TW201411706A - 加工對象物切斷方法、加工對象物及半導體元件 - Google Patents

Abstract

將加工對象物(1)切斷用的切斷預定線(51、52)，是被設定成各別不會與六方晶系化合物的a面及m面平行。且，沿著如此被設定成的切斷預定線(51、52)將雷射光(L)照射而形成改質領域(71、72)，將其改質領域(71、72)作為起點將加工對象物(1)切斷。由此，成為可抑制構成基板(31)的六方晶系化合物的結晶構造的影響地將加工對象物(1)切斷將半導體元件(10)製造。

Description

加工對象物切斷方法、加工對象物及半導體元件

本發明，是有關於將加工對象物切斷將半導體元件製造用的加工對象物切斷方法、加工對象物及半導體元件。

上述技術領域中的習知的加工對象物切斷方法，在專利文獻1中，記載了：藉由方塊切割和刻線在藍寶石基板的表面及背面形成分離溝，並且藉由雷射光的照射在藍寶石基板內將加工變質部多段地形成，沿著分離溝及加工變質部將藍寶石基板切斷的方法。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2006-245043號公報

但是為了將由上述的藍寶石等的六方晶系化 合物所構成且內含與其六方晶系化合物的c面偏了偏角分的角度的表面及背面的基板之加工對象物切斷，具有將：與基板的表背面及六方晶系化合物的a面平行的切斷預定線、及與基板的表背面及六方晶系化合物的m面平行的切斷預定線設定於加工對象物的情況。如此的情況時，藉由沿著各切斷預定線將雷射光照射將形成於基板內的改質領域作為起點將加工對象物切斷的話，六方晶系化合物的結晶構造會具有影響其切斷的情況。

本發明，是被有鑑於如此的狀況者，其課題是提供一種加工對象物切斷方法、加工對象物、及半導體元件，可抑制六方晶系化合物的結晶構造的影響地將加工對象物切斷。

本發明，是有關於加工對象物切斷方法。此加工對象物切斷方法，是一種加工對象物切斷方法，其特徵為，具備：準備加工對象物的第1過程，該加工對象物，具有：內含由六方晶系化合物所構成且內含與六方晶系化合物的c面偏了偏角分的角度的表面及背面的基板、及形成於基板的前述表面上沿著第1及第2方向呈矩陣狀配列的複數半導體元件部；及將雷射光的集光點對位在基板內，藉由使通過相鄰接的半導體元件部之間的方式各別沿著朝第1方向被設定的複數第1切斷預定線將集光點相對地移動，各別沿著第1切斷預定線在基板內形成第1改 質領域的第2過程；及在基板內將雷射光的集光點對位，藉由使通過相鄰接的前述半導體元件部之間的方式各別沿著朝第2方向被設定的複數第2切斷預定線將集光點相對地移動，各別沿著第2切斷預定線在基板內形成第2改質領域的第3過程；及藉由各別沿著第1及第2切斷預定線將外力作用在加工對象物，將第1及第2改質領域作為起點，各別沿著第1及第2切斷預定線將加工對象物切斷，將包含半導體元件部的半導體元件製造的第4過程；第1方向，是與基板的表面及背面平行，且，與六方晶系化合物的a面及m面交叉的方向，第2方向，是與基板的表面及背面平行，且，與第1方向垂直的方向。

在此加工對象物切斷方法中，首先，準備加工對象物。在此準備的加工對象物，是由六方晶系化合物所構成，具有：內含與其c面偏了偏角分的角度的表背面的基板、及形成於基板的表面上的複數半導體元件部。半導體元件部，是與基板的表背面平行，且，沿著：與六方晶系化合物的a面及m面交叉的第1方向、及與基板的表背面平行且與第1方向垂直的第2方向，呈矩陣狀配列。且，將該加工對象物切斷用的切斷預定線，是通過相鄰接的半導體元件部之間的方式沿著第1方向及第2方向被設定。即，切斷預定線，是設定成各別不會與六方晶系化合物的a面及m面平行。且，在此加工對象物切斷方法中，沿著如此被設定的切斷預定線將雷射光照射而形成改質領域，將其改質領域作為起點將加工對象物切斷。因此，依 據此加工對象物切斷方法的話，可以抑制構成基板的六方晶系化合物的結晶構造的影響地將加工對象物切斷將半導體元件製造。又，偏角是包含0°的情況。在該情況中，基板的表背面，是與六方晶系化合物的c面成為平行。

