TW201409558A - 蝕刻方法、蝕刻裝置及記憶媒體 - Google Patents

Abstract

讓從晶圓溶離之蝕刻液中的溶離成分濃度保持在既定的一定範圍，對晶圓在高精度下施以蝕刻處理。蝕刻方法包含以下步驟：在蝕刻處理後以第1設定量將供蝕刻處理用的蝕刻液E從排出部30排出之步驟；以第2設定量從補充部11補充新蝕刻液E之步驟。依據來自溶離成分測定部25之蝕刻液E中的晶圓W的溶離成分濃度、來自濃度測定部26的蝕刻液E的濃度、來自溫度測定部27的蝕刻液的溫度，求出應排出的第1設定量，與應補充的第2設定量，來進行蝕刻液的排出與新蝕刻液的補充。

Description

蝕刻方法、蝕刻裝置及記憶媒體

本發明關係到一種蝕刻方法、蝕刻裝置及記憶媒體，特別是一種對於半導體晶圓等被處理體藉由蝕刻液施以蝕刻處理之蝕刻方法、蝕刻裝置及記憶媒體。

以往，對半導體晶圓等被處理體之濕蝕刻方法中，使用磷酸作為蝕刻液來施行對氮化膜-氧化膜之蝕刻處理。例如，將磷酸水溶液(H3PO4)等所構成之蝕刻液儲存於處理槽，加熱至既定溫度例如160~180℃，並且藉由與處理槽連接之循環管路及循環管路中所插設之循環泵及溫度控制器等，讓既定溫度的蝕刻液循環供給，並且對被處理體例如半導體晶圓(以下稱為晶圓)進行蝕刻處理(參照日本特公平3-20895號公報)。

上述的蝕刻方法中，若重複進行蝕刻處理，則晶圓的矽(Si)成分溶離至蝕刻液中，讓蝕刻液中的矽(Si)濃度變高，變得無法對半導體晶圓在高精度下施以蝕刻處理。因此，在以往，必須定期將處理槽內的蝕刻液全部交換。

或者是，測定蝕刻液中的矽濃度，當矽濃度變高時，補充新的蝕刻液，此亦為吾人所思及。

然而，蝕刻液的性狀並非只由矽濃度所決定，即使只測定矽濃度來補充新蝕刻液，也無法正確地控制蝕刻液的性狀，有此情形存在。例如當補充了新蝕刻液時，蝕刻液中的矽濃度雖暫時降低，但蝕刻液中的矽濃度並非越低越好，藉由將矽濃度保持在既定的一定範圍，便可對半導體晶圓在高精度下施以蝕刻處理。

【習知技術文獻】

【專利文獻】

【專利文獻1】日本特公平3-20895號公報

【專利文獻2】日本特開2000-59812號公報

本發明係考慮到這幾點所完成，目的在於提供一種讓從半導體晶圓溶離之蝕刻液中的溶離成分濃度(矽濃度)保持一定，藉此可對半導體晶圓在高精度下施以蝕刻處理之蝕刻方法、蝕刻裝置及記憶媒體。

本發明係一種蝕刻方法，對於蝕刻處理部內所收納之被處理體，用蝕刻液施以蝕刻處理，該蝕刻方法之特徵為包含以下步驟：在蝕刻處理部內對被處理體供給蝕刻液來施以蝕刻處理之步驟；以第1設定量將供蝕刻處理用的蝕刻液排出之步驟；及對以第1設定量排出之蝕刻液中，以第2設定量補充新蝕刻液之步驟；對從供蝕刻處理用的被處理體溶離之蝕刻液中的溶離成分濃度、蝕刻液的濃度、及蝕刻液的溫度，加以測定，並且依據此測定出之溶離成分濃度、蝕刻液的濃度及蝕刻液的溫度，求出第1設定量及第2設定量，來進行蝕刻液的排出與新蝕刻液的補充。

