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TW201501380A - 光電轉換元件、攝像元件、光感測器、光電轉換元件的使用方法 - Google Patents

光電轉換元件、攝像元件、光感測器、光電轉換元件的使用方法 Download PDF

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TW201501380A
TW201501380A TW103111354A TW103111354A TW201501380A TW 201501380 A TW201501380 A TW 201501380A TW 103111354 A TW103111354 A TW 103111354A TW 103111354 A TW103111354 A TW 103111354A TW 201501380 A TW201501380 A TW 201501380A
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TW
Taiwan
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photoelectric conversion
compound
substituent
formula
group
Prior art date
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TW103111354A
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English (en)
Inventor
Tomoaki Yoshioka
Masaaki Tsukase
Takahiko Ichiki
Daigo Sawaki
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
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Abstract

本發明提供包含顯示出優異的光電轉換效率及響應性的光電轉換膜的光電轉換元件、攝像元件、光感測器、光電轉換元件的使用方法。本發明的光電轉換元件中，光電轉換材料包含選自由通式(1)所表示的化合物、通式(2)所表示的化合物、及通式(3)所表示的化合物所構成的群組的至少一種。 □

Description

光電轉換元件、攝像元件、光感測器、光電轉換元 件的使用方法
本發明是有關於一種光電轉換元件、攝像元件、光感測器、光電轉換元件的使用方法。
現有的光感測器是在矽(Si)等半導體基板中形成有光電二極體(photodiode，PD)的元件，固體攝像元件廣泛使用平面型固體攝像元件，上述平面型固體攝像元件2維地排列PD，藉由電路讀出各PD所產生的訊號電荷。
為了實現彩色固體攝像元件，一般情況下是在平面型固體攝像元件的光入射面側配置透過特定波長的光的彩色濾光片的結構。現在廣泛已知在數位相機等中所廣泛使用的單板式固體攝像元件，其在2維地排列的各PD上規則地配置透過藍色(B)光、綠色(G)光、紅色(R)光的彩色濾光片。
在該單板式固體攝像元件中，並未利用未透過彩色濾光片的光，光利用效率差。近年來，在多畫素化的進展中，畫素尺寸變小，開口率(aperture ratio)的降低、聚光效率的降低成為問題。
為了解決該些缺點，已知有非晶矽的光電轉換膜或在訊號讀出用基板上形成光電轉換膜的結構。
關於使用光電轉換膜的光電轉換元件、攝像元件、光感測器，已知有數種公知例。
例如，在專利文獻1中，揭示了使用光電轉換膜的攝像元件，上述光電轉換膜使用喹吖啶酮系化合物。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2006-100767號公報
近年來，隨著攝像元件或光感測器等的性能提高的要求，關於該些中所使用的包含光電轉換膜的光電轉換元件所要求的光電轉換效率及響應性等諸特性，亦要求其的提高。
本發明者等人使用專利文獻1的實施例欄中所揭示的化合物(S-9)而進行光電轉換膜的製作，結果發現所形成的光電轉換元件在光電轉換效率及響應性的方面未必達到現在所要求的水準，需要進一步的提高。
本發明的目的在於鑒於上述事實而提供顯示出優異的光電轉換效率及響應性的光電轉換元件。
而且，本發明的目的亦在於提供包含光電轉換元件的攝像元件及光感測器。
本發明者等人對上述課題進行了銳意研究，結果發現藉 由使用包含具有規定結構的化合物的光電轉換膜，可解決上述課題，從而完成本發明。
亦即，藉由以下所示的手段可解決上述課題。
(1)一種光電轉換元件，其是依序積層導電性膜、包含光電轉換材料的光電轉換膜、及透明導電性膜而成的光電轉換元件，
光電轉換材料包含選自由後述的通式(1)所表示的化合物、後述的通式(2)所表示的化合物、及後述的通式(3)所表示的化合物所構成的群組的至少一種。
(2)如(1)所述之光電轉換元件，其中，光電轉換材料包含選自由後述的通式(12)所表示的化合物及後述的通式(13)所表示的化合物所構成的群組的至少1種。
(3)如(1)或(2)所述之光電轉換元件，其中，通式(1)~通式(3)中，R1及R2是亦可具有取代基的芳基或亦可具有取代基的雜芳基。
(4)如(1)~(3)中任一項所述之光電轉換元件，其中，通式(1)~通式(3)中，R1及R2的至少一者是後述的通式(14)所表示的基。
(5)如(4)所述之光電轉換元件，其中，通式(14)中，R30與R31、R30與R32、或R31與R32分別相互直接或經由連結基而鍵結形成環。
(6)如(1)~(5)中任一項所述之光電轉換元件，其中， 通式(1)~通式(3)中，R1及R2的至少一者是後述的通式(18)所表示的基。
(7)如(1)~(6)中任一項所述之光電轉換元件，其中，通式(1)~通式(3)中，R1及R2的至少一者是後述的通式(15)所表示的基。
(8)如(1)~(7)中任一項所述之光電轉換元件，其中，通式(1)~通式(3)中，n=0。
(9)如(1)~(8)中任一項所述之光電轉換元件，其中，通式(1)~通式(3)中，R1與R2為相同的取代基。
(10)如(6)所述之光電轉換元件，其中，R1及R2的兩者為後述的通式(18)所表示的基，X1及X2為氧原子，Y1及Y2為氧原子，n=0，R1及R2為相同的取代基。
(11)如(1)~(10)中任一項所述之光電轉換元件，其中，光電轉換膜進一步包含有機n型化合物。
(12)如(11)所述之光電轉換元件，其中，有機n型化合物包含選自由富勒烯及其衍生物所構成的群組的富勒烯類。
(13)如(12)所述之光電轉換元件，其中，富勒烯類相對於富勒烯類與通式(1)~通式(3)所表示的化合物的合計的含量比(富勒烯類的單層換算的膜厚/(通式(1)~通式(3)所表示的化合物的單層換算的膜厚+富勒烯類的單層換算的膜厚))為50體積%以上。
(14)如(1)~(13)中任一項所述之光電轉換元件，其 中，於導電性膜與透明導電性膜之間配置電荷阻擋膜。
(15)如(14)所述之光電轉換元件，其中，依序包含導電性膜、電荷阻擋膜、光電轉換膜、透明導電性膜，或者依序包含導電性膜、光電轉換膜、電荷阻擋膜、透明導電性膜。
(16)如(1)~(15)中任一項所述之光電轉換元件，其中，光經由透明導電性膜而入射至光電轉換膜。
(17)如(1)~(16)中任一項所述之光電轉換元件，其中，透明導電性膜包含透明導電性金屬氧化物。
(18)一種攝像元件，其包含如(1)~(17)中任一項所述之光電轉換元件。
(19)一種光感測器，其包含如(1)~(17)中任一項所述之光電轉換元件。
(20)一種光電轉換元件的使用方法，其是如(1)~(17)中任一項所述之光電轉換元件的使用方法，導電性膜與透明導電性膜是一對電極，於一對電極間施加1×10-4V/cm~1×107V/cm的電場。
(21)一種化合物，其以後述的通式(16)而表示。
(22)一種化合物，其以後述的通式(17)而表示。
藉由本發明可提供顯示出優異的光電轉換效率及響應性的光電轉換元件。
而且，藉由本發明可提供包含光電轉換元件的攝像元件及光 感測器。
10a、10b‧‧‧光電轉換元件
11‧‧‧下部電極(導電性膜)
12‧‧‧光電轉換膜
15‧‧‧上部電極(透明導電性膜)
16A‧‧‧電子阻擋膜
16B‧‧‧電洞阻擋膜
100‧‧‧攝像元件
101‧‧‧基板
102‧‧‧絕緣層
103‧‧‧連接電極
104‧‧‧畫素電極(下部電極)
105‧‧‧連接部
106‧‧‧連接部
107‧‧‧光電轉換膜
108‧‧‧對向電極(上部電極)
109‧‧‧緩衝層
110‧‧‧密封層
111‧‧‧彩色濾光片(CF)
112‧‧‧隔板
113‧‧‧遮光層
114‧‧‧保護層
115‧‧‧對向電極電壓供給部
116‧‧‧讀出電路
圖1之(a)及圖1之(b)是分別示意性表示光電轉換元件的一構成例的剖面圖。
圖2是攝像元件的1畫素份的示意性剖面圖。
以下，對本發明的光電轉換元件的適宜的實施方式加以說明。
首先，對本發明的與現有技術相比較的特徵點加以詳述。
如上所述，發現於本發明中，藉由使用包含具有規定結構的化合物的光電轉換膜，可獲得所期望的效果。
以下，參照圖式對本發明的光電轉換元件的適宜的實施方式加以說明。於圖1中示意性表示本發明的光電轉換元件的一實施形態的剖面圖。
圖1之(a)中所示的光電轉換元件10a具有依序積層有如下者的構成：作為下部電極而發揮功能的導電性膜(以下亦記為下部電極)11、形成在下部電極11上的電子阻擋膜16A、形成在電子阻擋膜16A上的光電轉換膜12、作為上部電極而發揮功能的透明導電性膜(以下亦記為上部電極)15。
在圖1之(b)中表示其他光電轉換元件的構成例。圖1之(b)中所示的光電轉換元件10b具有在下部電極11上依序積層有電子 阻擋膜16A、光電轉換膜12、電洞阻擋膜16B、上部電極15的構成。另外，圖1之(a)、圖1之(b)中的電子阻擋膜16A、光電轉換膜12、電洞阻擋膜16B的積層順序亦可根據用途、特性而相反。例如，亦可使電子阻擋膜16A與光電轉換膜12的位置相反。
在光電轉換元件10a(10b)的構成中，較佳的是經由透明導電性膜15而使光入射至光電轉換膜12。
而且，在使用光電轉換元件10a(10b)的情況下，可施加電場。在這種情況下，使導電性膜11與透明導電性膜15成為一對電極，較佳的是在該一對電極間施加1×10-5V/cm~1×107V/cm的電場。自性能及消耗電力的觀點考慮，較佳的是1×10-4V/cm~1×106V/cm的電場，特佳的是1×10-3V/cm~5×105V/cm的電場。
