[go: up one dir, main page]

TW201403000A - 具有高現色性指數之高效率以發光二極體爲基的照明模組 - Google Patents

具有高現色性指數之高效率以發光二極體爲基的照明模組 Download PDF

Info

Publication number
TW201403000A
TW201403000A TW102136391A TW102136391A TW201403000A TW 201403000 A TW201403000 A TW 201403000A TW 102136391 A TW102136391 A TW 102136391A TW 102136391 A TW102136391 A TW 102136391A TW 201403000 A TW201403000 A TW 201403000A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
parts
colored light
photoluminescent material
wavelength
led
Prior art date
Application number
TW102136391A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI565913B (zh
Inventor
傑拉德 哈伯斯
拉古拉姆Ｌ Ｖ 佩羅力
Original Assignee
吉可多公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 吉可多公司 filed Critical 吉可多公司
Publication of TW201403000A publication Critical patent/TW201403000A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI565913B publication Critical patent/TWI565913B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512—Wavelength conversion materials
    • H10H20/8513—Wavelength conversion materials having two or more wavelength conversion materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77348—Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774—Aluminates
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/62—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using mixing chambers, e.g. housings with reflective walls
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/64—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00—Reflectors for light sources
    • F21V7/22—Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00—Reflectors for light sources
    • F21V7/22—Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors
    • F21V7/28—Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors characterised by coatings
    • F21V7/30—Reflectors for light sources characterised by materials, surface treatments or coatings, e.g. dichroic reflectors characterised by coatings the coatings comprising photoluminescent substances
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V9/00—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
    • F21V9/40—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters with provision for controlling spectral properties, e.g. colour, or intensity
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0361—Manufacture or treatment of packages of wavelength conversion means
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2103/00—Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes
    • F21Y2103/30—Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes curved
    • F21Y2103/33—Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes curved annular
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S362/00—Illumination
    • Y10S362/80—Light emitting diode

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Abstract

本發明揭示一種照明模組，其包含皆與一LED實體分離之具有一內部表面區域之一光混合腔及窗。該窗之一部分塗佈有一第一波長轉換材料，且該內部表面區域之一部分塗佈有一第二波長轉換材料。該窗可塗佈有LuAG：Ce。該窗亦可塗佈有在615 nm至655 nm之間具有一峰值發射波長之一第三波長轉換材料，其中自該窗發射之光之光譜回應係在相同CCT下之一黑體輻射物之20%內。該LED可發射由該光混合腔以大於130 lm/W之一色彩轉換效率比轉換之一光，其中該光混合腔包含在508 nm至528 nm之間及615 nm至655 nm之間具有一峰值發射波長之兩種光致發光材料。

