TW201519472A - 具有均勻的電流擴散結構的發光二極體 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種具有均勻的電流擴散結構的發光二極體，阻斷電流集中現象，提高外量子效率，防止局部劣化或老化等。該二極體包括：第一電極片，與透明電極層在空間上隔開而設置在第二半導體層上，該透明電極位於包括第一半導體層、有源層以及第二半導體層的發光結構體上；第一阻擋層，形成於上述發光結構體上，使第一電極片以及連接部與發光結構體電絕緣；第二電極片以及與第一分支電極平行的第二分支電極，該第二電極片設置在第二半導體層上，用於對透明電極層供給電流；以及第二阻擋層，包括與第一分支電極平行的第二分支電極，第二阻擋層，形成於第二半導體層上使第二電極片以及第二分支電極與第二半導體成電絕緣。
Description
本發明涉及具有p電極以及n電極的發光二極管，特別涉及能夠防止電流集中于電極周圍的現象而通過電流均勻擴散到有源層(active layer)來提高光效率的發光二極管。
發光二極體是將電能量轉換為光的元件，通常由位於摻雜有具有相反極性的雜質的層之間的、至少一個有源層中產生光。即，若對有源層的兩側施加偏壓，則空穴以及電子注入到有源層內而再結合，從而產生光。
發光二極體與空氣相比具有較高的折射率，因此電子與空穴再結合而產生的光的大部分殘留在元件內部。這些光在逃離到外部之前通過薄膜、襯底、電極等多種途徑被吸收，因此外量子效率(external quantum efficiency)減小。
用於對有源層施加偏壓的電極由用於封裝的電極片(electrode pad)、以及分支電極(branch electrode)構成，其中，該分支電極從上述電極片延伸而實際上向有源層供給偏壓。
但是，由於在p電極與n電極之間產生的電流集中現象，電流無法均勻地分散到有源層整體，電流集中到電極周圍，因此在遠離電極的區域形成相對較暗的暗部。
這種電流集中現象特別容易產生於電極片與分支電極之間的區域。電流集中現象降低外量子效率，導致發生局部劣化(deterioration)以及老化(aging)現象等問題。
另一方面，這種電流集中現像是由於p電極以及n電極之間的間距不固定而產生的情況較多。即，若電極之間的間距不固定，則在電極之間形成不均勻的電場，因此電流集中現象較為突出。
本發明的目的在於提供一種具有均勻的電流擴散結構的發光二極體，阻斷電流集中現象，提高外量子效率，防止局部劣化以及老化等。
用於解決本發明的問題的、具有均勻的電流擴散結構的發光二極體包括：發光結構體，包括第一半導體層、有源層以及第二半導體層；以及透明電極層，位於上述發光結構體上。另外，還包括：第一電極，與上述透明電極層在空間上隔開而設置，且包括第一分支電極、連接部以及第一電極片；以及第一阻擋層，形成在上述發光結構體上。
在本發明的發光二極體中，上述第一電極片設置在上述第二半導體層上，可通過連接部與第一分支電極電連接，其中，該第一分支電極向上述第一半導體層的長度方向延伸。上述第一阻擋層可以形成於上述第二半導
體層和上述第一電極片之間。上述第一阻擋層優選與上述第一分支電極相互接觸。上述第一阻擋層可以具有與上述第一電極片以及上述連接部相同或擴大的形狀。上述第一阻擋層可以為氧化物膜或氮化物膜中選擇的任一膜、或者上述氧化物膜和上述氮化物膜層疊的多層膜。
在本發明的優選的二極體中，在上述第二半導體層上包括第二電極，還可以包括第二阻擋層，其中，該第二電極由第二電極片以及與上述第一分支電極平行的第二分支電極構成，該第二阻擋層用於使上述第二電極片以及上述第二分支電極與上述第二半導體層電絕緣。上述第二阻擋層可以形成於第二半導體層與第二電極片之間。
