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TW201434149A - 有機發光二極體顯示裝置及其製造方法和施體基板 - Google Patents

有機發光二極體顯示裝置及其製造方法和施體基板 Download PDF

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TW201434149A
TW201434149A TW102133077A TW102133077A TW201434149A TW 201434149 A TW201434149 A TW 201434149A TW 102133077 A TW102133077 A TW 102133077A TW 102133077 A TW102133077 A TW 102133077A TW 201434149 A TW201434149 A TW 201434149A
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TW
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light emitting
organic light
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pixel
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TW102133077A
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English (en)
Inventor
Nam-Jin Kim
Chul-Hwan Park
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
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Abstract

本發明之有機發光二極體顯示裝置包含基板，形成於基板上之薄膜電晶體，形成於薄膜電晶體上並與薄膜電晶體電性耦接之像素電極，形成於像素電極上並界定出像素區域之像素界定層，形成於像素電極上並接觸像素區域內之像素電極之發光層，以及形成於像素界定層上並接觸一部分之發光層之中間層。

Description

有機發光二極體顯示裝置及其製造方法和施體基板
本發明係關於一種有機發光二極體顯示裝置及其製造方法，以及製造有機發光二極體顯示裝置之施體基板，特別是關於具有從施體基板轉移之有機發光層之有機發光二極體顯示裝置及其製造方法。
用於平板顯示裝置之有機發光元件包含陽極、陰極及兩者間之有機薄膜。有機薄膜包含發光層、電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層及電子注入層。有機發光元件可根據形成有機薄膜的材料，特別是形成發光層之材料，被分類為聚合物有機發光元件或小分子量有機發光元件。
為了使有機發光元件實現全彩，需圖案化有機薄膜。小分子量有機發光元件使用陰影遮罩之方法圖案化。聚合物有機發光元件使用雷射引發熱成像法(LITI)或噴墨印刷法圖案化。
雷射引發熱成像法具高解析度圖案化之優點，且與濕式製程之噴墨印刷法相比，其具有為乾式製程之優點。
根據雷射引發熱成像法形成聚合物有機層之圖案須具備一光源、受體基板及施體薄膜。受體基板為有機薄膜形成於其上之顯示基板，而施體薄膜包含基底膜、光熱轉換層及有機薄膜製成之傳輸層。
當藉由光源輸出之雷射光束被施體薄膜之光熱轉換層吸收且接著轉換成熱能時有機薄膜圖案化於受體基板上，且形成傳輸層之有機薄膜藉由熱能轉換至受體基板上。
然而在轉換過程中，部分藉由雷射照射轉換至基板的有機薄膜可能並未轉換而殘留於傳輸層上。
上述揭露於先前技術章節之資訊係僅用於增加對於所述技術背景的了解，因此其可包含不構成於本國之該發明所屬技術領域中具通常知識者所習知之先前技術的資訊。
本發明之實施例提供一種有機發光二極體顯示裝置及其製造方法，於有機發光層之形成製程中，在與接近傳輸區域之外為傳輸層完全分離的狀態以熱傳輸沉積施體基板之傳輸區域之傳輸層。
本發明之另一實施例提供施體基板在與接近傳輸區域之傳輸層分離的狀態傳輸傳輸區域的傳輸層。
根據本發明之實施例之有機發光二極體顯示裝置包含基板，形成於基板上之薄膜電晶體，形成於薄膜電晶體上並與薄膜電晶體電性耦接之像素電極，形成於像素電極上且界定出像素區域之像素界定層，形成於像素電極上並接觸像素區域內之像素電極之發光層，以及形成於像素界定層上並接觸一部分之發光層之中間層。
中間層由黏著材料製成。
中間層由熱固性材料或光固性材料製成。
中間層為可卸式材料。
中間層可沿發光層之邊緣形成。
中間層可以環狀形狀形成。
發光層可覆蓋中間層及像素區域之像素電極。
發光層可覆蓋中間層之一部分。
中間層可覆蓋像素界定層之一部分。
根據本發明之實施例提供一種有機發光二極體顯示裝置之製造方法，其包含形成薄膜電晶體於基板上，形成像素電極於薄膜電晶體上並與其電性耦接，形成像素界定層界定出像素區域於像素電極上，形成中間層於像素界定層上，以及形成發光層接觸像素區域內之像素電極且覆蓋像素電極及中間層。
在發光層之形成中，發光層可覆蓋中間層之一部分。
在發光層之形成中可包含置放施體基板，其中用於形成該發光層之一傳輸層形成在該像素區域之表面，以及將傳輸層傳輸至像素區域上。
在中間層之形成中，黏著材料或可卸式材料可根據傳輸層下之發光層之邊緣設置並隨著傳輸層傳輸至像素界定層上。
傳輸層可覆蓋像素電極及中間層。.
