TW201400405A - 從三氟化氮移除污染物的方法及設備 - Google Patents

Abstract

具有10ppm或更低的雜質含量之高純度氟化氮製程流體能藉由使用輻射造成該雜質中的化學鍵解離而生成解離產物並且從而使從該製程流體移除該等解離產物比從該製程流體移除該雜質更容易而有效地獲得。

Description

從三氟化氮移除污染物的方法及設備 相關申請案之相互參照

本案係2012年6月21日申請的申請案序號61/662,698的非臨時案，在此以引用的方式將其揭示內容的全文併入本文。

本發明關於一種從包含三氟化氮及一或更多不想要的組分之流體流移除雜質的有效方法，該一或更多不想要的組分被稱作雜質或污染物，其不容易經由典型、商業上可行的已知分離方法予以分離。典型的污染物可能是小量的四氟化碳。

三氟化氮(NF₃)，其被廣泛用於清潔CVD(化學氣相洎積)裝置或在電子零件製造業中蝕刻半導體，一般係經由使氟(F₂)與氨(NH₃)及/或氨鹽反應製備，或經由氟化銨的直接電解製備。由於在一些電解製程中使用碳電極，如此經由電解獲得的三氟化氮產物流通常含有約每百萬份10至100份(ppm)的四氟化碳(CF₄)雜質。

最近對於超高純度三氟化氮的要求必需使四氟化碳的濃度為10 ppm或更低。

三氟化氮及四氟化碳的沸點非常類似，分別為-129℃及-128℃，相差僅1℃，而且分子大小及極性也類似。因此，非常難以藉由習用工業蒸餾或吸附製程從三氟化氮移除四氟化碳。

在此提供一種用於純化包含三氟化氮及一或更多污染物的製程流體之方法，其包含下列步驟：利用光輻射於該製程流體，其中前述光包含能被前述一或更多污染物吸收的頻率以致於前述一或更多污染物的一或更多化學鍵解離而生成解離產物。在本發明方法之一具體實施例中，於前述製程流體中的一或更多污染物包含CF₄。

在此提供一種用於造成存在於包含三氟化氮的製程流體中的一或更多污染物解離，並且可用於文中描述的任何方法之設備，前述設備包含容器、供前述製程流體進入前述容器用的入口及供前述製程流體排出前述容器用的出口，前述容器也包含供輻射或輻射源用的入口及任意一或更多經對準以反射該輻射的鏡子。輻射源及光源能相互交換使用以表示相同事物，而且輻射及光能相互交換使用以表示相同事物。該容器可附帶地包含供反應物流體用的入口。

具有10 ppm或更低的雜質含量之包含三氟化氮的高純度氟化氮製程流體能藉由使用輻射造成該雜質中的化 學鍵解離而生成解離產物並且藉以使眾所周知的分離方法從該製程流體移除該等解離產物比那些相同方法從該製程流體移除該雜質更容易而有效地獲得。

藉由本發明的方法及設備，本發明的目的在於提供用於從流體移除進質的有效方法。

LS‧‧‧光源

V1‧‧‧容器

P1‧‧‧輸送管

P2‧‧‧輸送管

W1‧‧‧視窗

M1‧‧‧鏡子

M2‧‧‧鏡子

W2‧‧‧視窗

RG1‧‧‧輸送管

10‧‧‧設備

12‧‧‧三氟化氮標的流體

14‧‧‧製程流體

16‧‧‧反應物流體

17‧‧‧鏡子

18‧‧‧紅外光

19‧‧‧鏡子

圖1顯示SF₆、C₂F₆、CF₄及NF₃的紅外線吸收光譜。

圖2舉例說明把碳-氟鍵當作距離的函數的振動能階。

圖3顯示本發明容器之一具體實施例，其係用以依據本發明的方法使標的組合物曝光。

用於半導體加工的製程流體，其包括液流及氣流，由於其製程的結果可能含有雜質或污染物。(能藉由本發明的方法處理之包含雜質的含三氟化氮流在此可稱作“標的流體”、“標的液體”、“標的氣體”或“製程流體”、“製程液體”或“製程氣體”或“流體流”、“液流”或“氣流”。)雜質是製造時的所欲組成，NF₃，以外的任何原子或分子。關於半導體製造，這些雜質的濃度必須維持於痕量(例如，每百萬份10份(ppm)或更低，或8 ppm或更低，或5 ppm或更低，或1 ppm或更低)。該措辭“所欲的製程流體”、“所欲的製程液體”或“所欲的製程氣體”表示僅包含NF₃且沒有雜質或雜質於或低於痕量的 流體流。)

