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TW201502914A - 導電片及其製造方法、觸控面板 - Google Patents

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TW201502914A
TW201502914A TW103111363A TW103111363A TW201502914A TW 201502914 A TW201502914 A TW 201502914A TW 103111363 A TW103111363 A TW 103111363A TW 103111363 A TW103111363 A TW 103111363A TW 201502914 A TW201502914 A TW 201502914A
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TW
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gelatin
conductive
conductive sheet
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TW103111363A
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English (en)
Inventor
Shin TAJIRI
Kensuke Katagiri
Toshinari Fujii
Original Assignee
Fujifilm Corp
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Abstract

本發明的目的在於提供一種進一步抑制導電部間產生離子遷移的導電片及其製造方法以及觸控面板。本發明的導電片包括支持體及導電部，該導電部配置於支持體上且包含含有金屬銀及明膠的導電性細線，並且於支持體上的導電性細線間實質上不含明膠，且導電性細線中的金屬銀的體積A與明膠的體積B的體積比(A/B)為0.3~10.0。

Description

導電片及其製造方法、觸控面板
本發明是有關於一種導電片，尤其有關於一種具有明膠與金屬銀的體積比為規定的範圍的導電部的導電片。
另外，本發明是有關於一種導電片的製造方法以及包括導電片的觸控面板。
於支持體上形成有導電性細線的導電片被廣泛用於太陽電池、無機電激發光(electroluminescence，EL)元件、有機EL元件等各種電子元件的透明電極、各種顯示裝置的電磁波屏蔽、觸控面板、透明面狀發熱體等。尤其，近年來，觸控面板於行動電話或可攜式遊戲機等中的搭載率上升，可進行多點檢測的靜電電容方式的觸控面板用導電片的需求急速擴大。
作為此種導電片的形成方法，正在研究由藉由鹵化銀照相感光材料的顯影而獲得銀像來形成低電阻的導電性細線的方法。例如，專利文獻1中，作為獲得透明性及導電性均高、且生產性良好的透明導電性材料的方法提出有利用含有對明膠發揮作用的酵 素的含酵素處理液進行處理而將明膠分解的方法。
[現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利4895536號說明書
另一方面，由上述鹵化銀照相感光材料來製造的包含銀的導電性細線具有容易產生離子遷移的問題。若於導電性細線間產生此種離子遷移，則造成導電性細線間導通，從而無法發揮電路功能。
尤其，近年來，由於製品的小型化或高性能化的要求提高，配線間隔更狹小化，進而容易產生由離子遷移引起的電路的導通。例如，於觸控面板領域中，期望以匯流排(bus bar)以及引出配線自面板的邊緣起收斂於微小的窄邊緣範圍內的方式來形成，由於周邊配線部的配線間的空間削減而成為容易產生由離子遷移引起的導通的狀況。
與此相對，於上述配線間隔狹小化的情況下，利用專利文獻1中記載的方法來製造的導電片未必帶來充分的效果，需要進一步的改良。
本發明鑒於上述實際情況，目的在於提供一種進一步抑制導電性細線間產生離子遷移的導電片及其製造方法。
另外，本發明的目的還在於提供包括上述導電片的觸控面板。
本發明者等人對上述課題進行積極研究，結果發現，藉由控制與離子遷移的產生的關聯性高的明膠的量而獲得所需的效果。
即，發現可藉由以下構成來解決上述課題。
(1)一種導電片，其包括：支持體；以及導電部，其配置於支持體上，且包含含有金屬銀及明膠的導電性細線；並且於支持體上的導電性細線間實質上不含明膠，導電性細線中的金屬銀的體積A與明膠的體積B的體積比(A/B)為0.3~10.0。
(2)如(1)所述的導電片，其中於支持體上的導電性細線間具有黏合劑部，所述黏合劑部包含與明膠不同的高分子，且實質上不含明膠。
(3)如(1)或(2)所述的導電片，其中體積比(A/B)為0.3~2.0。
(4)一種導電片的製造方法，其是製造如(1)~(3)中任一項所述的導電片的方法，所述導電片的製造方法包括：步驟A，於支持體上形成含鹵化銀的感光性層，該含鹵化銀的感光性層包含鹵化銀、明膠、及與明膠不同的高分子，且明膠的質量X與高分子的質量Y的質量比(Y/X)為0.1以上； 步驟B，對含鹵化銀的感光性層進行曝光後，進行顯影處理而形成導電部，該導電部包含含有金屬銀及明膠的導電性細線；步驟C，對具有步驟B中所得的導電部的支持體實施加熱處理；以及步驟D，以將明膠分解的蛋白質分解酵素，對具有導電部的支持體進行處理。
(5)如(4)所述的導電片的製造方法，其中支持體於其表面上具有底塗層，該底塗層包含與明膠不同的高分子。
(6)如(4)或(5)所述的導電片的製造方法，其中於步驟A之後且步驟B之前，更包括在含鹵化銀的感光性層上形成包含明膠的保護層的步驟。
(7)如(4)~(6)中任一項所述的導電片的製造方法，其中於步驟B之後且步驟D之前、及/或步驟D之後，更包括對導電部進行平滑化處理的步驟。
(8)如(7)所述的導電片的製造方法，其中平滑化處理為壓光處理，所述壓光處理使具有導電部的支持體，於2MPa~120MPa的壓力的條件下通過至少一對輥間。
(9)如(4)~(8)中任一項所述的導電片的製造方法，其中於步驟B之後且步驟D之前、及/或步驟D之後，包括使與明膠不同的高分子進行交聯的步驟。
(10)如(4)~(9)中任一項所述的導電片的製造方法，其中於步驟B之後且步驟D之前、及/或步驟D之後，更包括對導 電部照射源自氙閃光燈的脈衝光的步驟。
(11)如(10)所述的導電片的製造方法，其中源自氙閃光燈的脈衝光的照射的每1脈衝的照射能量為1500J以下，且脈衝光的照射次數為2000次以下。
(12)一種觸控面板，其包括：如(1)~(3)中任一項所述的導電片、或者利用如(4)~(11)中任一項所述的導電片的製造方法來製造的導電片；以及配置於導電片的導電部側上的透明黏著層；並且透明黏著層中所含的黏著劑的酸值為100mgKOH/g以下，黏著劑的吸水率為1.0%以下。
依據本發明，可提供一種進一步抑制導電性細線間產生離子遷移的導電片及其製造方法。
另外，依據本發明，亦可提供包括上述導電片的觸控面板。
10、100‧‧‧導電片
12‧‧‧基板
14、14a‧‧‧導電性細線
16‧‧‧導電部
18‧‧‧區域
20‧‧‧格子
22‧‧‧黏合劑部
24‧‧‧鹵化銀
26‧‧‧含鹵化銀的感光性層
28‧‧‧非導電部
Pa‧‧‧格子的一邊的長度
圖1是本發明的導電片的一實施形態的剖面圖。
圖2是表示由導電性細線形成的導電部的一實施態樣的一部分平面圖。
圖3是本發明的導電片的其他實施形態的剖面圖。
圖4(A)~圖4(C)是表示本發明的導電片的一實施形態的製造方法的步驟圖。
圖5是表示實施例欄中的試驗中使用梳型圖案電極的示意圖。
以下，對本發明的導電片及其製造方法的較佳實施態樣進行說明。
首先，對本發明的與現有技術進行比較的特徵進行詳細說明。
本發明中發現，藉由將配置於支持體上的導電性細線中的金屬銀與明膠的體積比設為規定範圍，並且實質上去除導電性細線間的明膠，可製造進一步抑制離子遷移的產生的導電片。預想為：明膠通常為親水性，因此容易吸收空氣中的水分，其結果為容易進行金屬銀的離子化。因此，首先，藉由將導電性細線中的金屬銀A與明膠B的體積比(A/B)設為0.3以上，且相對於金屬銀而相對地減少明膠的量，來抑制離子遷移的產生。此外，體積比(A/B)較佳為10.0以下的原因的詳情不明，但預想為：殘留有規定的明膠者捕獲自金屬銀中溶出的銀離子來抑制其移動。另外，藉由在導電性細線間實質上不含明膠，則進一步抑制導電性細線間的銀離子的移動。
此外，上述導電片的較佳製造方法為形成包含明膠及與明膠不同的高分子的含鹵化銀的感光性層，曝光顯影後實施加熱處理。藉由實施該加熱處理，則與明膠不同的高分子彼此熔著，加熱處理後實施的利用蛋白質分解酵素的處理時，明膠被分解去除後亦可維持導電部的形狀，並且藉由去除明膠，而抑制離子遷移。
此外，觸控面板模組的成本降低要求亦高，為了由模組 結構簡略化帶來的成本降低，期望提高導電片的耐久性。通常，於液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)側，經由光學黏著層而貼合硬塗膜來使用，但若能夠提高導電片的耐久性，則將硬塗層塗佈於導電片上而簡略化，或者將可撓性印刷電路(Flexible Print Circuit，FPC)與導電片形成一體來減少模組構件數、工時，藉此有助於成本降低。
另外，模組薄膜化、三維(three dimensional，3D)成型類型等要求亦高，但為了耐久性而限定使用構件的情況多。藉由提高導電片的耐久性，所組合的構件的制約變小，可展開至薄膜化、3D成型類型。
若為本發明的導電片，則耐久性優異，因此可有助於上述成本降低，並且可展開至各種用途。此外，本說明書中，作為導電片的耐久性的評價的一例，實施後述實施例欄中相對於透明黏著層的剝離強度的測定。剝離強度高，是指導電片難以自透明黏著層上剝離，觸控面板模組的耐久性優異。
以下，參照圖式來對本發明的導電片的結構進行說明。圖1中表示本發明的導電片的一實施形態的剖面圖。
導電片10包括：支持體12、及包含多個導電性細線14的導電部16。
以下，對構成導電片10的各層進行詳細說明。
<支持體>
支持體只要可支持後述導電部，則對其種類並無限制，較佳 為透明支持體，特佳為塑膠膜。藉由使用透明支持體，本發明的導電片可適合用作透明導電片。