另外，關於電壓施加方法，較佳為在圖1之(a)及圖1之(b)中，以電子阻擋膜16A側成為陰極，光電轉換膜12側成為陽極的方式進行施加。在使用光電轉換元件10a(10b)作為光感測器的情況下，而且在內裝至攝像元件中的情況下亦可藉由同樣的方法施加電壓。
以下，對構成光電轉換元件10a(10b)的各層(光電轉換膜12、電子阻擋膜16A、下部電極11、上部電極15、電洞阻擋膜16B等)的形態加以詳述。
首先，對光電轉換膜12加以詳述。
[光電轉換膜]
光電轉換膜12是包含選自由後述的通式(1)所表示的化合 物、通式(2)所表示的化合物、及通式(3)所表示的化合物所構成的群組的至少一種作為光電轉換材料的膜。藉由使用該化合物而獲得顯示出優異的光電轉換效率及響應性的光電轉換元件。
首先，對光電轉換膜12中所使用的通式(1)~通式(3)所表示的化合物加以詳述。
通式(1)~通式(3)中，R1及R2分別獨立地表示取 代基。取代基可列舉後述的取代基W，例如可列舉亦可具有取代基的烷基、亦可具有取代基的胺基(例如二芳基胺基)、亦可具有取代基的芳基(例如具有烷氧基的芳基、後述的式(14)所表示的基、後述的式(18)所表示的基、後述的式(15)所表示的基)、或亦可具有取代基的雜芳基等。其中，於光電轉換元件的特性(光電轉換效率或響應性)更優異的方面(以後亦簡稱為「本發明的效果更優異的方面」)而言，較佳的是亦可具有取代基的芳基或亦可具有取代基的雜芳基。
烷基中的碳數並無特別限制，於光電轉換元件的特性(光電轉換效率或響應性)更優異的方面而言，較佳的是1~10，更佳的是1~6，進一步更佳的是1~3。烷基亦可為直鏈狀、分支狀、環狀的任意結構。
作為烷基而較佳者例如可列舉甲基、乙基、正丙基、正丁基、正己基等。
另外，烷基亦可具有後述的取代基W。
胺基可為未經取代的胺基，亦可為具有取代基的胺基，於光電轉換元件的特性(光電轉換效率或響應性)更優異的方面而言，較佳的是具有取代基的胺基(經取代的胺基)，特佳的是二芳基胺基。
二芳基胺基中所含的芳基的定義與後述的芳基的定義同義。
芳基中的碳數並無特別限制，於光電轉換元件的特性(光電轉換效率或響應性)更優異的方面而言，較佳的是6~30，更佳的是6~18。芳基可為單環結構，亦可為2環以上的環縮環而成的縮合環結構，亦可具有後述的取代基W。
芳基例如可列舉苯基、萘基、蒽基、芘基、菲基、聯苯基、茀基等，較佳的是苯基、萘基、或蒽基。
雜芳基(1價芳香族雜環基)中的碳數並無特別限制，於光電轉換元件的特性(光電轉換效率或響應性)更優異的方面而言，較佳的是3~30，更佳的是3~18。雜芳基亦可具有後述的取代基W。
在雜芳基中除了碳原子及氫原子以外亦包含雜原子，雜原子例如可列舉氮原子、硫原子、氧原子、硒原子、碲原子、磷原子、矽原子、或硼原子，較佳的是氮原子、硫原子、或氧原子。雜芳基中所含的雜原子數並無特別限制，通常為1個~10個左右，較佳的是1個~4個。
雜芳基的環員數並無特別限制，較佳的是3員環~8員環，更佳的是5員環~7員環，特佳的是5員環~6員環。
雜芳基例如可列舉吡啶基、喹啉基、異喹啉基、吖啶基、啡啶基、喋啶基、吡嗪基、喹噁啉基、嘧啶基、喹唑啉基、噠嗪基、噌啉基、酞嗪基、三嗪基、噁唑基、苯并噁唑基、噻唑基、苯并噻唑基、咪唑基、苯并咪唑基、吡唑基、吲唑基、異噁唑基、苯并異噁唑基、異噻唑基、苯并異噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、三唑基、四唑基、呋喃基、苯并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、噻吩并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、吡咯基、吲哚基、咪唑并吡啶基、咔唑基等。
另外，R1及R2可為分別不同的基，但於光電轉換元件的特性(光電轉換效率或響應性)更優異的方面而言，較佳的是相同的取代基(相同種類的取代基)。
R1及R2的適宜形態可列舉通式(14)所表示的基。較佳的是R1及R2的至少一者為通式(14)所表示的基。
[化2]
通式(14)中，R30及R31分別獨立地表示烷基、亦可具有取代基的芳基或亦可具有取代基的雜芳基。烷基、芳基及雜芳基的定義如上所述。
R32表示亦可具有取代基的伸芳基或亦可具有取代基的伸雜芳基。
另外，*5表示鍵結位置。
伸芳基中的碳數並無特別限制，於光電轉換元件的特性(光電轉換效率或響應性)更優異的方面而言，較佳的是6~30，更佳的是6~20。
伸芳基例如可列舉伸苯基、伸聯苯基(biphenylene)、伸聯三苯基(terphenylene)、伸萘基、伸蒽基、伸菲基、芘二基(pyrenediyl)、苝二基(perylenediyl)、茀二基、□基、聯伸三苯二基、苯并蒽二基、苯并菲二基等。
伸雜芳基中的碳數並無特別限制，於光電轉換元件的特性(光電轉換效率或響應性)更優異的方面而言，較佳的是1~20，更佳的是2~12。
伸雜芳基例如可列舉伸吡啶基(pyridylene)、伸喹啉基、伸異喹啉基、吖啶二基、啡啶二基、吡嗪二基、喹噁啉二基、嘧啶 二基、三嗪二基、咪唑二基、吡唑二基、噁二唑二基、三唑二基、伸呋喃基、伸噻吩基、伸苯并噻吩基、伸噻吩并噻吩基、吡咯二基、吲哚二基、咔唑二基等。
另外，R30~R32亦可分別相互連結而形成環。
另外，在鍵結時，較佳的是R30與R31、R30與R32、R31與R32分別相互直接或經由連結基而鍵結形成環，於光電轉換元件的特性(光電轉換效率或響應性)更優異的方面而言，更佳的是經由連結基而形成環。
另外，連結基的結構並無特別限制，例如可列舉氧原子、硫原子、伸烷基、亞矽烷基(silylene)、伸烯基、伸環烷基、伸環烯基、伸芳基、2價的雜環基、亞胺基、或該些組合而成的基，該些亦可進一步具有取代基。較佳的是伸烷基、亞矽烷基、伸烯基、伸環烷基、伸環烯基、伸芳基等，更佳的是伸烷基。
作為R1及R2的進一步更適宜的形態(通式(14)所表示的基的適宜形態)，可列舉通式(18)所表示的基。較佳的是R1及R2的至少一者為通式(18)所表示的基。
[化3]
通式(18)中，R31表示烷基、亦可具有取代基的芳基或亦可具有取代基的雜芳基。R31的定義如上所述。
R32表示亦可具有取代基的伸芳基或亦可具有取代基的伸雜芳基。R32的定義如上所述。
R33~R37分別獨立地表示氫原子、或取代基。取代基的定義及適宜形態與上述R1及R2所表示的取代基的定義及適宜形態相同。
另外，*5表示鍵結位置。
而且，R33與R32、R37與R31、R31與R32亦可分別相互連結而形成環。另外，在鍵結時，較佳的是R37與R31、R32與R33、R32與R31分別相互直接或經由連結基而鍵結形成環，於光電轉換元件的特性(光電轉換效率或響應性)更優異的方面而言，更佳的是經由連結基而形成環。連結基的定義如上所述。
R1及R2的進一步更適宜的形態(通式(14)所表示的基的適宜形態)可列舉通式(15)所表示的基。較佳的是R1及R2的至少一者為通式(15)所表示的基。
[化4]
通式(15)中，R33~R42分別獨立地表示氫原子、或取代基。取代基的定義及適宜形態與上述R1及R2所表示的取代基的定義及適宜形態相同。
R32表示亦可具有取代基的伸芳基或亦可具有取代基的伸雜芳基。R32的定義如上所述。
另外，*5表示鍵結位置。
而且，R37與R38、R32與R33、R32與R42亦可分別相互連結而形成環。另外，在鍵結時，較佳的是R37與R38、R32與R33、R32與R42分別相互直接或經由連結基而鍵結而形成環，於光電轉換元件的特性(光電轉換效率或響應性)更優異的方面而言，更佳的是經由連結基而形成環。連結基的定義如上所述。
通式(1)~通式(3)中，X1及X2分別獨立地為氧原子、硫原子、=CR1aR1b、或=NR1c。
Y1及Y2分別獨立地為氧原子、硫原子、>CR1dR1e、或> SiR1fR1g。
R1a~R1g分別獨立地表示氫原子或取代基。取代基可列舉後述的取代基W，例如可列舉烷基等。
通式(1)~通式(3)中的X1~X2及Y1~Y2可為任意的組合，於本發明的效果更優異的方面而言，較佳的是X1=X2且Y1=Y2，更佳的是均為氧原子。
其中，於本發明的效果更優異的方面而言，較佳的是通式(12)所表示的化合物及通式(13)所表示的化合物。另外，通式(12)及通式(13)中的各基的定義如上所述。
Q是選自由通式(4)~通式(8)所表示的基所構成的群組的任意一個。
[化6]
通式(4)~通式(8)中，R3~R24分別獨立地表示氫原子或取代基。取代基可列舉後述的取代基W，例如可列舉烷基、烷氧基、鹵素原子等。其中，於光電轉換元件的特性(光電轉換效率或響應性)更優異的方面而言，較佳的是R3~R24為氫原子。
另外，通式(4)~通式(8)中的*1~*4所表示的碳原子分別與通式(1)~通式(3)中的*1~*4所表示的碳原子對應。更具體而言，以下表示通式(4)~通式(8)所表示的基導入至通式(1)~通式(3)中的Q的情況下的結構式。
[化7]
n表示0或1。其中，於光電轉換元件的特性(光電轉換效率或響應性)更優異的方面而言，較佳的是n為0。
在n為1的情況下，可例示上述通式(4A)~通式(8C)所表示的化合物等。
另外，在n為0的情況下，*1所表示的碳原子與*3所表示的碳原子成為同一碳原子，*2所表示的碳原子與*4所表示的碳原子成為同一碳元素。亦即，於通式(1)~通式(3)中，在n=0的情況下，表示以下的通式(9)~通式(11)所表示的化合物。
另外，通式(9)~通式(11)中的各基的定義如上所述。
其中，於本發明的效果更優異的方面而言，更佳的是通式(16)所表示的化合物及通式(17)所表示的化合物。
通式(16)中，R43及R44分別獨立地為亦可具有取代基的芳基、或亦可具有取代基的雜芳基，至少一個是上述通式(14)所表示的基。
另外，芳基及雜芳基的定義如上所述。
[化10]
通式(17)中，R45及R46分別獨立地為亦可具有取代基的芳基、或亦可具有取代基的雜芳基，至少一個是上述通式(14)所表示的基。
另外，芳基及雜芳基的定義如上所述。
對本說明書中的取代基W加以記載。
