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TW201427926A - 磷光發光二極體內之單聯伸三苯發色團 - Google Patents

磷光發光二極體內之單聯伸三苯發色團 Download PDF

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TW201427926A
TW201427926A TW103112019A TW103112019A TW201427926A TW 201427926 A TW201427926 A TW 201427926A TW 103112019 A TW103112019 A TW 103112019A TW 103112019 A TW103112019 A TW 103112019A TW 201427926 A TW201427926 A TW 201427926A
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Raymond Kwong
James Fiordeliso
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Universal Display Corp
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Abstract

本發明提供新穎的聯伸三苯化合物。特定實例包括經多芳基取代的聯伸三苯。一組較佳化合物為經具有一或多個間位取代基之非稠合芳基取代的聯伸三苯，其中各間位取代基為視情況經選自由非稠合芳基及烷基組成之群之其他取代基取代的非稠合芳基。另一組較佳化合物為經具有一或多個間位取代基之非稠合雜芳基取代的聯伸三苯，其中各間位取代基為視情況經選自由非稠合芳基、非稠合雜芳基及烷基組成之群之其他取代基取代的非稠合芳基或雜芳基。預期一些高三重態能量類似物與深藍色磷光摻雜劑一起起作用。該等化合物可用於磷光有機發光裝置中。本發明亦提供一種有機電致發光裝置，該裝置包含一陽極、一陰極及一介於該陽極與該陰極之間的發光層，該發光層包含磷光材料及具有重複單元的化合物，該重複單元含有聯伸三苯部分。

Description

磷光發光二極體內之單聯伸三苯發色團
本發明係關於有機發光裝置(OLED)，且特定言之，係關於用於該等裝置中的磷光有機材料。更特定而言，本發明係關於併入OLED中的聯伸三苯化合物。
本申請案主張2007年8月8日申請之美國臨時申請案第60/963,944號及2007年12月28日申請之美國臨時申請案第61/017,506號的優先權，該等案之揭示內容全部以引用方式特此併入本文中。
所主張之本發明係依據大學公司聯合研究協定由以下各方中之一或多者、以其之名義及/或與其相關而創制：University of Michigan、Princeton University、University of Southern California及Universal Display Corporation之董事。該協定在所主張之本發明創制之日及之前生效，且作為在該協定範圍內從事之活動之結果，創制所主張之本發明。
使用有機材料的光電裝置因多種原因而正日益變得符合需要。用於製造該等裝置的多種材料相對低廉，因此有機光電裝置具有優於無機裝置之成本優勢的潛力。此外，有機材料之內在特性(諸如其撓性)可使其非常適於特殊應用，諸如製造於撓性基板上。有機光電裝置之實例包括有機發光裝置(OLED)、有機光電晶體、有機光電電池 及有機光偵測器。對於OLED，有機材料可具有優於習知材料的效能優勢。舉例而言，有機發光層發光時的波長一般可易用適當摻雜劑調節。
如本文中所使用，術語"有機"包括可用於製造有機光電裝置的聚合物材料以及小分子有機材料。"小分子"係指不為聚合物的任何有機材料，且"小分子"實際上可能相當大。在有些情況下，小分子可包括重複單元。舉例而言，使用長鏈烷基作為取代基不會將分子自"小分子"類別中移除。小分子亦可例如作為在聚合物主鏈上之側基或作為主鏈之一部分併入聚合物中。小分子亦可用作樹狀體之核心部分，樹狀體係由一系列建立於核心部分上之化學殼體組成。樹狀體之核心部分可為螢光或磷光小分子發光物。樹狀體可為"小分子"，且據信OLED領域中目前所用的所有樹狀體皆為小分子。一般而言，小分子的化學式明確、分子量單一，而聚合物的化學式及分子量因分子而異。
OLED使用當對裝置兩端施加電壓時發出光的有機薄膜。OLED正成為用於諸如平板顯示器、照明及背光之應用的日益受關注之技術。美國專利第5,844,363號、第6,303,238號及第5,707,745號描述數種OLED材料及構型，該等專利全文以引用方式併入本文中。
OLED裝置一般(而非總是)預定透過至少一電極來發光，且有機光電裝置中可使用一或多個透明電極。舉例而言，諸如氧化銦錫(ITO)之透明電極材料可用作底電極。亦可使用透明頂電極，諸如美國專利第5,703,436號及第5,707,745號中所揭示的透明頂電極，該等專利以引用方式全文併入本文中。對於預定僅透過底電極發光的裝置，頂電極無需透明，且可由具有高電導率的反射性厚金屬層組成。類似地，對於預定僅透過頂電極發光的裝置，底電極可為不透明及/或反射性的。在電極無需透明的情況下，使用層愈厚，可提供的電導 率愈佳，且使用反射性電極可藉由將光反射回透明電極而使透過另一電極發射之光之量增大。亦可製造全透明裝置，其中兩電極皆透明。亦可製造側發光式OLED，且該等裝置中之一或兩個電極可不透明或具有反射性。
如本文中所使用，"頂"意謂離基板最遠，而"底"意謂最靠近基板。舉例而言，對於具有兩個電極的裝置，底電極為最靠近基板的電極且一般為第一製成之電極。底電極具有兩個表面：最靠近基板的底表面及遠離基板的頂表面。在第一層被描述成"配置於第二層上"的情況下，第一層係遠離基板配置。第一層與第二層之間可能存在其他層，除非明確說明第一層與第二層"實體接觸"。舉例而言，陰極可描述成"配置於"陽極上，即使其間存在多個有機層。
如本文中所使用，"溶液可處理"意謂能夠以溶液或懸浮液形式溶解、分散於液體介質中或於液體介質中輸送及/或經液體介質沈積。
如本文所使用，且正如熟習此項技術者一般所瞭解，若第一能階更接近真空能階，則第一"最高佔用分子軌道"(HOMO)或"最低未佔用分子軌道"(LUMO)能階"大於"或"高於"第二HOMO或LUMO能階。由於電離電位(IP)以相對於真空能階之負能量度量，因此HOMO能階愈高，相應IP的絕對值愈小(IP負性愈弱)。類似地，LUMO能階愈高，相應電子親和力(EA)的絕對值愈小(EA負性愈弱)。在真空能階位於頂部的習知能階圖上，一種材料之LUMO能階高於相同材料之HOMO能階。與"較低"HOMO或LUMO能階相比，"較高"HOMO或LUMO能階與此能階圖之頂部顯的更接近。
本發明係關於用於磷光有機發光二極體中的聯伸三苯化合物。特定實例包括經多芳基取代之聯伸三苯。一組較佳化合物為經具有一或多個間位取代基之非稠合芳基取代的聯伸三苯，其中各間位取代基 為視情況經選自由非稠合芳基及烷基組成之群之其他取代基取代的非稠合芳基。預期一些高三重態能量類似物與深藍色磷光摻雜劑一起起作用。
其他較佳化合物為經具有一或多個間位取代基之非稠合雜芳基取代的聯伸三苯，其中各間位取代基為視情況經選自由非稠合芳基、非稠合雜芳基及烷基組成之群之其他取代基取代的非稠合芳基或雜芳基。
在本發明之一較佳態樣中，含有單聯伸三苯發色團的光電材料經證明為一類有用的主體材料及增強層材料。對於摻有紅色及綠色磷光發光材料之裝置，該等化合物作為主體及阻斷劑已展示長久的裝置壽命。用作磷光主體材料時，與含有兩個聯伸三苯發色團的比較實例主體相比，含有單聯伸三苯的化合物已證明使摻雜劑發光之紅移更小。此光學效應可容許製造具有更飽和顏色的裝置。含單聯伸三苯衍生物之另一優勢在於，與含有兩個發色團的很多衍生物相比，其更易合成且更易溶解。該等材料之溶解性提高可有助於純化且亦容許該等材料可作為溶液處理裝置或噴墨印刷裝置的主體材料使用。
提供有機發光裝置中之發光層。該發光層包括磷光材料及聯伸三苯化合物。較佳地，聯伸三苯化合物之介於HOMO能階與LUMO能階之間的能隙大於磷光材料之介於HOMO能階與LUMO能階之間的能隙。
在一較佳實施例中，發光層中之聯伸三苯化合物具有至少約1.8eV之介於其HOMO能階與其LUMO能階之間的能隙。
在另一實施例中，聯伸三苯化合物的最高佔用分子軌道低於磷光材料的最高佔用分子軌道。
在另一實施例中，聯伸三苯化合物的最低未佔用分子軌道高於磷光材料的最低未佔用分子軌道。
