TW201409626A

TW201409626A - 半導體封裝結構及其散熱件

Info

Publication number: TW201409626A
Application number: TW101129860A
Authority: TW
Inventors: 賴清文; 陳建志; 賴裕庭; 黃承文
Original assignee: 矽品精密工業股份有限公司
Priority date: 2012-08-17
Filing date: 2012-08-17
Publication date: 2014-03-01
Also published as: TWI479615B; CN103594429B; CN103594429A

Abstract

一種半導體封裝結構，其包括承載件上設有半導體元件與散熱件，以令該散熱件與該承載件之間形成容置空間，使該半導體元件位於該容置空間中，該散熱件具有引通道，且該引通道係具有連通該容置空間之穿孔與凹陷結構，該凹陷結構係連結該穿孔之孔壁，藉以當封裝膠體形成於該容置空間與該凹陷結構中以包覆該半導體元件時，能防止於該穿孔周圍發生溢膠，並且可提高效率散熱。本發明復提供該散熱件。

Description

半導體封裝結構及其散熱件

本發明係有關一種半導體封裝結構，尤指一種具散熱件之半導體封裝結構及其散熱件。

在現行之半導體封裝結構之散熱技術中，常於結構外側設置散熱件，以藉由該散熱件與空氣接觸而作為散熱途徑，如第1圖所示之半導體封裝結構1，其具有一封裝基板10、設於該封裝基板10上之一半導體元件11、設於該封裝基板10上以覆蓋該半導體元件11之散熱件12、以及包覆該半導體元件11及散熱件12側部之封裝膠體13。其中，該散熱件12具有一中央直通孔120，以令該封裝膠體13經由該中央直通孔120填入該散熱件12內側以包覆該半導體元件11。

然而，習知半導體封裝結構1之製法中，該封裝膠體13包覆該散熱件12側部，致使該散熱件12之部分面積無法與空氣接觸，導致散熱效果差。

再者，藉由該中央直通孔120作為灌膠途徑，容易發生溢膠之問題。

第2A至2B圖係為習知半導體封裝結構2之製法的剖視示意圖。如第2A圖所示，設置一半導體元件21於一導線架20上，再設置一散熱件22於該導線架20上以覆蓋該半導體元件21；接著，設置一模具24以包覆該導線架20與散熱件22。

其中，該散熱件22具有一中央直通孔220及位於周圍之下尖孔221，該中央直通孔220與該模具24之灌膠道243結合成一漏斗狀，以利於該封裝膠體23經由該中央直通孔220填入該散熱件22內側以包覆該半導體元件21，而能均勻且快速地完成灌膠，並藉由該下尖孔221可於灌膠時減輕模內壓力。再者，該模具24係具有三個模件240,241,242，且各該模件240,241,242之間需有間隙，以排出該封裝膠體23中之氣體。

如第2B圖所示，形成封裝膠體23以包覆該半導體元件21之後，再移除該模具24。因該封裝膠體23完全封在該散熱件22內，使該散熱件22外側能完全與空氣接觸，因而能有效散熱。

然而，習知半導體封裝結構2之製法中，因各該模件240,241,242之間具有間隙，致使當進行灌膠時，會於各該模件240,241,242之間的界面處發生溢膠之問題，故於脫模後，該半導體封裝結構2之表面處會有殘膠K。

第3A至3B圖係為習知半導體封裝結構3之示意圖。該半導體封裝結構3具有一封裝基板30、設於該封裝基板30上之一半導體元件31、設於該封裝基板30上以覆蓋該半導體元件31之散熱件32、以及包覆該半導體元件31及散熱件32側部之封裝膠體33。

其中，該散熱件32之中央具有一碗型孔330，以令該封裝膠體33經由該碗型孔330填入該散熱件32內側以包覆該半導體元件31，且該散熱件32之四個角落具有通孔 331，當封裝時，該封裝膠體33中之氣體可由該些通孔331逸出，以避免於該封裝膠體33中產生空洞(void)現象。

