TW201426900A - 基板定向腔室 - Google Patents
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Abstract
茲提供用以在基板處理系統中測定基板之方向的定向腔室。在一些實施例中，一種定向腔室包括包圍內部體積的殼體；位於該殼體內部的可旋轉台座，該可旋轉台座包括基板支撐表面，該基板支撐表面適以支撐基板；位於該台座上方的光源，當基板被載至該可旋轉台座上時，定位該光源以提供照明光至該基板之外週，其中來自該光源的該照明光係從垂直線傾斜一個角度朝向該基板之中心，該垂直線垂直於該基板支撐表面延伸；具有光接收表面的光接收單元，該光接收表面上設置複數個光接收元件，該複數個光接收元件接收來自該光源的該照明光；以及分析由該等光接收元件接收的該照明光之分析單元。
Description
本發明之實施例大體而言係關於半導體處理設備。
整合多個腔室的多腔室半導體製造系統被使用於處理基板，以製造半導體元件。在多腔室製造系統中，使用傳輸機器人在相關的腔室之間傳輸基板。該系統可以包括定向腔室，該定向腔室從機器人接收在可轉動台座上的基板，並偵測在該台座上的基板之位置和方向，以便於在處理參數範圍內將基板放置在隨後的腔室中。
一些定向腔室使用光源和光接收單元來進行基板的邊緣檢測。該光源照亮基板的一部分外週。其中一些光被基板阻擋而無法到達光接收單元，從而被識別為陰影區。到達光接收單元的光則被識別為傳輸區。當基板旋轉一週時，分析單元分析光接收單元上的陰影區位置變化，並基於此變化決定方向和偏心度。
然而，發明人已經觀察到的是，使用一些傳統的定向腔室並無法明確地確定陰影區和傳輸區。因此，發明人提供了一種用以在基板定向腔室中進行基板檢測的改良設備及
方法。
茲提供用以在基板處理系統中測定基板之方向的定向腔室。在一些實施例中，一種定向腔室包括包圍內部體積的殼體；位於該殼體內部的可旋轉台座，該可旋轉台座包括基板支撐表面，該基板支撐表面適以支撐基板；位於該台座上方的光源，當基板被載至該可旋轉台座上時，定位該光源以提供照明光至該基板之外週，其中來自該光源的該照明光係從垂直線傾斜一個角度朝向該基板之中心，該垂直線垂直於該基板支撐表面延伸；具有光接收表面的光接收單元，該光接收表面上設置複數個光接收元件，該複數個光接收元件接收來自該光源的該照明光；以及分析由該等光接收元件接收的該照明光之分析單元。
在一些實施例中，一種定向腔室包括包圍內部體積的殼體；位於該殼體內部的可旋轉台座，該可旋轉台座包括基板支撐表面，該基板支撐表面適以支撐基板；位於該台座上方的雷射光源，當基板被載至該可旋轉台座上時，定位該雷射光源以提供照明光至該基板之外週，其中來自該光源的該照明光係從垂直線傾斜約55°至約75°的角度朝向該基板之中心，該垂直線垂直於該基板支撐表面延伸；具有光接收表面的光接收單元，該光接收表面上設置複數個電荷偶合裝置光接收元件，該複數個電荷偶合裝置光接收元件接收來自該光源的該照明光；以及分析由該等光接收元件接收的該照明光之分析單元。
在一些實施例中，一種用於定向腔室的方法包括將基板支撐於基板支撐表面上；提供從垂直線以介於約55°和約75°的角度傾斜的照明光至該基板之外週；旋轉上面支撐該基板的該基板支撐表面至少一週；在光接收單元之光接收表面上接收被該基板之該外週散射的光；將該接收的散射光識別為陰影區；發送該陰影區之位置變化至分析單元；分析該陰影區之該位置變化；以及基於該陰影區之該位置變化測定該基板之方向及偏心度。
以下更詳細地描述其他的實施例及變化。