在一實施例中，發光層包含磷光材料及聯伸三苯化合物，其中聯伸三苯化合物具有以下式：
其中各R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11及R12獨立地為H或選自由以下各基組成之群的取代基：芳基、經取代之芳基、雜芳基、經取代之雜芳基、烷基、芳烷基、雜烷基、烯基及炔基且其中聯伸三苯化合物具有至少兩個取代基。較佳地，聯伸三苯化合物具有小於1400之分子量。在有些較佳實施例中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11及R12中至少一者選自芳基及經取代之芳基。在另一實施例中，R2、R3、R6、R7、R10及R11各自選自芳基及經取代之芳基，且在另一實施例中，R2、R3、R6、R7、R10及R11各自選自芳基及經取代之芳基，且R2、R3、R6、R7、R10及R11皆相同。
說明本發明之單聯伸三苯發色團態樣的一般結構展示如下。
其中R1、R2、R3獨立地為H或除聯伸三苯外之芳基且R1、R2、R3中至少一者不為H。
R1、R2、R3亦可獨立地為H、除聯伸三苯外之芳基或雜芳基且 R1、R2、R3中至少一者不為H。
亦提供有機電致發光裝置。較佳裝置包含陽極、陰極，及介於陽極與陰極之間、包含聯伸三苯材料及磷光材料的發光層。聯伸三苯材料可具有以下式：
其中R1、R2、R3獨立地為H或除聯伸三苯外之芳基且R1、R2、R3中至少一者不為H。
R1、R2、R3亦可獨立地為H、除聯伸三苯外之芳基或雜芳基且R1、R2、R3中至少一者不為H。
本發明亦提供一種有機電致發光裝置，該裝置包含陽極、陰極及介於該陽極與該陰極之間的發光層，該發光層包含磷光材料及具有重複單元的化合物，該重複單元含有聯伸三苯部分。
一般而言，OLED包含至少一層配置於陽極與陰極之間且與陽極及陰極電連接的有機層。當施加電流時，陽極將電洞注入有機層中且陰極將電子注入有機層中。所注射之電洞及電子各自向帶相反電荷的電極遷移。當電子與電洞定位於同一分子上時，則形成"激子"，激子為具有激發能態的定域電子電洞對。當激子經由光電發射機制鬆馳時，發出光。在有些情況下，激子可定位於激生分子或激發複合體上。亦可存在非輻射機制，諸如熱鬆弛，但通常視為非所要的。
初期OLED係使用例如美國專利第4,769,292號中所揭示之由其單重態發光("螢光")的發光分子，該專利全文以引用方式併入本文中。 螢光發光一般在小於10奈秒之時段內發生。
最近，具有由三重態發光("磷光")之發光材料的OLED已得到證明。Baldo等人，"Highly Efficient Phosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices," Nature，第395卷，151-154,1998；("Baldo-I")及Baldo等人，"Very high-efficiency green organic light-emitting devices based on electrophosphorescence," Appl.Phys.Lett.，第75卷，第3、4-6期(1999)("Baldo-II")，該等文獻全文以引用方式併入本文中。由於躍遷需要改變自旋態，且量子力學指出此躍遷不利，因此磷光可稱為"禁戒"躍遷。因此，磷光存在的時段一般超過至少10奈秒且通常大於100奈秒。若磷光之自然輻射壽命太長，則三重態可能因非輻射機制而衰減，以致不發光。在極低溫度下，在含有具有未共用電子對之雜原子的分子中，亦常觀測到有機磷光。2,2'-聯吡啶為此分子。非輻射衰減機制通常視溫度而定，以使得在液氮溫度下呈現磷光的有機材料在室溫下通常不呈現磷光。然而，如Baldo所證明，此問題可藉由選擇在室溫下發磷光的磷光化合物來解決。典型的發光層包括摻雜或未摻雜磷光有機金屬材料，諸如美國專利第6,303,238號及第6,310,360號；美國專利申請公開案第2002-0034656號、第2002-0182441號、第2003-0072964號及第WO-02/074015號中所揭示。
一般而言，據信OLED中之激子以約3：1之比率(亦即，約75%三重態及25%單重態)形成。參見Adachi等人，"Nearly 100% Internal Phosphorescent Efficiency In An Organic Light Emitting Device," J.Appl.Phys.,90,5048(2001)，該文獻以引用方式併入本文中。在很多情況下，單重態激子易經由"系統間穿越"使其能量轉移至三重激發態，而三重態激子不易使其能量轉移至單重激發態。因此，對於磷光OLED，100%內量子效率在理論上可行。在螢光裝置中，三重態激子 能量一般損失於使裝置發熱的非輻射衰減過程，導致內量子效率低得多。使用由三重激發態發光之磷光材料的OLED揭示於例如美國專利第6,303,238號中，該專利全文以引用之方式併入本文中。
三重激發態至中間非三重態之躍遷(由此出現發光衰減)先於磷光現象。舉例而言，與鑭系元素配位的有機分子通常由定位於鑭系金屬上之激發態發出磷光。然而，該等材料並非直接由三重激發態發出磷光，而是由集中於鑭系金屬離子的原子激發態發光。二酮酸銪錯合物可說明該等物質類型中之一類。
藉由將有機分子限制於(較佳經由鍵結)緊鄰高原子序數之原子，可增強三重態發出磷光而非螢光。此現象(稱重原子效應)係由已知為自旋軌道耦合的機制形成。此磷光躍遷可由有機金屬分子(諸如參(2-苯基吡啶)銥(III))之金屬至配位基電荷轉移(MLCT)激發態觀測到。
如本文所使用，術語"三重態能量"係指在指定材料之磷光光譜中、對應於可辨別之最高能量特徵的能量。最高能量特徵未必為磷光光譜中具有最大強度之峰，且可為例如位於此峰之高能側之清晰峰肩的局部最大值。
如本文中所使用的術語"有機金屬"正如一般技術者通常所瞭解且正如以下文獻中所給定的那樣：例如Gary L.Miessler及Donald A.Tarr,Prentice Hall(1998)之"Inorganic Chemistry"(第2版)。因此，術語有機金屬係指具有經由碳-金屬鍵與金屬鍵結之有機基團的化合物。此類化合物不包括配位化合物本身，配位化合物為僅具有來自雜原子之供體鍵的物質，諸如胺、鹵化物、假鹵化物(CN等)及其類似物之金屬錯合物。實際上，除與有機物質鍵結的一或多個碳-金屬鍵外，有機金屬化合物通常亦包含一或多個來自雜原子的供體鍵。與有機物質鍵結的碳-金屬鍵係指金屬與有機基團(諸如苯基、烷基、烯基等)之碳原子之間的直接鍵，而非指金屬與"無機碳"(諸如CN或CO之 碳)之鍵。
圖1展示有機發光裝置100。該等圖式未必依比例繪製。裝置100可包括基板110、陽極115、電洞注入層120、電洞傳遞層125、電子障壁層130、發光層135、電洞障壁層140、電子傳遞層145、電子注入層150、保護層155及陰極160。陰極160為具有第一導電層162及第二導電層164的複合陰極。裝置100可藉由將所述層依序沈積來製造。
基板110可為提供所要結構性質的任何適當基板。基板110可為撓性或硬質基板。基板110可為透明、半透明或不透明基板。塑膠及玻璃為較佳硬質基板材料之實例。塑膠及金屬箔為較佳撓性基板材料之實例。為便於製造電路，基板110可為半導體材料。舉例而言，基板110可為矽晶圓，矽晶圓上可製造能夠控制隨後沈積於基板上之OLED的電路。可使用其他基板。為獲得所要結構性質及光學性質，可選擇基板110之材料及厚度。
陽極115可為具有足夠導電性以將電洞傳遞至有機層的任何適當陽極。陽極115之材料較佳具有高於約4eV之功函數("高功函數材料")。較佳陽極材料包括導電金屬氧化物，諸如氧化銦錫(ITO)及氧化銦鋅(IZO)、氧化鋁鋅(AlZnO)及金屬。為形成底發光裝置，陽極115(及基板110)可充分透明。較佳的透明基板與陽極組合為可市購之沈積於玻璃或塑膠(基板)上之ITO(陽極)。撓性且透明的基板-陽極組合揭示於美國專利第5,844,363號及第6,602,540 B2號中，該等專利全文以引用方式併入本文中。陽極115可為不透明及/或反射性陽極。反射性陽極115對於某些頂發光裝置較佳，可使裝置頂部發出之光的量增大。為獲得所要導電性及光學性質，可選擇陽極115之材料及厚度。在陽極115為透明陽極的情況下，對於厚足以提供所要導電性、然而薄足以提供所要透明度的特定材料可存在厚度範圍。可使用其他陽極材料及結構。
