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TW201445758A - 太陽能電池、其製造方法及其模組 - Google Patents

太陽能電池、其製造方法及其模組 Download PDF

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TW201445758A
TW201445758A TW102117363A TW102117363A TW201445758A TW 201445758 A TW201445758 A TW 201445758A TW 102117363 A TW102117363 A TW 102117363A TW 102117363 A TW102117363 A TW 102117363A TW 201445758 A TW201445758 A TW 201445758A
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light receiving
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solar cell
pyramid
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TW102117363A
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English (en)
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Liang-Pin Chen
Chun-Tsen Lu
Chi-Chun Li
Shih-Hsiung Chiu
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Motech Ind Inc
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Abstract

一種太陽能電池、其製造方法及其模組，該太陽能電池包含一包括相反的一主要受光面與一次要受光面的基板、一配置於該主要受光面上的第一抗反射層、一配置於該次要受光面上的第二抗反射層、一第一電極，及一第二電極。該主要受光面具有數個第一金字塔結構，任兩相鄰的第一金字塔結構之間夾一第一底角，該次要受光面具有數個第二金字塔結構，任兩相鄰的第二金字塔結構之間夾一第二底角，每一第一底角皆較每一第二底角尖銳，前述創新結構可增加由該主要受光面射向該次要受光面的光線的反射率，進而增加光吸收效率並提升光電轉換效率。

Description

太陽能電池、其製造方法及其模組
本發明是有關於一種太陽能電池、其製造方法及其模組，特別是指一種雙面受光型矽晶太陽能電池、其製造方法及其模組。
參閱圖1，已知雙面受光型太陽能電池(Bi-Facial Solar Cell)通常包含：一可將光能轉換成電能的基板91、一配置於該基板91的一主要受光面911上的第一抗反射層92、一配置於該基板91的一次要受光面912上的第二抗反射層93、一穿過該第一抗反射層92而接觸該基板91的第一電極94，以及一穿過該第二抗反射層93而接觸該基板91的第二電極95。
該雙面受光型太陽能電池在製作上，首先對該基板91進行粗糙化處理，使該基板91的主要受光面911與次要受光面912產生凹凸不平的粗糙化結構，接著分別於該主要受光面911與該次要受光面912上設置該第一抗反射層92與該第二抗反射層93，最後於該第一抗反射層92與該第二抗反射層93上設置該第一電極94與該第二電極95。
由於該雙面受光型太陽能電池能夠雙面受光， 因而可大幅增加光能的使用效率，以及電能的產出。然而因為該雙面受光型太陽能電池通常是由晶矽基板所製成，其對於短波長光線的吸收性較佳，對於長波長光線的吸收性較差。因此，當光線由外界射入該主要受光面911之後，該基板91會先吸收短波長光線以轉換成電能，未被吸收的長波長光線則會通過該基板91而射向該次要受光面912，並由該第二抗反射層93射出離開。
又因為由外界經該主要受光面911射入該基板 91內的入光量，遠高於由外界經該次要受光面912射入該基板91內的入光量，具體來說，該次要受光面912的入光量僅為該主要受光面911的入光量的10~15%。由此可知，該主要受光面911的入光量高，則前述光線中未被吸收的長波長光線，其由該次要受光面912離開該基板91的光量當然也較高。因此，若能增加前述長波長光線在該基板91內的反射、折射路徑，以增加該基板91吸收前述長波長光線的機會，則將可提升雙面受光型太陽能電池的光電轉換效率。