在本發明的加工對象物切斷方法中，在第2過程，將基板的背面作為雷射光的入射面，並且使從第1改質領域發生的第1龜裂到達基板的背面，在第3過程，將基板的背面作為雷射光的入射面，並且使從第2改質領域發生的第2龜裂到達基板的背面，在第4過程中，藉由將外力作用使藉由將外力作用在加工對象物，就可以使第1及第2龜裂伸展將加工對象物切斷。此情況，在基板的內部形成改質領域時，可以抑制雷射光對於半導體元件部的影響。

在此，本發明的其他的發明，是有關於加工對象物。此加工對象物，是由六方晶系化合物所構成且具有：內含與六方晶系化合物的c面偏了偏角分的角度的表面及背面的基板、及形成於基板的表面上的複數半導體元件部，其特徵為：複數半導體元件部，是沿著：與基板的表面及背面平行且與六方晶系化合物的a面及m面交叉的第1方向、及與基板的表面及背面平行且與第1方向垂直的第2方向，呈矩陣狀配列。

在此加工對象物中，將該加工對象物切斷用的切斷預定線，如上述，可以設定成各別不與六方晶系化合物的a面及m面平行。且，沿著如此被設定的切斷預定 線將雷射光照射而形成改質領域，將該改質領域作為起點將加工對象物切斷的話，就可抑制構成基板的六方晶系化合物的結晶構造的影響地切斷將半導體元件製造。

且本發明，是進一步有關於半導體元件。此半導體元件，是由六方晶系化合物所構成且具有：內含與六方晶系化合物的c面偏了偏角分的角度的表面及背面的基部、及形成於基部的表面上的半導體元件部的半導體元件，其特徵為：基部，是具有：將表面及背面連接且彼此相面對的一對第1側面、及將表面及背面連接且與第1側面垂直的一對第2側面，第1側面，是各別與六方晶系化合物的a面及m面交叉。此情況，可以抑制構成基部的六方晶系化合物的結晶構造影響元件特性。

在此，上述的六方晶系化合物是作成單結晶藍寶石也可以，半導體元件部是將光發生用的發光元件部也可以。

依據本發明的話，可以提供一種可抑制六方晶系化合物的結晶構造的影響地將加工對象物切斷的加工對象物切斷方法、加工對象物及半導體元件。

L‧‧‧雷射光

OF‧‧‧定向平面

P‧‧‧集光點

x1‧‧‧軸(第1方向)

x2‧‧‧軸(第2方向)

1‧‧‧加工對象物

5‧‧‧切斷預定線

7‧‧‧改質領域

8‧‧‧切斷起點領域

10‧‧‧發光元件(半導體元件)

31‧‧‧基板(基部)

31a‧‧‧表面

31b‧‧‧背面

31c‧‧‧側面(第1側面)

32‧‧‧發光元件部(半導體元件部)

32c‧‧‧側面(第2側面)

34‧‧‧半導體層

35‧‧‧半導體層

41‧‧‧保護帶

42‧‧‧可伸縮膠帶

43‧‧‧承接構件

44‧‧‧刀緣

51，52‧‧‧切斷預定線

71，72‧‧‧改質領域

81，82‧‧‧龜裂(第1，第2龜裂)

