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TW201421453A - 發光元件及顯示裝置 - Google Patents

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TW201421453A
TW201421453A TW102133514A TW102133514A TW201421453A TW 201421453 A TW201421453 A TW 201421453A TW 102133514 A TW102133514 A TW 102133514A TW 102133514 A TW102133514 A TW 102133514A TW 201421453 A TW201421453 A TW 201421453A
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TW
Taiwan
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light
emitting element
insulating layer
interlayer insulating
shielding wall
Prior art date
Application number
TW102133514A
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English (en)
Inventor
Tetsuo Minami
Junichi Yamashita
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Abstract

一種發光元件包含：一發射單元及經組態以驅動該發射單元之一驅動電路。該驅動電路包含一驅動電晶體、一影像信號寫入電晶體及一電容器單元。該驅動電路連接至皆在一第一方向上延伸之一電流供應線及一掃描線且連接至在一第二方向上延伸之一資料線。該電流供應線及該掃描線形成於第一夾層絕緣層上且該第一夾層絕緣層、該電流供應線及該掃描線覆蓋有一第二夾層絕緣層。該資料線形成於該第二夾層絕緣層上。在該第一方向上延伸之一屏蔽壁係在一個發光元件與在該第二方向上相鄰於該個發光元件之一發光元件之間提供至該第二夾層絕緣層。

Description

發光元件及顯示裝置 相關申請案之交叉參考
本申請案主張2012年11月19日申請之日本優先權專利申請案JP 2012-253015之權利，該案之全部內容以引用的方式併入本文中。
本發明係關於一種發光元件及一種顯示裝置。
在近幾年中，日益關注採用有機電激發光元件(亦簡單地稱作「有機EL元件」)之有機電激發光顯示裝置(在下文中亦簡單稱作「有機EL顯示裝置」)。有機EL顯示裝置具有一自發光類型且具有消耗功率為低之一性質。有機EL顯示裝置被認為對於高清晰度高速視訊信號具有足夠回應率且其開發及商業化已朝著實際用途前進。
有機EL顯示裝置包含多個發光元件，該等發光元件包含一發射單元ELP及經組態以驅動發射單元ELP之一驅動電路。明確言之，多個發光元件佈置成具有一第一方向上之N行及不同於第一方向之一第二方向上之M列之一二維矩陣形狀。有機EL顯示裝置之一電路圖繪示於圖1中且包含由(例如)兩個電晶體及一個電容器單元組態之一驅動電路之一發光元件之一等效電路圖繪示於圖2中。此處，驅動電路由一驅動電晶體TR1、一影像信號寫入電晶體TR2及一電容器單元C0組態且連接至一電流供應線CSL、一掃描線SCL及一信號線DTL。組成定位於有機EL顯示裝置中之一奇數列中之一驅動電路之電晶體TR1及 TR2與組成定位於一偶數列中之一驅動電路之電晶體TR1及TR2經安置成關於在第一方向上延伸之一軸向線而對稱。即，驅動電路安置成交替地在奇數及偶數列倒置。採用此一佈局被採用而可使整體實現驅動電路之面積上之減少。
如上文所說明，針對根據先前技術之驅動電路，如圖35中所示，在驅動電路安置成交替地在奇數及偶數列倒置之情況下，可存在下文說明之一問題。明確言之，在第二方向上相鄰之像素之間之寄生電容在奇數列與偶數列之間不同。例如，比如說“m”係一奇數，且歸因於組成定位於第(m-1)’列中之一驅動電路之一驅動電晶體TR1_m-1之一閘極電極與組成定位於第m’列中之驅動電路之一電容器單元C0_m之間之耦合而發生之寄生電容係PCm。再者，比如說歸因於組成定位於第m’列中之一驅動電路之一驅動電晶體TR1_m之一閘極電極與組成定位於第(m+1)’列中之一驅動電路之一電容器單元C0_m+1之間之耦合而發生之寄生電容係PCm+1。在此配置中，寄生電容PCm之值及寄生電容PCm+1之值不同。明確言之，保持寄生電容PCm+1>寄生電容PCm。
倘若在一有機EL顯示裝置上顯示一影像，則應用驅動電晶體TR1處之一自舉現象以根據將顯示之照度將一電流發送至發射單元ELP。倘若在有機EL顯示裝置上從上至下執行影像顯示(即，倘若在m之值增加之一方向上執行影像顯示)，則驅動電晶體TR1之閘極電極之電位增加量取決於寄生電容而波動。明確言之，例如，當在包含定位於第(m-1)’列中之一驅動電路之一像素、包含定位於第m’列中之一驅動電路之一像素處及包含定位於第(m+1)’列中之一驅動電路之一像素處顯示具有相同照度之一影像時，因為寄生電容PCm及PCm+1不同，所以即使照度相同，但組成定位於第(m-1)’列中之驅動電路之驅動電晶體TR1_m-1之閘極電極之電位增加量及組成定位於第m’列中之驅動電路 之驅動電晶體TR1_m之閘極電極之電位增加量不同。由於以上所致，針對顯示裝置，照度在奇數列與偶數列之間不同，且可視覺上辨識出條線點或一影像可觀察為看似僅具有其一半解析度。
即使在將驅動電路安置成不在奇數列與偶數列之間垂直倒置之情況下，一像素可發射一非意欲照度，或均勻性可因受到來自相鄰像素之耦合而劣化，且在一些情況中，均勻性可因受到來自相鄰信號線DTL之耦合而劣化。
日本未審查專利申請公開案第2006-030635號中揭示其中安置用作對於一掃描線及信號線之一電場屏蔽之一金屬圖案之一顯示裝置，但是難以藉由此金屬圖案充分解決上文提及之問題。
已發現期望提供具有不易於受相鄰像素影響之一組態及一架構之一發光元件及包含此等發光元件之一顯示裝置。
根據一實施例之發光元件包含：一發射單元；及一驅動電路，其經組態以驅動該發射單元，其中該驅動電路由至少以下組態：(A)一驅動電晶體，其包含兩個源極/汲極區域、一通道形成區域及一閘極電極；(B)一影像信號寫入電晶體，其包含兩個源極/汲極區域、一通道形成區域及一閘極電極；及(C)一電容器單元；針對該驅動電晶體，(A-1)源極/汲極區域中之一者連接至在一第一方向上延伸之一電流供應線，(A-2)另一源極/汲極區域連接至發射單元且亦連接至電容器單元之一個邊緣，且(A-3)閘極電極連接至影像信號寫入電晶體之另一源極/汲極區域且亦連接至電容器單元之另一邊緣；針對該影像信號寫入電晶體，(B-1)源極/汲極區域中之一者連接至在不同於第一方向之一第二方向上延伸之一資料線，且(B-2)閘極電極連接至在第一方向上延伸之一掃描線；其中驅動電晶體、影像信號寫入電晶體及電容器單元覆蓋有一第一夾層絕緣層；其中電流供應線及掃描線形成於第一夾層絕緣層上；其中第一夾層絕緣層、電流供應線及掃描線覆 蓋有一第二夾層絕緣層；其中資料線形成於第二夾層絕緣層上；且其中在第一方向上延伸之一屏蔽壁在一個發光元件與相鄰於該個發光元件之一發光元件之間提供至第二夾層絕緣層。應注意，如稍後所說明，在第二夾層絕緣層具有第二夾層絕緣層之一下層及第二夾層絕緣層之一上層之一層壓組態之情況下，屏蔽壁可在第二方向上提供於第二夾層絕緣層之下層內或可提供於第二夾層絕緣層之上層內，或可提供於第二夾層絕緣層之下層內及第二夾層絕緣層之上層內。
針對根據以上組態之發光元件，在第一方向上延伸之屏蔽壁(為了方便起見，在下文中可稱作「第一屏蔽壁」)在一個發光元件與在該第二方向上相鄰於該個發光元件之一發光元件之間提供至第二夾層絕緣層。
根據本發明之一實施例之一發光元件包含：一發射單元；及一驅動電路，其經組態以驅動發射單元，其中一屏蔽壁提供於一個發光元件與相鄰於該個發光元件之一發光元件之間；其中屏蔽壁由分開地佈置之複數個柱狀形狀導體部分組態；且其中當從導體部分之軸向方向觀看屏蔽壁時，複數個柱狀形狀導體部分佈置成兩行且亦佈置成一Z字形型樣。
針對根據以上組態之發光元件，第一屏蔽壁提供於一個發光元件與相鄰於該個發光元件之一發光元件之間，第一屏蔽壁由分開地佈置之複數個柱狀形狀導體部分(為了方便起見，在下文中可稱作「第一導體部分」)組態，且當從第一導體部分之軸向方向觀看時，複數個柱狀形狀第一導體部分佈置成兩行且亦佈置成一Z字形型樣。
根據本發明之一實施例之一發光元件包含：一發射單元；及一驅動電路，其經組態以驅動發射單元，其中驅動電路至少包含一驅動電晶體、一影像信號寫入電晶體及一電容器單元；其中電容器單元提供於高於提供驅動電晶體及影像信號寫入電晶體之一位準之一位準 中；且其中一屏蔽壁在一個發光元件與相鄰於該個發光元件之一發光元件之間，提供於等於或低於提供電容器之一位準之一位準，但是高於提供驅動電晶體及影像信號寫入電晶體之一位準之一位準中。
進一步而言，針對根據本發明之第三實施例之發光元件，電容器單元提供於高於提供驅動電晶體及影像信號寫入電晶體之一位準之一位準中，且第一屏蔽壁在一個發光元件與相鄰於該個發光元件之一發光元件之間，提供於等於或低於提供電容器單元之一位準之一位準，但是高於提供驅動電晶體及影像信號寫入電晶體之一位準之一位準中。
一種顯示裝置由在第一方向及在不同於第一方向之一第二方向上佈置成一二維矩陣形狀之複數個根據以上組態之發光元件所組態。再者，根據本發明之一電子裝置包含根據本發明之一顯示裝置。
根據以上組態，可對發光元件提供不易於受來自相鄰像素之電場影響之一組態/架構。即，可抑制以下現象之發生：歸因於相鄰於一個發光元件之一發光元件，組成該個發光元件之一驅動電路之一驅動電晶體之閘極電極之電位增加量波動。由於以上所致，可以高均勻性顯示一影像而在視覺上不會辨識出條線點且不發生一影像觀察為看似僅具有其一半解析度之現象且一像素不會發出具有非意欲照度之光。
1‧‧‧發光元件
10‧‧‧發光元件之所有組件
11‧‧‧第一電極/陽極電極
12‧‧‧有機層
13‧‧‧第二電極/陰極電極
20‧‧‧第一基板
20A‧‧‧元件分離區域
21‧‧‧第一夾層絕緣層
22‧‧‧第二夾層絕緣層之下層
23‧‧‧第二夾層絕緣層之上層
24‧‧‧第四夾層絕緣層
25‧‧‧絕緣層
26‧‧‧保護膜
27‧‧‧透明第二基板
41‧‧‧第一屏蔽壁
41A‧‧‧導電性材料層
41B‧‧‧導電性材料層
42‧‧‧第二夾層絕緣層之下層之延伸部分
43‧‧‧第一導體部分
44‧‧‧接觸孔
45‧‧‧第二屏蔽壁
45A‧‧‧導電性材料層
45B‧‧‧導電性材料層
46‧‧‧第二夾層絕緣層之下層之延伸部分
47‧‧‧第二導體部分
48‧‧‧接觸孔
