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TW201442226A - 顯示裝置及其製造方法、以及電子機器 - Google Patents

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TW201442226A
TW201442226A TW103105531A TW103105531A TW201442226A TW 201442226 A TW201442226 A TW 201442226A TW 103105531 A TW103105531 A TW 103105531A TW 103105531 A TW103105531 A TW 103105531A TW 201442226 A TW201442226 A TW 201442226A
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TW
Taiwan
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light
pixels
display device
pixel
insulating film
Prior art date
Application number
TW103105531A
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English (en)
Inventor
Koji Kikuchi
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Abstract

本發明提供一種能以簡易之方法提高顏色再現度、並且可抑制亮度不均的顯示裝置及其製造方法、以及電子機器。本揭示之顯示裝置包括：複數個像素，其等發出互不相同之發射光；及絕緣膜，其設置於複數個像素間，並且具有針對發射光之反射面；且絕緣膜之反射面之角度係針對每個像素而設定。

Description

顯示裝置及其製造方法、以及電子機器
本揭示係關於一種利用有機電致發光(EL；Electro Luminescence)現象而發光之顯示裝置及其製造方法、以及具備該顯示裝置之電子機器。
隨著資訊通信產業之發展加速，業界要求具有高度性能之顯示元件。其中，作為下一代顯示元件而受到關注之有機EL元件作為自發發光型顯示元件而具有如下優點：不僅視角寬，對比度優異，而且應答時間短。
有機EL元件(發光元件)具有將包含發光層之複數個層積層而成之構成。具體而言，例如包括連接於控制發光元件之驅動之TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)的配線層、注入電洞之陽極、發光層、注入電子之陰極、樹脂、彩色濾光片層、及像素分離層。發光元件係藉由自陽極側及陰極側分別將電洞及電子注入至發光層並使該電洞及電子再結合而發光。夾隔發光層之陽極及陰極中之任一者亦作為反射鏡而發揮作用，根據發光角度或波長而產生不同之干涉效果。因此，發光元件之發光強度根據發光角度及波長之不同而具有較大差異。
例如，於發光角度較大之情形時，發射光於裝置內傳播，無法到達至面板之外部。因此，例如於專利文獻1中揭示有如下顯示裝置：交替地積層並使用折射率不同之2種光學膜作為將設置有複數個之發光元件分離的絕緣膜，藉此，使漏至絕緣膜側之成分光返回至有 機層。又，於專利文獻2中揭示有如下顯示裝置：針對每個元件設定具備共振部之發光元件之光學距離。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2010-153127號公報
[專利文獻2]日本專利特開2006-30250號公報
然而，專利文獻1之顯示裝置雖然改善發光效率，但存在因視角之不同而導致顏色再現度產生不均之問題。又，專利文獻2之顯示裝置雖然顏色再現性提高，但存在製造步驟繁雜之問題。
因此，較理想為提供一種能以簡易之方法提高顏色再現度、並且可抑制亮度不均的顯示裝置及其製造方法、以及電子機器。
本技術之一實施形態之顯示裝置包括：複數個像素，其等發出互不相同之發射光；及絕緣膜，其設置於複數個像素間，並且具有針對發射光之反射面；且絕緣膜之反射面之角度係針對每個像素而設定。
本技術之一實施形態之顯示裝置之製造方法包括如下步驟：配置複數個像素，該等複數個像素發出互不相同之發射光；以及於複數個像素間形成絕緣膜，該絕緣膜具有針對發射光之反射面，且反射面之角度係針對每個像素而設定。
本技術之一實施形態之電子機器包括上述顯示裝置。
於本技術之一實施形態之顯示裝置及其製造方法、以及電子機器中，在像素間設置具有反射面之絕緣膜，並以針對每個像素設定之方式單獨形成該絕緣膜之反射面之角度，藉此，可使各像素中之發光強度較高之發射光向任意方向反射。
