TW201500509A - 黏接片以及被加工的有關設備的部材之製作方法 - Google Patents

Abstract

一種黏接片1，包括基材2以及在基材2一側主面設置的黏接劑層3。黏接劑層3為由含有具有聚合性官能基之聚合物(A)以及相對具有聚合性官能基之聚合物(A)100質量份為2質量份以下的光聚合起始劑(B)的黏接劑組成物形成，光聚合起始劑(B)為，其3質量%甲醇溶液之波長365nm的質量吸光係數(單位：ml/g．cm)在200以上、1000以下。該黏接片1中，黏接劑層3為由含有具有聚合性官能基之聚合物(A)的黏接劑組成物形成，可通過照射熱量少的照射來硬化並充分降低對於經加工設備相關部材之黏接性，並且在抑制釋氣發生的同時，具有極佳的保管穩定性。

Description

黏接片以及被加工的有關設備的部材之製作方法

本發明是關於由半導體晶圓以及複數的半導體晶片得到樹脂封裝而組成的半導體封裝等的有關設備的部材，在裡層研磨或切割時所使用的黏接片，以及使用該黏接片的被加工的有關設備的部材之製作方法。此外，本發明中的「切割片」，亦包括切割．黏晶片的一部份。另，「黏接片」亦包括為了黏接晶圓環(ring frame)的額外基材膜以及具有黏接劑層的部份。再者，在本發明中的「片」亦包括「膠帶」的概念。

由於在半導體晶圓以及半導體封裝等有關設備的部材實施加工，尤其切斷以及研磨等的機械加工，從而形成將有關設備的部材個片化而組成的晶片狀部材，或讓有關設備的部材之厚度得到調整。在於本發明專利說明書，亦將這種被加工的有關設備的部材稱為「加工後有關設備的部材」。

進行這種加工時，作為暫時黏貼於有關設備的部材之黏接片，即切割片與磨片的一例，可列舉因紫外線、X線、電子線等能量線的照射，而可讓黏接片具有的黏接劑層進行硬化的黏接片。這種黏接片可通過能量線的照射降低對於加工後有關設備的部材之黏接性，在此情況下，從黏接片中剝離加工後有關設備的部材(具體來說，可列舉將晶片狀部材頂取(pick up)的情形，或在厚度得到調整的有關設備的部材中剝離黏接片的情形)變得容易。

在上述能量線中，作為照射紫外線的裝置(紫外線 照射裝置)，之前使用的是金屬鹵化物燈以及以高壓水銀燈為光源的裝置，但近年來開始建議替代這些裝置，而使用以紫外線發光二極管(在本發明專利說明書亦稱「紫外線LED」)為光源的紫外線照射裝置(例如先前技術文獻1)。

但是將紫外線LED使用於光源，則由於其低擴散 性、低發熱性、狹窄的波長領域等原因，有時會出現上述黏接片所具的黏接劑層之硬化不夠充分的傾向。

作為形成通過照射與上述同樣能量線而硬化的黏 接劑層之黏接劑組成物，可舉出將聚合性官能基具於側鏈等的聚合物，同時作為黏接主劑與紫外線硬化性成份而具的黏接劑組成物(先前技術文獻2)。這種黏接劑組成物具有硬化時體積收縮較小的優點。

此外，亦具有以下優點。即除了作為形成能量線 硬化性黏接劑層的黏接劑組成物，含有具上述聚合性官能基的聚合物之情形(以下亦稱「包接型」)，可列舉作為主劑的聚合物以及含有由硬化反應形成立體網目構造的低分子量成份的情形(以下亦稱「共混型」)。以共混型黏接劑組成物為例，在低分子量成份中未充分進行硬化反應的部分，則成為不被導致黏接劑層硬化之立體網目構造所接受的殘存成份。因此以共混型黏接劑組成物來說，則有可能發生因殘存成份所致的殘渣物貼付在從黏接片中得到剝離的加工後有關設備的部材。此外， 這種殘存成份有時會成為發生釋氣的原因。相對於此，以包接型來說，因這種殘存成份所致的殘差物貼付在加工後有關設備的部材，或者發生因這種殘存成份所致的釋氣的可能性與共混型相比非常低。

另外，具有這種聚合性官能基的聚合物，由於聚合性官能基的運動性被限制，在包接型黏接劑組成物，相對於共混型黏接劑組成物，若為能量線被照射的情形，那麼難以在其內部進行聚合反應，結果有時會出現黏接劑層不易硬化的傾向。如果使用在如紫外線LED這種被照射物內的發熱量少的光源，聚合物的聚合性官能基的運動性則相對來說變得更低，結果讓黏接劑層難以更加硬化，容易產生因能量線硬化而導致無法充分達成減低黏接性目標的問題。

為了遏制這種問題發生，在先前技術文獻3中揭示了黏接膠帶的發明，其特徵為對於作為黏接劑組成物成份的(甲基)丙烯酸酯系共聚物之100重量部，包含15~35重量部的光聚合起始劑，以及0.2~3.0重量部的聚合禁止劑。此外，在先前技術文獻4以及5中揭示著在由任意紫外線LED的紫外線照射下，同時進行補助性加熱的膠帶之剝離方法。

【先前技術文獻】

【專利文獻】

【專利文獻1】日本特開2006-040944號公報

【專利文獻2】日本特開平05-032945號公報

【專利文獻3】日本特開2011-105854號公報

【專利文獻4】日本特開2011-040476號公報

【專利文獻5】日本特開2011-124480號公報

但是對於在先前技術文獻3中揭示的含有多量光聚合起始劑的黏接膠帶來說，即使想通過添加多量聚合禁止劑以遏制聚合得到進行，但聚合禁止劑只會妨礙所發生的自由基進行連鎖移動，而非遏制到在光聚合起始劑中的自由基發生。因此在黏接膠帶的保管中，由黏接劑中以高濃度包含的光聚合起始劑發生的自由基，則恐怕存在聚合性官能基非活性的可能性。此外，由於光聚合起始劑為低分子量成份，故具有易發生釋氣的問題。另，在先前技術文獻4以及5中揭示的剝離方法中，為了剝離膠帶，除紫外線照射以外必須另外進行加熱。因此，在整個過程中能源效率低，且難以得到採用紫外線LED節能設備的優點，加上由於無法發揮紫外線LED作為低發熱性的優點而必須使用加熱裝置，故存在設備負荷增大等問題。

本發明為由含有具聚合性官能基之聚合物的黏接劑組成物組成的黏接劑層，即使在像紫外線LED中的照射放射熱量少的照射下得到硬化，加工後可以充分降低對於有關設備的部材之黏接性。此外，本發明的課題為提供可遏制釋氣發生且具有優異保管穩定性的黏接片。另，本發明的課題亦為提供使用這種黏接片的加工後有關設備的部材之製作方法。