電洞傳遞層125可包括能夠傳遞電洞的材料。電洞傳遞層130可為純質(未摻雜)層或摻雜層。摻雜可用於增強導電性。α-NPD及TPD為純質電洞傳遞層之實例。p-摻雜電洞傳遞層之實例為如Forrest等人之美國專利申請公開案第2003-0230980號中所揭示之以50：1莫耳比摻有F4-TCNQ的m-MTDATA，該案全文以引用方式併入本文中。可使用其他電洞傳遞層。
發光層135可包括當在陽極115與陰極160之間通電時能夠發光的有機材料。發光層135較佳含有磷光發光材料，但螢光發光材料亦可使用。由於與該等材料相關之發光效率更高，因此磷光材料較佳。發射層135亦可包含能夠傳輸電子及/或電洞的主體材料，該主體材料摻有可截留電子、電洞及/或激子的發光材料，以使得激子經由光電發射機制自發光材料弛豫。發射層135可包含將傳遞性質與發射性質組合的單一材料。不論發射性材料為摻雜劑或主要成分，發射層135可包含其他材料，諸如調節發光材料之發光的摻雜劑。發光層135可包括複數種發光材料，該等發光材料經組合能夠發出所要光譜之光。磷光發光材料之實例包括Ir(ppy)3。螢光發光材料之實例包括DCM及DMQA。OLED中之主體材料之實例包括Alq3、CBP及mCP。OLED中之發光材料及主體材料之實例揭示於Thompson等人之美國專利第6,303,238號中，該專利全文以引用方式併入本文中。在本發明中，較佳主體材料包括聯伸三苯錯合物。如US 20050025993中所述，在OLED之其他應用中，聯伸三苯化合物為有用材料，諸如電子傳遞材料。發光材料可以多種方式包括於發光層135中。舉例而言，發光小分子可併入聚合物中。此併入可藉由以下幾種方式達成：將小分子作為單獨且不同的分子物質摻入聚合物內；或將小分子併入聚合物主鏈內，以便形成共聚物；或使小分子作為側基鍵結於聚合物上。可使用其他發光層材料及結構。舉例而言，小分子發光材料可作為樹狀體之 核心存在。
多種有用發光材料包括一或多個與金屬中心結合的配位基。若配位基直接形成有機金屬發光材料之發光性質，則該配位基可稱為"光敏"配位基。"光敏"配位基可聯合金屬提供當發出光子時、電子於其間往返移動的能階。其他配位基可稱為"輔助"配位基。輔助配位基可藉由例如轉移光敏配位基能階來調節分子之光敏性質，然而輔助配位基不直接提供直接涉及發光的能階。在一分子中具有光敏性的配位基在另一分子中可能為輔助性的。光敏性及輔助性之該等定義意欲為非限定理論。
電子傳遞層145可包括能夠傳遞電子的材料。電子傳遞層145可為純質(未摻雜)層或摻雜層。摻雜可用於增強導電性。Alq3為純質電子傳遞層之實例。n-摻雜電子傳遞層之實例為如Forrest等人之美國專利申請公開案第2003-0230980號中所揭示之以1：1莫耳比摻有Li的BPhen，該案全文以引用方式併入本文中。可使用其他電子傳遞層。
電子傳遞層之帶電荷組分經選擇可使得電子由陰極有效注入電子傳遞層之LUMO(最低未佔用分子軌道)能階。"帶電荷組分"為擔負LUMO能階實際傳遞電子的材料。此組分可為基質材料，或其可為摻雜劑。有機材料之LUMO能階一般可藉由彼材料之電子親和力表徵，且陰極之相對電子注入效率一般可依據陰極材料之功函數表徵。此意謂，電子傳遞層及相鄰陰極之較佳性質可依據ETL之帶電荷組分之電子親和力及陰極材料之功函數詳細說明。特定而言，為達成高電子注入效率，陰極材料之功函數比電子傳遞層之帶電荷組分之電子親和力大較佳不超過約0.75eV，更佳不超過約0.5eV。對於電子注入的任何層可作類似考量。
陰極160可為此項技術中已知的任何適當材料或材料組合，以使得陰極160能夠傳導電子並將其注入裝置100之有機層內。陰極160可 為透明或不透明陰極，且可為反射性陰極。金屬及金屬氧化物為適當陰極材料之實例。陰極160可為單層，或可具有複合結構。圖1展示具有薄金屬層162及更厚之導電性金屬氧化物層164的複合陰極160。在複合陰極中，更厚層164之較佳材料包括ITO、IZO及此項技術中已知的其他材料。美國專利第5,703,436號、第5,707,745號、第6,548,956B2號及第6,576,134 B2號揭示陰極之實例，其包括具有金屬(諸如Mg：Ag)薄層、上覆濺鍍沈積之透明導電性ITO層的複合陰極，該等專利全文以引用方式併入本文中。陰極160中之與下伏有機層接觸的部分(不論其為單層陰極160、複合陰極之薄金屬層162，或某種其他部分)較佳由具有低於約4eV之功函數的材料("低功函數材料")形成。可使用其他陰極材料及結構。
障壁層可用於減少離開發光層之載荷子(電子或電洞)及/或激子的數量。電子障壁層130可配置於發光層135與電洞傳遞層125之間，以阻擋電子離開發光層135移向電洞傳遞層125。類似地，電洞障壁層140可配置於發光層135與電子傳遞層145之間，以阻擋電洞離開發光層135移向電子傳遞層145。障壁層亦可用於阻擋激子自發光層向外擴散。障壁層之理論及用途詳述於美國專利第6,097,147號及Forrest等人的美國專利申請公開案第2003-0230980號中，該等專利全文以引用方式併入本文中。
如本文中所使用，且正如一般技術者所瞭解，術語"障壁層"意謂該層提供大幅抑制載荷子及/或激子經由裝置傳遞的障壁，而非說明該層必需完全阻擋載荷子及/或激子。與缺少障壁層的類似裝置相比，此障壁層存在於裝置中可使得效率大大提高。此外，障壁層可用於將發光限制於OLED之所要區域。
一般而言，注入層包含可改良載荷子自一層(諸如電極或有機層)注入相鄰有機層內的材料。注入層亦可執行電荷傳遞功能。在裝置 100中，電洞注入層120可為改良電洞自陽極115注入電洞傳遞層125內的任何層。CuPc為相對於ITO陽極115及其他陽極可用作電洞注入層的材料實例。在裝置100中，電子注入層150可為改良電子注入電子傳遞層145內的任何層。LiF/Al為相對於相鄰層、可用作電子注入電子傳遞層內之電子注入層的材料實例。其他材料或材料組合可用於注入層。視特定裝置之組態而定，注入層可配置於不同於裝置100所示之位置的位置。注入層之更多實例提供於Lu等人的美國專利申請案第09/931,948號中，該案全文以引用方式併入本文中。電洞注入層可包含溶液沈積法材料，諸如旋塗聚合物，例如PEDOT：PSS，或其可為氣相沈積法小分子材料，例如CuPc或MTDATA。
電洞注入層(HIL)可使陽極表面平坦化或濕潤，以便使電洞自陽極有效注入電洞注入材料內。電洞注入層亦可具有帶電荷組分，該組分具有與位於HIL之一側上之相鄰陽極層及位於HIL之另一側上之電洞傳遞層良好匹配的HOMO(最高佔用分子軌道)能階(如本文中所述之其相對電離電位(IP)能量所定義)。"帶電荷組分"為擔負HOMO能階實際傳遞電洞的材料。此組分可為HIL之基質材料，或其可為摻雜劑。使用摻雜HIL容許針對其電性質選擇摻雜劑且針對形態性質(諸如濕潤性、揉性、韌性等)選擇主體。HIL材料之較佳性質應使得電洞可自陽極有效注入HIL材料內。特定而言，HIL之帶電荷組分較佳具有比陽極材料之IP大不超過約0.7eV的IP。更佳地，帶電荷組分具有比陽極材料大不超過約0.5eV的IP。對於電洞注入的任何層可作類似考量。HIL材料與通常用於OLED之電洞傳遞層內之習知電洞傳遞材料進一步不同之處在於，該等HIL材料可具有大大小於習知電洞傳遞材料之電洞導電性的電洞導電性。本發明之HIL之厚度可足夠厚以有助於陽極層表面之平坦化或濕潤。舉例而言，對於極平滑之陽極表面，小如10nm之HIL厚度可接受。然而，由於陽極表面傾向於非常粗糙，因 此在有些情況下，可能需要高達50nm之HIL厚度。
保護層可用於在隨後製造過程中保護下伏層。舉例而言，用於製造金屬或金屬氧化物頂電極的方法可能損傷有機層，且保護層可用於減少或排除此損傷。在裝置100中，保護層155可在陰極160製造期間減少對下伏有機層的損傷。較佳地，保護層對於其傳遞之載流子類型(在裝置100中為電子)具有高載流子遷移率，以使得其不會使裝置100之操作電壓大幅增加。CuPc、BCP及不同金屬酞菁為可用於保護層的材料實例。可使用其他材料或材料組合。保護層155之厚度較佳足夠厚以使得因有機保護層160沈積之後進行之製造過程對下伏層的損傷很少或不存在，然而不會厚的以致裝置100之操作電壓大幅增加。保護層155可摻雜以增加其導電性。舉例而言，CuPc或BCP保護層160可摻有Li。保護層之更詳細說明可見於Lu等人之美國專利申請案第09/931,948號中，該案全文以引用方式併入本文中。
圖2展示倒置OLED 200。該裝置包括基板210、陰極215、發光層220、電洞傳遞層225及陽極230。裝置200可藉由將所述層依序沈積來製造。由於最常見的OLED組態具有配置於陽極上方的陰極，且裝置200具有配置於陽極230下方的陰極215，裝置200可稱為"倒置"OLED。裝置200之對應層可使用與相對於裝置100所述類似的材料。圖2提供一如何可將裝置100之結構中之某些層省去的實例。