該等雜質可能經由用於製造該製程流體的製程的原料中之其一引進該製程流體。或者，雜質可能經由用以製造該製程流體(三氟化氮)的製程透過原料間的副反應產生或經由與用於製造NF₃的構成材料的反應產生。再者，儘管不常見，但是該等雜質可能經由製造時、儲備時或運送容器時的滲入，或在移至或移出製造反應器或容器或移入或移出儲備容器或移入或移出運送容器的期間引進。

無論雜質的源頭為何，當該製程流體用以製造電子裝置例如半導體、薄膜電晶體(TFTs)、光伏打裝置(PV)及電路等時其均為該製程流體不想要的。電子裝置的效能或製造良率均會由於雜質存於該製程流體中而降低。因此電子裝置的製造廠商規定雜質在該等製程流體中非常低的可接受濃度，舉例來說低於10 ppm或上述其他量。

雜質能使用許多分離技術從製程流體移除，舉例來說，氣體，該分離技術包括低溫蒸餾、物理吸附、膜輸送、化學反應或化學吸附。這些純化方法乃眾所周知。該分離或純化方法通常要求該製程流體的雜質及所欲組分具有不同物理或化學性質。物理性質的實例包括沸點及分子量。化學性質的實例係與另一材料的反應性，舉例來說，可燃性或水解作用。

當製程氣體的雜質及所欲組分具有類似的物理和化學性質時，藉由低溫蒸餾、物理吸附、膜輸送或化學吸附分離或純化變得非常困難而且沒有效率。本發明提供一種 根據該製程流體中的NF₃與一或更多雜質的光學性質差異從三氟化氮製程流體分離雜質的方法。能用於從所欲的流體流移除污染物的目的之光學性質是能被該製程流體中的所欲組分與一或更多雜質吸收的光波長的差異。舉例來說，關於把CF₄當作雜質的NF₃製程流體流，CF₄與NF₃的紅外線(IR)吸收差異能用以從該製程流體中的NF₃移除CF₄。

接下來利用紅外線輻射的描述並非意謂著限制。咸了解可能位於光譜不同區域中的不同光波長均可用以造成包含一或更多所欲組分的製程流體中的一或更多雜質之鍵的解離。光的波長(或頻率)的選擇取決於造成存在於該製程流體中的污染物解離所必須者為何。在該製程流體包含NF₃而且雜質是CF₄的本發明實例中，在下文中把紅外線輻射描述為可用於該製程中。

輻射的吸收，舉例來說，分子引起的紅外線輻射激發其一或更多振動模式。典型地，該分子僅從振動基態(v=0)激發到第一激發態(v=1)，並且接著與其他分子碰撞造成該分子鬆弛(返回)其振動基態。然而，若該分子在該分子能鬆弛之前被激發超過化學鍵吸收能量的解離極限，則該鍵被打斷而且該分子分裂。此技術叫做紅外線多光子解離(IRMPD)，因為許多光的光子必定會被吸收而激發該分子超過其解離水平。在該分子鬆弛到振動基態之前需要強光，舉例來說來自一或更多雷射或來自一或更多其他高能量光源，來激發該分子。(如上所述，分子間碰撞造成該分子鬆弛，所以有時滯(time element)傳送足夠能量以造成解離而且因此較佳在短時期內 傳送高能量光)。

若存在於該製程流體中的雜質吸收(舉例來說，紅外線)具有與該製程氣體中的一或更多所欲組分不同頻率的輻射，接著能藉由提供具有與該雜質的振動模式相同頻率的光而選擇性地激發該雜質。

本發明提供用於選擇性激發標的製程流體中的雜質之振動模式的方法及設備。該雜質可藉由選擇並且使用具有該雜質吸收的光譜(例如該紅外線光譜)區中的頻率之單色光源(也就是說，在窄波長光譜中發光的光源)而激發超過該鍵解離極限。另一方面，包括該製程氣體中的NF₃的一或更多所欲組分較佳對於具有該頻率的光源透明而且從而不會被該光源振動地激發。

最可能藉由本發明的方法移除的污染物類似是具有不會與該製程流體的所欲組分的任何吸收重疊的非常強紅外線吸光度者。

在一具體實施例中，本發明的方法透過四氟化碳的移除純化被痕量四氟化碳污染的氣態三氟化氮。本發明提供能從初始濃度高於10 ppm的四氟化碳存於其中的三氟化氮流製備四氟化碳含量低於10 ppm的超高純度三氟化氮之有效方法。