在本發明的優選的二極體中，上述第一分支電極與上述第二分支電極之間的間距(L1)優選為固定，並且上述間距(L1)為固定的面積優選占整個面積的60%以上。上述第二阻擋層可以具有與上述第二電極片以及上述第二分支電極相同或擴大的形狀。本發明的上述第二阻擋層可以為氧化物膜或氮化物膜中選擇的任一膜、或者上述氧化物膜和上述氮化物膜層疊的多層膜。形成於上述第二電極片的上述第二阻擋層與上述透明電極層可以通過阻斷槽在空間上被分隔，該阻斷槽用於露出第二半導體層。
根據本發明的具有均勻的電流擴散結構的發光二極體，通過附加防止向第一電極片以及第二電極片擴散電流的結構，阻斷電流集中現象而提高外量子效率，能夠防止局部劣化以及老化等。通過防止電流擴散的結構，防止電流集中在電極片與分支電極之間，從而能夠使發光二極體流過均勻
的電流。另外，通過使流過電流的電極之間的間距變得均勻，能夠防止發生不期望的電極之間的電流集中現象。
下麵，參照附圖詳細說明本發明的優選的實施例。在下面所說明的實施例可以變形為多種其他方式，本發明的範圍不限定於下麵所述的實施例。本發明的實施例是為了給具有本領域的普通技術知識的技術人員更加完整說明本發明而提供的。
本發明的實施例提供一種具有均勻的電流擴散結構的發光二極體，對電極片附加防止電流擴散的結構，由此阻斷電流集中現象而提高外量子效率，防止局部劣化以及老化等。為此，詳細觀察具有防止電極片中的電流擴散的結構的發光二極體，通過此具體說明阻斷電流集中現象的過程。另外，說明由於本發明的實施例涉及的電流擴散防止結構而流過電流的電極之間的間隔實際上變成固定的過程。在此，所謂的電流集中現像是指：因電極片中的電流擴散而電流集中在電極片與分支電極之間，因此整個發光二極體中不會流過均勻的電流的情況。
圖1是具有本發明的實施例涉及的均勻的電流擴散結構的發光二極體的立體圖；圖2是圖1的沿著Ⅱ-Ⅱ線切斷的截面圖；圖3是圖1的沿著Ⅲ-Ⅲ線切斷的截面圖；圖4是圖1的沿著Ⅳ-Ⅳ線切斷的截面圖。
參照圖1至圖4，發光二極體包括：襯底10、位於襯底10的一側的發光結構體14、透明電極層20、第一電極30、第二電極40、第一阻擋層34以及第二阻擋層44。在此情況下，第一阻擋層34用於阻斷電流從第一電極
30的第一電極片31擴散；第二阻擋層44用於阻斷電流從第二電極40的第二電極片41擴散。第一阻擋層34以及第二阻擋層44隔著透明電極層20均設置在發光結構體14上。
襯底10可以為藍寶石(Al2O3)、碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、矽(Si)、鍺(Ge)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎂(MgO)、氮化鋁(AlN)、氮化硼(BN)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP)、鋰-氧化鋁(LiAl2O3)中的任一個。可以在襯底10的上表面、下表面或者在上表面以及下表面兩個表面上形成能夠反射光的凹凸圖案(未圖示)。在襯底10與發光結構體14之間可以形成有緩衝層12，該緩衝層12用於緩解晶格不匹配。緩衝層12可以形成為單層或多層，例如，可以由GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、AlGaInN、AlInN中的至少一個構成。
發光結構體14可以位於襯底10上或者緩衝層12上。發光結構體14的結構為多個導電型半導體層以襯底10為基準的np結結構、pn結結構、npn結結構、pnp結結構中的任一個。
發光結構體14包括依次層疊的第一半導體層15、有源層16以及第二半導體層17。例如，在np結結構的情況下，第一半導體層15指的是n型半導體層，第二半導體層17指的是p型半導體層。