根據本技術之一實施形態之顯示裝置及其製造方法、以及電子 機器，由於以針對每個像素設定之方式單獨形成絕緣膜之反射面角度，因此於各像素中具有較高之發光強度之發射光之射出方向得以調整。藉此，可提高各像素之顏色再現度。又，可抑制各像素中之發光亮度之不均。
1A‧‧‧顯示裝置
1B‧‧‧顯示裝置
1C‧‧‧顯示裝置
2‧‧‧像素
2R、2G、2B‧‧‧子像素
4‧‧‧像素
4R、4G、4B‧‧‧子像素
10R、10G、10B‧‧‧發光元件
11‧‧‧驅動基板
12‧‧‧第1電極
13‧‧‧絕緣膜
13A‧‧‧開口部
13AR、13AG、13AB‧‧‧開口部
13RG、13GB、13BR‧‧‧絕緣膜
14‧‧‧有機層
14A‧‧‧電洞注入層
14B‧‧‧電洞傳輸層
14C‧‧‧發光層
14CR、14CG、14CB‧‧‧發光層
14D‧‧‧電子傳輸層
14E‧‧‧電子注入層
15‧‧‧第2電極
16‧‧‧保護層
17‧‧‧接著層
18A‧‧‧彩色濾光片
18AR‧‧‧紅色濾光片
18AG‧‧‧綠色濾光片
18AB‧‧‧藍色濾光片
18B‧‧‧黑矩陣
19‧‧‧密封基板
21a‧‧‧玻璃基板
21A‧‧‧光罩
21b‧‧‧抗蝕劑膜
21B‧‧‧光罩
22‧‧‧光阻圖案
100‧‧‧顯示裝置
110‧‧‧顯示區域
110‧‧‧顯示部
110R、110G、110B‧‧‧發光元件
113‧‧‧絕緣膜
114CR、114CG、114CB‧‧‧發光層
120‧‧‧信號線驅動電路
120‧‧‧非顯示部
120A‧‧‧信號線
130‧‧‧掃描線驅動電路
130‧‧‧操作部
130A‧‧‧掃描線
140‧‧‧像素驅動電路
200‧‧‧影像顯示畫面部
210‧‧‧前面板
220‧‧‧濾光玻璃
310‧‧‧閃光燈用發光部
320‧‧‧顯示部
330‧‧‧選單開關
340‧‧‧快門按鈕
410‧‧‧本體
420‧‧‧輸入操作用鍵盤
430‧‧‧顯示部
510‧‧‧本體部
520‧‧‧被攝體攝影用透鏡
530‧‧‧開始/停止開關
540‧‧‧顯示部
610‧‧‧上側殼體
620‧‧‧下側殼體
630‧‧‧連結部(鉸鏈部)
640‧‧‧顯示器
650‧‧‧副顯示器
660‧‧‧圖片燈
670‧‧‧相機
Cs‧‧‧保持電容
GND‧‧‧第2電源線
Id‧‧‧驅動電流
LR、LG、LB‧‧‧發射光
Tr1‧‧‧驅動電晶體
Tr2‧‧‧寫入電晶體
Vcc‧‧‧第1電源線
‧‧‧發光強度較強之角度
θ‧‧‧反射面角度
圖1係表示本揭示之一實施形態之顯示裝置之構成的俯視圖。
圖2係表示圖1所示之顯示裝置之一個像素之一例的剖面圖。
圖3A係表示比較例之顯示裝置之發射光之光路徑的模式圖。
圖3B係表示圖3A所示之顯示裝置之視角與亮度之關係的特性圖。
圖4A係表示圖1所示之顯示裝置之發射光之光路徑的模式圖。
圖4B係表示圖1所示之顯示裝置之視角與亮度之關係的特性圖。
圖5係表示圖1所示之顯示裝置之一個像素之另一例的剖面圖。
圖6係表示圖1所示之顯示裝置之構成之圖。
圖7係表示圖6所示之顯示裝置之像素驅動電路之一例的圖。
圖8A係用以說明圖1所示之顯示裝置之製造方法之一例的剖面圖。
圖8B係表示繼圖8A之後之步驟的剖面圖。
圖8C係表示繼圖8B之後之步驟的剖面圖。
圖9係表示圖1所示之顯示裝置製造方法之另一例的剖面圖。
圖10A係變化例1之顯示裝置之剖面圖。
圖10B係圖10A所示之顯示裝置之俯視圖。
圖11係變化例2之像素之形狀(A)~(D)之例。
圖12係表示使用圖11所示之像素形狀(C)之顯示裝置之構成的俯視圖之一例。
圖13A係表示比較例中之視角及亮度之變化的特性圖。
圖13B係表示本揭示之實施例1中之視角及亮度之變化的特性圖。
圖14A係表示比較例中之視角及亮度之變化的特性圖。
圖14B係表示本揭示之實施例2中之視角及亮度之變化的特性圖。
圖15A係表示比較例中之視角及亮度之變化的特性圖。
圖15B係表示本揭示之實施例3中之視角及亮度之變化的特性圖。
圖16係表示本揭示之實施例4中之視角及亮度的特性圖。
圖17A係表示使用有上述實施形態等之像素的顯示裝置之應用例1之正面側之外觀的立體圖。
圖17B係表示使用有上述實施形態等之像素的顯示裝置之應用例1之背面側之外觀的立體圖。
圖18係表示應用例2之外觀之立體圖。
圖19A係表示應用例2之自正面側觀察到之外觀之立體圖。
圖19B係表示應用例2之自背面側觀察到之外觀之立體圖。
圖20係表示應用例3之外觀之立體圖。
圖21係表示應用例4之外觀之立體圖。
圖22A係應用例5之關閉狀態之前視圖、左側視圖、右側視圖、俯視圖及仰視圖。
圖22B係應用例5之打開狀態之前視圖及側視圖。
以下，參照圖式對本揭示之實施形態進行詳細說明。再者，說明係按以下之順序進行。
1.實施形態
1-1.基本構成
1-2.顯示裝置之整體構成
1-3.製造方法
1-4.作用．效果
2.變化例
變化例1(針對每個像素調整開口率之例)
變化例2(像素形狀之例)