100‧‧‧雷射加工裝置

101‧‧‧雷射光源

102‧‧‧雷射光源控制部

103‧‧‧分色鏡

105‧‧‧集光用透鏡

107‧‧‧支撐台

111‧‧‧載台

115‧‧‧載台控制部

[第1圖]改質領域的形成所使用的雷射加工裝置的 概略構成圖。

[第2圖]成為改質領域的形成的對象的加工對象物的俯視圖。

[第3圖]沿著如第2圖所示的加工對象物的III-III線的剖面圖。

[第4圖]雷射加工後的加工對象物的俯視圖。

[第5圖]沿著如第4圖所示的加工對象物的V-V線的剖面圖。

[第6圖]沿著如第4圖所示的加工對象物的VI-VI線的剖面圖。

[第7圖]適用本發明的一實施例的加工對象物切斷方法的加工對象物的俯視圖。

[第8圖]顯示如第7圖所示的加工對象物中的六方晶系化合物的結晶構造的單位晶格圖。

[第9圖]如第7圖所示的加工對象物的部分剖面圖。

[第10圖]顯示本發明的一實施例的加工對象物切斷方法的主要過程的部分剖面圖。

[第11圖]顯示本發明的一實施例的加工對象物切斷方法的主要過程的部分剖面圖。

[第12圖]顯示本發明的一實施例的加工對象物切斷方法的主要過程的部分剖面圖。

[第13圖]由本發明的一實施例的加工對象物切斷方法所獲得的發光元件的立體圖。

以下，對於本發明的一實施例，參照圖面詳細說明。又，在各圖中，對於同一或相當部分附加相同的符號，並省略重複的說明。

在本發明的一實施例的加工對象物切斷方法中，藉由將雷射光沿著切斷預定線照射在加工對象物，沿著切斷預定線在加工對象物的內部形成改質領域。在此，首先，對於此改質領域的形成，參照第1圖~第6圖進行說明。

如第1圖所示，雷射加工裝置100，是具備：將雷射光L脈衝振盪的雷射光源101、及將雷射光L的光軸(光路)的方向90°改變地配置的分色鏡103、及將雷射光L集光用的集光用透鏡105。且，雷射加工裝置100，是具備：供支撐被由集光用透鏡105所集光的雷射光L照射的加工對象物1用的支撐台107、及將支撐台107移動用的載台111、及為了將雷射光L的輸出和脈衝寬度等調節而將雷射光源101控制的雷射光源控制部102、及將載台111的移動控制的載台控制部115。

在此雷射加工裝置100中，從雷射光源101被射出的雷射光L，是藉由分色鏡103將其光軸的方向改變90°，並藉由集光用透鏡105被集光在被載置於支撐台107上的加工對象物1的內部。與此同時，載台111被移動，使加工對象物1對於雷射光L沿著切斷預定線5相對 移動。由此，沿著切斷預定線5的改質領域會形成於加工對象物1。

如第2圖所示，在加工對象物1中，被設定有將加工對象物1切斷用的切斷預定線5。切斷預定線5，是呈直線狀延伸的虛線。在加工對象物1的內部形成改質領域的情況，如第3圖所示，在將集光點P對位在加工對象物1的內部的狀態下，將雷射光L沿著切斷預定線5(即第2圖的箭頭A方向)相對移動。由此，如第4圖~第6圖所示，改質領域7是沿著切斷預定線5形成於加工對象物1的內部，使沿著切斷預定線5形成的改質領域7成為切斷起點領域8。

又，集光點P，是指雷射光L的集光處。且，切斷預定線5，不限定於直線狀曲線狀也可以，且不限定於虛線，而是在加工對象物1的表面3實際被劃成的線也可以。且，改質領域7，也有連續形成的情況，也有間斷形成的情況。且，改質領域7，是列狀或點狀也可以，即改質領域7是至少形成於加工對象物1的內部即可。且，具有以改質領域7為起點形成龜裂的情況，龜裂及改質領域7，是露出加工對象物1的外表面(表面、背面或外周面)也可以。

順便一提，在此的雷射光L，是透過加工對象物1並且尤其是在加工對象物1的內部的集光點附近被吸收，由此，在加工對象物1形成有改質領域7(即內部吸收型雷射加工)。因此，在加工對象物1的表面3中因為 雷射光L幾乎未被吸收，所以加工對象物1的表面3不會熔融。一般，從表面3被熔融除去而形成孔和溝等的除去部(表面吸收型雷射加工)情況，加工領域是從表面3側漸漸地朝背面側進行。

