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TW201412747A - 供電子應用之氮雜二苯并呋喃 - Google Patents

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TW201412747A
TW201412747A TW102133988A TW102133988A TW201412747A TW 201412747 A TW201412747 A TW 201412747A TW 102133988 A TW102133988 A TW 102133988A TW 102133988 A TW102133988 A TW 102133988A TW 201412747 A TW201412747 A TW 201412747A
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Thomas Schafer
Heinz Wolleb
Ute Heinemeyer
Nicolle Langer
Christian Lennartz
Gerhard Wagenblast
Soichi Watanabe
Flavio Luiz Benedito
Heinz Hottinger
Oliver Dosenbach
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Basf Se
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Abstract

本發明係關於式□之化合物,其特徵在於其經苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-5-基及/或苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2,5-伸基取代,且在於取代基B1、B2、B3、B4、B5、B6、B7及B8中之至少一者代表N;其產生方法及其在電子器件、尤其電致發光器件中之用途。當在電致發光器件中用作磷光發射體之主體材料時,該等式I之化合物可改良電致發光器件之效率、穩定性、可製造性或光譜特性。

Description

供電子應用之氮雜二苯并呋喃
本發明係關於式I之化合物、其產生方法及其在電子器件、尤其電致發光器件中之用途。當在電致發光器件中用作電洞傳輸材料時,式I之化合物可改良電致發光器件之效率、穩定性、可製造性或光譜特性。
Khan,Misbahul Ain;Ribeiro,Vera Lucia Teixeira,Pakistan Journal of Scientific and Industrial Research 43(2000)168-170闡述苯 并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑(R=H、Me、Et)藉由亞磷酸 三烷基酯誘導之1-(鄰-硝基苯基)-及1-(鄰-疊氮基苯基)苯并咪唑之脫氧及熱分解之合成。
Pedro Molina等人,Tetrahedron(1994)10029-10036報導,衍生自雙(2-胺基苯基)胺之雙(亞胺基正膦)與兩當量異氰酸酯之氮雜威蒂格型反應(aza Wittig-type reaction)直接提供苯并咪唑并[1,2,a]苯并咪唑衍生物。
(R=R’= ;R=,且R’ =,R=異丙基,且R’=乙基)
Kolesnikova,I.V.;Zhurnal Organicheskoi Khimii 25(1989)1689-95闡述5H-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑1,2,3,4,7,8,9,10-八氟-5-(2,3,4,5,6-五氟苯基)之合成。
Achour,Reddouane;Zniber,Rachid,Bulletin des Societes Chimiques Belges 96(1987)787-92闡述苯并咪唑并苯并咪唑 (R=H、-CH(CH3)2)之合成,其係自苯并咪唑啉酮衍生 物製得。
Hubert,Andre J.;Reimlinger,Hans,Chemische Berichte 103 (1970)2828-35闡述苯并咪唑并苯并咪唑(R=H、CH3)之合成。
WO2011160757係關於包含陽極、陰極及至少一個有機層之電子 器件,該有機層含有式 之化合物,其中X可為單鍵, 且L可為二價基團。明確揭示以下4H-咪唑并[1,2-a]咪唑化合物:
X.Wang等人,Org.Lett.14(2012)452-455揭示式 之化合物之高效銅催化合成,其中使式 之化合物在乙酸銅(Cu(OAc)2)/PPh3/1,10-啡啉/乙酸 鈉及氧存在下在間二甲苯(1atm)中在升高之溫度下反應[在網上公 開:2011年12月29日]。以下化合物尤其可藉由所闡述合成方法來製備:
WO2012/130709係關於4H-咪唑并[1,2-a]咪唑、 (例如),其產生製程及其在電子器 件、尤其電致發光器件中之用途。
WO2013/068376闡述式之4H-咪唑并[1,2-a]咪唑, 其中X6係-N=,且X7係-NR6-,或X7係=N-且X6係-NR6-,R6係式 (例如)之基 團;其產生製程及其在電子器件、尤其電致發光器件中之用途。
PCT/EP2013/064395係關於式之化合物、 其產生製程法及其在電子器件、尤其電致發光器件中之用途。2,5-二取代之苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑衍生物係適宜電洞傳輸材料或磷光發射體之主體材料。
US20090134784提供含咔唑化合物。該等化合物尤其係具有不對稱結構之含寡聚咔唑化合物。該等化合物可經氮雜二苯并呋喃基取代且可在有機發光器件之發射層中用作主體。
WO2010028262係關於白色磷光有機發光器件。以下化合物 用作主體及激子阻斷材料。
US20100187984揭示製備氮雜-二苯并噻吩化合物或氮雜-二苯并呋喃化合物之製程,其包含: 利用tBuONO處理具有式(其中X1及X2中之一者 係氮,且X1及X2中之另一者係碳,且其中Y係S或O)之胺基-芳基硫吡 啶中間體之乙酸溶液,從而產生具有式之氮雜錯合 物,其中R1及R2可代表單取代、二取代、三取代或四取代;其中R1係選自由氫、烷基、芳基、雜芳基及鹵化物組成之群;且其中R2係選自由氫、烷基、芳基及鹵化物組成之群。US20100187984中所揭示之氮雜-二苯并噻吩及氮雜-二苯并呋喃化合物在OLED中用作主體。
另外,對於氮雜-二苯并呋喃基取代之化合物及其在OLED中之用途,參考WO2012090967、WO2011137072、WO2010090077、WO2009060780、WO2009060757、JP2011084531及JP2008074939。
上述參考文獻無一揭示苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-5-基取代之氮雜-二苯并呋喃化合物。
雖然已進行該等研發,但業內仍需要包含新穎電洞傳輸材料以改良電致發光器件之效率、穩定性、可製造性及/或光譜特性之有機發光器件。
因此,就上述先前技術而言,本發明之目標係提供適用於OLED及有機電子中之其他應用中之其他材料。更尤其地,應可提供用於OLED中之電洞傳輸材料、電子/激子阻斷劑材料及基質材料。該等材料應尤其適於包含至少一個磷光發射體、尤其至少一個綠色發射體或至少一個藍色發射體之OLED。另外,該等材料應適於提供確保OLED之優良效率、優良作業壽命及對熱應力之高穩定性以及低使用及操作電壓之OLED。
發現某些經苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-5-基及/或苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2,5-伸基取代之氮雜-二苯并呋喃衍生物適用於有機電致發光器件中。該等衍生物尤其係適宜電洞傳輸材料或用於具有優良效率及耐久性之磷光發射體之主體材料。
該目標已藉由式之化合物解決,其中 B1係N或CR81,B2係N或CR82,B3係N或CR83,B4係N或CR84,B5係N或CR85,B6係N或CR86,B7係N或CR87,B8係N或CR88,R81、R82、R83、R84、R85、R86、R87及R88彼此獨立地係H、可視情況經E取代及或間雜有D之C1-C25烷基;可視情況經G取代之C6-C24芳基,可視情況經G取代之C2-C30雜芳基;或式--(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團,o係0或1,p係0或1,q係0或1,r係0或1,A1、A2、A3及A4彼此獨立地係可視情況經G取代之C6-C24伸芳基或可視情況經G取代之C2-C30伸雜芳基;R16係-NR10R11或-Si(R12)(R13)(R14)、可視情況經G取代之C6-C24芳基;或可視情況經G取代之C2-C30雜芳基;R10及R11彼此獨立地係可視情況經G取代之C6-C24芳基;或可視情況經G取代之C2-C30雜芳基;R12、R13及R14彼此獨立地係可視情況經E取代及或間雜有D之C1-C25烷基;可視情況經G取代之C6-C24芳基;或可視情況經G取代之C2-C30雜芳基;D係-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-NR65-、-SiR70R71- 、-POR72-、-CR63=CR64-或-C≡C-,E係-OR69、-SR69、-NR65R66、-COR68、-COOR67、-CONR65R66、-CN或F,G係E,或C1-C18烷基、C6-C24芳基、經F、C1-C18烷基或間雜有O之C1-C18烷基取代之C6-C24芳基;C2-C30雜芳基,或經F、C1-C18烷基或間雜有O之C1-C18烷基取代之C2-C30雜芳基;R63及R64彼此獨立地係H;C6-C18芳基;經C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代之C6-C18芳基;C1-C18烷基;或間雜有-O-之C1-C18烷基;R65及R66彼此獨立地係C6-C18芳基;經C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代之C6-C18芳基;C1-C18烷基;或間雜有-O-之C1-C18烷基;或R65與R66一起形成五員或六員環,R67係C6-C18芳基;經C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代之C6-C18芳基;C1-C18烷基;或間雜有-O-之C1-C18烷基,R68係H;C6-C18芳基;經C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代之C6-C18芳基;C1-C18烷基;或間雜有-O-之C1-C18烷基,R69係C6-C18芳基;經C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代之C6-C18芳基;C1-C18烷基;或間雜有-O-之C1-C18烷基,R70及R71彼此獨立地係C1-C18烷基、C6-C18芳基或經C1-C18烷基取代之C6-C18芳基,且R72係C1-C18烷基、C6-C18芳基或經C1-C18烷基取代之C6-C18芳基,限制條件係取代基B1、B2、B3、B4、B5、B6、B7及B8中之至少一者代表N;基團B1、B2、B3及B4中不超過兩者代表N;且基團B5、B6、B7及B8中不超過兩者代表N;且另一限制條件係取代基R81、R82、R83、R84、R85、R86、R87及R88中之至少一者代表式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團,其中R16代表 苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-5-基,其可視情況經G取代;及/或基團A1、A2、A3及A4中之至少一者代表苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2,5-伸基,其可視情況經G取代。
本發明之某些化合物之LUMO值為2.0-2.5eV,且尤其地,在用作與磷光發射體組合之主體時顯示極佳功率效率。包含本發明化合物之電致發光(EL)器件展現降低之驅動電壓同時維持極佳亮度性質。
本發明化合物可用於電子照像光感受器、光電轉換器、有機太陽能電池(有機光伏打)、開關元件(例如,有機電晶體,例如,有機FET及有機TFT)、有機發光場效電晶體(OLEFET)、影像感測器、染料雷射及電致發光器件,例如,有機發光二極體(OLED)。
因此,本發明之另一標的係關於包含本發明化合物之電子器件。該等電子器件較佳地係電致發光器件。
I之化合物原則上可用於EL器件之任何層中,但其較佳地用作主體、電洞傳輸及電子阻斷材料。尤其地,式I之化合物用作藍色發光磷光發射體之主體材料。
因此,本發明之另一標的係關於包含本發明式I之化合物之電洞傳輸層。
本發明之另一標的係關於包含本發明式I之化合物之發射層。在該實施例中,式I之化合物較佳地用作與磷光發射體組合之主體材料。
I之化合物之分子量較佳地低於1500g/mol。
本發明之另一標的係關於包含本發明式I之化合物之電子阻斷層。
D較佳地係-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-NR65-,其中R65係C1-C18烷基,例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基或第二丁基,或C6-C14芳基,例如苯基、甲苯基、萘基或聯苯 基,或C2-C30雜芳基,例如,苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-5-基 ()、苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2-基()、 咔唑基、二苯并呋喃基,其可未經取代或尤其經C6-C10芳基或經C1-C4烷基取代之C6-C10芳基取代;或C2-C14雜芳基。
E較佳地係-OR69;-SR69;-NR65R65;-COR68;-COOR67;-CONR65R65;或-CN;其中R65、R67、R68及R69彼此獨立地係C1-C18烷基,例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、己基、辛基或2-乙基-己基,或C6-C14芳基,例如苯基、甲苯基、萘基或聯苯基。
在式(I)之化合物中,式 之 化合物較佳,其中R81、R82、R83、R85、R86及R87分別具有上下文所給出之(較佳)含義。
在較佳實施例中,本發明係關於下式之化合物: ,或,其中R81、R82、R83、R85、R86及R87 係如上文所定義。
式(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ii)、(Ij)、(Il)及(In)之化合物較佳。式(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ij)及(In)之化合物尤佳。
R16’(R16)可為可視情況經G取代之C6-C24芳基或可視情況經G取代之C2-C30雜芳基。
可視情況經G取代之C6-C24芳基通常係苯基、4-甲基苯基、4-甲氧基苯基、萘基(尤其1-萘基或2-萘基)、聯苯基、聯三苯基、芘基、2-或9-茀基、菲基或蒽基,其可未經取代或經取代。
可視情況經G取代之C2-C30雜芳基R16’(R16)代表具有五至七個環原子之環或稠合環系統(其中氮、氧或硫係可能的雜原子),且通常係具有至少六個共軛π-電子之具有5至30個原子之雜環狀基團,例如9H-吡啶并[2,3-b]吲哚基、苯并呋喃并[2,3-b]吡啶基、苯并噻吩并[2,3-b]吡啶基、9H-吡啶并[2,3-c]吲哚基、苯并呋喃并[2,3-c]吡啶基、苯并噻吩并[2,3-c]吡啶基、呋喃并[3,2-b:4,5-b']二吡啶基、吡咯并[3,2-b:4,5-b']二吡啶基、噻吩并[3,2-b:4,5-b']二吡啶基、噻吩基、苯并苯硫基、二苯并苯硫基、噻嗯基、呋喃基、糠基、2H-哌喃基、苯并呋喃基、異苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯氧基噻吩基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、吡啶基、聯吡啶基、三嗪基、嘧啶基、吡嗪基、嗒嗪基、吲嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹嗪基、喹啉基、異喹啉基、呔嗪基、啶基、喹啉基、喹唑啉基、啉基、喋啶基、咔啉基、苯并三唑基、苯并噁唑基、啡啶基、吖啶基、嘧啶基、啡啉基、啡嗪基、異噻唑基、啡噻嗪基、異噁唑基、呋呫基、苯 并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-5-基,苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2-基、咔唑基或啡噁嗪基,其可未經取代或經取代。
C6-C24芳基及C2-C30雜芳基可經G取代。
G具有與E相同之優先性,或係C1-C18烷基,例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、己基、辛基、或2-乙基-己基,或係C1-C18全氟烷基,例如,-CF3
較佳C2-C30雜芳基係吡啶基、三嗪基、嘧啶基、尤其9H-吡啶并[2,3-b]吲哚基、苯并呋喃并[2,3-b]吡啶基、苯并噻吩并[2,3-b]吡啶基、9H-吡啶并[2,3-c]吲哚基、苯并呋喃并[2,3-c]吡啶基、苯并噻吩并[2,3-c]吡啶基、呋喃并[3,2-b:4,5-b']二吡啶基、吡咯并[3,2-b:4,5-b']二吡啶基、噻吩并[3,2-b:4,5-b']二吡啶基、苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪 唑-5-基()、苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2-基 ()、咔唑基、二苯并呋喃基及二苯并苯硫基,其可未經 取代或尤其經C6-C10芳基或經C1-C4烷基取代之C6-C10芳基取代;或C2-C14雜芳基。
R16係式之基團,或若基團A1、A2、A3及A4中之至少 一者代表式之基團,則R16具有R16’之含義。
R16’較佳地係H或下式之基團:-Si(R12)(R13)(R14),尤其 ,尤其 ,尤其,極尤其 ,尤其 ,尤其,尤其
R12、R13及R14彼此獨立地係苯基,其可視情況經一或多個C1-C18烷基取代;R21及R21’彼此獨立地係H、苯基或C1-C18烷基; R22及R23彼此獨立地係H或下式之基團:,尤其 X係O、S或NR24,R24係C6-C24芳基或C2-C30雜芳基,其可視情況經G取代,其中G係如上文所定義;且 R89係H、下式之基團:,尤其 ,尤其尤其 尤其
A1、A2、A3及A4彼此獨立地係可視情況經G取代之C6-C24伸芳基,或可視情況經G取代之C2-C30伸雜芳基。可視情況經G取代之C6- C24伸芳基A1、A2、A3及A4通常係伸苯基、4-甲基伸苯基、4-甲氧基伸苯基、伸萘基(尤其1-伸萘基或2-伸萘基)、伸聯苯基、伸聯三苯基、伸芘基、2-或9-伸茀基、伸菲基或伸蒽基,其可未經取代或經取代。
可視情況經G取代之C2-C30伸雜芳基A1、A2、A3及A4代表具有五至七個環原子之環或稠合環系統(其中氮、氧或硫係可能的雜原子),且通常係具有至少六個共軛電子之具有5至30個原子之雜環狀基團, 例如伸苯并呋喃并[2,3-b]吡啶基()、伸苯并噻吩并[2,3- b]吡啶基()、伸吡啶并[2,3-b]吲哚基()、 伸苯并呋喃并[2,3-c]吡啶基()、伸苯并噻吩并[2,3-c]吡 啶基()、伸吡啶并[2,3-c]吲哚基()、伸呋 喃并[3,2-b:4,5-b’]二吡啶基()、伸噻吩并[3,2-b:4,5-b’] 二吡啶基()、伸吡咯并[3,2-b:4,5-b’]二吡啶基 ()、伸噻吩基、伸苯并苯硫基、伸噻嗯基、伸呋喃基、 伸糠基、2H-伸哌喃基、伸苯并呋喃基、伸異苯并呋喃基,伸二苯并 呋喃基()、伸二苯并苯硫基()、伸苯氧 基噻吩基、伸吡咯基、伸咪唑基、伸吡唑基、伸吡啶基、伸聯吡啶基、伸三嗪基、伸嘧啶基、伸吡嗪基、伸嗒嗪基、伸吲嗪基、伸異吲哚基、伸吲哚基、伸吲唑基、伸嘌呤基、伸喹嗪基、伸喹啉基、伸異喹啉基、伸呔嗪基、伸啶基、伸喹啉基、伸喹唑啉基、伸啉基、伸喋啶基、伸咔啉基、伸苯并三唑基、伸苯并噁唑基、伸啡啶基、伸吖啶基、伸嘧啶基、伸啡啉基、伸啡嗪基、伸異噻唑基、伸啡 噻嗪基、伸異噁唑基、伸呋呫基、伸咔唑基()、苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2,5-伸基() 或伸啡噁嗪基,其可未經取代或經取代。