中間層可覆蓋像素界定層之一部分。
根據本發明之實施例提供一種用於將傳輸材料傳輸至有機發光二極體顯示裝置之像素界定層所界定之像素區域之施體基板包含基底層，形成於基底層上之光熱轉換層，形成於光熱轉換層上且以有機發光材料製成之傳輸層，以及形成於傳輸層上並包含對應像素區域之開口之黏著層。
開口可相同或大於像素區域之面積。
黏著層可以環狀形狀形成。
黏著層可以黏著材料製成。
黏著層可以熱固性材料或光固性材料製成。
黏著層可以可卸式材料製成。
在根據本發明之實施例之有機發光二極體顯示裝置中，由雷射照射之施體基板之傳輸層與施體基板完全分離從而形成有機發光層。
根據本發明之另一實施例之有機發光二極體顯示裝置之製造方法，可避免由雷射照射之傳輸區域之傳輸層部分殘留於施體基板上造成之缺陷。
在根據本發明之另一實施例之施體基板中，由雷射照射之傳輸區域之傳輸層完全分離，可避免傳輸層部分殘留於施體基板上之缺陷。
10．．．施體基板
11．．．基底層
12．．．光熱轉換層
13．．．傳輸層
110．．．基板
121．．．緩衝層
122．．．閘極絕緣層
123．．．層間絕緣層
130．．．驅動薄膜電晶體
131．．．驅動源極電極
132．．．驅動汲極電極
133．．．驅動閘極電極
134．．．源極區
135．．．通道區
136．．．汲極區
137．．．驅動半導體層
140．．．平坦化層
141．．．電極接觸孔
150．．．像素電極
160．．．有機發光層
170．．．像素界定層
180．．．中間層
300．．．施體基板
310．．．基底層
320．．．光熱轉換層
330．．．傳輸層
340．．．黏著層
A．．．傳輸區域
B．．．邊緣
C．．．開口
D．．．像素區域
II-II．．．連線
本發明上述及其他之特徵或優點將參照附圖詳細其實施例中而變得顯而易見，其中：
第1圖為根據本發明之原理建構之實施例之有機發光二極體顯示裝置之頂部平面圖。
第2圖為第1圖沿II-II連線之剖面圖。
第3圖至第5圖為依序呈現根據本發明之原理建構之實施例之有機發光二極體顯示裝置之製造方法。
第6圖為根據本發明之另一實施例之施體基板之剖面圖。
第7圖為呈現由第6圖之施體基板傳輸傳輸層之製程之示意圖。
以下本發明之例示性實施例將參照附圖更加充份地描述於本文中使涉及本發明之領域內具通常知識者能理解本發明。可為技術領域中具通常知識者理解的是，所描述之實施例可以不同形式實施且不應視為受限於本文所述之實施例。圖式及敘述應被視為描述其本質但而非限制性。全文中相似參考符號表示相似元件。
再者，既然附圖呈現之各構成部件之尺寸及厚度為了便於描述而任意標定，本發明不受標示之尺寸及厚度限制。
於圖式中，各層、薄膜、面板及區域等之厚度可為了清楚說明而誇大。於圖式中，部分層及區域之厚度為了便於描述而誇大。可被理解的是，當一元件如層、薄膜、區域或基板被指為位於另一元件之 「 上 」 時，其可直接位於另一元件上或兩者間具有中介元件。
此外，除非明確地描述反例，詞彙「包含(comprise) 」及其變化「包含(comprises) 」或「包含(comprising) 」將理解為意指包含所述元件但不排除其他任何元件。更進一步地，在說明書中詞彙「在其上(on) 」將理解為意指在目標位置上方或下方，而不是以重力位置方向中之上方為主。
第1圖為根據本發明之原理建構之實施例之有機發光二極體顯示裝置之頂部平面圖。第2圖為第1圖沿II-II連線之剖面圖。參考第1圖及第2圖，在根據本發明之原理建構之實施例之有機發光顯示裝置中，由雷射照射之施體基板之傳輸層與施體基板分離從而形成有機發光層。
根據本發明之原理建構之實施例之有機發光二極體顯示裝置包含基板110、驅動薄膜電晶體130、像素電極150、像素界定層170、有機發光層160及中間層180。
接下將參考第1圖依沉積順序描述根據本發明之原理建構之實施例之有機發光二極體顯示裝置。在此，有機發光二極體顯示裝置之結構包含驅動薄膜電晶體之結構及由驅動薄膜電晶體驅動以發光之有機發光層。
此處之基板110由玻璃、石英、陶瓷、塑膠等構成之絕緣基板形成。然而本發明不以此為限，基板110也可由不銹鋼等構成之金屬基板形成。
緩衝層121形成於基板110上。緩衝層121用以避免雜質滲透入基板110表面並使基板110平坦化。
