TW201403731A

TW201403731A - 剝離裝置、剝離系統、剝離方法、程式及電腦記憶媒體

Info

Publication number: TW201403731A
Application number: TW102108487A
Authority: TW
Inventors: 本田勝
Original assignee: 東京威力科創股份有限公司
Priority date: 2012-03-13
Filing date: 2013-03-11
Publication date: 2014-01-16
Also published as: JP2013219328A; WO2013136982A1

Abstract

本發明之課題在於妥善地剝離被處理基板與支持基板。其解決方法係提供一剝離裝置，其具有：割口機構(刀具)161，其前端尖銳，並從重合晶圓T之側方，插入被處理晶圓與支持晶圓之接合面，割出切口；以及流體供給機構162，從重合晶圓T之側方，對被處理晶圓與支持晶圓之接合面供給流體。流體供給機構162，具有氣體噴嘴163，該氣體噴嘴163供給作為流體之氣體。刀具161與氣體噴嘴163，由支持構件168所支持並形成為一體。氣體噴嘴163之兩側設有一對刀具161，一對刀具161與氣體噴嘴163沿著重合晶圓T之外周部側面而配置。

Description

剝離裝置、剝離系統、剝離方法、程式及電腦記憶媒體

本發明係有關於將重合基板剝離成被處理基板與支持基板之剝離裝置、具備該剝離裝置之剝離系統、使用該剝離裝置之剝離方法、程式及電腦記憶媒體。

近年，例如在半導體元件之製程，半導體晶圓(以下稱為「晶圓」)持續大口徑化。此外，於安裝等特定製程，都需要晶圓薄型化。而若要對諸如此種大口徑且厚度薄的晶圓，直接進行搬送或研磨處理，晶圓恐會產生翹曲或破裂。因此，為了補強晶圓，進行了例如在當作支持基板的晶圓或玻璃基板貼合晶圓等作法。而在此種晶圓與支持基板接合之狀態下進行晶圓之研磨處理等既定之處理後，剝離晶圓與支持基板。

如此之晶圓與支持基板之剝離，係例如使用剝離裝置來進行。剝離裝置，具有例如保持晶圓之第1保持件、保持支持基板之第2保持件、以及在晶圓與支持基板之間噴射液體之噴嘴。而在此剝離裝置，從噴嘴對已接合之晶圓與支持基板之間噴射液體，藉此進行晶圓與支持基板之剝離。(專利文獻1)。

〔習知技術文獻〕

〔專利文獻〕

〔專利文獻1〕日本特開平9-167724號公報

然而，發明者們精心研討之下，得知於使用專利文獻1所記載之剝離裝置時，若僅只噴射液體，則實際上有時難以剝離晶圓與支持基板。

又，若要僅藉由液體之噴射以剝離晶圓與支持基板，則需要以非常大的噴射壓來噴射液體，在此情形，有使晶圓或支持基板蒙受損傷之虞。尤其晶圓已薄型化，而易於受到損傷。

有鑑於此，本發明之目的在於要妥善地剝離被處理基板及支持基板。

為達成前述之目的，本發明提供一種剝離裝置，係將由被處理基板與支持基板接合而成的重合基板，剝離成被處理基板與支持基板，該剝離裝置包括：割口機構，其前端尖銳，並從重合基板之側方，插入被處理基板與支持基板之接合面，割出切口；以及流體供給機構，從重合基板之側方，對被處理基板與支持基板之接合面供給流體。

依據本發明，可以藉由從重合基板之側方，對被處理基板與支持基板之接合面插入前端尖銳之割口機構，割出切口；進而從流體供給機構，對被處理基板與支持基板之接合面的切口供給流體，以剝離被處理基板與支持基板。如此這般，由流體供給機構對割口機構所形成之切口供給流體，因此即使係例如流體之供給壓力小的情形，亦能使流體輕易進入被處理基板與支持基板之接合面。因此若依據本發明，可以妥善地剝離被處理基板與支持基板，而該被處理基板與支持基板並不會蒙受損傷。

亦可使該割口機構與該流體供給機構形成為一體。

亦可使該割口機構具備刀具；該流體供給機構具備流體噴嘴；於該流體噴嘴之兩側，設置一對刀具。

亦可係於側視觀察下，該刀具之前端部的頂面，係沿著該接合面之面方向延伸；於側視觀察下，該刀具之前端部的底面，係由該接合面之面方向傾斜延伸。

亦可使該剝離裝置更包括：移動機構，使該流體供給機構之流體的供給口，沿著重合基板的厚度方向移動；以及控制部，控制該移動機構，一邊使該流體供給機構之供給口沿著重合基板的厚度方向移動，一邊由該供給口供給流體。

亦可使該剝離裝置更包括：控制部，控制該流體供給機構所供給之流體的供給量；該控制部，控制該流體供給機構，使其以相對較多的供給量與相對較少的供給量反複供給流體。

亦可使該剝離裝置更包括：旋轉機構，其至少使被處理基板或支持基板相對旋轉。

亦可使該剝離裝置更包括：複數之該流體供給機構。

亦可使該流體供給機構之前端，沿著重合基板之外周彎曲。

亦可使該流體供給機構所供給之流體，至少係氣體或液體。

亦可使該剝離裝置更包括：量測部，量測作用於該割口機構之前端部的力量；以及控制部，使該割口機構抵接重合基板，以該量測部進行力量之量測，於該量測部之量測值達到指定值時，控制該割口機構，以使該割口機構插入重合基板。

另一觀點之本發明，係一種剝離系統，具備前述剝離裝置，該剝離系統包括：處理站，具備該剝離裝置；搬入出站，對該處理站搬入或由該處理站搬出被處理基板、支持基板、或重合基板；以及搬送裝置，在該處理站與該搬入出站之間，搬送被處理基板、支持基板、或重合基板。

又一觀點之本發明，係一種剝離方法，將由被處理基板與支持基板接合而成的重合基板，剝離成被處理基板與支持基板，該剝離方法包括以下步驟：由重合基板之側方，對被處理基板與支持基板之接合面插入前端尖銳之割口機構，割出切口；進而由流體供給機構對該被處理基板與支持基板之接合面的切口，供給流體，以剝離被處理基板與支持基板。

亦可使該割口機構與該流體供給機構形成為一體。

亦可係一邊使該流體供給機構之流體的供給口沿著重合基板的厚度方向移動，一邊由該供給口供給流體。

亦可使由該流體供給機構所供給之流體，以相對較多的供給量與相對較少的供給量反複供給。

亦可係一邊至少使被處理基板或支持基板相對旋轉，一邊由該流體供給機構供給氣體。

亦可係由複數之該流體供給機構供給流體。

亦可使該流體供給機構之前端，沿著重合基板之外周彎曲。

亦可使該流體供給機構所供給之流體，至少係氣體或液體。

亦可使該割口機構抵接重合基板，以量測部來量測作用於該割口機構之前端部的力量；於該量測部之量測值達到指定值時，使該割口機構插入重合基板。

若依據再一觀點之本發明，提供一種電腦記憶媒體，其可供讀取，儲存著在控制部的電腦上動作之程式，該控制部控制剝離裝置，以使該剝離裝置執行前述之剝離方法。

根據本發明，可妥善地剝離被處理基板及支持基板。

1‧‧‧剝離系統

2‧‧‧搬入出站

3‧‧‧處理站

4‧‧‧後處理站

5‧‧‧介面站

6‧‧‧晶圓搬送區域

7‧‧‧檢查裝置

8‧‧‧檢查後洗淨站

10‧‧‧卡匣載置台

11‧‧‧卡匣載置板

12‧‧‧位置調節裝置

20‧‧‧第1搬送裝置

30‧‧‧剝離裝置

31‧‧‧第1洗淨裝置

32‧‧‧第2搬送裝置

33‧‧‧第2洗淨裝置

40‧‧‧接合面洗淨裝置

41‧‧‧非接合面洗淨裝置

42‧‧‧反轉裝置

50‧‧‧搬送路

51‧‧‧第3搬送裝置

100‧‧‧處理容器

110‧‧‧第1保持部

111‧‧‧第2保持部

120‧‧‧本體部

121‧‧‧多孔部

122‧‧‧抽吸空間

130‧‧‧旋轉機構

131‧‧‧支持板

132‧‧‧軸體

133‧‧‧驅動部

140‧‧‧驅動部

141‧‧‧支持板

142‧‧‧昇降機構

150‧‧‧導引構件

151‧‧‧導引部

152‧‧‧錐形部

153‧‧‧支持構件

160‧‧‧剝離機構

161‧‧‧割口機構(刀具)