較佳C6-C24伸芳基係1,3-伸苯基、3,3’-伸聯苯基、3,3’-間伸聯三苯基、2-或9-伸茀基、伸菲基,其可未經取代或尤其經C6-C10芳基、經C1-C4烷基取代之C6-C10芳基取代;或C2-C14雜芳基。
較佳C2-C30伸雜芳基係伸吡啶基、伸三嗪基、伸嘧啶基、尤其伸苯并呋喃并[2,3-b]吡啶基、伸苯并噻吩并[2,3-b]吡啶基、伸吡啶并[2,3-b]吲哚基、伸苯并呋喃并[2,3-c]吡啶基、伸苯并噻吩并[2,3-c]吡啶基、伸吡啶并[2,3-c]吲哚基、伸呋喃并[3,2-b:4,5-b’]二吡啶基、伸噻吩并[3,2-b:4,5-b’]二吡啶基、伸吡咯并[3,2-b:4,5-b’]二吡啶基、伸二苯并呋喃基、伸二苯并苯硫基、伸咔唑基及苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2,5-伸基,其可未經取代或尤其經C6-C10芳基、經C1-C4烷基取代 之C6-C10芳基取代;或C2-C14雜芳基。
苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-5-基、苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2-基、咔唑基及二苯并呋喃基係C2-C14雜芳基之實例。苯基、1-萘基及2-萘基係C6-C10芳基之實例。
C6-C24伸芳基及C2-C30伸雜芳基可經G取代。
A1、A2、A3及A4較佳地係下式之基團: ,其中R89及X 係如下文所定義。X較佳地係O。
本發明之氮雜-二苯并呋喃衍生物之特徵在於其經至少一個苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-5-基及/或至少一個苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2,5-伸基取代。
尤其地,本發明之氮雜-二苯并呋喃衍生物之特徵在於,取代基R81、R82、R83、R84、R85、R86、R87及R88中之至少一者係式--(A1)o- (A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團,其中R16係式之基團;及/或 取代基R81、R82、R83、R84、R85、R86、R87及R88中之至少一者係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團,其中基團A1、A2、A3及A4中之至 少一者代表式之基團。
在較佳實施例中,本發明係關於式(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ig)、(Ih)、(Ii)、(Ij)、(Ik)、(Il)、(Im)、(In)及(Io)之化合物,其中在式(Ia)之化合物中,R83係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;且R87係H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;或R83係H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;且R87係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;在式(Ib)之化合物中,R82係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;且R87係H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;或R82係H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;且R87係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;在式(Ic)之化合物中,R85係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;且R87係H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;或R85係H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;且R87係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;在式(Id)之化合物中,R81係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;且R85係H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;或R81係H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;且R85係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;在式(Ie)之化合物中,R83係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;且R87係H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;或 R83係H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;且R87係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;在式(If)之化合物中,R83係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;且R85係H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;或R83係H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;且R85係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;在式(Ig)之化合物中,R82係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;且R85係H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;或R82係H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;且R85係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;在式(Ih)之化合物中,R81係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;且R87係H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;或R81係H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;且R87係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;在式(Ii)之化合物中,R83係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;且R85係H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;或R83係H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;且R85係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;在式(Ij)之化合物中,R83係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;且R85係H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;或R83係H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;且 R85係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;在式(Ik)之化合物中,R81係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;且R85係H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;或R81係H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;且R85係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;在式(Il)之化合物中,R85係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;且R87係H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;或R85係H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;且R87係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;在式(Im)之化合物中,R83係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;且R85係H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;或R83係H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;且R85係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;在式(In)之化合物中,R83係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;且R87係H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;或R83係H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;且R87係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團。
o係0或1,p係0或1,q係0或1,r係0或1;在式(Io)之化合物中,R82係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;且R86係H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;或R82係H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;且 R86係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;A1、A2、A3及A4彼此獨立地係下式之基團: R16係式之基團,或若基團A1、A2、A3及A4中之至少 一者代表式之基團,則R16具有R16’之含義; R16’係H或下式之基團:-Si(R12)(R13)(R14)、 ,尤其 ,尤其,極尤其 ,尤其 ,尤其 ,尤其 R12、R13及R14彼此獨立地係苯基,其可視情況經一或多個烷基、尤其C1-C18烷基取代;R21及R21’彼此獨立地係H、苯基或C1-C18烷基; R22及R23彼此獨立地係H或下式之基團:,尤其 X係O、S或NR24,R24係C6-C24芳基或C2-C30雜芳基,其可視情況經G取代,其中G係如上文所定義;且 R89係H、下式下式之基團:,尤其 ,或,尤其 ,尤其 ,尤其,或
更佳地,A1、A2、A3及A4彼此獨立地係下式之基團: ,或 R16係式之基團;或若基團A1、A2、A3及A4中之至少 一者代表式之基團,則R16具有R16’之含義; R16’係H或下式之基團: ,或;且R89係H、下式之基團: ,其中X係 O、S或NR24,其中R24
R24較佳地係。X較佳地係O。
式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團較佳地係下式之基團:
式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團較佳地係H或下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義;或下式之基團:
在較佳實施例中,本發明係關於式(Ia)化合物,其中R83係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、 (XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R87係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義;或式(Ia)之化合物,其中R87係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R83係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、 (XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義。
在該式(Ia)之實施例化合物中,其中R83係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R87係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義;或式(Ia)之化合物,其中R87係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、 (XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R83係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義;該等更佳。
在較佳實施例中,本發明係關於式(Ib)之化合物,其中R82係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R87係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、 (XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義;或式(Ib)之化合物,其中R87係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R82係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義。
在該式(Ib)之實施例化合物中,其中R82係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、 (XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R87係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義;或式(Ib)之化合物,其中R87係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R82係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義;該等更佳。
在較佳實施例中,本發明係關於式(Ic)之化合物,其中R85係下式 之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R87係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義;或式(Ic)之化合物,其中R87係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義;且R85係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、 (XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義。
在該(Ic)之實施例式化合物中,其中R85係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R87係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義;或式(Ic)之化合物,其中R87係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、 (XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R85係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義;該等更佳。
在較佳實施例中,本發明係關於式(Id)之化合物,其中R81係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R85係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義;或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、 (XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義;或式(Id)之化合物,其中R85係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義;且R81係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義。
在該式(Id)之實施例化合物中,其中R81係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、 (XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R85係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義;或式(Id)之化合物,其中R85係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R81係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義;該等更 佳。
在較佳實施例中,本發明係關於式(Ie)之化合物,其中R83係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R87係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義;或式(Ie)之化合物,其中R87係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且 R83係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義。
在該式(Ie)之實施例化合物中,其中R83係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R87係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義;或式 (Ie)之化合物,其中R87係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R83係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義;該等更佳。