緩衝層121可由多種材料形成以發揮功用。舉例而言，用於緩衝層121之材料可為矽氮化物層、二氧化矽層或氮氧化矽層其中之一。然而緩衝層121並非完全必要，根據基板110之種類或製程條件可省略之。
驅動半導體層137形成於緩衝層121上。驅動半導體層137為多晶矽薄膜。驅動半導體層137包含未摻雜雜質之通道區135，及位於其兩側，經摻雜之源極區134及汲極區136。此處使用離子材料進行P型摻雜如硼、乙硼烷為主之雜質。此處可根據薄膜電晶體之種類改變雜質。
以矽氮化物或二氧化矽形成之閘極絕緣層122形成於驅動半導體層137上。包含驅動閘極電極133之閘極線路形成於閘極絕緣層122上。此外，驅動閘極電極133形成以重疊驅動半導體層137之至少一部份特別是通道區135。
覆蓋驅動閘極電極133之層間絕緣層123形成在閘極絕緣層122上。閘極絕緣層122及層間絕緣層123均具有暴露驅動半導體層137之源極區134及汲極區136之通孔。層間絕緣層123如同閘極絕緣層122藉由使用陶瓷系材料如矽氮化物、二氧化矽等而製備。
包含驅動源極電極131及驅動汲極電極132之資料線路形成於層間絕緣層123上。驅動源極電極131及驅動汲極電極132通過閘極絕緣層122及層間絕緣層123之通孔分別地連結至驅動半導體層137之源極區134及汲極區136。
包含驅動半導體層137、驅動閘極電極133、驅動源極電極131及驅動汲極電極132之驅動薄膜電晶體130如上述形成。驅動薄膜電晶體130之配置不受上述例子所限制，而可多樣化地修改為技術領域中具有通常知識者可輕易實現之已知配置。
平坦化層覆蓋資料線路之平坦化層140形成於層間絕緣層123上。平坦化層140用以消去及平坦化階差以提升於其上形成之有機發光元件之發光效率。此外，平坦化層140具電極接觸孔141暴露驅動汲極電極132之一部分。
平坦化層140可由一或多種材料製備，如丙烯酸類樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺類樹脂、聚醯亞胺類樹脂、不飽和聚酯類樹脂、聚苯醚基樹脂、聚苯硫醚類樹脂及苯並環丁烯。
進一步地，根據本發明之實施例並不受限於上述結構，平坦化層140及層間絕緣層123於一些情況下可省略。
有機發光元件之像素電極150形成於平坦化層140上。亦即有機發光二極體顯示裝置包含複數個像素電極150分別地配置於複數個像素。此處，複數個像素電極150彼此分離。每一像素電極150通過平坦化層140之電極接觸孔141連結至驅動汲極電極132。
此外，具有暴露像素電極150之一開口之像素界定層170形成於平坦化層140上。亦即，像素界定層170具有複數個開口分別地形成於每一像素。有機發光層160可形成於像素界定層170之每一開口。於是每一發光層形成於其中之像素區域可藉由像素界定層170界定。
此外，像素電極150設置以對應至像素界定層170之開口。然而，像素電極150可設置於像素界定層170之下並與像素界定層170部分重疊。
像素界定層170可由無機材料樹脂或二氧化矽類如具丙烯酸樹脂或聚醯亞胺製成。
此時，發光層如有機發光層160形成於像素電極150上。此外，共同電極(未繪示)可形成於有機發光層160上。如上所述，行程包含像素電極150、有機發光層160及共同電極之有機發光元件。
有機發光層160由低分子量有機材料或高分子量有機材料製成。有機發光層160以多層結構形成，其包含電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層及電子注入層。當包含上述全部時，電洞注入層設置於為正極電極之像素電極150上，而電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層及電子注入層依序堆疊於其上。
此時，像素電極150及共同電極分別地由透明導電材料形成，或是半透明或反射材料形成。根據形成像素電極150及共同電極之材料種類，有機發光二極體顯示裝置可為頂部發光型態、底部發光型態或兩側發光型態。
另一方面，封裝基板可設置於共同電極(未繪示)上。在頂部發光型態或兩側發光型態的例子中封裝基板可由透明材料如玻璃或塑膠形成，而在底部發光型態時封裝基板可由不透明材料如金屬形成。
