[go: up one dir, main page]

TW201430065A - 壓縮成形或積層用熱熔型硬化性聚矽氧組合物 - Google Patents

壓縮成形或積層用熱熔型硬化性聚矽氧組合物 Download PDF

Info

Publication number
TW201430065A
TW201430065A TW102147649A TW102147649A TW201430065A TW 201430065 A TW201430065 A TW 201430065A TW 102147649 A TW102147649 A TW 102147649A TW 102147649 A TW102147649 A TW 102147649A TW 201430065 A TW201430065 A TW 201430065A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
composition
sheet
sio
phosphor
Prior art date
Application number
TW102147649A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI629314B (zh
Inventor
吉田伸
吉武誠
山崎春菜
尼子雅章
史蒂芬 司威爾
中田稔樹
Original Assignee
道康寧公司
道康寧東麗股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 道康寧公司, 道康寧東麗股份有限公司 filed Critical 道康寧公司
Publication of TW201430065A publication Critical patent/TW201430065A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI629314B publication Critical patent/TWI629314B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/02—Physical, chemical or physicochemical properties
    • B32B7/023—Optical properties
    • H10W74/476—
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B32B27/283—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polysiloxanes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/02—Physical, chemical or physicochemical properties
    • B32B7/022—Mechanical properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/02—Physical, chemical or physicochemical properties
    • B32B7/027—Thermal properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/48—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C08G77/50—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms by carbon linkages
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/10—Block or graft copolymers containing polysiloxane sequences
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J183/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J183/10—Block or graft copolymers containing polysiloxane sequences
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/854—Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins
    • H10W74/01—
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2250/00—Layers arrangement
    • B32B2250/24—All layers being polymeric
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2264/00—Composition or properties of particles which form a particulate layer or are present as additives
    • B32B2264/10—Inorganic particles
    • B32B2264/104—Oxysalt, e.g. carbonate, sulfate, phosphate or nitrate particles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/40—Properties of the layers or laminate having particular optical properties
    • B32B2307/418—Refractive
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
    • B32B2307/536—Hardness
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/14—Semiconductor wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
    • B32B3/26—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer
    • B32B3/30—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer characterised by a layer formed with recesses or projections, e.g. hollows, grooves, protuberances, ribs
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2237—Oxides; Hydroxides of metals of titanium
    • C08K2003/2241—Titanium dioxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512—Wavelength conversion materials
    • H10W72/0198—
    • H10W72/884—
    • H10W74/00—
    • H10W90/734—
    • H10W90/754—
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
    • Y10T428/24612—Composite web or sheet
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y10T428/24983—Hardness
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652—Of asbestos
    • Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本發明係關於一種壓縮成形或積層用之具有熱熔性之硬化性聚矽氧組合物、及具備包含該組合物之至少1層之積層體、以及使用該等之半導體器件及其製造方法。根據本發明，可有效率地製造具備半球狀之透鏡或圓頂形狀之密封體之半導體器件。又，於本發明中，易於控制密封體之形狀，進而，密封體不含氣泡。並且，於本發明中，可容易地控制半導體器件之密封體以外之被覆層的厚度。