但是在本實施例所形成的改質領域，是指密度、曲折率、機械的強度和其他的物理的特性是與周圍成為不同狀態的領域。改質領域，是例如具有：熔融處理領域、龜裂領域、絕緣破壞領域、曲折率變化領域等，也有這些混在的領域。進一步，改質領域，也具有：在加工對象物的材料使改質領域的密度與非改質領域的密度相比較變化的領域、和形成有格子缺陷的情況(這些也總稱為高密轉移領域)。

且熔融處理領域和曲折率變化領域、改質領域的密度與非改質領域的密度相比較變化的領域、形成有格子缺陷的領域，是進一步具有在那些領域的內部和改質領域及非改質領域的界面內包龜裂(破裂、微龜裂)的情況。被內包的龜裂是具有橫跨改質領域的全面的情況和只有一部分形成和複數部分形成的情況。

且在本實施例中，藉由沿著切斷預定線5將改質束點(加工痕)複數形成，而形成改質領域7。改質束點，是指由脈衝雷射光的1脈衝的照射(即1脈衝的雷射照射：雷射照射)而形成的改質部分，藉由集合改質束點而成為改質領域7。改質束點，可舉例：龜裂束點、熔融處理束點或是曲折率變化束點，或是這些的至少2個混 在者等。

對於此改質束點，考慮其所要求的切斷精度、所要求的切剖面的平坦性、加工對象物的厚度、種類、結晶方位等，適宜地控制其大小和所發生的龜裂的長度較佳。

接著，說明本發明的一實施例的加工對象物切斷方法。第7圖，是本實施例的加工對象物切斷方法所適用的加工對象物的俯視圖。第8圖，是顯示構成如第7圖所示的加工對象物的基板的材料的結晶構造的圖。第9圖，是如第7圖所示的加工對象物的部分剖面圖。尤其是，第9圖(a)，是沿著第7圖的軸x1的剖面圖，第9圖(b)，是沿著第7圖的軸x2的剖面圖。如第7~9圖所示，加工對象物1，是具備圓板形狀(例如直徑2~6英吋，厚度50~200μm)的基板31的晶圓。

基板31，是由具有六方晶系的結晶構造的六方晶系化合物(在此為單結晶藍寶石)所構成。在基板31中，六方晶系化合物的c軸，是對於基板31的厚度方向只有傾斜角度θ(例如0.1°)。即，基板31，是具有角度θ的偏角。更具體而言，基板31，是內含與六方晶系化合物的c面偏了偏角分的角度θ地形成的表面31a及背面31b。在基板31中，六方晶系化合物的m面，是對於基板31的厚度方向只有傾斜角度θ，六方晶系化合物的a面，是與基板31的厚度方向成為平行。

加工對象物1，是具有形成於基板31的表面 31a上的複數發光元件部(半導體元件部)32。發光元件部32，是在基板31的表面31a上，沿著軸x1的方向(第1方向)及軸x2的方向(第2方向)呈矩陣狀配列。軸x1，是與基板31的表面31a及背面31b平行，且，沿著與六方晶系化合物的a面及m面交叉的方向的軸。六方晶系化合物的a面及軸x1的交叉角度是例如45°程度。

軸x2，是與基板31的表面31a及背面31b平行，且，沿著與軸x1的方向大致垂直交叉的方向的軸。因此，軸x2，也與基板31的表面31a及背面31b平行，且，與六方晶系化合物的a面及m面交叉。六方晶系化合物的m面及軸x2的交叉角度是例如45°程度。即，發光元件部32，是沿著基板31的表面31a及背面31b，沿著從六方晶系化合物的a面及m面的各別45°程度旋轉的軸x1及軸x2的方向被配列。

因此，發光元件部32的配置行方向，是不與六方晶系化合物的a面及m面其中任一平行(不沿著)。且，在加工對象物1中，使與六方晶系化合物的a面成為平行的方式設置定向平面OF。因此，發光元件部32，是成為朝對於此定向平面也不平行(不沿著)的方向被配列。

被如此配列的發光元件部32，是如第9圖所示，具有：在基板31的表面31a的上被層疊的半導體層34、及在半導體層34的上被層疊的半導體層35。半導體 層34，是具有第1導電型(例如n型)。半導體層34，是橫跨全部的發光元件部32連續形成。半導體層35，是具有與第1導電型不同的第2導電型(例如p型)。半導體層35，是在各發光元件部32被分離地形成島狀。半導體層34、35，是由例如GaN等的III-V族化合物半導體所構成，彼此被pn接合。