若對發光結構體14施加正方向的偏壓，則位於有源層16的傳導帶(Conduction band)的電子和位於價電子帶(Valence band)的空穴遷移而再結合，由此與能隙相當的能量放射為光。此時，根據構成有源層16的物質種類而確定所放射的光的波長。有源層16的電子或空穴是根據被施加的偏壓而由第一半導體層15以及第二半導體層17提供的。
第一半導體層15以及第二半導體層17為了具有相互不同的導電類型而可以包含相互不同的雜質。例如，第一半導體層15可以包含n型雜質，第二半導體層17可以包含p型雜質。在此情況下，第一半導體層15提供電子，第二半導體層17提供空穴。當然，第一半導體層15為p型且第二半導體層17為n型的情況在本發明的範圍內也是可行的。第一半導體層15以及第二半導體層17可以分別包括像氮化鎵(GaN)這樣的III-V族化合物。
在發光結構體14為np結結構的情況下，第一半導體層15可以包括摻雜n型雜質的n型AlxInyGazN(0x,y,z1,x+y+z=1)、n型GaN等。此時，上述n型雜質可以為矽(Si)、鍺(Ge)、錫(Sn)、硒(Se)、碲(Te)中所選擇的至少一個。第二半導體層可以使用摻雜p型雜質的p型AlxInyGazN(0x,y,z1,x+y+z=1)、p型GaN等。上述p型雜質可以為鎂(Mg)、鋅(Zn)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鈹(Be)、鋇(Ba)中所選擇的至少一個。
有源層16與第一半導體層15以及第二半導體層17相比具有較低的能帶隙，因此能夠激發光。有源層16可以放射多種波長的光，例如可以放射紅外線、可視光或紫外線。
有源層16可以包括Ⅲ族-V族化合物，並且可以包括AlxInyGazN(0x,y,z1,x+y+z=1)、InGaN或AlGaN。另外，有源層16可以為單量子阱(Single Quantum Well：SQW)或多量子阱(Multi Quantum Well：MQW)。進一步，有源層16可以具有量子阱層(Quantum Well Layer)與量子壘層(Quantum Barrier Layer)的層疊結構，上述量子阱層和上述量子壘層的個數可以根據需要進行各種改變。另外，有源層16可以為GaN/InGaN/GaN MQW的結構
或GaN/AlGaN/GaN MQW的結構。但這只是例示，有源層16所放射出的光的波長根據組成物質而不同。
發光結構體14可以為具有去除了有源層16以及第二半導體層17的局部區域的側壁的形狀，與此相對應地第一半導體層15的局部被去除而露出。通過上述側壁結構，在露出第一半導體層15的局部的區域上本發明的實施例涉及的第一電極30的第一分支電極33沿著長度方向延伸。由此，有源層16能夠限定於上述側壁結構而放射光。上述側壁結構可以利用電感耦合等離子體反應離子蝕刻(inductively coupled plasma reactive ion etching：ICP-RIE)、濕蝕刻或幹蝕刻來形成。
透明電極層20由透明且具有導電性的物質組成，並位於第二半導體層17上。透明電極層20起到將從第二電極40注入的電流均勻地分散到第二半導體層17的作用。透明電極20可以包括金屬，例如可以為鎳(Ni)和金(Au)的複合層。