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TW201517709A - 基板結構及其製作方法 - Google Patents

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TW201517709A
TW201517709A TW102139367A TW102139367A TW201517709A TW 201517709 A TW201517709 A TW 201517709A TW 102139367 A TW102139367 A TW 102139367A TW 102139367 A TW102139367 A TW 102139367A TW 201517709 A TW201517709 A TW 201517709A
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Tzu-Wei Huang
Chin-Sheng Wang
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Subtron Technology Co Ltd
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Abstract

一種基板結構,包括一基材以及一填孔材料。基材具有一上表面、一下表面、至少一第一盲孔及至少一第二盲孔。基材包括一絕緣層、一第一銅箔層及一第二銅箔層。第一銅箔層與第二銅箔層分別配置於絕緣層彼此相對的兩側表面上。第一盲孔由上表面往第二銅箔層的方向延伸且暴露出部分第二銅箔層。第二盲孔由下表面往第一銅箔層的方向延伸且暴露出部分第一銅箔層。填孔材料填充於第一盲孔及第二盲孔內,且覆蓋基材的上表面與下表面。

Description

基板結構及其製作方法
本發明是有關於一種基板結構及其製作方法,且特別是有關於一種具有電鍍填孔結構的基板結構及其製作方法。
一般來說,若欲於由絕緣層及二銅箔層所組成的基材上形成導通孔結構,則可經由例如是雷射鑽孔法來於基材的一側表面上形成盲孔,以暴露出下方的銅箔層。之後,再藉由電鍍填孔的方式電鍍銅層於盲孔內與上方的銅箔層上,而形成另一線路層與導通孔。
然而,進行電鍍填孔製程時,電鍍銅層除了會形成在基材的盲孔內及上方的銅箔層上之外,亦會形成於下方的銅箔層上。其中,由於基材具有盲孔的那側表面的表面積大於具有下方銅箔層的表面積,因此電鍍填孔製程之後,盲孔上的電鍍銅層容易出現有凹陷的現象,而下方的銅箔層上的電鍍銅層則會出現形成過厚的現象。如此一來,除了需要對過厚的電鍍銅層進行減銅的步驟之外,還需要對凹陷的電鍍銅層進行平整度的處理。如此 一來,所需的製作成本較高且製程步驟也較多。
本發明提供一種基板結構及其製作方法,可提高製程良率與減少製作成本,進而增加產品的可靠度。
本發明的基板結構包括一基材以及一填孔材料。基材具有彼此相對的一上表面與一下表面、至少一第一盲孔以及至少一第二盲孔。基材包括一絕緣層、一第一銅箔層以及一第二銅箔層。第一銅箔層與第二銅箔層分別位於絕緣層彼此相對的兩側表面上。第一銅箔層與第二銅箔層分別具有上表面與下表面。第一盲孔由上表面往第二銅箔層的方向延伸且暴露出部分第二銅箔層。第二盲孔由下表面往第一銅箔層的方向延伸且暴露出部分第一銅箔層。填孔材料填充於第一盲孔與第二盲孔內,且覆蓋基材的上表面與下表面。
在本發明的一實施例中,上述的至少一第一盲孔為多個第一盲孔,而至少一第二盲孔為多個第二盲孔。第一盲孔與第二盲孔彼此交替排列。
在本發明的一實施例中,上述的第一盲孔的孔徑由上表面往第二銅箔層的方向逐漸變小。第二盲孔的孔徑由下表面往第一銅箔層的方向逐漸變小。
在本發明的一實施例中,上述的第一盲孔的剖面輪廓為一倒梯形,而第二盲孔的剖面輪廓為一正梯形。
在本發明的一實施例中,上述的填孔材料為一導電材料,且填孔材料電性連接第一銅箔層與第二銅箔層。