Description

壓縮成形或積層用熱熔型硬化性聚矽氧組合物
本發明係關於一種壓縮成形或積層用之具有熱熔性之硬化性聚矽氧組合物、及具備包含該組合物之至少1層之積層體、以及使用該等之半導體器件及其製造方法。
半導體元件之密封所利用之成形方法有轉移成形、壓縮成形等。轉移成形中由密封樹脂所導致之金屬線偏移(wire sweep)、金屬線變形、填充不良等成為問題。另一方面，於壓縮成形中存在液狀之密封樹脂流入模具內時包含氣泡之問題，又，根據液狀之密封樹脂向模具內之流入量，半導體元件之被覆層之厚度會發生變化，因此必須控制流入量之精密控制與密封樹脂之黏度的平衡性，但難以進行該控制。
因此，於日本專利特開2011-258634號公報中，記載有使用具備密封樹脂層及含螢光體層之光半導體密封用之積層片材藉由壓縮成形而獲得密封體，但密封樹脂層及含螢光體層分別係將使聚矽氧彈性體及改性聚矽氧樹脂溶解於有機溶劑中所獲得之溶液乾燥而獲得者，並非具有熱熔性之矽氫化反應交聯性聚矽氧組合物。因此，難以控制密封體之形狀。
又，於日本專利特開2007-123915號公報中，記載有以包含螢光 體之聚矽氧製之螢光體片材將LED(Light Emitting Diode，發光二極體)積層，但並未使用具有熱熔性之矽氫化反應交聯性聚矽氧組合物，而難以獲得半球狀之透鏡或圓頂形狀之密封體。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2011-258634號公報
[專利文獻2]日本專利特開2007-123915號公報
本發明係鑒於上述現有技術之問題而成者，其目的在於提供一種可有效率地製造具備半球狀之透鏡或圓頂形狀之密封體之半導體器件，又，提供一種易於控制密封體之形狀，進而，密封體不含氣泡，又，可容易地控制半導體器件之密封體以外之被覆層的厚度之方法。
本發明者等人為了達成上述目的而進行專心研究，結果發現，藉由將具有熱熔性之硬化性聚矽氧組合物用於壓縮成形或積層，可有效率地製造半球狀之透鏡或圓頂形狀之密封體，又，可容易地實施密封體之形狀控制，以及密封體不含氣泡，且可容易地控制半導體器件之密封體以外之被覆層的厚度，從而完成本發明。進而，發現將本發明之組合物積層藉由壓縮成型或積層而進行加工，藉此可有效率地製造具有積層結構之密封體之半導體器件。即，本發明之目的可藉由壓縮成形用或積層用之熱熔型硬化性聚矽氧組合物達成。
本發明之壓縮成形用或積層用熱熔型硬化性聚矽氧組合物較佳為膜或片狀。
本發明之壓縮成形用或積層用熱熔型硬化性聚矽氧組合物較佳為半導體器件密封用。
本發明之壓縮成形用或積層用熱熔型硬化性聚矽氧組合物較佳為選自由如下成分所組成之群：(1)未反應之矽氫化硬化性聚矽氧組合物、(2)使未反應之矽氫化硬化性聚矽氧組合物部分交聯而成之矽氫化硬化性聚矽氧組合物、及(3)使未反應之矽氫化反應性聚矽氧組合物交聯而成、且包含具有矽原子鍵結氫原子及/或烯基之交聯體及至少1種矽氫化反應性成分的矽氫化硬化性聚矽氧組合物。
上述(1)未反應之矽氫化硬化性聚矽氧組合物較佳為包含：(A)於25℃下為固體狀之於一分子中含有平均多於2個之數量之烯基的至少1種有機聚矽氧烷、(B)於一分子中具有至少2個矽原子鍵結氫原子之至少1種有機聚矽氧烷{矽原子鍵結氫原子之總莫耳數相對於(A)成分之烯基之總莫耳數的比成為0.2~4之範圍之量}、及(C)矽氫化觸媒(足夠引起矽氫化反應之量)。
上述(A)成分可為如下成分之混合物：(A-1)於25℃下為固體狀之於一分子中含有平均多於2個之數量之烯基的支鏈狀有機聚矽氧烷60~100質量%、及(A-2)於25℃下為液狀之於一分子中至少具有平均2個烯基之直鏈狀或部分支鏈狀之有機聚矽氧烷0~40質量%。
上述(2)使未反應之矽氫化硬化性聚矽氧組合物部分交聯而成之矽氫化硬化性聚矽氧組合物較佳為使包含如下成分之矽氫化反應性聚矽氧組合物的矽氫化反應於50~95%之轉化率時停止而獲得者：(D)於一分子中含有平均多於2個之數量之烯基的至少1種有機聚矽氧烷、(E)於一分子中具有至少2個矽原子鍵結氫原子之至少1種有機聚 矽氧烷{矽原子鍵結氫原子之總莫耳數相對於(D)成分之烯基之總莫耳數的比成為0.2~4之範圍之量}、及(F)矽氫化觸媒(足夠引起矽氫化反應之量)。
上述(D)成分可為如下成分之混合物：(D-1)平均單元式：(R1 3SiO1/2)a(R1 2SiO2/2)b(R1SiO3/2)c(SiO4/2)d(R2O1/2)e
(式中，R1為苯基、碳原子數1~6之烷基或環烷基、或碳原子數2~6之烯基，其中，R1之60~80莫耳%為苯基，R1之10~20莫耳%為烯基，R2為氫原子或碳原子數1~6之烷基，a、b、c、d及e為滿足0≦a≦0.2、0.2≦b≦0.7、0.2≦c≦0.6、0≦d≦0.2、0≦e≦0.1、且a+b+c+d=1之數)
所表示之有機聚矽氧烷、及(D-2)通式：R3 3SiO(R3 2SiO)mSiR3 3
(式中，R3為苯基、碳原子數1~6之烷基或環烷基、或碳原子數2~6之烯基，其中，R3之40~70莫耳%為苯基，R3之至少1個為烯基，m為5~100之整數)
所表示之有機聚矽氧烷{相對於(D-1)成分100重量份為0~20重量份}。
上述(3)矽氫化硬化性聚矽氧組合物較佳為包含：(G)使包含如下成分之未反應之矽氫化反應性聚矽氧組合物進行矽氫化反應而成之具有烯基的交聯體：(G-1)於一分子中含有平均多於2個之數量之烯基的至少1種有機聚矽氧烷、(G-2)於一分子中具有至少2個矽原子鍵結氫原子之至少1種有機聚矽氧烷{矽原子鍵結氫原子之總莫耳數相對於(G-1)成分之烯基之總 莫耳數的比成為0.3~0.9之範圍之量}、及(G-3)矽氫化觸媒(足夠引起矽氫化反應之量)；以及(H)於一分子中具有2個以上之矽原子鍵結氫原子之至少1種有機聚矽氧烷{矽原子鍵結氫原子之總莫耳數相對於上述交聯體中之烯基之總莫耳數的比成為0.1~2.0之範圍之量}。
較佳為滿足下述任一者：上述(G-1)為平均組成式：R4 xSiO(4-x)/2
(式中，R4分別獨立為經取代或未經取代之一價烴基，其中，全部R4之0.1~40莫耳%為烯基，x為滿足1≦x<2之正數)
所表示之於一分子中含有平均多於2個之數量之烯基的有機聚矽氧烷，上述(G-2)為通式：HR5 2Si(R5 2SiO)nR5 2SiH
(式中，R5分別獨立為不具有脂肪族不飽和鍵之經取代或未經取代之一價烴基，n為0~1,000之整數)
所表示之二有機聚矽氧烷，上述(H)為平均組成式：R5 yHzSiO(4-y-z)/2
(式中，R5如上所述，y及z為滿足0.7≦y≦2.1、0.001≦z≦1.0、且0.8≦y+z≦2.6之正數)
所表示之有機氫聚矽氧烷。
本發明之壓縮成形用或積層用熱熔型硬化性聚矽氧組合物可包含至少1種無機粒子。上述無機粒子較佳為選自氧化鈦、二氧化矽、氧化鋁、鈦酸鋇、氧化鈹及該等之混合物。
本發明之壓縮成形用或積層用熱熔型硬化性聚矽氧組合物可包 含至少1種螢光體。上述螢光體較佳為選自黃色發光螢光體、紅色發光螢光體、綠色發光螢光體及該等之混合物。
本發明亦關於一種積層體，該積層體包含含有上述壓縮成形用或積層用熱熔型硬化性聚矽氧組合物之至少1層。
本發明之積層體可進而包含含有至少1種非熱熔型之硬化性聚矽氧組合物之至少1層。
上述硬化性聚矽氧組合物較佳為包含：(I)含烯基之有機聚矽氧烷生橡膠 100質量份、(J)包含選自由R3SiO1/2單元、R2SiO2/2單元、RSiO3/2單元(式中，R分別獨立表示一價烴基)及該等之混合物所組成之群中之有機聚矽氧烷單元、以及SiO4/2單元(其中，SiO4/2單元相對於上述有機聚矽氧烷單元之莫耳比為0.08~2.0)，且利用BET(Brunauer-Emmett-Teller，布厄特)法之比表面積為200m2/g以上之濕式法疏水化補強性二氧化矽30~150質量份、(K)有機氫聚矽氧烷 0.1~10質量份、及(L)硬化劑 足夠使本組合物硬化之量。
本發明之積層體較佳為進而包含含有至少1種有機聚矽氧烷嵌段共聚物之至少1層。
上述有機聚矽氧烷嵌段共聚物較佳為具有40~90莫耳%之[R6 2SiO2/2]所表示之二矽烷氧基單元，具有10~60莫耳%之[R7SiO3/2]所表示之三矽烷氧基單元，具有0.5~2.5莫耳%之[≡SiOH]所表示之矽烷醇基，R6分別獨立為C1-C30之烴基，R7分別獨立為C1-C20之烴基，二矽烷氧基單元[R6 2SiO2/2]存在於平均具有10~400個二矽烷氧基單元[R6 2SiO2/2]之直鏈嵌段中， 三矽烷氧基單元存在於具有至少500g/莫耳之分子量之非直鏈嵌段中，且各直鏈嵌段與至少1個非直鏈嵌段鍵結。
上述有機聚矽氧烷嵌段共聚物可具有20000g/莫耳以上之分子量。
包含上述有機聚矽氧烷嵌段共聚物之層之折射率較佳為1.5以上。
本發明之積層體中，選自各層之折射率、硬度、光透過率、水蒸氣透過率、熱導率、熱膨脹率、表面黏性、彈性模數及硬化速度中之至少一種物性可相互不同。
於本發明之積層體中，至少1層之硬度及/或折射率可於該層之厚度方向發生變化。
於本發明之積層體中，至少1層可具有圖案形狀。
本發明之積層體之表面亦可為粗面。
本發明之積層體之厚度可為0.5~5mm之範圍內。
於本發明之積層體中，至少1層可包含至少1種無機粒子。
包含上述無機粒子之層可具有圖案形狀。
上述無機粒子可選自氧化鈦、二氧化矽、氧化鋁、鈦酸鋇、氧化鈹及該等之混合物。
於本發明之積層體中，至少1層可包含至少1種螢光體。
包含上述螢光體之層可具有圖案形狀。
上述螢光體可選自黃色發光螢光體、紅色發光螢光體、綠色發光螢光體及該等之混合物。
本發明之積層體可包含含有相互不同之螢光體之2層以上之層。
本發明亦關於一種經密封之半導體器件之製造方法，其包括使用上述壓縮成形用或積層用熱熔型硬化性聚矽氧組合物或上述積層體 而進行壓縮成形或積層之步驟。
又，本發明亦關於一種半導體器件，其係使用上述壓縮成形用或積層用熱熔型硬化性聚矽氧組合物或上述積層體而被密封。
根據本發明，可有效率地製造具備半球狀之透鏡或圓頂形狀之密封體之半導體器件。又，於本發明中，易於控制密封體之形狀，進而，密封體不含氣泡。並且，於本發明中，可容易地控制半導體器件之密封體以外之被覆層的厚度。
尤其是，本發明之壓縮成形用或積層用積層體可將具有不同功能之層一次壓縮成形或積層，因此可製造高產出量之成形品，例如可簡化半導體器件之製造製程及削減製造成本。
本發明中使用可因加熱而熔融之材料，因此可使密封體成形為與模具吻合之形狀，又，密封體之光學特性亦優異。另一方面，若將不會因加熱而熔融之材料壓縮成形，則成形後之材料之內部應力分佈不均，產生應變，而產生裂縫、剝離等。又，由於密封體內之密度分佈不均，故而光學特性亦惡化。
又，本發明中未使液狀之密封樹脂轉移成形，因此不會產生轉移成形中之由密封樹脂所導致之金屬線偏移、金屬線變形、填充不良等問題。又，使用會加熱熔融之聚矽氧材料，因此即便為密封對象經打線接合之半導體元件，亦可不使金屬線過度變形而進行密封。
1‧‧‧支持片材
2‧‧‧第1單層片材(透明層)(密封體)
3‧‧‧無機粒子及/或螢光體
4‧‧‧第2單層片材(螢光層)
5‧‧‧單層片材
6‧‧‧單層片材
7‧‧‧另一螢光層
8‧‧‧基板
9‧‧‧LED晶片
10‧‧‧金屬線
11‧‧‧模具
11a‧‧‧模穴
圖1係表示於支持片材1上積層有壓縮成形或積層用單層片材2之本發明之壓縮成形或積層用積層體之一例的概略剖面圖。
圖2係表示於支持片材1上積層有包含螢光體3之本發明之壓縮成形或積層用單層片材2之本發明之壓縮成形或積層用積層體之一例的概略剖面圖。
圖3係表示於支持片材1上依序積層有2片壓縮成形或積層用單層片材2及4之本發明之壓縮成形或積層用積層體之一例的概略剖面圖。
圖4係表示於支持片材1上依序積層有2片壓縮成形或積層用單層片材4及2之本發明之壓縮成形或積層用積層體之一例的概略剖面圖。
圖5係表示於支持片材1上積層有折射率於厚度方向發生變化之單層片材5之本發明之壓縮成形或積層用積層體之一例的概略剖面圖。
圖6係表示於支持片材1上積層有包含螢光體3之單層片材5之本發明之壓縮成形或積層用積層體之一例的概略剖面圖。
圖7係表示於圖5所示之態樣上進而附加有螢光層4之例的概略剖面圖。
圖8係表示於圖5所示之態樣上進而附加有螢光層4之其他例的概略剖面圖。
圖9係表示於支持片材1上積層有硬化物之硬度及/或折射率於厚度方向發生變化之單層片材6之本發明之壓縮成形或積層用積層體之一例的概略剖面圖。
圖10係表示於圖9所示之態樣上進而附加有螢光層4之例的概略剖面圖。
圖11係表示於圖3所示之態樣上進而附加有另一螢光層7之例的概略剖面圖。
圖12係表示本發明之組合物或壓縮成形或積層用單層片材或積層體之密封對象之一例的概略剖面圖。
圖13係表示利用本發明之壓縮成形或積層用積層體之密封製程之壓縮成形前之狀態的概略剖面圖。
圖14係表示利用本發明之壓縮成形或積層用積層體之密封製程之壓縮成形中之狀態的概略剖面圖。
圖15係表示利用本發明之壓縮成形或積層用積層體之密封製程之壓縮成形後之狀態的概略剖面圖。
圖16係表示使用圖4所示之態樣之本發明之壓縮成形或積層用積層體之半導體器件之製造例的概略剖面圖。
圖17係表示使用圖4所示之態樣之本發明之壓縮成形或積層用積層體之半導體器件之製造例的概略剖面圖。
圖18係表示使用圖4所示之態樣之本發明之壓縮成形或積層用積層體之半導體器件之製造例的概略剖面圖。
圖19係實施例8中所獲得之LED器件之剖面照片。
圖20係實施例9中所獲得之LED器件之剖面照片。
圖21係實施例13中所獲得之LED器件之俯視圖。
圖22係實施例13中所獲得之LED器件之俯視圖。
圖23係實施例18中所獲得之LED器件之剖面圖。
通常，關於熱硬化性樹脂，若未反應階段之A階段狀態之樹脂之一部分進行反應，則成為一部分交聯性官能基進行反應之B階段狀態。於A階段狀態及B階段狀態中，可藉由加熱而發生低黏度化、軟化或液化。若進一步進行反應，則成為完全硬化之C階段。本發明之硬化性聚矽氧組合物處於相當於「A階段」或「B階段」之狀態，尤其是使用含有室溫下為固體狀之成分而成之硬化性聚矽氧組合物，故而具有熱塑性。因此，本發明之壓縮成形用或積層用熱熔型硬化性聚矽氧組合物可進行塑性加工。
所謂本發明中之「熱熔型」或「熱熔性」，係雖於室溫(25℃)下為固體但若進行加熱則會發生軟化或者熔融而成為黏稠之狀態、流動狀態或液狀之性質的總稱，例如通常已知乙烯乙酸乙烯酯系所代表之熱熔型接著劑等。
本發明之組合物為「熱熔型」，因此於室溫(25℃)下可為固體。本發明之組合物之形狀並無特別限定，例如可採用粉體、顆粒、丸劑、錠劑、膜或片之形狀。
關於本發明之組合物，較佳為於25℃下之JIS K 6253規定之A型硬度計硬度為50以上，更佳為60以上，進而較佳為70以上。又，本發明之組合物於100℃下具有流動性，或於100℃下之A型硬度計硬度較佳為10以下，更佳為5以下，進而較佳為1以下。於100℃下具有流動性之情形時，其黏度並無特別限定，作為下限，較佳為0.01Pa．s，更佳為0.1Pa．s。作為於100℃下具有流動性之情形時之黏度上限，較佳為1000Pa．s，更佳為100Pa．s，進而較佳為10Pa．s。或者，於100℃下具有流動性之情形時，利用依據JIS K 6300-2「未硫化橡膠-物理特性-第2部分：利用振動式硫化試驗機之硫化特性之求法」之MDR(Moving Die Rheometer，動模式流變儀)，於100℃以上之測定溫度下自模具剛密閉後(硬化時間0秒)至300秒為止之轉矩最低值較佳為1kgf．cm以下，更佳為0.1kgf．cm以下。因此，本發明之組合物可較佳地用作因加熱而變形之熱塑性膜或片材。
本發明之組合物可藉由加熱而進行交聯而硬化。作為加熱溫度之下限，較佳為50℃，更佳為80℃，進而較佳為100℃。作為加熱溫度之上限，較佳為200℃，更佳為150℃。本發明之組合物之硬化行為中，為了使密封體之形狀更穩定化，加熱溫度範圍內之藉由MDR(動模式流變儀)測定之自剛測定後至達到1kgf．cm之轉矩為止的時間較佳為5分鐘以下，更佳為3分鐘以下，進而較佳為1分鐘以下。再者，MDR可藉由依據JIS K 6300-2「未硫化橡膠-物理特性-第2部分：利用振動式硫化試驗機之硫化特性之求法」之測定方法而進行測定。
關於本發明之組合物，其本身或其硬化物之折射率較佳為1.40以上。折射率例如可藉由阿貝式折射率計而進行測定。此時，可藉由變 更阿貝式折射率計中之光源之波長而測定任意波長時之折射率。上述硬化性聚矽氧組合物或其硬化物於可見光(589nm)中之折射率(25℃)較佳為1.40以上，更佳為1.50~1.70，進而較佳為1.55~1.60。
關於本發明之組合物，其本身或其硬化物之光透過率(25℃)較佳為80%以上，更佳為90%以上，進而較佳為95%以上。關於該光透過率，例如對於本發明之組合物或其硬化物，於光程長度0.2cm且波長450nm時之光透過率(25℃)可藉由利用分光光度計進行測定而求出。
本發明之組合物較佳為例如含有固體狀之有機聚矽氧烷且於室溫下為固體狀之A階段狀態之聚矽氧組合物、或可藉由矽氫化反應進行交聯而發生硬化之相當於B階段狀態之聚矽氧組合物。尤佳為，處於本發明之B階段狀態之組合物較佳為藉由矽氫化反應而進行部分交聯且於室溫下為高硬度之固體狀、具體而言為硬質橡膠狀，且於高溫例如100℃下明顯軟化、具體而言成為軟質橡膠狀，或於100℃下發生液狀化。
於本發明之組合物可藉由矽氫化反應而進行交聯而硬化之情形時，本發明之組合物較佳為選自由如下成分所組成之群：(1)未反應之矽氫化硬化性聚矽氧組合物、(2)使未反應之矽氫化硬化性聚矽氧組合物部分交聯而成之矽氫化硬化性聚矽氧組合物、及(3)使未反應之矽氫化反應性聚矽氧組合物交聯而成、且包含具有矽原子鍵結氫原子及/或烯基之交聯體及至少1種矽氫化反應性成分的矽氫化硬化性聚矽氧組合物。
上述(1)未反應之矽氫化硬化性(反應性)聚矽氧組合物較佳為包含：(A)於25℃下為固體狀之於一分子中含有平均多於2個之數量之烯基的至少1種有機聚矽氧烷、 (B)於一分子中具有至少2個矽原子鍵結氫原子之至少1種有機聚矽氧烷{矽原子鍵結氫原子之總莫耳數相對於(A)成分之烯基之總莫耳數的比成為0.2~4之範圍之量}、及(C)矽氫化觸媒(足夠引起矽氫化反應之量)。
上述(A)成分之分子結構並無限定，例如可例示：直鏈狀、一部分具有支鏈之直鏈狀、支鏈狀、樹枝狀、網狀、環狀。
作為上述(A)成分中之烯基，可列舉：乙烯基、烯丙基、丙烯基、異丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基等直鏈狀或支鏈狀之碳數2~10之烯基。較佳為乙烯基及烯丙基，更佳為乙烯基。上述(A)成分於一分子中可具有平均3個以上之烯基。
上述(A)成分除烯基以外，可具有鍵結於矽原子之碳數1~20之一價烴基。作為一價烴基，例如可列舉：碳原子數1~20之烷基、碳原子數6~20之芳基、及碳原子數7~20之芳烷基。作為碳原子數l~20之烷基，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、新戊基、環戊基、己基、環己基、庚基等直鏈狀、支鏈狀或環狀之烷基。較佳為甲基。作為碳原子數6~20之芳基，例如可列舉：苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、蒽基等。作為碳原子數7~20之芳烷基，例如可列舉：苄基、苯乙基、苯基丙基等。再者，關於一價烴基之氫原子，其一部分亦可經鹵素原子、羥基、環氧基等取代。
作為上述(A)成分，例如可例示：分子鏈兩末端三甲基矽烷氧基封端甲基乙烯基聚矽氧烷、分子鏈兩末端三甲基矽烷氧基封端二甲基矽氧烷-甲基乙烯基矽氧烷共聚物、分子鏈兩末端二甲基乙烯基矽烷氧基封端甲基乙烯基聚矽氧烷、分子鏈兩末端二甲基乙烯基矽烷氧基封端二甲基矽氧烷-甲基乙烯基矽氧烷共聚物、環狀甲基乙烯基矽氧烷、環狀二甲基矽氧烷-甲基乙烯基矽氧烷共聚物、包含式： (CH3)3SiO1/2所表示之矽氧烷單元、式：(CH2=CH)(CH3)2SiO1/2所表示之矽氧烷單元、及式：SiO4/2所表示之矽氧烷單元之共聚物、包含式：(CH2=CH)(CH3)2SiO1/2所表示之矽氧烷單元及式：SiO4/2所表示之矽氧烷單元之共聚物、包含式：(CH3)3SiO1/2所表示之矽氧烷單元、式：(CH2=CH)(CH3)2SiO1/2所表示之矽氧烷單元、式：(CH3)2SiO2/2所表示之矽氧烷單元及式：SiO4/2所表示之矽氧烷單元之共聚物、及該等之兩種以上之混合物，尤佳為分子鏈兩末端二甲基乙烯基矽烷氧基封端二甲基聚矽氧烷、分子鏈兩末端三甲基矽烷氧基封端二甲基矽氧烷-甲基乙烯基矽氧烷共聚物、或包含式：SiO4/2所表示之矽氧烷單元與式：(CH2=CH)(CH3)2SiO1/2所表示之矽氧烷單元之共聚物。