圖1及2中所說明的簡單層狀結構係作為非限制性實例提供，且應瞭解本發明之實施例可結合各種各樣的其他結構使用。所述特定材料及結構具有示範性，且可使用其他材料及結構。功能性OLED可藉由將所述不同層以不同方法組合來獲得，或可基於設計、效能及成本因素將該等層一概省去。亦可包括未具體描述的其他層。可使用不同於具體所述材料的材料。儘管本文中所提供的多個實例將各層描述為包含單一材料，但應瞭解可使用材料組合，諸如主體與摻雜劑之混合 物，或一般而言之混合物。此外，該等層可具有多個亞層。不希望本文中給不同層的命名具有嚴格限制性。舉例而言，在裝置200中，電洞傳遞層225傳遞電洞並將電洞注入發光層220內，且可描述為電洞傳遞層或電洞注入層。在一實施例中，OLED可描述為具有配置於陰極與陽極之間的"有機層"。此有機層可包含單層，或可進一步包含例如相對於圖1及圖2所述之不同有機材料之多層。
亦可使用未具體描述的結構及材料，諸如包含聚合物材料的OLED(PLED)，諸如Friend等人之美國專利第5,247,190號中所揭示，該專利全文以引用方式併入本文中。作為另一實例，可使用具有單有機層的OLED。OLED可例如如Forrest等人的美國專利第5,707,745號所述堆疊，該專利全文以引用方式併入本文中。OLED結構可不同於圖1及2所說明的簡單層狀結構。舉例而言，基板可包括改良外耦的角狀反射表面，諸如Forrest等人之美國專利第6,091,195號中所述的台式結構及/或如Bulovic等人之美國專利第5,834,893號中所述的坑形構造，該等專利全文以引用方式併入本文中。
除非另有說明，否則不同實施例之任何層可藉由任何適當方法沈積。對於有機層，較佳方法包括熱蒸發法、噴墨法(諸如美國專利第6,013,982號及第6,087,196號中所述，該等專利全文以引用方式併入本文中)、有機氣相沈積法(OVPD)(諸如Forrest等人之美國專利第6,337,102號中所述，該專利全文以引用方式併入本文中)，及藉由有機氣體噴印(OVJP)之沈積法(諸如美國專利申請案第10/233,470號所述，該案全文以引用方式併入本文中)。其他適當沈積方法包括旋塗法及其他基於溶液之方法。基於溶液之方法較佳在氮氣或惰性氣氛下執行。對於其他層，較佳方法包括熱蒸發法。較佳圖案化方法包括經由光罩沈積法、冷焊法(諸如美國專利第6,294,398號及第6,468,819號中所述，該等專利全文以引用方式併入本文中)，及與某些沈積法(諸 如噴墨及OVJD)相關的圖案化方法。亦可使用其他方法。可修改待沈積的材料以使其與特定沈積法相容。舉例而言，小分子中可使用支鏈或非支鏈且較佳含有至少3個碳的取代基(諸如烷基及芳基)以增強其經歷溶液處理之能力。可使用具有20個碳或20個碳以上的取代基，且3-20個碳為較佳範圍。與具有對稱結構的材料相比，由於不對稱材料可具有更低的再結晶傾向，因此具有不對稱結構的材料可具有更佳的溶液可處理性。樹狀體取代基可用於增強小分子經歷溶液處理的能力。
在不背離本發明之範圍的情況下，本文中所揭示的分子可以多種不同方式經取代。
根據本發明之實施例製成的裝置可併入各種各樣的消費型產品中，包括平板顯示器、電腦監視器、電視、廣告牌、內部或外部照明燈及/或信號燈、抬頭顯示器、全透明顯示器、撓性顯示器、雷射印表機、電話、蜂巢式手機、個人數位助理(PDA)、膝上型電腦、數位式相機、錄像攝像機、取景器、微顯示器、載具、大面積牆、電影院或運動場螢幕或標牌。可使用不同控制機構(包括被動式矩陣及主動式矩陣)控制根據本發明所製成之裝置。很多裝置指定在人類舒適的溫度範圍內(諸如18攝氏度至30攝氏度)且更佳在室溫(20-25攝氏度)下使用。
本文中所述的材料及結構可應用於不同於OLED的裝置中。舉例而言，其他光電裝置(諸如有機太陽電池及有機光偵測器)可使用該等材料及結構。一般而言，有機裝置(諸如有機電晶體)可使用該等材料及結構。
如本文中所使用的術語"鹵基"或"鹵素"包括氟、氯、溴及碘。
如本文中所使用的術語"烷基"涵蓋直鏈烷基與支鏈烷基。較佳烷基為含有一至十五個碳原子的烷基且包括甲基、乙基、丙基、異丙 基、丁基、異丁基、第三丁基及其類似基團。此外，烷基視情況可經一或多個選自以下各基之取代基取代：鹵基、CN、CO2R、C(O)R、NR2、環狀胺基、NO2及OR。
如本文中所使用的術語"環烷基"涵蓋環狀烷基。較佳環烷基為含有3至7個碳原子的環烷基且包括環丙基、環戊基、環己基及其類似基團。此外，環烷基視情況可經一或多個選自以下各基之取代基取代：鹵基、CN、CO2R、C(O)R、NR2、環狀胺基、NO2及OR。
如本文中所使用的術語"烯基"涵蓋直鏈烯基與支鏈烯基。較佳烯基為含有兩至十五個碳原子的烯基。此外，烯基視情況可經一或多個選自以下各基之取代基取代：鹵基、CN、CO2R、C(O)R、NR2、環狀胺基、NO2及OR。
如本文中所使用的術語"炔基"涵蓋直鏈炔基與支鏈炔基。較佳烷基為含有兩至十五個碳原子的烷基。此外，炔基視情況可經一或多個選自以下各基之取代基取代：鹵基、CN、CO2R、C(O)R、NR2、環狀胺基、NO2及OR。
如本文中所使用的術語"雜環基團"涵蓋環狀非芳族基團。較佳雜環基團為含有3或7個包括至少一雜原子之環原子的雜環基團，且包括：環狀胺，諸如嗎啉基、哌啶基、吡咯啶基及其類似基團；及環狀醚，諸如四氫呋喃、四氫哌喃及其類似基團。
如本文中所使用的術語"芳基"或"芳族基團"涵蓋單環基團與多環系統。多環可具有兩個或兩個以上環，其中兩個鄰接環共用兩個原子(環經"稠合")，其中至少一環為芳族環，其他環例如可為環烷基、環烯基、芳基、雜環及/或雜芳基。
如本文中所使用的術語"雜芳基"涵蓋可包括一至四個雜原子的單環雜芳基，例如吡咯、呋喃、噻吩、咪唑、噁唑、噻唑、三唑、四唑、吡唑、吡啶、吡嗪及嘧啶，及其類似基團。術語雜芳基亦包括具 有兩個或兩個以上環的多環雜芳族系統，其中兩個鄰接環共用兩個原子(環經"稠合")，其中至少一環為雜芳基，其他環例如可為環烷基、環烯基、芳基、雜環及/或雜芳基。
本發明係關於包含磷光材料及聯伸三苯化合物的有機發光層，以及包括此發光層的裝置。亦提供特定的聯伸三苯化合物。在本發明之較佳實施例中，有機發光層包括磷光材料及視情況經取代之聯伸三苯化合物。取代基可相同或不相同，且各自選自由以下各基組成之群：烷基、芳基、經取代之芳基、雜芳基、烯基、炔基及雜烷基。在真空下可蒸發而不分解、具有小於1400之分子量的聯伸三苯化合物尤其較佳。根據本發明所製成的裝置已證明效率高且壽命長。聯伸三苯之高三重態能量使得聯伸三苯化合物尤其適用作可與深藍色磷光摻雜劑一起使用的主體或聯合主體。
聯伸三苯為三重態能量高且第一單重態能階與第一三重態能階之間能量差較小的多芳族烴。此說明，與具有類似三重態能量的其他芳族化合物(例如聯苯)相比，聯伸三苯具有較易近接的HOMO能階及LUMO能階。使用聯伸三苯及其衍生物作為主體的優點在於，其可容納紅色、綠色及甚至藍色磷光摻雜劑以得到高效率而無能量淬滅。
較佳地，本發明之聯伸三苯化合物之介於HOMO能階與LUMO能階之間的能隙大於磷光材料之介於HOMO能階與LUMO能階之間的能隙。
在一較佳實施例中，本發明之聯伸三苯化合物具有至少約1.8eV之介於其HOMO能階與其LUMO能階之間的能隙。
在另一實施例中，聯伸三苯化合物的最高佔用分子軌道低於磷光材料的最高佔用分子軌道。
在另一實施例中，聯伸三苯化合物的最低未佔用分子軌道高於 磷光材料的最低未佔用分子軌道。
在一態樣中，本發明描述基於含有單聯伸三苯之材料的一類新穎主體及增強層，該等材料使磷光裝置效率高、裝置壽命長且摻雜劑發光飽和。已發現，在有些情況下，基於含有兩個聯伸三苯之聯伸三苯發色團的上述主體及增強材料比含有單聯伸三苯發色團的材料溶解性小。在有些情況下，當使用含有兩個聯伸三苯的材料作為主體時，觀測到其使摻雜劑之發光光譜紅移。相比之下，本文中所述的單聯伸三苯化合物當用作磷光主體時，不使摻雜劑之發光光譜紅移。此為使摻雜劑顏色更飽和的優點。此外，由於只需要一個聯伸三苯偶合反應，因此更易合成單聯伸三苯取代物之新穎家族。該等材料經證明具有經改良之溶解性，可用於柱層析純化。最後，經改良之溶解性可容許該等材料用於經溶液處理的裝置中。
在本文中所述之含有單聯伸三苯的主體及增強材料中，聯伸三苯可經芳基取代。在特定較佳實施例中，芳基在間位經取代以限制直接共軛且保持高三重態能量。據信，4個以上對位取代之苯環之直鏈(包括聯伸三苯之環)足以使三重態能量降低以使摻雜劑之磷光發光淬滅。間位取代伸苯基鏈或間位分支苯環可有助於降低對稱性，降低結晶度且提高溶解性。