Description

具有高現色性指數之高效率以發光二極體為基的照明模組
所闡述之實施例係關於包含發光二極體(LED)之照明模組。
現色性指數(CRI)係與一理想或自然光源相比較對一光源忠實地複製各種物件之色彩之能力之一量性量測。該CRI系統係由國際照明委員會(CIE)管理。CIE選擇十五種測試色彩樣本來將一白色光源之色彩性質分級。前八種測試色彩樣本係相對低飽和色彩且均勻地分佈於整個色調範圍內。採用此等八種樣本來計算一般現色性指數Ra。一般現色性指數Ra係簡單地按照前八個現色性指數值(R1至R8)之平均值來進行計算。額外七種樣本提供關於該光源之現色性性質之補充資訊；前四種著重於高飽和度，且後三種代表眾所周知之物件。
對於一特定相關色溫(CCT)，可藉由將一光源之光譜回應分別與每一測試色彩樣本之光譜回應進行比較來計算一組現色性指數值(R1至R15)。該計算由如下來組成：獲得接受測試之波長範圍上之任意數目個等間隔之波長下之一測試色彩樣本之光譜功率分佈與該接受測試之光源之光譜功率分佈之間的差△Ej。基於此等差，如下計算每一具體現色性指數值：
與各CRI指數相關聯之測試色彩樣本經設計以使得某些理想或自然光源應針對每一指數達成100之一CRI值。舉例而言，低於5,000凱氏溫度，黑體輻射物被視為理想光源。因此，低於5,000凱氏溫度之一黑體輻射物針對每一具體CRI值具有100之一CRI。白熾燈具有接近100之一CRI級別，此乃因其等可建構為非常接近地近似一黑體輻射物。有限光譜功率分佈之光源(諸如，弧光燈或發光二極體(LED))通常展現非常低之CRI值。一般而言，期望達成高CRI值之照明源，此乃因該等照明源提供跨越可見光譜有色之物件之鮮明的現色性。期望併入有LED且具有高CRI值之一光源。
一照明模組包含一光混合腔，該光混合腔具有與至少一個發光二極體(LED)實體分離且經組態以將自該LED發射之光引導至一輸出窗之一內部表面區域，該輸出窗亦與該LED實體分離且安置於該LED上方。該窗之一部分塗佈有一第一波長轉換材料，且該內部表面區域之一部分塗佈有一第二波長轉換材料。該輸出窗上之該波長轉換材料可包含摻雜有鈰之鎦鋁石榴石(LuAG：Ce)。該輸出窗上之該波長轉換材料亦可包含在615奈米與655奈米之間具有一峰值發射波長之一波長轉換材料，其中針對λ=500nm至λ=650nm根據max((測試(λ)-黑體(λ))/黑體(λ))所量測，自該輸出窗發射之光之光譜回應係在相同CCT下之一黑體輻射物之20%，且更具體而言，15%之內。該LED可發射由該光混合腔以大於130lm/W之一色彩轉換效率比轉換成一第二色彩光之一第一有色光，該色彩轉換效率比係根據該模組之輸出光通量除以該等LED之輻射量測輸出功率來量測，其中該光混合腔包含在508奈米與528奈米之間具有一峰值發射波長之一第一光致發光材料及在615奈米與655奈米之間具有一峰值發射波長之一第二光致發光材料。
在下文之具體實施方式中闡述進一步之細節及實施例及技術。 本發明內容不試圖界定本發明。本發明係由申請專利範圍界定。
100‧‧‧發光二極體(LED)照明裝置
101‧‧‧安裝基座
102‧‧‧發光二極體(LED)
103‧‧‧安裝板定位環
104‧‧‧安裝板
105‧‧‧腔體
106‧‧‧底部反射器嵌件
107‧‧‧側壁嵌件
108‧‧‧輸出窗
108B‧‧‧波長轉換材料
109‧‧‧光混合腔
110‧‧‧內部側壁
110A‧‧‧波長轉換材料
115‧‧‧光源子總成
116‧‧‧光轉換子總成
隨附圖式圖解說明本發明之實施例，其中相同編號指示相同組件。
圖1圖解說明在3,000凱氏溫度之一相關色溫(CCT)下之一黑體輻射物之光譜回應及在450奈米附近具有一峰值發射之一實例性LED之光譜回應。
圖2圖解說明一LED及數個光致發光材料之發射光譜。
圖3圖解說明一LED之發射光譜及關於圖2所論述之三種磷光體之激發光譜。
圖4圖解說明一發光二極體(LED)照明裝置之一實施例之一透視圖。
圖5展示圖解說明LED照明裝置之組件之一分解圖。
圖6圖解說明該LED照明裝置之一實施例之一透視剖視圖。
圖7A圖解說明在2,700凱氏溫度下之一黑體輻射物之模擬發射光譜以及一參考照明模組及一高CRI照明模組之所量測之發射光譜。
圖7B比較圖7A之該參考照明模組及該高CRI照明模組之每一具體CRI值。
圖8A圖解說明在3,000凱氏溫度下之一黑體輻射物之模擬發射光譜以及一參考照明模組及一高CRI照明模組之所量測之發射光譜。
圖8B比較圖8A之該參考照明模組及該高CRI照明模組之每一具體CRI值。
圖9A圖解說明在4,000凱氏溫度下之一黑體輻射物之模擬發射光譜以及一參考照明模組及一高CRI照明模組之所量測之發射光譜。
圖9B比較圖9A之該參考照明模組及該高CRI照明模組之每一具體CRI值。
圖10圖解說明在一組波長範圍上數個照明模組之所量測之光譜偏離於黑體曲線之最大百分標準偏差。
圖11圖解說明使用三種磷光體之一高效率、高CRI照明模組及使用兩種磷光體之一參考照明模組在色彩轉換效率及CRI方面之改良。
圖12A圖解說明在兩種不同目標CCT下三個群組之高效率、高CRI模組之色彩轉換效率。
圖12B圖解說明在兩種不同目標CCT下另外三個群組之高效率、高CRI模組之色彩轉換效率。
現將詳細參考先前技術實例及本發明之某些實施例，本發明之實例圖解說明於隨附圖式中。
圖1圖解說明在3,000凱氏溫度之一相關色溫(CCT)下之一黑體輻射物之光譜回應。如上文所論述，低於5,000凱氏溫度，將一黑體輻射物之各CRI指數值設計為100。因此，設計在低於5,000凱氏溫度之一CCT下展現高CRI值之一照明模組之一種方法係設計用以發射具有緊密匹配所關注波長範圍內之一黑體輻射物之一光譜功率分佈之光之模組。圖1亦圖解說明在450奈米附近具有一峰值發射之一實例性LED之光譜回應。在380奈米與490奈米之間具有一峰值發射之LED因此峰值波長狀態中之LED之輻射量測效率而可被選擇作為一以LED為基之照明模組中之光源。然而，如圖1中所圖解說明，該LED之光譜回應係非常窄，極其不同於一黑體輻射物之光譜回應，且遭受一非常低之CRI。
為達成來自一以LED為基之照明模組之具有高CRI值之光輸出，將該LED之窄帶發射之一部分轉換成各種更高波長以更接近地仿真一黑體輻射物之光譜回應。圖2圖解說明一LED及數個光致發光材料之發射光譜，當其等如本專利文件中所述進行組合時緊密地匹配在 3,000凱氏溫度下之一黑體輻射物之光譜回應。實例性光致發光材料中之每一者具有一唯一化學組合物，諸如一特定磷光體。雖然可對不同磷光體進行摻合，但出於本專利文件之目的，一光致發光材料僅係一種確切之化學組合物，而非一摻合物。可用於針對CRI指數(R1至R15)中之每一者獲得具有高CRI值之高效率照明模組之實例性磷光體包含諸如以下磷光體：CaAlSiN3：Eu、SrAlSiN3：Eu、CaAlSiN3：Eu、Ba3Si6O12N2：Eu、Ba2SiO4：Eu、Sr2SiO4：Eu、Ca2SiO4：Eu、Ca3Sc2Si3O12：Ce、Ca3Mg2Si3O12：Ce、CaSc2O4：Ce、CaSi2O2N2：Eu、SrSi2O2N2：Eu、BaSi2O2N2：Eu、Ca5(PO4)3Cl：Eu、Ba5(PO4)3Cl：Eu、Cs2CaP2O7、Cs2SrP2O7、SrGa2S4：Eu、Lu3Al5O12：Ce、Ca8Mg(SiO4)4Cl2：Eu、Sr8Mg(SiO4)4Cl2：Eu、La3Si6N11：Ce、Y3Al5O12：Ce、Y3Ga5O12：Ce、Gd3Al5O12：Ce、Gd3Ga5O12：Ce、Tb3Al5O12：Ce、Tb3Ga5O12：Ce及Lu3Ga5O12：Ce。
