、基板或二者加熱達1分鐘至12分鐘、3分鐘至10分鐘或4分鐘至8分鐘之時間範圍。
加熱後，可自孔除去基板或晶圓，沖洗，並乾燥。例如，可用加壓水沖洗基板或晶圓。在實施例中，加壓水可自霧化膜噴嘴提供。加壓水可以20磅/平方英吋(psi)至70psi或30psi至60psi提供。加壓水 亦可以45psi提供。可用加壓水將樣品沖洗10秒至40秒。然後可用低沸點溶劑(例如丙酮或IPA)沖洗樣品。施加該等沖洗步驟之順序可發生變化，且沖洗步驟可重複多次。最後，可使樣品經受一或多個乾燥操作，例如使用空氣、氮或氬中之一或多者之流乾燥、藉由旋轉乾燥來乾燥及表面張力梯度乾燥(馬蘭哥尼效應)。
儘管已特定針對結構特徵及/或方法行為用語言闡述標的物，但應理解，在隨附申請專利範圍中所界定之標的物未必限於所述特定特徵或行為。相反，特定特徵及行為係作為實施申請專利範圍之實例性形式來揭示。
實例
在以下實例中，使用多種清除組合物除去基於丙烯酸之厚乾膜，用基於錫之無鉛焊料填充，且在介電材料上圖案化(實例1-4)或除去負性旋塗膜抗蝕劑，用基於錫之無鉛焊料填充，且在來自半導體晶圓之物理氣相沈積(PVD)之銅金屬膜上圖案化(實例5及6)。抗蝕劑除去係使用以下兩種技術中之一者來實施：浸沒製程或較高溫度、短製程時間清潔製程。兩種除去技術係在回流製程後實施。
對於浸沒製程，在燒杯中處理半導體晶圓之試樣大小之樣品。用100mL清除組合物填充燒杯且加熱至70℃之目標溫度。當清除組合物處於目標溫度時，將試樣置於燒杯中之容器中，且藉由攪拌棒提供輕微攪動。在整個製程中將溫度維持在70℃之目標溫度下。30分鐘之總處理時間後，自燒杯除去試樣，用DI水及IPA沖洗，且用空氣流乾燥。
在較高溫度中，在熱板上處理半導體晶圓之短製程時間製程試樣大小之樣品。將試樣置於具有體積為2.7mL之孔之容器內部。用1.8mL清除組合物部分填充孔以覆蓋試樣，在試樣之頂部上產生約2mm之清除組合物厚度。將容器置於熱板上，使得液體溫度達到約100 ℃-105℃。將樣品加熱不同時間，此端視所測試之具體清除組合物而定。加熱時間展示於下文特定實例中。加熱後，然後使用鑷子自孔除去試樣且使用45psi之加壓水經由霧化膜噴嘴沖洗10秒。最後，用IPA沖洗試樣且用空氣流吹乾。
對於下文所闡述之實驗，觀察清除組合物之溶液均質性、基於丙烯酸之厚乾膜抗蝕劑之抗蝕劑除去及介電相容性或銅相容性(端視具體樣品中下伏抗蝕劑之基板而定)。若清除組合物之樣品在約23℃下靜置48hr且保持均質，則記錄為「良好」溶液均質性。「較差」均質性定義為當在室溫下靜置48hr時沈澱固體之清除組合物。若自晶圓試樣表面除去所有抗蝕劑，則將抗蝕劑除去定義為「清潔」；若自表面除去至少80%之抗蝕劑，則定義為「幾乎清潔」；若自表面除去約50%之抗蝕劑，則定義為「部分清潔」；且若自表面除去<50%之抗蝕劑，則定義為「不清潔」。若發現顯著損壞、裂紋、溶脹或粗糙度增加，則介電相容性記錄為「不可接受」；若發現僅少量電介質粗糙化且無裂紋或溶脹，則記錄為「可接受」；且若未發現電介質粗糙化、裂紋或溶脹，則記錄為「良好」。若抗蝕劑除去不足以有效地暴露電介質表面，則介電相容性記錄為未獲得(NA)。若銅膜被完全除去或顏色明顯改變，則銅相容性記錄為「不可接受」；若在銅膜上僅發現少量氧化，則記錄為「可接受」；且若銅金屬之表面看上去為初始且未發現氧化，則記錄為「良好」。