161a‧‧‧前端部

162‧‧‧流體供給機構

163‧‧‧氣體噴嘴

164‧‧‧供給口

165‧‧‧供給管

166‧‧‧氣體供給源

167‧‧‧供給機器群

168‧‧‧支持構件

170‧‧‧驅動部

171‧‧‧軌道

180‧‧‧處理容器

190‧‧‧多孔式吸盤

191‧‧‧本體部

192‧‧‧多孔部

193‧‧‧吸盤驅動部

194‧‧‧杯體

195‧‧‧排出管

196‧‧‧排氣管

200‧‧‧軌道

201‧‧‧臂體

202‧‧‧洗淨液噴嘴

203‧‧‧噴嘴驅動部

204‧‧‧待機部

210‧‧‧供給管

211‧‧‧洗淨液供給源

212‧‧‧供給機器群

213‧‧‧供給管

214‧‧‧氣體供給源

215‧‧‧供給機器群

220‧‧‧多孔式吸盤

230‧‧‧白努利吸盤

231‧‧‧支持臂

232‧‧‧第1驅動部

233‧‧‧第2驅動部

240‧‧‧處理容器

250‧‧‧排氣口

251‧‧‧排氣裝置

252‧‧‧排氣管

260‧‧‧第1保持部

261‧‧‧第2保持部

262‧‧‧支持板

270‧‧‧移動機構

271‧‧‧支持板

272‧‧‧驅動部

273‧‧‧支持體

274‧‧‧支持部材

280‧‧‧處理容器

290‧‧‧多孔夾頭

291‧‧‧本體部

292‧‧‧多孔部

293‧‧‧夾頭驅動部

294‧‧‧軌道

295‧‧‧感測器

300‧‧‧攝影裝置

301‧‧‧半鏡

302‧‧‧照明裝置

350‧‧‧控制部

360‧‧‧加熱機構

361‧‧‧本體部

362‧‧‧抽吸管

363‧‧‧加熱機構

370‧‧‧抽吸管

371‧‧‧支持部

400‧‧‧剝離系統

401‧‧‧搬入出站

402‧‧‧處理站

403‧‧‧晶圓搬送區域

410‧‧‧卡匣載置台

411‧‧‧卡匣載置板

412‧‧‧位置調節裝置

420‧‧‧第1搬送裝置

430‧‧‧剝離裝置

431‧‧‧熱處理裝置

432‧‧‧移轉裝置

433‧‧‧第2搬送裝置

440‧‧‧處理容器

441‧‧‧氣體供給口

442‧‧‧氣體供給源

443‧‧‧氣體供給管

444‧‧‧供給機器群

445‧‧‧吸氣口

446‧‧‧負壓產生裝置

447‧‧‧吸氣管

450‧‧‧加熱部

451‧‧‧溫度調節部

460‧‧‧熱板

461‧‧‧保持構件

462‧‧‧支撐環

463‧‧‧加熱器

470‧‧‧昇降銷

471‧‧‧昇降驅動部

472‧‧‧貫通孔

480‧‧‧溫度調節板

481‧‧‧開縫

482‧‧‧支持臂

483‧‧‧驅動部

484‧‧‧軌道

500‧‧‧第2驅動部

501‧‧‧軌道

502‧‧‧測力器

503‧‧‧刀具

503a‧‧‧前端部

504‧‧‧水平面

505‧‧‧傾斜面

C‧‧‧切口

C_W‧‧‧卡匣

C_S‧‧‧卡匣

C_T‧‧‧卡匣

G‧‧‧黏接劑

H‧‧‧記憶媒體

F‧‧‧切割框

F_S‧‧‧表面

P‧‧‧切割膠帶

S‧‧‧支持晶圓

S_J‧‧‧接合面

S_N‧‧‧非接合面

T‧‧‧重合晶圓

W‧‧‧被處理晶圓

W_J‧‧‧接合面

W_N‧‧‧非接合面

X‧‧‧方向

Y‧‧‧方向

P1‧‧‧移交位置

P2‧‧‧對位位置

θ‧‧‧方向

第1圖係顯示有關本實施形態之剝離系統之結構概略的俯視圖。

第2圖係被處理晶圓與支持晶圓之側視圖。

第3圖係顯示剝離裝置之結構概略的縱剖面圖。

第4圖係顯示剝離機構之結構概略的俯視圖。

第5圖係顯示刀具之結構概略的側視圖。

第6圖係顯示氣體噴嘴之結構概略的側視圖。

第7圖係顯示第1洗淨裝置之結構概略的縱剖面圖。

第8圖係顯示第1洗淨裝置之結構概略的橫剖面圖。

第9圖係顯示第2洗淨裝置之結構概略的縱剖面圖。

第10圖係顯示第2搬送裝置之結構概略的側視圖。

第11圖係顯示反轉裝置之結構概略的縱剖面圖。

第12圖係顯示檢查裝置之結構概略的縱剖面圖。

第13圖係顯示檢查裝置之結構概略的橫剖面圖。

第14圖係顯示剝離處理之主要步驟的流程圖。

第15圖係以俯視顯示：於被處理晶圓與支持晶圓的接合面，以刀具切出切口之樣態的說明圖。

第16圖係以縱剖面顯示：於被處理晶圓與支持晶圓的接合面，以刀具切出切口之樣態的說明圖。

第17圖係以俯視顯示：於被處理晶圓與支持晶圓的接合面，以氣體噴嘴供給氣體之樣態的說明圖。

第18圖係以縱剖面顯示：於被處理晶圓與支持晶圓的接合面，以氣體噴嘴供給氣體之樣態的說明圖。

第19圖係以俯視顯示：被處理晶圓與支持晶圓剝離後之樣態的說明圖。

第20圖係以縱剖面顯示：被處理晶圓與支持晶圓剝離後之樣態的說明圖。

第21圖係顯示將被處理晶圓從剝離裝置的第1保持部移交至第2搬送裝置的白努利吸盤之樣態的說明圖。

第22圖係顯示將被處理晶圓從第2搬送裝置的白努利吸盤移交至第1洗淨裝置的多孔式吸盤之樣態的說明圖。

第23圖係顯示將被處理晶圓從第3搬送裝置的白努利吸盤移交至反轉裝置的第2保持部之樣態的說明圖。

第24圖係顯示將被處理晶圓從反轉裝置的第2保持部移交至第1保持部之樣態的說明圖。

第25圖係顯示被處理晶圓從反轉裝置的第2保持部移交至第1保持部之狀態的說明圖。

第26圖係顯示被處理晶圓從反轉裝置的第1保持部移交至第3搬送裝置的白努利吸盤之狀態的說明圖。

第27圖係顯示另一實施形態之氣體噴嘴之動作的說明圖。

第28圖係顯示另一實施形態之剝離機構之配置的俯視圖。

第29圖係顯示另一實施形態之剝離機構之結構概略的說明圖。

第30圖係顯示另一實施形態之剝離裝置之結構概略的縱剖面圖。

第31圖係顯示另一實施形態之第1保持部之結構概略的縱剖面圖；該第1保持部保持安裝有切割框之被處理晶圓。

第32圖係顯示另一實施形態之剝離系統之結構概略的俯視圖。

第33圖係顯示熱處理裝置之結構概略的縱剖面圖。

第34圖係顯示熱處理裝置之結構概略的橫剖面圖。

第35圖係顯示第2實施形態之剝離機構之結構概略的俯視圖。

第36圖係顯示第2實施形態之剝離機構之結構概略的側視圖。

第37圖係說明第2實施形態之剝離機構之動作的流程圖。

第38圖係顯示另一實施形態之刀具之結構概略的側視圖。

以下針對本發明之實施形態加以說明。第1圖係顯示本實施形態之剝離系統1之結構概略的俯視圖。

於剝離系統1，將如第2圖所示之作為重合基板的重合晶圓T剝離成被處理晶圓W與支持晶圓S，該重合晶圓T係以黏接劑G，黏接作為被處理基板之被處理晶圓W，以及作為支持基板之支持晶圓S而成。以下，稱呼在被處理晶圓W，隔著黏接劑G而與支持晶圓S接合之面為「接合面W_J」，稱呼與該接合面W_J相反側的面為「非接合面W_N」。同樣地，稱呼在支持晶圓S，隔著黏接劑G而與被處理晶圓W接合之面為「接合面S_J」，與該接合面S_J相反側的面為「非接合面S_N」。又，被處理晶圓W係成為製品之晶圓，於例如接合面W_J上形成有具備複數電子電路等等之複數元件。此外，被處理晶圓W係於例如非接合面W_N受到研磨處理，加以薄型化(例如厚度為50μm~100μm)。支持晶圓S具有與被處理晶圓W相同直徑之圓板形狀，係支持該被處理晶圓W之晶圓。再者，於本實施形態，會說明以晶圓用作支持基板之情形，但亦可以使用例如玻璃基板等其他基板。

剝離系統1，如第1圖所示，具備將搬入出站2、處理站3與介面站5連接成一體之結構；該搬入出站2，係將可分別收納複數被處理晶圓W之卡匣C_W、複數支持晶圓S之卡匣C_S、複數重合晶圓T之卡匣C_T，在例如與外部之間搬入或搬出；處理站3，具備各種處理裝置，以對被處理晶圓W、支持晶圓S、重合晶圓T施以既定之處理；該介面站5，與鄰接處理站3的後處理站4之間進行被處理晶圓W之移交。

搬入出站2與處理站3係於X方向(第1圖中之上下方向)並排配置。該等搬入出站2與處理站3之間，形成有晶圓搬送區域6。介面站5係配置於處理站3之Y方向負方向側(第1圖中之左方向側)。介面站5之X方向正方向側(第1圖中之上方向側)配置有檢查裝置7，該檢查裝置7在被處理晶圓W移交到後處理站4之前對被處理晶圓W加以檢查。又，於檢查裝置7隔著介面站5之相反側，亦即介面站5之X方向負方向側(第1圖中之下方向側)，配置有檢查後洗淨站8，其洗淨檢查後之被處理晶圓W之接合面W_J及非接合面W_N，並對被處理晶圓W進行正反面之翻轉。

於搬入出站2設有卡匣載置台10。卡匣載置台10中設有例如3個之卡匣載置板11。卡匣載置板11係於Y方向(第1圖中之左右方向)並排成一列而配置。該等卡匣載置板11，於對剝離系統1之外部搬入或搬出卡匣C_W、C_S、C_T時，可載置卡匣C_W、C_S、C_T。如此這般，搬入出站2係構成為可保有複數被處理晶圓W、複數支持晶圓S、複數重合晶圓T。又，卡匣載置板11之個數，並不限定於本實施形態，可以任意決定。再者，對於搬進搬入出站2之複數重合晶圓T會預先作檢查，以判別其乃包含正常之被處理晶圓W之重合晶圓T，或是包含具有缺陷之被處理晶圓W的重合晶圓T。

