TW201512650A - 檢測晶圓上的晶粒的方法 - Google Patents

Abstract

本發明提出一種檢測晶圓上的晶粒的方法，包含：於承載環的中空區域黏貼UV切割膠帶，以形成承載盤；將設置有多個晶粒的晶圓黏貼在UV切割膠帶的第一表面上；將高分子膠塗佈於UV切割膠帶的第二表面上，以形成涵蓋第二表面中的待測區域的透光膜；將黏貼有晶圓的承載盤對齊顯微鏡；利用顯微鏡觀測晶圓中的目標晶粒，以產生擷取影像；將擷取影像與預定比對影像進行比對；若擷取影像與預定比對影像不符，則將目標晶粒判定為瑕疵晶粒。

Description

檢測晶圓上的晶粒的方法

本發明有關檢測晶粒的方法，尤指一種檢測晶圓上的晶粒(dies)的方法。

在現有的積體電路製程中，在進行晶圓切割之前，晶圓會先被放置在黏貼於一承載環中的UV切割膠帶(UV dicing tape)上，以避免切割晶圓時造成晶粒飛散的情況。

然而，一般使用的UV切割膠帶的表面會存在細微的不平整細節，且UV切割膠帶的光折射率約莫為1.5，與空氣的光折射率之間的差距過大。因此，光線通過UV切割膠帶表面的不平整細節時會產生光散射現象，導致無法隔著UV切割膠帶利用顯微鏡清晰地觀測到晶粒內的積體電路佈局的影像。如此一來，在晶圓被切割完成之前，就無法對晶圓上的晶粒內的積體電路佈局(IC layout)是否存在瑕疵進行檢測，也無法對晶粒是否有因切割過程的崩裂而造成受損的瑕疵進行檢測。

也因此，有瑕疵的晶粒也會經過後續的打線及/或封裝程序的處理，一直要等到更後面的電路功能測試階段才會被檢測出來。很明顯地，在現有的晶粒檢測流程中，有太多無謂的打線材料、封裝材料、打線時間、封裝時間、及/或測試時間被耗費在有瑕疵的晶粒上。倘若無法在晶圓切割完成之前就先對晶圓上的晶粒進行瑕疵檢測，就難以有效提升積體電路的製程效率和降低製程成本。

有鑑於此，如何在晶圓切割完成之前，便能對晶圓上的晶粒內的積體電路佈局進行檢測，及/或對晶粒是否有因切割過程的崩裂而造成受損的瑕疵進行檢測，以有效提升積體電路的製程效率和降低製程成本，實為業界有待解決的問題。

本說明書提供一種檢測晶圓上的晶粒的方法的實施例，其包含：於一承載環的一中空區域中黏貼一UV切割膠帶，以形成一承載盤；將設置有多個晶粒的一晶圓黏貼在該UV切割膠帶的一第一表面上；將一高分子膠塗佈於該UV切割膠帶的一第二表面上，以形成涵蓋該第二表面中的一待測區域的一透光膜，其中，該待測區域與該晶圓的一邊界和該邊界內的一全部區域相對應；將黏貼有該晶圓的該承載盤對齊一顯微鏡；利用該顯微鏡觀測該晶圓中的一目標晶粒，以產生一擷取影像；將該擷取影像與一預定比對影像進行比對；以及若該擷取影像與該預定比對影像不符，則將該目標晶粒判定為一瑕疵晶粒。

上述實施例的優點之一，是藉由該透光膜的設置，使得在晶圓切割完成之前，便能利用顯微鏡清晰地觀測到晶圓上的晶粒是否有瑕疵存在，進而避免浪費打線材料、封裝材料、打線時間、封裝時間、及/或測試時間在有瑕疵的晶粒上。