因此，本發明之目的，即在提供一種可增加光吸收效率並提升光電轉換效率的太陽能電池、其製造方法及其模組。
於是，本發明太陽能電池，包含：一基板、一第一抗反射層、一第二抗反射層、一第一電極，以及一第二電極。
該基板包括相反的一主要受光面與一次要受光 面，該主要受光面具有數個向外突出的第一金字塔結構，任兩相鄰的該數個第一金字塔結構之間夾一第一底角，而該次要受光面具有數個向外突出的第二金字塔結構，任兩相鄰的該數個第二金字塔結構之間夾一第二底角，每一第一底角皆較每一第二底角尖銳。該第一抗反射層配置於該主要受光面上，該第二抗反射層配置於該次要受光面上，該第一電極位於該第一抗反射層上且穿過該第一抗反射層而接觸該基板，而該第二電極位於該第二抗反射層上且穿過該第二抗反射層而接觸該基板。
本發明太陽能電池模組，包含：相對設置的一 第一板材與一第二板材、數個如前述且排列於該第一板材與該第二板材之間的太陽能電池，以及一位於該第一板材與該第二板材之間並包覆在該數個太陽能電池的周圍的封裝材。
本發明太陽能電池的製造方法，包含：提供一 基板，並分別對該基板的相反兩面進行金字塔型組織絨面粗糙化處理，進而分別形成一主要受光面與一次要受光面，該主要受光面具有數個向外突出的第一金字塔結構，任兩相鄰的該數個第一金字塔結構之間夾一第一底角，而該次要受光面具有數個向外突出的第二金字塔結構，任兩相鄰的該數個第二金字塔結構之間夾一第二底角；蝕刻該次要受光面，使任兩相鄰的該數個第二金字塔結構之間所夾的第二底角圓弧化，並且每一第一底角皆較每一第二底角 尖銳；分別在該主要受光面與該次要受光面配置一第一抗反射層與一第二抗反射層；以及分別在該第一抗反射層與該第二抗反射層上配置一第一電極與一第二電極，並且該第一電極與該第二電極分別穿過該第一抗反射層與該第二抗反射層而接觸該基板。
本發明之功效在於：透過每一第一底角皆較每 一第二底角尖銳的創新結構設計，可增加由該主要受光面射向該次要受光面的光線的反射率，使未被該基板吸收的光線能被反射回該基板內部利用，所以確實可增加光吸收效率並提升光電轉換效率。
11‧‧‧第一板材
12‧‧‧第二板材
13‧‧‧太陽能電池
14‧‧‧封裝材
2‧‧‧基板
21‧‧‧主要受光面
211‧‧‧第一金字塔結構
212‧‧‧第一底角
22‧‧‧次要受光面
221‧‧‧第二金字塔結構
222‧‧‧第二底角
23‧‧‧射極層
24‧‧‧電場層
31‧‧‧第一抗反射層
311‧‧‧金字塔結構
312‧‧‧底角
32‧‧‧第二抗反射層
321‧‧‧金字塔結構
322‧‧‧底角
33‧‧‧第一鈍化層
34‧‧‧第二鈍化層
35‧‧‧第一電極
36‧‧‧第二電極
8‧‧‧遮罩
d1、d2‧‧‧曲率半徑
S01~S08‧‧‧步驟
本發明之其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中：圖1是已知雙面受光型太陽能電池的側視剖視示意圖；圖2是本發明太陽能電池模組之一較佳實施例之一局部剖視示意圖；圖3是該較佳實施例之一太陽能電池之一側視剖視示意圖；圖4是圖3的局部放大圖，主要顯示該太陽能電池之數個第一底角與數個第二底角的結構；圖5是該太陽能電池的製造方法之一較佳實施例之一步驟流程方塊圖；圖6是該製造方法進行前半步驟之一步驟流程示意圖 ；圖7是該製造方法進行後半步驟之一步驟流程示意圖；圖8是本發明的較佳實施例以掃描式電子顯微鏡(SEM)所拍下的照片，並顯示該太陽能電池之正面處的形貌；及圖9是本發明的較佳實施例以掃描式電子顯微鏡所拍下的照片，並顯示該太陽能電池之背面處的形貌。
參閱圖2、3、4，本發明太陽能電池模組之一較佳實施例包含：上下相對間隔設置的一第一板材11與一第二板材12、數個陣列式地排列於該第一板材11與該第二板材12之間的太陽能電池13，以及一位於該第一板材11與該第二板材12之間並包覆在該數個太陽能電池13的周圍的封裝材14。當然在實施上，該太陽能電池模組可以僅包含一太陽能電池13。
在本實施例中，該第一板材11與該第二板材12皆由可透光材料製成，例如玻璃或塑膠材質等，但不需特別限制。該數個太陽能電池13彼此間可透過圖未示出的焊帶導線(Ribbon)電連接。而該封裝材14的材料為乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)或其他可用於太陽能電池模組封裝之相關材料，並不限於本實施例的舉例。