51‧‧‧第三屏蔽壁
51B‧‧‧佈線
52‧‧‧第二夾層絕緣層之上層之延伸部分
55‧‧‧第四屏蔽壁
55B‧‧‧佈線
56‧‧‧第二夾層絕緣層之上層之延伸部分
61‧‧‧接觸孔
62‧‧‧接觸墊
63‧‧‧接觸孔
64‧‧‧接觸墊
65‧‧‧接觸孔
66‧‧‧接觸孔
71‧‧‧接觸孔
72‧‧‧佈線
73‧‧‧接觸孔
74‧‧‧接觸墊
75‧‧‧接觸孔
76‧‧‧佈線
77‧‧‧接觸孔
81‧‧‧接觸孔
82‧‧‧佈線
83‧‧‧接觸孔
84‧‧‧接觸墊
85‧‧‧接觸孔
86‧‧‧接觸孔
87‧‧‧接觸孔
88‧‧‧接觸孔
89‧‧‧接觸墊
90‧‧‧接觸孔
91‧‧‧第二方向屏蔽壁
91A‧‧‧導電性材料層
91B‧‧‧導電性材料層
92‧‧‧第二夾層絕緣層之下層之延伸部分
93‧‧‧導體部分
94‧‧‧接觸孔
100‧‧‧電流供應單元
101‧‧‧掃描電路
102‧‧‧影像信號輸出電路
103‧‧‧發射控制電晶體控制電路
104‧‧‧第一節點初始化電晶體控制電路
105‧‧‧第二節點初始化電晶體控制電路
C0‧‧‧電容器單元
C0-A‧‧‧電容器單元之邊緣/電極
C0-B‧‧‧電容器單元之邊緣/電極
CEL‧‧‧發射單元之寄生電容
Ch1‧‧‧通道形成區域
Ch2‧‧‧通道形成區域
CSL‧‧‧電流供應線
DTL‧‧‧資料線
ELP‧‧‧有機EL發射單元
G1‧‧‧閘極電極
G2‧‧‧閘極電極
GI1及GI2‧‧‧閘極絕緣層
I’ds‧‧‧汲極電流
Ids‧‧‧汲極電流
ND1‧‧‧第一節點
ND2‧‧‧第二節點
SCL‧‧‧掃描線
SD11及SD12‧‧‧源極/汲極區域
SD21及SD22‧‧‧源極/汲極區域
SDL‧‧‧屏蔽佈線部分
TEL_C‧‧‧發射控制電晶體
TND1‧‧‧第一節點初始化電晶體
TND2‧‧‧第二節點初始化電晶體
TP(2)0‧‧‧週期
TP(2)1‧‧‧週期
TP(2)-1‧‧‧週期
TP(2)2‧‧‧週期
TP(2)3‧‧‧週期
TP(2)4‧‧‧週期
TR1‧‧‧電晶體
TR2‧‧‧影像信號寫入電晶體
VCath‧‧‧發射單元之第二電極之電壓
VCC‧‧‧電源
VCC-H‧‧‧電壓/電位
VCC-L‧‧‧電壓
VDD‧‧‧電源
Vgs‧‧‧閘極電極與源極區域之間之電位差
VOfs‧‧‧電位
VSig‧‧‧驅動信號/照度信號
VSS‧‧‧電源
Vth‧‧‧臨限電壓
Vth-EL‧‧‧發射單元之臨限電壓
圖1係包含於根據一第一實施例之一顯示裝置或電子裝置中之組成一顯示裝置之一電路之一概念圖；圖2係根據第一實施例之一2Tr/1C驅動電路之一等效電路；圖3係根據第一實施例之一發光元件之一示意性部分截面圖；圖4係示意性繪示根據第一實施例之一顯示裝置或發光元件之組件之一佈局狀態之一圖； 圖5係沿著圖4中之箭頭V-V獲取之根據第一實施例之顯示裝置或發光元件之一示意性部分截面圖；圖6係沿著圖4中之箭頭VI-VI獲取之根據第一實施例之顯示裝置或發光元件之一示意性部分截面圖；圖7係沿著圖4中之箭頭VII-VII獲取之根據第一實施例之顯示裝置或發光元件之一示意性部分截面圖；圖8A及圖8B分別係沿著圖4中之箭頭VIIIA-VIIIA及箭頭VIIIB-VIIIB獲取之根據第一實施例之顯示裝置或發光元件之示意性部分截面圖；圖9A及圖9B分別係沿著圖4中之箭頭IXA-IXA及箭頭IXB-IXB獲取之根據第一實施例之顯示裝置或發光元件之示意性部分截面圖；圖10A及圖10B分別係沿著圖4中之箭頭XA-XA及箭頭XB-XB獲取之根據第一實施例之顯示裝置或發光元件之示意性部分截面圖；圖11A及圖11B分別係沿著圖4中之箭頭XIA-XIA及箭頭XIB-XIB獲取之根據第一實施例之顯示裝置或發光元件之示意性部分截面圖；圖12係示意性繪示根據第一實施例之顯示裝置或發光元件在基板表面處之組件之一佈局狀態之一圖；圖13係示意性繪示根據第一實施例之顯示裝置或發光元件在一第一夾層絕緣層之表面處之組件之一佈局狀態之一圖；圖14係示意性繪示根據第一實施例之顯示裝置或發光元件在一第二夾層絕緣層之一下層之表面處之組件之一佈局狀態之一圖；圖15係示意性繪示根據第一實施例之顯示裝置或發光元件在第二夾層絕緣層之一上層之表面處之組件之一佈局狀態之一圖；圖16係以相同之方式沿著圖4中之箭頭XVI-XVI獲取之根據第二實施例之一顯示裝置或發光元件之一示意性部分截面圖；圖17係以相同之方式沿著圖4中之箭頭XVII-XVII獲取之根據第 二實施例之顯示裝置或發光元件之一示意性部分截面圖；圖18係以相同之方式沿著圖4中之箭頭XVIII-XVIII獲取之根據第二實施例之顯示裝置或發光元件之一示意性部分截面圖；圖19A及圖19B分別係以相同之方式沿著圖4中之箭頭XIXA-XIXA及箭頭XIXB-XIXB獲取之根據第二實施例之顯示裝置或發光元件之示意性部分截面圖；圖20係示意性繪示根據第二實施例之顯示裝置或發光元件在一第一夾層絕緣層之表面處之組件之一佈局狀態之一圖；圖21係示意性繪示根據第二實施例之顯示裝置或發光元件在一第二夾層絕緣層之一下層之表面處之組件之一佈局狀態之一圖；圖22係示意性繪示根據第二實施例之顯示裝置或發光元件在第二夾層絕緣層之一上層之表面處之組件之一佈局狀態之一圖；圖23係示意性繪示根據一第三實施例之一顯示裝置或發光元件之組件之一佈局狀態之一圖；圖24A及圖24B分別係以相同之方式沿著圖23中之箭頭XXIVA-XXIVA及箭頭XXIVB-XXIVB獲取之根據第三實施例之顯示裝置或發光元件之示意性部分截面圖；圖25A及圖25B分別係以相同之方式沿著圖23中之箭頭XXVA-XXVA及箭頭XXVB-XXVB獲取之根據第三實施例之顯示裝置或發光元件之示意性部分截面圖；圖26A及圖26B分別係以相同之方式沿著圖23中之箭頭XXVIA-XXVIA及箭頭XXVIB-XXVIB獲取之根據第三實施例之顯示裝置或發光元件之示意性部分截面圖；圖27係示意性繪示根據第一實施例至第三實施例之2Tr/1C驅動電路之一驅動時序圖之一圖；圖28A、28B、28C、28D、28E及28F係示意性繪示組成根據第一 實施例至第三實施例之2Tr/1C驅動電路之各電晶體之一接通/斷開狀態之圖；圖29係一3Tr/1C驅動電路之一等效電路圖；圖30係示意性繪示3Tr/1C驅動電路之一驅動時序圖之一圖；圖31係一4Tr/1C驅動電路之一等效電路圖；圖32係示意性繪示4Tr/1C驅動電路之一驅動時序圖之一圖；圖33係一5Tr/1C驅動電路之一等效電路圖；圖34係示意性繪示5Tr/1C驅動電路之一驅動時序圖之一圖；及圖35係根據相關技術之一驅動電路之一等效電路圖。
在下文中，將參考圖式基於實施例說明本發明，但是本發明並不限於實施例，且實施例中之多種數值及材料係例示。應注意，將按以下順序進行說明。
1.關於根據本發明之第一形式至第三形式之發光元件、顯示裝置及電子裝置之一般性說明
2.第一實施例(根據本發明之第一形式至第三形式之發光元件、顯示裝置及電子裝置)
3.第二實施例(第一實施例之修改)
4.第三實施例(第一實施例或第二實施例之修改)
5.第四實施例(根據第一實施例至第三實施例之發光元件之操作說明)
其他
關於根據本發明之第一形式至第三形式之發光元件、顯示裝置及電子裝置之一般性說明
下文將說明之根據本發明之第一形式至第三形式之發光元件之多種形式可應用於包含於根據本發明之顯示裝置及電子裝置中之發光 元件。根據本發明之第一形式至第三形式之發光元件、根據本發明之第一形式至第三形式之包含於本發明之顯示裝置中之發光元件及根據本發明之第一形式至第三形式之包含於本發明之電子裝置中之發光元件可統稱為「根據本發明之第一形式之發光元件或類似物」、「根據本發明之第二形式之發光元件或類似物」及「根據本發明之第三形式之發光元件或類似物」。
針對根據本發明之第一形式或第三形式之發光元件或類似物，一較佳形式為一第一屏蔽壁由分開地佈置之多個柱狀形狀第一導體部分組態，且當從第一導體部分之軸向方向觀看第一屏蔽壁時(即，當從上觀看第一屏蔽壁時)，多個柱狀形狀第一導體部分佈置成兩行且亦佈置成一Z字形型樣。針對根據包含此較佳形式之本發明之第一形式之發光元件或類似物，第一屏蔽壁可具有連接至形成於一第二夾層絕緣層上之一屏蔽佈線部分之一形式，且針對根據包含此較佳形式之本發明之第三形式之發光元件或類似物或針對根據本發明之第二形式之發光元件或類似物，第一屏蔽壁可具有其中第一屏蔽壁連接至屏蔽佈線部分之一形式。應注意，屏蔽佈線部分可形成於第二夾層絕緣層上或可形成於第二夾層間隔層內。
進一步而言，針對根據包含上文說明之多種較佳形式之本發明之第一形式之發光元件或類似物，在佈置於第二方向上之發光元件處，當假設m係一奇數時，第m’個發光元件及第(m+1)’個發光元件安置成關於第一方向上在第m’個發光元件與第(m+1)’個發光元件之間延伸之一邊界線而為線對稱，且第一屏蔽壁可具有其中將第一屏蔽壁至少提供於第m’個發光元件與第(m+1)’個發光元件之間之一形式。再者，針對根據包含上文說明之多種較佳形式之本發明之第三形式之發光元件或類似物及根據本發明之第二形式之發光元件或類似物，一驅動電路連接至在第一方向上延伸之一電流供應線、在第一方向上延伸 之一掃描線及在不同於第一方向之第二方向上延伸之一資料線，且在佈置於第二方向上之發光元件處，當假設m係一奇數時，第m’個發光元件及第(m+1)’個發光元件安置成關於第一方向上在第m’個發光元件與第(m+1)’個發光元件之間延伸之一邊界線而為線對稱，且第一屏蔽壁可具有其中將第一屏蔽壁至少提供於第m’個發光元件與第(m+1)’個發光元件之間之一形式。應注意，為了方便起見，根據本發明之第一形式至第三形式之發光元件或類似物中之此一形式將稱作「對稱安置之發光元件」。應注意，一較佳形式為第一屏蔽壁形成於邊界線上。
針對此「對稱安置之發光元件」，在佈置於第二方向上之發光元件處，可採用之一形式為，將在第一方向上延伸之一第二屏蔽壁提供於第(m-1)’個發光元件與第m’個發光元件之間。應注意，為了方便起見，「對稱安置之發光元件」處之此一形式將稱作「包含第二屏蔽壁之發光元件」。在「包含第二屏蔽壁之發光元件」處，一較佳形式係第二屏蔽壁進一步由分開地佈置之多個柱狀形狀第二導體部分組態，且當從第二導體部分之軸向方向觀看第二屏蔽壁時(即，當從上觀看第二屏蔽壁時)，多個柱狀形狀第二導體部分佈置成兩行且亦佈置成一Z字形型樣。此處，期望第二屏蔽壁連接至形成於第二夾層絕緣層中之一屏蔽佈線部分，或期望第二屏蔽壁連接至屏蔽佈線部分。應注意，屏蔽佈線部分可如上文說明般形成於第二夾層絕緣層上，或可形成於第二夾層絕緣層內。再者，如接下來所說明，倘若第二夾層絕緣層具有第二夾層絕緣層之一上層及第二夾層絕緣層之一下層之一層壓結構，則第二屏蔽壁可提供於第二夾層絕緣層之下層內，或可提供於第二夾層絕緣層之上層內，或可提供於第二夾層絕緣層之下層內及第二夾層絕緣層之上層內。