圖2圖解說明由Mitsubishi Chemical Corporation(日本)製造之一發射紅色之CaAlSiN3：Eu磷光體之光譜回應，該發射紅色之CaAlSiN3：Eu磷光體經設計在大約650奈米處展現一峰值發射。圖2亦圖解說明由Merck(德國)製造之一LuAG：Ce磷光體之發射光譜，該LuAG：Ce磷光體經設計在大約518奈米處展現一峰值發射。圖2亦圖解說明由Phosphor Technology Ltd.(英國)製造之Y3Al5O12：Ce(YAG)磷光體之發射光譜，該Y3Al5O12：Ce(YAG)磷光體經設計在大約555奈米處展現一峰值發射。此等具體磷光體係實例性且亦可或替代性採用諸多其他磷光體組合物。在本實例中，針對面臨存在於各種照明環境中之環境條件之溫度穩定性、長期可靠性及耐用性來選擇此等磷光體。為獲得針對CRI指數(R1至R15)中之每一者具有高CRI值之高效率照明模組，可採用在618奈米與655奈米之間具有一峰值發射波長之一發射紅色之磷光體。為補償因使用該發射紅色之磷光體所形成之在介於460奈米與525 奈米之間的波長範圍內之光譜回應之一不足，可採用在508奈米與528奈米之間具有一峰值發射波長之一發射綠色之磷光體。以此方式，可獲得在介於500奈米與650奈米之間的波長範圍內具有在一黑體輻射物之一發射光譜之20%內之一光譜回應之一照明模組。在其他實例中，可獲得在介於500奈米與650奈米之間的波長範圍內具有在一黑體輻射物之一發射光譜之15%內之一光譜回應之一照明模組。在其他實例中，可獲得在介於500奈米與650奈米之間的波長範圍內具有在一黑體輻射物之一發射光譜之10%內之一光譜回應之一照明模組。此外，以此方式建構之照明模組可展現大於130lm/W之色彩轉換效率比，如下文所論述。另外，可採用在介於545奈米與565奈米之間的波長範圍內具有一峰值發射之一發射黃色之磷光體。在某些實例中，將發射綠色之磷光體、發射紅色之磷光體與發射黃色之磷光體以如下重量比例混合以獲得高效率、高CRI之照明模組：介於55份與90份之間的綠色磷光體、介於5份與25份之間的紅色磷光體及介於5份與35份之間的黃色磷光體。一般而言，選擇至少三種光致發光材料以使得其等峰值發射波長之每一者彼此相隔至少三十五奈米且彼此不超過一百五十奈米。舉例而言，採用具有在505奈米與655奈米之間相隔之峰值發射波長之至少三種磷光體來轉換自一LED所發射之光之部分以產生具有高CRI值之經色彩轉換之光。藉由選擇具有以此方式相隔之峰值發射波長之三種磷光體，該經色彩轉換之光更接近地近似一黑體輻射物之光譜回應。
除達成具有高CRI值之色彩轉換以外，亦期望如此做具有高效率。選擇具有緊密地匹配該LED之發射光譜之激發光譜之磷光體來改良色彩轉換效率。圖3圖解說明關於圖2所論述之三種磷光體之激發光譜。實例性寶藍色LED之發射光譜歸屬於LuAG磷光體與YAG磷光體之激發光譜內。換言之，此等磷光體高效率地轉換寶藍色光。若激發 源係一紅色光，則此等磷光體中之每一者將展現非常少之回應，因此色彩轉換效率將非常低。在一項實例中，選擇至少兩個磷光體，其中其等激發光譜之峰值在自該以LED為基之照明模組之該等LED所發射之光之發射光譜之峰值之一百奈米內。在另一實例中，選擇至少兩個磷光體，其中其等激發光譜之峰值在自該以LED為基之照明模組之該等LED所發射之光之發射光譜之峰值之五十奈米內。
圖4圖解說明一發光二極體(LED)照明裝置100之一實施例之一透視圖。照明模組100可(例如)用作一貨架照明模組、一街道照明模組、一洗牆照明模組、一重點照明模組、一定向照明模組或任一其他所期望之照明模組。圖5展示圖解說明LED照明裝置100之組件之一分解圖。應理解，如本文中所界定，一LED照明裝置並非係一LED，而係一LED光源或燈具或一LED光源或燈具之組件部件。LED照明裝置100包含一個或多個LED晶粒或經封裝LED及LED晶粒或經封裝LED附接至其之一安裝板。圖6圖解說明LED照明裝置100之一實施例之一透視剖視圖。
參考圖5，LED照明裝置100包含一個或多個固態發光元件，諸如安裝於安裝板104上之發光二極體(LED)102。將安裝板104附接至安裝基座101且藉由安裝板定位環103(例如，使用適當緊固件、緊固特徵或緊固黏著劑)固定於適當位置。同時，填充有LED 102之安裝板104及安裝板扣環103構成光源子總成115。光源子總成115係可操作以使用LED 102將電能轉換成光。
LED照明裝置100亦可包含一光轉換子總成116，其可包含一腔體105及輸出窗108，且視情況包含可放置於安裝板104上方之底部反射器嵌件106及可放置於腔體105內部之側壁嵌件107。輸出窗108可係由丙烯酸材料(其包含(例如)由TiO2、ZnO、或BaSO4製成或由以結晶形式(藍寶石)或以陶瓷形式(氧化鋁)之AlO2製成之散射粒子)，或在整個 可見光譜上具有低吸收之其他材料製造。輸出窗108固定至腔體105之頂部。腔體105或側壁嵌件107(若使用)包含內部側壁110(在圖6中圖解說明)。內部側壁110應係高度反射，其可(例如)藉由拋光腔體105之內部(其可能係鋁)，或使用含有二氧化鈦(TiO2)、氧化鋅(ZnO)及硫酸鋇(BaSO4)粒子或此等材料之一組合之一反射塗層來達成。在使用側壁嵌件107之情況下，可藉助由一反射材料(諸如由德國公司Alanod所生產之Miro®)製造該側壁嵌件來達成內部側壁110之高反射性。底部反射器嵌件106(若使用)可類似地由Alanod所生產之Miro®製造。
當將腔體105安裝於光源子總成115上方時，腔體105(或側壁嵌件107(若使用))之內部側壁110、安裝板104(或底部反射器嵌件106(若使用))之頂部與輸出窗108圍起一體積，該體積界定了LED照明裝置100中之一主要光混合腔109，在圖6中圖解說明。在光混合腔109內，來自LED 102之光之一部分受到反射直至其透過輸出窗108離開。可視情況安置於安裝板104上方之底部反射器嵌件106包含孔以使得每一LED 102之發光部分不被底部反射器嵌件106遮擋。
出於執行色彩轉換之目的，將自光源子總成115所發射之光引導至光混合腔109以進行色彩轉換及色彩混合。在一項實施例中，光轉換子總成116包含塗佈內部側壁110、輸出窗108及安裝板104之頂部(或底部反射器嵌件106(若使用))中之一者或多者之至少一部分之多種波長轉換材料。出於本專利文件之目的，一波長轉換材料係執行一色彩轉換功能(例如，吸收一個峰值波長之光且發射達另一峰值波長之光)之任一單個化學化合物或不同化學化合物之混合物。舉例而言，側壁嵌件107之內部側壁110之若干部分可塗佈有一種或多種波長轉換材料110A，而輸出窗108之若干部分可塗佈有一種或多種不同波長轉換材料108B，如圖6中所圖解說明。若期望，波長轉換材料110A及108B可包含多於一種類型之波長轉換材料，其等可摻合在一起、在 彼此上方鋪設或施加於不同區域中，或前述之任一組合。若期望，可將散射粒子(諸如TiO2、ZnO及/或BaSO4粒子)混合至波長轉換材料層中。
在離開輸出窗108之前在腔109內反射該光具有混合該光且提供自LED照明裝置100所發射之該光之一更均勻分佈之效應。因此，該等波長轉換材料之光致轉換性質與在腔109內之光之混合組合而生成藉由輸出窗108輸出之一均勻分佈之經色彩轉換之光。藉由調整該等波長轉換材料之化學性質及腔109之內部表面上塗層之幾何性質，可指定藉由輸出窗108輸出之光之具體色彩性質，例如，色點、色溫及現色性指數(CRI)。
在此實施例中，LED 102皆可發射在UV至藍色範圍內之不同峰值發射波長之光。當與可(例如)位於輸出窗108中或上、經施加至腔109之側壁、經施加至安裝板104之頂部(或底部反射器嵌件106(若使用))或經施加至放置於該腔內部之其他組件(未展示)之磷光體(或其他波長轉換構件)組合使用時，照明裝置100之輸出光具有所期望之具有高CRI值之色彩。該照明裝置之色點之調節可藉由替換可類似地塗佈或浸漬有一種或多種波長轉換材料之側壁嵌件107及/或輸出窗108來實現。色點之調節可藉由如下來達成：選擇界定該腔之該等側壁之形狀及高度，選擇該腔之該等部分中之哪一者將覆蓋有磷光體或者不覆蓋磷光體，及優化該等磷光體之厚度或密度。
在一第一實例中，在2700凱氏溫度之一目標CCT下比較兩個照明模組100之效能。一參考照明模組包含9個經選擇以在介於440奈米與460奈米之間的寶藍色範圍內發射之LED及一個經選擇以在介於460奈米與490奈米之間的藍色範圍內發射之LED。在大約630奈米處具有一峰值發射之一發射紅色之(SrCa)AlSiN3：Eu磷光體覆蓋側壁嵌件107之一部分。將該磷光體以按體積計在2%至6%範圍內之一比例混合入一 聚矽氧黏結劑中，以在60微米至120微米範圍內之一厚度均勻地施加至側壁嵌件107，且加以固化。在一項實例中，將該磷光體以按體積計大約4%之一比例混合入一聚矽氧黏結劑中，以大約90微米之一厚度均勻地施加至側壁嵌件107，且加以固化。另外，然後將一發射黃色之Y3Al5O12：Ce磷光體以按體積計在50%至80%範圍內之一比例混合入一聚矽氧黏結劑中，以在90微米至130微米範圍內之一厚度均勻地施加至輸出窗108，且加以固化。在一項實例中，將該磷光體以按體積計大約70%之一比例混合入一聚矽氧黏結劑中，以大約110微米之一厚度均勻地施加至側壁嵌件107，且加以固化。視情況，亦可將一定量之發射紅色之(SrCa)AlSiN3：Eu磷光體與該發射黃色之Y3Al5O12：Ce磷光體混合。