然而，習知半導體封裝結構3之製法中，該碗型孔330之孔壁外表面320a係為平整弧面，故該封裝膠體33將順勢朝該些通孔331流動，致使於該些通孔331處容易溢膠，因而造成該封裝膠體33之浪費。

再者，該封裝膠體33係包覆該散熱件32側部，致使無法完全排除空洞(void)現象，以致於無法有效散熱。

第4A至4B圖係為習知半導體封裝結構4之製法的剖視示意圖。如第4A圖所示，設置一半導體元件41於一封裝基板40上，再設置一散熱件42於該封裝基板40上以覆蓋該半導體元件41，且該散熱件42具有一中央上尖孔421。接著，設置一模具44以包覆該封裝基板40與散熱件42，使封裝膠體43由側面填入該散熱件42內。

如第4B圖所示，該封裝膠體43包覆該半導體元件41。當進行側面灌膠模壓製程時，可藉由該中央上尖孔421將該封裝膠體43中之空氣排出，並可防止爆米花效應(popcorn effect)及改進封裝結構可靠性。

惟，習知半導體封裝結構4之製法中，藉由側面灌膠之方式，其灌膠效率不好，且因該中央上尖孔421之設計導致模內壓力不均勻，並容易於該中央上尖孔421處發生溢膠之問題。

因此，如何克服上述習知技術的種種問題，實已成目前亟欲解決的課題。

鑑於上述習知技術之種種缺失，本發明提供一種散熱件，係包括：本體，係具有引通道、相對之第一表面與第二表面，該引通道係具有穿孔與凹陷結構，該穿孔係具有孔壁、與該第一表面同側之第一孔端、及與該第二表面同側之第二孔端，且該穿孔係令該第一與第二表面相互連通，並且該凹陷結構係連結該穿孔之孔壁周圍；以及支撐部，係設於該本體上並向外延伸。

本發明復提供一種半導體封裝結構，係包括：承載件；半導體元件，係設置並電性連接於該承載件上；如前述之散熱件，係以其支撐部設於該承載件上，以令該散熱件與該承載件之間形成容置空間，使該半導體元件位於該容置空間中，且該穿孔與該凹陷結構係連通該容置空間，又該本體之第一表面與該穿孔之第一孔端係遠離該承載件，而該本體之第二表面與該穿孔之第二孔端係靠近該承載件；以及封裝膠體，係形成於該容置空間與該凹陷結構中，以包覆該半導體元件。

前述之散熱件及半導體封裝結構中，該支撐部係具有腳端，以置於一承載面(或承載件)上。

前述之散熱件及半導體封裝結構中，該第一孔端之孔徑係大於該第二孔端之孔徑。

前述之散熱件及半導體封裝結構中，該穿孔之第一孔端係凸伸於該本體之第一表面，而該凹陷結構係具有連通該本體第二表面之開口，且該開口底部連結該穿孔之第一孔端周圍。

前述之散熱件及半導體封裝結構中，該凹陷結構係與該穿孔之孔壁為一體，且該凹陷結構與該穿孔之孔壁係為階梯狀、曲折面狀或曲面狀。

另外，前述之散熱件及半導體封裝結構中，該穿孔之第一孔端與第二孔端係分別凸伸於該第一表面與該第二表面，該凹陷結構之一部分係具有連通該第二表面之開口，且該開口底部連結該穿孔之第一孔端周圍，而另一部分係與該穿孔之孔壁為一體，且該凹陷結構與該穿孔之孔壁係為階梯狀、曲折面狀或曲面狀。

由上可知，本發明之半導體封裝結構及其散熱件，係藉由該散熱件之引通道的設計，令該凹陷結構作為緩衝膠體流動之設計，以抑制溢膠，而避免於該穿孔處發生溢膠問題。

以下藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方式，熟悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地瞭解本發明之其他優點及功效。