進一步而言，針對「包含第二屏蔽壁之發光元件」(諸如根據包含以上較佳形式之本發明之第一形式之發光元件)，可提供一形式， 其中第二夾層絕緣層包含第二夾層絕緣層之下層及第二夾層絕緣層之上層之層壓組態，將第一屏蔽壁提供至第二夾層絕緣層之下層，且將具有與第一屏蔽壁之相同組態之在第一方向上延伸之一第三屏蔽壁提供至定位於第一屏蔽壁之上之第二夾層絕緣層之上層部分，且第三屏蔽壁連接至屏蔽佈線部分。進一步而言，針對「包含第二屏蔽壁之發光元件」(諸如根據包含此一形式之本發明之第一形式之發光元件),可提供一形式，其中第二夾層絕緣層包含第二夾層絕緣層之下層及第二夾層絕緣層之上層之層壓組態，將第二屏蔽壁提供至第二夾層絕緣層之下層，且將具有與第二屏蔽壁相同之組態之在第一方向上延伸之一第四屏蔽壁提供至定位於第二屏蔽壁之上之第二夾層絕緣層之上層部分，且第四屏蔽壁連接至屏蔽佈線部分。
再者，針對「對稱安置之發光元件」(諸如根據本發明之第一形式之發光元件)，可提供一形式，其中第二夾層絕緣層包含第二夾層絕緣層之下層及第二夾層絕緣層之上層之層壓組態，將第一屏蔽壁提供至第二夾層絕緣層之下層，且將具有與第一屏蔽壁相同之組態之在第一方向上延伸之第三屏蔽壁提供至定位於第一屏蔽壁之上之第二夾層絕緣層之上層部分，且第三屏蔽壁連接至屏蔽佈線部分。
針對根據包含以上多種較佳形式之本發明之第一形式之發光元件或類似物，可提供一形式，其中在第二方向上延伸之一第二方向屏蔽壁在一個發光元件與第一方向上相鄰於該個發光元件之一發光元件之間提供至第二夾層絕緣層。應注意，倘若如上文說明，第二夾層絕緣層具有第二夾層絕緣層之下層及第二夾層絕緣層之上層之層壓組態，則第二方向屏蔽壁可提供於第二夾層絕緣層之下層內，或可提供於第二夾層絕緣層之上層內，或可提供於第二夾層絕緣層之下層內及第二夾層絕緣層之上層內。再者，針對「對稱安置之發光元件」(諸如根據包含上文說明之多種較佳形式之本發明之第二形式至第三形式 之發光元件)，可提供一形式，其中將在第二方向上延伸之第二方向屏蔽壁提供於一個發光元件與在第一方向上相鄰於該個發光元件之一發光元件之間。
針對包含上文說明之多種較佳形式之本發明之第二形式及第三形式之發光元件或類似物，更明確言之，驅動電路由至少以下組態：(A)一驅動電晶體，其包含兩個源極/汲極區域、一通道形式區域及一閘極電極；(B)一影像信號寫入電晶體，其包含兩個源極/汲極區域、一通道形式區域及一閘極電極；及(C)一電容器單元；針對驅動電晶體，(A-1)源極/汲極區域中之一者連接至一電流供應線，(A-2)另一源極/汲極區域連接至發射單元且亦連接至電容器單元之一個邊緣，及(A-3)閘極電極連接至影像信號寫入電晶體之另一源極/汲極區域且亦連接至電容器單元之另一邊緣；且針對影像信號寫入電晶體，(B-1)源極/汲極區域中之一者連接至一資料線，及(B-2)閘極電極連接至一掃描線。
第一夾層絕緣層及第二夾層絕緣層(第二夾層絕緣層之下層及第二夾層絕緣層之上層)之組件材料之實例包含一SiO2材料，諸如SiO2、BPSG、PSG、BSG、AsSG、PbSG、SiON、SOG(旋塗玻璃)、低熔玻璃及玻璃漿；一SiN材料；氧化鋁；及一感光性聚醯亞胺樹脂或絕緣樹脂，諸如一酚醛樹脂、丙烯酸樹脂、聚苯并唑(polybenzoxazole)樹脂、聚羥基苯乙烯樹脂或類似物。可採用根據相關技術之程序(諸如多種CVD方法、包含濺鍍之多種PVD方法、多種塗覆方法、多種印刷方法等等)以用來形成一夾層絕緣層。第一夾層絕緣層及第二夾層絕緣層可由相同材料組態或可由不同材料組態。再者，第二夾層絕緣層之下層及第二夾層絕緣層之上層可由相同材料組態，或可由不同材料組態。
在下文中，組成第三屏蔽壁、第四屏蔽壁及第二方向屏蔽壁之 導體部分可分別稱作「第三導體部分」、「第四導體部分」及「第二方向屏蔽壁之導體部分」，且第一導體部分、第二導體部分、第三導體部分及第四導體部分可簡單地統稱為「第一導體部分或類似物」。此處，一較佳形式係第三屏蔽壁及第四屏蔽壁由分開地佈置之多個柱狀形狀第三導體部分及第四導體部分組態，且當從第三導體部分及第四導體部分之軸向方向觀看第三屏蔽壁及第四屏蔽壁時(即，當從上觀看第三屏蔽壁及第四屏蔽壁時)，第三導體部分及第四導體部分佈置成兩行且亦佈置成一Z字形型樣。當將第一導體部分或類似物投影於包含第一導體部分或類似物之軸向線之一虛擬平面(虛擬垂直平面)上時，第一導體部分或類似物可佈置成一重疊狀態，或可佈置成一非重疊狀態。在佈置成一非重疊狀態之情況中，針對一投影影像，在第一導體部分或類似物與第一導體部分或類似物之間可存在或可能不存在一間隙。第二方向屏蔽壁由分開地佈置之多個柱狀形狀導體部分(第二方向屏蔽壁之導體部分)組態，但是當從第二方向屏蔽壁之導體部分之軸向方向觀看第二方向屏蔽壁時(即，當從上觀看第二方向屏蔽壁時)，第二方向屏蔽壁之多個柱狀形狀導體部分可佈置成兩行且亦佈置成一Z字形型樣，或可佈置成一行。在第一導體部分或類似物與第一導體部分或類似物之間或在第二方向屏蔽壁之導體部分與第二方向屏蔽壁之導體部分之間填充有圍繞此等屏蔽壁之一夾層絕緣層之一延伸部分。
根據相關技術之用作組成第一導體部分或類似物及第二方向屏蔽壁之導體部分之一材料之一導電性材料之實例包含銅(Cu)、銀(Ag)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈦(Ti)、釕(Ru)、鉬(Mo)、鎢(W)及鎳(Ni)。此等材料之合金亦可為實例。一導電性漿材料亦可採用作為一導電性材料。針對第一導體部分或類似物及第二方向屏蔽壁之導體部分，基於根據相關技術之一方法，一開口部分可形成於夾層絕緣層中，且此一 開口部分可嵌入有一導電性材料。在一些案例中，替代地，第一屏蔽壁、第二屏蔽壁、第三屏蔽壁、第四屏蔽壁及第二方向屏蔽壁可藉由在夾層絕緣層中形成一凹入部分或凹槽部分且在此一凹入部分或凹槽部分中嵌入一導電性材料來形成。
第一屏蔽壁、第二屏蔽壁、第三屏蔽壁、第四屏蔽壁及第二方向屏蔽壁經由屏蔽佈線部分連接至一預定固定電位(例如，諸如，電源VSS或電源VCC及VDD)。
針對根據包含上文說明之多種較佳形式之本發明之第一形式至第三形式之發光元件、包含根據依據本發明之第一形式至第三形式之此等發光元件之一顯示裝置或包含此一顯示裝置之一電子裝置(在下文中，此等統稱為「本發明之發光元件或類似物」)，將發射單元及驅動電路提供至一第一基板。另一方面，一第二基板安置於發射單元上或發射單元之上。例如，明確言之，發射單元可由一有機電激發光發射單元(有機EL發射單元)組態。更明確言之，例如，發射單元由一第一電極(例如，陽極電極)、包含一發射層之一有機層、及一第二電極(例如，陰極電極)組態。組成驅動電路之一電晶體形成於第一基板上。再者，電容器單元可由電極中之一者、另一電極及夾入有此等電極之一介電層(絕緣層)組態且(例如)分配於第二夾層絕緣層中。發射單元經由夾層絕緣層(明確言之，第一夾層絕緣層、第二夾層絕緣層或類似物)形成於組成驅動電路之電晶體之上。驅動電晶體之另一源極/汲極區域連接至經由一接觸孔提供至發射單元之第一電極。
可實現一形式，其中來自各發光元件之光經由第二基板外部發射。應注意，此一顯示裝置可稱作「頂面發射類型顯示裝置」。或者，可實現一形式，其中來自各發光元件之光經由第一基板外部發射。應注意，此一顯示裝置可稱作「底面發射類型顯示裝置」。
有機層包含發射層(例如，由一有機發射材料製造之發射層)，但 是明確言之，可由(例如)一電洞轉移層及一發射層與一電子轉移層之間之一層壓組態，一電洞轉移層與亦用作一電子轉移層之一發射層之間之一層壓組態，一電洞注入層、一電洞轉移層、一發射層與一電子轉移層及一電子注入層或類似物之一層壓組態來組態。再者，倘若將此等層壓組態等等視作一「串聯(tandem)單元」，則有機層可具有其中層壓一第一串聯單元、一連接層及一第二串聯單元之一兩級串聯組態，且可進一步具有其中層壓三個或更多個串聯單元之一三級或更多級串聯組態，且在此等情況中，可獲得有機層，其中各串聯單元處之發射色彩區分為紅色、綠色及藍色，藉此總體上發射白色。一有機層形成方法之實例包含一物理氣相沈積方法(PVD方法)，諸如一真空蒸鍍方法或類似物；一印刷方法，諸如一絲網印刷方法或噴墨印刷方法；一雷射轉印方法，其中雷射光輻照於形成於一基板上之用於轉印之一雷射吸收層及有機層之層壓組態上，藉此使雷射吸收層上之有機層分離以轉印有機層；及多種塗覆方法。倘若基於真空蒸鍍方法形成一有機層，則可藉由使用一所謂金屬遮罩且沈積穿過提供至此一金屬遮罩之一開口之一材料來獲得一有機層，或一有機層可形成於整個表面上而無需圖案化。
作為組成一頂面發射類型顯示裝置中之一第一電極或一底面發射類型顯示裝置中之一第二電極(為了方便起見，此等電極將稱作「光反射電極」)之一材料(光反射材料)，倘若將光反射電極用作一陽極電極，則此材料之實例包含具有一高功函數之金屬，諸如鉑(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鎢(W)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鋁(Al)、釕(Ru)、鉬(Mo)、鋅(Zn)、錫(Sn)及鋯(Zr)及合金(例如，Ag-Pd-Cu合金(其將銀用作一主要成分，且包含0.3至1質量百分比之鈀(Pd)及0.3至1質量百分比之銅(Cu))及一鋁合金(諸如Al-Nd合金或Al-Ce合金))。進一步而言，倘若採用具有一低功函 數值且亦具有一高光學反射率之一導電性材料(諸如鋁(Al)或包含鋁之一合金)，則此可藉由經由提供一適當電洞注入層或類似物改進其電洞注入性質來採用為一陽極電極。光反射電極之厚度之實例包含0.1μm至1μm。或者，可實現一組態，其中將在一電洞注入性質方面有優勢之一透明導電性材料(諸如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)或類似物)層壓於具有一高光學反射率之一反射膜(諸如一介電多層或鋁(Al))上。另一方面，倘若將光反射電極用作一陰極電極，期望光反射電極由具有一小功函數值且亦具有一高光學反射率之一導電性材料組態，但是光反射電極可藉由將一適當電子注入層提供至具有一高光學反射率之將用作一陽極電極之一導電性材料以改進電子注入優先權來用作一陰極電極。