一高CRI照明模組包含7個經選擇以在介於440奈米與460奈米之間的寶藍色範圍內發射之LED及三個經選擇以在介於460奈米與490奈米之間的藍色範圍內發射之LED。在大約650奈米處具有一峰值發射之一發射紅色之(SrCa)AlSiN3：Eu磷光體覆蓋側壁嵌件107之一部分。將該磷光體以按體積計在2%至6%範圍內之一比例混合入一聚矽氧黏結劑中，以在60微米至120微米範圍內之一厚度均勻地施加至側壁嵌件107，且加以固化。在一項實例中，將該磷光體以按體積計大約4%之一比例混合入一聚矽氧黏結劑中，以大約90微米之一厚度均勻地施加至側壁嵌件107，且加以固化。另外，組合按重量計在大約10份至25份YAG、5份至15份(SrCa)AlSiN3：Eu及60份至80份LuAG：Ce之範圍內之一磷光體混合物。環境條件及每一磷光體之條件影響針對任一特定磷光體組合所獲得之結果。在一項實例中，組合包含按重量計大約17份YAG、大約11份(SrCa)AlSiN3：Eu及大約72份LuAG：Ce之一磷光體混合物。然後以按聚矽氧之體積計在50%至80%範圍內之一比例將此混合物混合入一聚矽氧黏結劑中，以在90微米至130微米範圍內之一 厚度均勻地施加至輸出窗108，且加以固化。在一項實例中，將該混合物以按體積計大約75%之一比例混合入一聚矽氧黏結劑中，以大約110微米之一厚度均勻地施加至輸出窗108，且加以固化。
圖7A圖解說明在2,700凱氏溫度下之一黑體輻射物之模擬發射光譜以及此實例之該參考照明模組與該高CRI照明模組兩者之所量測之發射光譜。在此圖中，該黑體輻射物之發射光譜已在640奈米處歸一化。比較所得光譜，在500奈米至650奈米之範圍內，該高CRI照明模組之光譜回應比該參考照明模組更接近地近似該黑體輻射物。更具體而言，使用以下公式
該參考照明模組在介於500奈米與650奈米之間的波長範圍內具有在一黑體輻射物之發射光譜之48%內之一光譜回應，該高CRI照明模組在該同一波長範圍內係在一黑體輻射物之發射光譜之14%內。
圖7B比較兩個模組之每一具體CRI值且每一CRI值均得以改良。特定而言，在此實例中，將與深紅色之現色性相關之R9之自一分數27改良至97。概言之，以如上文所論述之一方式建構之一高CRI照明模組發射具有Ra>95、R9>95之光，對於具有2,700凱氏溫度之一目標CCT之模組，平均值為CRI值R10至R14>95且R15>95。
在一第二實例中，比較在3,000凱氏溫度之一目標CCT下兩個照明模組100之效能。一參考照明模組包含9個經選擇以在寶藍色範圍內發射之LED及一個經選擇以在藍色範圍內發射之LED。在大約630奈米處具有一峰值發射之一發射紅色之(SrCa)AlSiN3：Eu磷光體覆蓋側壁嵌件107之一部分。將該磷光體以按體積計在2%至6%範圍內之一比例混合入一聚矽氧黏結劑中，以在60微米至120微米範圍內之一厚度均 勻地施加至側壁嵌件107，且加以固化。在一項實例中，將該磷光體以按體積計大約4%之一比例混合入一聚矽氧黏結劑中，以大約90微米之一厚度均勻地施加至側壁嵌件107，且加以固化。另外，然後將一發射黃色之Y3Al5O12：Ce磷光體以按聚矽氧之體積計在50%至80%範圍內之一比例混合入一聚矽氧黏結劑中，以在90微米至130微米範圍內之一厚度均勻地施加至輸出窗108，且加以固化。在一項實例中，將該磷光體以按體積計大約70%之一比例混合入一聚矽氧黏結劑中，以大約110微米之一厚度均勻地施加至側壁嵌件107，且加以固化。視情況，亦可將一定量之發射紅色之(SrCa)AlSiN3：Eu磷光體與該發射黃色之Y3Al5O12：Ce磷光體混合。
一高CRI照明模組包含7個經選擇以在介於440奈米與460奈米之間的寶藍色範圍內發射之LED及三個經選擇以在介於460奈米與490奈米之間的藍色範圍內發射之LED。在大約650奈米處具有一峰值發射之一發射紅色之(SrCa)AlSiN3：Eu磷光體覆蓋側壁嵌件107之一部分。將該磷光體以按體積計在2%至6%範圍內之一比例混合入一聚矽氧黏結劑中，以在60微米至120微米範圍內之一厚度均勻地施加至側壁嵌件107，且加以固化。在一項實例中，將該磷光體以按體積計大約4%之一比例混合入一聚矽氧黏結劑中，以大約90微米之一厚度均勻地施加至側壁嵌件107，且加以固化。另外，組合按重量計在大約10份至25份YAG、5份至15份(SrCa)AlSiN3：Eu及60份至80份LuAG：Ce之範圍內之一磷光體混合物。環境條件及每一磷光體之條件影響針對任一特定磷光體組合所獲得之結果。在一項實例中，組合包含按重量計大約17份YAG、大約11份(SrCa)AlSiN3：Eu及大約72份LuAG：Ce之一磷光體混合物。然後以按體積計在50%至80%範圍內之一比例將此混合物混合入一聚矽氧黏結劑中，以在90微米至130微米範圍內之一厚度均勻地施加至輸出窗108，且加以固化。在一項實例中，將該混合物以按 體積計大約70%之一比例混合入一聚矽氧黏結劑中，以大約110微米之一厚度均勻地施加至輸出窗108，且加以固化。
圖8A圖解說明在3,000凱氏溫度下之一黑體輻射物之模擬發射光譜以及此實例之該參考照明模組與該高CRI照明模組兩者之所量測之發射光譜。在此圖中，該黑體輻射物之發射光譜已在640奈米處歸一化。在500奈米至650奈米之範圍內，該高CRI照明模組之光譜回應比該參考照明模組更接近地近似該黑體輻射物。更具體而言，使用方程式(2)之公式，該參考照明模組在介於500奈米與650奈米之間的波長範圍內具有在一黑體輻射物之發射光譜之49%內一光譜回應，該高CRI照明模組在該同一波長範圍內係在一黑體輻射物之發射光譜之12%內。
圖8B比較兩個模組之每一具體CRI值且每一CRI值均得以改良。特定而言，在此實例中，將R9之自一分數16改良至98。概言之，以如上文所論述之一方式建構之一高CRI照明模組發射具有Ra>95、R9>90之光，對於具有3,000凱氏溫度之一目標CCT之模組，平均值為CRI值R10至R14>95且R15>95。
在一第三實例中，比較在4,000凱氏溫度之一目標CCT下之兩個照明模組100之效能。該參考照明模組包含7個經選擇以在寶藍色範圍內發射之LED及三個經選擇以在藍色範圍內發射之LED。在大約630奈米處具有一峰值發射之一發射紅色之(SrCa)AlSiN3：Eu磷光體覆蓋側壁嵌件107之一部分。將該磷光體以按體積計在2%至6%範圍內之一比例混合入一聚矽氧黏結劑中，以在60微米至120微米範圍內之一厚度均勻地施加至側壁嵌件107，且加以固化。在一項實例中，將該磷光體以按體積計大約4%之一比例混合入一聚矽氧黏結劑中，以大約90微米之一厚度均勻地施加至側壁嵌件107，且加以固化。另外，然後將一發射黃色之Y3Al5O12：Ce磷光體以按聚矽氧之體積計在50%至80% 範圍內之一比例混合入一聚矽氧黏結劑中，以在90微米至130微米範圍內之一厚度均勻地施加至輸出窗108，且加以固化。在一項實例中，將該磷光體以按體積計大約65%之一比例混合入一聚矽氧黏結劑中，以大約110微米之一厚度均勻地施加至側壁嵌件107，且加以固化。視情況，亦可將一定量之發射紅色之(SrCa)AlSiN3：Eu磷光體與該發射黃色之Y3Al5O12：Ce磷光體混合。
該高CRI照明模組亦包含7個經選擇以在寶藍色範圍內發射之LED及三個經選擇以在藍色範圍內發射之LED。在大約650奈米處具有一峰值發射之一發射紅色之(SrCa)AlSiN3：Eu磷光體覆蓋側壁嵌件107之一部分。將該磷光體以按體積計在2%至6%範圍內之一比例混合入一聚矽氧黏結劑中，以在60微米至120微米範圍內之一厚度均勻地施加至側壁嵌件107，且加以固化。在一項實例中，將該磷光體以按體積計大約4%之一比例混合入一聚矽氧黏結劑中，以大約90微米之一厚度均勻地施加至側壁嵌件107，且加以固化。另外，組合按重量計在大約10份至25份YAG、5份至15份(SrCa)AlSiN3：Eu及60份至80份LuAG：Ce之範圍內之一磷光體混合物。環境條件及每一磷光體之條件影響針對任一特定磷光體組合所獲得之結果。在一項實例中，組合包含按重量計大約17份YAG、大約11份(SrCa)AlSiN3：Eu及大約72份LuAG：Ce之一磷光體混合物。然後將此混合物以按體積計在50%至80%範圍內之一比例混合入一聚矽氧黏結劑中，以在90微米至130微米範圍內之一厚度均勻地施加至輸出窗108，且加以固化。在一項實例中，將該混合物以按體積計大約70%之一比例混合入一聚矽氧黏結劑中，以大約110微米之一厚度均勻地施加至輸出窗108，且加以固化。
