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TW201445409A - 單層多點式觸控導電膜及其製備方法 - Google Patents

單層多點式觸控導電膜及其製備方法 Download PDF

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TW201445409A
TW201445409A TW103117731A TW103117731A TW201445409A TW 201445409 A TW201445409 A TW 201445409A TW 103117731 A TW103117731 A TW 103117731A TW 103117731 A TW103117731 A TW 103117731A TW 201445409 A TW201445409 A TW 201445409A
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Ying Gu
hong-wei Kang
yu-long Gao
Sheng-Bo Guo
Yun-Liang Yang
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Nanchang O Film Tech Co Ltd
Suzhou O Film Tech Co Ltd
Shenzhen O Film Tech Co Ltd
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Abstract

本發明提供一種單層多點式觸控導電膜及其製備方法。該單層多點式觸控導電膜包括:透明基底,包括第一表面;搭橋模組,設於透明基底的第一表面,且搭橋模組由導電材料構成;透明聚合物層,設於透明基底的第一表面,並且透明聚合物層覆蓋搭橋模組;透明聚合物層的表面上形成有第一溝槽狀網格,第一溝槽狀網格內填充有導電材料,分別形成第一電極及多個第二電極模組,搭橋模組用於電連接相鄰兩個第二電極模組,以形成第二電極;導電模組,設於透明聚合物層,並且導電模組貫穿透明聚合物層,使導電模組與搭橋模組直接電連接;每個第二電極模組通過導電模組與搭橋模組電連接。本發明提供的單層多點式觸控導電膜厚度較薄、成本較低、生產工藝較為簡單。

Description

單層多點式觸控導電膜及其製備方法
本發明係有關於一種觸控導電膜,特別是有關一種單層多點式觸控導電膜及其製備方法。
透明導電膜是觸控式螢幕中接收觸摸等輸入信號的感應元件。目前,ITO(氧化銦錫)層是透明導電膜中至關重要的組成部分。雖然觸控式螢幕的製造技術一日千里的飛速發展著,但是以投射式電容屏為例,ITO層的基礎製造流程近年來並未發生太大的改變,總是不可避免的需要ITO鍍膜,ITO圖形化。
銦是一種昂貴的金屬材料,因此以ITO作為導電層的材料,很大程度上提升了觸控式螢幕的成本。再者,ITO導電層在圖形化工藝中,需將鍍好的整面ITO膜進行蝕刻,以形成ITO圖案,在此工藝中,大量的ITO被蝕刻掉,造成大量的貴金屬浪費及污染。
因此,ITO材料及相應工藝使產品成本居高不下,導致傳統的單層多點式觸控導電膜的成本較高;並且傳統的單層多點式觸控導電膜的搭橋結構形成於導電圖案以上,需要另 外鍍一層保護層加以填平及保護,增加產品厚度及生產環節,導致傳統的單層多點式觸控導電膜的厚度較大、生產工藝較為複雜。
鑒於上述狀況,有必要提供一種厚度較薄、成本較低、生產工藝較為簡單的單層多點式觸控導電膜及其製備方法。