100‧‧‧定向腔室
112‧‧‧殼體
113‧‧‧內部體積
114‧‧‧台座
115‧‧‧基板支撐表面
116‧‧‧旋轉軸
117‧‧‧箭頭
118‧‧‧光源
119‧‧‧箭頭
120‧‧‧光接收單元
120a‧‧‧光接收表面
121‧‧‧光接收元件
122‧‧‧分析單元
124‧‧‧垂直線
126‧‧‧陰影區
128‧‧‧傳輸區
202‧‧‧水平軸
204‧‧‧垂直軸
208‧‧‧點
210‧‧‧點
212‧‧‧點
214‧‧‧點
216‧‧‧點
300‧‧‧定向腔室
324‧‧‧反射構件
326‧‧‧反射片、反射層
400‧‧‧半導體製造系統
402‧‧‧傳輸腔室
404‧‧‧傳輸機器人
406‧‧‧負載鎖定腔室
408‧‧‧定向腔室
410‧‧‧製程腔室
508‧‧‧定向腔室
512‧‧‧殼體
514‧‧‧台座
516‧‧‧軸
517‧‧‧箭頭
518‧‧‧光源
520‧‧‧光接收單元
522‧‧‧分析單元
A‧‧‧角度
R‧‧‧直角
W‧‧‧基板
可以藉由參照附圖中繪示的本發明之說明性實施例來了解以上簡單概述的和以下更加詳細討論的本發明之實施例。然而應注意的是，附圖說明的只是本發明的典型實施例，因而不應將附圖說明視為是對本發明範圍作限制，因本發明可認可其他同等有效的實施例。
第1圖為繪示依據本發明之一些實施例的定向腔室之概觀的剖面示意圖。
第2A圖繪示使用傳統的定向腔室檢測透明基板之外週的結果。
第2B圖繪示使用依據本發明之一些實施例的定向腔室檢測透明基板之外週的結果。
第2C圖繪示使用依據本發明之一些實施例的定向腔室檢測透明基板之外週的結果。
第2D圖繪示使用依據本發明之一些實施例的定向
腔室檢測透明基板之外週的結果。
第3圖為繪示依據本發明之一些實施例的定向腔室之概觀的剖面示意圖。
第4圖為半導體製造系統之平面圖，其中可以使用
本發明的定向腔室。
第5圖為圖示傳統定向腔室之概觀的剖面圖。
為了便於瞭解，已經在可能之處使用相同的元件符號來表示圖式共有的相同元件。圖式並未依比例繪製，並且可以為了清晰而簡化圖式。構思的是，可以受益地將一個實施例的元件和特徵併入其他實施例中而不需進一步描述。
本發明係關於一種用以在定向腔室中檢測台座上的基板之位置的方法及設備。以下參照圖式來說明本發明之實施例。
第1圖圖示依據本發明之實施例的定向腔室100之實施例。定向腔室100被用來作為構成例如第4圖中圖示的半導體製造系統400的腔室。
在第1圖中，依據本發明的一些實施例，定向腔室100包含包圍內部體積113的殼體112，內部體積113可以被保持在真空狀態下。殼體112可以由金屬形成，而且在非限制性的實例中可由鋁所形成。圓盤形的可旋轉台座(台座114)被水平設置在殼體112內部，並且設以將基板W支撐在基板支撐表面115上，基板W例如透明的基板。旋轉軸116被結合於台座114的底面中心，並且台座114可以在箭頭117的
方向上旋轉。
在殼體112內的台座114上方設置光源118，定位光源118來提供照明光(以箭頭119繪示的光)到基板W的外週。在非限制性的實例中，光源118可以是雷射光源，該雷射光源發射波長為例如約650nm的光。從光源118發射的光從垂直線124以規定的傾斜角度A傾斜朝向上述基板的中心，垂直線124從基板的外週向上延伸(即垂直於基板支撐表面115)，如第1圖和第3圖所示。在一些實施例中，傾斜角度A為約55℃至約75℃或約60℃至約70℃。