圖9A圖解說明在4,000凱氏溫度條件下之一黑體輻射物之模擬發射光譜以及此實例之該參考照明模組及該高CRI照明模組兩者之所量 測之發射光譜。在此圖中，該黑體輻射物之發射光譜已在635奈米處歸一化。在500奈米至650奈米之範圍內，該高CRI照明模組之光譜回應比該參考照明模組更接近地近似該黑體輻射物。更具體而言，使用方程式(2)之公式，該參考照明模組在介於500奈米與650奈米之間的波長範圍內具有在一黑體輻射物之發射光譜之57%內之一光譜回應，該高CRI照明模組在該同一波長範圍內係在一黑體輻射物之發射光譜之19%內。
圖9B比較兩個模組之每一具體CRI值且每一CRI值均得以改良。特定而言，在此實例中，將R9之自一分數22改良至90。概言之，以如上文所論述之一方式建構之一高CRI照明模組發射具有Ra>95、R9>85之光，對於具有4,000凱氏溫度之一目標CCT之模組，平均值為CRI值R10至R14≧94且R15>95。
圖10概括在一組自450奈米至750奈米之波長範圍上之圖7至圖9中所量測之光譜偏離於每一各別黑體曲線之百分標準偏差。每一百分標準偏差值係基於在該組波長範圍之對應波長範圍內所評估之方程式(2)之公式而計算。舉例而言，在500奈米至525奈米之波長範圍內，在3,000凱氏溫度之一目標CCT下(見圖8)之一高CRI照明模組之所量測光譜展現偏離於3,000凱氏溫度之一黑體曲線之9%之一最大百分標準偏差。此外，在500至650奈米之波長範圍內，該最大百分標準偏差係12%，且如所圖解說明，此發生於625奈米至650奈米之波長範圍內。
在另一實施例中，瞭解到一照明模組100達成一大於80之一般CRI值Ra同時維持大於130lm/W之一色彩轉換效率比。出於本專利文件之目的，將一色彩轉換效率比定義為以流明為單位所量測之一照明模組之光度輸出除以以瓦特為單位所量測之LED之光輸出之輻射量測功率之比。色彩轉換效率之此定義著重於該照明模組之色彩轉換過程之效率。
在一第一實例中，在3,000凱氏溫度之一目標CCT下比較兩個照明模組100之效能以闡明一般CRI效能及經改良之色彩轉換效率。該參考照明模組與該高效率、高CRI照明模組兩者皆包含10個經選擇以全部在寶藍色範圍內發射之LED。選擇寶藍色LED乃因其等展現比發射較長波長之LED高之輻射效率。此外，LED製造之當前趨勢係進一步改良較短波長之LED(諸如在介於440奈米與460奈米之間的波長範圍中之彼等LED)之輻射效率。
採用三種磷光體之該高效率、高CRI照明模組包含覆蓋側壁嵌件107之一部分在大約618奈米處具有一峰值發射之一發射紅色之(SrCa)AlSiN3：Eu磷光體。將該磷光體以按體積計在2%至6%範圍內之一比例混合入一聚矽氧黏結劑中，均勻地施加至側壁嵌件107，且加以固化。在一項實例中，將該磷光體以按體積計大約4%之一比例混合入一聚矽氧黏結劑中，均勻地施加至側壁嵌件107，且加以固化。組合按重量計在5份至15份YAG、5份至15份(SrCa)AlSiN3：Eu及70份至95份LuAG之範圍內之一磷光體混合物。環境條件及每一磷光體之條件影響針對任一特定磷光體組合所獲得之結果。在一項實例中，組合包含按重量計大約8份YAG、大約8份(SrCa)AlSiN3：Eu及大約84份LuAG之一磷光體混合物。然後將此混合物以按聚矽氧之體積計在50%至80%範圍內之一比例混合入一聚矽氧黏結劑中，以在90微米至130微米範圍內之一厚度均勻地施加至輸出窗108，且加以固化。在一項實例中，將此混合物以按體積計大約70%之一比例混合入一聚矽氧黏結劑中，以大約110微米之一厚度均勻地施加至輸出窗108，且加以固化。由於具有大約618奈米之一峰值發射之(SrCa)AlSiN3：Eu與具有較高峰值發射波長之紅色磷光體相比之相對高之色彩轉換效率，因此採用該(SrCa)AlSiN3：Eu。另一方面，採用兩種磷光體之該參考照明模組包含覆蓋側壁嵌件107之一部分且在大約630奈米處具有一峰值發射 之一發射紅色之(SrCa)AlSiN3：Eu磷光體。將該磷光體以按體積計在2%至6%範圍內之一比例混合入一聚矽氧黏結劑中，均勻地施加至側壁嵌件107，且加以固化。在一項實例中，將該磷光體以按體積計大約4%之一比例混合入一聚矽氧黏結劑中，均勻地施加至側壁嵌件107，且加以固化。另外，然後將在大約555奈米處具有一峰值發射之YAG磷光體以按體積計在50%至80%範圍內之一比例混合入一聚矽氧黏結劑中，均勻地施加至輸出窗108，且加以固化。在一項實例中，將該磷光體以按聚矽氧之體積計大約70%之一比例混合入一聚矽氧黏結劑中，均勻地施加至輸出窗108，且加以固化。
圖11圖解說明在色彩轉換效率及CRI方面之改良。兩種磷光體之參考照明模組發射具有78之一一般CRI及136之一色彩轉換效率比之光。三種磷光體之高效率、高CRI照明模組達成81之一CRI及141之一色彩轉換效率比。僅在4,000凱氏溫度之一目標CCT下在如上文所論述建構之一參考模組與高效率、高CRI模組之比較中圖解說明類似改良。在此情形中，該參考模組發射具有74之一一般CRI及146之一色彩轉換效率比之光。該高效率、高CRI照明模組達成81之一CRI及158之一色彩轉換效率比。獲得了CRI與色彩轉換效率兩者之意料之外的改良。此等改良係意料之外的，此乃因通常在一光混合腔中使用較大數目之磷光體引起再吸收之增加及減少色彩轉換效率之相關聯損失。然而，藉由如本專利文件中所闡述地仔細選擇磷光體、其等比例及其等在該光混合腔中之佈置，可有效減輕此等損失。
圖12A圖解說明以上文所論述之方式建構之三個群組之兩個高效率、高CRI模組之色彩轉換效率。每一模組群組係按發射光至光混合腔109中之LED之數目來區分。一第一群組包含四個LED，一第二群組包含七個LED且一第三群組包含十個LED。在每一群組內，一個模組展現3,000凱氏溫度之一目標CRI及4,000凱氏溫度之另一目標CRI。 每一群組內之兩個模組皆展現至少80之一一般CRI。圖12A圖解說明每一模組能夠達成大於140之一色彩轉換效率比。因此，針對發射光至光混合腔109中之LED之一範圍，獲得類似色彩轉換效率。
圖12B圖解說明另外三個群組之兩個高效率、高CRI模組之色彩轉換效率。此等模組係以關於圖12A所論述之方式建構，然而，此等三個模組之側壁嵌件之一部分塗佈有在大約630奈米處具有一峰值發射之一發射紅色之(SrCa)AlSiN3：Eu磷光體(紅色630)而非在大約618奈米處具有一峰值發射之一發射紅色之(SrCa)AlSiN3：Eu磷光體(紅色618)。圖12B圖解說明每一模組能夠達成大於130之一色彩轉換效率比。雖然在該等側壁上使用紅色630而非紅色618導致一較低紅色轉換效率比，但一般而言，亦存在CRI之一增加。以此方式，高效率模組可經設計而具有較高CRI值。
雖然在上文出於指導目的闡述了某些具體實施例，但本專利文件之教示內容具有一般適用性且並不限於上文所闡述之具體實施例。舉例而言，雖然將LED 102闡述為在UV至藍色範圍中具有一峰值發射之LED，但LED 102可藉由直接發射或藉由磷光體轉換(例如，其中將磷光體層施加至該等LED作為該LED封裝之一部分)而發射不同或相同色彩。因此，照明裝置100可使用有色LED 102(諸如，紅色、綠色、藍色、琥珀色或青綠色)之任一組合，或LED 102可全部產生相同色彩之光或可全部產生白色光。在所闡述之實施例中，出於實例性之目的而闡述具體磷光體，但可採用各自在上文所論述之範圍內具有峰值發射之任一數目之磷光體。舉例而言，該等磷光體可選自由以下化學式所標示之組：Y3Al5O12：Ce(亦稱為YAG：Ce，或簡稱YAG)、(Y,Gd)3Al5O12：Ce、CaS：Eu、SrS：Eu、SrGa2S4：Eu、Ca3(Sc,Mg)2Si3O12：Ce、Ca3Sc2Si3O12：Ce、Ca3Sc2O4：Ce、Ba3Si6O12N2：Eu、(Sr,Ca)AlSiN3：Eu、CaAlSiN3：Eu。此外，在所闡述之 實施例中，出於實例性之目的闡述磷光體之具體比例，但可使此等比例變化以產生類似結果。舉例而言，可將此等比例調整20%且仍達成本專利文件中所闡述之現色性及效率效能。在所闡述之實施例中，出於實例性之目的闡述與聚矽氧黏結劑組合之磷光體之具體百分比及薄膜厚度。可使此等百分比及厚度變化以產生類似結果。因此，可實踐對所闡述之實施例之各種特徵的各種修改、改動及組合而不背離如申請專利範圍中所陳述之本發明之範疇。
108‧‧‧輸出窗
108B‧‧‧波長轉換材料
109‧‧‧光混合腔
110‧‧‧內部側壁
110A‧‧‧波長轉換材料