構成支持體的材料的具體例較佳為：聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)(258℃)、聚環烯烴(134℃)、聚碳酸酯(250℃)、丙烯酸樹脂(128℃)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate，PEN)(269℃)、聚乙烯(polyethylene，PE)(135℃)、聚丙烯(polypropylene，PP)(163℃)、聚苯乙烯(230℃)、聚氯乙烯(180℃)、聚偏二氯乙烯(212℃)或三乙醯纖維素(triacetyl cellulose，TAC)(290℃)等熔點為約290℃以下的塑膠膜，特佳為PET、聚環烯烴、聚碳酸酯。( )內的數值為熔點。支持體的總光線透過率較佳為85%~100%。
支持體的厚度並無特別限制，但就於觸控面板或電磁波屏蔽等用途中的應用的方面而言，通常可於25μm~500μm的範圍內任意選擇。此外，於除了支持體的功能以外，還兼具觸控面的功能的情況下，亦可以超過500μm的厚度來設計。
支持體的較佳態樣之一可列舉：實施選自由大氣壓電漿處理、電暈放電處理及紫外線照射處理所組成的組群中的至少一中處理的處理完畢的支持體。藉由實施上述處理，而於處理完畢的支持體表面導入OH基等親水性基，後述導電部的密接性進一步提高。
上述處理中，就導電部的密接性進一步提高的方面而言，較佳為大氣壓電漿處理。
支持體的其他較佳態樣較佳為於其表面上具有後述底塗層，該底塗層包含與明膠不同的高分子。藉由在該底塗層上形成感光性層，則後述導電部的密接性進一步提高。
底塗層的形成方法並無特別限制，例如可列舉：將包含與明膠不同的高分子的底塗層形成用組成物塗佈於支持體上，視需要實施加熱處理的方法。底塗層形成用組成物中可視需要而包含溶劑。溶劑的種類並無特別限制，可例示後述感光性層形成用組成物中所使用的溶劑。另外，包含與明膠不同的高分子的底塗層形成用組成物可使用乳膠(latex)，該乳膠包含與明膠不同的高分子的微粒子。
底塗層的厚度並無特別限制，但就導電部的密接性更優異的方面而言，較佳為0.02μm~0.3μm，更佳為0.03μm~0.2μm。
<導電部>
導電部包含設置於上述支持體上的導電性細線，且於導電性細線中含有金屬銀及黏合劑。此外，圖1中，導電性細線14僅形成於支持體12的其中一表面上，但並不限定於該態樣，亦可於支持體12的兩面配置有導電性細線14。
另外，圖1中，導電部16中的導電性細線14的數量為4根，但其數量並無特別限制。
導電性細線中的金屬銀的體積A與明膠的體積B的體積比(A/B)為0.3~10.0。其中，就進一步抑制離子遷移的方面而言，較佳為0.3~3.0，更佳為0.3~2.0，更佳為0.4~1.0。
於體積比(A/B)小於0.3或者超過10.0的情況下，離子遷移抑制效果差。
此外，金屬銀的體積A以及明膠的體積B的測定方法如以下所述。
金屬銀是利用螢光X射線來測定金屬銀含量，以比重換算而作為體積。明膠量是利用BCA法(雙辛可寧酸(bicinchoninic acid)法)來測定含量，以比重換算而作為體積。
於圖1所示的導電性細線14間的支持體12上(區域18)，實質上不含明膠。所謂實質上不含明膠，是指明膠的含量小於0.002mg/cm2，就進一步抑制離子遷移的方面而言，較佳為0.001mg/cm2以下，更佳為0.0005mg/cm2以下。下限並無特別限制，但較佳為0mg/cm2。
此外，更適合的態樣較佳為於支持體12表面中導電性細線14所處的區域以外的全表面上實質上不含明膠。
導電性細線的線寬並無特別限制，但較佳為30μm以下，更佳為15μm以下，尤佳為10μm以下，特佳為9μm以下，最佳為7μm以下，且較佳為0.5μm以上，更佳為1.0μm以上。若為上述範圍，則可比較容易地形成低電阻的電極。
於導電性細線作為觸控面板用導電片中的周邊配線(引出配線)來應用的情況下，導電性細線的線寬較佳為500μm以下，更佳為50μm以下，特佳為30μm以下。若為上述範圍，則可比較容易地形成低電阻的觸控面板電極。
另外，於導電性細線作為觸控面板用導電片中的周邊配線來應用的情況下，觸控面板用導電片中的周邊配線亦可形成為網孔圖案電極，該情況下，線寬並無特別限制，但較佳為30μm以下，更佳為15μm以下，尤佳為10μm以下，特佳為9μm以下，最佳為7μm以下，且較佳為0.5μm以上，更佳為1.0μm以上。若為上述範圍，則可比較容易地形成低電阻的電極。藉由將觸控面板用導電片中的周邊配線形成為網孔圖案電極來照射源自氙閃光燈的脈衝光的步驟中，除了可提高感知電極與周邊配線的由照射引起的低電阻化的均勻性以外，就於貼合透明黏著層的情況下，可使感知電極與周邊配線的剝離強度固定，可減小面內分佈的方面而言較佳。
導電性細線的厚度並無特別限制，但較佳為0.001mm~0.2mm，更佳為30μm以下，尤佳為20μm以下，特佳為0.01μm~9μm，最佳為0.05μm~5μm。若為上述範圍，則可比較容易地形成低電阻的電極且耐久性優異的電極。
包含導電性細線的導電部的圖案並無特別限制，較佳為將正三角形、等腰三角形、直角三角形等三角形，正方形、長方形、菱形、平行四邊形、梯形等四角形，(正)六角形、(正)八角形等(正)n角形，圓、橢圓、星形等加以組合的幾何圖形，尤佳為包括該些幾何圖形的網孔狀。所謂網孔狀，是指如圖2所示，包含由交叉的導電性細線14所構成的多個正方形狀的格子20的形狀。
格子20的一邊的長度Pa並無特別限制，但較佳為50μm~500μm，尤佳為150μm~300μm。於單位格子的邊的長度為上述範圍的情況下，亦可進而良好地保持透明性，當安裝於顯示裝置之前表面時，可無不適感地視認顯示。
就可見光透過率的方面而言，由導電性細線形成的導電部的開口率較佳為85%以上，更佳為90%以上，最佳為95%以上。所謂開口率，是相當於導電性細線所處的區域除外的支持體上的區域在整體中所佔的比例。
導電性細線中包含金屬銀。
此外，亦可包含金屬銀以外的金屬(例如金、銅)等。
導電性細線中包含明膠。
明膠的種類並無特別限制，例如除了石灰處理明膠以外，可使用酸處理明膠，亦可使用：明膠的水解物、明膠酵素分解物、將胺基或羧基修飾而成的明膠(鄰苯二甲醯化明膠、乙醯化明膠)。
導電性細線中亦可包含金屬銀以及明膠以外的成分。
例如，導電性細線中可包含後述與明膠不同的高分子。於包含與明膠不同的高分子的情況下，導電性細線中的金屬銀和與明膠不同的高分子的質量比(金屬銀/與明膠不同的高分子)並無特別限制，但就導電性細線的強度更優異、進一步抑制離子遷移的方面而言，較佳為0.3~0.9，更佳為0.4~0.7。
與明膠不同的高分子(以後亦簡稱為高分子)較佳為不含蛋白質的高分子。換言之，較佳為不會藉由蛋白質分解酵素而 分解的高分子。
更具體而言，例如可列舉：選自由丙烯酸系樹脂、苯乙烯系樹脂、乙烯基系樹脂、聚烯烴系樹脂、聚酯系樹脂、聚胺基甲酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚二烯系樹脂、環氧系樹脂、矽酮系樹脂、纖維素系聚合物以及幾丁聚糖(chitosan)系聚合物所組成的組群中的至少任一種樹脂，或者包含構成該些樹脂的單體的共聚物等。其中，可列舉選自由丙烯酸系樹脂、苯乙烯系樹脂及聚酯樹脂所組成的組群中的至少任一種樹脂，或者包含構成該些樹脂的單體的共聚物等。
上述高分子中亦可包含可與後述交聯劑中的交聯性基進行反應的反應性基。反應性基的種類並無特別限制，只要可與交聯性基進行反應即可，例如可列舉：羥基、異氰酸基、羧酸基、羧酸酐基、環氧基、胺基、鹵化烷基等。
其中，就更能夠防止水分的浸入的方面而言，高分子的較佳態樣可列舉以下通式(1)所表示的聚合物(共聚物)。
通式(1)：-(A)x-(B)y-(C)z-(D)w-
此外，通式(1)中，A、B、C及D分別表示下述重複單元。
[化1]
R1表示甲基或者鹵素原子，較佳為表示甲基、氯原子、溴原子。p表示0~2的整數，較佳為0或1，更佳為0。
R2表示甲基或乙基，較佳為甲基。
R3表示氫原子或甲基，較佳為表示氫原子。L表示二價連結基，較佳為下述通式(2)所表示的基團。
通式(2)：-(CO-X1)r-X2-
式中，X1表示氧原子或者-NR30-。此處，R30表示氫原子、烷基、芳基、或者醯基，分別可具有取代基(例如鹵素原子、硝基、羥基等)。R30較佳為氫原子、碳數1~10的烷基(例如甲基、乙基、正丁基、正辛基等)、醯基(例如乙醯基、苯甲醯基等)。X1特佳為氧原子或者-NH-。
X2表示伸烷基、伸芳基、伸烷基伸芳基、伸芳基伸烷基、或 者伸烷基伸芳基伸烷基，該些基團中，亦可於中途插入-O-、-S-、-OCO-、-CO-、-COO-、-NH-、-SO2-、-N(R31)-、-N(R31)SO2-等。此處，R31表示碳數1~6的直鏈或分支的烷基，有甲基、乙基、異丙基等。X2的較佳例可列舉：二亞甲基、三亞甲基、四亞甲基、鄰伸苯基、間伸苯基、對伸苯基、-CH2CH2OCOCH2CH2-、-CH2CH2OCO(C6H4)-等。
r表示0或1。
q表示0或1，較佳為0。
R4表示碳原子數5~80的烷基、烯基、或者炔基，較佳為碳數5~50的烷基，更佳為碳數5~30的烷基，尤佳為碳數5~20的烷基。
R5表示氫原子、甲基、乙基、鹵素原子、或者-CH2COOR6，較佳為氫原子、甲基、鹵素原子、-CH2COOR6，尤佳為氫原子、甲基、-CH2COOR6，特佳為氫原子。
R6表示氫原子或者碳原子數1~80的烷基，可與R4相同，亦可不同，R6的碳原子數較佳為1~70，尤佳為1~60。
通式(1)中，x、y、z及w表示各重複單元的莫耳比率。
x為3莫耳%~60莫耳%，較佳為3莫耳%~50莫耳%，更佳為3莫耳%~40莫耳%。
y為30莫耳%~96莫耳%，較佳為35莫耳%~95莫耳%，特佳為40莫耳%~90莫耳%。
另外，若z過小，則與如明膠之類的親水性保護膠體的親和性減少，因此消光劑的凝聚‧剝落故障的產生機率提高，若z過大，則本發明的消光劑溶解於感光材料的鹼性處理液中。因此，z為0.5莫耳%~25莫耳%，較佳為0.5莫耳%~20莫耳%，特佳為1莫耳%~20莫耳%。
w為0.5莫耳%~40莫耳%，較佳為0.5莫耳%~30莫耳%。
通式(1)中，特佳為x為3莫耳%~40莫耳%、y為40莫耳%~90莫耳%、z為0.5莫耳%~20莫耳%、且w為0.5莫耳%~10莫耳%的情況。
通式(1)所表示的聚合物較佳為下述通式(2)所表示的聚合物。