在一具體實施例中，CF₄係利用紅外線多光子解離(IRMPD)選擇性地分解。如圖1所示，CF₄具有介於1250至1300 cm^-1的紅外線輻射的強烈吸收，而且由於C-F鍵拉伸模式使最大吸收於大約1275 cm^-1(7.8 μm)。藉由吸收許多光 子，該C-F振動能被激發超過該鍵的解離極限。要使一莫耳CF₄中的C-F鍵解離，該CF₄必須得吸收至少130 kcal/mole。圖2顯示該C-F鍵在解離之前的不同振動狀態。由於非諧波，所以該等振動能階可能非等間隔而且可能需要或偏好二或更多光源使該C-F鍵解離，其取決該等光源的連貫性及CF₄振動狀態的密度。舉例來說，有用於本發明的方法的雷射可具有一或更多介於1250至1300 cm^-1的波數，較佳地大多數能量係於或接近1275 cm^-1。

高效率能利用多通單元達成，其係如圖3所示光在其中或通過其中反射多於一次的容器而且將在下文中更詳細地加以描述。NF₃具有強烈紅外線吸收(圖1)但是波長(波數900 cm^-1，相當於波長11.1 μm)比CF₄更長。經由挑選一或更多1275 cm^-1(7.8 μm)的光源，或大多數能量聚焦於1275 cm^-1的一或更多光源，使該C-F鍵被選擇性地激發而不是損失於NF₃吸收。

此數量的能量可藉由單一非常強有力的光源，或多重光源提供。該光可同時由按照連續或脈衝模式的多重光源或連續和脈衝光源的組合提供。在此具體實施例，IRMPD必需在該分子透過分子間碰撞鬆弛到振動基態以前使該C-F鍵被激發到超過其解離水平。不用連續光源，舉例來說，可使用Q-開關以高峰能量使雷射脈動。產生>10 W的7.8 μm光的較佳方法是使用非線性策略(例如，光學參變振盪器(optical parametric oscillator)，OPO)。其他能使用的雷射來源包括量子級聯雷射(quantum cascade laser)。其他能使用的雷射是CO₂ 雷射及其他氣體雷射。其他光源包括準分子雷射。來自數個雷射及/或數類雷射的光能經由鏡子、透鏡及聚光器使用及/或集中。

於減壓下操作，也就是說，於低於大氣壓力的壓力(例如，低於13,000帕斯卡，或低於5000帕斯卡，或低於1,300帕斯卡(<10托耳)或低於500帕斯卡或介於5,000至500帕斯卡)下操作將降低該分子碰撞頻率並且藉以增加經振動激發的分子鬆弛到基態所需的時間。藉著於減壓下使用IRMPD因此改善了自該製程氣體分離雜質時被吸收的光之效率。在超高真空(UHV)條件作用之下，舉例來說於低於大約500 X 10^-6帕斯卡或低於大約500 X 10^-7帕斯卡的壓力下，該CF₄不會經歷造成振動鬆弛到基態的碰撞。藉著使含有該CF₄流體的NF₃離子化並且接著將該經離子化之含有該CF₄流體的NF₃限制於舉例來說離子迴旋共振(ICR)單元中，用於使該經激發的CF₄分子鬆弛到其基態的時間延長，舉例來說，到大約1秒(若於5000帕斯卡從小於大約10^-7秒)。因此，於UHV下及於ICR單元中，能使用較低能量的雷射使該CF₄解離。

由於該IRMPD的結果，使離質解離成可能是氣體自由基而非穩定副產物的解離產物。在CF₄的案例中使其解離成CF₃及F(解離產物)。反應物流體(亦即液體或氣體)能供用以將IRMPD產生的自由基轉化為一或更多穩定分子，該一或更多穩定分子可能藉由常見的分離技術更輕易地自所欲的製程流體分離；然而，選擇該反應物流體時必須小心以便不會經由該反應物流體(例如氣體)將其他污染物引進該製程 流體。若使用的話，該反應物流體可在對該CF₄輻射以前加於該容器以便使其與生成的自由基起反應。

