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TW201411686A - 多荷電粒子束描繪方法及多荷電粒子束描繪裝置 - Google Patents

多荷電粒子束描繪方法及多荷電粒子束描繪裝置 Download PDF

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TW201411686A
TW201411686A TW102116538A TW102116538A TW201411686A TW 201411686 A TW201411686 A TW 201411686A TW 102116538 A TW102116538 A TW 102116538A TW 102116538 A TW102116538 A TW 102116538A TW 201411686 A TW201411686 A TW 201411686A
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吉川良一
小笠原宗博
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紐富來科技股份有限公司
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Abstract

本發明之一態樣之多荷電粒子束描繪方法，特徵為：使用根據荷電粒子束之多(粒子)束，根據縱橫方向預先設定的控制網格(grid)間隔對試料上照射各粒子束的場合之，演算包含被照射的各粒子束的變形量之照射位置，使用包含各粒子束的變形量的照射位置，演算分別為最近的縱橫2×2之粒子束群的照射位置彼此所包圍的複數第1區域之各第1區域內的根據預先設定的條件之條件位置，使用前述複數第1區域的條件位置，針對以分別的最近的複數條件位置群所包圍的複數第2區域，於各第2區域，演算供與該第2區域重疊描繪之圖形圖案的面積密度，因應於各第2區域的面積密度，演算把各第2區域內作為照射位置的粒子束的照射時間，照射求出的照射時間之各粒子束，以在試料上描繪圖案。

Description

多荷電粒子束描繪方法及多荷電粒子束描繪裝置
本發明係關於多荷電粒子束描繪方法及多荷電粒子束描繪裝置，例如係關於使根據多束(multi-beam)之複數照射位置高精度化的方法。
擔負半導體裝置的細微化的發展之微影術技術在半導體製造製程之中是唯一產生圖案的極重要的製程。近年來，伴隨著LSI的高積體化，半導體裝置所要求的電路線寬幅年年逐漸細微化。此處，電子線(電子束)描繪技術在本質上具有優異的解像性，往晶圓等使用電子線進行描繪。
例如，有使用多束(multi-beam)的描繪裝置。與以1道電子束進行描繪的場合相比，藉由使用多束可以一次照射許多(粒子)束，所以可以使生產量大幅提高。在相關的多束方式的描繪裝置，例如使由電子槍放出的電子束通過具有複數孔的遮罩形成多束，各個被遮蔽(blanking)控制，未被遮蔽的各束以光學系使其縮小，以偏向器使其偏向而往試料上的所要位置照射(例如，參 照日本特開2006-261342號公報)。
在相關的多束方式的描繪裝置，複數(粒子)束一齊被照射，但被要求著高精度對準相關的複數束的照射位置。例如，針對被描繪的圖案，可以藉由調整光學系的透鏡的縮小率，調整各束的尺寸來調整尺寸。但是，改變透鏡條件的話，會產生圖案旋轉的現象，或是場扭曲改變的現象。因此，以尺寸精度成為高精度的方式使光學系所必要的其他多數參數一起配合達到最佳化的狀態是非常困難的作業。針對旋轉對準，在機械性對準的場合，必須要進行nm等級的正確的旋轉位置調整，而這並不實際。此外，針對場扭曲，首先在光學系的原理即存在有場扭曲。為了修正相關的扭曲，作為製造精度，例如要對準nm以下(例如0.1nm)的精度必須要非常緻密的設計，這也同樣並不實際。此外，即使在光學系的設計上可以達成高精度的設計，在其他設計參數的設定範圍仍存在著限制。因此，想要修正場扭曲的話，會有妨礙其他條件(例如，解像性能，焦點深度等)的最佳化的可能性。進而，為了減少扭曲而謀求磁場的均勻化的話，例如必須要有巨大的鏡筒。進而，為了減少扭曲必須要很多複雜的補正機構，也會對裝置造成過大的負擔。進而，於描繪裝置的製造後，有必要在實際的裝置進行調整，即使要修正扭曲，也因為描繪處理的參數之間有著複雜的關係，扭曲的修正用的參數並不是獨立變數，所以最佳化很困難，即使可以達成也會花費龐大的時間。
如前所述，在多束方式的描繪裝置，複數(粒子)束一齊被照射，但被要求著高精度對準相關的複數束的照射位置。在多束方式，使通過相同的形成孔或不同的形成孔而形成的(粒子)束彼此，例如以逐行掃描(raster scan)方式隔著特定的照射間隔連結，而形成所要的圖形形狀的圖案。由於光學系的扭曲等，而使束偏離了所要的照射位置的話，要達成高精度的圖案的描繪就變得困難。
本發明，提供抑制光學系的扭曲等導致多(粒子)束的照射位置偏移導致的圖案形狀或者尺寸的變動之描繪裝置及描繪方法。
本發明之一態樣之多荷電粒子束描繪方法，特徵為：使用根據荷電粒子束之多(粒子)束，根據縱橫方向預先設定的控制網格(grid)間隔對試料上照射各粒子束的場合之，演算包含被照射的各粒子束的變形量之照射位置，使用包含各粒子束的變形量的照射位置，演算分別為最近的縱橫2×2之粒子束群的照射位置彼此所包圍的複數第1區域之各第1區域內的根據預先設定的條件之條件位置，使用前述複數第1區域的條件位置，針對以分別的最近的複數條件位置群所包圍的複數第2區域，於各第2區域，演算供與該第2區域重疊描繪之圖形圖案的面積密 度，因應於各第2區域的面積密度，演算把各第2區域內作為照射位置的粒子束的照射量或照射時間，照射求出的照射量或照射時間之各粒子束，以在試料上描繪圖案。
本發明之一態樣的多荷電粒子束描繪裝置，特徵為具備：載置試料的可移動的台(stage)，放出荷電粒子束的放出部，具有複數開口部，於包含複數開口部全體的開口部形成區域接受荷電粒子束的照射，藉由使荷電粒子束的一部分分別通過複數開口部，而形成多(粒子)束之開口(aperture)構件，進行通過開口構件之複數開口部的多粒子束之中，分別對應的粒子束的遮蔽(blanking)偏向的複數遮蔽裝置(blanker)，以藉由複數遮蔽裝置成為關閉粒子束的狀態的方式遮蔽被偏向的各粒子束的遮蔽開口構件，通過遮蔽開口構件的各粒子束在試料上之分別的照射位置，統整通過遮蔽開口構件的各粒子束而進行偏向的偏向器，使用根據荷電粒子束的多(粒子)束根據縱橫方向預先設定的控制網格(grid)間隔對試料上照射各粒子束的場合之，演算包含被照射的各粒子束的變形量之照射位置的照射位置演算部， 使用包含各粒子束的變形量的照射位置，演算分別為最近的縱橫2×2之粒子束群的照射位置彼此所包圍的複數第1區域之各第1區域內的根據預先設定的條件之條件位置的條件位置演算部，使用複數第1區域的條件位置，針對以分別的最近的複數條件位置群所包圍的複數第2區域，於各第2區域，演算供與該第2區域重疊描繪之圖形圖案的面積密度的面積密度演算部，因應於各第2區域的面積密度，演算把各第2區域內作為照射位置的粒子束的照射時間之照射時間演算部，以及以使求出的照射時間之各粒子束被照射於試料的方式進行複數遮蔽裝置的遮蔽偏向控制的偏向控制部。
根據本發明，可以提供可抑制圖案形狀或尺寸的變動的描繪裝置及描繪方法。
10‧‧‧測定部
12‧‧‧照射位置演算部
14‧‧‧平均位置演算部
16‧‧‧照射區域網目作成部
18‧‧‧面積密度演算部
20a~e‧‧‧多束
21‧‧‧照射時間演算部
23‧‧‧描繪資料處理部
25‧‧‧描繪處理控制部
100‧‧‧描繪裝置
101‧‧‧試料
102‧‧‧電子鏡筒
103‧‧‧描繪室
105‧‧‧XY台(stage)
106‧‧‧標記
110‧‧‧控制計算機
112‧‧‧記憶體
130、132‧‧‧偏向控制電路
134、136‧‧‧數位/類比變換(DAC)擴大器
138‧‧‧擴大器
139‧‧‧台位置測定部
140、142、144、146、148‧‧‧記憶裝置
150‧‧‧描繪部
160‧‧‧控制部
201‧‧‧電子槍
202‧‧‧照明透鏡
203‧‧‧開口構件
204‧‧‧遮蔽板
205‧‧‧縮小透鏡
206‧‧‧限制開口構件
207‧‧‧物鏡
208‧‧‧偏向器
210‧‧‧反射鏡
211‧‧‧靜電透鏡
212‧‧‧投光器
214‧‧‧受光器
圖1係顯示實施型態1的描繪裝置的構成之概念圖。
圖2A與圖2B係顯示實施型態1之開口構件的構成之概念圖。
圖3係顯示實施型態1之遮蔽板(blanking plate)的構成之概念圖。
圖4A至圖4C係供說明實施型態1之描繪動作之用的概念圖。