取代基W可列舉鹵素原子、烷基(包含環烷基、雙環烷基、三環烷基)、烯基(包含環烯基、雙環烯基)、炔基、芳基、雜環基(亦稱為雜環基(heterocyclic group))、氰基、羥基、硝基、羧基、烷氧基、芳氧基、矽烷氧基、雜環氧基、醯氧基、胺甲醯基氧基、烷氧基羰氧基、芳氧基羰氧基、胺基(包含苯胺基)、銨基、醯基胺基、胺基羰基胺基、烷氧基羰基胺基、芳氧基羰基胺基、胺磺醯胺基、烷基磺醯基胺基或芳基磺醯基胺基、巰基、烷硫基、芳硫基、雜環硫基、胺磺醯基、磺酸基、烷基亞磺醯基或芳基亞磺醯基、烷基磺醯基或芳基磺醯基、醯基、芳氧基羰基、烷氧基羰基、胺甲醯基、芳基偶氮基或雜環偶氮基、醯亞胺基、膦基、氧膦基、氧膦基氧基、氧膦基胺基、膦醯基、矽烷基、肼基、脲基、硼酸基(-B(OH)2)、磷酸根基(-OPO(OH)2)、硫酸根基 (-OSO3H)、其他公知的取代基。
另外，關於取代基W的詳細情況，於日本專利特開2007-234651號公報的段落[0023]中有所記載。
以下，例示通式(1)~通式(3)所表示的化合物。另外，通式(1)~通式(3)所表示的化合物可僅僅使用1種，亦可使用2種以上。
[化11]
[化12]
[化13]
[化14]
[化15]
[化16]
[化17]
[化18]
通式(1)所表示的化合物、通式(2)所表示的化合物、及通式(3)所表示的化合物(以後，將該些總稱地稱為化合物X)較佳的是在紫外可見吸收光譜中，於400nm以上且不足720nm中具有極大吸收。自可範圍廣泛地吸收可見區域的光的觀點考慮，吸收光譜的峰值波長(極大吸收波長)更佳的是450nm以上 且700nm以下，進一步更佳的是480nm以上且700nm以下，特佳的是510nm以上且680nm以下。
關於化合物的極大吸收波長，可使用島津製作所公司製造的UV-2550來測定化合物的氯仿溶液而獲得。氯仿溶液的濃度較佳的是5×10-5mol/l~1×10-7mol/l，更佳的是3×10-5mol/l~2×10-6mol/l，特佳的是2×10-5mol/l~5×10-6mol/l。
化合物X在紫外可見吸收光譜中的400nm以上且不足720nm中具有極大吸收，該極大吸收波長的莫耳吸光係數較佳的是10000mol-1．l．cm-1以上。為了使光電轉換膜的膜厚變薄，製成高電荷捕獲效率、高速響應性、高感度特性的元件，較佳的是莫耳吸光係數大的材料。化合物X的莫耳吸光係數更佳的是20000mol-1．l．cm-1以上，進一步更佳的是40000mol-1．l．cm-1以上。化合物X的莫耳吸光係數是使用氯仿溶液而測定者。
化合物X的熔點與蒸鍍溫度的差(熔點-蒸鍍溫度)的差越大，則越難在蒸鍍時分解，可施加高的溫度而增大蒸鍍速度。而且，熔點與蒸鍍溫度的差(熔點-蒸鍍溫度)較佳的是40℃以上，更佳的是50℃以上，進一步更佳的是60℃以上，特佳的是80℃以上。
化合物X的分子量較佳的是300~1500，更佳的是500~1000，特佳的是500~900。若化合物X的分子量為1500以下，則蒸鍍溫度並不變高，難以產生化合物的分解。若化合物X的分子量為300以上，則蒸鍍膜的玻璃轉移點並不變低，元件的耐熱 性難以降低。
化合物X的玻璃轉移點(Tg)較佳的是95℃以上，更 佳的是110℃以上，進一步更佳的是135℃以上，特佳的是150℃以上，最佳的是160℃以上。若玻璃轉移點變高，則元件的耐熱性提高，因此較佳。
化合物X特別是可有效用作攝像元件、光感測器、或光 電池中所使用的光電轉換膜的材料。另外，通常情況下，化合物X在光電轉換膜內作為有機p型化合物而發揮功能。而且，作為其他用途，亦可用作著色材料、液晶材料、有機半導體材料、有機發光元件材料、電荷傳輸材料、醫藥材料、螢光診斷試劑材料等。
(其他材料)
光電轉換膜亦可進一步含有有機p型化合物或有機n型化合物的光電轉換材料。
有機p型化合物(半導體)是施體性有機化合物(半導體)，主要是指以電洞傳輸性有機化合物為代表、具有容易提供電子的性質的有機化合物。更詳細而言，是指在使2種有機材料接觸而使用時，游離電位小的有機化合物。因此，施體性有機化合物若為具有供電子性的有機化合物，則可使用任意有機化合物。例如可使用三芳基胺化合物、聯苯胺化合物、吡唑啉化合物、苯乙烯基胺化合物、腙化合物、三苯基甲烷化合物、咔唑化合物等。
所謂有機n型化合物(半導體)是受體性有機半導體，主要是指以電子傳輸性有機化合物為代表、具有容易接受電子的 性質的有機化合物。更詳細而言，是指在使2種有機化合物接觸而使用時，電子親和力大的有機化合物。因此，受體性有機半導體若為具有電子接受性的有機化合物，則可使用任意有機化合物。較佳的是富勒烯或富勒烯衍生物、縮合芳香族碳環化合物(萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、稠四苯衍生物、芘衍生物、苝衍生物、螢蒽衍生物)、含有氮原子、氧原子、硫原子的5員~7員的雜環化合物(例如吡啶、吡嗪、嘧啶、噠嗪、三嗪、喹啉、喹噁啉、喹唑啉、酞嗪、噌啉、異喹啉、喋啶、吖啶、啡嗪、啡啉、四唑、吡唑、咪唑、噻唑、噁唑、吲唑、苯并咪唑、苯并三唑、苯并噁唑、苯并噻唑、咔唑、嘌呤、三唑并噠嗪、三唑并嘧啶、四氮雜茚(tetrazaindene)、噁二唑、咪唑并吡啶、吡嗪、吡咯并吡啶、噻二唑并吡啶、二苯并氮呯、三苯并氮呯等)、聚伸芳基化合物、茀化合物、環戊二烯化合物、矽烷基化合物、具有含氮雜環化合物作為配位基的金屬錯合物等。
上述有機n型化合物較佳的是富勒烯或富勒烯衍生物。 所謂富勒烯是表示富勒烯C60、富勒烯C70、富勒烯C76、富勒烯C78、富勒烯C80、富勒烯C82、富勒烯C84、富勒烯C90、富勒烯C96、富勒烯C240、富勒烯C540、混合富勒烯，所謂富勒烯衍生物是表示於該些富勒烯上加成有取代基的化合物。取代基較佳的是烷基、芳基、或雜環基。富勒烯衍生物較佳的是日本專利特開2007-123707號公報中所記載的化合物。
光電轉換膜較佳的是成為以上述化合物X與富勒烯或 富勒烯衍生物混合的狀態而形成的本體異質結構。本體異質結構是在光電轉換膜內，p型有機化合物(化合物X)與n型有機化合物混合、分散而成的層，可藉由濕式法、乾式法中的任意者而形成，較佳的是藉由共蒸鍍法而形成。藉由含有異質接合結構，可彌補光電轉換膜的載子擴散長度短的缺點，可使光電轉換膜的光電轉換效率提高。另外，關於本體異質接合結構，在日本專利特開2005-303266號公報的[0013]~[0014]等中有所詳細說明。
光電轉換膜中的有機n型化合物相對於上述化合物X的莫耳比率(有機n型化合物/上述化合物X)較佳的是1.0以上，更佳的是1以上且10以下，進一步更佳的是2以上且8以下。
光電轉換膜中的富勒烯類相對於選自由富勒烯及其衍生物所構成的群組的富勒烯類與上述化合物X的合計的含量比(富勒烯類的單層換算的膜厚/(化合物X的單層換算的膜厚+富勒烯類的單層換算的膜厚))並無特別限制，於光電轉換元件的特性(光電轉換效率、響應性等)更優異的方面而言，較佳的是50體積%以上，更佳的是60體積%~90體積%。
另外，所謂化合物X的單層換算的膜厚是表示通式(1)~通式(3)所表示的化合物的單層換算的膜厚，例如在僅僅使用通式(1)所表示的化合物的情況下，表示通式(1)所表示的化合物的單層換算的膜厚，在使用通式(1)所表示的化合物~通式(3)所表示的化合物的情況下，表示3種化合物的單層換算的合計膜厚。
包含本發明的化合物X的光電轉換膜(另外，亦可混合 有機n型化合物)是非發光性膜，具有與有機電激發光元件(Organic Light Emission Diode，OLED)不同的特徵。所謂非發光性膜是在發光量子效率為1%以下的膜的情況下，更佳的是0.5%以下，進一步更佳的是0.1%以下。
(成膜方法)
光電轉換膜12可藉由乾式成膜法或濕式成膜法而成膜。乾式成膜法的具體例可列舉真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法、分子束磊晶(Molecular-Beam Epitaxy，MBE)法等物理氣相沈積(physical Vapor Deposition，PVD)法、或電漿聚合等化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition，CVD)法。濕式成膜法使用澆鑄法、旋塗法、浸漬法、朗格繆爾-布吉特(Langmuir-Blodgett，LB)法等。較佳的是乾式成膜法，更佳的是真空蒸鍍法。在藉由真空蒸鍍法進行成膜的情況下，真空度、蒸鍍溫度等製造條件可依照常法而設定。
另外，於製造包含化合物X的光電轉換膜時，較佳的是藉由蒸鍍法而製造。
一般情況下，在蒸鍍速率快(大)的情況下，生產性變得更高而較佳，但對化合物施加的熱負載變大。因此，若使蒸鍍速率變快，則存在所製造的光電轉換元件的暗電流特性劣化的情況。
相對於此，若使用上述化合物X，則即使提高蒸鍍速率，所製造的光電轉換元件的暗電流特性的劣化亦小，特別是在包含縮環結構的情況(例如在通式(14)中，R30與R31、R30與R32、或 R31與R32分別相互直接或經由連結基而鍵結形成環的情況)下，暗電流特性的劣化進一步得到抑制。如上所述，暗電流特性的劣化得到抑制表示化合物自身的耐熱性高。另外，可提高蒸鍍速率表示可進一步提高量產性、及製造寬容度廣(可應用的蒸鍍速率的幅度廣)，可以說化合物X更適合工業的生產性。
另外，蒸鍍速率的範圍並無特別限制，其中較佳的是0.5Å/sec以上，更佳的是1Å/sec以上，進一步更佳的是2Å/sec以上。
光電轉換膜12的厚度較佳的是10nm以上且1000nm以下，更佳的是50nm以上且800nm以下，特佳的是100nm以上且600nm以下。藉由設為10nm以上，可獲得適宜的暗電流抑制效果，藉由設為1000nm以下，可獲得適宜的光電轉換效率。
[電極]
電極(上部電極(透明導電性膜)15與下部電極(導電性膜)11)包含導電性材料。導電性(electroconductivity)材料可使用金屬、合金、金屬氧化物、導電性化合物、或該些的混合物等。
為了自上部電極15使光入射，上部電極15必須相對於所欲檢測的光而言充分透明。具體而言可列舉摻雜有銻或氟等的氧化錫(antimony-doped tin oxide，ATO)、(fluorine-doped tin oxide，FTO)、氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(Indium tin oxide，ITO)、氧化鋅銦(Indium zinc oxide，IZO)等導電性金屬氧化物，金、銀、鉻、鎳等的金屬薄膜，以及該些金屬與導電性金屬氧化物的混合物或積層物，碘化銅、硫化銅等無機導電性物質，聚苯 胺、聚噻吩、聚吡咯等有機導電性材料，及該些與ITO的積層物等。自高導電性、透明性等方面考慮，其中較佳的是透明導電性金屬氧化物。