通式(2)中，x、y、z及w如上述定義所述。
通式(1)所表示的聚合物可包含通式(A)、通式(B)、通式(C)及通式(D)以外的其他重複單元。用以形成其他重複單元的單體例如可列舉：丙烯酸酯類、甲基丙烯酸酯類、乙烯基酯類、烯烴類、丁烯酸酯類、衣康酸二酯類、順丁烯二酸二酯類、 反丁烯二酸二酯類、丙烯醯胺類、不飽和羧酸類、烯丙基化合物、乙烯基醚類、乙烯基酮類、乙烯基異節環化合物、縮水甘油酯類、不飽和腈類等。該些單體亦記載於日本專利第3754745號公報的[0010]~[0022]中。
就疏水性的觀點而言，較佳為丙烯酸酯類、甲基丙烯酸酯類，更佳為甲基丙烯酸羥基乙酯等的甲基丙烯酸羥基烷基酯或者丙烯酸羥基烷基酯。通式(1)所表示的聚合物較佳為除了上述通式(A)、通式(B)、通式(C)及通式(D)以外，還包含下述通式(E)所表示的重複單元。
上述式中，LE表示伸烷基，較佳為碳數1~10的伸烷基，更佳為碳數2~6的伸烷基，尤佳為碳數2~4的伸烷基。
通式(1)所表示的聚合物特佳為下述通式(3)所表示的聚合物。
[化4]
上述式中，a1、b1、c1、d1及e1表示各單體單元的莫耳比率，a1表示3~60(莫耳%)，b1表示30~95(莫耳%)，c1表示0.5~25(莫耳%)，d1表示0.5~40(莫耳%)，e1表示1~10(莫耳%)。
a1的較佳範圍與上述x的較佳範圍相同，b1的較佳範圍與上述y的較佳範圍相同，c1的較佳範圍與上述z的較佳範圍相同，d1的較佳範圍與上述w的較佳範圍相同。
e1為1莫耳%~10莫耳%，較佳為2莫耳%~9莫耳%，更佳為2莫耳%~8莫耳%。
以下示出通式(1)所表示的聚合物的具體例，但並不限定於該些具體例。
[化5]
[化6]
通式(1)所表示的聚合物的重量平均分子量較佳為1000~100萬，更佳為2000~75萬，尤佳為3000~50萬。
通式(1)所表示的聚合物例如可參照日本專利第3305459號以及日本專利第3754745號公報等來合成。
<導電片>
導電片10包括上述支持體12以及包含導電性細線14的導電部16。
此外，視需要，導電片10亦可於支持體12與導電性細線14之間包括其他層(例如底塗層、防光暈層(antihalation layer))。
防光暈層中使用的材料及其使用方法並無特別限制，例如例示於日本專利特開2009-188360號公報的段落[0029]~段落[0032]等中。
導電片可用於多種用途。例如可用作各種電極(例如觸控面板用電極、無機EL元件用電極、有機EL元件用電極或者太陽電池用電極)、發熱片、或者印刷配線基板。其中，導電片較佳為用於觸控面板，特佳為用於靜電電容方式的觸控面板。該情況下，導電部可構成例如靜電電容式觸控面板的檢測電極、或與檢測電極連接的引出配線等。
另外，導電片由於耐久性優異，故而亦可應用於感測器部設置於曲面上之類的具有立體形狀的觸控面板。
另外，作為其他用途，導電片亦可用作遮蔽由個人電腦或工作站(workstation)等產生的電波或者微波(超高頻(ultra high frequency))等電磁波，且防止靜電的電磁波屏蔽。此外，除了個人電腦本體中使用的電磁波屏蔽以外，亦可用作影像拍攝機器或電子醫療機器等中使用的電磁波屏蔽。
進而，導電片亦可用作透明發熱體。
該些用途中，特佳為應用於觸控面板。當應用於觸控面板時， 可於導電片的導電部側上配置透明黏著層。
包括本發明的導電片的觸控面板的較佳態樣可列舉：具有配置於導電片的導電部側上的透明黏著層的觸控面板，且為透明黏著層中所含的黏著劑的酸值為100mgKOH/g以下、黏著劑的吸水率為1.0%以下的觸控面板。若為上述態樣的觸控面板，則進一步抑制導電性細線間的離子遷移。
上述透明黏著層中的黏著劑的酸值較佳為100mgKOH/mg以下，其中就進一步抑制離子遷移的方面而言，更佳為0mgKOH/mg~60mgKOH/mg，尤佳為0mgKOH/mg~40mgKOH/mg。
上述酸值是依據JIS K0070：1992「化學製品的酸值、皂化值(saponification value)、酯值(ester value)、碘值、羥值以及不皂化物的試驗方法」，使用中和滴定法來測定。
黏著劑的吸水率較佳為1.0%以下，其中就進一步抑制離子遷移的方面而言，更佳為0%~0.95%，尤佳為0%~0.90%，特佳為0%~0.80%。
黏著劑的吸水率是以如下方式算出。
根據於銅板上以5cm×5cm、厚度為100μm的大小貼合黏著劑後，於溫度為85℃、濕度為85%的環境下靜置24小時前後的重量變化[{(靜置後的黏著劑的重量)-(靜置前的黏著劑的重量)}/(靜置前的黏著劑的重量)×100]來算出。此外，於自高溫恆濕槽中取出後，直至重量穩定為止、放置5分鐘後進行測定。
此外，黏著劑較佳為黏著性絕緣材料。
作為上述黏著性絕緣材料的較佳態樣的丙烯酸系黏著性絕緣材料是以具有由(甲基)丙烯酸烷基酯而來的重複單元的丙烯酸系聚合物作為主成分。此外，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯。丙烯酸系黏著性絕緣材料中，就黏著性更優異的方面而言，較佳為具有由烷基的碳數為1~12左右的(甲基)丙烯酸烷基酯而來的重複單元的丙烯酸系聚合物，就相互靜電電容的變化率變得更小的方面而言，更佳為具有由上述碳數的甲基丙烯酸烷基酯而來的重複單元以及由上述碳數的丙烯酸烷基酯而來的重複單元的丙烯酸系聚合物。
上述丙烯酸系聚合物中的重複單元中，亦可包含由(甲基)丙烯酸而來的重複單元。
<導電片的較佳態樣>
導電片的較佳態樣之一可列舉於支持體上的導電性細線間具有黏合劑部的導電片，上述黏合劑部包含與明膠不同的高分子，且實質上不含明膠。更具體而言，可列舉如圖3所示，包括支持體12、包含配置於支持體12上的導電性細線14的導電部16、配置於導電性細線14間的黏合劑部22的導電片100。藉由在導電性細線14間設置黏合劑部22，則進一步抑制導電性細線14間的離子遷移。
圖2中記載的導電片100的態樣除了黏合劑部22以外，與圖1中記載的導電片10的態樣相同，因此對同一構成省略說明，以下對黏合劑部22進行詳細說明。
(黏合劑部)
黏合劑部是至少設置於導電性細線間的層。此外，更適合的態樣較佳為導電性細線所處的支持體表面上由導電性細線以及黏合劑部所覆蓋。
黏合劑部中包含與明膠不同的高分子。此外，與明膠不同的高分子的定義如上所述。
黏合劑部中實質上不含明膠。所謂實質上不含明膠，是指與上述同樣，黏合劑部中的明膠的含量小於0.002mg/cm2，就進一步抑制離子遷移的方面而言，較佳為0.001mg/cm2以下，更佳為0.0005mg/cm2以下。下限並無特別限制，但較佳為0mg/cm2。
此外，黏合劑部中的明膠量是表示當從與黏合劑部表面垂直的方向投影時的投影平面圖的每單位面積(cm2)中所含的明膠的量。
黏合劑部的厚度並無特別限制，但較導電性細線部的厚度薄的情況多。
此外，黏合劑部中亦可包含與明膠不同的高分子以外的成分。
<導電片的製造方法>
上述導電片的製造方法並無特別限制，但就生產性優異的方面而言，較佳為至少包括以下步驟的製造方法：步驟A，於支持體上形成規定的含鹵化銀的感光性層；步驟B，對含鹵化銀的感光性層進行曝光‧顯影處理；步驟C，進行加熱處理；以及步驟D，以蛋白質分解酵素進行處理。
以下，對各步驟中使用的材料及其程序，參照圖4(A)~圖4(C)來進行詳細說明。
[步驟A(含鹵化銀的感光性層形成步驟)]
步驟A是於支持體上形成含鹵化銀的感光性層(以後亦簡稱為「感光性層」)的步驟(含鹵化銀的感光性層形成步驟)，上述含鹵化銀的感光性層包含鹵化銀、明膠、及與明膠不同的高分子，且明膠的質量X與高分子的質量Y的質量比(Y/X)為0.1以上。藉由本步驟，來製造實施後述曝光處理的帶有感光性層的支持體。
更具體而言，如圖4(A)所示，於支持體12上形成包含鹵化銀24(例如溴化銀粒子、氯溴化銀粒子或碘溴化銀粒子)、明膠及與明膠不同的高分子的含鹵化銀的感光性層26。此外，圖4(A)~圖4(B)中，將鹵化銀24標記為「粒粒」，但為了始終有助於本發明的理解而誇張表示，並不表示大小或濃度等。此外，以後，含鹵化銀的感光性層亦簡稱為感光性層。
首先，對本步驟A中使用的材料‧構件進行詳細說明，然後對步驟A的程序進行詳細說明。
此外，所使用的支持體、明膠、與明膠不同的高分子的定義如上所述。
(鹵化銀)
鹵化銀中所含有的鹵素元素可為氯、溴、碘及氟的任一種，亦可將該些鹵素元素加以組合。例如，較佳為使用以氯化銀、溴化銀、碘化銀作為主體的鹵化銀，尤佳為使用以溴化銀或氯化銀 作為主體的鹵化銀。另外，亦較佳為使用氯溴化銀、碘氯溴化銀、碘溴化銀。更佳為氯溴化銀、溴化銀、碘氯溴化銀、碘溴化銀，最佳為使用含有氯化銀50莫耳%以上的氯溴化銀、碘氯溴化銀。
此外，此處，所謂「以溴化銀作為主體的鹵化銀」，是指溴化物離子於鹵化銀組成中所佔莫耳分率為50%以上的鹵化銀。以該溴化銀作為主體的鹵化銀粒子除了含有溴化物離子以外，亦可含有碘化物離子、氯化物離子。
鹵化銀為固體粒子狀，就曝光、顯影處理後所形成的導電部的圖案性的觀點而言，鹵化銀的平均粒子尺寸較佳為以球相當直徑計為0.1nm~1000nm(1μm)，更佳為0.1nm~100nm，尤佳為1nm~50nm。
此外，所謂鹵化銀粒子的球相當直徑，是指與粒子形狀為球形的粒子為相同體積的粒子的直徑。
鹵化銀粒子的形狀並無特別限定，例如可為球狀、立方體狀、平板狀(六角形平板狀、三角形平板狀、四角形平板狀等)、八面體狀、14面體狀等多種形狀。
另外，關於為了鹵化銀的穩定化或高感度化而使用的銠化合物、銥化合物等屬於VIII族、VIIB族的金屬化合物、鈀化合物的利用，可參照日本專利特開2009-188360號的段落0039~段落0042的記載。進而關於化學增感，可參照日本專利特開2009-188360號的段落0043的技術記載。
(其他)
含鹵化銀的感光性層中，視需要亦可包含上述材料以外的其他材料。例如，可列舉為了鹵化銀的穩定化及高感度化而使用的銠化合物、銥化合物等屬於VIII族、VIIB族的金屬化合物。或者可列舉如日本專利特開2009-004348號公報的段落[0220]~段落[0241]中所記載的抗靜電劑、造核促進劑、分光增感色素、界面活性劑、防霧劑、硬膜劑、防黑點劑、氧化還原(redox)化合物、單次甲基化合物、二羥基苯類等。進而，亦可包含物理顯影核。
其中，含鹵化銀的感光性層中較佳為包含用於使上述高分子彼此交聯的交聯劑。藉由包含交聯劑，則於高分子彼此間進行交聯，當於後述步驟D中，明膠被分解去除時，亦保持導電部中的金屬銀彼此的連結，結果獲得導電特性優異的導電膜。