一種單層多點式觸控導電膜,其包括:透明基底,包括第一表面以及與上述第一表面相對設置的第二表面;搭橋模組,設於上述透明基底的上述第一表面,且上述搭橋模組由導電材料構成;透明聚合物層,設於上述透明基底的上述第一表面,並且上述透明聚合物層覆蓋上述搭橋模組;上述透明聚合物層的表面上形成有第一溝槽狀網格,上述第一溝槽狀網格內填充有導電材料,分別形成第一電極及多個第二電極模組,上述第一電極沿第一維方向延伸設置,上述多個第二電極模組沿與上述第一維方向相交的第二維方向間隔排列,上述搭橋模組用於電連接相鄰兩個上述第二電極模組,以形成一列沿上述第二維方向延伸的第二電極;及導電模組,設於上述透明聚合物層,並且上述導電模組貫穿上述透明聚合物層,使上述導電模組與上述搭橋模組直接電連接;每個上述第二電極模組通過上述導電模組與上述搭橋模組電連接,從而形成上述第二電極。
相較於傳統的單層多點式觸控導電膜,上述單層 多點式觸控導電膜至少具有以下優點:
(1)上述單層多點式觸控導電膜在透明基底上先設有透明聚合物層,透明聚合物層上形成有溝槽狀網格,溝槽狀網格內填充有導電材料,以形成電極,因此,僅需要在形成電極的位置形成溝槽狀網格及在溝槽狀網格內填充導電材料即可,不用大面積形成連續導電層再加以蝕刻,因此,不論所用導電材料是否為ITO,均可大大提高材料的利用率,從而大大降低成本,簡化製造工藝。
(2)上述單層多點式觸控導電膜的搭橋模組先形成在透明基底上,再採用透明聚合物層覆蓋之後設置溝槽式網格而形成導電圖案,如此搭橋模組形成於透明聚合物層與透明基底,透明基底同時做為搭橋模組的保護層以及電極的形成層,不用再額外的保護層對搭橋模組進行保護,既減少了生產環節,又減小了單層多點式觸控導電膜的厚度。
在其中一個實施例中,上述透明基底為透明玻璃基底。
在其中一個實施例中,上述搭橋模組由金屬導電材料構成,上述金屬導電材料呈線狀,並且線寬為500nm~6μm。
在其中一個實施例中,上述搭橋模組由透明導電材料構成。
在其中一個實施例中,上述導電模組由透明導電材料構成。
在其中一個實施例中,上述導電模組及上述搭橋 模組的導電材料的透光率大於80%。
在其中一個實施例中,上述搭橋模組為一條線 段,或者兩條線段之間通過至少一條連接線段相連組成的結構。
在其中一個實施例中,上述線段的寬度為1~6μm。
在其中一個實施例中,當上述搭橋模組為一條線 段時,上述導電模組設於上述一條線段的兩端;當上述搭橋模組為兩條線段之間通過至少一條連接線段相連組成的結構時,上述導電模組設於上述兩條線段上。
在其中一個實施例中,上述導電模組為線段狀, 並且上述導電模組的寬度為500nm~5μm。
在其中一個實施例中,上述導電膜還包括遮光 層,上述遮光層位於上述透明玻璃基底邊緣,且上述遮光層為油墨或黑色光阻。
在其中一個實施例中,上述第一電極為驅動電 極,上述第二電極為感應電極。
在其中一個實施例中,上述單層多點式導電膜還 包括設於上述單層多點式觸控導電膜的不可視區域的引線電極,上述引線電極的導電材料與上述第一溝槽狀網格的導電材料電連接。
在其中一個實施例中,上述透明聚合物層的表面 邊緣處對應上述單層多點式觸控導電膜的不可視區域形成有第二溝槽狀網格,上述第二溝槽狀網格內填充導電材料,形成 上述引線電極。
在其中一個實施例中,上述第一溝槽狀網格和第 二溝槽狀網格為規則網格或隨機網格。
在其中一個實施例中,上述第一溝槽狀網格和第 二溝槽狀網格的溝槽寬度為d1,深度為h,其中1μmd15μm,2μmh6μm,h/d1>1。
在其中一個實施例中,上述引線電極為形成於上 述透明基底的或設於上述透明聚合物層的表面邊緣處的網格狀或線條狀的導電材料,並且上述引線電極對應上述單層多點式觸控導電膜的不可視區域設置。
在其中一個實施例中,上述透明聚合物層為UV 膠、壓印膠或聚碳酸酯。
在其中一個實施例中,上述單層多點式觸控導電 膜還包括覆蓋在上述透明聚合物層上的透明保護層,上述透明保護層為UV膠、壓印膠或聚碳酸酯。
在其中一個實施例中,上述第一溝槽狀網格的溝 槽底部為“V”字形、“W”字形、弧形、或波浪形的微型槽。
在其中一個實施例中,上述微型槽的深度為 500nm~1μm。
同時,本發明還提供一種單層多點式觸控導電膜 的製備方法。