另一方面，作為組成一頂面發射類型顯示裝置中之一第二電極或一底面發射類型顯示裝置中之一第一電極(為了方便起見，此等電極將稱作「半透光電極」)之一材料(半透光材料或透光材料)，倘若將半透光電極用作一陰極電極，則期望半透光材料由具有一功函數值以便透射發射光且亦將電子有效地注入至有機層中之一導電性材料組態，且此材料之實例包含具有一小功函數之金屬或合金，諸如鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鈉(Na)、鍶(Sr)、銅(Cu)、鹼金屬或鹼土金屬及銀(Ag)(例如，鎂(Mg)及銀(Ag)之一合金(Mg-Ag合金))、鎂及鈣之一合金(Mg-Ca合金)、鋁(Al)及鋰(Li)之一合金(Al-Li合金)等等，且在此等之中，期望Mg-Ag合金，且Mg：Ag=5：1至30：1可例示為鎂與銀之間之一體積比率。或者，Mg：Ca=2：1至10：1可例示為鎂與鈣之間之一體積比率。作為半透光電極之厚度，4nm至50nm，較佳地4nm至20nm，更較佳地6nm至12nm可為例示性。或者，半透光電極亦可由透明導電氧化物(更明確言之，氧化鋅材料，其包含(例如)氧化鋅(ZnO)、摻雜氧化鋁之氧化鋅(AZO)、摻雜鎵之氧化鋅(GZO)、In- GaZnO4(IGZO)、一銦鋅複合氧化物(IZO)及摻雜F之氧化鋅(FZO)；一氧化銦材料，其包含氧化銦(In2O3)、(ITO)之摻雜Sn之In2O3及摻雜氟之SnO2(FTO)；或一氧化錫材料，其包含氧化錫(SnO2)、(ATO)之摻雜銻之SnO2及(FTO)之摻雜F之SnO2)組態。或者，半透光電極亦可具有從有機層側，由以上導電性材料製造之一第一層及以上透明導電性氧化物製造之一第二層之一層壓組態(例如，厚度3×10-8m至1×10-6m)。在一層壓結構之情況中，可將第一層之厚度減少至1nm至4nm。再者，半透光電極亦可單獨由一透明電極組態。或者，由一低電阻材料(諸如，鋁、鋁合金、銀、銀合金、銅、銅合金、金、金合金或類似物)製造之一匯流排電極(輔助電極)可提供至半透光電極以實現低電阻來作為整個半透光電極。另一方面，倘若將半透光電極用作一陽極電極，則期望半透光電極由透射發射光且亦具有一較大功函數值之一導電性材料組態。
用於形成第一電極或第二電極之一方法之實例包含一蒸鍍方法，其包含一電子束蒸鍍方法、一熱絲蒸鍍方法及一真空蒸鍍方法、一濺鍍方法、一化學氣相生長方法(CVD方法)或MOCVD方法、一離子鍍覆方法與一蝕刻方法之一組合；多種印刷方法，諸如絲網印刷方法、一噴墨印刷方法及一金屬遮罩印刷方法；一鍍覆方法(一電鍍方法及一無電沈積方法)；一剝離方法；一雷射剝鍍方法；一溶膠-凝膠方法等等。根據多種印刷方法或鍍覆方法，可直接形成具有一期望形狀(圖案)之第一電極及第二電極。應注意，倘若在形成有機層之後形成第一電極及第二電極，則從抑制有機層之損害發生之一觀點而言，特別期望基於其中膜形成粒子具有小能量之諸如真空蒸鍍方法之一膜形成方法或諸如MOCVD方法之膜形成方法而形成第一電極及第二電極。關於有機層之損害之發生可因一洩漏電流之發生而造成稱為「暗點」之一非發射像素(或非發射子像素)。再者，從抑制有機層因空氣 中水分之劣化之一觀點而言，期望在不會暴露於空氣中的情況下從有機層之形成執行至此等電極之形成。在一些情況中，對於第一電極及第二電極之一者或另一者，可省略圖案化。
為了抑制水分到達有機層，一絕緣或導電性保護膜可提供於有機層之上。倘若顯示裝置係一頂面發射類型，期望保護膜由透射有機層產生之80%或更多光之一材料(且更明確言之，具有一無機非晶系性質之一絕緣材料(例如，關於此，以下材料可為例示性))組態。具有一無機非晶系性質之此一絕緣材料不產生晶粒，藉此構成具有低透水性之一適當保護膜。明確言之，期望採用對於發射層發射之光係透明且不傳輸水分之一密閉材料來作為構成保護膜之一材料。更明確言之，此材料之實例包含非晶矽(α-Si)、非晶碳化矽(α-SiC)、非晶氮化矽(α-Si1-xNx)、非晶氧化矽(α-Si1-yOy)、非晶碳(α-C)、非晶氮氧化矽(α-SiON)及Al2O3。應注意，倘若保護膜由一導電性材料組態，則保護膜可由以上透明導電性材料(諸如ITO或IZO)組態。
一矽半導體基板或其中一絕緣膜形成於表面上之一矽半導體基板可採用為第一基板，且在此情況中，組成驅動電路之電晶體可由一場效應電晶體組態。或者，第一基板之實例包含一石英玻璃基板、一高變形點玻璃基板、一鈉玻璃(Na2O．CaO．SiO2)基板、一磷酸鹽玻璃基板、一硼矽酸鹽玻璃(Na2O．B2O3．SiO2)基板、一鎂橄欖石(2MgO．SiO2)基板、一鉛玻璃(Na2O．PbO．SiO2)基板、其中一絕緣膜形成於表面上之多種玻璃基板、一石英基板、其中一絕緣膜形成於表面上之一石英基板、聚甲基丙烯酸甲酯(聚甲基丙烯酸甲酯，PMMA)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯苯酚(PVP)、聚醚碸(PES)、聚醯亞胺、聚碳酸酯(PC)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚乙烯萘二甲酸(PEN)、聚三醋酸纖維素、四乙醯纖維素、聚苯硫醚、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚偏二氟乙烯、溴化苯氧基、聚 醯胺、聚苯乙烯、聚芳酯、聚碸(諸如聚脂碸)、例示為聚烯烴之有機聚合物(具有一聚合物材料形式，諸如由一聚合物材料組態且具有可撓性之塑膠膜、塑膠薄片或塑膠基板)。倘若第一基板由此等材料組態，則組成驅動電路之電晶體可由一薄膜電晶體組態。薄膜電晶體可為一底部閘極/頂部接觸類型，或可為一底部閘極/底部接觸類型，或可為一頂部閘極/頂部接觸類型，或可為一頂部閘極/底部接觸類型。第二基板亦可由說明為組成第一基板之材料之以上材料組態。組成第一基板及第二基板之材料可為相同，或可不同。第一基板及第二基板可具有一單層組態，或可具有一層壓組態。
針對根據本發明之顯示裝置或根據本發明之包含於一電子裝置中之顯示裝置，多種電路(諸如一電流供應單元、一影像信號輸出電路、一掃描電路等等)及多種佈線(諸如一電流供應線、一資料線、一掃描線等等)之組態及架構可為根據相關技術之一組態及架構。
針對根據本發明之發光元件，驅動電路可由以下組態：由兩個電晶體(驅動電晶體及影像信號寫入電晶體)及一個電容器單元組成之一驅動電路(稱作「2Tr/1C驅動電路」)，由三個電晶體(驅動電晶體及影像信號寫入電晶體及一個電晶體)及一個電容器單元組成之一驅動電路(稱作「3Tr/1C驅動電路」)，由四個電晶體(驅動電晶體及影像信號寫入電晶體及兩個電晶體)及一個電容器單元組成之一驅動電路(稱作「4Tr/1C驅動電路」)或由五個電晶體(驅動電晶體及影像信號寫入電晶體及三個電晶體)及一個電容器單元組成之一驅動電路(稱作「5Tr/1C驅動電路」)。
根據本發明之顯示裝置或根據本發明之包含於一電子裝置中之顯示裝置可具有所謂單色顯示器之組態，或可具有彩色顯示器之組態。在後者之情況中，可存在一形式，其中一個像素由多個子像素組態且明確言之，一個像素由經組態以發射紅色之一紅色發光子像素、 經組態以發射綠色之一綠色發光子像素及經組態以發射藍色之一藍色發光子像素之三個子像素組態。在此情況中，倘若組成顯示裝置之發光元件之數量係N×M，則像素之數量係(N×M)/3。進一步而言，一個像素可由一個集合組態，其中一種或多種子像素(例如，經組態以發射白光來改進照度之一子像素所添加至之一集合，經組態以發射互補色來擴展色彩再現範圍之一子像素所添加至之一集合，經組態以發射黃色來擴展色彩再現範圍之一子像素所添加至之一集合，或經組態以發射黃色及青色來擴展色彩再現範圍之一子像素所添加至之一集合)添加至此等三個子像素。或者，頂面發射類型顯示裝置可經組態，使得第二基板具有一彩色濾光器，發光元件經組態以發射白光，且彩色發光子像素由經組態以發射白光之發光元件及彩色濾光器之一組合組態。第二基板可經組態以包含一光屏蔽膜(黑色矩陣)。類似地，底面發射類型顯示裝置可經組態，使得第一基板經組態以包含一彩色濾光器及一光屏蔽膜(黑色矩陣)。
如上文說明，顯示裝置可由一有機EL顯示裝置組態。有機EL顯示裝置可用作組成一個人電腦、視訊攝影機或數位靜態相機之一監視器裝置，或可用作嵌入於一電視接收器、蜂巢式電話、個人數位助理(PDA)或遊戲機中之一監視器裝置。或者，有機EL顯示裝置可應用於一電子取景器(EVF)或一頭戴式顯示器(HMD)。此外，有機EL顯示裝置可應用於包含用於液晶顯示裝置之一背光裝置及一表面光源裝置之一照明設備。
在根據本發明之顯示裝置或根據本發明之包含於一電子裝置中之顯示裝置處，針對其中一個像素(或子像素)由一個發光元件組態之一形式，雖然未對此作出限制，但是一像素(或子像素)陣列之實例可包含一條紋陣列、一對角線陣列、一三角形(delta)陣列及一矩形陣列。再者，針對其中一像素(或子像素)由經分組之多個發光元件組態 之一形式，雖然未對此作出限制，但是一像素(或子像素)陣列之實例可包含一條紋陣列。
第一實施例
第一實施例係關於根據本發明之第一形式、第二形式及第三形式之發光元件，包含此等發光元件之一顯示裝置，及包含此一顯示裝置之一電子裝置。
圖1繪示組成根據第一實施例之顯示裝置之電路之一概念圖，圖2繪示根據第一實施例之顯示裝置中之包含一驅動電路(其中驅動電路係由兩個電晶體TR1及TR2及一個電容器單元C0組態之一驅動電路(2Tr/1C驅動電路)之一實例)之一發光元件之一等效電路圖，且圖3繪示發光元件之一示意性部分截面圖。再者，圖4示意性繪示根據第一實施例之顯示裝置或發光元件之組件之一佈局狀態。進一步而言，圖5繪示沿著圖4中之箭頭V-V獲取之根據第一實施例之顯示裝置或發光元件之一示意性部分截面圖，圖6繪示沿著圖4中之箭頭VI-VI獲取之根據第一實施例之顯示裝置或發光元件之一示意性部分截面圖，且圖7繪示沿著圖4中之箭頭VII-VII獲取之根據第一實施例之顯示裝置或發光元件之一示意性部分截面圖。再者，圖8A及圖8B分別繪示沿著圖4中之箭頭VIIIA-VIIIA及箭頭VIIIB-VIIIB獲取之根據第一實施例之顯示裝置或發光元件之一示意性部分截面圖，圖9A及圖9B分別繪示沿著圖4中之箭頭IXA-IXA及箭頭IXB-IXB獲取之根據第一實施例之顯示裝置或發光元件之一示意性部分截面圖，圖10A及圖10B分別繪示沿著圖4中之箭頭XA-XA及箭頭XB-XB獲取之根據第一實施例之顯示裝置或發光元件之一示意性部分截面圖，且圖11A及圖11B分別繪示沿著圖4中之箭頭XIA-XIA及箭頭XIB-XIB獲取之根據第一實施例之顯示裝置或發光元件之一示意性部分截面圖。再者，圖12示意性繪示根據第一實施例之顯示裝置或發光元件在基板表面中之組件之一佈局狀 態，圖13示意性繪示根據第一實施例之顯示裝置或發光元件在第一夾層絕緣層之表面處之組件之一佈局狀態，圖14示意性繪示根據第一實施例之顯示裝置或發光元件在第二夾層絕緣層之下層之表面處之組件之一佈局狀態，且圖15示意性繪示根據第一實施例之顯示裝置或發光元件在第二夾層絕緣層之上層之表面處之組件之一佈局狀態。
根據第一實施例之顯示裝置包含：一電流供應單元100；一掃描電路101；一影像信號輸出電路102；M個電流供應線CSL，其等連接至電流供應單元100且延伸至一第一方向；M個掃描線SCL，其等連接至掃描電路101且延伸至第一方向；N個資料線DTL，其等連接至影像信號輸出電路102且延伸至一第二方向；及N×M個發光元件1，其等呈N個在第一方向上及M個在不同於第一方向之第二方向上之一二維矩陣形狀，其等之各者包含一發射單元(明確言之，有機EL發射單元)ELP及經組態以驅動發射單元ELP之一驅動電路。組成各發光元件1之驅動電路連接至電流供應線CSL、掃描線SCL及資料線DTL。應注意，圖1繪示4×3發光元件1，但是此僅僅為一實例。掃描電路101可安置於掃描線SCL之一個邊緣，或可安置於兩個邊緣。