通常情況下，若使導電性膜比某範圍更薄，則導致電阻 值急遽增加，在內裝有本實施形態的光電轉換元件的固體攝像元件中，薄片電阻較佳的是100Ω/□~10000Ω/□即可，可薄膜化的膜厚的範圍的自由度大。而且，上部電極(透明導電性膜)15的厚度越薄則所吸收的光的量越少，一般情況下透光率越增加。透光率的增加使光電轉換膜12中的光吸收增大，使光電轉換能力增大，因此非常佳。隨著薄膜化，若考慮漏電流(leakage current)的抑制、薄膜的電阻值的增大、穿透率的增加，則理想的是上部電極15的膜厚較佳的是5nm~100nm，更佳的是5nm~20nm。
下部電極11根據用途存在有具有透明性的情況、相反 地使用不透明而使光反射的材料的情況等。具體而言可列舉摻雜有銻或氟等的氧化錫(ATO、FTO)、氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(ITO)、氧化鋅銦(IZO)等導電性金屬氧化物，金、銀、鉻、鎳、鈦、鎢、鋁等金屬及該些金屬的氧化物或氮化物等導電性化合物(可列舉氮化鈦(TiN)作為一例)，進一步可列舉該些金屬與導電性金屬氧化物的混合物或積層物，碘化銅、硫化銅等無機導電性物質，聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯等有機導電性材料，及該些與ITO或氮化鈦的積層物等。
形成電極的方法並無特別限定，可根據電極材料而適宜 選擇。具體而言可藉由印刷方式、塗佈方式等濕式方式，真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法等物理方式，CVD、電漿CVD法等化學方式等而形成。
在電極的材料為ITO的情況下，可藉由電子束法、濺鍍法、電阻加熱蒸鍍法、化學反應法(溶膠-凝膠法等)、塗佈氧化銦錫的分散物等方法而形成。另外，可對使用ITO而製作的膜實施紫外線(UltraViolet，UV)-臭氧處理、電漿處理等。在電極的材料為TiN的情況下，使用以反應性濺鍍法為首的各種方法，另外可實施UV-臭氧處理、電漿處理等。
[電荷阻擋膜：電子阻擋膜、電洞阻擋膜]
本發明的光電轉換元件亦可包含電荷阻擋膜。藉由包含該膜，所得的光電轉換元件的特性(光電轉換效率、響應性等)更優異。電荷阻擋膜可列舉電子阻擋膜與電洞阻擋膜。以下對各個膜加以詳述。
(電子阻擋膜)
電子阻擋膜中可使用供電子性有機材料。具體而言，低分子材料可使用N,N'-雙(3-甲基苯基)-(1,1'-聯苯基)-4,4'-二胺(TPD)或4,4'-雙[N-(萘基)-N-苯基-胺基]聯苯(α-NPD)等芳香族二胺化合物、噁唑、噁二唑、三唑、咪唑、咪唑酮、芪(stilbene)衍生物、吡唑啉衍生物、四氫咪唑、多芳基烷烴、丁二烯、4,4',4"-三(N-(3-甲基苯基)-N-苯基胺基)三苯基胺(m-MTDATA)、卟啉、四苯基卟啉銅、酞菁、銅酞菁、鈦酞菁氧化物等卟啉化合物、三唑 衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、多芳基烷烴衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、胺基取代查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、茀酮衍生物、腙衍生物、矽氮烷衍生物等，高分子材料可使用苯乙炔(phenylene vinylene)、茀、咔唑、吲哚、芘、吡咯、甲基吡啶、噻吩、乙炔、丁二炔等的聚合物或其衍生物。即使不是供電子性化合物，若為具有充分的電洞傳輸性的化合物則可使用。具體而言較佳的是日本專利特開2008-72090號公報的段落[0083]~段落[0089]、日本專利特開2011-176259號公報的[0043]~[0063]、日本專利特開2011-228614號公報的[0121]~[0148]、日本專利特開2011-228615號公報的[0108]~[0156]中所記載的化合物。
而且，特佳的是電子阻擋膜含有日本專利特開2013-012535號公報的段落[0068]~段落[0094]中所記載的通式(F-1)所表示的化合物、或日本專利特開2011-176259號公報的[0043]~[0063]中所記載的通式(i)所表示的化合物。另外，其內容作為參照而併入至本說明書中。
另外，電子阻擋膜亦可由多個膜而構成。
電子阻擋膜亦可使用無機材料。一般情況下，無機材料比有機材料的介電常數大，因此在用於電子阻擋膜中的情況下，變得對光電轉換膜施加多的電壓，可提高光電轉換效率。可成為電子阻擋膜的材料存在有氧化鈣、氧化鉻、氧化鉻銅、氧化錳、氧化鈷、氧化鎳、氧化銅、氧化鎵銅、氧化鍶銅、氧化鈮、氧化鉬、 氧化銦銅、氧化銦銀、氧化銥等。在電子阻擋膜為單層的情況下，可將該層設為包含無機材料的層，或者在多層的情況下，可將1個或2個以上的層設為包含無機材料的層。
(電洞阻擋膜)
電洞阻擋膜中可使用電子接受性有機材料。
電子接受性材料可使用1,3-雙(4-第三丁基苯基-1,3,4-噁二唑基)苯(OXD-7)等噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、聯苯醌衍生物、浴銅靈(bathocuproine)、浴菲繞啉(bathophenanthroline)、及該些的衍生物、三唑化合物、三(8-羥基喹啉)鋁錯合物、雙(4-甲基-8-喹啉)鋁錯合物、二苯乙烯基芳烴衍生物、矽雜環戊二烯化合物等。而且，不僅僅是電子接受性有機材料，若為具有充分的電子傳輸性的材料則亦可使用。可使用卟啉系化合物、或DCM(4-二氰基亞甲基-2-甲基-6-(4-(二甲基胺基苯乙烯基))-4H吡喃)等苯乙烯基系化合物、4H吡喃系化合物。具體而言較佳的是日本專利特開2008-72090號公報的[0073]~[0078]中所記載的化合物。
電荷阻擋膜的製造方法並無特別限制，可藉由乾式成膜法或濕式成膜法而成膜。乾式成膜法可使用蒸鍍法、濺鍍法等。蒸鍍可為物理蒸鍍(PVD)、化學蒸鍍(CVD)中的任意者，較佳的是真空蒸鍍等物理蒸鍍。濕式成膜法可使用噴墨法、噴霧法、噴嘴印刷法、旋塗法、浸塗法、澆鑄法、模塗法、輥塗法、棒塗法、凹版塗佈(gravure coating)法等，自高精度圖案化的觀點考慮，較佳的是噴墨法。
電荷阻擋膜(電子阻擋膜及電洞阻擋膜)的厚度分別較 佳的是10nm~200nm，更佳的是20nm~150nm，特佳的是30nm~100nm。其原因在於：若其厚度過薄，則暗電流抑制效果降低；若過厚，則光電轉換效率降低。
[基板]
光電轉換元件亦可進一步包含基板。所使用的基板的種類並無特別限制，可使用半導體基板、玻璃基板、或塑膠基板。
另外，基板的位置並無特別限制，通常在基板上依序積層導電性膜、光電轉換膜、及透明導電性膜。
[密封層]
光電轉換元件亦可進一步包含密封層。光電轉換材料存在由於水分子等劣化因素的存在而顯著地造成其性能劣化的現象，如下方式可防止上述劣化：藉由不滲透水分子的緻密的金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物等陶瓷或類金剛石碳(Diamond-Like Carbon，DLC)等的密封層對光電轉換膜全體進行包覆而進行密封。
另外，密封層可依照日本專利特開2011-082508號公報的段落[0210]~段落[0215]的記載而進行材料的選擇及製造。
[光感測器]
光電轉換元件的用途例如可列舉光電池與光感測器，本發明的光電轉換元件較佳的是用作光感測器。光感測器可為單獨使用上述光電轉換元件的光感測器，較佳的是將上述光電轉換元件配 置為直線狀的線感測器或者設為配置在平面上的2維感測器的形態的光感測器。本發明的光電轉換元件在線感測器中，藉由如掃描機等那樣使用光學系統及驅動部將光影像資訊轉換為電訊號而作為攝像元件發揮功能，在2維感測器中，藉由如攝像模組那樣以光學系統在感測器上成像而將光影像資訊轉換為電訊號而作為攝像元件發揮功能。
光電池是發電裝置，因此將光能轉換為電能的效率成為重要的性能，但作為在暗處的電流的暗電流在功能上並不成為問題。另外，無需設置彩色濾光片等的後段的加熱步驟。作為光感測器，將明暗訊號高精度地轉換為電訊號成為重要的性能，因此將光量轉換為電流的效率亦為重要的性能，若在暗處輸出訊號，則成為雜訊，因此要求低的暗電流。另外，對於後段步驟的耐受性亦重要。
[攝像元件]
其次，對包含光電轉換元件10a的攝像元件的構成例加以說明。
另外，在以下所說明的構成例中，關於具有與已經加以說明的構件等同等的構成、作用的構件等，藉由在圖中附以同一符號或相當符號而使說明簡略化或省略說明。
所謂攝像元件是將影像的光學資訊(optical information)轉換為電訊號的元件，是指多個光電轉換元件以同一平面狀配置於矩陣上，可在各個光電轉換元件(畫素)中將光訊號轉換為電訊 號，將該電訊號按照每個畫素而逐次地輸出至攝像元件外的元件。因此，每一個畫素中包含一個光電轉換元件、一個以上電晶體。
圖2是示意性表示用以說明本發明的一實施形態的攝像元件的概略構成的剖面圖。該攝像元件可搭載於數位相機、數位錄影機(digital video camera)等攝像裝置、電子內視鏡、行動電話機等的攝像模組等中而使用。
該攝像元件包含如圖1所示的構成的多個光電轉換元件、形成有讀出電路(上述讀出電路讀出與各光電轉換元件的光電轉換膜中所產生的電荷對應的訊號)的電路基板，在該電路基板上方的同一面上，多個光電轉換元件成為排列為1維狀或二維狀的構成。
圖2所示的攝像元件100包含：基板101、絕緣層102、 連接電極103、畫素電極(下部電極)104、連接部105、連接部106、光電轉換膜107、對向電極(上部電極)108、緩衝層109、密封層110、彩色濾光片(CF)111、隔板112、遮光層113、保護層114、對向電極電壓供給部115、讀出電路116。
畫素電極104具有與圖1中所示的光電轉換元件10a的 下部電極11相同的功能。對向電極108具有與圖1中所示的光電轉換元件10a的上部電極15相同的功能。光電轉換膜107的構成與圖1中所示的光電轉換元件10a的下部電極11及上部電極15間所設的層相同。
基板101是玻璃基板或Si等的半導體基板。在基板101 上形成有絕緣層102。在絕緣層102的表面形成有多個畫素電極104與多個連接電極103。
光電轉換膜107是在多個畫素電極104上覆蓋該些而設置的所有光電轉換元件所共用的層。