又，於卡匣載置台10，設有位置調節裝置12，該位置調節裝置12調節重合晶圓T於水平方向之方向。再者，位置調節裝置12，亦發揮將複數重合晶圓T加以收納之緩衝器的功用。

於晶圓搬送區域6，配置有第1搬送裝置20。第1搬送裝置20具有可於例如垂直方向、水平方向(Y方向、X方向)及繞著垂直軸自由移動之搬送臂。第1搬送裝置20在晶圓搬送區域6內部移動，可於搬入出站2與處理站3之間搬送被處理晶圓W、支持晶圓S、重合晶圓T。

處理站3具備將重合晶圓T剝離成被處理晶圓W與支持晶圓S之剝離裝置30。剝離裝置30之Y方向負方向側(第1圖中之左方向側)，配置有洗淨剝離後之被處理晶圓W的第1洗淨裝置31。剝離裝置30與第1洗淨裝置31之間，設有第2搬送裝置32。又，於剝離裝置30之Y方向正方向側(第1圖中之右方向側)，配置有第2洗淨裝置33，洗淨剝離下來的支持晶圓S。如此，於處理站3，從介面站5側開始，依序排列配置著：第1洗淨裝置31、第2搬送裝置32、剝離裝置30、第2洗淨裝置33。

於檢查裝置7，檢查剝離裝置30所剝離過之被處理晶圓W上有無黏接劑G之殘渣。又，於檢查後洗淨站8，對在檢查裝置7已確認到有黏接劑G之殘渣的被處理晶圓W，進行洗淨。該檢查後洗淨站8具有：洗淨被處理晶圓W之接合面W_J的接合面洗淨裝置40、洗淨被處理晶圓W之非接合面W_N的非接合面洗淨裝置41、將被處理晶圓W之正反面上下反轉之反轉裝置42。該等接合面洗淨裝置40、反轉裝置42、非接合面洗淨裝置41，係由後處理站4側，延著Y方向並排配置。

於介面站5，設有能在Y方向上延伸之搬送路50上移動自如之第3搬送裝置51。第3搬送裝置51也可沿著垂直方向及繞著垂直軸(θ方向)移動自如，可在處理站3、後處理站4、檢查裝置7及檢查後洗淨站8之間搬送被處理晶圓W。

又，在後處理站4，對處理站3剝離下來的被處理晶圓W，進行既定的後處理。既定的後處理，可舉例如下：安裝被處理晶圓W之處理、對被處理晶圓W上的元件之電氣特性進行檢查之處理、將被處理晶圓W切割成各晶片之處理等等。

接著，針對上述剝離裝置30之結構加以說明。剝離裝置30，如第3圖所示，具有可密閉其內部之處理容器100。處理容器100之側面，形成有被處理晶圓W、支持晶圓S、重合晶圓T之搬入出口(未圖示)，該搬入出口上設有開閉閘門(未圖示)。

處理容器100之內部設有第1保持部110與第2保持部111，該第1保持部110以底面吸附保持被處理晶圓W，該第2保持部111以頂面吸附保持支持晶圓S。第1保持部110設於第2保持部111之上方，配置成與第2保持部111對向。亦即，於處理容器100內部，以被處理晶圓W配置在上側，且支持晶圓S配置在下側之狀態，對重合晶圓T進行剝離處理。

第1保持部110可使用例如多孔式吸盤(porous chuck)。第1保持部110具有平板狀之本體部120。於本體部120之底面側，設有多孔質體構成的多孔部121。多孔部121具有例如與被處理晶圓W幾乎相同的直徑，並抵接該被處理晶圓W之非接合面W_N。又，多孔部121可採用例如碳化矽材質。

又，於本體部120之內部、多孔部121之上方，形成抽吸空間122。抽吸空間122形成為例如覆蓋著多孔部121。抽吸空間122連接著例如與真空泵等負壓產生裝置(未圖示)連通的抽吸管(未圖示)。而被處理晶圓之非接合面W_N，隔著抽吸空間122與多孔部121，受到抽吸管123之抽吸，使該被處理晶圓W吸附保持於第1保持部110。

在第1保持部110之頂面，設有旋轉該第1保持部110的旋轉機構130。旋轉機構130具有：支持第1保持部110之頂面的支持板131、設於支持板 131之頂面的軸體132、以及透過支持板131與軸體132而用以旋轉第1保持部110的驅動部133。驅動部133具備旋轉軸體132之馬達，且例如抵接處理容器100之頂板面而受其支撐。

第2保持部111，例如採用多孔式吸盤。第2保持部111具有水平的頂面，於該頂面設有例如抽吸支持晶圓S的抽吸口(未圖示)。藉此抽吸口所進行之抽吸，而可將支持晶圓S吸附保持在第2保持部111上。

於第2保持部111之下方，設有驅動部140，該驅動部140具備例如馬達等等。於驅動部140設有昇降驅動源，例如壓力缸筒等，使第2保持部111可昇降自如。

第2保持部111與驅動部140，由支持板141所支持。於支持板141下方，設有昇降機構142，其備有例如壓力缸筒等昇降驅動源，使支持板141可昇降自如。

於處理容器100的內部，且係第1保持部110與第2保持部111之間，具有導引構件150，當以第2保持部111撐持著由重合晶圓T所剝離的支持晶圓S時，該導引構件150就調節該支持晶圓S之水平方向的位置。導引構件150具有導引部151與錐形部152，該導引部151導引支持晶圓S之外周部側面，該錐形部152自該導引部151往上方延伸，內側面則由下側朝向上側呈錐狀地擴大。又，導引構件150係例如在支持晶圓S的外周部設置3處。各導引構件150，由處理容器100的頂板面朝垂直下方延伸，且由支持構件153所支持，該支持構件153在其下端部朝水平方向屈曲。

又，於處理容器100之內部，設有剝離機構160，該剝離機構160將重合晶圓T剝離成被處理晶圓W與支持晶圓S。剝離機構160藉由支持構件(未圖示)而由支持板141所支持。而剝離機構160藉由昇降機構142，而設置成可昇降自如昇降自如。再者，剝離機構160亦可由處理容器100或第 1保持部110所支持。於此種情形，剝離機構160亦可內建用以使該剝離機構160昇降的昇降機構。

如第4圖所示，剝離機構160具有割口機構161及流體供給機構162；該割口機構161由重合晶圓T的側方，插入被處理晶圓W與支持晶圓S的接合面，割出切口；該流體供給機構162由重合晶圓T的側方，對被處理晶圓W與支持晶圓S的接合面供給流體，例如氣體。

如第5圖所示，割口機構161於其前端部161a採用尖銳的刀具。再者，於以下的說明中，有時會以刀具161來稱呼割口機構161。

如第4圖所示，流體供給機構162具有作為流體噴嘴之氣體噴嘴163，該氣體噴嘴163供給作為流體之氣體。如第6圖所示，氣體噴嘴163的前端部呈尖銳狀，並且於該前端部形成有供給氣體的供給口164。如第4圖所示，氣體噴嘴163連接有供給管165，該供給管165對該氣體噴嘴163供給氣體。供給管165於內部連通有貯留氣體的氣體供給源166。於供給管165設有供給機器群167，其包含控制氣體流動的閥或流量調節部等。再者，作為氣體，使用例如乾燥氣體或氮氣等惰性氣體。

如第4圖所示，刀具161與氣體噴嘴163由支持構件168所支持而形成為一體。又，於氣體噴嘴163之兩側，設有一對刀具161。此等一對之刀具161與氣體噴嘴163，係沿著重合晶圓T之外周部側面而配置。

支持構件168，例如由具備馬達等的驅動部170支持。於驅動部170上設有於水平方向(第4圖中之X方向)延伸之軌道171，支持構件168就安裝在軌道171上。藉由此種結構，支持構件168構成為可沿著軌道171而移動自如。亦即，刀具161與氣體噴嘴163係構成為可相對於重合晶圓T而進退自如。

接下來說明上述第1洗淨裝置31之結構。第1洗淨裝置31如第7圖所示，具有可密閉其內部之處理容器180。處理容器180之側面，形成有被處理晶圓W之搬入出口(未圖示)，該搬入出口設有開閉閘門(未圖示)。

處理容器180內之中央部，設有保持並旋轉被處理晶圓W之多孔式吸盤190。多孔式吸盤190具有平板狀之本體部191，以及設於本體部191的頂面側之多孔部192，其係一多孔質體。多孔部192例如具有與被處理晶圓W幾乎相同的直徑，並抵接該被處理晶圓W之非接合面W_N。又，多孔部192可採用例如碳化矽材質。多孔部192連接有抽吸管(未圖示)，藉由從該抽吸管透過多孔部192抽吸被處理晶圓W之非接合面W_N，可將該被處理晶圓W吸附保持於多孔式吸盤190上。

於多孔式吸盤190之下方，設置例如係具備馬達等之吸盤驅動部193。多孔式吸盤190藉由吸盤驅動部193而能以既定速度旋轉。又，吸盤驅動部193設有例如壓力缸筒等昇降驅動源，使多孔式吸盤190可昇降自如昇降自如。

多孔式吸盤190之周圍，設有杯體194，承接從被處理晶圓W飛散或落下之液體，加以回收。杯體194之底面，連接著排出管195及排氣管196，排出管195排出所回收之液體，排氣管196將杯體194內之蒙氣抽真空並排氣。