在較佳實施例中,本發明係關於式(If)之化合物,其中R83係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R85係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定 義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義;或式(If)之化合物,其中R85係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R83係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義。 在該式(If)之實施例化合物中,其中R83係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R85係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義;或式(If)之化合物,其中R85係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R83係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、 (XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義;該等更佳。
在較佳實施例中,本發明係關於式(Ij)之化合物,其中R83係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R85係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義;或式(Ij)之化合物,其中R85係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、 (XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R83係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義。
在該式(Ij)之實施例化合物中,其中R83係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R85係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、 (XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義;或式(Ij)之化合物,其中R85係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R83係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義;該等更佳。
在較佳實施例中,本發明係關於式(Il)之化合物,其中R85係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R87係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、 (XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義;或式(Il)之化合物,其中R87係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R85係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、 (XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義。
在較佳實施例中,本發明係關於式(In)之化合物,其中R83係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文,且R87係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義;或式(In)之化合物,其中R87係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如 上文所定義,且R83係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義。
在該式(In)之實施例化合物中,其中R83係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R87係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、 (XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義;或式(In)之化合物,其中R87係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R83係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義;該等更佳。
較佳化合物之實例係顯示於技術方案9中之化合物A-1A-65、B-1B-8、C-1C-65、D-1D-8、E-1E-65、F-1F-65G-1
在尤佳實施例中,本發明係關於式(Ia)之化合物,其中R83係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R87係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、 (XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義;或係關於式(Ia)之化合物,其中R87係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R83係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義;例如,化合物(A-4)。
在另一尤佳實施例中,本發明係關於式(Ie)之化合物,其中R83係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、 (XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R87係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義;或係關於式(Ie)之化合物,其中R87係下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,且R83係H、下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),如上文所定義,或下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId),如上文所定義;例如, 化合物
諸如(E-57)等化合物可有利地用作主體及/或電洞傳輸材料。
諸如等化合物尤其適宜作為電子傳輸材料。
鹵素係氟、氯、溴及碘。
若可能,C1-C25烷基(C1-C18烷基)通常係直鏈或具支鏈烷基。實例係甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2,2-二甲基丙基、1,1,3,3-四甲基戊基、正己基、1-甲基己基、1,1,3,3,5,5-六甲基己基、正庚基、異庚基、1,1,3,3-四甲基丁基、1-甲基庚基、3-甲基庚基、正辛基、1,1,3,3-四甲基丁基及2-乙基己基、正壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基或十八烷基。C1-C8烷基通常係甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2,2-二甲基-丙基、正己基、正庚基、正辛基、1,1,3,3-四甲基丁基及2-乙基己基。C1-C4烷基通常係甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、異丁基、第三丁基。
C1-C25烷氧基(C1-C18烷氧基)係直鏈或具支鏈烷氧基,例如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、戊氧基、異戊氧基或第三戊氧基、庚氧基、辛氧基、異辛氧 基、壬氧基、癸氧基、十一烷氧基、十二烷氧基、十四烷氧基、十五烷氧基、十六烷氧基、十七烷氧基及十八烷氧基。C1-C8烷氧基之實例係甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、第二丁氧基、異丁氧基、第三丁氧基、正戊氧基、2-戊氧基、3-戊氧基、2,2-二甲基丙氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、1,1,3,3-四甲基丁氧基及2-乙基己氧基,較佳地係C1-C4烷氧基,例如通常係甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、第二丁氧基、異丁氧基、第三丁氧基。
C1-C18全氟烷基、尤其C1-C4全氟烷基係具支鏈或無支鏈基團,例如-CF3、-CF2CF3、-CF2CF2CF3、-CF(CF3)2、-(CF2)3CF3及-C(CF3)3
術語「環烷基」通常係C4-C18環烷基,尤其C5-C12環烷基,例如環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環壬基、環癸基、環十一烷基、環十二烷基,較佳地係可未經取代或經取代之環戊基、環己基、環庚基或環辛基。
可視情況經取代之C6-C24芳基(C6-C18芳基)通常係苯基、4-甲基苯基、4-甲氧基苯基、萘基(尤其1-萘基或2-萘基)、聯苯基、聯三苯基、芘基、2-或9-茀基、菲基或蒽基,其可未經取代或經取代。苯基、1-萘基及2-萘基係C6-C10芳基之實例。
C2-C30雜芳基代表具有五至七個環原子之環或稠合環系統(其中氮、氧或硫係可能的雜原子),且通常係具有至少六個共軛π-電子之具5至30個原子之雜環狀基團,例如噻吩基、苯并苯硫基、二苯并苯硫基、噻嗯基、呋喃基、糠基、2H-哌喃基、苯并呋喃基、異苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯氧基噻吩基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、吡啶基、聯吡啶基、三嗪基、嘧啶基、吡嗪基、嗒嗪基、吲嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹嗪基、喹啉基、異喹啉基、呔嗪 基、啶基、喹啉基、喹唑啉基、啉基、喋啶基、咔唑基、咔啉基、苯并三唑基、苯并噁唑基、啡啶基、吖啶基、嘧啶基、啡啉基、啡嗪基、異噻唑基、啡噻嗪基、異噁唑基、呋呫基、4-咪唑并[1,2-a]苯并咪唑基、5-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑基、咔唑基或啡噁嗪基,其可未經取代或經取代。苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-5-基、苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2-基、咔唑基及二苯并呋喃基係C2-C14雜芳基之實例。
可視情況經G取代之C6-C24伸芳基通常係伸苯基、4-甲基伸苯基、4-甲氧基伸苯基、伸萘基(尤其1-伸萘基或2-伸萘基)、伸聯苯基、伸聯三苯基、伸芘基、2-或9-伸茀基、伸菲基或伸蒽基,其可未經取代或經取代。較佳的C6-C24伸芳基係1,3-伸苯基、3,3’-伸聯苯基、3,3’-間伸聯三苯基、2-或9-伸茀基、伸菲基,其可未經取代或經取代。
可視情況經G取代之C2-C30伸雜芳基代表具有五至七個環原子之環或稠合環系統(其中氮、氧或硫係可能的雜原子),且通常係具有至少六個共軛-電子之具有5至30個原子之雜環狀基團,例如伸噻吩基、伸苯并苯硫基、伸二苯并苯硫基、伸噻嗯基、伸呋喃基、伸糠基、2H-伸哌喃基、伸苯并呋喃基、伸異苯并呋喃基、伸二苯并呋喃基、伸苯氧基噻吩基、伸吡咯基、伸咪唑基、伸吡唑基、伸吡啶基、伸聯吡啶基、伸三嗪基、伸嘧啶基、伸吡嗪基、伸嗒嗪基、伸吲嗪基、伸異吲哚基、伸吲哚基、伸吲唑基、伸嘌呤基、伸喹嗪基、伸喹啉基、伸異喹啉基、伸呔嗪基、伸啶基、伸喹啉基、伸喹唑啉基、伸啉基、伸喋啶基、伸咔啉基、伸苯并三唑基、伸苯并噁唑基、伸啡啶基、伸吖啶基、伸嘧啶基、伸啡啉基、伸啡嗪基、伸異噻唑基、伸啡噻嗪基、伸異噁唑基、伸呋呫基、伸咔唑基、苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2,5-伸基或伸啡噁嗪基,其可未經取代或經取代。較佳C2-C30 伸雜芳基係伸吡啶基、伸三嗪基、伸嘧啶基、伸咔唑基、伸二苯并呋 喃基及苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2,5-伸基(),其可未 經取代或尤其經C6-C10芳基、經C1-C4烷基取代之C6-C10芳基取代;或C2-C14雜芳基。
上述基團之可能取代基係C1-C8烷基、羥基、巰基、C1-C8烷氧基、C1-C8烷硫基、鹵素、鹵-C1-C8烷基或氰基。
C6-C24芳基(C6-C18芳基)及C2-C30雜芳基較佳地經一或多個C1-C8烷基取代。
若取代基在基團中出現一次以上,則其在每次出現時皆可不同。
措辭「經G取代」意指可能存在一個或多個、尤其1至3個取代基G。
如上所述,上述基團可經E取代及/或若需要可間雜有D。當然,僅在含有至少2個由單鍵彼此連接之碳原子的基團情形下可能間雜;C6-C18芳基未被間雜;經間雜芳基烷基在烷基部分中含有單元D。經一或多個E取代及/或間雜有一或多個單元D之C1-C18烷基係(例如)(CH2CH2O)1-9-Rx,其中Rx係H或C1-C10烷基或C2-C10烷醯基(例如CO-CH(C2H5)C4H9)、CH2-CH(ORy')-CH2-O-Ry,其中Ry係C1-C18烷基、C5-C12環烷基、苯基、C7-C15苯基烷基,且Ry'涵蓋與Ry相同之定義或係H;C1-C8伸烷基-COO-Rz,例如CH2COORz、CH(CH3)COORz、C(CH3)2COORz,其中Rz係H、C1-C18烷基、(CH2CH2O)1-9-Rx,且Rx涵蓋上文所指示之定義; CH2CH2-O-CO-CH=CH2;CH2CH(OH)CH2-O-CO-C(CH3)=CH2
之合成闡述於(例如)Achour,Reddouane;Zniber, Rachid,Bulletin des Societes Chimiques Belges 96(1987)787-92中。
之適宜基礎骨架可自市面購得(尤其在X係S、O、NH之 情形下),或可藉由熟習此項技術者已知之製程獲得。參考WO2010079051及EP1885818。
可藉由熟習此項技術者已知之方法實施鹵化。較佳者係在式(II)之基礎骨架之3位及6位(二溴化)或3位或6位(單溴化)、2位、8位(二苯并呋喃及二苯并噻吩)或3位、6位(咔唑)進行溴化或碘化。
視情況經取代之二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔唑可利用存於冰乙酸或氯仿中之溴或NBS在2位、8位(二苯并呋喃及二苯并噻吩)或3位、6位(咔唑)二溴化。例如,可在冰乙酸或氯仿中在低溫(例如0℃)下利用Br2實現溴化。適宜製程闡述於(例如)M.Park,J.R.Buck,C.J.Rizzo,Tetrahedron,54(1998)12707-12714中(對於X=NPh)及W.Yang等人,J.Mater.Chem.13(2003)1351中(對於X=S)。另外,3,6-二溴咔唑、3,6-二溴-9-苯基咔唑、2,8-二溴二苯并噻吩、2,8-二溴二苯并呋 喃、2-溴咔唑、3-溴二苯并噻吩、3-溴二苯并呋喃、3-溴咔唑、2-溴二苯并噻吩及2-溴二苯并呋喃可自市面購得。
二苯并呋喃4位之單溴化(且對於二苯并噻吩類似)闡述於(例如)J.Am.Chem.Soc.1984,106,7150中。可藉由熟習此項技術者已知之順序(包含硝化、還原及後續山德邁耳反應(Sandmeyer reaction))來在3位單溴化二苯并呋喃(二苯并噻吩)。
二苯并呋喃或二苯并噻吩2位之單溴化及咔唑3位之單溴化係以類似於二溴化之方式來實現,只是僅添加一當量溴或NBS。
另一選擇為,亦可利用碘化二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔唑。製備尤其闡述於以下文獻中:Tetrahedron.Lett.47(2006)6957-6960、Eur.J.Inorg.Chem.24(2005)4976-4984、J.Heterocyclic Chem.39(2002)933-941、J.Am.Chem.Soc.124(2002)11900-11907、J.Heterocyclic Chem,38(2001)77-87。
對於親和取代而言,需要Cl-或F-取代之二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔唑。氯化尤其闡述於以下文獻中:J.Heterocyclic Chemistry,34(1997)891-900、Org.Lett.,6(2004)3501-3504;J.Chem.Soc.[Section]C:Organic,16(1971)2775-7、Tetrahedron Lett.25(1984)5363-6、J.Org.Chem.69(2004)8177-8182。氟化闡述於J.Org.Chem.63(1998)878-880及J.Chem.Soc.,Perkin Trans 2,5(2002)953-957中。
基團之引入係在鹼存在下實施。適宜鹼已為熟習此 項技術者已知且較佳地選自由以下各項組成之群:鹼金屬及鹼土金屬氫氧化物(例如NaOH、KOH、Ca(OH)2)、鹼金屬氫化物(例如NaH、KH)、鹼金屬醯胺(例如NaNH2)、鹼金屬或鹼土金屬碳酸鹽(例如 K2CO3或Cs2CO3)及鹼金屬醇鹽(例如NaOMe、NaOEt)。另外,上述鹼之混合物亦適宜。尤佳者係NaOH、KOH、NaH或K2CO3
可藉由(例如)將銅催化偶合成式之 鹵化化合物(烏耳曼反應(Ullmann reaction))實現雜芳基化。
N-芳基化揭示於例如以下文獻中:H.Gilman及D.A.Shirley,J.Am.Chem.Soc.66(1944)888;D.Li等人,Dyes and Pigments 49(2001)181-186及Eur.J.Org.Chem.(2007)2147-2151。該反應可在溶劑或熔化物中實施。適宜溶劑係(例如)(極性)非質子性溶劑,例如二甲基亞碸、二甲基甲醯胺、NMP、十三烷或醇。
9-(8-溴二苯并呋喃-2-基)咔唑之合成闡述於 WO2010079051中。2-溴-8-碘-二苯并呋喃之合成闡述於 EP1885818中。
之化合物之可能合成路徑顯示於以下反應圖中:
參考Angew.Chem.Int.Ed.46(2007)1627-1629及Synthesis 20(2009)3493。
含有二酸或二酸酯基團之二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔唑可易於藉由增加數量之路徑來製備。合成路徑之概述係於(例如)Angew.Chem.Int.Ed.48(2009)9240-9261中給出。
藉由一個常見路徑,含有二酸或二酸酯基團之二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔唑可藉由使鹵化二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔唑 與(Y1O)2B-B(OY1)2在觸媒(例如 [1,1'-雙(二苯基膦基)二茂鐵]二氯鈀(II)、錯合物(Pd(Cl)2(dppf)))及鹼(例如,乙酸鉀)存在下在諸如二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、二噁烷及/或甲苯等溶劑中反應獲得(參見Prasad Appukkuttan等人,Synlett 8(2003)1204),其中Y1在每次出現時獨立地係C1-C18烷基,且Y2在每次出現時獨立地係C2-C10伸烷基,例如-CY3Y4-CY5Y6-或-CY7Y8-CY9Y10-CY11Y12-,其中Y3、Y4、Y5、Y6、Y7、Y8、Y9、Y10、Y11及Y12彼此獨立地係氫或C1-C18烷基,尤其係-C(CH3)2C(CH3)2-、- C(CH3)2CH2C(CH3)2-或-CH2C(CH3)2CH2-,且Y13及Y14彼此獨立地係氫或C1-C18烷基。
含有二酸或二酸酯基團之二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔唑亦可藉由以下來製備:使鹵化二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔唑與烷基鋰試劑(例如,正丁基鋰或第三丁基鋰)反應,隨後與酸酯(例如, B(異丙氧基)3、B(甲氧基)3)反應(參見Synthesis(2000)442-446)。
