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TW201435032A - 切割片用基材膜及包括該基材膜之切割片 - Google Patents

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TW201435032A
TW201435032A TW102112629A TW102112629A TW201435032A TW 201435032 A TW201435032 A TW 201435032A TW 102112629 A TW102112629 A TW 102112629A TW 102112629 A TW102112629 A TW 102112629A TW 201435032 A TW201435032 A TW 201435032A
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田矢直紀
上田公史
伊藤雅春
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琳得科股份有限公司
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Abstract

本發明係無需施以電子線或γ射線等的物理性能量，在於全切切割，可抑制切割被切斷物時所發生的切割屑，在於擴展步驟之伸長性優良之切割片用基材膜，提供包括樹脂層(A)之切割片用基材膜2，樹脂層(A)，含有聚乙烯，及乙烯-四環癸烯共聚物之基材膜2，亦提供包括該切割片用基材膜之切割片。

Description

切割片用基材膜及包括該基材膜之切割片
本發明係關於將半導體晶圓等的被切斷物切斷分離為元件小片時，黏貼於該被切斷物之切割片及用於該當切割片之基材膜。
矽、砷化鎵等的半導體晶圓及各種構裝類(以下，有將該等統稱為「被接切斷物」之情形。)，係以大徑狀態製造，該等將切斷分離(切割)成元件小片(以下，記載為「晶片」。)。
付諸該切割步驟之被切斷物，以確保在於切割步驟及其後之步驟之被切斷物及晶片的操作性為目的，將包括基材膜及設於其上之黏著劑層之切割片，事先黏貼在與靠近用於切斷之切削工具側之相反側之被切斷物表面。如此之切割片，通常，使用聚烯烴系膜或聚氯乙烯系膜等作為基材膜。
作為切割步驟之具體的手法，於一般的全切切割，係以旋轉的圓刀(切割刀)進行被切斷物之切斷。在於全切切割，為確實地切斷黏貼於切割片之被切斷物，而超過被切斷物亦切斷黏著劑層，進一步基材膜之一部分亦有被切斷之情形。
此時，由切割片發生由黏著劑層及構成基材膜之材料所組成之切割屑，而所得晶片有因該切割屑而被污染之情 形。如此之切割屑之形態之一，有絲狀的切割屑，附著於切割線上，或藉由切割所分離之晶片的剖面附近。如此之絲狀切割屑，在以梯度切割模式之藉由2種不同的切割刀進行被切斷物之切割時，有特別顯著地發生之問題。
如上所述之絲狀的切割屑，大量附著於晶片直接進行晶片的封裝，則附著於晶片的絲狀切割屑因封裝的熱而分解，該熱分解物成為破壞構裝，或在於組入晶片的裝置動作不良之原因。該絲狀的切割屑，由於難以藉由洗淨去除，故絲狀切割屑的發生會顯著地降低切割步驟之良率。
此外，將複數晶片以硬化樹脂封裝之構裝作為被切斷物切割時，相較於切割半導體晶圓之情形，使用更厚的刀幅之切割刀的同時，切割的切入深度亦更深。因此，於切割時被切斷去除之基材膜的量較半導體晶圓之情形增加，結果絲狀切割屑的發生量亦有增加的趨勢。如此地使用切割片進行切割時，要求防止絲狀切割屑的發生。
切割步驟之後被切斷的被切斷物，之後，施以清洗、擴展步驟、拾取步驟等。因此，於切割片，進一步要求在於擴展步驟之伸長性優良。
以抑制發生如此之切割屑為目的，於專利文獻1，揭示有使用電子線或γ(伽瑪)射線以1~80Mrad照射之聚烯烴系膜之發明。於該發明，可認為藉由照射電子線或γ射線使構成基材膜之樹脂架橋，而抑制切割屑的發生。