由於該太陽能電池模組的結構非本發明改良的重點，不再說明，於圖2中也僅為簡單示意。此外，由於 該數個太陽能電池13的結構都相同，以下僅以其中一個為例進行說明。當然，在一模組中的該數個太陽能電池13的結構不以相同為絕對之必要。
本實施例的太陽能電池13包含一基板2、一第一抗反射層31、一第二抗反射層32、一第一電極35及一第二電極36。
該基板2可將光能轉換成電能，並包括相反的一主要受光面21與一次要受光面22。該主要受光面21具有數個向外突出的第一金字塔結構211，該次要受光面22具有數個向外突出的第二金字塔結構221。具體來說，該數個第一金字塔結構211分佈於該主要受光面21上，而該數個第二金字塔結構221分佈於該次要受光面22上。
需要說明的是，本實施例所述的金字塔結構，主要是描述四角錐形，前述四角錐形是由一呈四邊形的底面、一位於該底面上方的頂點，以及四條連接該頂點與該底面的四個角的稜線所構成。當然，該底面可為長方形、正方形、菱形等四邊形，而該四條稜線可為直線或凹弧的曲線，不需限制。
該數個第一金字塔結構211的單位面積數量大於該數個第二金字塔結構221的單位面積數量，其中，該數個第二金字塔結構221與該數個第一金字塔結構211的單位面積數量比為0.15~0.85，較佳地前述單位面積數量比為0.23~0.3。
具體來說，可以使用Keyence VK-X100/X200 LASER CONFOCAL的光學顯微鏡觀察該主要受光面21與該次要受光面22上之金字塔結構的數量，而在本實施例的主要受光面21上每1000μm2有578~898個第一金字塔結構211，在該次要受光面22上每1000μm2有175~212個第二金字塔結構221。
任兩相鄰的該數個第一金字塔結構211之間夾一第一底角212，任兩相鄰的該數個第二金字塔結構221之間夾一第二底角222，每一第一底角212皆較每一第二底角222尖銳，以增加由該主要受光面21射向該次要受光面22的光線的反射率。
進一步說明的是，該數個第二底角222皆為弧角，該數個第一底角212為尖角與弧角的其中之一。也就是說，其中幾個第一底角212可為尖角，而其中幾個第一底角212可為弧角，並且當該數個第一底角212為弧角時，該數個第二底角222的曲率半徑d2大於該數個第一底角212的曲率半徑d1。在實施上，該數個第二底角222的曲率半徑d2大於50nm。
此外，該主要受光面21處之內還設有一射極層23，該次要受光面22處之內設有一電場層24。該基板2為n型的晶矽基板，並可為單晶矽基板或多晶矽基板。該射極層23為p型半導體，進而與該基板2形成p-n接面，為光伏特效應的來源。該電場層24的導電性與該基板2相同皆為n型半導體，且該電場層24的載子濃度大於該基板2的載子濃度，其功能在於提升載子收集效率。當然在實施 上，該基板2與該射極層23的導電性可互換，不需限制。
該第一抗反射層31與該第二抗反射層32的材料例如氮化矽(SiNx)，並用於提升光線入射量。其中，該第一抗反射層31配合該數個第一金字塔結構211的高低起伏而配置於該主要受光面21，並位於該射極層23上。該第二抗反射層32配合該數個第二金字塔結構221的高低起伏而配置於該次要受光面22，並位於該電場層24上。在實施上，該第二抗反射層32的厚度為30~90nm，更佳地，該第二抗反射層32的厚度為40nm。
當然，實施上還可在該第一抗反射層31及該主要受光面21之間配置一第一鈍化層33，以及在該第二抗反射層32及該次要受光面22之間配置一第二鈍化層34。該第一鈍化層33與該第二鈍化層34同樣呈高低起伏地配置，且分別可為單層結構或多層結構，其材料例如氧化矽(SiOx)或氧化鋁(Al2O3)等，並可用於修補、降低表面或該基板2內部缺陷，用於降低載子表面複合速率(Surface Recombination Velocity，簡稱SRV)，提升光電轉換效率。由於本發明的改良不在於此，因此不再詳述。
該第一電極35位於該第一抗反射層31上，且穿過該第一抗反射層31與該第一鈍化層33而接觸該基板2的主要受光面21的第一金字塔結構211。而該第二電極36位於該第二抗反射層32上，且穿過該第二抗反射層32與該第二鈍化層34而接觸該基板2的次要受光面22的第二金字塔結構221。由於該第一電極35與該第二電極36的結構與材 料皆非本發明改良的重點，不再說明，其形貌也不限於圖中所揭露的形式。
