TW201537592A

TW201537592A - 積體變壓器

Info

Publication number: TW201537592A
Application number: TW103110339A
Authority: TW
Inventors: Kai-Yi Huang; Hsiao-Tsung Yen; Yuh-Sheng Jean; Ta-Hsun Yeh
Original assignee: Realtek Semiconductor Corp
Priority date: 2014-03-19
Filing date: 2014-03-19
Publication date: 2015-10-01
Also published as: US9824812B2; US20150270054A1; TWI456600B

Abstract

一種積體變壓器包含有一第一繞線、一第二繞線及多個橋接線，其中該第一繞線係由一第一金屬層所形成，且該第一繞線具有不相連的多個區段；該第二繞線係由一第二金屬層所形成，且該第二繞線具有不相連的多個區段；該多個橋接線係由一第三金屬層所形成，其中該多個橋接線中一部分的橋接線係分別用來連接該第一繞線的該多個區段，以使得該第一繞線的該多個區段形成一第一電感；以及該多個橋接線中另一部分的橋接線係分別用來連接該第二繞線的該多個區段，以使得該第二繞線的該多個區段形成一第二電感。

Description

積體變壓器

本發明係有關於變壓器，尤指一種積體變壓器。

變壓器(transformer)以及平衡/非平衡式變壓器(balun)為射頻積體電路中用來實現單端至差動訊號轉換、訊號耦合、阻抗匹配等功能的重要元件，隨著積體電路往系統級晶片(System on Chip，SoC)發展，積體變壓器(integrated transformer/balun)已逐漸取代傳統的分離式元件，而被廣泛地使用在射頻積體電路中。然而，積體電路中的被動元件，例如電感及變壓器，往往會消耗大量的晶片面積，因此，如何將積體電路中被動元件的數量簡化以及將被動元件的面積最小化，並同時最佳化元件特性，例如品質因數(quality factor，Q)及耦合係數(coupling coefficient，K)等等，是一個重要的課題。

因此，本發明的目的之一在於提供一種積體變壓器，其具有高的品質因數及耦合係數，且可以使用較少的金屬層來實現，以降低晶片的製造成本並最佳化其元件特性。

依據本發明一實施例，一種積體變壓器包含有一第一繞線、一第二繞線及多個橋接線，其中該第一繞線係由一第一金屬層所形成，且該第一繞線具有不相連的多個區段；該第二繞線係由一第二金屬層所形成，且該第二繞線具有不相連的多個區段；該多個橋接線係由一第三金屬層所形成，其中該多個橋接線中一部分的橋接線係分別用來連接該第一繞線的該多個區段，以使得該第一繞線的該多個區段形成一第一電感；以及該多個橋接線中另一部分的橋接線係分別用來連接該第二繞線的該多個區段，以使得該第二繞線的該多個區段形成一第二電感。

依據本發明另一實施例，一種積體變壓器包含有一第一繞線、一第二繞線及至少兩個第三繞線，其中該第一繞線係由一第一金屬層所形成、該第二繞線係由一第二金屬層所形成、且該兩個第三繞線由該第三金屬層所形成，其中該第三金屬層係位於該第一金屬層與該第二金屬層之間。該兩個第三繞線之一係電性連接到該第一繞線，該兩個第三繞線之另一係電性連接到該第二繞線，且該兩個第三繞線彼此係電性隔絕。