本發明係一種蝕刻裝置，對於被處理體，用蝕刻液施以蝕刻處理，該蝕刻裝置之特徵為包含：蝕刻處理部，收納被處理體；排出部，以第1設定量將供蝕刻處理用的蝕刻液排出；補充部，對以第1設定量排出之蝕刻液中，以第2設定量補充新蝕刻液；溶離成分測定部，對從供蝕刻處理用的被處理體溶離之蝕刻液中的溶離成分濃度，加以測定；濃度測定部，測定蝕刻液的濃度；溫度測定部，測定蝕刻液的溫度；及控制裝置，控制排出部與補充部；控制裝置依據來自溶離成分測定部的溶離成分濃度、來自濃度測定部的蝕刻液的濃度及來自溫度測定部的蝕刻液的溫度，求出第1設定量及第2設定量，來控制排出部與補充部。

本發明係一種記憶媒體，儲存了用以使電腦執行蝕刻方法之電腦程式，該記憶媒體之特徵在於，該蝕刻方法包含以下步驟：在蝕刻處理部內對被處理體供給蝕刻液來施以蝕刻處理之步驟；以第1設定量將供蝕刻處理用的蝕刻液排出之步驟；及對以第1設定量排出之蝕刻液中，以第2設定量補充新蝕刻液之步驟；對從供蝕刻處理用的被處理體溶離之蝕刻液中的溶離成分濃度、蝕刻液的濃度、及蝕刻液的溫度，加以測定，並且依據此測定出之溶離成分濃度、蝕刻液的濃度及蝕刻液的溫度，求出第1設定量及第2設定量，來進行蝕刻液的排出與新蝕刻液的補充。

如上，根據本發明，可讓從被處理體溶離之蝕刻液中的溶離成分濃度保持在既定的一定範圍，可對被處理體在高精度下施以蝕刻處理。

W‧‧‧半導體晶圓(被處理體)

E‧‧‧蝕刻液

1‧‧‧矽基板

2‧‧‧氧化矽膜

3‧‧‧氮化矽膜

4‧‧‧光阻膜

10‧‧‧處理槽

10a‧‧‧內槽

10b‧‧‧外槽

11‧‧‧補充部

12‧‧‧H3PO4水溶液供給系統

12a、13a‧‧‧供給管線

13‧‧‧DIW供給系統

14‧‧‧矽調整用槽

15‧‧‧調合槽

15A‧‧‧調合槽

17‧‧‧供給管線

18‧‧‧切換閥

20‧‧‧循環管線

20A‧‧‧循環管線

21‧‧‧循環泵

22‧‧‧溫度控制器

23‧‧‧濾器

25‧‧‧溶離成分測定部

26‧‧‧濃度測定部

27‧‧‧溫度測定部

28‧‧‧流量計

29‧‧‧切換閥

30‧‧‧排出部

31‧‧‧排出管線

32‧‧‧切換閥

33‧‧‧連通管線

40‧‧‧蝕刻處理部

41‧‧‧保持部

42‧‧‧噴嘴

43‧‧‧蝕刻處理室

45‧‧‧槽循環管線

100‧‧‧控制裝置

100a‧‧‧記憶媒體

100b‧‧‧處理器

圖1係顯示本發明的第1實施形態下的蝕刻裝置之概略圖。

圖2係顯示本發明的蝕刻方法之圖。

圖3係顯示本發明的蝕刻方法之圖。

圖4係顯示本發明的蝕刻方法的變形例之圖。

圖5(a)係顯示蝕刻處理施行前的晶圓之圖，圖5(b)係顯示蝕刻處理施行後的晶圓之圖。

圖6係顯示本發明的第2實施形態下的蝕刻裝置之概略圖。

[第1實施形態]

接下來藉由圖1至圖5，說明本發明的第1實施形態。

首先藉由圖5(a)(b)，對由本發明的蝕刻方法進行處理之被處理體，例如矽晶圓W，予以敘述。

圖5(a)(b)所示，首先準備被處理體例如晶圓W，已在晶圓W的基材即矽基板1的表面，疊層出作為基底層的氧化矽膜2(SiO2)與氮化矽膜3(Si4N3)，在氮化矽膜3的表面塗布經圖案化之光阻膜4(圖5(a))。接下來將晶圓W浸漬於高溫，例如160~180℃的蝕刻液例如磷酸水溶液(H3PO4)中，來進行蝕刻處理(圖5(b))。在該蝕刻方法中，控制氮化矽膜3的基底的氧化矽膜2的膜厚變得很重要。