作為上述(A)成分，較佳為平均單元式：(R1 3SiO1/2)a(R1 2SiO2/2)b(R1SiO3/2)c(SiO4/2)d(R2O1/2)e
(式中，R1為苯基、碳原子數1~6之烷基或環烷基、或碳原子數2~6之烯基，其中，R1之60~80莫耳%為苯基，R1之10~20莫耳%為烯基，R2為氫原子或碳原子數1~6之烷基，a、b、c、d及e為滿足0≦a≦0.2、0.2≦b≦0.7、0.2≦c≦0.6、0≦d≦0.2、0≦e≦0.1、且a+b+c+d=1之數)
所表示之含苯基之有機聚矽氧烷。
作為R1之烷基，可例示：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基。作為R1之環烷基，可例示環戊基、環己基。作為R1之烯基，可例示：乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基。再者，式中，R1之中，苯基之含量為60~80莫耳%之範圍內，較佳為65~80莫耳%之範圍內。其原因在於，若苯基之含量未達上述範圍之下限，則有本發明 之組合物之於高溫下的軟化變得不充分之虞，另一方面，若超過上述範圍之上限，則有失去本發明之組合物或其硬化物之透明性，其機械強度下降之虞。又，式中，R1之中，烯基之含量為10~20莫耳%之範圍內。其原因在於，若烯基之含量未達上述範圍之下限，則有無法獲得本發明之組合物之於室溫下的充分之硬度之虞，另一方面，若超過上述範圍之上限，則有本發明之組合物之於高溫下的軟化變得不充分之虞。
作為R2之烷基，可例示：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基，較佳為甲基、乙基。
式中，a表示通式：R1 3SiO1/2所表示之矽氧烷單元之比率之數，為滿足0≦a≦0.2、較佳為滿足0≦a≦0.1之數。其原因在於，若a超過上述範圍之上限，則有無法獲得本發明之組合物之於室溫下的充分之硬度之虞。又，式中，b表示通式：R1 2SiO2/2所表示之矽氧烷單元之比率之數，為滿足0.2≦b≦0.7、較佳為滿足0.4≦b≦0.7之數。其原因在於，若b未達上述範圍之下限，則有本發明之組合物之於高溫下的軟化變得不充分之虞，另一方面，若超過上述範圍之上限，則有無法獲得本發明之組合物之於室溫下的充分之硬度之虞。又，c表示通式：R1SiO3/2所表示之矽氧烷單元之比率之數，為滿足0.2≦c≦0.6、較佳為滿足0.3≦c≦0.6之數。其原因在於，若c未達上述範圍之下限，則有無法獲得本發明之組合物之於室溫下的充分之硬度之虞，另一方面，若超過上述範圍之上限，則有本發明之組合物之於高溫下的軟化變得不充分之虞。又，d表示通式：SiO4/2所表示之矽氧烷單元之比率之數，為滿足0≦d≦0.2、較佳為滿足0≦d≦0.1之數。其原因在於，若d超過上述範圍之上限，則有本發明之組合物之於高溫下的軟化變得不充分之虞。又，e表示通式：R2O1/2所表示之單元之比率之數，為滿足0≦e≦0.1之數。其原因在於，若e超過上述範圍之上限， 則有無法獲得本發明之組合物之於室溫下的充分之硬度之虞。再者，式中，a、b、c、及d之合計為1。
尤其是上述(A)成分可為如下成分之混合物：(A-1)於25℃下為固體狀之於一分子中含有平均多於2個之數量之烯基的支鏈狀有機聚矽氧烷60~100質量%、及(A-2)於25℃下為液狀之於一分子中至少具有平均2個烯基之直鏈狀或部分支鏈狀之有機聚矽氧烷0~40質量%。
上述(A-1)成分為組合物之主成分，可使用如上所述者作為(A)成分。
上述(A-2)成分係用於提高組合物之操作作業性、或調整室溫下之硬度之成分，較佳為通式：R3 3SiO(R3 2SiO)mSiR3 3
(式中，R3為苯基、碳原子數1~6之烷基或環烷基、或碳原子數2~6之烯基，其中，R3之40~70莫耳%為苯基，R3之至少1個為烯基，m為5~100之整數)
所表示之含苯基之有機聚矽氧烷。
作為R3之烷基，可例示：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基。作為R3之環烷基，可例示環戊基、環己基。作為R3之烯基，可例示：乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基。再者，式中，R3之中，苯基之含量為40~70莫耳%之範圍內，較佳為40~60莫耳%之範圍內。其原因在於，若苯基之含量未達上述範圍之下限，則有本發明之組合物之於高溫下的軟化變得不充分之虞，另一方面，若超過上述範圍之上限，則有失去本發明之組合物或其硬化物之透明性，其機械 強度亦下降之虞。又，式中，R3之至少1個為烯基。其原因在於，若不具有烯基，則有未將本成分導入至交聯反應中，本成分自本發明之組合物中滲出之虞。
式中，m為5~100之範圍內之整數，較佳為10~50之範圍內之整數。其原因在於，若m未達上述範圍之下限，則有本發明之組合物之機械強度下降之虞，另一方面，若超過上述範圍之上限，則有本發明之組合物之操作作業性下降之虞。
上述(B)成分係作為交聯劑而發揮作用者，25℃下之黏度較佳為1~1000mPa．s之範圍內，更佳為1~500mPa．s之範圍內，進而較佳為1~100mPa．s之範圍內。
上述(B)成分之分子結構並無限定，例如可例示：直鏈狀、一部分具有支鏈之直鏈狀、支鏈狀、樹枝狀、網狀、環狀。上述(B)成分於一分子中可具有3個以上之矽原子鍵結氫原子。
上述(B)成分除矽原子鍵結氫原子以外，可具有鍵結於矽原子之碳數1~20之一價烴基。作為一價烴基，例如可列舉：碳原子數1~20之烷基、碳原子數6~20之芳基、及碳原子數7~20之芳烷基。作為碳原子數1~20之烷基，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、新戊基、環戊基、己基、環己基、庚基等直鏈狀、支鏈狀或環狀之烷基。較佳為甲基。作為碳原子數6~20之芳基，例如可列舉：苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、蒽基等。作為碳原子數7~20之芳烷基，例如可列舉：苄基、苯乙基、苯基丙基等。再者，關於一價烴基之氫原子，其一部分亦可經鹵素原子、羥基、環氧基等取代。
作為上述(B)成分，例如可例示：分子鏈兩末端經三甲基矽烷氧基封端之甲基氫聚矽氧烷、分子鏈兩末端經三甲基矽烷氧基封端之二甲基矽氧烷-甲基氫矽氧烷共聚物、分子鏈兩末端經二甲基氫矽烷氧 基封端之甲基氫聚矽氧烷、分子鏈兩末端經二甲基氫矽烷氧基封端之二甲基矽氧烷-甲基氫矽氧烷共聚物、環狀甲基氫矽氧烷、環狀二甲基矽氧烷-甲基氫矽氧烷共聚物、包含式：(CH3)3SiO1/2所表示之矽氧烷單元、式：H(CH3)2SiO1/2所表示之矽氧烷單元及式：SiO4/2所表示之矽氧烷單元之共聚物、包含式：H(CH3)2SiO1/2所表示之矽氧烷單元及式：SiO4/2所表示之矽氧烷單元之共聚物、包含式：(CH3)3SiO1/2所表示之矽氧烷單元、式：H(CH3)2SiO1/2所表示之矽氧烷單元、式：(CH3)2SiO2/2所表示之矽氧烷單元及式：SiO4/2所表示之矽氧烷單元之共聚物、及該等之兩種以上之混合物，尤佳為分子鏈兩末端三甲基矽烷氧基封端甲基氫聚矽氧烷、分子鏈兩末端三甲基矽烷氧基封端二甲基矽氧烷-甲基氫矽氧烷共聚物、或包含式：SiO4/2所表示之矽氧烷單元與式：H(CH3)2SiO1/2所表示之矽氧烷單元之共聚物。
較佳為上述(B)成分之一價烴基之30~70莫耳%為苯基。若苯基之含量未達上述範圍之下限，則有本發明之組合物之於高溫下的軟化變得不充分之虞，若超過上述範圍之上限，則有失去本發明之組合物或其硬化物之透明性，其機械強度亦下降之虞。
作為此種(B)成分，較佳為通式：(HR4 2SiO)2SiR4 2
所表示之有機三矽氧烷。
式中，R4為苯基、或碳原子數1~6之烷基或環烷基。作為R4之烷基，可例示：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基。作為R4之環烷基，可例示環戊基、環己基。再者，R4之中，苯基之含量為30~70莫耳%之範圍內。
關於(B)成分之含量，相對於(A)成分中之烯基之合計，為本成分 中之矽原子鍵結氫原子之莫耳比成為0.2~4之範圍內之量，較佳為成為0.5~2之範圍內之量，更佳為成為0.8~1.8之範圍內之量，進而更佳為成為0.5~1.5之範圍內之量。其原因在於，若(B)成分之含量為上述範圍外，則有無法獲得本發明之組合物之於室溫下的充分之硬度之虞。
(C)成分為用於引起或促進(A)成分中之烯基與(B)成分中之矽原子鍵結氫原子之矽氫化反應的矽氫化反應用觸媒。作為(C)成分，可例示：鉑系觸媒、銠系觸媒、鈀系觸媒，就可明顯促進本組合物之硬化之觀點而言，較佳為鉑系觸媒。作為該鉑系觸媒，可例示：鉑微粉末、氯鉑酸、氯鉑酸之醇溶液、鉑-烯基矽氧烷錯合物、鉑-烯烴錯合物、鉑-羰基錯合物，尤佳為鉑-烯基矽氧烷錯合物。作為該烯基矽氧烷，可例示：1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷、藉由乙基、苯基等取代該等烯基矽氧烷之甲基之一部分而成之烯基矽氧烷、藉由烯丙基、己烯基等取代該等烯基矽氧烷之乙烯基而成之烯基矽氧烷。尤其是由於該鉑-烯基矽氧烷錯合物之穩定性良好，因此較佳為1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷。又，就可提高該鉑-烯基矽氧烷錯合物之穩定性之觀點而言，較佳為於該錯合物中添加1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3-二烯丙基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3-二乙烯基-1,3-二甲基-1,3-二苯基二矽氧烷、1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四苯基二矽氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷等烯基矽氧烷或二甲基矽氧烷低聚物等有機矽氧烷低聚物，尤佳為添加烯基矽氧烷。
若(C)成分之含量為用於引起或促進(A)成分中之烯基與(B)成分中之矽原子鍵結氫原子的矽氫化反應之足夠之量，則並無特別限定，較佳為相對於部分硬化前之組合物，本成分中之金屬原子以質量單元計較佳為成為0.01~500ppm之範圍內之量，進而較佳為成為0.01~ 100ppm之範圍內之量，尤佳為成為0.01~50ppm之範圍內之量。其原因在於，若(C)成分之含量未達上述範圍之下限，則存在組合物未充分地交聯之傾向，另一方面，若超過上述範圍之上限，則有本發明之組合物產生著色等問題之虞。
上述(2)使未反應之矽氫化硬化性聚矽氧組合物部分交聯而成之矽氫化硬化性聚矽氧組合物較佳為使包含如下成分之矽氫化反應性聚矽氧組合物的矽氫化反應於50~95%之轉化率時停止而獲得者：(D)於一分子中含有平均多於2個之數量之烯基的至少1種有機聚矽氧烷、(E)於一分子中具有至少2個矽原子鍵結氫原子之至少1種有機聚矽氧烷{矽原子鍵結氫原子之總莫耳數相對於(D)成分之烯基之總莫耳數的比成為0.2~4之範圍之量}、及(F)矽氫化觸媒(足夠引起矽氫化反應之量)。
此處，作為上述(D)~(F)成分，可分別使用上述(A)~(C)成分。
上述未反應之矽氫化硬化性聚矽氧組合物之黏度並無特別限定，較佳為100~1,000,000mPa．s之範圍內，尤佳為500~50,000mPa．s之範圍內。其原因在於，若黏度未達上述範圍之下限，則存在本發明之組合物之機械強度下降之傾向，另一方面，若超過上述範圍之上限，則有本發明之組合物之操作作業性下降之傾向。
上述(D)成分較佳為如下成分之混合物：(D-1)平均單元式：(R1 3SiO1/2)a(R1 2SiO2/2)b(R1SiO3/2)c(SiO4/2)d(R2O1/2)e
(式中，R1為苯基、碳原子數1~6之烷基或環烷基、或碳原子數2~6之烯基，其中，R1之60~80莫耳%為苯基，R1之10~20莫耳%為烯基，R2為氫原子或碳原子數1~6之烷基，a、b、c、d及e為滿足0≦a≦0.2、0.2≦b≦0.7、0.2≦c≦0.6、0≦d≦0.2、0≦e≦0.1、且a+b+ c+d=1之數)
所表示之有機聚矽氧烷、及(D-2)通式：R3 3SiO(R3 2SiO)mSiR3 3
(式中，R3為苯基、碳原子數1~6之烷基或環烷基、或碳原子數2~6之烯基，其中，R3之40~70莫耳%為苯基，R3之至少1個為烯基，m為5~100之整數)
所表示之有機聚矽氧烷{相對於(D-1)成分100重量份為0~20重量份}。
上述式中，R1、R2及R3；a、b、c、d、e、m之詳細情況如上所述。
(D-2)成分之含量相對於(D-1)成分100重量份，可為成為0~15重量份之範圍內之量，亦可為成為0~10重量份之範圍內之量。其原因在於，若(D-2)成分之含量超過上述範圍之上限，則有本發明之組合物之於高溫下的軟化變得不充分之虞。
所謂矽氫化反應之轉化率，係指上述(D)成分之烯基或上述(E)成分之矽原子鍵結氫原子之消耗率，例如，所謂80%之轉化率，係指上述(D)成分之烯基或上述(E)成分之矽原子鍵結氫原子之80%藉由矽氫化反應而被消耗。
轉化率之控制方法並無特別限定，例如可將上述未反應之矽氫化硬化性聚矽氧組合物加熱相對較短時間而設為50~95%之轉化率。加熱溫度較佳為50~200℃，更佳為80~150℃。加熱時間較佳為1~20分鐘，更佳為5~15分鐘。轉化率例如可將藉由將利用DSC(Differential Scanning Calorimetry，示差掃描熱量測定儀)測定反應前之組合物時之發熱峰面積設為基準而進行測定。
上述(3)矽氫化硬化性聚矽氧組合物較佳為包含： (G)使包含如下成分之未反應之矽氫化反應性聚矽氧組合物進行矽氫化反應而成之具有烯基的交聯體：(G-1)於一分子中含有平均多於2個之數量之烯基的至少1種有機聚矽氧烷、(G-2)於一分子中具有至少2個矽原子鍵結氫原子之至少1種有機聚矽氧烷{矽原子鍵結氫原子之總莫耳數相對於(G-1)成分之烯基之總莫耳數的比成為0.3~0.9之範圍之量}、及(G-3)矽氫化觸媒(足夠引起矽氫化反應之量)；以及(H)於一分子中具有2個以上之矽原子鍵結氫原子之至少1種有機聚矽氧烷{矽原子鍵結氫原子之總莫耳數相對於上述交聯體中之烯基之總莫耳數的比成為0.1~2.0之範圍之量}。
此處，作為上述(G-1)、(G-2)、(G-3)及(H)成分，可分別使用上述(A)、(B)、(C)及(C)成分。
其中，較佳為滿足以下任一者：上述(G-1)為平均組成式：R4 xSiO(4-x)/2
(式中，R4分別獨立為經取代或未經取代之一價烴基，其中，全部R4之0.1~40莫耳%為烯基，x為滿足1≦x<2之正數)
所表示之於一分子中含有平均多於2個之數量之烯基的有機聚矽氧烷，上述(G-2)為通式：HR5 2Si(R5 2SiO)nR5 2SiH
(式中，R5分別獨立為不具有脂肪族不飽和鍵之經取代或未經取代之一價烴基，n為0~1,000之整數)
所表示之二有機聚矽氧烷，上述(H)為平均組成式： R5 yHzSiO(4-y-z)/2
(式中，R5如上所述，y及z為滿足0.7≦y≦2.1、0.001≦z≦1.0、且0.8≦y+z≦2.6之正數)
所表示之有機氫聚矽氧烷。
上述一價徑基及烯基如上所述。再者，作為不具有脂肪族不飽和鍵之一價烴基，例如可列舉：碳原子數1~20之烷基、碳原子數6~20之芳基、及碳原子數7~20之芳烷基。作為碳原子數1~20之烷基，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、新戊基、環戊基、己基、環己基、庚基等直鏈狀、支鏈狀或環狀之烷基。較佳為甲基。作為碳原子數6~20之芳基，例如可列舉：苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、蒽基等。作為碳原子數7~20之芳烷基，例如可列舉：苄基、苯乙基、苯基丙基等。再者，關於一價烴基之氫原子，其一部分亦可經鹵素原子、羥基、環氧基等取代。
於上述(3)矽氫化硬化性聚矽氧組合物中，以使(G-2)成分之矽原子鍵結氫原子之總莫耳數相對於(G-1)成分之烯基之總莫耳數的比成為0.3~0.9之範圍之方式調整(G-1)成分及(G-2)成分之相對量，故而(G)未反應之矽氫化反應性聚矽氧組合物進行矽氫化反應而獲得之交聯體具有藉由矽氫化反應而未消耗之烯基。因此，藉由上述(3)矽氫化硬化性聚矽氧組合物(H)成分之存在，可進而藉由矽氫化反應進行交聯而產生硬化。
本發明之組合物中，作為其他任意成分，可含有乙炔基己醇、2-甲基-3-丁炔-2-醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、2-苯基-3-丁炔-2-醇等炔醇；3-甲基-3-戊烯-1-炔、3,5-二甲基-3-己烯-1-炔等烯炔化合物；1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四己烯基環四矽氧烷、苯并三唑等反應抑制劑。該反應抑制劑之含量並無特別限定，較佳為相對於組合物之重量為1~5,000ppm之範圍 內。
又，於本發明之組合物中，為了進一步提高對各種基體之接著性，較佳為含有接著促進劑。作為該接著促進劑，可列舉：三烷氧基矽烷氧基(例如三甲氧基矽烷氧基、三乙氧基矽烷氧基)或三烷氧基矽烷基烷基(例如三甲氧基矽烷基乙基、三乙氧基矽烷基乙基)、具有氫矽烷基或烯基(例如乙烯基、烯丙基)之有機矽烷、或矽原子數4~20左右之直鏈狀結構、支鏈狀結構或環狀結構之有機矽氧烷低聚物；具有三烷氧基矽烷氧基或三烷氧基矽烷基烷基與甲基丙烯醯氧基烷基(例如3-甲基丙烯醯氧基丙基)之有機矽烷、或矽原子數4~20左右之直鏈狀結構、支鏈狀結構或環狀結構之有機矽氧烷低聚物；具有三烷氧基矽烷氧基或三烷氧基矽烷基烷基與環氧基鍵結烷基(例如3-縮水甘油氧基丙基、4-縮水甘油氧基丁基、2-(3,4-環氧環己基)乙基、3-(3,4-環氧環己基)丙基)之有機矽烷、或矽原子數4~20左右之直鏈狀結構、支鏈狀結構或環狀結構之有機矽氧烷低聚物；胺基烷基三烷氧基矽烷與環氧基鍵結烷基三烷氧基矽烷之反應物、含環氧基之乙基聚矽酸鹽，具體而言，可列舉：乙烯基三甲氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、烯丙基三乙氧基矽烷、氫三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷與3-胺基丙基三乙氧基矽烷之反應物、矽烷醇基封端甲基乙烯基矽氧烷低聚物與3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷之縮合反應物、矽烷醇基封端甲基乙烯基矽氧烷低聚物與3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷之縮合反應物、異氰尿酸三(3-三甲氧基矽烷基丙基)酯。
進而，於本發明之組合物中，只要不損及本發明之目的，則可含有上述(A)成分~(H)成分以外之有機聚矽氧烷；二氧化矽、玻璃、 氧化鋁、氧化鋅等無機質填充劑；聚甲基丙烯酸酯樹脂等有機樹脂微粉末；耐熱劑、染料、顏料、螢光體、阻燃性賦予劑、溶劑等作為其他任意成分。
本發明亦關於一種包含本發明之組合物之壓縮成形或積層用單層片材。本發明之壓縮成形或積層用單層片材之50重量%以上、較佳為70重量%以上、更佳為90重量%以上包含上述組合物，尤佳為僅包含上述組合物。