在殼體112中台座114的下方設置光接收單元120，光接收單元120接收來自光源118並照亮基板W外週的光。將光接收單元120的光接收表面120a設置成與來自光源118以箭頭119繪示的光形成角度90°的直角R。將複數個光接收元件121(例如電荷耦合裝置(CCD)元件)設置在光接收單元120的光接收表面120a上，並且可以在光接收表面120a上的任意位置測定是否接收到光。
定向腔室100還設置有分析單元122，分析單元122分析由光接收單元120接收的光，以分析台座114上的基板W之方向和位置。
以下將參照圖式進一步說明上述定向腔室100之操作。
第4圖圖示半導體製造系統400之實例，其中可以使用本發明之定向腔室408。半導體製造系統400設置有傳輸腔室402，傳輸腔室402使用傳輸機器人404傳輸半導體基板
W到每一個腔室，傳輸機器人404被設置在傳輸腔室402內部。該傳輸腔室可以被保持在真空狀態下。設置負載鎖定腔室406，其中將負載鎖定腔室406內部的壓力從大氣壓狀態改變為真空狀態，以傳輸半導體晶圓進入傳輸腔室402、檢測和調整被載至傳輸機器人404上的半導體晶圓之位置和方向的定向腔室408、以及執行規定處理的製程腔室410，該規定處理例如使用物理氣相沉積(PVD)或化學氣相沉積(CVD)、蝕刻或半導體基板上的其他處理的膜形成。
在半導體製造系統中，例如第4圖中圖示的半導體製造系統400，使用傳輸機器人404將基板W從負載鎖定腔室406傳輸到定向腔室408。基板W被載至台座114上(第1圖)，然後旋轉台座114，使得半導體基板W的外週被來自光源118的光照亮。來自光源118並到達基板W外週的光被基板W的外週反射和散射，並且被接收於光接收表面120a上。此光被光接收單元120識別為是陰影區126。來自光源118並通過基板W外部的光保持不變(即未被反射或散射)地被接收於光接收表面120a上，而且此光被光接收單元120識別為傳輸區128。
基板W的外週可以設置有平坦面(定向平面部分)或凹口(切口部)，以便測定基板W的方向。基板W外週的形狀變化(例如定向平面部分或切口部)或基板W的任何偏心度表現為陰影區126被產生在光接收單元120上的位置之變化。例如，假使基板W偏離中心(當基板W的中心和台座114的旋轉中心未對準時)，則當在台座114上旋轉基板W
時，陰影區126出現在光接收表面120a上的位置會改變。
進行以來自光源118的光照射基板W，直到基板W轉動最少一週。由光接收單元120接收的有關陰影區126和傳輸區128的資訊被發送到分析單元122，其中該資訊可以被儲存和分析。分析單元122基於陰影區126和傳輸區128的變化來測定基板W的方向和偏心度。藉此，當從定向腔室408收集基板W時，能夠藉由調整傳輸機器人404的操作而使基板W被以所需的位置和方向載至傳輸機器人404上。
使用依據本發明的定向腔室100，從光源118發射的光從垂直線124傾斜而朝向上述基板的中心，垂直線124從基板W的外週向上延伸，所以在基板W的外週形成的陰影區126被較長地形成在光接收表面120a上。藉此，能夠更可靠地測定基板W的外週。
接著以應用實例更詳細地說明本發明。第2A圖以圖形圖示使用傳統的定向腔室處理透明基板的結果，該透明基板例如基板W。一些傳統的定向腔室，例如定向腔室508包括台座514，以在殼體512內支撐晶圓W。支撐台座514以在軸516上旋轉(由箭頭517指示)。光源518照射基板W的週邊部分。由光接收單元520接收的陰影區和傳輸區相關資訊被發送到分析單元522。
第2B-2D圖以圖形繪示使用本發明的定向腔室100處理透明基板的結果，該透明基板例如基板W。在第2A-2D圖中，水平軸202表示光接收單元120的光接收表面120a上的座標值。垂直軸204表示在每個座標位置光接收元件121