如第8圖所示，杯體194之X方向負方向(第8圖中之下方向)側，形成有沿著Y方向(第8圖中之左右方向)延伸之軌道200。軌道200從例如杯體194之Y方向負方向上(第8圖中之左方向)之外側，形成到Y方向正方向上(第8圖中之右方向)之外側。軌道200上，安裝有臂體201。

臂體201如第7圖及第8圖所示，支持著洗淨液噴嘴202，該洗淨液噴嘴202對被處理晶圓W供給洗淨液，例如係黏接劑G之溶劑的有機溶劑。臂體201藉由如第8圖所示藉由噴嘴驅動部203，而在軌道200上移動自如。藉此，洗淨液噴嘴202可由設置於杯體194之Y方向正方向上之外側的待機部204，移動到杯體194內之被處理晶圓W之中心部上方，並且可以在該被處理晶圓W上方沿著被處理晶圓W之直徑方向移動。又，臂體201藉著噴嘴驅動部203而可昇降自如，能調節洗淨液噴嘴202之高度。

洗淨液噴嘴202可採用例如二流體噴嘴。洗淨液噴嘴202如第7圖所示，連接著對該洗淨液噴嘴202供給洗淨液之供給管210。供給管210與在內部貯留著洗淨液之洗淨液供給源211連通。供給管210設有供給機器群212，其包含控制洗淨液流動之閥或流量調節部等。又，洗淨液噴嘴202連接有對該洗淨液噴嘴202供給例如氮氣之類惰性氣體之供給管213。供給管213與在內部貯留惰性氣體之氣體供給源214連通。供給管213設有供給機器群215，其包含控制惰性氣體流動之閥或流量調節部等。而洗淨液與惰性氣體在洗淨液噴嘴202內混合，並由該洗淨液噴嘴202供給至被處理晶圓W。又，下文中，對於洗淨液與惰性氣體之混合物，有時會僅以「洗淨液」稱之。

又，多孔式吸盤190下方，亦可設置由下方支持並昇降被處理晶圓W之昇降銷(未圖示)。在此情形，昇降銷係插通於形成在多孔式吸盤190的貫通孔(未圖示)，可由多孔式吸盤190頂面突出。故而在多孔式吸盤190之間移交被處理晶圓W時，不昇降多孔式吸盤190，而採昇降昇降銷的方式進行。

又，上述之檢查後洗淨站8的接合面洗淨裝置40與非接合面洗淨裝置41之結構，係與上述第1洗淨裝置31之結構相同，因此省略其說明。

再者，第2洗淨裝置33之結構，與上述第1洗淨裝置31之結構幾乎相同。第2洗淨裝置33上，如第9圖所示，不設置之第1洗淨裝置31的多孔式吸盤190，改而設置多孔式吸盤220。多孔式吸盤220具有水平的頂面，該頂面例如設有抽吸支持晶圓S之抽吸口(未圖示)。藉由該抽吸口之抽吸，可將支持晶圓S吸附保持在多孔式吸盤220上。第2洗淨裝置33之其他結構，與上述第1洗淨裝置31之結構相同，故省略說明。

又，於第2洗淨裝置33，多孔式吸盤220之下方，亦可設置朝向被處理晶圓W之背面，也就是非接合面W_N噴射洗淨液之背面清洗噴嘴(未圖示)。藉由該背面清洗噴嘴所噴射之洗淨液，可洗淨被處理晶圓W之非接合面W_N與被處理晶圓W之外周部。

接著，針對上述第2搬送裝置32之結構加以說明。第2搬送裝置32，如第10圖所示，具有保持被處理晶圓W之白努利吸盤230。白努利吸盤230係由支持臂231所支持。支持臂231由第1驅動部232所支持。藉由該第1驅動部232，支持臂231可繞著水平軸轉動自如，且可在水平方向伸縮。第1驅動部232下方，設有第2驅動部233。藉由該第2驅動部233，第1驅動部232可繞著垂直軸轉動自如，且可在垂直方向昇降。

又，第3搬送裝置51與上述第2搬送裝置32具有相同結構，故省略說明。然而，第3搬送裝置51之第2驅動部232，係安裝於第1圖所示之搬送路50，而第3搬送裝置51可在搬送路50上移動。

接著，針對上述之反轉裝置42之結構加以說明。反轉裝置42，如第11圖所示，於其內部具有收納複數機器之處理容器240。處理容器240之側面，形成有搬入出口(未圖示)，用以藉由第3搬送裝置51進行被處理晶圓W之搬入搬出，該搬入出口(未圖示)上設有開閉閘門(未圖示)。

處理容器240之底面形成有排出該處理容器240內部之蒙氣的排氣口250。排氣口250連接有排氣管252，該排氣管252係與例如真空泵等排氣裝置251連通。

處理容器240之內部設有第1保持部260與第2保持部261，該第1保持部260以底面保持被處理晶圓W，該第2保持部261以頂面保持被處理晶圓W。第1保持部260設於第2保持部261上方，配置成與第2保持部261對向。第1保持部260及第2保持部261，具有例如與被處理晶圓W幾乎相同之直徑。又，第1保持部260及第2保持部261，採用白努利吸盤。藉此，第1保持部260及第2保持部261，可藉由不接觸的方式，各自保持被處理晶圓W之其中一面的整面。

在第1保持部260之頂面，設有支持第1保持部260之支持板262。又，亦可省略本實施形態之支持板262，而使第1保持部260抵接處理容器240之頂板面並受其支持。

於第2保持部261之下方，設有移動機構270，使該第2保持部261於垂直方向移動。移動機構270具有：支持板271，支持第2保持部261之底面；以及驅動部272，使支持板271昇降，而讓第1保持部260與第2保持部261在垂直方向接近或遠離。驅動部272係由設於處理容器240之底面的支持體273所支持。又，於支持體273的頂面，設有將支持板271加以支持之支持部材274。支持部材274，構成為於垂直方向伸縮自如，藉由驅動部272而使支持板271昇降時，可以自由地伸縮。

接著，說明上述之檢查裝置7的結構。如第12圖及第13圖所示，檢查裝置7具有處理容器280。於處理容器280之側面，形成有被處理晶圓W之搬入出口(未圖示)，於該搬入出口設有開閉閘門(未圖示)。

於處理容器280內，設有保持被處理晶圓W之多孔夾頭290。多孔夾頭290具有：平板狀之本體部291，以及係多孔質體之多孔部292，其設於本體部291之頂面側。多孔部292，具有例如與被處理晶圓W幾乎相同的直徑，並抵接該被處理晶圓W之非接合面W_N。又，多孔部292可採用例如碳化矽材質。多孔部292連接有抽吸管(未圖示)，藉由以該抽吸管隔著多孔部292抽吸被處理晶圓W之非接合面W_N，使該被處理晶圓W吸附保持於多孔夾頭290。

多孔夾頭290之下方，設有夾頭驅動部293。藉由此夾頭驅動部293，多孔夾頭290可旋轉自如。又，夾頭驅動部293設於處理容器280內之底面，安裝在沿著Y方向延伸的軌道294上。藉由此夾頭驅動部293，多孔夾頭290可沿著軌道294移動。亦即，多孔夾頭290，可在移交位置P1及對位位置P2之間移動；該移交位置P1，係用以在處理容器280及其外部之間搬入搬出被處理晶圓W；該對位位置P2，係調整被處理晶圓W之凹槽部的位置。

於對位位置P2，設有感測器295，以檢測多孔夾頭290所保持之被處理晶圓W之凹槽部的位置。可以一邊以感測器295檢測凹槽部之位置，一邊以夾頭驅動部293旋轉多孔夾頭290，而調節被處理晶圓W之凹槽部的位置。

處理容器280之對位位置P2側的側面，設有攝影裝置300。攝影裝置300，使用例如廣角型之CCD攝影機。於處理容器280之上部中央附近，設有半鏡(half mirror)301。半鏡301，設於與攝影裝置300相向之位置，設置成由垂直方向傾斜45度。半鏡301之上方，設有可變更照度之照明裝置302，而半鏡301與照明裝置302，係固定於處理容器280之頂面。又，攝影裝置300、半鏡301及照明裝置302，分別設於保持在多孔夾頭290上的被處理晶圓W之上方。然後，來自照明裝置302之照明，穿過半鏡301，而朝向下方照射。因此，位於此照射區域之物體的反射光，以半鏡301反射，而導入攝影裝置300。亦即，攝影裝置300可以拍射位於照射區域之物體。然後所拍射到之被處理晶圓W的照片，會輸出至後述之控制部350，於控制部350檢查被處理晶圓W上有無黏接劑G之殘渣。

於以上之剝離系統1，如第1圖所示，設有控制部350。控制部350，例如係電腦，具有程式儲存部(未圖示)。於程式儲存部，儲存有程式，以控制剝離系統1中的被處理晶圓W、支持晶圓S、重合晶圓T之處理。又，於程式儲存部，也儲存有如下功能之程式：控制上述之各種處理裝置及搬送裝置等之驅動系統的動作，以執行剝離系統1的後述剝離處理。又，前述之程式，係記錄於電腦可讀取之記憶媒體H，例如電腦可讀取之硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等；亦可為從該等記憶媒體H安裝至控制部350之程式。

接著，說明使用以上結構之剝離系統1而進行之被處理晶圓W與支持晶圓S的剝離處理方法。第14圖係顯示此種剝離處理之主要製程之一例的流程圖。

首先，將收納了複數片重合晶圓T的卡匣C_T、空的卡匣C_W、以及空的卡匣C_S，載置於搬入出站2之指定的卡匣載置板11上。藉由第1搬送裝置20取出卡匣C_T內之重合晶圓T，而搬送到位置調節裝置12。此時，重合晶圓T係以被處理晶圓W配置成上側，且支持晶圓S配置成下側之狀態來搬送。然後，於位置調節裝置12，一邊檢測重合晶圓T之凹槽部的位置，一邊調節該重合晶圓T的方向。之後，藉由第1搬送裝置20而將重合晶圓T搬送至處理站3的剝離裝置30。