一種上述的單層多點式觸控導電膜的製備方法, 其包括: 在上述透明基底的上述第一表面上鋪設導電材料,形成上 述搭橋模組;在上述搭橋模組上形成上述導電模組;在上述透明基底的上述第一表面上鋪設一層透明聚合物,並且上述透明聚合物填埋上述導電模組,形成上述透明聚合物層;在上述透明聚合物層的表面上形成上述第一溝槽狀網格;及在上述第一溝槽狀網格內填充導電材料,上述第一溝槽狀網格內填充的上述導電材料與上述導電模組直接連接,形成上述第一電極及上述第二電極。
在其中一個實施例中,在上述搭橋模組上形成上述導電模組的步驟包括:在上述透明基底的上述第一表面上形成一層光刻膠層,上述光刻膠層覆蓋上述搭橋模組;通過光刻顯影的方法在上述搭橋模組上形成對應上述導電模組形狀的孔洞;在上述孔洞內填充導電材料,形成上述導電模組;及對上述光刻膠層進行曝光,以去除上述光刻膠層。
在其中一個實施例中,上述透明聚合物層為壓印膠,上述透明聚合物層通過壓印的方式形成上述第一溝槽狀網格。
在其中一個實施例中,上述透明基底為透明玻璃基底,上述搭橋模組由金屬導電材料構成,上述搭橋模組通過金屬鍍膜的方式形成在上述透明基底的上述第一表面上。
在其中一個實施例中,上述搭橋模組由透明導電材料構成,上述搭橋模組通過噴墨列印的方式成型於上述透明基底的上述第一表面上。
100‧‧‧單層多點式觸控導電膜
110‧‧‧透明基底
120‧‧‧搭橋模組
130‧‧‧透明聚合物層
140‧‧‧導電模組
131‧‧‧第一溝槽狀網格
133‧‧‧第一電極
135a‧‧‧第二電極模組
135‧‧‧第二電極
200‧‧‧單層多點式觸控導電膜
260‧‧‧遮光層
圖1為本發明實施例一的單層多點式觸控導電膜的俯視圖;圖2為圖1所示的單層多點式觸控導電膜的剖面圖;圖3a至圖3c為圖1所示的單層多點式觸控導電膜的搭橋模組的不同實施例的結構示意圖;圖4a至圖4d為圖1所示的單層多點式觸控導電膜的透明聚合物層的第一溝槽狀網格的溝槽底部的不同實施例的結構示意圖;圖5為圖1所示的單層多點式觸控導電膜的透明聚合物層的第二溝槽狀網格的其中一實施例的形狀;圖6為圖1所示的單層多點式觸控導電膜的透明聚合物層的第二溝槽狀網格另一實施例的形狀;圖7為本發明實施例的單層多點式觸控導電膜的製備方法的流程圖;圖8a至圖8e為本發明實施例的單層多點式觸控導電膜的製備方法的各步驟的結構示意圖;圖9a至圖9d為本發明實施例的單層多點式觸控導電膜的製備方法的在搭橋模組上形成導電膜步驟的結構示意圖;圖10為本發明實施例二的單層多點式觸控導電膜的剖面 圖。
為了便於理解本發明,下面將參照相關附圖對本發明進行更全面的描述。附圖中給出了本發明的較佳的實施例。但是,本發明可以以許多不同的形式來實現,並不限於本文所描述的實施例。相反地,提供這些實施例的目的是使對本發明的公開內容的理解更加透徹全面。
需要說明的是,當元件被稱為“固定於”另一個元件,它可以直接在另一個元件上或者也可以存在居中的元件。當一個元件被認為是“連接”另一個元件,它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時存在居中元件。本文所使用的術語“垂直的”、“水準的”、“左”、“右”以及類似的表述只是為了說明的目的。
除非另有定義,本文所使用的所有的技術和科學術語與屬於本發明的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文中在本發明的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施例的目的,不是旨在於限制本發明。本文所使用的術語“及/或”包括一個或多個相關的所列項目的任意的和所有的組合。
請參閱圖1及圖2,本發明實施例一的單層多點式觸控導電膜100,包括透明基底110、搭橋模組120、透明聚合物層130及導電模組140。