對向電極108是設置在光電轉換膜107上的所有光電轉換元件所共用的1個電極。對向電極108形成至配置於光電轉換膜107的更外側的連接電極103上為止，與連接電極103電性連接。
連接部106是埋設於絕緣層102，用以將連接電極103與對向電極電壓供給部115電性連接的插塞(plug)等。對向電極電壓供給部115形成在基板101上，經由連接部106及連接電極103而給對向電極108施加規定的電壓。在所應施加給對向電極108的電壓比攝像元件的電源電壓高的情況下，藉由電荷泵(charge pump)等升壓電路使電源電壓升壓而供給上述規定的電壓。
讀出電路116與多個畫素電極104的各個對應而設置於基板101上，讀出與由對應的畫素電極104所捕獲的電荷對應的訊號。讀出電路116包含例如電荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)、互補性金屬氧化半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)電路、或薄膜電晶體(Thin-Film Transistor，TFT)電路等，藉由在絕緣層102內所配置的未圖示的遮光層而遮光。讀出電路116經由連接部105而和與其對應的 畫素電極104電性連接。
緩衝層109覆蓋對向電極108而形成在對向電極108上。密封層110覆蓋緩衝層109而形成在緩衝層109上。彩色濾光片111形成在密封層110上的與各畫素電極104對向的位置。隔板112是設置於彩色濾光片111彼此之間，用以使彩色濾光片111的透光效率提高者。
遮光層113形成在密封層110上的除設置有彩色濾光片111及隔板112的區域以外的區域，防止光入射至於有效畫素區域以外所形成的光電轉換膜107。保護層114形成在彩色濾光片111、隔板112、及遮光層113上，保護攝像元件100全體。
在如上所述而構成的攝像元件100中，若使光入射，則該光入射至光電轉換膜107，於此處產生電荷。所產生的電荷中的電洞被畫素電極104所捕獲，與其量對應的電壓訊號被讀出電路116輸出至攝像元件100外部。
攝像元件100的製造方法如下所示。
在形成有對向電極電壓供給部115與讀出電路116的電路基板上形成連接部105、連接部106、多個連接電極103、多個畫素電極104、及絕緣層102。多個畫素電極104在絕緣層102的表面配置為例如正方格子狀。
其次，在多個畫素電極104上藉由例如真空加熱蒸鍍法而形成光電轉換膜107。其次，在光電轉換膜107上藉由例如濺鍍法而在真空下形成對向電極108。其次，藉由例如真空加熱蒸鍍法 而在對向電極108上依序形成緩衝層109、密封層110。其次，在形成彩色濾光片111、隔板112、遮光層113之後，形成保護層114而完成攝像元件100。
在攝像元件100的製造方法中，亦可在光電轉換膜107的形成步驟與密封層110的形成步驟之間，追加將製作過程中的攝像元件100置於非真空下的步驟從而防止多個光電轉換元件的性能劣化。藉由追加該步驟，可防止攝像元件100的性能劣化且抑制製造成本。
[實施例]
以下表示實施例，但本發明並不限定於該些實施例。
(合成例1：化合物1的合成)
依照以下的流程(1)而合成化合物1。進行所得的化合物1的1H NMR光譜測定，對化合物進行鑑定。1H NMR(400MHz，CDCl3)：δ=3.89(s,3H),6.90(s,2H),7.05(d,2H),7.80(d,2H)
另外，化合物2、化合物5、化合物12亦使用與上述化合物1同樣的合成條件而合成。
(合成例2：化合物3的合成)
依照以下的流程(2)而合成化合物3。
(合成例3：化合物4的合成)
藉由與Macromolecules 2011,44,4596-4599中所記載的方法同樣的合成條件而合成化合物4。
另外，化合物6及化合物7亦使用對應的起始原料，藉由與上述同樣的合成條件而合成。
(合成例4：化合物10的合成)
依照以下的流程(3)而合成化合物10。
[化21]
將化合物1'(3.26g、10.0mmol)、化合物2'(2.89g、 10.0mmol)、[二氯(二苯基膦基二茂鐵)鈀]二氯甲烷(dichloromethane)錯合物(408mg、0.500mmol)、碳酸鉀(4.15g、30.0mmol)加入至THF(100mL)中，於氮氣流下回流1日而使其反應。恢復至室溫後，進行過濾而將不溶物除去，進行濃縮後藉由矽膠管柱(展開溶劑：10%乙酸乙酯/己烷)進行純化而獲得化合物3'(2.19g、產率為45%)。
將化合物3'(2.19g、4.47mmol)、苯基硼酸(1.64g、13.4mmol)、[二氯(二苯基膦基二茂鐵)鈀]二氯甲烷錯合物(182mg、0.223mmol)、氟化銫(3.40g、22.4mmol)、氧化銀(I)(2.59g、11.2mmol)加入至甲苯(22mL)中，於氮氣流下藉由19小時的回流而使其反應。恢復至室溫後，進行過濾而將不溶物除去，進行濃縮後藉由凝膠滲透層析法(展開溶劑：四氫呋喃)進行純化，將所得的固體自乙腈中再結晶，藉此獲得化合物4'(860mg、產 率為39%)。
使化合物4'(860mg、1.76mmol)分散於1M氫氧化鈉水溶液(86mL)、乙醇(86mL)的混合液中，於70℃下進行1個半小時反應。恢復至室溫後，於其中加入1M鹽酸(200mL)，藉由乙酸乙酯進行萃取。藉由飽和食鹽水對油層進行清洗後，藉由硫酸鎂使其乾燥，進行過濾、濃縮而獲得化合物5'。使化合物5'溶解於乙酸酐(10mL)、二甲基亞碸(20mL)中，於80℃下進行3小時反應。恢復至室溫後，對析出物進行過濾，將所得的固體自乙腈中再結晶，藉此獲得化合物10(430mg、產率為53%)。
進行所得的化合物10的1H NMR光譜測定，對化合物進行鑑定。1H NMR(400MHz，CDCl3)：δ=7.06-7.17(m,8H),7.32(t,4H),7.42(t,1H),7.49(t,2H),7.87(d,2H),8.03(d,2H).
(合成例5：化合物8的合成)
於上述流程(3)中使用後述的化合物11'而代替化合物2'，藉由同樣的合成條件而合成化合物8。對所得的化合物進行MS光譜測定，對化合物進行鑑定。MS(ESI+)m/z：508.2([M+H]+)。
(合成例6：化合物9的合成)
於上述流程(3)中使用後述的化合物17'而代替化合物2'，藉由同樣的合成條件而合成化合物9。對所得的化合物進行MS光譜測定，對化合物進行鑑定。MS(ESI+)m/z：498.2([M+H]+)。
(合成例7：化合物11的合成)
於上述流程(3)中使用對氟苯基硼酸而代替苯基硼酸，藉由 同樣的合成條件而合成化合物11。對所得的化合物進行MS光譜測定，對化合物進行鑑定。MS(ESI+)m/z：476.1([M+H]+)。
(合成例8：化合物13的合成)
依照以下的流程(4)而合成化合物13。
於化合物1'(1.63g、5.00mmol)、化合物2'(3.61g、12.5mmol)、[二氯(二苯基膦基二茂鐵)鈀]二氯甲烷錯合物(82mg、0.10mmol)、氟化銫(3.80g、25.0mmol)、氧化銀(I)(2.90g、12.5mmol)的混合物中加入甲苯(50mL)，於氮氣流下回流2日而使其反應。恢復至室溫後，進行過濾而將不溶物除去，進行濃縮後自甲苯中再結晶，藉此獲得化合物6'(2.35g、產率為72%)。
使化合物6'(2.00g、3.05mmol)分散於1M氫氧化鈉水溶液(100mL)、乙醇(200mL)的混合液中，於80℃下使其反應3 小時。恢復至室溫後，於其中加入1M鹽酸(200mL)，藉由乙酸乙酯進行萃取。藉由飽和食鹽水對油層進行清洗後，藉由硫酸鎂使其乾燥，進行過濾、濃縮而獲得化合物7'。使化合物7'溶解於乙酸酐(60mL)、二甲基亞碸(120mL)中，於80℃下使其反應3小時。恢復至室溫後，對析出物進行過濾，藉由矽膠管柱(展開溶劑：氯仿)對所得的固體進行純化。其後，藉由自乙腈中再結晶而獲得化合物13(530mg、產率為27%)。
對所得的化合物13進行1H NMR光譜測定，對化合物進行鑑定。1H NMR(400MHz，CDCl3)：δ=7.07-7.16(m,16H),7.28-7.34(m,8H),7.86(d,4H)
(合成例9：化合物15的合成)
於上述流程(4)中，使用化合物11'代替化合物2'，藉由同樣的合成條件而合成化合物15。對所得的化合物15進行1H NMR光譜測定，對化合物進行鑑定。δ=7.10(t,4H),7.18(d,8H),7.29-7.34(m,12H),7.63(d,2H),7.79(d,2H),7.94(d,2H),8.55(s,2H).
依照下述流程(5)而合成化合物11'。
使2-溴-7-碘萘(12.0g、36.0mmol)、二苯基胺(6.08g、 35.9mmol)、碘化銅(688mg、3.61mmol)、碳酸鉀(10.0g、72.1mmol)、四氫化萘(8.0mL)的混合物於200℃下反應21小時。恢復至室溫後，加入甲苯(50mL)，過濾不溶物而進行濃縮，藉由矽膠管柱(甲苯/己烷)對所得的油狀物進行純化而獲得化合物10'(4.52g、產率為33%)。
使化合物10'(3.93g、10.5mmol)溶解於四氫呋喃(105mL)中，冷卻至-78℃，以15分鐘於其中滴加丁基鋰(1.6M己烷溶液、7.25mL、11.6mmol)。進行15分鐘攪拌後，以15分鐘滴加三甲氧基硼烷(2.18g、21.0mmol)。使其反應30分鐘後，恢復至室溫，加入1M鹽酸(150mL)，藉由乙酸乙酯進行萃取。藉由飽和食鹽水對油層進行清洗，藉由硫酸鎂使其乾燥，進行過濾、濃縮而獲得化合物11'(2.43g、產率為68%)。
(合成例10：化合物18的合成)
於流程(4)中，使用4-[N,N'-二(對甲苯基)胺基]苯基硼酸代替4-(N,N'-二苯基胺基)苯基硼酸(化合物2')，藉由同樣的合成條件而合成化合物18。對所得的化合物18進行1H NMR光譜測定，對化合物進行鑑定。1H NMR(400MHz，CDCl3)：δ=2.34(s,12H),7.00-7.05(m,12H),7.11(d,8H),7.82(d,4H)
(合成例11：化合物22的合成)
於上述流程(4)中，使用化合物17'代替化合物2'，藉由同樣的合成條件而合成化合物22。對所得的化合物22進行1H NMR光譜測定，對化合物進行鑑定。δ=1.73(s,12H),6.26-6.29(m,2H), 6.33(d,2H),6.96-7.02(m,4H),7.33(d,4H),7.48-7.56(m,4H),7.63-7.68(m,6H),8.13(s,2H).