本文中所述之含有單聯伸三苯的主體及增強材料亦可含有經雜芳基取代的聯伸三苯。在特定較佳實施例中，雜芳基在間位經取代以限制直接共軛且保持高三重態能量。出於上述原因，據信間位取代雜芳基鏈保持高三重態能量且可有助於降低對稱性、降低結晶度且提高溶解性。
說明本發明之單聯伸三苯發色團態樣的一般結構展示如下：
其中R1、R2、R3獨立地為H或除聯伸三苯外之非稠合芳基且R1、R2、R3中至少一者不為H。較佳地，R1、R2及R3各自獨立地為氫或具有一或多個間位取代基的非稠合芳基，其中R1、R2及R3中至少一者不為氫，且其中各間位取代基為視情況經選自由非稠合芳基及烷基組成之群之其他取代基取代的非稠合芳基。
此外，R1、R2、R3獨立地為H、除聯伸三苯外之非稠合芳基或非稠合雜芳基且R1、R2、R3中至少一者不為H。較佳地，R1、R2及R3各自獨立地為氫或具有一或多個間位取代基的非稠合芳基或雜芳基，其中R1、R2及R3中至少一者不為氫，且其中各間位取代基為視情況經選自由非稠合芳基、非稠合雜芳基及烷基組成之群之其他取代基取代的非稠合芳基或雜芳基。
說明本發明之單聯伸三苯發色團態樣的其他結構展示如下，其中R'1、R'2、R'3、R'4、R'5、R'6為除聯伸三苯以外的芳基：
其中亞結構A-O之R'1、R'2、R'3、R'4、R'5、R'6為除聯伸三苯以外的芳基或雜芳基。
已合成並證明本發明之單聯伸三苯發色團態樣的特定實例展示如下：
與含有兩個聯伸三苯發色團的比較實例1及2相比，發現該等材料更易溶解。
VTE裝置係用化合物1、2、3、4、7、8、11及12製造。發現該等材料可穩定地用作主體及增強層。此外發現，當用作綠色磷光摻雜劑之主體時，基於亞結構G及F的化合物1、2、3、4及11使綠色摻雜劑發光紅移大大小於比較實例1及2，如藉由表1中所提供之CIE座標以及圖3及圖6中所示之EL光譜所證明。此外亦發現，基於亞結構H及I的化合物7及8具有不僅比比較實例1更小(如表1中之CIE座標所示)、而且比上述實例更小的紅移。對於設計可發出更飽和綠色光的裝置結構，主體之顏色轉移效應為重要手段。裝置數據證明，就CIE座標而言，含有單聯伸三苯的主體材料優於含有兩個聯伸三苯的比較實例。此外，化合物1、2、4、5及8極易溶於有機溶劑中且在溶液處理裝置中用作磷光主體。據信，在該等實例中，間位取代的芳環可有助於減少對稱性並提高溶解性。使用含單聯伸三苯材料作為主體之溶液處理裝置的數據展示於表2中。相比之下，含有兩個聯伸三苯的比較實例1及2對於溶液處理不具有足夠的溶解性。因此，含單聯伸三苯材料就溶解性及可處理性而言可具有明顯優勢。
應注意亞結構F-M較佳。在該等亞結構中，聯伸三苯係經含有其他間位芳基取代基的苯環取代，與可見於WO 2007/108362中之實例相比，此為重要區別。重要的是，聯伸三苯上之經取代之苯環在間位進一步經取代，以便限制苯基-苯基直接共軛。據信，四個對位取代的苯環可形成足夠低的三重態能量以使綠色磷光發光淬滅。因此，亞結構F、G、H及I為最佳亞結構，其中至多存在三個對位取代的苯環。4個對位取代之苯環的淬滅效應藉由比較實例3之裝置數據證明。在此實例中，兩個取代的苯環及聯伸三苯之稠環形成4個對位取代之苯環之直鏈。比較實例3之77K PL可發出具有493nm之λmax峰的磷光。與其他實例相比，使用比較實例3的裝置導致量子效率極低(圖7)。
此外，較佳存在其他間位芳基取代基，以便使材料具有昇華及薄膜熱穩定性質所需之足夠高的分子量。若材料之分子量太低，則材料在極低溫度下昇華，導致沈積過程難以控制。此外，極低分子量可導致材料具有低玻璃轉移溫度(Tg)。若材料具有低Tg且若非常平坦、高度對稱，則材料可能不會形成穩定的非晶形膜且可能傾向於結晶。低Tg會導致不良熱穩定性且亦會導致不良裝置效能。比較實例3及4不具有其他苯基取代基，且據信，其低分子量導致不良熱穩定性且因此導致不良裝置效能。此藉由圖8中之裝置壽命證明。如圖8中所示，分別使用比較實例3及4的裝置8及9當以40mA/cm2之恆定電流密度驅動時具有<100小時之極短半壽命期(T50)。裝置2-6使用具有更高分子量的主體材料且因此形成優良的裝置穩定性，如圖5中所示，其中T50>>100小時。
本發明之單聯伸三苯發色團態樣說明含單聯伸三苯材料可在磷光有機發光二極體中用作主體及增強層。該等材料可優於含有兩個聯伸三苯發色團的主體及增強層。由於只需要聯伸三苯之單偶合反應， 因此含有單聯伸三苯的衍生物更易合成。此外，該等材料更易溶解，從而可供純化技術(諸如柱層析及再結晶)使用。經改良之溶解性亦容許該等材料用作藉由溶劑法(諸如旋轉鑄造法或噴墨式印刷法)製造之裝置中的材料。最後，與用比較實例1及2製造的裝置相比，在實驗上實現單聯伸三苯主體不使磷光摻雜劑之發光紅移。此效應可容許製造具有經改良之色飽和度的裝置。
材料定義：
如本文中所使用，縮寫係指如下材料：CBP：4,4'-N,N-二咔唑-聯苯
m-MTDATA：4,4',4"-參(3-甲基苯基苯基胺基)三苯胺
Alq3：8-參-羥基喹啉鋁
Bphen：4,7-二苯基-1,10-菲啉
n-BPhen：n-摻雜BPhen(摻有鋰)
F4-TCNQ：四氟-四氰基-對醌二甲烷
p-MTDATA：p-摻雜m-MTDATA(摻有F4-TCNQ)
Ir(ppy)3：參(2-苯基吡啶)-銥
Ir(ppz)3：參(1-苯基吡唑根基,N,C(2')銥(III)
BCP：2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啉
TAZ：3-苯基-4-(1'-萘基)-5-苯基-1,2,4-三唑
CuPc：銅酞菁
ITO：氧化銦錫
NPD：N,N'-二苯基-N-N'-二(1-萘基)-聯苯胺
TPD：N,N'-二苯基-N-N'-二(3-甲苯基)-聯苯胺
BAlq：雙(2-甲基-8-羥基喹啉根基)4-苯基苯酚鋁(III)
mCP：1,3-N,N-二咔唑-苯
DCM：4-(二氰基伸乙基)-6-(4-二甲基胺基苯乙烯基-2-甲基)- 4H-哌喃
DMQA：N,N'-二甲基喹吖啶酮
PEDOT：PSS：聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)與聚苯乙烯磺酸鹽(PSS)之水性分散液
HPT：2,3,6,7,10,11-六苯基聯伸三苯
2,7-DCP：2,7-N,N-二咔唑菲
3,3'-DC-o-TerP：3,3'-二咔唑-鄰聯三苯
4,4'-DC-o-TerP：4,4'-二咔唑-鄰聯三苯
2,6'-DCN：2,6-N,N-二咔唑萘
Ir(5-Phppy)3：參[5'-苯基(2-苯基吡啶)]銥(III)
Ir(3-Meppy)3：參(3-甲基-2-苯基吡啶)銥(III)
Ir(1-piq)3：參(1-苯基異喹啉)銥(III)
Ir(3-Mepq)2(acac)：雙[3-甲基-2-苯基喹啉)]乙醯基丙酮酸銥(III)
Ir(5-Phppy)3：參[5'-苯基(2-苯基吡啶)]銥(III)
Ir(pq)2(acac)：雙[2-苯基喹啉]]乙醯基丙酮酸銥(III)
2,2-BT：2,2-雙聯伸三苯
HPT：2,3,6,7,10,11-六苯基聯伸三苯
H1NT：2,3,6,7,10,11-六(1-萘基)聯伸三苯
H2BT：2,3,6,7,10,11-六(2-聯苯)聯伸三苯
現描述本發明之特定典型實施例，包括如何製備該等實施例。應瞭解特定方法、材料、條件、過程參數、裝置及其類似因素不必限制本發明之範圍。
實驗
合成單聯伸三苯化合物1：
將聯伸三苯(19.0g，83mmol)添加至600mL硝基苯中。所有聯伸三苯溶解之後，添加鐵粉(0.07g，1.25mmol)。將反應瓶置於冰浴中。經由加料漏斗緩慢添加50mL硝基苯中之溴(20.0g，125mmol)。隨後，將反應物在冰浴中攪拌5小時。執行HPLC以監測反應(TLC證明聯伸三苯與溴聯伸三苯未分離)。當聯伸三苯：2-溴聯伸三苯：二溴聯伸三苯之比率達到約2：7：1(在254nm下)時，藉由添加Na2SO3溶液來中止反應。接著將混合物用CH2Cl2萃取。將所組合之有機萃取物經MgSO4乾燥且藉由旋轉蒸發移除CH2Cl2。藉由真空蒸餾法移除殘餘硝基苯以得到粗溴聯伸三苯產物，其無需進一步純化便可使用。
將20.0g含有約70%之2-溴聯伸三苯的溴聯伸三苯混合物(基於HPLC、在254nm下監測)、18.7g(73mmol)雙(頻哪醇根基)二硼、1.6g Pd(dppf)2Cl2、20g(200mmol)乙酸鉀及400Ml DMSO在室溫下、在N2下混合。將混合物除氣，接著加熱至80℃歷時12小時。冷卻至室溫之後，將混合物傾注於冰水中。接著藉由過濾收集沈澱物。將固體溶於二氯甲烷中且經硫酸鎂乾燥。藉由使用己烷與二氯甲烷(6：1至3：1)之混合物作為溶離劑的管柱純化粗產物。分離出10g純產物4,4,5,5-四甲基-2-(聯伸三苯-2-基)-1,3,2-二氧硼戊烷。