透明基底110包括第一表面以及與第一表面相對設置的第二表面。透明基底110的形狀可以根據單層多點式觸 控導電膜100的形狀來設定,例如,透明基底110為矩形。
搭橋模組120設於透明基底110的第一表面,且 搭橋模組120由導電材料構成。搭橋模組120可以由金屬導電材料構成,此時透明基底110可以為透明玻璃基底。金屬導電材料呈線狀,並且線寬為500nm~6μm。金屬導電材料可以為非透明金屬導電材料,金屬導電材料的線寬為500nm~6μm,可以達到視覺透明目的,避免影響使用者的視覺。搭橋模組120也可以由透明導電材料構成。搭橋模組120可以為一條線段,搭橋模組120也可以為兩條線段之間通過至少一條連接線段相連組成的結構。請參閱圖3a至圖3c,例如,圖3a所示的搭橋模組120為一條線段,圖3b所示的搭橋模組120為兩條線段之間通過一條連接線段相連組成的H型結構,圖3c所示的搭橋模組120為兩條線段之間通過兩條連接線段相連組成的“口”字型結構。優選地,組成搭橋模組120的線段的寬度為1~6μm。
透明聚合物層130設於透明基底110的第一表 面,並且透明聚合物層130覆蓋搭橋模組120。透明聚合物層130的表面上形成有第一溝槽狀網格131,第一溝槽狀網格131內填充有導電材料,分別形成第一電極133及多個第二電極模組135a。第一電極133沿第一維方向延伸設置,多個第二電極模組135a沿與第一維方向相交的第二維方向間隔排列。搭橋模組120用於電連接相鄰兩個第二電極模組135a,以形成一列沿第二維方向延伸的第二電極135。
具體在圖示的實施例中,透明聚合物層130可以 為UV膠、壓印膠或聚碳酸酯。第一電極133可以為驅動電極,第二電極135可以為感應電極。第一維方向與第二維方向可以垂直相交,也可以斜交,具體在圖示的實施例中,第一維方向為Y軸,第二維方向為X軸,構成直角坐標系。
進一步地,第一溝槽狀網格131的溝槽底部可以 為“V”字形、“W”字形、弧形、或波浪形的微型槽。請參閱圖4a至圖(d),圖4a所示的第一溝槽狀網格131的溝槽底部為“V”字形的微型槽,圖4b所示的第一溝槽狀網格131的溝槽底部為“W”字形的微型槽,圖4c所示的第一溝槽狀網格131的溝槽底部為弧形的微型槽,圖4d所示的第一溝槽狀網格131的溝槽底部為波浪形的微型槽。優選地,微型槽的深度為500nm~1μm。
第一溝槽狀網格131的溝槽底部可以為“V”字 形、“W”字形、弧形、或波浪形的微型槽,這樣第一溝槽狀網格131的溝槽內的導電墨水在烘乾的時候,導電墨水縮聚不容易出現烘乾後的導電材料斷開的現象。
導電模組140設於透明聚合物層130,並且導電模 組140貫穿透明聚合物層130,使導電模組140與搭橋模組120直接電連接。每個第二電極模組135a通過導電模組140與搭橋模組120電連接,從而形成第二電極135。例如,當搭橋模組120為一條線段時,導電模組140設於一條線段的兩端;當搭橋模組120為兩條線段之間通過至少一條連接線段相連組成的結構時,導電模組140設於兩條線段上。
具體在圖示的實施例中,導電模組140為線段狀, 並且導電模組140的寬度為500nm~5μm。
導電模組140可以由透明導電材料製成。優選地, 導電模組140及搭橋模組120的導電材料的透光率大於80%。
進一步地,單層多點式導電膜還包括設於單層多 點式觸控導電膜100的不可視區域引線電極,引線電極的導電材料與第一溝槽狀網格中的導電材料電連接。
在其中的一個實施例中,透明聚合物層130的表 面邊緣處對應單層多點式觸控導電膜100的不可視區域形成有第二溝槽狀網格,第二溝槽狀網格內填充導電材料,形成引線電極。請參閱圖5及圖6,第一溝槽狀網格及第二溝槽狀網格可以為規則網格或隨機網格。優選地,第一溝槽狀網格及第二溝槽狀網格的溝槽寬度為d1,深度為h,其中1μmd15μm,2μmh6μm,h/d1>1。