須知，本說明書所附圖式所繪示之結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示之內容，以供熟悉此技藝之人士之瞭解與閱讀，並非用以限定本發明可實施之限定條件，故不具技術上之實質意義，任何結構之修飾、比例關係之改變或大小之調整，在不影響本發明所能產生之功效及所能達成之目的下，均應仍落在本發明所揭示之技術內容得能涵蓋之範圍內。同時，本說明書中所引用之如“上”、“下”、“第一”、“第二”及“一”等之用語，亦僅為便於敘述之明瞭，而非用以限定本發明可實施之範圍，其相對關係之改變或調整，在無實質變更技術內容下，當亦視為本發明可實施之範疇。

第5A至5B圖係為本發明之半導體封裝結構5之第一實施例之製法的剖面示意圖。

如第5A圖所示，設置一半導體元件51於一承載件50上並電性連接該承載件50，再結合一散熱件52於該承載件50上，以覆蓋該半導體元件51。

所述之散熱件52具有一本體52a、設於該本體52a邊緣之複數支撐部52b、及設於該本體52a中央處之一引通道52c，該支撐部52b係結合於該承載件50上，以令該本體52a與該承載件50之間形成一容置空間S，使該本體52a位於該半導體元件51上方。該引通道52c係具有一上下貫穿之穿孔520與連結該穿孔520之孔壁520c外表面之凹陷結構521，該穿孔520與凹陷結構521均連通該容置空間S。

於本實施例中，該承載件50係為封裝基板、其它半導體元件或導線架，但並不限於上述，且該半導體元件51係藉由如銲線510或導電凸塊(圖略)電性連接該承載件50。該散熱件52之材質可為銅、鋁、合金或其它高導熱材。

再者，該引通道52c係為凸狀體，而該穿孔520係具有遠離該承載件50之第一孔端520a與靠近該承載件50之第二孔端520b，且該第一孔端520a之孔徑大於該第二孔端520b之孔徑。

又，該穿孔520之第一孔端520a係朝相對該承載件50之方向(即朝上)凸伸，令該引通道52c凸於該本體52a表面(即朝相對該承載件50之方向凸伸)，且該凹陷結構521係具有朝該承載件50方向之開口521a，以令該凹陷結構521連通該容置空間S，並且該開口521a底部521b連結該穿孔520之第一孔端520a周圍。

另外，該支撐部52b係具有腳端523，以令該支撐部52b藉由該腳端523置於該承載件50上。

於其它實施例中，該散熱件52可不具有前述之支撐部52b，亦即以其它支撐結構取代該支撐部52b，只要能將該散熱件52之引通道52c設於該半導體元件51上方即可。

如第5B圖所示，經由該穿孔520，將封裝膠體53填入該容置空間S中，以包覆該半導體元件51，且該封裝膠體53復形成於該凹陷結構521中。

於本發明之製法中，係藉由該凹陷結構521之設計以避免發生溢膠。具體地，當進行封裝製程時，因該穿孔520之孔壁520c外表面(即該第一孔端520a外表面)係連結該凹陷結構521，故該封裝膠體53填充至該本體52a下表面後，該封裝膠體53會流至該穿孔520中，同時亦會填入該凹陷結構521中，以緩衝該封裝膠體53之溢膠量。因此，該封裝膠體53雖會充填於該穿孔520中，但受限於該凹陷結構521之充填空間，故能避免於該穿孔520處發生溢膠。

再者，於本實施例中，該封裝膠體53於該穿孔520 中之高度h2係低於該封裝膠體53於該凹陷結構521之高度h1，而於其它實施例中，該高度h2可大於或等於該高度h1。另外，該封裝膠體53之材質係含環氧樹脂。

又，如第5C及5D圖所示，於另一實施態樣中，該散熱件52’之本體52a上具有凸起部522，且該凸起部522可形成於該本體52a之邊緣(如環狀)或依需求設計。於模壓製程時，藉由該凸起部522止擋該封裝膠體53覆蓋該本體52a上側中間，使該封裝膠體53形成於該散熱件52之側面，即包覆該支撐部52b，以避免影響該本體52a之散熱效果。