本發明的基板結構的製作方法,其包括以下步驟。提供一基材。基材具有彼此相對的一上表面與一下表面。基材包括一絕緣層、一第一銅箔層以及一第二銅箔層。第一銅箔層與第二銅箔層分別位於絕緣層彼此相對的兩側表面上。第一銅箔層與第二銅箔層分別具有上表面與下表面。對基材的上表面進行一第一穿孔程序,以形成至少一從上表面往第二銅箔層的方向延伸且暴露出部分第二銅箔層的第一盲孔。對基材的下表面進行一第二穿孔程序,以形成至少一從下表面往第一銅箔層的方向延伸且暴露出部分第一銅箔層的第一盲孔。電鍍一填孔材料於第一盲孔及第二盲孔內。填孔材料填滿第一盲孔以及第二盲孔,且覆蓋基材的上表面與下表面。
在本發明的一實施例中,上述的第一穿孔程序包括雷射加工、機械鑽孔或化學蝕刻。
在本發明的一實施例中,上述的第二穿孔程序包括雷射加工、機械鑽孔或化學蝕刻。
在本發明的一實施例中,上述的第一盲孔的孔徑由上表面往第二銅箔層的方向逐漸變小。第二盲孔的孔徑由下表面往第一銅箔層的方向逐漸變小。
在本發明的一實施例中,上述的第一盲孔的剖面輪廓為一倒梯形,而第二盲孔的剖面輪廓為一正梯形。
基於上述,由於本發明是於基材的上表面與下表面分別 形成第一盲孔與第二盲孔,因此後續電鍍一填孔材料時,基材的上表面與下表面的電鍍面積是相似的,故填孔材料能均勻地填充於上表面的第一盲孔內以及下表面的第二盲孔內以及覆蓋於上比面與下表面上。相較於習知於基材的單側表面形成盲孔,而後在透過電鍍的方式於盲孔中形成導電通孔而言,本發明的基板結構的製作方法可提高導電通孔的製程良率並減少製作成本,進而可增加產品的可靠度。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉 實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
100‧‧‧基板結構
110‧‧‧基材
111‧‧‧上表面
112‧‧‧絕緣層
113‧‧‧下表面
114‧‧‧第一銅箔層
116‧‧‧第二銅箔層
120‧‧‧填孔材料
B1、B1’、B1”‧‧‧第一盲孔
B2、B2’、B2”‧‧‧第二盲孔
L1‧‧‧第一雷射光
L2‧‧‧第二雷射光
圖1A繪示為本發明的一實施例的一種基板結構的局部剖面示意圖。
圖1B繪示為圖1A的基板結構的一實施例的俯視示意圖。
圖1C繪示為圖1A的基板結構的另一實施例的俯視示意圖。
圖2A至圖2C繪示為本發明的一實施例的一種基板結構的製作方法的剖面示意圖。
圖1A繪示為本發明的一實施例的一種基板結構的局部 剖面示意圖。請參考圖1A,在本實施例中,基板結構100包括一基材110以及一填孔材料120。基材110具有彼此相對的一上表面111與一下表面113、至少一第一盲孔B1以及至少一第二盲孔B2。 基材110包括一絕緣層112、一第一銅箔層114以及一第二銅箔層116。第一銅箔層114與第二銅箔層116分別位於絕緣層112彼此相對的兩側表面上。第一銅箔層114與第二銅箔層116分別具有上表111面與下表面113。第一盲孔B1由上表面111往第二銅箔層116的方向延伸且暴露出部分第二銅箔層116。第二盲孔B2由下表面113往第一銅箔層114的方向延伸且暴露出部分第一銅箔層114。填孔材料120填充於第一盲孔B1與第二盲孔B2內,且覆蓋基材110的上表面111與下表面113。
更具體來說,如圖1A所示,第一盲孔B1的孔徑由上表 面112往第二銅箔層116的方向逐漸變小。第二盲孔B2的孔徑由下表面113往第一銅箔層114的方向逐漸變小。也就是說,本實施例的第一盲孔B1的剖面輪廓具體化為一倒梯形,而第二盲孔B2的剖面輪廓具體化為一正梯形。當然,於其他未繪示的實施例中,第一盲孔與第二盲孔的剖面輪廓亦可為矩形或其他適當的形狀。此外,本實施例的填孔材料120具體化為一導電材料,其中填孔材料120電性連接第一銅箔層114與第二銅箔層116。後續圖案化位於第一銅箔層114與第二銅箔層116上的填孔材料120之後,即可形成具有導電通孔結構的線路板結構。換言之,本實施例的基板結構100為一線路板結構的半成品。