在下文所列示之多種組合物中使用以下縮寫：AEEA=胺基乙基乙醇胺；DETA=二伸乙基三胺；DMAE=2-二甲基胺基乙醇；DMDPAH=氫氧化二甲基二丙基銨；DMSO=二甲基亞碸；FFA=糠醇；MEA=單乙醇胺；MIPA=單異丙醇胺；MMB=3-甲氧基3-甲基丁醇；PG=丙二醇；TEAH=氫氧化四乙基銨；THFA=四氫糠醇；且TMAH=氫氧化四甲基銨。
實例1
表2列示對使用浸沒製程及具有介電基板之半導體晶圓之實例1測試之6種清除組合物。表2中之所有清除組合物皆包括氫氧化四級銨(例如TMAH或DMDPAH)。表2中所展示之結果說明新穎清除組合物1-2具有優於使用DMSO之市售組合物3-5的性能優點。表2中所有組合物之加熱時間為30分鐘。
實例2
表3展示不含氫氧化四級銨、但含有多種烷醇胺(例如MEA、DMAE及MIPA)之3種清除組合物之測試結果。實例2使用浸沒製程及具有介電基板之半導體晶圓。實例2中所有組合物之加熱時間為30分鐘。實例2中所有組合物之均質清除組合物穩定性皆良好。表3中所展示之結果說明新穎清除組合物7-8具有優於使用極性非質子溶劑(即DMSO)製備之清除組合物7的介電相容性。
實例3
表4展示不含氫氧化銨之9種清除組合物之測試結果，以評估胺及極性質子溶劑對抗蝕劑除去之效能之效應。實例3使用浸沒製程及具有介電基板之半導體晶圓。實例3中所有組合物之加熱時間為30分 鐘。實例3中所有組合物之均質清除組合物穩定性皆良好。表3中所展示之結果說明清除組合物10-18用於除去光阻劑之有效性。選擇具體極性質子溶劑(例如THFA、FFA或苄醇)及胺(例如MEA、DMAE、MIPA、DETA或AEEA)可最佳化特定光阻劑除去應用之系統。
實例4
表5展示用於施加至具有介電基板之半導體晶圓之較高溫度、短製程時間製程中的3種清除組合物之測試結果。表4包括包含氫氧化四級銨(例如TMAH及TEAH)之清除組合物18-20以及不包括氫氧化四級銨、但確實包括多種烷醇胺(例如MEA、DMAE及MIPA)之組合物18。表5中所展示之結果說明清除組合物並非製程依賴性的，且可用於多種不同的清潔製程中。
清除組合物亦可含有通常介於約0.01%至約3%範圍內之量之可選表面活性劑。氟表面活性劑之一實例係DuPont FSO(氟化調聚物B單醚，其含有聚乙二醇(50%)、乙二醇(25%)、1,4-二噁烷(<0.1%)、水(25%))。其他有用的表面活性劑包括(但不限於)二醇棕櫚酸酯、聚山梨醇酯80、聚山梨醇酯60、聚山梨醇酯20、月桂基硫酸鈉、椰油基葡萄糖苷、月桂基-7硫酸鹽、月桂基葡萄糖羧酸鈉、月桂基葡萄糖苷、椰油醯麩醯胺酸二鈉、月桂醇醚-7檸檬酸鹽、椰油醯兩性基二乙酸二鈉；非離子型Gemini表面活性劑，包括例如以商品名ENVIROGEM 360出售之彼等；非離子型氟表面活性劑，包括例如以商品名Zonyl FSO出售之彼等；離子型氟化表面活性劑，包括例如以商品名Capstone FS-10出售之彼等；環氧乙烷聚合物表面活性劑，包括例如以商品名SURFYNOL 2502出售之彼等；及泊洛沙胺(poloxamine)表面活性劑，包括例如以商品名TETRONIC 701出售之彼等；及其混合物。
實例5