且在加工對象物1中，使通過相鄰接的發光元件部32、32之間(更具體而言相鄰接的半導體層35、35之間)的方式，沿著軸x1的方向設定複數切斷預定線(第1切斷預定線)51，沿著軸x2的方向設定複數切斷預定線(第2切斷預定線)52。切斷預定線51、52，是各別朝不與六方晶系化合物的a面及m面平行(不沿著)的方向延伸。

接著說明，將如以上構成的加工對象物1切斷成各發光元件部32將複數發光元件(半導體元件)製造用的加工對象物切斷方法。在此加工對象物切斷方法中，首先，準備上述的加工對象物1(第1過程)。且，對於所準備的加工對象物1，使覆蓋發光元件部32的方式將保護帶41貼附之後，透過保護帶41將加工對象物1載置在上述的雷射加工裝置100的支撐台107上(第1、10圖參照)。

接著，如第10圖(a)所示，將基板31的背面31b作為基板31中的雷射光L的入射面，將雷射光L的集光點P對位在基板31內，各別沿著切斷預定線51使 集光點P相對地移動。由此，各別沿著切斷預定線51(即沿著與a面及m面交叉的軸x1)在基板31內形成改質領域(第1改質領域)71，並且使從改質領域71發生的龜裂(第1龜裂)81到達基板31的背面31b(第2過程)。此時，龜裂81，雖未到達基板31的表面31a，但從改質領域71朝表面31a側伸展。

接著，如第10圖(b)所示，將基板31的背面31b作為基板31中的雷射光L的入射面，將雷射光L的集光點P對位在基板31內，各別沿著切斷預定線52使集光點P相對地移動。由此，各別沿著切斷預定線52(即沿著與a面及m面交叉的軸x2)在基板31內形成改質領域(第2改質領域)72，並且使從改質領域72發生的龜裂(第2龜裂)82到達基板31的背面31b(第3過程)。此時，龜裂82，雖未到達基板31的表面31a者，但從改質領域72朝表面31a側伸展。

如此，沿著不與六方晶系化合物的a面及m面平行的切斷預定線51、52，在基板31的內部形成改質領域71、72的話，對於以該改質領域71、72為起點的加工對象物1的切斷，可以抑制構成基板31的六方晶系化合物的結晶構造的影響(尤其是六方晶系化合物的r面的影響)。

又，形成於基板31內的改質領域71、72，是包含熔融處理領域者。且，從改質領域71發生的龜裂81、及從改質領域72發生的龜裂82，是藉由將雷射光L 的照射條件適宜調整，就可到達基板31的背面31b。將龜裂81、82到達背面31b用的雷射光L的照射條件，是例如具有：從背面31b將雷射光L的集光點P對位的位置為止的距離、雷射光L的脈衝寬度、將雷射光L的脈衝間距(對於「加工對象物1的雷射光L的集光點P的移動速度」由「雷射光L的反覆頻率」除算的值)、雷射光L的脈衝能量等。

接著說明加工對象物切斷方法。在接著的過程中，藉由各別沿著切斷預定線51、52將外力作用在加工對象物1，由上述過程將所形成的改質領域71、72作為起點，各別沿著切斷預定線51、52將加工對象物1切斷成各發光元件部32(第4過程)。更具體而言，在此過程中，首先，如第11圖所示，將基板31的背面31b覆蓋的方式將可伸縮膠帶42貼附在加工對象物1之後，透過該可伸縮膠帶42將加工對象物1載置在三點彎曲切斷裝置的承接構件43上。

且如第11圖(a)所示，藉由各別沿著切斷預定線51，從基板31的表面31a側，透過保護帶41將刀緣44抵接在加工對象物1，各別沿著切斷預定線51將外力作用在加工對象物1。由此，使從改質領域71發生的龜裂81朝基板31的表面31a側伸展，各別沿著切斷預定線51將加工對象物1切斷成桿狀。

接著，如第11圖(b)所示，藉由各別沿著切斷預定線52，從基板31的表面31a側，透過保護帶41 將刀緣44抵接在加工對象物1，各別沿著切斷預定線52將外力作用在加工對象物1。由此，使從改質領域72發生的龜裂82朝基板31的表面31a側伸展，各別沿著切斷預定線52將加工對象物1切斷成晶片狀。

在接著的過程中，將加工對象物1切斷之後，如第12圖所示，從加工對象物1將保護帶41去除，將可伸縮膠帶42朝外側擴張。由此，使藉由將加工對象物1切斷成晶片狀而獲得的複數發光元件(半導體元件)10彼此分離。

如此獲得的發光元件10，是如第13圖所示，大致呈正方體狀。且，發光元件10，是由六方晶系化合物(在此為單結晶藍寶石)所構成，具有：內含與六方晶系化合物的c面偏了偏角分的角度θ的表面31a及背面31b的基部31(基板31)、及形成於基部的表面31a上的發光元件部32。

且基部31，是具有：將表面31a及背面31b連接且彼此相面對的一對側面(第1側面)31c、及將表面31a及背面31b連接且與側面31c垂直的一對側面(第2側面)32c。側面31c，是例如，沿著切斷預定線51將加工對象物1切斷時所形成的切剖面。側面32c，是例如，沿著切斷預定線52將加工對象物1切斷時形成的切剖面。因此，基部31的各側面31c、32c，是各別朝與構成基部31的六方晶系化合物的a面及m面交叉的方向延伸(即不與a面及m面平行)。

如以上說明，在本實施例的加工對象物切斷方法中，首先，準備加工對象物1。在此準備的加工對象物1，是由六方晶系化合物所構成，具有：內含與其c面偏了偏角分的角度θ的表面31a及背面31b的基板31、及形成於基板31的表面31a上的複數發光元件部32。發光元件部32，是與基板31的表面31a及背面31b平行，且，沿著與六方晶系化合物的a面及m面交叉的軸x1的方向、及與基板31的表面31a及背面31b平行且與軸x1垂直的軸x2的方向，呈矩陣狀配列。

且將該加工對象物1切斷用的切斷預定線51及切斷預定線52，是使各別通過相鄰接的發光元件部32、32之間的方式沿著軸x1及軸x2的方向被設定。即，在此加工對象物切斷方法中，切斷預定線51、52，是設定成各別不與六方晶系化合物的a面及m面平行。且，在此加工對象物切斷方法中，沿著如此被設定的切斷預定線51、52將雷射光L照射而形成改質領域71、72，將其改質領域71、72作為起點將加工對象物1切斷。因此，依據此加工對象物切斷方法的話，可以抑制構成基板31的六方晶系化合物的結晶構造的影響(尤其是六方晶系化合物的r面的影響)，且將加工對象物1切斷成各發光元件部32地將發光元件10製造。

且在本實施例的加工對象物1中，將該加工對象物1切斷用的切斷預定線51、52，如上述，可以設定成各別不與六方晶系化合物的a面及m面平行。且，沿 著如此被設定成的切斷預定線51、52將雷射光L照射而形成改質領域71、72，將其改質領域71、72作為起點將加工對象物1切斷的話，成為可抑制構成基板31的六方晶系化合物的結晶構造的影響地將加工對象物1切斷將半導體元件10製造。

以上的實施例，是說明了本發明的加工對象物切斷方法、加工對象物及半導體元件的一實施例者。因此，本發明的加工對象物切斷方法、加工對象物及半導體元件，不限定於上述者。本發明的加工對象物切斷方法、加工對象物及半導體元件，在不變更各申請專利範圍的實質的範圍，可以任意變形。

例如，構成加工對象物1的基板31的材料，不限定於單結晶藍寶石，具有六方晶系的結晶構造的氮化鎵(例如GaN)和碳化矽(例如SiC)等的任意的六方晶系化合物也可以。

且對於構成加工對象物1的基板31的六方晶系化合物的a面及m面的各軸x1及軸x2(即切斷預定線51及切斷預定線52)的各交叉角度、ψ，不限定於45°，為30°(-30°)和60°(-60°)也可以。

且加工對象物1中的定向平面OF，不限定於與構成加工對象物1的基板31的六方晶系化合物的a面平行，例如，與和六方晶系化合物的a面及m面交叉的軸x1或軸x2平行地形成也可以。

進一步，加工對象物1，可取代發光元件部 32，而採用具有任意功能元件用的半導體元件部也可以。

[產業上的可利用性]

依據本發明的話，可以提供一種加工對象物切斷方法、加工對象物、及半導體元件，可抑制六方晶系化合物的結晶構造的影響地將加工對象物切斷。

OF‧‧‧定向平面

1‧‧‧加工對象物

31‧‧‧基板(基部)

31a‧‧‧表面

32‧‧‧發光元件部(半導體元件部)

51‧‧‧切斷預定線

52‧‧‧切斷預定線

Claims (6)

1. 一種加工對象物切斷方法，其特徵為，具備：準備加工對象物的第1過程，該加工對象物，是由六方晶系化合物所構成且具有：內含與前述六方晶系化合物的c面偏了偏角分的角度的表面及背面的基板、及形成於前述基板的前述表面上沿著第1及第2方向呈矩陣狀配列的複數半導體元件部；及將雷射光的集光點對位在前述基板內，藉由使通過相鄰接的前述半導體元件部之間的方式各別沿著朝前述第1方向被設定的複數第1切斷預定線將前述集光點相對地移動，各別沿著前述第1切斷預定線在前述基板內形成第1改質領域的第2過程；及在前述基板內將前述雷射光的集光點對位，藉由使通過相鄰接的前述半導體元件部之間的方式各別沿著朝前述第2方向被設定的複數第2切斷預定線將前述集光點相對地移動，各別沿著前述第2切斷預定線在前述基板內形成第2改質領域的第3過程；及藉由各別沿著前述第1及第2切斷預定線將外力作用在前述加工對象物，將前述第1及第2改質領域作為起點，各別沿著前述第1及第2切斷預定線將前述加工對象物切斷，將包含前述半導體元件部的半導體元件製造的第4過程；前述第1方向，是與前述基板的前述表面及前述背面平行，且，與前述六方晶系化合物的a面及m面交叉的方 向，前述第2方向，是與前述基板的前述表面及前述背面平行，且，與前述第1方向垂直的方向。
2. 如申請專利範圍第1項的加工對象物切斷方法，其中，在前述第2過程中，將前述基板的前述背面作為前述雷射光的入射面，並且使從前述第1改質領域發生的第1龜裂到達前述基板的背面，在前述第3過程中，將前述基板的前述背面作為前述雷射光的入射面，並且使從前述第2改質領域發生的第2龜裂到達前述基板的前述背面，在前述第4過程中，藉由將外力作用在前述加工對象物，使前述第1及第2龜裂伸展將前述加工對象物切斷。
3. 如申請專利範圍第1或2項的加工對象物切斷方法，其中，前述六方晶系化合物，是單結晶藍寶石，前述半導體元件部，是發光元件部。
4. 一種加工對象物，是由六方晶系化合物所構成且具有：內含與前述六方晶系化合物的c面偏了偏角分的角度的表面及背面的基板、及形成於前述基板的前述表面上的複數半導體元件部，其特徵為：前述複數半導體元件部，是沿著：與前述基板的前述表面及前述背面平行且與前述六方晶系化合物的a面及m 面交叉的第1方向、及與前述基板的前述表面及前述背面平行且與前述第1方向垂直的第2方向，呈矩陣狀配列。
5. 如申請專利範圍第4項的加工對象物，其中，前述六方晶系化合物，是單結晶藍寶石，前述半導體元件部，是發光元件部。
6. 一種半導體元件，是由六方晶系化合物所構成且具有：內含與前述六方晶系化合物的c面偏了偏角分的角度的表面及背面的基部、及形成於前述基部的前述表面上的半導體元件部，其特徵為：前述基部，是具有：將前述表面及前述背面連接且彼此相面對的一對第1側面、及將前述表面及前述背面連接且與前述第1側面垂直的一對第2側面，前述第1側面，是各別與前述六方晶系化合物的a面及m面交叉。