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TW201536960A - 陶瓷熔射塗膜包覆構件及半導體製造裝置用構件 - Google Patents

陶瓷熔射塗膜包覆構件及半導體製造裝置用構件 Download PDF

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TW201536960A
TW201536960A TW104103404A TW104103404A TW201536960A TW 201536960 A TW201536960 A TW 201536960A TW 104103404 A TW104103404 A TW 104103404A TW 104103404 A TW104103404 A TW 104103404A TW 201536960 A TW201536960 A TW 201536960A
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coating film
spray coating
layer
crack
ceramic
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TW104103404A
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Hiroki Yokota
Mitsuharu Inaba
Tatsuya Fukushi
Yuhei Ohide
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Tocalo Co Ltd
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Publication date
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Abstract

本發明的課題為提供一種耐腐蝕性、電絕緣性及耐久性優良的陶瓷熔射塗膜包覆構件及半導體製造裝置用構件。 本發明的解決手段為一種陶瓷熔射塗膜包覆構件1，將高能束照射於基材2上的陶瓷熔射塗膜3的表面形成緻密化層4。使由在積層狀態下互相分散的複數個熔射材料構成的裂痕抑制層存在於緻密化層4之下。在深部方向超過緻密化層4而進展起來的裂痕6到達複數個熔射材料的界面時，發生該界面接觸界線的熔射材料彼此的不一致，使裂痕6的力釋放，並且使其方向轉換而抑制裂痕6的進展。               【代表圖】

Description

陶瓷熔射塗膜包覆構件及半導體製造裝置用構件
本發明是關於藉由高能束(high energy beam)的照射使基材(substrate)上的陶瓷熔射塗膜(ceramic thermal spray coating)的表層緻密化並賦予耐腐蝕性(corrosion resistance)或減少微粒(particle)等的功能性，並且防止由於高能束的照射而產生的裂痕(crack)之朝深部方向進展之陶瓷熔射塗膜包覆構件及半導體製造裝置用構件。
為了提高構造物的耐磨耗性、低摩擦化等，在構造構件的表面形成各種熔射塗膜當作熔射塗膜包覆構件被進行。熔射法(thermal spraying method)是將陶瓷、金屬、金屬陶瓷(cermet)等的熔射粉末材料供給至可燃性氣體的燃燒火焰中，或供給至藉由Ar、He、H2 等的氣體而使其產生的電漿噴流焰(plasma jet flame)中，在使該等陶瓷、金屬、金屬陶瓷等的熔射粉末材料成軟化或熔融的狀態，藉由以高速噴塗至被熔射體的表面，在被熔射體的表面形成熔射塗膜的表面處理技術。
隨著熔射塗膜包覆構件的適用領域的擴大，熔射材料使用陶瓷的陶瓷熔射塗膜包覆構件被期待更進一步的提高功能性。陶瓷熔射塗膜包覆構件的用途之一有構成CVD裝置(Chemical Vapor Deposition equipment:化學氣相沉積裝置)、PVD裝置(Physical Vapor Deposition equipment:物理氣相沉積裝置)、光阻塗佈裝置(resist coater)等的半導體製造裝置的構造構件。在半導體製程中的處理容器內因包含氟化物或氯化物的處理氣體(processed gas)常被使用，故有被置於處理容器內的各種構件腐蝕的問題。因此，在相關的製程所使用的構件除了電絕緣性之外，也被要求耐腐蝕性。進而在處理容器內產生之被稱為微粒(particle)的微粒子的存在會影響半導體元件製品的品質或良率(yield)。針對這種問題的對策是在半導體製造裝置用構件的表面形成陶瓷熔射塗膜，提高電絕緣性及耐腐蝕性，並且使微粒的產生減少。
但是，在過嚴的腐蝕性氣體存在的條件下等，有未必能得到充分的耐腐蝕性的效果的情形。除此之外，在電路不斷地微細化(refinement)的半導體元件的製程中，迄今未被視為問題的更微細的尺寸的微粒的產生也開始被視為問題。因此，已知有將高能束照射於形成於基材上的熔射塗膜的表面，使表層的塗膜組成物再熔融、再凝固，使表層成緻密化層被進行，據此，耐腐蝕性或微粒的減少效果格外地提高。
例如在專利文獻1記載有在基材表面熔射週期表的第13族元素的氧化物，形成多孔層，藉由對多孔層的表層高能照射形成二次再結晶層，當作半導體加工裝置用陶瓷包覆構件的製造方法的技術。在專利文獻2記載有具備如下之半導體製造裝置用構件：藉由將雷射束(laser beam)或電子束(electron beam)照射於陶瓷熔射塗膜使該熔射塗膜表層的陶瓷組成物再熔融、再凝固，形成有網眼狀的龜裂之高強度陶瓷層。
[專利文獻1] 日本國特開2007-247043號公報 [專利文獻2] 日本國特開2013-095973號公報
但是，在基材表面熔射週期表的第13族元素的氧化物，形成多孔層，藉由對多孔層的表層高能照射形成二次再結晶層，當作半導體加工裝置用陶瓷包覆構件的製造方法的技術(專利文獻1)中，在藉由高能照射使多孔層熔融，形成二次再結晶層時，在多孔層產生裂痕被預想到。會擔心由於該裂痕的形態而使微粒的增加或耐腐蝕性的降低及電絕緣性的降低等。
在具備藉由將雷射束或電子束照射於陶瓷熔射塗膜使該熔射塗膜表層的陶瓷組成物再熔融、再凝固，形成有網眼狀的龜裂之高強度陶瓷層的半導體製造裝置用構件(專利文獻2)中，在使熔射塗膜表層的陶瓷組成物再熔融、再凝固時，控制在熔射塗膜表層產生網眼狀的裂痕的大小。但是，會擔心在裂痕朝熔射塗膜的深部側深深地形成的情形下，熔射塗膜的損傷或電絕緣性的顯著的降低。
因此，本發明是鑑於習知技術的問題點，其目的為提供一種耐腐蝕性、電絕緣性及耐久性優良的陶瓷熔射塗膜包覆構件及半導體製造裝置用構件。
為了達成上述目的，採取以下的技術手段。也就是說本發明為一種陶瓷熔射塗膜包覆構件，將高能束照射於基材上的陶瓷熔射塗膜的表面形成緻密化層，其特徵在於:在前述緻密化層之下存在由在積層狀態下互相分散的複數個熔射材料構成的裂痕抑制層。
在本發明的陶瓷熔射塗膜包覆構件的緻密化層之下存在阻止照射高能束形成緻密化層時的裂痕的進展的裂痕抑制層。因裂痕抑制層藉由分散的複數個熔射材料構成，故在深部方向超過緻密化層而進展起來的裂痕到達複數個熔射材料的界面時，發生該界面接觸界線的熔射材料彼此的不一致。因此，裂痕的力被釋放，可阻止更進一步的裂痕的進展。可藉由複數個熔射材料在積層狀態下分散而有效地使由緻密化層進展起來的裂痕的方向轉換。因此，即使加大雷射束的能量進行照射，使緻密化層的厚度增大，也能抑制超過緻密化層的裂痕的進展。
可藉由包含氧化物系陶瓷(oxide-based ceramics)的兩種以上的陶瓷構成前述複數個熔射材料，可大大地使進展至裂痕抑制層的裂痕的方向轉換。
前述複數個熔射材料之中的至少一個若以20μm~200μm左右的寬度形成略扁平狀的話，可更加大由緻密化層進展起來的裂痕的力的釋放效果，可更大大地使裂痕方向轉換。
藉由以50μm以上的厚度形成前述裂痕抑制層，可更確實地阻止裂痕的進展。
前述裂痕抑制層中的前述複數個熔射材料之中的一個的含有率為3vol%~97vol%較佳。據此可更有效地阻止裂痕的進展。
本發明的半導體製造裝置用構件是由在基材上形成有陶瓷熔射塗膜之陶瓷熔射塗膜包覆構件構成，其特徵在於:該陶瓷熔射塗膜包覆構件為在上述說明的陶瓷熔射塗膜包覆構件。
在構成本發明的半導體製造裝置用構件的陶瓷熔射塗膜包覆構件的緻密化層之下存在阻止照射高能束形成緻密化層時的裂痕的進展的裂痕抑制層。因裂痕抑制層藉由分散的複數個熔射材料構成，故在深部方向超過緻密化層而進展起來的裂痕到達複數個熔射材料的界面時，發生該界面接觸界線的熔射材料彼此的不一致。因此，裂痕的力被釋放，可阻止更進一步的裂痕的進展。可藉由複數個熔射材料在積層狀態下分散而有效地使由緻密化層進展起來的裂痕的方向轉換。因此，即使加大雷射束的能量進行照射，使緻密化層的厚度增大，也能抑制超過緻密化層的裂痕的進展。
依照本發明，進行利用雷射等的高能束的照射時，即使加大能量使緻密化層的厚度增大，也能抑制在深部方向產生的裂痕的進展，故可提高耐腐蝕性、電絕緣性及耐久性。
就本發明的實施形態進行說明。圖1是與本發明的第一實施形態有關的陶瓷熔射塗膜包覆構件1之剖面模式圖。陶瓷熔射塗膜包覆構件1是在例如半導體製造裝置等的各式各樣的用途被使用，藉由基材2，與形成於該基材2的表面的陶瓷熔射塗膜3構成。此外，在請求項1所謂的基材上的陶瓷熔射塗膜是指包含在基材的表面直接形成有陶瓷熔射塗膜的情形，在基材隔著底塗(undercoat)或其他的層形成有陶瓷熔射塗膜的情形的任一方。
基材2可舉出金屬、陶瓷、金屬陶瓷、高分子材料、碳纖維(carbon fiber)或複合陶瓷的高分子材料等，未被特別限定。以在構件上形成堆焊(weld overlaying)、電鍍及另一熔射塗膜等當作基材2也可以。也可以配設堆焊、電鍍及另一熔射塗膜等當作陶瓷熔射塗膜3的底塗。
陶瓷熔射塗膜3的表層成為藉由照射高能束形成的緻密化層4，其下層(圖1下側的層)成為抑制進展起來的裂痕用的裂痕抑制層5。
就照射高能束前的陶瓷熔射塗膜進行說明。此處所謂的陶瓷熔射塗膜對應圖1中的陶瓷熔射塗膜3。陶瓷熔射塗膜包含至少一個氧化物系陶瓷，且藉由熔射由兩種以上的陶瓷構成的複數個熔射材料而形成。陶瓷熔射塗膜的厚度為50μm~4000μm的範圍較適合。在厚度未滿50μm下，塗膜的均勻性降低無法充分發揮耐腐蝕性或耐電絕緣性等的塗膜功能，一超過4000μm，就因塗膜內部的殘留應力(residual stress)的影響而使塗膜的機械強度(mechanical strength)降低。
構成陶瓷熔射塗膜的陶瓷熔射材料的組合藉由包含氧化物系陶瓷的兩種以上的陶瓷成膜較佳。陶瓷熔射材料的具體例可舉出：以選自於Ni、Cr、Co、Al、Ta、Y、W、Nb、V、Ti、B、Si、Mo、Zr、Fe、Hf、La、Ni的群的元素單體或該等元素的一種以上為主成分的氧化物系陶瓷、氮化物系陶瓷、氟化物系陶瓷、碳化物系陶瓷、硼化物系陶瓷等或氧化物系陶瓷、氮化物系陶瓷、氟化物系陶瓷、碳化物系陶瓷、硼化物系陶瓷的混合物。
氧化物系陶瓷的具體例可舉出Al2 O3 、HfO2 、La2 O3 、Al2 O3 /SiO2 、NiO、ZrO2 /SiO2 、TiO2 、SiO2 、Cr2 O3 、ZrO2 、Y2 O3 、MgO、CaO等。氮化物系陶瓷可舉出TiN、TaN、AlN、BN、Si3 N4 、HfN、NbN、YN、ZrN、Mg3 N2 、Ca3 N2 等。氟化物系陶瓷可舉出LiF、CaF2 、BaF2 、YF3 、AlF3 、ZrF4 、MgF2 等。碳化物系陶瓷可舉出TiC、WC、TaC、B4 C、SiC、HfC、ZrC、VC、Cr3 C2 等。硼化物系陶瓷可舉出TiB2 、ZrB2 、HfB2 、VB2 、TaB2 、NbB2 、W2 B5 、CrB2 、LaB6 等。
為了形成陶瓷熔射塗膜，例如藉由預先混合複數個陶瓷熔射粉末，使用一個材料供給裝置將該陶瓷熔射粉末投入到熔射槍(thermal spraying gun)的框架(frame)而進行熔射。另一方法是將不同的熔射粉末放入複數個材料供給裝置的各個，使用該裝置將不同的熔射粉末同時投入到熔射槍的框架而進行熔射。
用以形成陶瓷熔射塗膜的熔射方法可舉出大氣電漿熔射法(atmospheric plasma spraying method)、低壓電漿熔射法(low pressure atmosphere plasma spraying method)、水穩電漿熔射法(water stabilized plasma spraying method)、高速火焰熔射法(high velocity flame spraying method)、氣體火焰熔射法(gas flame spraying method)、爆炸火焰熔射法(detonation flame spraying method)等。特別是以電能為熱源的電漿熔射法(plasma spraying method)是利用氬、氫及氮等當作電漿的產生源而成膜，因熱源溫度高、火焰速度快，特別是可緻密地將高熔點的材料成膜，故適合形成陶瓷熔射塗膜3用的熔射方法。
用以形成陶瓷熔射塗膜的原料粉末使用粒徑5μm~80μm左右的粒度範圍(size range)的粉末。若使用該粒度範圍的陶瓷粉末進行熔射，則能以20μm~200μm左右的寬度熔射成略扁平狀。若粉末粒徑比5μm小，則粉末的流動性降低無法進行穩定的供給，塗膜的厚度容易變成不均勻，若超過80μm的話，則有在未完全熔融下被成膜之虞，因過度地被多孔化使膜質變粗糙，故不佳。利用該等各熔射法的成膜條件只要依照基材、原料粉末、膜厚、製造環境等適宜設定的話即可。
緻密化層4藉由將高能束照射於陶瓷熔射塗膜的表層而形成。緻密化層4的下層成為未被進行緻密化處理的裂痕抑制層5。藉由使陶瓷熔射塗膜的表層再熔融、再凝固，使構成陶瓷熔射塗膜的不同的陶瓷熔射組織的邊界變少，緻密化層4成為非常緻密的塗膜組織。該緻密化層4的平均孔隙率(mean porosity)未滿5%較佳，未滿2%更佳。
緻密化層4的厚度由表面起10μm~200μm左右較佳。若比10μm還薄，則形成緻密化層4的效果小，若以超過200μm的厚度，則在形成緻密化層4的效果飽和上，使其再熔融、再凝固的表層的殘留應力過大，對外部的力的耐衝擊性反而降低。
用以得到緻密化層4的高能束是指雷射束及電子束等。高能束的照射是以雷射束或電子束掃描形成於基材2上的陶瓷熔射塗膜的表面而進行。高能束的掃描有藉由電流掃描器(galvano scanner)等進行的方法，或將掃描的對象物(XY stage)，使XY平台移動於X方向及Y方向而進行的方法等，只要適宜調節掃描條件以滿足緻密化層4所要求的厚度或孔隙率(porosity)而進行的話即可。
在雷射束的照射中使用CO2 氣體雷射、YAG雷射(Yttrium Aluminum Garnet laser：釔鋁石榴石雷射)較佳。推薦如下的條件當作雷射束的照射條件：雷射輸出：0.01~1kW、雷射束面積：0.01~250mm2 、照射速度：1~100mm/s。推薦如下的條件當作電子束的照射條件：照射環境：10~0.0005Pa、照射輸出：0.1~8kW、照射速度：1~30m/s。在該等條件下只要適宜調節照射條件以滿足緻密化層4所要求的厚度或孔隙率而進行的話即可。
緻密化層4因與照射高能束前的陶瓷熔射塗膜的表層比較具有非常緻密的構造，故機械強度提高，可提高耐腐蝕性或微粒的減少效果。
一般照射高能束形成緻密化層時，由於使陶瓷熔射塗膜的表層再熔融、再凝固時的收縮而產生裂痕。當裂痕之朝塗膜深部方向的進展過深時會造成耐腐蝕性、耐受電壓(withstand voltage)等的塗膜功能的降低。在本實施形態中，使阻止裂痕6的進展的裂痕抑制層5存在於緻密化層4之下。在本實施形態所謂的緻密化層4之下是指使接觸該緻密化層4並存在於正下方之意，不是在緻密化層4之下隔著某些層而存在此一意思。裂痕抑制層5必須存在於接觸緻密化層4的位置。
裂痕抑制層5是在熔射陶瓷熔射塗膜3後，照射高能束在陶瓷熔射塗膜3中的上層側形成緻密化層4時的當作該緻密化層4的下層而得的層。因此，裂痕抑制層5包含至少一個氧化物系陶瓷，且藉由由兩種以上的陶瓷構成的複數個熔射材料構成。
裂痕抑制層5是藉由熔射複數個熔射材料而得的層，複數個熔射材料成為在該裂痕抑制層5中在積層狀態下互相分散的材料。藉由裂痕抑制層5的存在，可大大地使進展至該裂痕抑制層5的裂痕6的方向轉換，可確實地阻止裂痕6之朝深部方向進展。
藉由裂痕抑制層5的複數個熔射材料包含至少一個氧化物系陶瓷，使熔射性提高，使耐腐蝕性及耐受電壓等的塗膜功能提高。在選擇了Al2 O3 、TiO2 、Y2 O3 等的良率高的熔射材料的情形下而成為工學上有利。裂痕抑制層5中的具有積層構造的複數個熔射材料之中的至少一個以20μm~200μm左右的寬度形成略扁平狀。此處所謂的寬度是指沿著圖1左右方向的長度。若複數個熔射材料的至少一個比20μm小，則因無法大大地使裂痕6的進展轉換，故抑制裂痕6的進展的效果小，在比200μm大的情形下，在積層構造中產生多數個裂痕，阻止裂痕6之朝深部方向進展的效果變小。
裂痕抑制層5的厚度為40μm以上較佳，100μm以上更佳。可藉由以這種厚度更確實地阻止裂痕6之朝深部方向進展。若裂痕抑制層5的厚度比40μm薄，則裂痕6往往會超過裂痕抑制層5而朝深部方向進展。
裂痕抑制層5中的以複數個熔射材料之中的一個熔射材料構成的積層塗膜的含有率為3vol%~97vol%較佳，10vol%~90vol%更佳。可藉由以這種含有率更確實地阻止裂痕6之朝深部方向進展。當該含有率比3vol%小或比97vol%大時，包含於裂痕抑制層5的複數個熔射材料彼此的界面的面積變小。因此，裂痕6無法到達相關的界面，有裂痕6之朝深部方向進展的抑制效果消失的情形。
如以上，在本實施形態的陶瓷熔射塗膜包覆構件1的緻密化層4之下存在阻止照射高能束形成緻密化層4時的裂痕的進展之裂痕抑制層5，裂痕抑制層5藉由分散的複數個熔射材料構成。因此，在深部方向超過緻密化層4而進展起來的裂痕6到達複數個熔射材料的界面時，發生該界面接觸界線的熔射材料彼此的不一致。因此，裂痕6的力被釋放，可阻止更進一步的裂痕6的進展。可藉由複數個熔射材料在積層狀態下分散而有效地使由緻密化層4進展起來的裂痕6的方向轉換。
因此，即使加大雷射束的能量進行照射，使緻密化層4的厚度增大，也能抑制超過緻密化層4的裂痕6的進展。據此，進行利用雷射等的高能束的照射時，即使加大能量使緻密化層4的厚度增大，也能抑制在深部方向產生的裂痕的進展，故可提高耐腐蝕性、電絕緣性及耐久性。
圖2是與本發明有關的陶瓷熔射塗膜包覆構件的剖面之電子顯微鏡照片。該陶瓷熔射塗膜包覆構件是分別以50vol%的含有率將Al2 O3 與Y2 O3 混合並以此當作熔射粉末，藉由電漿熔射法將該熔射粉末熔射於Al製的基材上，進而照射0.03kW的CO2 雷射束形成緻密化層的例子。陶瓷熔射塗膜的厚度以400μm左右，緻密化層的厚度以50μm左右。構成緻密化層的下層之裂痕抑制層中的積層構造的各熔射材料以20μm~200μm左右的寬度成略扁平狀。認定了進展至緻密化層的裂痕被其正下方的裂痕抑制層阻止。
[實施例] 使用實施例更詳細地說明本發明。本發明不是被限定於以下的實施例。基材使用50mm×50mm×10mm的鋁(A5052)材，在該基材上藉由電漿熔射法形成陶瓷熔射塗膜，使用0.03kW的CO2 雷射適宜設定雷射照射條件(掃描速度或間距等)形成了緻密化層。使熔射材料、各熔射材料的含有率、熔射後的熔射材料的扁平寬、裂痕抑制層的厚度變化製作實施例1~11及比較例1~5的試樣，評價了裂痕是否貫通裂痕抑制層。將結果顯示於表1。認定了在各實施例中裂痕之朝深部的進展被抑制。
[表1]
圖3是與本發明的第二實施形態有關的陶瓷熔射塗膜包覆構件10之剖面模式圖。在第一實施形態中基材2上的塗膜是以由裂痕抑制層5與緻密化層4構成的兩層構造，而在本實施形態中基材11上的塗膜是以由介電層(dielectric layer)12與裂痕抑制層13與緻密化層14構成的三層構造。在本實施形態的陶瓷熔射塗膜包覆構件10中，在基材11上形成構成介電層12的熔射塗膜，進而在該介電層12的表面形成由複數個熔射材料構成的陶瓷熔射塗膜15。然後，將高能束照射於由複數個熔射材料構成的陶瓷熔射塗膜15的表面，在陶瓷熔射塗膜15的表層形成緻密化層14。如此在緻密化層14之下形成裂痕抑制層13抑制裂痕16的進展。
本發明不是被限定於上述的實施形態及實施例。陶瓷熔射塗膜包覆構件的適用對象不被限定，只要藉由與本發明有關的陶瓷熔射塗膜包覆構件構成例如半導體製造裝置用構件的話即可。此情形可使半導體製造裝置用構件的耐久性格外地提高。
圖4是顯示陶瓷熔射塗膜包覆構件的三個例子之模式剖面圖。圖4 的(a)是顯示未形成緻密化層的未處理構件20，圖4 的(a1)~ (a3)是調整高能束的能量，使緻密化層21的厚度變化的例子。在未照射圖4 (a)所示的高能束的未處理構件20中，在基材22上形成有由複數個熔射材料構成的陶瓷熔射塗膜23，進而在其表面形成有其他的陶瓷熔射塗膜24。
圖4(a1)的例子為其他的陶瓷熔射塗膜的區域成為緻密化層21，進而緻密化層21稍微進入由複數個熔射材料構成的陶瓷熔射塗膜23的區域之陶瓷熔射塗膜包覆構件。圖4(a2)的例子為僅其他的陶瓷熔射塗膜的區域成為緻密化層21之陶瓷熔射塗膜包覆構件。圖4(a3)的例子為其他的陶瓷熔射塗膜的區域的一部分成為緻密化層21，殘留其他的陶瓷熔射塗膜24的區域之陶瓷熔射塗膜包覆構件。因此在該例子中，在基材22上依如下的順序形成：陶瓷熔射塗膜23、其他的陶瓷熔射塗膜24、緻密化層21。也就是說為了達成本發明的目的，只要在藉由高能束的照射形成的緻密化層之下存在使複數個陶瓷熔射材料分散的裂痕抑制層的話即可，基材上的塗膜構造不被限定。
1‧‧‧陶瓷熔射塗膜包覆構件
2、11、22‧‧‧基材
3、15、23、24‧‧‧陶瓷熔射塗膜
4、14、21‧‧‧緻密化層
5、13‧‧‧裂痕抑制層
6、16‧‧‧裂痕
12‧‧‧介電層
20‧‧‧未處理構件
圖1是與本發明的第一實施形態有關的陶瓷熔射塗膜包覆構件之剖面模式圖。 圖2是與本發明有關的陶瓷熔射塗膜包覆構件的剖面之電子顯微鏡照片。 圖3是與本發明的第二實施形態有關的陶瓷熔射塗膜包覆構件之剖面模式圖。 圖4(a)~(a3)是顯示陶瓷熔射塗膜包覆構件的三個例子之模式剖面圖。
1‧‧‧陶瓷熔射塗膜包覆構件
2‧‧‧基材
3‧‧‧陶瓷熔射塗膜
4‧‧‧緻密化層
5‧‧‧裂痕抑制層
6‧‧‧裂痕

Claims (6)

  1. 一種陶瓷熔射塗膜包覆構件，將高能束照射於基材上的陶瓷熔射塗膜的表面形成緻密化層，其特徵在於: 在該緻密化層之下存在由在積層狀態下互相分散的複數個熔射材料構成的裂痕抑制層。
  2. 如申請專利範圍第1項之陶瓷熔射塗膜包覆構件，其中該複數個熔射材料藉由包含氧化物系陶瓷的兩種以上的陶瓷構成。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之陶瓷熔射塗膜包覆構件，其中該複數個熔射材料之中的至少一個以20μm~200μm左右的寬度形成略扁平狀。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項之陶瓷熔射塗膜包覆構件，其中該裂痕抑制層以50μm以上的厚度形成。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項之陶瓷熔射塗膜包覆構件，其中該裂痕抑制層中的該複數個熔射材料之中的一個的含有率為3vol%~97vol%。
  6. 一種半導體製造裝置用構件，是由在基材上形成有陶瓷熔射塗膜之陶瓷熔射塗膜包覆構件構成，其特徵在於: 該陶瓷熔射塗膜包覆構件為申請專利範圍第1項至第5項中任一項之陶瓷熔射塗膜包覆構件。
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