的光接收狀態。垂直軸204具有尺度，使得當光接收元件121所接收的光量為小的時候，圖形表示(即數據點)被圖示為比光接收元件121接收大量光的相關圖形表示距離水平軸202更遠。每個圖式中的上部圖形表示指示實際量測的數據，而較低的水準顯示藉由施加閾值處理指示個別的光接收元件121是否實際接收到光的結果。在第2A-2D圖中，光接收元件121從接收光變化到不接收光的點表示基板W的外週。
第2A圖圖示基板W的外週被發射自光源的光以90°的角度(傳統的定向腔室)照射的情況，如第5圖所示。第2B-2D圖圖示依據本發明圖示於第1圖的一些實施例發射自光源的光分別以從垂直線124為55°、65°及75°的角度A傾斜朝向上述基板W之中心的情況，垂直線124從基板W的外週向上延伸。
在第2A圖中，在多個位置檢測光接收元件121從不接收光變化到接收光的點，例如208、210、212、214及216。從不接收光到接收光的多個轉變使得檢測陰影區126更加困難。與此相反的是，在第2B-2D圖中這種情況得到了改善。特別是在第2C圖，其中光以65°的角度A傾斜，只在一個位置222檢測到對應於陰影區126從不接收光到接收光的轉變(第1圖)，這有益地影響了陰影區126的檢測。
第3圖繪示依據本發明的定向腔室300之實施例。在下面的說明中，關於上述定向腔室100的架構，使用了相同的元件符號並省略其詳細說明。
如第3圖所表示的，定向腔室300包含用於反射來
自光源118的光(以箭頭119表示)從而照亮半導體基板W之外週的反射構件324。反射構件324被定位成將光反射到光接收單元120上，光接收單元120被水平設置於台座114下方。反射構件324可以包含反射片、反射層326，反射片、反射層326可以由與用於殼體內側(對於非限制性的實例為鋁)相同的金屬材料所形成。也可以使用真空腔室鏡，其中依序將氣相沉積的鋁層和氧化矽層沉積在石英基板上。
使用圖示實施例中的定向腔室300，發射自傾斜光源118的光被反射構件324反射到水平設置的光接收單元120，所以實現的效果為便利個別構件的對齊，該等構件例如台座114、光源118及光接收單元120，並且可以實現腔室的空間經濟。
本文所述的定向腔室之實施例可以改良晶圓陰影區的識別，該晶圓例如透明晶圓，從而克服上述的問題。如上所述，使用了本發明的定向腔室，發射自光源的光從垂直線傾斜朝向上述基板的中心，該垂直線從基板的外週向上延伸，所以由基板W的外週形成的陰影區可被較長地投射於光接收表面。藉此，能夠更加可靠地測定透明基板的外週。
雖然前述係針對本發明之實施例，但在不偏離本發明之基本範圍下，仍可以設計出本發明之其他的和進一步的實施例。
100‧‧‧定向腔室
112‧‧‧殼體
113‧‧‧內部體積
114‧‧‧台座
115‧‧‧基板支撐表面
116‧‧‧旋轉軸
117‧‧‧箭頭
118‧‧‧光源
119‧‧‧箭頭
120‧‧‧光接收單元
120a‧‧‧光接收表面
121‧‧‧光接收元件
122‧‧‧分析單元
124‧‧‧垂直線
126‧‧‧陰影區
128‧‧‧傳輸區
A‧‧‧角度
R‧‧‧直角
W‧‧‧基板
Claims (20)
- 一種定向腔室，包含：一包圍一內部體積的殼體；一可旋轉台座，位於該殼體內部，該可旋轉台座包括一基板支撐表面，該基板支撐表面適以支撐一基板；一光源，位於該台座上方，當一基板被載至該可旋轉台座上時，定位該光源以提供照明光至該基板之一外週，其中來自該光源的該照明光係從一垂直線傾斜一角度朝向該基板之一中心，該垂直線垂直於該基板支撐表面延伸；一光接收單元，具有一光接收表面，該光接收表面上設置複數個光接收元件，該複數個光接收元件接收來自該光源的該照明光；以及一分析單元，該分析單元分析由該等光接收元件接收的該照明光。