依照下述流程(6)而合成化合物17'。
將化合物11'(100g、469mmol)加入至甲醇(1000mL) 中，於室溫下於其中滴加硫酸(100mL)。藉由回流1日而使其反應後，將甲醇蒸餾除去，加入水(1000mL)、乙酸乙酯(1000mL)而進行萃取。藉由飽和碳酸氫鈉水溶液、水、飽和食鹽水進行清洗後，藉由硫酸鈉使油層乾燥，進行過濾、濃縮。其後，自甲醇中再結晶而獲得化合物12'(97.8g、產率為92%)。
使化合物12'(95.0g、418mmol)溶解於四氫呋喃(THF)(1500mL)中，於室溫下於其中滴加甲基溴化鎂(3M醚溶液、488mL、1.46mol)。於50℃下使其反應1小時後，加入水(500mL)、1M鹽酸(1000mL)，藉由乙酸乙酯進行萃取。藉由水、食鹽水對油層進行清洗後，藉由硫酸鈉使其乾燥，進行過濾、濃縮而獲得化 合物13'。使所得的化合物13'溶解於磷酸(950mL)中，於50℃下進行2.5小時反應。恢復至室溫後，加入水(1000mL)，自乙醇/己烷中再結晶而獲得化合物14'(66.4g、產率為76%)。
使化合物14'(12.0g、57.3mmol)溶解於二甲基甲醯胺(DMF)(400mL)中，冷卻至0℃，於其中添加使N-溴琥珀醯亞胺(10.2g、57.4mmol)溶解於DMF(100mL)中而成者。進行30分鐘反應後，恢復至室溫，加入水、乙酸乙酯進行萃取。藉由水、飽和食鹽水對油層進行清洗後，藉由硫酸鈉加以乾燥，進行過濾、濃縮。藉由矽膠管柱(50%乙酸乙酯/己烷)對所得的油狀物進行純化而獲得化合物15'(14.4g、產率為80%)。
使化合物15'(3.40g、11.8mmol)、碘苯(24.1g、118mmol)、碳酸鉀(3.26g、23.6mmol)、碘化銅(112mg、0.59mmol)的混合物於200℃中進行6小時反應。恢復至室溫後，加入甲苯(250mL)，過濾不溶物而進行濃縮。藉由矽膠管柱對所得的油狀物進行純化而獲得化合物16'(3.49g、產率為81%)。
使化合物16'(6.00g、16.5mmol)溶解於THF(165mL)中，冷卻至-90℃後滴加丁基鋰(1.6M己烷溶液、10.3mL、16.5mmol)。進行30分鐘攪拌後，滴加三甲氧基硼烷(3.42g、32.9mmol)。使其反應2小時後升溫至0℃，加入1M鹽酸(300mL)而進行30分鐘攪拌。藉由乙酸乙酯進行萃取，藉由水、飽和食鹽水對油層進行清洗後，藉由硫酸鈉使其乾燥，進行過濾、濃縮。將所得的固體自辛烷中再結晶而獲得化合物17'(5.35g、產率為 80%)
(合成例12：化合物23的合成)
於上述流程(4)中，使用化合物18'代替化合物2'，藉由同樣的合成條件而合成化合物23。對所得的化合物23進行1H NMR光譜測定，對化合物進行鑑定。δ=1.71(s,12H),3.93(s,6H),6.33(d,2H),6.37(d,2H),6.95-7.02(m,4H),7.13-7.17(m,4H),7.21-7.29(m,4H),7.48(d,2H),7.67(d,2H),8.13(s,2H).
於上述流程(6)中藉由使用對甲氧基碘苯代替碘苯而合成化合物18'。
(合成例13：化合物24的合成)
於上述流程(4)中，使用化合物20'代替化合物2'，藉由同樣的合成條件而合成化合物24。對所得的化合物24進行1H NMR光譜測定，對化合物進行鑑定。1H NMR(400MHz，CDCl3)：δ=1.60(s,12H),3.69(s,6H),6.99-7.08(m,6H),7.21-7.28(m,2H),7.46(d,2H),7.97(d,2H),8.09(s,2H).
依照下述流程(7)而合成化合物20'。
(合成例14：化合物16的合成)
依照以下的流程(8)而合成化合物16。使用與化合物3的合成條件同樣的條件而合成化合物21'。
將化合物21'(0.72g、1.61mmol)、化合物2'(1.70g、5.88mmol)、SPhos(130mg、0.32mmol)、Pd2(dba)3(140mg、0.16mmol)、磷酸鉀(770mg、3.63mmol)添加於甲苯(30mL)、水(7.5mL)的混合物中，於氮氣流下藉由回流進行4小時反應。恢復至室溫後，加入水，藉由甲苯進行萃取。藉由水、飽和食鹽水對油層進行清洗後，藉由硫酸鎂使其乾燥，進行過濾濃縮，藉由矽膠管柱對所得的固體進行純化，藉此獲得化合物16(0.51g、 產率為41%)。
對所得的化合物16進行1H NMR光譜測定，對化合物進行鑑定。1H NMR(400MHz，CDCl3)：δ=7.09(t,4H),7.14-7.17(m,12H),7.28-7.32(t,8H),7.56(d,4H),7.77(d,4H),8.32(d,4H).
(合成例15：化合物17的合成)
依照以下的流程(9)而合成化合物17。
使化合物22'(25.0g、185mmol)、碘苯(151g、740mmol)、碳酸鉀(102.25g、740mmol)、銅粉(2.35g、37.0mmol)、碘化銅(3.52g、18.5mmol)的混合物在200℃下進行7小時反應。恢復至室溫後，藉由甲苯進行稀釋而進行過濾，將濾液濃縮後， 藉由矽膠管柱(展開溶劑：甲苯)進行純化而獲得化合物23'(36.1g、產率為68%)。
將氫化鈉(60重量%的油中分散物、9.74g、244mmol)、碳酸二乙酯(35.9g、305mmol)加入至甲苯(200mL)中，於氮氣流下進行回流。以15分鐘於其中滴加使化合物23'(35.0g、233mmol)溶解於甲苯(24mL)中而成者。進行2小時的回流後，恢復至室溫，加入1M鹽酸(500mL)藉由乙酸乙酯進行萃取。藉由飽和食鹽水對油層進行清洗後，藉由硫酸鎂使其乾燥，進行過濾、濃縮。藉由矽膠管柱(甲苯)對所得的油狀物進行純化，獲得化合物24'(38.2g、產率為91%)。
將化合物24'(19.0g、55.3mmol)、對甲苯磺酸(0.42g、2.21mmol)加入至甲苯(380mL)中，冷卻至0℃。於其中添加N-溴琥珀醯亞胺(9.95g、55.9mmol)。使其反應1小時後恢復至室溫，於其中加入水(500mL)，藉由乙酸乙酯進行萃取。藉由水、飽和食鹽水對油層進行清洗後，藉由硫酸鎂使其乾燥，進行過濾、濃縮。藉由矽膠管柱(1%乙酸乙酯/甲苯)對所得的油狀物進行純化，獲得化合物25'(22.4g、產率為97%)。
使化合物24'(17.89g、52.1mmol)溶解於THF(180mL)中，於其中添加氫化鈉(60重量%的油中分散物、2.08g、52.1mmol)。於40℃下進行30分鐘加熱攪拌後，以10分鐘於其中滴加使化合物25'(22.0mmol、52.1mmol)溶解於THF(220mL)中而成者。於40℃下使其反應1.5小時後，恢復至室溫而加入水 (200mL)、1M鹽酸(200mL)，藉由乙酸乙酯進行萃取。藉由水、飽和食鹽水對油層進行清洗後，藉由硫酸鎂使其乾燥，進行過濾、濃縮而獲得化合物26'(36.1g、產率為97%)。
於化合物26'(10.0g、14.0mmol)中加入DBU(1,8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳-7-烯)(5滴)，於真空下加熱至170℃，進行8小時反應。放置冷卻後，使其溶解於二氯甲烷(methylene chloride)(300mL)中而通過矽膠管柱，自乙腈中反覆再結晶而獲得化合物17(4.20g、產率為48%)。
對所得的化合物17進行1H NMR光譜測定，對化合物進行鑑定。1H NMR(400MHz，CDCl3)：δ=7.04(d,4H),7.17-7.21(m,12H),7.36(t,8H),8.05(d,4H).
(合成例16：化合物14的合成)
於上述流程(9)中，使用化合物27'代替化合物23'，藉由同樣的合成條件而合成化合物14。對所得的化合物14進行1H NMR光譜測定，對化合物進行鑑定。1H NMR(400MHz，CDCl3)：δ=1.78(s,12H),6.30(d,2H),6.36(d,2H)6.98-7.04(m,4H)7.33(d,4H),7.50-7.59(m,4H),7.67(t,4H),7.88(d,2H),8.39(s,2H).依照下述流程(10)而合成化合物27'。
[化29]
使化合物16'(27.5g、75.5mmol)溶解於THF(755mL) 中，冷卻至-78℃，以15分鐘於其中滴加丁基鋰(1.6M己烷溶液、51.9mL、83.0mmol)。進行15分鐘攪拌後，以15分鐘滴加N,N'-二甲基乙醯胺(7.89g、90.6mmol)。使其反應30分鐘後，恢復至室溫，加入1M鹽酸(1500mL)，藉由乙酸乙酯進行萃取。藉由飽和食鹽水對油層進行清洗，藉由硫酸鎂使其乾燥而進行過濾、濃縮，將所得的油狀物自甲醇中再結晶而獲得化合物27'(21.7g、產率為59%)。
(合成例17：化合物19的合成)
於上述流程(9)中，使用化合物28'代替化合物23'，藉由同樣的合成條件而合成化合物19。對所得的化合物19進行1H NMR光譜測定，對化合物進行鑑定。1H NMR(400MHz，CDCl3)：δ=1.65(s,12H),3.56(s,6H),7.02-7.13(m,6H),7.25-7.30(m,2H),7.48(d,2H),8.16(d,2H),8.37(s,2H).