參考第1圖及第2圖，在根據本發明之原理建構之實施例之有機發光二極體顯示裝置中，中間層180形成於像素界定層170上。中間層180接觸形成於像素電極150上之有機發光層160之一部分。
更詳細地說，如第2圖所示，有機發光層160之邊緣部分設置於中間層180上。有機發光層160之邊緣部分設置以覆蓋中間層180的全部或一部分。於是有機發光層160形成以覆蓋中間層180及由像素界定層170暴露之像素電極150。
參考第1圖，中間層180根據有機發光層160之邊緣具有環狀形狀。
另一方面，中間層180可形成以覆蓋部分之像素界定層170。亦即，如第2圖所示，中間層180可重疊一部分之像素界定層170。然而，本發明不以此為限，而中間層180可覆蓋整個像素界定層170。根據本發明之實施例，中間層180以完全分離由雷射傳輸之傳輸區域之傳輸層及接近傳輸區域之外圍傳輸層。其詳述將於根據本發明之另一實施例之有機發光二極體顯示裝置之製造方法中解釋。
中間層180由具有黏著力或可卸力之材料製成。亦即，中間層180以黏著式或可卸式材料製成。當中間層180以可卸式材料製成時，中間層180首先可由最初附著之暫時層(未繪示)脫離，接著脫離之中間層180設置於像素界定層170及有機發光層160的重疊部分之間以彼此附著像素界定層170及有機發光層160。
當中間層180以黏著材料形成時，其可由熱固性或光固性材料形成。在加熱熱固性材料後，熱固性材料彼此黏著，亦即結合，分別地設置於熱固性材料兩相對側之兩層。在對光固性材料照光如紫外光後，光固性材料彼此黏著，亦即結合，分別地設置於光固性材料之兩相對側之兩層，。此外，中間層180可以其他可作為黏著劑之黏著材料形成。在傳輸過程中，傳輸區域之傳輸層之邊緣附著或黏著於中間層180，使傳輸層完全與接近傳輸區域之外圍傳輸層分離。
第3圖至第5圖為根據本發明之另一實施例依序地表示有機發光二極體顯示裝置之製造方法。
根據本發明之目前實施例之有機發光二極體顯示裝置之製造方法中，藉由雷射傳輸的傳輸區域「A」之傳輸層13與靠近傳輸區域「A」之傳輸層13之外圍完全分離，並設置於顯示基板上之像素區域。亦即，根據本發明之目前實施例之有機發光二極體顯示裝置之製造方法避免傳輸層殘留於施體基板之傳輸區域「A」中。
首先參考第3圖，薄膜電晶體形成於基板110上。薄膜電晶體可包含上述之驅動薄膜電晶體130及開關薄膜電晶體(未繪示)。形成薄膜電晶體於基板110上之製程使用已揭露之薄膜電晶體之形成製程，因此省略其詳述。
之後，像素電極150形成於薄膜電晶體上。詳細如第3圖所示，像素電極150與薄膜電晶體之驅動汲極電極132電性耦接。
之後，像素界定層170形成於像素電極150上。像素界定層170界定有機發光元件設置於其中之像素區域。像素界定層170具有暴露像素電極150之開口。
此外，在形成像素界定層170後，中間層180形成於像素界定層170上。中間層可藉由使用遮罩形成於像素界定層170上。該遮罩為曝光遮罩或精細金屬遮罩。此外，該遮罩必須具有開口以形成中間層180。
然而，中間層180並不受限形成於像素界定層170之正上方，而在設置黏著材料或可卸式材料於施體基板10之傳輸層13下方之後，從而傳輸傳輸層及黏著材料或可卸式材料以形成中間層。此外，其後將描述根據本發明之另一實施例藉由使用施體基板300形成中間層。因此，可使用第6圖及第7圖之施體基板300之黏著層340形成中間層。
如第1圖及第2圖所示，中間層180可形成以覆蓋一部分之像素界定層170。亦即，中間層180可形成以重疊部分之像素界定層170。然而，本發明不因此受限，中間層180可形成以覆蓋整個像素界定層170。
此時，中間層180以具有預定黏著力或預定可卸力之材料製成。亦即，中間層180可由黏著材料或可卸式材料製成。
當中間層180以黏著材料製成時，中間層180可由熱固性或光固性材料形成。在傳輸過程中，傳輸區域之傳輸層之邊緣附著或黏著於中間層180，使傳輸層完全與傳輸區域之外圍傳輸層分離。
之後，再像素區域中，形成覆蓋像素電極150及中間層180之有機發光層160。如第5圖所示，有機發光層160配置以覆蓋像素電極150及透過像素界定層170之開口而暴露之中間層180。