搬入剝離裝置30之重合晶圓T，會由第1保持部110吸附保持。此時，剝離機構160配置成：剝離機構160的刀具161與氣體噴嘴163位於被處理晶圓W與支持晶圓S之接合面的高度，亦即黏接劑G的高度。

然後，如第15圖及第16圖所示，將支持構件168移動至重合晶圓T側，由重合晶圓T的側方對被處理晶圓W與支持晶圓S之接合面的黏接劑G，插入刀具161(第14圖之步驟A1)。如此一來，就會對黏接劑G割出切口C。

之後，如第17圖及第18圖所示，由氣體噴嘴163對黏接劑G的切口C供給氣體(第14圖之步驟A2)。由此氣體噴嘴163所供給之氣體，如第17圖所示，會在被處理晶圓W與支持晶圓S之間，於晶圓面內擴散。藉由此氣體，黏接劑G會分離成被處理晶圓W側與支持晶圓S側。然後經過指定時間後，就如第19圖及第20圖所示，氣體會在晶圓面內全面擴散。如此這般，從氣體噴嘴163對被處理晶圓W與支持晶圓S之接合面供給氣體的期間，藉由旋轉機構130而將保持在第1保持部110的被處理晶圓W旋轉。然後，藉由來自氣體噴嘴163的氣體與被處理晶圓W之旋轉，被處理晶圓W與支持晶圓S就會受到剝離(第14圖之步驟A3)。又，第17圖及第19圖中的網線部分，顯示黏接劑G中之氣體擴散。

如此所剝離之被處理晶圓W，就由第1保持部110移交至第2搬送裝置32。另一方面，剝離下來的支持晶圓S，會由導引構件150來調節水平方向的位置，而由第2保持部111所吸附保持。之後，支持晶圓會由第2保持部111而移交到第1搬送裝置20。

之後，於剝離裝置30所剝離之被處理晶圓W，會藉由第2搬送裝置32而被搬送到第1洗淨裝置31。在此，針對第2搬送裝置32搬送被處理晶圓W的方法，加以說明。

如第21圖所示，伸長第2搬送裝置32的支持臂231，將白努利吸盤230配置於第1保持部110所保持之被處理晶圓W的下方。之後，上昇白努利吸盤230，停止在第1保持部110由未圖示之抽吸管對被處理晶圓W所進行之抽吸。然後，從第1保持部110將被處理晶圓W移交至白努利吸盤230。之後，將白努利吸盤230下降至指定位置。又，白努利吸盤230以非接觸之狀態保持被處理晶圓W。因此，被處理晶圓W受到保持時，被處理晶圓W之接合面W_J上的元件不會蒙受損傷。

接著，如第22圖所示，轉動第2搬送裝置32的支持臂231，將白努利吸盤230移動至第1洗淨裝置31的多孔式吸盤190上方，同時，反轉白努利吸盤230，使被處理晶圓W朝向下方。此時，使多孔式吸盤190上昇至比杯體194更上方之處，在此待機。之後，被處理晶圓W從白努利吸盤230移交至多孔式吸盤190，並受到吸附保持。

如此這般，當多孔式吸盤190一吸附保持住被處理晶圓W，就將多孔式吸盤190下降至指定位置。接著，藉由第1臂201將待機部204之洗淨液噴嘴202移動至被處理晶圓W的中心部上方。之後，一邊藉由多孔式吸盤190旋轉被處理晶圓W，從洗淨液噴嘴202對被處理晶圓W的接合面W_J供給洗淨液。所供給之洗淨液會由於離心力而擴散至被處理晶圓W之接合面W_J全面，將該被處理晶圓W之接合面W_J加以洗淨(第14圖之步驟A4)。

在此，如上所述，會預先對搬進搬入出站2之複數重合晶圓T作檢查，以判別其乃包含正常之被處理晶圓W之重合晶圓T，或是包含具有缺陷之被處理晶圓W的重合晶圓T。

從正常的重合晶圓T剝離之正常的被處理晶圓W，於步驟A4洗淨過接合面W_J後，以非接合面W_N朝向下方的狀態，藉由第3搬送裝置51搬送到檢查裝置7。又，此第3搬送裝置51所進行之被處理晶圓W的搬送，與上述第2搬送裝置32之被處理晶圓W的搬送幾乎相同，故省略說明。

搬送至檢查裝置7的被處理晶圓W，在移交位置P1係保持在多孔夾頭290上。接著，藉由夾頭驅動部293將多孔夾頭290移動至對位位置P2。下一步，一邊藉由感測器295檢測被處理晶圓W的凹槽部位置，一邊藉由夾頭驅動部293使多孔夾頭290旋轉。然後，調整被處理晶圓W的凹槽部位置，將該被處理晶圓W朝指定方向配置。

之後，藉由夾頭驅動部293將多孔夾頭290從對位位置P2移動至移交位置P1。然後，被處理晶圓W在通過半鏡301下方時，由照明裝置302對被處理晶圓W施加照明。藉由此照明而在被處理晶圓W上得到的反射光，會導入攝影裝置300，在攝影裝置300拍攝被處理晶圓W之接合面W_J的照片。所拍攝到的被處理晶圓W之接合面W_J的照片，會輸出至控制部350，在控制部350，檢查於被處理晶圓W之接合面W_J有無黏接劑G的殘渣(第14圖之步驟A5)。

若是在檢查裝置7檢查到有黏接劑G的殘渣，則被處理晶圓W會由第3搬送裝置51搬送到檢查後洗淨站8的接合面洗淨裝置40，在接合面洗淨裝置40去除接合面W_J上的黏接劑G(第14圖之步驟A6)。再者，該步驟A6，與上述之步驟A4相同，因此省略說明。又，例如在檢查裝置7並無檢查到黏接劑G的殘渣時，亦可省略步驟A6。

洗淨過接合面W_J後，以第3搬送裝置51將被處理晶圓W搬送至反轉裝置42，由反轉裝置42將正反面加以反轉，亦即在上下方向上反轉(第14圖之步驟A7)。在此說明反轉裝置42反轉被處理晶圓W的方法。

在接合面洗淨裝置40洗淨過接合面W_J之被處理晶圓W，如第23圖所示，在其接合面W_J受到第3搬送裝置51的白努利吸盤230保持的狀態下，搬送至反轉裝置42。然後，被處理晶圓W在接合面W_J朝向上方的狀態下，移交到反轉裝置42的第2保持部261，藉由第2保持部261保持住被處理晶圓W之非接合面W_N的整面。

接著，使第3搬送裝置51的白努利吸盤230從第2保持部261之上方退避，之後，藉由驅動部272使第2保持部261上昇，換言之，如第24圖所示，使其接近第1保持部260。然後，藉由第1保持部260保持住被處理晶圓W之接合面W_J，同時，停止以第2保持部261保持被處理晶圓W，將被處理晶圓W移交至第1保持部260。藉此，如第25圖所示，被處理晶圓W以非接合面W_N朝向下方的狀態，由第1保持部260所保持。

之後，使第2保持部261下降，拉開第1保持部260與第2保持部261間的距離，接著使原本在退避的第3搬送裝置51的白努利吸盤230繞著水平軸轉動。然後，在白努利吸盤230朝向上方的狀態下，將該白努利吸盤230配置於第1保持部260之下方。接著，使白努利吸盤230上昇，同時停止以第1保持部260保持被處理晶圓W。藉此，原本在搬入接合面洗淨裝置40時以白努利吸盤230保持住接合面W_J之被處理晶圓W，會如第26圖所示，成為以白努利吸盤230保持住非接合面W_N的狀態。亦即，以白努利吸盤230所保持的被處理晶圓之面，會是正反顛倒的狀態。之後，在保持住被處理晶圓W的非接合面W_N的狀態下，使白努利吸盤230從反轉裝置42退避。

又，於檢查裝置7並未檢查到有黏接劑G之殘渣時，被處理晶圓W不會搬送到接合面洗淨裝置40，而逕由反轉裝置42進行被處理晶圓W之反轉，至於此反轉方法，係與上述方法相同。

之後，在保持住被處理晶圓W的狀態下，使第3搬送裝置51的白努利吸盤230繞著水平軸轉動，使被處理晶圓W在上下方向上反轉。然後，被處理晶圓W在非接合面W_N朝向上方的狀態下由白努利吸盤230再度搬送至檢查裝置7，進行非接合面W_N的檢查(第14圖之步驟A8)。然後，若確認到非接合面W_N有異物污垢，被處理晶圓W會以第3搬送裝置51搬送到非接合面洗淨裝置41，在非接合面洗淨裝置41洗淨非接合面W_N(第14圖之步驟A9)。又，此步驟A9，與上述之步驟A4相同，故省略說明。此外，例如經檢查裝置7確認並無黏接劑G的殘渣等時，亦可省略步驟A9。

接著，洗淨過之被處理晶圓W，藉由第3搬送裝置51而搬送至後處理站4。又，經檢查裝置7確認並無黏接劑G之殘渣時，不會將被處理晶圓W搬送至非接合面洗淨裝置41，而會直接搬送至後處理站4。

之後，於後處理站4對被處理晶圓W進行指定的後處理(第14圖之步驟A10)。如此一來，被處理晶圓W就成為成品。

另一方面，從有缺陷之重合晶圓T剝離之有缺陷的被處理晶圓W，在步驟A4洗淨過接合面W_J之後，藉由第1搬送裝置20搬送至搬入出站2。之後，有缺陷的被處理晶圓W，會從搬入出站2搬出至外部並回收(第14圖之步驟A11)。