本發明之組合物以及壓縮成形或積層用單層片材可包含至少1種無機粒子。可將兩種以上之不同之無機粒子組合而使用。藉此，例如可控制本發明之組合物以及壓縮成形或積層用單層片材之顏色、絕緣性、介電常數、熱導率、強度、折射率、水蒸氣透過率等。作為無機粒子，例如可選自氧化鈦、二氧化矽、氧化鋁、鈦酸鋇、氧化鈹及該等之混合物。尤佳為，為了製造白色之密封體，作為較佳之粒徑，下限較佳為100nm以上，更佳為300nm以上。上限範圍較佳為10μm以下，更佳為1μm以下。其原因在於，若粒徑大於上限，則存在光被導入至無機粒子內而反射率下降之情況，若粒徑小於下限，則無機粒子難以較佳地反射可見光波長之光。尤其是可藉由使用氧化鈦與粉碎二氧化矽而較佳地製造白色之密封體。又，為了抑制由無機粒子所導致之光之散射而保持透明性且控制上述各特性，作為較佳之粒徑，上限範圍較佳為1μm以下，更佳為300nm以下，進而較佳為100nm以下。再者，本發明中所使用之無機粒子並不限定於該等，亦可使用以下之無機粒子：氧化鈰、氧化釔、氧化鈮、氧化鉭、氧化鋅、氧化鎂、氧化銦錫、氧化鋯、氧化銅、氧化鐵、磁性粉、碳粒子、奈米碳管、富勒烯、氮化硼、氮化鋁、硫酸鋇、硫化鉛。
本發明之組合物以及壓縮成形或積層用單層片材可包含至少1種螢光體。可將兩種以上之不同之螢光體組合而使用。藉此，例如於使 用本發明之組合物或壓縮成形或積層用單層片材而將LED等發光體密封之情形時，可轉換輻射光之波長，而可調整LED等之發光色。又，由於螢光體包含於片材中，因此易於進行與LED等發光體之對位，又，亦易於進行調色。並且，於製備發光色後，可立即進行壓縮成形或積層而有效率地獲得密封體。又，由於螢光體不存在於液體中，因此於保管時，不存在螢光體產生沈澱，或濃度分佈變得不均勻之情況。
螢光體只要為公知之螢光體，則可為任意者，關於其調配量，為了以本發明之壓縮成形或積層用單層片材之總重量為基準，加厚單層片材之厚度而較佳地進行波長轉換，下限較佳為0.01重量%，更佳為0.1重量%，進而較佳為1重量%。為了使單層片材之厚度變薄且進行較佳之波長轉換，螢光體之調配量之下限較佳為10重量%，更佳為20重量%，進而較佳為50重量%。為了使單層片材之厚度變薄而進行較佳之波長轉換，螢光體之調配量之上限較佳為95重量%，更佳為90重量%，進而較佳為80重量%，進而較佳為50重量%。為了加厚單層片材之厚度而較佳地進行波長轉換，螢光體之調配量之上限較佳為30重量%，更佳為20重量%，進而較佳為10重量%。關於螢光體，例如，作為利用CILAS雷射測定裝置等之雷射光繞射法之粒度分佈測定中的粒徑之範圍，其粒徑較佳為10nm以上者，更佳為10nm至10μm之粒徑，進而較佳為10nm~1μm之粒徑。
本發明之壓縮成形或積層用單層片材之厚度並無特別限定，例如可設為10μm~10mm，較佳為20μm~5mm。若未達上述範圍之下限，則存在操作性較差之情況，若超過上述範圍之上限，則存在均勻之熱導性較差之情況。
螢光體例如只要為吸收源自LED之光而波長轉換為不同波長之光者即可。例如可使用選自主要經Eu、Ce等鑭系元素活化之氮化物系 螢光體、氮氧化物系螢光體，主要經Eu等鑭系、Mn等過渡金屬系之元素活化之鹼土鹵素磷灰石螢光體、鹼土金屬硼酸鹵素螢光體、鹼土金屬鋁酸鹽螢光體、鹼土矽酸鹽螢光體、鹼土硫化物螢光體、鹼土硫代鎵酸鹽螢光體、鹼土氮化矽螢光體、鍺酸鹽螢光體，或主要經Ce等鑭系元素活化之稀土鋁酸鹽螢光體、稀土矽酸鹽螢光體或主要經Eu等鑭系元素活化之有機及有機錯合物螢光體、Ca-Al-Si-O-N系氮氧化物玻璃螢光體等中之至少任一種以上作為螢光體。再者，作為具體例，可使用下述螢光體，但並不限定於該等。
主要經Eu、Ce等鑭系元素活化之氮化物系螢光體存在M2Si5N8：Eu(M為選自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn中之至少1種)等。又，除M2Si5N8：Eu以外，亦存在MSi7N10：Eu、M1.8Si5O0.2N8：Eu、M0.9Si7O0.1N10：Eu(M為選自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn中之至少1種)等。
主要經Eu、Ce等鑭系元素活化之氮氧化物系螢光體存在MSi2O2N2：Eu(M為選自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn中之至少1種)等。
主要經Eu等鑭系、Mn等過渡金屬系之元素活化之鹼土鹵素磷灰石螢光體存在M5(PO4)3X：R(M為選自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn中之至少1種；X為選自F、Cl、Br、I中之至少1種；R為Eu、Mn、Eu與Mn之任一種以上)等。
鹼土金屬硼酸鹵素螢光體存在M2B5O9X：R(M為選自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn中之至少1種；X為選自F、Cl、Br、I中之至少1種；R為Eu、Mn、Eu與Mn之任一種)等。
鹼土金屬鋁酸鹽螢光體存在SrAl2O4：R、Sr4Al14O25：R、CaAl2O4：R、BaMg2Al16O27：R、BaMg2Al16O12：R、BaMgAl10O17：R(R為Eu、Mn、Eu與Mn之任一種以上)等。
鹼土硫化物螢光體存在La2O2S：Eu、Y2O2S：Eu、Gd2O2S：Eu等。
主要經Ce等鑭系元素活化之稀土鋁酸鹽螢光體存在Y3Al5O12：Ce、(Y0.8Gd0.2)3Al5O12：Ce、Y3(Al0.8Ga0.2)5O12：Ce、(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12之組成式所表示之YAG系螢光體等。又，亦存在藉由Tb、Lu等取代Y之一部分或全部而成之Tb3Al5O12：Ce、Lu3Al5O12：Ce等。
其他螢光體存在ZnS：Eu、Zn2GeO4：Mn、MGa2S4：Eu(M為選自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn中之至少1種；X為選自F、Cl、Br、I中之至少1種)等。
上述螢光體視需要亦可含有選自Tb、Cu、Ag、Au、Cr、Nd、Dy、Co、Ni、Ti中之1種以上代替Eu，或Eu除以外，亦可含有選自Tb、Cu、Ag、Au、Cr、Nd、Dy、Co、Ni、Ti中之1種以上。
所謂Ca-Al-Si-O-N系氮氧化物玻璃螢光體，係將以莫耳%表示計，將CaCO3換算成CaO而設為20~50莫耳%、將Al2O3設為0~30莫耳%、將SiO設為25~60莫耳%、將AlN設為5~50莫耳%、將稀土氧化物或過渡金屬氧化物設為0.1~20莫耳%，以使5成分之合計成為100莫耳%之氮氧化物玻璃作為母體材料之螢光體。再者，於將氮氧化物玻璃作為母體材料之螢光體中，氮含量較佳為15wt%以下，較佳為除稀土氧化物離子以外亦將成為增感劑之其他稀土元素離子作為稀土氧化物並於螢光玻璃中以0.1~10莫耳%之範圍之含量包含其作為共活化劑。
又，亦可使用為上述螢光體以外之螢光體且具有同樣之性能、效果之螢光體。
本發明之壓縮成形或積層用單層片材可藉由將本發明之組合物及視需要之上述無機粒子及/或螢光體之1種以上混合，將所獲得之混合物加熱相對較短時間使部分交聯而製造。加熱溫度較佳為50~200℃，更佳為80~150℃。加熱時間較佳為1~20分鐘，更佳為5~15分 鐘。本發明之組合物或上述混合物藉由矽氫化反應進行部分交聯，而形成於室溫下為高硬度之固體狀、且於高溫例如100℃下為軟化或液狀化之交聯物之本發明之壓縮成形或積層用單層片材。
本發明亦關於一種包含含有本發明之組合物之至少1層的積層體，尤其是關於一種具備上述壓縮成形或積層用單層片材及至少1片其他片材之積層體。
本發明之積層體之厚度並無特別限定，例如可設為10μm~10mm，較佳為100μm~8mm，更佳為0.5~5mm。若未達上述範圍之下限，則存在操作性較差之情況，若超過上述範圍之上限，則存在均勻之熱導性較差之情況。
上述其他片材之厚度並無特別限定，可與本發明之壓縮成形或積層用單層片材之厚度相同，視需要亦可使之變薄，於該情形時，例如可設為0.1μm~3mm，較佳為1μm~2mm。
上述其他片材亦可為用於支持上述壓縮成形或積層用單層片材之支持片材。支持片材可為單一片材，亦可為積層有複數片膜之多層片材。又，上述其他片材亦可為用於防止污物附著於上述壓縮成形或積層用單層片材之保護片材。作為支持片材之材質，只要可支持上述壓縮成形或積層用單層片材，則並無特別限定。作為保護片材之材質，只要可自上述壓縮成形或積層用單層片材剝離，則並無特別限定。作為支持片材及保護片材，例如可列舉：聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚醯胺、聚氯偏二乙烯、聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚醯亞胺、聚四氟乙烯、乙烯-四氟乙烯共聚樹脂、三乙酸纖維素等。關於支持片材及保護片材，亦可於其表面塗佈含氟之剝離劑、含聚矽氧之剝離劑等表面處理劑。支持片材亦可於利用壓縮成形或積層之加工前及加工時剝離。支持片材可與聚矽氧組合物層同時加工，於該情形時，可於加工後自聚矽氧組合物 層剝離，亦可直接接著於聚矽氧組合物層。
圖1係表示於支持片材1上積層有上述壓縮成形或積層用單層片材2之本發明之積層體之一例的概略剖面圖。
圖2係表示於支持片材1上積層有包含無機粒子及/或螢光體3之上述壓縮成形或積層用單層片材2之本發明之積層體之一例的概略剖面圖。再者，無機粒子及/或螢光體3之大小係經誇大。
圖1及圖2所示之本發明之積層體可藉由如下方法製造，即，於支持片材1上，塗佈本發明之組合物或於該組合物中混合有上述無機粒子及/或螢光體之1種以上之混合物，例如將其加熱相對較短時間而使部分交聯。加熱溫度較佳為50~200℃，更佳為80~150℃。加熱時間較佳為1~20分鐘，更佳為5~15分鐘。本發明之組合物或上述混合物藉由矽氫化反應進行部分交聯，而形成於室溫下為高硬度之固體狀、且於高溫例如100℃下為進行軟化或液狀化之交聯物之壓縮成形或積層用單層片材2。
上述其他片材亦可為含有至少1種非熱熔型之硬化性聚矽氧組合物者。
上述硬化性聚矽氧組合物較佳為包含如下成分：(I)含烯基之有機聚矽氧烷生橡膠 100質量份、(J)包含選自由R3SiO1/2單元、R2SiO2/2單元、RSiO3/2單元(式中，R分別獨立表示一價烴基)及該等之混合物所組成之群中之有機聚矽氧烷單元、以及SiO4/2單元(其中，上述有機聚矽氧烷單元相對於SiO4/2單元之莫耳比為0.08~2.0)，且利用BET法之比表面積為200m2/g以上之濕式法疏水化補強性二氧化矽 30~150質量份、(K)有機氫聚矽氧烷 0.1~10質量份、及(L)硬化劑 足夠使本組合物硬化之量。
(I)成分通常被稱為有機聚矽氧烷生橡膠，可使用用作混練 (milable)型之聚矽氧橡膠之主劑者。作為此種有機聚矽氧烷生橡膠之代表例，可例示平均單元式：R'aSiO4-a/2(式中，R'為一價烴基，a為1.9~2.1)所表示之含烯基之有機聚矽氧烷生橡膠。
作為上述烯基及一價烴基，可列舉如上所述者。
(I)成分之含烯基之有機聚矽氧烷生橡膠較佳為於1分子中具有至少2個矽原子鍵結烯基。(I)成分之分子結構可為直鏈狀、及支鏈狀之任一者。又，作為(I)成分中之烯基之鍵結位置，可例示分子鏈末端及/或分子鏈側鏈。本成分之聚合度通常為3,000~20,000，質量平均分子量為20×104以上。又，其25℃下之黏度為106mPa．s以上，其25℃下之威廉姆斯塑化度(JIS K 6249)為50以上，較佳為100以上，其性狀為生橡膠狀。
(I)成分可為均聚物亦可為共聚物，或亦可為該等聚合物之混合物。作為構成本成分之矽氧烷單元之具體例，可列舉：二甲基矽氧烷單元、甲基乙烯基矽氧烷單元、甲基苯基矽氧烷單元、及3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷單元。又，(A)成分之分子鏈末端較佳為經三有機矽烷氧基或羥基封端，作為存在於分子鏈末端之基，可例示：三甲基矽烷氧基、二甲基乙烯基矽烷氧基、甲基乙烯基羥基矽烷氧基、及二甲基羥基矽烷氧基。作為此種有機聚矽氧烷生橡膠，可列舉：兩末端二甲基乙烯基矽烷氧基封端二甲基矽氧烷-甲基乙烯基矽氧烷共聚物生橡膠、兩末端二甲基乙烯基矽烷氧基封端二甲基聚矽氧烷生橡膠、兩末端二甲基羥基矽烷氧基封端二甲基矽氧烷-甲基乙烯基矽氧烷共聚物生橡膠、及兩末端甲基乙烯基羥基矽烷氧基封端二甲基矽氧烷-甲基乙烯基矽氧烷共聚物生橡膠。
(J)成分之濕式法疏水化補強性二氧化矽發揮提高未硬化時及硬化後之機械強度之作用。又，發揮賦予與LED晶片等之間之接著性、尤其是接著耐久性之作用。此種(J)成分為包含選自由R3SiO1/2單元、 R2SiO2/2單元、RSiO3/2單元(式中，各R為甲基、乙基、及丙基等烷基；苯基等芳基中所例示之一價烴基)及該等之混合物所組成之群中之有機聚矽氧烷單元、及SiO4/2單元(其中，SiO4/2單元相對於上述有機聚矽氧烷單元之莫耳比為0.08~2.0)，且BET法比表面積為200m2/g以上之濕式法疏水化補強性二氧化矽。
(J)成分中所含之有機矽氧烷單元之量為足夠使補強性二氧化矽疏水化之量，較佳為相對於有機聚矽氧烷單元之SiO4/2單元之莫耳比處於0.08~2.0之範圍者。其原因在於，若莫耳比成為0.08以上，則對LED晶片之接著性能提高，另一方面，若為2.0以下，則補強性能明顯提高。又，為了提高未硬化時及硬化時之機械強度，其BET法比表面積必須為200m2/g以上，較佳為300m2/g以上，更佳為400m2/g以上。
(J)成分例如係藉由日本專利特公昭61-56255號公報或美國專利第4,418,165號公報中所揭示之方法而製造。(J)成分之調配量相對於(I)成分100質量份為30~150質量份，較佳為50~100質量份。
(K)成分之有機氫聚矽氧烷為(I)成分之交聯劑，係於一分子中具有至少2個矽原子鍵結氫原子之有機聚矽氧烷。作為該(K)成分之分子結構，可例示：直鏈狀、一部分具有支鏈之直鏈狀、支鏈狀、環狀、及網狀。又，作為(K)成分中之鍵結於矽原子之氫原子之鍵結位置，可例示分子鏈末端及/或分子鏈側鏈。又，作為(K)成分中之氫原子以外之鍵結於矽原子之基，可例示：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、及庚基等烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、蒽基、二甲苯基、及萘基等芳基；苄基、及苯乙基等芳烷基；以及氯甲基、3-氯丙基、及3,3,3-三氟丙基等鹵化烷基等經取代或未經取代之一價烴基。作為此種有機氫聚矽氧烷，可例示：兩末端三甲基矽烷氧基封端甲基氫聚矽氧烷、兩末端三甲基矽烷氧基封端二甲基矽氧烷-甲基氫 矽氧烷共聚物、兩末端二甲基苯基矽烷氧基封端甲基苯基矽氧烷-甲基氫矽氧烷共聚物、環狀甲基氫聚矽氧烷、及包含二甲基氫矽氧烷單元與SiO4/2單元之共聚物。
(K)成分之調配量為用以使本組合物硬化之足夠之量，關於調配量，相對於(I)成分之含烯基之有機聚矽氧烷生橡膠中之矽原子鍵結烯基1莫耳，矽原子鍵結氫原子較佳為成為0.5~10莫耳之範圍內之量，更佳為1~3莫耳之範圍內。其原因在於，於上述組合物中，相對於矽原子鍵結烯基1莫耳，若矽原子鍵結氫原子為該範圍之下限以上之莫耳數，則本組合物之硬化變得充分，另一方面，若為該範圍之上限以下之莫耳數，則本組合物之硬化物之耐熱性提高。具體而言，相對於(A)成分100質量份，較佳為0.1~10質量份，更佳為0.3~5質量份。
(L)成分之硬化劑係用於使該組合物硬化之觸媒或反應起始劑，可例示：鉑系觸媒、有機過氧化物、鉑系觸媒與有機過氧化物之混合物。作為鉑系觸媒，可例示：氯鉑酸、醇改性氯鉑酸、鉑之螯合化合物、氯鉑酸與烯烴類之配位化合物、氯鉑酸與二酮之錯合物、及氯鉑酸與二乙烯基四甲基二矽氧烷之錯合物等。作為有機過氧化物，可例示：苯甲醯基過氧化物、過氧化苯甲酸第三丁酯、鄰甲基苯甲醯基過氧化物、對甲基苯甲醯基過氧化物、間甲基苯甲醯基過氧化物、過氧化二異丙苯、及2,5-二甲基-2,5-二(過氧化第三丁基)己烷。
(L)成分之調配量為足夠使該組合物硬化之量，於使用鉑系觸媒時，相對於(I)成分100質量份，鉑系觸媒以鉑金屬量計較佳成為0.1~500ppm之範圍內之量，更佳為成為1~100ppm之範圍內之量。又，於使用有機過氧化物時，相對於(I)成分100質量份，有機過氧化物之量較佳為成為0.1~10質量份之量。
作為其他成分，為了提高接著性，可調配以具有巰基、胺基、乙烯基、烯丙基、己烯基、甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基、及縮水甘 油氧基等有機官能基之有機烷氧基矽烷或其部分水解縮合物作為主成分之接著促進劑。作為該接著促進劑，可例示：γ-巰基丙基三甲氧基矽烷、γ-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-(2-胺基乙基)胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷、乙烯基三(甲氧基乙氧基)矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、及γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷等有機烷氧基矽烷或其部分水解縮合物；該等有機烷氧基矽烷與偏苯三甲酸三烯丙酯、或均苯四甲酸四烯丙酯之反應產物；烷氧基矽烷與矽氧烷低聚物之反應物；該等烷氧基矽烷與烯丙基縮水甘油醚、丙烯酸縮水甘油酯、鄰苯二甲酸二烯丙酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、含烯基碳酸酯基之化合物、及含巰基乙酸酯基之化合物等反應性有機化合物之混合物。該等之中，可較佳地使用γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、該等之混合物、或該等之反應混合物。該接著促進劑之調配量相對於(I)成分之有機聚矽氧烷100質量份較佳為0.1~10質量份，更佳為0.3~5質量份。
只要不損及本發明之目的，則亦可於上述非熱熔型之硬化性聚矽氧組合物中，添加公知係添加調配於通常之聚矽氧橡膠組合物中之各種添加劑、例如其他無機填充劑、顏料、耐熱劑、及鉑系觸媒之硬化延遲劑等。作為此種添加劑，可例示：矽藻土、石英粉末、碳酸鈣、透明氧化鈦、及透明紅丹等，作為耐熱劑，可例示：稀土氧化物、鈰矽醇鹽、及鈰脂肪酸鹽等，又，作為硬化延遲劑，可例示：3-甲基-1-丁炔-3-醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、及苯基丁炔醇等乙炔醇化合物；3-甲基-3-戊烯-1-炔、及3,5-二甲基-3-己烯-1-炔等烯炔化合物；除此以外之肼化合物、膦類、硫醇類、苯并三唑、及甲基三(甲基異丁氧基)矽烷等。
上述非熱熔型之硬化性聚矽氧組合物亦可硬化成B-階段狀。上 述組合物之硬化度並無特別限定，可例示如不使上述組合物完全硬化，雖因溶劑而膨潤，但未完全溶解，而失去上述組合物流動性之狀態、即，如JIS K 6800中所定義之B-階段(熱硬化性樹脂之硬化中間物)之狀態。
上述非熱熔型之硬化性聚矽氧組合物可藉由利用雙輥研磨機、捏合機、及班伯里混練機等將上述成分混練調配而獲得。繼而，為了將所獲得之組合物加工為膜狀，可例示使其通過設置有特定之噴嘴之擠壓機而擠壓為膜狀，或使用砑光輥將其夾於聚烯烴膜或聚酯膜等有機樹脂膜間而使之成為均勻之膜狀，或藉由調整為40℃以下之壓製而成型為膜狀之方法。尤其是使用砑光輥積層於有機樹脂膜間而進行連續成型於生產效率方面較有效。以上述方式進行成型之膜狀聚矽氧密封材料可利用切割器或打孔器自長條輥卷狀物切割成所需之形狀而使用。
上述其他片材亦可為含有至少1種有機聚矽氧烷嵌段共聚物者。
上述有機聚矽氧烷嵌段共聚物中，較佳為具有40~90莫耳%之[R6 2SiO2/2]所表示之二矽烷氧基單元，具有10~60莫耳%之[R7SiO3/2]所表示之三矽烷氧基單元，具有0.5~2.5莫耳%之[≡SiOH]所表示之矽烷醇基