圖5係供說明實施型態1之逐行掃描的描繪動作之概念圖。
圖6係供說明實施型態1之逐行掃描的描繪動作之其他一例之概念圖。
圖7係顯示實施型態1的描繪方法的重要步驟的流程圖。
圖8係顯示實施型態1之場扭曲之一例之概念圖。
圖9係顯示實施型態1之各照射位置之一例之概念圖。
圖10係顯示實施型態1之照射位置資料地圖之一例之概念圖。
圖11係顯示實施型態1之照射區域網目之一例之概念圖。
圖12係顯示實施型態1之照射區域網目資料之一例之概念圖。
圖13係顯示實施型態1之照射區域與圖形圖案的重疊之一例之概念圖。
圖14A與圖14B係顯示實施型態1之面積密度地圖之一例之圖。
圖15係顯示實施型態1之照射時間地圖之一例之圖。
圖16係顯示實施型態1之照射區域網目之其他一例之概念圖。
圖17係顯示實施型態1之照射區域網目之其他一例 之概念圖。
〔實施型態1〕
以下，在實施型態，說明抑制光學系的扭曲等導致多(粒子)束的照射位置偏移導致的圖案形狀或者尺寸的變動之描繪裝置及方法。
此外，以下，在實施型態，作為荷電粒子束之一例，說明使用電子束的構成。但是，荷電粒子束，不限於電子束，亦可以是離子束等使用荷電粒子的束。
圖1係顯示實施型態1的描繪裝置的構成之概念圖。於圖1，描繪裝置100，具備描繪部150與控制部160。描繪裝置100，係多荷電粒子束描繪裝置之一例。描繪部150，具備電子鏡筒102與描繪室103。於電子鏡筒102內，被配置電子槍201、照明透鏡202、開口構件203、遮蔽板204、縮小透鏡205、限制開口構件206、物鏡207、偏向器208、及靜電透鏡211。在描繪室103內，被配置XY台(stage)105。於描繪室103，被配置Z感測器之投光器212、及Z感測器的受光器214。投光器212及受光器214，亦可被配置於描繪室103內或電子鏡筒102內。於XY台105上，被配置描繪時成為描繪對象基板的遮罩等的試料101。於試料101，包含製造半導體裝置時的曝光用遮罩，或者製造半導體裝置的半導體基板(矽晶圓)等。此外，於試料101，包含被塗布光阻，仍 然未被描繪的光罩基板。於XY台105上，進而被配置標記106與位置測定用的反射鏡210。標記106，例如具有高度位置不同的複數測定面。
控制部160，具有控制計算機110、記憶體112、偏向控制電路130、132、數位/類比變換(DAC)擴大器134、136、擴大器138、台位置測定部139及磁碟裝置等記憶裝置140、142、144、146、148。控制計算機110、記憶體112、偏向控制電路130、132、擴大器138、台位置測定部139及記憶裝置140、142、144、146、148透過未圖示的匯流排相互連接。於記憶裝置140(記憶部)，描繪資料由外部輸入，而被收容。
控制計算機110內，被配置測定部10、照射位置演算部12、平均位置演算部14、照射區域網目作成部16、面積密度演算部18、照射時間演算部21、描繪資料處理部23、及描繪處理控制部25。測定部10、照射位置演算部12、平均位置演算部14、照射區域網目作成部16、面積密度演算部18、照射時間演算部21、描繪資料處理部23及描繪處理控制部25等各機能，亦能夠以電氣電路等硬體來構成，亦能夠以執行這些的機能之程式等軟體來構成。或者亦可藉由硬體與軟體的組合來構成。被輸出輸入測定部10、照射位置演算部12、平均位置演算部14、照射區域網目作成部16、面積密度演算部18、照射時間演算部21、描繪資料處理部23、及描繪處理控制部25之資訊以及演算中的資訊，在適當時間點被收容於記憶體 112。
此處，在圖1，記載說明實施型態1時所必要的構成。對於描繪裝置100，通常亦可具備必要的其他構成。例如，在實施型態1，如後所述，照射時間演算部21包含各照射的照射量的演算同時進行照射時間的演算，但是並不以此為限。例如，分別具備演算照射量的照射量演算部，以及使用被演算出的照射量來進行照射時間的演算之照射時間演算部亦為適切。
圖2A與圖2B係顯示實施型態1之開口構件的構成之概念圖。於圖2A，在開口構件203，縱(y方向)m列×橫(x方向)n列(m，n≧2)的孔(開口部)22係隔著特定的排列間隔而形成的。在圖2A，例如被形成512×8列之孔22。各孔22，同樣以相同尺寸形狀的矩形來形成。或者是相同外徑的圓形亦可。此處，顯示針對y方向之各列，於x方向分別被形成由A至H為止的8個孔22之例。藉由使電子束200的一部份分別通過這些複數孔22，形成多束20。在此，顯示縱橫(x，y方向)都被配置2列以上的孔22之例，但是不以此為限。例如，縱橫(x，y方向)任一方為複數列而另一方僅1列亦可。此外，孔22的排列方式，也不限於如圖2A所示，縱橫被配置為格子狀的場合。如圖2B所示，例如在縱方向(y方向)第1段之列，與第2段之列的孔彼此之間在橫方向(x方向)上偏移了尺寸a而配置亦可。同樣地，縱方向(y方向)第2段之列，與第3段之列的孔彼此之間，在 橫方向(x方向)上僅偏移了尺寸b而配置亦可。
圖3係顯示實施型態1之遮蔽板(blanking plate)的構成之概念圖。於遮蔽板204，配合於開口構件203的各孔22的配置位置被形成通過孔，於各通過孔，分別被配置成對的2個電極24、26之組(遮蔽裝置(blanker))。通過各通過孔的電子束20，藉由對分別獨立的成為相關的對之2個電極24、26施加電壓，或者是對某一方施加電壓，而另一方接地(ground)而被偏向。藉由相關的偏向，被遮蔽控制。如此，複數之遮蔽裝置，進行通過開口構件203的複數孔22(開口部)的多束之中，分別對應的束的遮蔽偏向。
由電子槍201(放出部)放出的電子束200，藉由照明透鏡202幾乎垂直地照明開口構件203全體。於開口構件203，被形成矩形的例如長方形或正方形的複數孔(開口部)，電子束200，照明包含所有的複數孔的區域。藉由通過相關的開口構件203的複數孔，形成例如矩形形狀的複數電子束(多束)20a~e。相關的多束20a~e，通過遮蔽板204之分別對應的遮蔽裝置(blanker)內。相關的遮蔽裝置，分別使個別通過的電子束20偏向。接著，通過遮蔽板204的多束20a~e，藉由縮小透鏡205縮小，朝向被形成於限制開口構件206的中心的孔前進。此處，藉由遮蔽板204的遮蔽裝置偏向的電子束20，由限制開口構件206(遮蔽開口構件)的中心的孔偏離位置，藉由限制開口構件206而被遮蔽。另一方面，未藉由遮蔽板204 的遮蔽裝置偏向的電子束20，通過限制開口構件206的中心的孔。藉由相關的遮蔽裝置的開關(on/off)，進行遮蔽控制，控制束的開關(on/off)。如此，限制開口構件206，以藉由複數的遮蔽裝置成為束關閉(off)的狀態的方式遮蔽被偏向的各束。接著，藉由成為束開啟(on)之後直到成為束關閉(off)為止被形成的通過限制開口構件206的束，形成1次分量的照射的多束。通過限制開口構件206的多束20，藉由物鏡207被聚焦，成為所要的縮小率的圖案影像，藉由偏向器208，使通過限制開口構件206的各束(多束20全體)匯集而偏向，被照射於各束在試料101上之分別的照射位置。此外，例如XY台105連續移動時，以束的照射位置追隨XY台105的移動的方式藉由偏向器208控制。一次被照射的多束20，理想上是以開口構件203的複數穴的排列間距乘以前述所要的縮小率之後的間距來排列。描繪裝置100，使照射束連續依序照射而以逐行掃描進行描繪動作，描繪所要的圖案時，不要的束藉由遮蔽控制而被控制為束關閉(off)。
伴隨著最近的半導體的細微化以及高積體化，也被要求著圖案描繪的高精度化。為對應於此要求，例如，描繪裝置必要要具備控制網格(grid)(AU)為10nm，束尺寸為20nm×20nm，束的解像力σ為10nm之性能。
圖4A至圖4C細工說明實施型態1之描繪動作之用的概念圖。如圖4A所示，試料101的描繪區域30，例如朝向y方向以特定的寬幅虛擬分割為短冊狀之複數條紋區 域32。相關的各條紋區域32，成為描繪單位區域。首先，使XY台105移動，以使一次之多束20的照射所可以照射的照射區域34位在第1個條紋區域32的左端或進而更左側的位置的方式進行調整，開始描繪。描繪第1個條紋區域32時，藉由使XY台105例如往-x方向移動，使描繪相對往x方向進行。XY台105例如以特定的速度連續移動。第1個條紋區域32描繪結束後，使台位置往-y方向移動，以照射區域34相對地在y方向位於第2個條紋區域32的右端，或者進而右側的位置的方式進行調整，這次，如圖4B所示，藉由使XY台105例如移動於x方向，朝向-x方向同樣進行描繪。以在第3個條紋區域32，朝向x方向描繪，在第4個條紋區域32，朝向-x方向描繪的方式，交互改變方向同時進行描繪，可以縮短描繪時間。但是，不限於相關的交互改變方向同時進行描繪的場合，在描繪各條紋區域32時，朝向相同方向進行描繪的方式也沒有關係。描繪各條紋32時，朝向x方向使XY台105移動之中，藉由偏向器208於y方向使各照射以依序移動(掃描)的方式偏向，使照射束連續而依序照射過去以逐行掃描方式進行描繪。例如，藉由偏向器208，以追隨於XY台105的移動速度的方式偏向於x方向，同時在y方向以使各照射依序移動(掃描)的方式偏向。藉此，如圖4C所示，通過開口構件203的1個孔A之束所導致的照射圖案36，變成由第1次被照射的位置往y方向依序偏移同時照射過去。同樣地，通過開口構件 203的1個孔B之束所導致的照射圖案36，變成由第1次被照射的位置往y方向依序偏移同時照射過去。由開口構件203的各孔C通過H之各束所導致的照射圖案36，也同樣分別變成由第1次被照射的位置往y方向依序偏移同時照射過去。如此，變成以逐行掃描的方式描繪一次被照射的縱橫2×2之束所包圍的各區域內。縱橫2×2之束所包圍的各區域，例如包含成為基準的1個束位置，包含至剩下的3個束位置的位置之內側。