含有二酸或二酸酯基團之二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔唑亦可藉由使二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔唑與醯胺鋰(例如二異丙基醯胺鋰(LDA))反應隨後與酸酯(例如,B(異丙氧基)3、B(甲氧基)3)反應來製備(J.Org.Chem.73(2008)2176-2181)。
含有二酸或二酸酯基團之二苯并呋喃、二苯并噻吩及咔唑 (例如,)可在溶劑中及觸媒存在下與等莫耳 量之鹵化二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑及4H-咪唑并[1,2-a]咪唑(例 如,)反應。該觸媒可為μ-鹵(三異丙基膦)(η3-烯丙基) 鈀(II)型觸媒之一(例如參見WO99/47474)。
較佳地,在有機溶劑(例如芳烴)或通用極性有機溶劑(例如苯、 甲苯、二甲苯、四氫呋喃或二噁烷或其混合物、最佳甲苯)存在下實施Suzuki反應。通常,選擇每mol酸衍生物1l至10l範圍內之溶劑量。亦較佳地,在惰性氣氛(例如氮或氬)下實施該反應。另外,較佳地在鹼水溶液(例如鹼金屬氫氧化物或碳酸鹽(例如NaOH、KOH、Na2CO3、K2CO3、Cs2CO3及諸如此類))存在下實施該反應,較佳地選擇水K2CO3溶液。通常,選擇0.5:1至50:1之範圍內、極尤其1:1之鹼對酸或酸酯衍生物之莫耳比。通常,選擇40℃至180℃範圍內之反應溫度,較佳地在回流條件下進行。較佳地,選擇1小時至80小時、更佳地20小時至72小時範圍內之反應時間。在較佳實施例中,使用偶合反應或縮聚反應之通用觸媒,較佳地闡述於WO2007/101820中之基於Pd者。鈀化合物係基於欲封閉鍵之數目以1:10000至1:50、較佳地1:5000至1:200之比率添加。較佳者係(例如)使用鈀(II)鹽(例如PdAc2 或Pd2dba3)及添加選自由以下各項組成之群之配體: ;其中。該配體係基於Pd以 1:1至1:10之比率添加。亦較佳地,以溶液或懸浮液形式添加觸媒。較佳地,使用適當的有機溶劑,例如上文所闡述者,較佳地苯、甲苯、二甲苯、THF、二噁烷、更佳地甲苯或其混合物。通常,選擇每mol酸衍生物1l至10l範圍內之溶劑量。有機鹼(例如,氫氧化四烷基銨)及相轉移觸媒(例如,TBAB)可提升硼之活性(例如,參見Leadbeater & Marco;Angew.Chem.Int.Ed.Eng.42(2003)1407及其 中所引用之參考文獻)。反應條件之其他變化由T.I.Wallow及B.M.Novak在J.Org.Chem.59(1994)5034-5037中及M.Remmers、M.Schulze、G.Wegner在Macromol.Rapid Commun.17(1996)239-252中及G.A.Molander und B.Canturk,Angew.Chem.,121(2009)9404-9425中給出。
氮雜-及二氮雜-二苯并呋喃起始材料之合成在文獻中已知或可以與已知程序類似之方式達成。
JP2011084531闡述(例如)苯并呋喃并[3,2-b]吡啶在兩個步驟中自2-溴吡啶-3-醇起始使用鹼催化環化之合成。藉由在硫酸銀存在下利用溴溴化得到溴化化合物。
US2010/0187984闡述(例如)3,6-二氯-苯并呋喃并[2,3-b]吡啶在三個步驟中自2-胺基-5-氯吡啶起始使用重氮離子鹽之環化之合成。
L.Kaczmarek,Polish Journal of Chemistry 59(1985)1141闡述呋 喃并[3,2-b:4,5-b]二吡啶自2-(3-胺基-2-吡啶基)吡啶-3-胺起始使用重氮離子鹽之酸催化環化之合成。
JP2002284862闡述2,7-二溴-呋喃并[3,2-b:4,5-b]二吡啶自2-(3-胺基-5-溴-2-吡啶基)-5-溴-吡啶-3-胺起始使用重氮離子鹽之酸催化環化之合成。Y.Fort,Tetrahedron 50(41),11893(1994)闡述起始材料之合成。
J.Liu,J.Org.Chem.73,2951(2008)闡述(例如)苯并呋喃并[2,3-c]吡啶使用銅催化環化步驟之合成。
化合物E-57之可能合成路徑顯示於以下反應圖中:
化合物E-12之可能合成路徑顯示於以下反應圖中:
鹵素/金屬交換係利用nBuLi/THF在-78℃下或tBuLi/THF在-78℃下達成。參考WO2010/079051,其中闡述該等化合物之合成。
之化合物係在產生式(I)之化合物中 的新中間體且構成本發明之另一標的。
B1係N或CR81,B2係N或CR82,B3係N或CR83,B4係N或CR84,B5係N或CR85,B6係N或CR86,B7係N或CR87,B8係N或CR88,其中R81、R82、R83、R84、R85、R86、R87及R88彼此獨立地係H、可視情況經E取代及或間雜有D之C1-C25烷基;可視情 況經G取代之C6-C24芳基、可視情況經G取代之C2-C30雜芳基;式--(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16或-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-X1之基團,o係0或1,p係0或1,q係0或1,r係0或1,取代基R81、R82、R83、R84、R85、R86、R87及R88中之至少一者代表式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-X1之基團;其中X1係Cl、Br或I、ZnX12,X12係鹵素原子;-SnR207R208R209,其中R207、R208及R209相同或不同且係H或C1-C8烷基,其中兩個基團視情況形成公共環,且該等基團視情況具支鏈或無支鏈;-B(OH)2、- B(OY1)2、-BF4Na或-BF4K,其中Y1在每次出 現時獨立地係C1-C18烷基,且Y2在每次出現時獨立地係C2-C10伸烷基,且Y13及Y14彼此獨立地係氫或C1-C18烷基,且o、p、q、r、G、A1、A2、A3、A4、R81、R82、R83、R84、R85、R86、R87及R88係如上文所定義。以下化合物係自先前技術得知且被排除在外: 排除在外。
R81、R82、R83、R84、R85、R86、R87、R88、A1、A2、A3、A4及R16之優先性原則上與式(I)之化合物之情形下相同。
若X1係Cl、Br或I,則p係0,q係0且r係0;式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-X1之至少一個基團中之o較佳地係1。式(II)之化合物較佳,其中 X1係-B(OH)2、-B(OY1)2
在式(II)之化合物中,式 之化 合物較佳,其中R81、R82、R83、R85、R86及R87具有上文所給出之含義。
在本發明之較佳實施例中,式(II’)、(II”)、(II’’’)、(II’’’’)及(II’’’’’)之化合物中之取代基R81、R82、R83、R85、R86及R87中之一者係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-X1之基團。
在本發明之另一較佳實施例中,式(II’)、(II”)、(II’’’)、(II’’’’)及(II’’’’’)之化合物中之取代基R81、R82、R83、R85、R86及R87中之兩者係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-X1之基團。
在較佳實施例中,本發明係關於下式之化合物: ,其中R81、R82、R83、R85、R86及 R87係如上文所定義。
在本發明之較佳實施例中,式(IIa)、(IIb)、(IIc)、(IId)、(IIe)、(IIf)、(IIg)、(IIh)、(IIi)、(IIj)、(IIk)、(IIl)、(IIm)、(IIn)及(IIo)之化合物中之取代基R81、R82、R83、R85、R86及R87中之一者係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-X1之基團。
在本發明之另一較佳實施例中,式(IIa)、(IIb)、(IIc)、(IId)、(IIe)、(IIf)、(IIg)、(IIh)、(IIi)、(IIj)、(IIk)、(IIl)、(IIm)、(IIn)及(IIo)之化合物中之取代基R81、R82、R83、R85、R86及R87中之兩者係式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-X1之基團。
式(IIa)、(IIb)、(IIc)、(IId)、(IIe)、(IIf)、(IIi)、(IIj)、(IIl)及(IIn)之化合物較佳。式(IIa)、(IIb)、(IIc)、(IId)、(IIe)、(IIf)、(IIj)及(IIn)之化合物尤佳。
下文顯示中間體之實例:
氮雜二苯并呋喃之溴化可以與闡述於(例如)J.Mater.Chem.18(2008)1296-1301中之咔唑之溴化類似之方式實施。
其他溴化方法闡述於(例如)Helvetica Chimica Acta 89(2006)1123及SYNLETT17(2006)2841-2845.10.206中。
利用鹵化劑對(III)之選擇性鹵化產生式(II)之化合物。鹵化劑係 (例如)N-氯琥珀醯亞胺(NCS)(Synlett 18(2005)2837-2842);Br2(Synthesis 10(2005)1619-1624)、N-溴珀醯亞胺(NBS)(Organic Letters 12(2010)2194-2197;Synlett(2006)2841-2845)、1,3-二溴-5,5-二甲基乙內醯脲(DBH)(Organic Process Research & Development 10(2006)822-828、US2002/0151456)、CuBr2(Synthetic Communications 37(2007)1381-1388);R4NBr3(Can.J.Chem.67(1989)2062)、N-碘珀醯亞胺(NIS)(Synthesis 12(2001)1794-1799、J.Heterocyclic Chem.39(2002)933)、KI/KIO3(Org.Lett.9(2007)797、Macromolecules 44(2011)1405-1413)、NaIO4/I2/H2SO4或NaIO4/KI/H2SO4(J.Heterocyclic Chem.38(2001)77;J.Org.Chem.75(2010)2578-2588);單氯化碘(ICl;Synthesis(2008)221-224)。其他方法闡述於以下文獻中:J.Org.Chem.74(2009)3341-3349;J.Org.Chem.71(2006)7422-7432、Eur.J.Org.Chem.(2008)1065-1071、Chem.Asian J.5(2010)2162-2167、Synthetic.Commun.28(1998)3225。
可用於鹵化中之溶劑之實例係二甲基甲醯胺(DMF)、CH2Cl2、CHCl3、CCl4、乙醇(EtOH)、乙酸(AcOH)、H2SO4、C6H5Cl及其混合物。該鹵化分別可在酸及路易斯酸(lewis acid)(例如、H2SO4、ZrCl4、TiCl4、AlCl3、HfCl4及AlCl3)存在下實施(Synlett 18(2005)2837-2842)。
可藉由使鹵化中間體(II)與(Y1O)2B-B(OY1)2、或在觸媒(例如,[1,1′-雙(二苯 基膦基)二茂鐵]二氯鈀(II)、錯合物(Pd(Cl)2(dppf)))及鹼(例如,乙酸鉀)存在下在諸如二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、二噁烷及/或甲苯等溶劑中反應將鹵化中間體(II)(其中X3係Cl、Br或I)轉化成酸酯中間體 (II)(參見Prasad Appukkuttan等人,Synlett 8(2003)1204)。
製備酸試劑之概述係於以下文獻中給出:Angew.Chem.121(2009)9404-9425、Chem.Rev.95( 1995)2457-2483、Angew.Chem.Int.Ed.41( 2002)4176-4211、Tetrahedron 66(2010)8121-8136。
酸或二酸酯中間體(II)亦可藉由使鹵化中間體(II)與烷基鋰試劑(例如,正丁基鋰、或第三丁基鋰)反應隨後與酸酯(例如, B(異丙氧基)3、B(甲氧基)3)反應來製備(參見 Synthesis(2000)442-446)。
式(I)之化合物可藉由(例如)Suzuki-、Stille-或Negishi偶合反應自中間體及適宜共反應物起始而獲得。
例如,可藉由使中間體(N-2)與X2-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16(其 中X2係(Y1O)2B-、)在觸媒(例如,[1,1′-雙 (二苯基膦基)二茂鐵]二氯鈀(II)、錯合物(Pd(Cl)2(dppf)))及鹼(例如,乙酸鉀)存在下在諸如二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、二噁烷及/或甲苯等溶劑中反應而將鹵化中間體(其中X1係CI、Br或I)(例如, )轉化成式(I)之化合物(參見Prasad Appukkuttan 等人,Synlett 8(2003)1204)。
已發現式I之化合物尤其適用於需要電荷載流子導電性之應用中,尤其用於(例如)選自開關元件(例如,有機電晶體(例如,有機FET及有機TFT)、有機太陽能電池及有機發光二極體(OLED))之有機電子應用中,式I之化合物尤其適於尤其與磷光發射體組合在OLED中 用作基質材料用於發光層中,及/或用作電洞及/或激子阻斷劑材料,及/或用作電子及/或激子阻斷劑材料。在OLED中使用本發明式I之化合物之情形下,獲得具有優良效率及長壽命且可尤其在低使用及操作電壓下操作之OLED。本發明式I之化合物尤其適宜用作藍色及綠色發射體(例如淺藍色或深藍色發射體,該等尤其係磷光發射體)之基質材料及/或電洞/激子阻斷劑材料。另外,式I之化合物可在選自開關元件及有機太陽能電池之有機電子應用中用作導體/互補材料。
I、尤其式(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ii)、(Ij)、(Il)及(In)之化合物可在有機電子應用、尤其OLED中用作基質材料及/或電洞/激子阻斷劑材料及/或電子/激子阻斷劑材料及/或電洞注入材料及/或電子注入材料及/或電洞導體材料(電洞傳輸材料)及/或電子導體材料(電子傳輸材料),較佳地用作基質材料及/或電子/激子阻斷劑及/或電洞傳輸材料。本發明式I之化合物更佳地在有機電子應用、尤其OLED中用作基質材料。
在OLED之發射層或一個發射層中,亦可將發射體材料與式I之化合物之基質材料及具有(例如)優良電洞導體(電洞傳輸)性質之另一基質材料組合。此使得此發射層達成高量子效率。
式I之某些化合物(例如,G-1)之離子化電位大於6eV,且因此適合作為電子傳輸材料。
當式I之化合物在發射層中用作基質材料且另外用作電洞/激子阻斷劑材料及/或電子/激子阻斷劑材料時,由於該等材料之化學一致性或類似性,故在發射層與毗鄰電洞/激子阻斷劑材料及/或電子/激子阻斷劑材料之間獲得改良之界面,此可使得在等同亮度之情形下降低電壓且可使得OLED之壽命延長。此外,對於電洞/激子阻斷劑材料及/或電子/激子阻斷劑材料及發射層之基質,使用相同材料使得OLED之產生製程簡化,此乃因可使用相同來源用於一種式I之化合物之材料 之氣相沈積製程。
有機電子器件之適宜結構已為彼等熟習此項技術者所習知且指定於下文中。
有機電晶體通常包括半導體層,其係自具有電洞傳輸能力及/或電子傳輸能力之有機層形成;閘電極,其係自導電層形成;及絕緣層,其係在半導體層與導電層之間引入。按順序將源電極及汲電極安裝於此配置上以由此產生電晶體元件。此外,熟習此項技術者已知之其他層可存在於有機電晶體中。
有機太陽能電池(光電轉換元件)通常包含存在於併聯配置之兩個板型電極之間之有機層。有機層可組態於梳型電極上。對於有機層之位置並無具體限制關且對於電極之材料並無具體限制。然而,在使用併聯配置之板型電極時,至少一個電極較佳地自透明電極(例如ITO電極或摻氟氧化錫電極)形成。自兩個子層(即具有p型半導體性質或電洞傳輸能力之層,及所形成之具有n型半導體性質或電子傳輸能力之層)形成有機層。此外,在有機太陽能電池中可能存在熟習此項技術者已知之其他層。具有電洞傳輸能力之層可包含式I之化合物。
I之化合物同樣可能既存在於發光層中(較佳地作為基質材料)又存在於電子阻斷層中(作為電子/激子阻斷劑)。
本發明進一步提供有機發光二極體,其包含陽極An及陰極Ka及配置於陽極An與陰極Ka之間之發光層E,及(若適當)至少一個選自由以下各項組成之群之其他層:至少一個電洞/激子阻斷層、至少一個電子/激子阻斷層、至少一個電洞注入層、至少一個電洞導體層、至少一個電子注入層及至少一個電子導體層,其中至少一種式I之化合物存在於發光層E及/或至少一個其他層中。至少一種式I之化合物較佳地存在於發光層及/或電洞阻斷層中。
本申請案進一步係關於發光層,其包含至少一種式I之化合物、 尤其式(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ii)、(Ij)、(Il)或(In)之化合物、極尤其化合物A-1A-65、B-1B-8、C-1C-65、D-1D-8、E-1E-65F-1F-65
本發明OLED之結構
本發明有機發光二極體(OLED)由此通常具有以下結構:陽極(An)及陰極(Ka)及配置於陽極(An)與陰極(Ka)之間之發光層E。
例如,在一較佳實施例中,本發明OLED可自以下層形成:
1.陽極
2.電洞導體層
3.發光層
4.電洞/激子阻斷層
5.電子導體層
6.陰極
不同於上述結構之層順序亦可,且其已為熟習此項技術者所習知。例如,OLED可能並不具有所有所述層;例如,具有層(1)(陽極)、(3)(發光層)及(6)(陰極)之OLED同樣適宜,在該情形下,層(2)(電洞導體層)及(4)(電洞/激子阻斷層)及(5)(電子導體層)之功能由毗鄰層承擔。具有層(1)、(2)、(3)及(6)或層(1)、(3)、(4)、(5)及(6)之OLED同樣適宜。此外,OLED可在電洞導體層(2)與發光層(3)之間具有電子/激子阻斷層。
另外,複數個上述功能(電子/激子阻斷劑、電洞/激子阻斷劑、電洞注入、電洞傳導、電子注入、電子傳導)可組合於一個層中且(例如)由存在於此層中之單一材料承擔。例如,在一實施例中,電洞導體層中所使用之材料可同時阻斷激子及/或電子。
另外,OLED之上文所指定彼等層中之個別層可繼而自兩個或更 多個層形成。例如,電洞導體層可自從電極注入電洞至其中之層及將電洞自電洞注入層傳輸至發光層之層形成。同樣,電子傳導層可由複數個層組成,例如藉由電極注入電子之層及自電子注入層接收電子並將其傳輸至發光層中之層。該等所述層各自根據諸如以下等因素進行選擇:能級、熱阻及電荷載流子遷移率,亦及所指定層與有機層或金屬電極之能量差。熟習此項技術者能夠選擇OLED之結構,以便使其與根據本發明用作發射體物質之有機化合物最佳匹配。
為獲得尤其有效之OLED,例如,電洞導體層之HOMO(最高佔據分子軌道)應與陽極之功函數匹配,且電子導體層之LUMO(最低未佔據分子軌道)應與陰極之功函數匹配,限制條件係上述層存在於本發明OLED中。
陽極(1)係提供正電荷載流子之電極。其可自(例如)包含金屬、各種金屬之混合物、金屬合金、金屬氧化物或各種金屬氧化物之混合物之材料形成。另一選擇為,陽極可為導電聚合物。適宜金屬包含主族之金屬及金屬合金、過渡金屬及鑭系元素之金屬,尤其元素週期表之第Ib、IVa、Va及VIa族金屬及第VIIIa族之過渡金屬。在陽極應透明時,則通常使用元素週期表(IUPAC版本)之第IIb、IIIb及IVb族之混合金屬氧化物,例如氧化銦錫(ITO)。陽極(1)同樣可包含有機材料,例如聚苯胺,如(例如)Nature,第357卷,第477頁至479頁(1992年6月11日)中所闡述。至少陽極或陰極應至少部分地透明以能夠發射所形成之光。用於陽極(1)之材料較佳地係ITO。