上述實施例的另一優點，是可有效提升積體電路的製程效率並大幅降低製程成本。

本發明的其他優點將藉由以下的說明和圖式進行更詳細的解說。

102～118‧‧‧方法流程

200‧‧‧承載環

202‧‧‧中空區域

300‧‧‧承載盤

320‧‧‧UV切割膠帶

322‧‧‧UV切割膠帶的第一表面

430‧‧‧晶圓

432‧‧‧晶粒

434‧‧‧切割線

524‧‧‧UV切割膠帶的第二表面

536‧‧‧待測區域

640‧‧‧可移除薄片

750‧‧‧透光膜

754‧‧‧透光膜的外表面

860‧‧‧顯微鏡

圖1為本發明檢測晶圓上的晶粒的方法的一實施例簡化後的流程圖。

圖2為本發明一實施例的承載環簡化後的俯視示意圖。

圖3為本發明一實施例的承載盤簡化後的俯視示意圖。

圖4為在圖3中的承載盤上黏貼一晶圓的一實施例簡化後的俯視示意圖。

圖5為圖4的承載盤簡化後的仰視示意圖。

圖6為在圖5的承載盤上黏貼一可移除薄片的一實施例簡化後的示意圖。

圖7為在圖6的承載盤上形成一透光膜的一實施例簡化後的示意圖。

圖8為圖7的承載盤、晶圓、和透光膜的組合沿A-A’方向簡化後的剖面示意圖。

圖9為承載盤上設置有透光膜的情況下，利用顯微鏡所觀測到的晶粒與切割線的一影像照片。

圖10為圖7的承載盤上未設置有透光膜時沿A-A’方向簡化後的剖面示意圖。

圖11為在未設置圖7中的透光膜的情況下，利用顯微鏡所觀測到的晶粒與切割線的一影像照片。

圖12為圖7中的透光膜被水膜取代的情況下，利用顯微鏡所觀測到的晶粒與切割線的一影像照片。

以下將配合相關圖式來說明本發明的實施例。在圖式中，相同的標號表示相同或類似的元件或方法流程。

請參考圖1，其所繪示為本發明檢測晶圓上的晶粒的方法的一實施例簡化後的流程圖。為了便於了解，以下將搭配圖2至圖8來說明圖1的流程圖所描述的方法。

為了在整個檢測過程中能妥善保護晶圓，通常會將要檢測和切割的晶圓黏貼在一承載盤上進行搬移的動作，以避免晶圓在移動的過程中因滑動或掉落地面而受損。

圖2為本發明一實施例的用於形成承載盤的承載環200簡化後的俯視示意圖。在圖2的實施例中，承載環200具有一中空區域202，且承載環200和中空區域202的外形皆呈圓形。實作上，承載環200和中空區域202的形狀可配合半導體製程機台的需要而調整，並不侷限於前述的圓形架構。

在進行圖1的檢測方法時，首先要進行流程102，於承載環200的中空區域202中黏貼一UV切割膠帶320，以形成一承載盤300，如圖3所示。在圖3的實施例中，UV切割膠帶320具有黏性的一第一表面322用來作為承載盤300的承載面。實作上，UV切割膠帶320的光折射率通常接近於1.5。

接著，進行流程104，將設置有多個晶粒432的一晶圓430黏貼在UV切割膠帶320的第一表面322上，如圖4所示。前述的晶圓430是尚未切割完成的晶圓。實作上，晶圓430可以是完全未經過切割的晶圓(亦即晶圓上無切割線存在)，也可以是只經過初步切割但尚未完全切開的晶圓(亦即晶圓上有多條切割線存在、但晶粒間仍彼此相連)。例如，在圖4的實施例中，晶圓430是只經過初步切割但尚未完全切開的晶圓。因此，除了多個晶粒432之外，晶圓430中還包含多條切割線434。由於UV切割膠帶320的第一表面322具有黏性，故可將晶圓430固定在承載盤300上。在檢測晶圓430中的晶粒432的過程中，晶圓430會隨著承載盤300移動到預定的位置。當晶圓430中的晶粒432都檢測完畢後，便可沿著前述的切割線434進行切割晶圓430的動作，此時，第一表面322的黏性會將晶圓430中的多個晶粒432固定在承載盤300上，可避免切割晶圓430時造成晶粒432飛散的情況。