Claims (40)

  1. 一種設備，其包括：至少一個發光二極體(LED)，其可操作以發射由在380奈米與490奈米之間具有一峰值波長之一發射光譜作為表徵之一第一有色光；及一主要光混合腔，其可操作以將該第一有色光轉換成一第二有色光，其中與該至少一個LED實體分離之該主要光混合腔之一部分包含具有一在508奈米與528奈米之間之峰值發射波長之一第一光致發光材料及具有一在615奈米與655奈米之間之峰值發射波長之一第二光致發光材料。
  2. 如請求項1之設備，其中該第二有色光對於波長介於500奈米與650奈米之一光譜回應係在相同相關色溫下之一黑體輻射物之20%內。
  3. 如請求項1之設備，其中該第二有色光係自該主要光混合腔之一輸出窗發射，且其中該輸出窗之一部分係塗佈有一第一波長轉換材料，該第一波長轉換材料包括具有一在508奈米與528奈米之間之峰值發射波長之該第一光致發光材料及具有一在615奈米與655奈米之間之峰值發射波長之該第二光致發光材料。
  4. 如請求項3之設備，其中該第一波長轉換材料包括具有一在545奈米與565奈米之間之峰值發射波長之一第三光致發光材料。
  5. 如請求項4之設備，其中該第一光致發光材料係摻雜有鈰之鎦鋁石榴石(LuAG：Ce)，該第二光致發光材料係一(SrCa)AlSiN3：Eu，且該第三光致發光材料係一摻雜有鈰之釔鋁氧化物(Y3Al5O12：Ce)。
  6. 如請求項4之設備，其中該第一光致發光材料、該第二光致發光 材料及該第三光致發光材料係以一重量比例混合在一起，且其中該比例係介於55份與90份之間的該第一光致發光材料、介於5份與25份之間的該第二光致發光材料，及介於5份與35份之間的該第三光致發光材料。
  7. 如請求項4之設備，其中自該輸出窗發射之該第二有色光具有大於或等於80之一現色性指數值Ra。
  8. 如請求項4之設備，其中該第二有色光具有大於85之一現色性指數(CRI)值R9。
  9. 一種設備，其包括：至少一個發光二極體(LED)，其可操作以發射由在380奈米與490奈米之間具有一峰值波長之一發射光譜作為表徵之一第一有色光；及一主要光混合腔，其可操作以將該第一有色光轉換成一第二有色光，該主要光混合腔包含，一輸出窗，其與自該主要光混合腔發射該第二有色光之LED係實體分離，及一側壁，其與該LED實體分離，其中該輸出窗及該側壁之任一者包括一第一、第二、及第三光致發光材料，其中該第一、第二及第三光致發光材料之每一者之一峰值發射波長與其他光致發光材料之峰值發射波長相差至少35奈米且不多於150奈米。
  10. 如請求項9之設備，其中該第一光致發光材料具有在508奈米與528奈米之間之一峰值發射波長且第該第二光致發光材料具有在615奈米與655奈米之間之一峰值發射波長。
  11. 如請求項10之設備，其中該第三光致發光材料具有在545奈米與565奈米之間之一峰值發射波長。
  12. 如請求項11之設備，其中該第一、第二及第三光致發光材料係以一重量比例混合在一起，其中該比例係介於55份與90份之間的該第一材料、介於5份與25份之間的該第二材料，及介於5份與35份之間的該第三材料。
  13. 如請求項11之設備，其中該第一材料係一摻雜有鈰之鎦鋁石榴石(LuAG：Ce)，該第二材料係(SrCa)AlSiN3：Eu，且該第三材料係一摻雜有鈰之釔鋁氧化物(Y3Al5O12：Ce)。
  14. 如請求項9之設備，其中該第二有色光對於波長介於500奈米與650奈米之一光譜回應係在相同相關色溫下之一黑體輻射物之20%內。
  15. 如請求項9之設備，其中該第二有色光具有大於80之一一般現色性指數(CRI)值。
  16. 如請求項9之設備，其中該第二有色光具有大於85之一現色性指數(CRI)值R9。
  17. 一種設備，其包括：至少一個發光二極體(LED)，其可操作以發射由在380奈米與490奈米之間具有一峰值波長之一發射光譜作為表徵之一第一有色光；及一主要光混合腔，其可操作以將該第一有色光轉換成一第二有色光，其中該第二有色光對於波長介於500奈米與650奈米之一光譜回應係在相同相關色溫下之一黑體輻射物之20%內，該主要光混合腔包含，一輸出窗，其與自該主要光混合腔發射該第二有色光之LED係實體分離，及一側壁，其與該LED實體分離，其中該輸出窗及該側壁之任一者包括一第一及第二光致發光 材料。
  18. 如請求項17之設備，其進一步包含：一第三光致發光材料，其具有在545奈米與565奈米之間之一峰值發射波長。
  19. 如請求項18之設備，其中該第一、第二、及第三材料係施加至該主要光混合腔之該輸出窗。
  20. 如請求項17之設備，其中該第一光致發光材料具有在508奈米與528奈米之間之一峰值發射波長，且第該第二光致發光材料具有在615奈米與655奈米之間之一峰值發射波長。
  21. 一種設備，其包括：至少一個發光二極體(LED)，其可操作以發射由在380奈米與490奈米之間具有一峰值波長之一發射光譜作為表徵之一第一有色光；及一主要光混合腔，其可操作以將該第一有色光轉換成一第二有色光，該主要光混合腔包括與該至少一LED實體分離之一內部表面區域，其中該主要光混合腔之該內部表面區域包括一第一、一第二、及一第三光致發光材料，其中該第一、第二及第三光致發光材料之每一者之一峰值發射波長與其他光致發光材料之峰值發射波長相差至少35奈米且不多於150奈米。
  22. 如請求項21之設備，其中該第二有色光對於波長介於500奈米與650奈米之一光譜回應係在相同相關色溫下之一黑體輻射物之20%內。
  23. 如請求項21之設備，其中該第二有色光係自該主要光混合腔之一輸出窗發射，且其中該輸出窗之一部分係塗佈有一第一波長轉換材料，該第一波長轉換材料包括在508奈米與528奈米之間具有一峰值發射波長之該第一光致發光材料及在545奈米與565 奈米之間具有一峰值發射波長之該第二光致發光材料。
  24. 如請求項23之設備，其中該第一波長轉換材料包括在615奈米與655奈米之間具有一峰值發射波長之該第三光致發光材料。
  25. 如請求項24之設備，其中該第一光致發光材料係摻雜有鈰之榴鋁石榴石(LuAG：Ce)，該第二光致發光材料係一摻雜有鈰之釔鋁氧化物(Y3Al5O12：Ce)，且該第三光致發光材料係(SrCa)AlSiN3：Eu。
  26. 如請求項24之設備，其中該第一光致發光材料、該第二光致發光材料及該第三光致發光材料係以一重量比例混合在一起，其中該比例係介於55份與90份之間的該第一光致發光材料、介於5份與35份之間的該第二光致發光材料，及介於5份與25份之間的該第三光致發光材料。
  27. 如請求項23之設備，其中自該輸出窗發射之該第二有色光具有大於或等於80之一現色性指數值Ra。
  28. 如請求項23之設備，其中該第二有色光具有大於85之一現色性指數(CRI)值R9。
  29. 一種設備，其包括：至少一個發光二極體(LED)，其可操作以發射由在380奈米與490奈米之間具有一峰值波長之一發射光譜作為表徵之一第一有色光；及一主要光混合腔，其可操作以用大於130lm/W之一色彩轉換效率比將該第一有色光轉換成一第二有色光，該色彩轉換效率比係根據輸出光通量(luminous flux)除以該至少一個LED之輻射量測輸出功率來量測，該主要光混合腔包含，一輸出窗，其與自該主要光混合腔發射該第二有色光之LED係實體分離，及 一側壁，其與該LED實體分離，其中該輸出窗及該側壁之任一者包括一第一、第二、及第三光致發光材料。
  30. 如請求項29之設備，其中該第一光致發光材料具有在508奈米與528奈米之間之一峰值發射波長且第該第二光致發光材料具有在615奈米與655奈米之間之一峰值發射波長。
  31. 如請求項30之設備，其中該第三光致發光材料具有在545奈米與565奈米之間之一峰值發射波長。
  32. 如請求項31之設備，其中該第一、第二及第三光致發光材料係以一重量比例混合在一起，其中該比例係介於55份與90份之間的該第一材料、介於5份與25份之間的該第二材料，及介於5份與35份之間的該第三材料。
  33. 如請求項31之設備，其中該第一材料係一摻雜有鈰之鎦鋁石榴石(LuAG：Ce)，該第二材料係(SrCa)AlSiN3：Eu，且該第三材料係一摻雜有鈰之釔鋁氧化物(Y3Al5O12：Ce)。
  34. 如請求項29之設備，其中該第二有色光對於波長介於500奈米與650奈米之一光譜回應係在相同相關色溫下之一黑體輻射物之20%內。
  35. 如請求項29之設備，其中該第二有色光具有大於80之一一般現色性指數(CRI)值。
  36. 如請求項29之設備，其中該第二有色光具有大於85之一現色性指數(CRI)值R9。
  37. 一種設備，其包括：至少一個發光二極體(LED)，其可操作以發射由在380奈米與490奈米之間具有一峰值波長之一發射光譜作為表徵之一第一有色光；及 一主要光混合腔，其可操作以將該第一有色光轉換成一第二有色光，其中該第二有色光對於波長介於500奈米與650奈米之一光譜回應係在相同相關色溫下之一黑體輻射物之20%內，該主要光混合腔包含，一輸出窗，其與自該主要光混合腔發射該第二有色光之LED係實體分離，及一側壁，其與該LED實體分離，其中該輸出窗及該側壁之任一者包括一第一、第二、及第三光致發光材料。
  38. 如請求項37之設備，其中該第一、第二、及第三材料係施加至該主要光混合腔之該輸出窗。
  39. 如請求項38之設備，其中該第一光致發光材料具有在508奈米與528奈米之間之一峰值發射波長，第該第二光致發光材料具有在615奈米與655奈米之間之一峰值發射波長，且第該第三光致發光材料具有在545奈米與565奈米之間之一峰值發射波長。
  40. 如請求項39之設備，其中該第一、第二及第三光致發光材料係以一重量比例混合在一起，其中該比例係介於55份與90份之間的該第一材料、介於5份與25份之間的該第二材料，及介於5份與35份之間的該第三材料。
TW102136391A 2010-03-04 2011-03-02 具有高現色性指數之高效率以發光二極體爲基的照明模組 TWI565913B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/717,880 US8104908B2 (en) 2010-03-04 2010-03-04 Efficient LED-based illumination module with high color rendering index