在於專利文獻1，照射電子線或γ射線之聚烯烴系膜，可例示聚乙烯、聚丙烯、聚甲基戊烯、乙烯-醋酸乙烯酯 共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-離聚物樹脂共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、聚丁烯等的樹脂。
在於專利文獻2，例示一種半導體切割加工用膠膜，其係在於對基材膜之一面塗佈黏著劑而成之半導體切割加工用膠膜，其特徵在於：上述基材膜至少由2層構成，接於上述基材膜之黏著劑層之層之樹脂之熔點為130~240℃，至少1層與接於上述黏著層之層之下面接觸，對聚丙烯系樹脂100質量部，苯乙烯．丁二烯共聚物之加氫添加劑20~400質量部所組成之樹脂組成物層。
在於專利文獻3，揭示一種切割膜，其係於包含隨機丙烯與吸烯烴系彈性體之基材層上，層積黏著劑層。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平5-211234號公報
[專利文獻2]日本特開2005-174963號公報
[專利文獻3]日本特開2011-216595號公報
但是，專利文獻1所記載的膜，需將如上所述之樹脂一度成形為膜狀之後進行電子線或γ射線的照射，故會增加一個製造步驟，有使製造成本較一般的基材膜高的趨勢。於專利文獻2之基材膜，並無法充分防止絲狀的切割屑的發生。 記載於專利文獻3之切割膜，雖然在於擴展步驟之伸長性優良，但無法充分地防止絲狀的切割屑的發生。
本發明係有鑑於如上所述之實狀而完成者，以提供無需施以電子線或γ射線等的物理性能量，在於全切切割，可抑制切割被切斷物時所發生的切割屑，特別是絲狀的切割屑的發生之切割片之構成要素者，在於擴展步驟之伸長性(於本說明書亦稱為「擴展性」。)優良之切割片用基材膜及包括該切割片用基材膜之切割片為目標。
為解決上述課題，本發明於第1，提供一種切割片用基材膜，其係切割片用基材膜，其特徵在於：上述基材膜包括樹脂層(A)，該當樹脂層(A)，含有聚乙烯，及乙烯-四環癸烯共聚物(發明1)。
在於上述發明(發明1)，其中對上述樹脂層(A)所含有的全樹脂成分，上述聚乙烯之含量以50質量%以上90質量%以下，上述乙烯-四環癸烯共聚物之含量以10質量%以上50質量%為佳(發明2)。
在於上述發明(發明1、2)，其中上述乙烯-四環癸烯共聚物，來自四環癸烯之構成單位，以15莫耳%以上45莫耳%以下(但是，來自乙烯之構成單位與來自四環癸烯之構成單位之共計為100莫耳%。)為佳(發明3)。
在於上述發明(發明1至3)，其中包括配置於上述樹脂層(A)之一方的主面側，至少由一層組成之樹脂層(B)為佳(發明4)。
在於上述發明(發明4)，其中上述樹脂層(B)包含乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物及乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物之一方為佳(發明5)。
本發明，於第2，提供一種切割片，其包括：關於上述發明(發明1至5)之基材膜；及配置於該當基材膜之一方之主面上之黏著劑層(發明6)。
在於上述發明(發明6)，其中上述黏著劑層，配置於上述基材膜之上述樹脂層(A)上為佳(發明7)。
本發明，於第3，提供一種切割片，其係包括：關於上述發明(發明4、5)之基材膜；及配置於該當基材膜之一方之主面上之黏著劑層之切割片，上述樹脂層(A)係配置於較上述樹脂層(B)接近上述黏著劑層之位置(發明8)。
關於本發明之切割片用基材膜及切割片，無需施以電子線或γ射線等的物理性能量，在於全切切割，特別是以階梯切割模式之全切切割，可有效地減低切割被切斷物時所發生的切割屑，並且可得在於擴展步驟的伸長性優良的基材膜。
1‧‧‧切割片
2‧‧‧基材膜(樹脂層(A)/樹脂層(B))
3‧‧‧黏著劑層