在對被處理晶圓W進行上述之步驟A4~A11的期間，於剝離裝置30剝離之支持晶圓S，會藉由第1搬送裝置20而搬送至第2洗淨裝置33。然後，於第2洗淨裝置33，去除支持晶圓S之接合面S_J上的黏接劑，洗淨接合面S_J(第14圖之步驟A12)。又，步驟A12中的支持晶圓S之洗淨，係與上述步驟A4中之被處理晶圓W上的黏接劑G之去除相同，故省略說明。

之後，接合面S_J經洗淨之支持晶圓S，會藉由第1搬送裝置20而搬送至搬入出站2。之後，支持晶圓S會從搬入出站2搬出至外部並回收(第14圖之步驟A13)。如此一來，一連串之被處理晶圓W與支持晶圓S之剝離處理就在此結束。

若根據以上之實施形態，由重合晶圓T之側方對被處理晶圓W與支持晶圓S之接合面，亦即對黏接劑G插入刀具161，割出切口C，更進一步地，由氣體噴嘴163對黏接劑G之切口C供給氣體，而剝離被處理晶圓W與支持晶圓S。如此這般，對於以刀具161所形成之切口C，以氣體噴嘴163供給氣體，因此即使在例如氣體之供給壓力小的情況下，也能使氣體輕易地進入被處理晶圓W與支持晶圓S之接合面。所以，若依據本實施形態，可以妥善地剝離被處理晶圓W與支持晶圓S，而該被處理晶圓W與支持晶圓S並不會蒙受損傷。

又，由於在氣體噴嘴163供給氣體的期間，以旋轉機構130將保持在第1保持部110的被處理晶圓W加以旋轉，因此可以更輕易地進行被處理晶圓W與支持晶圓S之剝離。再者，於本實施形態係旋轉被處理晶圓W，但亦可係旋轉支持晶圓S。或者亦可旋轉被處理晶圓W與支持晶圓S雙方。另外，在僅藉由來自氣體噴嘴163之氣體供給，就能妥善剝離被處理晶圓W與支持晶圓S的情形，當然可以省略旋轉機構130。

又，由於割口機構161與流體供給機構162形成為一體，故刀具161所進行之切口C的形成，與之後來自氣體噴嘴163之氣體供給，可以連續而順暢地進行。因此，可以有效率地剝離被處理晶圓W與支持晶圓S。並且，由於用以移動刀具161與氣體噴嘴163的驅動部170可以共用，所以可以簡化剝離裝置30的結構，亦可降低該剝離裝置30的製造成本。

又，若依據上述實施形態之剝離系統1，在剝離裝置30將重合晶圓T剝離成被處理晶圓W與支持晶圓S之後，可以在第1洗淨裝置31洗淨剝離下來的被處理晶圓W之同時，在第2洗淨裝置33洗淨剝離下來的支持晶圓S。如此這般，若依據本實施形態，可以在一個剝離系統1內，使被處理晶圓W與支持晶圓S之剝離到被處理晶圓W之洗淨及支持晶圓S之洗淨的一連串剝離處理，有效率地同時進行。又，在第1洗淨裝置31與第2洗淨裝置33，可以分別並行進行被處理晶圓W之洗淨與支持晶圓S之洗淨。更進一步地，在剝離裝置30進行被處理晶圓W與支持晶圓S之剝離的期間，亦可以在第1洗淨裝置31與第2洗淨裝置33處理別的被處理晶圓W與支持晶圓S。因此，可以有效率地進行被處理晶圓W與支持晶圓S之剝離，提昇剝離處理的處理量(throughput)。

又，於如此這般的一連串製程，由於從被處理晶圓W與支持晶圓S之剝離、到被處理晶圓W的後處理，都可以進行，因此可以更進一步地提昇晶圓處理的處理量。

於以上實施形態的剝離裝置30，為了更有效率地剝離被處理晶圓W與支持晶圓S，亦可採用如下方法。

例如第27圖所示，亦可使氣體噴嘴163的供給口164沿著重合晶圓T的厚度方向移動。由於如此地移動供給口164，可以藉由例如作為移動機構的驅動部170來擺動氣體噴嘴163，亦可另行設置移動機構(未圖示)來擺動氣體噴嘴163。

在此情形，係藉由控制部350一邊使氣體噴嘴163的供給口164沿著重合晶圓T的厚度方向移動，一邊由該供給口164對重合晶圓T供給氣體。由於藉由此氣體而使重合晶圓T的外周部振盪，氣體就能易於進入被處理晶圓W與支持晶圓S之接合面。因此，可更有效率地剝離被處理晶圓W與支持晶圓S。

又，亦可藉由例如控制部350與供給機器群167，控制來自氣體噴嘴163之氣體供給量，而使氣體噴嘴163以相對較多的供給量與相對較少的供給量反複供給氣體。在此情形亦同，由於藉由此氣體而使重合晶圓T的外周部振盪，氣體就能易於進入被處理晶圓W與支持晶圓S之接合面。因此，可更有效率地剝離被處理晶圓W與支持晶圓S。

又，於剝離裝置30，亦可如第28圖所示，設置複數之剝離機構160。在此情形，由於可以從複數之氣體噴嘴163，對被處理晶圓W與支持晶圓S之接合面供給氣體，故可更有效率地剝離被處理晶圓W與支持晶圓S。此外，於本實施形態，亦可僅設置複數之流體供給機構162。

於上述實施形態之剝離裝置30，亦可如第29圖所示，使剝離機構160之刀具161的前端與氣體噴嘴163的前端於俯視觀察下，呈沿著重合晶圓T之外周部彎曲的形狀。在此情形，由於刀具161的前端與重合晶圓T間的距離變成一致，故可在被處理晶圓W與支持晶圓S之接合面割出平均的切口C。又，由於氣體噴嘴163之供給口164與重合晶圓T間的距離也變成一致，故可對被處理晶圓W與支持晶圓S之接合面以一致的壓力供給氣體。因此，可以更加妥善地剝離被處理晶圓W與支持晶圓S。再者，於本實施形態，亦可僅使氣體噴嘴163沿著重合晶圓T之外周部彎曲。

在上述實施形態，流體供給機構162具有氣體噴嘴163，而對重合晶圓T供給氣體，但流體供給機構162所供給的流體並不限於氣體。例如流體供給機構162亦可具有作為流體噴嘴的純水噴嘴(未圖示)，供給係液體之純水。然後，由純水噴嘴對被處理晶圓W與支持晶圓S之接合面供給純水，藉由該純水以剝離被處理晶圓W與支持晶圓S。在此情形，於剝離被處理晶圓W與支持晶圓S時，亦可洗淨該被處理晶圓W與支持晶圓S的表面。因此，可提昇被處理晶圓W與支持晶圓S之剝離處理的處理量。

又，例如流體供給機構162，亦可具有供給氣體與純水的二流體噴嘴(未圖示)。在此情形，可以藉由來自二流體噴嘴之氣體來剝離被處理晶圓W與支持晶圓S，同時藉由來自二流體噴嘴的純水來洗淨被處理晶圓W與支持晶圓S的表面。因此，可提昇被處理晶圓W與支持晶圓S之剝離處理的處理量。

於上述實施形態，係使割口機構161與流體供給機構162形成為一體，但亦可使該等割口機構161與流體供給機構162個別設置。

於上述實施形態之剝離裝置30，亦可於第1保持部110與第2保持部111設置加熱機構。如第30圖所示，於第1保持部110，在本體部120之內部、且係抽吸空間122之上方，設置有將被處理晶圓W加熱之加熱機構360。第2保持部111，具有平板狀之本體部361。於本體部361之內部，設有用以吸附保持支持晶圓S的抽吸管362。抽吸管362連接有例如真空泵等之負壓產生裝置(未圖示)。又，於本體部361之內部，設有將支持晶圓S加熱的加熱機構363。另外，加熱機構360、363，例如係採用加熱器。

再者，於第2保持部111之下方，設有用以從下方支持並昇降重合晶圓T或支持晶圓S的昇降銷(未圖示)。昇降銷插穿形成於第2保持部111之貫通孔(未圖示)，可由第2保持部111之頂面突出。又，於處理容器100之底面，形成有用以將該處理容器100之內部的蒙氣排出的排氣口(未圖示)。

在此情形，藉由加熱機構360、363，至少可以加熱被處理晶圓W或支持晶圓S。被處理晶圓W或支持晶圓S之加熱，可於搬入重合晶圓T時以加熱機構360、363進行，亦可於將剝離下來的被處理晶圓W或支持晶圓S搬出時，分別由加熱機構360、363進行。此外，藉由此加熱，可對該被處理晶圓W與支持晶圓S進行指定之處理。又，此加熱亦可在剝離被處理晶圓W與支持晶圓S時，用於軟化黏接劑G。

於上述實施形態之重合晶圓T，為了抑制該重合晶圓T之損傷，亦可如第31圖所示，設置切割框F與切割膠帶P。切割框F，於俯視觀察下係呈大致矩形且環狀之形狀，於內側沿著重合晶圓T之外周部形成有開口部。而重合晶圓T就配置於切割框F內側之開口部。又，切割膠帶P黏貼於切割框F之表面F_S與被處理晶圓W之非接合面W_N。如此這般，重合晶圓T就由切割框F與切割膠帶P所固持。