變化例3(調整絕緣膜之反射率之例)
3.實施例 4.應用例(電子機器之例) <1.實施形態>
圖1係表示本揭示之一實施形態之顯示裝置(顯示裝置1A)之平面構成之一例者。該顯示裝置1A係用於相機之取景器或頭戴式顯示器等，具有於顯示區域110中例如呈點陣狀配置有複數個像素2之構成。各像素2包含例如紅像素2R、綠像素2G及藍像素2B之3種顏色之子像素，且於各子像素2R、2G、2B中分別設置有產生對應之單色光之發光元件(產生紅色之單色光之紅色發光元件10R(紅像素2R)、產生綠色之單色光之綠色發光元件10G(綠像素2G)及產生藍色之單色光之藍色發光元件10B(藍像素2B))(均參照圖2)。
(1-2.基本構成)
圖2係表示圖1所示之一個像素2之剖面構成者。此處，像素2如上所述般包含紅像素2R、綠像素2G及藍像素2B之3種顏色之子像素，且具有分別由絕緣膜13(13RG、13GB、13BR)劃分而成之發光區域。此處，各子像素2R、2G、2B之發光區域例如如圖1所示般具有圓形形狀。
絕緣膜13係將各發光元件10R、10G、10B電性分離之所謂間隔壁，且設置有開口部13A作為各子像素2R、2G、2B中之發光區域。 於該開口部13A設置有有機層14，該有機層14包含分別構成對應之發光元件10R、10G、10B之發光層14C(紅色發光層14CR、綠色發光層14CG、藍色發光層14CB)，詳細情況將於下文敍述。作為絕緣膜13之材料，例如可列舉聚醯亞胺、酚醛清漆樹脂或丙烯酸系樹脂等有機材料，但並不限於此，例如亦可組合使用有機材料與無機材料。作為無機材料，例如可列舉SiO2、SiO、SiC、SiN。絕緣膜13例如能以利用上述有機材料之單層膜之形式形成，但於組合有機材料與無機材料之情形時，亦可設為有機膜與無機膜之積層構造。
絕緣膜13之剖面之形狀具有例如梯形形狀或矩形狀，側面成為針對自各發光層14CR、14CG、14CB發出之發射光LR、LG、LB的反射面。發射光LR、LG、LB分別被該反射面反射，例如，如圖2所示之單點虛線般向上方射出。
於本實施形態中，絕緣膜13如圖2所示般具有針對每個分別包圍紅像素2R、綠像素2G及藍像素2B之側面而設定之反射面角度(θ)。此處，所謂反射面角度(θ)係例如第1電極12之上表面與絕緣膜13之側面所成之角，例如只要為45°以上且90°以下即可。
來自發光層14CR、14CG、14CB之發射光分別根據發光角度或波長而產生不同之干涉效果。因此，發光強度較高之光之發光方向於發光元件10R、10G、10B之各者中不同。圖3A係模式性地表示通常所使用之顯示裝置100之剖面構成及來自各發光元件110R、110G、110B之發射光LR、LG、LB者。再者，發射光LR、LG、LB中，實線為發光強度較高之光，虛線為發光強度較低之光。
於顯示裝置100中，設置於發光元件110R、110G、110B間之絕緣膜113係同樣地形成，即設置於各發光元件110R、110G、110B之間之絕緣膜113之反射面角度(θ)分別形成為相同之角度。自各發光元件110R、110G、110B之發光層114CR、114CG、114CB發出之光係如上 所述般發光強度針對每一波長而不同。因此，自各發光層114CR、114CG、114CB發出之發射光(所謂發光強度較高之光及較弱之光)係如圖3A所示般藉由絕緣膜113之反射面分別針對各波長中之每一波長而向不同之方向反射。由此，於發光元件110R、110G、110B間產生視角下之色偏、或如圖3B所示之亮度不均。
圖4A係模式性地表示本實施形態之顯示裝置1A中之發射光LR、LG、LB之射出方向者。於本實施形態中，如上所述，成為發射光LR、LG、LB之反射面之絕緣膜13之傾斜角即反射面角度(θ)係針對各子像素2R、2G、2B之各者而設定。因此，如圖4A所示，發射光LR、LG、LB之發光強度較高之光向大致相同方向射出。即，如圖4B所示，於發光元件10R、10G、10B中具有大致均勻之視角特性。即，各子像素2R、2G、2B間之色偏、或亮度不均被消除。
再者，針對各發射光LR、LG、LB之絕緣膜13之最佳反射面角度(θ)除了根據進行反射之發射光之波長而變化以外，最佳角度亦根據構成各發光元件10之第1電極12或包含發光層14C之有機層14之膜厚、構成各層之材料而變化。因此，各發光元件10R、10G、10B中之反射面角度(θ)，例如可藉由在使用將發光強度較強之角度設為之下述式(1)算出大約之值(θ)而形成試樣後進一步調整各絕緣膜13之反射面角度(θ)，而進一步減少視角所引起之色偏。
如本實施形態般具有針對各子像素2R、2G、2B之各者而不同之反射面角度(θ)之絕緣膜13例如可使用感光性樹脂並藉由光微影法而形成，詳細內容將於下文敍述。具體而言，例如使用透光率階段性地不同之光罩或調整為對應之側壁角度之加工用光阻圖案，並與通常之乾式蝕刻進行組合，藉此可形成任意之反射面。