所使用的交聯劑的種類並無特別限制，根據所使用的高分子的結構來適當選擇最佳的交聯劑。通常，交聯劑具有至少2個與高分子中所含的基團(反應性基)進行反應的交聯性基。
例如，就反應性更優異的方面而言，上述高分子中的反應性基、與交聯劑中的交聯性基的適當組合例如可列舉以下的(1)~(8)的組合。
(1)羥基與異氰酸基
(2)羧酸基與環氧基
(3)羥基與羧酸酐基
(4)羧酸基與異氰酸基
(5)胺基與異氰酸基
(6)羥基與環氧基
(7)胺基與環氧基
(8)胺基與鹵化烷基
即，交聯性基例如可列舉：羥基、異氰酸基、羧酸基、羧酸酐基、環氧基、胺基、鹵化烷基等。
交聯劑可列舉：乙烯基碸類(例如1,3-雙乙烯基磺醯基丙烷)、醛類(例如乙二醛)、氯化嘧啶類(例如2,4,6-三氯嘧啶)、氯化三嗪類(例如三聚氯化氰(cyanuric chloride))、環氧化合物、碳二亞胺(carbodiimide)化合物等。此外，亦可為利用藉由光照射而引起的光化學反應來進行交聯反應的交聯劑。
環氧化合物較佳為：1,4-雙(2',3'-環氧基丙氧基)丁烷、異三聚氰酸1,3,5-三縮水甘油酯、1,3-二縮水甘油基-5-(γ-乙醯氧基-β-氧基丙基)異三聚氰酸酯、山梨糖醇聚縮水甘油醚類、聚甘油聚縮水甘油醚類、季戊四醇聚縮水甘油醚類、二甘油聚縮水甘油醚、1,3,5-三縮水甘油基(2-羥基乙基)異三聚氰酸酯、甘油聚甘油醚類以及三羥甲基丙烷聚縮水甘油醚類等環氧化合物，其具體的市售品例如可列舉：Denacol EX-521或Denacol EX-614B(均為商品名，長瀨化成工業(Nagase Chemical Industry)(股)製造)、EPOXY RESIN DY 022(長瀨化成(Nagase ChemteX)公司製造)等，但並不限定於該些化合物。
碳二亞胺化合物較佳為使用分子內具有多個碳二亞胺結構的化合物。聚碳二亞胺通常是藉由有機二異氰酸酯的縮合反 應來合成。此處，分子內具有多個碳二亞胺結構的化合物的合成中所使用的有機二異氰酸酯的有機基並無特別限定，亦可使用芳香族系、脂肪族系的任一種或者它們的混合系，但就反應性的觀點而言，特佳為脂肪族系。合成原料可使用有機異氰酸酯、有機二異氰酸酯、有機三異氰酸酯等。有機異氰酸酯的例子可使用芳香族異氰酸酯、脂肪族異氰酸酯及、它們的混合物。具體而言使用：4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、4,4-二苯基二甲基甲烷二異氰酸酯、1,4-伸苯基二異氰酸酯、2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、環己烷二異氰酸酯、二甲苯二異氰酸酯、2,2,4-三甲基六亞甲基二異氰酸酯、4,4'-二環己基甲烷二異氰酸酯、1,3-伸苯基二異氰酸酯等，另外，有機單異氰酸酯可使用：異佛爾酮異氰酸酯、異氰酸苯基酯、異氰酸環己酯、異氰酸丁酯、異氰酸萘酯等。另外，碳二亞胺系化合物的具體市售品例如可獲取Carbodilite V-02-L2(商品名：日清紡公司製造)等。
感光性層中的交聯劑的含量並無特別限制，但就離子遷移抑制能力更優異的方面而言，較佳為0.02g/m2~3.0g/m2，更佳為0.05g/m2~2.0g/m2。
含鹵化銀的感光性層中，就生產性的觀點而言，較佳為包含使明膠彼此進行交聯的硬膜劑。
硬膜劑的種類並無特別限制，例如可列舉：乙烯基碸類(例如1,3-雙乙烯基磺醯基丙烷)、醛類(例如乙二醛)、氯化嘧啶類(例如2,4,6-三氯嘧啶)、氯化三嗪類(例如三聚氯化氰)、環氧化 合物、碳二亞胺化合物等。
此外，硬膜劑可為與使上述使高分子彼此進行交聯的交聯劑相同的種類。即，可為不僅使高分子彼此進行交聯，而且使明膠彼此進行交聯的化合物。
(步驟A的程序)
步驟A中形成包含上述成分的含鹵化銀的感光性層的方法並無特別限制，但就生產性的方面而言，較佳為如下方法：使含有鹵化銀、明膠及高分子的感光性層形成用組成物接觸於支持體上，於支持體上形成含鹵化銀的感光性層。
以下，對該方法中使用的感光性層形成用組成物的態樣進行詳細說明後，對步驟的程序進行詳細說明。
(感光性層形成用組成物中所含的材料)
感光性層形成用組成物中含有上述鹵化銀、明膠及高分子。此外，高分子亦可以乳膠的形態包含於感光性層形成用組成物中。
感光性層形成用組成物中視需要而含有溶劑。
所使用的溶劑例如可列舉：水、有機溶劑(例如甲醇等醇類、丙酮等酮類、甲醯胺等醯胺類、二甲基亞碸等亞碸類、乙酸乙酯等酯類、醚類等)、離子性液體、或者該溶劑的混合溶劑。
所使用的溶劑的含量並無特別限制，但相對於鹵化銀、明膠及高分子的合計質量，較佳為30質量%~90質量%的範圍，更佳為50質量%~80質量%的範圍。
使感光性層形成用組成物與支持體接觸的方法並無特 別限制，可採用公知的方法。例如可列舉：將感光性層形成用組成物塗佈於支持體上的方法、或將支持體浸漬於感光性層形成用組成物中的方法等。
(含鹵化銀的感光性層)
藉由上述程序而形成的含鹵化銀的感光性層中，明膠的質量X與上述高分子的質量Y的質量比(Y/X)為0.1以上。其中，就離子遷移抑制能力更優異的方面而言，較佳為0.2以上，更佳為0.5以上。上限並無特別限制，但通常為2.0以下的情況多。
於質量比(Y/X)小於0.1的情況下，離子遷移抑制能力差。
含鹵化銀的感光性層中的鹵化銀的含量並無特別限制，但就導電性細線的導電特性更優異的方面而言，較佳為以銀換算計為3.0g/m2~20.0g/m2，更佳為5.0g/m2~15.0g/m2。
另外，含鹵化銀的感光性層中的高分子的含量並無特別限制，但就離子遷移抑制能力或者導電部的密接性更優異的方面而言，較佳為0.04g/m2~2.0g/m2，更佳為0.08g/m2~0.4g/m2，尤佳為0.1g/m2~0.4g/m2。
[步驟B(曝光‧顯影步驟)]
步驟B是對步驟A中獲得的含鹵化銀的感光性層進行曝光後，進行顯影處理而形成包含含有金屬銀的導電性細線的導電部的步驟(曝光‧顯影步驟)。藉由實施本步驟，則鹵化銀被還原，形成包含含有金屬銀的導電性細線的導電部。此外，通常，曝光處理是以圖案狀實施，於曝光部形成包含含有金屬銀的導電性細 線的導電部。另一方面，非曝光部中，藉由後述顯影處理而使鹵化銀溶出，形成包含上述明膠及上述高分子的非導電部。於非導電部實質上不含金屬銀，所謂非導電部，是指不顯示導電性的區域。
更具體而言，如圖4(B)所示，對含鹵化銀的感光性層26進行曝光。即，隔著與規定的曝光圖案對應的遮罩圖案，對含鹵化銀的感光性層26照射光。或者藉由對含鹵化銀的感光性層26進行數位輸入曝光，而對含鹵化銀的感光性層26曝光成規定的曝光圖案。鹵化銀24若受到光能量，則感光而生成稱為「潛像」的肉眼所無法觀察到的微小銀核。然後，為了將潛像增幅為肉眼能夠觀察到的經可見化的圖像而進行顯影處理，藉此如圖4(C)所示，形成導電性細線14a以及非導電部28。此外，此處於導電性細線14a中包含大量明膠，經過後述的步驟D(明膠去除處理步驟)而製造顯示出所需體積比(A/B)的導電性細線。
以下，對本步驟中實施的曝光處理及顯影處理進行詳細說明。
(曝光處理)
曝光處理是對感光性層進行曝光的處理。藉由對感光性層實施圖案狀的曝光，則曝光區域中的感光性層中的鹵化銀形成潛像。形成有該潛像的區域藉由後述的顯影處理而形成導電部。另一方面，於未經曝光的未曝光區域，當後述顯影處理時，鹵化銀溶解而自感光性層中流出，獲得透明的膜(非導電部)。
曝光時所使用的光源並無特別限制，可列舉可見光線、紫外 線等光，或者X射線等放射線等。
進行圖案曝光的方法並無特別限制，例如可藉由利用光罩的面曝光來進行，亦可藉由利用雷射束的掃描曝光來進行。此外，圖案的形狀並無特別限制，可根據所欲形成的導電性細線的圖案來適當調整。
(顯影處理)
顯影處理的方法並無特別限制，例如可根據感光性層的種類而自以下3種方式中選擇。
(1)對不含物理顯影核的感光性層進行化學顯影或者熱顯影而形成金屬銀的方式。
(2)對包含物理顯影核的感光性層進行溶解物理顯影而形成金屬銀的方式。
(3)將包括不含物理顯影核的感光性層、與包含物理顯影核的非感光性層的顯像片重疊，進行擴散轉印顯影而形成金屬銀的方式。
此處所謂的化學顯影、熱顯影、溶解物理顯影及擴散轉印顯影是指如本領域技術人員通常使用的用語所述的含義，在照相化學的一般教科書，例如菊地真一著「照相化學」(共立出版公司發行)、C.E.K.Mees編「照相過程理論(The Theory of Photographic Process)第4版」(麥克米倫(Mcmillan)公司，1977年發行)中有解說。另外，例如亦可參照日本專利特開2004-184693號公報、日本專利特開2004-334077號公報、日本專利特開 2005-010752號公報等中記載的技術。
上述(1)~(3)的方式中，方式(1)由於在顯影前的感光性層中不具有物理顯影核、且不為2片的擴散轉印方式，故而方式(1)可進行最簡便、穩定的處理，對本發明的導電片的製造而言較佳。以下，記載方式(1)中的說明，但於使用其他方式的情況下，可參照上段記載的文獻。此外，「溶解物理顯影」並非僅方式(2)中固有的顯影法，而是方式(1)中亦可利用的顯影方法。
顯影處理的方法例如可使用：銀鹽照相軟片、感光紙、印刷製版用膜、光罩用乳膠遮罩(emulsion mask)等中使用的通常的顯影處理的技術。
顯影處理時使用的顯影液的種類並無特別限制，例如亦可使用菲尼酮-對苯二酚(phenidone-hydroquinone，PQ)顯影液、米吐爾-對苯二酚(metol-hydroquinone，MQ)顯影液、甲基丙烯酸(methacrylic acid，MAA)顯影液等。市售品中，例如可使用：富士軟片(Fujifilm)公司配方的CN-16、CR-56、CP45X、FD-3、Papitol，柯達(KODAK)公司配方的C-41、E-6、RA-4、D-19、D-72等顯影液，或者其套組(kit)中所含的顯影液。另外，亦可使用高反差顯影液(lith developer)。
顯影處理可包括出於將未曝光部分的銀鹽去除而使其穩定化的目的來進行的定影處理。定影處理可使用銀鹽照相軟片或感光紙、印刷製版用膜、光罩用乳膠遮罩等中使用的定影處理的技術。
定影步驟中的定影溫度較佳為約20℃~約50℃，更佳為25℃~45℃。另外，定影時間較佳為5秒~1分鐘，更佳為7秒~50秒。