接下來，對進行本發明的蝕刻方法之蝕刻裝置，予以敘述。

蝕刻裝置，如圖1所示，具備：處理槽(蝕刻處理部)10，包含內槽10a與外槽10b，以收容被處理體即半導體晶圓W(以下稱為晶圓W)，並且儲存蝕刻液E(例如磷酸水溶液(H3PO4))；循環管線20，從處理槽 10將蝕刻液E抽出，將該蝕刻液E朝處理槽10循環供給；排出部30，與循環管線20連接，以將處理槽10內的蝕刻液E排出；補充部11，對處理槽10內補充新的蝕刻液E。

在此情形，處理槽10，包括：石英製的內槽10a，藉由未圖示之晶圓板來收容表面保持垂直之晶圓W，並且儲存蝕刻液E；及石英製的外槽10b，擋住從該內槽10a溢流出之蝕刻液E。在如此構成的處理槽10的內槽10a的側部及底部，貼附有未圖示之平板加熱器，讓處理槽10內的蝕刻液E設定在既定溫度例如100~180℃。又，內槽11內的底部側，配設有將自下部循環供給之蝕刻液E均一導向晶圓W之未圖示之整流板。

又，循環管線20，與處理槽10的外槽10b及內槽10a相連接，該循環管線20上，從上游側依序設有循環泵21、濾器23、溫度控制器22。其中溫度控制器22含有將蝕刻液E加熱之加熱器。又溫度控制器22的下游側，經由切換閥29與排出管線31連接，上述排出部30與該排出管線31相連接。

而且排出管線31與切換閥32連接，該切換閥32，經由連通管線33與矽調整用槽14連接。該矽調整用槽14，儲存蝕刻處理後的矽(Si)成分已溶離之蝕刻液E，當蝕刻液E中的矽成分的濃度低於既定的一定範圍時，視需要將該矽溶離蝕刻液，經由供給管線17補充至外槽10b內的蝕刻液E中。

又補充部11，具有：供給磷酸水溶液(H3PO4水溶液)之H3PO4水溶液供給系統12；及供給純水(DIW)之DIW供給系統13；H3PO4水溶液供給系統12與DIW供給系統13，分別經由供給管線12a、13a與處理槽10的外槽相連接。

又，源自H3PO4水溶液供給系統12的供給管線12a上設有切換閥18，而來自矽調整用槽14的矽成分已溶離的蝕刻液E經由供給管線17及切換閥18供給至外槽10b。

不過，循環管線20的溫度控制器22的下游側，配置有：溶離成分測定部25，將供蝕刻處理用之蝕刻液E中的矽溶離成分的濃度，利用光折射率加以測定；濃度測定部26，將蝕刻液E的濃度，具體而言是H3PO4的濃度，利用光折射率加以測定；及溫度測定部27，測定蝕刻液E的溫度。而來自該等溶離成分測定部25、濃度測定部26與溫度測定部27的信號，傳送至控制裝置100，藉由該控制裝置100，對來自H3PO4水溶液供給系統12的H3PO4水溶液供給量、來自DIW供給系統13的DIW供給量、循環泵21及溫度控制器22進行驅動控制。控制裝置100，作為硬體可由例如通用電腦所實現，作為軟體可由用以使該電腦動作之程式(裝置控制程式及處理配方等)所實現。軟體，係儲存於固定設置於電腦中之硬碟驅動等記憶媒體，或是儲存於CDROM、DVD、快閃記憶體等可裝卸地安裝於電腦之記憶媒體。此種記憶媒體以元件符號100a所示。處理器100b，視需要，依據來自未圖示之使用者介面的指示等，從記憶媒體100a叫出既定的處理配方並執行之，藉此在控制裝置100的控制之下，使蝕刻裝置的各功能零件動作來進行既定的處理。

另，在上述實施形態中，雖例示了：補充部11包含H3PO4水溶液供給系統12與DIW供給系統13，而來自H3PO4水溶液供給系統12的H3PO4水溶液及來自DIW供給系統13的DIW，係經由各自的供給管線12a、13a供給至外槽10b；但並不限於此，將來自H3PO4水溶液供給系統12的H3PO4水溶液及來自DIW供給系統13的DIW先在調合槽15內予以調合，再將調合槽15內的水溶液導向外槽10b內亦可(圖1的虛線)。