表6展示使用浸沒製程自具有銅金屬基板之半導體晶圓除去50μm厚之基於丙烯酸之負性旋塗抗蝕劑JSR THB-S375N的含有氫氧化四級銨之清除組合物之測試結果。加熱時間為60分鐘。實例5中清除組合物之均質清除組合物穩定性為良好。表6中所展示之結果說明與 清除組合物1-2類似、但與銅金屬基板一起使用之有利結果。
實例6
表7展示與較高溫度、短製程時間製程一起使用之清除組合物之測試結果。清除組合物22包括三種烷醇胺，但不包括氫氧化四級銨，且用於自具有銅金屬基板之半導體晶圓除去15μm厚之負性旋塗抗蝕劑AZ 15nXT。加熱時間為1分鐘且均質清除組合物穩定性為良好。表7中所展示之結果說明，自金屬表面除去光阻劑展示在製造多種裝置之整合製程中之清潔能力。
說明性實施例
儘管申請者之揭示內容包括對上述特定實施例之提及，但應理解，彼等業內實踐者可在不背離本發明之精神及範疇的情況下對所揭示實施例作出修改及改變。意欲涵蓋所有該等修改及改變。因此，下文所列示之實施例僅具有說明性且無限制性。
實施例1：一種組合物，其包含1重量%至90重量%之極性質子溶 劑；1重量%至75重量%之胺或烷醇胺；及0.5重量%至10重量%之氫氧化四級銨。
實施例2：如實施例1之組合物，其中極性質子溶劑係以25重量%至75重量%存在。
實施例3：如實施例1之組合物，其中極性質子溶劑係以小於40重量%之量存在。
實施例4：如實施例1之組合物，其中極性質子溶劑係以大於60重量%之量存在。
實施例5：如實施例1-4之組合物，其進一步包含不大於20重量%之量之極性非質子溶劑。
實施例6：如實施例1-5之組合物，其中胺或烷醇胺係以20重量%至50重量%之量存在。
實施例7：如實施例1-6之組合物，其中極性質子溶劑係糠醇(FFA)、四氫糠醇(THFA)、苄醇、環己醇、(4-甲基環己基)甲醇、羥甲基環己烷、間甲酚或其混合物。
實施例8：如實施例1-7之組合物，其中極性質子溶劑包含環狀分子。
實施例9：如實施例1-8之組合物，其中胺係二伸乙基三胺(DETA)、三伸乙基四胺(TETA)、四伸乙基五胺、二甲基苄基胺、丙二醯胺、四氫糠胺、糠胺或其混合物。
實施例10：如實施例1-9之組合物，其中烷醇胺係胺基乙基乙醇胺(AEEA)、二甲基胺基乙醇(DMAE)、單乙醇胺(MEA)、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-乙基二乙醇胺、單異丙醇胺(MIPA)、二異丙醇胺、三異丙醇胺、N-甲基異丙醇胺、N-乙基異丙醇胺、N-丙基異丙醇胺、2-胺基丙-1-醇、N-甲基-2-胺基丙-1-醇、N-乙基-2-胺 基丙-1-醇、1-胺基丙-3-醇、N-甲基-1-胺基丙-3-醇、N-乙基-1-胺基丙-3-醇、1-胺基丁-2-醇、N-甲基-1-胺基丁-2-醇、N-乙基-1-胺基丁-2-醇、2-胺基丁-1-醇、N-甲基-2-胺基丁-1-醇、N-乙基-2-胺基丁-1-醇、3-胺基丁-1-醇、N-甲基-3-胺基丁-1-醇、N-乙基-3-胺基丁-1-醇、1-胺基丁-4-醇、N-甲基-1-胺基丁-4-醇、N-乙基-1-胺基丁-4-醇、1-胺基-2-甲基丙-2-醇、2-胺基-2-甲基丙-1-醇、1-胺基戊-4-醇、2-胺基-4-甲基戊-1-醇、2-胺基己-1-醇、3-胺基庚-4-醇、1-胺基辛-2-醇、5-胺基辛-4-醇、1-胺基丙-2,3-二醇、2-胺基丙-1,3-二醇、參(氧基甲基)胺基甲烷、1,2-二胺基丙-3-醇、1,3-二胺基丙-2-醇、2-(2-胺基乙氧基)乙醇(DGA)、羥乙基嗎啉、1-(2-羥乙基)六氫吡啶、N-(2-羥乙基)-2-吡咯啶酮或其混合物。