經實施顯影、定影處理的感光性層較佳為實施水洗處理或穩定化處理。上述水洗處理或者穩定化處理中，通常是以相對於感光材料1m2，水洗水量為20升以下的條件來進行，亦可以3升以下的補充量(亦包含0，即積存水水洗)來進行。
相對於曝光前的曝光部中所含的銀的質量，顯影處理後的曝光部(導電部)中所含的金屬銀的質量較佳為50質量%以上的含有率，尤佳為80質量%以上。若曝光部中所含的銀的質量相對於曝光前的曝光部中所含的銀的質量而為50質量%以上，則可獲得高導電性，因此較佳。
[步驟C(加熱步驟)]
步驟C是對上述步驟B中獲得的具有導電部及非導電部的支持體實施加熱處理的步驟。藉由實施本步驟，則導電部及非導電部中的與明膠不同的高分子彼此熔著，而構成更牢固的層。更具體而言，與明膠不同的高分子彼此粒子相互熔著而形成均勻的膜。若形成此種均勻的膜，則於以蛋白質分解酵素去除明膠後亦可維持膜強度，可防止霧值的上升。
以下，對本步驟中實施的加熱處理進行詳細說明。
加熱處理的條件可根據所使用的與明膠不同的高分子的種類來適當選擇最佳的條件，較佳為與明膠不同的高分子的玻 璃轉移溫度以上的加熱條件。
加熱處理的方法之一可列舉使具有導電部及非導電部的支持體接觸過熱蒸氣的處理。過熱蒸氣可為過熱水蒸氣，亦可為於過熱水蒸氣中混合有其他氣體的蒸氣。
過熱蒸氣較佳為在供給時間為10秒以上、70秒以下的範圍內與導電部接觸。若供給時間為10秒以上，則導電率的提高的效果大。另外，由於大約自70秒起，導電性的提高成為飽和狀態，因此就經濟性的方面而言，長於70秒的時間設定欠佳。
另外，過熱蒸氣可在供給量為500g/m3~600g/m3的範圍內與導電部接觸，過熱蒸氣的溫度較佳為於1氣壓下控制為100℃~160℃(較佳為100℃~120℃)。
加熱處理的其他方法可列舉於100℃~200℃(較佳為100℃~150℃，更佳為110℃~130℃)下實施1分鐘~240分鐘(較佳為60分鐘~150分鐘，更佳為90分鐘~120分鐘)加熱處理的方法。
[步驟D(明膠去除處理步驟)]
步驟D是對上述步驟C中獲得的具有導電部的支持體，進而以將明膠分解的蛋白質分解酵素進行處理的步驟(明膠去除處理步驟)。藉由實施本步驟，自經實施曝光‧顯影處理的感光性層(上述導電部以及非導電部)中分解‧去除明膠，製造不僅包括以規定比包含上述金屬銀及明膠的導電性細線，而且於導電性細線間包括黏合劑部的導電片，進一步抑制導電性細線間的離子遷移。
以下，首先對本步驟中使用的材料進行詳細說明，然後對本步驟的程序進行詳細說明。
(蛋白質分解酵素)
蛋白質分解酵素(以下，亦稱為酵素)可使用可將明膠等蛋白質水解的植物性或者動物性酵素中公知的酵素。例如可列舉：胃蛋白酶(pepsin)、凝乳酶(rennin)、胰蛋白酶(trypsin)、胰凝乳蛋白酶(chymotrypsin)、組織蛋白酶(cathepsin)、木瓜酶(papain)、無花果蛋白酶(ficin)、凝血酶(thrombin)、腎素(renin)、膠原酶(collagenase)、鳳梨酶(bromelain)、細菌蛋白酶(bacterial protease)等。其中特佳為胰蛋白酶、木瓜酶、無花果蛋白酶、細菌蛋白酶。其中，特別是細菌蛋白酶(例如長瀬產業(股)製造的枯草桿菌產蛋白質酶(bioprase))的售價低廉，可容易獲取。
(步驟的程序)
步驟D的程序只要可使具有導電部的支持體與上述酵素接觸，則並無特別限制。尤其只要是支持體上的導電部及非導電部與酵素可接觸的方法，則並無特別限制。通常可列舉使包含上述酵素的處理液(酵素液)(以後，亦簡稱為「處理液」)、與具有導電部的支持體接觸的方法。接觸方法例如可列舉：於具有導電部的支持體上塗佈處理液的方法、或將具有導電部的支持體浸漬於處理液中的方法等。
處理液中的酵素含量並未特別指定，可根據所使用的酵素的 能力及所要求的性能來任意決定。其中，就容易控制明膠的分解去除的程度的方面而言，相對於處理液總量，酵素的含量較佳為0.05質量%~20質量%左右，更佳為5質量%~10質量%。
該處理液中除了上述酵素以外，可視需要含有pH緩衝劑、抗菌性化合物、濕潤劑、防腐劑等。
處理液的pH值是以最大限度地獲得酵素的作用的方式，藉由實驗來選擇，但通常較佳為5~7。另外，處理液的溫度亦較佳為提高酵素的作用的溫度，具體而言為25℃~45℃。
接觸時間並無特別限制，就導電片的離子遷移抑制能力更優異的方面而言，較佳為10秒~500秒，更佳為90秒~360秒。
此外，視需要，亦可於利用處理液的處理後，進而還設置利用溫水來清洗導電片的步驟。藉由設置本步驟，可去除明膠分解殘渣及蛋白質分解酵素的剩餘部分等，進一步抑制離子遷移。
清洗方法並無特別限制，只要可使導電片與溫水進行接觸即可，例如可列舉：將導電片浸漬於溫水中的方法、或於導電片上塗佈溫水的方法等。
溫水的溫度為根據所使用的蛋白質分解酵素的種類等來適當選擇最佳的溫度，但就生產性的方面而言，較佳為20℃~80℃，更佳為40℃~60℃。
溫水與導電片的接觸時間(清洗時間)並無特別限制，但就生產性的方面而言，較佳為1秒~600秒，更佳為30秒~360秒。
藉由經過上述步驟，可製造上述導電片。尤其利用上述 較佳態樣的方法來製造圖3所示的包括導電部及黏合劑部的導電片。
[導電片的製造方法的其他較佳態樣]
本發明的導電片的製造方法除了包括上述步驟A~步驟D以外，亦可包括其他步驟。
以下，對任意的步驟進行詳細說明。
(步驟E(不含鹵化銀的層形成步驟))
較佳為於上述步驟A之前更包括步驟E，該步驟E於支持體上形成包含明膠及與明膠不同的高分子的不含鹵化銀的層。藉由實施本步驟，而在支持體與上述步驟A中形成的含鹵化銀的感光性層之間形成不含鹵化銀的層。該不含鹵化銀的層不僅發揮所謂防光暈層的作用，而且有助於導電部與支持體的密接性提高。
不含鹵化銀的層中包含上述明膠及高分子。另一方面，不含鹵化銀的層中不含鹵化銀。
不含鹵化銀的層中的明膠與高分子的質量比(高分子的質量/明膠的質量)並無特別限制，但就離子遷移抑制能力更優異的方面而言，較佳為0.1~5.0，更佳為1.0~3.0。
另外，不含鹵化銀的層中的高分子的含量並無特別限制，但就離子遷移抑制能力更優異的方面而言，較佳為0.03g/m2~1.63g/m2，更佳為0.325g/m2~0.975g/m2，尤其就氧化處理時的表面品質優異的方面而言，尤佳為0.50g/m2~0.975g/m2，特佳為0.50g/m2~0.900g/m2。
不含鹵化銀的層中，亦可視需要包含上述材料以外的其他材料。例如可列舉上述含鹵化銀的感光性層中可包含的其他材料(例如抗靜電劑、界面活性劑、防霧劑、硬膜劑、防黑點劑等)。
另外，不含鹵化銀的層中，與含鹵化銀的感光性層同樣，較佳為包含用於使高分子彼此進行交聯的交聯劑。藉由包含交聯劑，則於高分子彼此間進行交聯，於步驟C中明膠被分解去除時，導電部中的金屬銀彼此亦保持連結，結果獲得導電特性優異的導電膜。交聯劑的種類如上所述。
進而，不含鹵化銀的層中，與含鹵化銀的感光性層同樣，就生產性的觀點而言，較佳為包含使明膠彼此進行交聯的硬膜劑。硬膜劑的種類如上所述。
不含鹵化銀的層的形成方法並無特別限制，例如可列舉將含有明膠及高分子的層形成用組成物塗佈於支持體上，視需要實施加熱處理的方法。
層形成用組成物中可視需要而包含溶劑。溶劑的種類可例示上述感光性層形成用組成物中使用的溶劑。
不含鹵化銀的層的厚度並無特別限制，但通常較佳為0.05μm~2.0μm，更佳為0.65μm~1.5μm。
(步驟F(保護層形成步驟))
較佳為於上述步驟A之後且上述步驟B之前，更包括於含鹵化銀的感光性層上形成包含明膠及與明膠不同的高分子的保護層的步驟F。藉由設置保護層，可防止感光性層的擦傷或改良力學特 性。
保護層中的明膠與高分子的質量比(高分子的質量/明膠的質量)並無特別限制，但就離子遷移抑制能力更優異的方面而言，較佳為超過0且2.0以下，更佳為超過0且1.0以下，尤佳為0.05~0.075。
另外，保護層中的高分子的含量並無特別限制，但就離子遷移抑制能力更優異的方面而言，較佳為超過0g/m2且0.3g/m2以下，更佳為0.075g/m2~0.01g/m2。
保護層的形成方法並無特別限制，例如可列舉如下方法：將含有明膠及高分子的保護層形成用組成物塗佈於支持體上，視需要實施加熱處理。
保護層形成用組成物中可視需要而包含溶劑。溶劑的種類可列舉上述感光性層形成用組成物中使用的溶劑。
保護層的厚度並無特別限制，但通常較佳為0.03μm~0.3μm，更佳為0.075μm~0.20μm。
保護層中，可視需要而包含上述材料以外的其他材料。例如可列舉上述含鹵化銀的感光性層中可包含的其他材料(例如抗靜電劑、界面活性劑、防霧劑、硬膜劑、防黑點劑等)。
另外，保護層中，與含鹵化銀的感光性層同樣，較佳為包含用於使高分子彼此進行交聯的交聯劑。藉由包含交聯劑，則於高分子彼此間進行交聯，於步驟C中明膠被分解去除時亦保持導電部中的金屬銀彼此的連結，結果獲得導電特性優異的導電膜。交 聯劑的種類如上所述。
進而，保護層中，與含鹵化銀的感光性層同樣，就生產性的觀點而言，較佳為包含使明膠彼此進行交聯的硬膜劑。硬膜劑的種類如上所述。
(步驟G(還原步驟))
較佳為於步驟B之後且步驟D之前、及/或步驟D之後，更包括以還原水溶液對具有導電部的支持體進行處理來進行還原處理的步驟G。可參考笹井明著「照相的化學」(照相工業出版公司)的第22項「增強、減弱、調色、其他處理」中記載的增強技術，可藉由將由顯影處理而生成的銀暫時氧化後再次進行還原處理，而獲得導電性更高的片。
還原水溶液的種類只要可進行銀的還原，則並無特別限制，例如可使用：亞硫酸鈉水溶液、對苯二酚水溶液、對苯二胺水溶液、乙二酸水溶液、抗壞血酸水溶液、硼氫化鈉水溶液等，水溶液的pH值尤佳為設為10以上。
處理的方法並無特別限制，只要使具有導電部的支持體與還原水溶液接觸即可。接觸方法例如可列舉將該支持體浸漬於還原水溶液中的方法。
(步驟H(光照射步驟))
較佳於上述步驟B之後且上述步驟D之前、及/或上述步驟D之後，更包括對導電部照射源自氙閃光燈的脈衝光的步驟H。藉由實施本步驟，可實現導電部的低電阻化。關於導電片的導電性 提高的原因並不確定，但認為：藉由照射源自氙閃光燈的脈衝光，則由於熱，至少一部分的高分子及/或明膠蒸發，金屬(導電性物質)彼此容易結合。
脈衝光的照射量並無特別限制，但較佳為每1脈衝設為1J以上、1500J以下，更佳為設為100J~1000J，尤佳為設為500J~800J。可使用一般的紫外線照度計來測定照射量。一般的紫外線照度計可使用例如於300nm~400nm下具有檢測峰值的照度計。