第6圖係為本發明之半導體封裝結構6之第二實施例的剖面示意圖。本實施例與第一實施例之差異僅在於散熱件之結構，其它相同製程與結構不再贅述。

如第6圖所示，該引通道62c之穿孔620之第二孔端620b係朝該承載件50方向(即朝下)凸伸，令該引通道62c位於該容置空間S中，且該凹陷結構621係與該穿孔620之孔壁620c為一體，而該凹陷結構621與該穿孔620之孔壁620c係為階梯狀。

再者，該封裝膠體53經由該穿孔620填入該容置空間S與該凹陷結構621中，以包覆該半導體元件51。

又，於另一態樣中，該凹陷結構621與該穿孔620之孔壁620c亦可為曲面狀或曲折面狀，且所述之曲面狀可為弧面或滑梯面(即底部為平面)。

於本發明之製法中，係藉由該引通道62c位於該容置空間S中之設計，並藉由階梯狀結構(即該凹陷結構621)以增加溢膠之難度，而能有效抑制溢膠發生。

再者，於本實施例中，該封裝膠體53於該穿孔620中之高度h2係等於該封裝膠體53於該凹陷結構621之高度h1，而於其它實施例中，該高度h2可大於或小於該高度h1。

第7圖係為本發明之半導體封裝結構7之第三實施例的剖面示意圖。本實施例係結合第一與第二實施例之散熱件之結構，其它相同製程與結構不再贅述。

如第7圖所示，該引通道72c之穿孔720之第一孔端720a與第二孔端720b係分別朝該承載件50方向(即朝下)與相對該承載件50之方向(即朝上)凸伸，令該引通道72c之一端位於該容置空間S中，而另一端凸於該本體72a表面(即朝相對該承載件50之方向凸伸)，且該凹陷結構721之一部分(即下部)係與該穿孔720之孔壁720c為一體，並且該凹陷結構721與該穿孔720之孔壁720c係為階梯狀721’、曲折面狀或曲面狀(圖略)，而另一部分(即上部)係具有連通該容置空間S之開口721a，且該開口721a底部721b係連結該穿孔720之第一孔端720a周圍。

於本發明之製法中，係藉由該引通道72c之凹陷結構721(即該開口721a與階梯狀721’)之設計，可有效抑制溢膠，使灌膠效率更好、作業時間短，且不會發生溢膠問題。

再者，於本實施例中，該封裝膠體53於該穿孔720 中之高度h2係高於該封裝膠體53於該凹陷結構721之高度h1，而於其它實施例中，該高度h2可小於或等於該高度h1。

本發明復提供一種半導體封裝結構5,6,7，係包括：一承載件50、設置於該承載件50上之一半導體元件51、設於該承載件50上之一散熱件52,62,72、以及包覆該半導體元件51之封裝膠體53。

所述之半導體元件51係電性連接該承載件50。

所述之散熱件52,62,72係與該承載件50之間形成形成一容置空間S，使該半導體元件51位於該容置空間S中，該散熱件52,62,72之本體52a,62a,72a具有一引通道52c,62c,72c，且該引通道52c,62c,72c係具有連通該容置空間S之一穿孔520,620,720與凹陷結構521,621,721，該穿孔520,620,720係具有孔壁520c,620c,720c、遠離該承載件50之第一孔端520a,620a,720a與靠近該承載件50之第二孔端520b,620b,720b，而該凹陷結構521,621,721係連結該穿孔520,620,720之孔壁520c,620c,720c外表面並連通該容置空間S。

再者，該散熱件52,62,72復具有設於該本體52a,62a,72a邊緣並向外延伸之支撐部52b,62b,72b，且該支撐部52b,62b,72b係結合於該承載件50上，以令該本體52a,62a,72a與該承載件50之間形成該容置空間S。