參閱圖4、5、6，本發明太陽能電池的製造方法之一較佳實施例，包含：步驟S01：提供該基板2，並分別對該基板2的相反兩面進行金字塔型組織絨面粗糙化處理，進而分別形成該主要受光面21與該次要受光面22，使該主要受光面21具有向外突出的該數個第一金字塔結構211，而該次要受光面22具有向外突出的該數個第二金字塔結構221。任兩相鄰的該數個第一金字塔結構211之間夾一第一底角212，任兩相鄰的該數個第二金字塔結構221之間夾一第二底角222。
具體而言，本實施例是使用一包含氫氧化鉀(KOH)、異丙醇(IPA)及水(H2O)之混合液蝕刻該主要受光面21與該次要受光面22，使該主要受光面21與該次要受光面22粗糙化而分別形成該數個第一金字塔結構211與該數個第二金字塔結構221。
步驟S02：利用擴散製程在該主要受光面21處進行摻雜，進而在該主要受光面21處之內形成p型的該射極層23。前述擴散製程例如硼擴散。
步驟S03：在該主要受光面21上配置一遮罩8，且該遮罩8位於該射極層23上。實施上，該遮罩8的材料例如氧化矽(SiOx)，並可透過薄膜沉積技術披覆於該主要受光面21上。
步驟S04：蝕刻該次要受光面22，使任兩相鄰 的該數個第二金字塔結構221之間所夾的第二底角222圓弧化，並且每一第一底角212皆較每一第二底角222尖銳以增加由該主要受光面21射向該次要受光面22的光線的反射率。
具體而言，首先使用一包含硝酸(HNO3)、氫 氟酸(HF)與硫酸(H2SO4)的酸性混合液進行蝕刻，並透過硝酸與硫酸來氧化該基板2而使該次要受光面22的第二金字塔結構221局部氧化，同時配合氫氟酸除去該數個第二金字塔結構221被氧化的部位，進而使任兩相鄰的該數個第二金字塔結構221之間所夾的第二底角222圓弧化。其中，前述酸性混合液是使用濃度為70wt%的硝酸溶液、濃度為49wt%的氫氟酸溶液、濃度為98wt%的硫酸溶液與水所配製而成，並且硝酸溶液、氫氟酸溶液、硫酸溶液與水之間的體積比為5：1：4：10。
接著，前述酸性混合液作用後，可能會在該次 要受光面22上產生黑點般的深層氧化物，此時可使用一包含氫氧化鉀(KOH)與水之鹼性混合液蝕刻該次要受光面22，進而除去前述深層氧化物。其中，前述鹼性混合液是使用濃度為45wt%的氫氧化鉀溶液與水所配製而成，並且氫氧化鉀溶液與水之間的體積比為1：12。
最後，經過前述鹼性混合液作用後，該次要受 光面22上難免會生成一自然氧化層(Native Oxide Layer)，此時則可使用一包含氫氟酸與水之混合液清潔該次要受光 面22，進而除去前述自然氧化層。其中，前述混合液是使用濃度為49 wt%的氫氟酸溶液與水所配製而成，並且氫氟酸溶液與水之間的體積比為1：8。
需要說明的是，在步驟S04中，使用該酸性混 合液蝕刻該次要受光面22的第二金字塔結構221，就能使任兩相鄰的該數個第二金字塔結構221之間所夾的第二底角222圓弧化而達成本發明的目的。而後續蝕刻作業是為了提升該次要受光面22的品質，以避免影響往後配置的該第二鈍化層34的品質與效能。
此外，在步驟S02的擴散製程難免會影響到該 次要受光面22，進而在該次要受光面22上形成硼矽玻璃(Boron Silicon Glass，簡稱BSG)，然而在步驟S04中使用包含硝酸、氫氟酸與硫酸的酸性混合液進行蝕刻的同時，也能除去前述硼矽玻璃。
步驟S05：利用擴散製程在該次要受光面22處 進行摻雜，進而在該次要受光面22處之內形成n型的該電場層24。該電場層24載子濃度大於該基板2的載子濃度，而前述擴散製程例如使用三氯氧磷(POCl3)等的磷擴散。
參閱圖4、5、7，步驟S06：除去位於該主 要受光面21上的該遮罩8。具體可使用雷射除去該遮罩8，但不限於前述舉例。
步驟S07：分別在該主要受光面21與該次要受 光面22配置該第一抗反射層31與該第二抗反射層32，並且該第一抗反射層31與該第二抗反射層32分別配合該數個第 一金字塔結構211與該數個第二金字塔結構221的高低起伏而配置。具體而言，可利用例如PECVD之真空鍍膜方式形成該第一抗反射層31與該第二抗反射層32。
當然，配置該第一抗反射層31與該第二抗反射層32之前，也可透過PECVD之真空鍍膜方式先分別在該主要受光面21與該次要受光面22形成高低起伏狀的該第一鈍化層33與該第二鈍化層34，以降低載子表面複合速率。本發明所述的真空鍍膜方式包含物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)等方式。