第1圖係關於本發明之一實施形態之切割片之剖面圖。
第2圖係本發明之別的一實施形態之切割片之剖面圖。
以下，說明關於本發明之一實施形態之基材膜及切割片之構成要素和此製造方法等說明。
1.基材膜
如第1圖所示，關於本發明之一實施形態之基材膜2，係使用於作為關於本發明之一實施形態之切割片1之構成要素的一個。該切割片1，包括基材膜2及黏著劑層3作為基本構成。該基材膜2，係包括樹脂層(A)，於如後所述之別的一形態(第2圖)進一步包括樹脂層(B)。
(1)樹脂層(A)
關於本實施形態之基材膜2，只要包括樹脂層(A)，可具有單層構成，亦可具有複層構成。基材膜2由單層的樹脂層組成時，樹脂層(A)以單層直接成為基材膜2。基材膜2，具有複層構成時，樹脂層(A)之位置，並無特別限定，基材膜2之主面之至少一方，以上述樹脂層(A)之面所組成為佳。此時，於基材膜2上形成黏著劑層3，形成切割片1時，於樹脂層(A)上形成黏著劑層3為佳。藉由如此，可有效地抑制於切割被切斷物時發生切割屑。
關於本實施形態之基材膜2所包括之樹脂層(A)，含有聚乙烯及乙烯-四環癸烯共聚物。
(1-1)聚乙烯
關於本實施形態之基材膜2之樹脂層(A)藉由含有聚乙烯，可賦予基材膜2優良的黏團防止功能及擴展性。
上述聚乙烯，可為乙烯之單獨聚合物，亦可係將乙烯作為單體之一種而成之共聚物。再者，聚乙烯為共聚物時，在於聚乙烯之來自乙烯之構成單位之單體換算含有率(用於聚合聚乙烯之質量，對用於聚合聚乙烯之全單體之質量之比 率)，以60質量%以上為佳，以70質量%以上99.5質量%以下更佳，以90質量%以上99.5質量%以下特別佳。含於樹脂層(A)之聚乙烯，可為1種，亦可為複數種。
上述聚乙烯，在於23℃之密度以0.900g/cm3以上1.000g/cm3以下為佳，以0.910g/cm3以上0.990g/cm3以下更佳，以0.920g/cm3以上0.980g/cm3以下更佳。
上述聚乙烯，遵照JIS K7210：1999，在於溫度230℃、荷重2.16kgf之熔化流速之值，以0.1g/10min以上10g/10min以下為佳，以0.5g/10min以上10g/10min以下更佳，以2.0g/10min以上7.0g/10min以下更佳。
聚乙烯在於23℃之拉伸彈性模數，並無特別限定，通常為1.0GPa以下，以0.4GPa以下為佳，以0.2GPa以下更佳。
在此，說明聚乙烯在於23℃之拉伸彈性模數之測定方法。首先，製造100μm厚的聚乙烯膜。將如此所得之聚乙烯膜裁切成15mm×140mm的試驗片，遵照JIS K7161：1994及JIS K7127：1999，以200mm/min的速度進行拉伸試驗，可測定在於23℃之拉伸彈性模數。再者，在於本實施形態，該拉伸彈性模數之測定，係對聚乙烯膜之成形時的擠出方向(MD)及與此直角的方向(CD)的雙方進行，將該等的測定結果之平均值作為聚乙烯在於23℃之拉伸彈性模數。
聚乙烯之流動化溫度，並無特別限定，通常為100℃以上180℃以下為佳。在此，所謂流動化溫度，係加熱之樹脂試料因經過軟化點而分子之變形自由度增加超過分子之間 相互作用之上升狀態，試料進一步被加熱之情形，試料全體發生流動化之最低溫度之意思。
進一步說明流動化溫度之測定方法。使荷重作49.05N，使用孔形狀φ2.0mm，長度5.0mm之模具，將試料的溫度以升溫速度10℃/分上升，與升溫的同時測定變動之衝程位移速度(mm/分)，得到衝程位移速度之溫度依存性圖表。試料為熱塑性樹脂時，衝程位移速度，以試料溫度達到軟化點為契機而上升達到既定的波峰之後，會暫時下降。衝程位移速度係由該下降到達最下點之後，因試料全體的流動化進行而急劇地上升。於本實施形態，在於超過軟化點使試料溫度上升時，以衝程位移速度一旦到達波峰之後所顯現之衝程位移速度之最低值之溫度，定義為流動化溫度。
