TW201428132A

TW201428132A - 成膜裝置

Info

Publication number: TW201428132A
Application number: TW102144466A
Authority: TW
Inventors: 飯塚洋二
Original assignee: 東京威力科創股份有限公司
Priority date: 2012-12-04
Filing date: 2013-12-04
Publication date: 2014-07-16
Also published as: WO2014087920A1; JP2014110378A

Abstract

本發明之成膜裝置包括處理容器、排氣裝置、內側支持部、外側支持部、一個以上之載置台、氣體供給部、及加熱器部。內側支持部具有圓筒形狀，且於處理容器內能以軸線為中心旋轉地設置。外側支持部具有圓筒形狀，且於處理容器內與內側支持部同軸地設置，並且能以軸線為中心旋轉地設置。載置台具有由內側支持部支持之內側緣及由外側支持部支持之外側緣。又，一個以上之載置台於以軸線為中心之環狀之區域提供複數個基板載置區域。加熱器部固定配置於內側支持部與外側支持部之間、且一個以上之載置台之下方。

Description

成膜裝置

本發明之實施形態係關於一種成膜裝置。

半導體元件之製造中之製程之一有成膜製程。於成膜製程中，一般而言，係藉由在加熱收容於處理容器內之基板之狀態下對處理容器內供給原料氣體而於基板上進行成膜。

用以進行此種成膜製程之成膜裝置中，有對一片基板進行成膜之單片式之裝置、及對複數片基板同時進行成膜之半分批(semi-batch)式之裝置。後者之類型之裝置具有如下構成，即，將上方可載置複數片基板之基板固持器搭載於設置於處理容器內之旋轉台上。於此類型之裝置中，係藉由使旋轉台旋轉而使複數片基板於處理容器內旋轉，因此，該複數片基板均勻地暴露於原料氣體中。此種成膜裝置記載於專利文獻1中。

於專利文獻1所記載之成膜裝置中，為了對基板供給原料氣體，將簇射頭(shower head)設置於旋轉台之上方。又，將用以加熱基板之加熱器設置於大致圓盤狀之旋轉台內。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開昭63-96912號公報

於專利文獻1所記載之裝置中，於旋轉台內設置有加熱器，因此，對加熱器供給電力之電源與加熱器之間之配線等之構成變得複雜。

因此，於本技術領域中，期望簡單之構成之成膜裝置。

本發明之一態樣之成膜裝置包括處理容器、排氣裝置、內側支持部、外側支持部、一個以上之載置台、氣體供給部、及加熱部。內側支持部具有圓筒形狀，且於處理容器內能以軸線為中心旋轉地設置。外側支持部具有圓筒形狀且於處理容器內與內側支持部同軸地設置，並且能以軸線為中心旋轉地設置。載置台具有由內側支持部支持之內側緣及由外側支持部支持之外側緣。又，一個以上之載置台於以軸線為中心之環狀之區域提供複數個基板載置區域。氣體供給部自一個以上之載置台之上方朝向該一個以上之載置台供給處理氣體。加熱部加熱一個以上之載置台。又，加熱部固定配置於內側支持部與外側支持部之間、且一個以上之載置台之下方。

一實施形態之成膜裝置可包括以軸線為中心排列之扇形形狀之複數個載置台作為一個以上之載置台。

於一實施形態之成膜裝置中，可於處理容器形成用以使複數個載置台通過之開口。可更包括用以使開口開啟及關閉之閘閥。開口之大小可小於外側支持部之直徑。

一實施形態之成膜裝置可於內側支持部及外側支持部之間更包括反射部。反射部可使自加熱部照射之光朝向載置台反射。

本發明之另一態樣之成膜裝置包括處理容器、排氣裝置、內側支持部、一個以上之載置台、氣體供給部、及加熱部。內側支持部具有圓筒形狀，且於處理容器內能以軸線為中心旋轉地設置。一個以上之載置台具有由內側支持部支持之內側緣，且於以軸線為中心之環狀之區域提供複數個基板載置區域。氣體供給部自一個以上之載置台之上方朝向該一個以上之載置台供給處理氣體。加熱部係加熱一個以上之載置台之加熱部，且固定配置於一個以上之載置台之下方。