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201403000A true TW201403000A (zh) 2014-01-16
TWI565913B TWI565913B (zh) 2017-01-11

Family

ID=43841005

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102136391A TWI565913B (zh) 2010-03-04 2011-03-02 具有高現色性指數之高效率以發光二極體爲基的照明模組
TW100106968A TWI429852B (zh) 2010-03-04 2011-03-02 具有高現色性指數之高效率以發光二極體為基的照明模組

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100106968A TWI429852B (zh) 2010-03-04 2011-03-02 具有高現色性指數之高效率以發光二極體為基的照明模組

Country Status (10)

Country Link
US (4) US8104908B2 (zh)
EP (2) EP3070394A1 (zh)
JP (2) JP5727524B2 (zh)
KR (2) KR20160119878A (zh)
CN (3) CN107101101A (zh)
BR (1) BR112012022323A2 (zh)
CA (1) CA2791610A1 (zh)
MX (1) MX2012010239A (zh)
TW (2) TWI565913B (zh)
WO (1) WO2011109150A1 (zh)

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080151143A1 (en) * 2006-10-19 2008-06-26 Intematix Corporation Light emitting diode based backlighting for color liquid crystal displays
US8104908B2 (en) 2010-03-04 2012-01-31 Xicato, Inc. Efficient LED-based illumination module with high color rendering index
US8643038B2 (en) * 2010-03-09 2014-02-04 Cree, Inc. Warm white LEDs having high color rendering index values and related luminophoric mediums
US20110220920A1 (en) * 2010-03-09 2011-09-15 Brian Thomas Collins Methods of forming warm white light emitting devices having high color rendering index values and related light emitting devices
JP2013004481A (ja) * 2011-06-21 2013-01-07 Sharp Corp 発光装置、車両用前照灯、及び照明装置
US20130094179A1 (en) * 2011-10-13 2013-04-18 Intematix Corporation Solid-state light emitting devices with multiple remote wavelength conversion components
US9625123B2 (en) * 2011-10-14 2017-04-18 3M Innovative Properties Company Lens assembly for remote phosphor LED device
EP2748526B1 (en) * 2011-10-26 2015-02-18 Koninklijke Philips N.V. Light-emitting arrangement
WO2013093750A1 (en) * 2011-12-19 2013-06-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light source using remote phosphor and pink led
WO2013123128A1 (en) * 2012-02-17 2013-08-22 Intematix Corporation Solid-state lamps with improved emission efficiency and photoluminescence wavelength conversion components therefor
US10043952B2 (en) 2012-03-30 2018-08-07 Lumileds Llc Light emitting device with wavelength converting side coat
EP2842176B1 (en) 2012-04-26 2018-11-07 Intematix Corporation Methods and apparatus for implementing color consistency in remote wavelength conversion
US20130335994A1 (en) * 2012-06-13 2013-12-19 Innotec Corp. Illuminated accessory unit
WO2014013462A2 (en) 2012-07-18 2014-01-23 Koninklijke Philips N.V. Tunable correlated color temperature led-based white light source with mixing chamber and remote phosphor exit window
JP2014170895A (ja) * 2013-03-05 2014-09-18 Mitsubishi Chemicals Corp 波長変換部材及びこれを用いた発光装置
JP2014130998A (ja) * 2012-07-20 2014-07-10 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置、波長変換部材、蛍光体組成物、及び蛍光体混合物
KR20150035742A (ko) * 2012-07-20 2015-04-07 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 발광 장치, 파장 변환 부재, 형광체 조성물 및 형광체 혼합물
TWI563690B (en) * 2012-07-20 2016-12-21 Mitsubishi Eng Plastics Corp A wavelength conversion member and application thereof
US9612002B2 (en) 2012-10-18 2017-04-04 GE Lighting Solutions, LLC LED lamp with Nd-glass bulb
US8845380B2 (en) * 2012-12-17 2014-09-30 Xicato, Inc. Automated color tuning of an LED based illumination device
US8870617B2 (en) 2013-01-03 2014-10-28 Xicato, Inc. Color tuning of a multi-color LED based illumination device
JP2014139998A (ja) * 2013-01-21 2014-07-31 Toshiba Corp 半導体発光装置
US8916896B2 (en) * 2013-02-22 2014-12-23 Cree, Inc. Light emitter components and methods having improved performance
EP2959215A4 (en) * 2013-02-25 2017-02-01 Rensselaer Polytechnic Institute Low luminance lighting
JP6045727B2 (ja) * 2013-03-11 2016-12-14 フィリップス ライティング ホールディング ビー ヴィ 調光可能な発光装置
CN103186025B (zh) * 2013-03-19 2015-04-29 海信集团有限公司 光源装置、光源产生方法及包含光源装置的激光投影机
CN104347606B (zh) * 2013-08-09 2017-03-01 启耀光电股份有限公司 发光二极管封装结构及光源模块
EP3047203A2 (en) * 2013-09-17 2016-07-27 Xicato, Inc. Led based illumination device with integrated output window
USD744964S1 (en) * 2013-10-18 2015-12-08 Osram Gmbh LED lighting module
US9902320B2 (en) 2013-11-21 2018-02-27 Ford Global Technologies, Llc Photoluminescent color changing dome map lamp
US20150184813A1 (en) * 2013-12-31 2015-07-02 Xicato, Inc. Efficient led-based illumination modules with high color rendering index
US9784422B2 (en) * 2014-02-27 2017-10-10 Abl Ip Holding Llc Self-centering hyperbolic trim
USD744963S1 (en) * 2014-04-01 2015-12-08 Xicato, Inc. LED module
KR101601531B1 (ko) * 2014-11-07 2016-03-10 주식회사 지엘비젼 조명장치
JP2016219519A (ja) * 2015-05-18 2016-12-22 サンケン電気株式会社 発光装置
RU2015148851A (ru) * 2015-05-22 2017-06-05 Ситикьюб, Инк. Светодиодная лампа, способная свободно преобразовывать цветовую температуру, и способ преобразования цветовой температуры с ее применением
EP3708902B1 (en) 2015-06-24 2023-05-24 Seoul Semiconductor Co., Ltd. White light source system
EP3316322B1 (en) 2015-06-24 2023-12-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. White light source system
ITUB20153566A1 (it) * 2015-09-11 2017-03-11 Clay Paky Spa Modulo di illuminazione a led e gruppo di illuminazione avente moduli di illuminazione a led
JP6712768B2 (ja) * 2015-09-28 2020-06-24 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置及び照明装置
JP6555111B2 (ja) * 2015-12-09 2019-08-07 日亜化学工業株式会社 ハイブリッド蛍光体の製造方法及びハイブリッド蛍光体
US11047534B2 (en) 2016-01-28 2021-06-29 EcoSense Lighting, Inc. Multizone mixing cup illumination system
WO2017131706A1 (en) 2016-01-28 2017-08-03 Ecosense Lighting Inc Methods for generating tunable white light with high color rendering
WO2017131721A1 (en) * 2016-01-28 2017-08-03 Ecosense Lighting Inc Illuminating with a multizone mixing cup
WO2017131715A1 (en) * 2016-01-28 2017-08-03 Ecosense Lighting Inc. Methods for generating melatonin-response-tuned white light with high color rendering
US10197226B2 (en) * 2016-01-28 2019-02-05 Ecosense Lighting Inc Illuminating with a multizone mixing cup
US10492264B2 (en) 2016-01-28 2019-11-26 EcoSense Lighting, Inc. Lighting systems for providing tunable white light with functional diode emissions
JPWO2017175858A1 (ja) * 2016-04-08 2019-02-21 富士フイルム株式会社 面状光源、バックライトユニット及び液晶表示装置
CN113178514B (zh) * 2016-05-20 2024-04-02 首尔半导体株式会社 白色光源
FR3053434B1 (fr) * 2016-06-30 2019-06-28 Valeo Vision Module d'emission de lumiere blanche a spectre enrichi
CN106871009A (zh) * 2017-01-18 2017-06-20 北京工业大学 一种路灯
CN111999973B (zh) * 2017-01-22 2022-04-26 深圳光峰科技股份有限公司 一种光转换元件、光源系统及显示装置
JP7004892B2 (ja) * 2017-04-11 2022-01-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10446722B2 (en) 2017-09-29 2019-10-15 Samsung Electronics Co., Ltd. White light emitting device
JP6773018B2 (ja) * 2017-12-26 2020-10-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN112075126A (zh) 2018-01-11 2020-12-11 生态照明公司 用于提供具有高显色性和生物效应的可调光的多通道系统
US10991855B2 (en) * 2018-04-16 2021-04-27 Lextar Electronics Corporation White light emitting device
US10779369B2 (en) 2018-10-04 2020-09-15 Electronic Theatre Controls, Inc. Light fixture with LEDs of multiple different wavelengths
US20220022381A1 (en) * 2018-11-09 2022-01-27 Ying Li Lighting device for horticulture
US11202920B2 (en) * 2018-12-07 2021-12-21 Ledvance Llc Luminaire for enhanced color rendition and wellness
JP6623434B1 (ja) * 2019-03-13 2019-12-25 済南通▲べい▼灯具有限公司 安全カンテラ
JP6870707B2 (ja) * 2019-07-11 2021-05-12 日亜化学工業株式会社 ハイブリッド蛍光体の製造方法及びハイブリッド蛍光体
WO2021074070A1 (en) * 2019-10-18 2021-04-22 Signify Holding B.V. Light emitting device having a mixing chamber
CN113025305B (zh) * 2019-12-09 2023-07-14 上海航空电器有限公司 高折射率包边宽谱发射复合荧光体及其制备方法
US12111023B2 (en) * 2021-02-23 2024-10-08 Signify Holding, B.V. Tunable narrow-band light system having a high CRI across a wide CTT range