進一步說明的是，配置完成該第一抗反射層31與該第二抗反射層32之後，可利用乾蝕刻例如雷射蝕刻、溼蝕刻或以蝕刻膠(Etching Paste)於該第一抗反射層31與該第二抗反射層32上形成數個穿孔。
步驟S08：分別在該第一抗反射層31與該第二抗反射層32上配置該第一電極35與該第二電極36，並且該第一電極35與該第二電極36分別穿過該第一抗反射層31與該第二抗反射層32各自的穿孔而接觸該基板2。具體而言，可以利用網印、噴印或真空鍍膜方式，配置該第一電極35與該第二電極36。
當然，若在該第一抗反射層31與該主要受光面21之間配置有該第一鈍化層33，且該第二抗反射層32與該次要受光面22之間配置有該第二鈍化層34時，同樣可透過乾蝕刻例如雷射蝕刻、溼蝕刻或以蝕刻膠於該第一抗反射層31與該第一鈍化層33上形成數個穿孔，並於該第二抗反 射層32與該第二鈍化層34上形成數個穿孔，則該第一電極35是穿過該第一抗反射層31與該第一鈍化層33各自對應的穿孔而接觸該基板2，而該第二電極36是穿過該第二抗反射層32與該第二鈍化層34各自對應的穿孔而接觸該基板2。
參閱圖4、8、9，其中，圖8、9分別為本 發明的較佳實施例之太陽能電池以SEM拍下的電池正面與電池背面照片。由圖8可知，由於該較佳實施例的主要受光面21僅經過金字塔型組織絨面粗糙化處理，而並未經過蝕刻之圓滑化處理，因此該基板2的相鄰第一金字塔結構211之間的第一底角212為尖銳狀，而披覆在該主要受光面21上的該第一抗反射層31與該第一鈍化層33皆配合該數個第一金字塔結構211的高低起伏而配置，因此該第一抗反射層31的表面同樣形成有數個金字塔結構311，以及數個位於該數個金字塔結構311之間的底角312，且該數個底角312對應該主要受光面21的第一底角212因而較為尖銳。
另一方面，由圖9可知，該較佳實施例的次要 受光面22經過蝕刻以圓滑化處理，使該次要受光面22之相鄰第二金字塔結構221之間的第二底角222變得圓滑，因此設置於該次要受光面22上的該第二鈍化層34與該第二抗反射層32同樣呈高低起伏地配置，於是該第二抗反射層32的表面同樣形成有數個金字塔結構321，以及數個位於該數個金字塔結構321之間的底角322，並且該數個底角 322對應該次要受光面22的第二底角222因而較為圓滑。
參閱圖2、3、4，由以上的說明可知，本發 明使任兩相鄰的該數個第二金字塔結構221之間所夾的第二底角222圓弧化之後，使每一第一底角212皆較每一第二底角222尖銳，前述創新的結構設計可以增加由該主要受光面21射向該次要受光面22的光線的反射率。也就是說，當光線射入該主要受光面21之後，該基板2會先吸收短波長光線以轉換成電能，而未被吸收的長波長光線則通過該基板2而射向該次要受光面22，此時透過該次要受光面22的經圓弧化的第二底角222有效地將前述長波長光線反射回到該基板2內部利用，所以確實可增加光吸收效率並提升光電轉換效率。在此同時，前述創新的結構設計可能也會增加由外界射入該次要受光面22的光線的反射率，此時，可透過調整該第二抗反射層32的厚度，降低由外界射入該次要受光面22的光線的反射率而提升入光量。
綜上所述，透過每一第一底角212皆較每一第 二底角222尖銳的創新結構設計，可以增加由該主要受光面21射向該次要受光面22的光線的反射率，使未被該基板2吸收利用的光線被反射回該基板2內部利用，所以確實可增加光吸收效率並提升光電轉換效率。
惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
13‧‧‧太陽能電池
2‧‧‧基板
21‧‧‧主要受光面
211‧‧‧第一金字塔結構
212‧‧‧第一底角
22‧‧‧次要受光面
221‧‧‧第二金字塔結構
222‧‧‧第二底角
23‧‧‧射極層
24‧‧‧電場層
31‧‧‧第一抗反射層
311‧‧‧金字塔結構
312‧‧‧底角
32‧‧‧第二抗反射層
321‧‧‧金字塔結構
322‧‧‧底角
33‧‧‧第一鈍化層
34‧‧‧第二鈍化層
35‧‧‧第一電極
36‧‧‧第二電極
d1、d2‧‧‧曲率半徑

Claims (10)

  1. 一種太陽能電池，包含：一基板，包括相反的一主要受光面與一次要受光面，該主要受光面具有數個向外突出的第一金字塔結構，任兩相鄰的該數個第一金字塔結構之間夾一第一底角，而該次要受光面具有數個向外突出的第二金字塔結構，任兩相鄰的該數個第二金字塔結構之間夾一第二底角，每一第一底角皆較每一第二底角尖銳；一第一抗反射層，配置於該主要受光面上；一第二抗反射層，配置於該次要受光面上；一第一電極，位於該第一抗反射層上且穿過該第一抗反射層而接觸該基板；及一第二電極，位於該第二抗反射層上且穿過該第二抗反射層而接觸該基板。