本發明之又一態樣之成膜裝置包括處理容器、排氣裝置、外側支持部、一個以上之載置台、氣體供給部、及加熱部。外側支持部具有圓筒形狀，且於處理容器內能以軸線為中心旋轉地設置。一個以上之載置台具有由外側支持部支持之外側緣，且於以軸線為中心之環狀之區域提供複數個基板載置區域。氣體供給部自一個以上之載置台之上方朝向該一個以上之載置台供給處理氣體。加熱部係加熱一個以上之載置台之加熱部，且固定配置於一個以上之載置台之下方。

本發明之又一態樣之成膜裝置包括處理容器、排氣裝置、環狀支持部、內側支持部、外側支持部、一個以上之載置台、氣體供給部、及加熱部。環狀支持部於處理容器內提供以軸線為中心之環狀之載置台載置區域。內側支持部以環狀支持部成為能以軸線為中心旋轉之方式支持環狀支持部之內側緣。外側支持部以環狀支持部成為能以軸線為中心旋轉之方式支持環狀支持部之外側緣。一個以上之載置台載置於環狀支持部之載置台載置區域，且於以軸線為中心之環狀之區域提供複數個基板載置區域。氣體供給部自一個以上之載置台之上方朝向該一個以上之載置台供給處理氣體。加熱部係加熱一個以上之載置台之加熱部，且固定配置於內側支持部與外側支持部之間、且一個以上之載置台之下方。

如以上所說明般，根據本發明之各種態樣‧各種實施形態，可獲得簡單之構成之成膜裝置。

1‧‧‧成膜系統

10、10A‧‧‧成膜裝置

20‧‧‧驅動裝置

21‧‧‧電磁線圈

30‧‧‧處理容器

31‧‧‧頂板

32‧‧‧底板

33‧‧‧外周壁

33a‧‧‧開口部

34‧‧‧內周壁

40‧‧‧氣體供給部

41‧‧‧第1氣體供給部

41a‧‧‧第1閥

41b‧‧‧第1流量控制器

41c‧‧‧第1氣體源

41d‧‧‧第2閥

41e‧‧‧第2流量控制器

41f‧‧‧第2氣體源

42‧‧‧第2氣體供給部

42a‧‧‧第3閥

42b‧‧‧第3流量控制器

42c‧‧‧第3氣體源

42d‧‧‧第4閥

42e‧‧‧第4流量控制器

42f‧‧‧第4氣體源

43‧‧‧簇射頭

43a‧‧‧第1噴出孔

43b‧‧‧第2噴出孔

50、101‧‧‧內側支持部

50b‧‧‧軸承

55、102‧‧‧外側支持部

55b‧‧‧軸承

60‧‧‧載置台

60a‧‧‧內側緣

60b‧‧‧外側緣

62‧‧‧基板載置區域

70‧‧‧加熱器部(加熱部)

71‧‧‧內側加熱器部

71A‧‧‧第1內側加熱器部

71B‧‧‧第2內側加熱器部

71C‧‧‧第3內側加熱器部

72‧‧‧中央加熱器部

72A‧‧‧第1中央加熱器部

72B‧‧‧第2中央加熱器部

72C‧‧‧第3中央加熱器部

73‧‧‧外側加熱器部

73A‧‧‧第1外側加熱器部

73B‧‧‧第2外側加熱器部

73C‧‧‧第3外側加熱器部

74‧‧‧電力供給部

74a‧‧‧配線

75‧‧‧反射板(反射部)

76‧‧‧溫度測量器

76a‧‧‧溫度測量用感測器

80‧‧‧排氣路

81‧‧‧擋板

82‧‧‧壓力調整器

83‧‧‧排氣裝置

90‧‧‧閘閥

91‧‧‧交接機構

100‧‧‧環狀支持部

110‧‧‧加載互鎖腔室

120‧‧‧搬送室

120a‧‧‧室內空間

121‧‧‧搬送臂

130‧‧‧保管庫

S‧‧‧處理空間

W‧‧‧基板

X‧‧‧軸線

圖1係概略性地表示一實施形態之成膜裝置之剖面圖。

圖2係沿著圖1之II-II線之剖面圖。

圖3係表示自圖2所示之成膜裝置卸除載置台之狀態之剖面圖。

圖4係表示應用圖1所示之成膜裝置之成膜系統之概略構成之俯視圖。

圖5係概略性地表示變化例之成膜裝置之剖面圖。

以下，參照圖式，對本發明之成膜裝置之各種實施形態詳細地進行說明。再者，於各圖式中，對於相同或相當之部分標註相同之符號。

圖1係概略性地表示一實施形態之成膜裝置之剖面圖，圖2係沿著圖1之II-II線之剖面圖。圖3係表示自圖2所示之成膜裝置卸除載置台之狀態之剖面圖。如圖1~圖3所示，成膜裝置10構成為包含處理容器30、氣體供給部40、內側支持部50、外側支持部55、載置台60、及加熱器部(加熱部)70。本實施形態之成膜裝置10為成膜薄膜之MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，金屬有機氣相沈積)裝置。