另外，透明電極層20可以包括氧化物，例如，由ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、IZTO(Indium Zinc Tin Oxide)、AZO(Aluminum Zinc Oxide)、IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide)、GZO(Gallium Zinc Oxide)、IGO(Indium Gallium Oxide)、IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)、IGTO(Indium Gallium Tin Oxide)、ATO(Aluminum Tin Oxide)、IWO(Indium Tungsten Oxide)、CIO(Cupper Indium Oxide)、MIO(Magnesium Indium Oxide)、MgO、ZnO、In2O3、TiTaO2、TiNbO2、TiOx、RuOx以及IrOx中的至少一個來製造。
本發明的實施例涉及的第一電極30為用於對第一半導體層15供給電流的結構體。第一電極30包括第一電極片31、連接部32以及第一分支電
極33而形成。第一電極片31位於第二半導體層17上，第一分支電極33在第一半導體層15的所露出的區域上沿著長度方向延伸。第一電極片31與透明電極層20在空間上隔開而設置。連接部32通過上述側壁結構連接第一電極片31以及第一分支電極33。由此，第一電極片31與第一分支電極33至少具有與上述側壁相當的高低差。
第一電極片31用於封裝接合，其方式並未限定，但優選為圓板形狀。連接部32可以為粘貼在第一電極片31的局部區域上的長條狀，第一分支電極33也優選為長條狀。第一電極30可以通過濕蝕刻或幹蝕刻來製造。另一方面，如圖所示，可以在形成在上述側壁上的槽上形成連接部32。
本發明的實施例涉及的第一阻擋層34是用於防止在第一電極片31中的電流擴散。為此，第一阻擋層34以與第一電極片31以及連接部32相同或略擴大的形狀插入到第一電極片31與第二半導體層17之間的區域、以及連接部32與上述側壁之間的區域。在此，在連接部32上形成第一阻擋層34的理由是為了防止發光結構體14中流過不必要的電流。因此，連接部32的第一阻擋層34是為了阻斷第一電極片31中的電流而不得不進行的。第一阻擋層34阻斷從第一電極片31引入的電流流過透明電極層20而發生電流集中的現象。被引入的第一電極片31的電流由於第一阻擋層34而僅通過第一分支電極33而注入到第一半導體層15。由此，能夠防止第一電極片31與第二電極40的第二分支電極42之間的電流集中現象。此时，第一阻挡层34优选与第一分支电极33相接。
第一阻擋層34可以不透明或透明，可以為像氧化物這樣的絕緣體。第一阻擋層34可以為矽氧化物、矽氮化物、矽氮氧化物等這樣的氧化物或氮
化物。另外，第一阻擋層34可以為上述氧化物或氮化物層疊的多層膜。在此所例示的構成第一阻擋層34物質只是例示的，不一定限定於此。第一阻擋層34可以通過濕蝕刻或幹蝕刻形成。第一阻擋層34的厚度可考慮絕緣體的種類、阻斷電流的程度而事先設定。
本發明的實施例涉及的第二電極40是用於對第二半導體層17供給電流的結構體。第二電極40包括第二電極片41以及第二分支電極42而形成。第二電極片41位於第二半導體層17上，第二分支電極42與第一分支電極33平行地延伸在第二半導體層17上。第二電極片41用於封裝接合，其形狀未被限定，但優選為圓板形狀。第二分支電極42優選為與第一分支電極33平行地延伸的長條狀。第二電極40可以通過濕蝕刻或幹蝕刻形成。
另一方面，平行的第一分支電極33以及第二分支電極43是用於防止因電流擴撒而導致的電流集中現象的優選的方式。根據發光二極體的形狀以及用途，第一分支電極33以及第二分支電極41可以變形為各種形狀，第一分支電極33以及第二分支電極42可以不一定平行。但是，若第一分支電極33以及第二分支電極42不平行，則電極33、42之間的間隔根據位置而不同，導致電流集中的現象，因此與本發明的實施例相同地優選第一分支電極33以及第二分支電極42平行。