接下來，說明使用上述蝕刻裝置之蝕刻方法。預先在處理槽10內，將蝕刻液E(磷酸水溶液(H3PO4))，供給至處理槽10的內槽10a及外槽10b。接下來，驅動循環泵21，使得溢流至外槽11b之蝕刻液E經由循環管 線20回到內槽10a，如此地循環。接下來，藉由溫度控制器22，將蝕刻液E加熱至既定溫度(100~180℃)，使之為沸騰狀態。

此時，蝕刻液E的H3PO4濃度為60%，矽濃度為10ppm。

蝕刻液E升溫成為沸騰狀態之後，藉由溫度控制器22來調整對循環管線20內的蝕刻液E供應之熱量，藉此維持在讓內槽10a內的蝕刻液E維持沸騰狀態般之既定溫度。

又，欲以所求的蝕刻率進行蝕刻，則必須將蝕刻液E維持在既定濃度，且蝕刻液E的溫度維持在上述既定濃度的蝕刻液E固有的沸點溫度。

在此狀態下，以未圖示之晶圓板保持垂直之晶圓W，係收容於處理槽10的內槽10a。晶圓W，浸漬於內槽10a內的蝕刻液E既定時間，而受蝕刻。然後，將晶圓W從處理槽10取出。上述蝕刻處理，一直重複進行。

蝕刻液E，在蝕刻處理中(晶圓W浸漬於內槽10a內的蝕刻液E中之情形)及蝕刻處理間的間隔(晶圓W未浸漬於內槽10a內的蝕刻液E中之情形，亦即第n次的蝕刻處理結束而將一處理單位量的晶圓W從內槽10a取出，為了讓第n+1次的蝕刻處理開始進行，而將下一批一處理單位量的晶圓W浸漬於內槽10a之前這段期間)中，經由循環管線20一直繼續循環。

藉由蝕刻處理之進行，在內槽10a內的蝕刻液E中，矽(Si)成分會從晶圓W溶離。

若重複進行此種蝕刻處理，則矽(Si)成分會從晶圓W溶離至蝕刻液E中，若矽濃度變得過高，則蝕刻液的性狀會惡化。

在本發明中，為了應對這種情形，首先當循環管線20中的蝕刻液E中的矽濃度超過既定的一定範圍時，將蝕刻液E從排出部30排出。接下來從 補充部11的H3PO4水溶液供給系統12與DIW供給系統13，分別將H3PO4水溶液與DIW供給至外槽10b內，以將H3PO4水溶液補充至供蝕刻處理用之蝕刻液E中。

具體而言如圖2及圖3所示，對50片的晶圓W施以蝕刻處理5分鐘之情形，矽成分從晶圓W大量溶離，蝕刻液E中的矽濃度從例如處理前的10ppm上升至既定範圍的15ppm(圖2的(a)及圖3)。然後，讓蝕刻處理結束。

在這期間，對於循環管線20內的蝕刻液E，藉由溶離成分測定部25測定出矽成分的溶離成分濃度，藉由濃度測定部26測定出H3PO4的濃度，藉由溫度測定部27測定出溫度，而來自溶離成分測定部25、濃度測定部26及溫度測定部27的信號係送至控制裝置100。

控制裝置100接下來對切換閥29、切換閥32、排出部30進行驅動控制，以第1設定量進行排出，使得循環管線20中的蝕刻液E成為既定的一定範圍的矽濃度(圖2的(a)及圖3)。

接下來控制裝置100控制補充部11的H3PO4水溶液供給系統12與DIW供給系統13，從H3PO4水溶液供給系統12與DIW供給系統13分別將H3PO4水溶液與DIW供給至外槽10b內，來將具有既定H3PO4成分之H3PO4水溶液補充至供蝕刻處理用之蝕刻液E中。

