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TW201407832A - 樹脂片積層體及使用其的半導體發光元件的製造方法 - Google Patents

樹脂片積層體及使用其的半導體發光元件的製造方法 Download PDF

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TW201407832A
TW201407832A TW102122881A TW102122881A TW201407832A TW 201407832 A TW201407832 A TW 201407832A TW 102122881 A TW102122881 A TW 102122881A TW 102122881 A TW102122881 A TW 102122881A TW 201407832 A TW201407832 A TW 201407832A
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phosphor
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TW102122881A
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松村宣夫
石田豊
後藤哲哉
Original Assignee
東麗股份有限公司
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Abstract

本發明的目的在於藉由樹脂片積層體來提高貼附有含螢光體樹脂層的半導體發光元件的顏色及亮度的均勻性、製造的容易性、設計的自由度等，該樹脂片積層體的特徵在於：於基材上設置有含螢光體樹脂層，且上述含螢光體樹脂層包含多個區塊，基材具有長度方向與寬度方向，且上述多個區塊於長度方向上重複配置而成行。

Description

樹脂片積層體及使用其的半導體發光元件的製造方法
本發明是有關於一種於基材上設置含螢光體樹脂片而成的樹脂片積層體。更詳細而言是有關於如下樹脂片積層體，即，基材具有長度方向與寬度方向，用以轉換半導體發光元件的發光波長的含螢光材料的樹脂片層的區塊於長度方向上重複配置而成行。
發光二極體(LED，Light Emitting Diode)在其發光效率顯著提高的背景下，以低消耗電力、高壽命、新穎性等為特點，不僅在液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)的背光裝置(backlight)方面、或車的頭燈(head light)等車輛領域中不斷急遽擴大市場，而且在一般照明方面亦不斷急遽地擴大市場。
LED的發光光譜依存於形成半導體發光元件的半導體材料，故而其發光色受到限制。因此，為了使用LED獲得適用於LCD背光裝置或一般照明的白色光，必須於半導體發光元件上配置適合於各個晶片的螢光體，來轉換發光波長。具體而言，提出有於發藍色光的半導體發光元件上設置黃色螢光體的方法、於發 藍色光的半導體發光元件上設置紅色及綠色螢光體的方法、於發出紫外線的半導體發光元件上設置紅色、綠色、藍色螢光體的方法等。於該些方法中，就半導體發光元件的發光效率或成本方面而言，目前最廣泛地採用於藍色LED上設置黃色螢光體的方法、及於藍色LED上設置紅色及綠色螢光體的方法。
作為於半導體發光元件上設置螢光體的具體方法之一，提出有預先使螢光體分散於用以密封半導體發光元件的液狀樹脂中的方法(例如，參照專利文獻1及專利文獻2)。然而，若螢光體於液狀樹脂中分散不均勻，則會在每個半導體發光元件中產生色偏差。而且，於將液狀樹脂個別地供給至半導體發光元件上時，難以使分量固定，且在液狀樹脂的硬化中，厚度亦容易產生不均，故而難以使配置於半導體發光元件上的螢光體的量固定。
因此，提出有使用預先均勻地分佈有螢光材料的片狀樹脂層的方法(例如，參照專利文獻3及專利文獻4)。可藉由將此種薄片小片化並貼合於半導體發光元件上，而使配置於各半導體發光元件上的螢光體固定，從而可提高LED的品質。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本專利特開平5-152609號公報
專利文獻2：日本專利特開平7-99345號公報
專利文獻3：日本專利第4146406號公報
專利文獻4：日本專利特開2000-156528號公報
為了於一般照明用途中廣泛地應用LED來代替白熾燈泡或螢光燈，必須穩定地供給發光色的顏色不均小者。如上所述， 預先使螢光材料均勻地分散且以均勻的厚度進行薄片化的方法雖作為抑制顏色不均的方法而優異，但於使用LED的發光元件的製程中，產生如下所說明的切割薄片的步驟、或使用接著劑貼合薄片與半導體發光元件的步驟，故而存在製程繁雜、產量(throughput)差、且製造成本上升的問題。