實施例11：如實施例1-10之組合物，其中氫氧化四級銨係氫氧化四甲基銨(TMAH)、氫氧化四乙基銨(TEAH)、氫氧化三甲基乙基銨(TMEAH)、氫氧化苄基三甲基銨(BTMAH)、氫氧化二甲基二丙基銨(DMDPAH)、氫氧化四丙基銨(TPAH)、氫氧化四丁基銨(TBAH)或其混合物。
實施例12：如實施例1-4及6-11之組合物，其中該組合物不包括極性非質子溶劑。
實施例13：如實施例1-12之組合物，其中極性質子溶劑係四氫糠醇(THFA)，烷醇胺係單乙醇胺(MEA)，且氫氧化四級銨係氫氧化二甲基二丙基銨(DMDPAH)。
實施例14：一種方法，其包含提供在基板之一個表面之至少一部分上佈置有物質的基板；及使基板及物質與包含極性質子溶劑、胺或烷醇胺及氫氧化四級銨的組合物接觸。
實施例15：一種組合物，其包含1重量%至75重量%之極性質子溶劑；1重量%至75重量%之胺或第一烷醇胺；及0.5重量%至50重量% 之不同於第一烷醇胺之第二烷醇胺。
實施例16：如實施例15之組合物，其中極性質子溶劑係以20重量%至60重量%之量存在。
實施例17：如實施例15-16之組合物，其中第一烷醇胺係以4重量%至60重量%之量存在。
實施例18：如實施例15-17之組合物，其中胺係以4重量%至60重量%之量存在。
實施例19：如實施例15-18之組合物，其中第一烷醇胺係以7重量%至50重量%之量存在。
實施例20：如實施例15-19之組合物，其中第二烷醇胺係以0.5重量%至20重量%之量存在。
實施例21：如實施例15-20之組合物，其中極性質子溶劑係糠醇(FFA)、四氫糠醇(THFA)、苄醇、環己醇、(4-甲基環己基)甲醇、羥甲基環己烷、間甲酚或其混合物。
實施例22：如實施例15-21之組合物，其中極性質子溶劑包含環狀分子。
實施例23：如實施例15-22之組合物，其中第一烷醇胺及第二烷醇胺各自獨立地係胺基乙基乙醇胺(AEEA)、二甲基胺基乙醇(DMAE)、單乙醇胺(MEA)、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-乙基二乙醇胺、單異丙醇胺(MIPA)、二異丙醇胺、三異丙醇胺、N-甲基異丙醇胺、N-乙基異丙醇胺、N-丙基異丙醇胺、2-胺基丙-1-醇、N-甲基-2-胺基丙-1-醇、N-乙基-2-胺基丙-1-醇、1-胺基丙-3-醇、N-甲基-1-胺基丙-3-醇、N-乙基-1-胺基丙-3-醇、1-胺基丁-2-醇、N-甲基-1-胺基丁-2-醇、N-乙基-1-胺基丁-2-醇、2-胺基丁-1-醇、N-甲基-2-胺基丁-1-醇、N-乙基-2-胺基丁-1-醇、3-胺基丁-1-醇、N-甲基-3-胺 基丁-1-醇、N-乙基-3-胺基丁-1-醇、1-胺基丁-4-醇、N-甲基-1-胺基丁-4-醇、N-乙基-1-胺基丁-4-醇、1-胺基-2-甲基丙-2-醇、2-胺基-2-甲基丙-1-醇、1-胺基戊-4-醇、2-胺基-4-甲基戊-1-醇、2-胺基己-1-醇、3-胺基庚-4-醇、1-胺基辛-2-醇、5-胺基辛-4-醇、1-胺基丙-2,3-二醇、2-胺基丙-1,3-二醇、參(氧基甲基)胺基甲烷、1,2-二胺基丙-3-醇、1,3-二胺基丙-2-醇、2-(2-胺基乙氧基)乙醇、(DGA)、羥乙基嗎啉、1-(2-羥乙基)六氫吡啶、N-(2-羥乙基)-2-吡咯啶酮或其混合物。