圖5為圖4的承載盤300簡化後的仰視示意圖。在圖5中，標號524代表UV切割膠帶320的另一表面，以下稱為第二表面524。第二表面524中包含與晶圓430的一邊界和該邊界內的一全部區域相對應一待測區域536。換言之，本實施例中的待測區域536相當於是晶圓430在第二表面524上的投影區域。

在流程106中，將可移除薄片640黏貼在UV切割膠帶320的第二表面524上，使得可移除薄片640位於待測區域536以外，如圖6所示。在一實施例中，可移除薄片640可用本身具有黏性的物體(例如一膠帶)來實現。在另一實施例中，可移除薄片640可用本身不具有黏性的物體(例如一塑膠片、一紙片、一金屬片)來實現。當可移除薄片640是本身不具有黏性的物體來實現時，可於流程106中利用適當的黏膠將可移除薄片640黏貼在UV切割膠帶320的第二表面524上。

接著，進行流程108，將一高分子膠塗佈於UV切割膠帶320的第二表面524上，以形成涵蓋第二表面524中的待測區域536的一透光膜750，如圖7所示。如前所述，UV切割膠帶320的第二表面524會存在細微的不平整細節。由於流程108中所使用的高分子膠為流質形式，故將高分子膠塗佈於第二表面524上可有效填平第二表面524上的不平整細節。另外，高分子膠是由流質形式揮發形成固體形式的透光膜750。高分子膠由流質形式固化成透光膜750的過程中，會受到表面張力的作用，使得透光膜750的一外表面754較為平整。

在本實施例中，高分子膠的光折射率介於1.3至1.7之間，因此，由高分子膠構成的透光膜750的光折射率也會介於1.3至1.7之間(例如介於1.45至1.55之間)，非常接近於UV切割膠帶320的光折射率或與UV切割膠帶320的光折射率相等。實作上，透光膜750可以只剛好涵蓋待測區域536的範圍，也可以涵蓋超過待測區域536的範圍，且透光膜750的外形並不侷限於特定形狀。

在流程110中，將黏貼有晶圓430的承載盤300對齊一顯微鏡860，如圖8所示。在圖8的實施例中，可藉由移動承載盤300的方式，或是藉由移動顯微鏡860的方式，將透光膜750與UV切割膠帶320置於晶圓430與顯微鏡860之間。

在流程112中，利用顯微鏡860觀測晶圓430中的一目標晶粒，以產生一擷取影像。如圖8所示，入射光Lin會穿過透光膜750和UV切割膠帶320照射到晶圓430內部，而反射光則會從晶圓430內部穿過UV切割膠帶320和透光膜750形成出射光Lout，並射入顯微鏡860。由於透光膜750的外表面754較為平整，所以從顯微鏡860所觀測的微觀範圍來看幾乎是呈平面狀。因此，當入射光Lin通過空氣與透光膜750的外表面754的交界處時，幾乎不會發生光散射的現象。另外，由於UV切割膠帶320的第二表面524上的不平整細節已被高分子膠所填平，且透光膜750與UV切割膠帶320的光折射率非常接近，所以當入射光Lin通過透光膜750與UV切割膠帶320的第二表面524的交界處時，幾乎不會發生光散射的現象。同樣地，當反射光通過UV切割膠帶320的第二表面524與透光膜750的交界處時，也幾乎不會發生光散射的現象。再者，當反射光通過透光膜750的外表面754與空氣的交界處而形成出射光Lout時，也幾乎不會發生光散射的現象。