又，該第一孔端520a,620a,720a之孔徑係大於該第二孔端520b,620b,720b之孔徑。

所述之封裝膠體53係形成於該容置空間S與該凹陷結構521,621,721中。

於一實施例中，該穿孔520之第一孔端520a係朝相對該承載件50之方向凸伸，令該引通道52c朝相對該承載件50之方向凸伸，且該凹陷結構521係具有連通該容置空間S之開口521a，該開口521a底部521b並連結該穿孔520之第一孔端520a周圍。

於一實施例中，該穿孔620之第二孔端620b係朝該承載件50方向凸伸，令該引通道62c位於該容置空間S中，該凹陷結構621係與該穿孔620之孔壁620c為一體，且該凹陷結構621與該穿孔620之孔壁620c係為階梯狀、曲折面狀或曲面狀。

於一實施例中，該穿孔720之第一孔端720a與第二孔端720b係分別朝該承載件50方向與相對該承載件50之方向凸伸，令該引通道72c之一端位於該容置空間S中，而另一端朝相對該承載件50之方向凸伸，且該凹陷結構721之一部分係與該穿孔720之孔壁720c為一體，並且該凹陷結構721與該穿孔720之孔壁720c係為階梯狀721’、曲折面狀或曲面狀，而另一部分係具有連通該容置空間S之開口721a，且該開口721a底部721b連結該穿孔720之第一孔端720a周圍。

第8A至8C圖係為本發明之散熱件8,8’,8”之不同實施例之剖視示意圖。所述之散熱件8,8’,8”係包括：一本體80以及至少一支撐部81。

所述之本體80係具有引通道82、相對之第一表面80a與第二表面80b。

所述之支撐部81係設於該本體80上並向外延伸，且係具有腳端813，以令該支撐部81藉由該腳端813置於一承載面上。於本實施例中，該支撐部81係由該本體80之第二表面80b凸伸，但該支撐部81之形成位置並無限制，只需令該本體80下方能遮蓋物件(如半導體元件)即可。

所述之引通道82,82’,82”係具有一穿孔820,820’,820”與一凹陷結構821,821’,821”，該穿孔820,820’,820”係具有孔壁820c,820c’,820c”、與該第一表面80a同側之第一孔端820a,820a’,820a”、及與該第二表面80b同側之第二孔端820b,820b’,820b”，且該穿孔820,820’,820”係令該第一與第二表面80a,80b相互連通，該凹陷結構821,821’,821”並連結該穿孔820,820’,820”之孔壁820c,820c’,820c”周圍，又該第一孔端820a,820a’,820a”之孔徑d大於該第二孔端820b,820b’,820b”之孔徑t。

於一實施例中，如第8A圖所示，該穿孔820之第一孔端820a係凸伸於該本體80之第一表面80a，令該引通道82由該第一表面80a凸伸，且該凹陷結構821係具有連通該第二表面80b之開口821a，該開口821a底部821b係連結該穿孔820之第一孔端820a周圍。其中，該凹陷結構821之深度x係對應該穿孔820之孔壁820c與該本體80之間的相對高度，例如，該本體80之高度L1大於該穿孔 820之第二孔端820b的高度L2。於其它實施例中，該本體80之高度L1亦可小於或等於該穿孔820之孔壁820c之底端(即該第二孔端820b)的高度L2。

於一實施例中，如第8B圖所示，該穿孔820’之孔壁820c’係由該第二表面80b凸伸，令該引通道82’由該第二表面80b凸伸，且該凹陷結構821’係與該穿孔820’之孔壁820c’為一體，且該凹陷結構821’與該穿孔820’之孔壁820c’係為階梯狀、曲折面狀或曲面狀。

於一實施例中，如第8C圖所示，該穿孔820”之第一孔端820a”與第二孔端820b”係分別由該第一表面80a與該第二表面80b凸伸，令該引通道82”之一端由該第一表面80a凸伸，而另一端由該第二表面80b凸伸，且該凹陷結構821”之一部分係具有連通該第二表面80b之開口821a，並且該開口821a底部821b連結該穿孔820”之第一孔端820a”周圍，而另一部分係與該穿孔820”之孔壁820c”為一體，且該凹陷結構821”與該穿孔820”之孔壁820c”係為階梯狀821c、曲折面狀或曲面狀。