處理容器30係於軸線X方向延伸之圓筒形狀之容器。處理容器30於其內部劃分形成用以對基板W進行成膜處理之圓筒形狀之處理空間S。於一實施形態中，處理容器30可構成為包含頂板31、底板32、外周壁33、及內周壁34。頂板31及底板32分別形成為環狀。外周壁33及內周壁34分別形成為圓筒形狀。外周壁33成為較內周壁34更大徑。於頂板31之內周緣連接內周壁34之上端。於頂板31之外周緣連接外周壁33之上端。於底板32之內周緣連接內周壁34之下端。藉此，形成以軸線X為中心軸之圓筒形狀之處理空間S。於底板32之外周緣與外周壁33之內周面之間設置特定之間隙。

內側支持部50具有圓筒形狀，且於處理容器30內與軸線X同軸地配置。內側支持部50之下端可藉由設置於內周壁34之下端部之軸承50b而相對於底板32旋轉地被支持。內側支持部50以軸線X為旋轉軸而相對於處理容器30相對地旋轉。

外側支持部55具有圓筒形狀，且形成為較內側支持部50更大徑。外側支持部55於處理空間S內與內側支持部50同軸地配置。外側支持部55之下端可藉由設置於底板32之上表面之軸承55b而相對於底板32旋轉地被支持。外側支持部55以軸線X為旋轉軸而相對於處理容器30相對地旋轉。

載置台60設置有複數個，且於以軸線X為中心之環狀之區域提供複數個基板載置區域62(參照圖2)。複數個載置台60分別具有由內側支持部50可裝卸地支持之內側緣60a、及由外側支持部55可裝卸地支持之外側緣60b。

於一實施形態中，如圖2所示，亦可由以軸線X為中心而排列之扇形形狀之複數個載置台60構成複數個載置台60。如此，藉由將載置台60設為扇形形狀，可將複數個載置台60排列成以軸線X為中心之環狀，而可提供較多之基板載置區域62。於圖2中，表示了設置有8片載置台60之例，但載置台60之片數並不限定於8片。基板載置區域62形成於載置台60之上表面。基板載置區域62構成為具有與載置於該區域之基板W之直徑大致同樣、或略微大於基板W之直徑之直徑的凹部。於在載置台60形成基板載置區域62時，亦可隨著遠離軸線X而使形成於載置台60之基板載置區域62之數量增多。

加熱器部70固定配置於內側支持部50及外側支持部55之間且載置台60之下方。加熱器部70固定於底板32。如圖1及圖3所示，加熱器部70構成為包含內側加熱器部71、中央加熱器部72、及外側加熱器部73。內側加熱器部71具有環狀，且配置於內側支持部50之周圍。內側加熱器部71具有環狀，且配置於內側加熱器部71之周圍。外側加熱器部73具有環狀，且配置於中央加熱器部72之周圍。中央加熱器部72中之徑向之寬度較內側加熱器部71及外側加熱器部73中之徑向之寬度更寬。

內側加熱器部71構成為包含沿著內側加熱器部71之周向排列配置之第1內側加熱器部71A、第2內側加熱器部71B、及第3內側加熱器部71C。中央加熱器部72構成為包含沿著中央加熱器部72之周向排列配置之第1中央加熱器部72A、第2中央加熱器部72B、及第3中央加熱器部72C。外側加熱器部73構成為包含沿著外側加熱器部73之周向排列配置之第1外側加熱器部73A、第2外側加熱器部73B、及第3外側加熱器部73C。

第1內側加熱器部71A、第2內側加熱器部71B、第3內側加熱器部71C、第1中央加熱器部72A、第2中央加熱器部72B、第3中央加熱器部72C、第1外側加熱器部73A、第2外側加熱器部73B、及第3外側加熱器部73C經由配線74a而連接於電力供給部74。加熱器部70藉由自電力供給部74供給之電力而發熱。配線74a通過內側支持部50與外側支持部55之間之空間而連接於電力供給部74。