於將導電片用作例如觸控面板用電極的情況下，為了使導電部為肉眼所無法看到，較佳為導電性細線的線寬為1μm~15μm，厚度為1μm~3μm。於此種線寬、厚度的情況下，脈衝光的照射次數較佳為1次以上、2000次以下，更佳為1次以上、50次以下，尤佳為1次以上、30次以下。
(步驟I(平滑化步驟))
較佳為於上述步驟B之後且上述步驟D之前、及/或上述步驟D之後，更包括對導電部進行平滑化處理的步驟I。藉由實施本步驟I，而達成導電部的導電性的提高、導電部的密接性的提高、或者表面電阻的降低。
平滑化處理的方法並無特別限制，但例如可利用壓光輥(calender roll)來進行。壓光輥通常包括一對輥。以下，將使用壓光輥的平滑化處理記作壓光處理。
壓光處理中使用的輥可使用環氧、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯 亞胺醯胺等的塑膠輥或者金屬輥。就防皺的方面而言，較佳為使用塑膠輥。壓力的下限值較佳為2MPa以上，尤佳為4MPa以上。壓力的上限值較佳為120MPa以下。此外，關於壓力，使用富士軟片(股)製造的預分頻器(prescale)(高壓用)進行測定。
就導電部的視認性更優異的方面而言，壓光處理中使用的輥的表面粗糙度Ra較佳為0μm~2.0μm，更佳為0.3μm~1.0μm。
壓光輥所代表的平滑化處理的適用溫度較佳為10℃(無溫度調整)~100℃，更佳的溫度根據導電部的圖案的掃描線密度或形狀、黏合劑種而不同，但大致為10℃(無溫度調整)~50℃的範圍。
(步驟J(加熱步驟))
較佳為於上述步驟D之後更包括對具有導電部的支持體實施加熱處理的步驟J。藉由實施本步驟，而獲得不僅導電部的導電性提高，而且離子遷移抑制能力更優異的導電片。另外，藉由實施本步驟，而達成導電片的霧度的降低、導電部的密接性的提高、氧化處理時的表面品質的提高、或者表面電阻的降低。
加熱處理的方法之一可列舉使具有導電部的支持體與過熱蒸氣接觸的處理。
過熱蒸氣可為過熱水蒸氣，亦可為於過熱水蒸氣中混合有其他氣體的蒸氣。
過熱蒸氣較佳為於供給時間為10秒以上、70秒以下的範圍內與導電部接觸。若供給時間為10秒以上，則導電率的提高幅度大。 另外，由於自大約70秒時起，導電性的提高成為飽和狀態，故而就經濟性的方面而言，較70秒長的時間的設定欠佳。
另外，過熱蒸氣可於供給量為500g/m3~600g/m3的範圍內與導電部接觸，過熱蒸氣的溫度較佳為於1氣壓下控制為100℃以上、160℃以下。
加熱處理的其他方法可列舉80℃~150℃下的加熱處理。
加熱時間並無特別限制，但就上述效果更優異的方面而言，較佳為0.1小時~5.0小時，更佳為0.5小時~1.0小時。
(步驟K(穩定化步驟))
較佳為於上述步驟D之後更包括使具有導電部的支持體與遷移防止劑接觸的步驟K。藉由實施本步驟K，則實現導電部中的金屬銀的穩定化，即便減少上述利用氧化劑的明膠分解處理的時間，亦充分抑制離子遷移。
所使用的遷移防止劑可使用公知的材料，例如較佳為使用含氮雜環化合物或有機巰基化合物，其中較佳為使用含氮雜環化合物。
含氮雜環化合物的較佳例較佳為5員環或者6員環唑類，其中較佳為5員環唑類。
雜環例如可列舉：四唑環(tetrazole ring)、三唑環(triazole ring)、咪唑環(imidazole ring)、噻二唑環(thiadiazole ring)、噁二唑環(oxadiazole ring)、硒二唑環(selenadiazole ring)、噁唑環 (oxazole ring)、噻唑環(thiazole ring)、苯并噁唑環(benzoxazole ring)、苯并噻唑環(benzthiazole ring)、苯并咪唑環(benzimidazole ring)、嘧啶環(pyrimidine ring)、三氮雜茚環(triazaindene ring)、四氮雜茚環、五氮雜茚環等。
該些環可具有取代基，取代基可經以下基團所取代：硝基、鹵素原子(例如氯原子、溴原子)、巰基、氰基、分別經取代或未經取代的烷基(例如甲基、乙基、丙基、第三丁基、氰基乙基的各基團)、芳基(例如苯基、4-甲磺醯胺苯基、4-甲基苯基、3,4-二氯苯基、萘基的各基團)、烯基(例如烯丙基)、芳烷基(例如苄基、4-甲基苄基、苯乙基的各基團)、磺醯基(例如甲磺醯基、乙磺醯基、對甲苯磺醯基的各基團)、胺甲醯基(例如未經取代的胺甲醯基、甲基胺甲醯基、苯基胺甲醯基的各基團)、胺磺醯基(例如未經取代的胺磺醯基、甲基胺磺醯基、苯基胺磺醯基的各基團)、羧醯胺基(carbonamido)(例如乙醯胺基、苯甲醯胺基的各基團)、磺醯胺基(例如甲磺醯胺基、苯磺醯胺基、對甲苯磺醯胺基的各基團)、醯氧基(例如乙醯氧基、苯甲醯氧基的各基團)、磺醯氧基(例如甲磺醯氧基)、脲基(例如未經取代的脲基、甲基脲基、乙基脲基、苯基脲基的各基團)、醯基(例如乙醯基、苯甲醯基的各基團)、氧基羰基(例如甲氧基羰基、苯氧基羰基的各基團)、氧基羰基胺基(例如甲氧基羰基胺基、苯氧基羰基胺基、2-乙基己氧基羰基胺基的各基團)、羥基等。取代基可於一個環上取代多個。
較佳的含氮雜環化合物的具體例可列舉以下的化合物。即可列舉：咪唑、苯并咪唑、苯并吲唑(benzoindazole)、苯并三唑(benzotriazole)、苯并噁唑、苯并噻唑、吡啶、喹啉、嘧啶、哌啶(piperidine)、哌嗪(piperazine)、喹噁啉(quinoxaline)、嗎啉(morpholine)等，該些化合物可具有烷基、羧基、磺基等取代基。
較佳的含氮6員環化合物為具有三嗪環、嘧啶環、吡啶環、吡咯啉環(pyrroline ring)、哌啶環、噠嗪環(pyridazine ring)、吡嗪環(pyrazine ring)的化合物，其中較佳為具有三嗪環、嘧啶環的化合物。該些含氮6員環化合物可具有取代基，該情況下的取代基可列舉：碳數1~6、更佳為1~3的低級烷基，碳數1~6、更佳為1~3的低級烷氧基，羥基，羧基，巰基，碳數1~6、更佳為1~3的烷氧基烷基，碳數1~6、更佳為1~3的羥基烷基。
較佳的含氮6員環化合物的具體例可列舉：三嗪、甲基三嗪、二甲基三嗪、羥基乙基三嗪環、嘧啶、4-甲基嘧啶、吡啶、吡咯啉。
另外，有機巰基化合物可列舉：烷基巰基化合物、或芳基巰基化合物、雜環巰基化合物等。
烷基巰基化合物可列舉半胱胺酸(cysteine)或硫代蘋果酸(thiomalic acid)等，芳基巰基化合物可列舉硫代水楊酸(thiosalicylic acid)等，雜環巰基化合物可列舉：2-苯基-1-巰基四唑、2-巰基苯并咪唑、2-巰基苯并噻唑、2-巰基苯并噁唑、2-巰 基嘧啶、2,4-二巰基嘧啶、2-巰基吡啶等，該些化合物可具有烷基、羧基、磺基等取代基。
使具有導電部的支持體與遷移防止劑接觸的方法並無特別限制，例如可列舉：將遷移防止劑塗佈於支持體上的方法、或將具有導電部的支持體浸漬於遷移防止劑中的方法等。
此外，視需要亦可使用使遷移防止劑溶解於溶劑中而成的溶液。所使用的溶劑的種類並無特別限制，可例示上述感光性層形成用組成物中所使用的溶劑。
接觸時間並無特別限制，但較佳為0.5分鐘~10分鐘，更佳為1.0分鐘~3.0分鐘。
(步驟L(有機溶劑接觸步驟))
較佳為於上述步驟D之後更包括使具有導電部的支持體與有機溶劑接觸的步驟L。藉由實施本步驟L，則殘存於導電部或者非導電部中的高分子的膜變得更緻密，可獲得離子遷移抑制能力更優異的導電片，且可降低導電片的霧值。
所使用的有機溶劑的種類並無特別限制，可根據高分子的種類來適當選擇最佳的溶劑。其中，就上述效果更優異的方面而言，較佳為溶解高分子的有機溶劑。此處所謂溶解，是指於有機溶劑1L中至少溶解5g以上的高分子。
其中，較佳為溶解度參數(solubility parameter，SP)值為8~12的範圍的有機溶劑。
有機溶劑的具體例例如可列舉苄醇、乙醇、甲苯、甲基乙基 酮、丙酮、乙酸乙酯等。
具有導電部的支持體與有機溶劑的接觸方法並無特別限制，可採用公知方法。例如可列舉：將有機溶劑塗佈於支持體上的方法、或將具有導電部的支持體浸漬於有機溶劑中的方法等。
與有機溶劑的接觸時間並無特別限制，但較佳為10分鐘~60分鐘，更佳為15分鐘~30分鐘。
(步驟M(高分子交聯步驟))
較佳為於上述步驟B之後且步驟D之前、及/或步驟D之後，更包括使與明膠不同的高分子進行交聯的步驟M。藉由實施本步驟，則可提高導電片與光學黏著層的密接力，而難以剝離。
使導電部中所含的高分子進行交聯的方法並無特別限制，但較佳為使用交聯劑。
所使用的交聯劑的種類並無特別限制，可根據所使用的高分子的結構來適當選擇最佳的交聯劑。交聯劑的種類如上所述。
交聯方法並無特別限制，可列舉使高分子與交聯劑接觸的方法。更具體而言，例如可列舉：於具有包含高分子的導電部的支持體上塗佈包含交聯劑的處理液的方法、或將具有包含高分子的導電部的支持體浸漬於包含交聯劑的處理液中的方法等。
此外，高分子與交聯劑的接觸時間並無特別限制，可根據所使用的交聯劑的種類等來適當選擇最佳的條件，通常較佳為1秒~300秒。
另外，視需要亦可使高分子與交聯劑接觸後，以水對包含高 分子的導電部進行清洗。
(其他的任意步驟)
上述步驟D之後，出於提高導電部的導電性的目的，亦可進行用以使導電部擔載導電性金屬粒子的物理顯影及/或鍍敷處理。本發明中，可僅藉由物理顯影或者鍍敷處理的任一種來使導電性金屬粒子擔載於導電部上，亦可將物理顯影與鍍敷處理加以組合而使導電性金屬粒子擔載於導電部上。
本實施形態中的所謂「物理顯影」，是指於金屬或金屬化合物的核上，以還原劑將銀離子等金屬離子進行還原而使金屬粒子析出。該物理顯影被用於瞬時黑白膠片(instant black and white film)、瞬時幻燈膠片(instant slide film)、或印刷版製造等，本發明中可使用該技術。
本實施形態中，鍍敷處理可使用無電鍍敷(化學還原鍍敷或置換鍍敷)。本實施形態中的無電鍍敷可使用公知的無電鍍敷技術，例如可使用印刷配線板等中使用的無電鍍敷技術，無電鍍敷較佳為無電鍍銅(electroless copper plating)。
[實施例]
以下，列舉本發明的實施例來對本發明進一步進行具體說明。此外，以下的實施例中所示的材料、使用量、比例、處理內容、處理程序等只要不脫離本發明的主旨，則可適當變更。因此，本發明的範圍並不藉由以下所示的具體例來作限定性解釋。
<實施例1>
(鹵化銀乳劑的製備)