- 如請求項1所述之定向腔室，其中該光接收單元接收被一基板之一外週散射的光並接收通過該基板外部的光，該基板被支撐並旋轉於該台座上。
- 如請求項2所述之定向腔室，其中該光接收單元設以將該接收的散射光識別為一陰影區。
- 如請求項3所述之定向腔室，其中該基板在該台座上最少旋轉一週，使得該基板之一偏心度在該光接收單元上表現 為該陰影區之一位置變化。
- 如請求項4所述之定向腔室，其中該位置變化被發送至該分析單元，以分析該基板在該台座上的位置。
- 如請求項1至5中任一項所述之定向腔室，其中該角度為約55°至約75°。
- 如請求項1至5中任一項所述之定向腔室，其中該光源為一雷射。
- 如請求項7所述之定向腔室，其中該雷射具有一約650奈米的波長。
- 如請求項1至5中任一項所述之定向腔室，其中該光接收元件為電荷耦合裝置。
- 如請求項1至5中任一項所述之定向腔室，其中該光接收表面被配置為與該照明光形成一90°角。
- 如請求項1至5中任一項所述之定向腔室，進一步包含：一反射構件，位於該殼體內部，並且被定位來將該照明光反射至該光接收單元之該光接收表面上。
- 如請求項11所述之定向腔室，其中該光接收單元係被水平地配置。
- 如請求項11所述之定向腔室，其中該殼體之內部係由金屬所形成。
- 如請求項13所述之定向腔室，其中該反射構件係由與用於該殼體內部相同的金屬所形成。
- 一種定向腔室，包含：一包圍一內部體積的殼體；一可旋轉台座，位於該殼體內部，該可旋轉台座包括一基板支撐表面，該基板支撐表面適以支撐一基板；一雷射光源，位於該台座上方，當一基板被載至該可旋轉台座上時，定位該雷射光源以提供照明光至該基板之一外週，其中來自該光源的該照明光係從一垂直線傾斜一約55°至約75°的角度朝向該基板之一中心，該垂直線垂直於該基板支撐表面延伸；一光接收單元，具有一光接收表面，該光接收表面上設置複數個電荷偶合裝置光接收元件，該複數個電荷偶合裝置光接收元件接收來自該光源的該照明光；以及一分析單元，該分析單元分析由該等光接收元件接收的該照明光。
- 如請求項15所述之定向腔室，其中該光接收表面被設置為與該照明光成一90°角。
- 如請求項15至16中任一項所述之定向腔室，進一步包含一反射構件，該反射構件位於該殼體內部，以將該照明光反射至該光接收表面上，其中該光接收表面係被水平地配置。
- 一種用於一定向腔室的方法，包含以下步驟：將一基板支撐於一基板支撐表面上；提供從一垂直線以一介於約55°和約75°的角度傾斜的照明光至該基板之一外週；旋轉上面支撐該基板的該基板支撐表面至少一週；在一光接收單元之一光接收表面上接收被該基板之該外週散射的光；將該接收的散射光識別為一陰影區；發送該陰影區之一位置變化至一分析單元；分析該陰影區之該位置變化；以及基於該陰影區之該位置變化測定該基板之方向及偏心度。
- 如請求項18所述之方法，其中該光接收表面被配置為與該照明光形成一90°角。
- 如請求項18至19中任一項所述之方法，其中一反射構 件將該照明光反射至該光接收表面上。
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Cited By (2)
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