合成單聯伸三苯化合物2：
稱取12g(39mmol)溴聯伸三苯混合物(含有未反應聯伸三苯、一溴聯伸三苯與二溴聯伸三苯之2：7：1混合物)、13g(86mmol)3-苯基酸、0.6g(1.56mmol)2-二環己基膦基-2',6'-二甲氧基聯苯(SPhos)及25g(117mmol)磷酸三鉀(K3PO4)置於一圓底燒瓶內。將150mL甲苯及80mL水作為溶劑添加至燒瓶內。將溶液用氮氣清洗且添加0.4g(0.39mmol)參(二亞苄基丙酮)二鈀(0)[Pd2(dba)3]。將溶液加熱至回流溫度歷時12個小時。經冷卻，將有機層分離，且經MgSO4乾燥。產物易藉由使用己烷/二氯甲烷作為溶離劑(1/0至3/2梯度)的柱層析法、與聯伸三苯及二-(3-甲氧基苯基)取代之聯伸三苯分離。藉由旋轉蒸發將溶劑移除，且將產物2-(3-甲氧基苯基)聯伸三苯在真空下乾燥隔夜。
在氮氣下，在圓底燒瓶中，將1.8g(5.4mmol)2-(3-甲氧基苯基)聯伸三苯溶於25mL無水二氯甲烷中。將溶液冷卻至-78℃且經由注射器緩慢添加4g(1.5mL，16mmol)三溴化硼。將溶液溫至室溫且攪拌隔夜。小心地添加冰以中止未反應的BBr3。添加冰後，3-(聯伸三苯-2-基)苯酚中間物沈澱，且添加二氯甲烷以將其溶解。將有機層分離且經MgSO4乾燥，藉由旋轉蒸發將二氯甲烷移除，且將產物在真空下乾燥。
在氮氣下，將1.7g(5.3mmol)3-(聯伸三苯-2-基)苯酚與0.84g(10.5mmol)無水吡啶及100mL無水二氯甲烷一起添加至燒瓶中。將溶液於冰浴中冷卻且經由注射器緩慢添加2.97g(10.5mmol)三氟甲烷磺酸酐(Tf2O)。將溶液溫至室溫且攪拌隔夜。將溶液用水洗滌，經MgSO4乾燥且藉由旋轉蒸發移除溶劑。藉由使用己烷/二氯甲烷作為溶離劑(1/0至1/1梯度)的柱層析法將產物3-(聯伸三苯-2-基)苯基三氟甲磺酸酯純化。
此處應注意，官能化中間物3-(聯伸三苯-2-基)苯基三氟甲磺酸酯的合成程序明顯優於上述官能化中間物4,4,5,5-四甲基-2-(聯伸三苯-2-基)-1,3,2-二氧硼戊烷。由於極性大大不同且溶解性優良，因此2-(3-甲氧基苯基)聯伸三苯易藉由柱層析法、相對於未反應聯伸三苯與二取代之3-甲氧基苯基聯伸三苯之混合物純化。相比之下，實務中發現，將4,4,5,5-四甲基-2-(聯伸三苯-2-基)-1,3,2-二氧硼戊烷與二取代的相應材料分離非常困難且費時。因此，3-(聯伸三苯-2-基)苯基三氟甲磺酸酯之合成路線有利於獲得高純度之基於聯伸三苯的光電材料。
合成單聯伸三苯化合物3：
合成單聯伸三苯化合物4：
合成單聯伸三苯化合物5：
合成單聯伸三苯化合物6：
合成單聯伸三苯化合物7：
合成單聯伸三苯化合物8：
合成單聯伸三苯化合物9：
製備三溴苯(10g，31.8mmol)、對甲苯基酸(7.3g，54.0mmol)、三苯膦(1.7g，6.4mmol)與碳酸鉀(23.7g，172mmol)於150mL甲苯與50mL水中之混合物。將氮氣直接鼓入混合物中20分鐘。接 著添加乙酸鈀(0.36g，1.6mmol)。再次將氮氣鼓入混合物中另10分鐘。將混合物在氮氣下加熱至回流隔夜。將反應混合物冷卻至室溫。 將有機層分離且將水層用二氯甲烷萃取。將所組合之有機層經硫酸鎂乾燥，過濾且蒸發。將混合物藉由使用純己烷之二氧化矽管柱純化，得到5.0克白色粉末(47%)。
製備5'-溴-4,4"-二甲基-間聯三苯(1)(4.5g，13.3mmol)、頻哪醇二硼酸酯(pinacol diborate)(4.1g，16.0mmol)、乙酸鉀(3.9g，40mmol)於100mL無水二噁烷中之混合物。將氮氣直接鼓入混合物中15分鐘。接著添加[1,1'-雙(二苯膦基)二茂鐵]二氯鈀(II)(0.33g，0.4mmol)且接著將氮氣鼓入混合物中另10分鐘。將反應混合物在氮氣下加熱至80℃隔夜。次日，將反應混合物冷卻且用二氯甲烷稀釋且用水洗滌兩次。將有機層經硫酸鎂乾燥，過濾且蒸發。將混合物藉由使用至多5%乙酸乙酯/己烷溶離之柱層析法純化。將固體藉由自熱己烷中再結晶來進一步純化，得到3.9克白色固體(76%)。
製備中間物2(3.5g，9.1mmol)與聯伸三苯三氟甲磺酸酯(3.75 g，8.3mmol)、磷酸三鉀(5.3g，24.9mmol)於120mL甲苯與40mL水中之混合物。將氮氣直接鼓入混合物中15分鐘。接著，添加參(二亞苄基丙酮)二鈀(0.76mg，0.08mmol)與SPhos(136mg，0.33mmol)，且接著將氮氣鼓入混合物中另10分鐘。將反應混合物在氮氣下回流隔夜。次日，將反應混合物冷卻至室溫。將有機層分離且藉由二氯甲烷萃取水層。將所組合之有機層經硫酸鎂乾燥，過濾且在減壓下濃縮。將混合物藉由使用至多30%二氯甲烷/己烷溶離之柱層析法純化，得到4.7克白色粉末(92%)。
合成單聯伸三苯化合物10：
製備三溴苯(10g，31.8mmol)、對甲苯基酸(7.3g，54.0mmol)、三苯膦(1.7g，6.4mmol)與碳酸鉀(23.7g，172mmol)於150mL甲苯與50mL水中之混合物。將氮氣直接鼓入混合物中20分鐘。接著添加乙酸鈀(0.36g，1.6mmol)。再次將氮氣鼓入混合物中另10分鐘。將混合物在氮氣下加熱至回流隔夜。將反應混合物冷卻至室溫。將有機層分離且將水層用二氯甲烷萃取。將所組合之有機層經硫酸鎂乾燥，過濾且蒸發。將混合物藉由使用純己烷之二氧化矽管柱純化，得到3.4克無色油狀物(32%)。
製備5'-溴-4,4"-二甲基-間聯三苯(4)(3.5g，10mmol)、頻哪醇二硼酸酯(3.2g，12mmol)、乙酸鉀(3.1g，31mmol)於100mL無水二噁烷中之混合物。將氮氣直接鼓入混合物中15分鐘。接著添加[1,1'-雙(二苯膦基)二茂鐵]二氯鈀(II)(0.25g，0.31mmol)且接著將氮氣鼓入混合物中另10分鐘。將反應混合物在氮氣下加熱至80℃隔夜。次日，將反應混合物冷卻且用二氯甲烷稀釋且用水洗滌兩次。將有機層經硫酸鎂乾燥，過濾且蒸發。將混合物藉由使用至多5%乙酸乙酯/己烷溶離之柱層析法純化。將固體藉由自熱己烷中再結晶來進一步純化，得到2.5克白色固體(63%)。
製備中間物2(1.1當量)與聯伸三苯三氟甲磺酸酯(1當量)、磷酸三鉀(3當量)於甲苯/水(3：1)中之混合物。將氮氣直接鼓入混合物中15分鐘。接著添加參(二亞苄基丙酮)二鈀(1%當量)與SPhos(0.04當量)，且接著將氮氣鼓入混合物中另10分鐘。將反應混合物在氮氣下回流隔夜。次日，將反應混合物冷卻至室溫。將有機層分離且藉由二氯甲烷萃取水層。將所組合之有機層經硫酸鎂乾燥，過濾且在減壓下濃縮。將混合物藉由使用至多30%二氯甲烷/己烷溶離之柱層析法純化以得到最終產物。
合成單聯伸三苯化合物11：
稱取12.9g(28.5mmol)3-(聯伸三苯-2-基)苯基三氟甲磺酸酯、6.5g(42.8mmol)3-苯基酸、0.47g(1.1mmol)2-二環己基膦基-2',6'-二甲氧基聯苯(SPhos)與18.2g(85.5mmol)磷酸三鉀(K3PO4)置於一圓底燒瓶中。將150mL甲苯及80mL水作為溶劑添加至燒瓶內。將溶液用氮氣清洗且添加0.26g(0.28mmol)參(二亞苄基丙酮)二鈀(0)[Pd2(dba)3]。將溶液加熱至回流溫度歷時12個小時。經冷卻，將有機層分離，且經MgSO4乾燥。產物易藉由使用己烷/二氯甲烷作為溶離劑(1/0至3/2梯度)的柱層析法分離。藉由旋轉蒸發移除溶劑，形成11.7g(28mmol)產物2-(3'-甲氧基聯苯-3-基)聯伸三苯。
在氮氣下，在圓底燒瓶中，將11.5g(28mmol)2-(3'-甲氧基聯苯-3-基)聯伸三苯及21.1g(183mmol)鹽酸吡啶加熱至204℃。冷卻後，添加水並用二氯甲烷萃取。將所組合之有機溶離份用額外水洗滌並藉由旋轉蒸發移除溶劑。將固體乾燥裝填於矽藻土上，且藉由使用己烷：二氯甲烷(1：4)作為溶離劑的柱層析法純化產物。藉由旋轉蒸發移除溶劑，形成8.6g(22mmol)產物3'-(聯伸三苯-2-基)聯苯-3-醇。