  2. 如請求項1所述的太陽能電池，其中，該數個第二底角為弧角，該數個第一底角為尖角與弧角的其中之一，並且當該數個第一底角為弧角時，該數個第二底角的曲率半徑大於該數個第一底角的曲率半徑。
  3. 如請求項1所述的太陽能電池，其中，該數個第一金字塔結構的單位面積數量大於該數個第二金字塔結構的單位面積數量。
  4. 如請求項1所述的太陽能電池，其中，先進行一金字塔型組織絨面粗糙化處理使該次要受光面形成數個第二金字塔結構，接著再使用一包含硝酸、氫氟酸與硫酸之 混合液蝕刻該次要受光面，並且使任兩相鄰的該數個第二金字塔結構之間所夾的第二底角圓弧化。
  5. 如請求項1所述的太陽能電池，其中，該數個第二金字塔結構與該數個第一金字塔結構的單位面積數量比為0.15~0.85。
  6. 如請求項5所述的太陽能電池，其中，該數個第二金字塔結構與該數個第一金字塔結構的單位面積數量比為0.23~0.3。
  7. 如請求項1所述的太陽能電池，其中，在該主要受光面上每1000μm2有578~898個第一金字塔結構，而在該次要受光面上每1000μm2有175~212個第二金字塔結構。
  8. 一種太陽能電池模組，包含：相對設置的一第一板材與一第二板材；數個如請求項1至7中任一項所述的太陽能電池，排列於該第一板材與該第二板材之間；及一封裝材，位於該第一板材與該第二板材之間，並包覆在該數個太陽能電池的周圍。
  9. 一種太陽能電池的製造方法，包含：提供一基板，並分別對該基板的相反兩面進行金字塔型組織絨面粗糙化處理，進而分別形成一主要受光面與一次要受光面，該主要受光面具有數個向外突出的第一金字塔結構，任兩相鄰的該數個第一金字塔結構之間夾一第一底角，而該次要受光面具有數個向外突出的第二金字塔結構，任兩相鄰的該數個第二金字塔結構之間 夾一第二底角；蝕刻該次要受光面，使任兩相鄰的該數個第二金字塔結構之間所夾的第二底角圓弧化，並且每一第一底角皆較每一第二底角尖銳；分別在該主要受光面與該次要受光面配置一第一抗反射層與一第二抗反射層；及分別在該第一抗反射層與該第二抗反射層上配置一第一電極與一第二電極，並且該第一電極與該第二電極分別穿過該第一抗反射層與該第二抗反射層而接觸該基板。
  10. 如請求項9所述的太陽能電池的製造方法，其中，在蝕刻該次要受光面時，是使用一包含硝酸、氫氟酸與硫酸之混合液進行蝕刻，使任兩相鄰的該數個第二金字塔結構之間所夾的第二底角圓弧化。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI607580B (zh) * 2015-12-28 2017-12-01 英穩達科技股份有限公司 雙面型太陽能電池結構的製造方法
TWI625864B (zh) * 2016-06-27 2018-06-01 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司 一種晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法
TWI837476B (zh) * 2020-06-04 2024-04-01 元晶太陽能科技股份有限公司 太陽能電池結構

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI607580B (zh) * 2015-12-28 2017-12-01 英穩達科技股份有限公司 雙面型太陽能電池結構的製造方法
TWI625864B (zh) * 2016-06-27 2018-06-01 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司 一種晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法
US10411145B2 (en) 2016-06-27 2019-09-10 Csi Cells Co., Ltd. Method for producing a textured structure of a crystalline silicon solar cell
TWI837476B (zh) * 2020-06-04 2024-04-01 元晶太陽能科技股份有限公司 太陽能電池結構

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