第一電極30以及第二電極40可以均由相同的物質組成，可以通過一個工序實現。第一電極30以及第二電極40例如可以包括金(Au),銀(Ag),鋁(Al),鈀(Pd),鈦(Ti),鉻(Cr),鎳(Ni),錫(Sn),鉻(Cr),鉑(Pt),鎢(W),鈷(Co),銥(Ir),銠(Rh),釕(Ru),鋅(Zn),錳(Mg)或它們的合金。例如可以包括碳納米
管。第二電極40可以由單層構成或由多層構成，例如可以由像Ti/Al,Cr/Au,Ti/Au,Au/Sn這樣的多層構成。
根據本發明的實施例的第二阻擋層44包括第二電極片阻擋層45以及第二分支電極阻擋層46而構成。第二電極片阻擋層45位於第二電極片41以及第二半導體層17之間，優選為與第二電極片41相比略擴大的形狀。第二電極片阻擋層45防止通電到第二半導體層17。另外，在第二電極片阻擋層45以及透明電極20之間可以具備阻斷槽48，該阻斷槽48形成用於露出第二半導體層17的空間。通過阻斷槽48更加可靠地阻斷從第二電極片41引入的電流流向透明電極層20。
第二分支電極阻擋層46位於透明電極層20且設置在第二半導體層17的上部以及第二分支電極42的下部。第二分支電極阻擋層46優選為與第二分支電極42相比略擴大的形狀。另外，第二分支電極阻擋層46使電流不流向第二半導體層17而僅流向透明電極層20。換言之，所引入的第二電極片41的電流由於第二阻擋層44而僅通過第二分支電極42而分散到透明電極20，從而注入到第二半導體層17。
第二阻擋層44可以不透明或者透明，可以為像氧化物這樣的絕緣體。第二阻擋層44可以為矽氧化物、矽氮化物、矽氮氧化物等這樣的氧化物或氮化物。另外，第二阻擋層44可以為上述氧化物或氮化物層疊的多層膜。在此所例示的構成第二阻擋層44物質只是例示的，不一定限定於此。第二阻擋層44可以通過濕蝕刻或幹蝕刻形成。第二阻擋層44的厚度可考慮絕緣體的種類、阻斷電流的程度而事先設定。
根據本發明的實施例的發光二極體可以帶來以下的效果，即，由於第二分支電極42通過第一阻擋層34、第二阻擋層44使第一分支電極33以及第二分支電極44之間的間隙設定為固定。在第一阻擋層34的情況下，由於與第二分支電極42間的電流流通被阻斷，能夠使從實際上流過電流的第一分支電極33到第二分支電極42為止的距離L1變得均勻。換言之，若不存在第一阻擋層34，則第一電極片31與第二分支電極42之間的間隔(未圖示)與上述距離L1相比較小，因此有可能發生電流集中的現象。但是，如果像本發明的實施例那樣，設置第一阻擋層34，將第一電極片31進行電絕緣，就能夠阻斷第一電極片31與第二分支電極42之間的電流集中現象。另一方面，上述間隔L1固定的面積優選為整體面積的60%以上。若上述面積在60%以下，則施加到晶片整體的電流集中到具有固定間隔的部位，從而減小電流分散效果。
同樣，第二電極片41與第一分支電極33之間的距離L2小於第一分支電極33與第二分支電極42的距離L1，因此若沒有第二阻擋層44，則如上所述地可能引起電流集中的現象。但是，像本發明的實施例那樣，如果通過設置第二阻擋層44，將第二電極片41進行電絕緣，就能夠阻斷第二電極片41與第一分支電極33之間的電流集中現象。如上所述，本發明的第一阻擋層34以及第二阻擋層44分別使引入到第一電極片31以及第二電極片41的電流均僅向平行排列第一分支電極33以及第二分支電極42流過。由此，能夠防止第一電極片31與第二分支電極42以及第二電極片41與第一分支電極33之間發生的電流集中的現象。
圖5a是表示不具備阻擋層的現有的發光二極體的發光圖像的照片，圖5b是具有阻擋層的本發明的實施例涉及的發光二極體的發光圖像的照片。