圖5係供說明實施型態1之逐行掃描的描繪動作之概念圖。例如，針對開口構件203於x方向被形成8個孔A~H的場合，使台移動於一次照射的x方向上相鄰的照射圖案36間的期間，以複數次的照射之束照射於一次照射的縱橫2×2的束所包圍的各區域內(於圖僅記載著孔A至孔E為止的部分)。例如，以特定的量子化尺寸配置為格子狀的控制網格(AU：位址單元)的尺寸設定為使一次照射的縱橫2×2的束所包圍的各區域內成為nAU×nAU的尺寸，在台移動中，使相關的縱橫2×2的束所包圍的各區域以AU(控制網格)間隔以下的照射間隔以n次的照射之束進行照射。在此，把一次照射AU的尺寸的理想的縱橫2×2的束所包圍的各區域內設定為成為8AU×8AU的尺寸，在台移動中，以AU間隔照射相關的縱橫2×2的束所包圍的各區域，以8次的照射之束來進行照射。在此，控制上即使要以AU間隔進行照射，實際上由於場扭曲等會使照射位置發生偏移，在該場合，為了避免因為使照射 間隔增大而產生的精度不良，預先把照射間隔控制在指定的間隔(AU)以下為較佳。
於圖5，以圓圈包圍的數字之中，「1」顯示通過開口構件203的各孔A的束之照射位置。於圖5，以圓圈包圍的數字之中，「2」顯示通過開口構件203的各孔B的束之照射位置。於圖5，以圓圈包圍的數字之中，「3」顯示通過開口構件203的各孔C的束之照射位置。於圖5，以圓圈包圍的數字之中，「4」顯示通過開口構件203的各孔D的束之照射位置。於圖5，以圓圈包圍的數字之中，「5」顯示通過開口構件203的各孔E的束之照射位置。進而，在圖所未記載的部分，以圓圈包圍的數字之中，「6」顯示通過開口構件203的各孔F的束之照射位置，以圓圈包圍的數字之中，「7」顯示通過開口構件203的各孔G的束之照射位置，以圓圈包圍的數字之中，「8」顯示通過開口構件203的各孔H的束之照射位置。此外，「11」至「15」，係顯示與開口構件203的各孔A~H在Y方向位於高1段的其他的各孔。此外，以四角形包圍的位置，顯示開口構件203的各孔A~H的位置。通過開口構件203的各孔A~H的束造成的各照射圖案36，在理想上是在相互僅隔著束間間距的位置上分別被照射。接著，使束間間隔以AU(控制網格)間隔進行n次(在此處為8次)照射同時使台移動束間間距的n倍(在此為8倍)的長度的話，如圖5所示，一次被照射的縱橫2×2之束包圍的各區域內，藉由通過開口構件203的各孔A~ H之束所造成的各照射圖案36所蓋滿。因應於欲描繪的圖案的形狀，相關的照射之中，使不要的照射之束關閉(off)的話，可以藉由連結剩餘的照射圖案36在試料101上描繪所要的形狀的圖案。
在圖5，使台移動方向為+x方向，以追隨(追跡)於XY台105的移動速度的方式偏向於x方向，同時在與x方向正交的y方向上掃描束全體的方式進行控制。在該圖的右側概念地以箭頭圖示此模樣。在圖5，以箭頭顯示追隨於台移動的x方向的偏向動作是以與偏向器208不同的偏向器來進行的場合，但以偏向器208來進行亦可。
此外，開口(aperture)的開口(孔)位置之下，以T=0為基準而以T=0~7表示掃描開始的計時。圖5係模式顯示在T=0的時間點，各束開始掃描的描繪位置。在此例，藉著追隨於台之+x方向移動同時進行y掃描，使描繪位置相對地維持於相同位置，同時進行y方向掃描，以束照射塗滿y方向第1列全面。在T=0結束第0回的y方向掃描時，束位置位在偏離相鄰的束位置的地方，以藉由前述之追跡用的偏向器或偏向器208使束位置成為偏離原來束位置之1AU(往-x方向)偏離的地方的方式進行偏向控制，由此開始第1回(T=1)的掃描。台移動速度，以在第1回y掃描結束的時間點，束位置成為相鄰的束位置的方式來控制。藉由調整對於這些束照射之各個要提供哪種程度的照射量而被描繪出種種圖案。如前所述，例如，藉由使追隨於台移動的x方向的偏向動作以其他的偏 向器來進行，偏向器208只管往y方向的掃描寬幅量的偏向寬幅即可，可以更為提高解像度。或者是在1次的y掃描結束的時間點，以束位置成為偏離1AU(往-x方向)的地方的方式來控制台速度亦可。
在圖5，藉由偏向器208，以追隨(追跡)於XY台105的移動速度的方式偏向於x方向(在此為-x方向)，同時在y方向以使各照射依序移動(掃描)的方式偏向。 接著，於y方向照射n照射之束後，移動至-x方向上偏移預先設定的照射間隔份的位置，同樣地，以追隨(追跡)於XY台105的移動速度的方式在x方向上偏向，同時於y方向使各照射以依序移動(掃描)的方式偏向。藉著使相關的動作進行n次，如圖5所示，一次照射的縱橫2×2之束所包圍的各區域內，被通過開口構件203的各孔A~H的某一束所導致之各照射圖案36所掩埋。如以上所述，配合於台速度進行追跡控制，可以進行與所謂的逐次重複曝光(step and repeat)動作同樣的描繪處理。
圖6係供說明實施型態1之逐行掃描的描繪動作之其他一例之概念圖。於圖6，以圓圈圈起的數字，與開口構件203的各孔的位置之關係與圖5相同(與圖5同樣僅記載孔A至孔E為止的部分)。此外，「11」至「15」，係顯示與開口構件203的各孔A~H在Y方向位於高1段的其他的各孔。此外，以四角形包圍的位置，顯示開口構件203的各孔A~H的位置。在圖6，顯示圖5的變形例。在圖6，使台移動方向為+x方向，以追隨(追跡)於 XY台105的移動速度的方式偏向於x方向，同時在與x方向正交的y方向上掃描束全體的方式進行控制。在圖6，以箭頭顯示藉由偏向器208進行追隨於台移動的x方向的偏向動作的場合。此外，以T=0為基準而以T=-6~3表示在開口(aperture)的開口(孔)位置之下掃描開始的計時。第0次(T=0)的y掃描結束時，在此圖之例，原點位置(掃描開始位置)與通過左側的孔之束的第0次(T=0)的掃描開始位置之偏移1AU(往-x方向)的位置一致。換句話說，以這樣的方式控制台(stage)速度。只要把束間控制為7AU份的間隔即可。藉此，能夠以不與左邊孔之束的描繪位置重疊的方式，使第1次(T=1)的掃描開始位置往左(-x方向)偏移僅1個控制單元(1AU)而開始y掃描。依序反覆這樣的處理。藉由相關的動作，使偏向器208的x方向偏向幅度與往y方向的掃描幅度份之偏向幅度為相同幅度為佳，可以更為提高解像度。
如在圖5、6顯示各照射的照射位置之一例，與台移動組合的掃描方法可以有種種選擇。僅在y方向掃描進行描繪的方法具有控制上簡單的優點，但是沒有x方向的掃描因而缺乏融通性。另一方面，組合x、y兩方向的掃描的方法具有更多選擇的優點。例如，如圖5、6之例所示，切換掃描方法的話，可以改變束間的照射數(改變控制單元)而進行描繪。這些，只要配合設計的要求而選擇即可。
如以上所述，進行描繪處理時，各束被照射於設定的照射間隔的各照射位置是理想的，但實際上由於種種原因的扭曲使得各照射之束照射位置偏離了所要的照射位置。 扭曲的重要原因，例如如前所述，存在有透鏡條件的變更等導致偏向扭曲(光學扭曲)，光學系統零件的設計精度或設置位置精度等導致原理上存在的場扭曲(轉印扭曲)，以及由於試料101的描繪面的凹凸導致在動態調整(Z位置補正)束的聚焦位置時之像的擴大/縮小以及旋轉所產生的扭曲(Z補正扭曲)等。此外，不限於此，亦存在著其他某種原因導致的扭曲。由於這些主要原因之扭曲使得照射位置偏移，而發生所要的圖案之位置偏移或者形狀精度的劣化。
此處，在實施型態1，預先求出這些扭曲導致的照射位置的位置偏移量，根據考慮了相關的扭曲導致的位置偏移量之後的照射位置，設定各照射的束的照射量(照射時間)。藉此，即使產生扭曲也可以使照射量因應調整，所以可以高精度地形成描繪後的圖案。