此時，有機發光層160之形成包含置放施體基板10於像素區域上，以及由施體基板10傳輸形成傳輸層13之傳輸材料在像素區域上。有機發光層160之形成將參考第3圖至第5圖描述。
如第3圖所示，施體基板10包含基底層11、傳輸層13及介於基底層11及傳輸層13間之光熱轉換層12。基底層11必須具有透光性以傳送光線至光熱轉換層12。舉例而言，基底層11由至少一種選自以下之聚合物材料如聚酯、聚丙烯酸、聚環氧、聚乙烯、聚苯乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯，或由玻璃製成。
同時，光熱轉換層12吸收紅外光至可見光範圍之光線，且轉換部分光線為熱量。光熱轉換層12理想上包含光吸收材料。
光熱轉換層12為由鋁、銀或其他氧化物及硫化物製成之金屬薄膜，或以包含碳黑、石墨或紅外染料之聚合物製成之有機薄膜。光熱轉換層12可藉由真空沉積、電子束沉積或濺鍍形成。此外，光熱轉換層12可藉由使用如輥塗佈之一般塗佈法形成，如凹版塗佈，擠出塗佈，旋轉塗佈或刮刀塗佈。
傳輸層13可藉由從光熱轉換層12傳輸之熱能與施體基板10分離。傳輸層13可形成有機發光二極體顯示裝置之有機發光層。此處，有機發光層為形成在像素電極暴露於其中之像素界定層170之開口之有機發光元件。
傳輸層13為有機發光元件之電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電洞抑制層、電子注入層或電子傳輸層，或包含上述兩層以上之多層結構。於是，傳輸層13可包含任何用於形成有機發光元件之有機層之習知材料。
如第3圖所示，在形成有機發光層160之步驟中，施體基板10置放於像素區域上。此時施體基板10置放以使得施體基板10傳輸區域「A」之邊緣「B」與中間層180重疊。此處，傳輸區域「A」為傳輸層13藉由雷射照射從施體基板10傳輸至像素區域之區域。
傳輸區域「A」之邊緣「B」與中間層180之上部表面部分或全部重疊。因此，傳輸層13之邊緣「B」傳輸後與中間層180之上部表面重疊。
此處，施體基板10之傳輸層13與中間層180置放以預定距離分隔。傳輸層13與中間層180之分隔距離為可使傳輸層13沿傳輸層13之邊緣「B」之下側彎曲以接觸中間層180。
之後，雷射照射施體基板10之傳輸區域「A」。當雷射照射至施體基板10時，施體基板10之光熱轉換層12隨著光熱轉換層12之溫度因光熱轉換升高而膨脹。因此，設置於光熱轉換層12下之傳輸層13將會因光熱轉換層12體積膨脹而沿下側彎曲。
此時傳輸區域「A」之邊緣「B」接觸中間層180。若傳輸層13在傳輸區域「A」之邊緣「B」接觸中間層180，傳輸區域「A」之傳輸層13藉由中間層180的附著力與施體基板10完全分離。
更詳細地，在傳輸層13分離的傳輸區域「A」之邊界表面，藉由傳輸層13之自凝聚力之分離過程尚未完成。然而，藉由傳輸區域「A」之邊緣「B」黏著至中間層180，傳輸層13之傳輸區域「A」藉由附著力與靠近傳輸區域「A」之傳輸層13之外圍完全分離。因此可減少傳輸區域「A」之邊緣「B」未完全與傳輸層13之外圍分離。
自施體基板10分離且傳輸至像素區域之傳輸層13形成有機發光二極體顯示裝置之有機發光層160。此外，傳輸層13以傳輸材料形成，且傳輸材料置於像素區域從而形成有機發光層160。形成傳輸層13之傳輸材料可為有機材料。
如上所述，如第5圖所示，有機發光層160覆蓋像素電極150及中間層180。有機發光層160可僅覆蓋一部分之中間層180。
根據本發明之另一實施例，第6圖及第7圖係關於施體基板，其下將描述傳輸區域「A」中之傳輸層330與靠近施體基板300之傳輸區域「A」之外圍傳輸層330之分離。
參考第6圖，根據本發明之另一實施例之施體基板300包含基底層310、光熱轉換層320、傳輸層330及黏著層340。
基底層310、光熱轉換層320、傳輸層330及黏著層340依序堆疊以形成施體基板300。
基底層310必須具有透光性以傳送光線至光熱轉換層320。舉例而言，基底層310由至少一種選自以下之聚合物材料如聚酯、聚丙烯酸、聚環氧、聚乙烯、聚苯乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯，或由玻璃製成。
同時，光熱轉換層320吸收紅外光至可見光範圍之光線且轉換部分光線為熱量。光熱轉換層320理想上包含光吸收材料。