用於本發明OLED之層(2)之適宜電洞導體材料揭示於(例如)Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology,第4版,第18卷,第837頁至第860頁,1996。電洞傳輸分子及聚合物皆可用作電洞傳輸材料。通常使用之電洞傳輸分子係選自由以下各項組成之群:叁[N-(1-萘基)-N-(苯基胺基)]三苯基胺(1-NaphDATA)、4,4'-雙[N-(1-萘基)-N- 苯基胺基]聯苯(α-NPD)、N,N'-二苯基-N,N’-雙(3-甲基苯基)-[1,1'-聯苯基]-4,4'-二胺(TPD)、1,1-雙[(二-4-甲苯基胺基)苯基]環己烷(TAPC)、N,N’-雙(4-甲基苯基)-N,N’-雙(4-乙基苯基)-[1,1’-(3.3'-二甲基)聯苯基]-4,4’-二胺(ETPD)、四(3-甲基苯基)-N,N,N’,N’-2,5-伸苯基二胺(PDA)、α-苯基-4-N,N-二苯基胺基苯乙烯(TPS)、對-(二乙基胺基)苯甲醛二苯基腙(DEH)、三苯基胺(TPA)、雙[4-(N,N-二乙基胺基)-2-甲基苯基)(4-甲基苯基)甲烷(MPMP)、1-苯基-3-[對-(二乙基胺基)苯乙烯基]-5-[對-(二乙基胺基)苯基]吡唑啉(PPR或DEASP)、1,2-反式-雙(9H-咔唑-9-基)環丁烷(DCZB)、N,N,N’,N’-四(4-甲基苯基)-(1,1'-聯苯基)-4,4’-二胺(TTB)、4,4’,4”-叁(N,N-二苯基胺基)三苯基胺(TDTA)、4,4’,4”-叁(N-咔唑基)三苯基胺(TCTA)、N,N’-雙(萘-2-基)-N,N’-雙(苯基)聯苯胺(β-NPB)、N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-雙(苯基)-9,9-螺二茀(螺-TPD)、N,N’-雙(萘-1-基)-N,N’-雙(苯基)-9,9-螺二茀(螺-NPB)、N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-雙(苯基)-9,9-二甲基茀(DMFL-TPD)、二[4-(N,N-二甲苯基胺基)苯基]環己烷、N,N’-雙(萘-1-基)-N,N’-雙(苯基)-9,9-二甲基茀、N,N’-雙(萘-1-基)-N,N’-雙(苯基)-2,2-二甲基聯苯胺、N,N’-雙(萘-1-基)-N,N’-雙(苯基)聯苯胺、N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-雙(苯基)聯苯胺、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)、4,4’,4”-叁(N-3-甲基苯基-N-苯基胺基)三苯基胺、4,4’,4”-叁(N-(2-萘基)-N-苯基-胺基)三苯基胺、吡嗪并[2,3-f][1,10]啡啉-2,3-二甲腈(PPDN)、N,N,N’,N’-四(4-甲氧基苯基)聯苯胺(MeO-TPD)、2,7-雙[N,N-雙(4-甲氧基苯基)胺基]-9,9-螺二茀(MeO-螺-TPD)、2,2’-雙[N,N-雙(4-甲氧基苯基)胺基]-9,9-螺二茀(2,2’-MeO-螺-TPD)、N,N’-二苯基-N,N’-二[4-(N,N-二甲苯基胺基)苯基]聯苯胺(NTNPB)、N,N’-二苯基-N,N’-二[4-(N,N-二苯基胺基)苯基]聯苯胺(NPNPB)、N,N’-二(萘-2-基)-N,N’-二苯基苯-1,4-二胺(β-NPP)、N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-雙 (苯基)-9,9-二苯基茀(DPFL-TPD)、N,N’-雙(萘-1-基)-N,N’-雙(苯基)-9,9-二苯基茀(DPFL-NPB)、2,2’,7,7’-四(N,N-二苯基胺基)-9,9’-螺二茀(螺-TAD)、9,9-雙[4-(N,N-雙(聯苯基-4-基)胺基)苯基]-9H-茀(BPAPF)、9,9-雙[4-(N,N-雙(萘-2-基)胺基)苯基]-9H-茀(NPAPF)、9,9-雙[4-(N,N-雙(萘-2-基)-N,N’-聯苯胺基)苯基]-9H-茀(NPBAPF)、2,2’,7,7’-四[N-萘基(苯基)胺基]-9,9’-螺二茀(螺-2NPB)、N,N’-雙(菲-9-基)-N,N’-雙(苯基)聯苯胺(PAPB)、2,7-雙[N,N-雙(9,9-螺二茀-2-基)胺基]-9,9-螺二茀(螺-5)、2,2’-雙[N,N-雙(聯苯基-4-基)胺基]-9,9-螺二茀(2,2’-螺-DBP)、2,2’-雙(N,N-二苯基胺基)-9,9-螺二茀(螺-BPA)、2,2’,7,7’-四(N,N-二甲苯基)胺基螺二茀(螺-TTB)、N,N,N’,N’-四萘-2-基聯苯胺(TNB)、卟啉化合物及酞菁(例如銅酞菁及氧化鈦酞菁)。通常使用之電洞傳輸聚合物係選自由以下各項組成之群:聚乙烯基咔唑、(苯基甲基)聚矽烷及聚苯胺。同樣可藉由將電洞傳輸分子摻雜至諸如聚苯乙烯及聚碳酸酯等聚合物中來獲得電洞傳輸聚合物。適宜電洞傳輸分子係上文已述分子。
此外,在一實施例中,可使用碳烯錯合物作為電洞導體材料,至少一種電洞導體材料之帶隙通常大於所用發射體材料之帶隙。在本申請案之上下文中,「帶隙」應理解為意指三重態能量。適宜碳烯錯合物係(例如)如以下文件中所闡述之碳烯錯合物:WO 2005/019373 A2、WO 2006/056418 A2、WO 2005/113704、WO 2007/115970、WO 2007/115981及WO 2008/000727。適宜碳烯錯合物之一實例係具有下式之Ir(dpbic)3
其揭示於(例如)WO2005/019373中。原則上,電洞導體層可包含至少一種式I之化合物作為電洞導體材料,尤其式(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ii)、(Ij)、(Il)或(In)之化合物,極尤其化合物A-1A-65、B-1B-8、C-1C-65、D-1D-8、E-1E-65F-1F-65
電洞傳輸層亦可以電子方式摻雜,以改良所用材料之傳輸性質,以首先使層厚度更大(避免針孔/短路)且其次使器件之操作電壓最小化。電子摻雜已為熟習此項技術者所習知,且揭示於(例如)W.Gao,A.Kahn,J.Appl.phys.,第94卷,2003,359(p摻雜之有機層);A.G.Werner,F.Li,K.Harada,M.Pfeiffer,T.Fritz,K.Leo,Appl.Phys.Lett.,第82卷,第25期,2003,4495;及Pfeiffer等人,Organic Electronics 2003,4,89-103,及K.Walzer,B.Maennig,M.Pfeiffer,K.Leo,Chem.Soc.Rev.2007,107,1233。例如,可在電洞傳輸層中使用混合物,尤其達成電洞傳輸層之電p摻雜之混合物。p摻雜係藉由添加氧化材料而達成。該等混合物可為(例如)以下混合物:上述電洞傳輸材料與至少一種金屬氧化物之混合物,該至少一種金屬氧化物係(例如)MoO2、MoO3、WOx、ReO3及/或V2O5,較佳為MoO3及/或ReO3,更佳為MoO3;或包含上述電洞傳輸材料及一或多種選自以下各項之化合物的混合物:7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(TCNQ)、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)、2,5-雙(2-羥基乙氧基)-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷、雙(四-正丁基銨)四氰基二苯酚醌二甲烷、2,5-二甲基- 7,7,8,8-四氰基醌二甲烷、四氰基乙烯、11,11,12,12-四氰基萘-2,6-醌二甲烷、2-氟-7,7,8,8-四氰基醌-二甲烷、2,5-二氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷、二氰基亞甲基-1,3,4,5,7,8-六氟-6H-萘-2-亞基)丙二腈(F6-TNAP)、Mo(tfd)3(來自Kahn等人,J.Am.Chem.Soc.2009,131(35),12530-12531)、如EP1988587、US2008265216、EP2180029、US20100102709、WO2010132236、EP2180029中所述之化合物及如EP2401254中所述之醌化合物。較佳混合物包含上述碳烯錯合物,例如,碳烯錯合物HTM-1及MoO3及/或ReO3,尤其MoO3。在尤佳實施例中,電洞傳輸層包含0.1wt%至10wt% MoO3及90wt%至99.9wt%碳烯錯合物、尤其碳烯錯合物HTM-1,其中MoO3及碳烯錯合物之總量為100wt%。
發光層(3)包含至少一種發射體材料。原則上,其可為螢光或磷光發射體,適宜發射體材料已為熟習此項技術者所習知。至少一種發射體材料較佳地係磷光發射體。優先使用之磷光發射體化合物係基於金屬錯合物,且尤其金屬Ru、Rh、Ir、Pd及Pt之錯合物、尤其Ir之錯合物已非常重要。式I之化合物可用作發光層中之基質。
適用於本發明OLED中之金屬錯合物闡述於例如以下文件中:WO02/60910A1、US2001/0015432A1、US2001/0019782A1、US2002/0055014A1、US2002/0024293A1、US2002/0048689A1、EP1191612A2、EP1191613A2、EP1211257A2、US2002/0094453A1、WO02/02714A2、WO00/70655A2、WO01/41512A1、WO02/15645A1、WO2005/019373A2、WO2005/113704A2、WO2006/115301A1、WO2006/067074A1、WO2006/056418、WO2006121811A1、WO2007095118A2、WO2007/115970、WO2007/115981、WO2008/000727、WO2010129323、WO2010056669、WO10086089、US2011/0057559、WO2011/106344、 US2011/0233528、WO2012/048266及WO2012/172482。
其他適宜金屬錯合物係可自市面購得之金屬錯合物:叁(2-苯基吡啶)銥(III)、叁(2-(4-甲苯基)吡啶酸基-N,C2’)銥(III)、雙(2-苯基吡啶)(乙醯丙酮酸基)銥(III)、叁(1-苯基異喹啉)銥(III)、雙(2,2’-苯并噻吩基)吡啶根基-N,C3’)(乙醯丙酮)銥(III)、叁(2-苯基喹啉)銥(III)、雙(2-(4,6-二氟苯基)吡啶根基-N,C2)吡啶甲酸銥(III)、雙(1-苯基異喹啉)(乙醯丙酮)銥(III)、雙(2-苯基喹啉)(乙醯丙酮酸基)銥(III)、雙(二-苯并[f,h]喹噁啉)(乙醯丙酮)銥(III)、雙(2-甲基二-苯并[f,h]喹噁啉)(乙醯丙酮)銥(III)及叁(3-甲基-1-苯基-4-三甲基乙醯基-5-吡唑啉)鋱(III)、雙[1-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)異喹啉](乙醯丙酮酸基)銥(III)、雙(2-苯基苯并噻唑酸基)(乙醯丙酮酸基)銥(III)、雙(2-(9,9-二己基茀基)-1-吡啶)(乙醯丙酮酸基)銥(III)、雙(2-苯并[b]噻吩-2-基-吡啶)(乙醯丙酮酸基)銥(III)。
另外,以下可自市面購得之材料亦適宜:叁(二苯甲醯基丙酮酸基)單(啡啉)銪(III)、叁(二苯甲醯基甲烷)-單(啡啉)銪(III)、叁(二苯甲醯基甲烷)單(5-胺基啡啉)銪(III)、叁(二-2-萘甲醯基甲烷)單(啡啉)銪(III)、叁(4-溴苯甲醯基甲烷)單(啡啉)銪(III)、叁(二(聯苯基)甲烷)單(啡啉)銪(III)、叁(二苯甲醯基甲烷)單(4,7-二苯基啡啉)銪(III)、叁(二苯甲醯基甲烷)單(4,7-二-甲基啡啉)銪(III)、叁(二苯甲醯基甲烷)單(4,7-二甲基啡啉二磺酸)銪(III)二鈉鹽、叁[二(4-(2-(2-乙氧基乙氧基)乙氧基)苯甲醯基甲烷)]單(啡啉)銪(III)及叁[二[4-(2-(2-乙氧基-乙氧基)乙氧基)苯甲醯基甲烷)]單(5-胺基啡啉)銪(III)、雙(3-(三氟甲基)-5-(4-第三-丁基吡啶基)-1,2,4-三唑酸基)二苯基甲基膦鋨(II)、雙(3-(三氟甲基)-5-(2-吡啶基)-1,2,4-三唑)二甲基苯基膦鋨(II)、雙(3-(三氟甲基)-5-(4-第三-丁基吡啶基)-1,2,4-三唑合)二甲基苯基膦鋨(II)、雙(3-(三氟甲基)-5-(2-吡啶基)吡唑酸基)二甲基苯基膦鋨(II)、叁[4,4’-二-第三-丁 基(2,2’)-聯吡啶]釕(III)、雙(2-(9,9-二丁基茀基)-1-異喹啉(乙醯丙酮)鋨(II)。
較佳磷光發射體係碳烯錯合物。適宜磷光藍色發射體指定於以下出版物中:WO2006/056418A2、WO2005/113704、WO2007/115970、WO2007/115981、WO2008/000727、WO2009050281、WO2009050290、WO2011051404、US2011/057559、WO2011/073149、WO2012/121936A2、US2012/0305894A1、WO2012/170571、WO2012/170461、WO2012/170463、WO2006/121811、WO2007/095118、WO2008/156879、WO2008/156879、WO2010/068876、US2011/0057559、WO2011/106344、US2011/0233528、WO2012/048266及WO2012/172482。
發光層較佳地包含式[L]m1[K]o1M[碳烯]n1(IX)之化合物,其闡述於WO 2005/019373A2中,其中該等符號具有以下含義:M係選自由以下各項組成之群之金屬原子:Co、Rh、Ir、Nb、Pd、Pt、Fe、Ru、Os、Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、Cu、Ag及Au,其呈各別金屬原子可能的任何氧化態;碳烯係碳烯配體,其可為不帶電或單陰離子及單齒配位基、雙齒配位基或三齒配位基,且碳烯配體亦能係雙碳烯或三碳烯配體;L係單陰離子或雙陰離子配體,其可為單齒配位基或雙齒配位基;K係不帶電單齒配位基或雙齒配位基配體,其選自由以下各項組成之群:膦;膦酸酯及其衍生物,砷酸酯及其衍生物;亞磷酸酯;CO;吡啶;腈及共軛二烯,其與M1形成π錯合物;n1係碳烯配體之數目,其中n1係至少1,且當n1>1時,式(IX)之錯合物中之碳烯配體可相同或不同; m1係配體L之數目,其中m1可為0或1,且當m1>1時,配體L可相同或不同;o1係配體K之數目,其中o1可為0或1,且當o1>1時,配體K可相同或不同;其中n1+m1+o1之和取決於以下各項:金屬原子之氧化態及配位數,及配體碳烯、L及K之齒合度,亦及配體、碳烯及L上之電荷,限制條件係n1為至少1。
為適宜三重態發射體之碳烯錯合物闡述於例如以下文件中:WO 2006/056418 A2、WO 2005/113704、WO 2007/115970、WO 2007/115981及WO 2008/000727、WO2009050281、WO2009050290、WO2011051404及WO2011073149。
更佳者係以下通式之金屬碳烯錯合物
,其闡述於美國專利申請案第 61/286046號、第61/323885號及歐洲專利申請案10187176.2(PCT/EP2010/069541)中,其中M、n1、Y、A2’、A3’、A4’、A5’、R51、R52、R53、R54、R55、R56、R57、R58、R59、K、L、m1及o1各自定義如下:M係Ir或Pt,n1係選自1、2及3之整數,Y係NR51、O、S或C(R25)2,A2’、A3’、A4’及A5’各自獨立地係N或C,其中2個A=氮原子且環 中之至少兩個氮原子之間存在至少一個碳原子,R51係直鏈或具支鏈烷基,其視情況間雜有至少一個雜原子、視情況具有至少一個官能基且具有1至20個碳原子;環烷基,其視情況間雜有至少一個雜原子、視情況具有至少一個官能基且具有3至20個碳原子;經取代或未經取代之芳基,其視情況間雜有至少一個雜原子、視情況具有至少一個官能基且具有6至30個碳原子;經取代或未經取代之雜芳基,其視情況間雜有至少一個雜原子、視情況具有至少一個官能基且具有總共5至18個碳原子及/或雜原子,若A2’、A3’、A4’及/或A5’係N,則R52、R53、R54及R55各自係自由電子對,或若A2’、A3’、A4’及/或A5’係C,則其各自獨立地係氫、直鏈或具支鏈烷基,其視情況間雜有至少一個雜原子、視情況具有至少一個官能基且具有1至20個碳原子;環烷基,其視情況間雜有至少一個雜原子、視情況具有至少一個官能基且具有3至20個碳原子;經取代或未經取代之芳基,其視情況間雜有至少一個雜原子、視情況具有至少一個官能基且具有6至30個碳原子;經取代或未經取代之雜芳基,其視情況間雜有至少一個雜原子、視情況具有至少一個官能基且具有總共5至18個碳原子及/或雜原子;具有供體或受體作用之基團,或R53及R54連同A3’及A4’一起形成視情況經取代之不飽和環,該環視情況間雜有至少一個其他雜原子且具有總共5至18個碳原子及/或雜原子,R56、R57、R58及R59各自獨立地係氫;直鏈或具支鏈烷基,其視情況間雜有至少一個雜原子、視情況具有至少一個官能基且具有1至20個碳原子;環烷基,其視情況間雜有至少一個雜原子、視情況具有至少一個官能基且具有3至20個碳原子;雜環烷基,其視情況間雜有至少一個雜原子、視情況具有至少一個官能基且具有3至20個碳原子;經取代或未經取代之芳基,其視情況間雜有至少一個雜原子、視 情況具有至少一個官能基且具有6至30個碳原子;經取代或未經取代之雜芳基,其視情況間雜有至少一個雜原子、視情況具有至少一個官能基且具有總共5至18個碳原子及/或雜原子;具有供體或受體作用之基團,或R56及R57、R57及R58或R58及R59連同其所鍵結之碳原子一起形成視情況經取代之飽和、不飽和或芳香族環,該環視情況間雜有至少一個雜原子且具有總共5至18個碳原子及/或雜原子,及/或若A5’係C,則R55及R56一起形成飽和或不飽和直鏈或具支鏈橋,該橋視情況包含雜原子、芳香族單元、雜芳香族單元及/或官能基且具有總共1至30個碳原子及/或雜原子,視情況稠合包含碳原子及/或雜原子之經取代或未經取代之5至8員環,R25獨立地係直鏈或具支鏈烷基,其視情況間雜有至少一個雜原子、視情況具有至少一個官能基且具有1至20個碳原子;環烷基,其視情況間雜有至少一個雜原子、視情況具有至少一個官能基且具有3至20個碳原子;經取代或未經取代之芳基,其視情況間雜有至少一個雜原子、視情況具有至少一個官能基且具有6至30個碳原子;經取代或未經取代之雜芳基,其視情況間雜有至少一個雜原子、視情況具有至少一個官能基且具有總共5至18個碳原子及/或雜原子,K係不帶電荷之單齒或雙齒配體,L係單陰離子或雙陰離子配體,較佳地單陰離子配體,其可為單齒或二齒配位基,m1係0、1或2,其中當m1係2時,K配體可相同或不同,o1係0、1或2,其中當o1係2時,L配體可相同或不同。
IX之化合物較佳地係下式之化合物:
其他適宜非碳烯發射體材料係於下文闡述: ,或 。最佳磷光藍色發射體係下式之化合物:
均配金屬-碳烯錯合物可以面式或經式異構物形式存在,較佳者係面式異構物。
在雜配金屬-碳烯錯合物之情形下,可存在四種不同異構物,較佳者係擬面式異構物。
除發射體材料以外,發光層亦可包含其他組份。例如,螢光染料可存在於發光層中以改變發射體材料之發射顏色。此外,在一較佳實施例中,可使用基質材料。此基質材料可為聚合物,例如聚(N-乙烯基咔唑)或聚矽烷。然而,基質材料可為小分子,例如4,4’-N,N’-二咔唑聯苯(CDP=CBP)或三級芳香族胺(例如TCTA)。在本發明之一較佳實施例中,將至少一種式I之化合物用作基質材料。
在較佳實施例中,發光層係自以下各項形成:2重量%至40重量 %、較佳地5重量%至35重量%的至少一種上述發射體材料及60重量%至98重量%、較佳地75重量%至95重量%的至少一種上述基質材料,在一實施例中至少一種式I之化合物,其中發射體材料及基質材料之總和總計為100重量%。
I之化合物尤其係式(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ii)、(Ij)、(Il)或(In)之化合物,極尤其化合物A-1A-65、B-1B-8、C-1C-65、D-1D-8、E-1E-65F-1F-65
在尤佳實施例中,發光層包含式I之化合物(例如, 及兩種碳烯錯合物,較佳地式 之碳烯錯合物。在該實施例中,發光層係 自以下各項形成:2重量%至40重量%、較佳地5重量%至35重量%的 ,及60重量%至98重量%、較佳地65重量%至95重量%的 式I之化合物及,其中碳烯錯合物及式I之化合物之總和 總計為100重量%。
與式I之化合物一起在OLED中用作基質材料及/或電洞/激子阻斷劑材料及/或電子/激子阻斷劑材料及/或電洞注入材料及/或電子注入材料及/或電洞導體材料及/或電子導體材料、較佳地用作基質材料及/或電洞/激子阻斷劑材料之適宜金屬錯合物由此亦係(例如)碳烯錯合物,如WO 2005/019373 A2、WO 2006/056418 A2、WO 2005/113704、WO 2007/115970、WO 2007/115981及WO 2008/000727中所述。本文明確參考所引用WO申請案之揭示內容,且該等揭示內容應視為納入本申請案之內容中。
本發明化合物亦可用作磷光綠色發射體之主體。適宜磷光綠色發射體係例如以下出版物中所指定者:WO2006014599、WO20080220265、WO2009073245、WO2010027583、WO2010028151、US20110227049、WO2011090535、WO2012/08881、WO20100056669、WO20100118029、WO20100244004、WO2011109042、WO2012166608、US20120292600、EP2551933A1;US6687266、US20070190359、US20070190359、US20060008670;WO2006098460、US20110210316、WO2012053627;US6921915、US20090039776;及JP2007123392。