為達成上述課題所提供的本發明，首先作為包括 在基材與上述基材另一面的主面側所設置的黏接劑層之黏接片，上述黏接劑層由具聚合性官能基的聚合物(A)，以及對於具上述聚合性官能基的聚合物(A)之100質量份，含有2質量份以下的光聚合起始劑(B)之黏接劑組成物所組成，而上述光聚合起始劑(B)提供的黏接片，特徵在於其3質量%甲醇溶液的波長365nm之質量吸光係數(單位：g．cm)為200以上、1000以下。

在於上述發明(發明1)，用可照射其發光光譜中含 有最大強度在350nm以上、400nm以下，且半高寬為5nm以上、30nm以下的單一發光峰值的光線之紫外線光源，在使積算光量為200mJ/cm²的條件下，將紫外線照射在上述黏接劑層時，將上述黏接片中上述黏接劑層中與基材相對之面的反對側之主面作為測定對象面，並將矽晶圓之鏡面作為被黏面，依據JIS Z0237：2000實施180°剝離試驗時所測定得出的黏接力為，包含上述紫外線之能量線照射前狀態下之黏接力，相對於包含上述紫外線之能量線照射後狀態下之黏接力之比，優選為10以上(發明2)。

其次，本發明提供加工後有關設備的部材之製作 方法，其特徵在於具以下工程：將記述於上述發明(發明1,2)的黏接片貼付在有關設備的部材之一面的工程；在上述有關設備的部材中之上述黏接片所貼付的一面與反面進行加工，並且讓上述黏接片在上述加工後有關設備的部材成為貼付狀態的工程；對於具貼付在上述加工後有關設備的部材之黏接片的上述黏接劑層，照射以發光光譜中含有最大強度350nm以上、 400nm以下，且半高寬為5nm以上、30nm以下的單一發光峰值的光線時，使包含在上述黏接劑層的聚合性官能基進行聚合反應的工程；以及從具有上述硬化黏接劑層的黏接片剝離上述經加工設備相關部材的工程(發明3)。

在於上述發明(發明3)，上述光線的光源優選為包含紫外線發光二極管(發明4)。

在於上述發明(發明3,4)，上述黏接片為研磨片，上述加工亦可包含研磨加工(發明5)。

在於上述發明(發明3,4)，上述黏接片為切割片，上述加工亦可包含切斷加工(發明6)。

本發明中黏接片具的黏接劑層，僅由發光二極管的紫外線照射進行硬化，既可充分降低對於加工後有關設備的部材之黏接性，亦可遏制釋氣發生，且保管時硬化功能的穩定性優異。因此，有關本發明的黏接片，不僅具有優良的保管穩定性，且難以發生對加工後有關設備的部材之污染問題。因此，藉著使用有關本發明的黏接片，可製造生產性高又優質的加工後有關設備的部材。

1‧‧‧黏接片

2‧‧‧基材

3‧‧‧黏接劑層

【圖1】為有關本發明第一實施形態之黏接片的概略斷面圖。

以下說明本發明的實施形態。

如圖1所示，有關本發明第一實施形態的黏接片1，具基材2以及在基材2的至少一面上積層的黏接劑層3。

1．基材

有關本實施形態的黏接片1之基材2，被貼付在黏接片1之被黏物的有關設備的部材時，以及將加工後有關設備的部材從黏接片1剝離時，只要不被破斷，則其組成材料不被特別限制。在黏接片1被使用為切割片的情形下，於切割工程後實施的擴張工程等，亦優選不進行破斷。

黏接片1之基材2，通常由以樹脂系材料為主材料的薄膜組成。以此薄膜的具體例來說，可列舉乙烯-醋酸乙烯共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜等乙烯系共聚物薄膜；低密度聚乙烯(LDPE)薄膜、線型低密度聚乙烯(LLDPE)薄膜、高密度聚乙烯(HDPE)薄膜等聚乙烯薄膜；聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、乙烯-降冰片烯共聚物薄膜、降冰片烯樹脂薄膜等聚烯烴系薄膜；聚鹽化乙烯薄膜、鹽化乙烯共聚物薄膜等聚鹽化乙烯系薄膜；聚乙烯對苯二甲酸酯薄膜、聚丁烯對苯二甲酸酯薄膜等聚酯系薄膜；聚氨酯薄膜；聚硫亞氨薄膜；聚苯乙烯薄膜；聚碳酸鹽薄膜；氟樹脂薄膜等。此外，亦使用這些薄膜的架橋薄膜、離聚物薄膜等改性薄膜。上述基材2，亦可為由此類中1種組成的薄膜，或亦可為組合2種類以上的積層薄膜。另，在本發明專利說明書中的「(甲基)丙烯酸」，皆指丙烯酸以及甲基丙烯酸。其他類似用語亦同。

組成基材2的薄膜，優選在乙烯系共聚物薄膜以 及聚烯烴系薄膜中，至少具一種。乙烯系共聚物薄膜藉著改變共聚比等，讓其機械性特點容易在廣大範圍中得到控制。因此，具乙烯系共聚物薄膜的基材2，容易滿足作為有關本實施形態之黏接片1的基材所要求之機械性特點。此外，由於乙烯系共聚物薄膜對黏接劑層3的密合性較高，在作為黏接片使用的基材2，以及黏接劑層3之間的介面，難以發生剝離。

由於乙烯系共聚物薄膜以及聚烯烴系薄膜，對於 作為黏接片之特點帶來不良影響的成份(例如，在聚鹽化乙烯系薄膜等，由該薄膜含有的塑化劑在基材2移行到黏接劑層3，且分佈於黏接劑層3的基材2之對面以及反面，而有降低黏接劑層3對於被黏物之黏接性的情形)含量低，故難以發生對黏接劑層3的之黏接性降低等的問題。即，使用乙烯系共聚物薄膜以及聚烯烴系薄膜的黏接片，在化學方面的穩定性非常優秀。

基材2在以上述樹脂系材料為主劑的薄膜內，亦 可包含顏料、阻燃劑、塑化劑、抗靜電劑、潤滑劑、充電劑等各種添加劑。以顏料為例，可列舉二氧化鈦、碳黑等。此外，充電劑可列舉如三聚氰胺樹脂的有機系材料、如燻矽的無機系材料以及如鎳粒子的金屬系材料。雖然這種添加劑的含量沒有特別限制，但應設定在基材2能夠發揮所目標的功能且不失去平滑性或柔軟性的範圍內。

若是使用紫外線作為讓黏接劑層3硬化而照射的 能量線，基材2優選為對所照射的紫外線具有透過性。作為這種基材，可列舉乙烯系共聚物薄膜、聚烯烴系薄膜以及聚鹽化 乙烯系薄膜。此外，若是作為能量線而使用電子線的情形，基材2優選為亦具電子線的透過性。

此外，在基材2之黏接劑層3側面(以下亦稱「基 材被黏面」)，由羧基以及其離子與鹽形成的群組中，優選具有選擇1種或2種以上的成份。在基材2中的上述成份與有關黏接劑層3的成份(例舉組成黏接劑層3的成份以及架橋劑(C)等在形成黏接劑層3時所使用的成份)，通過相互化學作用，而可以降低在此之間發生剝離的可能性。至於為了讓這種成份存在於基材被黏面的具體手法，則無特別限制。例如，將基材2本身作為如乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、離聚物樹脂薄膜等，亦可讓作為組成基材2的材料樹脂，在羧基以及其離子與鹽的群組中選擇1種或2種以上。作為除了讓上述成份存在於基材被黏面的手法，基材2例如作為聚烯烴系薄膜，可以在基材被黏面側實施電暈處理，亦可形成中界層。此外，在基材2的基材被黏面與反面，亦可形成各種塗膜。

基材2的厚度，只要黏接片1在有關前述加工的 工程等方面能夠發揮適當功能，則不加以限制。優選為20μm以上、450μm以下，進一步優選為25μm以上、400μm以下，特別優選為50μm以上、350μm以下的範圍。

在本實施形態中基材2的破斷伸度，是在23℃、 相對濕度50%時所測定的值，優選為100%以上，特別優選為200%以上、1000%以下。在此破斷伸度為，依據JIS K7161：1994(ISO 527-1 1993)，在拉伸試驗中試驗片破壞時的試驗片之長度相對於原本長度的增加率。上述破斷伸度為100 %以上的基材2，在黏接片1貼付或剝離時變得難以破斷。

此外，在本實施形態中當基材2發生25%變形時， 拉伸應力優選為5N/10mm以上、15N/10mm以下，最大拉伸應力優選為15MPa以上、50MPa以下。在此變形25%時，拉伸應力以及最大拉伸應力，則通過依據JIS K7161：1994的試驗所測定得出。若變形25%時的拉伸應力未滿5N/10mm或最大拉伸應力未滿15MPa，則將有關設備的部材貼付在黏接片1之後，固定在晶圓環(ring frame)等框體時，由於基材2柔軟而恐怕會發生鬆弛，而這種鬆弛現象有時會成為導致搬送錯誤的原因。另外，變形25%時，若拉伸應力超過15N/10mm，或最大拉伸應力未滿50MPa未滿，那麼在擴張工程時，可能容易發生在晶圓環(ring frame)出現黏接片1本身剝落等問題。此外，上述破斷伸度、25%變形時的拉伸應力以及最大拉伸應力，是指對於在基材2中原材料的長方向所測定的值。

2．黏接劑層

(1)組成

有關本實施形態的黏接片1之黏接劑層3，一直以來可由公知的各種黏接劑組成物形成。作為這種黏接劑組成物雖沒有任何限制，但可列舉使用橡膠系、丙烯系、矽系、聚乙烯醚等黏接劑組成物。

有關本實施形態的黏接片1所具的黏接劑層3，含有具聚合性官能基的聚合物(A)以及光聚合起始劑(B)，且根據需求由含有架橋劑(C)等的黏接劑組成物所組成。

(1-1)具聚合性官能基的聚合物(A)

在於本發明專利說明書，所謂「具聚合性官能基的聚合物(A)」，是指將具含有聚合性的官能基之聚合性官能基的構成單位，存在於主鏈末端以及/或側鏈的聚合物。可通過後述的光聚合起始劑(B)開始進行聚合反應，若其聚合反應可連鎖發展，那麼聚合性官能基的具體種類則不受到特別限制。例如，具體例子可列舉具乙烯性不飽和結合之基，其中如(甲基)丙烯醯基、乙烯基等。

具聚合性官能基的聚合物(A)之重量平均分子量(Mw)，由形成上述黏接劑層3的黏接劑組成物以及按照需求含有更多溶媒的塗工用組成物之塗工時造膜性觀點來看，優選為1萬以上、200萬以下，進一步優選為10萬以上、150萬以下。此外，具聚合性官能基的聚合物(A)之玻璃轉換溫度Tg優選為-70℃以上、30℃以下，進一步優選為-60℃以上、20℃以下的範圍。玻璃轉換溫度可由Fox式進行計算。此外，若通過將加成化合物付加在後述未加成丙烯系共聚物，得出作為具聚合性官能基的聚合物(A)之丙烯系聚合物時，具聚合性官能基的聚合物(A)之Tg，指的是未加成丙烯系共聚物之Tg。

以下，對於具聚合性官能基的聚合物(A)為丙烯系聚合物的情形，用具體例來說明其組成以及製作方法。

在具聚合性官能基的聚合物(A)若為丙烯系聚合物的情形下，具聚合性官能基的聚合物(A)，例如可根據以下方法來製造。首先，調製未加成丙烯系共聚物，而其未加成丙烯系共聚物為包含源自含有水酸基、羧基、胺基基、置換胺基基、環氧樹脂基等反應性官能基之丙烯系化合物的構成單位，以及 源自不具這些反應性官能基之丙烯系化合物的構成單位而形成的共聚物。接著，將此未加成丙烯系共聚物，以及可以與上述反應性官能基進行反應的官能基之加成官能基，與在1分子內具有聚合性官能基(例如，具乙烯性二重結合之基)的化合物(本發明專利說明書中亦稱「加成化合物」)進行反應，並將聚合性官能基加成在上述未加成丙烯系共聚物。由此可以得出作為具聚合性官能基的聚合物(A)之丙烯系聚合物。

作為上述具反應性官能基的丙烯系化合物，可列 舉(甲基)丙烯酸、衣康酸、(甲基)丙烯清以及具反應性官能基的(甲基)丙烯酸酯等。以這種(甲基)丙烯酸酯的具體例來說，可列舉2-羥乙基(甲基)丙烯酸、2-(甲基)丙烯酸羥丙酯等具水酸基的(甲基)丙烯酸；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、N-甲基胺基乙基(甲基)丙烯酸等水酸基以外的具官能基的(甲基)丙烯酸等。

作為非具上述反應性官能基的丙烯系化合物，可 例舉(甲基)丙烯酸酯。若對這種(甲基)丙烯酸酯舉出更多具體例，可列舉(甲基)丙烯酸甲酯、乙基(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸正丙酯、丁基(甲基)丙烯酸、2-乙基己基(甲基)丙烯酸等具鏈狀結構的(甲基)丙烯酸；環己基(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸異冰片酯等具環狀結構的(甲基)丙烯酸等。此外，若(甲基)丙烯酸酯為烷基(甲基)丙烯酸，那麼其烷基的碳素數優選在1到18的範圍。

此外，上述未加成丙烯系共聚物亦可具源自丙烯 系化合物以外的化合物之構成單位。作為與此相同的化合物， 可例舉乙烯、降冰片烯等的烯烴、醋酸乙烯、苯乙烯等。

具加成化合物的加成官能基之種類，在反應性官 能基以及聚合性官能基之間的關係中得到適當設定，作為加成官能基的具體例，可例舉異氰酸鹽基。具作為加成官能基的異氰酸鹽基以及作為聚合性官能基的乙烯性不飽和結合之基的加成化合物，可舉出具體例為2-甲基丙烯醯氧異氰酸鹽乙酯、2-丙烯醯氧異氰酸鹽乙酯、1,1-(二丙烯醯氧甲基)異氰酸鹽乙酯等。尤其，由於1,1-(二丙烯醯氧甲基)異氰酸鹽乙酯在一分子中含有2個丙烯醯基，即使通過放射熱量少的照射對黏接劑層進行硬化，亦可充分降低對於加工後有關設備的部材之黏接性，從而讓本發明效果更加顯著。

具反應性官能基的單量體，在組成未加成丙烯系 共聚物之單量體全體所佔的比率，優選為5質量%以上、50質量%以下，亦優選為10質量%以上、40質量%以下。此外，當具未加成丙烯系共聚物之反應性官能基的數為100mol%時，付加於此的加成化合物之分子數，優選為40mol%以上、100mol%以下，亦優選為60mol%以上、90mol%以下。具反應性官能基的單量體比率，或加成化合物的分子數在此範圍時，通過放射熱量低的照射對黏接劑層進行硬化，亦可充分降低對於加工後有關設備的部材之黏接性，可從而提高本發明效果。

(1-2)光聚合起始劑(B)

為了形成有關本實施形態的黏接片1所具黏接劑層3的黏接劑組成物，含有光聚合起始劑(B)。這種光聚合起始劑(B)可 由1種光聚合性化合物組成，亦可為複數的光聚合性化合物之混合物，而光聚合起始劑(B)的特點在於其3質量%甲醇溶液的波長365nm之質量吸光係數(單位：ml/g．cm)在200以上、1000以下。由於具這種特點，即使將黏接劑組成物中光聚合起始劑(B)的含量，設定在相對於具聚合性官能基之聚合物(A)100質量份的2質量份以下，當對於由這種黏接劑組成物形成的黏接劑層3照射包含紫外線的能量線時，亦可有效進行具聚合性官能基之聚合物(A)的聚合反應。由此，以能量線照射後來說，可以穩定降低黏接劑層3對於有關設備的部材之黏接性。

具上述特點的光聚合起始劑(B)，可舉出具體例為 烷基苯酮系化合物、醯基膦氧化合物、二茂鈦化合物、噻噸酮化合物、過氧化氫化合物等的光起始劑、胺系化合物或醌系化合物等的光增感劑等，具體可例舉2，2-二甲氧基-1，2-二苯基乙烷-1-酮、2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基-磷氧、1-羥環己基苯基酮、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙基醚、苯甲基二苯基硫化物、三甲基秋蘭姆一硫化物、偶氮二異丁氰、β-氯蒽醌等，且亦可使用其混合物。

其中由反應性程度的觀點來看，優選為2,2-二甲 氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮以及2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基-磷氧。

從提高有關本實施形態的黏接片1(具體來說為黏 接劑層3)之保管穩定性的觀點來看，在形成黏接劑層3的黏接劑組成中的光聚合起始劑(B)之含量，對於具聚合性官能基之 聚合物(A)100質量份為2質量份以下。由更加穩定確保上述保管穩定性的觀點來看，上述含量對於具聚合性官能基的聚合物(A)100質量份，優選為1.5質量份以下，進一步優選為1.0質量份以下。上述含量的下限，由穩定確保其保管穩定性的觀點來說，雖不加以限制，但如果在過少的情形下，照射包含紫外線的能量線時，對於具包含在黏接劑層3之聚合性官能基的聚合物(A)，則恐怕會出現難以進行聚合反應的情形。因此，在形成黏接劑層3的黏接劑組成中光聚合起始劑(B)的含量，對於具聚合性官能基的聚合物(A)100質量份，優選為0.01質量份以上，進一步優選為0.1質量份以上。

(1-3)架橋劑

為了形成有關本實施形態之黏接劑層3的黏接劑組成物，亦可按照需要含有架橋劑(C)。在此情況下，具聚合性官能基的聚合物(A)含有可與架橋劑(C)進行反應的可架橋官能基。並且對此可架橋官能基來說，聚合物(A)具與架橋劑(C)的架橋性反應基進行反應的聚合性官能基，而聚合物(A)在黏接劑層3內屬於架橋物。

以架橋劑(C)的種類來說，可列舉環氧樹脂系化合物、異氰酸鹽系化合物、金屬螫合物系化合物、氮丙啶系化合物等的聚亞胺化合物、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、二醛類、羥甲基聚合物、金屬醇氧化物、金屬鹽等。其中，由於容易控制架橋反應等理由，架橋劑(C)優選為聚異氰酸鹽化合物。

在此對於聚異氰酸鹽化合物進行較為詳細說明。聚異氰酸鹽化合物為每1分子具2個以上異氰酸鹽基的化合 物，可列舉甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸鹽、二甲苯二異氰酸鹽等的芳香族聚異氰酸鹽；二環己基甲烷-4,4'-二異氰酸鹽、二環庚烷三異氰酸鹽、環戊二異氰酸鹽、環己二異氰酸鹽、甲基環己二異氰酸鹽、水添二甲苯二異氰酸鹽等的脂環式異氰酸鹽化合物；具環己烷二異氰酸鹽、三甲基環己烷二異氰酸鹽、離胺酸二異氰酸鹽等鏈狀結構的異氰酸鹽。

此外，亦可使用這些物質的化合物之滴管體、異 氰脲酸酯體以及將這些化合物與乙烯乙二醇、三羥甲基丙烷、蓖麻油等含有非芳香族性低分子活性氫化合物的反應物包接體等的改性體。上述聚異氰酸鹽化合物可為1種，亦可為複數種類。

如前述內容，使用未加成丙烯系聚合物以及加成 用化合物來形成具聚合性官能基的聚合物(A)，而如上述內容在架橋劑(C)為聚異氰酸鹽化合物的情形下，若將加成用化合物的加成官能基作為異氰酸鹽基，調製具聚合性官能基的聚合物(A)，讓未加成丙烯系聚合物中的反應性官能基可殘留到一定程度，那麼可將殘留的反應性官能基作為與架橋劑(C)進行反應的可架橋官能基。

聚合物(A)包括在有關本實施形態之黏接劑層3中 含有的聚合性官能基，而在聚合物(A)包括源自與架橋劑(C)的反應之架橋物的情形下，通過調整包含在黏接劑層3的架橋物之架橋密度，可控制將包含黏接劑層3的紫外線之能量線在被照射前的儲藏彈性率(在本發明專利說明書亦稱「照射前儲藏彈性率」)等，即對於黏接劑層3的有關設備的部材之為黏接 性帶來影響的特點。此架橋密度，可通過更改包含在形成黏接劑層3的組成物架橋劑(C)之含量以進行調整。

具體來說，對於具聚合性官能基的聚合物(A)100 質量份，讓形成黏接劑層3的黏接劑組成物架橋劑(C)之含量為0.1質量份以上，則可以容易控制黏接劑層3的照射前儲藏彈性率等在適當範圍。由提高此控制性的觀點來說，架橋劑(C)的含量對於具聚合性官能基的聚合物(A)100質量份，優選為1質量份以上。雖對於架橋劑(C)的含量上限不加以特別限制，但在其含量過高的情形，有時會出現難以將有關設備的部材對於黏接劑層3之黏接性等控制在後述範圍的情形，因此架橋劑(C)的含量，對於具聚合性官能基的聚合物(A)100質量份，優選為10質量份以下，進一步優選為8質量份以下。

(1-4)其他成份

為形成有關本實施形態之黏接片1所具黏接劑層3的黏接劑組成物，在上述成份的基礎上，可含有不具聚合性官能基的聚合物、具聚合性官能基的化合物(低分子量成份)、儲藏彈性率調整劑、染料以及顏料等著色劑、阻燃劑、充電劑等各種添加劑。

不具聚合性官能基的聚合物，在調製具聚合性官能基的聚合物(A)時，通過用不包含具聚合性官能基的構成單位之調製法而可得。例如，對於前述未加成丙烯系共聚物，不與加成化合物進行反應，則可以將此作為不具聚合性官能基的聚合物。

具聚合性官能基的化合物，在黏接劑層3中包含 紫外線的能量線得到照射時，根據與具聚合性官能基之聚合物(A)的聚合反應相同的聚合反應而互相或通過與具聚合性官能基之聚合物(A)結合，發揮降低黏接劑層3對於有關設備的部材之黏接性功能。

作為具這種聚合性官能基的化合物，可列舉具季 戊四醇三(甲基)丙烯酸、1,4-丁烯乙二醇二(甲基)丙烯酸、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸等鏈狀結構的烷基(甲基)丙烯酸；具二環戊二烯二甲氧基二(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸異冰片酯等環狀結構的烷基(甲基)丙烯酸；聚乙二醇二(甲基)丙烯酸、oligo酯(甲基)丙烯酸、氨酯(甲基)丙烯酸低聚物、環氧樹脂改性(甲基)丙烯酸、聚醚(甲基)丙烯酸、衣康酸低聚物等丙烯酸系化合物等。

若將上述聚合性化合物包含在形成有關本實施形 態之黏接劑層3的黏接劑組成物，其含量對於具聚合性官能基的聚合物(A)100質量份，優選為超過0質量份、30質量份以下，進一步優選為1質量份以上、25質量份以下，更進一步優選為3質量份以上、10質量份以下。

作為儲藏彈性率調整劑，可例舉黏接付與樹脂以 及長鏈烷基丙烯低聚物等。在包含儲藏彈性率調整劑的情形下，由其含量穩定發揮功能的觀點來說，對於具聚合性官能基的聚合物(A)100質量份，優選為1質量份以上，進一步優選為5質量份以上。此外，為了將黏接劑層3中含有的黏接劑之凝集性維持在適當程度，儲藏彈性率調整劑的含量對於具聚合性官能基的聚合物(A)100質量份，優選為400質量份以下，進一 步優選為350質量份以下。

在儲藏彈性率調整劑含有黏接付與樹脂的情形下，對於其黏接付與樹脂的種類不加以特別限制，可為聚合松香、松香酯、不均化松香，以及這些成份的氫添加樹脂等松香系黏接付與樹脂，亦可為α-蒎烯樹脂等烯系黏接付與樹脂，也可以是碳化氫樹脂等石油系樹脂。或者亦可以為像古馬隆、烷基．酚樹脂、二甲苯樹脂等芳香族系黏接付與樹脂。

長鏈烷基丙烯低聚物是由碳素數在4以上、18以下的烷基(甲基)丙烯酸聚合而成的低聚物，至於烷基部分的具體結構則不加以特別限制。作為形成這種低聚物的單體之具體例，可舉出丁基丙烯酸。

(2)厚度、物性等

i)厚度

對於有關本實施形態之黏接片1所具黏接劑層3的厚度，不加以特別限制。由將黏接劑層3對於有關設備的部材之黏接性維持在適當範圍的觀點來說，黏接劑層3的厚度優選為1μm以上，進一步優選為2μm以上，特別優選為3μm以上。另外，切割工程中晶片狀部材產生脆裂等，由降低加工中發生缺陷可能性的觀點來看，黏接劑層3的厚度優選為100μm以下，進一步優選為80μm以下，特別優選為50μm以下。

ii)黏接力比

在本發明專利說明書，所謂黏接力比是指，將有關本實施形態之黏接片1所具黏接劑層3中的基材2之對面與反側之主面作為測定對象面，以及將矽晶圓鏡面作為被黏面時，依據JIS Z0237：2000，關於進行180°剝離試驗時所測定出的黏接片1之黏接力，即包含紫外線的能量線照射前狀態中之黏接力(以下亦稱「照射前黏接力」)，相對於包含紫外線的能量線照射後狀態中之黏接力(以下亦稱「照射後黏接力」)的比值(前/後)。 在此，向上述黏接劑層3實施紫外線照射時，應以最大強度在350nm以上、400nm以下的範圍，且將半高寬在5nm以上、30nm以下的單一發光峰值，用可照射具其發光光譜之光線的紫外線光源，讓積算光量為200mJ/cm²。作為這種紫外線光源，可例舉紫外線LED。

有關本實施形態的黏接片1之黏接力比，優選為 10以上。由於黏接力比為10以上，在對於有關設備的部材進行加工，尤其機械加工時，可降低發生晶片狀部材飛散的缺陷可能性，並且在將晶片狀部材等加工後有關設備的部材，從黏接片1中剝離的工程中，可降低發生剝離不良的可能性。由穩定降低這種缺陷發生可能性的觀點來看，有關本實施形態之黏接片1的黏接力比，優選為20以上，特別優選為40以上。

此外，在黏接力比過高的情形下，有時會出現難 以將照射前黏接力以及照射後黏接力調整在後述合適範圍內的情形。此外，由於黏接劑層3通過紫外線照射進行聚合時發生的體積收縮程度與黏接力比存在正相關關係，恐怕會發生加工後有關設備的部材在黏接劑層3聚合時出現移動的缺陷，或降低黏接劑層3與基材的密合性。因此，黏接力比優選為200以下，進一步優選為150以下，特別優選為100以下。

照射前黏接力以及照射後黏接力的合適範圍，各 根據加工條件、剝離加工後有關設備的部材之工程條件、作為被黏物的有關設備的部材被黏面之材質以及表面狀態(凹凸程度等)，被設定為適當值。例如，在加工為切斷加工，且加工後有關設備的部材為晶片狀部材的情形下，由穩定降低切斷加工中晶片狀部材飛散的可能性觀點來看，照射前黏接力優選為1000mN/25mm以上，進一步優選為10000mN/25mm以上。此外，由照射後黏接力穩定進行晶片狀部材剝離工程的觀點來看，優選為50mN/25mm以上、500mN/25mm以下，進一步優選為100mN/25mm以上、400mN/25mm以下。

iii)剝離片

有關本實施形態之黏接片1，為了在將黏接劑層3貼付到被黏物即有關設備的部材之前保護黏接劑層3，可以讓剝離片的剝離面，貼合在黏接劑層3的基材被黏面之對面與另外一面。剝離片結構可以任意組成，可例舉將塑膠薄膜通過剝離劑等進行剝離處理。以塑膠薄膜的具體例來說，可列舉聚乙烯對苯二甲酸酯、聚丁烯對苯二甲酸酯、聚二甲酸乙二醇酯等聚酯薄膜，以及聚丙烯與聚乙烯等聚烯烴薄膜。作為剝離劑可使用矽系、氟系、長鏈烷基系等，但此中優選為低價位且保障穩定功能的矽系。至於剝離片的厚度則無特別限制，通常為20μm以上、250μm以下。

3．黏接片之製作方法

黏接片1之製作方法，只要可以將由前述黏接劑組成物形成的黏接劑層3積層在基材2的一面，則對於詳細方法不加以特別限制。其中一例為，可通過調製前述黏接劑組成物以及根 據需求含有更多溶媒的塗工用組成物，在基材1的一面上塗佈其塗工用組成物塗布機(die coater)、簾式塗布機、噴霧式塗布機、狹縫式塗佈機、刮刀式塗布機等而形成塗膜，且在該一面上的塗膜根據需要進行加熱乾燥，而形成黏接劑層3。若可以塗佈塗工用組成物，則其性質無特別限制，有時會含有形成黏接劑層3的成份作為溶質，或作為分散質。

在塗工用組成物含有架橋劑(C)的情形下，可用上 述的乾燥熱，或通過另行加熱處理，讓具塗膜內聚合性官能基的聚合物(A)與架橋劑(C)進行架橋反應，在黏接劑層3內以所目標的存在密度形成架橋構造。為了充分進行此架橋反應，亦可通過上述方法等，在基材2積層黏接劑層3後，對於所得出的黏接片1，在23℃、相對濕度50%的環境下，實施靜置數日等保養。

作為黏接片1之製作方法的另外一例，亦可通過 在前述剝離片的剝離面上塗佈塗工用組成物而形成塗膜，再將此進行乾燥而形成由黏接劑層3與剝離片組成的積層體，並將此積層體的黏接劑層3之剝離片的對面與另一面貼付在基材1之基材被黏面，而得出黏接片1與剝離片之積層體。此積層體之剝離片可作為工程材料來剝離，亦可在貼付於有關設備的部材之前保護黏接劑層3。

在將黏接片1貼付於有關設備的部材之前，亦可 事先裁剪成與有關設備的部材相同的形狀，或原樣包含有關設備的部材之平面視形狀。由此，可省略將黏接片1貼付在有關設備的部材之後裁剪黏接片1的勞力與設備。

在將黏接片1用為切割．黏晶片的一部分時，亦 可將由上述法所得出的黏接片1中，黏接劑層3的基材被黏面之對面與另一面，以及由黏晶用黏接劑形成的薄膜狀黏接劑進行貼合。薄膜狀黏接劑可在將切割．黏晶片貼付在有關設備的部材前，事先裁剪成與有關設備的部材相同的形狀，而黏接片1可在將切割．黏晶片貼付在有關設備的部材前，事前裁剪成原樣包含有關設備的部材平面視形狀。

4．加工後有關設備的部材之製作方法

若使用有關本實施形態的黏接片1，在半導體晶圓製造半導體晶片的情形下，或研磨半導體晶圓之裏面的情形下，作為具體例子，以下說明由有關設備的部材製作成加工後有關設備的部材之方法。

(1)半導體晶片的製作方法

首先，將有關本實施形態之黏接片1貼付於有關設備的部材之一面。具體來說，將黏接片1的黏接劑層3側之面(即黏接劑層3的基材2之對面與反面)貼付在半導體晶圓的回路面或裏面。至於貼付在半導體晶圓的哪一面，可根據其制程而定。在此說明為貼付在半導體晶圓裏面側的情形。發揮切割片作用的黏接片1之外圍，通常通過設置在該部分的黏接劑層3，被貼付在稱作晶圓環(ring frame)的用於搬送與固定在裝置上的環狀治具。

接下來，作為切割片的黏接片1，使用晶圓環(ring frame)而被裝置在切割臺，並在半導體晶圓側上實施切割加工。如後述，黏接劑層3即使在照射包含具有特定波長特點的 紫外線之能量線時，亦容易降低對半導體晶片的黏接性。那麼對包含紫外線之能量線照射前的狀態來說，也不需要為了讓紫外線照射後的低黏接性，而將黏接性設定在低值。因此，可設計成對半導體晶圓具有優異的黏接性。故藉著使用有關本實施形態之黏接片1，切割工程中難以發生晶片飛散。此外，通過切割工程形成的半導體晶片之大小通常在5mm×5mm以下，而近些年有時為1mm×1mm左右，但由於有關本實施形態之黏接片1的黏接劑層3具有優異的黏接性，故能充分應對這種細間距切割。

通過實施以上切割工程，在半導體晶圓中可獲得 複數的半導體晶片，並成為在複數的半導體晶片有黏接片貼付的狀態。切割工程結束後，為了容易頂取被相互臨近配置在黏接片1上的複數半導體晶片，實施將黏接片1向主面內方向伸長的擴張工程。此伸長程度可考慮被臨近配置之半導體晶片所需具的間隔、基材2的拉伸強度等而做適當設定。

通過實施擴張工程，若臨近配置的半導體晶片之 間被適當拉開距離，則通過吸引導管(collet)等常用手段，進行黏接劑層3上半導體晶片之頂取。至於經過頂取的半導體晶片則被提供到搬送工程等下一階段工程。

以上切割工程結束後，直到開始頂取工程前，在 有關本實施形態之黏接片1的基材2側，實施包含紫外線的能量線之照射。包含此紫外線的能量線照射之實施時期，只要在切割工程結束後、頂取工程開始前，則無特別限制。

包含此紫外線之能量線，在本實施形態的具體一 例中，以最大強度在350nm以上、400nm以下的範圍，且半高寬在5nm以上、30nm以下的單一發光峰值，為包含具其發光光譜的光線。作為可以照射這種光線的光源，可例舉紫外線LED。如前述內容，具有關於本實施形態之黏接片1的黏接劑層3，當含有具聚合性官能基的聚合物(A)以及光聚合起始劑(B)，且光聚合起始劑(B)在得到具上述發光光譜的光線照射時，可對具聚合性官能基的聚合物(A)之聚合性官能基高效進行聚合反應。因此在上述光線照射前狀態，具黏接片1之黏接劑層3對於半導體晶片具有優異的黏接性，在上述光線照射後狀態，則可以充分降低黏接劑層3對於半導體晶片的黏接性。 因此藉著使用有關本實施形態之黏接片1，在製造半導體晶片時，可提高切割工程以及頂取工程雙方的作業性。

(2)裏面被研磨半導體晶圓之製作方法

首先將有關本實施形態之黏接片1的黏接劑層3側的面(即黏接劑層3之基材2的對面與反面)貼付在半導體晶圓的回路面。以發揮磨片功能的黏接片1之外圍來說，其剩餘部分通常被去除。

接下來作為磨片的黏接片1，通過真空吸附被維持在加工臺，在半導體晶圓側被實施研削加工以及研磨加工等降低厚度的機械加工。黏接劑層3如後述內容，在照射包含具特定波長特點之紫外線的能量線時，亦容易降低對半導體晶片的黏接性。那麼對包含紫外線之能量線照射前的狀態來說，也不需要為了讓紫外線照射後的黏接性低，而將黏接性設定在低值。因此，可設計成對半導體晶圓具有優異的黏接性。故藉著 使用有關本實施形態之黏接片1，上述機械加工中難以在黏接劑層3與半導體晶圓之間發生加工屑侵入等缺陷。

通過實施以上機械工程，可讓半導體晶圓的厚度 變薄到數十μm左右。之後，將半導體晶圓從黏接劑層3剝離前，在有關本實施形態之黏接片1的基材2側實施包含紫外線的能量線照射。作為包含其紫外線的能量線之具體例，可例舉包括如前述具一定發光光譜的光線。

通過包含紫外線的能量線得到照射，若黏接劑層3 對半導體晶圓的黏接性降低，則將黏接片1從半導體晶圓剝離，而得出作為加工後有關設備的部材之半導體晶圓。有關本實施形態之黏接片1，由於在包含紫外線的能量線照射後，黏接劑層3對半導體晶圓的黏接性夠低，故在上述剝離時，可降低半導體晶圓破損的可能性。因此根據有關本實施形態之製作方法，可以高品質低成本獲得作為加工後有關設備的部材之半導體晶圓。

此外，上述機械加工前，在半導體晶圓之回路面 側事先實施切槽加工，且降低半導體晶圓厚度的上述機械加工，結果亦可在半導體晶圓實施可獲得複數半導體晶片的所謂先切割加工。此時，機械加工之後，成為在黏接片1上被互相臨近配置的複數半導體晶片得到配置的狀態。因此，如前述內容，在實施擴張工程後，再實施頂取工程。擴張工程優選將複數的半導體晶片在黏接片1轉寫於另外的黏接片，並伸長另外的黏接片來實施。此時，從機械加工結束到複數的半導體晶片轉寫之間，可以通過包含前述紫外線之能量線照射，實施降低 黏接劑層3對於半導體晶片的黏接性之工程，若不實施複數半導體晶片的轉寫時，則從機械加工結束到頂取工程開始之間，通過包含前述紫外線之能量線照射，實施降低黏接劑層3對於半導體晶片的黏接性之工程。

以上說明的實施形態，是為了更容易理解本發明 而所記述，而非為了限定本發明。例如，對於加工後有關設備的部材之製作方法來說，雖舉出兩種機械加工的例子，但加工亦可為蝕刻處理等化學加工。揭示在上述實施形態中的各要素，旨在包含屬於本發明的技術範圍內所有設計變更以及均等物。

【實施例】

以下，雖通過實施例等對本發明進行更加具體的說明，但本發明的範圍並不受限於這些實施例等內容。

〔實施例1〕

(1)塗工用組成物之調製

調製了具有以下內容的溶液狀態之塗工用組成物(溶媒：甲苯)。

i)作為具聚合性官能基的聚合物(A)，對於將52質量份的丁基丙烯酸、20質量份的甲基丙烯酸甲酯、28質量份的丙烯酸羥乙基進行共聚而所得的共聚物(重量平均分子量：60萬、玻璃轉換溫度Tg：-34℃)，將包含此共聚物所具水酸基的相當於80mol%之量的2-甲基丙烯酰氧異氰酸鹽乙酯的組成物(Showa Denko社製，KARENZ MOI)進行反應，而所得出的聚合物作為固形物之100質量份、 ii)作為光聚合起始劑(B)，將包含2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮的組成物(BASF社製，IRGACURE 651,3質量%甲醇溶液狀態下波長365nm的質量吸光係數：361ml/g．cm)作為固形物之0.5重量部，以及iii)作為架橋劑(C)，將包含三羥甲基丙烷甲苯二異氰酸酯(TDI-TMP)的架橋劑組成物(NPU社製、CORONATE L)作為固形物之1質量份。

(2)製作黏接片

在厚度38μm的聚乙烯對苯二甲酸酯製基材薄膜之一側主面上，準備了形成矽系剝離劑層而組成的剝離片(Lintec社製，SP-PET381031)。在此剝離片的剝離面上，將前述的塗工用組成物進行塗佈，讓由刮刀式塗布機最終得出的黏接劑層之厚度為10μm。將所得出的塗膜，在每剝離片100℃的環境下放置1分鐘，讓塗膜得到乾燥而得出由剝離片與黏接劑層(厚度：10μm)組成的積層體。黏接劑層之厚度，則通過定壓厚度測定器(Teclock社製，PG-02)來測定得出。將由厚度80μm的乙烯-甲基丙烯酸共聚物(EMAA)薄膜組成的基材之一面，作為基材被黏面在其面上貼付上述積層體的黏接劑層側之面，如圖1所示，將由同一基材與黏接劑層組成的黏接片，在黏接劑層側之面以剝離片更為積層的狀態得出。

〔實施例2到3以及比較例1到6〕

在於實施例1，將光聚合性化合物(B)的種類以及混合量中的任一項或全部，如表1所示進行變化而得出黏接片。

〔比較例7〕

在於實施例1，通過調製具以下內容的溶液狀態之塗工用組成物(溶媒：甲苯)，並由此得出黏接片。

i)作為具聚合性官能基的聚合物(A)，將91質量份的丁基丙烯酸與9質量份的丙烯酸進行共聚而得出的共聚物(重量平均分子量：80萬，玻璃轉換溫度Tg：-45℃)作為固形物之100質量份、ii)作為光聚合起始劑(B)，將包含2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮以及二苯甲酮的組成物(BASF社製，IRGACURE 500)作為固形物之1.0重量部、iii)作為架橋劑(C)，將包含三羥甲基丙烷甲苯二異氰酸酯(TDI-TMP)的架橋劑組成物(NPU社製，CORONATE L)作為固形物之15質量份，以及iv)作為聚合性化合物，將包含5到9官能之丙烯酸混合體的組成物(Dainichiseika Color & Chemicals Mfg社製，SEIKA BEAM 14-29B)作為固形物之50質量份。

包含在有關實施例以及比較例的黏接劑組成物之光聚合起始劑(B)，則整理如表1。此外，IRGACURE系列、DAROCURE系列之任一項皆為BASF社製。此外，DAROCURE TPO包含2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基-磷氧，而IRGACURE 369包含2-苯甲基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉苯基)-丁酮-1。

〔試驗例1〕<質量吸光係數之測定>

將調製有關上述實施例與比較例的黏接劑組成物時所使用的光聚合起始劑(B)，分別溶解在甲醇，得出光聚合起始劑(B)的3質量%甲醇溶液。對於這些3質量%甲醇溶液，分別測定出在紫外光中關於可視光範圍的吸收光譜。測定機器為Eyegraphics社製UVPF-A1。從所得出的吸收光譜中，獲得波長365nm中的質量吸光係數(單位：ml/g．cm)。測定結果如表1所示。

〔試驗例2〕<照射前黏接力、照射後黏接力以及黏接力比之測定>

將通過上述實施例與比較例製造的黏接片，在23℃、相對濕度50%的環境下靜置7天進行保養後，分別切斷而得出長 200mm、寬25mm的黏接力測定用片。對於上述黏接力測定用片，分別將其黏接劑層側之面貼付在半導體晶圓(8英吋)之鏡面，而得出由半導體晶圓與黏接力測定用片組成的積層體。將所得出積層體，在23℃、相對濕度50%的氛圍下放置了20分鐘。對於放置後的積層體使用萬能型拉伸試驗機(株式會社ORIENTEC製，TENSILON/UTM-4-100)，依據JIS Z0237：2000，通過進行180°剝離試驗(將黏接力測定用片作為剝離側之部材)，而測定了照射前黏接力(單位：mN/25mm)。照射前黏接力的測定結果如表2所示。

將由上述半導體晶圓與黏接力測定用片組成的積 層體再製作2組之後，在23℃、相對濕度50%的氛圍下放置了20分鐘。之後，對於一方的積層體，使用通過紫外線LED(包含發光紫外線的能量線之最大強度為365nm，並將半高寬為10nm的單一發光峰值包括在其發光光譜)的紫外線照射裝置(LINTEC社製，RAD-2100)，在氮氛圍下，由黏接片側照射紫外線(照度200Mw/cm²，積算光量200mJ/cm²)，並聚合了具包含在上述積層體之黏接劑層的聚合性官能基的聚合物(A)。對於此紫外線照射後的積層體，進行了為測定上述照射前黏接力之剝離試驗，以及在同一條件下的剝離試驗，並測定了照射後黏接力(單位：mN/25mm)。

對於另一方的積層體，使用了通過高壓水銀燈(包 含發光紫外線的能量線具有複數的發光峰值)的紫外線照射裝置(LINTEC社製，RAD-2000m/12)，在氮氛圍下由黏接片側照射紫外線(照度230Mw/cm²，積算光量190mJ/cm²)，並聚合了具 包含在上述積層體的黏接劑層之聚合性官能基的聚合物(A)。對於此紫外線照射後的積層體，進行了為測定上述照射前黏接力之剝離試驗，以及在同一條件下的剝離試驗，並測定了照射後黏接力(單位：mN/25mm)。

在由此得出的照射前黏接力以及照射後黏接力中，對於2種類的光源，分別求出黏接力比。所得出的照射前黏接力、2種照射後黏接力以及2種黏接力比如表2所示。

〔試驗例3〕<釋氣量之評價>

將由上述實施例與比較例製造的黏接片，以10mm直徑的圓形裁剪之後，積層到超過15mg而作為試料。對於所得出的試料，使用TG-DTA(SHIMADZU社製，DTG-60)，測定出在室溫以升溫速度10℃/分加熱到100℃，之後在100℃維持1小時的重量減少率(單位：%)。若重量減少率在1%以下，則判定為釋氣量少且優良的黏接片。重量減少率的測定結果如表2所示。

〔試驗例4〕<保管穩定性的評價>

將由上述實施例與比較例所製造的黏接片，在23℃、相對濕度50%的環境下靜置7日以進行保養之後，分別切斷而得出長200mm、寬25mm的黏接力測定用片。在各黏接力測定用片中的基材側之面與反面上，將被安排在50cm距離位置的熒光燈(出力：6Mw,1燈)，維持了1週的點燈狀態。之後，通過與試驗例2同樣的操作方式，測定了照射前黏接力。由此得出保管後照射前黏接力對於保管前(即試驗例2中)照射前黏接力的比率(單位：%)，即根據黏接力低減率，對保管穩定性進行了評價。若此黏接力的低減率為70%以上，則判定為保管穩定性優 秀的黏接片。黏接力低減率的測定結果如表2所示。

由表2可知，滿足本發明之條件的實施例之切割片，其黏接力比大，且估計在有關設備的部材之機械加工工程以及加工後有關設備的部材之剝離工程皆難以出現缺陷。此外，由於加熱導致重量減少率低，因此釋氣量少，且難以通過熒光燈降低黏接力，而保管穩定性優異。

【產業上可利用性】

有關本發明的黏接片，作為有關設備的部材之切割片與磨片得到合適使用。

1‧‧‧黏接片

2‧‧‧基材

3‧‧‧黏接劑層

Claims (6)

1. 一種黏接片，包括：基材及在上述基材一面的主面側設置的黏接劑層，其特徵在於：形成上述黏接劑層的黏接劑組成物為具聚合性官能基的聚合物(A)以及相對上述具有聚合性官能基的聚合物(A)100質量份為2質量份以下的光聚合起始劑(B)，而上述光聚合起始劑(B)為，其3質量%甲醇溶液之波長365nm的質量吸光係數(單位：ml/g．cm)在200以上、1000以下。
2. 根據申請專利範圍第1項所述的黏接片，其中用可照射其發光光譜中含有最大強度在350nm以上、400nm以下，且半高寬為5nm以上、30nm以下的單一發光峰值的光線之紫外線光源，在使積算光量為200mJ/cm²的條件下，將紫外線照射於上述黏接劑層時，將上述黏接片中上述黏接劑層中與基材相對之面的反對側之主面作為測定對象面，且將矽晶圓的鏡面作為被黏面，依據JIS Z0237：2000實施180°剝離試驗時所測定得出的黏接力為，包含上述紫外線之能量線照射前狀態下之黏接力，相對於包含上述紫外線之能量線照射後狀態下之黏接力的比值為10倍以上。
3. 一種經加工設備相關部材之製作方法，其特徵在於包括以下工程：將申請專利範圍第1項所述黏接片貼付在設備相關部材之一面的工程；在上述設備相關部材中的上述黏接片所貼付的一面之反面 進行加工，並且讓上述黏接片在經加工設備相關部材上貼附的工程；對貼附在上述經加工設備相關部材上的上述黏接片之上述黏接劑層，照射以發光光譜中含有最大強度350nm以上、400nm以下，且半高寬為5nm以上、30nm以下的單一發光峰值的光線時，使包含在上述黏接劑層的聚合性官能基進行聚合反應的工程；以及從具有上述硬化黏接劑層的黏接片剝離上述經加工設備相關部材的工程。
4. 如申請專利範圍第3項所述之經加工設備相關部材之製作方法，其中上述光線的光源包含紫外線發光二極管。
5. 如申請專利範圍第3項所述之經加工設備相關部材之製作方法，其中上述黏接片為研磨片，上述加工包含研磨加工。
6. 如申請專利範圍第3項所述之經加工設備相關部材之製作方法，其中上述黏接片為切割片，上述加工包含切斷加工。