於上述流程(10)中，使用化合物19'代替化合物16'，藉由同樣的條件而合成化合物28'。
[化30]
(合成例18：化合物20的合成)
於上述流程(9)中，使用化合物31'代替化合物23'，藉由同樣的合成條件而合成化合物20。對所得的化合物20進行1H NMR光譜測定，對化合物進行鑑定。1H NMR(400MHz，CDCl3)：δ=2.30(s,12H),6.08(d,2H),6.53(d,2H),6.89-6.98(m,4H),7.33(d,4H),7.48-7.57(m,6H),7.63(t,4H),8.31(t,2H),8.45(s,2H),8.59(d,2H).
依照下述流程(11)而合成化合物31'。化合物29'可藉由日本專利特開2012-77064中所記載的方法而合成。
使化合物29'(19.3g、53.0mmol)溶解於THF(212mL)中，冷卻至-78℃，於其中滴加甲基溴化鎂(3M醚溶液、34mL、 103mmol)。升溫至0℃，使其反應1小時後，加入1M鹽酸(300mL)，藉由乙酸乙酯進行萃取。藉由水、飽和食鹽水對油層進行清洗後，藉由硫酸鎂加以乾燥，進行過濾、濃縮而獲得化合物30'。使化合物30'溶解於甲苯(265mL)中，於其中加入氧化錳(IV)(15.2g、175mmol)，於100℃下使其反應5小時。恢復至室溫後，進行過濾而將不溶物除去，藉由矽膠管柱(甲苯)對進行濃縮而所得的油狀物進行純化，藉此獲得化合物31'(14.4g、產率為72%)。
(合成例19：化合物21的合成)
使用對應的原料，於上述流程(9)中，使用化合物35'代替化合物23'，藉由同樣的合成條件而合成化合物21。對所得的化合物21進行MS光譜測定，對化合物進行鑑定。MS(ESI+)m/z：681.3([M+H]+)。
依照下述流程(12)而合成化合物35'。藉由日本專利特開2012-77064中所記載的方法而合成化合物32'。
使化合物32'(20.0g、63.0mmol)溶解於THF(315mL) 中，於其中添加氫化鈉(60重量%的油中分散物、5.04g、126mmol)。使其回流2小時後，恢復至室溫，於其中添加碘甲烷(26.8g、189mmol)。於室溫下使其反應3小時後，加入1M鹽酸(500mL)，藉由乙酸乙酯進行萃取。藉由水、飽和食鹽水對油層進行清洗，藉由硫酸鎂使其乾燥後，進行過濾、濃縮。將所得的固體自甲醇中再結晶而獲得化合物33'(12.5g、產率為57%)。
將化合物33'(12.5g、37.7mmol)、氫氧化鉀(10.6g、188mmol)添加於乙醇(200mL)、水(40mL)的混合物中，於回流下使其反應1小時。恢復至室溫後，添加1M鹽酸(1000mL)，過濾析出物，藉由水、甲醇進行清洗而獲得化合物34'(11.0g、產率為92%)。
使化合物34'(11.0g、34.7mmol)溶解於THF(174mL)中，冷卻至-78℃，於其中滴加甲基鋰(1.1M醚溶液、77.0mL、86.8mmol)。升溫至0℃而使其反應30分鐘後，添加1M鹽酸(200mL)，藉由乙酸乙酯進行萃取。藉由水、飽和食鹽水對油層進行清洗後，藉由硫酸鎂使其乾燥，進行過濾、濃縮。將所得的固體自甲醇中再結晶而獲得化合物35'(10.4g、產率為95%)。
(合成例20：化合物25的合成)
使用3-溴-9-苯基咔唑而代替化合物16'，除此以外藉由與化合物14同樣的條件而合成化合物25。對所得的化合物25進行MS 光譜測定，對化合物進行鑑定。MS(ESI+)m/z：621.2([M+H]+)。
(合成例21：化合物26的合成)
使用4-(甲基苯基胺基)苯乙酮而代替化合物23'，除此以外藉由與化合物17同樣的條件而合成化合物26。對所得的化合物26進行MS光譜測定，對化合物進行鑑定。MS(ESI+)m/z：501.2([M+H]+)。
(合成例22：化合物27的合成)
使用3-溴吡啶而代替碘苯，除此以外藉由與化合物14同樣的條件而合成化合物27。對所得的化合物27進行MS光譜測定，對化合物進行鑑定。MS(ESI+)m/z：707.3([M+H]+)。
(合成例23：化合物28的合成)
於上述流程(9)中，使用化合物37'而代替化合物23'，藉由同樣的合成條件而合成化合物28。對所得的化合物28進行MS光譜測定，對化合物進行鑑定。MS(ESI+)m/z：707.3([M+H]+)。
依照下述流程(13)，使用化合物36'而藉由與流程(10)同樣的條件而合成化合物37'。
(合成例24：化合物29的合成)
於上述流程(9)中，使用對二甲基胺基苯乙酮而代替化合物23'，藉由同樣的合成條件而合成化合物29。對所得的化合物進行MS光譜測定，對化合物進行鑑定。MS(ESI+)m/z：377.2([M+H]+)。
(合成例25：化合物30的合成)
於上述流程(13)中，使用N-(第三丁基)二噻吩并[3,2-b；2,3-d]吡咯而代替化合物36'，除此以外藉由與化合物17同樣的合成條件而合成化合物30。對所得的化合物30進行MS光譜測定，對化合物進行鑑定。MS(ESI+)m/z：604.2([M+H]+)。
以下，匯總表示本實施例及比較例中所使用的化合物1~化合物30、比較化合物1、比較化合物2。
[化34]
[化35]
[化36]
<光電轉換元件的製作>
製作圖1之(a)的形態的光電轉換元件。此處，光電轉換元件包含下部電極11、電子阻擋膜16A、光電轉換膜12及上部電極15。
具體而言，藉由濺鍍法在玻璃基板上成膜非晶性ITO而形成下部電極11(厚度為30nm)，進一步藉由真空加熱蒸鍍法在下部電極11上成膜下述化合物(EB-1)而形成電子阻擋膜16A(厚度為100nm)。進一步在將基板的溫度控制為25℃的狀態下，在電 子阻擋膜16A上，以上述化合物(化合物1~化合物30、例示化合物1~例示化合物2)與富勒烯(C60)分別按單層換算而成為120nm、280nm的方式藉由真空加熱蒸鍍進行共蒸鍍而成膜，形成光電轉換膜12。以2.6Å/sec的蒸鍍速率對上述化合物進行成膜。進一步在光電轉換膜12上藉由濺鍍法成膜非晶性ITO，形成上部電極15(透明導電性膜)(厚度為10nm)。在上部電極15上藉由加熱蒸鍍形成SiO膜作為密封層之後，藉由原子層化學氣相沈積(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD)法在其上形成氧化鋁(Al2O3)層，製作光電轉換元件。
另外，光電轉換膜12中的富勒烯的含量比(富勒烯或其衍生物的單層換算的膜厚/(化合物X所表示的化合物的單層換算的膜厚+富勒烯或其衍生物的單層換算的膜厚))為70體積%。
<元件驅動的確認(暗電流的測定)>
關於所得的各元件，進行是否作為光電轉換元件而發揮功能的確認。
若於所得的各元件(實施例1~實施例30、比較例1~比較例2)的下部電極及上部電極上，以成為2.5×105V/cm的電場強度的方式施加電壓，則任意元件均於暗處顯示100nA/cm2以下的暗電流，但於明處顯示10μA/cm2以上的電流，確認光電轉換元件發揮功能。
<光電轉換效率(外部量子效率)的評價>
關於所得的各光電轉換元件，對光電轉換效率進行評價。
首先，以成為2.0×105V/cm的電場強度的方式對光電轉換元件施加電壓。其後，自上部電極(透明導電性膜)側照射光而測定最大感度波長的外部量子效率。使用奧普泰(OPTEL)製造的定能量量子效率測定裝置而測定外部量子效率。所照射的光量為50uW/cm2。而且，為了除去光電轉換元件表面的反射光的影響，藉由最大感度波長的外部量子效率除以最大感度波長的光吸收率而求出外部量子效率。各實施例及比較例的外部量子效率作為將比較例1設為1.0時的相對值而求出。作為評價基準，將2.0以上者作為AA，將1.5以上且不足2.0者作為A，將1.2以上且不足1.5者作為B，將0.8以上且不足1.2者作為C，將不足0.8者作為D。將結果表示於表1中。另外，於實用上而言，較佳的是B以上，更佳的是A以上，特佳的是AA以上。
<響應速度的評價(響應性評價)>
關於所得的各光電轉換元件，對響應性進行評價。
具體而言，以成為2.0×105V/cm的電場強度的方式對光電轉 換元件施加電壓。其後，使LED瞬間地點亮而自上部電極(透明導電性膜)側照射光，藉由示波器測定此時的光電流，測定自0至95%訊號強度的上升時間。各實施例及比較例的響應性是作為將比較例1的上升時間設為1.0時的相對值而求出。作為評價基準，將不足0.1者作為AA，將0.1以上且不足0.2者作為A，將0.2以上且不足0.5者作為B，將0.5以上且不足1.5者作為C，將1.5以上者作為D。將結果表示於表1中。另外，於實用上而言，較佳的是B以上，更佳的是A以上，特佳的是AA以上。
<以5.0Å/sec蒸鍍上述化合物時的暗電流>
關於實施例12~實施例30、比較例1、比較例2，將上述化合物的蒸鍍速率設為5.0Å/sec而製作光電轉換元件，對暗電流進行評價。暗電流的值是作為將以2.6Å/sec而製作的光電轉換元件的暗電流設為1.0時的相對值而求出。作為評價基準，將不足1.5者評價為AA，將1.5以上且不足3.0者評價為A，將3.0以上且不足10者評價為B，將10以上且不足50者評價為C，將50以上者評價為D。另外，於實用上而言，較佳的是B以上，更佳的是A以上，特佳的是AA以上。
如上述表1所示，確認於本發明的光電轉換元件中顯示 出優異的耐熱性及響應性。
其中，如實施例8~實施例12所示，可確認在於通式(1)~通式(3)中，R1及R2的至少一方以通式(14)而表示，且通式(1)~通式(3)中的n為0的情況下，或者於通式(1)~通式(3)中，R1與R2為相同的取代基的情況下，與實施例1~實施例7相比較而言，光電轉換效率及響應速度雙方均為A，或至少一者包含AA，效果更優異。
而且，如實施例13~實施例16所示，可確認在於通式(1)~通式(3)中，R1及R2以通式(14)而表示，通式(1)~通式(3)中的n為0，且R1與R2為相同取代基的情況下，光電轉換效率及響應速度均為AA，效果更優異。
而且，如實施例13~實施例28所示，可確認在於通式(1)~通式(3)中，R1及R2以通式(18)而表示，通式(1)~通式(3)中的n為0，且R1與R2為相同取代基的情況下，光電轉換效率及響應速度的平衡更優異。
而且，根據實施例6與實施例10的比較可確認：n=0的情況下效果更優異。
而且，根據實施例17、實施例26及實施例29的比較可確認：於通式(1)~通式(3)中，R1及R2以通式(14)而表示，R30及R31為亦可具有取代基的芳基的情況下，效果更優異。
而且，根據實施例12~實施例30的比較可確認：於通式(1)~通式(3)中，R1及R2以通式(14)而表示，於通式(14)中， R30~R32分別相互連結而形成環的情況下，在<以5.0Å/sec蒸鍍上述化合物時的暗電流>一欄中，效果更優異。
另一方面，在使用專利文獻1的實施例欄中所使用的例示化合物1、或日本專利特開2011-253861號公報中所揭示的例示化合物2的情況下(比較例1及比較例2)，光電轉換效率及響應性差。
<攝像元件的製作>
製作與圖2所示的形態同樣的攝像元件。亦即，藉由濺鍍法在CMOS基板上成膜非晶性TiN 30nm後，藉由光微影法在CMOS基板上的光電二極體(PD)上以分別存在各1個畫素的方式進行圖案化而製成下部電極，在電子阻擋材料的成膜以後與實施例1~實施例30、比較例1~比較例2同樣地製作。同樣地進行其評價，獲得與表1同樣的結果，可知在攝像元件中亦適用於製造，且顯示出優異的性能。
10a、10b‧‧‧光電轉換元件
11‧‧‧下部電極(導電性膜)
12‧‧‧光電轉換膜
15‧‧‧上部電極(透明導電性膜)
16A‧‧‧電子阻擋膜
16B‧‧‧電洞阻擋膜

Claims (22)