有內側加熱器部71及外側加熱器部73之熱較中央加熱器部72更易於逸出至外部之情況。於此情形時，電力供給部74亦可以內側加熱器部71及外側加熱器部73成為較中央加熱器部72更高溫之方式控制供給之電力。藉由進行此種控制，可均勻地加熱載置於載置台60之基板W。又，亦可以內側加熱器部71、中央加熱器部72、及外側加熱器部73之設定溫度分別不同之方式控制供給之電力。藉由進行此種控制，可修正因成膜溫度以外導致之膜質之差，亦可最終獲得均勻之膜質。藉由利用複數個加熱器部構成加熱器部70，於加熱器部70產生不良情況之情形時，可容易地僅更換產生不良情況之加熱器部。

於一實施形態中，亦可於加熱器部70之下方設置反射板(反射部)75。反射板75可使自加熱器部70照射之光朝向載置台60側反射。於此情形時，可高效率地加熱載置台60上之基板W。

又，成膜裝置10亦可包括溫度測量器76，該溫度測量器76測量內側加熱器部71、中央加熱器部72、及外側加熱器部73之溫度。於內側加熱器部71、中央加熱器部72、及外側加熱器部73分別設置溫度測量用感測器76a。作為感測器76a，例如可使用熱電偶。感測器76a通過內側支持部50與外側支持部55之間之空間並連接於溫度測量器76。

於外周壁33與外側支持部55之間形成環狀之排氣路80。於排氣路80之上部安裝設置有複數個貫通孔之環狀之擋板81。擋板81之外周緣固定於外周壁33之內周壁，擋板81之內周緣延伸至外側支持部55之上端部之位置。

於排氣路80，介隔壓力調整器82而連接排氣裝置83。排氣裝置83具有真空泵。壓力調整器82調整排氣裝置83之排氣量而調整處理空間S內之壓力。藉由排氣裝置83可將處理容器30內之處理空間S減壓至所需之真空度。

氣體供給部40構成為包含第1氣體供給部41、第2氣體供給部42、及簇射頭43。簇射頭43安裝於頂板31中之處理空間S側之面。即，簇射頭43與載置於載置台60之基板W之上表面對向。於簇射頭43設置複數個第1噴出孔43a、及複數個第2噴出孔43b。第1噴出孔43a及第2噴出孔43b自軸線X方向觀察呈矩陣狀地交替配置。

第1氣體供給部41對第1噴出孔43a供給2種處理氣體。自第1氣體供給部41供給至簇射頭43之處理氣體自第1噴出孔43a朝向基板W噴出。第1氣體供給部41構成為包含第1閥41a、第1流量控制器41b、及第1氣體源41c、以及第2閥41d、第2流量控制器41e、及第2氣體源41f。

第1流量控制器41b控制自第1氣體源41c供給之處理氣體之流量。第1閥41a切換自第1流量控制器41b向簇射頭43之處理氣體之流通及流通之阻斷。作為第1氣體源41c，例如，可使用成膜氮化鎵時成為鎵之前驅物之三甲基鎵氣體源。

第2流量控制器41e控制自第2氣體源41f供給之處理氣體之流量。第2閥41d切換自第2流量控制器41e向簇射頭43之處理氣體之流通及流通之阻斷。作為用作稀釋氣體之第2氣體源41f，例如可使用氫氣。

第2氣體供給部42對第2噴出孔43b供給2種處理氣體。自第2氣體供給部42供給至簇射頭43之處理氣體自第2噴出孔43b朝向基板W噴出。第2氣體供給部42構成為包含第3閥42a、第3流量控制器42b、及第3氣體源42c、以及第4閥42d、第4流量控制器42e、及第4氣體源42f。

第3流量控制器42b控制自第3氣體源42c供給之處理氣體之流量。第3閥42a切換自第3流量控制器42b向簇射頭43之處理氣體之流通及流通之阻斷。作為成膜氮化鎵時成為氮氣源之第3氣體源42c，使用至少包含氮氣之氣體。例如，可使用氨、氮氣、肼。

第4流量控制器42e控制自第4氣體源42f供給之處理氣體之流量。第4閥42d切換自第4流量控制器42e向簇射頭43之處理氣體之流通及流通之阻斷。作為用作稀釋氣體之第4氣體源42f，例如可使用氫氣。