圖7係顯示實施型態1的描繪方法的重要步驟的流程圖。於圖7，實施型態1之描繪方法，實施扭曲測定/演算步驟(S102)、照射位置演算步驟(S104)、平均位置演算步驟(S106)、面積密度演算步驟(S108)、照射時間演算步驟(S110)、Z補正步驟(S111)與描繪步驟(S112)等一連串的步驟。此處，作為描繪前處理步驟，例如，實施扭曲測定步驟(S102)、照射位置演算步驟 (S104)、與平均位置演算步驟(S106)。接著，使用相 關的描繪前處理步驟的結果，作為描繪處理步驟實施：面積密度演算步驟(S108)、照射時間演算步驟(S110)、Z補正步驟(S111)、與描繪步驟(S112)。但是並不以這些為限，在描繪處理步驟內實施描繪前處理步驟的全部或者一部分亦可。
首先，作為扭曲測定/演算步驟(S102)，測定部10，測定根據各原因導致的扭曲量。在此，例如測定/演算前述之光學扭曲、場扭曲(轉印扭曲)、及Z補正扭曲。只要以從前的手法來測定這些扭曲量即可，例如，藉由使用描繪裝置100描繪評估基板而測定評估基板的各位置之扭曲量，製作扭曲量地圖即可。或者是以多項式配適(fitting)評估基板的各位置之扭曲量而取得扭曲量演算式即可。此外，以束掃描被載置於台上的標記測定其位置也可以測定扭曲。
圖8係顯示實施型態1之場扭曲之一例之概念圖。在圖8，顯示條紋區域32內的照射區域34的場扭曲之一例。此處，例如顯示以圖5所示的掃描方式描繪各照射區域34的場合之場扭曲之一例。在相關的場合，例如，於各照射區域34設定場原點(控制上之原點)，藉由從相關的場原點起算之相對座標定義扭曲量亦可。當然，把試料101的描繪區域全體，或者條紋區域單位作為1個座標系來定義當然亦可。
此外，針對Z補正，首先，測定聚焦於具有不同高度 的標記106的複數之測定面之一的場合之往靜電透鏡211施加的電壓，測定聚焦於其他測定面的場合之往靜電透鏡211施加的電壓。此外，測定聚焦於各測定面的高度位置時的影像的擴大/縮小以及旋轉量。在各焦點位置的影像的擴大/縮小以及旋轉量只要實際描繪於使描繪面配合於各測定面的高度位置之評估基板而進行測定即可。接著，標記106的複數測定面的高度位置預先就已經知道，所以藉由線性比例，可以演算出試料面之各高度之往靜電透鏡211施加的電壓。同樣地，可以演算各高度之影像的擴大/縮小以及旋轉量。具體而言，可以取得顯示因應於試料101的高度位置的擴大/縮小及旋轉量的各係數。
其次，測定成為描繪對象的試料101的描繪面的高度位置分布。試料101的描繪面的高度，係於各條紋區域32，使XY台105移動同時把來自於投光器212的雷射照射於試料面的例如光軸位置，以受光器214接受該反射光，而測定試料面的高度。受光器214的輸出，以擴大器138變換為數位資料，往測定部10輸出。藉此，可以測定試料101的高度分布。接著，藉由對相關的高度分布乘上取得的係數演算各位置之Z補正扭曲量，製作Z補正扭曲量地圖即可。或者是以多項式配適(fitting)評估基板的各位置之Z補正扭曲量而取得Z補正扭曲量演算式即可。
如以上所述取得的扭曲量地圖或者扭曲量演算式所算出的扭曲量資料被收容於記憶裝置142。相關的扭曲量資 料可以區別扭曲的原因而製作，把各原因之扭曲量加算(合成)而整理亦為適切。
作為照射位置演算步驟(S104)，照射位置演算部12，使用根據電子束之多束20以縱橫預先設定的控制網格(AU)間隔以下的照射間隔，來演算在試料101上照射各束的場合之，包含被照射的各束的扭曲量的照射位置。具體而言，演算以多束20描繪試料101的描繪區域全面的場合之各束的照射位置。照射位置演算部12，進行演算時，由記憶裝置142讀出扭曲量資料，使用設計上之各照射位置座標r(x，y)演算扭曲後的位置R(x，y)。在使用扭曲量地圖的場合，例如以周圍的地圖值線性外插r(x，y)而演算扭曲後的位置R(x，y)即可。 在使用扭曲量演算式的場合，例如把扭曲量演算式代入r(x，y)而演算扭曲後的位置R(x，y)即可。此處，各束為10nm至20nm之有限的大小，但其照射位置為束的中心位置，或者特別是強度分部有非對稱性的場合，以重心位置來定義是較佳的。
圖9係顯示實施型態1之各照射位置之一例之概念圖。在圖9，顯示試料101的描繪區域之一部分區域之各束的照射位置22。不存在扭曲的話，各束應該是以設定在x，y方向之照射間隔來均等排列，但是因為存在著扭曲，所以如圖9所示在各束的照射位置22之座標R會產生偏移。隨著其偏移量不同，也可能會出現例如座標R(xn+1，yn+1)的照射位置22與座標R(xn，yn+1)的 照射位置22之間那樣，照射間隔比AU更小的場合。此外，也可能會出現例如座標R(xn，yn)的照射位置22與座標R(xn+1，yn)的照射位置22之間那樣，照射間隔比AU更大的場合。此處，雖有照射間隔比AU更大而精度惡化的疑慮，但在那種場合，預先使照射間隔比AU更小，可以避免精度的惡化。如以上所述，演算的照射位置資料，例如，作為照射位置資料地圖容納於記憶裝置144。
圖10係顯示實施型態1之照射位置資料地圖之一例之概念圖。如圖10所示，照射位置資料地圖，例如，包含扭曲量的各照射位置座標R(x，y)被定義為地圖值。
作為平均位置演算步驟(S106)，平均位置演算部14，使用包含各束的扭曲量的照射位置R，演算分別根據最近的縱橫2×2之束群的照射位置彼此所包圍的複數區域(第1區域)的各區域(第1區域)內預先被設定的條件之條件位置。相關的條件位置，以複數的區域(第1區域)的平均位置或重心位置為較佳。此處，例如演算平均位置。
圖11係顯示實施型態1之照射區域網目之一例之概念圖。例如，演算出藉由以座標R(xn，yn)與座標R(xn+1，yn)與座標R(xn，yn+1)與座標R(xn+1，yn+1)所示的各照射位置22而以縱橫2×2所包圍的區域之平均位置29的座標P(xn，yn)。座標P(xn，yn)之x座標值，係把加算各照射位置22的x座標值的合計除 以4所得之值而求出。同樣地，座標P(xn，yn)之y座標值，係把加算各照射位置22的y座標值的合計除以4所得之值而求出。同樣地，演算出藉由以座標R(xn，yn)與座標R(xn-1，yn)與座標R(xn-1，yn+1)與座標R(xn，yn+1)所示的各照射位置22而以縱橫2×2所包圍的區域之平均位置29的座標P(xn-1，yn)。同樣地，演算出藉由以座標R(xn，yn)與座標R(xn-1，yn)與座標R(xn-1，yn-1)與座標R(xn，yn-1)所示的各照射位置22而以縱橫2×2所包圍的區域之平均位置29的座標P(xn-1，yn-1)。同樣地，演算出藉由以座標R(xn，yn)與座標R(xn，yn-1)與座標R(xn+1，yn-1)與座標R(xn+1，yn)所示的各照射位置22而以縱橫2×2所包圍的區域之平均位置29的座標P(xn，yn-1)。
藉由以上，藉著以座標P(xn，yn)與座標P(xn-1，yn)與座標P(xn-1，yn-1)與座標P(xn，yn-1)所示的各平均位置29，而可以定義縱橫2×2所包圍的，包圍照射位置座標R(xn，yn)的照射區域27(第2區域)。照射區域27，已考慮了扭曲量的照射位置的平均值包圍，所以如圖11所示多半不會成為如正方形或長方形那樣具有90度的角度的圖形。如稍後所述，藉由使用不會成為如正方形或長方形那樣具有90度角度的圖形之照射區域27，變得可以高精度演算照射量。
同樣進行，跨試料101的描繪區域全體，依序演算縱橫2×2之各照射位置座標R所包圍的區域的平均位置 29。藉此，可以橫跨試料101之描繪區域的幾乎全面，定義包圍各照射位置座標R的分別的照射區域27(第2區域)。構成照射區域27的點使用平均位置29，所以如以上所述定義的複數之照射區域27(第2區域)，變得於內部無間隙地連接著。換句話說，複數之照射區域27，以及與試料101的描繪區域之中包圍複數照射區域27全體的複數照射區域27不重疊的部分區域，之總和變成與試料101的描繪區域一致。又，試料101的描繪區域的外周照射位置，無法以4個照射位置包圍，所以變得無法定義照射區域27，但藉由在描繪區域的外側虛擬地定義照射位置，針對包圍相關的複數照射區域27全體之部分區域也訂意外周照射位置用的照射區域27亦可。
照射區域網目作成部16，使用相關的各平均位置29的座標P，製作藉由複數照射區域27分割試料101的描繪區域之照射區域網目。接著，照射區域網目資料被收容於記憶裝置146。
圖12係顯示實施型態1之照射區域網目資料之一例之概念圖。如圖12所示，照射區域網目資料，例如，包含扭曲量而扭曲的各平均位置29的座標P(x，y)被定義為地圖值。
作為面積密度演算步驟(S108)，首先，面積密度演算部18，由記憶裝置140讀出描繪資料，針對複數之照射區域27，於各照射區域27，演算供與該照射區域27重疊描繪之用的圖形圖案的面積S。接著，面積密度演算部 18，於各照射區域27，演算把與該照射區域27重疊描繪之用的圖形圖案的面積S，除以縱橫之控制網格間隔(AU)彼此相乘之值(AU2)而得的面積密度。