適宜磷光綠色發射體之實例顯示於下文中:
若存在電洞阻斷層,則通常用於OLED中之電洞阻斷劑材料係(例如)2,6-雙(N-咔唑基)吡啶(mCPy)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-啡啉(浴銅靈(bathocuproin),(BCP))、雙(2-甲基-8-喹啉酸基)-4-苯基苯酸根基)鋁(III)(BAIq)、吩噻嗪S,S-二氧化物衍生物及1,3,5-三(N-苯基-2-苯甲基咪唑基)苯)(TPBI),TPBI亦適宜作為電子導電材料。其他適宜電洞阻斷劑及/或電子導體材料係2,2’,2"-(1,3,5-苯三基)叁(1-苯基-1-H-苯并咪唑)、2-(4-聯苯基)-5-(4-第三丁基苯基)-1,3,4-噁二唑、8-羥基喹啉酸基鋰、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑、1,3-雙[2-(2,2’- 聯吡啶-6-基)-1,3,4-噁二唑-5-基]苯、4,7-二苯基-1,10-啡啉、3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-第三丁基苯基-1,2,4-三唑、6,6’-雙[5-(聯苯基-4-基)-1,3,4-噁二唑-2-基]-2,2’-聯吡啶基、2-苯基-9,10-二(萘-2-基)蒽、2,7-雙[2-(2,2’-聯吡啶-6-基)-1,3,4-噁二唑-5-基]-9,9-二甲基茀、1,3-雙[2-(4-第三丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-5-基]苯、2-(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-啡啉、叁(2,4,6-三甲基-3-(吡啶-3-基)苯基)硼烷、2,9-雙(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-啡啉、1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑并[4,5-f][1,10]啡啉。在另一實施例中,可使用如下化合物作為電洞/激子阻斷層(4)或作為發光層(3)中之基質材料:包含經由包含羰基之基團連結之芳香族或雜芳香族環(如WO2006/100298中所揭示)、二矽烷基化合物(其選自由二矽烷基咔唑、二矽烷基苯并呋喃、二矽烷基苯并噻吩、二矽烷基苯并磷雜環戊二烯、二矽烷基苯并噻吩S-氧化物及二矽烷基苯并噻吩S,S-二氧化物組成之群,如(例如)在WO2009/003919及WO2009003898中所指定)及如在WO2008/034758中所揭示之二矽烷基化合物。
適用於本發明OLED之層(5)之電子導體材料包含螯合至類喔星(oxinoid)化合物之金屬,例如2,2’,2”-(1,3,5-伸苯基)叁[1-苯基-1H-苯并咪唑](TPBI)、叁(8-喹啉酸基)鋁(Alq3)、基於啡啉之化合物(例如2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-啡啉(DDPA=BCP)或4,7-二苯基-1,10-啡啉(DPA))及唑化合物(例如2-(4-聯苯基)-5-(4-第三丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)及3-(4-聯苯基)-4-苯基-5-(4-第三丁基苯基)-1,2,4-三唑(TAZ))、8-羥基喹啉酸基鋰(Liq)、4,7-二苯基-1,10-啡啉(BPhen)、雙(2-甲基-8-喹啉酸基)-4-(苯基苯酚根合)鋁(BAlq)、1,3-雙[2-(2,2’-聯吡啶-6-基)-1,3,4-噁二唑-5-基]苯(Bpy-OXD)、6,6’-雙[5-(聯苯基-4-基)-1,3,4-噁二唑-2-基]-2,2’-聯吡啶基(BP-OXD-Bpy)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、2,9-雙(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-啡啉 (NBphen)、2,7-雙[2-(2,2’-聯吡啶-6-基)-1,3,4-噁二唑-5-基]-9,9-二甲基茀(Bby-FOXD)、1,3-雙[2-(4-第三-丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-5-基]苯(OXD-7)、叁(2,4,6-三甲基-3-(吡啶-3-基)苯基)硼烷(3TPYMB)、1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑并[4,5-f][1,10]啡啉(2-NPIP)、2-苯基-9,10-二(萘-2-基)蒽(PADN)、2-(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-啡啉(HNBphen)。層(5)可用於促進電子傳輸且用作緩衝層或障壁層以防止激子在OLED之層界面處淬滅。層(5)較佳地改良電子之遷移率且降低激子之淬滅。在一較佳實施例中,使用TPBI作為電子導體材料。在另一較佳實施例中,使用BCP作為電子導體材料。原則上,電子導體層可包括至少一種式I之化合物作為電子導體材料。
電子傳輸層亦可以電子方式摻雜,以改良所用材料之傳輸性質,以首先使層厚度更大(避免針孔/短路)且其次使器件之操作電壓最小化。電子摻雜已為熟習此項技術者所習知,且揭示於例如以下文獻中:W.Gao,A.Kahn,J.Appl.Phys.,第94卷,第1期,2003年7月1日(p摻雜之有機層);A.G.Werner,F.Li,K.Harada,M.Pfeiffer,T.Fritz,K.Leo,Appl.Phys.Lett.,第82卷,第25期,2003年6月23日;及Pfeiffer等人,Organic Electronics 2003,4,89-103;及K.Walzer,B.Maennig,M.Pfeiffer,K.Leo,Chem.Soc.Rev.2007,107,1233。例如,可使用達成電子傳輸層之電n摻雜之混合物。n摻雜係藉由添加還原材料而達成。該等混合物可為(例如)上述電子傳輸材料與鹼金屬/鹼土金屬或鹼金屬/鹼土金屬鹽(例如Li、Cs、Ca、Sr、Cs2CO3)、與鹼金屬錯合物(例如8-羥基喹啉酸基鋰(Liq))、及與Y、Ce、Sm、Gd、Tb、Er、Tm、Yb、Li3N、Rb2CO3、鄰苯二甲酸二鉀、來自EP 1786050之W(hpp)4、或與如EP1837926B1、EP1837927、EP2246862及WO2010132236中所述化合物之混合物。
同樣可在電子傳輸層中使用鹼金屬羥基喹啉鹽錯合物、較佳地 Liq與二苯并呋喃化合物之混合物。參考WO2011/157790。闡述於WO2011/157790中之二苯并呋喃化合物A-1A-36B-1B-22較佳, 其中二苯并呋喃化合物(A-10;=ETM-1)最佳。
在較佳實施例中,電子傳輸層包含Liq,其量為99重量%至1重量%、較佳地75重量%至25重量%、更佳地約50重量%,其中Liq之量及二苯并呋喃化合物、尤其ETM-1之量總計為總共100重量%。
同樣可在電子傳輸層中使用鹼金屬羥基喹啉鹽錯合物、較佳地Liq與吡啶化合物之混合物。參考WO2011/157779。尤佳者係下式之吡啶化合物
在另一較佳實施例中,電子傳輸層包含闡述於WO2012/111462、WO2012/147397、WO2012014621中之化合物,例如,式 之化合物;闡述於US2012/0261654 中之化合物,例如,式之 化合物;及闡述於WO2012/115034中之化合物,例如,式 之化合物。
在作為電洞導體材料及電子導體材料之上述材料中,一些可實現若干功能。例如,一些電子導電材料在具有低位HOMO時,其同時係電洞阻斷材料。該等材料可用於(例如)電洞/激子阻斷層(4)中。然而,同樣,層(5)亦可採用其用作電洞/激子阻斷劑,從而可省去層(4)。
亦可以電子方式摻雜電荷傳輸層,以改良所用材料之傳輸性質,從而首先使層厚度更大(避免針孔/短路)且其次使器件之操作電壓最小化。例如,電洞導體材料可摻雜有電子受體;例如,酞菁或芳胺(例如TPD或TDTA)可摻雜有四氟四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)或摻雜有MoO3或WO3。電子導體材料可摻雜有(例如)鹼金屬,例如摻雜有鋰之Alq3。另外,電子導體可摻雜有諸如Cs2CO3等鹽或8-羥基喹啉酸基鋰(Liq)。電子摻雜已為熟習此項技術者所習知且揭示於(例如)以下文獻中:W.Gao,A.Kahn,J.Appl.Phys.,第94卷,第1期,2003年7月1日(p-摻雜有機層);A.G.Werner,F.Li,K.Harada,M.Pfeiffer,T.Fritz,K.Leo.Appl.Phys.Lett.,第82卷,第25期,2003年6月23日;及 Pfeiffer等人,Organic Electronics 2003,4,89-103。例如,除碳烯錯合物(例如Ir(dpbic)3)以外,電洞導體層可摻雜有MoO3或WO3。例如,電子導體層可包含摻雜有Cs2CO3之BCP。
陰極(6)係用以引入電子或負電荷載流子之電極。適用於陰極之材料係選自由以下各項組成之群:第Ia族之鹼金屬(例如Li、Cs)、第IIa族之鹼土金屬(例如鈣、鋇或鎂)、元素週期表(舊IUPAC版本)之第IIb族之金屬(包含鑭系元素及錒系元素,例如釤)。此外,亦可使用諸如鋁或銦等金屬及所述所有金屬的組合。此外,可將包含鹼金屬、尤其鋰之有機金屬化合物或鹼金屬氟化物(例如,LiF、CsF或KF)施加於有機層與陰極之間以降低操作電壓。
本發明OLED可另外包含熟習此項技術者已知之其他層。例如,可將促進正電荷之傳輸及/或使各層之帶隙彼此匹配之層施加於層(2)與發光層(3)之間。另一選擇為,此另一層可用作保護層。以類似方式,可在發光層(3)與層(4)之間存在其他層,以促進負電荷之傳輸及/或使各層之間之帶隙彼此匹配。另一選擇為,此層可用作保護層。
在一較佳實施例中,除層(1)至(6)外,本發明OLED亦包含以下下述層中之至少一者:-電洞注入層,其位於陽極(1)與電洞傳輸層(2)之間,且厚度為2nm至100nm、較佳地5nm至50nm;-電子阻斷層,其位於電洞傳輸層(2)與發光層(3)之間;-電子注入層,其位於電子傳輸層(5)與陰極(6)之間。
用於電洞注入層之材料可選自銅酞菁、4,4’,4”-叁(N-3-甲基苯基-N-苯基胺基)三苯基胺(m-MTDATA)、4,4’,4”-叁(N-(2-萘基)-N-苯基胺基)三苯基胺(2T-NATA)、4,4’,4”-叁(N-(1-萘基)-N-苯基胺基)三苯基胺(1T-NATA)、4,4’,4”-叁(N,N-二苯基胺基)三苯基胺(NATA)、氧化鈦酞菁、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)、吡嗪并 [2,3-f][1,10]啡啉-2,3-二甲腈(PPDN)、N,N,N’,N’-四(4-甲氧基苯基)聯苯胺(MeO-TPD)、2,7-雙[N,N-雙(4-甲氧基苯基)胺基]-9,9-螺二茀(MeO-螺-TPD)、2,2’-雙[N,N-雙(4-甲氧基苯基)胺基]-9,9-螺二茀(2,2’-MeO-螺-TPD)、N,N’-二苯基-N,N’-二-[4-(N,N-二甲苯基胺基)苯基]聯苯胺(NTNPB)、N,N’-二苯基-N,N’-二-[4-(N,N-二苯基胺基)苯基]聯苯胺(NPNPB)、N,N’-二(萘-2-基)-N,N’-二苯基苯-1,4-二胺(α-NPP)。原則上,電洞注入層可包含至少一種式I之化合物作為電洞注入材料。此外,可使用聚合電洞注入材料,例如聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、自摻雜聚合物(例如,磺化聚(噻吩-3-[2[(2-甲氧基乙氧基)乙氧基]-2,5-二基)(Plexcore® OC導電墨,購自Plextronics)]及共聚物(例如聚(3,4-伸乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯),亦稱為PEDOT/PSS)。
I之化合物、尤其式(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)、(Ii)、(Ij)、(Il)或(In)之化合物、極尤其化合物A-1A-65、B-1B-8、C-1C-65、D-1D-8、E-1E-65F-1F-65可用作電子/激子阻斷劑材料。
適宜用作電子/激子阻斷劑材料之金屬錯合物係(例如)碳烯錯合物,如WO2005/019373A2、WO2006/056418A2、WO2005/113704、WO2007/115970、WO2007/115981及WO2008/000727中所述。適宜碳烯錯合物之一個實例係化合物HTM-1
可選擇(例如)LiF作為用於電子注入層之材料。原則上,電子注入層可包含至少一種式I之化合物作為電子注入材料。
熟習此項技術者已知(例如基於電化學研究)如何必須選擇適宜材料。適宜用於個別層之材料已為熟習此項技術者所習知,且揭示於(例如)WO 00/70655中。
此外,可對本發明OLED中所使用之一些層實施表面處理以增加 電荷載流子傳輸之效率。用於所述層中之每一者之材料的選擇較佳地係藉由獲得具有高效率及壽命之OLED來確定。
本發明OLED可藉由彼等熟習此項技術者已知之方法產生。一般而言,藉由將個別層連續氣相沈積於適宜基板上來產生本發明OLED。適宜基板係(例如)玻璃、無機半導體或聚合物膜。對於氣相沈積而言,可使用常用技術,例如熱蒸發、化學氣相沈積(CVD)、物理氣相沈積(PVD)及其他技術。在替代製程中,可採用熟習此項技術者已知之塗覆技術自存於適宜溶劑中之溶液或分散液來施加OLED之有機層。
一般而言,不同層具有以下厚度:陽極(1)50nm至500nm、較佳地100nm至200nm;電洞導電層(2)5nm至100nm、較佳地20nm至80nm;發光層(3)1nm至100nm、較佳地10nm至80nm;電洞/激子阻斷層(4)2nm至100nm、較佳地5nm至50nm;電子導電層(5)5nm至100nm、較佳地20nm至80nm;陰極(6)20nm至1000nm、較佳地30nm至500nm。各層之相對厚度尤其可影響本發明OLED中電洞及電子之重組區相對於陰極之相對位置及由此OLED的發射光譜。此意味著電子傳輸層之厚度應較佳地經選擇,以便重組區之位置匹配二極體之光學共振器性質及由此發射體的發射波長。OLED中個別層之層厚度之比率取決於所用材料。所用任何其他層之層厚度已為熟習此項技術者習知。電子導電層及/或電洞導電層可具有大於電摻雜時所指定層厚度之厚度。
在OLED之至少一個層中、較佳地在發光層中(較佳作為基質材料)及/或在阻斷層中使用式I之化合物使得可獲得具有高效率及低使用及操作電壓之OLED。通常,藉由使用式I之化合物獲得之OLED另外具有高壽命。另外,可藉由最佳化OLED之其他層來改良OLED之效率。例如,若適當,則可與LiF中間層組合使用高效陰極(例如Ca或 Ba)。使操作電壓降低或量子效率增加之成形基板及新穎電洞傳輸材料同樣可用於本發明OLED中。此外,可在OLED中存在其他層以調節不同層之能級且促進電致發光。
OLED可進一步包含至少一個第二發光層。OLED之總發射可由至少兩個發光層之發射構成且亦可包含白光。
OLED可用於使用電致發光之所有裝置中。適宜器件較佳地選自靜止及移動視覺顯示單元及照明單元。固定視覺顯示單元係(例如)電腦、電視之視覺顯示單元,印表機、廚房用具中之視覺顯示單元,及廣告面板、照明器及資訊面板。移動視覺顯示單元係(例如)行動電話、平板PC、膝上型電腦、數位相機、MP3播放器、車輛中之視覺顯示單元,以及公共汽車及火車上之目的地顯示器。可使用本發明OLED之其他顯示器係(例如)鍵盤;衣物;傢具;壁紙。此外,本發明係關於包含至少一個本發明有機發光二極體或至少一個本發明發光層之器件,其選自由以下各項組成之群:固定視覺顯示單元,例如電腦、電視之視覺顯示單元,印表機、廚房用具中之視覺顯示單元及廣告面板、照明器、資訊面板;及移動視覺顯示單元,例如行動電話、平板PC、膝上型電腦、數位相機、MP3播放器、車輛中之視覺顯示單元,以及公共汽車及火車上之目的地顯示器;照明單元;鍵盤;衣物;傢具;壁紙。
所包括之以下實例僅用於闡釋本發明而並不限制申請專利範圍之範圍。除非另有說明,否則所有份數及百分比皆以重量計。
實例 實例1
a)將於200ml DMF中之20.0g(78.8mmol)1,3-二溴-5-氟-苯、16.3g(78.8mmol)6H-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑及43.5g(0.315mmol)碳酸鉀在170℃下攪拌17h。熱過濾反應混合物,並在冷卻後自母液過濾沈澱。用水及乙醇洗滌產物,並用乙醚及乙醇煎煮。產量21.2g(61%)。
1 H NMR(400MHz,CDCl3):δ 8.00(s,2H);7.90-7.80(m,3H);7.77(s,1H);7.60(d,J=7.6Hz,1H);7.45-7.30(m,4H)。
b)將3.31g(7.5mmol)實例1a)之產物、4.76g(18.75mmol)4,4,5,5-四甲基-2-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧硼-2-基)-1,3,2-二氧硼與5.89g(60mmol)乙酸鉀之混合物抽真空,並用氬吹掃5次。添加40ml DMF,並將混合物抽真空且吹掃。在氬下添加428.7mg(0.525mmol)1,1’-雙(二苯基膦基)二茂鐵)二氯鈀(II)。將反應混合物加熱至65℃並攪拌3.5小時,然後冷卻至室溫,並在減壓下去除溶劑。將殘餘物溶解於120ml水及120ml第三丁基甲醚(TBME)中,攪拌幾分鐘並過濾。分離各相,並用TBME萃取H2O相。乾燥並蒸發有機相,且然後與50ml熱異丙醇一起攪拌15分鐘。過濾懸浮液,用異丙醇洗滌殘餘物,並乾燥,從而得到2.29g。蒸發濾液,並在異丙醇中結晶,從而得到319mg。總產量:2.61g(65%)。
1 H NMR(400MHz,CDCl3):δ 8.38(s,1H);8.26(s,2H);7.89-7.77(m,3H);7.43-7.28(m,5H);1.37(s,12H);1.28(s,12H)。
c)以與T.Jensen in Angew.Chem.Int.Ed.47(2008)888闡述之程序類似之方式自3-氯-吡啶起始來製備3-氯-4-碘-吡啶(產量:52.9%)。
1 H NMR(400MHz,CDCl3):δ 8.56(s,1H);8.07(d,J=4.8Hz,1H);7.80(d,J=4.8Hz,1H)。
d)將11.1g(46.35mmol)3-氯-4-碘-吡啶、10.17g(44.03mmol)5-溴-2-甲氧基-苯基酸、32.67g(236.39mmol)碳酸鉀、350ml甲苯、160ml乙醇及88ml水混合並抽真空,並用氬吹掃四次。然後,添加2.68g(2.31mmol)四三苯基膦鈀,並再抽真空,並用氬吹掃四次。將所得澄清混合物在攪拌下加熱至回流並保持3h,然後冷卻至室溫。分離各相,並用甲苯(各200ml)將水相萃取兩次。用水(各100ml)將合併之有機相洗滌三次,經硫酸鎂乾燥,過濾,並在旋轉蒸發器(rotavap)上蒸發溶劑。藉由急驟層析使用己烷/乙酸乙酯作為洗脫劑來純化粗製產物(16.07g),從而得到10.94g(83.2%)無色油狀4-(4-溴-2-甲氧基-苯基)-3-氯-吡啶,其在靜置時固化。
1 H NMR(400MHz,CDCl3):δ 8.66(s,1H);8.51(d,J=4.8Hz,1H);7.52(dxd,J1=8.8Hz,J2=2.4Hz,1H);7.30(d,J=2.4Hz,1H);7.22(d,J=4.8Hz,1H);6.88(d,J=8.8Hz,1H);3.77(s,3H)。
e)將10.94g(36.64mmol)4-(4-溴-2-甲氧基-苯基)-3-氯-吡啶溶 解於200ml無水二氯甲烷中。在20min內,利用注射器添加145.9ml(145.9mmol)於二氯甲烷中之1M三溴化硼溶液,同時利用水浴將溫度保持為室溫。去除冷卻,並將溶液在室溫下攪拌18h。然後,逐滴添加500ml水。發生放熱反應,且混合物開始回流。將混合物攪拌30分鐘,且然後添加至200ml pH=7之緩衝溶液中。添加2N NaOH溶液,直至pH達到7為止。然後,添加500ml乙酸乙酯。分離各相,並用乙酸乙酯(250mL)將水相萃取兩次。用水(各100ml)將合併之有機相洗滌三次,經硫酸鎂乾燥,過濾,並將溶劑在旋轉蒸發器上蒸發至100ml之體積。用冰浴將懸浮液冷卻至0℃,過濾,並用冰冷乙酸乙酯(各5ml)將殘餘物洗滌三次。將產物在50℃/125毫巴下乾燥過夜,從而得到8.99g(86.2%)5-溴-2-(3-氯-4-吡啶基)苯酚。