綜上所述，本發明之半導體封裝結構及其散熱件，主要藉由形成於該散熱片中央處之具有凹陷結構之似碟狀引通道，以防止於該穿孔周圍發生溢膠之問題。

上述實施例係用以例示性說明本發明之原理及其功效，而非用於限制本發明。任何熟習此項技藝之人士均可在不違背本發明之精神及範疇下，對上述實施例進行修改。因此本發明之權利保護範圍，應如後述之申請專利範圍所列。

1,2,3,4,5,6,7‧‧‧半導體封裝結構

10,30,40‧‧‧封裝基板

11,21,31,41,51‧‧‧半導體元件

12,22,32,42,52,52’,62,72‧‧‧散熱件

120,220‧‧‧中央直通孔

13,23,33,43,53‧‧‧封裝膠體

20‧‧‧導線架

221‧‧‧下尖孔

24,44‧‧‧模具

240,241,242‧‧‧模件

243‧‧‧灌膠道

330‧‧‧碗型孔

330a‧‧‧孔壁外表面

331‧‧‧通孔

421‧‧‧中央上尖孔

50‧‧‧承載件

510‧‧‧銲線

52a,52a’,62a,72a,80‧‧‧本體

52b,62b,72b,81‧‧‧支撐部

52c,62c,72c,82,82’,82”‧‧‧引通道

520,620,720‧‧‧穿孔

520a,620a,720a‧‧‧第一孔端

520b,620b,720b‧‧‧第二孔端

520c,620c,720c‧‧‧孔壁

521,621,721‧‧‧凹陷結構

521a,721a,821a‧‧‧開口

521b,721b,821b‧‧‧底部

522‧‧‧凸起部

523,813‧‧‧腳端

721’,821c‧‧‧階梯狀

8,8’,8”‧‧‧散熱件

80a‧‧‧第一表面

80b‧‧‧第二表面

820,820’,820”‧‧‧穿孔

820a,820a’,820a”‧‧‧第一孔端

820b,820b’,820b”‧‧‧第二孔端

820c,820c’,820c”‧‧‧孔壁

821,821’,821”‧‧‧凹陷結構

h1,h2,L1,L2‧‧‧高度

d,t‧‧‧孔徑

K‧‧‧殘膠

S‧‧‧容置空間

x‧‧‧深度

第1圖係為習知半導體封裝結構之剖視示意圖；第2A至2B圖係為習知半導體封裝結構之製法的剖視示意圖；第3A圖係為習知半導體封裝結構之剖視示意圖；其中，第3B圖係為第3A圖之散熱件之立體圖；第4A至4B圖係為習知半導體封裝結構之製法的剖視示意圖；第5A至5B圖係為本發明之半導體封裝結構之第一實施例之製法的剖視示意圖；第5C圖係為本發明之半導體封裝結構之第一實施例之另一實施態樣之散熱件的上視示意圖；第5D圖係為本發明之半導體封裝結構之第一實施例之另一實施態樣第5C圖的剖視示意圖；第6圖係為本發明之半導體封裝結構之第二實施例之剖視示意圖；第7圖係為本發明之半導體封裝結構之第三實施例之剖視示意圖；以及第8A至8C圖係為本發明之散熱件之不同實施例之剖視示意圖。