R6分別獨立為C1-C30之烴基，R7分別獨立為C1-C20之烴基，二矽烷氧基單元[R6 2SiO2/2]存在於平均具有10~400個二矽烷氧基單元[R6 2SiO2/2]之直鏈嵌段中，三矽烷氧基單元存在於具有至少500g/莫耳之分子量之非直鏈嵌段中，且各直鏈嵌段與至少1個非直鏈嵌段鍵結。
作為上述烴基，可列舉如上所述之一價烴基。
上述有機聚矽氧烷嵌段共聚物可具有20000g/莫耳以上之分子量。
包含上述有機聚矽氧烷嵌段共聚物之層之折射率較佳為1.5以上。
作為上述有機聚矽氧烷嵌段共聚物，例如可使用WO2012/040457、WO2012/040453、WO2012/040367、WO2012/040305、及WO2012/040302中所記載者，該等文獻之內容係作為參照而併入至本文中。
上述其他片材亦可為本發明之壓縮成形或積層用單層片材(以下，僅稱為「單層片材」)。於該情形時，本發明之積層體可具備2片以上之單層片材。各單層片材之組成可相同亦可不同。
上述其他片材可包含至少1種無機粒子及/或螢光體。作為無機粒子及/或螢光體，可使用如上所述者。因此，於積層體例如具備2層之情形時，於該層之任一層或兩層中可含有無機粒子及/或螢光體。
圖3係表示於支持片材1上依序積層有第1單層片材2及第2單層片材4之積層體之一例的概略剖面圖。於圖3所示之積層體之態樣中，第1單層片材2及第2單層片材4之任一者係對應於積層體中之「其他片材」。於圖3所示之態樣中，第1單層片材2不含無機粒子或螢光體(以下，有時稱為「透明層」)，但第2單層片材4包含無機粒子及/或螢光體(以下，有時一併稱為「螢光層」)。於圖3所示之態樣中，螢光層4較佳為與密封對象接觸。
圖4係表示於支持片材1上依序積層有第2單層片材4及第1單層片材2之積層體之一例的概略剖面圖。於圖4所示之積層體之態樣中，第1單層片材2及第2單層片材4之任一者亦對應於積層體中之「其他片材」。於圖4所示之態樣中，第1單層片材2亦不含無機粒子或螢光體，但第2單層片材4包含無機粒子及/或螢光體。於圖4所示之態樣中，透 明層2較佳為與密封對象接觸。
因此，圖3及圖4所示之態樣之積層體為包含透明層2及螢光層4之壓縮成形或積層用積層體。
使用圖3及圖4所示之態樣之積層體，例如於進行LED之密封之情形時，可將透明層2與螢光層4一體地壓縮成形或積層，因此可良好地控制螢光層4之厚度精度，又，透明層2與螢光層4之密接性良好。並且，於圖3所示之態樣之積層體中，例如，無需預先將螢光體貼附於LED之操作，又，於LED基板上之螢光層上可形成半球狀之透鏡或圓頂形狀之透明密封體。另一方面，於圖4所示之態樣之積層體中，可容易地製造存在於螢光層表面之半球狀之透鏡或圓頂形狀之透明密封體。
於圖3及圖4所示之態樣之積層體中，可將螢光層4設為均一層，亦可設為形成有特定之圖案之層。因此，圖3及圖4所示之態樣之積層體亦可為包含形成有透明層2及圖案之螢光層4的壓縮成形或積層用積層體。圖案之類型並無特別限定，可構成為於螢光層4之厚度方向之凹凸，又，亦可於螢光層4之表面之縱橫方向構成由直線或曲線適當地構成之圖案(圓環狀、格子狀、鋸齒狀等)。如此將螢光層4圖案化，藉此可防止於不需要之部分使用無機粒子及/或螢光體，而可抑制製造成本。
圖3所示之積層體可藉由如下方法而製造，即，於支持片材1上，塗佈本發明之組合物，例如將其加熱相對較短時間而使部分交聯，進而於其上塗佈於本發明之組合物中混合有上述無機粒子及/或螢光體之1種以上之混合物，例如將其加熱相對較短時間而使部分交聯。加熱溫度較佳為50~200℃，更佳為80~150℃。加熱時間為1~20分鐘，更佳為5~15分鐘。
圖4所示之積層體可藉由如下方法而製造，即，於支持片材1 上，塗佈於本發明之組合物中混合有上述無機粒子及/或螢光體之1種以上之混合物，例如將其加熱相對較短時間而使部分交聯，進而於其上塗佈本發明之組合物，例如將其加熱相對較短時間而使部分交聯。加熱溫度及加熱時間係如上所述。
圖5係表示於支持片材1上積層有折射率於厚度方向發生變化之單層片材5之積層體之一例的概略剖面圖。於圖5所示之積層體之態樣中，單層片材5之折射率於厚度方向發生變化。具體而言，隨著遠離支持片材1而折射率增高。因此，圖5所示之態樣之積層體為具備表面及背面之折射率不同之單層片材5的壓縮成形或積層用積層體。於圖5所示之態樣中，單層片材5較佳為與密封對象接觸。
圖6係表示於支持片材1上積層有包含無機粒子及/或螢光體3之單層片材5之積層體之一例的概略剖面圖。再者，無機粒子或螢光體3之大小係經誇大。單層片材5之折射率係隨著遠離支持片材1而增高。於圖6所示之態樣中，單層片材5亦較佳為與密封對象接觸。
於使用圖5及圖6所示之態樣之積層體，例如進行LED之密封之情形時，由於接近LED之密封體之折射率較高，且接近表面之密封體之折射率較小，因此LED之光提取效率優異。
圖5及圖6所示之態樣之積層體可藉由如下方法而製造，即，於變更組合物之組成後重複於支持片材1上，視需要相對較薄地塗佈於本發明之組合物中混合有上述無機粒子及/或螢光體之1種以上之混合物，例如進行短時間加熱而使部分交聯之步驟，從而形成單層片材5。加熱溫度較佳為50~200℃，更佳為80~150℃。加熱時間較佳為10秒鐘~5分鐘，更佳為30秒鐘~3分鐘。組合物之組成之變更只要為折射率增高之方向，則並無特別限定，例如可列舉使含苯基之有機聚矽氧烷中之苯基含量增大。於該情形時，可使單層片材5內之折射率之變化大致連續。又，例如，藉由使片材內之無機粒子之沈澱之程度 變化而形成片材，可使折射率之變化大致連續。本發明之片材可藉由塗佈、成型、印刷等而製作。
另一方面，可使用複數片副片材之積層體代替單層片材5。此時，以使副片材之折射率隨著遠離支持片材1而增高之方式積層有副片材。此種副片材可藉由視需要相對較厚地塗佈於本發明之組合物中混合有上述無機粒子及/或螢光體之1種以上之混合物，並稍延長上述加熱時間而獲得。於該情形時，積層體內之折射率之變化可為不連續。
圖7及圖8係表示於圖5所示之態樣上進而附加有螢光層4之例的概略剖面圖。圖7及圖8所示之態樣之積層體可分別藉由在圖5所示之態樣的積層體之製造之前及之後，追加形成螢光層4(包含無機粒子及/或螢光體之單層片材)之操作而獲得。
圖9係表示於支持片材1上積層有硬化物之硬度於厚度方向發生變化之單層片材6之積層體之一例的概略剖面圖。於圖9所示之積層體之態樣中，單層片材6之硬化物之硬度於厚度方向產生變化。具體而言，隨著遠離支持片材1，硬化物之硬度下降。因此，圖9所示之態樣之積層體為具備硬化後之表面及背面之硬度不同之單層片材6的壓縮成形或積層用積層體。於圖9所示之態樣中，單層片材6較佳為與密封對象接觸。
於使用圖9所示之態樣之積層體，例如進行LED等之密封之情形時，由於接近LED等之密封體之硬化後之硬度較低，且密封體之表面之硬度較高，因此LED等之密封體之長期可靠性優異，可防止或減少金屬線之斷裂或源自LED表面之密封材料之剝離，同時，可改善密封材料之表面黏性。
通常，較硬之密封體不耐熱應力，因長期使用而存在金屬線之斷裂、源自金屬線或LED晶片表面之密封體之剝離等問題，但於包含 圖9所示之積層體之密封體中，可使與LED等接觸之密封體之內側相對較軟，因此可解決該等問題。本發明之壓縮成形或積層用熱熔型硬化性聚矽氧組合物亦可較佳地用於倒裝晶片等不具有金屬線之結構之LED。
另一方面，藉由使密封體之外側更硬，可防止或減少由衝擊所導致之損傷、污物之附著等，又，可抑制氣體透過性。
圖9所示之態樣之積層體可藉由如下方法而製造，即，於變更組合物之組成後重複於支持片材1上，相對較薄地塗佈於本發明之組合物中視需要混合有上述無機粒子及/或螢光體之1種以上之混合物，例如進行短時間加熱而使部分交聯之步驟，從而形成單層片材6。加熱溫度較佳為50~200℃，更佳為80~150℃。加熱時間較佳為10秒鐘~5分鐘，更佳為30秒鐘~3分鐘。組合物之組成之變更只要為硬度下降之方向，則並無特別限定，例如可列舉含苯基之有機聚矽氧烷中之烯基及/或矽原子氫原子之含量之減少等。於該情形時，單層片材6之硬化物內之硬度之變化可為大致連續。
另一方面，可使用複數片副片材之積層體代替單層片材6。於該情形時，以使副片材之硬化物之硬度隨著遠離支持片材1而下降之方式積層有副片材。此種副片材可藉由相對較厚地塗佈於本發明之組合物中視需要混合有上述無機粒子及/或螢光體之1種以上之混合物，並稍延長上述加熱時間而獲得。於該情形時，積層體之硬化物內之硬度之變化可為不連續。
圖10係表示於圖9所示之態樣上進而附加有螢光層4之例的概略剖面圖。圖10所示之態樣之積層體可藉由在圖9所示之態樣之積層體之製造前，追加於支持片材1上形成螢光層4(包含無機粒子及/或螢光體之單層片材)之操作而獲得。
除圖5~10所示之態樣以外，亦可使包含本發明之組合物之片材 之組成於片材的厚度方向連續或不連續地變化，而使片材之物性於片材之表面與背面不同。組成之變化例如可藉由使選自(A)~(H)成分之分子結構、分子量或調配量、矽原子鍵結氫原子/矽原子鍵結烯基之莫耳比等之至少1者於片材的厚度方向變化而實施。
藉此，例如，於本發明之積層體中，選自各層之折射率、硬度、光透過率、水蒸氣透過率、熱導率、熱膨脹率、表面黏性、彈性模數及硬化速度中之至少一種物性可相互不同。
又，構成本發明之積層體之至少1層可具有特定之圖案。圖案之類型並無特別限定，可構成向層之厚度方向之凹凸，又，可於層之表面之縱橫方向構成由直線或曲線適當地構成之圖案(圓環狀、格子狀、鋸齒狀等)。
並且，本發明之積層體之表面可為粗面。粗面之類型並無特別限定，例如，亦可於表面形成特定之深度及高度之凹凸。上述凹凸例如可藉由在本發明之積層體之表面載置具有特定形狀之凹凸的金屬製等之剛性物體，將本發明之積層體及/或該剛性物體加熱，將該形狀轉印而形成。
圖11係表示於圖3所示之態樣上進而附加有另一螢光層7之例的概略剖面圖。因此，圖11所示之態樣之積層體為包含複數層不同之螢光層的壓縮成形或積層用積層體。圖11所示之態樣之積層體可藉由在圖3所示之態樣的積層體之製造後，追加於螢光層4上形成螢光層7(包含其他無機粒子及/或其他螢光體之單層片材)之操作而獲得。
於圖11所示之態樣之積層體中，螢光層4及螢光層7中所含之螢光體之種類不同。例如，螢光層4可使用發出黃色之螢光之黃色螢光體，螢光層7可使用發出紅色之螢光之紅色螢光體。如此，藉由將複數種顏色組合，可更容易地調整發光色，且可提高色彩再現性。並且，與塗佈包含不同種類之螢光體之複數種液體之情況不同，即便使 螢光層4及螢光層7接觸螢光體亦不會混合。又，於自LED發出藍色光之情形時，藉由螢光層4之作用，該藍色光成為白色光，因此可減少由藍色光所導致之對螢光層7之紅色螢光體之損害。又，例如，藉由設為如使含有紅色螢光體之層遠離LED，且使含有黃色或綠色螢光體之層與LED接觸之結構，可抑制由紅色螢光體所導致之黃色、綠色之光吸收。
如此，本發明之積層體可包含含有相互不同之螢光體之2層以上之層。上述螢光體較佳為選自黃色發光螢光體、紅色發光螢光體、綠色發光螢光體及該等之混合物。
本發明亦關於一種具備上述組合物或上述壓縮成形或積層用單層片材或積層體之硬化物、且該硬化物包含半導體元件之半導體器件。上述硬化物可作為上述半導體元件之密封體而發揮作用。即，本發明亦關於一種使用本發明之組合物或積層體而被密封之半導體器件。
作為上述半導體元件，例如可列舉：矽半導體、鎵磷系半導體、鎵砷系半導體、鎵氮化物系半導體等。上述硬化物對該等之初始接著性、接著耐久性優異，尤其是於承受冷熱循環時之接著耐久性優異。
上述半導體元件亦可為光半導體元件。作為光半導體元件，具體而言，可例示：發光二極體(LED)、半導體雷射、光電二極體、光電晶體、固態攝像、光電耦合器用發光體與受光體，尤佳為發光二極體(LED)。
本發明之經密封之半導體器件可經過使用本發明之組合物或壓縮成形或積層用單層片材或積層體進行壓縮成形或積層之步驟而製造。例如可經過如下步驟而製造，即，以使本發明之組合物或壓縮成形或積層用單層片材側與半導體元件對向之方式配置本發明之組合物 或壓縮成形或積層用單層片材或積層體，並進行壓縮成形或積層。或者，可藉由如下方法而製造，即，視需要以使本發明之組合物或壓縮成形或積層用單層片材側與半導體元件對向之方式，將本發明之組合物或壓縮成形或積層用單層片材或積層體積層於半導體元件，其後，使用具有特定形狀之模穴之模具而進行壓縮成形。
以下，對本發明之半導體器件之製造製程之一例，一面參照圖式一面進行說明。
圖12係表示本發明之密封對象之一例的概略剖面圖，表示於基板8上藉由模具接合劑等安裝有LED晶片9，並藉由金屬線10將形成於基板8之表面之電路或外部引線(均未圖示)與LED晶片9連接之密封前的光學器件。
上述基板只要具備耐熱性，則並無特別限定，作為基板之材質，例如可例示：銀、金、銅、鋁、鎳等金屬；矽等半導體；耐熱玻璃等玻璃；具有高熔點之熱塑性樹脂；環氧樹脂、BT(Bismaleimide Triazine，雙馬來醯亞胺三)樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚矽氧樹脂等熱硬化性樹脂；氧化鋁、氮化氧化鋁等陶瓷；或該等之複合體。
首先，如圖13所示，根據壓縮成形機之模具11之凹狀模穴11a的位置設置安裝有LED晶片9之基板8。繼而，以使單層片材2側與LED晶片9對向之方式配置包含支持片材1及光學上透明之單層片材2之圖1所示之態樣的本發明之壓縮成形或積層用積層體。圖13中，為了便於說明，雖於本發明之壓縮成形或積層用積層體與LED晶片9之間存在空間，但亦可將本發明之壓縮成形或積層用積層體直接載置於LED晶片9上。又，於將本發明之壓縮成形或積層用之單層體或積層體壓縮成形或積層時，於加工裝置與本發明之組合物之間亦可存在用於防止組合物之附著之脫模膜。
又，視需要亦可於基板8之LED晶片9側藉由真空積層法等預先積 層本發明之壓縮成形或積層用積層體，並使兩者一體化。
繼而，於自本發明之壓縮成形或積層用積層體將支持片材1剝離而去除後，如圖14所示，使模具11朝向基板8而以特定之壓力按壓，進行單層片材2之壓縮成形。藉此，單層片材2經加熱而熔融，而於包圍LED晶片9之狀態下被填充至模穴11a中，從而形成半球狀之透鏡或圓頂形狀之密封體。並且，密封體因熱產生硬化而成為硬化物。於本發明中，由於單層片材2因加熱產生熔融而進行液狀化，因此即便為包含金屬線10等之複雜之結構之半導體元件，亦可於各處進行密封，又，可避免金屬線10之斷裂等。模具11之壓縮力及時間可根據基板8、LED晶片9、積層體等之類型而適當地設定，例如可分別設為0.01~100kgf/cm2，較佳可設為0.1~10kgf/cm2，以及可設為3~30分鐘，較佳可設為5~15分鐘。又，壓縮成形溫度亦可根據基板8、LED晶片9、積層體等之類型而適當地設定，例如可設為50~200℃，較佳可設為100~150℃。
然後，結束模具11之向基板8之按壓，使模具11與基板8分離，藉此自模穴11a中取出硬化後之密封體2，而可獲得密封有圖15所示之狀態之LED晶片之光學器件。於該例中，由於使用光學上透明之單層片材2，因此可獲得光學上透明之密封體2。
於圖15所示之例中，由於模穴11a之形狀為半球狀，因此密封體2之形狀為半球狀之透鏡或圓頂。藉此，可控制源自LED晶片9之光之出射方向，或抑制正面亮度過度增高，而可發揮優異之光學特性。密封體2與基板8之接觸角較佳為60°以上，更佳為70°以上，進而較佳為80°以上，尤佳為85~90°。
其中，密封體2視需要可設為菲涅耳形狀、凹透鏡形狀、半球狀之透鏡或圓頂以外之凸透鏡形狀、於表面具有凹凸之形狀、平面形狀等任意形狀。該等形狀可根據壓縮成形裝置之模穴或貼合機之輥或抵 壓面之任意形狀而形成。又，於該等密封體2所示之透鏡形狀等與LED基板之間亦可存在包含本發明之組合物的層。
以上述方式獲得之密封體2視需要例如亦可於100~200℃、較佳為140~180℃下進行二次硬化(後熱處理)。
於上述例中，使用圖1所示之態樣之本發明之壓縮成形或積層用積層體，但亦可同樣地使用圖2~圖11所示之其他態樣之本發明之壓縮成形或積層用積層體。
圖16~圖17係表示使用圖4所示之態樣之本發明之壓縮成形或積層用積層體之半導體器件之製造例的概略剖面圖。
首先，如圖16所示，根據壓縮成形機之模具11之凹狀模穴之位置設置安裝有LED晶片9、且藉由金屬線10與省略圖示之電路連接的基板8。繼而，以使單層片材2側與LED晶片9對向之方式，配置包含支持片材1、螢光層4及光學上透明之單層片材2之圖4所示之態樣的本發明之壓縮成形或積層用積層體。圖16中，為了便於說明，雖於本發明之壓縮成形或積層用積層體與LED晶片9之間存在空間，但可將本發明之壓縮成形或積層用積層體直接載置於LED晶片9上。
又，視需要亦可藉由真空積層法等於基板8之LED晶片9側預先積層本發明之壓縮成形或積層用積層體，並使兩者一體化。
繼而，於自本發明之壓縮成形或積層用積層體將支持片材1剝離而去除後，如圖17所示，使模具11朝向基板8並以特定之壓力按壓而進行單層片材2及螢光層4之壓縮成形。藉此，單層片材2及螢光層4經加熱而熔融，於包圍LED晶片9之狀態下被填充至模穴內，而形成半球狀之透鏡或圓頂形狀之密封體。並且，密封體因熱產生硬化而成為硬化物。於本發明中，單層片材2及螢光層4因加熱產生熔融而進行軟化、液狀化，因此即便為包含金屬線10等之複雜之結構之半導體元件，亦可於各處進行密封，而可避免金屬線10之斷裂等。模具11之壓 縮力及溫度可根據基板8、LED晶片9、積層體等之類型而適當地設定。
然後，結束模具11之向基板8之按壓，並使模具11與基板8分離，藉此自模穴中取出硬化後之密封體2，而可獲得圖18所示之狀態之密封有LED晶片9之光學器件。於該例中，由於使用光學上透明之單層片材2及螢光層4之積層體，因此可獲得於光學上透明之密封體2之表面具備螢光層4之光學器件。
再者，於圖12~18所示之態樣中，本發明之壓縮成形或積層用單層片材或積層體之尺寸較佳為小於基板8的尺寸。此處，所謂尺寸，通常係指「面積」。藉此，可防止或減少樹脂自壓縮成形時之模穴漏出。
又，於圖12~18所示之態樣中，本發明之壓縮成形或積層用單層片材之厚度較佳為小於模具11之模穴的最大高度。藉此，可防止或減少樹脂自壓縮成形時之模穴之漏出，又，可抑制片材之使用量。
並且，於圖12~18所示之態樣中，本發明之壓縮成形或積層用積層體中之支持片材1之尺寸亦可大於單層片材2及/或螢光層4的尺寸。藉此，無需進行於支持片材1之整個面塗佈脫模劑等之處理，而可減少製造成本。
[實施例]
以下，關於本發明，列舉實施例進行說明，但本發明並不受該等限定。
[實施例1]
添加平均單元式：(MeViSiO2/2)0.25(Ph2SiO2/2)0.3(PhSiO3/2)0.45所表示之甲基乙烯基聚矽氧烷75質量份、式：(HMe2SiO)2SiPh2所表示之三矽氧烷25質量份、(ViMe2SiO(MePhSiO)17.5SiViMe2所表示之甲基苯基聚矽氧烷10質量份、鉑之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷 之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷溶液(鉑金屬相對於組合物總量以質量單元計成為40ppm之量)及乙炔基己醇(相對於組合物總量以質量單元計成為600ppm之量)並均勻地混合，而製備25℃之黏度為8,630mPa．s之液狀矽氫化硬化性聚矽氧組合物1。將所獲得之聚矽氧組合物1澆注至1cm厚之模具中，藉由壓製於100℃下進行30分鐘加熱，冷卻後，測定25℃下之A型硬度，結果為68。又，對所獲得之聚矽氧組合物1藉由熱壓於100℃下進行30分鐘加熱，而獲得1mm厚之透明片材1。藉由130℃下之MDR(Moving DieRheometer)測定透明片材1之最低轉矩值，結果為0.01dN．m。
[實施例2]