設有切割框F與切割膠帶P之重合晶圓T，由第1保持部110所固持。第1保持部110具有略呈平板狀的本體部120。於第1保持部110的內部，設有抽吸管370，其係用以隔著切割膠帶P而吸附保持被處理晶圓W之非接合面W_N。抽吸管370連接有例如真空泵等的負壓產生裝置(未圖示)。於本體部120之外周部、且係切割膠帶P之外側，設有複數之支持部371。支持部371連接有例如真空泵等負壓產生裝置(未圖示)，支持部371可以在切割膠帶P之外側吸附保持切割框F之表面F_S。

在此情形，於被處理晶圓W從支持晶圓S剝離下來後，薄型化了的被處理晶圓W就在受到切割框F所保護的狀態下，進行指定之處理及搬運。因此，可以抑制剝離後之被處理晶圓W的損傷。

再者，於上述實施形態之剝離裝置30，係以將被處理晶圓W配置於上側，且將支持晶圓S配置於下側的狀態，來剝離該等被處理晶圓W與支持晶圓S，然而亦可使被處理晶圓W與支持晶圓S的上下配置相反過來。

於上述實施形態，第1洗淨裝置31、第2洗淨裝置33、接合面洗淨裝置40、非接合面洗淨裝置41之洗淨液噴嘴202，係使用二流體噴嘴，但洗淨液噴嘴202之形態並不限定於本實施形態，可使用各種噴嘴。例如作為洗淨液噴嘴202，亦可使用將供給有機溶劑之噴嘴與供給惰性氣體之噴嘴一體化之噴嘴體，或是噴霧噴嘴(spray nozzle)、噴射噴嘴(jet nozzle)、超音波振盪噴嘴(megasonic nozzle)。又，為了提高洗淨處理之處理量，亦可供給例如加熱至80℃之洗淨液。

又，於第1洗淨裝置31、第2洗淨裝置33、接合面洗淨裝置40、非接合面洗淨裝置41，除了洗淨液噴嘴202以外，亦可設置供給IPA(異丙醇，Isopropyl alcohol)之噴嘴。在此情形，藉由來自洗淨液噴嘴202之洗淨液而洗淨被處理晶圓W或支持晶圓S後，將被處理晶圓W或支持晶圓S上的洗淨液置換成IPA。如此一來，可更加確實地洗淨被處理晶圓W或支持晶圓S之接合面W_J、S_J。

又，檢查裝置7的結構，並不限定於上述實施形態的結構。只要可以拍攝被處理晶圓W之照片，以檢查該被處理晶圓W上有無黏接劑G之殘渣、及有無氧化膜之殘渣，檢查裝置7可採各種結構。

於上述實施形態之剝離系統1，亦可設置溫度調節裝置(未圖示)，將剝離裝置30所加熱之被處理晶圓W，冷卻至指定溫度。在此情形，由於會將被處理晶圓W之溫度調節至適當的溫度，故可使後續之處理更加順暢地進行。

於上述實施形態，說明了在後處理站4對被處理晶圓W進行後處理而製成產品的情形，但本發明亦可適用於將例如用於3維積體技術之被處理晶圓從支持晶圓剝離的情形。又，所謂3維積體技術，係因應近年對半導體元件之高度積體化之需求的技術，其並非將高度積體化的複數之半導體元件配置於水平面內，而是將該複數之半導體元件堆疊成3維之技術。此3維積體技術，亦要求所堆疊之被處理晶圓之薄型化，而將該被處理晶圓接合於支持晶圓來進行指定之處理。

於上述實施形態之剝離裝置30，係針對將黏接劑G所接合之重合晶圓T剝離成被處理晶圓W與支持晶圓S之情形加以說明，但剝離裝置30亦可用於其他重合晶圓T之剝離。例如被處理晶圓W亦可為SOI(Silicon On Insulater；絕緣層覆矽)晶圓。於被處理晶圓W上，形成有例如SiO₂所構成之絶緣膜。在此情形，對於重合晶圓T之剝離，使用第32圖所示之剝離系統400。

剝離系統400，例如具備將搬入出站401、處理站402與晶圓搬送區域403連接成一體之結構；搬入出站401，將可分別收納複數被處理晶圓W之卡匣C_W、複數支持晶圓S之卡匣C_S、複數重合晶圓T之卡匣C_T，在例如與外部之間搬入或搬出；處理站402，具備各種處理裝置，以對被處理晶圓W、支持晶圓S、重合晶圓T施以既定之處理；晶圓搬送區域403，形成於搬入出站401與處理站402之間。搬入出站401、晶圓搬送區域403、處理站402依此順序而在X方向(第32圖中之上下方向)並排配置。

於搬入出站401設有卡匣載置台410。卡匣載置台410中設有例如3個之複數卡匣載置板411。卡匣載置板411係於Y方向(第32圖中之左右方向)並排成一列而配置。該等卡匣載置板411，於對剝離系統400之外部搬入或搬出卡匣C_W、C_S、C_T時，可載置卡匣C_W、C_S、C_T。如此這般，搬入出站401係構成為可保有複數被處理晶圓W、複數支持晶圓S、複數重合晶圓T。又，卡匣載置板411之個數，並不限定於本實施形態，可以任意決定。

又，於卡匣載置台410，設有位置調節裝置412，該位置調節裝置412調節重合晶圓T於水平方向之方向。再者，位置調節裝置412，亦發揮將複數重合晶圓T加以收納之緩衝器的功用。

於晶圓搬送區域403，配置有第1搬送裝置420。第1搬送裝置420具有可於例如垂直方向、水平方向(Y方向、X方向)及繞著垂直軸自由移動之搬送臂。第1搬送裝置420在晶圓搬送區域403內部移動，可於搬入出站401與處理站402之間搬送被處理晶圓W、支持晶圓S、重合晶圓T。

處理站402具備將重合晶圓T剝離成被處理晶圓W與支持晶圓S之剝離裝置430。剝離裝置430之Y方向負方向側(第32圖中之右方向側)，配置有對重合晶圓T進行熱處理之熱處理裝置431。又，於剝離裝置430之Y方向負方向側(第32圖中之左方向側)，配置有暫時載置被處理晶圓W之移轉裝置432。於剝離裝置430與移轉裝置432之間，設有第2搬送裝置433。如此，於處理站402，依序排列配置著：移轉裝置432、第2搬送裝置433、剝離裝置430、熱處理裝置431。再者，熱處理裝置431亦可疊層有複數層。

另外，剝離裝置430之結構，與上述剝離系統1中的剝離裝置30之結構相同，故省略說明。又，第2搬送裝置433之結構，亦與上述第2搬送裝置32之結構相同，故省略說明。

接著，針對上述熱處理裝置431之結構加以說明。熱處理裝置431，如第33圖所示，具有可密閉其內部之處理容器440。處理容器440之側面，形成有被處理晶圓W之搬入出口(未圖示)，該搬入出口上設有開閉閘門(未圖示)。

處理容器440之頂板面，形成有對該處理容器440內部供給例如氮氣等惰性氣體的氣體供給口441。氣體供給口441，連接有與氣體供給源442連通的氣體供給管443。於氣體供給管443，設有供給機器群444，其包含控制惰性氣體流動的閥或流量調節部等。而藉由從氣體供給口441對處理容器440內部供給惰性氣體，可以使處理容器440之內部成為低氧之蒙氣，而可以在此種低氧之蒙氣中對重合晶圓T進行熱處理。

處理容器440之底面，形成有吸氣口445，抽吸該處理容器440內部之蒙氣。於吸氣口445，連接有吸氣管447，吸氣管447與例如真空泵等之負壓產生裝置446連通。

於處理容器440內部，設有對重合晶圓T進行加熱處理之加熱部450、以及對重合晶圓T進行溫度調節之溫度調節部451。加熱部450與溫度調節部451在Y方向並排配置。

加熱部450具有環狀的保持構件461與大致筒狀的支撐環462，該保持構件461收納有熱板460且撐持熱板460之外周部，該支撐環462包圍該保持構件461之外周。熱板460為具有厚度的大致圓盤形狀，可以載置重合晶圓T並加熱。又，於熱板460內建有例如加熱器463。熱板460之加熱溫度受到例如控制部350之控制。又，熱板460之加熱處理，例如可以將重合晶圓T加熱至500℃。

於熱板460之下方，設有用以從下方撐持並使重合晶圓T昇降之昇降銷470，例如3根。昇降銷470可藉由昇降驅動部471而上下移動。於熱板460之中央部附近，形成有在該熱板460之厚度方向貫通之貫通孔472，例如3個。然後，昇降銷470於貫通孔472插通，可以從熱板460頂面突出。

溫度調節部451具有溫度調節板480。溫度調節板480如第34圖所示，為大致方形的平板形狀，其熱板460側之邊緣呈圓弧狀彎曲。再者，溫度調節板480亦可為大致圓形。於溫度調節板480，沿著Y方向形成有2條開縫481。開縫481係由溫度調節板480之熱板460側的邊緣，形成至溫度調節板480之中央部附近。藉由此開縫481，可防止溫度調節板480與加熱部450之昇降銷470碰撞。又，於溫度調節板480，內建有例如帕爾帖元件等之溫度調節構件(未圖示)。溫度調節板480之冷卻溫度係由例如控制部350所控制，使載置於溫度調節板480上的重合晶圓T冷卻至指定之溫度。再者，於溫度調節板480的外周部，形成有切口(未圖示)，以避免與第1搬送裝置420碰撞。

溫度調節板480如第33圖所示，由支持臂482所支持。於支持臂482，安裝有驅動部483。驅動部483，安裝在沿Y方向延伸之軌道484上。軌道 484由溫度調節部451延伸至加熱部450。藉由此驅動部483，溫度調節板480可以沿著軌道484，而在加熱部450與溫度調節部451之間移動。