如上文說明，根據第一實施例及稍後說明之第二實施例至第四實施例之顯示裝置由佈置成N×M之二維矩陣之像素組態，且一個像素由三個子像素(經組態以發射紅色之一紅色發光子像素，經組態以發射綠色之一綠色發光子像素及經組態以發射藍色之一藍色發光子像素)組態。再者，子像素由一發光元件所組態。
現在，將參考根據本發明之第一形式之發光元件進行說明。根據第一實施例及稍後說明之第二實施例至第四實施例之發光元件1包含一發射單元ELP及經組態以驅動發射單元ELP之一驅動電路，且驅動電路由至少以下組態：(A)一電晶體TR1，其包含源極/汲極區域SD11及SD12、一通道形成區域Ch1及一閘極電極G1；(B)一影像信號寫 入電晶體TR2，其包含源極/汲極區域SD21及SD22、一通道形成區域Ch2及一閘極電極G2；及(C)一電容器單元C0。參考數字GI1及GI2指示一閘極絕緣層。
換言之，根據第一實施例之顯示裝置包含多個發光元件，其等各者包含一發射單元ELP及經組態以驅動發射單元ELP之一驅動電路，且驅動電路由至少以下組態：一電容器單元C0；一影像信號寫入電晶體TR2，其將一驅動信號(照度信號)VSig保持於電容器C0；及一驅動電晶體TR1，其基於保持於電容器C0之驅動信號(照度信號)VSig驅動發射單元ELP。
現在，在驅動電晶體TR1處，(A-1)一個源極/汲極區域SD11連接至在第一方向上延伸之一電流供應線CSL，(A-2)另一源極/汲極區域SD12連接至發射單元ELP且亦連接至電容器單元C0之一個邊緣C0-B，其組成一第二節點ND2，及(A-3)閘極電極G1連接至影像信號寫入電晶體TR2之另一源極/汲極區域SD22且亦連接至電容器C0之另一邊緣C0-A，其組成一第一節點ND1。
另一方面，在影像信號寫入電晶體TR2處，(B-1)一個源極/汲極區域SD21連接至在不同於第一方向之第二方向上延伸之一資料線DTL，且(B-2)閘極電極G2連接至在第一方向上延伸之一掃描線SCL。
驅動電晶體TR1及影像信號寫入電晶體TR2以及亦一稍後說明之發射控制電晶體TEL_C、一第一節點初始化電晶體TND1及一第二節點初始化電晶體TND2由各包含源極/汲極區域、一通道形成區域及一閘極電極之一n通道類型MOS FET組態且形成於由一矽半導體基板製成之一第一基板20上。再者，此等電晶體由提供至第一基板20之一元件分離區域20A互相分離。應注意，驅動電晶體TR1可由一p通道類型MOS FET形成且進一步而言，影像信號寫入電晶體TR2、發射控制電晶體TEL_C、第一節點初始化電晶體TND1及一第二節點初始化電晶體TND2可 由一p通道類型MOS FET形成。
驅動電晶體TR1、影像信號寫入電晶體TR2及電容器單元C0覆蓋有第一夾層絕緣層21，電流供應線CSL及掃描線SCL形成於第一夾層絕緣層21上，第一夾層絕緣層21、電流供應線CSL及掃描線SCL覆蓋有第二夾層絕緣層，且資料線DTL形成於第二夾層絕緣層上。
此處，第二夾層絕緣層包含第二夾層絕緣層之一下層22及第二夾層絕緣層之一上層23之一層壓組態。第一夾層絕緣層21、第二夾層絕緣層之下層22及第二夾層絕緣層之上層23由SiO2製造。
在第一方向上延伸之一屏蔽壁(第一屏蔽壁41)在一個發光元件與在第二向上相鄰於該個發光元件之一發光元件之間提供至第二夾層絕緣層(在第一實施例中，明確言之，第二夾層絕緣層之下層22)。
或者，將參考根據本發明之第二形式之發光元件進行說明。根據第一實施例及稍後說明之第二實施例至第四實施例之發光元件1包含一發射單元ELP及經組態以驅動發射單元ELP之一驅動電路，一第一屏蔽壁41提供於一個發光元件與相鄰於該個發光元件之一發光元件之間，第一屏蔽壁41由分開地佈置之多個柱狀形狀導體部分(第一導體部分43)組態，且當從第一導體部分43之軸向方向觀看第一屏蔽壁41時，多個柱狀形狀第一導體部分43佈置成兩行且亦佈置成一Z字形型樣。
或者，將參考根據本發明之第三形式之發光元件進行說明。根據第一實施例及稍後說明之第二實施例至第四實施例之發光元件1包含一發射單元ELP及經組態以驅動發射單元ELP之一驅動電路，驅動電路包含至少一驅動電晶體TR1、一影像信號寫入電晶體TR2及一電容器單元C0，如圖6中所示，電容器單元C0提供至高於其中提供驅動電晶體TR1及影像信號寫入電晶體TR2之一位準(第一實施例中之第0’位準)之位準(第一實施例中之第三位準)中，一第一屏蔽壁41在一個發 光元件與相鄰於此一個發光元件之一發光元件之間提供至高於其中提供驅動電晶體TR1及影像信號寫入電晶體TR2之一位準(第0’位準)之一位準，但是等於或低於其中提供電容器單元C0之一位準(第三位準)之一位準(第一實施例中之第二位準)中。
再者，根據第一實施例之顯示裝置由在一第一方向上及不同於第一方向之一第二方向上佈置成一二維矩陣形狀之根據第一實施例之多個發光元件1組態。根據第一實施例之電子裝置包含根據第一實施例之顯示裝置。
針對佈置於第二方向上之發光元件，當假設m係一奇數時，第m’個發光元件及第(m+1)’個發光元件安置成關於第一方向上在第m’個發光元件與第(m+1)’個發光元件之間延伸之一邊界線而為線對稱。再者，第一屏蔽壁41提供於第m’個發光元件與第(m+1)’個發光元件之間。即，發光元件係「對稱安置之發光元件」。明確言之，組成第m’個發光元件之影像信號寫入電晶體TR2之一個源極/汲極區域SD21與組成第(m+1)’個發光元件之影像信號寫入電晶體TR2之一個源極/汲極區域SD21共用。因此，在第一方向上延伸之邊界線穿過影像信號寫入電晶體TR2之此共用之一個源極/汲極區域SD21。圖4中之箭頭VIIIA-VIIIA等效於此邊界線，且圖8A係在包含邊界線之一虛擬垂直平面處剖切發光元件1時之一示意性部分截面圖。
第一屏蔽壁41形成於此邊界線上。第一屏蔽壁41由分開地佈置之多個柱狀形狀第一導體部分43組態。當從第一導體部分43之軸向方向觀看第一屏蔽壁41時(即，當從上觀看第一屏蔽壁41時)，多個柱狀形狀第一導體部分43佈置成兩行且亦佈置成一Z字形型樣。第一屏蔽壁41連接至一屏蔽佈線部分SDL。明確言之，針對第一實施例，第一屏蔽壁41連接至形成於第二夾層絕緣層中之一屏蔽佈線部分SDL。更明確言之，第一屏蔽壁41連接至形成於第二夾層絕緣層之上層23上之 一屏蔽佈線部分SDL。
再者，針對根據第一實施例之「對稱安置之發光元件」，雖然並不一定如此，但是在第一方向上延伸之一第二屏蔽壁45提供於佈置於第二方向上之第(m-1)’個發光元件與第m’個發光元件之間。即，發光元件係「包含第二屏蔽壁之發光元件」。此處，第二屏蔽壁45以與第一屏蔽壁41之相同方式由分開地佈置之多個柱狀形狀第二導體部分47組態。應注意，當以與第一屏蔽壁41之相同方式，從第二導體部分47之軸向方向觀看第二屏蔽壁45時(即，當從上觀看第二屏蔽壁45時)，多個柱狀形狀第二導體部分47佈置成兩行且亦佈置成一Z字形型樣。第二屏蔽壁45提供至第二夾層絕緣層之下層22。針對第一實施例，第二屏蔽壁45連接至形成於第二夾層絕緣層之上層23上之一屏蔽佈線部分SDL。
當將第一屏蔽壁41及第二屏蔽壁45投影於包含第一導體部分43及第二導體部分47之軸向線之一虛擬平面(虛擬垂直平面)上時，多個柱狀形狀第一導體部分43及第二導體部分47佈置成一非重疊狀態。明確言之，針對一投影影像，在第一導體部分43與43之間不存在一間隙且在第二導體部分47與47之間不存在間隙。當在垂直於第一導體部分43及第二導體部分47之軸向方向之一虛擬平面(虛擬水平平面)處剖切柱狀形狀第一導體部分43及第二導體部分47時，第一導體部分43及第二導體部分47之截面形狀係圓形。再者，第一屏蔽壁41及第二屏蔽壁45經由接觸孔44及48連接至一屏蔽佈線部分SDL。明確言之，第一屏蔽壁41及第二屏蔽壁45連接至形成於第二夾層絕緣層上(明確言之，在第一實施例中形成於第二夾層絕緣層之上層23上)之一屏蔽佈線部分SDL。應注意，一導電性材料層41A提供至第一屏蔽壁41之底部，且一導電性材料層41B提供至第一屏蔽壁41之頂部。再者，一導電性材料層45A提供至第二屏蔽壁45之底部，且一導電性材料層45B提供 至第二屏蔽壁45之頂部。此處，第一導體部分43、第二導體部分47及導電性材料層41A、41B、45A及45B由鋁或鋁合金製成。在第一導體部分43與43之間及第二導體部分47與47之間填充有圍繞第一屏蔽壁41及第二屏蔽壁45之第二夾層絕緣層之下層22之延伸部分42及46。可基於根據相關技術之一方法藉由基於一微影技術或蝕刻技術在第二夾層絕緣層之下層22中形成一開口部分且用一導電性材料填充此開口部分來形成第一導體部分43及第二屏蔽壁45。第一屏蔽壁41及第二屏蔽壁45經由屏蔽佈線部分SDL連接至預定固定電位(例如，電源VSS)。應注意，稍後將在第二實施例中說明之一第三屏蔽壁及一第四屏蔽壁亦具有與第一屏蔽壁及第二屏蔽壁之相同組態及架構。
如上文所說明，驅動電晶體TR1由以下組態：閘極電極G1；閘極絕緣層GI1；源極/汲極區域SD11及SD12，其等提供至由一矽半導體基板製成之第一基板20；及通道形成區域Ch1，源極/汲極區域SD11及SD12之間之第一基板20之一部分對應於該通道形成區域Ch1。再者，影像信號寫入電晶體TR2由以下組態：閘極電極G2；閘極絕緣層GI2；源極/汲極區域SD21及SD22，其等提供至第一基板20；及通道形成區域Ch2，源極/汲極區域SD21及SD22之間之第一基板20之一部分對應於該通道形成區域Ch2。另一方面，電容器單元C0由以下組態：另一電極C0-B(等效於第一節點ND1)；介電層，其由第二夾層絕緣層之上層23組態；及一個電極C0-A(等效於第二節點ND2)。電容器單元C0形成於第二夾層絕緣層內(明確言之，第二夾層絕緣層之上層內)。
驅動電晶體TR1之一個源極/汲極區域SD11經由一接觸孔86連接至一電流供應線CSL。再者，另一源極/汲極區域SD12經由一接觸孔85、一接觸墊84、一接觸孔83、一佈線82、一接觸孔88、一接觸墊89及一接觸孔90連接至發射單元ELP且亦經由接觸孔85、接觸墊84、接觸孔83、佈線82及一接觸孔81連接至電容器單元C0之一個邊緣C0-A。進一 步而言，閘極電極G1經由一接觸孔87、一佈線72、一接觸孔71連接至影像信號寫入電晶體TR2之另一源極/汲極區域SD22且亦經由接觸孔87、佈線72、一接觸孔73、一接觸墊74、一接觸孔75、一佈線76、一接觸孔77連接至電容器單元C0之另一邊緣C0-B。
另一方面，影像信號寫入電晶體TR2之一個源極/汲極區域SD21經由一接觸孔65、一接觸墊64、一接觸孔63、一接觸墊62及一接觸孔61連接至一資料線DTL。再者，閘極電極G2經由一接觸孔66連接至一掃描線SCL。
第二夾層絕緣層之上層23覆蓋有一第四夾層絕緣層24。由第一電極(陽極電極)11、有機層12(例如，由一電洞轉移層、一發射層及一電子轉移層組態)及第二電極(陰極電極)13組態之發射單元ELP提供於第四夾層絕緣層24上。應注意，在圖中，用一個層顯示有機層12。一絕緣層25提供於其中未提供發射單元ELP之第四夾層絕緣層24部分上，一保護膜26形成於絕緣層25及第二電極13上，且進一步而言，一透明第二基板27安置於保護膜26上。在發射層發射之光穿過第二基板27且外部發射。應注意，在圖3中，為了方便起見，利用使用參考數字10之一個層繪示定位於第二夾層絕緣層之上層23中及低於第二夾層絕緣層之上層23之一層中之發光元件1之所有組件。