添加平均單元式：(MeViSiO2/2)0.25(Ph2SiO2/2)0.3(PhSiO3/2)0.45所表示之甲基乙烯基聚矽氧烷37.5質量份、(Me2ViSiO3/2)0.2(PhSiO3/2)0.8所表示之甲基乙烯基苯基聚矽氧烷40質量份、式：(HMe2SiO)2SiPh2所表示之三矽氧烷22.5質量份、ViMe2SiO(MePhSiO)17.5SiViMe2所表示之甲基苯基聚矽氧烷10質量份、鉑之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷溶液(鉑金屬相對於組合物總量以質量單元計成為40ppm之量)及乙炔基己醇(相對於組合物總量以質量單元計成為600ppm之量)並均勻地混合，而製備25℃之黏度為17,090mPa．s之液狀矽氫化硬化性聚矽氧組合物2。將所獲得之聚矽氧組合物2澆注至1cm厚之模具中，藉由壓製於100℃下進行加熱15分鐘，冷卻後，測定25℃下之A型硬度，結果為55。又，對所獲得之聚矽氧組合物2藉由熱壓於100℃下進行30分鐘加熱，而獲得1mm厚之透明片材2。藉由130℃下之MDR(Moving DieRheometer)測定透明片材2之最低轉矩值，結果為0.02dN．m。
[實施例3]
將透明片材1與藉由打線接合而電性連接之LED保持基板一併設 置於具備具有圓頂形狀之模穴之模具的壓縮成形裝置之該模穴相當位置。繼而，於130℃下進行5分鐘壓縮成形，使片材熔融、硬化而將LED密封，從而獲得具有如圖15所示之剖面形狀之具有圓頂形狀之透明密封體的LED器件。
[實施例4]
將透明片材2與具備藉由打線接合而電性連接之LED保持基板一併設置於具有圓頂形狀之模穴之模具的壓縮成形裝置之該模穴相當位置。繼而，於130℃下進行5分鐘壓縮成形，使片材熔融、硬化而將LED密封，進而於150℃下進行1小時加熱，而獲得具有如圖15所示之剖面形狀之具有圓頂形狀之透明密封體的LED器件。
[實施例5]
於實施例1中所製備之液狀矽氫化硬化性聚矽氧組合物1中，以該組合物整體之質量作為基準以成為5質量%之濃度之方式混合YAG系黃色螢光體(NYAG4454，Intematix公司製造)，而獲得含黃色螢光體之液狀聚矽氧組合物。將以上述方式獲得之含黃色螢光體之液狀聚矽氧組合物藉由熱壓於110℃下加熱15分鐘，而獲得1mm厚之螢光體片材1。並且，將所獲得之螢光體片材1與具備藉由打線接合而電性連接之LED保持基板一併設置於具有圓頂形狀之模穴之模具的壓縮成形裝置之該模穴相當位置。繼而，於130℃下進行5分鐘壓縮成形，使片材熔融、硬化而將LED密封，進而於150℃下進行1小時加熱，而獲得具有如圖15所示之剖面形狀之具有圓頂形狀之黃色螢光體密封成型物的LED器件。
[實施例6]
於實施例1中所製備之液狀矽氫化硬化性聚矽氧組合物1中，以該組合物整體之質量作為基準以成為8質量%之濃度之方式混合YAG系黃色螢光體(NYAG4454，Intematix公司製造)，而獲得含黃色螢光 體之液狀聚矽氧組合物。將以上述方式獲得之含黃色螢光體之液狀聚矽氧組合物藉由熱壓於120℃下加熱15分鐘，而獲得300μm厚之螢光體片材2。並且，將所獲得之螢光體片材2積層於實施例1中所製作之1mm厚之透明片材1上而獲得積層片材1。
[實施例7]
於實施例1中所製備之液狀矽氫化硬化性聚矽氧組合物1中，以該組合物整體之質量作為基準以成為50質量%之濃度之方式混合YAG系黃色螢光體(NYAG4454，Intematix公司製造)，而獲得含黃色螢光體之液狀聚矽氧組合物。將以上述方式獲得之含黃色螢光體之液狀聚矽氧組合物藉由熱壓於120℃下加熱15分鐘，而獲得60μm厚之螢光體片材3。並且，將所獲得之螢光體片材3積層於實施例1中所製作之1mm厚之透明片材1上而獲得積層片材2。
[實施例8]
將藉由打線接合而電性連接之LED保持基板設置於具備具有圓頂形狀之模穴之模具的壓縮成形裝置之該模穴相當位置。並且，以使螢光體片材2朝向LED側之方式將積層片材1供給至上述模穴相當位置。繼而，於130℃下進行5分鐘壓縮成形，使積層片材1熔融、硬化而將LED密封，進而於150℃下進行1小時加熱，而獲得具有圓頂形狀之透明密封體之LED器件。如圖19所示，確認到源自螢光體片材2之螢光層無空隙地覆蓋LED及電極，且源自透明片材1之圓頂形狀之透明密封體形成於螢光層之上。利用光學顯微鏡觀察經密封之LED附近之LED器件剖面，結果於透明密封體與螢光層之間，未觀察到螢光體之混合。
[實施例9]
將藉由打線接合而電性連接之LED保持基板設置於具備具有圓頂形狀之模穴之模具的壓縮成形裝置之該模穴相當位置。並且，以使螢 光體片材3朝向LED側之方式，將積層片材2供給至上述模穴相當位置。繼而，於130℃下進行5分鐘壓縮成形，使積層片材2熔融、硬化而將LED密封，進而於150℃下進行1小時加熱，而獲得具有圓頂形狀之透明密封體之LED器件。確認到源自螢光體片材3之螢光層無空隙地覆蓋LED及電極，且源自透明片材2之圓頂形狀之透明密封體形成於螢光層之上。利用光學顯微鏡觀察經密封之LED附近之LED器件剖面，結果如圖20所示，於透明密封體與螢光層之間，未觀察到螢光體之混合。
[實施例10]
對實施例6中所製作之積層片材1，以使螢光體片材2朝向與LED為相反側之方式將積層片材1供給至上述模穴相當位置，除此以外，重複實施例8之操作，而獲得具有圓頂狀之密封體之LED器件。如圖18所示，確認到源自透明片材1之圓頂形狀之透明密封體及透明層無空隙地覆蓋LED及電極，又，透明密封體及透明層之表面經源自螢光體片材2之螢光層被覆。利用光學顯微鏡觀察經密封之LED附近之LED器件剖面，結果於透明密封體及透明層與螢光層之間，未觀察到螢光體之混合。
[實施例11]
對實施例7中所製作之積層片材2，以使螢光體片材3朝向與LED為相反側之方式將積層片材2供給至上述模穴相當位置，除此以外，重複實施例9之操作，而獲得具有圓頂狀之密封體之LED器件。如圖18所示，確認到源自透明片材1之圓頂形狀之透明密封體及透明層無空隙地覆蓋LED及電極，又，透明密封體及透明層之表面經源自螢光體片材3之螢光層被覆。利用光學顯微鏡觀察經密封之LED附近之LED器件剖面，結果於透明密封體及透明層與螢光層之間，未觀察到螢光體之混合。
[實施例12]
於實施例2中所製備之液狀矽氫化硬化性聚矽氧組合物2中，以該組合物整體之質量作為基準以成為40質量%之濃度之方式將矽酸鹽系綠色螢光體(EG3261，Intematix公司製造)混合，而獲得含綠色螢光體之液狀聚矽氧組合物。將以上述方式獲得之含綠色螢光體之液狀聚矽氧組合物藉由熱壓於110℃下加熱15分鐘，而獲得60μm厚之綠色螢光體片材。
另一方面，於實施例2中所製備之液狀矽氫化硬化性聚矽氧組合物2中，以該組合物整體之質量作為基準以成為10質量%之濃度之方式將氮化物系紅色螢光體(R6535，Intematix公司製造)混合，而獲得含紅色螢光體之液狀聚矽氧組合物。將以上述方式獲得之含紅色螢光體之液狀聚矽氧組合物藉由熱壓於110℃下加熱15分鐘，而獲得60μm厚之紅色螢光體片材。
將所獲得之紅色螢光體片材積層於實施例4中所製作之1mm厚之透明片材2，進而，於該紅色螢光體片材之上，進而積層所獲得之綠色螢光體片材，而獲得積層片材3。
並且，將所獲得之積層片材3與藉由打線接合而電性連接之LED保持基板一併設置於具備具有圓頂形狀之模穴之模具的壓縮成形裝置之該模穴位置，以使綠色螢光體片材朝向與LED為相反側之方式設置積層片材3。繼而，於130℃下進行5分鐘壓縮成形，使片材熔融、硬化而將LED密封，進而於150℃下進行1小時加熱，而獲得具有圓頂形狀之密封體之LED器件。確認到源自透明片材2之圓頂形狀之透明密封體及透明層無間隙地覆蓋LED及電極，且圓頂表面經紅及綠之各螢光體片材層被覆。利用光學顯微鏡觀察經密封之LED附近之LED器件剖面，結果於透明密封體及透明層、綠色螢光體片材、以及紅色螢光體之間，未觀察到螢光體之混合。
[實施例13]
將實施例7中所製作之螢光體片材2之一部分裁切為線狀或四角形之形狀，而獲得螢光體片材4。將線狀(參照圖21)或四角形(參照圖22)之形狀之螢光體片材4積層於實施例3中所製作之透明片材1，而獲得部分地積層有螢光體片材4之積層片材。以使螢光體片材4朝向LED側之方式，將積層片材供給至上述模穴相當位置，除此以外，重複實施例9之操作，而獲得具有圓頂狀之密封體之LED器件(圖21及圖22)。確認到源自透明片材1之圓頂形狀之透明密封體覆蓋部分地積層之螢光體片材4之上。利用光學顯微鏡觀察密封體之剖面，結果於透明密封體與螢光體片材4之間，未觀察到螢光體之混合。
[實施例14]
將實施例2中所獲得之液狀矽氫化硬化性聚矽氧組合物2藉由熱壓於110℃下加熱15分鐘，而獲得1mm厚之透明片材3。並且，將所獲得之透明片材3與藉由打線接合而電性連接之LED保持基板一併設置於真空加熱貼合裝置中。繼而，於130℃下進行1分鐘真空脫氣，於大氣壓下進行5分鐘加熱，使片材熔融、硬化而將LED密封，進而於150℃下進行1小時加熱，而獲得具有平坦之形狀之密封體之LED器件。
[實施例15]
於實施例2中所製備之液狀矽氫化硬化性聚矽氧組合物2中，以該組合物整體之質量作為基準以成為50質量%之濃度之方式混合YAG系黃色螢光體(NYAG4454，Intematix公司製造)，而獲得含黃色螢光體之液狀聚矽氧組合物。將以上述方式獲得之含黃色螢光體之液狀聚矽氧組合物藉由熱壓於120℃下加熱15分鐘，而獲得60μm厚之螢光體片材5。並且，將實施例14中所獲得之1mm厚之透明片材3與螢光體片材5貼合，而製作積層片材4。並且，將所獲得之積層片材4與藉由 打線接合而電性連接之LED保持基板一併設置於真空加熱貼合裝置中。繼而，於130℃下進行1分鐘真空脫氣，於大氣壓下進行5分鐘加熱，使片材熔融、硬化而將LED密封，進而於150℃下進行1小時加熱，而獲得具有平坦之形狀之密封體之LED器件。
[參考例1](濕式法疏水化補強性二氧化矽之合成)
使八甲基環四矽氧烷277g、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷4.6g、甲基三甲氧基矽烷517g及作為觸媒之氫氧化鉀0.43g於105℃之溫度下反應約2小時，而製造包含進行了開環與重排之有機聚矽氧烷之疏水化劑。再者，氫氧化鉀係利用二氧化碳進行中和。對所獲得之有機聚矽氧烷進行分析，結果得知，其為含有甲基乙烯基矽烷氧基0.7莫耳%之直鏈狀有機聚矽氧烷。
繼而，使用上述中所獲得之疏水化劑而如下所述般合成濕式法疏水化補強性二氧化矽。即，於玻璃製反應容器中投入甲醇118g、濃氨水32g及上述中所獲得之疏水化劑39g，利用電磁攪拌均勻地混合。繼而，一面遽烈攪拌該混合物，一面於其中一次添加正矽酸甲酯96g。反應產物於15秒後呈凝膠狀，中止攪拌。直接於密閉下於室溫下放置1週進行熟化，而獲得濕式法疏水化補強性二氧化矽之分散液。自該二氧化矽分散液中去除甲醇與氨氣，而製造濕式法疏水化補強性二氧化矽。對該濕式法疏水化補強性二氧化矽之BET法比表面積進行測定，結果為540m2/g。
[參考例2](熱硬化性膜狀聚矽氧密封材料之製備)
於強力混合機中，投入包含二甲基矽氧烷單元99.63莫耳%與甲基乙烯基矽氧烷單元0.37莫耳%且分子鏈兩末端經二甲基乙烯基矽烷氧基封端之二甲基矽氧烷-甲基乙烯基矽氧烷共聚物生橡膠(聚合度：4,000)100質量份、及上述中所製造之BET法比表面積540m2/g之濕式法疏水化補強性二氧化矽75質量份，於180℃下進行60分鐘混練。冷 卻後，於所獲得之聚矽氧橡膠基質中，以25℃下之黏度為7mPa．s之分子鏈末端三甲基矽烷氧基封端甲基氫聚矽氧烷(矽原子鍵結氫原子含量：1.5質量%)3.0質量份、及以鉑金屬量計成為10ppm之量之氯鉑酸與1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷的錯合物進行混合，而獲得透明之熱硬化性聚矽氧橡膠組合物。使該組合物通過砑光輥而獲得厚度1mm之透明片材4。
[實施例16]
進而藉由壓製將透明片材4壓縮成300μm厚，而獲得透明片材5。透明片材5之折射率於25℃下為1.41。繼而，將透明片材5積層於透明片材3，而獲得積層片材5。再者，透明片材3之折射率於25℃下為1.55。
並且，將所獲得之積層片材5與具備藉由打線接合而電性連接之LED保持基板一併設置於具有圓頂形狀之模穴之模具的壓縮成形裝置之該模穴相當位置。於設置積層片材5時，以使高折射率之透明片材3朝向LED側、且低折射率之透明片材5朝向與LED為相反側之方式設置積層片材5。繼而，於130℃下進行5分鐘壓縮成形，使片材熔融、硬化而將LED密封，進而於150℃下進行1小時加熱，而獲得具有圓頂形狀之密封體之LED器件。
[實施例17]
於150℃下進行一小時硬化後之透明片材4及透明片材5之A型硬度為A70。另一方面，於150℃下進行一小時硬化後之透明片材3之蕭氏D硬度為D74。
於在150℃下進行一小時硬化後之透明片材3及透明片材4上，撒布住友3M股份有限公司製造之Dyneon(註冊商標)TF微細粉末TF9205(平均粒徑8μm)。其後，對附著於聚矽氧硬化物之粉末進行鼓風而吹飛多餘之粉末，利用光學顯微鏡觀察殘存之粉末之附著狀況。 其結果為，於透明片材3之表面未出現粉末之附著，而確認到表面黏性較低。於透明片材4之表面出現粉末之附著，而確認到表面黏性較強。
將積層片材5與藉由打線接合而電性連接之LED保持基板一併設置於具備具有圓頂形狀之模穴之模具的壓縮成形裝置之該模穴相當位置。於設置積層片材5時，以使硬化後之特性為低硬度且表面黏性較高之透明片材5朝向LED側、且使硬化後之特性為高硬度且表面黏性較低之透明片材3朝向與LED為相反側之方式設置積層片材5。繼而，於130℃下進行5分鐘壓縮成形，使片材熔融、硬化而將LED密封，進而於150℃下進行1小時加熱，而獲得具有圓頂形狀之密封體之LED器件。
[實施例18]
將20質量份之氧化鈦粒子與50質量份之粉碎二氧化矽粒子混合於實施例2中所製備的30質量份之矽氫化硬化性聚矽氧組合物2中，而獲得白色聚矽氧組合物1。使用60μm厚之模具，將所獲得之白色聚矽氧組合物1於120℃下加熱15分鐘，而獲得60μm厚之白色片材1。於所獲得之白色片材上衝壓出圓形之孔，於實施例14中所製作之透明片材3上藉由層壓而進行積層，而獲得具有衝壓出圓形之孔之白色片材1之積層片材6。
並且，將所獲得之積層片材6與藉由打線接合而電性連接之LED保持基板一併設置於具備具有圓頂形狀之模穴之模具的壓縮成形裝置之該模穴相當位置。於設置積層片材6時，以使白色片材1與LED保持基板接觸，且將透明片材3配置於與LED保持基板為相反之空氣面側之方式設置積層片材6。繼而，於130℃下進行5分鐘壓縮成形，使片材熔融、硬化而將LED密封，進而於150℃下進行1小時加熱，如圖23所示，獲得具有如包圍圓頂形狀之密封體與LED部位之圖案的白色層 之LED器件。
[實施例19](A階段材料)
使平均單元式：(MeViSiO2/2)0.10(Me2SiO2/2)0.15(PhSiO3/2)0.75
所表示之於25℃下為固體狀之有機聚矽氧烷43質量份與平均單元式：(Me2HSiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.40
所表示之於25℃下為液狀之有機聚矽氧烷7質量份溶解於50質量份的甲苯中。添加鉑之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷溶液(鉑金屬相對於組合物總量以質量單元計成為5ppm之量)及1,3-雙(二苯基膦)丙烷0.001質量份，混合後，藉由旋轉蒸發器於60℃下去除甲苯，藉此製備液狀之矽氫化硬化性聚矽氧組合物3。藉由100℃壓製將所獲得之液狀矽氫化硬化性聚矽氧組合物3壓縮，而獲得1mm厚之透明片材6。
[實施例20](2步驟之甲基聚矽氧材料)
使平均單元式：(Me2ViSiO1/2)0.08(Me3SiO1/2)0.44(SiO4/2)0.52
所表示之於25℃下為固體狀之有機聚矽氧烷35質量份、平均式：Me2ViSiO(SiMe2O)80SiMe2Vi
所表示之於25℃下為液狀之有機聚矽氧烷11質量份、及平均式：Me2HSiO(SiMe2O)30SiMe2H
所表示之於25℃下為液狀之有機聚矽氧烷4質量份溶解於50質量份的二甲苯中。添加鉑之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷溶液(鉑金屬相對於組合物總量以質量單元計成為5ppm之量)，於燒瓶中於100℃下進行6小時加熱。藉由 FT-IR(Fourier Transform Infrared Radiation，傅立葉轉換紅外光譜)未檢測到矽原子鍵結氫原子，確認到矽氫化反應之進行。於所獲得之溶液中，添加平均式：Me3SiO(SiMeHO)20SiMe3
所表示之於25℃下為液狀之有機聚矽氧烷4質量份與乙炔基己醇(相對於組合物總量以質量單元計成為1000ppm之量)，進行混合後，藉由旋轉蒸發器於80℃下去除二甲苯，藉此製備矽氫化硬化性聚矽氧組合物4。藉由100℃壓製將該矽氫化硬化性聚矽氧組合物4壓縮，而獲得1mm厚之透明片材7。
[實施例21](2步驟之苯基聚矽氧材料)
使平均單元式：(Me2ViSiO1/2)0.25(PhSiO3/2)0.75
所表示之於25℃下為固體狀之有機聚矽氧烷43質量份與於25℃下為液狀之1,1,5,5-四甲基-3,3-二苯基三矽氧烷7質量份溶解於50質量份的甲苯中。添加鉑之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷溶液(鉑金屬相對於組合物總量以質量單元計成為5ppm之量)，於燒瓶中於100℃下進行6小時加熱。藉由FT-IR未檢測到矽原子鍵結氫原子，確認到矽氫化反應之進行。於所獲得之溶液中，添加平均單元式：(Me2HSiO1/2)0.60(PhSiO3/2)0.40
所表示之於25℃下為液狀之有機聚矽氧烷6質量份與乙炔基己醇(相對於組合物總量以質量單元計成為1000ppm之量)，進行混合後，藉由旋轉蒸發器於80℃下去除甲苯，藉此製備矽氫化硬化性聚矽氧組合物5。藉由100℃壓製將該矽氫化硬化性聚矽氧組合物5壓縮，而獲得1mm厚之透明片材8。
[實施例22]
藉由輥式積層於室溫下將實施例19中所製備之透明片材6與1mm厚之透明片材4貼合，而獲得積層片材7。並且，將所獲得之積層片材7與藉由打線接合而電性連接之LED保持基板一併設置於輥式加熱貼合裝置中。繼而，一面於100℃下使片材熔融、熱壓接，一面藉由積層於LED保持基板上將積層片材7密封。於積層處理時，以使透明片材6朝向LED側之方式進行處理。於積層處理後，將壓接有積層片材7之LED保持基板設置於具備具有圓頂形狀之模穴之模具的壓縮成形裝置中。繼而，藉由於25℃下進行30秒鐘壓縮成形使之加壓變形，藉此製作圓頂形狀，進而於150℃下進行1小時加熱而獲得具有圓頂形狀之密封體之LED器件。
[實施例23]
藉由輥式積層於室溫下將實施例20中所製備之透明片材7與1mm厚之透明片材4貼合，而獲得積層片材8。並且，將所獲得之積層片材8與藉由打線接合而電性連接之LED保持基板一併設置於輥式加熱貼合裝置中。繼而，一面於100℃下使片材熔融、熱壓接，一面藉由積層於LED保持基板上將積層片材8密封。於積層處理時，以使透明片材7朝向LED側之方式進行處理。於積層處理後，將壓接有積層片材8之LED保持基板設置於具備具有圓頂形狀之模穴之模具的壓縮成形裝置中。繼而，於25℃下進行30秒鐘壓縮成形，藉此利用加壓變形製作圓頂形狀，進而於150℃下進行1小時加熱而獲得具有圓頂形狀之密封體之LED器件。
[實施例24]
藉由輥式積層於室溫下將實施例21中所製備之透明片材8及透明片材3貼合，而獲得積層片材9。並且，將所獲得之積層片材9與藉由打線接合而電性連接之LED保持基板一併設置於具備具有圓頂形狀之模穴之模具的壓縮成形裝置之該模穴相當位置。於設置積層片材9 時，以使透明片材3朝向LED側、且透明片材7朝向與LED為相反側之方式設置積層片材9。繼而，於130℃下進行5分鐘壓縮成形，使片材熔融、硬化而將LED密封，進而於150℃下進行1小時加熱而獲得具有圓頂形狀之密封體之LED器件。
[實施例25]
將實施例15中所製作之積層片材4與藉由打線接合而電性連接之LED保持基板一併設置於真空加熱貼合裝置中。進而，於積層片材4之上設置脫模膜，於脫模膜之上設置具有圖案之鋁板。繼而，於150℃下進行1分鐘真空脫氣，於大氣壓下進行5分鐘加熱，使片材熔融、硬化而將LED密封，進而於150℃下進行1小時加熱，而獲得具有於與空氣之界面處具有圖案形狀之密封體之LED器件。