8‧‧‧散熱件

80‧‧‧本體

80a‧‧‧第一表面

80b‧‧‧第二表面

81‧‧‧支撐部

813‧‧‧腳端

82‧‧‧引通道

820‧‧‧穿孔

820a‧‧‧第一孔端

820b‧‧‧第二孔端

820c‧‧‧孔壁

821‧‧‧凹陷結構

821a‧‧‧開口

821b‧‧‧底部

L1,L2‧‧‧高度

d,t‧‧‧孔徑

x‧‧‧深度

Claims

一種散熱件，係包括：本體，係具有相對之第一表面與第二表面、及引通道，該引通道係具有穿孔與凹陷結構，該穿孔係具有孔壁、與該第一表面同側之第一孔端、及與該第二表面同側之第二孔端，且該穿孔係令該第一與第二表面相互連通，並且該凹陷結構係連結該穿孔之孔壁周圍；以及支撐部，係設於該本體上並向外延伸。
如申請專利範圍第1項所述之散熱件，其中，該支撐部係具有腳端，以置於一承載面上。
如申請專利範圍第1項所述之散熱件，其中，該第一孔端之孔徑係大於該第二孔端之孔徑。
如申請專利範圍第1項所述之散熱件，其中，該穿孔之第一孔端係凸伸於該本體之第一表面。
如申請專利範圍第4項所述之散熱件，其中，該凹陷結構係具有連通該本體第二表面之開口，且該開口底部連結該穿孔之第一孔端周圍。
如申請專利範圍第1項所述之散熱件，其中，該穿孔之第二孔端係凸伸於該本體之第二表面。
如申請專利範圍6項所述之散熱件，其中，該凹陷結構係與該穿孔之孔壁為一體，且該凹陷結構與該穿孔之孔壁係為階梯狀、曲折面狀或曲面狀。
如申請專利範圍第1項所述之散熱件，其中，該穿孔之第一孔端與第二孔端係分別凸伸於該第一表面與該第二表面。
如申請專利範圍第8項所述之散熱件，其中，該凹陷結構之一部分係具有連通該第二表面之開口，且該開口底部連結該穿孔之第一孔端周圍，而另一部分係與該穿孔之孔壁為一體，且該凹陷結構與該穿孔之孔壁係為階梯狀、曲折面狀或曲面狀。
一種半導體封裝結構，係包括：承載件；半導體元件，係設置並電性連接於該承載件上；如申請專利範圍第1項所述之散熱件，係以其支撐部設於該承載件上，以令該散熱件與該承載件之間形成容置空間，使該半導體元件位於該容置空間中，且該穿孔與該凹陷結構係連通該容置空間，又該本體之第一表面與該穿孔之第一孔端係遠離該承載件，而該本體之第二表面與該穿孔之第二孔端係靠近該承載件；以及封裝膠體，係形成於該容置空間與該凹陷結構中，以包覆該半導體元件。
如申請專利範圍第10項所述之半導體封裝結構，其中，該支撐部係具有腳端，以置於該承載件上。
如申請專利範圍第10項所述之半導體封裝結構，其中，該第一孔端之孔徑係大於該第二孔端之孔徑。
如申請專利範圍第10項所述之半導體封裝結構，其中，該穿孔之第一孔端係凸伸於該本體之第一表面。
如申請專利範圍第13項所述之半導體封裝結構，其中，該凹陷結構係具有連通該容置空間之開口，且該開口底部連結該穿孔之第一孔端周圍。
如申請專利範圍第10項所述之半導體封裝結構，其中，該穿孔之第二孔端係凸伸於該本體之第二表面。
如申請專利範圍第15項所述之半導體封裝結構，其中，該凹陷結構係與該穿孔之孔壁為一體，且該凹陷結構與該穿孔之孔壁係為階梯狀、曲折面狀或曲面狀。
如申請專利範圍第10項所述之半導體封裝結構，其中，該穿孔之第一孔端與第二孔端係分別凸伸於該第一表面與該第二表面。
如申請專利範圍第17項所述之半導體封裝結構，其中，該凹陷結構之一部分係與該穿孔之孔壁為一體，且該凹陷結構與該穿孔之孔壁係為階梯狀、曲折面狀或曲面狀，而另一部分係具有連通該容置空間之開口，且該開口底部連結該穿孔之第一孔端周圍。