在此情形，例如從H3PO4水溶液供給系統12供給具有85%的H3PO4成分之H3PO4水溶液，該H3PO4水溶液由來自DIW供給系統13的DIW所稀釋。

就該結果而言，外槽11b的蝕刻液E內，補充了具有60%的H3PO4成分之新H3PO4水溶液(圖2的(a)及圖3)。

在此情形，以第2設定量補充到外槽11b內，使得具有60%的H3PO4成分之H3PO4水溶液成為一定範圍的矽濃度。

如此，蝕刻處理已結束的蝕刻液E中的矽濃度降低至蝕刻處理前的濃度(10ppm)，可將蝕刻液中的矽濃度在高精度下加以調整。同時蝕刻液E中的H3PO4濃度亦保持在60%。

在這期間，控制裝置100，將從排出部30排出之蝕刻液E的第1設定量，與補充至外槽10b內之蝕刻液E的第2設定量，決定如下。

亦即，控制裝置100，依據來自溶離成分測定部25的矽成分的溶離成分濃度，先決定從排出部30排出之蝕刻液E的第1設定量。

接下來，依據如此決定之第1設定量、來自濃度測定部26的H3PO4濃度、來自溫度測定部27的蝕刻液E的溫度，來決定第2設定量，使得補充至外槽10b內之蝕刻液E成為既定的一定範圍的矽濃度。

藉此，可將蝕刻液E中的矽濃度在高精度下加以調整。

另，蝕刻液中的矽濃度過度降低時，將矽調整用槽14內所收納之蝕刻處理後的蝕刻液E一部分供給至外槽10b內，藉此可將蝕刻液E中的矽濃度提高並在高精度下加以調整。

如此，使用已補充新蝕刻液(H3PO4水溶液)之蝕刻液，然後同樣地進行新的蝕刻處理。

接下來對於本發明的變形例，由圖4加以說明。

在上述實施形態中，雖例示了：控制裝置100在蝕刻處理後，使切換閥29、切換閥32、排出部30作動，以第1設定量將蝕刻液E排出，並使 H3PO4水溶液供給系統12及DIW供給系統13作動來將新的蝕刻液E補充至外槽10b內；但控制裝置100在蝕刻處理前，使切換閥29、切換閥32、排出部30作動，先以第1預備量將蝕刻液E排出，並使H3PO4水溶液供給系統12及DIW供給系統13作動，先以第2預備量將新的蝕刻液E補充至外槽10b內亦可。

如此在蝕刻處理前，將蝕刻液E排出，且補充新蝕刻液E，因此例如蝕刻液E的最佳矽濃度為10ppm時，可在整個蝕刻處理步驟中將矽濃度維持在10%上下。

另，控制裝置100，對於以讓蝕刻液E中的矽濃度成為既定的一定範圍方式將蝕刻液E排出之第1預備量，及補充新的蝕刻液E之第2預備量，係依據包含已預定好的晶圓W的片數及處理時間之蝕刻處理配方，來決定之。

[第2實施形態]

接下來藉由圖6，說明本發明的第2實施形態。

圖6所示之第2實施形態，不使用有蝕刻液E儲存的處理槽10作為蝕刻處理部，而是另使用蝕刻處理部40，其具有：蝕刻處理室43、設於蝕刻處理室43內來保持晶圓W之任意旋轉的保持部41、及對保持部41所保持之晶圓W供給蝕刻液E之噴嘴(蝕刻液供給部)42。

圖6所示之第2實施形態中，對與圖1至圖5所示之第1實施形態相同部分，附上相同符號，以省略詳細說明。

如圖6所示，在蝕刻處理室43內從噴嘴42供給至晶圓W之蝕刻液E，係從蝕刻處理室43經過循環管線20A，送至調合槽15A。

而調合槽15A內的蝕刻液E，經過循環管線20A，循環而返回到蝕刻處理室43內的噴嘴42。而且循環管線20A設有排出部30。

又調合槽15A中，有H3PO4水溶液從H3PO4水溶液供給系統12供給而來，有DIW從DIW供給系統13供給而來，H3PO4水溶液與DIW在該調合槽15A內調合。

圖6中，例如具有85%的H3PO4成分之H3PO4水溶液係從H3PO4水溶液供給系統12供給至調合槽15A內，在調合槽15A內由來自DIW供給系13的DIW所稀釋，得出具有60%的H3PO4成分之H3PO4水溶液。