圖13係顯示實施型態1之照射區域與圖形圖案的重疊之一例之概念圖。在圖13，顯示在藉著以座標P(xn，yn)與座標P(xn-1，yn)與座標P(xn-1，yn-1)與座標P(xn，yn-1)所示的各平均位置29，而以縱橫2×2所包圍的，包圍照射位置座標R(xn，yn)的照射區域27上，重疊著圖形圖案50的一部份的場合。面積密度演算部18，演算相關的重疊部分的面積S，把面積S除以AU2演算出該照射區域27之面積密度。面積密度演算部18，同樣進行，演算出其他的照射區域27之面積密度。如以上所述進行，所得到的資料，作為面積密度地圖，收容於記憶裝置148。
圖14A與圖14B係顯示實施型態1之面積密度地圖之一例之圖。各網目顯示照射區域27。暫且，於圖14B顯示所有的束的照射間隔正確地與AU一致的場合之面積密度地圖54。在圖14B之例，網目區域(照射區域)以圖形圖案50完全覆蓋的場合，面積密度為100%。而在相關於圖形端的網目區域(照射區域)，由左下端起順時針方向成為8%，20%，20%，20%，20%，12%，60%，60%，48%，80%，80%，80%，80%，32%，40%，40%。
然而，實際上，由於前述之扭曲，所有的束的照射間隔不會正確地與AU一致。會有照射間隔比AU更窄的場 合，也會有更寬的場合。另一方面，在實施型態1之面積密度ρ的計算手法，不是把前述重疊部分的面積S除以該照射區域27的面積，而是勉強把基準面積當成AU2，而把重疊部分的面積S除以此基準面積。亦即，面積密度為ρ=S/AU2。在此，基準面積任意被設定亦可，但如前所述，以AU2來除，亦即，把基準面積當成AU2而計算對此基準面積之面積比率的話，即使AU的設定值改變，在理想的照射間隔覆蓋於圖形的部分也成為100%，所以容易理解，此外處理上也方便。
藉由這樣的處理，以圖形圖案50完全覆蓋的網目區域(照射區域)的面積密度，可能會超過100%，也可能會有100%以下的場合。藉此，例如可以適用從前已知的根據照射量補正之接近效果補正。在接近效果補正，以補正在附近的圖案描繪產生的反射散射電子的影響的方式增減補正照射量，而得到圖案精度。如前述所說明的，藉由進行定義照射區域(第2區域)，把此區域與圖形圖案重疊部分的面積S除以基準面積的處理，即使照射間隔比AU更窄或者更寬，都有該部分所產生的反射散射電子的量正確地成為照射間隔以AU照射的場合變成相同之效果。藉此，從前的照射量補正的手法依舊可以直接使用。
在圖14A，顯示實施型態1的面積密度地圖52之一例。在圖14A之例，以圖形圖案50完全覆蓋的網目區域(照射區域)的面積密度不是100%，而為93%~96%。此外，在相關於圖形端的網目區域(照射區域)，由左下 端起順時針方向成為9%，17%，19%，18%，19%，8%，55%，57%，44%，77%，74%，76%，75%，26%，38%，36%。此處，如前所述，面積密度有超過100%的場合。超過100%的場合，實際被照射之束的照射量會有超過設計上最大值的可能，想要抑制最大值不使超過100%的場合，最好是把控制上的照射間隔設定為AU以下。藉此，即使實際被照射之束因扭曲等而偏移的場合，也可以避免照射間隔比AU更大而產生的精度劣化。圖14A係如此般抑制為100%以下的場合之例。
作為照射時間演算步驟(S110)，照射時間演算部21，因應於各照射區域27的面積密度，演算把各照射區域27內作為照射位置之束的照射時間t。照射時間t，係把照射量D除以束電流I之值乘上該照射區域27的面積密度ρ而求得的。亦即，能夠以t=ρ．D．Sb/I求出。此處，Sb為束的面積。此係單一束，而對以該束照射的區域提供照射量D的計算式。
束尺寸，例如可以為AU×AU或者2AU×2AU等的場合，亦可被任意設定。在多束方式，束尺寸例如為2AU×2AU的場合，在描繪面上成為與相鄰的照射重疊，但在該場合合成的照射量應該會變成與以該束照射AU×AU的區域的場合為等價。亦即，照射時間不受到束尺寸影像，都能夠以t=ρ．D．AU2/I來求出。此處，束電流I依存於束尺寸Sb而改變，但通常束尺寸被定義為固定值，此外，測定束電流而進行描繪的控制。因此，AU2之 項因應於描繪條件(束尺寸、AU值等)在實用上包含於設定的變換係數k來對待是實用的。亦即，採t=k‘．ρ．D．AU2/I=k．ρ．D/I的話是實用的。此處，k=k‘．AU2，但k‘是通常為1的係數，是隨著其他描繪條件而在有必要的場合才利用的補正係數在實用上予以設定者。
又，照射量D，能夠使用供補正接近效果等的尺寸變動之照射量補正係數Dp與基準照射量D0與各束的電流補正係數α與時間依存補正係數β，而以D=D0．Dp．α．β來求出。照射量補正係數Dp與基準照射量D0與各束的電流補正係數α與時間依存補正係數β等照射量補正參數只要預先計算好即可。或者是，描繪資料處理部23，輸入描繪資料，演算照射量補正係數Dp亦可。因此，照射時間演算部21，只要演算t=k‘．ρ．D0．Dp．α．β．AU2/I=k．ρ．D0．Dp．α．β/I即可。
又，時間依存補正係數β，在描繪後的時間依存而使光阻的感度改變時，或者束電流會隨著時間變動的場合能夠以設定補正係數進行補正的方式來利用。此外，面積密度為ρ=S/AU2，所以照射時間的計算可以是t=k‘．S．D0．Dp．α．β/I。此式，意味著不是使用面積密度ρ，而直接使用面積S也可以計算，使用哪一方只要一存於設計而決定即可。此外，隨著描繪方法不同，亦會藉由多重曝光而進行重疊描繪，但在那樣的場合，該部分照射量被加算，但無論哪種方式都以前述式子為基準依照描繪方法進行計算即可。
在此，照射時間演算部21也以包含照射量D的計算的方式進行演算，但不限於此，首先，未圖示的照射量演算部，演算以各照射區域27內作為照射位置之束的照射量D。接著，演算照射量D之後，照射時間演算部21因應於各照射區域27的面積密度，使用照射量D，演算照射時間t亦可。
圖15係顯示實施型態1之照射時間地圖之一例之圖。照射時間地圖56之各網目顯示照射區域27。在圖15，顯示對圖14A所示的面積密度地圖52的各地圖值乘上基準照射時間T0之值。在此場合，基準照射時間T0，係以T0=D0．AU2/I=k．D0/I來定義的。這是供提供基準照射量之控制電路內部的控制值，乘上基準照射時間T0，意味著把各照射的照射時間變換為控制電路內部的控制值。圖15係作為單純之例而圖示T0=500、Dp．α．β=1的場合。
作為Z補正步驟(S111)，藉由靜電透鏡211，以伴隨著描繪處理的進行而進行高度位置分布顯示的高度位置變化導致的各束的焦點位置的補正的方式來進行設定。換句話說，靜電透鏡211，補正高度位置分布顯示的高度位置的變化導致之各束的焦點位置。
作為描繪步驟(S112)，描繪處理控制部25，如前所述，照射間隔以AU以下的尺寸來進行描繪處理的方式控制描繪處理。接著，藉由描繪處理控制部控制的描繪部150，照射如以上所述而得到的各照射區域27之束的照射 時間t之各束，以在試料上描繪圖案。具體而言，對應照射之束可變地控制藉由照射時間演算部21演算的照射時間。接著，照射時間演算部21把各照射之照射時間往偏向控制電路130輸出，偏向控制電路130，進行對應的照射時，僅照射時間t使遮蔽裝置(blanker)為束開啟(on)的方式把控制用的數位訊號輸出至DAC擴大器134，在DAC擴大器134把數位訊號變換為類比訊號，予以擴大，作為偏向電壓，施加於遮蔽板(blanking plate)204之對應的遮蔽裝置。如以上所述，因應於照射位置，可變地控制照射量。另一方面，描繪處理控制部25，以在所要的照射位置使各束偏向的方式，把偏向位置資料輸出至偏向控制電路132。偏向控制電路132演算偏向量，把控制用的數位訊號輸出至DAC擴大器136，以DAC擴大器136把數位訊號變換為類比訊號，予以擴大之外，作為偏向電壓，施加於偏向器208。藉此，於該次匯集被照射得多束20進行偏向。
如以上所述，根據實施型態1，不在設計位置而以包含扭曲量的照射位置來定義照射位置，藉著由相關的各照射位置R來定義照射區域27，能夠以補正根據扭曲的位置偏移之照射量D來照射各照射之束。結果，可以抑制光學系等的扭曲導致的多束的照射位置的偏移所導致的圖案形狀或者尺寸的變動。結果，能夠以多束描繪高精度的圖案。
在前述之例，照射區域27，係被定義為連接4個平 均位置29的四角形，但是不以此為限。
圖16係顯示實施型態1之照射區域網目之其他一例之概念圖。座標R(xn+1，yn)所示的照射位置22，在因扭曲而大幅偏移的場合等，在座標R(xn，yn)與座標R(xn+1，yn)之平均位置(中間位置)外求出追加的平均位置P’亦可。例如，預先決定關於照射位置22的偏移量之設定值，偏移值在此設定值(例如，AU的10%)以上的場合，進行求取相關的追加的平均位置P’的處理為適切。在圖16之例，定義出藉由以座標P(xn，yn)與座標P(xn-1，yn)與座標P(xn-1，yn-1)與座標P(xn，yn-1)所示的各平均位置29與追加的平均位置P’所包圍的，包圍照射位置座標R(xn，yn)的照射區域27(第2區域)。藉此，即使局部發生照射位置的偏移很大的場合，也可謀求描繪精度的提高。