在其他實施例中,引線電極為形成於透明基底110 的或設於透明聚合物層130的表面邊緣處的網格狀或線條狀的導電材料,並且引線電極對應單層多點式觸控導電膜100的不可視區域設置。
進一步地,單層多點式觸控導電膜100還包括覆 蓋在透明聚合物層130上的透明保護層,透明保護層可以為UV膠、壓印膠或聚碳酸酯。
需要說明的是,本發明實施例所採用的所有導電 材料優選採用透明導電材料,當然,在其他實施例中,也可採用非透明導電材料。
請參閱圖10,本發明實施例二的單層多點式觸控 導電膜200與實施例一的單層多點式觸控導電膜100基本相同,其不同之處在於:單層多點式觸控導電膜200還包括遮光層260,遮光層260位於透明基底110的邊緣,用於形成上述不可視區域。遮光層260可以為油墨或黑色光阻。
相較於傳統的單層多點式觸控導電膜,上述單層多點式觸控導電膜100至少具有以下優點:
(1)上述單層多點式觸控導電膜100在透明基底110上設有透明聚合物層130,透明聚合物層130上形成有溝槽狀網格,溝槽狀網格內填充有導電材料,以形成電極,因此,僅需要在形成電極的位置形成溝槽狀網格及在溝槽狀網格內填充導電材料即可,不用大面積形成連續導電層再加以蝕刻,因此,不論所用導電材料是否為ITO,均可大大提高材料的利用率,從而大大降低成本,簡化製造工藝。
(2)上述單層多點式觸控導電膜100的搭橋模組120先形成在透明基底110上,再採用透明聚合物層130覆蓋之後設置溝槽式網格而形成導電圖案,如此搭橋模組120形成於透明聚合物層130與透明基底110,透明基底同時作為搭橋模組的保護層以及電極的形成層,不用再額外的保護層對搭橋模組120進行保護,既減少了生產環節,又減小了單層多點式觸控導電膜100的厚度。
(3)上述單層多點式觸控導電膜100的搭橋模組120採用透明導電材料構成,其透光性較好,從而保證單層多點式觸控導電膜100的透光性。
(4)上述單層多點式觸控導電膜100以玻璃作為 透明基底來鍍金屬膜,從而在透明基底110上形成搭橋模組120,因此可以較好地利用玻璃良好的鍍膜性能來形成搭橋模組120。並且,若搭橋模組120採用非透明金屬導電材料,為了保持透光性,則對線寬有限制,例如搭橋模組120的金屬導電材料的線寬為500nm~5um,可以促使金屬線的視覺透明,避免影響使用者透過單層多點式觸控導電膜100觀看的視覺效果。
同時,本發明還提供一種單層多點式觸控導電膜 的製備方法,用於製備上述單層多點式觸控導電膜100。
請參閱圖7,本實施例的單層多點式觸控導電膜 100的製備方法,包括如下步驟S201~S205:步驟S201,如圖8a及圖8b所示,在透明基底110的第一表面上鋪設導電材料,形成搭橋模組120。搭橋模組120設於透明基底110的第一表面,且搭橋模組120由導電材料構成。搭橋模組120可以為一條線段,搭橋模組120也可以為兩條線段之間通過至少一條連接線段相連組成的結構。例如,搭橋模組120可以為一條線段,兩條線段之間通過一條連接線段相連組成的H型結構,兩條線段之間通過兩條連接線段相連組成的“口”字型結構。優選地,組成搭橋模組120的線段的寬度為1~6μm。
步驟S202,如圖8c所示,在搭橋模組120上形成 導電模組140。導電模組140設於透明聚合物層130,並且導電模組140貫穿透明聚合物層130,使導電模組140與搭橋模組120直接電連接。每個第二電極模組135a通過導電模組140 與搭橋模組120電連接,從而形成第二電極135。例如,當搭橋模組120為一條線段時,導電模組140設於一條線段的兩端;當搭橋模組120為兩條線段之間通過至少一條連接線段相連組成的結構時,導電模組140設於兩條線段上。例如,導電模組140為線段狀,並且導電模組140的寬度為500nm~5μm。