可實質上基於根據相關技術之一方法執行上文說明之發光元件1之製造，且再者，根據相關技術之材料可採用為將用於製造發光元件1之多種材料。再者，將在第四實施例中詳細說明根據第一實施例之驅動電路之操作。
針對根據第一實施例之發光元件，在第一方向上延伸之第一屏蔽壁在一個發光元件與在第二方向上相鄰於該個發光元件之一發光元件之間提供至第二夾層絕緣層。再者，第一屏蔽壁提供於一個發光元件與相鄰於該個發光元件之一發光元件之間，且第一屏蔽壁由分開地 佈置之多個柱狀形狀第一導體部分組態，且當從第一導體部分之軸向方向觀看第一屏蔽壁時，多個柱狀形狀第一導體部分佈置成兩行且亦佈置成一Z字形型樣。進一步而言，電容器單元提供於高於其中提供驅動電晶體及影像信號寫入電晶體之一位準之一位準中，且第一屏蔽壁在一個發光元件與相鄰於該個發光元件之一發光元件之間提供於高於其中提供驅動電晶體及影像信號寫入電晶體之位準之一位準，但是等於或低於其中提供電容器單元之一位準之一位準中。因此，在一發光元件之驅動電路與一相鄰發光元件之驅動電路之間不易於發生耦合，且其中來自相鄰像素之一電場之影響不易於發生之一組態及架構可應用於發光元件。明確言之，可抑制以下現象之發生：歸因於與相鄰於一個發光元件之一發光元件耦合，組成一個發光元件之一驅動電路之驅動電晶體之閘極電極之電位增加量產生波動。由於以上所致，可以高均勻性顯示一影像而在視覺上不會辨識出條線點且不發生一影像觀察為看似其解析度減半之現象且一像素不會發出具有非意欲照度之光。
第二實施例
第二實施例係第一實施例之一修改。
圖16繪示以相同之方式沿著圖4中之箭頭XVI-XVI獲取之根據第二實施例之顯示裝置或發光元件之一示意性部分截面圖，圖17繪示以相同之方式沿著圖4中之箭頭XVII-XVII獲取之根據第二實施例之顯示裝置或發光元件之一示意性部分截面圖，且圖18繪示以相同之方式沿著圖4中之箭頭XVIII-XVIII獲取之根據第二實施例之顯示裝置或發光元件之一示意性部分截面圖。再者，圖19A及圖19B分別繪示以相同之方式沿著圖4中之箭頭XIXA-XIXA及箭頭XIXB-XIXB獲取之根據第二實施例之顯示裝置或發光元件之一示意性部分截面圖。圖20示意性繪示根據第二實施例之顯示裝置或發光元件在第一夾層絕緣層之表面 處之組件之一佈局狀態，圖21示意性繪示根據第二實施例之顯示裝置或發光元件在第二夾層絕緣層之下層之表面處之組件之一佈局狀態，且圖22示意性繪示根據第二實施例之顯示裝置或發光元件在第二夾層絕緣層之上層之表面處之組件之一佈局狀態。
針對根據第二實施例之發光元件，第一屏蔽壁41以與第一實施例之相同方式提供至第二夾層絕緣層之下層22，且具有與在第一方向上延伸之第一屏蔽壁41相同之組態之一第三屏蔽壁51提供至定位於第一屏蔽壁41之上之第二夾層絕緣層之上層23部分，且第三屏蔽壁51連接至一屏蔽佈線部分SDL。進一步而言，雖然一第二屏蔽壁45不一定以與第一實施例之相同方式提供至第二夾層絕緣層之下層22，但是具有與在第一方向上延伸之第二屏蔽壁45相同之組態之一第四屏蔽壁55提供至定位於第二屏蔽壁45之上之第二夾層絕緣層之上層23部分，且第四屏蔽壁55連接至一屏蔽佈線部分SDL。第三屏蔽壁51形成於導電性材料層41B之上之第二夾層絕緣層之上層23中，且經由一佈線51B連接至一屏蔽佈線部分SDL。再者，第四屏蔽壁55形成於導電性材料層45B之上之第二夾層絕緣層之上層23中，且經由一佈線55B連接至一屏蔽佈線部分SDL。在第三導體部分53之間及第四導體部分57之間填充有圍繞第三屏蔽壁51及第四屏蔽壁55之第二夾層絕緣層之上層23之延伸部分52及56。
根據第二實施例之發光元件除了上文提及之組態及架構之外具有與第一實施例之相同組態及架構，且因此，將省略詳細說明。
第三實施例
第三實施例係第一實施例或第二實施例之一修改。
圖23示意性繪示根據第三實施例之顯示裝置或發光元件之組件之一佈局狀態，圖24A及圖24B分別繪示以相同之方式沿著圖23中之箭頭XXIVA-XXIVA及箭頭XXIVB-XXIVB獲取之根據第三實施例之顯 示裝置或發光元件之一示意性部分截面圖，圖25A及圖25B分別繪示以相同之方式沿著圖23中之箭頭XXVA-XXVA及箭頭XXVB-XXVB獲取之根據第三實施例之顯示裝置或發光元件之一示意性部分截面圖，且圖26A及圖26B分別繪示以相同之方式沿著圖23中之箭頭XXVIA-XXVIA及箭頭XXVIB-XXVIB獲取之根據第三實施例之顯示裝置或發光元件之一示意性部分截面圖。
針對第三實施例，在第二方向上延伸之一第二方向屏蔽壁91提供於一個發光元件與在第一方向上相鄰於該個發光元件之一發光元件之間。即，在第二方向上延伸之一第二方向屏蔽壁91係在一個發光元件與在第一方向上相鄰於該個發光元件之一發光元件之間提供至第二夾層絕緣層(針對第三實施例，明確言之，第二夾層絕緣層之下層22)。
針對第三實施例，第二方向屏蔽壁91由分開地佈置之第二方向屏蔽壁之多個柱狀形狀導體部分93組態。此處，當從第二方向屏蔽壁之導體部分93之軸向方向觀看第二方向屏蔽壁91時(即，當從上觀看第二方向屏蔽壁91時)，第二方向屏蔽壁之多個柱狀形狀導體部分佈置成一行。在第二方向屏蔽壁之導體部分93之間填充有圍繞第二方向屏蔽壁91之第二夾層絕緣層之下層22之延伸部分92。當在垂直於第二方向屏蔽壁之導體部分93之軸向方向之一虛擬平面(虛擬水平平面)處剖切柱狀形狀第二方向屏蔽壁91時，第二方向屏蔽壁之導體部分93之截面形狀係圓形。再者，第二方向屏蔽壁91經由一接觸孔94連接至一屏蔽佈線部分SDL。應注意，一導電性材料層91A提供至第二方向屏蔽壁91之底部，且一導電性材料層91B提供至第二方向屏蔽壁91之頂部。此處，第二方向屏蔽壁之導體部分93及導電性材料層91A及91B係由與第一導體43相同之材料製成。可基於相關技術藉由基於一微影技術或蝕刻技術在第二夾層絕緣層之下層22中形成一開口部分且用一 導電性材料填充此開口部分來形成第二方向屏蔽壁之導體部分93。
根據第三實施例之發光元件除了上文提及之組態及架構之外具有與第一實施例及第二實施例相同之組態及架構，且因此，將省略詳細說明。
第四實施例
針對第四實施例，將說明第一實施例至第三實施例中說明之2Tr/1C驅動電路之操作。根據第四實施例之2Tr/1C驅動電路之一驅動時序圖示意性繪示於圖27中，且各電晶體之接通/斷開狀態等等示意性繪示於圖28A、圖28B、圖28C、圖28D、圖28E及圖28F中。在下文中，將進行2Tr/1C驅動電路之操作說明。
用於控制發射單元ELP之發射之電壓VCC-H及用於控制驅動電晶體TR1之源極區域之電位之電壓VCC-L從電流供應單元100供應至驅動電晶體TR1。此處，作為電壓VCC-H及VCC-L之值，雖然VCC-H=20V，VCC-L=-10V可為例示性，但是值並不限於此等。
週期-TP(2)-1(參見圖27及圖28A)
例如，此週期-TP(2)-1係先前顯示圖框中之操作，且係第(n,m)’個發射單元ELP在完成最後多種類型之處理之後處於一發射狀態中之一週期。明確言之，基於最後說明之運算式(B)之一汲極電流I’ds流入組成第(n,m)’個子像素之發射單元ELP中，組成第(n,m)’個子像素之發射單元ELP之照度係對應於此汲極電流I’ds之一值。此處，驅動電晶體TR1係一接通狀態。第(n,m)’個發射單元ELP之發射狀態繼續直至緊接佈置成第(m+m’)列之發射單元ELP之水平掃描週期之開始之前。
圖27中繪示之週期-TP(2)0至週期-TP(2)2係完成最後多種類型之處理之完成之後之發射狀態至緊接執行下一個影像信號寫入處理之前的一操作週期。明確言之，例如，此週期-TP(2)0至週期-TP(2)2係從先 前顯示圖框中之第(m+m’)個水平掃描週期之開始至當前顯示圖框中之第(m-1)’個水平掃描週期之終止之某個時間長度之週期。應注意，週期-TP(2)0至週期-TP(2)2可經組態以包含於當前顯示圖框中之第m’個水平掃描週期中。針對週期-TP(2)0至週期-TP(2)2，第(n,m)’個發射單元ELP係處於一非發射狀態。應注意，如圖27中所示，除了週期-TP(2)3之外，週期-TP(2)1至週期-TP(2)2亦包含於第m’個水平掃描週期中。為了說明之便，將以下列假設進行說明：假設週期-TP(2)1之開始及週期-TP(2)3之終止分別與第m’個水平掃描週期之開始及終止一致。
在下文中，將說明週期-TP(2)0至週期-TP(2)4之各週期。應注意，可適當地根據顯示裝置之設計設定週期-TP(2)1至週期-TP(2)3之各週期之長度。
週期-TP(2)0(參見圖28B)
例如，此週期-TP(2)0係先前顯示圖框至當前顯示圖框中之操作。明確言之，此週期-TP(2)0係從先前顯示圖框中之第(m+m’)個水平掃描週期至當前顯示圖框中之第(m-1)’個水平掃描週期之一週期。針對此週期-TP(2)0，第(n,m)’個發射單元ELP係處於一非發射狀態。此處，待從電流供應單元100供應之電壓在從週期-TP(2)-1繼續進行至週期-TP(2)0時從VCC-H改變為VCC-L。由於以上所致，第二節點ND2(驅動電晶體TR1之源極區域或發射單元ELP之陽極電極)之電位減少至VCC-L且發射單元ELP變為一非發射狀態。再者，根據第二節點ND2之電位減少，處於一浮動狀態中之第一節點ND1(驅動電晶體TR1之閘極電極)之電位亦減少。
週期-TP(2)1(參見圖28C)
接下來，當前顯示圖框中之第m’列中之水平掃描週期開始。在週期-TP(2)1開始時，藉由基於掃描電路101之操作將一掃描線SCL設 定為一高位準來將影像信號寫入電晶體TR2設定為一接通狀態。由於以上所致，第一節點ND1之電位變為VOfs(例如，0V)。第二節點ND2之電位保持VCC-L(例如，-10V)。
根據以上處理，驅動電晶體TR1之閘極電極與源極區域之間之電位差變為Vth或更高，且驅動電晶體TR1變為一接通狀態。
週期-TP(2)2(參見圖28D)