在此情形，由調合槽15A、H3PO4水溶液供給系統12、DIW供給系統13構成了補充部11。

又調合槽15A與槽循環管線45連接，該槽循環管線45上依序設有循環泵21、濾器23、溫度控制器22。

又槽循環管線45上，設有：測定矽成分的溶離成分濃度之溶離成分測定部25、測定H3PO4的濃度之濃度測定部26、測定蝕刻液E的溫度之溫度測定部27。

又循環管線20A上，於噴嘴42的下游側設有流量計28。

接下來，對使用此類構造所構成之蝕刻裝置之蝕刻方法，加以說明。

首先，將晶圓W搬入蝕刻處理室43內，該晶圓W保持在蝕刻處理室43內的保持部41上。

保持部41所保持之晶圓W，然後由保持部41予以旋轉，並從噴嘴42對旋轉中的供給蝕刻液E。如此，由蝕刻液E進行對晶圓W的蝕刻處理。

從噴嘴42供給出的蝕刻液E，然後從蝕刻處理室43通過循環管線20A，經過調合槽15A回到噴嘴42。

接下來，將蝕刻處理後的晶圓W，從蝕刻處理室43往外方排出。

若對複數的晶圓W依序進行此種蝕刻處理，則矽(Si)成分從晶圓W溶離至蝕刻液E中，讓蝕刻液的性狀惡化。

在本發明中，為了應對這種情形，首先將循環管線20A中的蝕刻液E從排出部30排出。接下來，從補充部11的H3PO4水溶液供給系統12，與DIW供給系統13，分別將H3PO4水溶液與DIW供給至調合槽15A內，以將H3PO4水溶液補充至供蝕刻處理用的蝕刻液E中。

具體而言，對於一定量的晶圓W施以蝕刻處理，藉此矽從晶圓W大量溶離，讓蝕刻液E中的矽濃度從例如處理前的10ppm上升至既定範圍的15ppm。

在這期間，針對循環管線20A內的蝕刻液E，由溶離成分測定部25測定矽成分的溶離成分濃度，由濃度測定部26測定H3PO4的濃度，由溫度測定部27測定溫度，並將來自溶離成分測定部25、濃度測定部26及溫度測定部27的信號送至控制裝置100。

控制裝置100，當對於一定量的晶圓W施以蝕刻處理，而蝕刻液E的性狀惡化時，便停止蝕刻處理。接下來控制裝置100對排出部30進行驅動控制，以第1設定量將循環管線20A中的蝕刻液E排出。

接下來控制裝置100控制補充部11的H3PO4水溶液供給系統12與DIW供給系統13，從H3PO4水溶液供給系統12與DIW供給系統13分別 將H3PO4水溶液與DIW供給至調合槽15A內，以將H3PO4水溶液補充至供蝕刻處理用之蝕刻液E中。