另一方面,雖然圖1A所示的第一盲孔B1與第二盲孔B2 的數量皆分別為一個,但於其他實施例中,基板結構100的第一盲孔B1與第二盲孔B2的數量亦可分別為多個。如圖1B所示,多個第一盲孔B1’與多個第二盲孔B2’彼此交替排列,且第一盲孔B1’與第二盲孔B2’的開口形狀具體化為圓形;或者是,如圖1C所示,多個第一盲孔B1”與多個第二盲孔B2”彼此交替排列,且第一盲孔B1”與第二盲孔B2”的開口形狀具體化為橢圓形。上述皆屬於本發明可採用的技術方案,不脫離本發明所欲保護的範圍。當然,本發明亦不限定第一盲孔B1’、B1”與第二盲孔B2’、B2”的開口形狀,只要於基材110的上表面111與下表面113都分別形成第一盲孔B1與第二盲孔B2的結構設計,皆屬於本發明所欲保護的範圍。
由於本實施例的基材110的上表面111與下表面113分 別有第一盲孔B1與第二盲孔B2,且填孔材料120填充於第一盲孔B1與第二盲孔B2內並覆蓋基材110的上表面111與下表面113。因此,本實施例的基板結構100的相對兩側可承受相同的應力,具有較佳的結構可靠度。
以上僅介紹本發明的基板結構100的結構,並未介紹本 發明的基板結構100的製作方法。對此,以下將以圖1A中的基板結構100作為舉例說明,並配合圖2A至圖2C對本發明的基板結構100的製作方法進行詳細的說明。
圖2A至圖2C繪示為本發明的一實施例的一種基板結構 的製作方法的剖面示意圖。請先參考圖2A,依照本實施例的基板結構100的製作方法,首先,提供一基材110。基材110具有彼此相對的一上表面111與一下表面113。基材110包括一絕緣層112、一第一銅箔層114以及一第二銅箔層116。第一銅箔層114與第二銅箔層116分別位於絕緣層112彼此相對的兩側表面上。第一銅箔層114與第二銅箔層116分別具有上表面111與下表面113。
接著,請參考圖2B,對基材110的上表面111進行一第 一穿孔程序,以形成至少一從上表面111往第二銅箔層116的方向延伸且暴露出部分第二銅箔層116的第一盲孔B1。並且,對基材110的下表面113進行一第二穿孔程序,以形成至少一從下表面113往第一銅箔層114的方向延伸且暴露出部分第一銅箔層114的第二盲孔B2。需說明的是,本發明並不限定第一穿孔程序與第二穿孔程序的順序,可以是先進行第一穿孔程序而後再進行第二穿孔程序;或者是,也可以是先進行第二穿孔程序而後再進行第一穿孔程序;或者是,可以同時進行第一穿孔程序與第二穿孔程序。
在本實施例中,第一穿孔程序可以是雷射加工、機械鑽 孔或化學蝕刻,而第二穿孔程序亦可以是雷射加工、機械鑽孔或化學蝕刻。舉例來說,本實施例的第一穿孔程序與第二穿孔程序具體化為雷射加工,透過第一雷射光L1於基材110的上表面111形成孔徑由上表面111往第二銅箔層116的方向逐漸變小的第一盲孔B1,以及透過第二雷射光L2於基材110的下表面113形成 孔徑由下表面113往第一銅箔層114的方向逐漸變小的第二盲孔B2。也就是說,本實施例的第一盲孔B1的剖面輪廓具體化為一倒梯形,而第二盲孔B2的剖面輪廓具體化為一正梯形。當然,於其他未繪示的實施例中,第一盲孔與第二盲孔的剖面輪廓亦可為矩形或其他適當的形狀。
最後,請參考圖2C,電鍍一填孔材料120於第一盲孔B1 及第二盲孔B2內,其中填孔材料120填滿第一盲孔B1以及第二盲孔B2,且覆蓋基材110的上表面111與下表面113。至此,已完成基板結構100的製作。
由於本實施例的基材110的上表面111與下表面113分 別形成有第一盲孔B1與第二盲孔B2,因此相對於習知基材的單側表面具有盲孔而言,本實施例的基材110的彼此相對的上表面111與下表面113於電鍍時所接觸的電鍍面積實質上是相近的。 故,填充材料120能均勻地形成在基材110的上表面111上、下表面113上以及填充於第一通孔B1及第二通孔B2內。如此一來,本實施例無須進行習知的減銅步驟以及平整度的處理,因此本實施例的基板結構100的製作方法可提高導電通孔的製程良率並減少製作成本,進而可增加產品的可靠度。