此外，在前述之例，照射區域27，係被定義為連接4個平均位置29的1個四角形，但是不以此為限。
圖17係顯示實施型態1之照射區域網目之其他一例之概念圖。在圖17，並不是把供演算以座標R1所示的照射位置22的照射量D之用的面積密度ρ，以連接以p1~p4包圍的4個平均位置29之1個四角形s1來定義，而是把包含周圍的四角形s2~s9之四角形s1~s9作為1個照射區域來定義亦可。相關的場合，各照射位置22用的照射區域與其他的照射位置22用的照射區域重複，但是在演算供演算出以座標R1所示的照射位置22的照射量D 之用的面積密度ρ時，只要採把各四角形s1~s9與圖形圖案重疊部分的面積S以四角形數(在此為9個)來除之值即可。供其他的照射位置22用而演算面積密度ρ時也相同。藉此，綜觀描繪區域全體的話，可以使以1個四角形s1定義的場合之面積S的合計，與以複數之四角形s1~s9定義的場合之面積S的合計為相同。或者是，針對以座標R1所示的照射位置22包含的中心之四角形s1把面積S減為1/2使用，針對周圍的四角形s2~s9把面積S減為1/16使用以賦予權重的方式進行計算亦為適切。
此外，在前述實施型態，藉由4個照射位置之平均位置來演算區劃照射區域的座標點，進而能夠用4個以上的照射位置之平均或者重心來定義座標點。參照圖17說明的話，在前述的實施型態，藉由4個照射位置(R1、R2、R4、R5)的平均位置演算區劃照射區域的座標點p1，進而例如採用周圍的16個照射位置(R1，R2，R3，R4，R5，R6，R7，R8，R9，R10，R11，R12，R13，R14，R15，R16)之平均，或者由前述16個照射位置除去角落部分的照射位置之周圍的12個照射位置(R1，R2，R3，R4，R5，R6，R7，R8，R11，R12，R14，R15)之平均位置的方式增加對象的照射位置，以該平均位置定義p1的座標亦可。例如，16個的場合，加算16個之X、Y各座標值，藉由以16除算，求取座標點p1的X、Y之各座標；此外在12個的場合，加算12個之X、Y各座標值，以12除算，以求取座標點p1的X、Y之各座 標。
此外，對各座標點賦予權重計算平均或者重心以定義座標點p1亦可。例如，依存於對象位置起算的距離，接近於對象位置的照射位置(R1，R2，R4，R5)賦予2之權重，其他照射位置(R3，R6，R7，R8，R9，R10，R11，R12，R13，R14，R15，R16)賦予1之權重而計算平均或者重心。在此場合，採用照射位置(R1，R2，R4，R5)之X，Y各座標值乘2倍相加，其他的照射位置的X，Y各座標值乘1倍相加，把相加的結果除以20求出座標點p1的X，Y各座標之演算處理。
如此藉由增加作為計算對象的照射位置，能夠以更寬廣範圍之反映周邊的照射位置偏移之結果來定義座標點，即使存在局部照射位置偏移很大的場合，也可以得到在照射間被平準化的補正計算結果所以可謀求精度的提高。
又，一般而言，增加計算對象的話會使演算處理更花時間，具體要進行什麼樣的演算，只要配合要求精度而設計選擇即可。
以上，參照具體例說明了實施型態。但是本發明不以這些具體例為限。
此外，裝置構成或控制手法等，針對本發明的說明並不是直接必要的部分等省略了記載，但可以適當選擇必要的裝置構成或控制手法來使用。例如針對控制描繪裝置100的控制部構成省略了記載，當然可以適當選擇使用必要的控制部構成。
其他，具備本發明的要素，熟悉該項技藝者應會適當變更設計的所有的多荷電粒子束描繪裝置及方法，也都包含於本發明的範圍。
雖然說明了本發明之幾個實施型態，但這些實施型態，僅係作為例子而提示的，並未意圖限定發明的範圍。這些新穎的實施型態，可以在其他種種型態被實施，在不逸脫於本發明要旨的範圍，可以進行種種的省略、置換、變更。這些實施型態或其變形，包含於本發明的範圍或要旨，同時也包含與記載於申請專利範圍的發明均等的範圍。

Claims (10)

  1. 一種方法係多荷電粒子束描繪方法，其特徵為：使用根據荷電粒子束之多(粒子)束，根據縱橫方向預先設定的控制網格(grid)間隔對試料上照射各粒子束的場合之，演算包含被照射的各粒子束的變形量之照射位置，使用包含前述各粒子束的變形量的照射位置，演算分別為最近的縱橫2×2之粒子束群的照射位置彼此所包圍的複數第1區域之各第1區域內的根據預先設定的條件之條件位置，使用前述複數第1區域的條件位置，針對以分別的最近的複數條件位置群所包圍的複數第2區域，於各第2區域，演算供與該第2區域重疊描繪之圖形圖案的面積密度，因應於各第2區域的面積密度，演算把各第2區域內作為照射位置的粒子束的照射量或照射時間，照射求出的照射量或照射時間之各粒子束，以在試料上描繪圖案。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中前述複數第2區域，於內部無間隙地連接著。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中前述條件位置，為包圍第1區域的複數照射位置之平均位置或重心位置。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中測定前述試料的描繪區域的高度位置分布， 補正前述高度位置分布呈現的高度位置的變化導致的各粒子束的焦點位置，前述各粒子束的變形，包含起因於補正前述焦點位置之變形。
  5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中前述複數第2區域，在有以分別最近的縱橫2×2之條件位置，以及，在預先設定的條件有追加的追加條件位置的場合，進而以追加了追加條件位置的條件位置群包圍。
  6. 一種裝置係多荷電粒子束描繪裝置，其特徵為具備：載置試料的可移動的台(stage)，放出荷電粒子束的放出部，被形成複數開口部，於包含前述複數開口部全體的開口部形成區域接受前述荷電粒子束的照射，藉由使前述荷電粒子束的一部分分別通過前述複數開口部，而形成多(粒子)束之開口(aperture)構件，進行通過前述開口構件之複數開口部的多粒子束之中，分別對應的粒子束的遮蔽(blanking)偏向的複數遮蔽裝置(blanker)，以藉由前述複數遮蔽裝置成為關閉粒子束的狀態的方式遮蔽被偏向的各粒子束的遮蔽開口構件，通過前述遮蔽開口構件的各粒子束在前述試料上之分別的照射位置，統整通過前述遮蔽開口構件的各粒子束而進行偏向的偏向器， 使用根據荷電粒子束的多(粒子)束根據縱橫方向預先設定的控制網格(grid)間隔對試料上照射各粒子束的場合之，演算包含被照射的各粒子束的變形量之照射位置的照射位置演算部，使用包含前述各粒子束的變形量的照射位置，演算分別為最近的縱橫2×2之粒子束群的照射位置彼此所包圍的複數第1區域之各第1區域內的根據預先設定的條件之條件位置的條件位置演算部，使用前述複數第1區域的條件位置，針對以分別的最近的複數條件位置群所包圍的複數第2區域，於各第2區域，演算供與該第2區域重疊描繪之圖形圖案的面積密度的面積密度演算部，因應於各第2區域的面積密度，演算把各第2區域內作為照射位置的粒子束的照射時間之照射時間演算部，以及以使求出的照射時間之各粒子束被照射於試料的方式進行前述複數遮蔽裝置的遮蔽偏向控制的偏向控制部。
  7. 如申請專利範圍第6項之裝置，其中前述複數第2區域，於內部無間隙地連接著。
  8. 如申請專利範圍第6項之裝置，其中前述條件位置，為包圍第1區域的複數照射位置之平均位置或重心位置。
  9. 如申請專利範圍第6項之裝置，其中具備：測定前述試料的描繪區域的高度位置分布的感 測器，與補正前述高度位置分布呈現的高度位置的變化導致的各粒子束的焦點位置的靜電透鏡；前述各粒子束的變形，包含起因於補正前述焦點位置之變形。
  10. 如申請專利範圍第6項之裝置，其中前述複數第2區域，在有以分別最近的縱橫2×2之條件位置，以及，在預先設定的條件有追加的追加條件位置的場合，進而以追加了追加條件位置的條件位置群包圍。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI585811B (zh) * 2014-09-19 2017-06-01 紐富來科技股份有限公司 多重帶電粒子束的射束位置測定方法及多重帶電粒子束描繪裝置
TWI588863B (zh) * 2014-04-09 2017-06-21 Nuflare Technology Inc Launch data generation method and multi-charged particle beam rendering method