於保持為38℃、pH值4.5的下述1液中，一邊攪拌，一邊同時經過20分鐘來添加下述2液及3液的各相當於90%的量，來形成0.16μm的核粒子。繼而，經過8分鐘來添加下述4液及5液，進而，經過2分鐘來添加下述2液及3液的剩餘10%的量，使上述核粒子成長至0.21μm為止。進而，添加碘化鉀0.15g，熟化5分鐘而結束粒子形成。
1液：
2液：
3液：
4液：
5液：
然後，依據常法，利用絮凝法(flocculation method)進行水洗。具體而言，將溫度降低至35℃，使用硫酸，將pH值降低至鹵化銀沈降為止(pH值為3.6±0.2的範圍)。接著，將上清液去除約3升(第一水洗)。進而添加3升的蒸餾水後，添加硫酸直至鹵化銀沈降為止。再次將上清液去除3升(第二水洗)。將與第二水洗相同的操作進而重複1次(第三水洗)，結束水洗‧脫鹽步驟。將水洗‧脫鹽後的乳劑調整為pH值6.4、pAg值7.5，添加明膠2.5g、苯硫代磺酸鈉10mg、苯硫代亞磺酸鈉3mg、硫代硫酸鈉15mg及氯金酸10mg，以於55℃下獲得最佳感度的方式實施化學增感，添加作為穩定劑的1,3,3a,7-四氮雜茚100mg、作為防腐劑的Proxel(商品名，帝國化學工業有限公司(ICI Co.,Ltd.) 製造)100mg。最終獲得的乳劑為碘氯溴化銀立方體粒子乳劑，其包含碘化銀0.08莫耳%，將氯溴化銀的比率設為氯化銀70莫耳%、溴化銀30莫耳%，且平均粒徑為0.22μm，變動係數為9%。
(感光性層形成用組成物的製備)
於上述乳劑中添加1,3,3a,7-四氮雜茚1.2×10-4莫耳/莫耳Ag、對苯二酚1.2×10-2莫耳/莫耳Ag、檸檬酸3.0×10-4莫耳/莫耳Ag、2,4-二氯-6-羥基-1,3,5-三嗪鈉鹽0.90g/莫耳Ag、微量的硬膜劑，使用檸檬酸將塗佈液pH值調整為5.6。
於上述塗佈液中，以成為聚合物/明膠(質量比)=0.5/1的方式，相對於所含有的明膠，添加含有上述所例示的(P-1)所表示的聚合物以及包含二烷基苯基聚環氧乙烷(polyethylene oxide，PEO)硫酸酯的分散劑的聚合物乳膠(分散劑/聚合物的質量比為2.0/100=0.02)。
進而，添加EPOXY RESIN DY 022(商品名：長瀨化成公司製造)作為交聯劑。此外，以後述含鹵化銀的感光性層中的交聯劑的量成為0.09g/m2的方式來調整交聯劑的添加量。
以上述方式製備感光性層形成用組成物。
此外，上述所例示的(P-1)所表示的聚合物是參照日本專利第3305459號以及日本專利第3754745號來合成。
(感光性層形成步驟)
於100μm的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜上塗佈上述聚合物乳膠，設置厚度為0.05μm的底塗層。
繼而，於底塗層上塗佈將上述聚合物乳膠及明膠混合而成的不含鹵化銀的層形成用組成物，設置厚度為1.0μm的不含鹵化銀的層。此外，聚合物與明膠的混合質量比(聚合物/明膠)為2/1，聚合物的含量為0.65g/m2。
接著，於不含鹵化銀的層上塗佈上述感光性層形成用組成物，設置厚度為2.5μm的含鹵化銀的感光性層。此外，含鹵化銀的感光性層中的聚合物與明膠的混合質量比(聚合物/明膠)為0.5/1，聚合物的含量為0.22g/m2。
然後，於含鹵化銀的感光性層上，塗佈將上述聚合物乳膠及明膠混合而成的保護層形成用組成物，設置厚度為0.15μm的保護層。此外，聚合物與明膠的混合質量比(聚合物/明膠)為0.1/1，聚合物的含量為0.015g/m2。
(曝光‧顯影處理)
於上述所製作的感光性層上，隔著可賦予圖5所示的試驗圖案的顯影銀像的光罩，使用以高壓水銀燈作為光源的平行光來進行曝光。遷移試驗圖案是依據IPC-TM650或SM840的圖案，線寬為50μm，空間寬度為50μm，線數為17本/18本(以下稱為梳型圖案電極)。另外，另行準備多個上述所製作的感光性層，除此以外，為了製作評價用樣品，隔著賦予導電性細線/非導電部為5.0μm/295μm、4.0μm/296μm、3.0μm/297μm、2.5μm/297.5μm、或者2.0μm/298μm的導電圖案的格子狀光罩，使用以高壓水銀燈作為光源的平行光來進行曝光(以下，適當稱為網孔圖案電極)。 曝光後，以下述顯影液進行顯影，進而使用定影液(商品名：CN16X用N3X-R：富士軟片公司製造)進行顯影處理後，以純水進行淋洗，然後加以乾燥，獲得具有梳型圖案電極的樣品A、具有5.0μm/295μm網孔圖案電極的樣品B、具有4.0μm/296μm網孔圖案電極的樣品C、具有3.0μm/297μm網孔圖案電極的樣品D、具有2.5μm/297.5μm網孔圖案電極的樣品E以及具有2.0μm/298μm網孔圖案電極的樣品F。另外，為了簡便地進行導電性細線間的明膠定量，而以與上述相同的方式對未曝光的樣品進行顯影處理，獲得僅不具有導電性細線的非導電部的樣品G。另外，為了簡便地進行導電性細線中的明膠定量，而隔著整個面成為導電部的光罩，使用以高壓水銀燈作為光源的平行光來進行曝光，對上述曝光而得的樣品，以與上述相同的方式進行顯影處理，獲得僅為導電性細線而不具有非導電部的樣品H。
此外，於上述樣品A~樣品F的導電性細線間存在包含上述聚合物的黏合劑部。
(顯影液的組成)
於顯影液1升(L)中包含以下的化合物。
偏亞硫酸鉀 0.187mol/L
(加熱處理(其1))
將上述所得的樣品A~樣品H分別於120℃的過熱蒸氣槽中靜置130秒，進行加熱處理。
(明膠分解液的製備)
於蛋白質分解酵素(長瀨化成公司製造的枯草桿菌產蛋白質酶30L)的水溶液(蛋白質分解酵素的濃度：0.5質量%)中，添加三乙醇胺、硫酸，將pH值調整為8.5。
(明膠分解處理)
將上述所得的樣品A~樣品H分別於蛋白質分解酵素水溶液(40℃)中浸漬120秒。將樣品A~樣品H分別自水溶液中取出，於溫水(液溫：50℃)中浸漬120秒，並清洗。
(高分子交聯處理)
於Carbodilite V-02-L2(商品名：日清紡公司製造)1%水溶液中，將上述所得的樣品A~樣品H分別浸漬30秒，分別自水溶液中取出，於純水(室溫)中浸漬60秒，並清洗。
[各種評價]
(遷移評價(其1))
將上述製作的具有梳型圖案電極的樣品A靜置於85℃、85%RH的濕熱環境下，於樣品A的兩端連接配線，自其中一側連續地施加直流5V的電流。一定時間後，自85℃、85%RH的環境下取出，使用愛德萬測試(Advantest)公司製造的R8340A，施加 直流5V的施加電壓，測定絕緣性電阻。依據以下的基準來進行評價。
「A」：500小時以上，且絕緣電阻值為1010Ω以上的情況
「B」：200小時以上且小於500小時，絕緣電阻值降低至小於1010Ω為止的情況
「C」：50小時以上且小於200小時，絕緣電阻值降低至小於1010Ω為止的情況
「D」：小於50小時，絕緣電阻值降低至小於1010Ω為止的情況
(遷移評價(其2))
製作於樣品A的導電性細線所處的表面上貼合有透明黏著層1(商品名NSS50，新達可化成(New Tac Kasei)製造，酸值為34mgKOH/g，吸水率為0.91%)或者透明黏著層2(商品名8146-2，3M公司製造，酸值為56mgKOH/g，吸水率為0.47%)的樣品，依據與上述(遷移評價(其1))相同的程序，測定絕緣性電阻。評價基準與上述(遷移評價(其1))相同。
(霧值評價)
使用日本電色製造的TC-HIII，以依據JIS-K-7105的方法，測定具有網孔圖案電極的樣品C的霧值。依據以下的基準來進行評價。
「A」：霧值小於7%的情況
「B」：霧值為7%以上且小於10%的情況
「C」：霧值為10%以上的情況
(密接性評價)
使用具有網孔圖案電極的樣品B以及樣品E，以依據JIS-K-5600的交叉切割法(cross cut method)來評價密接性。依據以下的基準進行評價。此外，於任一樣品中產生剝離的情況下，評價為「B」。
「A」：未產生剝離的情況
「B」：產生剝離的情況
(酵素處理時表面品質評價)
當對具有網孔圖案電極的樣品F進行酵素處理時，將膜未剝離的樣品評價為「A」，將產生膜剝離的樣品評價為「B」。
(電阻值評價)
使用具有網孔圖案電極的樣品D，利用低電阻計(使用三菱分析技術(Mitsubishi Analytech)公司製造的Loresta：串聯4探針探頭(ASP))，於任意的10個部位測定電阻值，將該值的平均值作為表面電阻值。依據以下基準來進行評價。
「A」：表面電阻值小於50Ω/sq的情況
「B」：表面電阻值為50Ω/sq以上且小於100Ω/sq的情況
「C」：表面電阻值為100Ω/sq以上的情況
(導電性細線間的明膠含量的測定)
使用樣品G作為模型樣品，來評價導電性細線間的明膠含量。
具體而言，使用BCA法(雙辛可寧酸法)來測定明膠含量。 首先，將用於標準曲線的母液以如下比例進行混合物：相對於明膠10g，離子交換水為115g；相對於明膠5g，離子交換水為120g；相對於明膠5g，離子交換水為245g；相對於明膠5g，離子交換水為495g；分別進行30分鐘膨潤後，於40℃下一邊攪拌一邊溶解30分鐘，製成「標準曲線用明膠液」。將「標準曲線用明膠液」2.5cc加入至試管中。明膠定量用的試樣是將不具有導電性細線的僅為非導電部的樣品G進行明膠分解處理後，裁斷為1cm×1cm而加入至試管中，以2.5cc為單位加入離子交換水。
準備將賽默科技(Thermo SCIENTIFIC)公司製造的微量BCA蛋白定量分析套組(Micro BCA Protein Assay Kit)液的試劑A、試劑B、試劑C，分別以25：24：1的體積比進行混合而成的定量試劑，以2.5cc為單位加入至上述添加有「標準曲線用明膠液」、明膠定量用試樣的試管中，塞上塞子，充分攪拌。使用恆溫振盪槽，於60℃下以1小時、振盪速度為160次往返/min的條件，使全部樣品進行發色，冷卻至室溫，10分鐘後，利用日立製作所(股)製造的U-3300，迅速測定562nm的吸光度。根據標準曲線用明膠液的吸光度來計算分析用試樣(樣品G)的明膠量。該明膠量相當於導電性細線間的明膠量。
(導電性細線中的明膠含量的測定)
使用樣品H作為模型樣品，來評價導電性細線中的明膠含量。
以與上述相同的方式，使用BCA法來測定明膠含量。BCA法是利用蛋白質將鹼性Cu(II)還原為Cu(I)的性質的測定法， 故而若存在銀，則銀顯示出還原性，因此無法獲得正確的值。因此，使用下述方法來進行脫銀處理後，以與上述相同的方式使用BCA法來測定。對不具有非導電部的僅為銀線部的樣品H進行明膠分解處理後，將富士軟片(股)公司製造的FR-1與離子交換水以體積比為1：2的比例進行混合，來製備脫銀液。將該脫銀液保溫在25℃，將樣品H一邊進行氮攪拌一邊浸漬10分鐘後，於離子交換水中浸漬2秒，然後以水充分清洗15分鐘，於室溫下使其乾燥而獲得脫銀樣品。