接下來，執行臨限電壓抵消處理。明確言之，在維持影像信號寫入電晶體TR2之接通狀態之同時，待從電流供應單元100供應之電壓從VCC-L切換至VCC-H。由於以上所致，雖然第一節點ND1之電位未改變(維持VOfs=0V)，但是處於一浮動狀態中之第二節點ND2之電位增加且第一節點ND1與第二節點ND2之間之電位差近似驅動電晶體TR1之臨限電壓Vth。當驅動電晶體TR1之閘極電極與源極區域之間之電位差達到Vth時，驅動電晶體TR1變為一斷開狀態。明確言之，處於一浮動狀態中之第二節點ND2之電位近似(VOfs-Vth=-3V)，且最終變為(VOfs-Vth)。此處，在確保以下運算式(A)之情況下，換言之，在選擇及決定電位以便滿足運算式(A)之情況下，發射單元ELP不發射光。應注意，性質上而言，針對臨限電壓抵消處理，第一節點ND1與第二節點ND2之間之電位差(換言之，驅動電晶體TR1之閘極電極與源極區域之間之電位差)接近於驅動電晶體TR1之臨限值Vth之程度取決於臨限電壓抵消處理之時間。因此，例如，在已確保臨限電壓抵消處理之時間足夠長之情況下，第一節點ND1與第二節點ND2之間之電位差達到驅動電晶體TR1之臨限電壓Vth，且驅動電晶體TR1變為一斷開狀態。另一方面，例如，在臨限電壓抵消處理之時間已設定為短之情況下，第一節點ND1與第二節點ND2之間之電位差大於驅動電晶體TR1之臨限電壓Vth，且驅動電晶體TR1可不變為一斷開狀態。即，由於臨限電壓抵消處理所致，驅動電晶體TR1不必變為一斷開狀態。應注意， 參考符號Vth-EL係發射單元ELP之臨限電壓，參考符號VCath係待施加至發射單元ELP之第二電極之電壓，且參考符號CEL指示發射單元ELP之寄生電容。
(VOfs-Vth)<(Vth-EL+VCath)…(A)
針對此週期-TP(2)2，第二節點ND2之電位最終變為(VOfs-Vth)。明確言之，僅取決於用於初始化驅動電晶體TR1及驅動電晶體TR1之閘極電極之臨限電壓Vth(其與發射單元ELP之臨限電壓Vth-EL無關)之電壓VOfs決定第二節點ND2之電位。
週期-TP(2)3(參見圖28E)
接下來，執行關於驅動電晶體TR1之影像信號寫入處理及基於驅動電晶體TR1之遷移率μ之量值之驅動電晶體TR1之源極區域(第二節點ND2)之電位校正(遷移率校正處理)。明確言之，一旦影像信號寫入電晶體TR2設定為一斷開狀態，資料線DTL之電位改變為一驅動信號(照度信號)VSig以用於控制發射單元ELP中之照度，且影像信號寫入電晶體TR2藉由將掃描線SCL設定為一高位準而設定為一接通狀態，藉此將驅動電晶體TR1設定為一接通狀態。
電位VCC-H已從電流供應單元100施加至驅動電晶體TR1之汲極區域，且因此，驅動電晶體TR1之源極區域之電位增加。在預定時間(t0)經過之後，掃描線SCL設定為一低位準，藉此將影像信號寫入電晶體TR2設定為一斷開狀態，且將第一節點ND1(驅動電晶體TR1之閘極電極)設定為一浮動狀態。應注意，此週期-TP(2)3之整個時間t0可預先決定為顯示裝置之設計時之一設計值，使得第二節點ND2之電位變為(VOfs-Vth+△V)。
針對此週期-TP(2)3，在驅動電晶體TR1之遷移率μ之值為大之情況下，驅動電晶體TR1之源極區域中之電位增加量△V(電位校正值)增加，且在驅動電晶體TR1之遷移率μ之值為小之情況下，驅動電晶體 TR1之源極區域中之電位增加量△V(電位校正值)減少。
週期-TP(2)4(參見圖28F)
根據以上操作，完成臨限電壓抵消處理、影像信號寫入處理及遷移率校正處理。基於掃描電路101之操作，由於掃描線SCL變為一低位準所致，影像信號寫入電晶體TR2變為一斷開狀態，第一節點ND1(即，驅動電晶體TR1之閘極電極G1)變為一浮動狀態。此處，驅動電晶體TR1保持一接通狀態且處在連接至電流供應單元100之一狀態中(電壓VCC-H，例如，20V)。因此，由於以上所致，第二節點ND2之電位增加且超出(Vth-EL+VCath)，且因此，發射單元ELP開始發射。驅動電晶體TR1之閘極電極G1處在一浮動狀態中且亦存在電容器單元C0，且因此，如同一所謂自舉電路之相同現象發生於驅動電晶體TR1之閘極電極G1，且第一節點ND1之電位亦增加。由於以上所致，驅動電晶體TR1之閘極電極與源極區域之間之電位差Vgs保持以下運算式(B)之值。流入發射單元ELP中之電流可由方程式(C)獲得，且因此，流入發射單元ELP中之電流Ids不取決於發射單元ELP之臨限電壓Vth-EL或驅動電晶體TR1之臨限電壓Vth。即，發射單元ELP之發射量(照度)不受到發射單元ELP之臨限電壓Vth-EL之影響或驅動電晶體TR1之臨限電壓Vth之影響。此外，可抑制歸因於驅動電晶體TR1之遷移率μ之不規則性之一汲極電流Ids之不規則性之發生。
Ids=k．μ．(VSig-VOfs-△V)2...(C)
其中
μ：有效遷移率
L：通道長度
W：通道寬度
Vgs：閘極電極與源極區域之間之電位差
Vth：臨限電壓
Cox：(閘極絕緣層之相對介電常數)×(真空介電常數)/(閘極絕緣層之厚度)≡k≡(1/2)．(W/L)．Cox
發射單元ELP之發射狀態繼續直至第(m+m'-1)'個水平掃描週期。此時間上之點等於週期-TP(2)-1之結束。
因此，完成發射單元ELP之第(n,m)'個子像素之發射操作。
雖然已基於較佳實施例說明根據本發明之發光元件、顯示裝置及電子裝置，但是根據本發明之發光元件、顯示裝置及電子裝置並不限於此等實施例。已在實施例中說明之發光元件、顯示裝置及驅動電路之組態及架構為實例且可適當地修改，且驅動方法亦為一實例且可適當地修改。針對實施例，多種電晶體已由一MOS FET組態，但是亦可替代地由一TFT組態。針對實施例，多種電晶體已說明為n通道類型，但是在一些情況中，驅動電路之一部分或所有亦可由一p通道類型電晶體組態。
再者，針對實施例，已說明其中電流供應線CSL及掃描線SCL形成於第一夾層絕緣層上且資料線DTL形成於第二夾層絕緣層上之一形式，但是在一些情況中，亦可採用其中電流供應線CSL及掃描線SCL形成於第二夾層絕緣層上且資料線DTL形成於第一夾層絕緣層上之一形式。可藉由在一夾層絕緣層中形成一凹入部分或凹槽部分且用一導電性材料填充此凹入部分或凹槽部分來形成第一屏蔽壁、第二屏蔽壁、第三屏蔽壁、第四屏蔽壁及第二方向屏蔽壁。
根據本發明之顯示裝置可應用於組成一電視接收器或數位相機之一監視器裝置、組成一視訊攝影機之一監視器裝置、組成一個人電腦之一監視器裝置、一PDA(個人數位助理)、一蜂巢式電話、一智慧型手機、一可攜式音樂播放器、一遊戲機、一電子書及一電子詞典、一電子取景器(EVF)及一頭戴式顯示器(HMD)中之多種顯示單元。 即，根據本發明之電子裝置之實例包含電視接收器、數位相機、視訊攝影機、個人電腦、PDA、蜂巢式電話、智慧型手機、可攜式音樂播放機、遊戲機、電子書、電子詞典、電子取景器及頭戴式顯示器，且根據本發明之顯示裝置包含於此等電子裝置中。針對實施例，已根據下列假設進行說明：假設顯示單元主要由一有機電激發光發射單元組態，但是發射單元亦可由一自發光發射單元(諸如，一液晶發射單元、無機電激發光發射單元、LED發射單元、半導體雷射發射單元或類似物)組態。
驅動電路並不限於2Tr/1C驅動電路。如圖29中之一等效電路圖中所示且如圖30中之一時序圖中示意性繪示，驅動電路可由一3Tr/1C驅動電路組態，該3Tr/1C驅動電路由三個電晶體(驅動電晶體、影像信號寫入電晶體及一個電晶體)及一個電容器單元組態，或如圖31中之一等效電路圖中所示且如圖32中之一時序圖中示意性繪示，驅動電路可由一4Tr/1C驅動電路組態，該4Tr/1C驅動電路由四個電晶體(驅動電晶體、影像信號寫入電晶體及兩個電晶體)及一個電容器單元組態，或如圖33中之一等效電路圖中所示且如圖34中之一時序圖中示意性繪示，驅動電路可由一5Tr/1C驅動電路組態，該5Tr/1C驅動電路由五個電晶體(驅動電晶體、影像信號寫入電晶體及三個電晶體)及一個電容器單元組態。
應注意，本發明亦可具有以下組態。
[1]一種發光元件(第一形式)，其包含：一發射單元；及一驅動電路，其經組態以驅動該發射單元，其中該驅動電路由至少以下組態(A)一驅動電晶體，其包含兩個源極/汲極區域，一通道形成區域，及 一閘極電極，(B)一影像信號寫入電晶體，其包含兩個源極/汲極區域，一通道形成區域，及一閘極電極，及(C)一電容器單元；其中針對該驅動電晶體，(A-1)該等源極/汲極區域中之一者連接至在一第一方向上延伸之一電流供應線，(A-2)該另一源極/汲極區域連接至該發射單元且亦連接至該電容器單元之一個邊緣，且(A-3)該閘極電極連接至該影像信號寫入電晶體之另一源極/汲極區域且亦連接至該電容器單元之另一邊緣；且其中針對該影像信號寫入電晶體，(B-1)該等源極/汲極區域中之一者連接至在不同於該第一方向之一第二方向上延伸之一資料線，且(B-2)該閘極電極連接至在該第一方向上延伸之一掃描線；且其中該驅動電晶體、該影像信號寫入電晶體及該電容器單元覆蓋有一第一夾層絕緣層；且其中該電流供應線及該掃描線形成於該第一夾層絕緣層上；且其中該第一夾層絕緣層、該電流供應線及該掃描線覆蓋有一第二夾層絕緣層；且其中該資料線形成於該第二夾層絕緣層上；且其中在該第一方向上延伸之一屏蔽壁係在一個發光元件與在該第二方向上相鄰於該個發光元件之一發光元件之間提供至該第二夾層絕緣層。
[2]如[1]之發光元件，其中該屏蔽壁由分開地佈置之複數個柱狀形狀導體部分組態；且其中當從該等導體部分之軸向方向觀看該屏蔽壁時，該複數個柱狀形狀導體部分佈置成兩行且亦佈置成一Z字形型樣。
[3]如[1]或[2]之發光元件，其中該屏蔽壁連接至形成於該第二夾層絕緣層中之一屏蔽佈線部分。
[4]如[1]至[3]中任一項之發光元件，其中針對佈置於該第二方向上之發光元件，當假設m係一奇數時，第m’個發光元件及第(m+1)’個發光元件安置成關於該第一方向上在該第m’個發光元件與該第(m+1)’個發光元件之間延伸之一邊界線而為線對稱；且其中該屏蔽壁至少提供於該第m’個發光元件與該第(m+1)’個發光元件之間。
[5]如[4]之發光元件，其中該屏蔽壁提供於該邊界線之上。
[6]如[4]或[5]之發光元件，其中針對佈置於該第二方向上之發光元件，在該第一方向上延伸之一第二屏蔽壁提供於第(m-1)’個發光元件與該第m’個發光元件之間。
[7]如[6]之發光元件，其中該第二屏蔽壁由分開地佈置之複數個柱狀形狀第二導體部分組態；且其中當從該等第二導體部分之該等軸向方向觀看該第二屏蔽壁時，該複數個柱狀形狀第二導體部分佈置成兩行且亦佈置成一Z字形型樣。
[8]如[6]或[7]之發光元件，其中該第二屏蔽壁連接至形成於該第二夾層絕緣層中之一屏蔽佈線部分。
[9]如[6]至[8]中任一項之發光元件，其中該第二夾層絕緣層具有該第二夾層絕緣層之一下層及該第二夾層絕緣層之一上層之一層壓組態； 且其中該屏蔽壁提供至該第二夾層絕緣層之該下層；且其中具有與該屏蔽壁相同之組態且在該第一方向上延伸之一第三屏蔽壁提供至定位於該屏蔽壁之上之該第二夾層絕緣層之該上層部分，且該第三屏蔽壁連接至該屏蔽佈線部分。
[10]如[6]至[9]中任一項之發光元件，其中該第二夾層絕緣層具有該第二夾層絕緣層之一下層及該第二夾層絕緣層之一上層之一層壓組態；且其中該第二屏蔽壁提供至該第二夾層絕緣層之該下層；且其中具有與該第二屏蔽壁相同之組態且在該第一方向上延伸之一第四屏蔽壁提供至定位於該第二屏蔽壁之上之該第二夾層絕緣層之該上層部分，且該第四屏蔽壁連接至該屏蔽佈線部分。
[11]如[1]至[5]中任一項之發光元件，其中該第二夾層絕緣層具有該第二夾層絕緣層之一下層及該第二夾層絕緣層之一上層之一層壓組態；且其中該屏蔽壁提供至該第二夾層絕緣層之該下層；且其中具有與該屏蔽壁相同之該組態且在該第一方向上延伸之一第三屏蔽壁提供至定位於該屏蔽壁之上之該第二夾層絕緣層之該上層部分，且該第三屏蔽壁連接至該屏蔽佈線部分。