在氮氣下，將8.6g(22mmol)3'-(聯伸三苯-2-基)聯苯-3-醇與3.4g(43.4mmol)無水吡啶及450mL無水二氯甲烷一起添加至燒瓶中。將溶液於冰浴中冷卻且經由注射器緩慢添加12.2g(43.4mmol)三氟甲烷磺酸酐(Tf2O)。將溶液溫至室溫且攪拌隔夜。將溶液用水洗滌，經MgSO4乾燥且藉由旋轉蒸發移除溶劑。藉由使用己烷/二氯甲烷作為溶離劑(1/0至1/1梯度)的柱層析法純化產物3'-(聯伸三苯-2-基)聯苯-3-基三氟甲磺酸酯，形成10.7g(20.2mmol)產物。
稱取9.7g(18.4mmol)3'-(聯伸三苯-2-基)聯苯-3-基三氟甲磺酸酯、5.5g(27.7mmol)4-聯苯酸、0.3g(0.74mmol)2-二環己基膦基-2',6'-二甲氧基聯苯(SPhos)及11.7g(55.3mmol)磷酸三鉀(K3PO4)置於一圓底燒瓶中。將150mL甲苯及80mL水作為溶劑添加至燒瓶內。將溶液用氮氣清洗且添加0.17g(0.18mmol)參(二亞苄基丙酮)二鈀(0)[Pd2(dba)3]。將溶液加熱至回流溫度歷時12個小時。經冷卻，將有機層分離，且經MgSO4乾燥並過濾。藉由旋轉蒸發移除溶劑並將固體於甲苯中重結晶並在高真空下昇華，產生6g(11.2mmol)化合物11。
合成單聯伸三苯化合物12：
4,4'-二甲氧基-鄰聯三苯
製備由1,2-二溴苯(50g，212mmol)、4-甲氧基苯基酸(78g，513mmol)、三苯膦(11.12g，42.2mmol)、碳酸鉀(73.25g，530mmol)、二甲氧基乙烷(290mL)與水(290mL)組成的混合物。將氮氣直接鼓入混合物中20分鐘。添加乙酸鈀(4.76g，21.2mmol)且將混合物在氮氣下加熱至回流溫度隔夜。將反應混合物冷卻且添加水及二氯 甲烷。將各層分離且將水層用二氯甲烷萃取。將所組合之有機層經由矽藻土過濾且用鹽水洗滌，經硫酸鎂乾燥，過濾，蒸發，得到黑色油狀物。藉由使用0至100%二氯甲烷/己烷溶離的柱層析法純化粗物質。使用Kugelrohr、在200至220℃下、藉由蒸餾將最純淨的溶離份純化。產物殘留於沸騰燒瓶中且雜質連同一些產物一起餾入燒瓶內。獲得49g(80%)純淨產物。
2,11-二甲氧基聯伸三苯
將12.4g(42.7mmol)4,4'-二甲氧基-鄰聯三苯及16g(63.0mmol)碘片置於250mL反應容器中。添加200mL甲苯，接著添加30mL環氧丙烷。裝設配有藉由再循環冷卻器冷卻之冷凝器的光反應器。使用400W中壓汞燈作為光源。將反應容器置於櫥櫃中。點燈(冷卻器溫度設置成使得離開反應器之水維持在20℃與25℃之間(藉由連接排出流之熱電偶監測))。反應進行18小時。濾出固體且用己烷洗滌，僅回收2.2g物質。將濾液用甲苯稀釋且用硫酸鈉溶液洗滌。將水層用甲苯反萃取，且將有機層經硫酸鎂乾燥，過濾且蒸發。將物質溶於甲苯且添加亞硫酸鈉溶液並攪拌。將各層分離，用甲苯萃取水層，且將所組合之有機層經硫酸鎂乾燥，過濾且蒸發。藉由使用0至100%乙酸乙酯/己烷溶離的柱層析法純化殘餘物。獲得8.8g物質(72%)。
聯伸三苯-2,11-二醇
將2,11-二甲氧基聯伸三苯(8.8g，30.5mmol)與鹽酸吡啶(31.73g，274.6mmol)之混合物加熱至220℃歷時2小時。將混合物冷卻並添加水。將所得固體濾出，用水洗滌，且在高真空下乾燥。獲得7.45g(94%)所要產物。
聯伸三苯-2,11-二基雙(三氟甲磺酸酯)
將聯伸三苯-2,11-二醇(7.45g，28.62mmol)添加至100mL二氯甲烷及13mL吡啶中且將溶液於冰鹽浴中冷卻。在氮氣下，將70mL二氯甲烷中之三氟甲烷磺酸酐(19mL，114.49mmol)逐滴添加至該溶液中。使反應進行2小時且藉由添加甲醇及水、繼之用二氯甲烷稀釋來中止反應。濾出黃褐色固體並用二氯甲烷及水洗滌。將濾液中之各層分離並用二氯甲烷萃取水層。將有機萃取物經硫酸鎂乾燥，過濾並蒸發以得到褐色固體。藉由使用0至100%二氯甲烷/己烷溶離的柱層析法純化褐色固體。獲得1.8g所要產物。將處理中濾得的褐色固體藉由在170℃下昇華、接著自300mL沸騰甲苯中再結晶兩次來純化。獲得9.6g所要物質，總計11.4g(76%)。
2,11-二(苯基-3-基)聯伸三苯
製備聯伸三苯-2,11-二基雙(三氟甲磺酸酯)(3.0g，5.72mmol)、3-聯苯酸(2.72g，13.73mmol)、2-二環己基膦基-2',6'-二甲氧基聯苯(188mg，0.458mmol)、磷酸三鉀(7.21g，34.32mmol)、甲苯(120mL)及水(50mL)之混合物。將氮氣直接鼓入溶液中30分鐘。接著添加參(二亞苄基丙酮)二鈀(0)(105mg，0.114mmol)並將反應混合物在氮氣下加熱至回流隔夜。將反應混合物冷卻且將固體濾出並用水及甲醇洗滌。將固體溶於沸騰甲苯中且經由硫酸鎂過濾。在處理中，自濾液中分離物質。將所組合之物質如下純化：柱層析(用0至50%二氯甲烷/己烷溶離)、昇華、柱層析(用20%及30%二氯甲烷/己烷溶離)、自二氯甲烷/己烷中再結晶，且在270℃下昇華。獲得1.5g(50%)純產物。
合成比較實例3：
4-苯基-1,2-二氯苯
製備1-溴-3,4-二氯苯(20.0g，88.5mmol)、苯基酸(13.5g，110.6mmol)、三苯膦(2.32g，8.85mmol)、碳酸鉀(30.58g，221.25mmol)、150mL二甲苯與150mL水之混合物。將混合物攪拌並將氮氣鼓入其內20分鐘。添加乙酸鈀(0.99g，4.425mmol)且將混合物在氮氣下、在120℃下加熱隔夜。冷卻至室溫且用水及二氯甲烷稀釋。將混合物經由矽藻土過濾並將矽藻土用水及二氯甲烷洗滌。將各層分離且將水層用二氯甲烷萃取。將有機層經硫酸鎂乾燥，過濾並蒸發以產生褐色油狀物。將粗物質藉由使用己烷溶離的柱層析法純化。收集含有產物的最純淨溶離份。獲得6g(30%)純淨產物。
4-苯基-1,2-(4'-聯苯)苯
製備4-苯基-1,2-二氯苯(6.0g，26.9mmol)、4-聯苯酸(13.3g，67.2mmol)、參(二亞苄基丙酮)二鈀(0)(739mg，0.807mmol)、氟化鉀(6.95g，120.0mmol)與150mL THF之混合物。攪拌的同時，將氮氣鼓入混合物中15分鐘。接著，添加三-第三丁基膦(1M，於甲苯 中，1.6mL，1.614mmol)，且將混合物在氮氣下回流隔夜。將反應物冷卻至室溫且經由矽藻土過濾。用二氯甲烷洗滌矽藻土並蒸發濾液。將殘餘物溶解於二氯甲烷中並濾出不溶性灰白色固體。將濾液藉由使用二氯甲烷/己烷溶離的柱層析法純化，得到11.4g(92%)白色固體。
2,6,11-三苯基聯伸三苯
製備4-苯基-1,2-(4'-聯苯)苯(5g，10.90mmol)於150mL二氯甲烷中之溶液並在氮氣下、於乾冰-丙酮浴液中冷卻。向此溶液中逐滴添加[雙(三氟乙醯氧基)碘]苯(11.7g，27.26mmol)與三氟化硼乙醚(4.1mL，32.7mmol)於125mL二氯甲烷中之溶液。將反應物於乾冰-丙酮浴液中攪拌2小時，且接著使用冰浴溫至0℃。將反應物用甲醇及亞硫酸鈉水溶液中止且用二氯甲烷稀釋。將各層分離且將水層用二氯甲烷萃取。將有機層經硫酸鎂乾燥，過濾且蒸發，得到殘餘物，將殘餘物溶解於二氯甲烷中。濾出不溶性灰色固體。將濾液蒸發且藉由使用二氯甲烷/己烷溶離的柱層析法純化。將產物自二甲苯中重結晶，且接著在250℃下昇華。將該物質在190℃下昇華4日以移除雜質，接著藉由使用3：1己烷：二氯甲烷溶離的柱層析法純化以除色。最後，將該物質在230℃下昇華，獲得0.98g(20%)白色固體。
合成比較實例4：
1,2-(4'-聯苯)苯
向1L之3頸圓底燒瓶中添加1,2-二溴苯(25g，106mmol)、4-聯苯酸(52.5g，265mmol)、三苯膦(5.6g，21.2mmol)、碳酸鉀(36.6g，265mmol)、160mL DME及160mL水。將氮氣鼓入混合物中30分鐘，且接著添加乙酸鈀(2.4g，10.6mmol)。將反應混合物在氮氣下回流隔夜。將反應混合物冷卻至室溫。收集黑色固體並用水洗滌，接著乾燥，得到54.1g產物。將其一部分(15.2g)藉由使用二氯甲烷/己烷溶離的柱層析法、繼之自甲苯/己烷中再結晶來純化。
2,11-二苯基聯伸三苯
製備1,2-(4'-聯苯)苯(4.44g，11.61mmol)於110mL二氯甲烷中之溶液且在氮氣下、於乾冰-丙酮浴液中冷卻。向此溶液中逐滴添加[雙(三氟乙醯氧基)碘]苯(12.73g，29.6mmol)與三氟化硼乙醚(4.4mL，34.83mmol)於100mL二氯甲烷中之溶液。將反應物於乾冰-丙酮浴液中攪拌2小時，且接著使用冰鹽浴溫至0℃。將反應物用甲醇及亞硫酸鈉水溶液中止且用二氯甲烷稀釋。產生乳液；接著將混合物經由矽藻土過濾。將各層分離且將水層用二氯甲烷萃取。將有機層用鹽水洗滌，經硫酸鎂乾燥，過濾，蒸發，得到殘餘物。將殘餘物藉由柱層析兩次(使用二氯甲烷/己烷溶離)、接著在210℃下昇華來純化。獲得0.51g(12%)白色固體。