實施例24：如實施例15-23之組合物，其進一步包含0.5重量%至25重量%之不同於第一烷醇胺且不同於第二烷醇胺之第三烷醇胺。
實施例25：如實施例15-24之組合物，其中該組合物不包括極性非質子溶劑。
實施例26：如實施例15-25之組合物，其中極性質子溶劑係四氫糠醇(THFA)，第一烷醇胺係單乙醇胺(MEA)，且第二烷醇胺係二甲基胺基乙醇(DMAE)或單異丙醇胺(MIPA)。
實施例27：如實施例15-26之組合物，其中第二烷醇胺係二甲基胺基乙醇(DMAE)且進一步包含為單異丙醇胺(MIPA)之第三烷醇胺。
實施例28：一種方法，其包含提供在基板之一個表面之至少一部分上佈置有物質的基板；及使基板及物質與包含極性質子溶劑、胺或第一烷醇胺及不同於第一烷醇胺之第二烷醇胺的組合物接觸。
實施例29：一種組合物，其包含四氫糠醇(THFA)、糠醇(FFA)或苄基醇(BA)；單乙醇胺(MEA)；及氫氧化四級銨或除MEA外之烷醇胺，其中該組合物不包括極性非質子溶劑。

Claims (20)

  1. 一種組合物，其包含：1重量%至90重量%之極性質子溶劑；1重量%至75重量%之胺或烷醇胺；及0.5重量%至10重量%之氫氧化四級銨，在每一情形下皆係基於該組合物之重量。
  2. 如請求項1之組合物，其中該極性質子溶劑包含糠醇(FFA)、四氫糠醇(THFA)、苄醇、環己醇、(4-甲基環己基)甲醇、羥甲基環己烷、間甲酚或其混合物。
  3. 如請求項1之組合物，其包含胺，其中該胺包含二伸乙基三胺(DETA)、三伸乙基四胺(TETA)、四伸乙基五胺、苄基胺、二甲基苄基胺、丙二醯胺、四氫糠胺、糠胺或其混合物。
  4. 如請求項1之組合物，其中該氫氧化四級銨包含氫氧化四甲基銨(TMAH)、氫氧化四乙基銨(TEAH)、氫氧化三甲基乙基銨(TMEAH)、氫氧化苄基三甲基銨(BTMAH)、氫氧化二甲基二丙基銨(DMDPAH)、氫氧化四丙基銨(TPAH)、氫氧化四丁基銨(TBAH)或其混合物。
  5. 如請求項1之組合物，其包含：1重量%至90重量%之量之苄醇；1重量%至75重量%之量之苄基胺；0.5重量%至10重量%之量之氫氧化四甲基銨或氫氧化四乙基銨。
  6. 如請求項1之組合物，其包含：1重量%至90重量%之量之四氫糠醇或糠醇；1重量%至75重量%之量之單乙醇胺； 0.5重量%至10重量%之量之氫氧化二甲基二丙基銨、氫氧化四甲基銨或氫氧化四乙基銨。
  7. 如請求項1至6中任一項之組合物，其中該極性質子溶劑係以50重量%至90重量%存在。
  8. 如請求項1至6中任一項之組合物，其中該極性質子溶劑係以20重量%至50重量%存在。
  9. 如請求項1至6中任一項之組合物，其中該胺或烷醇胺係以3重量%至15重量%之量存在。
  10. 如請求項1至6中任一項之組合物，其中該胺或烷醇胺係以20重量%至50重量%之量存在。
  11. 如請求項1至6中任一項之組合物，其中該氫氧化四級銨係以1重量%至8重量%之量存在。
  12. 如請求項1至6中任一項之組合物，其中極性非質子溶劑係以不大於2重量%之量存在。