110‧‧‧第一金屬層

111、121、211、221、311_1、311_2、321、411、421‧‧‧輸入/輸出端點

112、114、116、118、212、214、412、 414、416、418‧‧‧第一繞線的區段

119、127、129、219、229、329、419、427、429‧‧‧貫通孔

120‧‧‧第二金屬層

122、124、126、128、222、224、422、424、426、428‧‧‧第二繞線的區段

130‧‧‧第三金屬層

132、134、232、234、332、432、434、442‧‧‧橋接線

136、138、236、322、324、436、438、439‧‧‧第三繞線

142、144、146‧‧‧介電層

312‧‧‧第一繞線

322‧‧‧第二繞線

第1A圖為依據本發明一實施例之積體變壓器的三個金屬層的圖樣。

第1B圖為第1A圖所示之積體變壓器的上視圖及下視圖。

第1C圖為第1B圖之上視圖的X-X’剖面及Y-Y’剖面的側視圖。

第1D圖為第1A、1B圖中位於橋接線132附近的剖面結構示意圖。

第2A圖為依據本發明另一實施例之積體變壓器的三個金屬層的圖樣。

第2B圖為第2A圖所示之積體變壓器的上視圖及下視圖。

第3A圖為依據本發明另一實施例之積體變壓器的三個金屬層的圖樣。

第3B圖為第3A圖所示之積體變壓器的上視圖及下視圖。

第4A、4B圖為依據本發明一實施例之積體變壓器的四個金屬層的圖樣。

第4C圖為第4A、4B圖所示之積體變壓器的上視圖及下視圖。

請參考第1A圖、第1B圖及第1C圖，其中第1A圖為依據本發明一實施例之積體變壓器的三個金屬層的圖樣，第1B圖為依據本發明一實施例之積體變壓器的上視圖及下視圖，且第1C圖為依據本發明一實施例之積體變壓器的側視圖。本實施例之積體變壓器例如可應用於射頻晶片中的變壓器(transformer)或是平衡/非平衡式變壓器(balun)

關於本實施例之積體變壓器，請先參考第1A圖，積體變壓器主要由三個金屬層所構成，其中圖示的第一金屬層的圖樣係為一第一繞線(primary winding)，且包含了兩個輸入/輸出端點(port)111及多個不相連的區段112、114、116、118，且每一個區段包含至少一個貫通孔(via hole)119；圖示的第二金屬層的圖樣係為一第二繞線(secondary winding)，且包含了兩個輸入/輸出端點(port)121及多個不相連的區段122、124、126、128，且每一個區段包含至少一個貫通孔，例如圖示的貫通孔127、129；此外，圖示的第三金屬層的圖樣係包含多個橋接線(例如圖示的132、134)，以及多個第三繞線(例如圖示的136、138)。此外，在本實施例中，第三金屬層是位於第一金屬層與第二金屬層之間。

接著，請同時參考第1A圖及第1B圖，在第1B圖的上視圖中，第一繞線的各個區段112、114、116、118分別透過貫通孔電性連接到使用第三金屬層製作的橋接線(例如圖示的橋接線132)，並透過這些橋接線與另一個區段電性連接。舉例來說，圖示的區段112可透過橋接線132電性連接到區段116。透過橋接線的連結，第一繞線的各個區段112、114、116、118會全部連接形成一第一電感(primary inductor)。

另外，在第1B圖的下視圖中，第二繞線的各個區段122、124、126、128分別透過貫通孔電性連接到使用第三金屬層製作的橋接線(例如圖示的橋接線134)，並透過這些橋接線與另一個區段電性連接。舉例來說，圖示的區段122可透過橋接線134電性連接到區段128。透過橋接線的連結，第二繞線的各個區段122、124、126、128會全部連接形成一第二電感(secondary inductor)，其中該第二電感本身電性絕緣於該第一電感。

需注意的是，在第1B圖的上視圖中，考慮到圖式的簡潔起見，只繪出了第一繞線及與第一繞線有直接相連接的第三金屬層，而並未繪出第二金屬層及所有的第三金屬層；基於同樣理由，在第1B圖的下視圖中，也只繪出了第二繞線及與第二繞線有直接相連接的第三金屬層，而並未繪出第一金屬層及所有的第三金屬層。在本實施例的積體變壓器中，除了橋接線或輸入/輸出端點等地方，第1A圖中第一金屬層、第二金屬層及第三金屬層中每一圈的圖樣是重疊的。

此外，第1C圖為第1B圖之上視圖的X-X’剖面及Y-Y’剖面的側視圖，如第1C圖所示，第一金屬層110、第三金屬層130及第二金屬層120分別由介電層142、144、146與其他金屬層進行隔絕。

如第1A圖、第1B圖及第1C圖所示，由於本實施例的積體變壓器的第一繞線以及與第二繞線所使用的橋接線係使用同一個金屬層(亦即，第三金屬層130)來製作，因此，本實施例的積體變壓器只需要三個金屬層便可製作完成，因此可以確實降低製作成本。