對含於樹脂層(A)之全部樹脂成分，聚乙烯的含量，以50質量%以上90質量%以下為佳，以55質量%以上85質量%以下更佳，以60質量%以上80質量%以下特別佳。樹脂層(A)中的聚乙烯的含量超過95質量%，則有見到抑制發生切割屑的效果有降低的趨勢之虞。另一方面，聚乙烯的含量未滿40質量%時，則有基材膜2之擴展性難以變高，或容易發生鬆弛或黏團之虞。
(1-2)乙烯-四環癸烯共聚物
關於本實施形態之切割片所包括之樹脂層(A)，含有乙烯-四環癸烯共聚物。乙烯-四環癸烯共聚物，具體是以下述構造式(a)表示之來自乙烯之構成單位與來自四環癸烯之構成單位所組成之共聚物。
式中，m及n係1以上的整數。R1及R2係表示氫原子或烷基，可分別相同亦可相異。)
如此之乙烯-四環癸烯共聚物之市售品，可例示乙烯與四環癸烯之共聚物(三井化學公司製，阿佩爾(註冊商標)系列)。
關於本實施形態之切割片所包括之樹脂層(A)，藉由含有乙烯-四環癸烯共聚物，可抑制切割屑的發生。含於樹脂層(A)之乙烯-四環癸烯共聚物，可以一種，亦可為複數種。
含於樹脂層(A)之乙烯-四環癸烯共聚物，來自四環癸烯之構成單位(用於聚合乙烯-四環癸烯共聚物之四環癸烯之質量，對之對用於聚合乙烯-四環癸烯共聚物之乙烯之質量與四環癸烯之質量之總之比例)，以15莫耳%以上45莫耳%以下為佳。來自四環癸烯之構成單位為15莫耳%以下時，有難以得到抑制發生切割屑之效果之虞。另一方面，來自四環癸烯之構成單位超過45莫耳%，則玻璃轉移溫度變高，有見到使基材膜2之成形性降低或使其擴展性降低的趨勢之虞。
在於乙烯-四環癸烯共聚物，於來自乙烯之構成單位及來自四環癸烯之構成單位以外，在不損及本發明之效果的範圍，亦可含有來自其他化合物之構成單位。由如此之其他的 化合物所組成之單體之質量比率，對全單體之質量以未滿10質量%為佳。
由有效地提升抑制發生切割屑之觀點及提高加工性的觀點等，乙烯-四環癸烯共聚物，遵照JIS K7210：1999，在於溫度230℃、荷重2.16kgf之熔流速率之值，以0.1g/10min以上為佳，以0.5g/10min以上50.0g/10min以下更佳，以1.0g/10min以上25.0g/10min以下更佳。該熔流速率過高時，雖然基材膜2的成形等的加工性優良，但有抑制切割片1發生切割屑之功能容易下降之虞。另一方面，該熔流速率過低時，有基材膜2之成形等的加工性變得容易下降之虞。
含於樹脂層(A)之乙烯-四環癸烯共聚物，在於23℃之拉伸彈性模數超過1.5GPa為佳。再者，拉伸彈性模數的測定方法之詳細情形，與上述聚乙烯，在於23℃之拉伸彈性模數之測定方法相同。藉由使乙烯-四環癸烯共聚物，在於23℃之拉伸彈性模數在於上述範圍，而與聚乙烯的物理特性之差變大，而可期待不容易發生切割屑。由可更穩定地抑制發生切割屑的觀點，含於樹脂層(A)之乙烯-四環癸烯共聚物，在於23℃之拉伸彈性模數，以2.0GPa以上為佳。含於樹脂層(A)之乙烯-四環癸烯共聚物，在於23℃之拉伸彈性模數之上限，由抑制切割屑的發生的觀點，並無特別限定，惟該拉伸彈性模數變得過高，則樹脂層(A)容易脆化，而於切割被切斷物時有容易發生破片之虞。因此，含於樹脂層(A)之乙烯-四環癸烯共聚物，在於23℃之拉伸彈性模數之上限，以4.0GPa以下為佳。
含於樹脂層(A)之乙烯-四環癸烯共聚物之流動化 溫度以225℃以下為佳，以200℃以下更佳，以180℃以下更佳。該流動化溫度在225℃以下時，在於切割被切斷物時，可有效地抑制切割屑的發生，且容易穩定地實現防止破片的發生及樹脂層(A)之顯著的脆化。另一方面，含於樹脂層(A)之乙烯-四環癸烯共聚物之流動化溫度過低時，難以得到抑制發生切割屑之效果。由穩定地減低切割屑的發生的觀點，含於樹脂層(A)之乙烯-四環癸烯共聚物之流動化溫度之下限以100℃以上為佳。
在於樹脂層(A)中之全部樹脂成分之乙烯-四環癸烯共聚物之含量，以10質量%以上50質量%以下為佳，以15質量%以上45質量%以下更佳，以20質量%以上40質量%以下特別佳。含於樹脂層(A)之乙烯-四環癸烯共聚物之上述含量過低時，有難以穩定地得到抑制發生切割屑的效果之虞。另一方面，乙烯-四環癸烯共聚物之上述含量過高時，樹脂層(A)的加工性有降低的趨勢之虞。此外，結果樹脂層(A)的拉伸彈性模數過高，而有容易降低基材膜2之擴展性之虞。