Claims (35)

  1. 一種熱熔型硬化性聚矽氧組合物，其係壓縮成形或積層用。
  2. 如請求項1之硬化性聚矽氧組合物，其為膜或片狀。
  3. 如請求項1或2之硬化性聚矽氧組合物，其係半導體器件密封用。
  4. 如請求項1至3中任一項之硬化性聚矽氧組合物，其中上述硬化性聚矽氧組合物係選自由如下成分所組成之群：(1)未反應之矽氫化硬化性聚矽氧組合物、(2)使未反應之矽氫化硬化性聚矽氧組合物部分交聯而成之矽氫化硬化性聚矽氧組合物、及(3)使未反應之矽氫化反應性聚矽氧組合物交聯而成、且包含具有矽原子鍵結氫原子及/或烯基之交聯體及至少1種矽氫化反應性成分的矽氫化硬化性聚矽氧組合物。
  5. 如請求項4之硬化性聚矽氧組合物，其中上述(1)未反應之矽氫化硬化性聚矽氧組合物包含：(A)於25℃下為固體狀之於一分子中含有平均多於2個之數量之烯基的至少1種有機聚矽氧烷、(B)於一分子中具有至少2個矽原子鍵結氫原子之至少1種有機聚矽氧烷{矽原子鍵結氫原子之總莫耳數相對於(A)成分之烯基之總莫耳數的比成為0.2~4之範圍之量}、及(C)矽氫化觸媒(足夠引起矽氫化反應之量)。
  6. 如請求項5之硬化性聚矽氧組合物，其中上述(A)成分為如下成分之混合物：(A-1)於25℃下為固體狀之於一分子中含有平均多於2個之數量之烯基的支鏈狀有機聚矽氧烷60~100質量%、及 (A-2)於25℃下為液狀之於一分子中至少具有平均2個烯基之直鏈狀或部分支鏈狀之有機聚矽氧烷0~40質量%。
  7. 如請求項4之硬化性聚矽氧組合物，其中上述(2)使未反應之矽氫化硬化性聚矽氧組合物部分交聯而成之矽氫化硬化性聚矽氧組合物係使包含如下成分之矽氫化反應性聚矽氧組合物的矽氫化反應於50~95%之轉化率時停止而獲得：(D)於一分子中含有平均多於2個之數量之烯基的至少1種有機聚矽氧烷、(E)於一分子中具有至少2個矽原子鍵結氫原子之至少1種有機聚矽氧烷{矽原子鍵結氫原子之總莫耳數相對於(D)成分之烯基之總莫耳數的比成為0.2~4之範圍之量}、及(F)矽氫化觸媒(足夠引起矽氫化反應之量)。
  8. 如請求項7之硬化性聚矽氧組合物，其中上述(D)成分為如下成分之混合物：(D-1)平均單元式：(R1 3SiO1/2)a(R1 2SiO2/2)b(R1SiO3/2)c(SiO4/2)d(R2O1/2)e(式中，R1為苯基、碳原子數1~6之烷基或環烷基、或碳原子數2~6之烯基，其中，R1之60~80莫耳%為苯基，R1之10~20莫耳%為烯基，R2為氫原子或碳原子數1~6之烷基，a、b、c、d及e為滿足0≦a≦0.2、0.2≦b≦0.7、0.2≦c≦0.6、0≦d≦0.2、0≦e≦0.1、且a+b+c+d=1之數)所表示之有機聚矽氧烷、及(D-2)通式：R3 3SiO(R3 2SiO)mSiR3 3(式中，R3為苯基、碳原子數1~6之烷基或環烷基、或碳原子數2~6之烯基，其中，R3之40~70莫耳%為苯基，R3之至少1個 為烯基，m為5~100之整數)所表示之有機聚矽氧烷{相對於(D-1)成分100重量份為0~20重量份}。
  9. 如請求項4之硬化性聚矽氧組合物，其中上述(3)矽氫化硬化性聚矽氧組合物包含：(G)使包含如下成分之未反應之矽氫化反應性聚矽氧組合物進行矽氫化反應而成之具有烯基的交聯體：(G-1)於一分子中含有平均多於2個之數量之烯基的至少1種有機聚矽氧烷、(G-2)於一分子中具有至少2個矽原子鍵結氫原子之至少1種有機聚矽氧烷{矽原子鍵結氫原子之總莫耳數相對於(G-1)成分之烯基之總莫耳數的比成為0.3~0.9之範圍之量}、及(G-3)矽氫化觸媒(足夠引起矽氫化反應之量)；以及(H)於一分子中具有2個以上之矽原子鍵結氫原子之至少1種有機聚矽氧烷{矽原子鍵結氫原子之總莫耳數相對於上述交聯體中之烯基之總莫耳數的比成為0.1~2.0之範圍之量}。
  10. 如請求項9之硬化性聚矽氧組合物，其滿足下述任一者：(G-1)為平均組成式：R4 xSiO(4-x)/2(式中，R4分別獨立為經取代或未經取代之一價烴基，其中，全部R4之0.1~40莫耳%為烯基，x為滿足1≦x<2之正數)所表示之於一分子中含有平均多於2個之數量之烯基的有機聚矽氧烷，(G-2)為通式：HR5 2Si(R5 2SiO)nR5 2SiH(式中，R5分別獨立為不具有脂肪族不飽和鍵之經取代或未經 取代之一價烴基，n為0~1,000之整數)所表示之二有機聚矽氧烷，(H)為平均組成式：R5 yHzSiO(4-y-z)/2(式中，R5如上所述，y及z為滿足0.7≦y≦2.1、0.001≦z≦1.0、且0.8≦y+z≦2.6之正數)所表示之有機氫聚矽氧烷。
  11. 如請求項1至10中任一項之硬化性聚矽氧組合物，其包含至少1種無機粒子。
  12. 如請求項11之硬化性聚矽氧組合物，其中上述無機粒子選自氧化鈦、二氧化矽、氧化鋁、鈦酸鋇、氧化鈹及該等之混合物。
  13. 如請求項1至12中任一項之硬化性聚矽氧組合物，其包含至少1種螢光體。
  14. 如請求項13之硬化性聚矽氧組合物，其中上述螢光體選自黃色發光螢光體、紅色發光螢光體、綠色發光螢光體及該等之混合物。
  15. 一種積層體，其包含含有如請求項1至14中任一項之硬化性聚矽氧組合物之至少1層。
  16. 如請求項15之積層體，其進而包含含有至少1種非熱熔型之硬化性聚矽氧組合物之至少1層。
  17. 如請求項16之積層體，其中上述硬化性聚矽氧組合物包含：(I)含烯基之有機聚矽氧烷生橡膠 100質量份、(J)包含選自由R3SiO1/2單元、R2SiO2/2單元、RSiO3/2單元(式中，R分別獨立表示一價烴基)及該等之混合物所組成之群中之有機聚矽氧烷單元、以及SiO4/2單元(其中，SiO4/2單元相對於上述有機聚矽氧烷單元之莫耳比為0.08~2.0)，且利用BET法之比 表面積為200m2/g以上之濕式法疏水化補強性二氧化矽 30~150質量份、(K)有機氫聚矽氧烷 0.1~10質量份、及(L)硬化劑 足夠使本組合物硬化之量。
  18. 如請求項15至17中任一項之積層體，其進而包含含有至少1種有機聚矽氧烷嵌段共聚物之至少1層。
  19. 如請求項18之積層體，其中上述有機聚矽氧烷嵌段共聚物具有40~90莫耳%之[R6 2SiO2/2]所表示之二矽烷氧基單元，具有10~60莫耳%之[R7SiO3/2]所表示之三矽烷氧基單元，具有0.5~2.5莫耳%之[≡SiOH]所表示之矽烷醇基，R6分別獨立為C1-C30之烴基，R7分別獨立為C1-C20之烴基，二矽烷氧基單元[R6 2SiO2/2]存在於平均具有10~400個二矽烷氧基單元[R6 2SiO2/2]之直鏈嵌段中，三矽烷氧基單元存在於具有至少500g/莫耳之分子量之非直鏈嵌段中，且各直鏈嵌段與至少1個非直鏈嵌段鍵結。
  20. 如請求項18或19之積層體，其中上述有機聚矽氧烷嵌段共聚物具有20000g/莫耳以上之分子量。
  21. 如請求項18至20中任一項之積層體，其中包含上述有機聚矽氧烷嵌段共聚物之層之折射率為1.5以上。
  22. 如請求項15至21中任一項之積層體，其中選自各層之折射率、硬度、光透過率、水蒸氣透過率、熱導率、熱膨脹率、表面黏性、彈性模數及硬化速度中之至少一種物性相互不同。
  23. 如請求項15至22中任一項之積層體，其中至少1層之硬度及/或折射率於該層之厚度方向發生變化。
  24. 如請求項15至23中任一項之積層體，其中至少1層具有圖案形狀。
  25. 如請求項15至24中任一項之積層體，其表面為粗面。
  26. 如請求項15至25中任一項之積層體，其厚度為0.5~5mm之範圍內。
  27. 如請求項15至26中任一項之積層體，其中至少1層包含至少1種無機粒子。
  28. 如請求項27之積層體，其中包含上述無機粒子之層具有圖案形狀。
  29. 如請求項27或28之積層體，其中上述無機粒子選自氧化鈦、二氧化矽、氧化鋁、鈦酸鋇、氧化鈹及該等之混合物。
  30. 如請求項15至29中任一項之積層體，其中至少1層包含至少1種螢光體。
  31. 如請求項30之積層體，其中包含上述螢光體之層具有圖案形狀。
  32. 如請求項30或31之積層體，其中上述螢光體選自黃色發光螢光體、紅色發光螢光體、綠色發光螢光體及該等之混合物。
  33. 如請求項30至32中任一項之積層體，其包含含有相互不同之螢光體之2層以上之層。
  34. 一種經密封之半導體器件之製造方法，其包括使用如請求項1至14中任一項之硬化性聚矽氧組合物或如請求項15至33中任一項之積層體而進行壓縮成形或積層之步驟。
  35. 一種半導體器件，其係使用如請求項1至14中任一項之硬化性聚矽氧組合物或如請求項15至33中任一項之積層體而被密封。
TW102147649A 2012-12-21 2013-12-20 壓縮成形或積層用熱熔型硬化性聚矽氧組合物 TWI629314B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261740765P 2012-12-21 2012-12-21
US61/740,765 2012-12-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201430065A true TW201430065A (zh) 2014-08-01
TWI629314B TWI629314B (zh) 2018-07-11