接著，針對使用上述結構之剝離系統400所進行之被處理晶圓W與支持晶圓S的剝離處理方法，加以說明。

首先，將收納了複數片重合晶圓T的卡匣C_T、空的卡匣C_W、以及空的卡匣C_S，載置於搬入出站2之指定的卡匣載置板411上。藉由第1搬送裝置420取出卡匣C_T內之重合晶圓T，而搬送到位置調節裝置412。此時，重合晶圓T係以被處理晶圓W配置成上側，且支持晶圓S配置成下側之狀態來搬送。然後，於位置調節裝置412，一邊偵測重合晶圓T之凹槽部的位置，一邊調節該重合晶圓T之方向。之後，藉由第1搬送裝置420，將重合晶圓T搬送至處理站402的熱處理裝置431。

搬入至熱處理裝置431的重合晶圓T，會由第1搬送裝置420移交至溫度調節板480。之後，藉由驅動部483，使溫度調節板480沿著軌道484而移動至熱板460之上方，將重合晶圓T移動至預先上昇待機中的昇降銷470。之後，昇降銷470就下降，將重合晶圓T載置於熱板460上。然後，就將熱板460上的重合晶圓T加熱至指定溫度，例如450℃。

之後，於昇降銷470上昇之同時，溫度調節板480移動至熱板460上方。接下來，將重合晶圓T從昇降銷470移交至溫度調節板480，溫度調節板480移動至晶圓搬送區域403側。於此溫度調節板480之移動當中，就將重合晶圓T的溫度調節至指定溫度。

以第1搬送裝置420將熱處理過後的重合晶圓T，搬送至剝離裝置430。然後在剝離裝置430將重合晶圓T剝離成被處理晶圓W與支持晶圓S。再者，於此剝離裝置430之重合晶圓T的剝離，與上述實施形態之剝離裝置30的步驟A1~A3相同，故省略說明。

之後，在剝離裝置430剝離下來的被處理晶圓W，藉由第2搬送裝置433搬送至移轉裝置432。此時，藉由第2搬送裝置433，將被處理晶圓W的正反面反轉。亦即，在移轉裝置432，被處理晶圓W係載置成接合面W_J朝向上方。再者，此第2搬送裝置433搬送被處理晶圓W的方法，與上述實施形態之第2搬送裝置32搬送被處理晶圓W的方法相同，故省略說明。

之後，被處理晶圓W藉由第1搬送裝置420而搬送至搬入出站401。然後，被處理晶圓W會從搬入出站401搬出至外部並回收。

另一方面，在剝離裝置430剝離下來的支持晶圓S，會以第1搬送裝置420而搬送至搬入出站401。然後，支持晶圓S會從搬入出站401搬出至外部並回收。

於本實施形態，和上述實施形態之剝離裝置30相同，在剝離裝置430也可以妥善地剝離被處理晶圓W與支持晶圓S，而該被處理晶圓W與支持晶圓S並不會蒙受損傷。

又，在剝離系統400的一連串製程，由於從重合晶圓T之熱處理、到被處理晶圓W與支持晶圓S之剝離，都可以進行，因此可以更進一步地提昇晶圓處理的處理量。

再者，於上述之剝離系統400，亦可以連接後處理系統(未圖示)。後處理系統之配置，係連接於移轉裝置432。又，於後處理系統，配置有對被處理晶圓W進行各種處理之裝置，例如被處理晶圓W之洗淨裝置等。在此情形，於一連串製程，由於在被處理晶圓W與支持晶圓S之剝離後，可以進行被處理晶圓W的後處理，因此可以更進一步地提昇晶圓處理的處理量。

接著，針對剝離機構160之第2實施形態加以說明。再者，與前述實施形態相同之部份，將省略說明。

在此，以使用SOI(Silicon On Insulater；絕緣層覆矽)晶圓作為支持晶圓S的例子，加以說明。係SOI晶圓之支持晶圓S的接合面S_J，形成有絶緣膜；已先化學性接合著支持晶圓S與被處理晶圓W的重合晶圓T，在本實施形態的剝離系統1受到處理。在此實施形態之剝離處理的目的，係於將重合晶圓T分離成被處理晶圓W與支持晶圓S時，使形成在接合面S_J上的絶緣膜轉印至被處理晶圓W之接合面W_J，而在接合面W_J上形成絶緣膜。

第35圖係第2實施形態之剝離機構160的俯視圖，第36圖係第2實施形態之剝離機構160的側視圖。如第35圖及第36圖所示，第2驅動部500安裝於軌道171。於第2驅動部500上，設有在水平方向(第35圖中之X方向)延伸的軌道501。而支持構件168安裝在軌道501上。第2驅動部500具有作為驅動源之空壓機器，例如氣缸。第2驅動部500可以用比驅動部170更快的速度，使支持構件168從停止狀態轉而為沿著軌道501移動。又，剝離機構160具有用以量測對刀具161之前端部161a所作用之力量的量測部，例如測力器(load cell)502。藉由測力器502而可以量測：當刀具161之前端部161a壓抵在重合晶圓T之被處理晶圓W與支持晶圓S之接合面(以下，有時稱為「接合部」。)時，作用於前端部161a的力量。

接著，針對第2實施形態之剝離機構160的動作，加以說明。首先，在使第2驅動部500停止之狀態下，使驅動部170動作，以第1速度移動刀具161(第37圖之步驟A11)。

以測力器502量測作用於刀具161之前端部161a的力量，判定此測定值是否達到指定值(第37圖之步驟A12)。若此測定值有達到指定值，就判斷已成為刀具161之前端部161a以指定之力量推抵著重合晶圓T之接合部的狀態，並停止驅動部170(第37圖之步驟A13)。此時，刀具161之前端部161a，係稍微插入重合晶圓T之接合部之狀態、或推抵的狀態。

接著，在驅動部170維持停止的狀態下使第2驅動部500動作，使刀具161從停止狀態，轉而以比第1速度還要快的第2速度移動(第37圖之步驟A14)。藉由以第2速度使其移動，對重合晶圓T之接合部追加衝撃力，而使重合晶圓T分離成被處理晶圓W與支持晶圓S。此時，接合面S_J上之絶緣膜由接合面S_J剝離，而轉印(移動)至接合面W_J。如此這般，藉由使前端部161a推抵至重合晶圓T之接合部後，從停止狀態轉而以第2速度移動刀具161，來對重合晶圓T之接合部施加衝撃，藉由此衝撃，而得以在接合面S_J上的絶緣膜整面都妥善地轉印至接合面W_J之狀態下剝離。又，由於在刀具161之前端部161a推抵至重合晶圓T之接合部為止，都以低速之第1速度移動刀具161，因此能以良好之精度使刀具161推抵至重合晶圓T的接合部。此外，藉由採用氣缸等空壓機器來作為第2驅動部500之驅動源，刀具161可以從停止狀態瞬間達到第2速度，而得以對重合晶圓T之接合部施加充份的衝撃。

再者，第2驅動部500之驅動源，並不限於例如氣缸等空壓機器。只要能從停止狀態瞬間達到第2速度，亦可採用電動機器，例如馬達等。

就第2實施形態之變形例而言，亦可採用能對刀具161之前端部161a施加衝撃的裝置之結構或動作，來取代步驟A14。例如，第2驅動部500亦可具備用以對刀具161施加衝撃的衝撃施加部，例如未圖示之擊錘(hammer)。擊錘(未圖示)設置成可對刀具161施加水平方向(X方向正方向)之衝撃。而在使刀具161之前端部161a推抵至重合晶圓T之接合部後，以使擊錘作動來取代步驟A14，而對刀具161之前端部161a施加衝撃。藉由施加衝撃，而在接合面S_J上之絶緣膜整面都妥善地轉印至接合面W_J之狀態下剝離。再者，於施加衝撃之後，刀具161之移動速度並無特別限定，只要使其以指定速度移動即可。

接著，針對刀具161之另一形狀加以說明。第5圖所示之刀具161，係前端部161a成線對稱之形狀。第38圖係另一實施形態之刀具503之側視圖。刀具503之前端部503a，並不像刀具161般成線對稱，而係以水平面 504及傾斜面505所構成。亦即，在側視觀察下，前端部503a之頂面係沿著重合晶圓T之接合面的面方向(水平方向)延伸而構成水平面504；在側視觀察下，前端部503a之底面係由重合晶圓T之接合面的面方向(水平方向)傾斜延伸而構成傾斜面505。剝離裝置30，係支撐重合晶圓T之頂面以進行剝離處理。於此，若使用刀具161，在將前端部161a插入重合晶圓T時，被處理晶圓W不會往上跑，而前端部161a會對被處理晶圓W之接合面W_J施加朝上之力量。由於此力量，會導致形成於接合面W_J上的電路(製品)有破損之虞。

因此，採用刀具503，以水平面504成為頂面的形態，將刀具503安裝於剝離裝置30，來進行剝離處理。當刀具503插入重合晶圓T時，刀具503對被處理晶圓W之接合面W_J所造成之朝上的力量較刀具161來得減輕，使形成於接合面W_J之電路破損的風險可以降低。

以上，一邊參照附加圖式，一邊說明本發明之最佳實施形態；但本發明並不限定於所提示之例。很明顯地，只要是熟悉本技藝者，在記載於申請專利範圍的思想範圍內可思及各種之變形例或修正例，該等變形例或修正例，當然也屬於本發明之技術性範圍。本發明並不限於此例，亦可採取各種樣態。本發明亦可適用於基板為晶圓以外之平板顯示器(FPD；Flat Panel Display)、光罩用的倍縮光罩等等其他基板之情形。