需注意的是，第1A圖、第1B圖及第1C圖之線圈於俯視時實質上為共中心且至少部份重疊的圖案形式。

雖然第1A、1B、1C圖所示的積體變壓器只使用三個金屬層來實作，但本發明並不以此為限，在本發明之其他實施例中，參考第1C圖，第一金屬層110的上方可以另外設置多個與第一繞線的圖樣類似的金屬繞線，其分別由另外的金屬層來實作，並彼此互相連接以形成一並聯結構，以降低第一繞線的電阻值，並增加品質因數(Q值)。另外，第二金屬層120的下方亦可以另外設置多個與第二繞線的圖樣類似的金屬繞線，其分別由另外的金屬層來實作，並彼此互相連接已形成一並聯結構，以降低第一繞線的電阻值，並增加品質因數(Q值)。只要第一金屬層110與第二金屬層120使用同一個金屬層(亦即，第三金屬層130)來作為橋接之用，這些設計上的變化均應隸屬於本發明的範疇。

另外，在第1A圖所示的第三金屬層的圖樣中，亦包含了多個第三繞線(如圖示的136、138)，且每一個第三繞線的兩個端點分別透過貫通孔連接到該第二繞線之區段122、124、126、128。特別地，在第1A圖所示的第三金屬層的圖樣中，第三金屬層中除了多個橋接線(如132、134)的部分及必要的保留空間之外，其他位置均用來製作多個第三繞線，且這些第三繞線所形成的圖樣實質相同於該第二繞線所形成的圖樣，亦即在第1A圖所示的第三金屬層除了多個橋接線的部分之外，其餘的圖樣均相同於第二金屬層的圖樣。由於這些第三繞線所形成的圖樣很類似該第二繞線所形成的圖樣，且經由多個貫通孔連接到該第二繞線，因此，可以將這些第三繞線視為與第二繞線並聯，進一步降低了電阻值，並增加了品質因數(Q值)。

如上所述，本實施例中的第三金屬層除了作為橋接線以連接第一繞線的不同區段，以及連接第二繞線的不同區段之外，還可以將剩餘的空間用來製作圖樣以與第二繞線並聯，因此，可以充分地利用第三金屬層，確實降低製作成本及增進元件品質特性。

需注意的是，第1A圖、第1B圖及第1C圖所示的積體變壓器僅為一範例說明，而非是本發明的限制。在本發明的另一實施例中，第1A圖所示的第三金屬層可以只具有橋接線(如圖示的132、134)，而不需要有任何的第三繞線(如圖示的136、138)，亦即第1A圖中的第三繞線(如圖示的136、138)可以自圖示中移除而不會影響到積體變壓器的實質操作，此設計上的變化應隸屬於本發明的範疇。

另外，請參考第1D圖，第1D圖為第1A、1B圖中位於橋接線132附近的剖面結構示意圖。請同時參考第1A、1B圖，在第1D圖中，第一繞線中的區段112係透過貫通孔電性連接到橋接線132，而第二繞線中的區段122係透過貫通孔電性連接到第三繞線136(或138)，因此，此結構會增加第一繞線與第二繞線(或第一電感與第二電感)之間的耦合面積(如圖示的雙箭頭所示)及/或降低第一繞線與第二繞線(或第一電感與第二電感)之間的耦合距離，並增加耦合係數，改善元件特性；而第二繞線與第三繞線所共同形成的第二電感的電感值也會增加或其寄生電阻值也會下降。此外，在一實施例中，第三繞線可以部分與第一繞線連接(橋接或貫通)而形成第一電感，且部分與第二繞線連接而形成第二電感，不一定全為第二繞線所用，本發明不以此為限。

需注意的是，雖然第1D圖所示的剖面結構是位於橋接線132附近，然而，由於第1D圖所示的這種溝渠式結構可以增加第一繞線與第二繞線之間的耦合面積，因此，在本發明之另一實施例中，如第1D圖所示的剖面結構可以被應用在非橋接線的區域。換句話說，第1D圖中的橋接線132可以被替換為與第一繞線中的區段112電性連接的一第三繞線，亦即類似上一段落所述，第三繞線可以部分與第一繞線連接(橋接或貫通)而形成第一電感，且部分與第二繞線連接而形成第二電感，且第三繞線與第一繞線連接的部分會和與第二繞線連接的部分會形成如第1D圖所示的溝渠式結構，以增加第一電感與第二電感之間的耦合面積及/或降低第一電感與第二電感之間的耦合距離，這些設計上的變化應隸屬於本發明的範疇。