1 H NMR(400MHz,DMSO):δ 10.09(s,1H);8.67(s,1H);8.52(d,J=4.8Hz,1H);7.44(d,J=2.8Hz,1H);7.42(d,J=2.8Hz,1H);7.40(d,J=4.8Hz,1H);7.31(d,J=2.8Hz,1H);6.91(d,J=8.8Hz,1H)。
f)使用噻吩-2-甲酸銅(I)(CuTC)以與J.Liu(J.Org.Chem.73(7),2951(2008))闡述之程序類似之方式將7.85g(27.59mmol)5-溴-2-(3-氯-4-吡啶基)苯酚環化成6-溴-4a,4b,8a,9a-四氫苯并呋喃并[2,3-c]吡啶,在使用2:1己烷/乙酸乙酯作為洗脫劑進行急驟層析後,得到54.1%產率。
1 H NMR(400MHz,CDCl3):δ 9.00(s,1H);8.61(d,J=5.2Hz,1H);8.16(d,J=2.0Hz,1H);7.85(d,J=5.2Hz,1H);7.71(dxd,J1=8.8Hz,J2=2.0Hz,1H);7.54(d,J=8.8Hz,1H)。
g)將401.4mg(0.75mmol)實例1b)之產物與465.1mg(1.875mmol)實例1f)之產物之混合物抽真空,並用氬吹掃3次。添加6ml四氫呋喃(THF)。用氬將955.2mg(4.5mmol)K3PO4及25ml水在分離燒瓶中鼓泡25分鐘。將13.1mg(0.045mmol)四氟硼酸三第三丁基鏻鎓鹽及20.6mg(0.023mmol)Pd2(dba)3添加至起始材料於THF中之混合物中,用氬鼓泡3分鐘,且然後加熱至50℃。用注射器一次性添加K3PO4溶液,並將反應混合物在75℃之浴溫下加熱4小時。將反應混合物冷卻至室溫,並添加20ml水。蒸發THF,過濾反應混合物,用水及甲醇洗滌殘餘物,並乾燥。將粗製產物在100ml CHCl3中攪拌30分鐘,藉助Hyflo過濾,並用CHCl3洗滌。蒸發濾液,且然後在8ml熱CHCl3中攪拌,過濾,用CHCl3洗滌殘餘物並乾燥。產量:407.6mg(88%)
1 H NMR(400MHz,CDCl3):δ 9.05(s,2H);8.63(d,J=5.2Hz,2H);8.37(s,2H);8.15(s,2H);8.03-7.98(m,3H);7.94(d,J=5.2Hz,2H);7.89(d,J=7.6Hz,2H);7.82-7.75(m,3H);7.66(d,J=8Hz,1H);7.46-7.32(m,4H)
實例2
a)將7.78g(25.0mmol)1-溴-3-碘-苯、16.3g(50.0mmol)碳酸銫、1.24g(6.50mmol)碘化銅(I)及1.50g(13.0mmol)L-脯胺酸在氮下添加至5.18g(25.0mmol)於100ml二甲基亞碸(DMSO)中之5H-苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑中。將反應混合物在100℃下攪拌18h,且然後傾倒入水中。用二氯甲烷萃取水相,並用硫酸鎂乾燥。蒸餾出溶劑。利用甲苯在矽膠上管柱層析,得到產物,產量為8.35g(92%)。
1 H NMR(400MHz,CDCl3):δ 8.25(s,1H);8.05-7.90(m,3H);7.71(d,J=7.9Hz,1H);7.65(d,J=7.9Hz,1H);7.65-7.50(m,2H);7.45-7.26(m,4H)。
b)將1.0g(2.73mmol)實例2a)之產物、831.2mg(3.27mmol)4,4,5,5-四甲基-2-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧硼-2-基)-1,3,2-二氧硼、1.61g(16mmol)乙酸鉀及25ml DMF抽真空,並用氬吹掃5次。添加111.4mg(0.136mmol)1,1’-雙(二苯基膦基)二茂鐵)二氯鈀(II),將反應混合物抽真空,並用氬吹掃5次。將反應混合物在60℃下攪拌20h,冷卻至室溫,且然後在減壓下蒸發。添加50ml水、50ml TBME及3ml 1% NaCN水溶液,將混合物攪拌30分鐘,過濾,並用100ml乙酸乙酯洗滌。分離各相,用乙酸乙酯萃取水相,且乾燥並蒸發有機相。產量:0.8g(72%)
1 H NMR(400MHz,THF-d8):δ 8.26(s,1H),8.10-8.09(m,1H), 8.09-8.07(m,2H),7.86(d,J=7.6Hz,1H),7.67-7.60(m,3H),7.42-7.28(m,4H),1.39(s,12H)。
c)將13.92g(46.56mmol)2-胺基-3-碘-5-溴吡啶、11.71g(50.75mmol)5-溴-2-甲氧基-苯基酸、32.82g(237.44mmol)碳酸鉀、700ml甲苯、280ml乙醇及175ml水混合並抽真空,且用氬吹掃四次。然後,添加5.38g(4.66mmol)四三苯基膦鈀。將混合物在攪拌下加熱至回流並保持2.5小時,然後冷卻至室溫。分離各相,並用甲苯(各250ml)將水相萃取兩次。用水(各100ml)將合併之有機相洗滌三次,經硫酸鎂乾燥,過濾,並在旋轉蒸發器上蒸發溶劑。藉由急驟層析使用庚烷/乙酸乙酯作為洗脫劑來純化粗製產物(16.8g),從而得到12.4g(74%)5-溴-3-(5-溴-2-甲氧基苯基)吡啶-2-胺。
1 H NMR(400MHz,CDCl3):δ 8.07(s,1H);7.54-7.51(m,2H);7.36(s,1H);6.90(d,J=8.8Hz,1H);5.10(s,2H);3.82(s,3H)
d)將12.4g(35mmol)5-溴-3-(5-溴-2-甲氧基苯基)吡啶-2-胺於170ml THF及430ml冰乙酸中之溶液冷卻至0℃,並逐滴添加7.14g(69mmol)亞硝酸第三丁基酯。將反應混合物在0℃下攪拌過夜,使其升溫至室溫,將其傾倒於800ml冰水上,並攪拌1小時。過濾黃色懸浮液,用冰水洗滌並乾燥,從而得到8.5g(75%)純產物。
1 H NMR(400MHz,CDCl3):δ 8.55(s,1H);8.40(s,1H);8.10(s,1H);7.70(d,J=8.7Hz,1H);7.60(d,J=8.7Hz,1H)
e)將267.3mg(0.818mmol)實例2d)之產物、702.7mg(1.72mmol)實例2b)之產物、576.2mg(4.17mmol)K2CO3、50ml甲苯、25ml乙醇與11ml水之混合物抽真空,並用氬吹掃5次。添加47.2mg(0.041mmol)四三苯基膦鈀,並將反應混合物加熱至回流並保持18小時。添加10ml 2% NaCN水溶液並將反應混合物冷卻至室溫。添加50ml水及50ml甲苯,將懸浮液攪拌15分鐘,過濾,用甲苯/水洗滌並乾燥。產量:330mg(55%)黃色晶體。
1 H NMR(400MHz,DMSO):δ 9.15(d,J=3.2Hz,1H);8.93(d,J=3.2Hz,1H);8.73(d,J=2.0Hz,1H);8.40-8.14(m,6H);8.10-7.56(m,12H);7.53-7.13(m,8H)。
應用實例1
首先使用丙酮/異丙醇混合物在超音波浴中清洗用作陽極之ITO基板。為消除任何可能之有機殘餘物,將基板在臭氧烘箱中再暴露於連續臭氧流25分鐘。此處理亦改良了ITO之電洞注入性質。然後旋塗Plexcore® OC AJ20-1000(購自Plextronics公司)並乾燥以形成電洞注入層(約40nm)。
此後,藉由氣相沈積以大約0.5-5nm/min之速率在約10-7-10-9毫巴下將下文指定之有機材料施加至清潔基板。作為電洞傳輸及激子阻 斷層,以20nm之厚度將施加至基板,其中 前10nm摻雜有MoOx(約10%)以改良導電性。
隨後,藉由氣相沈積以40nm之厚度施加10重量%發射體化合 物、與90重量%化合物之混 合物。然後,沈積化合物(E-57)作為阻斷層,其厚度為5nm。此後,沈積20nm厚的電子傳輸層,其由50重量% 及50%組成。最後,2nm KF層用 作電子注入層,且100nm厚的Al電極完成器件。
所有製作部分皆用玻璃蓋及吸氣劑密封於惰性氮氣氛中。
為表徵OLED,在各種電流及電壓下記錄電致發光光譜。此外,組合所發射之光輸出來量測電流-電壓特性。可藉由使用光度計進行校準來將光輸出轉化成光度參數。
1)外部量子效率(EQE)係自基板或器件逃逸所生成光子之數量/流經該基板或器件之電子之數量。
應用實例2
藉由氣相沈積在約10-7-10-9毫巴下以大約0.5-5nm/min之速率將 92重量%化合物及8重量%化合物 施加至石英基板,其厚度為80nm。
在室溫及370nm之激發波長下使用絕對量子產率量測系統「Quantaurus」(來自Hamamatsu,Japan)來量測PL光譜及PL量子效率。

Claims (16)

  1. 一種下式之化合物, ,其中 B1係N或CR81,B2係N或CR82,B3係N或CR83,B4係N或CR84,B5係N或CR85,B6係N或CR86,B7係N或CR87,B8係N或CR88,R81、R82、R83、R84、R85、R86、R87及R88彼此獨立地係H、可視情況經E取代及或間雜有D之C1-C25烷基;可視情況經G取代之C6-C24芳基、可視情況經G取代之C2-C30雜芳基;或式--(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團,o為0或1,p為0或1,q為0或1,r為0或1,A1、A2、A3及A4彼此獨立地係可視情況經G取代之C6-C24伸芳基或可視情況經G取代之C2-C30伸雜芳基;R16係-NR10R11或-Si(R12)(R13)(R14)、可視情況經G取代之C6-C24芳基;或可視情況經G取代之C2-C30雜芳基;R10及R11彼此獨立地係可視情況經G取代之C6-C24芳基;或可視情況經G取代之C2-C30雜芳基;R12、R13及R14彼此獨立地係可視情況經E取代及或間雜有D之 C1-C25烷基;可視情況經G取代之C6-C24芳基;或可視情況經G取代之C2-C30雜芳基;D係-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-NR65-、-SiR70R71-、-POR72-、-CR63=CR64-或-C≡C-,E係-OR69、-SR69、-NR65R66、-COR68、-COOR67、-CONR65R66、-CN或F,G係E,或C1-C18烷基、C6-C24芳基、經F、C1-C18烷基或間雜有O之C1-C18烷基取代之C6-C24芳基;C2-C30雜芳基,或經F、C1-C18烷基或間雜有O之C1-C18烷基取代之C2-C30雜芳基;R63及R64彼此獨立地係H;C6-C18芳基;經C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代之C6-C18芳基;C1-C18烷基;或間雜有-O-之C1-C18烷基;R65及R66彼此獨立地係C6-C18芳基;經C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代之C6-C18芳基;C1-C18烷基;或間雜有-O-之C1-C18烷基;或R65及R66一起形成五員或六員環,R67係C6-C18芳基;經C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代之C6-C18芳基;C1-C18烷基;或間雜有-O-之C1-C18烷基,R68係H;C6-C18芳基;經C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代之C6-C18芳基;C1-C18烷基;或間雜有-O-之C1-C18烷基,R69係C6-C18芳基;經C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代之C6-C18芳基;C1-C18烷基;或間雜有-O-之C1-C18烷基,R70及R71彼此獨立地係C1-C18烷基、C6-C18芳基或經C1-C18烷基取代之C6-C18芳基,且R72係C1-C18烷基、C6-C18芳基或經C1-C18烷基取代之C6-C18芳基,限制條件係 該等取代基B1、B2、B3、B4、B5、B6、B7及B8中之至少一者代表N;該等基團B1、B2、B3及B4中不超過兩者代表N;且該等基團B5、B6、B7及B8中不超過兩者代表N;且另一限制條件係該等取代基R81、R82、R83、R84、R85、R86、R87及R88中之至少一者代表式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團,其中R16代表苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-5-基,其可視情況經G取代;及/或該等基團A1、A2、A3及A4中之至少一者代表苯并咪唑并[1,2-a]苯并咪唑-2,5-伸基,其可視情況經G取代。
  2. 如請求項1之化合物,其係下式之化合物 其中R81、R82、R83、R85、R86及R87係如請求項1中所定義。
  3. 如請求項2之化合物,其中在式(Ia)之化合物中,R83係該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;且R87係H或式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;或R83係H或該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;且R87係該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;在式(Ib)之化合物中R82係該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;且R87係H或該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;或R82係H或該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;且R87係該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;在式(Ic)之化合物中R85係該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;且R87係H或該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;或R85係H或該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;且R87係該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;在式(Id)之化合物中R81係該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;且R85係H或該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;或R81係H或該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;且R85係該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;在式(Ie)之化合物中R83係該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;且R87係H或該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;或R83係H或該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;且R87係該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團; 在式(If)之化合物中R83係該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;且R85係H或該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;或R83係H或該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;且R85係該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;在式(Ig)之化合物中R82係該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;且R85係H或該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;或R82係H或該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;且R85係該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;在式(Ih)之化合物中R81係該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;且R87係H或該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;或R81係H或該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;且R87係該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;在式(Ii)之化合物中R83係該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;且R85係H或該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;或R83係H或該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;且R85係該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;在式(Ij)之化合物中R83係該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;且R85係H或該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;或R83係H或該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;且R85係該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;在式(Ik)之化合物中 R81係該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;且R85係H或該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;或R81係H或該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;且R85係該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;在式(Il)之化合物中R85係該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;且R87係H或該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;或R85係H或該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;且R87係該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;在式(Im)之化合物中R83係該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;且R85係H或該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;或R83係H或該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;且R85係該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;在式(In)之化合物中R83係該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;且R87係H或該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;或R83係H或該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;且R87係該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;其中在式(Io)之化合物中R82係該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;且R86係H或該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;或R82係H或該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之基團;且R86係該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之基團;o為0或1,p為0或1,q為0或1,r為0或1;A1、A2、A3及A4彼此獨立地係下式之基團: R16係式之基團,或若該等基團A1、A2、A3及A4中 之至少一者代表式之基團,則R16具有R16’之含義; R16’係H或下式之基團:-Si(R12)(R13)(R14)、 ,其中 R12、R13及R14彼此獨立地係苯基,其可視情況經一或多個烷 基取代;R21及R21’彼此獨立地係H、苯基或C1-C18烷基; R22及R23彼此獨立地係H或下式之基團: X係O、S或NR24,R24係C6-C24芳基或可視情況經G取代之C2-C30雜芳基,其中G係如請求項1中所定義;且 R89係H、下式之基團:
  4. 如請求項2或3之化合物,其中o為0或1,p為0或1,q為0或1,r為0或1, A1、A2、A3及A4彼此獨立地係下式之基團: R16係該式之基團;或若該等基團A1、A2、A3及A4 中之至少一者代表下式之基團,則R16具有R16’之含義: R16’係H或下式之基團: ;且R89係H、下式之基團:,其中X係O、S或 NR24,其中 R24
  5. 如請求項2或3之化合物,其中該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16之 該基團係下式之基團:
  6. 如請求項2或3之化合物,其中該式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16’之該基團係H或如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg);或下式之基團:
  7. 如請求項2或3之化合物,其係 式(Ia)之化合物,其中R83係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且R87係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);或式(Ia)之化合物,其中R87係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且 R83係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);或式(Ib)之化合物,其中R82係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且R87係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下 式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);或式(Ib)之化合物,其中R87係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且R82係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、 (XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);或式(Ic)之化合物,其中R85係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且R87係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);或式(Ic)之化合物,其中R87係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、 (XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg);且R85係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);或式(Id)之化合物,其中R81係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且R85係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、 (XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg);或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);或式(Id)之化合物,其中R85係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg);且R81係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、 (XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);或式(Ie)之化合物,其中R83係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且R87係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);或式(Ie)之化合物,其中R87係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、 (XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且R83係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);或式(If)之化合物,其中R83係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且R85係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、 (XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);或式(If)之化合物,其中R85係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且R83係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、 (XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);或式(Ii)之化合物,其中R83係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且R85係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);或 式(Ii)之化合物,其中R85係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且R83係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);或式(Ij)之化合物,其中R83係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且 R85係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);或式(Ij)之化合物,其中R85係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且R83係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下 式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);式(Il)之化合物,其中R85係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且R87係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、 (XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);或式(Il)之化合物,其中R87係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且R85係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);或式(In)之化合物,其中R83係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、 (XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且R87係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);或式(In)之化合物,其中R87係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且R83係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIh)、(XIIi)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIl)、(XIIm)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIp)、(XIIq)、(XIIr)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、 (XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVh)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVs)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVy)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVd)、(XVe)、(XVf)、(XVg)、(XVh)、(XVi)、(XVj)、(XVk)、(XVl)、(XVm)、(XVn)、(XVo)、(XVp)、(XVq)、(XVr)、(XVs)、(XVt)、(XVu)、(XVv)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVz)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId)。
  8. 如請求項2或3之化合物,其係式(Ia)之化合物,其中R83係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且R87係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);或 式(Ia)之化合物,其中R87係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且R83係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);式(Ib)之化合物,其中R82係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且R87係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、 (XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);或式(Ib)之化合物,其中R87係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且R82係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);式(Ic)之化合物,其中R85係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且R87係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、 (XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);或式(Ic)之化合物,其中R87係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且R85係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);或式(Id)之化合物,其中R81係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、 (XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且R85係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);或式(Id)之化合物,其中R85係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且R81係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、 (XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);式(Ie)之化合物,其中R83係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且R87係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);或式(Ie)之化合物,其中R87係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且R83係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所 定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);式(If)之化合物,其中R83係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且R85係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);或式(If)之化合物,其中R85係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且R83係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、 (XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);或式(Ij)之化合物,其中R83係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且R85係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);或式(Ij)之化合物,其中R85係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、 (XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且R83係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);或式(In)之化合物,其中R83係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且R87係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、 (XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId);或式(In)之化合物,其中R87係如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),且R83係H、如請求項5中所定義之下式之基團:(XIIa)、(XIIb)、(XIIc)、(XIId)、(XIIe)、(XIIf)、(XIIg)、(XIIj)、(XIIk)、(XIIn)、(XIIo)、(XIIq)、(XIIs)、(XIIt)、(XIIu)、(XIIv)、(XIIw)、(XIIx)、(XIIy)、(XIIz)、(XIIIa)、(XIIIb)、(XIIIc)、(XIIId)、(XIIIe)、(XIIIf)或(XIIIg),或如請求項6中所定義之下式之基團:(XIVb)、(XIVc)、(XIVd)、(XIVe)、(XIVf)、(XIVg)、(XIVo)、(XIVp)、(XIVq)、(XIVr)、(XIVt)、(XIVu)、(XIVv)、(XIVw)、(XIVx)、(XIVz)、(XVa)、(XVb)、(XVc)、(XVk)、(XVl)、(XVo)、(XVp)、(XVs)、(XVw)、(XVx)、(XVy)、(XVIa)、(XVIb)、(XVIc)或(XVId)。
  9. 如請求項1至3中任一項之化合物,
  10. 一種電子器件,其包含如請求項1至9中任一項之化合物。
  11. 如請求項10之電子器件,其係電致發光器件。
  12. 一種電洞傳輸層或發射層,其包含如請求項1至9中任一項之化合物。
  13. 如請求項12之發射層,其包含如請求項1至9中任一項之化合物作為與磷光發射體組合之主體材料。
  14. 一種裝置,其係選自由以下各項組成之群:固定視覺顯示單元;移動視覺顯示單元;照明單元;鍵盤;衣物;傢具;壁紙,其包含如請求項10或11之有機電子器件或如請求項12之電洞傳輸層或發射層。
  15. 一種如請求項1至9中任一項之式I之化合物之用途,其係用於電子照像光感受器、光電轉換器、有機太陽能電池、開關元件、 有機發光場效應電晶體、影像感測器、染料雷射及電致發光器件。
  16. 一種下式之化合物, ,其中 B1係N或CR81,B2係N或CR82,B3係N或CR83,B4係N或CR84,B5係N或CR85,B6係N或CR86,B7係N或CR87,B8係N或CR88,其中R81、R82、R83、R84、R85、R86、R87及R88彼此獨立地係H、可視情況經E取代及或間雜有D之C1-C25烷基;可視情況經G取代之C6-C24芳基、可視情況經G取代之C2-C30雜芳基;式--(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16或-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-X1之基團,o為0或1,p為0或1,q為0或1,r為0或1,該等取代基R81、R82、R83、R84、R85、R86、R87及R88中之至少一者代表式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-X1之基團;其中X1係Cl、Br或I、ZnX12,X12係鹵素原子;-SnR207R208R209,其中R207、R208及R209係相同或不同且係H或C1-C8烷基,其中兩個基團視情況形成公共環,且該等基團視情況具支鏈或無支鏈;- B(OH)2、-B(OY1)2、-BF4Na或-BF4K, 其中Y1在每次出現時獨立地係C1-C18烷基且Y2在每次出現時獨立地係C2-C10伸烷基,且Y13及Y14彼此獨立地係氫或C1-C18烷基,且o、p、q、r、G、A1、A2、A3、A4、R81、R82、R83、R84、R85、R86、R87及R88係如請求項1中所定義,限制條件係以下化合物排除在外: 排除在外。
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