請參閱圖9a至圖9d,具體在圖示的實施例中,在 搭橋模組120上形成導電模組140的步驟包括: 如圖9a所示,在透明基底110的第一表面上形成一層光刻膠層200,光刻膠層200覆蓋搭橋模組120;優選地,當透明基底110為透明玻璃基底,搭橋模組120由金屬導電材料構成時,搭橋模組120通過金屬鍍膜的方式形成在透明基底110的第一表面上;當搭橋模組120由透明導電材料構成時,搭橋模組120通過噴墨列印的方式成型於透明基底110的第一表面上。
如圖9b所示,通過光刻顯影的方法在搭橋模組120上形成對應導電模組140形狀的孔洞201;如圖9c所示,在孔洞內填充導電材料,形成導電模組140;及如圖9d所示,去除光刻膠層200。
步驟S203,如圖8d所示,在透明基底110的第一表面上鋪設一層透明聚合物,並且透明聚合物填埋導電模組140,形成透明聚合物層130。透明聚合物層130設於透明基底110的第一表面,並且透明聚合物層130覆蓋搭橋模組120。透明聚合物層130的表面上形成有第一溝槽狀網格131,第一 溝槽狀網格131內填充有導電材料,分別形成第一電極133及多個第二電極模組135a。第一電極133沿第一維方向延伸設置,多個第二電極模組135a沿與第一維方向相交的第二維方向間隔排列。搭橋模組120用於電連接相鄰兩個第二電極模組135a,以形成一列沿第二維方向延伸的第二電極135。
步驟S204,如圖8e所示,在透明聚合物層130的 表面上形成第一溝槽狀網格131。透明聚合物層130可以為UV膠、壓印膠或聚碳酸酯。第一溝槽狀網格131的溝槽底部可以為“V”字形、“W”字形、弧形、或波浪形的微型槽。例如,第一溝槽狀網格131的溝槽底部可以為“V”字形的微型槽,“W”字形的微型槽,弧形的微型槽,或者波浪形的微型槽。 優選地,微型槽的深度為500nm~1μm。
具體在圖示的實施例中,透明聚合物層130為壓 印膠,透明聚合物層130通過壓印的方式形成第一溝槽狀網格131。
步驟S205,在第一溝槽狀網格131內填充導電材 料,導電材料與導電模組140直接連接,形成第一電極133及第二電極135。例如,第一電極133可以為驅動電極,第二電極135可以為感應電極。
需要說明的是,若需要在透明基底上形成遮光層 時,在步驟S202之前、同時、或之後,還包括在透明基底的邊緣形成遮光層的步驟。遮光層可以採用油墨噴塗、塗覆的方式形成透明基底上。優選地,在步驟S202之前,還包括在透明基底的邊緣形成遮光層的步驟。
以上所述實施例僅表達了本發明的幾種實施例,其描述較為具體和詳細,但並不能因此而理解為對本發明專利範圍的限制。應當指出的是,對於本領域的普通技術人員來說,在不脫離本發明構思的前提下,還可以做出若干變形和改進,這些都屬於本發明的保護範圍。因此,本發明專利的保護範圍應以所附申請專利範圍為準。
100‧‧‧單層多點式觸控導電膜
110‧‧‧透明基底
120‧‧‧搭橋模組
130‧‧‧透明聚合物層
140‧‧‧導電模組
133‧‧‧第一電極
135‧‧‧第二電極

Claims (15)

  1. 一種單層多點式觸控導電膜,其特徵在於包括:透明基底,包括第一表面以及與上述第一表面相對設置的第二表面;搭橋模組,設於上述透明基底的上述第一表面,且上述搭橋模組由導電材料構成;透明聚合物層,設於上述透明基底的上述第一表面,並且上述透明聚合物層覆蓋上述搭橋模組;上述透明聚合物層的表面上形成有第一溝槽狀網格,上述第一溝槽狀網格內填充有導電材料,分別形成第一電極及多個第二電極模組,上述第一電極沿第一維方向延伸設置,上述多個第二電極模組沿與上述第一維方向相交的第二維方向間隔排列,上述搭橋模組用於電連接相鄰兩個上述第二電極模組,以形成一列沿上述第二維方向延伸的第二電極;及導電模組,設於上述透明聚合物層,並且上述導電模組貫穿上述透明聚合物層,使上述導電模組與上述搭橋模組直接電連接;每個上述第二電極模組通過上述導電模組與上述搭橋模組電連接,從而形成上述第二電極。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的單層多點式觸控導電膜,其中上述搭橋模組由金屬導電材料構成,上述金屬導電材料呈線狀,並且線寬為500nm~6μm。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的單層多點式觸控導電膜,其中上述搭橋模組為一條線段,或者兩條線段之間通過至少一條連接線段相連組成的結構。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的單層多點式觸控導電膜,其中上述線段的寬度為1~6μm。