綜上所述,由於本發明是於基材的上表面與下表面分別 形成第一盲孔與第二盲孔,因此後續電鍍一填孔材料時,基材的上表面與下表面的電鍍面積是相似的,故填孔材料能均勻地填充於上表面的第一盲孔內以及下表面的第二盲孔內以及覆蓋於上表 面與下表面上。相較於習知於基材的單側表面形成盲孔,而後在透過電鍍的方式於盲孔中形成導電通孔而言,本發明的基板結構的製作方法可提高導電通孔的製程良率並減少製作成本,進而可增加產品的可靠度。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍 當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧基板結構
110‧‧‧基材
111‧‧‧上表面
112‧‧‧絕緣層
113‧‧‧下表面
114‧‧‧第一銅箔層
116‧‧‧第二銅箔層
120‧‧‧填孔材料
B1‧‧‧第一盲孔
B2‧‧‧第二盲孔

Claims (10)

  1. 一種基板結構,包括:一基材,具有彼此相對的一上表面與一下表面、至少一第一盲孔以及至少一第二盲孔,該基材包括一絕緣層、一第一銅箔層以及一第二銅箔層,其中該第一銅箔層與該第二銅箔層分別位於該絕緣層彼此相對的兩側表面上,該第一銅箔層與該第二銅箔層分別具有該上表面與該下表面,而該第一盲孔由該上表面往該第二銅箔層的方向延伸且暴露出部分該第二銅箔層,且該第二盲孔由該下表面往該第一銅箔層的方向延伸且暴露出部分該第一銅箔層;以及一填孔材料,填充於該第一盲孔與該第二盲孔內,且覆蓋該基材的該上表面與該下表面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的基板結構,其中該至少一第一盲孔為多個第一盲孔,而至少一第二盲孔為多個第二盲孔,該些第一盲孔與該些第二盲孔彼此交替排列。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的基板結構,其中該第一盲孔的孔徑由該上表面往該第二銅箔層的方向逐漸變小,而該第二盲孔的孔徑由該下表面往該第一銅箔層的方向逐漸變小。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的基板結構,其中該第一盲孔的剖面輪廓為一倒梯形,而該第二盲孔的剖面輪廓為一正梯形。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的基板結構,其中該填孔材料為一導電材料,且該填孔材料電性連接該第一銅箔層與該第二銅 箔層。
  6. 一種基板結構的製作方法,包括:提供一基材,該基材具有彼此相對的一上表面與一下表面,其中該基材包括一絕緣層、一第一銅箔層以及一第二銅箔層,該第一銅箔層與該第二銅箔層分別位於該絕緣層彼此相對的兩側表面上,而該第一銅箔層與該第二銅箔層分別具有該上表面與該下表面;對該基材的該上表面進行一第一穿孔程序,以形成至少一從該上表面往該第二銅箔層的方向延伸且暴露出部分該第二銅箔層的第一盲孔;對該基材的該下表面進行一第二穿孔程序,以形成至少一從該下表面往該第一銅箔層的方向延伸且暴露出部分該第一銅箔層的第二盲孔;以及電鍍一填孔材料於該第一盲孔及該第二盲孔內,其中該填孔材料填滿該第一盲孔以及該第二盲孔,且覆蓋該基材的該上表面與該下表面。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的基板結構的製作方法,其中該第一穿孔程序包括雷射加工、機械鑽孔或化學蝕刻。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的基板結構的製作方法,其中該第二穿孔程序包括雷射加工、機械鑽孔或化學蝕刻。
  9. 如申請專利範圍第6項所述的基板結構的製作方法,其中該第一盲孔的孔徑由該上表面往該第二銅箔層的方向逐漸變小, 而該第二盲孔的孔徑由該下表面往該第一銅箔層的方向逐漸變小。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的基板結構的製作方法,其中該第一盲孔的剖面輪廓為一倒梯形,而該第二盲孔的剖面輪廓為一正梯形。
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