TWI595527B (zh) * 2014-05-23 2017-08-11 紐富來科技股份有限公司 多重帶電粒子束描繪方法及多重帶電粒子束描繪裝置
US10134562B2 (en) 2014-12-22 2018-11-20 Nuflare Technology, Inc. Multi charged particle beam writing apparatus, and multi charged particle beam writing method
TWI692794B (zh) * 2017-04-19 2020-05-01 日商紐富來科技股份有限公司 多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5498105B2 (ja) * 2009-09-15 2014-05-21 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP5956797B2 (ja) * 2012-03-22 2016-07-27 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP6147528B2 (ja) * 2012-06-01 2017-06-14 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6057700B2 (ja) 2012-12-26 2017-01-11 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6080540B2 (ja) 2012-12-26 2017-02-15 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置
JP6456118B2 (ja) * 2014-11-20 2019-01-23 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6438280B2 (ja) 2014-11-28 2018-12-12 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP2016103571A (ja) 2014-11-28 2016-06-02 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
US9658538B2 (en) * 2014-12-19 2017-05-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and technique for rasterizing circuit layout data
JP6442295B2 (ja) * 2015-01-19 2018-12-19 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム像の回転角測定方法、マルチ荷電粒子ビーム像の回転角調整方法、及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP2016225357A (ja) 2015-05-27 2016-12-28 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP6951673B2 (ja) * 2015-06-23 2021-10-20 大日本印刷株式会社 荷電粒子ビーム描画装置およびその制御方法
WO2017195766A1 (ja) * 2016-05-11 2017-11-16 大日本印刷株式会社 荷電粒子ビーム照射装置
JP6808986B2 (ja) * 2016-06-09 2021-01-06 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びその調整方法
JP6834429B2 (ja) * 2016-08-03 2021-02-24 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びその調整方法
JP6863208B2 (ja) 2017-09-29 2021-04-21 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP2019102661A (ja) 2017-12-04 2019-06-24 株式会社ニューフレアテクノロジー ビーム偏向形状取得方法及びブランキングアパーチャアレイの配置角度取得方法
JP6847886B2 (ja) 2018-03-20 2021-03-24 株式会社東芝 荷電粒子ビーム偏向デバイス
JP7026554B2 (ja) 2018-03-29 2022-02-28 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP7126367B2 (ja) 2018-03-29 2022-08-26 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP7180515B2 (ja) * 2019-04-11 2022-11-30 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP7167842B2 (ja) * 2019-05-08 2022-11-09 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP7238672B2 (ja) 2019-07-25 2023-03-14 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチビーム描画方法及びマルチビーム描画装置
JP6754481B2 (ja) * 2019-08-01 2020-09-09 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
CN111223916B (zh) * 2020-01-13 2023-06-16 长江存储科技有限责任公司 半导体器件及其制备方法和三维存储器
JP7458817B2 (ja) * 2020-02-18 2024-04-01 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP7729133B2 (ja) * 2021-09-14 2025-08-26 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
US12057287B2 (en) 2022-03-30 2024-08-06 Fei Company Methods and systems for aligning a multi-beam system
JP7764807B2 (ja) * 2022-06-10 2025-11-06 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビームの評価方法、マルチ荷電粒子ビームの評価プログラム、マルチ荷電粒子ビーム描画方法、及びマルチ荷電粒子ビーム照射装置用アパーチャアレイ基板の検査方法
US20240112884A1 (en) * 2022-09-28 2024-04-04 Kla Corporation Distortion reduction in a multi-beam imaging system

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2848648A (en) * 1956-05-09 1958-08-19 Itt Bar graph oscilloscopes
US5393987A (en) 1993-05-28 1995-02-28 Etec Systems, Inc. Dose modulation and pixel deflection for raster scan lithography
JP3529997B2 (ja) * 1997-01-13 2004-05-24 株式会社東芝 荷電粒子ビーム光学素子、荷電粒子ビーム露光装置及びその調整方法
JP4077933B2 (ja) * 1998-06-24 2008-04-23 キヤノン株式会社 マルチ電子ビーム露光方法及び装置、ならびにデバイス製造方法