因此，顯微鏡860在流程112中便得以隔著透光膜750與UV切割膠帶320清晰地擷取到晶圓430中的目標晶粒的影像，亦即，目標晶粒內的積體電路佈局的影像，及/或目標晶粒的邊界(亦即目標晶粒旁的切割線434)附近區域的影像。

例如，圖9為承載盤300上設置有透光膜750的情況下，利用顯微鏡860所觀測到的晶粒432與切割線434的一影像照片。如圖9所示，藉由在UV切割膠帶320的第二表面524上以前述方式形成透光膜750的方式，顯微鏡860可清晰地觀測到目標晶粒內的積體電路佈局的影像，以及目標晶粒旁的切割線434附近區域的影像。

接著，進行流程114，將顯微鏡860產生的擷取影像與一預定比對影像進行比對。例如，可將顯微鏡860產生的擷取影像傳送至一影像比對電路(未繪示)，並利用該影像比對電路將該擷取影像與該預定比對影像進行比對，以分析目標晶粒內的積體電路佈局是否有瑕疵存在，以及是否有因切割線434崩裂而造成目標晶粒受損的瑕疵存在。

若該擷取影像與該預定比對影像不符，則進行流程116，將該目標晶粒判定為一瑕疵晶粒。

實作上，顯微鏡860於前述的流程112中所產生的擷取影像，可以是與晶圓430中的單一目標晶粒相對應的影像，也可以是與晶圓430中的多個目標晶粒相對應的影像。

在某些積體電路的製程或製造機台中，並不希望透光膜750持續留在UV切割膠帶320的第二表面524上。在此情況下，可進行流程118，利用一夾具夾持可移除薄片640並移動該夾具，以將可移除薄片640與黏貼於可移除薄片640的透光膜750從UV切割膠帶320的第二表面524上撕除。實作上，流程118可於顯微鏡860產生該目標晶粒的擷取影像之後進行，或是在顯微鏡860產生與晶圓430的所有晶粒432的擷取影像之後進行。

請參考圖10，其所繪示為承載盤300上未設置有透光膜750時沿圖7的A-A’方向簡化後的剖面示意圖。如圖10所示，由於UV切割膠帶320的第二表面524上存在細微的不平整細節，且UV切割膠帶320的光折射率與空氣的光折射率之間有明顯差距。因此，當入射光Lin通過空氣與UV切割膠帶320的第二表面524的交界處時，會發生明顯的光散射現象。同樣地，當反射光通過UV切割膠帶320的第二表面524與空氣的交界處而形成出射光Lout’時，也會發生明顯的光散射現象。在此情況下，顯微鏡860便無法清晰地擷取到晶圓430中的目標晶粒內的積體電路佈局的影像，以及目標晶粒旁的切割線附近區域的影像。

例如，圖11是在未設置前述透光膜750的情況下，利用顯微鏡860所觀測到的晶粒432與切割線434的一影像照片。如圖11所示，由於UV切割膠帶320的第二表面524的不平整細節會造成嚴重的光散射現象，此時顯微鏡860僅能隱約觀測到晶圓430中的切割線434的大略位置，卻根本無法擷取到目標晶粒內的積體電路佈局的清晰影像，以及目標晶粒旁的切割線附近區域的影像。

另外，根據實驗的結果發現，並非以任何透明流體來取代前述的透光膜750都能達成相同的功效。例如，圖12為前述的透光膜750被一水膜取代的情況下，利用顯微鏡860所觀測到的晶粒432與切割線434的一影像照片。如圖12所示，由於水和UV切割膠帶320間的光折射率差距，比前述的透光膜750和UV切割膠帶320間的光折射率的差距要大，因此，當入射光Lin通過該水膜與UV切割膠帶320的第二表面524的交界處時，仍然會發生明顯的光散射現象。此外，當反射光通過UV切割膠帶320的第二表面524與該水膜的交界處而形成出射光時，也會發生明顯的光散射現象。如圖12所示，此時顯微鏡860雖然能隱約觀測到晶粒432內的積體電路佈局的影像，以及晶粒432旁的切割線434附近區域的影像，但影像的清晰程度明顯低於圖9的實施例。因此，使用水膜取代前述的透光膜750時，將會大幅增加前述流程114中的影像比對程序的錯誤率。