VTE裝置資料：
裝置1-9係使用高真空熱蒸發法(VTE)、在1200Å厚ITO上製造。所有裝置皆使用以下裝置結構及層厚度製造：ITO/HIL(100Å)/HTL(300Å)/EML(300Å)/ETL2(50Å)/ETL1(450Å)/LiF/Al。該等層定義如下：HIL為電洞注入層，HTL為電洞傳遞層，EML為摻雜發光層，ETL2為增強層且ETL為電子傳遞層。所有裝置皆用包含摻雜劑1之HIL，NPD之HTL及Alq3之ETL製造。EML包含以10wt%摻有發綠色光摻雜劑1的不同單聯伸三苯主體。所用BL為含有HPT或聯伸三苯的主體。使用10Å厚之LiF層、繼之1000Å厚之Al層作為陰極。所有裝置皆以40mA/cm2之恆定電流密度進行壽命測試。VTE裝置之特性展示於表1及圖3-8中。
裝置1：ITO/摻雜劑1/NPD/化合物1：摻雜劑1(10%)/化合物1/Alq3/LiF/Al
裝置2：ITO/摻雜劑1/NPD/化合物2：摻雜劑1(10%)/化合物2/Alq3LiF/Al
裝置3：ITO/摻雜劑1/NPD/化合物4：摻雜劑1(10%)/化合物4/Alq3/LiF/Al
裝置4：ITO/摻雜劑1/NPD/化合物7：摻雜劑1(10%)/HPT/Alq3/LiF/Al
裝置5：ITO/摻雜劑1/NPD/化合物8：摻雜劑1(10%)/HPT/Alq3/LiF/Al
裝置6：ITO/摻雜劑1/NPD/化合物11：摻雜劑1(10%)/HPT/Alq3/LiF/Al
裝置7：ITO/摻雜劑1/NPD/比較實例1：摻雜劑1(10%)/HPT/Alq3/LiF/Al
裝置8：ITO/摻雜劑1/NPD/比較實例3：摻雜劑1(10%)/比較實例3/Alq3/LiF/Al
裝置9：ITO/摻雜劑1/NPD/比較實例4：摻雜劑1(10%)/比較實例4/Alq3/LiF/Al
材料定義：
摻雜劑1及HPT具有以下結構：
溶液處理裝置資料：
使用如下溶液法製造裝置10-15：電洞注入層係由HIL及摻雜劑三苯甲基-肆(五氟苯基)硼酸脂(CD1)於環己酮中之0.25wt%溶液、以4000rpm旋塗30秒而成。將塗膜在250℃下烘焙30分鐘。對於電洞傳遞層，將N4,N4'-二(萘-1-基)-N4,N4'-雙(4-乙烯基苯基)聯苯-4,4'-二胺於甲苯中之1.0wt%溶液以4000rpm旋塗於電洞注入層上歷時30秒。接著將塗膜於手套箱中、在熱板上、在200℃下、烘焙30分鐘。烘焙之後，膜成為不溶物。冷卻至室溫之後，藉由將0.75wt%主體與摻雜劑2(主體與摻雜劑比率：88：12)之溶液以1000rpm旋塗於電洞傳遞層上歷時30秒來沈積發光層。接著將發光層在100℃下烘焙一小時。隨後藉由真空熱蒸發法沈積2,3,6,7,10,11-六苯基聯伸三苯(HPT)之5nm厚度層及Alq3之50nm厚度層，接著沈積LiF/Al陰極。
材料定義：
摻雜劑2：化合物G1、G2、G3與G4以2：37：53：7比率之混合物
諸如顯示器、照明等應用中非常需要具有很高裝置效率的磷光裝置。對於全色及照明應用，紅色、綠色及藍色之高操作穩定性為必需的。由於藍色磷光摻雜劑發光物具有高三重態能量的性質，因此需要具有高三重態能量的主體材料以便可獲得高裝置效率。在OLED中，具有擴展之π-共軛的多芳族化合物一般展現相當長的壽命。然而，具有擴展之π-共軛的多芳族化合物一般亦具有低三重態能量。舉例而言，蒽具有1.8eV之三重態能量，此低於紅色磷光摻雜劑(諸如Ir(1-piq)2(acac))之三重態能量。因此，使用蒽化合物作為主體、Ir(1-piq)2(acac)作為摻雜劑發光物的裝置因淬滅而效率極低。將蒽中之一 稠合苯環減去得到為最小稠合多芳族化合物的萘。然而，其仍具有2.6eV之三重態能量，此低於深藍色磷光摻雜劑(諸如Ir(4,6-F2-5CNppy)3)之三重態能量。然而，聯伸三苯儘管其具有四個稠環構型，但具有2.9eV之三重態能量，據信此適於深藍色磷光摻雜劑，諸如Ir(4,6-F2-5CNppy)3。聯伸三苯可以多種方式衍生化，諸如添加烷基或芳基、經由不同位置連接多個或稠合聯伸三苯以調節電子性質(例如共軛、三重態能量、HOMO/LUMO能階等)、結構性質(例如平坦性、非平坦性、對掌性)及物理性質(例如昇華溫度、溶解度)。聯伸三苯化合物不僅提供較大π-共軛度、而且提供較高三重態能量的獨特性質使得其非常適於穩定且高效率的PHOLED。
應瞭解，本文中所述的不同實施例僅視為實例，且不希望限制本發明之範圍。舉例而言，具有一或多個間位取代基的非稠合芳基可在任何位置與聯伸三苯連接。在不背離本發明之精神的情況下，本文中所述的很多物質及結構可經其他物質及結構取代。應瞭解本發明運作原理不希望受到各種理論限制。
100‧‧‧有機發光裝置
110‧‧‧基板
115‧‧‧陽極
120‧‧‧電洞注入層
125‧‧‧電洞傳遞層
130‧‧‧電子障壁層
135‧‧‧發光層
140‧‧‧電洞障壁層
145‧‧‧電子傳遞層
150‧‧‧電子注入層
155‧‧‧保護層
160‧‧‧陰極
162‧‧‧第一導電層
164‧‧‧第二導電層
200‧‧‧倒置OLED
210‧‧‧基板
215‧‧‧陰極
220‧‧‧發光層
225‧‧‧電洞傳遞層
230‧‧‧陽極
圖1展示具有單獨電子傳遞層、電洞傳遞層及發光層及其他層的有機發光裝置。
圖2展示不具有單獨電子傳遞層的倒置有機發光裝置。
圖3展示裝置1-6之EL光譜。
圖4展示裝置1-6之量子效率與亮度的關係。
圖5展示裝置2-6之壽命測試數據(40mA/cm2)。
圖6展示裝置7-9之EL光譜。
圖7展示裝置8-9之量子效率與亮度之間的關係。
圖8展示裝置8-9之壽命測試數據(40mA/cm2)。
圖9展示化合物1之1H NMR光譜。
圖10展示化合物2之1H NMR光譜。
圖11展示化合物4之1H NMR光譜。
圖12展示單聯伸三苯發色團。

Claims (11)

  1. 一種包含式I之聯伸三苯核心的化合物： 其中R1、R2及R3各自獨立地為氫、具有一或多個間位取代基的非稠合芳基或非稠合雜芳基，其中R1、R2及R3中至少一者不為氫；其中各間位取代基為視情況經選自由非稠合芳基、非稠合雜芳基及烷基組成之群之其他取代基取代的非稠合芳基或雜芳基；且其中R1、R2及R3中至少一者為具有至少一間位取代基的非稠合芳基或雜芳基，該間位取代基為未經取代之非稠合芳基或雜芳基。
  2. 如請求項1之化合物，其中R1、R2及R3中至少一者為具有至少一間位取代基的非稠合芳基或雜芳基，該間位取代基為經一或多個非稠合芳基或雜芳基進一步取代的非稠合芳基或雜芳基。
  3. 如請求項1之化合物，其中至少一間位取代基係經至少兩個非稠合芳基或雜芳基之鏈取代。
  4. 如請求項1至3中任一項之化合物，其中R1、R2及R3中至少兩者為具有至少一間位取代基的非稠合芳基或雜芳基，該間位取代基為視情況經選自由非稠合芳基、非稠合雜芳基及烷基 組成之群之其他取代基取代的非稠合芳基或雜芳基。
  5. 如請求項1至3中任一項之化合物，其中R1、R2及R3各自包括至多三個對位取代的苯環。
  6. 如請求項1至3中任一項之化合物，其具有至多三個對位取代的苯環，包括該聯伸三苯核心之苯環在內。
  7. 如請求項1至3中任一項之化合物，其中R1、R2及R3各自獨立地為氫或具有一或多個間位取代基的非稠合芳基，其中R1、R2及R3中至少一者不為氫；其中各間位取代基為視情況經選自由非稠合芳基及烷基組成之群之其他取代基取代的非稠合芳基；且其中R1、R2及R3中至少一者為具有至少一間位取代基的非稠合芳基，該間位取代基為未經取代之非稠合芳基。
  8. 一種有機發光裝置，其包含：一陽極；一陰極；一配置於該陽極與該陰極之間的有機層，其中該有機層包含如請求項1至7中任一項之化合物。
  9. 如請求項8之有機發光裝置，其中該有機層為具有主體及發光摻雜劑的發光層，且該化合物為該主體。
  10. 如請求項8或9之有機發光裝置，其中該發光摻雜劑為磷光摻雜劑。
  11. 如請求項8或9之有機發光裝置，其中R1、R2及R3各自獨立地為氫或具有一或多個間位取代基的非稠合芳基，其中R1、R2及R3中至少一者不為氫；其中各間位取代基為視情況經選自由非稠合芳基及烷基組 成之群之其他取代基取代的非稠合芳基；且其中R1、R2及R3中至少一者為具有至少一間位取代基的非稠合芳基，該間位取代基為未經取代之非稠合芳基。
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