  13. 如請求項1至6中任一項之組合物，其進一步包含以0.5重量%至4重量%之量存在之水。
  14. 一種方法，其包含：提供基板，其在該基板之一個表面之至少一部分上佈置有物質；及使該基板及該物質與包含以下各項之組合物接觸：極性質子溶劑，其包含糠醇(FFA)、四氫糠醇(THFA)、苄醇、環己醇、(4-甲基環己基)甲醇、羥甲基環己烷、間甲酚或其混合物；胺或烷醇胺，其包含二伸乙基三胺(DETA)、三伸乙基四胺(TETA)、四伸乙基五胺、苄基胺、二甲基苄基胺、丙二醯胺、四氫糠胺、糠胺、單乙醇胺或其混合物；及 氫氧化四級銨，其包含氫氧化四甲基銨(TMAH)、氫氧化四乙基銨(TEAH)、氫氧化三甲基乙基銨(TMEAH)、氫氧化苄基三甲基銨(BTMAH)、氫氧化二甲基二丙基銨(DMDPAH)、氫氧化四丙基銨(TPAH)、氫氧化四丁基銨(TBAH)或其混合物。
  15. 一種組合物，其包含：1重量%至75重量%之極性質子溶劑；1重量%至75重量%之胺或第一烷醇胺；及0.5重量%至50重量%之不同於該第一烷醇胺之第二烷醇胺。
  16. 如請求項15之組合物，其中該極性質子溶劑係以20重量%至60重量%之量存在，且該第一烷醇胺或胺係以4重量%至60重量%之量存在。
  17. 如請求項15之組合物，其中胺係以4重量%至60重量%之量存在。
  18. 如請求項15之組合物，其中該第二烷醇胺係以0.5重量%至20重量%之量存在。
  19. 如請求項15至19中任一項之組合物，其中該極性質子溶劑包含糠醇(FFA)、四氫糠醇(THFA)、苄醇、環己醇、(4-甲基環己基)甲醇、羥甲基環己烷、間甲酚或其混合物；且該組合物包含第一烷醇胺及第二烷醇胺，其各自獨立地包含胺基乙基乙醇胺(AEEA)、二甲基胺基乙醇(DMAE)、單乙醇胺(MEA)、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-乙基二乙醇胺、單異丙醇胺(MIPA)、二異丙醇胺、三異丙醇胺、N-甲基異丙醇胺、N-乙基異丙醇胺、N-丙基異丙醇胺、2-胺基丙-1-醇、N-甲基-2-胺基丙-1-醇、N-乙基-2-胺基丙-1-醇、1-胺基丙-3- 醇、N-甲基-1-胺基丙-3-醇、N-乙基-1-胺基丙-3-醇、1-胺基丁-2-醇、N-甲基-1-胺基丁-2-醇、N-乙基-1-胺基丁-2-醇、2-胺基丁-1-醇、N-甲基-2-胺基丁-1-醇、N-乙基-2-胺基丁-1-醇、3-胺基丁-1-醇、N-甲基-3-胺基丁-1-醇、N-乙基-3-胺基丁-1-醇、1-胺基丁-4-醇、N-甲基-1-胺基丁-4-醇、N-乙基-1-胺基丁-4-醇、1-胺基-2-甲基丙-2-醇、2-胺基-2-甲基丙-1-醇、1-胺基戊-4-醇、2-胺基-4-甲基戊-1-醇、2-胺基己-1-醇、3-胺基庚-4-醇、1-胺基辛-2-醇、5-胺基辛-4-醇、1-胺基丙-2,3-二醇、2-胺基丙-1,3-二醇、參(氧基甲基)胺基甲烷、1,2-二胺基丙-3-醇、1,3-二胺基丙-2-醇、2-(2-胺基乙氧基)乙醇、(DGA)、羥乙基嗎啉、1-(2-羥乙基)六氫吡啶、N-(2-羥乙基)-2-吡咯啶酮或其混合物。
  20. 如請求項15之組合物，其中該組合物不包括極性非質子溶劑。
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