再者，於本實施形態中，針對紅像素2R、綠像素2G及藍像素2B 之各者將絕緣膜13之反射面分別調整為最佳角度，但亦可將任意2個子像素設為相同之反射角度而設計絕緣膜13之反射面角度(θ)。具體而言，例如亦可如圖5所示之顯示裝置1B般，將紅像素3R及藍像素3B設為相同之反射面角度(θ)，於紅像素3R及藍像素3B與綠像素3G之間設計絕緣膜13之反射面角度(θ)，而調整各發射光之射出方向。雖然針對各像素3R、3G、3B之各者設定反射角度可獲得更高之顏色再現性，但將3個子像素中之任意2個子像素之反射面角度(θ)設為相同角度並進行調整亦能充分改善顏色再現性。又，可進一步簡化絕緣膜13之反射面之角度形成。
進而，雖然於圖2中以相對於驅動基板10水平之狀態記載絕緣膜13之上表面，但並不限於此，亦可具有凹凸或曲面。進而，又，絕緣膜13之厚度只要厚於第1電極12之厚度即可，較佳為只要為可使自發光層14C射出之發射光之平面方向之光向例如上表面方向反射之膜厚即可。具體而言，只要第1電極12之上表面至間隔壁13之上表面為止之距離為1μm以上即可。再者，雖然上限無特別限制，但較佳為設為例如像素尺寸以下。
(1-2.顯示裝置之整體構成)
圖6係表示顯示裝置1A之構成者。該顯示裝置1A係如上所述般用作包括有機EL元件作為發光元件10R、10G、10B的相機之取景器等中小型之顯示裝置，例如，於顯示區域110之周邊具有作為影像顯示用驅動器之信號線驅動電路120及掃描線驅動電路130。
於顯示區域110內設置有像素驅動電路140。圖7係表示像素驅動電路140之一例者。像素驅動電路140係形成於下述第1電極12之下層之主動型驅動電路。即，該像素驅動電路140包含：驅動電晶體Tr1及寫入電晶體Tr2；該等電晶體Tr1、Tr2之間之電容器(保持電容)Cs；以及發光元件10R(或10G、10B)，其在第1電源線(Vcc)及第2電源線 (GND)之間串聯地連接於驅動電晶體Tr1。驅動電晶體Tr1及寫入電晶體Tr2係由通常之薄膜電晶體構成，其構成並無特別限定，例如既可為逆交錯構造(所謂底閘極(bottom gate)型)，亦可為交錯構造(頂閘極(top gate)型)。
於像素驅動電路140中，於行方向上配置有複數根信號線120A，於列方向上配置有複數根掃描線130A。各信號線120A與各掃描線130A之交叉點對應於發光元件10R、10G、10B中之任一個(子像素)。各信號線120A連接於信號線驅動電路120，自該信號線驅動電路120經由信號線120A對寫入電晶體Tr2之源極電極供給圖像信號。各掃描線130A連接於掃描線驅動電路130，自該掃描線驅動電路130經由掃描線130A對寫入電晶體Tr2之閘極電極依序供給掃描信號。
發光元件10R、10G、10B係如圖2所示般分別自設置有上述像素驅動電路140之驅動電晶體Tr1、平坦化絕緣膜(未圖示)之驅動基板11之側依序積層有作為陽極之第1電極12、絕緣膜13、包含發光層14C之有機層14、及作為陰極之第2電極15。驅動電晶體Tr1係經由設置於平坦化絕緣膜之連接孔(未圖示)而電性連接於第1電極12。
此種發光元件10R、10G、10B由保護層16被覆，進而於該保護層16上介隔接著層17而遍及整個面地貼合有密封基板19。再者，於密封基板19具有彩色濾光片18A及黑矩陣18B，關於彩色濾光片18A，於發光元件10R、10G、10B上分別配置有對應顏色之彩色濾光片(紅色濾光片18AR、綠色濾光片18AG、藍色濾光片18AB)。保護層16包含氮化矽(SiNx)、氧化矽或金屬氧化物等。接著層17包含例如熱硬化型樹脂或紫外線硬化型樹脂。
第1電極12亦兼具作為反射層之功能，就提高發光效率之方面而言，較理想為儘可能具有較高之反射率。尤其是於將第1電極12用作陽極之情形時，第1電極12較理想為包含電洞注入性較高之材料。作 為此種第1電極12，例如，積層方向之厚度(以下簡稱為厚度)為100nm以上且1000nm以下，可列舉鉻(Cr)、金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鎢(W)或銀(Ag)等金屬元素之單體或合金。亦可於第1電極12之表面設置有銦與錫之氧化物(ITO，Indium Tin Oxide(氧化銦錫))等透明導電膜。再者，即便於如鋁(Al)合金般雖然反射率較高但因存在表面之氧化皮膜或功函數不大而導致之電洞注入障壁成為問題的材料中，亦可藉由設置適當之電洞注入層而用作第1電極12。
絕緣膜13係用以確保第1電極12與第2電極15之絕緣性並且將發光區域劃分為所期望之形狀者，例如包含感光性樹脂。絕緣膜13係設置於第1電極12之周圍，第1電極12中之自絕緣膜13露出之區域即絕緣膜13之開口部13A成為發光區域。於本實施形態中，如上所述，絕緣膜13之側面具有分別針對紅像素2R、綠像素2G及藍像素2B之各者而設定之傾斜角、即反射面角度(θ)。再者，雖然有機層14及第2電極15亦設置於絕緣膜13上，但僅發光區域產生發光。