  1. 一種光電轉換元件，其是依序積層導電性膜、包含光電轉換材料的光電轉換膜、及透明導電性膜而成的光電轉換元件，所述光電轉換材料包含選自由通式(1)所表示的化合物、通式(2)所表示的化合物、及通式(3)所表示的化合物所構成的群組的至少一種； [化2] 通式(1)~通式(3)中，X1及X2分別獨立地為氧原子、硫原子、=CR1aR1b、或=NR1c；Y1及Y2分別獨立地為氧原子、硫原子、>CR1dR1e、或>SiR1fR1g；R1a~R1g分別獨立地表示氫原子或取代基；Q是選自由通式(4)~通式(8)所表示的基所構成的群組的任意一個；R1~R2分別獨立地表示取代基；R3~R24分別獨立地表示氫原子或取代基；n表示0或1； 另外，在n=1的情況下，通式(4)~通式(8)中的*1~*4所表示的碳原子分別與通式(1)~通式(3)中的*1~*4所表示的碳原子對應；在n=0的情況下，通式(1)~通式(3)所表示的化合物分別表示通式(9)~通式(11)所表示的化合物。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之光電轉換元件，其中，所述光電轉換材料包含選自由下述通式(12)所表示的化合物及通式(13)所表示的化合物所構成的群組的至少1種； 式中，Q、及R1~R2與申請專利範圍第1項中所記載的定義相同。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之光電轉換元件，其中，通式(1)~通式(3)中，R1及R2是亦可具有取代基的芳基或亦可具有取代基的雜芳基。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之光電轉換元件，其中，通式(1)~通式(3)中，R1及R2的至少一者是通式(14)所表示的基；[化5] 通式(14)中，R30及R31分別獨立地表示烷基、亦可具有取代基的芳基或亦可具有取代基的雜芳基；R32表示亦可具有取代基的伸芳基或亦可具有取代基的伸雜芳基；R30~R32亦可分別相互連結而形成環；*5表示鍵結位置。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之光電轉換元件，其中，通式(14)中，R30與R31、R30與R32、或R31與R32分別相互直接或經由連結基而鍵結形成環。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之光電轉換元件，其中，通式(1)~通式(3)中，R1及R2的至少一者是通式(18)所表示的基； 通式(18)中，R33~R37分別獨立地表示氫原子、或取代基；R32表示亦可具有取代基的伸芳基或亦可具有取代基的伸雜芳基；R31表示烷基、亦可具有取代基的芳基或亦可具有取代基的雜芳基；R33與R32、R37與R31、R31與R32亦可分別相互連結而形成環；*5表示鍵結位置。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之光電轉換元件，其中，通式(1)~通式(3)中，R1及R2的至少一者是通式(15)所表示的基； 通式(15)中，R33~R42分別獨立地表示氫原子、或取代基；R32表示亦可具有取代基的伸芳基或亦可具有取代基的伸雜芳基；R37與R38、R32與R33、R32與R42亦可分別相互連結而形成環；*5表示鍵結位置。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之光電轉換元件，其 中，通式(1)~通式(3)中，n=0。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之光電轉換元件，其中，通式(1)~通式(3)中，R1與R2為相同的取代基。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之光電轉換元件，其中，R1及R2的兩者為所述通式(18)所表示的基，X1及X2為氧原子，Y1及Y2為氧原子，n=0，R1及R2為相同的取代基。
  11. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之光電轉換元件，其中，所述光電轉換膜進一步包含有機n型化合物。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之光電轉換元件，其中，所述有機n型化合物包含選自由富勒烯及其衍生物所構成的群組的富勒烯類。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之光電轉換元件，其中，所述富勒烯類相對於所述富勒烯類與所述通式(1)~通式(3)所表示的化合物的合計的含量比(所述富勒烯類的單層換算的膜厚/(所述通式(1)~通式(3)所表示的化合物的單層換算的膜厚+所述富勒烯類的單層換算的膜厚))為50體積%以上。
  14. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之光電轉換元件，其中，於所述導電性膜與所述透明導電性膜之間配置有電荷阻擋膜。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之光電轉換元件，其中，依序包含所述導電性膜、所述電荷阻擋膜、所述光電轉換膜、所述透明導電性膜，或者依序包含所述導電性膜、所述光電轉換膜、所述電荷阻擋膜、所述透明導電性膜。
  16. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之光電轉換元件，其中，光經由所述透明導電性膜而入射至所述光電轉換膜。
  17. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之光電轉換元件，其中，所述透明導電性膜包含透明導電性金屬氧化物。
  18. 一種攝像元件，其包含如申請專利範圍第1項至第17項中任一項所述之光電轉換元件。
  19. 一種光感測器，其包含如申請專利範圍第1項至第17項中任一項所述之光電轉換元件。
  20. 一種光電轉換元件的使用方法，其是如申請專利範圍第1項至第17項中任一項所述之光電轉換元件的使用方法，其中，所述導電性膜與所述透明導電性膜是一對電極，於所述一對電極間施加1×10-4V/cm~1×107V/cm的電場。
  21. 一種化合物，其由通式(16)表示： 通式(16)中，R43及R44分別獨立地為亦可具有取代基的芳基、或亦可具有取代基的雜芳基，R43及R44至少一個是通式(14) 所表示的基； 通式(14)中，R30及R31分別獨立地表示烷基、亦可具有取代基的芳基或亦可具有取代基的雜芳基；R32表示亦可具有取代基的伸芳基或亦可具有取代基的伸雜芳基；R30~R32亦可分別相互連結而形成環；*5表示鍵結位置。
  22. 一種化合物，其由通式(17)表示： 通式(17)中，R45及R46分別獨立地為亦可具有取代基的芳基、或亦可具有取代基的雜芳基，R45及R46至少一個是通式(14)所表示的基；[化11] 通式(14)中，R30及R31分別獨立地表示烷基、亦可具有取代基的芳基或亦可具有取代基的雜芳基；R32表示亦可具有取代基的伸芳基或亦可具有取代基的伸雜芳基；R30~R32亦可分別相互連結而形成環；*5表示鍵結位置。
TW103111354A 2013-03-28 2014-03-27 光電轉換元件、攝像元件、光感測器、光電轉換元件的使用方法 TW201501380A (zh)

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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10879314B2 (en) * 2015-08-27 2020-12-29 Sony Semiconductor Solutions Corporation Photoelectric conversion element, imaging device, and electronic apparatus
US11466026B2 (en) 2017-12-13 2022-10-11 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent materials and devices
US11466009B2 (en) 2017-12-13 2022-10-11 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent materials and devices
US11897896B2 (en) 2017-12-13 2024-02-13 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent materials and devices
CN109912619B (zh) 2017-12-13 2022-05-20 北京夏禾科技有限公司 有机电致发光材料和器件
US20200136063A1 (en) * 2018-10-24 2020-04-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Compound and film and photoelectric diode and organic sensor and electronic device
KR102819926B1 (ko) * 2018-10-24 2025-06-12 삼성전자주식회사 화합물, 필름, 광전 소자, 유기 센서 및 전자 장치
CN109851518A (zh) * 2018-12-26 2019-06-07 杭州科耀医药科技有限公司 一种(s)-5-氟-3-甲基异苯并呋喃-3-酮的乙酰化中间体的制备方法
US12396359B2 (en) * 2019-03-28 2025-08-19 Sony Group Corporation Solid-state imaging element, method for manufacturing solid-state imaging element, photoelectric conversion element, imaging device, and electronic apparatus
CN115769695A (zh) * 2020-06-22 2023-03-07 富士胶片株式会社 光电转换元件、成像元件、光传感器及化合物
JP2024032258A (ja) * 2022-08-29 2024-03-12 株式会社ジャパンディスプレイ 光学センサ付き液晶表示装置
CN116297760A (zh) * 2023-02-21 2023-06-23 常州大学 一种可用于检测新冠病毒刺突蛋白的表面分子印迹电化学生物传感器及其制备方法和应用

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004010736A (ja) * 2002-06-06 2004-01-15 Toray Ind Inc 発光素子材料およびそれを用いた発光素子
JP4972288B2 (ja) 2004-08-30 2012-07-11 富士フイルム株式会社 撮像素子
WO2007003520A1 (en) * 2005-07-05 2007-01-11 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Fluorescent diketopyrrolopyrroles and derivatives
JP4872051B2 (ja) 2006-03-20 2012-02-08 パナソニック電工株式会社 有機薄膜太陽電池
JP5108806B2 (ja) 2008-03-07 2012-12-26 富士フイルム株式会社 光電変換素子及び撮像素子
JP5270642B2 (ja) * 2010-03-24 2013-08-21 富士フイルム株式会社 光電変換素子及び撮像素子
JP2012077064A (ja) * 2010-09-08 2012-04-19 Fujifilm Corp 光電変換材料、該材料を含む膜、光電変換素子、光電変換素子の製造方法、光電変換素子の使用方法、光センサ、撮像素子
JP2014529343A (ja) * 2011-07-27 2014-11-06 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｍｉｔ ｂｅｓｃｈｒａｅｎｋｔｅｒ Ｈａｆｔｕｎｇ 小分子および有機半導体としてのそれらの使用

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