另外，以水膜來取代本案提出的透光膜750時，必須增加額外的設備，才能在UV切割膠帶320的第二表面524形成穩定的水膜。例如，可能要使用額外的玻璃片來固定水膜，也需要用於支撐玻璃片的額外設備，以及用於烘乾水分的烘乾設備。眾所皆知，晶圓製程的精密程度相當高，必須在無塵室中進行，且濕度必須受到嚴格控制，才能確保晶粒432不會受潮而損壞。很明顯地，以水膜取代前述透光膜750的做法，會增加晶圓廠中的溼度控制設備的額外負擔，也會增加晶粒432受潮損壞的風險。由此可知，以水膜取代前述透光膜750的方式，並不適合應用在前述的未分割晶粒檢測過程中。

倘若以甘油膜來取代前述的透光膜750，則由於甘油和UV切割膠帶320間的光折射率差距，同樣比前述的透光膜750和UV切割膠帶320間的光折射率的差距要大，因此，當入射光Lin通過甘油膜與UV切割膠帶320的第二表面524的交界處時，同樣會發生明顯的光散射現象。同樣地，當反射光通過UV切割膠帶320的第二表面524與該甘油膜的交界處而形成出射光時，也會發生明顯的光散射現象。在此情況下，顯微鏡860也無法非常清晰地觀測到晶粒432內的積體電路佈局的影像，以及晶粒432旁的切割線434附近區域的影像。因此，使用甘油膜取代前述的透光膜750時，同樣會大幅增加前述流程114中的影像比對程序的錯誤率。

另外，甘油一旦塗佈在UV切割膠帶320的第二表面524上便很難完全去除。若要將甘油膜從UV切割膠帶320的第二表面524上去除，勢必需要額外的去油汙設備與清除程序，這樣的作法肯定會增加晶圓廠的設備控制複雜度和製程複雜度，因此也不適合應用在前述的未分割晶粒檢測過程中。

由前述說明可知，本發明檢測晶圓上的晶粒的方法，只需以前述的方式在UV切割膠帶320的第二表面524上形成透光膜750，便可使顯微鏡860得以隔著UV切割膠帶320和透光膜750清楚地觀測到晶圓430上的晶粒432的積體線路佈局，以及晶粒432旁的切割線434附近區域的影像。如此一來，在晶圓430被切割完成之前，便能檢測晶圓430上的晶粒432內的積體電路佈局是否有瑕疵存在，以及是否有因切割線434崩裂而造成晶粒432受損的瑕疵存在，進而可避免浪費打線材料、封裝材料、打線時間、封裝時間、及/或測試時間在有瑕疵的晶粒上。因此，本發明提出的檢測方法可有效提升積體電路的製程效率和降低製程成本。

另外，前述檢測過程中所使用的高分子膠不會造成影響無塵室的空氣溼度上升，因此，不會增加晶圓430上的晶粒432受潮損壞的風險。

再者，當後續的製程或製造機台不希望透光膜750持續留在UV切割膠帶320的第二表面524上時，很輕易地便可從UV切割膠帶320上將透光膜750撕除，而不會造成清除上的問題或是後續製程上的困擾。

請注意，前述圖1中的流程執行順序只是一示範性的實施例，並非侷限本發明的實際實施方式。例如，流程106可以改成在流程102和104之間進行，也可以改成在流程102之前進行。另外，流程118可以改成在流程112和114之間進行，也可以改成在流程114和116之間進行。

另外，在前述的實施例的流程106中只使用了一個可移除薄片640，但這只是一示範性的實施例，並非侷限本發明的實際實施方式。實作上，在流程106中也可以將多個可移除薄片640黏貼在UV切割膠帶320的第二表面524上。在此情況下，流程118中可以使用多個夾具以將多個可移除薄片640與黏貼於多個可移除薄片640的透光膜750從UV切割膠帶320的第二表面524上撕除。

在某些應用中，也可以省略前述的流程106和118。

在前述的流程110中，顯微鏡860、晶圓430、UV切割膠帶320、與透光膜750四者間的相對位置，是透光膜750與UV切割膠帶320位於晶圓430與顯微鏡860之間。但這只是一示範性的實施例，並非侷限本發明的實際實施方式。實作上，亦可於前述的流程110中，藉由移動承載盤300的方式，或是藉由移動顯微鏡860的方式，將晶圓430與UV切割膠帶320置於透光膜750與顯微鏡860之間，以形成如同將圖8中的顯微鏡860移至晶圓430上方、並面向晶圓430的擺設方式。如此一來，入射光線Lin會穿過晶圓430、UV切割膠帶320、和透光膜750照射到位於透光膜750後方的反射面(未繪示)，而反射光則會從該反射面穿過透光膜750、UV切割膠帶320、和晶圓430以形成出射光，並射入顯微鏡860。在此情況下，便可於前述的流程112中，將顯微鏡860直接面向晶圓430以擷取晶圓430中的目標晶粒內的影像，以及目標晶粒的邊界(亦即前述的切割線434)附近的影像。

在說明書及申請專利範圍中使用了某些詞彙來指稱特定的元件。然而，所屬技術領域中具有通常知識者應可理解，同樣的元件可能會用不同的名詞來稱呼。說明書及申請專利範圍並不以名稱的差異做為區分元件的方式，而是以元件在功能上的差異來做為區分的基準。在說明書及申請專利範圍所提及的「包含」為開放式的用語，故應解釋成「包含但不限定於」。

在此所使用的「及/或」的描述方式，包含所列舉的其中之一或多個項目的任意組合。另外，除非說明書中特別指明，否則任何單數格的用語都同時包含複數格的涵義。

在說明書及申請專利範圍當中所提及的「元件」(element)一詞，包含了構件(component)、層構造(layer)、或區域(region)的概念。

圖式的某些元件的尺寸及相對大小會被加以放大，或者某些元件的形狀會被簡化，以便能更清楚地表達實施例的內容。因此，除非申請人有特別指明，圖式中各元件的形狀、尺寸、相對大小及相對位置等僅是便於說明，而不應被用來限縮本發明的專利範圍。此外，本發明可用許多不同的形式來體現，在解釋本發明時，不應僅侷限於本說明書所提出的實施例態樣。

為了說明上的方便，說明書中可能會使用一些與空間中的相對位置有關的敘述，對圖式中某元件的功能或是該元件與其他元件間的相對空間關係進行描述。例如，「於…上」、「在…上方」、「於…下」、「在…下方」、「高於…」、「低於…」、「向上」、「向下」等等。所屬技術領域中具有通常知識者應可理解，這些與空間中的相對位置有關的敘述，不僅包含所描述的元件在圖式中的指向關係(orientation)，也包含所描述的元件在使用、運作、或組裝時的各種不同指向關係。例如，若將圖式上下顛倒過來，則原先用「於…上」來描述的元件，就會變成「於…下」。因此，在說明書中所使用的「於…上」的描述方式，解釋上包含了「於…下」以及「於…上」兩種不同的指向關係。同理，在此所使用的「向上」一詞，解釋上包含了「向上」以及「向下」兩種不同的指向關係。

在說明書及申請專利範圍中，若描述第一元件位於第二元件上、在第二元件上方、連接、接合、耦接於第二元件或與第二元件相接，則表示第一元件可直接位在第二元件上、直接連接、直接接合、直接耦接於第二元件，亦可表示第一元件與第二元件間存在其他元件。相對之下，若描述第一元件直接位在第二元件上、直接連接、直接接合、直接耦接、或直接相接於第二元件，則代表第一元件與第二元件間不存在其他元件。

以上僅為本發明的較佳實施例，凡依本發明請求項所做的均等變化與修飾，皆應屬本發明的涵蓋範圍。

 

102~118‧‧‧方法流程

Claims (11)

1. 一種檢測晶圓上的晶粒的方法，包含：
   於一承載環的一中空區域中黏貼一UV切割膠帶，以形成一承載盤；
   將設置有多個晶粒的一晶圓黏貼在該UV切割膠帶的一第一表面上；
   將一高分子膠塗佈於該UV切割膠帶的一第二表面上，以形成涵蓋該第二表面中的一待測區域的一透光膜，其中，該待測區域與該晶圓的一邊界和該邊界內的一全部區域相對應；
   將黏貼有該晶圓的該承載盤對齊一顯微鏡；
   利用該顯微鏡觀測該晶圓中的一目標晶粒，以產生一擷取影像；
   將該擷取影像與一預定比對影像進行比對；以及
   若該擷取影像與該預定比對影像不符，則將該目標晶粒判定為一瑕疵晶粒。
2. 如請求項1的方法，另包含：
   在形成該透光膜之前，將一或多個可移除薄片黏貼在該UV切割膠帶的該第二表面上，使得該一或多個可移除薄片位於該待測區域以外；
   其中，形成該透光膜的流程包含有：
   將該高分子膠塗佈於該一或多個可移除薄片中的每一可移除薄片的一局部區域上，使得該透光膜覆蓋並黏貼於該一或多個可移除薄片的局部區域。
3. 如請求項2的方法，另包含：
   在產生該擷取影像之後，利用一或多個夾具夾持該一或多個可移除薄片並移動該一或多個夾具，以將該一或多個可移除薄片與黏貼於該一或多個可移除薄片的該透光膜從該UV切割膠帶的該第二表面上撕除。
4. 如請求項2的方法，另包含：
   在該顯微鏡產生與該晶圓的所有晶粒對應的多個擷取影像之後，利用一或多個夾具夾持該一或多個可移除薄片並移動該一或多個夾具，以將該一或多個可移除薄片與黏貼於該一或多個可移除薄片的該透光膜從該UV切割膠帶的該第二表面上撕除。
5. 如請求項2的方法，其中，將該一或多個可移除薄片黏貼於該UV切割膠帶的該第二表面上的流程，係於將該UV切割膠帶黏貼於該承載環的該中空區域前進行。
6. 如請求項2的方法，其中，將該一或多個可移除薄片黏貼於該UV切割膠帶的該第二表面上的流程，係於將該晶圓黏貼在該UV切割膠帶的該第一表面前進行。
7. 如請求項1的方法，另包含：
   在產生該擷取影像之後，將該透光膜從該UV切割膠帶的該第二表面上撕除。
8. 如請求項1的方法，另包含：
   在該顯微鏡產生與該晶圓的所有晶粒的擷取影像之後，將該透光膜從該UV切割膠帶的該第二表面上撕除。
9. 如請求項1的方法，其中，將黏貼有該晶圓的該承載盤對齊該顯微鏡的流程包含：
   將該透光膜與該UV切割膠帶置於該晶圓與該顯微鏡之間；
   其中，產生該擷取影像的流程包含：
   利用該顯微鏡隔著該透光膜與該UV切割膠帶觀測該晶圓中的該目標晶粒，以產生該擷取影像。
10. 如請求項1的方法，其中，將黏貼有該晶圓的該承載盤對齊該顯微鏡流程包含：
    將該晶圓與該UV切割膠帶置於該透光膜與該顯微鏡之間。
11. 如請求項1至10中任一項的方法，其中，該透光膜的光折射率介於1.3至1.7之間。