[12]如[1]至[11]中任一項之發光元件，其中在該第二方向上延伸之一第二方向屏蔽壁係在一個發光元件與在該第一方向上相鄰於該個發光元件之一發光元件之間提供至該第二夾層絕緣層。
[13]一種發光元件(第二形式)，其包含：一發射單元；及一驅動電路，其經組態以驅動該發射單元，其中一屏蔽壁提供於一個發光元件與相鄰於該個發光元件之一發光元件之間；且其中該屏蔽壁由分開地佈置之複數個柱狀形狀導體部分組 態；且其中當從該等導體部分之軸向方向觀看該屏蔽壁時，該複數個柱狀形狀導體部分佈置成兩行且亦佈置成一Z字形型樣。
[14]一種發光元件(第三形式)，其包含：一發射單元；及一驅動電路，其經組態以驅動該發射單元，其中該驅動電路至少包含一驅動電晶體，一影像信號寫入電晶體，及一電容器單元；且其中該電容器單元提供於高於其中提供該驅動電晶體及該影像信號寫入電晶體之一位準之一位準中；且其中一屏蔽壁係在一個發光元件與相鄰於該個發光元件之一發光元件之間提供於等於或低於其中提供該電容器之一位準之一位準，但是高於其中提供該驅動電晶體及該影像信號寫入電晶體之一位準之一位準中。
[15]如[14]之發光元件，其中該屏蔽壁由分開地佈置之複數個柱狀形狀導體部分組態；且其中當從該等導體部分之軸向方向觀看該屏蔽壁時，該複數個柱狀形狀導體部分佈置成兩行且亦佈置成一Z字形型樣。
[16]如[13]至[15]中任一項之發光元件，其中該屏蔽壁連接至屏蔽佈線部分。
[17]如[13]至[16]中任一項之發光元件，其中該驅動電路連接至在一第一方向上延伸之一電流供應線、在該第一方向上延伸之一掃描線及在不同於該第一方向之一第二方向上延伸之一資料線；且其中針對佈置於該第二方向上之發光元件，當假設m係一奇數時，第m’個發光元件及第(m+1)’個發光元件安置成關於該第一方向上 在該第m’個發光元件與該第(m+1)’個發光元件之間延伸之一邊界線而為線對稱；且其中該屏蔽壁至少提供於該第m’個發光元件與該第(m+1)’個發光元件之間。
[18]如[17]之發光元件，其中該屏蔽壁提供於該邊界線之上。
[19]如[17]或[18]之發光元件，其中針對佈置於該第二方向上之發光元件，在該第一方向上延伸之一第二屏蔽壁提供於第(m-1)’個發光元件與該第m’個發光元件之間。
[20]如[19]之發光元件，其中該第二屏蔽壁由分開地佈置之複數個柱狀形狀第二導體部分組態；且其中當從該等第二導體部分之該等軸向方向觀看該第二屏蔽壁時，該複數個柱狀形狀第二導體部分佈置成兩行且亦佈置成一Z字形型樣。
[21]如[19]或[20]之發光元件，其中該第二屏蔽壁連接至屏蔽佈線部分。
[22]如[17]至[21]中任一項之發光元件，其中在該第二方向上延伸之一第二方向屏蔽壁係提供於一個發光元件與在該第一方向上相鄰於該個發光元件之一發光元件之間。
[23]一種顯示裝置，其由在第一方向及在不同於該第一方向之一第二方向上佈置成一二維矩陣形狀之複數個如[1]至[22]中任一項之發光元件所組態。
熟悉此項技術者應理解，只要設計需求及其他因素在隨附申請專利範圍或其等等效例之範疇內，可取決於該等設計需求及其他因素發生次組合及變更。
20‧‧‧第一基板
20A‧‧‧元件分離區域
21‧‧‧第一夾層絕緣層
22‧‧‧第二夾層絕緣層之下層
23‧‧‧第二夾層絕緣層之上層
41‧‧‧第一屏蔽壁
41A‧‧‧導電性材料層
41B‧‧‧導電性材料層
42‧‧‧第二夾層絕緣層之下層之延伸部分
43‧‧‧第一導體部分
45‧‧‧第二屏蔽壁
45A‧‧‧導電性材料層
45B‧‧‧導電性材料層
46‧‧‧第二夾層絕緣層之下層之延伸部分
47‧‧‧第二導體部分
71‧‧‧接觸孔
72‧‧‧佈線
73‧‧‧接觸孔
74‧‧‧接觸墊
75‧‧‧接觸孔
76‧‧‧佈線
77‧‧‧接觸孔
81‧‧‧接觸孔
82‧‧‧佈線
83‧‧‧接觸孔
84‧‧‧接觸墊
85‧‧‧接觸孔
86‧‧‧接觸孔
88‧‧‧接觸孔
89‧‧‧接觸墊
Ch1‧‧‧通道形成區域
Ch2‧‧‧通道形成區域
C0‧‧‧電容器單元
C0-A‧‧‧電容器單元之邊緣/電極
C0-B‧‧‧電容器單元之邊緣/電極
CSL‧‧‧電流供應線
G1‧‧‧閘極電極
G2‧‧‧閘極電極
GI1及GI2‧‧‧閘極絕緣層
SCL‧‧‧掃描線
SD11及SD12‧‧‧源極/汲極區域
SD21及SD22‧‧‧源極/汲極區域
TR1‧‧‧電晶體
TR2‧‧‧影像信號寫入電晶體

Claims (20)

  1. 一種發光元件，其包括：一發射單元；及一驅動電路，其經組態以驅動該發射單元，其中該驅動電路由至少以下組態(A)一驅動電晶體，其包含兩個源極/汲極區域，一通道形成區域，及一閘極電極，(B)一影像信號寫入電晶體，其包含兩個源極/汲極區域，一通道形成區域，及一閘極電極，及(C)一電容器單元；且其中針對該驅動電晶體，(A-1)該等源極/汲極區域中之一者連接至在一第一方向上延伸之一電流供應線，(A-2)另一源極/汲極區域連接至該發射單元且亦連接至該電容器單元之一個邊緣，且(A-3)該閘極電極連接至該影像信號寫入電晶體之另一源極/汲極區域且亦連接至該電容器單元之另一邊緣；且其中針對該影像信號寫入電晶體，(B-1)該等源極/汲極區域中之一者連接至在不同於該第一方向之一第二方向上延伸之一資料線，且(B-2)該閘極電極連接至在該第一方向上延伸之一掃描線； 且其中該驅動電晶體、該影像信號寫入電晶體及該電容器單元覆蓋有一第一夾層絕緣層；且其中該電流供應線及該掃描線形成於該第一夾層絕緣層上；且其中該第一夾層絕緣層、該電流供應線及該掃描線覆蓋有一第二夾層絕緣層；且其中該資料線形成於該第二夾層絕緣層上；且其中在該第一方向上延伸之一屏蔽壁係在一個發光元件與在該第二方向上相鄰於該個發光元件之一發光元件之間提供至該第二夾層絕緣層。
  2. 如請求項1之發光元件，其中該屏蔽壁由分開地佈置之複數個柱狀形狀導體部分組態；且其中當從該等導體部分之軸向方向觀看該屏蔽壁時，該複數個柱狀形狀導體部分佈置成兩行且亦佈置成一Z字形型樣。
  3. 如請求項1之發光元件，其中該屏蔽壁連接至形成於該第二夾層絕緣層中之一屏蔽佈線部分。
  4. 如請求項1之發光元件，其中針對佈置於該第二方向上之發光元件，當假設m係一奇數時，第m’個發光元件及第(m+1)’個發光元件安置成關於該第一方向上在該第m’個發光元件與該第(m+1)’個發光元件之間延伸之一邊界線而為線對稱；且其中該屏蔽壁至少提供於該第m’個發光元件與該第(m+1)’個發光元件之間。
  5. 如請求項4之發光元件，其中針對佈置於該第二方向上之發光元件，在該第一方向上延伸之一第二屏蔽壁提供於第(m-1)’個發光元件與該第m’個發光元件之間。
  6. 如請求項5之發光元件，其中該第二屏蔽壁由分開地佈置之複數 個柱狀形狀第二導體部分組態；且其中當從該等第二導體部分之該等軸向方向觀看該第二屏蔽壁時，該複數個柱狀形狀第二導體部分佈置成兩行且亦佈置成一Z字形型樣。
  7. 如請求項5之發光元件，其中該第二屏蔽壁連接至形成於該第二夾層絕緣層中之一屏蔽佈線部分。
  8. 如請求項5之發光元件，其中該第二夾層絕緣層具有該第二夾層絕緣層之一下層及該第二夾層絕緣層之一上層之一層壓組態；且其中該屏蔽壁提供至該第二夾層絕緣層之該下層；且其中具有與該屏蔽壁相同之組態且在該第一方向上延伸之一第三屏蔽壁提供至定位於該屏蔽壁之上之該第二夾層絕緣層之該上層部分，且該第三屏蔽壁連接至該屏蔽佈線部分。
  9. 如請求項5之發光元件，其中該第二夾層絕緣層具有該第二夾層絕緣層之一下層及該第二夾層絕緣層之一上層之一層壓組態；且其中該第二屏蔽壁提供至該第二夾層絕緣層之該下層；且其中具有與該第二屏蔽壁相同之組態且在該第一方向上延伸之一第四屏蔽壁提供至定位於該第二屏蔽壁之上之該第二夾層絕緣層之該上層部分，且該第四屏蔽壁連接至該屏蔽佈線部分。
  10. 如請求項1之發光元件，其中該第二夾層絕緣層具有該第二夾層絕緣層之一下層及該第二夾層絕緣層之一上層之一層壓組態；且其中該屏蔽壁提供至該第二夾層絕緣層之該下層；且其中具有與該屏蔽壁相同之該組態且在該第一方向上延伸之一第三屏蔽壁提供至定位於該屏蔽壁之上之該第二夾層絕緣層之該上層部分，且該第三屏蔽壁連接至該屏蔽佈線部分。
  11. 如請求項1之發光元件，其中在該第二方向上延伸之一第二方向 屏蔽壁係在一個發光元件與在該第一方向上相鄰於該個發光元件之一發光元件之間提供至該第二夾層絕緣層。
  12. 一種發光元件，其包括：一發射單元；及一驅動電路，其經組態以驅動該發射單元，其中一屏蔽壁提供於一個發光元件與相鄰於該個發光元件之一發光元件之間；且其中該屏蔽壁由分開地佈置之複數個柱狀形狀導體部分組態；且其中當從該等導體部分之軸向方向觀看該屏蔽壁時，該複數個柱狀形狀導體部分佈置成兩行且亦佈置成一Z字形型樣。
  13. 一種發光元件，其包括：一發射單元；及一驅動電路，其經組態以驅動該發射單元，其中該驅動電路至少包含一驅動電晶體，一影像信號寫入電晶體，及一電容器單元；且其中該電容器單元提供於高於其中提供該驅動電晶體及該影像信號寫入電晶體之一位準之一位準中；且其中一屏蔽壁係在一個發光元件與相鄰於該個發光元件之一發光元件之間提供於等於或低於其中提供該電容器之一位準之一位準，但是高於其中提供該驅動電晶體及該影像信號寫入電晶體之一位準之一位準中。
  14. 如請求項13之發光元件，其中該屏蔽壁由分開地佈置之複數個柱狀形狀導體部分組態； 且其中當從該等導體部分之軸向方向觀看該屏蔽壁時，該複數個柱狀形狀導體部分佈置成兩行且亦佈置成一Z字形型樣。
  15. 如請求項13之發光元件，其中該屏蔽壁連接至屏蔽佈線部分。
  16. 如請求項13之發光元件，其中該驅動電路連接至在一第一方向上延伸之一電流供應線、在該第一方向上延伸之一掃描線及在不同於該第一方向之一第二方向上延伸之一資料線；且其中針對佈置於該第二方向上之發光元件，當假設m係一奇數時，第m’個發光元件及第(m+1)’個發光元件安置成關於該第一方向上在該第m’個發光元件與該第(m+1)’個發光元件之間延伸之一邊界線而為線對稱；且其中該屏蔽壁至少提供於該第m’個發光元件與該第(m+1)’個發光元件之間。
  17. 如請求項16之發光元件，其中針對佈置於該第二方向上之發光元件，在該第一方向上延伸之一第二屏蔽壁提供於第(m-1)’個發光元件與該第m’個發光元件之間。
  18. 如請求項17之發光元件，其中該第二屏蔽壁由分開地佈置之複數個柱狀形狀第二導體部分組態；且其中當從該等第二導體部分之該等軸向方向觀看該第二屏蔽壁時，該複數個柱狀形狀第二導體部分佈置成兩行且亦佈置成一Z字形型樣。
  19. 如請求項16之發光元件，其中在該第二方向上延伸之一第二方向屏蔽壁提供於一個發光元件與在該第一方向上相鄰於該個發光元件之一發光元件之間。
  20. 一種顯示裝置，其由在第一方向及在不同於該第一方向之一第二方向上佈置成一二維矩陣形狀之複數個如請求項1之發光元件所組態。
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