該CF₃和F自由基，該CF₄(在該NF₃製程流體中的)的紅外線多光子解離的解離產物，能與水(超純水)(H₂O)(該反應物流體)反應而生成HF(反應物產物)，隨後該HF能藉由，舉例來說，蒸餾或吸附法自該NF₃移除。碳原子也會與濕氣或氧(反應物流體)反應而生成CO₂(反應產物)。H₂O及O₂及CO₂可藉由，舉例來說，蒸餾或吸附自NF₃分離。或者，該等CF₃自由基可能聚合成寡聚物並且留在該氣體中(解離副產物，例如，C₂F₆、C₂F₄)或該CF₃和F自由基可吸附或凝聚於該容器V1的表面上。要移除該等解離產物或解離副產物殘餘物可能必須周期性地清潔該容器；但是，希望已經完成自該製程流體移除污染物。(當解離產物反應時生成解離副產物。)其他可用於本發明的方法的反應物流體(除了水以外)包括甲醇、乙醇及醇、過氧化氫、氧、臭氧、氫、CO₂、CO、NO、N₂O和NO₂及其混合物。為了避免其他污染物引進該NF₃製程流體，較佳為超純反應物流體。

圖3顯示可用於實行本發明的設備之具體實施例。該設備10包含光源LS及容器V1具有至少一輸入入口、供來自NF₃流體來源(未顯示)之具有CF₄的NF₃標的流體(製程流體)用的導管或輸送管(P1)及至少一輸出出口、供排出流體(也就是說，排出該容器V1用之已經經過光處理的氣體)用的導管或輸送管(P2)。按照箭頭12的方向經由輸入導管P1把該三氟化氮標的流體引進該容器V1。該標的流體的流速及 壓力係利用閥、流量控制器、壓力轉換器、真空泵、整流器及其他普通熟悉此技藝者已知的壓力或流量控制機構中的一或更多者來控制而且因此沒顯示。選擇該雜質，CF₄，進出該容器V1的流速(其係該製程流流速的濃度分率)及於該容器V1中的標的流體的滯留時間使該光源的功率(瓦)足以把雜質移除至低於標的濃度(例如10 ppm)。使來自光源LS的紅外光18通過視窗W1引進該反應容器V1並且從鏡子M1及接著M2反射，並且接著在通過視窗W2離開該容器V1之前再從M1反射。鏡子M1及M2位於該容器V1的相反端。鏡子M1係位於光引入端。鏡子M1及M2的幾何形狀經挑選以致於該容器內有至少一次或至少二次或更多次光的反射，以便使光橫過該容器的長度或寬度反射至少二次或至少三次或至少四次或更多次。儘管該容器V1內僅顯示2鏡子，但是為了反射通過該容器內側的製程流體的光能裝設多數於不同角度的鏡子。藉由使光通過該容器反射多次，在該容器內的光的有效路徑長度長到足以讓光被存在於該製程流體中的雜質充分吸收。(在進入該容器V1以前及離開該容器V1以後，光的方向可藉由任意鏡子17及19來調整。)

如圖3所示，任意反應物流體可在該輻射步驟之前，期間或之後通過導管或輸送管RG1引進該容器V1。該反應物流體的流動係由箭頭16來顯示。挑選該反應物流體以在該雜質已經被光源解離之後與該雜質(也就是說，該雜質分子)的解離產物反應。如上所述，有用反應物的實例包括H₂O、O₂、CO₂、CO、NO、N₂O、NO₂、H₂、甲醇、乙醇、醇、過氧 化氫、臭氧及其混合物。

圖3所示的設備可用於批次製程，其中在使該標的流體泵抽或流入該容器依照壓力感測器(沒顯示)或經由質量或體積流量控制器所偵測的達到該容器V1中所欲的壓力之後關閉在管路(導管)P1上的閥(沒顯示)。或者，圖3的設備可能按照流動模式使用，其中有經由管路P1進入該容器的製程流體連續流，及經由管路P2排出該容器V1的經處理的製程流體連續流。

該容器可由鋁及不銹鋼或其他與該製程流體沒反應性的金屬構成。該等視窗可由鹽類例如KBr、NaCl、ZnSe或其他對紅外光透明的已知材料，舉例來說其他用於構成雷射視窗的材料構成。該等鏡子係由具有高紅外線反射性的材料製造，例如，銀、鋁、金及鎳。

在該設備的替代具體實施例(沒顯示)中，連續流動反應器的形狀可為管形而且該管可對一或更多外來光源的波長透明，該一或更多外來光源係經聚焦以通過該管式流動反應器壁並且流過那裏進入標的製程流體。該管可在該管四周的所有去路均為透明或其可具有一可在管長依照流動方向途中的視窗部件。該標的製程流體將會流過該管式反應器的引入端並且在藉由光處理之後流出該標的製程流體的排出端，前述引入端及排出端通常在該反應器的相反端。在此具體實施例中，光將會進入該反應器並且反射回來並且之後依照實質上垂直該標的氣體流動的方向橫越該管。一或更多鏡子可如上述方式使用以使光通過該標的流體反射多次。該等 鏡子可為圓柱造形並且位於該管的內側或外側，其取決於該管有多大的面積對該光為透明。該光的出口可任意裝設。