第1A~1B圖所示的積體變壓器為一四圈(turns)的結構，然而，在本發明之其他實施例中，積體變壓器可具有其他的圈數。請參考第2A~2B圖，其中第2A圖為依據本發明一實施例之積體變壓器的三個金屬層的圖樣，第2B圖為依據本發明一實施例之積體變壓器的上視圖及下視圖。本實施例之積體變壓器例如可應用於射頻晶片中的變壓器或是平衡/非平衡式變壓器。

關於本實施例之積體變壓器，請先參考第2A圖，積體變壓器主要由三個金屬層所構成，其中圖示的第一金屬層的圖樣係為一第一繞線(primary winding)，且包含了兩個輸入/輸出端點(port)211及多個不相連的區段212、214，且每一個區段包含至少一個貫通孔(via hole)219；圖示的第二金屬層的圖樣係為一第二繞線(secondary winding)，且包含了兩個輸入/輸出端點(port)221及多個不相連的區段222、224，且每一個區段包含至少一個貫通孔，例如圖示的貫通孔229；此外，圖示的第三金屬層的圖樣係包含多個橋接線，如圖示的232、234，以及多個第三繞線，如圖示的236。此外，在本實施例中，第三金屬層是位於第一金屬層與第二金屬層之間。

接著，請同時參考第2A圖及第2B圖，在第2B圖的上視圖中，第一繞線的區段212透過貫通孔電性連接到使用第三金屬層製作的橋接線(例如圖示的橋接線232)，並透過橋接線232與區段214電性連接，而透過橋接線232的連結，第一繞線的區段212、214、216、218會連接形成一第一電感(primary inductor)。

另外，在第2B圖的下視圖中，第二繞線的區段222透過貫通孔電性連接到使用第三金屬層製作的橋接線(例如圖示的橋接線234)，並透過橋接線234與區段224電性連接，透過橋接線234的連結，第二繞線的區段222、224會連接形成一第二電感(secondary inductor)，其中該第二電感本身電性絕緣於該第一電感。

需注意的是，在第2B圖的上視圖中，考慮到圖式的簡潔起見，只繪出了第一繞線及與第一繞線有直接相連接的第三金屬層，而並未繪出第二金屬層及所有的第三金屬層；基於同樣理由，在第2B圖的下視圖中，也只繪出了第二繞線及與第二繞線有直接相連接的第三金屬層，而並未繪出第一金屬層及所有的第三金屬層。在本實施例的積體變壓器中，除了橋接線或輸入/輸出端點等地方，第2A圖中第一金屬層、第二金屬層及第三金屬層中每一圈的圖樣是重疊的。

類似於第1A~1C圖所示的積體變壓器，第2A~2B圖所示的積體變壓器的第一繞線以及與第二繞線所使用的橋接線係使用同一個金屬層(亦即，第三金屬層)來製作，因此，本實施例的積體變壓器只需要三個金屬層便可製作完成，因此可以確實降低製作成本。此外，參考以上對第1A~1C圖的相關敘述，第2A~2B圖所示的積體變壓器在設計上亦可作相對應的變化，例如圖式的第三繞線236可以移除，且第1D圖所示的剖面結構可以應用在非橋接線的區域，由於本領域技術人員在閱讀過以上針對第1A~1C圖所述的實施例及可能的設計變化之後應能了解如何對第2A~2B圖的積體變壓器作修改，故在此不予贅述。

另外，在本發明之其他實施例中，積體變壓器的第一繞組與第二繞組的圈數比(turn ratio)並不限定於1：1，亦可為1：2、2：3、n：m).這些設計上的變化均應隸屬於本發明的範疇

另外，在第1A~1B、2A~2B圖的實施例中，電感繞線的形狀均為方形，然而，在本發明之其他實施例中，電感繞線的形狀可以為六角形、八角型等不同的形狀，或是可以為圓形，這些設計上的變化均應隸屬於本發明的範疇。

此外，第1A~1B、2A~2B圖所示之積體變壓器中亦可設置中心抽頭(center tap)。

以上第1A~1B、2A~2B圖所揭露的積體變壓器中的第一繞線與第二繞線均為對稱繞線結構(symmetric type winding)，然而，在本發明其他實施例中，積體變壓器中的第一繞線與第二繞線亦可為非對稱繞線結構(Asymmetric type winding)，請參考第3A圖及第3B圖，其中第3A圖為依據本發明一實施例之積體變壓器的三個金屬層的圖樣，第3B圖為依據本發明一實施例之積體變壓器的上視圖及下視圖。本實施例之積體變壓器可為製作於射頻晶片中的變壓器或是平衡/非平衡式變壓器。

關於本實施例之積體變壓器，請先參考第3A圖，積體變壓器主要由三個金屬層所構成，其中圖示的第一金屬層的圖樣係為一第一繞線(primary winding)312，第一繞線為螺旋狀繞線(非對稱繞線)且包含了一輸入/輸出端點(port)311_1；圖示的第二金屬層的圖樣係為一第二繞線(secondary winding)322，且包含了兩個輸入/輸出端點(port)321及多個不相連的區段，且每一個區段包含至少一個貫通孔，例如圖示的貫通孔329，此外，第二繞線322的整體形狀亦為螺旋狀繞線(非對稱繞線)；此外，圖示的第三金屬層的圖樣係包含多個第三繞線，如圖示的322、324，其中第三繞線324上具有與輸入/輸出端點311_1同一組的另一輸入/輸出端點311_2。此外，在本實施例中，第三金屬層是位於第一金屬層與第二金屬層之間。

接著，請同時參考第3A圖及第3B圖，在第3B圖的上視圖中，第一繞線312透過貫通孔319電性連接到使用第三金屬層製作的第三繞線324，透過第三繞線324的連結，第一繞線312與第三繞線324會連接形成一第一電感(primary inductor)。

另外，在第3B圖的下視圖中，第二繞線的一區段透過貫通孔電性連接到使用第三金屬層製作的橋接線(例如圖示的橋接線332)，並透過橋接線與另一區段電性連接，透過橋接線的連結，第二繞線的各個區段會連接形成一第二電感(secondary inductor)，其中該第二電感本身電性隔絕於該第一電感。

需注意的是，在第3B圖的上視圖中，考慮到圖式的簡潔起見，只繪出了第一繞線及與第一繞線有直接相連接的第三金屬層，而並未繪出第二金屬層及所有的第三金屬層；基於同樣理由，在第3B圖的下視圖中，也只繪出了第二繞線及與第二繞線有直接相連接的第三金屬層，而並未繪出第一金屬層及所有的第三金屬層。在本實施例的積體變壓器中，除了橋接線或輸入/輸出端點等地方，第3A圖中第一金屬層、第二金屬層及第三金屬層中每一圈的圖樣是重疊的。

第3A~3B圖所示的積體變壓器為一四圈(turns)的結構，然而，在本發明之其他實施例中，積體變壓器可具有其他的圈數，例如二圈等等，這些設計上的變化均應隸屬於本發明的範疇。

類似於第1A~1C、2A~2B圖所示的積體變壓器，第3A~3B圖所示的積體變壓器的第一繞線以及與第二繞線連接到的第三繞線或是橋接線係使用同一個金屬層(亦即，第三金屬層)來製作，因此，本實施例的積體變壓器只需要三個金屬層便可製作完成，因此可以確實降低製作成本。此外，參考以上對第1A~1C圖的相關敘述，第3A~3B圖所示的積體變壓器在設計上亦可作相對應的變化，例如圖式的第三繞線332可以移除，且第1D圖所示的剖面結構可以應用在非橋接線的區域，由於本領域技術人員在閱讀過以上針對第1A~1C圖所述的實施例及可能的設計變化之後應能了解如何對第3A~3B圖的積體變壓器作修改，故在此不予贅述。

以上第1A~1B、2A~2B圖所揭露的積體變壓器中的第一繞線與第二繞線均為對稱繞線結構，而第3A~3B圖所揭露的積體變壓器中的第一繞線與第二繞線均為非對稱繞線結構，然而，在本發明另一實施例中，積體變壓器中的第一繞線與第二繞線中之一可以是對稱繞線結構，而第一繞線與第二繞線中之另一可以是非對稱繞線結構，由於本領域技術人員在閱讀過以上針對第1A~1C、2A~2B、3A~3B圖所述的實施例之後應能了解如何設計此種積體變壓器，故在此不予贅述。

另外，請參考第4A圖、第4B圖及第4C圖，其中第4A、4B圖為依據本發明一實施例之積體變壓器的四個金屬層的圖樣，第4C圖為依據本發明一實施例之積體變壓器的上視圖及下視圖。本實施例之積體變壓器可為製作於射頻晶片中的變壓器(transformer)或是平衡/非平衡式變壓器(balun)。

關於本實施例之積體變壓器，請先參考第4A、4B圖，積體變壓器主要由四個金屬層所構成，其中圖示的第一金屬層的圖樣係為一第一繞線(primary winding)，且包含了兩個輸入/輸出端點(port)411及多個不相連的區段412、414、416、418，且每一個區段包含至少一個貫通孔(via hole)419；圖示的第二金屬層的圖樣係為一第二繞線(secondary winding)，且包含了兩個輸入/輸出端點(port)421及多個不相連的區段422、424、426、428，且每一個區段包含至少一個貫通孔，例如圖示的貫通孔427、429；圖示的第三金屬層的圖樣係包含多個橋接線(例如圖示的432、434)及多個第三繞線(例如圖示的436、438、439)，其中第三繞線439本身作為一中心抽頭(center tap)繞線；此外，圖示的第四金屬層的圖樣係包含多個橋接線442。在本實施例中，積體變壓器的金屬層由上而下(或是由下而上)分別是第四金屬層、第一金屬層、第三金屬層以及第二金屬層。

接著，請同時參考第4A圖、第4B圖及第4C圖，在第4C圖的上視圖中，第一繞線的各個區段412、414、416、418分別透過貫通孔電性連接到使用第四金屬層製作的橋接線(例如圖示的橋接線442)，並透過這些橋接線與另一個區段電性連接。舉例來說，圖示的區段412可透過橋接線432電性連接到區段416。透過橋接線的連結，第一繞線的各個區段412、414、416、418會全部連接形成一第一電感(primary inductor)。此外，第一繞線也透過貫通孔來連接到使用第三金屬層製作的第三繞線439(亦即，中心抽頭繞線)。

另外，在第4C圖的下視圖中，第二繞線的各個區段422、424、426、428分別透過貫通孔電性連接到使用第三金屬層製作的橋接線(例如圖示的橋接線434)，並透過這些橋接線與另一個區段電性連接。舉例來說，圖示的區段422可透過橋接線434電性連接到區段428。透過橋接線的連結，第二繞線的各個區段422、424、426、428會全部連接形成一第二電感(secondary inductor)，其中該第二電感本身電性隔絕於該第一電感。

需注意的是，在第4C圖的上視圖中，考慮到圖式的簡潔起見，只繪出了第一繞線及與第一繞線有直接相連接的第三、第四金屬層，而並未繪出第二金屬層及所有的第三金屬層；基於同樣理由，在第4C圖的下視圖中，也只繪出了第二繞線及與第二繞線有直接相連接的第三金屬層，而並未繪出第一金屬層、第四金屬層及所有的第三金屬層。在本實施例的積體變壓器中，除了橋接線、輸入/輸出端點及中心抽頭等地方，第4A、4B圖中第一金屬層、第二金屬層及第三金屬層中每一圈的圖樣是重疊的。

與第1A~1B圖所示的實施例相比，第4A~4C圖的實施例雖然另外多用了一個第四金屬層，但此設計可另外降低第一繞線的串聯電阻，且第三金屬層可另外用於第一繞線的中心抽頭繞線。

另外，參考以上對第1A~1C圖的相關敘述，第4A~4C圖所示的積體變壓器在設計上亦可作相對應的變化，例如圖式的第三繞線432可以移除，且第1D圖所示的剖面結構可以應用在非橋接線的區域，由於本領域技術人員在閱讀過以上針對第1A~1C圖所述的實施例及可能的設計變化之後應能了解如何對第4A~4C圖的積體變壓器作修改，故在此不予贅述。

簡要歸納本發明，在本發明之積體變壓器中，係採用同一層金屬層來做為第一繞線與第二繞線的橋接線，因此，積體變壓器可以使用較少的金屬層來實現；此外，由於作為橋接層的金屬層為溝渠式橋接結構，因此其具有高的品質因數及耦合係數。

以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

111、121‧‧‧輸入/輸出端點

112、114、116、118‧‧‧第一繞線的區段

119、127、129‧‧‧貫通孔

122、124、126、128‧‧‧第二繞線的區段

132、134‧‧‧橋接線

136、138‧‧‧第三繞線

Claims

一種積體變壓器，包含有：一第一繞線，其中該第一繞線係由一第一金屬層所形成，且該第一繞線具有不相連的多個區段；一第二繞線，其中該第二繞線係由一第二金屬層所形成，且該第二繞線具有不相連的多個區段；以及多個橋接線，由一第三金屬層所形成，其中該多個橋接線中一部分的橋接線係分別用來連接該第一繞線的該多個區段，以使得該第一繞線的該多個區段形成一第一電感；以及該多個橋接線中另一部分的橋接線係分別用來連接該第二繞線的該多個區段，以使得該第二繞線的該多個區段形成一第二電感。
如申請專利範圍第1項所述之積體變壓器，另包含有：至少一第三繞線，由該第三金屬層所形成，其中該第三繞線的兩個端點分別透過貫通孔連接到該第二繞線之該多個區段中的一區段。
如申請專利範圍第2項所述之積體變壓器，其中該第三繞線的兩個端點分別透過貫通孔連接到該第二繞線之該多個區段中的該區段的一部分，且該第三繞線的圖樣與該部分的圖樣相同。
如申請專利範圍第1項所述之積體變壓器，另包含有：多個第三繞線，由該第三金屬層所形成，其中每一個第三繞線的兩個端點分別透過貫通孔連接到該第二繞線之該多個區段中的一區段；其中除了該多個橋接線的部分，該多個第三繞線所形成的圖樣實質相同於該第二繞線所形成的圖樣。
如申請專利範圍第1項所述之積體變壓器，另包含有：至少兩個第三繞線，由該第三金屬層所形成，其中該兩個第三繞線之一係電性連接到該第一繞線，該兩個第三繞線之另一係電性連接到該第二繞線，且該兩個第三繞線彼此係電性隔絕。
如申請專利範圍第5項所述之積體變壓器，其中該兩個第三繞線並非作為該第一繞線或是該第二繞線之不同區段的橋接線。
一種積體變壓器，包含有：一第一繞線，其中該第一繞線係由一第一金屬層所形成；一第二繞線，其中該第二繞線係由一第二金屬層所形成；以及至少兩個第三繞線，由一第三金屬層所形成，其中該第三金屬層係位於該第一金屬層與該第二金屬層之間；其中該兩個第三繞線之一係電性連接到該第一繞線，該兩個第三繞線之另一係電性連接到該第二繞線，且該兩個第三繞線彼此係電性隔絕。
如申請專利範圍第7項所述之積體變壓器，其中該第一繞線具有不相連的多個區段，該第二繞線具有不相連的多個區段，且該兩個第三繞線並非作為該第一繞線或是該第二繞線之不同區段的橋接線。
如申請專利範圍第8項所述之積體變壓器，其中該兩個第三繞線之該另一的兩個端點分別透過貫通孔連接到該第二繞線之該多個區段中的一區段的一部分，且該兩個第三繞線之該另一的圖樣與該部分的圖樣實質上相同。
如申請專利範圍第8項所述之積體變壓器，另包含有：多個橋接線，由該第三金屬層所形成，其中該多個橋接線中一部分的橋接線係分別用來連接該第一繞線的該多個區段，以使得該第一繞線的該多個區段形成一第一電感；以及該多個橋接線中另一部分的橋接線係分別用來連接該第二繞線的該多個區段，以使得該第二繞線的該多個區段形成一第二電感。
如申請專利範圍第8項所述之積體變壓器，其中電性連接到該第一繞線的該兩個第三繞線之一係為一中心抽頭繞線。