有機層14例如具有自第1電極12之側依序積層電洞注入層14A、電洞傳輸層14B、發光層14C、電子傳輸層14D及電子注入層14E而成之構成。該等中，除發光層14C以外之層係視需要設置即可。有機層14亦可根據發光元件10R、10G、10B之發光色而使構成各不相同。電洞注入層14A係用以提高電洞注入效率者，並且係用以防止洩漏之緩衝層。電洞傳輸層14B係用以提高向發光層14C之電洞傳輸效率者。發光層14C係藉由施加電場而產生電子與電洞之再結合從而產生光者。電子傳輸層14D係用以提高向發光層14C之電子傳輸效率者。電子注入層14E係用以提高電子注入效率者。
發光元件10R之電洞注入層14A例如厚度為5nm以上且300nm以下，例如包含六氮雜苯并菲衍生物。發光元件10R之電洞傳輸層14B例如厚度為5nm以上且300nm以下，包含雙[(N-萘基)-N-苯基]聯苯胺 (α-NPD)。發光元件10R之發光層14C例如厚度為10nm以上且100nm以下，包含對8-羥喹啉鋁錯合物(Alq3)混合40體積%之2,6-雙[4-[N-(4-甲氧苯基)-N-苯基]胺基苯乙烯基]萘-1,5-二甲腈(BSN-BCN)而成者。發光元件10R之電子傳輸層14D例如厚度為5nm以上且300nm以下，包含Alq3。發光元件10R之電子注入層14E例如厚度為0.3nm左右，包含LiF、Li2O等。
第2電極15例如厚度為10nm左右，包含鋁(Al)、鎂(Mg)、鈣(Ca)或鈉(Na)之合金。其中，鎂與銀之合金(Mg-Ag合金)兼具薄膜中之導電性與較小之吸收，故而較佳。Mg-Ag合金中之鎂與銀之比率並無特別限定，較理想為膜厚比為Mg：Ag=20：1~1：1之範圍。又，第2電極15之材料亦可為鋁(Al)與鋰(Li)之合金(Al-Li合金)。
又，第2電極15亦可兼具作為半透過性反射層之功能。於第2電極15具備作為半透過性反射層之功能之情形時，發光元件10R具有共振器構造MC1，藉由該共振器構造MC1使於發光層14C產生之光於第1電極12與第2電極15之間共振。該共振器構造MC1係如下者：將第1電極12與有機層14之界面作為反射面P1，將中間層18與電子注入層14E之界面作為半透過反射面P2，將有機層14作為共振部，從而使於發光層14C產生之光共振並自半透過反射面P2之側提取。如此，若具有共振器構造MC1，則於發光層14C產生之光會引起多重干涉，自半透過反射面P2之側提取之光之光譜之半值寬減少，從而可提高波峰強度。即，可提高正面方向上之光輻射強度，從而可提高發光之色純度。又，關於自密封基板19側入射之外部光，亦可藉由多重干涉而使其衰減，且可藉由與彩色濾光片23之組合而使發光元件10R、10G、10B中之外部光之反射率變得極小。
(1-3.製造方法)
繼而，使用圖8A~圖8C及圖9說明顯示裝置1A之製造方法。
首先，於在包含上述材料之驅動基板11形成第1電極12及包含驅動電晶體Tr1之像素驅動電路140後，藉由在整個面上塗佈感光性樹脂而形成平坦化絕緣膜。藉由曝光及顯影將平坦化絕緣膜圖案化為特定之形狀並且形成連接孔，且進行煅燒。
繼而，如圖8A所示，例如藉由濺鍍法形成包含上述材料之第1電極12，並利用濕式蝕刻選擇性地去除第1電極12而分離成發光元件10R、10G、10B之各者後，遍及驅動基板11之整個面塗佈成為絕緣膜13之感光性樹脂。
繼而，例如藉由光微影法與發光區域對應地設置開口部，並進行煅燒，藉此形成絕緣膜13。具體而言，如圖8B所示，於在感光性樹脂上形成透光率針對各像素2R、2G、2B之各者而不同之光罩21A後進行曝光，從而形成分別具有固有之傾斜角的光阻圖案22。再者，該光罩21A例如係於玻璃基板21a之下表面塗佈遮光性之抗蝕劑膜21b並於特定之位置形成狹縫而成者。繼而，將該光阻圖案22作為遮罩進行乾式蝕刻，從而形成如圖8C所示之反射面角度(θ)各不相同之絕緣膜13。
再者，此處雖然使用於對應於各像素2R、2G、2B之位置形成有特定之狹縫的光罩21A，但並不限於此，例如亦可如圖9所示般使用以獲得特定之透光率之方式形成有傾斜角的光罩21B進行絕緣膜13之加工。
繼而，例如藉由蒸鍍法形成包含上述厚度及材料之有機層14之電洞注入層14A、電洞傳輸層14B、發光層14C及電子傳輸層14D。繼而，例如藉由蒸鍍法成膜包含上述厚度及材料之第2電極15。藉此，形成如圖2及圖5所示之發光元件10R、10G、10B。
繼而，例如藉由CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法或濺鍍法於發光元件10R、10G、10B上形成包含上述材料之保 護層16。繼而，於保護層16上形成接著層17，並介隔該接著層17而貼合包括彩色濾光片18A及黑矩陣18B之密封基板19。藉由以上步驟，而完成圖2及圖5所示之顯示裝置1A、1B。