前述清潔步驟可在將該製程氣體引進光處理用的處理容器之前發生。在一些具體實施例中，此清潔可集中該雜質以改善移除作用或降低流體流速。該清潔步驟可將該雜質轉化為另一藉由本發明的方法及設備更有效率移除的分子。此預先步驟也可在該製程流體藉由本發明的光解反應或輻射步驟處理以前透過其他移除方法例如熱處理、蒸餾、吸附或膜分離移除一或更多其他雜質。當該反應物添加並且與該標的流體混合時該預清潔步驟可排在進入該光處理容器之前。本發明也考慮移除此方法產生的副產物的後處理清潔步驟。該後處理清潔步驟可包括混合該經處理的製程流體與反應物流體。其也可或選擇性地包括，熱處理、蒸餾、吸附或膜分離以移除該等解離產物及/或為了與該等解離產物反應所添加的反應物流體的過量部分及/或該反應物流體與解離產物的產物。

在調設設備及方法之前的其他製程步驟包括：測定該一或更多污染物及移除所需的量及該一或更多污染物吸收該光光譜上的輻射的頻率，及該製程流體所欲的一或更多污染物吸收的輻射波長；測定什麼樣的光源(例如雷射)與鏡子或其他能量集中器搭配能提供於最低必需功率或所欲功率(通量)下的必需波長，及在什麼樣的模式連續或脈動供應輻射給該製程流體；測定該容器艙大小及/或曝光時間以確定吸收足以使該雜質解離的輻射；測定該製程流通過該艙的流動類 型，批次、半連續或連續流動；及/或測定該等解離產物及從該製程流體分離該等解離產物可能需要什麼樣的附帶步驟。依據該製程流體及其污染物，可能必須進行上述其他步驟，任意在利用輻射處理該製程流體之前或之後。當本發明順應特定三氟化氮製程流時該反應容器及方法的操作條件可由普通熟悉此技藝者決定。

實施例1.

利用波數為1275 cm^-1的光照射含有CF₄雜質的NF₃氣體。光源是多數量子級聯雷射(QCL)例如來自Alpes Lasers(瑞士，Neuchatel)並且經聚焦以提供高於10 J/cm²的通量者。該含有CF₄雜質的NF₃氣體常常裝載於氣體容器例如由CIC Photonics(新墨西哥州，Albuquerque)製造並且具有大約2 L的容量的白色單元(長徑氣室)。該容器的視窗對於紅外光例如由溴化鉀(KBr)製造的紅外光透明。該含有CF₄雜質的NF₃氣體常常利用質流控制器供應給該容器而且該容器中的壓力利用真空泵(例如由Edwards製造)及壓力控制閥(例如由麻薩諸塞州，安多佛的MKS製造)保持於500 Pa。製程順序大概是把該氣體容器抽空至低於5 Pa的壓力，接著隔離該氣體容器與該真空泵。濕氣係引進該氣體容器到10 Pa的偏壓。接著以該含有CF₄雜質的NF₃氣體填充該氣體容器到500 Pa的總壓並且以多數QCL裝置照射直到測得的CF₄濃度低於10 ppm。該NF₃氣體係利用真空泵從該氣體容器移除並且轉移至儲存容器。不斷重複進行此製程順序以處理該含有CF₄雜質 的NF₃氣體。於該儲存容器中的NF₃氣體常常接著經由低溫蒸餾來純化以移除副產物例如HF。

實施例2.

NF₃製程氣體中所含的CF₄雜質係藉由在接近無碰撞的情況之下利用涉及捕獲離子迴旋共振(ICR)光譜學的技術照射該製程氣體而解離。量子級聯雷射(QCL)例如來自Alpes Lasers者(瑞士，Neuchatel)可用於照射。該光源具有1275 cm^-1的波數及10 W cm^-2的強度。該量子級聯雷射(QCL)的輸出常常橫過磁場通過92%透明篩網聚焦以照射在ICR單元來源區中的離子。對準的6 mm直徑紅外線束藉由底板上的鏡面通過該來源區反射回來。使電子束脈動(10 ms期間)以產生接下來可儲存數秒的離子物種，在此期間發生CF₄雜質的解離。含有CF₄製程氣體的中性NF₃的壓力是133 x10^-7至133x10^-6 Pa，而且中性粒子密度為3X10⁹至3X10¹⁰個分子/cm³而且離子密度為10⁵個離子/cm³。製程順序常常把該含有CF₄雜質的NF₃引進該ICR單元並且使電子束脈動以產生CF₄離子，同時以該QCL光源照射以使該CF₄解離成CF₃及F自由基而與該ICR單元的表面反應。該ICR單元必須周期性地加以清潔以移除該單元表面上的殘餘物。