在此情形，從H3PO4水溶液供給系統12供給具有85%的H3PO4成分之H3PO4水溶液，該H3PO4水溶液由來自DIW供給系統13的DIW所稀釋。

就該結果而言，調合槽15A中，補充了具有60%的H3PO4成分之新H3PO4水溶液。

在此情形，調合槽15A中，以第2設定量，補充了具有60%的H3PO4成分之H3PO4水溶液。

如此，蝕刻液E中的矽濃度降低至蝕刻處理前的濃度(10%)，可將蝕刻液中的矽濃度在高精度下加以調整。同時蝕刻液E中的H3PO4濃度亦保持在60%。

在這期間，控制裝置100，將從排出部30排出之蝕刻液E的第1設定量，與補充至調合槽15A內之蝕刻液E的第2設定量，決定如下。

亦即，控制裝置100，依據來自溶離成分測定部25的矽成分的溶離成分濃度，先決定從排出部30排出之蝕刻液E的第1設定量。

接下來，依據如此決定之第1設定量、來自濃度測定部26的H3PO4濃度、來自溫度測定部27的蝕刻液E的溫度，來決定補充至調合槽15A內之蝕刻液E的第2設定量。

藉此，可將蝕刻液E中的矽濃度在高精度下加以調整。

如此，使用已補充新蝕刻液(H3PO4水溶液)之蝕刻液，然後同樣地對下一批既定片數的晶圓W進行新的蝕刻處理。

接下來，說明本發明的變形例。

在上述實施形態中，雖例示了：控制裝置100在蝕刻處理後，使排出部30作動，以第1設定量將蝕刻液E排出，並使H3PO4水溶液供給系統12及DIW供給系統13作動來將新的蝕刻液E補充至調合槽15A內；但控制裝置100在蝕刻處理前，使排出部30作動，先以第1預備量將蝕刻液E排出，並使H3PO4水溶液供給系統12及DIW供給系統13作動，先以第2預備量將新的蝕刻液E補充至調合槽15A內亦可。

如此在蝕刻處理前，將蝕刻液E排出，且補充新蝕刻液E，因此例如蝕刻液E的最佳矽濃度為10ppm時，可在整個蝕刻處理步驟中將矽濃度維持在10%上下。

另，控制裝置100，對於將蝕刻液E排出之第1預備量、及補充新的蝕刻液E之第2預備量，係依據包含已預定好的處理時間之蝕刻處理配方，來決定之。

又，上述實施形態中，調合槽15A中亦可與圖1的矽調整槽14同樣地設置未圖示之矽調整槽，其將蝕刻處理後的矽成分已溶離之蝕刻液E予以儲存，視需要將矽成分已溶離之蝕刻液E補充至循環管線20A或調合槽15A。

W‧‧‧半導體晶圓(被處理體)

E‧‧‧蝕刻液

10‧‧‧處理槽

10a‧‧‧內槽

10b‧‧‧外槽

11‧‧‧補充部

12‧‧‧H3PO4水溶液供給系統

12a、13a‧‧‧供給管線

13‧‧‧DIW供給系統

14‧‧‧矽調整用槽

15‧‧‧調合槽

17‧‧‧供給管線

18‧‧‧切換閥

20‧‧‧循環管線

21‧‧‧循環泵

22‧‧‧溫度控制器

23‧‧‧濾器

25‧‧‧溶離成分測定部

26‧‧‧濃度測定部

27‧‧‧溫度測定部

29‧‧‧切換閥

30‧‧‧排出部

31‧‧‧排出管線

32‧‧‧切換閥

33‧‧‧連通管線

100‧‧‧控制裝置

100a‧‧‧記憶媒體

100b‧‧‧處理器

Claims (13)