自第1噴出孔43a及第2噴出孔43b之各者噴出之處理氣體於處理空間S混合。

於藉由排氣裝置83而使處理空間S為所需之真空度之後，藉由加熱器部70而加熱基板W，並自簇射頭43噴出處理氣體，藉此進行載置於載置台60之基板W之處理。

又，以軸線X為旋轉軸使載置台60旋轉以對載置台60上之複數個基板W均勻地供給處理氣體。對旋轉驅動載置台60之機構之一例進行說明。於內周壁34之內側設置具備以軸線X為旋轉軸旋轉之電磁線圈 21之驅動裝置20。由磁體形成內側支持部50，由非磁體形成內周壁34。藉由變更電磁線圈21之極性，可使複數個載置台60與內側支持部50一同旋轉。作為另一例，可藉由在電磁線圈21與內側支持部50相互吸引的狀態下使電磁線圈21旋轉，而使複數個載置台60與內側支持部50一同旋轉。再者，於此情形時，亦可使用永久磁鐵代替電磁線圈21。又，作為另一例，亦可於處理空間S內設置驅動內側支持部50及外側支持部55中之至少任一者之馬達，藉由該馬達之驅動力而使載置台60旋轉。關於旋轉驅動載置台60之機構並不限定於上述機構，可使用各種機構。

如圖2所示，於外周壁33之一部分設置閘閥90。閘閥90開啟及關閉設置於外周壁33之開口部33a。經由閘閥90而將載置有基板W之載置台60搬入至處理空間S，或將載置台60自處理空間S搬出。於一實施形態，亦可將開口部33a形成為小於外側支持部55之直徑、且載置台60可通過之大小。於此情形時，可經由開口部33a而搬送載置台60，並且可謀求閘閥90之小型化。又，如圖3所示，於處理容器30內，可於閘閥90之附近具備進行載置台60之升降之交接機構91。交接機構91於自搬送臂121向內側支持部50及外側支持部55交接載置台60時、及自內側支持部50及外側支持部55向搬送臂121交接載置台60時，使載置台60升降而進行交接之輔助。

於圖4表示應用成膜裝置之成膜系統之概略構成。如圖4所示，成膜系統1構成為包含成膜裝置10及10A、加載互鎖腔室110、搬送室120、及保管庫130。再者，成膜裝置10A係與成膜裝置10相同之構成。

搬送室120配置於成膜裝置10與成膜裝置10A之間。搬送室120之室內空間120a經由成膜裝置10之閘閥90而連接於成膜裝置10之處理空間S。又，搬送室120之室內空間120a經由成膜裝置10A之閘閥90而連接於成膜裝置10A之處理空間S。進而，於搬送室120連接加載互鎖腔室110、及保管庫130。

於搬送室120之室內空間120a具備搬送臂121。搬送臂121將搬送至加載互鎖腔室110內之載置台60搬送至保管庫130或成膜裝置10等，或者將成膜裝置10及10A內之載置台60搬送至保管庫130或加載互鎖腔室110。

對自成膜裝置10取出載置有經處理過之基板W之載置台60，且將載置有未處理之基板W之載置台60搬入至成膜裝置10內之搬送處理之一例進行說明。首先，將載置有未處理之基板W之8片載置台60自外部之裝置搬入至加載互鎖腔室110內。然後，對加載互鎖腔室110內進行減壓。再者，將搬送室120及保管庫130內設為減壓狀態。其次，打開加載互鎖腔室110與搬送室120之間之閘閥，藉由搬送臂121而將加載互鎖腔室110內之載置台60逐片收納於保管庫130。然後，關閉搬送室120與加載互鎖腔室110之間之閘閥。

其次，打開成膜裝置10與搬送室120之間之閘閥90，藉由搬送臂121而接收成膜裝置10內之載置有經處理過之基板W之載置台60，並收納於保管庫130。然後，藉由搬送臂121而接收收納於保管庫130之載置有未處理之基板W之載置台60並搬送至成膜裝置10之處理空間S。重複該成膜裝置10與保管庫130之間之載置台60之更換，將成膜裝置10內之載置台60全部更換為載置有未處理之基板W之載置台60。

若更換結束，則關閉成膜裝置10與搬送室120之間之閘閥90，並打開搬送室120與加載互鎖腔室110之間之閘閥。然後，藉由搬送臂121而將收納於保管庫130之載置有經處理過之基板W之8片載置台60逐片收納於加載互鎖腔室110。然後，關閉搬送室120與加載互鎖腔室110之間之閘閥，並自加載互鎖腔室110內取出載置有經處理過之基板W之載置台60。再者，上述搬送處理之順序為一例，亦可以其他順序進行載置台60之搬送。又，加載互鎖腔室110亦可包含僅可搬入一片載置台60之狹隘之空間。即便於此情形時，由於設置有保管庫130，故而可不使處理量降低而進行載置台60之搬入及搬出。