  5. 如申請專利範圍第3項所述的單層多點式觸控導電膜,其中當上述搭橋模組為一條線段時,上述導電模組設於上述一條線段的兩端;當上述搭橋模組為兩條線段之間通過至少一條連接線段相連組成的結構時,上述導電模組設於上述兩條線段上。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的單層多點式觸控導電膜,其中上述導電模組為線段狀,並且上述導電模組的寬度為500nm~5μm。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的單層多點式觸控導電膜,其中上述第一溝槽狀網格和上述第二溝槽狀網格的溝槽寬度為d1,深度為h,其中,1μmd15μm,2μmh6μm,h/d1>1。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的單層多點式觸控導電膜,其中上述引線電極為形成於上述透明基底的或設於上述透明聚合物層的表面邊緣處的網格狀或線條狀的導電材料,並且上述引線電極對應上述單層多點式觸控導電膜的不可視區域設置。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的單層多點式觸控導電膜,其中上述第一溝槽狀網格的溝槽底部為“V”字形、“W”字形、弧形或波浪形的微型槽。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的單層多點式觸控導電膜,其中上述微型槽的深度為500nm~1μm。
  11. 一種單層多點式觸控導電膜的製備方法,製備如申請專利範圍第1至10項中任一項所述的單層多點式觸控導電膜,其特徵在於包括:在上述透明基底的上述第一表面上鋪設導電材料,形成上述搭橋模組;在上述搭橋模組上形成上述導電模組;在上述透明基底的上述第一表面上鋪設一層透明聚合物,並且上述透明聚合物填埋上述導電模組,形成上述透明聚合物層;在上述透明聚合物層的表面上形成上述第一溝槽狀網格;及在上述第一溝槽狀網格內填充導電材料,上述導電材料與上述導電模組直接連接,形成上述第一電極及上述第二電極。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的單層多點式觸控導電膜的製備方法,其中上述在上述搭橋模組上形成上述導電模組的步驟包括:在上述透明基底的上述第一表面上形成一層光刻膠層,上述光刻膠層覆蓋上述搭橋模組;通過光刻顯影的方法在上述搭橋模組上形成對應上述導電模組形狀的孔洞;在上述孔洞內填充導電材料,形成上述導電模組;及去除上述光刻膠層。
  13. 如申請專利範圍第11項所述的單層多點式觸控導電膜的製 備方法,其中上述透明聚合物層為壓印膠,上述透明聚合物層通過壓印的方式形成上述第一溝槽狀網格。
  14. 如申請專利範圍第11項所述的單層多點式觸控導電膜的製備方法,其中上述透明基底為透明玻璃基底,上述搭橋模組由金屬導電材料構成,上述搭橋模組通過金屬鍍膜的方式形成在上述透明基底的上述第一表面上。
  15. 如申請專利範圍第11項所述的單層多點式觸控導電膜的製備方法,其中上述搭橋模組由透明導電材料構成,上述搭橋模組通過噴墨列印的方式成型於上述透明基底的上述第一表面上。
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