(導電性細線中的金屬銀含量的測定)
對樣品H中的導電性細線進行螢光X射線測定來求出導電性細線中的金屬銀的含量。
(剝離強度的測定)
於玻璃上，使用透明黏著層(商品名8146-2，3M公司製造)來貼合經裁斷為橫25mm、縱100mm的長度的樣品D，於65℃下放置30分鐘後，恢復至室溫，然後利用依夢達(IMADA)製造的立式電動試驗台(vertical motorized test stand)MX2-500N，在縱方向對樣品D施加負重，利用依夢達製造的數位測力計(digital force gauge)ZTA-50N來測定負重值。
<實施例2>
除了於上述(明膠分解處理)之後，進而實施(加熱處理(其1))以外，依據與實施例1相同的程序來製作樣品，實施各種評價。將結果歸納示於表1中。
<實施例3>
除了將含鹵化銀的感光性層中的聚合物與明膠的混合質量比(聚合物/明膠)由0.5/1變更為2/1以外，依據與實施例2相同的程序來製作樣品，實施各種評價。將結果歸納示於表1中。
<實施例4>
除了將不含鹵化銀的層中的聚合物與明膠的混合質量比(聚合物/明膠)由2/1變更為3/1以外，依據與實施例2相同的程序來製作樣品，實施各種評價。將結果歸納示於表1中。
<實施例5>
除了於上述(加熱處理(其1))之前實施以下的(氙處理)以外，依據與實施例2相同的程序來製作樣品，實施各種評價。將結果歸納示於表1中。
(氙處理)
作為氙閃光燈，使用氙(Xenon)公司的氙閃光燈，將每1次照射的燈投入能量(燈功率)設為926J，將脈衝光的脈衝寬度(1次脈衝光的照射時間)設為120微秒，且將照射間隔設為0.1秒來照射125秒。
<實施例6>
除了於上述(明膠分解處理)之後且第2次(加熱處理(其1))之前實施以下的(壓光處理(其1))以外，依據與實施例2相同的程序來製作樣品，實施各種評價。將結果歸納示於表1中。
(壓光處理(其1))
使用經實施鏡面拋光的金屬輥，以5MPa使樣品通過輥間來進行壓光處理。
<實施例7>
除了實施(加熱處理(其2))來代替(加熱處理(其1))以外，依據與實施例2相同的程序來製作樣品，實施各種評價。將結果歸納示於表1中。
(加熱處理(其2))
將樣品於120℃的環境下靜置2小時。
<實施例8>
除了於上述(明膠分解處理)之後且(加熱處理(其1))之前實施以下的(壓光處理(其2))以外，依據與實施例2相同的程序來製作樣品，實施各種評價。將結果歸納示於表1中。
(壓光處理(其2))
使用塑膠輥，以5MPa使樣品通過輥間來進行壓光處理。此外，所使用的塑膠輥的表面粗糙度Ra為0.6μm。
<實施例9>
除了將於蛋白質分解酵素的水溶液中的浸漬時間由120秒變更為60秒以外，依據與實施例8相同的程序來製作樣品，實施各種評價。將結果歸納示於表1中。
<實施例10>
除了將於蛋白質分解酵素的水溶液中的浸漬時間由120秒變更為30秒以外，依據與實施例8相同的程序來製作樣品，實施各 種評價。將結果歸納示於表1中。
<實施例11>
除了將於蛋白質分解酵素的水溶液中的浸漬時間由120秒變更為360秒以外，依據與實施例8相同的程序來製作樣品，實施各種評價。將結果歸納示於表1中。
<實施例12>
除了將於溫水(液溫：50℃)中的浸漬時間由120秒變更為60秒以外，依據與實施例8相同的程序來製作樣品，實施各種評價。將結果歸納示於表1中。
<實施例13>
除了將於溫水(液溫：50℃)中的浸漬時間由120秒變更為30秒以外，依據與實施例8相同的程序來製作樣品，實施各種評價。將結果歸納示於表1中。
<實施例14>
除了將於蛋白質分解酵素的水溶液中的浸漬時間由120秒變更為360秒，且將於溫水(液溫：50℃)中的浸漬時間由120秒變更為360秒以外，依據與實施例8相同的程序來製作樣品，實施各種評價。將結果歸納示於表1中。
<實施例15>
除了不實施(高分子交聯處理)以外，依據與實施例8相同的程序來製作樣品，實施各種評價。將結果歸納示於表1中。
<比較例1>
除了將溫水的液溫由50℃變更為70℃，且將於溫水(液溫：70℃)中的浸漬時間由120秒變更為10秒以外，依據與實施例2相同的程序來製作樣品，實施各種評價。將結果歸納示於表1中。
<比較例2>
除了將於蛋白質分解酵素的水溶液中的浸漬時間由120秒變更為30秒，將溫水的液溫由50℃變更為70℃，且將於溫水(液溫：70℃)中的浸漬時間由120秒變更為10秒以外，依據與實施例2相同的程序來製作樣品，實施各種評價。將結果歸納示於表1中。
<比較例3>
除了不實施(加熱處理(其1))以及(明膠分解處理)以外，依據與實施例1相同的程序來製作樣品，實施各種評價。將結果歸納示於表1中。
此外，表1中，「MG評價(無透明黏著層)」表示由上述(遷移評價(其1))獲得的評價結果，「MG(評價(透明黏著層：NSS50))」表示上述(遷移評價(其2))中所示的使用NSS50的評價結果，「MG(評價(透明黏著層：8146-2))」表示上述(遷移評價(其2))中所示的使用8146-2的評價結果。
另外，表1中的開口部明膠含量是指導電性細線間的明膠含量，所謂「<0.02(g/m2)」，是指含量小於0.02(g/m2)。
另外，如上所述，於導電性細線間存在(P-1)所表示的聚合物，表1中的開口部高分子含量是指導電性細線間的聚合物的含 量(g/m2)。
根據上述表1可知，確認本發明的導電片難以產生離子遷移。
另外，根據實施例1~實施例15的比較(尤其是實施例7、實施例11及實施例14與其他實施例的比較)可知，確認於導電性細線中的金屬銀的體積A與明膠的體積B的體積比(A/B)為2.0以下的情況下，離子遷移抑制能力更優異。
另外，實施例1~實施例15中，離子遷移以外的霧度評價、密接性評價、表面品質評價、電阻值評價的任一者均優異。
另外，根據實施例15與其他實施例的比較，確認經實施高分子交聯步驟者的剝離強度更優異。
另一方面，於導電性細線間包含明膠的比較例1~比較例3中，離子遷移差。
此外，將上述(曝光‧顯影處理)中使用的光罩的形狀進行變更，製作包含導電性細線的觸控面板的檢測電極，於該導電性細線上貼合透明黏著層1(商品名NSS50，新達可化成製造，酸值為34mgKOH/g，吸水率為0.91%)或者透明黏著層2(商品名8146-2，3M公司製造，酸值為56mgKOH/g，吸水率為0.47%)而形成積層體，使用該積層體來製造觸控面板。
10‧‧‧導電片
12‧‧‧基板
14‧‧‧導電性細線
16‧‧‧導電部
18‧‧‧區域

Claims (12)

  1. 一種導電片，其包括：支持體；以及導電部，其配置於所述支持體上，且包含含有金屬銀及明膠的導電性細線；並且於所述支持體上的所述導電性細線間實質上不含明膠，所述導電性細線中的所述金屬銀的體積A與所述明膠的體積B的體積比(A/B)為0.3~10.0。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的導電片，其中於所述支持體上的所述導電性細線間具有黏合劑部，所述黏合劑部包含與明膠不同的高分子，且實質上不含明膠。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的導電片，其中所述體積比(A/B)為0.3~2.0。
  4. 一種導電片的製造方法，其是製造如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的導電片的方法，所述導電片的製造方法包括：步驟A，於支持體上形成含鹵化銀的感光性層，所述含鹵化銀的感光性層包含鹵化銀、明膠、及與所述明膠不同的高分子，且所述明膠的質量X與所述高分子的質量Y的質量比(Y/X)為0.1以上；步驟B，對所述含鹵化銀的感光性層進行曝光後，進行顯影處理而形成導電部，所述導電部包含含有金屬銀及明膠的導電性 細線；步驟C，對具有所述步驟B中所得的導電部的所述支持體實施加熱處理；以及步驟D，以將所述明膠分解的蛋白質分解酵素，對具有所述導電部的所述支持體進行處理。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的導電片的製造方法，其中所述支持體於其表面上具有底塗層，所述底塗層包含與所述明膠不同的高分子。
  6. 如申請專利範圍第4項或第5項所述的導電片的製造方法，其中於所述步驟A之後且所述步驟B之前，更包括於所述含鹵化銀的感光性層上形成包含所述明膠的保護層的步驟。
  7. 如申請專利範圍第4項或第5項所述的導電片的製造方法，其中於所述步驟B之後且所述步驟D之前、及/或所述步驟D之後，更包括對所述導電部進行平滑化處理的步驟。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的導電片的製造方法，其中所述平滑化處理為壓光處理，所述壓光處理使具有所述導電部的所述支持體，於2MPa~120MPa的壓力的條件下通過至少一對輥間。
  9. 如申請專利範圍第4項或第5項所述的導電片的製造方法，其中於所述步驟B之後且所述步驟D之前、及/或所述步驟D之後，包括使與所述明膠不同的高分子進行交聯的步驟。
  10. 如申請專利範圍第4項或第5項所述的導電片的製造方 法，其中於所述步驟B之後且所述步驟D之前、及/或所述步驟D之後，更包括對所述導電部照射源自氙閃光燈的脈衝光的步驟。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的導電片的製造方法，其中所述源自氙閃光燈的脈衝光的照射的每1脈衝的照射能量為1500J以下，且所述脈衝光的照射次數為2000次以下。
  12. 一種觸控面板，其包括：如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的導電片、或者利用如申請專利範圍第4項至第11項中任一項所述的導電片的製造方法來製造的導電片；以及配置於所述導電片的導電部側上的透明黏著層；並且所述透明黏著層中所含的黏著劑的酸值為100mgKOH/g以下，所述黏著劑的吸水率為1.0%以下。
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