Family

ID=49956459

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102147649A TWI629314B (zh) 2012-12-21 2013-12-20 壓縮成形或積層用熱熔型硬化性聚矽氧組合物

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9536799B2 (zh)
EP (1) EP2935494B1 (zh)
JP (1) JP6250065B2 (zh)
KR (1) KR102303310B1 (zh)
CN (1) CN104870585B (zh)
TW (1) TWI629314B (zh)
WO (1) WO2014100656A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI736614B (zh) * 2016-04-28 2021-08-21 日商Ａｇｃ股份有限公司 玻璃積層體及其製造方法
TWI762649B (zh) * 2017-06-26 2022-05-01 日商杜邦東麗特殊材料股份有限公司 黏晶用固化性矽組合物

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014082284A (ja) * 2012-10-15 2014-05-08 Dow Corning Toray Co Ltd 凸状硬化物及び基材を備える一体化物の製造方法
JP6250065B2 (ja) 2012-12-21 2017-12-20 ダウ コーニング コーポレーションＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 圧縮成形又はラミネート用ホットメルト型硬化性シリコーン組成物
CN104838516B (zh) 2012-12-21 2017-07-21 道康宁公司 层状聚合物结构和方法
KR101866624B1 (ko) * 2013-05-10 2018-06-11 코닝 인코포레이티드 저융점 유리 또는 흡수성 박막을 이용한 레이저 용접 투명 유리 시트
US9434876B2 (en) * 2014-10-23 2016-09-06 Central Glass Company, Limited Phosphor-dispersed glass
JP6586555B2 (ja) * 2014-12-26 2019-10-09 ダウ・東レ株式会社 硬化性シリコーン組成物、それからなる半導体用封止剤および半導体装置
JP6269527B2 (ja) * 2015-02-19 2018-01-31 信越化学工業株式会社 太陽電池モジュールの製造方法
JP6672631B2 (ja) * 2015-08-10 2020-03-25 日立化成株式会社 シリコーン樹脂タブレット、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに、光半導体装置
KR102745785B1 (ko) * 2016-01-08 2024-12-24 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 경화성 실리콘 수지 조성물 및 그의 경화물, 및 광 반도체 장치
WO2018084012A1 (ja) * 2016-11-02 2018-05-11 東レ・ダウコーニング株式会社 反応性ホットメルトシリコーン充填容器および反応性ホットメルトシリコーンの製造方法
KR101885158B1 (ko) * 2016-11-14 2018-08-06 한국기계연구원 경도가변 캐리어 필름
WO2018177523A1 (de) * 2017-03-29 2018-10-04 Wacker Chemie Ag Siliconelastomer mit fluorierten seitengruppen
CN111278926B (zh) * 2017-09-21 2022-06-07 陶氏东丽株式会社 硬化性硅酮组合物、包含其的光学构件用树脂片材及发光器件
CN107541076A (zh) * 2017-09-28 2018-01-05 广州慧谷化学有限公司 高耐热的有机聚硅氧烷组合物及半导体器件
CN107541075B (zh) * 2017-09-28 2021-07-23 广州慧谷化学有限公司 热熔型有机聚硅氧烷组合物、荧光体片材及半导体器件
JP6926925B2 (ja) * 2017-10-17 2021-08-25 信越化学工業株式会社 シリカ被覆シリコーンエラストマー球状粒子の製造方法及びシリカ被覆シリコーンエラストマー球状粒子
KR102717266B1 (ko) * 2017-10-20 2024-10-16 다우 도레이 캄파니 리미티드 경화성 입자상 실리콘 조성물, 그 경화물, 및 그 제조 방법
CN108384453B (zh) * 2018-03-21 2020-06-05 深圳雅联实业有限公司 一种用于金属彩钢板表面的水性涂料及其制备方法
CN108417699B (zh) * 2018-05-18 2024-11-08 深德彩科技(深圳)股份有限公司 Led光源的塑封模具
CN108807649B (zh) * 2018-06-13 2020-09-11 深德彩光电(深圳)有限公司 一种led光源塑封方法
US12110393B2 (en) * 2018-08-17 2024-10-08 Wacker Chemie Ag Crosslinkable organopolysiloxane compositions
JP7419251B2 (ja) 2018-10-30 2024-01-22 ダウ・東レ株式会社 硬化反応性シリコーン組成物及びその硬化物並びにそれらの用途
TWI744572B (zh) 2018-11-28 2021-11-01 蔡憲聰 具有封裝內隔室屏蔽的半導體封裝及其製作方法
US11211340B2 (en) 2018-11-28 2021-12-28 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package with in-package compartmental shielding and active electro-magnetic compatibility shielding
US10896880B2 (en) 2018-11-28 2021-01-19 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package with in-package compartmental shielding and fabrication method thereof
US11239179B2 (en) 2018-11-28 2022-02-01 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package and fabrication method thereof
US20200168557A1 (en) * 2018-11-28 2020-05-28 Chung-Che Tsai Semiconductor package and fabrication method thereof
US10923435B2 (en) 2018-11-28 2021-02-16 Shiann-Tsong Tsai Semiconductor package with in-package compartmental shielding and improved heat-dissipation performance
WO2020138409A1 (ja) 2018-12-27 2020-07-02 ダウ・東レ株式会社 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、およびその製造方法
CN113348210B (zh) * 2018-12-27 2023-01-03 陶氏东丽株式会社 固化性有机硅组合物、其固化物及其制造方法
US20220049100A1 (en) * 2018-12-27 2022-02-17 Dow Toray Co., Ltd. Curable silicone composition for transfer molding, cured product thereof, and production method thereof
TWI844606B (zh) 2018-12-27 2024-06-11 日商陶氏東麗股份有限公司 具有熱熔性之固化性聚矽氧薄片之製造方法
JP7560441B2 (ja) 2019-03-29 2024-10-02 ダウ・東レ株式会社 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、およびその製造方法
KR20210148202A (ko) 2019-03-29 2021-12-07 다우 도레이 캄파니 리미티드 경화성 실리콘 조성물, 그의 경화물 및 그의 제조 방법
CN113631659B (zh) 2019-03-29 2023-05-05 陶氏东丽株式会社 固化性有机硅组合物、其固化物及其制造方法
CN110387209A (zh) * 2019-07-15 2019-10-29 天津大学 一种高压绝缘钛酸钡-硅凝胶复合材料及制备方法和应用
JP7424733B2 (ja) * 2019-09-14 2024-01-30 ダウ・東レ株式会社 ホットメルト性を有する硬化性シリコーンシートの製造方法
KR20220123254A (ko) 2019-12-27 2022-09-06 다우 도레이 캄파니 리미티드 경화성 핫멜트 실리콘 조성물, 그의 경화물, 및 상기 조성물 또는 경화물을 포함하는 적층체
US20230151215A1 (en) * 2020-03-30 2023-05-18 Dow Toray Co., Ltd. Curable hot-melt silicone composition, cured product thereof, and laminate including curable hot-melt silicone composition or cured product thereof
JP7584838B2 (ja) * 2020-11-26 2024-11-18 デュポン・東レ・スペシャルティ・マテリアル株式会社 ホットメルト性シリコーン組成物、封止剤、ホットメルト接着剤、及び光半導体装置
WO2022138336A1 (ja) * 2020-12-25 2022-06-30 ダウ・東レ株式会社 硬化性シリコーン組成物、その硬化物および積層体
KR20240036050A (ko) * 2021-08-12 2024-03-19 와커 헤미 아게 폴리유기실록산을 함유하는 금속 도금 적층체
CN115877607B (zh) * 2021-09-28 2024-11-12 青岛智动精工电子有限公司 灯板的成型方法、背光模组和显示设备
CN114539920A (zh) * 2022-03-11 2022-05-27 广东硅甲新材料科技有限公司 用于热熔型聚酯与聚醚类聚氨酯涂层表面的有机硅组合物
CN115224015B (zh) * 2022-07-13 2025-07-08 硅能光电半导体(广州)有限公司 一种五面发光的csp led的封装工艺

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3117627B2 (ja) * 1995-11-10 2000-12-18 ジーイー東芝シリコーン株式会社 太陽電池モジュール用保護シート用組成物および太陽電池モジュール用保護シート
US20100273011A1 (en) * 1996-12-20 2010-10-28 Bianxiao Zhong Silicone Composition, Silicone Adhesive, Coated and Laminated Substrates
JP4741230B2 (ja) 2004-12-28 2011-08-03 東レ・ダウコーニング株式会社 フィルム状シリコーンゴム接着剤
US7847302B2 (en) * 2005-08-26 2010-12-07 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Blue LED with phosphor layer for producing white light and different phosphor in outer lens for reducing color temperature
US20080276983A1 (en) * 2005-11-04 2008-11-13 Robert Andrew Drake Encapsulation of Photovoltaic Cells
DE102006048216A1 (de) * 2006-10-11 2008-04-17 Wacker Chemie Ag Laminate mit thermoplastischen Polysiloxan-Harnstoff-Copolymeren
KR101380062B1 (ko) * 2007-04-10 2014-04-01 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 형광체 함유 접착성 실리콘 조성물, 상기 조성물로 이루어지는 조성물 시트, 및 상기 시트를 사용하는 발광장치의 제조 방법
CN101521532B (zh) * 2008-02-28 2012-07-04 电信科学技术研究院 一种获取上行完整信道信息的方法、系统及装置
JP2010159411A (ja) * 2008-12-12 2010-07-22 Nitto Denko Corp 半硬化状シリコーン樹脂シート
US8921495B2 (en) * 2010-09-22 2014-12-30 Dow Corning Corporation High refractive index compositions containing resin-linear organosiloxane block copolymers
JP2012102167A (ja) * 2010-11-05 2012-05-31 Nitto Denko Corp シリコーン樹脂、封止材料および光半導体装置
JP5992666B2 (ja) * 2011-06-16 2016-09-14 東レ・ダウコーニング株式会社 架橋性シリコーン組成物及びその架橋物
KR20120139594A (ko) * 2011-06-16 2012-12-27 닛토덴코 가부시키가이샤 실리콘 수지 조성물, 봉지층, 리플렉터 및 광반도체 장치
JP2013091705A (ja) * 2011-10-25 2013-05-16 Nitto Denko Corp シリコーン樹脂組成物、封止層、リフレクタおよび光半導体装置
JP2013095809A (ja) * 2011-10-31 2013-05-20 Nitto Denko Corp シリコーン樹脂組成物、シリコーン樹脂シート、光半導体素子装置、および、シリコーン樹脂シートの製造方法。
JP5583703B2 (ja) * 2012-01-18 2014-09-03 信越化学工業株式会社 光半導体装置の製造方法
JP2013159003A (ja) * 2012-02-03 2013-08-19 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 蛍光体含有層と蛍光体非含有層を有する熱硬化性シリコーン樹脂シート、それを使用する発光装置の製造方法及び封止発光半導体装置
US8872358B2 (en) * 2012-02-07 2014-10-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Sealant laminated composite, sealed semiconductor devices mounting substrate, sealed semiconductor devices forming wafer, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus
CN104254575A (zh) * 2012-03-12 2014-12-31 道康宁公司 树脂-线性有机硅氧烷嵌段共聚物的组合物
KR102095187B1 (ko) * 2012-03-21 2020-03-31 다우 실리콘즈 코포레이션 수지-선형 유기실록산 블록 공중합체의 조성물
JP2013230618A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Dow Corning Toray Co Ltd 離型フィルム、圧縮成型方法、および圧縮成型装置
JP6250065B2 (ja) 2012-12-21 2017-12-20 ダウ コーニング コーポレーションＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 圧縮成形又はラミネート用ホットメルト型硬化性シリコーン組成物

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI736614B (zh) * 2016-04-28 2021-08-21 日商Ａｇｃ股份有限公司 玻璃積層體及其製造方法
TWI762649B (zh) * 2017-06-26 2022-05-01 日商杜邦東麗特殊材料股份有限公司 黏晶用固化性矽組合物
US11384268B2 (en) 2017-06-26 2022-07-12 Dupont Toray Specialty Materials Kabushiki Kaisha Curable silicone composition for die bonding use

Also Published As

Publication number Publication date
CN104870585A (zh) 2015-08-26
EP2935494B1 (en) 2019-05-29
KR20150099546A (ko) 2015-08-31
US20150315427A1 (en) 2015-11-05
CN104870585B (zh) 2017-06-20
TWI629314B (zh) 2018-07-11
JP6250065B2 (ja) 2017-12-20
JP2016504461A (ja) 2016-02-12
KR102303310B1 (ko) 2021-09-23
WO2014100656A1 (en) 2014-06-26
US9536799B2 (en) 2017-01-03
EP2935494A1 (en) 2015-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201430065A (zh) 壓縮成形或積層用熱熔型硬化性聚矽氧組合物
JP5424843B2 (ja) 熱硬化性シリコーン樹脂用組成物
EP3152619B1 (en) Imprinting process of hot-melt type curable silicone composition for optical devices
JP6707516B2 (ja) 硬化性粒状シリコーン組成物、およびその製造方法
JP7456938B2 (ja) ホットメルト性を有する硬化性シリコーンシートの製造方法
JPWO2020138409A1 (ja) 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、およびその製造方法
CN107207859A (zh) 固化性有机聚硅氧烷组合物、由该组合物构成的半导体用密封剂和半导体装置
KR20140081736A (ko) 형광체 함유층과 백색 안료 함유층을 갖는 열경화성 실리콘 수지 시트, 그것을 사용하는 발광 장치의 제조 방법 및 밀봉 발광 반도체 장치
TWI896543B (zh) 固化性有機聚矽氧烷組成物及由其固化物構成之光學構件
TW201350543A (zh) 膜狀熱固性聚矽氧密封材料
JP2021108319A (ja) 電子装置用基板の封止方法及び封止された電子装置用基板
JP2021107149A (ja) 積層体及びそれからなる電子部品
KR20130042451A (ko) 봉지용 시트 및 광반도체 소자 장치
JP7667734B2 (ja) 硬化性オルガノポリシロキサン組成物、及びその硬化物からなる光学部材
JP7032052B2 (ja) シリコーン樹脂フィルムおよびその製造方法、並びに半導体デバイスの製造方法
JP2016046491A (ja) 光半導体装置の封止方法及び該封止方法によって製造された光半導体装置
JPWO2020138411A1 (ja) トランスファー成型用硬化性シリコーン組成物、その硬化物、およびその製造方法
KR102920108B1 (ko) 핫멜트성을 갖는 경화성 실리콘 시트의 제조 방법
EP3658646B1 (en) Method of manufacturing an optoelectronic device
WO2024236999A1 (ja) 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、およびその製造方法
KR20240046792A (ko) 경화성 실리콘 조성물, 그의 경화물 및 그의 제조방법