(1-3)在於樹脂層(A)之其他成分
樹脂層(A)，加上上述聚乙烯及乙烯-四環癸烯共聚物，亦可含有其他的成分。如此之其他的成分，可例示，異戊二烯橡膠或腈橡膠、丙烯酸橡膠、尿烷橡膠、丁二烯橡膠、苯乙烯系彈性體等的熱塑性彈性體樹脂、聚丙烯、顏料、難燃劑、可塑劑、帶電防止劑、潤滑劑、填充劑等的各種添加劑等。
(2)樹脂層(B)
基材膜2具有複層構成時，如第2圖所示，基材膜2，包括 配置於樹脂層(A)之一方的主面側，至少由1層所組成之樹脂層(B)。再者，於第2圖，樹脂層(B)雖直接與樹脂層(A)接觸，亦可於樹脂層(A)與樹脂層(B)之間存在接著之介在層。
基材膜2係配置於樹脂層(A)之一方的主面側，至少由1層所組成之樹脂層(B)時，可得進一步提升基材膜2之擴展性之效果。樹脂層(B)，可具有單層構成，亦可具有複層構成。
構成樹脂層(B)之樹脂，可舉例如，烯烴系樹脂；聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等的聚酯；聚氨酯；聚氯乙烯；聚醯胺等。
該等樹脂之中，構成樹脂層(B)之樹脂，以烯烴系樹脂為佳。構成樹脂層(B)之樹脂為烯烴系樹脂時，樹脂層(B)對上述樹脂層(A)之密著性高，可抑制在於樹脂層(A)與樹脂層(B)之間之層間剝離。
上述烯烴系樹脂之例，可舉聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等。烯烴系樹脂，可以1種單獨，亦可為2種以上的聚合物混合而成。再者，在於本說明書「(甲基)丙烯酸」，係指丙烯酸及甲基丙烯酸的雙方。
於該等烯烴系樹脂之中，由可得韌性優良的樹脂層(B)，且對樹脂層(A)之樹脂層(B)之密著性高，構成樹脂層(B)之樹脂，乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物及乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物之至少一種為佳。
在於乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物，於來自乙烯、丙烯酸及/或甲基丙烯酸之構成單位以外，不損及本發明的效果的範圍，亦可含有來自其他化合物之構成單位。由如此之其他化合物所組成之單體之質量比例，對全單體之質量，以未滿10質量%為佳。
樹脂層(B)，在於23℃之拉伸彈性模數為50MPa以上500MPa以下，且破断伸度以100%是以上者為佳。在於23℃之拉伸彈性模數及破斷伸度在於上述範圍，則由於樹脂層(B)之柔軟性及伸長性優良，故可對層基樹脂層(A)與樹脂層(B)而成之之基材膜2賦予更優良的擴展性。
樹脂層(B)，在於23℃之拉伸彈性模數超過500MPa，則樹脂層(B)的柔軟性變低，樹脂層(B)變得容易破斷，難以得到進一步提升基材膜2之擴展性的效果。另一方面，樹脂層(B)在於23℃之拉伸彈性模數未滿50MPa，則降低操作性之虞。樹脂層(B)在於23℃之拉伸彈性模數以55MPa以上400MPa以下更佳，進一步以60MPa以上300MPa以下為佳，以65MPa以上200MPa以下特別佳。
此外，樹脂層(B)在於23℃之破斷伸度未滿100%，則將切割片1擴展時變得容易於樹脂層(B)發生破斷，難以得到進一步提升基材膜2之擴展性的效果。樹脂層(B)在於23℃之破斷伸度以200%以上更佳，以300%以上特別佳。再者，樹脂層(B)在於23℃之破斷伸度之上限，並無特別限定，一般而言為1000%以下，亦可為800%以下之程度。
樹脂層(B)，在不損及本發明之效果的範圍，亦可 含有上述樹脂以外之成分。如此之成分，可例示顏料、難燃劑、可塑劑、帶電防止劑、潤滑劑、填充劑等的各種添加劑。顏料，可舉例如，二氧化鈦、碳黑等能。此外，填充劑，可例示如三聚氰胺樹脂之有機系材料，如氣相法二氧化矽之無機系材料及鎳粒子之金屬系材料。
(3)基材膜之其他構成
如第1圖所示，基材膜2，具有樹脂層(A)之單層構成時，樹脂層(A)(即，基材膜2)之厚度，通常為20μm以上600μm以下的程度，以40μm以上300μm以下為佳，以60μm以上200μm以下更佳。
此外，如第2圖所示，基材膜2，具有配置於樹脂層(A)之一方之主面側，包括至少由1層所組成之樹脂層(B)之複層構成時，樹脂層(A)之厚度，通常係10μm以上300μm以下程度，以20μm以上120μm以下為佳，以30μm以上100μm以下更佳。樹脂層(A)在於上述厚度，則容易穩定地抑制切割屑之發生。另一方面，樹脂層(B)之厚度，通常為10μm以上300μm以下程度，以40μm以上120μm以下為佳，以50μm以上100μm以下更佳。再者，基材膜2之厚度，通常為20μm以上600μm以下程度。
此外，於本實施形態之基材膜2，在於23℃之拉伸彈性模數為50MPa以上1000MPa以下，以80MPa以上1000MPa以下為佳。該拉伸彈性模數未滿50MPa，則有使基材膜2之操作性變差之虞。另一方面，基材膜2，在於23℃之拉伸彈性模數超過1000MPa，則基材膜2有於擴展步驟破斷， 或於擴展步驟時所施加的荷重變大，而發生切割片1本身由環形框剝落等的問題之虞。
(4)基材膜之製造方法
基材膜2之製造方法，並無特別限定。可例示T模具法、圓模具法等的熔融擠出法；淋幕法；乾式法、濕式法等的溶液法等，可以任一方法。考慮含於樹脂層(A)之聚乙烯及乙烯-四環癸烯共聚物均為熱塑性樹脂，採用熔融擠出法或淋幕法為佳。該等之中，藉由熔融擠出法製造時，將構成樹脂層(A)之成分混練，直接由所得之混練物，或一旦製造膠粒之後，使用習知之擠出機製膜即可。
基材膜2，包括配置於上述樹脂層(A)之一方的主面側，至少由一層所組成之樹脂層(B)時，製造方法並無特別限定，可任意。配合樹脂層(B)之組成及目的採用適當的方法即可。例如，可將樹脂層(A)及樹脂層(B)藉由共擠出成形層積，亦可將個別製造之樹脂層藉由接著劑等黏貼層積。
2.切割片
關於本實施形態之切割片1，包括：關於本實施形態之基材膜2；及配置於該基材膜2之一方的主面上之黏著劑層3。
此外，如圖2所示，基材膜2，包括配置於樹脂層(A)之一方的主面側，至少由1層所組成之樹脂層(B)時，切割片1，以基材膜2之樹脂層(A)配置於較樹脂層(B)接近黏著劑層3之位置為佳，於基材膜2之樹脂層(A)上配置黏著劑層3更佳。此時，切割切斷物時可更有效地抑制切割屑的發生。
(1)黏著劑層
構成關於本實施形態之切割片1所包括之黏著劑層3之黏著劑並無特別限定，可使用例如橡膠系、丙烯酸系、環氧系、矽酮系、聚乙烯基醚系等的黏著劑，能量線硬化型黏著劑(包含紫外線硬化型黏著劑)、加熱硬化型黏著劑等的習知的黏著劑。此外，使用本實施形態之切割片1作為切割．晶粒接合片時，使用同是兼具晶圓固定功能與晶粒接著功能之黏著劑作為黏著劑層3。
黏著劑層3之厚度，通常為3μm以上100μm以下的程度，以5μm以上80μm以下為佳。
(2)剝離片
關於本實施形態之切割片1所包括之黏著劑層3之與基材膜2相對之面之相反側之面，為保護黏著劑層3，亦可黏貼剝離片。再者，剝離片，係於使用切割片1時剝離。剝離片，並無特別限定，可使用例如，於聚對苯二甲酸乙二醇酯膜等的支持構件上，藉由習知的剝離劑剝離處理之剝離層者。
(3)切割片之製造方法
關於本實施形態之切割片1之製造方法，並無特別限定。舉關於切割片1之製造方法之幾個例如下。
(i)於剝離片上形成黏著劑層3，於該黏著劑層3上壓接層積基材膜2。此時，黏著劑層3之形成方法為任意。
舉黏著劑層3之形成方法之一例如下。調製構成黏著劑層3之黏著劑，與根據所期望進一步含有溶劑之塗佈液。使用輥輪塗佈機、刀塗佈機、輥刀塗佈機、氣刀塗佈機、模具塗佈機、棒塗佈機、凹版塗佈機、簾幕塗佈機等的塗層機，於基材膜2 之一方的主面塗佈塗佈液，藉由使之乾燥，形成黏著劑層3。
(ii)於基材膜2上形成黏著劑層3，按照必要進一步層積剝離片。此時之黏著劑層3之形成方法，如上所述為任意。
上述(i)、(ii)之方法以外之例，亦可將另外形成之黏著劑層3黏貼於基材膜2。
關於本實施形態之基材膜2及切割片1，無須賦予電子線或γ射線等的物理性能良，即可有效地減低切割被切斷物時發生切割屑，再者，擴展性優良。
以上所說明之實施形態，係為容易理解本發明而記載者，並非限定本發明而記載。因此，揭示於上述實施形態之各要素，亦包含在屬於本發明之技術性範圍之所有設計變更或均等物之主旨。
[實施例]
以下，進一步藉由實施例等更具體地說明本發明，惟本發明之範圍不應限定於該等實施例等。
使用於各例之材料，表示如下。
<樹脂層(A)>
‧聚乙烯A(住友化學公司製，產品名：SUMIKATHENE(註冊商標)L705，23℃之密度為0.919g/cm3)
‧聚乙烯B(住友化學公司製，產品名：EXCELLEN EUL731，23℃之密度為0.895g/cm3)
‧乙烯-四環癸烯共聚物A(三井化學公司製，產品名：APL6509T(註冊商標)，來自四環癸烯之構成單位：20~32莫耳 %)
‧乙烯-四環癸烯共聚物B(三井化學公司製，產品名：APL6011T(註冊商標)，來自四環癸烯之構成單位：24~36莫耳%)
‧乙烯-四環癸烯共聚物C(三井化學公司製，產品名：APL6013T(註冊商標)，來自四環癸烯之構成單位：29~40莫耳%)
‧乙烯-四環癸烯共聚物D(三井化學公司製，產品名：APL8008T(註冊商標)，來自四環癸烯之構成單位：16~28莫耳%)
‧聚丙烯(普瑞曼聚合物公司製，產品名：Prime Polypro(註冊商標)F-704NT，於23℃之密度為0.90g/cm3)
<樹脂層(B)>
‧EMMA(乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物，住友化學公司製，ACRYFT(註冊商標)W201)
‧EMAA(乙烯-甲基丙烯酸共聚物，Dupon-Mitsui Polychemicals公司製，產品名：(註冊商標)N0903HC，來自MAA之酸含量：9質量%)
〔實施例1〕
(基材膜之製作)
將聚乙烯A70質量部，與乙烯-四環癸烯共聚物A30質量部，以雙軸混練機(東洋精機製造所公司製，LABOPLASTOMILL)熔融混練，得到樹脂層(A)用之擠出用原材料。
另一方面，將EMMA以雙軸混練機(東洋精機製造所公司 製，LABOPLASTOMILL)熔融混練，得到樹脂層(B)用之擠出用原材料。
將樹脂層(A)用之擠出用原材料，與樹脂層(B)用之擠出用原材料，以小型T模具擠出機(東洋精機製造所公司製，產品名：LABOPLASTOMILL)共擠出成形，得到厚度40μm之樹脂層(A)與厚度60μm之樹脂層(B)所組成之2層構造之基材膜。
(黏著劑之調製)
另一方面，將共聚合丙烯酸正丁酯95質量部及丙烯酸5質量部而成之共聚物(Mw：500,000)100質量部、尿烷丙烯酸酯寡聚物(Mw：8000)120質量部、異氰酸酯系硬化劑(日本聚氨酯公司，CORONATE L)5質量部、光聚合起始劑(Ciba．Speciality Chemicals公司製，IRGACURE184)4質量部，混合得到能量線硬化型黏著劑組成物。
將所得能量線硬化型黏著劑組成物，塗佈於矽酮剝離處理之剝離片(LINTEC公司，SP-PET38111(S))之剝離處理面，使乾燥後之厚度成10μm，以100℃乾燥1分鐘形成黏著劑層，藉由將此黏貼於上述基材膜之樹脂層(A)側之面，將黏著劑層轉印於基材膜上，作成切割片。
〔實施例2至8，以及比較例2及3〕
除了將樹脂層(A)及樹脂層(B)之材料及調合量變更為第1表所示者，以與實施例1同樣地，製造切割片。
將以上的實施例及比較例之組成整理表示於第1表。第1表中的數值，係指各成分之質量部之意思。
[表1]