光熱轉換層320為由鋁、銀或其他氧化物及硫化物製成之金屬薄膜，或以包含碳黑、石墨或紅外染料之聚合物製成之有機薄膜。光熱轉換層320可藉由真空沉積、電子束沉積或濺鍍而形成。此外，光熱轉換層320可藉由使用如輥塗佈之一般塗佈法形成，如凹版塗佈，擠出塗佈，旋轉塗佈或刮刀塗佈。
傳輸層330可藉由從光熱轉換層320傳輸之熱能與施體基板300分離。傳輸層330可形成有機發光二極體顯示裝置之有機發光層。此處，有機發光層為形成在像素電極暴露於其中之像素界定層170之開口之有機發光元件。
傳輸層330為有機發光元件之電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電洞抑制層、電子傳輸層或電子注入層，或包含上述兩層以上之多層結構。於是，傳輸層330可包含任何形成有機發光元件之有機層之習知材料。
根據本發明之實施例，黏著層340形成於傳輸層330上。黏著層340之作用為使傳輸區域「A」之傳輸層330自靠近傳輸區域「A」之傳輸層330完全分離並傳輸至像素區域「D」。
如上所述，傳輸區域「A」之傳輸層330可藉由黏著層340之附著力與施體基板300完全分離。
更詳細地，在傳輸層330分離的傳輸區域「A」之邊界表面，藉由傳輸層330之自凝聚力之分離過程尚未完成。然而，藉由黏著設置於傳輸區域「A」之邊緣之黏著層180至像素界定層170，傳輸層330之傳輸區域「A」藉由附著力與靠近傳輸區域「A」之傳輸層330之外圍完全分離。因此可減少傳輸區域「A」之邊緣未完全與傳輸層330之外圍分離。
參考第7圖，開口「C」形成於黏著層340中。開口「C」可具有對應像素區域「D」之形狀。舉例而言，當像素區域「D」為長方形，開口「C」可為長方形。傳輸層330藉由黏著層340之開口「C」暴露。
開口「C」以相同或大於像素區域之尺寸形成。當開口「C」根據上述形成時，如第7圖所示，傳輸層330可置放於像素界定層170上。
此外，黏著層340可以環狀形狀與中心形成之開口「C」共同形成。亦即，當以垂直方向時觀看施體基板300時，黏著層340根據開口「C」之圓周以具有預定寬度之環形管狀形成。
黏著層340可藉由遮罩形成於傳輸層330上。該遮罩可為曝光遮罩或精細金屬遮罩。
此時黏著層340以具黏著力或可卸力之材料製成。亦即，黏著層340以黏著材料或可卸式材料製成。
當黏著層340以黏著材料製成，其由熱固性或光固性材料製成。
參考第6圖，傳輸層330傳輸至黏著層340之圓周狀外部表面內之傳輸區域「A」中。
根據本發明之實施例之有機發光二極體顯示裝置、有機發光二極體顯示裝置之製造方法及施體基板，藉由使用雷射照射完全分離施體基板之傳輸層與施體基板，可避免傳輸區域之傳輸層並未完全傳輸而部分殘留於施體基板上造成之傳輸缺陷。
當本發明參照目前考量為具實行性之例示性實施例而描述時，可被了解的是本發明係不受所揭露之實施例所限制，而相反地，其係旨在涵蓋包含於所附申請專利範圍之精神及範疇內之各種修改及等效配置。
無
110．．．基板
121．．．緩衝層
122．．．閘極絕緣層
123．．．層間絕緣層
130．．．驅動薄膜電晶體
131．．．驅動源極電極
132．．．驅動汲極電極
133．．．驅動閘極電極
134．．．源極區
135．．．通道區
136．．．汲極區
137．．．驅動半導體層
140．．．平坦化層
141．．．電極接觸孔
150．．．像素電極
160．．．有機發光層
170．．．像素界定層
180．．．中間層

Claims (21)

  1. 【第1項】
    一種有機發光二極體顯示裝置，其包含：
    一基板；
    一薄膜電晶體，形成於該基板上；
    一像素電極，形成於該薄膜電晶體上並與該薄膜電晶體電性耦接；
    一像素界定層，形成於該像素電極上，界定出一像素區域；
    一發光層，形成於該像素電極上並接觸該像素區域內之該像素電極；以及
    一中間層，形成於該像素界定層上並接觸一部分之該發光層。
  2. 【第2項】
    如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該中間層由一黏著材料製成。
  3. 【第3項】