於該顯示裝置1A中，自掃描線驅動電路130經由寫入電晶體Tr2之閘極電極對各像素2供給掃描信號，並且自信號線驅動電路120經由寫入電晶體Tr2將圖像信號保持於保持電容Cs。即，根據該保持電容Cs中所保持之信號而對驅動電晶體Tr1進行接通斷開控制，藉此，對發光元件10R、10G、10B注入驅動電流Id，藉此電洞與電子再結合而產生發光。該光例如於第1電極12與第2電極15之間進行多重反射，或者藉由第1電極12中之反射光與於發光層14C產生之光進行干涉而增強，並透過第2電極15、彩色濾光片23及密封基板19而被提取。
(1-4.作用．效果)
於本實施形態中，將分離各子像素2R、2G、2B之絕緣膜13之側面設為自發光層14C射出之光之反射面，並針對各子像素2R、2G、2B之各者設定該反射面之角度(反射面角度(θ))。具有針對各子像素2R、2G、2B之各者而不同之反射面角度(θ)之絕緣膜13可藉由進行光微影法而形成，該光微影法使用在對應於各像素2R、2G、2B之位置具有特定之透光率之光罩。藉此，可使各發光元件10R、10G、10B之發射光中之尤其是射出方向針對每一波長而不同之發光強度較高之發射光向任意方向反射。具體而言，於各子像素2R、2G、2B間使發光強度較高之發射光向大致相同方向反射。
藉由以上所述，於本實施形態中之顯示裝置1A及其製造方法中，分別劃分各子像素2R、2G、2B，並且藉由使用具有特定之透光率之光罩的光微影法形成成為來自發光層14C之發射光之反射面的絕緣膜13之傾斜面(側面)。藉此，可容易地形成針對各像素2R、2G、2B之各者具有不同之反射角之傾斜面。即，可將各子像素2R、2G、 2B之各絕緣膜13之傾斜面單獨形成為適於各發光元件10R、10G、10B之發射光LR、LG、LB的角度，具體而言為可使針對每一波長而不同之具有較高之發光強度的發射光之反射方向於各子像素2R、2G、2B間向大致相同方向反射的角度(反射面角度(θ))。由此，各子像素2R、2G、2B中之色偏之產生得以抑制，從而顏色再現度提高。
又，由於可高效地利用發光強度較高之發射光，故而各子像素2R、2G、2B之亮度不均得以抑制，並且亮度提高。進而，由於發光效率提高，故而可提供低電力消耗之顯示裝置。
<4.變化例>
繼而，對上述實施形態之變化例進行說明。以下，對與上述實施形態相同之構成要素標註相同之符號，並適當地省略其說明。
(變化例1)
圖10A係模式性地表示構成變化例1之顯示裝置1C的像素4(子像素4R、4G、4B)之剖面構成者，圖10B係模式性地表示各子像素4R、4G、4B之發光區域即開口部13AR、13AG、13AB之開口之大小者。該顯示裝置1C係除了發光元件10R、10G、10B之發光區域即各像素4R、4G、4B之開口部13AR、13AG、13AB之開口率各不相同以外，具有與上述顯示裝置1A、1B相同之構成。
各像素4R、4G、4B之輸出通常係藍像素4B較高，紅像素4R較低。該情況係由構成各發光元件10R、10G、10B之各者之發光層14CR、14CG、14CB之材料之特性所決定。如此於輸出針對像素4R、4G、4B之各者而不同之顯示裝置中，有因視角不同而導致產生顏色再現性之不均即所謂之著色之虞。
相對於此，於本變化例中，針對每個像素調整絕緣膜13之開口部13AR、13AG、13AB之開口率，具體而言，例如以綠像素4G之開口部13AG為基準，增大紅像素4R中之絕緣膜13之開口部13AR，並減 小藍像素4B中之絕緣膜13之開口部13AB。即，如圖10B所示般按照紅像素4R、綠像素4G及藍像素4B之順序減少(使發光區域變窄)開口率。以此方式，使各像素4R、4G、4B中之亮度一致，藉此使RGB之發光位準一致，從而抑制視角所引起之著色。
(變化例2)
圖11係模式性地表示構成上述顯示裝置1A~1C之像素2~4之像素形狀之另一例者。於上述實施形態及變化例1中將像素2之形狀即發光區域設為圓形而進行了說明，但並不限於此。例如亦可如圖11(A)所示般設為橢圓形狀，或者設為如圖11(B)、(C)所示之矩形形狀或如圖11(D)所示之大致矩形形狀。於如上述實施形態之圓形狀時，將各像素配置成點陣狀，而於如圖11(C)般將像素2設為縱長之矩形之情形時，例如，如圖12所示般配置成格子狀(矩陣狀)。
(變化例3)
再者，構成上述顯示裝置1A~1C之絕緣膜13除了針對子像素2R、2G、2B之各者設計反射面角度(θ)以外，亦可藉由改變絕緣膜之構成材料、例如使用折射率不同之材料形成絕緣膜而調整來自各發光層14CR、14CG、14CB之發射光之射出方向。
作為折射率不同之材料，可列舉以下材料。作為具有高折射率之材料，例如，可列舉：氮化矽(Si3N4)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鉻(Cr2O3)、氧化鎵(Ga2O3)、氧化鉿(HfO2)、氧化鎳(NiO)、氧化鎂(MgO)、氧化銦錫(ITO)、氧化鑭(La2O3)、氧化鈮(Nb2O5)、氧化鉭(Ta2O5)、氧化釔(Y2O3)、氧化鎢(WO3)、一氧化鈦(TiO)、二氧化鈦(TiO2)、氧化鋯(ZrO2)。作為具有低折射率之材料，例如，可列舉：氧化矽(SiO2)、氟化鋁(AlF3)、氟化鈣(CaF2)、氟化鈰(CeF3)、氟化鑭(LaF3)、氟化鋰(LiF)、氟化鎂(MgF2)、氟化釹(NdF3)、氟化鈉(NaF)。