儘管本發明已經關聯以上的特定具體實施例加以描述，但是理應明白熟悉此技藝者可對本發明做出多種不同修飾及變換，而那些也都在後附申請專利範圍所界定的範疇以內。

LS‧‧‧光源

V1‧‧‧容器

P1‧‧‧輸送管

P2‧‧‧輸送管

W1‧‧‧視窗

M1‧‧‧鏡子

M2‧‧‧鏡子

W2‧‧‧視窗

RG1‧‧‧輸送管

10‧‧‧設備

12‧‧‧三氟化氮標的流體

14‧‧‧製程流體

16‧‧‧反應物流體

17‧‧‧鏡子

18‧‧‧紅外光

19‧‧‧鏡子

Claims (20)

1. 一種用於純化包含三氟化氮及一或更多污染物的製程流體之方法，其包含下列步驟：利用光輻射於該流體，其中前述光包含能被前述一或更多污染物吸收的頻率以致於前述一或更多污染物的一或更多化學鍵解離而生成一或更多解離產物。
2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中於前述製程流體中的一或更多污染物是CF₄。
3. 如申請專利範圍第1項之方法，其另外包含使前述製程流體流過一容器的步驟，在此步驟期間發生該輻射步驟。
4. 如申請專利範圍第1項之方法，其另外包含在該輻射步驟以前使一實測量的前述製程流體流入一容器，進行前述輻射步驟並且接著使前述製程流體流出前述容器艙的步驟。
5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中在前述輻射步驟的期間，前述製程流體係於低於大氣壓力。
6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中在前述輻射步驟的期間，前述製程流體係於低於13,000帕斯卡。
7. 如申請專利範圍第2項之方法，其中前述光包含一或更多 介於1250與1300 cm^-1之間的波數。
8. 如申請專利範圍第7項之方法，其中該等波數大多數係於1275 cm^-1。
9. 如申請專利範圍第1項之方法，其中於前述輻射步驟中的光係由一或更多選自由光學參變振盪器(optical parametric oscillator)、量子級聯雷射(quantum cascade laser)、CO₂雷射、氣體雷射及準分子雷射所組成的群組之光源提供。
10. 如申請專利範圍第1項之方法，其另外包含在前述輻射步驟之前，期間或之後引進一反應物流體以與前述一或更多解離產物反應生成一或更多反應物產物的步驟。
11. 如申請專利範圍第1項之方法，其另外包含從前述製程流體流分離前述一或更多解離產物的步驟。
12. 如申請專利範圍第10項之方法，其另外包含從前述製程流體流分離前述一或更多反應物產物的步驟。
13. 如申請專利範圍第1項之方法，其另外包含在前述輻射步驟之後的分離步驟，該分離步驟係選自由蒸餾、吸附、膜分離及化學反應所組成的群組。
14. 如申請專利範圍第10項之方法，其中前述反應物流體係選自由H₂O、O₂、CO₂、CO、NO、N₂O和NO₂、H₂、甲醇、乙醇、醇、過氧化氫、臭氧及其混合物所組成的群組。
15. 如申請專利範圍第10項之方法，其中該等解離產物包含CF₃、F或CF₃及F自由基。
16. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該等解離產物係與H₂O反應生成HF。
17. 如申請專利範圍第1項之方法，其中前述解離產物及解離副產物吸附或凝聚於容器表面上而且前述方法另外包含清潔該容器以移除該等解離產物或副產物的步驟。
18. 如申請專利範圍第15項之方法，其中前述解離產物CF₃反應生成寡聚物。
19. 一種用於造成存在於包含三氟化氮的製程流體中的一或更多污染物解離之設備，前述設備包含容器、供前述製程流體進入前述容器用的入口及供前述製程流體排出前述容器用的出口，前述容器也包含供光及一或更多光源用的入口。
20. 如申請專利範圍第19項之設備，其中前述一或更多光源提供帶有一或更多介於1250與1300 cm^-1之間的波數的光。