EP1339100A1 (en) * 2000-12-01 2003-08-27 Ebara Corporation Inspection method and apparatus using electron beam, and device production method using it
JP4251784B2 (ja) * 2001-04-09 2009-04-08 株式会社アドバンテスト 電子ビーム露光装置、照射位置算出方法
JP4421836B2 (ja) 2003-03-28 2010-02-24 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP4157410B2 (ja) * 2003-04-02 2008-10-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子線描画装置
US7138629B2 (en) * 2003-04-22 2006-11-21 Ebara Corporation Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus
US7842926B2 (en) 2003-11-12 2010-11-30 Micronic Laser Systems Ab Method and device for correcting SLM stamp image imperfections
JP4563756B2 (ja) * 2004-09-14 2010-10-13 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子ビーム描画方法および電子ビーム描画装置
JP4761508B2 (ja) 2005-03-16 2011-08-31 キヤノン株式会社 荷電粒子露光装置およびデバイス製造方法
WO2006110073A1 (en) * 2005-04-15 2006-10-19 Micronic Laser Systems Ab Method for a multiple exposure beams lithopraphy tool
JP4171479B2 (ja) * 2005-06-28 2008-10-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線応用装置及び荷電粒子線応用方法
JP4679978B2 (ja) * 2005-06-28 2011-05-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子ビーム応用装置
JP5001563B2 (ja) * 2006-03-08 2012-08-15 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子線描画データの作成方法
WO2007112465A1 (en) * 2006-04-03 2007-10-11 Ims Nanofabrication Ag Particle-beam exposure apparatus with overall-modulation of a patterned beam
JP2008085120A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置の位置補正係数算出方法及び荷電粒子ビーム描画装置の位置補正係数更新方法
JP4996978B2 (ja) * 2007-05-28 2012-08-08 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画方法
JP5079410B2 (ja) * 2007-07-06 2012-11-21 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
US7705322B2 (en) * 2007-07-12 2010-04-27 Nuflare Technology, Inc. Charged-particle beam writing method
JP4945380B2 (ja) * 2007-09-05 2012-06-06 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5153348B2 (ja) * 2008-01-09 2013-02-27 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子ビーム軌道補正器及び荷電粒子ビーム装置
JP5301312B2 (ja) * 2008-03-21 2013-09-25 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置の較正用基板及び描画方法
DE102008062450B4 (de) * 2008-12-13 2012-05-03 Vistec Electron Beam Gmbh Anordnung zur Beleuchtung eines Substrats mit mehreren individuell geformten Partikelstrahlen zur hochauflösenden Lithographie von Strukturmustern
JP5525798B2 (ja) * 2009-11-20 2014-06-18 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置およびその帯電効果補正方法
JP5616674B2 (ja) * 2010-04-20 2014-10-29 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5655542B2 (ja) 2010-12-17 2015-01-21 スズキ株式会社 グローブボックスステー
JP5792513B2 (ja) * 2011-05-20 2015-10-14 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
NL2006868C2 (en) * 2011-05-30 2012-12-03 Mapper Lithography Ip Bv Charged particle multi-beamlet apparatus.
JP5826566B2 (ja) 2011-09-01 2015-12-02 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP5859778B2 (ja) 2011-09-01 2016-02-16 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP6147528B2 (ja) * 2012-06-01 2017-06-14 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI588863B (zh) * 2014-04-09 2017-06-21 Nuflare Technology Inc Launch data generation method and multi-charged particle beam rendering method
TWI595527B (zh) * 2014-05-23 2017-08-11 紐富來科技股份有限公司 多重帶電粒子束描繪方法及多重帶電粒子束描繪裝置
TWI585811B (zh) * 2014-09-19 2017-06-01 紐富來科技股份有限公司 多重帶電粒子束的射束位置測定方法及多重帶電粒子束描繪裝置
US10134562B2 (en) 2014-12-22 2018-11-20 Nuflare Technology, Inc. Multi charged particle beam writing apparatus, and multi charged particle beam writing method
TWI692794B (zh) * 2017-04-19 2020-05-01 日商紐富來科技股份有限公司 多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法

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