    如申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該中間層由一熱固性材料或一光固性材料製成。
  4. 【第4項】
    如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該中間層為一可卸式材料。
  5. 【第5項】
    如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該中間層沿著該發光層之邊緣形成。
  6. 【第6項】
    如申請專利範圍第5項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該中間層係以環狀形狀形成。
  7. 【第7項】
    如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該發光層覆蓋該中間層及該像素區域之該像素電極。
  8. 【第8項】
    如申請專利範圍第7項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該發光層覆蓋該中間層之一部分。
  9. 【第9項】
    如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示裝置，其中該中間層覆蓋該像素界定層之一部分。
  10. 【第10項】
    一種製造有機發光二極體顯示裝置之方法，其包含：
    形成一薄膜電晶體於一基板上；
    形成一像素電極於該薄膜電晶體上並與該薄膜電晶體電性耦接；
    形成一像素界定層界定出一像素區域於該像素電極上；
    形成一中間層於該像素界定層上；以及
    形成一發光層接觸該像素區域內之該像素電極及覆蓋該像素電極及該中間層。
  11. 【第11項】
    如申請專利範圍第10項所述之方法，其中在該發光層之形成中，該發光層覆蓋該中間層之一部分。
  12. 【第12項】
    如申請專利範圍第10項所述之方法，其中該發光層之形成包含：
    置放一施體基板，其中用於形成該發光層之一傳輸層形成在該像素區域之表面；以及
    傳輸該傳輸層至該像素區域上。
  13. 【第13項】
    如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該中間層之形成包含：
    設置一黏著材料或一可卸式材料對應於該傳輸層下之該發光層之邊緣；以及
    當該傳輸層傳輸至該像素區域時，傳輸該黏著材料或該可卸式材料至該像素界定層上。
  14. 【第14項】
    如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該傳輸層覆蓋該像素電極及該中間層。
  15. 【第15項】
    如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該中間層覆蓋該像素界定層之一部分。
  16. 【第16項】
    一種用於傳輸一傳輸材料至由一有機發光二極體顯示裝置之一像素界定層所界定之一像素區域之施體基板，該施體基板包含：
    一基底層；
    一光熱轉換層，形成於該基底層上；
    一傳輸層，形成於該光熱轉換層上，且由一有機發光材料製成；以及
    一黏著層，形成於該傳輸層上並包含對應該像素區域之形狀之一開口。
  17. 【第17項】
    如申請專利範圍第16項所述之施體基板，其中該開口相同或大於該像素區域之面積。
  18. 【第18項】
    如申請專利範圍第16項所述之施體基板，其中該黏著層係以環狀形狀形成。
  19. 【第19項】
    如申請專利範圍第16項所述之施體基板，其中該黏著層以一黏著材料製成。
  20. 【第20項】
    如申請專利範圍第19項所述之施體基板，其中該黏著層以一熱固性材料或一光固性材料製成。
  21. 【第21項】
    如申請專利範圍第16項所述之施體基板，其中該黏著層以一可卸式材料形成。
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