參照圖5a以及圖5b，現有的發光二極體光輸出(PO)為100%，本發明的光輸出為101.5%，光輸出上升了1.5%。另外，現有的發光二極體的正方向電壓VF為2.90V，本發明的發光二極體的正方向電壓VF為2.84V，正方向電壓VF減少了0.06V。現有的發光二極體在電極片與分支電極之間產生電流集中現象，在離電極較遠的區域形成相對較暗的暗部。與此相反，本發明的發光二極體相對來講幾乎沒有形成較暗的暗部，可以看出電流均勻分散。
若發生電流集中現象而電流未均勻分散，則與此相反情況相比，光輸出下降且正方向電壓VF上升。由此，未阻斷電流集中現象的現有的發光二極體與本發明的二極體相比，光輸出較小且正方向電壓VF較高。如上所述，本發明的實施例通過將第一阻擋層34以及第二阻擋層44分別設置在第一電極片31以及第二電極片41來防止電流集中現象，由此，能夠提高發光二極體的光輸出且降低正方向電壓VF。
圖6是表示具有本發明涉及的均勻的電流擴散結構的發光二極體的一個變形例的俯視圖。
參照圖6，在本發明的一個變形例中，在一對第二分支電極42a之間向第一阻擋層34a以及第一電極片31a延伸的第一分支電極33a形成固定的間距而被設置，該一對第二分支電極42a為從第二阻擋層44a上的第二電極片41a向透明電極層20a的兩側分支的電極。第二阻擋層44a以及第二電極片41a與第二分支電極42a連接。透明電極層20a位於第二半導體層17a上。
因此，第二阻擋層44a、第二電極片41a以及一對第二分支電極42a形成“ㄈ”字形狀。
上述變形例的第一阻擋層34a以及第二阻擋層44a的功能以及作用與參照圖1至圖5b說明的第一阻擋層34以及第二阻擋層44的功能以及作用相同。即，第一阻擋層34a以及第二阻擋層44a分別使引入到第一電極片31a以及第二電極片41a的電流均僅向平行排列的第一分支電極33a以及第二分支電極42a流過。由此，能夠防止在第一電極片31a與第二分支電極42a以及第二電極片41a與第一分支電極33a之間發生的電流集中的現象。
圖7是表示具有本發明涉及的均勻的電流擴散結構的發光二極體的另一個變形例的俯視圖。
參照圖7，在本發明的另一變形例中，第二阻擋層44b、第二電極片41b、一對第二分支電極42b以及第一分支電極33b與圖6相同，但第一阻擋層34b以及第一電極片31b向二極體外輪廓擴大。本發明的另一變形例的第一阻擋層34b以及第二阻擋層44b的功能以及作用與參照圖1至圖5b說明的第一阻擋層34以及第二阻擋層44的功能以及作用相同。即，第一阻擋層34b以及第二阻擋層44b分別使引入到第一電極片31b以及第二電極片41b的電流均僅向平行排列的第一分支電極33b以及第二分支電極42b流過。由此，能夠防止在第一電極片31b與第二分支電極42b以及第二電極片41b與第一分支電極33b之間發生的電流集中現象。
以上，本發明中舉出優先的實施例進行了詳細的說明，但本發明不限定於上述的實施例，在本發明的技術思想的範圍內，具有本領域的普通技術知識的人能夠進行各種變形。
10‧‧‧襯底
12‧‧‧緩衝層
14‧‧‧發光結構體
15‧‧‧第一半導體層
16‧‧‧有源層
17‧‧‧第二半導體層
20‧‧‧透明電極層
30‧‧‧第一電極
31、31a、31b‧‧‧第一電極片
32‧‧‧連接部
33、33a、33b‧‧‧第一分支電極
34、34a、34b‧‧‧第一阻擋層
40‧‧‧第二電極
41、41a、41b‧‧‧第二電極片
42：、42a、42b‧‧‧第二分支電極
44、44a、44b‧‧‧第二阻擋層
45‧‧‧第二電極片阻擋層
46‧‧‧第二分支電極阻擋層
48‧‧‧阻斷槽
圖1表示具有本發明涉及的均勻的電流擴散結構的發光二極體的立體圖。
圖2是圖1的沿著Ⅱ-Ⅱ線切斷的截面圖。
圖3是圖1的沿著Ⅲ-Ⅲ線切斷的截面圖。