作為具體之組合，例如為氮化矽(Si3N4)與氧化矽(SiO2)。
<3.實施例>
以下，對本揭示之顯示裝置之實施例進行說明。
(實施例1)
於本實施例中，以於上述實施形態中所說明之像素構成製作顯示裝置1A作為標準試樣。具體而言，發光元件10R、10G、10B係使包含發光層14C之各層之膜厚於各子像素2R、2G、2B中共通。於該條件下，製作試樣1(比較例)及試樣2(實施例)，該試樣1(比較例)係於各像素2R、2G、2B間絕緣膜13之反射面角度(θ)共通，該試樣2(實施例)係針對各子像素2R、2G、2B之各者調整絕緣膜13之反射面角度(θ)，具體而言，將綠像素2G中之絕緣膜13之反射面角度(θ)設為70°，將紅像素2R及藍像素2B之反射面角度(θ)設為80°。該試樣1及試樣2係分別測定各視角下之亮度。
圖13A、圖13B係分別表示試樣1、2中之視角與亮度(強度)之關係之特性圖。可知，於圖13A中，綠色發射光與紅色及藍色發射光之不均較大，相對於此，於圖13B中，各像素2R、2G、2B中之各視角下之亮度之值大致固定。又，可知與圖13A相比，視角0°下之亮度大幅提高。
(實施例2)
本實施例與上述實施例之不同點在於：針對每個發光元件改變第1電極12之厚度。圖14A係表示作為比較例之試樣3之視角與亮度之關係的特性圖，圖14B係表示作為實施例之試樣4之視角與亮度之關係的特性圖。再者，試樣4之各像素2R、2G、2B中之絕緣膜13之反射面角度(θ)分別設為80°、70°、70°。
根據圖14A可知，雖然藉由針對各像素2R、2G、2B之各者調整第1電極12之膜厚而使亮度提高，但各像素2R、2G、2B間之視角下之亮度不均較為顯著。相對於此，可知於圖14B中，與上述實施例1之 試樣2相同，子像素2R、2G、2B之各視角下之亮度大致一致。
(實施例3)
本實施例與上述實施例之不同點在於：改變了發光層14C之膜厚。圖15A係表示作為比較例之試樣5之視角與亮度之關係的特性圖，圖15B係表示作為實施例之試樣6之視角與亮度之關係的特性圖。再者，試樣6之各像素2R、2G、2B中之絕緣膜13之反射面角度(θ)分別設為70°、70°、80°。
根據圖15A可知，雖然藉由針對各像素2R、2G、2B之各者調整有機層14之膜厚而與試樣1相比使亮度提高，但與試樣3相同，各像素2R、2G、2B間之視角下之亮度不均較為顯著。相對於此，可知於圖14B中，與上述實施例1之試樣2、4相同，像素2R、2G、2B之各視角下之亮度大致一致。
根據以上實施例2、3可知，即便針對每個子像素改變發光元件10R、10G、10B之第1電極12等之厚度，亦可減少視角所引起之色偏。
(實施例4)
於本實施例(試樣7)中，針對每個像素調整試樣6之發光區域之大小。具體而言，將試樣6之紅像素2R之發光區域增大3%，將藍像素2B之發光區域減小3%。圖16係表示試樣7之視角與亮度之關係的特性圖。
如根據圖16所知，藉由除了針對各像素2R、2G、2B之各者調整絕緣膜13之反射面角度(θ)以外亦調整發光區域，而進一步減少各像素2R、2G、2B之視角所引起之色偏，從而實現最佳化。
<4.應用例>
雖然於上述實施形態及變化例1~3中所說明之包括像素2~4之顯示裝置1A~1C尤佳為用於相機之取景器或頭戴式顯示器之顯示裝 置，但亦可搭載於例如以下所示般之進行圖像(或影像)顯示的所有領域之電子機器。
圖17A、圖17B表示智慧型手機之外觀。該智慧型手機例如包括顯示部110(顯示裝置1A)及非顯示部(殼體)120、以及操作部130。操作部130既可設置於非顯示部120之前表面，亦可設置於上表面。
圖18表示電視裝置之外觀構成。該電視裝置例如包括影像顯示畫面部200(顯示裝置1A)，該影像顯示畫面部200包含前面板210及濾光玻璃220。
圖19A、19B表示數位靜態相機之外觀構成，且分別表示前表面及後表面。該數位靜態相機例如包括閃光燈用發光部310、顯示部320(顯示裝置1A)、選單開關330及快門按鈕340。
圖20表示筆記型個人電腦之外觀構成。該個人電腦例如包括本體410、字元等之輸入操作用鍵盤420、及顯示圖像之顯示部430(顯示裝置1A)。
圖21表示視訊攝影機之外觀構成。該視訊攝影機例如包括本體部510、設置於該本體部510之前方側面之被攝體攝影用之透鏡520、攝影時之開始/停止開關530、及顯示部540(顯示裝置1A)。
圖22A、22B表示行動電話之外觀構成。圖19A分別表示將行動電話閉合之狀態之正面、左側面、右側面、上表面及下表面。圖19B分別表示將行動電話打開之狀態之正面及側面。該行動電話例如係藉由連結部(鉸鏈部)620連結上側殼體610與下側殼體620而成者，且包括顯示器640(顯示裝置1A~1C)、副顯示器650、圖片燈(Picture Light)660及相機670。