〔試驗例1〕(切割屑觀察)
對實施例及比較例所製造之切割片，分別將黏著劑層側之面，黏貼於未被切斷之被著體之後，以切割裝置(DISCO公司製DFD-651)，以如2條件進行切割。
<條件1>
‧工件(被著體)：矽晶圓
‧工件尺寸：直徑6英吋，厚度350μm
‧切割刀：DISCO公司製27HEEE
‧刀片旋轉數：50,000rpm
‧切割速度：10mm/秒
‧切入深度：將基材膜由與黏著劑層的界面切入至20μm的深度
‧切割尺寸：10mm×10mm
<條件2>
‧工件(被著體)：矽晶圓
‧工件尺寸：直徑6英吋，厚度100μm
以下述條件由晶圓表面切入至50μm的深度
‧切割刀：DISCO公司製27HEFF
‧刀片旋轉數：5000rpm
‧切割速度：100mm/秒
其次，進一步以下述條件將基材膜由與黏著劑層的界面切入至20μm的深度
‧切割刀：DISCO公司製27HEEE
‧刀片旋轉數：3500rpm
‧切割速度：100mm/秒
‧切割尺寸：10mm×10mm
之後，由基材膜側照射紫外線(160mJ/cm2)，將切斷的晶片剝離。縱及橫的切割線之中，將在於各個中央附近之縱1線及橫1線發生的長度100μm以上的絲狀屑的個數，以數位顯微鏡(KEYENCE公司VHX-100，倍率：100倍)計數。將計測結果以如下基準評估。將評估結果示於第1表。
A：絲狀屑的個數為0~10個
B：11~15個
C：16個以上
〔試驗例2〕(擴展性試驗)
將關於實施例及比較例所製造之切割片，分別將黏著劑層側之面黏貼於6吋矽晶圓之後，將該切割片安裝於平框，藉由 20μm厚的鑽石刀片，將晶圓全切割為10mm四方的晶片。其次，使用擴張夾具(NEC機器公司製Diebonder CSP-100VX)，將切割片以60mm/分拉下10mm。進行確認此時有無切割片的破裂。將該結果以如下基準評估。將評估結果示於第1表。
A：沒有確認到破裂之情形
B：確認到有破裂之情形
由第1表明顯可知，於實施例製造之切割片，於切割步驟時所發生的切割屑少，擴展步驟時之伸長性亦優良。
【產業上的可利性】
關於本發明之切割片用基材膜及切割片，可良好地使用於半導體晶圓或各種構裝類等之切割。
1‧‧‧切割片
2‧‧‧基材膜(樹脂層(A)/樹脂層(B))
3‧‧‧黏著劑層

Claims (8)

  1. 一種切割片用基材膜，其係切割片用基材膜，其特徵在於：上述基材膜包括樹脂層(A)，該當樹脂層(A)，含有聚乙烯，及乙烯-四環癸烯共聚物。
  2. 根據申請專利範圍第1項之切割片用基材膜，其中對上述樹脂層(A)所含有的全樹脂成分，上述聚乙烯之含量為50質量%以上90質量%以下，上述乙烯-四環癸烯共聚物之含量為10質量%以上50質量%。
  3. 根據申請專利範圍第1項之切割片用基材膜，其中上述乙烯-四環癸烯共聚物，來自四環癸烯之構成單位為15莫耳%以上45莫耳%以下。
  4. 根據申請專利範圍第1項之切割片用基材膜，其中包括配置於上述樹脂層(A)之一方的主面側，至少由一層組成之樹脂層(B)。
  5. 根據申請專利範圍第4項之切割片，其中上述樹脂層(B)包含乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物及乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物之一方。
  6. 一種切割片，包括：申請專利範圍第1至5項中任一項之切割片用基材膜；及配置於該當基材膜之一方之主面上之黏著劑層。
  7. 根據申請專利範圍第6項之切割片，其中上述黏著劑層，配置於上述基材膜之上述樹脂層(A)上。
  8. 一種切割片，包括：申請專利範圍第4或5項之切割片用基材膜；及配置於該當基材膜之一方之主面上之黏著劑層 之切割片，上述樹脂層(A)係配置於較上述樹脂層(B)接近上述黏著劑層之位置。
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