圖4是圖1的沿著Ⅳ-Ⅳ線切斷的截面圖。
圖5a是表示不具備阻擋層的現有的發光二極體的發光圖像的照片；圖5b是具有阻擋層的本發明的實施例涉及的發光二極體的發光圖像的照片。
圖6是表示具有本發明涉及的均勻的電流擴散結構的發光二極體的一個變形例的俯視圖。
圖7是表示具有本發明涉及的均勻的電流擴散結構的發光二極體的另一個變形例的俯視圖。
10‧‧‧襯底
12‧‧‧緩衝層
14‧‧‧發光結構體
15‧‧‧第一半導體層
16‧‧‧有源層
17‧‧‧第二半導體層
20‧‧‧透明電極層
30‧‧‧第一電極
31‧‧‧第一電極片
32‧‧‧連接部
33‧‧‧第一分支電極
34‧‧‧第一阻擋層
40‧‧‧第二電極
41‧‧‧第二電極片
42‧‧‧第二分支電極
44‧‧‧第二阻擋層
45‧‧‧第二電極片阻擋層
46‧‧‧第二分支電極阻擋層
48‧‧‧阻斷槽
Claims (14)
- 一種具有均勻的電流擴散結構的發光二極體，具備：發光結構體，包括第一半導體層、有源層以及第二半導體層；透明電極層，位於上述發光結構體上；第一電極，與上述透明電極層在空間上隔開而設置，包括第一分支電極、連接部以及第一電極片；以及第一阻擋層，形成在上述發光結構體上。
- 根據請求項1所述的具有均勻的電流擴散結構的發光二極體，其特徵在於，上述第一電極片設置在上述第二半導體層上，通過上述連接部與上述第一分支電極電連接，其中，該第一分支電極向上述第一半導體層的長度方向延伸。
- 根據請求項1所述的具有均勻的電流擴散結構的發光二極體，其特徵在於，上述第一阻擋層形成於上述第二半導體層和上述第一電極片之間。
- 根據請求項1所述的具有均勻的電流擴散結構的發光二極體，其特徵在於，上述第一阻擋層與上述第一分支電極相互接觸。
- 根據請求項1所述的具有均勻的電流擴散結構的發光二極體，其特徵在於，上述第一阻擋層具有與上述第一電極片以及上述連接部相同或 擴大的形狀。
- 根據請求項1所述的具有均勻的電流擴散結構的發光二極體，其特徵在於，上述第一阻擋層為氧化物膜或氮化物膜中選擇的任一膜，或者上述氧化物膜和上述氮化物膜層疊的多層膜。
- 根據請求項1所述的具有均勻的電流擴散結構的發光二極體，其特徵在於，在上述第二半導體層上包括第二電極，還包括第二阻擋層，其中，該第二電極由第二電極片以及與上述第一分支電極平行的第二分支電極構成，該第二阻擋層用於使上述第二電極片以及上述第二分支電極與上述第二半導體層電絕緣。
- 根據請求項7所述的具有均勻的電流擴散結構的發光二極體，其特徵在於，上述第二阻擋層形成於上述第二半導體層與上述第二電極片之間。
- 根據請求項7所述的具有均勻的電流擴散結構的發光二極體，其特徵在於，上述第一分支電極與上述第二分支電極之間的間距(L1)為固定。
- 根據請求項9所述的具有均勻的電流擴散結構的發光二極體，其特徵在於，上述間距(L1)為固定的面積占整個面積的60%以上。
- 根據請求項7所述的具有均勻的電流擴散結構的發光二極體，其特徵在於，上述第二阻擋層具有與上述第二電極片以及上述第二分支電極相同或擴大的形狀。
- 根據請求項7所述的具有均勻的電流擴散結構的發光二極體，其特徵在於，上述第二阻擋層具有與上述第二分支電極相同或擴大的形狀。
- 根據請求項7所述的具有均勻的電流擴散結構的發光二極體，其特徵在於，上述第二阻擋層為氧化物膜或氮化物膜中選擇的一種膜，或者上述氧化物膜和上述氮化物膜層疊的多層膜。
- 根據請求項7所述的具有均勻的電流擴散結構的發光二極體，其特徵在於，形成於上述第二電極片的上述第二阻擋層與上述透明電極層通過阻斷槽在空間上被分隔，該阻斷槽用於露出第二半導體層。
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