以上，列舉實施形態及變化例1~3對本揭示進行了說明，但本揭示並不限定於上述實施形態等，可進行各種變形。例如，於上述實施形態等中所說明之各層之材料及厚度、或成膜方法及成膜條件等並 不受限定，亦可設為其他材料及厚度，或者亦可設為其他成膜方法及成膜條件。
進而，於上述實施形態等中所說明之各層並非必須全部設置，亦可適當省略。又，亦可追加上述實施形態等中所說明之層以外之層。例如，亦可於藍色發光元件10B之電荷輸送層17與藍色發光層14CB之間追加1層或複數層如日本專利特開2011-233855號公報所記載之共用電洞傳輸層般使用有具有電洞傳輸能之材料之層。藉由追加此種層，而使藍色發光元件10B之發光效率及壽命特性提高。
進而，又，於上述實施形態等中，以紅像素、綠像素、藍像素之3種之情形為例對構成像素之子像素進行了說明，但除了該等3種子像素以外，亦可追加白像素或黃像素。
再者，本技術亦可採取如下構成。
(1)一種顯示裝置，其包括：複數個像素，其等發出互不相同之發射光；及絕緣膜，其設置於上述複數個像素間，並且具有針對上述發射光之反射面；且上述絕緣膜之反射面之角度係針對每個上述像素而設定。
(2)如上述(1)之顯示裝置，其包含紅像素、綠像素及藍像素，且上述反射面角度(θ)互不相同。
(3)如上述(1)或(2)之顯示裝置，其包含：第1像素，其包含紅像素、綠像素或藍像素；及第2像素，其顏色不同於上述第1像素；且上述第1像素之上述反射面角度(θ)不同於上述第2像素。
(4)如上述(1)至(3)之顯示裝置，其中上述反射面角度(θ)係使用上述發射光中之發光強度較強之角度()而決定。
(5)如上述(1)至(4)之顯示裝置，其中上述複數個像素之開口率各不相同。
(6)如上述(1)至(5)之顯示裝置，其中上述絕緣膜之反射面係折射 率針對上述複數個像素之各者而不同。
(7)一種顯示裝置之製造方法，其包括如下步驟：配置複數個像素，該等複數個像素發出互不相同之發射光；以及於上述複數個像素間形成絕緣膜，該絕緣膜具有針對上述發射光之反射面，且上述反射面之角度係針對每個上述像素而設定。
(8)如上述(7)之顯示裝置之製造方法，其中上述絕緣膜之上述反射面之角度係使用光微影法進行調整，該光微影法使用有透光率階段性地不同之光罩。
(9)一種電子機器，其包括顯示裝置，上述顯示裝置包括：複數個像素，其等發出互不相同之發射光；及絕緣膜，其設置於上述複數個像素間，並且具有針對上述發射光之反射面；且上述絕緣膜之反射面之角度係針對每個上述像素而設定。
本申請案係以2013年3月21日於日本專利局申請之日本專利申請號2013-58492號為基礎而主張優先權者，並藉由參照將該申請案之全部內容引用至本申請案中。
只要為本領域技術人員，便可根據設計上之要件或其他要因而想到各種修正、組合、次組合及變更，但應瞭解，其等包含於隨附之申請專利範圍或其均等物之範圍內。
1A‧‧‧顯示裝置
2‧‧‧像素
2R、2G、2B‧‧‧子像素
110‧‧‧顯示區域

Claims (9)

  1. 一種顯示裝置，其包括：複數個像素，其等發出互不相同之發射光；及絕緣膜，其設置於上述複數個像素間，且具有針對上述發射光之反射面；且上述絕緣膜之反射面之角度係針對每個上述像素而設定。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其包含紅像素、綠像素及藍像素，且上述反射面角度(θ)互不相同。
  3. 如請求項1之顯示裝置，其具有包含紅像素、綠像素或藍像素之第1像素、及顏色不同於上述第1像素之第2像素，且上述第1像素之上述反射面角度(θ)不同於上述第2像素。
  4. 如請求項1之顯示裝置，其中上述反射面角度(θ)係使用上述發射光中之發光強度較強之角度()而決定。
  5. 如請求項1之顯示裝置，其中上述複數個像素之開口率各不相同。
  6. 如請求項1之顯示裝置，其中上述絕緣膜之反射面係折射率針對上述複數個像素之各者而不同。
  7. 一種顯示裝置之製造方法，其包括如下步驟：配置複數個像素，該等複數個像素發出互不相同之發射光；以及於上述複數個像素間形成絕緣膜，該絕緣膜具有針對上述發射光之反射面，並且上述反射面之角度係針對每個上述像素而設定。
  8. 如請求項7之顯示裝置之製造方法，其中上述絕緣膜之上述反射面之角度係使用光微影法進行調整，該光微影法使用有透光率 階段性地不同之光罩。
  9. 一種電子機器，其包括顯示裝置，上述顯示裝置包括：複數個像素，其等發出互不相同之發射光；及絕緣膜，其設置於上述複數個像素間，並且具有針對上述發射光之反射面；且上述絕緣膜之反射面之角度係針對每個上述像素而設定。
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