1. 一種蝕刻方法，對於蝕刻處理部內所收納之被處理體，用蝕刻液施以蝕刻處理，該蝕刻方法之特徵為包含以下步驟：在該蝕刻處理部內對該被處理體供給蝕刻液來施以蝕刻處理之步驟；將供蝕刻處理用的蝕刻液以第1設定量排出之步驟；及以第2設定量補充新蝕刻液到以該第1設定量排出之蝕刻液中之步驟；對從供蝕刻處理用的該被處理體溶離之蝕刻液中的溶離成分濃度、蝕刻液的濃度、及蝕刻液的溫度，加以測定，並且依據此測定出之溶離成分濃度、蝕刻液的濃度及蝕刻液的溫度，求出該第1設定量及該第2設定量，來進行蝕刻液的排出與新蝕刻液的補充。
2. 如申請專利範圍第1項之蝕刻方法，其中，將蝕刻液排出之該第1設定量，係由源自該被處理體的溶離成分濃度所決定；補充新蝕刻液之該第2設定量，係由前述決定之該第1設定量、蝕刻液的濃度及蝕刻液的溫度所決定。
3. 如申請專利範圍第1項之蝕刻方法，其中，該蝕刻處理部係由儲存蝕刻液之處理槽所構成，將該被處理體浸漬於該處理槽內的蝕刻液中以進行蝕刻處理，將該處理槽內的供蝕刻處理用之蝕刻液排出，將新蝕刻液補充至該處理槽內。
4. 如申請專利範圍第1項之蝕刻方法，其中，該蝕刻處理部具有收納保持該被處理體之保持部，對於由該保持部所保持之該被處理體，從該蝕刻液供給部供給蝕刻液，從該蝕刻液供給部供給至該被處理體上之蝕刻液，經過循環管線再次回到該蝕刻液供給部，將該循環管線中的蝕刻液排出，將新蝕刻液補充至該循環管線中。
5. 如申請專利範圍第1項之蝕刻方法，其中更包含以下步驟：對該被處理體施以蝕刻處理之前，先以該第1預備量將蝕刻液排出之步驟；然後預先以該第2預備量補充新蝕刻液之步驟。
6. 如申請專利範圍第5項之蝕刻方法，其中，將蝕刻液排出之該第1預備量、及補充新的蝕刻液之該第2預備量，係依照包含蝕刻處理中的該被處理體的片數與處理時間之蝕刻處理配方，而預先決定出。
7. 一種蝕刻裝置，對於被處理體，用蝕刻液施以蝕刻處理，該蝕刻裝置之特徵為包含：蝕刻處理部，收納該被處理體；排出部，以第1設定量將供蝕刻處理用的蝕刻液排出；補充部，將新蝕刻液以第2設定量補充到以該第1設定量排出之蝕刻液中；溶離成分測定部，對從供蝕刻處理用的該被處理體溶離之蝕刻液中的溶離成分濃度，加以測定；濃度測定部，測定蝕刻液的濃度；溫度測定部，測定蝕刻液的溫度；及控制裝置，控制該排出部與該補充部；該控制裝置依據來自該溶離成分測定部的溶離成分濃度、來自該濃度測定部的蝕刻液的濃度及來自該溫度測定部的蝕刻液的溫度，求出該第1設定量及該第2設定量，來控制該排出部與該補充部。
8. 如申請專利範圍第7項之蝕刻裝置，其中，該控制裝置，依據來自該被處理體的溶離成分濃度，來決定將蝕刻液排出之該第1設定量；由所決定之該第1設定量、蝕刻液的濃度及蝕刻液的溫度，來決定補充新蝕刻液之該第2設定量。
9. 如申請專利範圍第7項之蝕刻裝置，其中，該蝕刻處理部由儲存蝕刻液之處理槽所構成，將該被處理體浸漬於該處理槽內的蝕刻液中以進行蝕刻處理，將該處理槽內的供蝕刻處理用之蝕刻液從該排出部排出，將新蝕刻液從該補充部補充至該處理槽內。
10. 如申請專利範圍第7項之蝕刻裝置，其中，該蝕刻處理部具有收納保持該被處理體之保持部，並設有蝕刻液供給部，用以對於由該保持部所保持之該被處理體供給蝕刻液， 且設有循環管線，讓從該蝕刻液供給部供給至該被處理體上之蝕刻液，再次回到該蝕刻液供給部，將該循環管線中的蝕刻液從該排出部排出，將新蝕刻液從該補充部補充至該循環管線中。
11. 如申請專利範圍第7項之蝕刻裝置，其中，該控制裝置，在對該被處理體施以蝕刻處理之前，先以該第1預備量將蝕刻液從該排出部排出；然後先以該第2預備量從該補充部補充新蝕刻液。
12. 如申請專利範圍第11項之蝕刻裝置，其中，該控制裝置，對於將蝕刻液排出之該第1預備量、及補充新的蝕刻液之該第2預備量，係因應包含蝕刻處理中的該被處理體的片數與處理時間之蝕刻處理配方，預先決定之。
13. 一種記憶媒體，儲存有用以使電腦執行蝕刻方法之電腦程式，該記憶媒體之特徵在於，該蝕刻方法包含以下步驟：在蝕刻處理部內對被處理體供給蝕刻液來施以蝕刻處理之步驟；以第1設定量將供蝕刻處理用的蝕刻液排出之步驟；及以第2設定量將新蝕刻液補充到以該第1設定量排出之蝕刻液中之步驟；測定從供蝕刻處理用的該被處理體溶離之蝕刻液中的溶離成分濃度、蝕刻液的濃度、及蝕刻液的溫度，並依據此測定出之溶離成分濃度、蝕刻液的濃度及蝕刻液的溫度，求出該第1設定量及該第2設定量，來進行蝕刻液的排出與新蝕刻液的補充。