本實施形態如以上般構成，且藉由內側支持部50及外側支持部55而支持載置台60，藉此，於內側支持部50與外側支持部55之間形成空間。藉由於內側支持部50與外側支持部55之間、且載置台60之下方配置加熱器部70，可將加熱器部70容易地固定配置於底板32。由於加熱器部70不會如內側支持部50等般旋轉，故而可使對加熱器部70供給電力之配線74a等之配置位置或構成簡單。因此，可獲得簡單之構成之成膜裝置10。

又，藉由分別利用內側支持部50及外側支持部55支持載置台60之內側緣60a及外側緣60b，即便載置台60大型化亦可確實地支持載置台60。

又，於本實施形態之成膜裝置10中，可於內側支持部50與外側支持部55之間形成寬闊之空間。可使用該空間容易地設置溫度測量器76之感測器76a。由於設置感測器76a之空間寬闊，故而亦可容易地進行感測器76a之更換作業等。又，感測器76a周邊由於處理容器30內為減壓狀態，故而有產生異常放電之虞。然而，由於設置感測器76a之空間寬闊，故而即便設置有感測器76a，亦可抑制異常放電之產生。除此以外，於對加熱器部70供給直流電流之情形時，由於處理容器30內為減壓狀態故而有產生異常放電之虞。然而，由於設置配線74a之空間寬闊，故而即便設置有配線74a，亦可抑制異常放電之產生。再者，表示了熱電偶作為溫度測量器76及感測器76a之示例，但由於加熱器部70之下方側之空間寬闊，故而可容易地設置直接瞄準測定區域之紅外放射溫度計、或高溫計(Pyrometer)等非接觸溫度計。

本實施形態之成膜裝置10僅使載置台60上之基板W以軸線X為中心進行公轉。因此，本實施形態之成膜裝置10相對於使基板進行公轉及自轉之成膜裝置可設為簡單之構成。又，本實施形態之成膜裝置10係使用簇射頭43對基板W供給處理氣體之構成，因此，即便基板W僅進行公轉，亦可對複數個基板W均勻地供給處理氣體。

以上，對各種實施形態進行了說明，但並不限定於上述實施形態，可構成各種變化形態。例如，上述對處理空間S供給之處理氣體之種類為一例，亦可供給其他處理氣體。又，於本實施形態中，對MOCVD裝置進行了說明，但並不侷限於此，可為如MOVPE(Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy，有機金屬氣相磊晶)裝置、CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)裝置、ALD(Atomic Layer Deposition，原子層沈積)裝置、PVD(Physical Vapor Deposition，物理氣相沈積)裝置之成膜裝置，亦可為進行膜之改質之裝置或蝕刻裝置等處理裝置。

又，於上述實施形態中，設為使用簇射頭43對基板W供給處理氣體者，但並不限定於使用簇射頭43者。例如，亦可使用自配置成環狀之複數個載置台60之中央部朝向周邊部供給處理氣體之噴射器等代替簇射頭43。

又，於上述實施形態，設為分別藉由內側支持部50及外側支持部55而支持載置台60之內側緣及外側緣者，但可為僅藉由內側支持部50而支持載置台60之內側緣之構成，亦可為僅藉由外側支持部55而支持載置台60之外側緣之構成。即便於此情形時，亦可獲得與實施形態同樣之效果。

又，亦可為如下構成，即，如圖5所示之成膜裝置10A般，代替內側支持部50及外側支持部55而藉由提供以軸線X為中心之環狀之載置台載置區域之環狀支持部100自下方側支持複數個載置台60。於此情形時，藉由由軸承等構成之內側支持部101而能以軸線X為中心旋轉地支持環狀支持部100之內側緣。又，藉由由軸承等構成之外側支持部102而能以軸線X為中心旋轉地支持環狀支持部100之外側緣。加熱器部70及反射板75配置於環狀支持部100之下方側、且內側支持部101與外側支持部102之間。即便於此情形時，亦與實施形態同樣地，由於加熱器部70不旋轉，故而可使對加熱器部70供給電力之配線74a等之配置位置或構成簡單。因此，可獲得簡單之構成之成膜裝置10A。

[產業上之可利用性]

根據本發明之各種態樣，可獲得簡單之構成之成膜裝置。

10‧‧‧成膜裝置