Family Cites Families (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3593055A (en) * 1969-04-16 1971-07-13 Bell Telephone Labor Inc Electro-luminescent device
US6600175B1 (en) * 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
EP0907969B1 (de) 1996-06-26 2004-05-26 Osram Opto Semiconductors GmbH Lichtabstrahlendes halbleiterbauelement mit lumineszenzkonversionselement
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US5966393A (en) * 1996-12-13 1999-10-12 The Regents Of The University Of California Hybrid light-emitting sources for efficient and cost effective white lighting and for full-color applications
JP4271747B2 (ja) 1997-07-07 2009-06-03 株式会社朝日ラバー 発光ダイオード用透光性被覆材及び蛍光カラー光源
US5962971A (en) * 1997-08-29 1999-10-05 Chen; Hsing LED structure with ultraviolet-light emission chip and multilayered resins to generate various colored lights
US6340824B1 (en) * 1997-09-01 2002-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device including a fluorescent material
US5982092A (en) * 1997-10-06 1999-11-09 Chen; Hsing Light Emitting Diode planar light source with blue light or ultraviolet ray-emitting luminescent crystal with optional UV filter
US6469322B1 (en) * 1998-02-06 2002-10-22 General Electric Company Green emitting phosphor for use in UV light emitting diodes
US6252254B1 (en) * 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US6255670B1 (en) * 1998-02-06 2001-07-03 General Electric Company Phosphors for light generation from light emitting semiconductors
US6068383A (en) * 1998-03-02 2000-05-30 Robertson; Roger Phosphorous fluorescent light assembly excited by light emitting diodes
US6220725B1 (en) * 1998-03-30 2001-04-24 Eastman Kodak Company Integrating cavity light source
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
CN1227749C (zh) * 1998-09-28 2005-11-16 皇家菲利浦电子有限公司 照明系统
US6429583B1 (en) * 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
US6680569B2 (en) * 1999-02-18 2004-01-20 Lumileds Lighting U.S. Llc Red-deficiency compensating phosphor light emitting device
US6351069B1 (en) * 1999-02-18 2002-02-26 Lumileds Lighting, U.S., Llc Red-deficiency-compensating phosphor LED
TW455908B (en) * 1999-04-20 2001-09-21 Koninkl Philips Electronics Nv Lighting system
US6504301B1 (en) * 1999-09-03 2003-01-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Non-incandescent lightbulb package using light emitting diodes
DK1610593T4 (da) 1999-11-18 2020-05-11 Signify North America Corp Generering af hvidt lys med lysemitterende dioder med forskelligt spektrum
EP1104799A1 (en) * 1999-11-30 2001-06-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Red emitting luminescent material
US6621211B1 (en) * 2000-05-15 2003-09-16 General Electric Company White light emitting phosphor blends for LED devices
WO2002011173A1 (en) * 2000-07-28 2002-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Luminescence conversion based light emitting diode and phosphors for wavelength conversion
JP2002076434A (ja) * 2000-08-28 2002-03-15 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
DE10105800B4 (de) * 2001-02-07 2017-08-31 Osram Gmbh Hocheffizienter Leuchtstoff und dessen Verwendung
US6616862B2 (en) * 2001-05-21 2003-09-09 General Electric Company Yellow light-emitting halophosphate phosphors and light sources incorporating the same
EP1540746B1 (en) * 2002-08-30 2009-11-11 Lumination LLC Coated led with improved efficiency
KR100499129B1 (ko) * 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US6765237B1 (en) * 2003-01-15 2004-07-20 Gelcore, Llc White light emitting device based on UV LED and phosphor blend
US7906790B2 (en) * 2003-06-24 2011-03-15 GE Lighting Solutions, LLC Full spectrum phosphor blends for white light generation with LED chips
TW200512949A (en) * 2003-09-17 2005-04-01 Nanya Plastics Corp A method to provide emission of white color light by the principle of secondary excitation and its product
US7250715B2 (en) * 2004-02-23 2007-07-31 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength converted semiconductor light emitting devices
EP1566426B1 (en) * 2004-02-23 2015-12-02 Philips Lumileds Lighting Company LLC Phosphor converted light emitting device
US7453195B2 (en) * 2004-08-02 2008-11-18 Lumination Llc White lamps with enhanced color contrast
US20070241657A1 (en) * 2004-08-02 2007-10-18 Lumination, Llc White light apparatus with enhanced color contrast
US7575697B2 (en) * 2004-08-04 2009-08-18 Intematix Corporation Silicate-based green phosphors
US7601276B2 (en) * 2004-08-04 2009-10-13 Intematix Corporation Two-phase silicate-based yellow phosphor
US8278816B2 (en) * 2004-09-30 2012-10-02 Global Tungsten & Powders Corp. High CRI electroluminescent lamp
JP2006127798A (ja) * 2004-10-26 2006-05-18 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 照明装置および液晶表示装置
CN100547815C (zh) * 2004-12-24 2009-10-07 株式会社东芝 白色led、背光和液晶显示器
US7564180B2 (en) * 2005-01-10 2009-07-21 Cree, Inc. Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors
US7350933B2 (en) * 2005-05-23 2008-04-01 Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd Phosphor converted light source
EP1894257A1 (en) * 2005-06-23 2008-03-05 Rensselaer Polytechnic Institute Package design for producing white light with short-wavelength leds and down-conversion materials
JP2007081234A (ja) * 2005-09-15 2007-03-29 Toyoda Gosei Co Ltd 照明装置
US7543959B2 (en) 2005-10-11 2009-06-09 Philips Lumiled Lighting Company, Llc Illumination system with optical concentrator and wavelength converting element
US7213940B1 (en) * 2005-12-21 2007-05-08 Led Lighting Fixtures, Inc. Lighting device and lighting method
US7614759B2 (en) * 2005-12-22 2009-11-10 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device
CN101370907A (zh) * 2006-01-16 2009-02-18 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有含Eu的磷光体材料的发光器件
WO2007080555A1 (en) 2006-01-16 2007-07-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Phosphor converted light emitting device
JP4822919B2 (ja) * 2006-04-26 2011-11-24 シャープ株式会社 発光装置および車両用ヘッドランプ
EP2021688B1 (en) * 2006-05-05 2016-04-27 Cree, Inc. Lighting device
CN101460778B (zh) * 2006-06-02 2011-04-27 皇家飞利浦电子股份有限公司 彩色光和白光发光器件
US8080828B2 (en) * 2006-06-09 2011-12-20 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Low profile side emitting LED with window layer and phosphor layer
US7902560B2 (en) * 2006-12-15 2011-03-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Tunable white point light source using a wavelength converting element
KR100793463B1 (ko) * 2006-12-29 2008-01-14 주식회사 포스포 실리케이트계 형광체, 그 제조방법 및 이를 이용한발광장치
JP2008218998A (ja) 2007-02-09 2008-09-18 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
TW200848783A (en) * 2007-02-15 2008-12-16 Lamina Lighting Inc High color rendering index white LED light system using multi-wavelength pump sources and mixed phosphors
WO2008142638A1 (en) * 2007-05-24 2008-11-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Color-tunable illumination system
US8785906B2 (en) * 2007-05-30 2014-07-22 Eastman Kodak Company Lamp with controllable spectrum
CN101680992B (zh) * 2007-06-04 2016-10-19 皇家飞利浦电子股份有限公司 颜色可调的照明系统、灯和照明设备
US7494246B2 (en) * 2007-06-06 2009-02-24 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Thin luminaire for general lighting applications
DE102007037875A1 (de) * 2007-08-10 2009-02-12 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierende Vorrichtung
US9086213B2 (en) 2007-10-17 2015-07-21 Xicato, Inc. Illumination device with light emitting diodes
US7984999B2 (en) 2007-10-17 2011-07-26 Xicato, Inc. Illumination device with light emitting diodes and moveable light adjustment member
TW200938768A (en) * 2008-01-22 2009-09-16 Koninkl Philips Electronics Nv Illumination device with LED and a transmissive support comprising a luminescent material
CN101231244A (zh) * 2008-02-15 2008-07-30 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 高功率发光二极管诱导荧光检测微流控生化分析仪
WO2009107052A1 (en) * 2008-02-27 2009-09-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination device with led and one or more transmissive windows
CN101280893A (zh) * 2008-05-28 2008-10-08 上海飞锐光电科技有限公司 Led红、绿、蓝三色光的双通道合色系统
US8220971B2 (en) * 2008-11-21 2012-07-17 Xicato, Inc. Light emitting diode module with three part color matching
WO2011024818A1 (ja) 2009-08-26 2011-03-03 三菱化学株式会社 白色半導体発光装置
US8104908B2 (en) 2010-03-04 2012-01-31 Xicato, Inc. Efficient LED-based illumination module with high color rendering index

Also Published As

Publication number Publication date
CN107101101A (zh) 2017-08-29
US8408726B2 (en) 2013-04-02
US20120099290A1 (en) 2012-04-26
TWI429852B (zh) 2014-03-11
US8104908B2 (en) 2012-01-31
JP5727524B2 (ja) 2015-06-03
JP2015130362A (ja) 2015-07-16
TW201231881A (en) 2012-08-01
US9835295B2 (en) 2017-12-05
JP2013521617A (ja) 2013-06-10
EP2542821A1 (en) 2013-01-09
WO2011109150A1 (en) 2011-09-09
KR20130019381A (ko) 2013-02-26
CN102869914B (zh) 2016-01-06
TWI565913B (zh) 2017-01-11
CN102869914A (zh) 2013-01-09
KR20160119878A (ko) 2016-10-14
MX2012010239A (es) 2012-10-09
US9068702B2 (en) 2015-06-30
BR112012022323A2 (pt) 2016-08-30
EP3070394A1 (en) 2016-09-21
US20130343034A1 (en) 2013-12-26
CN105570703A (zh) 2016-05-11
EP2542821B1 (en) 2016-05-18
CA2791610A1 (en) 2011-09-09
US20150316218A1 (en) 2015-11-05
US20110216522A1 (en) 2011-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI565913B (zh) 具有高現色性指數之高效率以發光二極體爲基的照明模組
TWI579490B (zh) 以發光二極體為基礎的照明裝置及照明設備
CN104303298B (zh) 白色发光模块
JP6913790B2 (ja) 屋内用光源および照明装置
TWI539116B (zh) 具有優先地照明色彩轉換表面之以發光二極體為基礎之照明模組
JP2021536118A (ja) フルスペクトル白色発光デバイス
CN106133909B (zh) 发出混合光的led模块及其制造方法，以及照明装置
TW201312050A (zh) 具有優先地照明色彩轉換表面之以發光二極體為基礎之照明模組
CN102217107A (zh) 具有三部分色调匹配的发光二极管模块
JP2017502493A (ja) 向上された蛍光増白及び色彩選好のためのランプ
WO2012142279A1 (en) Led-based light sources for light emitting devices and lighting arrangements with photoluminescence wavelength conversion
EP2560218B1 (en) Illumination device
CN103608938A (zh) 半导体发光装置、展示物照射用照明装置、肉照射用照明装置、蔬菜照射用照明装置、鲜鱼照射用照明装置、一般用照明装置和半导体发光系统
KR20180021748A (ko) 고연색성 백색 발광 소자
KR20150143377A (ko) 고연색성 백색 발광 소자
JPWO2019107281A1 (ja) 発光装置および照明装置
CN121013523A (zh) 具有增强色彩质量的白光发光器件

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees