TW201422551A - 具有低彈性模數層及保持強度之物件 - Google Patents

Abstract

本發明之一或更多個態樣係關於一種包括安置於玻璃基板上之薄膜之物件，該玻璃基板可經強化，其中修改薄膜與玻璃基板之間的界面，以使得物件具有改良之平均撓曲強度，且薄膜保持關鍵功能特性以用於薄膜之應用。薄膜之一些關鍵功能特性包括光學、電氣及/或機械特性。自薄膜或玻璃基板中之一者至薄膜或玻璃基板中之另一者中之裂紋的橋接可藉由在玻璃基板與薄膜之間插入奈米多孔裂紋減輕層來抑制。

Description

具有低彈性模數層及保持強度之物件 【相關申請案之交叉引用】

本申請案根據專利法主張2012年10月12日申請之美國臨時申請案第61/712,908號之優先權權益且根據專利法主張2013年5月7日申請之美國臨時申請案第61/820,395號之優先權權益，本文依賴該等申請案之內容且該等申請案之內容全部以引用之方式併入本文中。

本發明係關於包括玻璃基板之物件，該物件具有安置於該物件之表面上之薄膜及在薄膜與玻璃基板之間的經修改界面，以使得玻璃基板實質上保持玻璃基板之平均撓曲強度，且薄膜保持用於薄膜塗覆之關鍵特性。

最近發現包括如本文中所述之可強化或堅固之玻璃基板的物件作為保護蓋玻璃廣泛用於顯示器，尤其是用於觸控螢幕應用中，且存在用於許多其他應用(諸如，車窗或建築窗及用於光伏系統之玻璃)中之潛在可能性。在許多該等應用中，塗覆薄膜至玻璃基板可為有利的。示例性薄膜包括 銦錫氧化物(「ITO」)或其他透明導電氧化物(例如，鋁及鎵摻雜氧化鋅及氟摻雜氧化錫)、各種硬質膜(例如，類金剛石碳、Al₂O₃、AlN、AlO_xN_y、Si₃N₄、SiO_xN_y、SiAl_xO_yN_z、TiN、TiC)、IR或UV反射層、導電或半導電層、電子層、薄膜電晶體層或防反射(「AR」)薄膜(例如，SiO₂層狀結構、Nb₂O₅層狀結構及TiO₂層狀結構)。在許多情況下，該等薄膜必然為硬的及/或具有高彈性模數，或否則該等薄膜之其他功能特性(例如，機械特性、耐久特性、電導率特性、光學特性)將降低。在多數情況下，該等膜係薄膜，亦即，該等膜通常具有範圍在0.005μm至10μm(例如，5nm至10000nm)之厚度。

當薄膜塗覆於可經強化或表徵為堅固之玻璃基板之表面時，例如，當使用落球或環對環強度試驗評估時，玻璃基板之平均撓曲強度可降低。該行為已經量測為不依賴溫度效應(亦即，經強化玻璃基板中之表面壓縮應力由於任何加熱導致的明顯或可量測鬆弛不引起該行為)。平均撓曲強度之降低亦顯然不依賴來自處理之任何玻璃表面損害或腐蝕，且甚至在物件中使用具有範圍在自約5nm至約10μm之厚度之薄膜時，該降低顯然為物件之固有機械屬性。在不受理論約束的情況下，據信平均撓曲強度之此降低與此等薄膜相對於強化或堅固玻璃基板之高應變損壞的低應變損壞，以及此薄膜與玻璃基板之間的裂紋橋接相關聯，且在一些情況下，裂紋尖端處之應力強度因數之增加與薄膜之高彈性模數及/或在薄膜與玻璃基板之間橋接之裂紋之增加的裂紋長度相關 聯。基於該新的理解，存在防止薄膜降低玻璃基板之平均撓曲強度的需要。

本發明之一或更多個態樣係關於一種物件，該物件包括玻璃基板、安置於玻璃基板上之裂紋減輕層及安置於裂紋減輕層上之薄膜。在一或更多個實施例中，裂紋減輕層安置於玻璃基板之第一主表面上，形成第一界面，且薄膜安置於裂紋減輕層上，形成第二界面。在一或更多個實施例中，發生於薄膜之裂紋需要比橋接跨越第一界面所需之負載大的負載來橋接跨越第二界面。在其他實施例中，發生於薄膜之裂紋之應力強度因數(K)在裂紋橋接至裂紋減輕層及玻璃基板中之一或更多者中時降低。在一些實例中，應力強度因數降低至少約10%。在一或更多個實施例中，裂紋減輕層產生不同負載需求及/或應力強度因數之變化。在其他實施例中，裂紋減輕層增加裂紋自薄膜橋接至玻璃基板所需之負載至少約10%。

裂紋減輕層可使發生於薄膜或玻璃基板並進入裂紋減輕層中之裂紋保持在裂紋減輕層內。在一或更多個實施例中，裂紋減輕層有效限制發生於薄膜及玻璃基板中之一者之裂紋擴展至此薄膜及玻璃基板中之另一者中。在一種選項中，裂紋減輕層使裂紋在實質上平行於第一界面及/或第二界面之方向上在裂紋減輕層內擴展。在一或更多個替代實施例中，裂紋減輕層使裂紋實質上沿第一界面或第二界面擴展。

在其他實施例中，薄膜具有彈性模數，該彈性模數 大於裂紋減輕層之彈性模數。裂紋減輕層之彈性模數可為約50GPa或更小，在自約1GPa至約50GPa之範圍中或在自約5GPa至約40GPa之範圍中。一些實施例之裂紋減輕層可包括多孔材料或奈米多孔材料。裂紋減輕層可包括在按體積計約10%至按體積計約50%之範圍中的孔隙率。在一些實施例中，裂紋減輕層具有小於約50nm之平均孔徑。多孔材料或奈米多孔材料可包括無機材料，諸如(例如)SiO、SiO_x、SiO₂、Al₂O₃、AlN、AlO_xN_y、Si₃N₄、SiO_xN_y、SiAl_xO_yN_z、TiO₂、Nb₂O₅、Ta₂O₅、ZrO₂、GeO₂、SiC_xN_y、SiC_xO_yN_z、SiC、Si、Ge、銦錫氧化物、氧化錫、氟化錫氧化物、氧化鋅鋁及/或氧化鋅。在其他實施例中，可為多孔或無孔之裂紋減輕層可包括選自以下各者中之一或更多者之聚合材料：聚醯亞胺、氟化聚醯亞胺、聚醚醯亞胺或聚醚碸。在一或更多個特定實施例中，裂紋減輕層包括具有在自約5GPa至約40GPa之範圍中之彈性模數的奈米多孔氣相沉積無機SiO、SiO_x或SiO₂。

裂紋減輕層可視情況展現小於約10%之光學透射霾。在一些實施例中，裂紋減輕層可具有在自約1.3至約1.7之範圍中之折射率。一些實施例之裂紋減輕層可展現約1MPa．m^1/2或更小之斷裂韌性。

一或更多個實施例之薄膜包括一或更多種功能特性，諸如光學特性、電氣特性及機械特性。薄膜之一或多種功能特性在與裂紋減輕層組合後實質上仍被保留。在一個變體中，薄膜可包括透明導電氧化物層、IR發射層、UV反射層、導電層、半導電層、電子層、薄膜電晶體層、EMI屏蔽層、 抗反射層、防眩光層、防塵層、自清潔層、防刮層、阻擋層、鈍化層、氣密層、擴散阻擋層、防指印層及上述之組合。薄膜可包括Al₂O₃、AlN、AlO_xN_y、Si₃N₄、SiO_xN_y、SiAl_xO_yN_z、TiO₂、Nb₂O₅、Ta₂O₅、ZrO₂、SiC_xN_y、SiC_xO_yN_z、SiC、銦錫氧化物、氧化錫、氟化錫氧化物、氧化鋅鋁及/或氧化鋅。

薄膜可由單一層或複數個層形成。薄膜之厚度可關於裂紋減輕層之厚度而判定。在一些實施例中，裂紋減輕層之厚度可小於或等於約3倍薄膜之厚度。在其他實施例中，薄膜及裂紋減輕層之厚度可各為約5微米或更小。

在一或更多個實施例中，玻璃基板包括相對之主表面並展現平均應變損壞，該平均應變損壞大於薄膜之平均應變損壞。舉例而言，玻璃基板可展現大於約0.5%之平均應變損壞。玻璃基板可經化學強化並可展現大於約500MPa之壓縮應力及大於約15μm之壓縮應力層深度。

在一或更多個實施例中，物件展現實質上大於包括玻璃基板及薄膜但無裂紋減輕層之物件所展現的平均撓曲強度的平均撓曲強度。

本發明之第二態樣係關於一種用於形成物件之方法。在一或更多個實施例中，該方法包括：將多孔裂紋減輕層安置於玻璃基板上，將具有一或更多種功能特性的薄膜安置於裂紋減輕層上；及控制裂紋減輕層之孔隙率或彈性模數。在一或更多個實施例中，該方法可包括：控制裂紋減輕層之孔隙率或彈性模數以保持玻璃基板之平均撓曲強度及/或薄膜之功能特性。該方法包括：經由真空沉積形成裂紋減輕 層。一或更多個實施例的該方法可包括：強化玻璃基板。

10‧‧‧玻璃基板

11‧‧‧穿透裂紋

12‧‧‧薄膜

13‧‧‧單側偏向

14‧‧‧雙邊偏向

15‧‧‧零軸

16‧‧‧止動

17‧‧‧圖形

18‧‧‧扭結

100‧‧‧物件

110‧‧‧薄膜

120‧‧‧玻璃基板

122‧‧‧主表面

124‧‧‧主表面

130‧‧‧裂紋減輕層

300‧‧‧物件

302‧‧‧玻璃基板

304‧‧‧裂紋減輕層

306‧‧‧薄膜

310‧‧‧物件

312‧‧‧玻璃基板

314‧‧‧裂紋減輕層

316‧‧‧薄膜

320‧‧‧物件

322‧‧‧玻璃基板

324‧‧‧裂紋減輕層

326‧‧‧薄膜

328‧‧‧額外薄膜

第1圖為根據一或更多個實施例包含玻璃基板、薄膜及裂紋減輕層之物件之圖解。

第2圖為裂紋在薄膜中之發展及裂紋之可能的橋接模式的示意圖。

第3圖為用於薄膜中之裂紋及裂紋之可能的橋接之存在作為彈性失配α之函數的理論模型圖解。

第4圖為圖示能量釋放率G_d/G_p之圖式。

第5圖為根據實例1A-1J存在玻璃基板或物件的環對環負載損壞效能的圖形。

第6圖為根據實例2A-2D之玻璃基板或物件的落球效能的機率繪圖。

第7圖為根據實例3A之物件的圖解。

第8圖為根據實例3B之物件的圖解。

第9圖為根據實例3C之物件的圖解。

第10圖為根據對比實例4A及對比實例4B之模型化光學反射光譜。

第11圖為根據實例4C及實例4D之模型化光學反射光譜。

第12圖為根據實例4E及對比實例4F之模型化光學反射光譜。

第13圖為根據實例5A-5E存在玻璃基板或物件的環對環負載損壞效能的圖形。

第14圖為根據實例5A及實例5F-5H存在玻璃基板或物件的環對環負載損壞效能的圖形。

第15圖為根據實例6A-6D存在玻璃基板或物件的環對環負載損壞效能的圖形。

第16圖為根據實例6A-6B及實例6E-6F存在玻璃基板或物件的環對環負載損壞效能的圖形。

在以下詳細描述中，可闡述眾多具體細節以便提供對本發明之實施例的透徹理解。然而，當可在無該等特定細節中之一些或所有的情況下實踐本發明之實施例對熟習此項技術者而言將很明顯。在其他情況下，已知特徵或過程可不詳細描述，以免不必要地模糊本發明。此外，相似或相同元件符號可用於識別共用或類似元件。

參看第1圖，本發明之態樣包括物件100，該物件100包括薄膜110及玻璃基板120，其中薄膜110與玻璃基板120之間的界面特性經修改，以使得物件實質上保持物件之平均撓曲強度，且薄膜保持用於薄膜塗覆之關鍵功能特性。在一或更多個實施例中，物件展現在該修改後亦保持之功能特性。薄膜及/或物件之功能特性可包括光學特性、電特性及/或機械特性，諸如，硬度、彈性模數、應變損壞、耐磨性、機械耐久性、摩擦係數、導電性、電阻率、電子遷移率、電子或孔載子摻雜、光學折射率、密度、不透明度、透明度、反射率、吸收率、透射率及類似者。

在一或更多個實施例中，對薄膜-玻璃基板界面之修 改包括防止一或更多個裂紋自薄膜110或玻璃基板120中之一者橋接至薄膜110或玻璃基板120中之另一者中，同時保留薄膜110及/或物件之其他功能特性。在一或更多個特定實施例中，如第1圖中所示，界面特性之修改包括將裂紋減輕層130安置在玻璃基板120與薄膜110之間。

如應用於併入物件100之薄膜110及/或其他薄膜之術語「薄膜」包括一或更多個層，該一或更多個層藉由此項技術之任何已知方法(包括間斷沉積製程或連續沉積製程)形成。該等層可彼此直接接觸。層可由相同材料或不止一種不同材料形成。在一或更多個替代實施例中，該等層可具有不同材料之中間層，該等中間層安置在該等層之間。在一或更多個實施例中，薄膜可包括一或更多個連續且不中斷層及/或一或更多個不連續且中斷層(例如，具有鄰近彼此形成之不同材料的層)。

如本文中所使用，術語「安置」包括使用此項技術中任何已知方法塗佈、沉積及/或形成材料於表面上。經安置材料可構成如本文中所界定之層或薄膜。片語「安置於......上」包括將材料形成於表面上以使得材料直接接觸表面的情況，且亦包括材料形成於表面上，其中一或更多個中間材料在經安置材料與表面之間的情況。一或多個中間材料可構成層或薄膜，如本文中所界定。

如本文中所使用，術語「平均撓曲強度」意指含玻璃之材料(例如，物件及/或玻璃基板)之如藉由諸如環對環、球對環或落球試驗之方法測試的撓曲強度。術語「平均」在 結合平均撓曲強度或任何其他特性使用時係基於對至少5個樣本、至少10個樣本或至少15個樣本或至少20個樣本之該特性之量測的數學平均值。平均撓曲強度可指代失效負載在環對環或球對環試驗下之兩個參數韋伯(Weibull)統計的尺度參數。該尺度參數亦稱為韋伯特徵強度，材料在韋伯特徵強度處之失效機率為63.2%。更廣泛而言，平均撓曲強度亦可藉由其他試驗(諸如，落球試驗，其中玻璃表面撓曲強度以在無失效的情況下可容許之落球高度為特徵)界定。玻璃表面強度亦可在裝置組態中試驗，其中含有含玻璃材料(例如，物件及/或玻璃基板)物件之設備或裝置降落在可產生表面撓曲應力之不同方位。在一些情況下，平均撓曲強度亦可合併如由此項技術中其他方法(諸如，3點彎曲或4點彎曲試驗)測試之強度。在一些情況下，該等試驗方法可明顯受到物件之邊緣強度影響。

在一或更多個實施例中，裂紋減輕層130阻止或抑制發生於薄膜110或玻璃基板120中之一者之一或更多個裂紋橋接至薄膜110或玻璃基板120中之另一者中。在一或更多個特定實施例中，裂紋減輕層130藉由使薄膜110之平均應變損壞增加來阻止裂紋自薄膜110或玻璃基板120中之一者橋接至薄膜110或玻璃基板120中之另一者中。裂紋減輕層130可藉由降低可能在玻璃基板上形成期間或應用期間形成在薄膜110中的應力來增加薄膜110之平均應變損壞。在此等實施例中，鹹信，薄膜110之平均應變損壞的增加阻止裂紋自薄膜110或玻璃基板120中之一者橋接至薄膜110或 玻璃基板120中之另一者中。在其他實施例中，裂紋減輕層130不改變薄膜110之應變損壞，換言之，裂紋在負載下仍形成在薄膜110中，但裂紋減輕層130阻止或抑制此等裂紋在玻璃基板120與薄膜110之間的橋接。在該等實施例中，如下文將進一步描述，裂紋減輕層130可經由裂紋尖端鈍化、裂紋止動、裂紋偏向、脫層或其他相關機制來阻止薄膜110中之裂紋橋接至玻璃基板120。

如本文中所使用，術語「橋接」係指裂紋、瑕疵或缺陷形成及該裂紋、瑕疵或缺陷之大小增長及/或自一種材料、層或薄膜至另一材料、層或薄膜之擴展。舉例而言，橋接包括存在於薄膜110中之裂紋擴展至另一材料、層或薄膜(例如，玻璃基板120)中的情況。術語「橋接」亦包括裂紋跨越不同材料、不同層及/或不同薄膜之間的界面的情況。材料、層及/或薄膜不必彼此直接接觸以使裂紋橋接在該等材料、層及/或薄膜之間。舉例而言，裂紋可藉由橋接穿過安置在第一材料與第二材料之間的中間材料而自第一材料橋接至第二材料，但不與第一材料直接接觸。同一情況可應用於層及薄膜及材料、層及薄膜之組合。在本文中所述之物件中，裂紋可發生於薄膜110或玻璃基板120中之一者中，並橋接至薄膜110或玻璃基板120中之另一者。如本文中將描述，裂紋減輕層130可阻止裂紋在薄膜110與玻璃基板120之間橋接，而無論裂紋發生在何處(亦即，薄膜110或玻璃基板120)。

當與裂紋橋接阻止相關聯時，術語「阻止」係指在 一或更多個所選負載位準(或負載之範圍)或撓曲狀態下阻止裂紋橋接。此並不意謂針對所有負載位準或撓曲狀態阻止裂紋橋接。更確切而言，此通常意謂，針對通常將在裂紋減輕層不存在的情況下引起裂紋橋接之特定負載、應力或應變位準或範圍而阻止裂紋橋接。

在一或更多個實施例中，裂紋減輕層130可能不能阻止薄膜110與玻璃基板120之間的裂紋橋接，而相反，相對於無裂紋減輕層之物件而言，裂紋減輕層可抑制在薄膜110與基板120之間橋接之裂紋之生長。因此，在一或更多個實施例中，可能在薄膜110及/或玻璃基板120中之一者中預先存在在薄膜110與基板120之間橋接的裂紋，或裂紋可在負載/應力之施加期間形成，但該等裂紋之生長受裂紋減輕層之存在抑制。如在本文中所使用，當關於裂紋生長使用時，術語「抑制」包括在較低負載下延遲裂紋生長直至較高負載施加至物件，裂紋在該較高負載點下生長。術語「抑制」亦包括在施加至物件之給定負載或應力位準下降低裂紋生長速率(或速度)。

在其他實施例中，裂紋減輕層130可形成除了在薄膜110與玻璃基板120之間橋接外的裂紋擴展的較佳路徑。換言之，裂紋減輕層130可使裂紋偏向，形成在薄膜110及玻璃基板120中之一者中並朝向薄膜110及玻璃基板120中之另一者擴展進入裂紋減輕層130中。在此等實施例中，裂紋可在實質上平行於薄膜裂紋減輕層界面及/或裂紋減輕層玻璃基板界面之方向上擴展穿過裂紋減輕層130。在一或更多個 實施例中，包括裂紋減輕層130之物件可展現相較於無裂紋減輕層130之物件而言改良的平均撓曲強度。

以下理論斷裂力學分析說明裂紋可在物件內橋接之所選方式。第2圖為圖示安置在玻璃基板上之薄膜中之裂紋及裂紋之可能橋接模式的存在的示意圖。第2圖中之編號元件為以下各者：玻璃基板10；玻璃基板10之表面(未編號)之頂部上的薄膜12；玻璃基板10與薄膜12之間的界面中之兩側偏向14；止動16，該止動16為開始在薄膜12內產生但未完全穿過薄膜12之裂紋；「扭結」18，該「扭結」18為在薄膜12之表面中產生之裂紋，但當裂紋到達玻璃基板10之表面時，裂紋不穿透玻璃基板12，而是在側向方向上移動，如第2圖中所示，且隨後在另一位置處，穿透玻璃基板10的表面；穿透裂紋11，穿透裂紋11在薄膜12中產生且穿透玻璃基板10；單側偏向13；及玻璃基板10中相比於零軸15之拉力對壓縮圖形17。注意，此示意圖未按比例繪製且玻璃基板厚度通常進一步延伸超過圖式之底部(未圖示)。如圖所示，在施加外部負載時(在該等情況下，拉力負載為最不利情況)，薄膜中之瑕疵可較佳地經活化以在剩餘壓縮玻璃基板中之裂紋產生前形成裂紋。在第2圖中所示的情況下，隨著外部負載之持續增加，裂紋將橋接直至該等裂紋遇到玻璃基板。當裂紋到達基板10之表面時，裂紋在發生於薄膜中時的可能橋接模式為：(a)在不改變裂紋之路徑的情況下，穿透至玻璃基板中，如由數字11表示；(b)沿薄膜與玻璃基板之間的界面偏向至一側中，如由數字13表示；(c)沿界 面偏向至兩側中，如由數字14表示；(d)沿界面之首先偏向且接著扭結至玻璃基板中，如由數字18表示；或(e)由於微觀變形機制，例如，裂紋尖端處之塑性、奈米級鈍化或奈米級偏向導致之裂紋止動，如由數字16表示。裂紋可發生於薄膜中且可橋接至玻璃基板中。上述橋接模式亦可在裂紋發生於玻璃基板中且橋接至薄膜中的情況下適用，例如，在玻璃基板中先前存在之裂紋或瑕疵可引起或集結薄膜中之裂紋或瑕疵的情況下適用，因此導致裂紋自玻璃基板至薄膜之增長或擴展，從而導致裂紋橋接。

至玻璃基板及/或薄膜中的裂紋穿透相比於僅玻璃基板(亦即，沒有薄膜或裂紋減輕層)之平均撓曲強度降低物件及玻璃基板之平均撓曲強度，同時裂紋偏向、裂紋鈍化或裂紋止動(本文中統稱為裂紋減輕)可較佳地幫助保持物件之平均撓曲強度。裂紋鈍化及裂紋止動可彼此區別。裂紋鈍化可包含例如藉由塑性變形機制或屈服機制增加之裂紋尖端半徑。另一方面，裂紋止動可包含許多不同機制，諸如(例如)在裂紋尖端處遭遇高壓縮應力、裂紋尖端處之應力強度因數由於低彈性模數夾層或低彈性模數至高彈性模數界面過渡之存在導致的降低、如在一些多晶或複合材料中之奈米級裂紋偏向、裂紋尖端處之應變硬化及類似者。

在不受理論約束的情況下，可在線性彈性斷裂力學之背景中分析某些可能之裂紋橋接路徑。在以下段落中，一個裂紋路徑用作實例且斷裂力學概念應用於裂紋路徑以分析問題及闡明材料參數要求，以幫助保持物件之平均撓曲強度 效能用於特定範圍之材料特性。

下文第3圖圖示理論模型框架之圖解。此為薄膜12與玻璃基板10之間的界面區域的簡化示意圖。術語μ₁、E ₁ 、v ₁ 及μ₂、E ₂ 、v ₂ 為玻璃基板及薄膜材料之剪切模數、楊氏模量、泊松比，Γ _c ^玻璃 及Γ _c ^IT 分別為玻璃基板及基板與薄膜之間的界面的臨界能釋放率。

表徵薄膜與基板之間的彈性失配的共用參數為Dundurs參數α及β[1]，如下所界定： 其中用於平面應變，及

值得指出的是，臨界能釋放率藉由如下界定之關係與材料之斷裂韌性緊密相關：

假設薄膜中先前存在瑕疵，在拉力負載後，裂紋將垂直向下延伸，如第3圖中所示。剛好在界面處，裂紋趨向於沿界面偏向，若 且裂紋將穿透玻璃基板，若其中G _d 及G _p 為在沿界面偏向之裂紋與穿透至玻璃基板中之裂紋之間的能量釋放率[1]。在方程式(4)及方程式(5)之左手側，比值G _d /G _p 為彈性失配參數α之強函數且較弱地依賴於β；且在右手側，韌性比值Γ _c ^IT /Γ _c ^玻璃 為材料參數。

第4圖用圖表圖示G _d /G _p 作為自參看雙偏向裂紋再現之彈性失配α之函數的趨勢。(Ming-Yuan,H及J.W.Hutchinson：Crack deflection at an interface between dissimilar elastic materials，國際固體與結構雜誌，1989年第25(9)期，第1053頁至第1067頁)。

顯然，比值G _d /G _p 強烈地依賴於α。負α意謂薄膜比玻璃基板硬，且正α意謂薄膜比玻璃基板軟。不依賴α之韌性比值Γ _c ^IT /Γ _c ^玻璃 在第4圖中為水平線。若在第4圖中，滿足水平線上方之區域處的準則(4)，則裂紋趨向於沿界面偏向，並因此有利於保持基板之平均撓曲強度。另一方面，若在第4圖中，滿足水平線下方之區域處的準則(5)，則裂紋趨向於穿透玻璃基板，導致平均撓曲強度的降低。

根據以上概念，在下文中，銦錫氧化物(ITO)薄膜用作說明性實例。對於玻璃基板，E ₁ =72GPa、v ₁ =0.22且K _1c =0.7MPa m ^1/2 ；對於ITO，E ₂ =99.8GPa、v ₂ =0.25。(Zeng,K等人：Investigation of mechanical properties of transparent conducting oxide thin films，固體薄膜，2003年第443(1-2)期，第60頁至第65頁)。ITO薄膜與玻璃基板之間的界面韌性可為大約Γ _in=5J/m ² ，視沉積條件而定。(Cotterell,B及Z.Chen：Buckling and cracking of thin films on compliant substrates under compression，國際斷裂雜誌，2000年第104(2)期刊，第169頁至第179頁)。此舉將給出彈性失配α=-0.17及Γ _c ^IT /Γ _c ^玻璃 =0.77。第4圖中標繪該等值。該斷裂分析預測裂紋穿透至用於ITO薄膜之玻璃基板，導致玻璃之平均撓曲強 度的降低。據信此舉是用安置在玻璃基板(包括經強化或堅固玻璃基板)上之各種銦錫氧化物薄膜或其他透明導電氧化物薄膜觀察之潛在底層機制中之一者。如第4圖中所示，減輕平均撓曲強度降低的一種方法可為選擇適當材料改變彈性失配α(選擇1)或調整界面韌性(選擇2)。

上文概述之理論分析建議：裂紋減輕層130可用於更好地保持物件強度。具體地，將裂紋減輕層插在玻璃基板120與薄膜110之間形成裂紋減輕，如本文中所述，更佳之路徑，且因此，物件能更好地保持物件的強度。在一些實施例中，當存在減輕層130時，發生於薄膜之裂紋之應變強度因數可經修改以抑制或阻止裂紋自薄膜生長至玻璃基板中。

玻璃基板

參看第1圖，物件100包括：玻璃基板120，該玻璃基板120可為經強化或堅固的，如本文中所述，玻璃基板120具有相對主表面122、124；薄膜110，該薄膜110安置在至少一個相對主表面(122或124)上；及裂紋減輕層130，該裂紋減輕層130安置在薄膜110與玻璃基板120之間。在一或更多個替代實施例中，裂紋減輕層130及薄膜110可安置在玻璃基板的一或多個次表面上，除了或代替安置在至少一個主表面(122或124)上。如本文中所使用，玻璃基板120可為實質上平面薄片，雖然其他實施例可利用彎曲或以其他方式成形或雕刻之玻璃基板。玻璃基板120可為實質上清澈、透明且免於光散射。玻璃基板可具有在自約1.45至約1.55的範圍中的折射率。在一或更多個實施例中，玻璃基板120可 經強化或表徵為堅固的，如本文中將更詳細描述。在該強化之前，玻璃基板120可為相對原始且無瑕疵的(例如，具有少量表面瑕疵或小於約1微米之平均表面瑕疵大小)。當利用經強化或堅固玻璃基板120時，該等基板可表徵為在該等基板之一或更多個相對主表面上具有高平均撓曲強度(當相比於未經強化或不堅固之玻璃基板時)或高表面應變損壞(當相比於未經強化或不堅固之玻璃基板時)。

另外或或者，玻璃基板120之厚度可出於美觀及/或功能原因而沿玻璃基板120之尺寸中之一或更多者改變。舉例而言，玻璃基板120之邊緣相比於玻璃基板120之多個中心區域可為較厚的。玻璃基板120之長度、寬度及厚度尺寸亦可根據物件100應用或使用而改變。

根據一或更多個實施例，玻璃基板120包括平均撓曲強度，該平均撓曲強度可在玻璃基板120與薄膜110、裂紋減輕層130及/或其他薄膜或層結合之前及之後量測。在本文中所述之一或更多個實施例中，當相比於玻璃基板120在該結合之前的平均撓曲強度時，物件100在玻璃基板120與薄膜110、裂紋減輕層130及/或其他薄膜、層或材料結合之後保持物件100的平均撓曲強度。換言之，物件100之平均撓曲強度在薄膜110、裂紋減輕層130及/或其他薄膜或層安置在玻璃基板120上之前及之後實質上相同。在一或更多個實施例中，物件100的平均撓曲強度明顯大於不包括裂紋減輕層130之相似物件之平均撓曲強度(例如，在沒有中間裂紋減輕層的情況下比包含直接接觸之薄膜110及玻璃基板120 之物件高的強度)。

根據一或更多個實施例，玻璃基板120具有平均應變損壞，該平均應變損壞可在玻璃基板120與薄膜110、裂紋減輕層130及/或其他薄膜或層結合之前及之後量測。術語「平均應變損壞」係指裂紋在未施加額外負載的情況下擴展的應變，通常導致既定材料、層或薄膜之災難性失效，且或許甚至橋接至另一材料、層或薄膜之災難性失效，如本文中所界定。可使用例如球對環試驗量測平均應變損壞。在不受理論約束的情況下，平均應變損壞可使用適當數學換算直接與平均撓曲強度有關。在特定實施例中，可如本文中所述經強化或堅固的玻璃基板120具有平均應變損壞，該平均應變損壞為0.5%或更大、0.6%或更大、0.7%或更大、0.8%或更大、0.9%或更大、1%或更大、1.1%或更大、1.2%或更大、1.3%或更大、1.4%或更大、1.5%或更大或甚至2%或更大。在特定實施例中，玻璃基板具有平均應變損壞，該平均應變損壞為1.2%、1.4%、1.6%、1.8%、2.2%、2.4%、2.6%、2.8%或3%或更大。薄膜110之平均應變損壞可能小於玻璃基板120之平均應變損壞及/或裂紋減輕層130之平均應變損壞。在不受理論約束的情況下，據信玻璃基板或任何其他材料之平均應變損壞依賴於該材料之表面品質。對於玻璃基板，特定玻璃基板之平均應變損壞依賴於離子交換或強化方法利用之條件，除了或代替玻璃基板之表面品質。

在一或更多個實施例中，玻璃基板120在與薄膜110、裂紋減輕層130及/或其他薄膜或層結合之後保持玻璃基 板120之平均應變損壞。換言之，玻璃基板120之平均應變損壞在薄膜110、裂紋減輕層130及/或其他薄膜或層安置在玻璃基板120上之前及之後實質上相同。在一或更多個實施例中，物件100的平均應變損壞明顯大於包括裂紋減輕層130之相似物件之平均應變損壞(例如，在沒有中間裂紋減輕層的情況下比包含直接接觸之薄膜110及玻璃基板120之物件高的應變損壞)。舉例而言，物件100可展現平均應變損壞，該平均應變損壞比不包括裂紋減輕層130之相似物件之平均應變損壞高至少10%、25%、50%、100%、200%或300%。

可使用各種不同方法提供玻璃基板120。例如，示例性玻璃基板形成方法包括浮制玻璃法及下拉法，諸如，熔融拉製及狹槽拉製。

在浮制玻璃法中，可以光滑表面及均勻厚度為特徵之玻璃基板由在熔融金屬(通常為錫)床上之浮動熔融玻璃製成。在示例性方法中，送至熔融錫床之表面上的熔融玻璃形成浮動玻璃帶。由於玻璃帶沿錫浴流動，故溫度逐漸降低，直至玻璃帶凝固成固體玻璃基板，該固體玻璃基板可自錫提升至滾子中。一旦離開浴，玻璃基板可進一步冷卻且退火以降低內部應力。

下拉法產生具有均勻厚度之玻璃基板，該玻璃基板具有相對原始的表面。由於玻璃基板之平均撓曲強度由表面瑕疵之量及大小控制，故已具有最小接觸之原始表面具有較高之初始強度。當該高強度玻璃基板接著進一步(例如，化學地)強化時，所得強度可高於具有經重疊及拋光之表面之 玻璃基板的強度。下拉玻璃基板可拉伸至小於約2mm之厚度。另外，下拉玻璃基板可具有極平坦、光滑之表面，該表面可在無昂貴的研磨及拋光的情況下用於玻璃基板之最終應用中。

例如，熔融拉製使用具有通道之拉製槽用於接收熔融玻璃原材料。通道在通道之兩側上沿通道之長度具有在頂部處打開的堰。當通道填滿熔融材料時，熔融玻璃溢出堰。由於重力，熔融玻璃向下流至拉製槽之外表面作為兩個流動玻璃薄膜。拉製槽之該等外表面向下及向內延伸，以使得該等外表面在拉製槽下方之邊緣處結合。兩個流動玻璃薄膜在該邊緣處結合，以融合且形成單一流動玻璃基板。熔融拉製法提供以下優點：因為溢出通道之兩個玻璃薄膜融合在一起，故所得玻璃基板之外表面皆不接觸裝置之任何部分。因此，熔融拉製之玻璃基板之表面特性不受該接觸影響。

狹槽拉製法不同於熔融拉製法。在狹槽拉製法中，熔融原材料玻璃提供至拉製槽。拉製槽之底部具有開口槽，該開口槽具有延伸狹槽之長度的噴嘴。熔融玻璃流動穿過狹槽/噴嘴且向下拉製成連續基板且拉製至退火區域中。

一旦形成，玻璃基板可經強化以形成經強化玻璃基板。如本文中所使用，術語「經強化玻璃基板」可指例如藉由玻璃基板之表面中之較大離子與較小離子之離子交換經化學強化的玻璃基板。然而，此項技術中已知之其他強化方法(諸如，熱回火)可用於形成經強化玻璃基板。如將所述，經強化玻璃基板可包括具有玻璃基板之表面中的表面壓縮應 力的玻璃基板，該表面壓縮應力幫助玻璃基板之強度保持。堅固玻璃基板亦在本發明之範疇內且包括可能未經受特定強化製程且可能不具有表面壓縮應力但仍然堅固的玻璃基板。該等堅固玻璃基板物件可界定為具有大於約0.5%、0.7%、1%、1.5%或甚至大於2%之平均應變損壞的玻璃片物件或玻璃基板。該等堅固玻璃基板可例如藉由在融化及形成玻璃基板後保護原始玻璃表面製成。該保護之實例發生在熔融拉製法中，其中玻璃薄膜之表面在形成後不接觸裝置之任何部分或另一表面。由熔融拉製法形成之玻璃基板自該等玻璃基板之原始表面品質獲得該等玻璃基板的強度。原始表面品質亦可藉由玻璃基板表面之蝕刻或拋光及後續保護及此項技術中已知之其他方法實現。在一或更多個實施例中，例如，在使用環對環或球對環撓曲試驗量測時，經強化玻璃基板及堅固玻璃基板兩者可包含具有大於約0.5%、0.7%、1%、1.5%或甚至大於2%之平均應變損壞的玻璃片物件。

如上所述，本文中所述之玻璃基板可由離子交換處理化學地強化以提供經強化玻璃基板120。玻璃基板亦可藉由此項技術中已知之其他方法(諸如，熱回火)強化。在離子交換處理中，通常藉由將玻璃基板浸入熔融鹽浴中預定時間週期，玻璃基板之一或多個表面處或附近之離子與來自鹽浴之較大金屬離子交換。在一個實施例中，熔融鹽浴之溫度為約350℃至450℃，且預定時間週期為約兩小時至約八小時。將較大離子併入玻璃基板中藉由在玻璃基板之近表面區域或在一或多個表面處及附近之區域中形成壓縮應力來強化玻璃 基板。在玻璃基板之中心區域或距玻璃基板之一或多個表面一距離處之區域內誘發相應拉伸應力以平衡壓縮應力。利用該強化製程之玻璃基板可更具體描述為化學強化玻璃基板120或離子交換玻璃基板120。未經強化之玻璃基板在本文中可稱為非強化玻璃基板。

在一個實例中，經強化玻璃基板120中之鈉離子由來自熔融浴(諸如，硝酸鉀鹽浴)之鉀離子替代，儘管具有較大原子半徑之其他鹼金屬離子(諸如，鉫或銫)可替代玻璃中之較小鹼金屬離子。根據特定實施例，玻璃中之較小鹼金屬離子可由Ag+離子替代。類似地，其他鹼金屬鹽(諸如(但不限於)硫酸鹽、磷酸鹽、鹵化物及類似者)可用於離子交換處理中。

較小離子在低於玻璃網絡可放鬆之溫度的溫度下由較大離子替代引起離子分佈在經強化玻璃基板120之一或多個表面上，該分佈導致應力特徵曲線。較大量之進入離子產生表面上之壓縮應力(CS)及經強化玻璃基板120之中心處之拉力(中心拉力或CT)。壓縮應力藉由下列關係與中心拉力相關： 其中t為經強化玻璃基板120之總厚度且壓縮層深度(DOL)為交換深度。交換深度可描述為經強化玻璃基板120內之深度(亦即，自玻璃基板之表面至玻璃基板之中心區域的距離)，由離子交換處理促進之離子交換在該深度處發生。

在一個實施例中，經強化玻璃基板120可具有300 MPa或更大(例如，400MPa或更大、450MPa或更大、500MPa或更大、550MPa或更大、600MPa或更大、650MPa或更大、700MPa或更大、750MPa或更大或800MPa或更大)之表面壓縮應力。經強化玻璃基板120可具有15μm或更大、20μm或更大(例如，25μm、30μm、35μm、40μm、45μm、50μm或更大)之壓縮層深度，及/或10MPa或更大、20MPa或更大、30MPa或更大、40MPa或更大(例如，42MPa、45MPa或50MPa或更大)但小於100MPa(例如，95MPa、90MPa、85MPa、80MPa、75MPa、70MPa、65MPa、60MPa、55MPa或更小)之中心拉力。在一或更多個特定實施例中，經強化玻璃基板120具有以下中之一或更多者：大於500MPa之表面壓縮應力、大於15μm之壓縮層深度及大於18MPa之中心拉力。

在不受理論約束的情況下，據信具有大於500MPa之表面壓縮應力及大於15μm之壓縮層深度的經強化玻璃基板120通常具有比非強化玻璃基板(或，換言之，未經離子交換或經其他方式強化之玻璃基板)大的應變損壞。在一些實施例中，本文中所述之一或更多個實施例之益處可能對非強化或弱強化類型之玻璃基板不明顯，該等玻璃基板不滿足表面壓縮應力或壓縮層深度之該等位準，由於許多典型應用中出現操作或共用玻璃表面損壞事件。然而，如前所述，在可(例如，藉由保護塗層或其他層)充分保護玻璃基板表面免受劃傷或表面損壞之其他特定應用中，具有相對高應變損壞之堅固玻璃基板亦可藉由使用方法(諸如熔融成形方法) 形成及保護原始玻璃表面品質而形成。在該等替代應用中，本文中所述之一或更多個實施例之益處可類似地實現。

可用於經強化玻璃基板120中之示例性可離子交換玻璃可包括鹼性鋁矽酸鹽玻璃組合物或鹼性鋁硼矽酸鹽玻璃組合物，儘管想到其他玻璃組合物。如本文中所使用，「可離子交換」意謂玻璃基板能夠交換位於玻璃基板之表面處或附近之陽離子與同價之大小更大或更小之陽離子。一個示例性玻璃組合物包含SiO₂、B₂O₃及Na₂O，其中(SiO₂+B₂O₃)66莫耳%，且Na₂O9莫耳%。在實施例中，玻璃基板120包括具有至少6重量%氧化鋁之玻璃組合物。在進一步實施例中，玻璃基板120包括具有一或更多個鹼土氧化物之玻璃組合物，以使得鹼土氧化物之含量為至少5重量%。在一些實施例中，適當玻璃組合為進一步包含K₂O、MgO及CaO中之至少一者。在特定實施例中，用於玻璃基板120中之玻璃組合物可包含61至75莫耳%之SiO₂、7莫耳%至15莫耳%之Al₂O₃、0莫耳%至12莫耳%之B₂O₃、9莫耳%至21莫耳%之Na₂O、0莫耳%至4莫耳%之K₂O、0莫耳%至7莫耳%之MgO及0莫耳%至3莫耳%之CaO。

適用於玻璃基板120(該玻璃基板120可視情況為強化或堅固的)之進一步示例性玻璃組合物包含：60莫耳%至70莫耳%之SiO₂、6莫耳%至14莫耳%之Al₂O₃、0莫耳%至15莫耳%之B₂O₃、0莫耳%至15莫耳%之Li₂O、0莫耳%至20莫耳%之Na₂O、0莫耳%至10莫耳%之K₂O、0莫耳%至8莫耳%之MgO、0莫耳%至10莫耳%之CaO、0莫耳%至 5莫耳%之ZrO₂、0莫耳%至1莫耳%之SnO₂、0莫耳%至1莫耳%之CeO₂、小於50ppm之As₂O₃及小於50ppm之Sb₂O₃，其中12莫耳%(Li₂O+Na₂O+K₂O)20莫耳%，且0莫耳%(MgO+CaO)10莫耳%。

適用於玻璃基板120(該玻璃基板120視情況可為強化或堅固的)之更進一步示例性玻璃組合物包含：63.5莫耳%至66.5莫耳%之SiO₂、8莫耳%至12莫耳%之Al₂O₃、0莫耳%至3莫耳%之B₂O₃、0莫耳%至5莫耳%之Li₂O、8莫耳%至18莫耳%之Na₂O、0莫耳%至5莫耳%之K₂O、1莫耳%至7莫耳%之MgO、0莫耳%至2.5莫耳%之CaO、0莫耳%至3莫耳%之ZrO₂、0.05莫耳%至0.25莫耳%之SnO₂、0.05莫耳%至0.5莫耳%之CeO₂、小於50ppm之As₂O₃及小於50ppm之Sb₂O₃，其中14莫耳%(Li₂O+Na₂O+K₂O)18莫耳%，且2莫耳%(MgO+CaO)7莫耳%。

在特定實施例中，適用於玻璃基板120(該玻璃基板120視情況可為強化或堅固的)之鹼性鋁矽酸鹽玻璃組合物包含氧化鋁、至少一種鹼金屬及在一些實施例中，大於50莫耳%之SiO₂，在其他實施例中，至少58莫耳%之SiO₂，且在仍然其他實施例中，至少60莫耳%之SiO₂，其中比值 ，其中在該比值中，組分以莫耳為單位表示，且改質劑為鹼金屬氧化物。在特定實施例中，該玻璃組合物包含：58莫耳%至72莫耳%之SiO₂、9莫耳%至17莫耳%之Al₂O₃、2莫耳%至12莫耳%之B₂O₃、8莫耳%至16莫耳%之Na₂O及0莫耳%至4莫耳%之K₂O，其中比值。

在又一實施例中，視情況可為強化或堅固的玻璃基板可包括鹼性鋁矽酸鹽玻璃組合物，該組合物包含：64莫耳%至68莫耳%之SiO₂、12莫耳%至16莫耳%之Na₂O、8莫耳%至12莫耳%之Al₂O₃、0莫耳%至3莫耳%之B₂O₃、2莫耳%至5莫耳%之K₂O、4莫耳%至6莫耳%之MgO及0莫耳%至5莫耳%之CaO，其中66莫耳%SiO₂+B₂O₃+CaO69莫耳%，Na₂O+K₂O+B₂O₃+MgO+CaO+SrO>10莫耳%，5莫耳%MgO+CaO+SrO8莫耳%，(Na₂O+B₂O₃)-Al₂O₃ 2莫耳%，2莫耳%Na₂O-Al₂O₃ 6莫耳%，且4莫耳%(Na₂O+K₂O)-Al₂O₃ 10莫耳%。

在一些實施例中，視情況可為強化或堅固的玻璃基板120可包含鹼性矽酸鹽玻璃組合物，該組合物包含：2莫耳%或更大之Al₂O₃及/或ZrO₂或4莫耳%或更大之Al₂O₃及/或ZrO₂。

在一些實施例中，用於玻璃基板120中之玻璃基板可用0莫耳%至2莫耳%之至少一種澄清劑分批處理，該澄清劑係選自包括Na₂SO₄、NaCl、NaF、NaBr、K₂SO₄、KCl、KF、KBr及SnO₂之群組。

根據一或更多個實施例，玻璃基板120可具有範圍自約50μm至5mm的厚度。示例性玻璃基板120之厚度的範圍自100μm至500μm，例如，100μm、200μm、300μm、400μm或500μm。進一步示例性玻璃基板120之厚度的範圍自500μm至1000μm，例如，500μm、600μm、700μm、800μm、900μm或1000μm。玻璃基板120可具有大於1mm之 厚度，例如，約2mm、3mm、4mm或5mm。在一或更多個特定實施例中，玻璃基板120可具有2mm或更小或小於1mm之厚度。玻璃基板120可經酸拋光或經其他方式處理以移除或降低表面瑕疵的影響。

薄膜

物件100包括薄膜110，該薄膜110安置在玻璃基板120之表面上。薄膜110可安置在玻璃基板120之一個或兩個主表面122、124上。在一或更多個實施例中，薄膜110可安置在玻璃基板120之一或更多個次表面(未圖示)上，除了或代替安置在一個或兩個主表面122、124上。在一或更多個實施例中，薄膜110沒有眼睛輕易可見之肉眼可見的刮痕或缺陷。

在一或更多個實施例中，薄膜可藉由本文中所述之機制降低合併該等薄膜與玻璃基板之物件的平均撓曲強度。在一或更多個實施例中，該等機制包括以下情況：因為在該薄膜中擴展之一或多個裂紋橋接至玻璃基板中，薄膜可降低物件之平均撓曲強度。在其他實施例中，機制包括以下情況：因為在玻璃基板中擴展之裂紋橋接至薄膜中，薄膜可降低物件之平均撓曲強度。一或更多個實施例之薄膜可展現2%或更小之應變損壞或比本文中所述之玻璃基板之應變損壞小的應變損壞。包括該等屬性中之任何屬性的薄膜可表徵為脆性的。

根據一或更多個實施例，薄膜110可具有應變損壞(或裂紋開始應變位準)，該應變損壞低於玻璃基板120之應變損壞。舉例而言，薄膜110可具有約2%或更小、約1.8% 或更小、約1.6%或更小、約1.5%或更小、約1.4%或更小、約1.2%或更小、約1%或更小、約0.8%或更小、約0.6%或更小、約0.5%或更小、約0.4%或更小或約0.2%或更小之應變損壞。在一些實施例中，薄膜110之應變損壞可能低於經強化玻璃基板120之應變損壞，該等經強化玻璃基板120具有大於500MPa之表面壓縮應力及大於約15μm之壓縮層深度。在一或更多個實施例中，薄膜110可具有應變損壞，該應變損壞比玻璃基板120之應變損壞低或小至少0.1%，或在一些情況下，該應變損壞比玻璃基板120之應變損壞低或小至少0.5%。在一或更多個實施例中，薄膜110可具有應變損壞，該應變損壞比玻璃基板120之應變損壞低或小至少0.15%、0.2%、0.25%、0.3%、0.35%、0.4%、0.45%、0.5%、0.55%、0.6%、0.65%、0.7%、0.75%、0.8%、0.85%、0.9%、0.95%或1%。

示例性薄膜110可具有至少25GPa之彈性模數及/或至少1.75GPa之硬度，儘管可能為在該範圍之外的一些組合物。在一些實施例中，薄膜110可具有50GPa或更大，或甚至70GPa或更大之彈性模數。舉例而言，薄膜彈性模數可為55GPa、60GPa、65GPa、75GPa、80GPa、85GPa或更大。在一或更多個實施例中，薄膜110可具有大於3.0GPa之硬度。舉例而言，薄膜110可具有5GPa、5.5GPa、6GPa、6.5GPa、7GPa、7.5GPa、8GPa、8.5GPa、9GPa、9.5GPa、10GPa或更大之硬度。針對該等薄膜110，該等彈性模數值及硬度值可使用已知金剛石奈米壓痕方法量測，該等方法常 用於決定薄膜之彈性模數及硬度。示例性金剛石奈米壓痕方法可利用Berkovich金剛石壓痕器。

本文中所述之薄膜110亦可展現斷裂韌性，該斷裂韌性小於約10MPa．m^1/2，或在一些情況下，小於5MPa．m^1/2，或在一些情況下，小於1MPa．m^1/2。舉例而言，薄膜可具有4.5MPa．m^1/2、4MPa．m^1/2、3.5MPa．m^1/2、3MPa．m^1/2、2.5MPa．m^1/2、2MPa．m^1/2、1.5MPa．m^1/2、1.4MPa．m^1/2、1.3MPa．m^1/2、1.2MPa．m^1/2、1.1MPa．m^1/2、0.9MPa．m^1/2、0.8MPa．m^1/2、0.7MPa．m^1/2、0.6MPa．m^1/2、0.5MPa．m^1/2、0.4MPa．m^1/2、0.3MPa．m^1/2、0.2MPa．m^1/2、0.1MPa．m^1/2或更小之斷裂韌性。

本文中所述之薄膜110亦可具有臨界應變能量釋放率(G_IC=K_IC ²/E)，該釋放率小於約0.1kJ/m²，或在一些情況下，小於0.01kJ/m²。在一或更多個實施例中，薄膜110可具有0.09kJ/m²、0.08kJ/m²、0.07kJ/m²、0.06kJ/m²、0.05kJ/m²、0.04kJ/m²、0.03kJ/m²、0.02kJ/m²、0.0075kJ/m²、0.005kJ/m2、0.0025kJ/m²或更小之臨界應變能量釋放率。

在一或更多個實施例中，薄膜110可包括複數個層。在一或更多個實施例中，基於層對物件之平均撓曲強度之影響及/或層之應變損壞值、斷裂韌性值或臨界應變能量釋放率值中之一或更多者，薄膜之層中之每一層可表徵為脆性的，如本文中另有所述。在一個變體中，薄膜110之層不必具有相同特性，諸如，彈性模數及/或斷裂韌性。在另一變體中，薄膜110之層可包括彼此不同之材料。

在一或更多個實施例中，薄膜110可具有在薄膜中建立或在沉積或形成期間引入薄膜中之張應力。在一些情況下，在保持其他所需特性的同時引入薄膜110中之張應力可能難以避免。此張應力可使薄膜110更容易斷裂或損壞，例如，在一些情況下，此張應力可降低薄膜110之應變損壞(裂紋開始應變)。此外，發生於薄膜110之裂紋可更容易在正確條件下自薄膜110橋接至玻璃基板120中，此情形部分歸因於張應力。另外或或者，薄膜110中之張應力可使薄膜110更容易斷裂或損壞，是因為發生於玻璃基板120之裂紋可更容易在正確條件下自玻璃基板120橋接至薄膜110中。如將在下文更詳細描述，裂紋減輕層130可允許薄膜110在沉積或形成期間鬆弛，其中在裂紋減輕層130安置於玻璃基板120後薄膜安置於玻璃基板120上。另外或或者，裂紋減輕層130可降低在負載期間(亦即，在對薄膜施加外力期間，諸如薄膜在環對環測試期間所經歷之撓曲)或在物件100之撓曲期間在薄膜110中局部產生之應力的量。

薄膜110之組合物或一或多種材料並未特別受限。薄膜110材料之一些非限制性實例包括氧化物(諸如，SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、Nb₂O₅、Ta₂O₅)、氮氧化物(諸如，SiO_xN_y、SiAl_xO_yN_z及AlO_xN_y)、氮化物(諸如，SiN_x、AlN_x、立方氮化硼及TiN_x)、碳化物(諸如，SiC、TiC及WC)、上述各者之組合(諸如，含氧碳化物及氧碳氮化物(例如，SiC_xO_y及SiC_xO_yN))、半導體材料(諸如，Si及Ge)、透明導體(諸如，銦錫氧化物、氧化錫、氟化錫氧化物、氧化鋅鋁或 氧化鋅)、碳奈米管或石墨烯摻雜氧化物、銀或其他金屬摻雜氧化物、高矽質聚合物(諸如，高硬化矽氧烷及倍半氧矽烷)、金剛石或類金剛石碳材料或經選擇金屬薄膜，該等薄膜可展現斷裂行為。

薄膜110可藉由真空沉積技術安置在玻璃基板120上，該等真空沉積技術例如化學氣相沉積(例如，電漿增強化學氣相沉積或常壓化學氣相沉積)、物理氣相沈積(例如，反應性濺鍍或非反應性濺鍍或雷射剝蝕)、熱蒸鍍、電阻性蒸鍍、電子束蒸鍍或原子層沉積。薄膜110亦可使用基於液體的技術安置在玻璃基板120之一或更多個表面122、124上，該等基於液體的技術例如溶膠凝膠塗佈法或聚合物塗佈法，例如，旋塗、噴塗、狹槽拉製塗佈、滑動塗佈、線繞桿塗佈、刀片/小刀塗佈、氣刀塗佈、幕式塗佈、凹板塗佈及尤其是滾塗。在一些實施例中，在薄膜110與玻璃基板120之間、在玻璃基板120與裂紋減輕層130之間、在裂紋減輕層130之層(若存在)之間、在薄膜110之層(若存在)之間及/或在薄膜110與裂紋減輕層130之間使用助黏劑可能係理想的。在一或更多個替代實施例中，薄膜110可作為轉移層安置在玻璃基板120上。

薄膜110厚度可視物件100之預期用途而改變。在一個實施例中，薄膜110厚度可在自約0.01μm至約0.5μm或自約0.01μm至約20μm之範圍中。在另一實施例中，薄膜110可具有範圍在自約0.05μm至約10μm、自約0.05μm至約0.5μm、自約0.01μm至約0.15μm或自約0.015μm至 約0.2μm之厚度。

在一些實施例中，在薄膜110中包括材料可為有利的，該材料具有以下任一者：(1)折射率，該折射率類似於玻璃基板120、裂紋減輕層130及/或其他薄膜或層之折射率，以便最小化光學幹擾效應；(2)折射率(實分量及/或虛分量)，該折射率經調諧以實現防反射幹擾效應；及/或(3)折射率(實分量及/或虛分量)，該折射率經調諧以實現波長選擇反射或波長選擇吸收效應，如此以實現UV或IR阻擋或UV或IR反射或實現著色/染色效應。

在一或更多個實施例中，薄膜110可具有折射率，該折射率大於玻璃基板120之折射率及/或大於裂紋減輕層130之折射率。在一或更多個實施例中，薄膜可具有範圍在自約1.7至約2.2或範圍在自約1.4至約1.6或範圍在自約1.6至約1.9之折射率。

薄膜110亦可提供多個功能或與薄膜或層整合，該等薄膜或層提供不同於薄膜110之功能或甚至與薄膜110相同之一或多個功能。薄膜110可包括UV或IR光反射層或UV或IR光吸收層、防反射層、防眩光層、防塵層、自潔層、防劃傷層、阻障層、鈍化層、密封層、擴散阻擋層、防指紋層及類似者。進一步地，薄膜110可包括導電層或半導電層、薄膜電晶體層、EMI屏蔽層、斷裂感測器、警報感測器、電致變色材料、光色材料、觸控感測層或資訊顯示層。薄膜110及/或前述層中之任何層可包括著色劑或染色劑。當資訊顯示 層整合到物件100中時，物件100可形成觸控敏感顯示器、透明顯示器或平視顯示器之部分。薄膜110執行幹擾功能可為理想的，該幹擾功能選擇性地傳輸、反射或吸收不同波長或顏色之光。舉例而言，在平視顯示器應用中，薄膜110可選擇性地反射目標波長。

薄膜110之功能特性可包括光學特性、電特性及/或機械特性，諸如，硬度、彈性模數、應變損壞、耐磨性、機械耐久性、摩擦係數、導電性、電阻率、電子遷移率、電子或孔載子摻雜、光學折射率、密度、不透明度、透明度、反射率、吸收率、透射率及類似者。該等功能特性在薄膜110與玻璃基板120、裂紋減輕層130及/或包括在物件100中之其他薄膜結合之後得以實質上維持或甚至改良。

裂紋減輕層

根據一或更多個實施例之裂紋減輕層130可具有臨界應變能量釋放率(G_IC=K_IC ²/E)，該臨界應變能量釋放率大於薄膜110之臨界應變能量釋放率。在一或更多個實施例中，薄膜110可具有約0.1kJ/m²或更小之臨界應變能量釋放率，且裂紋減輕層130可具有大於約0.1kJ/m²之臨界應變能量釋放率。裂紋減輕層130可具有約1.0kJ/m²或更大之臨界應變能量釋放率。在特定實施例中，裂紋減輕層130可具有在約0.05kJ/m²至約100kJ/m²之範圍中之臨界應變能量釋放率，同時薄膜110可具有小於約0.05kJ/m²之臨界應變能量釋放率。裂紋減輕層130可具有在以下範圍中之臨界應變能量釋放率：自約0.05kJ/m²至約90kJ/m²、自約0.5kJ/m²至約 80kJ/m²、自約0.5kJ/m²至約70kJ/m²、自約0.5kJ/m²至約60kJ/m²、自約0.5kJ/m²至約50kJ/m²、自約0.5kJ/m²至約40kJ/m²、自約0.5kJ/m²至約30kJ/m²、自約0.5kJ/m²至約20kJ/m²、自約0.5kJ/m²至約10kJ/m²、自約0.5kJ/m²至約5kJ/m²、自約1kJ/m²至約100kJ/m²、自約5kJ/m²至約100kJ/m²、自約10kJ/m²至約100kJ/m²、自約20kJ/m²至約100kJ/m²、自約30kJ/m²至約100kJ/m²、自約40kJ/m²至約100kJ/m²、自約50kJ/m²至約100kJ/m²、自約60kJ/m²至約100kJ/m²、自約70kJ/m²至約100kJ/m²、自約80kJ/m²至約100kJ/m²、自約90kJ/m²至約100kJ/m²、自約0.05kJ/m²至約1kJ/m²、自約1kJ/m²至約5kJ/m²、自約5kJ/m²至約10kJ/m²、自約10kJ/m²至約20kJ/m²、自約20kJ/m²至約30kJ/m²、自約30kJ/m²至約40kJ/m²、自約40kJ/m²至約50kJ/m²、自約50kJ/m²至約60kJ/m²、自約60kJ/m²至約70kJ/m²、自約70kJ/m²至約80kJ/m²及自約80kJ/m²至約90kJ/m²。

在此等實施例中，裂紋減輕層130具有比薄膜110大之臨界應變能量釋放率，且因此，裂紋減輕層130可自自薄膜110及玻璃基板120中之一者橋接至薄膜110及玻璃基板120中之另一者之裂紋釋放應變能量。此應變能量釋放阻止裂紋橋接跨越薄膜110與玻璃基板120之間的界面，或交替地可抑制已橋接跨越薄膜110與玻璃基板120之間的界面並亦可橋接穿過裂紋減輕層130的裂紋的生長。相對於無裂紋減輕層之類似物件而言，裂紋生長之此抑制可(例如)導致較高之所需應力、應變或負載位準，以便誘發顯著裂紋生 長。在一些實施例中，裂紋生長之此抑制可能源於橋接裂紋尖端處之降低的應力強度因數，該因數可由裂紋減輕層之相對較低之彈性模數或低屈服應力或顯著塑性變形誘發。在一或更多個實施例中，不管裂紋發生於何處(亦即，薄膜110或玻璃基板120)，該等裂紋減輕機制中之一或更多者皆發生。

根據一或更多個實施例，裂紋減輕層130可具有平均應變損壞，該平均應變損壞大於薄膜110之平均應變損壞。在一或更多個實施例中，裂紋減輕層130可具有平均應變損壞，該平均應變損壞等於或大於約0.5%、0.7%、1%、1.5%、2%或甚至4%。裂紋減輕層130可具有0.6%、0.8%、0.9%、1.1%、1.2%、1.3%、1.4%、1.6%、1.7%、1.8%、1.9%、2.2%、2.4%、2.6%、2.8%、3%、3.2%、3.4%、3.6%、3.8%、5%或6%或更大之平均應變損壞。在一或更多個實施例中，薄膜110可具有平均應變損壞(裂紋開始應變)，該平均應變損壞為1.5%、1.0%、0.7%、0.5%或甚至0.4%或更小。薄膜110可具有1.4%、1.3%、1.2%、1.1%、0.9%、0.8%、0.6%、0.3%、0.2%、0.1%或更小之平均應變損壞。玻璃基板120之平均應變損壞可大於薄膜110之平均應變損壞，且在一些情況下，可大於裂紋減輕層130之平均應變損壞。在一些特定實施例中，裂紋減輕層130可具有比玻璃基板高之平均應變損壞，以最小化裂紋減輕層對玻璃基板之任何負面機械效應。

在一或更多個實施例中，裂紋減輕層130可具有1MPa．m^1/2或更大之斷裂韌性，例如，2MPa．m^1/2或更大或5MPa．m^1/2或更大。裂紋減輕層130亦可具有在以下範圍中之 斷裂韌性：自約1MPa．m^1/2至約5MPa．m^1/2或自約2MPa．m^1/2至約4MPa．m^1/2。在一或更多個特定實施例中，裂紋減輕層130亦可具有6MPa．m^1/2、7MPa．m^1/2、8MPa．m^1/2、9MPa．m^1/2、10MPa．m^1/2或更大之斷裂韌性。在此等實施例中，具有平均應變損壞及/或斷裂韌性特性之裂紋減輕層130阻止裂紋橋接跨越薄膜110與玻璃基板120之間的界面。在一或更多個實施例中，不管裂紋發生於何處(亦即，薄膜110或玻璃基板120)，該裂紋減輕機制都發生。或者，裂紋減輕層130之斷裂韌性可能很小以提供低韌性裂紋減輕層，如將在下文更詳細所描述。在此等實施例中，裂紋減輕層130可展現為玻璃基板120或薄膜之斷裂韌性之約50%或小於50%之斷裂韌性。在更特定之實施例中，裂紋減輕層130之斷裂韌性可為玻璃基板120或薄膜之斷裂韌性之約25%或小於25%。舉例而言，裂紋減輕層130可展現以下各值之斷裂韌性：約1MPa．m^1/2或更小、0.75MPa．m^1/2或更小、0.5MPa．m^1/2或更小、0.4MPa．m^1/2或更小、0.3MPa．m^1/2或更小、0.25MPa．m^1/2或更小、0.2MPa．m^1/2或更小及上述各值之間的全部範圍及子範圍。

裂紋減輕層130可具有折射率，該折射率大於玻璃基板120之折射率。在一或更多個實施例中，裂紋減輕層130之折射率可小於薄膜110之折射率。在更特定實施例中，裂紋減輕層130之折射率可在玻璃基板120與薄膜110之折射率之間。舉例而言，裂紋減輕層130之折射率可在自約1.45至約1.95、自約1.5至約1.8或自約1.6至約1.75之範圍中。 或者，裂紋減輕層可具有實質上與玻璃基板相同之折射率或在可見波長範圍之實質部分(例如，自450nm至650nm)內大於或小於玻璃基板不超過0.05折射率單位之折射率。

在一或更多個實施例中，裂紋減輕層130能夠耐受高溫製程。該等製程可包括真空沉積製程，諸如，化學氣相沉積(例如，電漿增強化學氣相沉積)、物理氣相沉積(例如，反應性濺鍍或非反應性濺鍍或雷射剝蝕)、熱蒸鍍或電子束蒸鍍及/或原子層沉積。在一或更多個特定實施例中，裂紋減輕層能夠耐受真空沉積製程，在該製程中，安置在玻璃基板120上之薄膜110及/或其他薄膜經由真空沉積而沉積在裂紋減輕層130上。如本文中所使用，術語「耐受」包括裂紋減輕層130對超過100℃、200℃、300℃、400℃之溫度及可能甚至更大的溫度的抵抗力。在一些實施例中，在將薄膜110及/或其他薄膜沉積在玻璃基板上(及在裂紋減輕層130上)之後，若裂紋減輕層130經歷10%或更小、8%或更小、6%或更小、4%或更小、2%或更小或1%或更小之失重，裂紋減輕層130則可視為耐受真空沉積或溫度處理製程。裂紋減輕層經歷失重之沉積製程(或沉積製程之後的試驗)可包括：約100℃或更大、200℃或更大、300℃或更大、400℃或更大之溫度；特定氣體(例如，氧氣、氮氣、氬氣等)豐富之環境；及/或可在高真空(例如，10^-6托)、大氣條件及/或高真空與大氣條件之間的壓力(例如，10毫托)下執行沉積的環境。如本文中將論述，用於形成裂紋減輕層130之材料可針對以下條件經特別選擇：材料之耐高溫性(亦即，耐受高溫 製程(諸如，真空沉積製程)之能力)及/或材料之環境耐受性(亦即，耐受特定氣體豐富或特定壓力下之環境的能力)。該等耐受性可包括耐高溫性、高真空耐受性、低真空除氣、高電漿或電離氣體耐受性、高臭氧耐受性、高UV耐受性、高溶劑耐受性或高酸或鹼耐受性。在一些情況下，根據ASTM E595，裂紋減輕層130可經選擇通過除氣試驗。

在一或更多個實施例中，裂紋減輕層130阻止玻璃基板120之平均撓曲強度之減少。在另一實施例中，裂紋減輕層130阻止薄膜110減少玻璃基板120之平均撓曲強度。裂紋減輕層130可阻止裂紋在薄膜110與玻璃基板120之間橋接。一或更多個實施例之裂紋減輕層130可增加薄膜110之平均應變損壞，並因此阻止玻璃基板120之平均撓曲強度之減少。如在本文中所述，在一或更多個替代實施例中，當與不包括此裂紋減輕層但包括玻璃基板及薄膜之物件相比較時，裂紋減輕層130增加物件100之平均撓曲強度。

在一些情況下，裂紋減輕層130可阻止玻璃基板120之平均應變損壞之減少，同時在其他情況下，裂紋減輕層130可阻止薄膜110減少玻璃基板120之平均應變損壞。在另一實施例中，裂紋減輕層130阻止裂紋在薄膜110與玻璃基板120之間橋接，因此阻止薄膜110減少玻璃基板120之平均應變損壞。如在本文中所述，在一或更多個替代實施例中，當此平均應變損壞與不包括此裂紋減輕層但包括玻璃基板及薄膜之物件之平均應變損壞相比較時，裂紋減輕層130增加物件100之平均應變損壞。

在一或更多個實施例中，裂紋減輕層130可具有低彈性模數及/或低硬度。低彈性模數材料及低硬度材料實質上重疊，因為許多低彈性模數材料亦為低硬度材料。然而，在本文中區分該等兩種特性(亦即，低彈性模數及低硬度)，因為該等特性強調兩種不同之機制或方法，藉由該等機制或方法可在裂紋在薄膜110與玻璃基板120之間橋接前減輕(亦即，偏向、阻止或鈍化)裂紋。在一或更多個實施例中，低彈性模數裂紋減輕層可抑制已橋接跨越薄膜110與玻璃基板120之間的界面並亦可橋接穿過裂紋減輕層130的裂紋的生長。相對於無裂紋減輕層之類似物件而言，裂紋生長之此抑制可(例如)導致較高之所需應力、應變或負載位準，以便誘發顯著裂紋生長。裂紋減輕層130可使彈性模數如此低，以致裂紋減輕層130不能自薄膜110及玻璃基板120中之一者驅動或擴展裂紋至薄膜110及玻璃基板120中之另一者。在一些實施例中，裂紋生長之此抑制可能源於橋接裂紋尖端處之降低之應力強度因數，該因數可由裂紋減輕層之相對較低之彈性模數誘發。此等裂紋減輕層可具有小於玻璃基板之彈性模數：小於約50GPa、小於約30GPa、小於約15GPa或甚至小於約5GPa。應力強度因數被視為指示裂紋生長之驅動力。相信應力強度因數之降低延遲或抑制自薄膜至玻璃基板中之裂紋生長(意謂，相較於將在無低彈性模數層之情況下所需的位準，玻璃基板內之裂紋生長需要較高之負載位準)。

裂紋減輕層130可具有小於約3.0GPa、小於2.0GPa 或甚至小於1.0GPa之硬度。該等彈性模數及硬度值可使用已知的、通常用於判定薄膜之彈性模數及硬度的金剛石奈米壓痕方法來量測。示例性金剛石奈米壓痕方法利用Berkovich金剛石壓痕器。

在一或更多個實施例中，裂紋減輕層130亦可展示在無斷裂之情況下的應變能量釋放之低屈服應力、低切模數、塑性或延性變形或其他已知特性。在裂紋減輕層展示低屈服應力之實施例中，屈服應力可小於500MPa、小於100MPa或甚至小於10MPa。

在裂紋減輕層130展示低彈性模數、低屈服應力或塑性及/或延性變形行為之實施例中，裂紋減輕層130可變形以釋放應變能量並阻止裂紋在薄膜110與玻璃基板120之間橋接或擴展。該等延性裂紋減輕層亦可包含裂紋減輕層之上文所列舉之高應變損壞值。

示例性裂紋減輕層130可為聚合薄膜。此等薄膜可具有不能支援沉積膜110內之高應力值的低彈性模數或低Tg，因此允許薄膜110部分鬆弛並降低玻璃基板120內之張應力同時最小化應力至玻璃基板120中的傳送。在與無聚合膜之情況相比較時，此降低玻璃基板上之瑕疵之應力強度因數。

在一或更多個實施例中，裂紋減輕層130實體阻止對齊發生於薄膜110及玻璃基板120之裂紋。換言之，在薄膜110中存在之裂紋不能與存在在玻璃基板120中之裂紋對齊，因為裂紋減輕層130實體上阻止此對齊。或者或此外， 裂紋減輕層130可具有為裂紋擴展提供繚繞路徑之設計微結構，從而為應變能量釋放提供替代路徑並最小化或阻止裂紋在玻璃基板120與薄膜110之間橋接。

在一或更多個實施例中，裂紋減輕層130可包括：多孔氧化物，諸如SiO₂、SiO、SiO_x、Al₂O₃；TiO₂、ZrO₂、Nb₂O₅、Ta₂O₅、GeO₂及此項技術中已知之一或多種類似材料；本文中其他地方所提及之薄膜之多孔版本，例如，多孔銦錫氧化物、多孔氧化鋅鋁或多孔氟化錫氧化物；多孔氮化物或碳化物，例如，Si₃N₄、AlN、TiN、TiC；多孔含氧碳化物及含氧碳氮化物，例如，SiC_xO_y及SiC_xO_yN_z；多孔半導體，諸如Si或Ge；多孔氮氧化物，諸如SiO_xN_y、AlO_xN_y或SiAl_xO_yN_z；多孔金屬，諸如Al、Cu、Ti、Fe、Ag、Au及其他金屬；(可為多孔的或無孔的)韌化或奈米結構無機物，例如，氧化鋅、某些Al合金、Cu合金、鋼或穩定四方氧化鋯；(包括變形增韌、部分穩定、氧化釔穩定、氧化鈰穩定、氧化鈣穩定及氧化鎂穩定之氧化鋯)；氧化鋯增韌之陶瓷(包括氧化鋯增韌之氧化鋁)；陶瓷對陶瓷複合材料；碳陶複合材料；纖維或晶須強化陶瓷或玻璃陶瓷(例如，SiC或Si3N₄纖維或晶須強化陶瓷)；金屬陶瓷複合材料；多孔或無孔混合有機-無機材料，例如，奈米複合材料、聚合陶瓷複合材料、聚合玻璃複合材料、纖維強化聚合物、碳奈米管或石墨烯陶瓷複合材料、倍半氧矽烷、聚倍半矽氧烷或「ORMOSIL」(有機改性矽石或矽酸鹽)；及/或各種多孔或無孔聚合材料，例如，矽氧烷、聚矽氧烷、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸化物、PI(聚 醯亞胺)、含氟聚醯亞胺、聚醯胺、PAI(聚醯胺亞胺)、聚碳酸酯、聚碸、PSU或PPSU(聚芳碸)、含氟聚合物、含氟彈性體、內醯胺、多環烯烴及類似材料，該等類似材料包括但不限於PDMS(聚二甲基矽氧烷)、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、BCB(苯環丁烯)、PEI(聚醚醯亞胺)、聚伸芳基醚(諸如PEEK(聚醚醚酮)、PES(聚醚碸)及PAR(聚芳酯))、PET(聚對苯二甲酸乙二酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯=聚(乙烯-2,6二甲酸萘))、FEP(氟化乙烯丙烯)、PTFE(聚四氟乙烯)、PFA(全氟烷氧基聚合物，例如，商標名Teflon®、Neoflon®)及類似材料。其他合適材料包括改性聚碳酸酯、一些版本之環氧樹脂、氰酸酯、PPS(聚苯硫醚)、聚伸苯、聚吡咯酮、聚喹啉及雙馬來亞醯胺。在一些實施例中，合適之聚丙烯酸酯可包括聚丙烯酸丁酯。在一些情況下，將需要選擇高溫聚合材料(諸如矽氧烷、倍半氧矽烷、聚醯亞胺、BCB、含氟聚合物及本文中所列舉或此項技術中已知的其他材料)，因為該等材料將耐受用於沉積及/或固化薄膜110之較寬範圍之溫度。BCB聚合物之實例包括來自Dow Chemical的Cyclotene ^TM樹脂。聚醯亞胺及聚醯亞胺前驅體之實例包括來自HD Microsystems的Pyralin ^TM樹脂或來自Sigma Aldrich之電子級聚醯胺酸溶液(目錄號431206)。聚醯亞胺可包括含氟或不含氟聚醯亞胺，諸如在美國專利第5,325,219號及相關引用中所揭示之彼等聚醯亞胺或此項技術中已知之其他產品，諸如European Polymer Journal(歐洲聚合物雜誌)2007年43期第3368頁之「Preparation and Properties of a High Temperature,Flexible and Colorless ITO Coated Polyimide Substrate」；Advanced Materials(先進材料)2002年第14、18期第1275頁之「Flexible Organic Electroluminescent Devices Based on Fluorine-Containing Colorless Polyimide Substrates」及Appl.Phys.Lett.(應用物理學快報)之2008年第92期第061102號之「Alignment layer effects on thin liquid crystal cells,」。倍半氧矽烷之實例包括來自Dow Corning之Honeywell或FOx^® Flowable Oxides的Accuglass^®旋塗式玻璃。

裂紋減輕層130可藉由各種方法安置在薄膜110與玻璃基板120之間。裂紋減輕層130可使用真空沉積技術安置，該等真空沉積技術例如化學氣相沉積(例如，電漿增強化學氣相沉積)、物理氣相沉積(例如，反應性濺鍍或非反應性濺鍍或雷射切除)、熱蒸鍍、電阻性蒸鍍或電子束蒸鍍及/或原子層沉積。裂紋減輕層130亦可使用基於液體的沉積技術安置，該等沉積技術例如溶膠凝膠塗佈法或聚合物塗佈法，例如，旋塗、噴塗、狹槽拉製塗佈、滑動塗佈、線繞桿塗佈、刀片/刀塗佈、氣刀塗佈、幕式塗佈、滾塗、尤其是凹板塗佈及此項技術中已知之其他方法。

在一或更多個實施例中，裂紋減輕層130可包括多孔層，或更具體而言，可包括奈米多孔層。如本文中所使用，術語「奈米多孔」包括具有傳統界定之「孔」(例如，開口或空隙)之材料，且亦包括以比預期具有相同或相似化學組分之全緻密材料低之密度或彈性模數為特徵的材料。因此， 奈米多孔層中之「孔」可採用以下形式：柱狀空隙、原子空位、球形孔、晶粒或微粒之間的間隙、低密度或變化密度之區域或導致肉眼可見的降低奈米多孔層之密度或彈性模數之任何其他形態。針對具有奈米級孔及無光散射或極低光散射之材料，多孔性之體積分數可使用已知方法由折射率量測估計。在一或更多個實施例中，多孔性之體積分數可大於約5%、大於約10%或大於約20%。在一些實施例中，多孔性之體積分數可小於約90%或小於約60%，以在處理及最終使用期間保持奈米多孔層之機械耐久性。

奈米多孔層可為實質上光學透明且沒有光散射，例如，具有10%或更小、9%或更小、8%或更小、7%或更小、6%或更小、5%或更小、4%或更小、3%或更小、2%或更小、1%或更小及在上述值之間的所有範圍及子範圍之光學透射霾。奈米多孔層之透射霾可藉由控制孔之平均大小得以控制，如本文中所界定。奈米多孔層中之例示性平均孔大小可包括200nm或更小、100nm或更小、90nm或更小、80nm或更小、70nm或更小、60nm或更小、50nm或更小、40nm或更小、30nm或更小、20nm或更小、10nm或更小、5nm或更小及在上述值之間的所有範圍及子範圍。該等孔大小可由光散射量測估計或使用透射電子顯微鏡術(TEM)及其他已知方法直接分析。一些實施例之奈米多孔層可具有低彈性模數，並可用於藉由阻止裂紋橋接或抑制如本文中別處所述之裂紋生長來強化物件。

在其他情況下，奈米多孔層可降低發生於薄膜及玻 璃基板中的一者並朝向薄膜及玻璃基板中的另一者擴展的一或更多個裂紋的一或多個尖端處的應力強度因數(K_IC)。在無低彈性模數裂紋減輕層的情況下，裂紋尖端處之應力強度因數將在薄膜中的裂紋的尺寸接近薄膜的厚度時(例如，在來自薄膜之裂紋接近與玻璃基板之界面時)顯著增加。裂紋尖端處之應力強度因數增加的此條件支持裂紋自薄膜穿透玻璃基板。相反地，在裂紋可能生長或擴展穿過薄膜及低彈性模數裂紋減輕層的一些情況下，在裂紋接近在低彈性模數裂紋減輕層與玻璃基板之間的界面時，裂紋尖端處之應力強度因數實質上降低。裂紋尖端處之應力強度因數之降低在裂紋減輕層具有小於玻璃基板之彈性模數的彈性模數的情況下尤其顯著。由於低彈性模數裂紋減輕層的存在引起的應力強度因數之此降低抑制裂紋生長進入玻璃基板之趨勢，且因此相對於無低彈性模數裂紋減輕層的類似物件增加物件的總體平均撓曲強度。

在裂紋減輕層包括奈米多孔層的一或更多個實施例中，裂紋減輕層在引起薄膜及/或裂紋減輕層中的裂紋生長或裂紋形成之負載過程期間可至少部分地脫層。此脫層發生在裂紋減輕層與玻璃基板之間的界面處。在其他實施例中，在裂紋減輕層與薄膜之間的界面處，薄膜在引起薄膜中的裂紋生長或形成的負載過程期間至少部分地脫層。在不受理論約束的情況下，裂紋減輕層及/或薄膜的脫層或部分脫層降低玻璃基板中的應力集中。因此，據信，玻璃基板中的應力集中之降低引起玻璃基板(及最後物件)失效所需的負載或應變 位準的增加。以此方式，相較於無裂紋減輕層之物件而言，包括奈米多孔層的裂紋減輕層阻止降低或增加物件的平均撓曲強度。

在一或更多個實施例中，裂紋減輕層可使發生於薄膜或玻璃基板並進入裂紋減輕層中之裂紋保持在裂紋減輕層中。或者或另外，裂紋減輕層有效限制發生於薄膜及玻璃基板中之一者之裂紋擴展至此薄膜及玻璃基板中之另一者中。該等行為可單獨地或共同地表徵為裂紋偏向。裂紋減輕層可藉由產生裂紋偏向進入裂紋減輕層中並停留在裂紋減輕層內而不是擴展至玻璃基板或薄膜中的有利的條件來使發生於薄膜或玻璃基板並進入裂紋減輕層之裂紋保持在裂紋減輕層中。在一或更多個實施例中，裂紋減輕層可藉由產生用於裂紋擴展至裂紋減輕層中及/或穿過裂紋減輕層而不是擴展至玻璃基板或薄膜中的少繚繞路徑來使發生於薄膜或玻璃基板並進入裂紋減輕層之裂紋保持在裂紋減輕層中。在一或更多個實施例中，可包括奈米多孔層的裂紋減輕層可提供展現低斷裂韌性及/或低臨界應變能量釋放率的低韌性層。該等屬性中之一或更多者(亦即，低斷裂韌性及低臨界應變能量釋放率)可使裂紋偏向至裂紋減輕層中而不是穿過裂紋減輕層至薄膜及/或玻璃基板中。舉例而言，裂紋減輕層130可展現以下範圍之斷裂韌性：約1MPa．m^1/2或更小、約0.75MPa．m^1/2或更小、約0.5MPa．m^1/2或更小、約0.4MPa．m^1/2或更小、約0.3MPa．m^1/2或更小、約0.25MPa．m^1/2或更小、約0.2MPa．m^1/2或更小及上述之間的全部範圍及子範圍。在其他實例中，裂 紋減輕層可展現小於0.25倍或小於0.5倍玻璃基板之臨界應變能量釋放率的臨界應變能量釋放率。在特定實施例中，裂紋減輕層之臨界應變能量釋放率可小於約0.05kJ/m²、小於約0.005kJ/m²、小於約0.003kJ/m²、小於約0.002kJ/m²、小於約0.001kJ/m²，但在一些實施例中，大於約0.0001kJ/m²(亦即，大於約0.1J/m²)。在其中裂紋減輕層包括奈米多孔層之實施例中，在實質上平行於由裂紋減輕層130及玻璃基板120形成的界面及由薄膜110及裂紋減輕層130形成的界面的方向上，發生於薄膜及玻璃基板中之一者之裂紋可由裂紋減輕層偏向並可擴展穿過裂紋減輕層。在此等實施例中，裂紋減輕層130提供裂紋擴展之較佳路徑。以此方式，裂紋自薄膜與玻璃基板之間的橋接偏向。

在一或更多個實施例中，奈米多孔層可包括無機材料。在一或更多個特定實施例中，裂紋減輕層僅包括奈米多孔層並自始至終為奈米多孔的。奈米多孔層可包括無機材料並或者可排除有機材料。一或更多個實施例之奈米多孔層可展現較高溫耐性、對UV臭氧或電漿處理的穩健性、UV透明度、對環境老化的穩健性、真空中之低除氣率等等。此等奈米多孔層可表徵為真空沉積奈米多孔層。此外，無機材料之使用在形成技術中提供可撓性。舉例而言，此等無機奈米多孔層可藉由真空沉積來形成，該真空沉積例如熱蒸鍍、電子束蒸鍍、RF濺鍍、DC濺鍍、化學氣相沉積、電漿強化化學氣相沉積、常壓化學氣相沉積等等。在薄膜亦藉由真空沉積形成的情況下，裂紋減輕層及薄膜兩者皆可形成在相同或類 似真空沉積腔中或使用相同或類似塗佈設備形成。

在一或更多個實施例中，裂紋減輕層可包括展現低固有薄膜應力的無機奈米多孔層。在特定實施例中，此等裂紋減輕層可(相對於(例如)一些溶膠凝膠塗佈製程)使用控制裂紋減輕層之固有薄膜應力的技術(例如，真空沉積)來形成。固有薄膜應力之控制亦可使能控制其它機械特性，諸如裂紋減輕層之應變損壞。

裂紋減輕層之多孔性及機械特性可使用沉積方法之謹慎控制(諸如，真空腔室中氣體之輕微超壓、低溫沉積、沉積速率控制及電漿能修改及/或離子束能修改)得以控制。儘管通常使用氣相沉積方法，但其他已知方法可用於向裂紋減輕層提供所需多孔性及/或機械特性。舉例而言，包括奈米多孔層之裂紋減輕層亦可由濕法化學方法或溶膠凝膠方法(諸如，旋塗、浸塗、狹縫/隙縫塗佈、滾塗、凹板塗佈及噴塗)形成。可藉由使用稍後溶解或熱分解之成孔劑(諸如，嵌段共聚物成孔劑)、相分離方法或在微粒之間的間隙保持部分為空的情況下鑄造微粒或奈米微粒層將多孔性引入濕法塗佈之奈米多孔層。

在一些實施例中，奈米多孔層可展現類似於玻璃基板及/或薄膜及/或額外層(如本文中所述)之折射率，以最小化光學幹擾效應。另外或或者，奈米多孔層可展現折射率，該折射率經調諧以實現防反射幹擾效應。奈米多孔層之折射率可藉由控制奈米多孔層之奈米多孔性稍加設計。舉例而言，在一些情況下，選擇具有相對高之折射率之材料(諸如， Al₂O₃、TiO₂、Nb₂O₅、Si₃N₄或AlN)可能係理想的，當製成具有目標多孔性位準之奈米多孔層時，該材料可展現範圍在自約1.4至約1.8之中間折射率或近似玻璃基板之折射率(例如，範圍在自約1.45至約1.6)。奈米多孔層之折射率可使用此項技術中已知之「有效折射率」模型而與多孔性位準相關。

裂紋減輕層130之厚度可在範圍約0.01μm至約10μm(10nm至10000nm)或在範圍自約0.04μm至約0.5μm(40nm至約500nm)；然而，在一些情況下，薄膜可能薄得多，例如，裂紋減輕層130可為具有約0.1nm至約2nm之厚度的單分子「單層」。在一或更多個實施例中，裂紋減輕層130之厚度的範圍自約0.02μm至約10μm、自約0.03μm至約10μm、自約0.04μm至約10μm、自約0.05μm至約10μm、自約0.06μm至約10μm、自約0.07μm至約10μm、自約0.08μm至約10μm、自約0.09μm至約10μm、自約0.1μm至約10μm、自約0.01μm至約9μm、自約0.01μm至約8μm、自約0.01μm至約7μm、自約0.01μm至約6μm、自約0.01μm至約5μm、自約0.01μm至約4μm、自約0.01μm至約3μm、自約0.01μm至約2μm、自約0.01μm至約1微米、自約0.02μm至約1微米、自約0.03至約1μm、自約0.04μm至約0.5μm、自約0.05μm至約0.25μm或自約0.05μm至約0.15μm。

在一或更多個實施例中，玻璃基板120、薄膜110及/或裂紋減輕層130之厚度可彼此相關地指定。舉例而言，裂紋減輕層可具有厚度，該厚度小於或等於薄膜之厚度約10 倍。在另一實例中，在薄膜110具有約85nm之厚度的情況下，裂紋減輕層130可具有約850nm或更小之厚度。在又一實例中，裂紋減輕層130之厚度可在自約35nm至約80nm之範圍中，且薄膜110可具有範圍在自約30nm至約300nm之厚度。在一個變體中，裂紋減輕層可具有厚度，該厚度小於或等於薄膜之厚度約9倍、8倍、7倍、6倍、5倍、4倍、3倍或2倍。在另一變體中，薄膜之厚度及裂紋減輕薄膜之厚度各自小於約10μm、小於約5μm、小於約2μm、小於約1μm、小於約0.5μm或小於約0.2μm。在一些實施例中，裂紋減輕層130厚度與薄膜110厚度之比可在自約1：1至約1：8的範圍中、在自約1：2至約1：6的範圍中、在自約1：3至約1：5的範圍中或在自約1：3至約1：4的範圍中。在另一變體中，裂紋減輕層之厚度小於約0.1μm，且薄膜之厚度大於裂紋減輕層。

物件之一或更多個實施例包括裂紋減輕層130，該裂紋減輕層130包含聚醯亞胺。在該等實施例中，當使用裂紋減輕層130時，薄膜110維持功能特性(例如，導電性)，且物件100保持物件100之平均撓曲強度。在該等實施例中，薄膜110可包括一或更多個透明導電氧化物層，諸如，銦錫氧化物層。此外，玻璃基板120可經強化，或更具體而言，玻璃基板120可經化學強化。在該等實施例中，聚醯亞胺或其他耐高溫聚合物用作裂紋減輕層之組分可為更佳的，因為該等該等耐高溫聚合物可耐受某些薄膜之有時苛刻之真空沉積條件，保持使能所要薄膜特性之重要因數。

另外或或者，包含銦錫氧化物之薄膜110及包含聚醯亞胺之裂紋減輕層130形成堆疊，其中該堆疊具有整體低光反射率。舉例而言，該堆疊之整體(或總)反射率在自450nm至650nm、420nm至680nm或甚至400nm至700nm之可見波長範圍中可為10%或更小、8%或更小、7%或更小、6.5%或更小、6%或更小、5.5%或更小。如在第10圖、第11圖及第12圖之光反射率模擬中所示，引用包括來自一個外部裸(或未經塗佈)玻璃界面之反射率之上述反射率數目，該反射率為僅來自外部未經塗佈玻璃界面之反射率的近似4%，並用於聚醯亞胺裂紋減輕層130及銦錫氧化物薄膜110由一些封裝或黏著劑層覆蓋之特定實施例。因此，當由具有約1.45至1.65之密封劑折射率之典型密封劑(亦即，額外薄膜或層)覆蓋時，僅來自該薄膜堆疊結構及薄膜-玻璃塗佈界面之反射率(減去了外部未經塗佈玻璃界面之反射率)在自450nm至650nm、420nm至680nm或甚至400nm至700nm之可見波長範圍中可小於約5%、4%、3%、2%或甚至小於約1.5%。此外，堆疊結構可展現高光學透射率，該高光學透射率根據一般關係式(透射率=100%-反射率-吸收率)指示低反射率及低吸收率兩者。當由具有約1.45至1.65之密封劑折射率之典型密封劑(亦即，額外薄膜或層)覆蓋時，堆疊結構之透射率值(當忽略僅與玻璃基板或密封劑層相關聯之反射率及吸收率時)在自450nm至650nm、420nm至680nm或甚至400nm至700nm之可見波長範圍中可大於約75%、80%、85%、90%、95%或甚至98%。

物件之一或更多個實施例包括裂紋減輕層130，該裂紋減輕層130包含奈米多孔之氣相沉積SiO₂。在該等實施例中，當使用裂紋減輕層130時，薄膜110維持功能特性(例如，導電性)，且物件100保持物件100之平均撓曲強度或相對於包含薄膜110及玻璃基板120但不具有裂紋減輕層130之相似物件，具有改良的平均撓曲強度。在該等實施例中，薄膜110可包括一或更多個透明導電氧化物層，諸如，銦錫氧化物層。此外，玻璃基板120可經強化，或更具體而言，可經化學強化。在該等實施例中，由於本文其他處提及之溫度因數、真空因數及環境耐受性因數，無機奈米多孔裂紋減輕層之用途可用於一些應用。

聚合或有機-無機混合材料可用於裂紋減輕層130，其中需要裂紋減輕層130具有延性特性或可塑性變形的、具有或不具有多孔性。此外，裂紋減輕層130可包括延性金屬薄膜，諸如Al或Cu。

在一些實施例中，朝向塑性變形之趨勢之可用量測為斷裂伸長率(表達為「%」或「應變值」)。在該等實施例中，裂紋減輕層130可為延性的或可塑性變形的並可包括依據應變值展現大於約1%、大於2%、大於5%或甚至大於10%之斷裂伸長率的材料。裂紋減輕層130可具有比薄膜110高之斷裂伸長率。用於裂紋減輕層130之延性的或可塑性變形的示例性材料包括各種金屬及聚合物，包括有機-無機混合物、上文所列之材料，該等材料包括但不限於聚醯亞胺、PTFE(聚四氟乙烯)、PES(聚醚碸)、PEI(聚醚醯亞胺)、PPSU (聚苯碸)、PVDF(聚偏二氟乙烯)、聚酯及此項技術中熟知之類似材料。在使用延性的或可塑性變形的裂紋減輕層130之實例中，裂紋減輕層130亦可具有高韌性。舉例而言，裂紋減輕層130可具有0.5MPa．m^1/2或更高之斷裂韌性，或在一些情況下，可具有5MPa．m^1/2或更高之斷裂韌性。裂紋減輕層亦可具有具有上文所列值之高臨界應變能量釋放率。

物件100之光學特性可藉由改變薄膜110、裂紋減輕層130及/或玻璃基板120之特性中之一或更多者來調整。舉例而言，物件100在約400nm至約700nm之可見波長範圍內可展現10%或更小、8%或更小、7%或更小、6.9%或更小、6.8%或更小、6.7%或更小、6.6%或更小、6.5%或更小、6.4%或更小、6.3%或更小、6.2%或更小、6.1%或更小及/或6%或更小之總反射率。範圍可如上文指定進一步改變，且上文僅列出薄膜堆疊/塗佈之玻璃界面的範圍。在更特定實施例中，相較於不具有裂紋減輕層130之物件，本文中所述之物件100可展現更低之平均折射率及更高之平均撓曲強度。在一或更多個替代實施例中，物件100之光學特性、電特性或機械特性中之至少兩個特性可藉由改變玻璃基板120、薄膜110及/或裂紋減輕層130之一或多個厚度得以調整。另外或或者，物件100之平均撓曲強度可藉由修改玻璃基板120、薄膜110及/或裂紋減輕層130之一或多個厚度得以調整或改良。

物件100可包括安置在玻璃基板上之一或更多個額外薄膜。在一或更多個實施例中，一或更多個額外薄膜可安置在薄膜110上或安置在來自薄膜之相對主表面上。一或多 個額外薄膜可直接接觸薄膜110地安置。在一或更多個實施例中，一或多個額外薄膜可定位在以下各者之間：1)玻璃基板120與裂紋減輕層130之間；或2)裂紋減輕層130與薄膜110之間。在一或更多個實施例中，裂紋減輕層130及薄膜110兩者可定位在玻璃基板120與一或多個額外薄膜之間。一或多個額外薄膜可包括保護層、黏著劑層、平面層、防分裂層、光學黏結層、顯示層、偏光層、光吸收層、反射修改幹擾層、耐劃傷層、阻障層、鈍化層、密封層、擴散阻擋層及上述各者之組合及此項技術中已知之用以執行該等功能或相關功能之其他層。適當保護層或阻障層之實例包括含有SiO_x、SiN_y、SiO_xN_y、其他相似材料及上述各者之組合的層。該等層亦可經修改以與薄膜110、裂紋減輕層130及/或玻璃基板120之光學特性匹配或互補。舉例而言，保護層可經選擇以具有與裂紋減輕層130、薄膜110或玻璃基板120相似之折射率。對熟習此項技術者將顯而易見的是，具有變化之折射率及/或厚度之多個額外薄膜可因各種理由而插入。額外薄膜(以及裂紋減輕層130及薄膜110)之折射率、厚度及其他特性可在不脫離本發明之精神的情況下進一步經修改及最佳化。在其他情況下，例如，在裂紋減輕層130可具有比薄膜高之折射率的情況下，可利用替代薄膜設計。在其他情況下，裂紋減輕層130可設計為具有甚至比本文中所揭示之實施例及實例更低之彈性模數或更高之延性或塑性。

在一或更多個實施例中，所述之物件100可用於資訊顯示裝置及/或觸控感測裝置。在一或更多個替代實施例 中，物件100可為積層結構之部分，例如，作為玻璃-聚合物-玻璃積層安全玻璃用於車窗或飛機窗。用作該等積層中之夾層的示例性聚合物材料為PVB(聚乙烯丁醛)，且存在此項技術中已知之可使用的許多其他夾層材料。此外，存在用於積層玻璃之結構之未特定受限之許多選擇。在最終應用中(例如，在汽車擋風玻璃、天窗或側窗中)，物件100可經彎曲或定形。物件100之厚度可出於設計或機械原因而改變，例如，物件100在邊緣處可比在物件之中心處厚。物件100可經酸拋光或以其他方式處理以移除或降低表面瑕疵之影響。

本發明之另一態樣係關於包括本文中所述之物件之觸控感測裝置。在一或更多個實施例中，觸控感測器裝置可包括玻璃基板120(該玻璃基板120可經強化或不強化)、包含透明導電氧化物之薄膜110及裂紋減輕層130。透明導電氧化物可包括銦錫氧化物、氧化鋅鋁、氟化錫氧化物或此項技術中已知之其他氧化物。在一或更多個實施例中，薄膜110間斷地安置在玻璃基板120上。換言之，薄膜110可安置在玻璃基板120之不連續區域中。具有薄膜之不連續區域形成經圖案化或塗佈之區域(未圖示)，同時不具有薄膜之不連續區域形成未經圖案化或未經塗佈之區域(未圖示)。在一或更多個實施例中，藉由將薄膜110連續地安置在玻璃基板120之表面上及接著選擇性地蝕刻掉不連續區域中之薄膜110，以使得該等不連續區域中不存在薄膜110來形成經圖案化或塗佈之區域及未經圖案化或未經塗佈之區域。可使用諸如HCl或FeCl₃之蝕刻劑水溶液(諸如，可購自Transene Co. 之TE-100蝕刻劑)蝕刻掉薄膜110。在一或更多個實施例中，裂紋減輕層130由蝕刻劑不明顯地降解或移除。或者，薄膜110可選擇性地沉積在玻璃基板120之表面的不連續區域上，以形成經圖案化或塗佈之區域及未經圖案化或未經塗佈之區域。

在一或更多個實施例中，未經塗佈之區域具有總折射率，該總折射率類似於經塗佈之區域之總折射率。在一或更多個特定實施例中，未經圖案化或未經塗佈之區域具有總折射率，該總折射率在自約450nm至650nm、自約420nm至680nm或甚至自約400nm至700nm之可見波長範圍中與經圖案化或塗佈之區域之總折射率相差約5%或更小、4.5%或更小、4%或更小、3.5%或更小、3%或更小、2.5%或更小、2.0%或更小、1.5%或更小或甚至1%或更小。

根據本發明之另一態樣，包括裂紋減輕層130及薄膜110兩者之物件100展現在觸控感測裝置中使用該等物件可接受之電阻率，該薄膜110可包括銦錫氧化物或其他透明導電氧化物。在一或更多個實施例中，薄膜110在存在於本文中所揭示之物件中時展現約100歐姆/平方或更小、80歐姆/平方或更小、50歐姆/平方或更小或甚至30歐姆/平方或更小之薄片電阻。在該等實施例中，薄膜可具有約200nm或更小、150nm或更小、100nm或更小、80nm或更小、50nm或更小或甚至35nm或更小之厚度。在一或更多個特定實施例中，該等薄膜在存在於物件中時展現10×10^-4歐姆-cm或更小、8×10^-4歐姆-cm或更小、5×10^-4歐姆-cm或更小或甚至3×10^-4 歐姆-cm或更小之電阻率。因此，薄膜110在存在於本文中所揭示之物件100中時可有利地維持透明導電氧化物薄膜及用於觸控感測器應用(包括投影電容性觸控感測器裝置)中之其他該等薄膜預期的電效能及光學效能。

本文中之發明亦可應用於物件，該物件具有不為交互式或不用於顯示器之物件；例如，該等物件可用於裝置具有用於顯示器且可交互之玻璃正面及在極廣泛意義上可稱為「裝飾」之背面的情況，意謂著背面可「油漆」某種顏色、具有工藝圖或關於製造商、型號及序號、紋理或其他特徵之資訊。

本發明之另一態樣係關於用於形成物件100之方法。在一或更多個實施例中，該等方法包括以下步驟：提供玻璃基板120；將裂紋減輕層130安置在玻璃基板120之表面(例如，主表面122、124及/或一或更多個次表面中之一或更多者)上，將薄膜110放置在裂紋減輕層130上，以使得裂紋減輕層130安置在薄膜110與玻璃基板120之間。在一或更多個實施例中，方法包括以下步驟：經由真空沉積製程安置薄膜110及/或裂紋減輕層130。在特定實施例中，該等真空沉積製程可使用至少約100℃、200℃、300℃、400℃及該等值之間的所有範圍及子範圍之溫度。在一些實施例中，裂紋減輕層可由濕法製程形成，如本文中所述。在一或更多個實施例中，該方法包括：提供以溶劑稀釋劑稀釋之裂紋減輕層溶液。在一或更多個實施例中，該方法包括：以與溶劑稀釋劑50：50、40：60、30：70或20：80之比率稀釋裂紋減輕層溶 液，或形成包含30重量%、20重量%、10重量%、5重量%、2重量%、1重量%或0.1重量%及上述之間的全部範圍及子範圍之聚合物之聚合物/溶劑混合物。稀釋之裂紋減輕層可藉由此項技術中已知之各種濕法製程應用至玻璃基板。

在一或更多個特定實施例中，該方法包括：控制裂紋減輕層130及/或薄膜110之一或多個厚度。控制本文中所揭示之薄膜之一或多個厚度可藉由控制用於形成薄膜之一或更多個製程來執行以使得具有所要或界定厚度之薄膜得以應用。在甚至更特定實施例中，方法包括以下步驟：控制裂紋減輕層130及/或薄膜110之一或多個厚度，以維持玻璃基板120之平均撓曲強度及/或薄膜110之功能特性。

在一或更多個實施例中，方法可包括以下步驟：在裂紋減輕層130中形成多孔性。方法可視情況包括以下步驟：控制裂紋減輕層之多孔性，如本文中另有所述。方法可進一步包括以下步驟：藉由控制裂紋減輕層之沉積製程及製造製程來控制裂紋減輕層及/或薄膜之固有薄膜應力。

方法可包括以下步驟：將額外薄膜安置於玻璃基板120上。在一或更多個實施例中，方法可包括以下步驟：將額外薄膜安置於玻璃基板上，以使得額外薄膜安置在玻璃基板120與裂紋減輕層130之間、裂紋減輕層130與薄膜110之間，或以使得薄膜110在裂紋減輕層130與額外薄膜之間。或者，方法可包括以下步驟：將額外薄膜自安置有薄膜之表面安置於玻璃基板120之相對主表面上。額外薄膜可包括保護層、黏著劑層、平面層、防分裂層、光學黏結層、顯示層、 偏光層、光吸收層、反射修改幹擾層、耐劃傷層、阻障層、鈍化層、密封層、擴散阻擋層及上述各者之組合。

在一或更多個實施例中，方法包括以下步驟：在將裂紋減輕層130、薄膜110及/或額外薄膜安置於玻璃基板上之前或之後，強化玻璃基板120。玻璃基板120可經化學強化或以其他方式強化。可在將裂紋減輕層130安置於玻璃基板120上之後但在將薄膜110安置於玻璃基板上之前強化玻璃基板120。可在將裂紋減輕層130及薄膜110安置於玻璃基板120上之後但在將額外薄膜(若存在)安置於玻璃基板上之前強化玻璃基板120。在未使用額外薄膜的情況下，可在將裂紋減輕層130及薄膜110安置於玻璃基板上之後強化玻璃基板120。

以下實例表示本發明之某些非限制性實施例。

實例1A至1J。

實例1A至1J包括根據本發明之一或更多個實施例或先前技術之玻璃基板的物件。實例1A至1J中之每一實例使用玻璃基板，玻璃基板包括以下組合物：61莫耳%SiO₂ 75莫耳%；7莫耳%Al₂O₃ 15莫耳%；0莫耳%B₂O₃ 12莫耳%；9莫耳%Na₂O21莫耳%；0莫耳%K₂O4莫耳%；0莫耳%MgO7莫耳%；0莫耳%CaO3莫耳%及0莫耳%SnO₂ 1莫耳%。玻璃基板具有0.7mm之厚度。在實例1A至1E中，玻璃基板藉由離子交換強化以提供約690MPa之表面壓縮應力(CS)及約23μm之壓縮層深度(DOL)。實例1F之玻璃基板未藉由離子交換強化。在實例1G至1J 中，強化玻璃基板藉由離子交換強化以提供約740MPa之表面壓縮應力(CS)及約44μm之壓縮層深度。包含聚醯亞胺之裂紋減輕層及/或包含銦錫氧化物之薄膜安置於下文表1所提供之強化玻璃基板及(未強化)玻璃基板上。實例1A、1E、1F、1G及1H指示為比較的，因為該等實例不包括裂紋減輕層。

對包括強化玻璃基板之實例(亦即，實例1A至1E及實例1G至1J)而言，離子交換製程藉由將玻璃基板浸泡在加熱至自約350℃至450℃之範圍中之溫度的熔融硝酸鉀(KNO₃)浴中來執行。玻璃基板持續浸泡在該浴中3至8小時以達到表1中所提供之表面CS及壓縮DOL。在完成離子交換製程後，實例1A至1E及實例1G至1J的玻璃基板在50 ℃至70℃之溫度之1%至4%濃度KOH清潔劑溶液中清潔，該溶液由Semiclean KG提供。清潔劑溶液在40KHz至110KHz下超聲攪拌。然後，強化玻璃基板在DI水中沖洗，該DI亦在40KHz至110KHz下超聲攪拌，且隨後乾燥。實例1F亦與實例1A至1E及實例1G至1J類似之方式清潔、沖洗及乾燥。在使用裂紋減輕層之實例1B至1D、1I及1J中，使用以下過程。在置放裂紋減輕層前，強化玻璃基板隨後在130℃之溫度之熱板上燒制10分鐘，然後移除以冷卻約2分鐘。

基於胺基矽烷之助黏劑(由HD Microsystems提供名稱為VM-652)被塗覆至強化玻璃基板並允許保持處於潮濕狀態20秒。助黏劑藉由在5000RPM下在標準真空吸盤旋塗儀中旋轉玻璃基板及塗覆至玻璃基板上之助黏劑來分離強化玻璃基板。在塗覆助黏劑後，將使用下文所載之各種體積比預先用包含N-甲基-2-吡咯烷酮(由HD Microsystems提供名稱為T9038/9)的溶劑稀釋劑稀釋之聚醯亞胺(由HD Microsystems提供名稱為PI-2555)之溶液塗覆至強化玻璃基板。約1mL之聚合物溶液塗覆至測量50×50mm²之各玻璃樣品。然後，在500RPM下旋轉具有聚醯亞胺溶液的強化玻璃基板3秒至5秒，接著在500RPM至5000RPM下後續旋轉30秒至90秒，接著在5000RPM下執行任選最終旋轉步驟15秒，以獲得所要厚度及/或濃度之裂紋減輕層。實例1B具有155nm之聚醯亞胺厚度並使用以與溶劑稀釋劑30：70之比率稀釋之聚醯亞胺溶液製備，並首先在500RPM之旋轉率下旋轉3秒，接著在4000RPM下後續旋轉60秒。實例1C具有 220nm之聚醯亞胺厚度並使用以與溶劑稀釋劑30：70之比率稀釋之聚醯亞胺溶液製備，並首先在500RPM之旋轉率下旋轉3秒，接著在1500RPM下後續旋轉90秒。實例1D具有290nm之聚醯亞胺厚度並使用以與溶劑稀釋劑40：60之比率稀釋之聚醯亞胺溶液製備，並首先在500RPM之旋轉率下旋轉3秒，接著在1000RPM下後續旋轉90秒。對實例1B至1D而言，聚合物溶液當溶液在約15℃之溫度下時經塗覆及旋塗在玻璃基板上，此舉傾向於減緩溶劑之蒸發並獲得比具有較高溫度溶液稍薄之薄膜。實例1I具有490nm之聚醯亞胺厚度並使用以與溶劑稀釋劑50：50之比率稀釋之聚醯亞胺溶液製備，並首先在500RPM之旋轉率下旋轉5秒，接著在1500RPM下後續旋轉45秒，接著在5000RPM下最後旋轉15秒。實例1J具有45nm之聚醯亞胺厚度並使用以與溶劑稀釋劑20：80之比率稀釋之聚醯亞胺溶液製備，並首先在500RPM之旋轉率下旋轉5秒，接著在2000RPM下後續旋轉30秒，接著在5000RPM下最終旋轉15秒。對實例1I及實例1J而言，在將溶液應用及旋塗在玻璃基板上前，允許聚合物溶液在室溫(亦即，約25℃)下保持平衡至少一個小時。

緊接上文概述之旋塗步驟後，然後含有裂紋減輕層之實例在130℃之溫度下在熱板上乾燥並烘乾2至3分鐘，然後置於在280托之壓力下操作之N₂固化爐(由YES提供)中並在240℃之溫度下固化90分鐘。基於熟知之資料及藉由試驗獲得之資訊，所得裂紋減輕層在固化後具有約2.5GPa至約10GPa之彈性模數及約10%之斷裂伸長率。

含銦錫氧化物之薄膜塗覆至如表1中所指示之實例。使用由KDF提供之名稱為模型903i之系統自氧化物靶濺鍍銦錫氧化物薄膜。濺鍍靶亦由KDF提供並包括以重量比為10：90存在之SnO₂及In₂O₃。以約0.5sccm之速率流動之氧氣及以30sccm之速率流動之氬氣之存在下於10毫托之壓力下用600W下提供之DC電源濺鍍薄膜。在安置薄膜後，如在表1中所指示，在空氣中在約200℃之溫度下退火實例60分鐘。對不包括裂紋減輕薄膜之實例(亦即，實例1E、實例1F及實例1H)而言，在同一KDF系統中使用電漿清潔步驟沉積薄膜前，預處理玻璃基板，其中電漿清潔步驟使用15毫托壓力、50sccm之氬氣流動、5sccm之氧氣流動及400W之RF電源1分鐘。

為證明實例1A至1J之物件及強化玻璃基板之平均撓曲強度之保持，使用環對環失效負載試驗測試物件及玻璃基板，如在第5圖中所示。對環對環失效負載試驗而言，(實例1B至1F及實例1H至1J(具有薄膜及/或裂紋減輕層)以承受拉力之薄膜及/或裂紋減輕層之側面來測試。對實例1A及實例1G(無薄膜或裂紋減輕層)而言，強化玻璃基板之一側同樣承受拉力。環對環失效負載試驗參數包括1.6mm之接觸半徑、1.2mm每分鐘之十字頭速率、0.5英寸之負載環直徑及1英寸之支撐環直徑。在測試前，將黏著劑薄膜放置在物件及強化玻璃基板之兩側上以容納斷裂之玻璃屑。

如在第5圖中所指示，包括聚醯亞胺、具有自約45nm至約490nm之範圍中之厚度之裂紋減輕層之添加產生保 持約與無裂紋減輕層或薄膜之玻璃基板相同之平均撓曲強度之物件。此外，具有裂紋減輕層之物件展現比僅具有薄膜之強化的及未強化玻璃基板更高之平均撓曲強度。為了比較，僅具有置於其上之薄膜之強化的及未強化玻璃基板(亦即，實例1E、1F及1H)展現平均撓曲強度之大量降低。

實例2A至2D

各實例2A至2D使用包括以下組合物之玻璃基板：61莫耳%SiO₂ 75莫耳%；7莫耳%Al₂O₃ 15莫耳%；0莫耳%B₂O₃ 12莫耳%；9莫耳%Na₂O21莫耳%；0莫耳%K₂O4莫耳%；0莫耳%MgO7莫耳%；0莫耳%CaO3莫耳%及0莫耳%SnO₂ 1莫耳%。玻璃基板具有0.7mm之厚度並藉由離子交換強化且使用與參考實例1A至1J所述之相同的製程製備以與裂紋減輕層及/或薄膜組合。實例2A至2D之強化玻璃基板具有約776MPa之表面壓縮應力(CS)及約41.4μm之壓縮層深度(DOL)。使用參考實例1A至1J所述之方法將包含聚醯亞胺之裂紋減輕層及/或包含銦錫氧化物之薄膜安置於如下表2所提供之強化玻璃基板上以提供實例2A至2D之物件。以與實例1B至1D、1I及1J相同之方式使用助黏劑。實例2A具有250nm之聚醯亞胺厚度並使用以與溶劑稀釋劑30：70之體積比稀釋之聚醯亞胺溶液製備，並首先在500RPM之旋轉率下旋轉3秒，接著在4000RPM下後續旋轉60秒。實例2B具有90nm之聚醯亞胺厚度並使用以與溶劑稀釋劑20：80之體積比稀釋之聚醯亞胺溶液製備，並首先在500RPM之旋轉率下旋轉3秒，接著在4000 RPM下後續旋轉60秒。對實例2A及實例2B而言，在將溶液塗覆及旋塗在玻璃基板上前，允許聚合物溶液在室溫(約25℃)下保持平衡至少一個小時。以與實例1B至1D、1I及1J相同之方式乾燥、烘乾及固化該等聚醯亞胺塗佈樣品。實例2C及2D指示為對比的，因為該等實例不包括裂紋減輕層。

對落球失效高度試驗而言，實例2A至2C(具有薄膜及/或裂紋減輕層)以承受拉力之薄膜及/或裂紋減輕層之側面來測試。對實例2D(無薄膜或裂紋減輕層)而言，強化玻璃基板之一側同樣承受拉力。使用具有128g之重量及31.75mm之直徑的鋼球。物件及強化玻璃基板各具有50mm×50mm之尺寸並在各邊緣處支撐。在測試前，將黏著劑薄膜放置在物件及強化玻璃基板之兩側上以容納斷裂之玻璃屑。

如在第6圖中所指示，實例2A及實例2B之物件使用落球失效高度試驗展示與實例2D之強化玻璃基板相同或類似之平均撓曲強度，指示包括裂紋減輕層之物件保持該等物件之各別平均撓曲強度，同時僅具有薄膜(且無裂紋減輕層)之物件(亦即，實例2C)展現平均撓曲強度之大量降低或較低位準之平均撓曲強度。

實例3A至3C。

實例3A至3C為在第7圖至第9圖中所示之預示實例，其中在第10圖至第12圖中圖示相關之模型化光學反射率資料。實例3A及實例3B分別與下文所論述之實例4C及實例4E相關聯。實例3A至3C包括物件300、310、320，各物件包括玻璃基板302、312、322、安置於玻璃基板302、312、322上之包括聚醯亞胺之裂紋減輕層304、314、324及安置於玻璃基板302、312、322上之包括銦錫氧化物之薄膜306、316、326，以使得裂紋減輕層在玻璃基板與薄膜之間。在實例3A至3C中之每一實例中，玻璃基板具有自約0.2mm至約2.0mm之範圍中之厚度。實例3A包括具有74nm之厚度之裂紋減輕層304及具有115nm之厚度之薄膜306。實例3B包括具有85nm之厚度的裂紋減輕層314及具有23nm之厚度的薄膜316。實例3C包括具有64nm之厚度的裂紋減輕層324及具有115nm之厚度的薄膜326。實例3C包括額外薄膜328，該額外薄膜328包括SiO_xN_y、起保護層之作用、安置於裂紋減輕層324與薄膜326之間。額外薄膜328具有10nm之厚度。在實例3A至3C中，玻璃基板302、312、322具有在自約1.45至1.55之範圍中之折射率，裂紋減輕層304、314、324具有自約1.6至1.75之範圍中之折射率，且薄膜306、316、326具有在自約1.8至2.2之範圍中之折射率。在實例3C中，包括SiO_xN_y之額外薄膜328具有與裂紋減輕層324之折射率類似之折射率。實例3A至3C中之每一實例可包括將在模型化實例4中更全面描述之第二額外薄膜(如在第10圖、第11 圖及第12圖中所示)，該第二額外薄膜可包括黏著劑。

在物件300、310、320中之每一物件中，裂紋減輕層及薄膜之厚度經最佳化以同時達到良好光學特性及良好機械特性。前述實例說明，在物件300、310及320中使用之裂紋減輕層及薄膜之厚度範圍有效保持物件之高平均撓曲強度，同時模型化實例4C及4E(下文所述)說明，物件300、310及320同時達到低光學反射率。最佳化可藉由控制或調整參考實例1A至1J所論述之一或更多個製程參數來達到。

模型化實例4。

實例4C及實例4E及對比實例4A、4B、4D及4F使用表3中之以下資訊光學模型化。實例4C及實例4E與實例3A及實例3B相關聯。

表3：光學模型化設計中使用之折射率(n,k)值對波長(WL)，該等比率由第10圖至第12圖所圖示。

對比實例4A及4B之物件使用具有1.0mm之厚度的玻璃基板模型化並在第10圖中圖示。在模型化對比實例4A中，具有100nm之厚度的薄膜安置於玻璃基板上且額外薄膜安置於薄膜上，以使得薄膜安置於玻璃基板與額外薄膜之 間，如在第10圖中所示。在對比實例4B中，模型包括在無中間薄膜之情況下安置於玻璃基板上之額外薄膜，亦如在第10圖中所示。實例4A及4B之額外薄膜包括具有約1.52之折射率之黏著劑。在光學模型中，額外薄膜/黏著劑層經處理為「非常厚」，意謂該額外薄膜/黏著劑層代表光學模型中之出口周圍環境媒體，其中空氣為輸入周圍環境媒體。此代表以下具體情況：自黏著劑之遠端背面之反射率不包括在模型中，因為黏著劑層之該背面層疊至額外光吸收結構，諸如偏光層、顯示層及裝置層，該額外光吸收結構實質上吸收或散射傳播至黏著劑層中之全部光。黏著劑代表保護層、平面層、抗分裂層或光學黏結層及在本文中參考額外薄膜揭示之其他層中之一或更多者。如在第10圖中所示，無適當設計之層結構或裂紋減輕層之高折射率薄膜(諸如銦錫氧化物)的存在通常引起在可見光譜內物件中反射率之顯著增加。

實例4C及實例4D之物件使用具有1.0mm之厚度的玻璃基板模型化並在第11圖中圖示。在模型化實例4C中，具有74nm之厚度並包括聚醯亞胺之裂紋減輕層安置於玻璃基板之表面上，包含銦錫氧化物並具有115nm之厚度之薄膜安置於裂紋減輕層上，且額外薄膜安置於薄膜上。如在第11圖中所示，裂紋減輕層安置於玻璃基板與薄膜之間，且薄膜安置於裂紋減輕層與額外薄膜之間。在實例4D中，模型化物件與實例4C之模型化物件相同，除了不包括薄膜，如在第11圖中所示。實例4C及實例4D之額外薄膜包括具有約1.52之折射率之黏著劑。黏著劑亦表徵為「非常厚」。黏著劑代 表保護層、平面層、抗分裂層或光學黏結層及在本文中參考額外薄膜所揭示之其他層中之一或更多者。該等層可通常用於觸控式螢幕裝置中。如在第11圖中所示，具有及不具有薄膜之物件之反射率在大多數可見光譜內為類似的。因此，當與展示薄膜之存在顯著增加無裂紋減輕層之物件之反射率之對比實例4A相比較時，裂紋減輕層減緩另外由薄膜之存在引起之反射率之任意增加或變化。此外，包括玻璃基板、薄膜及裂紋減輕層之物件在可見波長範圍(諸如，自約450nm至約650nm、自約420nm至約680nm或甚至自約400nm至約700nm)中展現總反射率，該總反射率實質上類似於無薄膜之相同物件(該物件可仍包括裂紋減輕層)之反射率，換言之在該物件之反射率的5%、4.5%、4%、3.5%、3%、2.5%、2%、1.5%或甚至1%內。

第11圖中所示的用於實例4C及4D之物件兩者(亦即，具有薄膜之物件及不具有薄膜之物件)之總反射率可用於證明觸控感測器中圖案化或塗佈區域(亦即，具有包含透明導電氧化物之薄膜之區域)與未圖案化或未塗佈區域(亦即，無薄膜之區域)之間的對比。由實例4C及4D(使用表3中所提供之折射率值)模擬之觸控感測器圖案大部分「不可見」，此係歸因於圖案化或塗佈區域(含薄膜)與未圖案化或未塗佈區域(不含薄膜)之間的絕對反射率位準在自450nm至650nm之波長範圍中之小於約1.5%之變化。實例4C及4D之物件亦具有低絕對反射率位準，其中在此相同波長範圍內總反射率小於約6%。約4%之總反射率來自與空氣之前(未 塗佈)玻璃界面，且小於約2%之總反射率來自玻璃基板之塗佈側(亦即，裂紋減輕層、薄膜及黏著劑界面)。

實例4E及對比實例4F之物件分別以與實例4C及對比實例4D相同之方式模型化；然而，裂紋減輕層(包含聚醯亞胺)具有85nm之厚度且薄膜(包含銦錫氧化物)具有23nm之厚度。實例4E包括玻璃基板、安置於玻璃基板上之裂紋減輕層、安置於裂紋減輕層上之薄膜及安置於薄膜上之額外薄膜。對比實例4F與實例4E相同，除了對比實例4F不包括薄膜外。如在第12圖中所示，具有及不具有薄膜之玻璃基板之總反射率在大多數可見光譜內為類似的。因此，當與展示薄膜之存在顯著增加無裂紋減輕層之物件之總反射率之對比實例4A相比較時，裂紋減輕層之存在減緩另外由薄膜之存在引起之反射率之任意增加或變化。換言之，包括玻璃基板、薄膜及裂紋減輕層之物件展示總反射率，該總反射率實質上類似於無薄膜之相同物件，換言之為該物件之反射率的5%、4.5%、4%、3.5%、3%、2.5%、2%、1.5%或甚至1%內。

基於實例3及模型化實例4，本文中所揭示之物件可具有低絕對反射率及在含薄膜之區域與不含薄膜之區域之間具有小反射率變化(例如，小於1.5%)，致使圖案化觸控感測器大部分「不可見」，如在第11圖及第12圖中所示。

用於實例4之光學模型化中之薄膜及玻璃基板之折射率值源於實驗薄膜、光學反射儀及文獻中已知之估計值。對熟習此項技術者而言將顯而易見的是，該等折射率值可基於材料及製程選擇而修改，需要對在此所指定之最佳薄膜厚 度之互補修改。此外，對熟習此項技術者而言將顯而易見的是，在不脫離本發明之精神之情況下，表4中之折射率值之較小修改可經由材料及製程之改變達到。同樣，可不脫離本發明之精神之情況下使用薄膜及基板厚度之較小改變及設計。進一步地，可選擇實例3及模型化實例4中之裂紋減輕層以包含具有類似折射率之額外材料，且在一些情況下該等裂紋減輕層可不包括聚醯亞胺。舉例而言，實例3及4中之裂紋減輕層可包含奈米多孔無機層、替代聚合物材料或本文中別處所提及之其他材料。

實例5：奈米多孔裂紋減輕層。

實例5A至5G藉由提供0.7mm厚之經離子交換強化之鋁矽酸鹽玻璃基板來製造。玻璃基板包括以下組合物：61莫耳%SiO₂ 75莫耳%；7莫耳%Al₂O₃ 15莫耳%；0莫耳%B₂O₃ 12莫耳%；9莫耳%Na₂O21莫耳%；0莫耳%K₂O4莫耳%；0莫耳%MgO7莫耳%；0莫耳%CaO3莫耳%及0莫耳%SnO₂ 1莫耳%。玻璃基板在約350℃至450℃之溫度之KNO₃熔融鹽浴中離子交換3至8小時。經離子交換的玻璃基板具有約687MPa之壓縮應力及約24微米之離子交換層深度。然後，玻璃基板以在40KHz至110KHz下之超聲攪拌在約50℃至70℃之溫度之KOH清潔劑溶液(1%至4% Semiclean KG)中清潔、以相同頻率範圍中之超聲波在DI水中沖洗，並乾燥。

實例5A之玻璃基板保持裸露，其中無層或薄膜安置於玻璃基板上。在每秒5埃之沉積速率、7.3x10^-4托之沉積 壓力、100sccm之氧氣流動速率、100sccm之氬氣流動速率及最初約25℃之基板溫度下使用SiO前驅材料之電阻式熱蒸鍍將奈米多孔SiO₂層沉積在實例5B、5C、5F及5G之玻璃基板中之每一者上，該基板溫度在沉積期間由於沉積製程所產生之熱量增加至約50℃。所得奈米多孔SiO₂層在550nm波長下具有1.38之折射率，此導致21%之估計孔隙率。奈米多孔SiO₂層使用奈米壓痕量測以具有20GPa之彈性模數。實例5B及5F包括具有約200nm之厚度的奈米多孔SiO₂層，且實例5C及5G包括具有約500nm之厚度的奈米多孔SiO₂層。

實例5D至5E之玻璃基板(不包括奈米多孔層)及實例5F及5G之玻璃基板(各自包括奈米多孔層)進一步塗佈有具有約100nm之厚度之銦錫氧化物(ITO)薄膜。ITO薄膜使用濺鍍製程及KDF、模型903i、ITO塗佈系統形成。使用亦由KDF提供之SnO₂：In₂O₃=10：90(按重量計)之濺鍍靶。在15毫托之壓力下以5sccm之90：10混合Ar：O₂流量、95sccm之Ar流量及1000W DC電源濺鍍ITO薄膜。在沉積後，實例5E至5G在空氣中在200℃下退火60分鐘。實例5D未經退火。表5概述實例5A至5G之屬性及處理。

表5：實例5A至5G。

實例5A至5G之平均撓曲強度以與實例1A至1J相同之方式評估。如在第13圖及第14圖中所示，實例5F及5G(各包括安置於玻璃基板與ITO薄膜之間的氣相沉積奈米多孔SiO₂層)相較於實例5D及5E(僅包括ITO薄膜)展現改良之強度。實例5D及5E相較於實例5A(裸玻璃基板)亦展現大量降低之平均撓曲強度。不包括ITO薄膜之實例5B及5C展現約與實例5A相同之平均撓曲強度，指示奈米多孔SiO₂層未降低玻璃基板之強度。

僅包括100nm ITO薄膜並經退火之實例5D降低物件之韋伯特徵強度至約106kgf。在實例5F及5G中玻璃基板與100nm ITO薄膜之間的(以相同退火週期)200至500nm奈米多孔SiO₂層之添加增加特徵撓曲強度至175kgf至183kgf。

在實驗篩選中，沉積於奈米多孔SiO₂層之上的ITO薄膜展現可與(在無中間奈米多孔SiO₂層之情況下)直接沉積於玻璃基板上之ITO薄膜相比較的電阻率位準。對實例5D 至5G而言，薄片電阻之範圍為每平方35歐姆至95歐姆(該電阻對應於小於約10×10^-4歐姆-cm之電阻率)。

實例6：具有氮氧化鋁薄膜之聚合裂紋減輕層。

實例6A至6F藉由提供1.0mm厚之經離子交換強化之鋁矽酸鹽玻璃基板來製造。玻璃基板包括以下組合物：61莫耳%SiO₂ 75莫耳%；7莫耳%Al₂O₃ 15莫耳%；0莫耳%B₂O₃ 12莫耳%；9莫耳%Na₂O21莫耳%；0莫耳%K₂O4莫耳%；0莫耳%MgO7莫耳%；0莫耳%CaO3莫耳%及0莫耳%SnO₂ 1莫耳%。玻璃基板在約350℃至450℃之溫度之KNO₃熔融鹽浴中離子交換3至8小時以提供強化玻璃基板。強化玻璃基板具有約885MPa之壓縮應力及約42微米之離子交換層深度。然後，強化玻璃基板以40KHz至110KHz下之超聲攪拌在約50℃至70℃之溫度之KOH清潔劑溶液(1%至4% Semiclean KG)中清潔、以相同頻率範圍中之超聲波在DI水中沖洗，並乾燥。

對比實例6A之強化玻璃基板保持裸露，其中無層或薄膜安置於玻璃基板上。具有約2000nm之厚度的AlO_xN_y薄膜安置於對比實例6B之強化玻璃基板上，其中在AlO_xN_y薄膜與玻璃基板之間未安置裂紋減輕層。包括聚醯亞胺之裂紋減輕層安置於實例6C至6D之玻璃基板上，且包括聚醚醯亞胺之裂紋減輕層安置於實例6E至6F之玻璃基板上。如在表6中所概述，實例6C至6F之裂紋減輕層具有不同之厚度。具有2000nm之厚度的AlO_xN_y薄膜安置於實例6C至6F中之每一者之裂紋減輕層上。AlO_xN_y薄膜以與對比實例6B相同 之方式安置於實例6C至6F之裂紋減輕層上。

在實例6C至6F中，以下過程用於形成裂紋減輕層。在安置裂紋減輕層前，強化玻璃基板在約130℃之溫度下在熱板上烘乾10分鐘，且然後移除以冷卻約2分鐘。基於胺基矽烷之助黏劑(由HD Microsystems提供名稱為VM-652)被塗覆至強化玻璃基板之一個主表面並允許保持處於潮濕狀態20秒。助黏劑藉由在5000RPM下在標準真空吸盤旋塗儀中旋轉其上塗覆有助黏劑之玻璃基板來分離強化玻璃基板。在塗覆助黏劑後，實例6C及6D與聚醯亞胺(由HD Microsystems提供名稱為PI-2555)之溶液組合。在一些情況下，聚醯亞胺溶液使用下文所載之體積比以包含N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP，由HD Microsystems提供名稱為T9038/9)的稀釋劑稀釋，並塗覆至實例6C及6D之強化玻璃基板。將約1mL之聚合物溶液塗覆至測量50×50mm²之各玻璃樣品。然後，具有聚醯亞胺溶液之強化玻璃基板在500RPM下旋轉3秒，接著在1000RPM至3000RPM下後續旋轉45秒以獲得所要厚度及/或濃度之裂紋減輕層。實例6C具有970nm之聚醯亞胺厚度並使用以與溶劑稀釋劑60：40之比率稀釋之聚醯亞胺溶液製備，並首先在500RPM之旋轉率下旋轉3秒，接著在2000RPM下後續旋轉45秒。實例6D具有4800nm之聚醯亞胺厚度並使用未以溶劑稀釋劑稀釋之聚醯亞胺溶液製備，並首先在500RPM之旋轉率下旋轉3秒，接著在1500RPM下後續旋轉45秒。

實例6E及6F類似地製備，除了使用聚醚醯亞胺 (PEI)(由Aldrich作為丸劑提供，產品號為700193)溶液外。PEI在與用於實例6C及6D中之同一溶劑稀釋劑中溶解以提供具有5重量%至20重量%之間的PEI濃度的溶液，並以5000RPM之速率旋塗30秒以獲得所需之厚度及/或濃度的裂紋減輕層。實例6E具有185nm之PEI厚度並使用5重量% PEI溶液製備(其中剩餘部分包含溶劑稀釋劑)，並在5000RPM之後續旋轉下旋轉30秒。實例6F具有4000nm之PEI厚度並使用20重量% PEI溶液製備(其中剩餘部分包含溶劑稀釋劑)，並在5000RPM之後續旋轉下旋轉30秒。

然後，實例6C至6F在130℃之溫度下在熱板上烘乾2至3分鐘，然後置放於在280托之壓力下操作之N₂固化爐(由YES提供)中並在240℃之溫度下固化90分鐘。

然後，以115sccm之速率流動之氬氣、以50sccm之速率流動之氮氣及以2sccm之速率流動之氧氣之存在下在約0.75毫托之壓力下使用真空腔藉由自鋁靶之DC反應濺鍍將AlO_xN_y薄膜沉積在裸玻璃(對比實例6B)上或裂紋減輕層(實例6C至6F)上。以4000W提供DC電源。AlO_xN_y薄膜以約每分鐘70埃之沉積速率形成。表6概述實例6A至6F之屬性。

表6：實例6A至6F。

實例6A至6F之平均撓曲強度以與實例1A至1J相同之方式在環對環強度試驗中評估。如在第15圖及第16圖中所示，當與包括在無中間裂紋減輕層之情況下直接安置於玻璃基板上之AlO_xN_y薄膜之對比實例6B相比較時，實例6C至6F(各包括聚合裂紋減輕層)全部展現改良之平均撓曲強度(根據環對環失效負載所記錄)。此外，包括具有4800nm及4000nm之厚度之裂紋減輕層之實例6D及6F分別展現與原始未塗佈玻璃基板(對比實例6A)實質上相同或統計學上重疊之平均撓曲強度。相較於對比實例6A(亦即，未塗佈'對照'玻璃樣品)之約677kgf之特徵強度，包括直接塗佈在玻璃基板上之2000nm AlO_xN_y薄膜之對比實例6B降低塗佈玻璃物件之韋伯特徵強度至約153kgf。在比較中，如在表6中所示，實例6C具有約208kgf之特徵強度，實例6D具有約636kgf之特徵強度，實例6E具有約252kgf之特徵強度且實例6F具有約660kgf之特徵強度。對比實例6B與實例6C至6F之比較證明，裂紋減輕層實質上改良實例6C及6F之物件之平均撓曲強度，且與包括相同玻璃基板及相同薄膜但無裂紋減輕層之物件(例如，對比實例6B)相比，實例6C至6F之物件具有改良的平均撓曲強度。

實例7：具有氮氧化鋁薄膜之奈米多孔無機裂紋減輕層。

實例7A至7B藉由提供1.0mm厚之經離子交換強化之鋁矽酸鹽玻璃基板來進行。玻璃基板包括以下組合物：61莫耳%SiO₂ 75莫耳%；7莫耳%Al₂O₃ 15莫耳%；0莫耳%B₂O₃ 12莫耳%；9莫耳%Na₂O21莫耳%；0莫耳%K₂O4莫耳%；0莫耳%MgO7莫耳%；0莫耳%CaO3莫耳%及0莫耳%SnO₂ 1莫耳%。玻璃基板在約350℃至450℃之溫度之KNO₃熔融鹽浴中離子交換3至8小時以提供強化玻璃基板。強化玻璃基板具有約885MPa之壓縮應力及約42微米之離子交換層深度。然後，玻璃基板以40KHz至110KHz下之超聲攪拌在約50℃-70℃之溫度之KOH清潔劑溶液(1-4% Semiclean KG)中清潔、以相同頻率範圍中之超聲波在DI水中沖洗，並乾燥。

對比實例7A之五個玻璃基板保持裸露，其中無層或薄膜安置於玻璃基板上。在每秒5埃之沉積速率、9.0x10^-4托之沉積壓力、150sccm之氧氣流動速率、100sccm之氬氣流動速率及最初約25℃之基板溫度下使用SiO前驅材料之電阻式熱蒸鍍在真空腔室中將奈米多孔SiO₂層沉積於實例7B之五個玻璃基板上，該基板溫度在沉積期間由於沉積製程所產生之熱量增加至約50℃。然後，以115sccm之速率流動之氬氣、以50sccm之速率流動之氮氣及以4sccm之速率流動之氧氣之存在下在約0.75毫托之壓力下，實例7B之五個樣品進一步藉由自鋁靶之DC反應濺鍍塗佈有2000nm厚之 AlO_xN_y薄膜。以4000W提供DC電源。AlO_xN_y薄膜以約每分鐘70埃之沉積速率形成。表7概述實例7A至7B之屬性及平均強度值。如在表7可見，自該組之未塗佈玻璃樣品(對比實例7A)之平均強度為約330kgf，在此情況下，該平均強度經計算作為五個所測試樣品之就RoR失效負載而言的平均值。實例7B之樣品之平均強度為約391kgf。考慮到平均強度值之標準偏差，熟習此項技術者可容易瞭解，該兩個樣品組(對比實例7A及實例7B)之強度分佈在統計學上類似或實質上相同。韋伯分佈分析產生類似統計結論。如由對比實例6B所示，直接安置於類似玻璃基板上之類似2000nm厚AlO_xN_y薄膜產生約140kgf至160kgf之RoR平均失效負載值。因此，相對於無裂紋減輕層情況下製造之相同或實質上相同之物件，實例7B之裂紋減輕層導致經塗佈玻璃強度之實質改良。

儘管已關於用於說明性目的之有限數目之實施例描述本發明，但得益於本揭示案之熟習此項技術者將理解，可在不脫離本文中所揭示之本發明之範疇之情況下設計其他實施例。因此，熟悉此項技術者可想到在不脫離本發明之精神及範疇的情況下的各種修改、變化及替代物。

100‧‧‧物件

110‧‧‧薄膜

120‧‧‧玻璃基板

122‧‧‧主表面

124‧‧‧主表面

130‧‧‧裂紋減輕層

Claims (10)

1. 一種物件，該物件包含：一玻璃基板，該玻璃基板具有相對之主表面並具有一第一平均應變損壞；一裂紋減輕層，該裂紋減輕層安置於該玻璃基板之一第一主表面上，該裂紋減輕層包含一第一彈性模數；及一薄膜，該薄膜安置於該裂紋減輕層上，該薄膜具有小於該第一平均應變損壞之一第二平均應變損壞及大於該第一彈性模數之一第二模數，其中在具有一應力強度因數併發生於該薄膜之一裂紋橋接至該裂紋減輕層及該玻璃基板中之一或更多者中時，該裂紋減輕層降低該裂紋之該應力強度因數。
2. 如請求項1所述之物件，其中該裂紋減輕層降低該應力強度因數至少約10%或增加該裂紋橋接至該玻璃基板所需要之負載至少約10%。
3. 如請求項1或2所述之物件，其中該第一彈性模數為約50GPa或更小。
4. 如請求項1、2或3所述之物件，其中該裂紋減輕層包含具有在按體積計約10%至按體積計約50%之範圍中之一孔隙率的一多孔材料。
5. 如請求項1、2、3或4所述之物件，其中該玻璃基板經化學強化並具有大於約500MPa之一壓縮應力及大於約15μm之一壓縮應力層深度。
6. 一種物件，該物件包含：一玻璃基板，該玻璃基板具有相對之主表面，其中該玻璃基板具有大於約0.5%之一第一平均應變損壞；一裂紋減輕層，該裂紋減輕層包含安置於該玻璃基板之一第一主表面上之一多孔材料；及一薄膜，該薄膜安置於該裂紋減輕層上，其中該裂紋減輕層使發生於該薄膜及該玻璃基板中之一者並進入該裂紋減輕層中之一裂紋保持在該裂紋減輕層內。
7. 如請求項7所述之物件，其中該裂紋減輕層展現約1MPa．m^1/2或更小之一斷裂韌性。
8. 如請求項7或8所述之物件，其中該玻璃基板及該裂紋減輕層形成一第一界面，且該薄膜及裂紋減輕層形成一第二界面，且其中該裂紋減輕層使發生於該薄膜及該玻璃基板中之一者之該裂紋在實質上平行於該第一界面及該第二界面中之一者或兩者之方向上在該裂紋減輕層內擴展或使發生於該薄膜及該玻璃基板中之一者之該裂紋實質上沿該第一界面或該第二界面擴展。
9. 如請求項7、8或9所述之物件，其中該裂紋減輕層包含下列中之一或更多者：SiO、SiO_x、SiO₂、Al₂O₃、AlN、AlO_xN_y、Si₃N₄、SiO_xN_y、SiAl_xO_yN_z、TiO₂、Nb₂O₅、Ta₂O₅、ZrO₂、GeO₂、SiC_xN_y、SiC_xO_yN_z、SiC、Si、Ge、銦錫氧化物、氧化錫、氟化錫氧化物、氧化鋅鋁及氧化鋅。
10. 一種物件，該物件包含：一玻璃基板，該玻璃基板具有相對之主表面並具有一第一平均應變損壞；一裂紋減輕層，該裂紋減輕層安置於該玻璃基板之一第一主表面上，形成一第一界面；及一薄膜，該薄膜安置於該裂紋減輕層上形成一第二界面，該薄膜具有小於該第一平均應變損壞之一第二平均應變損壞；且其中發生於該薄膜之一裂紋橋接跨越該第二界面所需要之該負載大於該裂紋橋接跨越該第二界面所需要之一負載。