在預先將含螢光體樹脂薄片化的情況下，必須將經薄片化的含螢光體樹脂設置於個別的半導體發光元件上。例如，在將含螢光體樹脂片預先切割為設置於個別的半導體發光元件上的尺寸的情況下，難以處理切割為1mm左右的單片的含螢光體薄片。而且，使用接著劑將各個單片逐一貼附於半導體發光元件的作業要求精確性，難以兼具生產速度與準確性。
作為另一種方法，有不將含螢光體樹脂片切割為單片而保持著連續的片狀貼附於LED的方法。在該情況下，有以下兩種情況：將單片的半導體發光元件貼附於片狀的含螢光體樹脂層；及亦將LED側於分成單片前的晶圓形狀的狀態下統一地貼附於含螢光體樹脂層。然而，任一種方法均於在與半導體發光元件貼附後切割含螢光體樹脂片方面使方法受到限定，尤其是於後者的情況下，難以在切斷LED的晶圓的同時切斷含螢光體樹脂層。而且，在貼附於半導體發光元件後切斷螢光體樹脂片的情況下，切斷形狀限定於沿半導體發光元件的形狀、或更大的形狀。因此，於欲利用含螢光體樹脂層覆蓋半導體發光元件的一部分且使一部分露出的情況下，例如於欲形成電極提取部等的情況下，難以僅去除該部分的含螢光體樹脂層。
發明者等人對貼附有含螢光體樹脂片的半導體發光元 件的顏色或亮度的均勻性、製造的容易性、設計的自由度等進行了努力研究，結果發現為了使上述所有方面提高，基材上的含螢光體樹脂片的加工形狀及排列非常重要。
即，本發明是一種樹脂片積層體，該樹脂片積層體的特徵在於：於長條基材上包括含有螢光體及樹脂的樹脂片，且上述樹脂片的區塊於上述長條基材的長度方向上重複配置。
根據本發明，能夠以容易的步驟製造亮度及顏色均勻的LED。
1‧‧‧基材
2、2'‧‧‧含螢光體樹脂片
3‧‧‧搬送孔
4‧‧‧脫模層
5‧‧‧接著層
6‧‧‧基材上的槽
7‧‧‧加壓工具
8‧‧‧平台
9、9'‧‧‧半導體發光元件
10‧‧‧附有含螢光體樹脂片的半導體發光元件
11‧‧‧剝離輥
12‧‧‧吸附剝離工具
13‧‧‧批次加壓工具
14‧‧‧可動部分
15‧‧‧彈性體構造
16‧‧‧加壓輥
19‧‧‧平台
X、Y‧‧‧方向
圖1(a)、圖1(b)、圖1(c)、圖1(d)是表示本發明的樹脂片積層體的一例的俯視圖。
圖2(a)、圖2(b)、圖2(c)是表示本發明的樹脂片積層體的另一例的俯視圖。
圖3(a)、圖3(b)是表示本發明的樹脂片積層體的另一例的俯視圖。
圖4(a)、圖4(b)、圖4(c)、圖4(d)是表示本發明的樹脂片積層體的一例的剖面圖。
圖5(a)、圖5(b)、圖5(c)、圖5(d)是表示將本發明中的含螢光體樹脂片接著於半導體發光元件的方法的一例的步驟側 視圖。
圖6(a)、圖6(b)、圖6(c)、圖6(d)是表示將本發明中的含螢光體樹脂片接著於半導體發光元件的方法的一例的步驟側視圖。
圖7是表示將本發明中的含螢光體樹脂片接著於半導體發光元件的方法的一例的側視圖。
圖8A(a)、圖8A(b)、圖8A(c)、圖8A(d)是表示將本發明中的含螢光體樹脂片接著於半導體發光元件的方法的一例的步驟側視圖。
圖8B(e)、圖8B(f)、圖8B(g)、圖8B(g')是表示將本發明中的含螢光體樹脂片接著於半導體發光元件的方法的一例的步驟側視圖。
圖9(a)、圖9(b)是表示將本發明中的含螢光體樹脂片接著於半導體發光元件的方法的一例的側視圖。
圖10是表示將本發明中的含螢光體樹脂片接著於半導體發光元件的方法的一例的側視圖。
圖11是表示將本發明中的含螢光體樹脂片接著於半導體發光元件的方法的一例的側視圖。
圖12(a)、圖12(b)是表示將本發明中的含螢光體樹脂片接著於半導體發光元件的方法的一例的側視圖。
圖13是表示將本發明中的含螢光體樹脂片接著於半導體發光元件的方法的一例的側視圖。
圖14是表示將本發明中的含螢光體樹脂片接著於半導體發光元件的方法的一例的側視圖。
圖15(a)、圖15(b)、圖15(c)是表示將本發明中的含螢光體樹脂片接著於半導體發光元件的方法的一例的步驟側視圖。
本發明是一種樹脂片積層體，該樹脂片積層體的特徵在於：於長條基材上包括含有螢光體及樹脂的樹脂片，且上述樹脂片的區塊於上述長條基材的長度方向上重複配置。以下，將含有螢光體及樹脂的樹脂片稱為「含螢光體樹脂片」。
含螢光體樹脂片的區塊可根據目的而以所需的形狀、尺寸、個數配置。另一方面，支撐含螢光體樹脂片的區塊的基材遍及含螢光體樹脂片的多個區塊而為一體，含螢光體樹脂片的區塊並非個別地散亂。
本發明的樹脂片積層體是預先以所需的厚度、形狀形成均勻地分散有螢光體的樹脂片的區塊，故而可使用該樹脂片於各個LED上形成均勻膜厚、均勻組成的含螢光體樹脂層。而且，由於含螢光體樹脂片的區塊被預先分成所需的形狀，另一方面，該些區塊於基材的長度方向上重複配置，故而容易進行處理，能以簡便的步驟貼附於半導體發光元件。因此，可藉由使用本發明的樹脂片積層體，而以容易的步驟製造亮度及顏色均勻的LED。
如此，本發明的樹脂片積層體中的基材連續，且具有長度方向與寬度方向。此處，於本說明書中，所謂基材連續是指基材未完全分離的狀態。即，當然包括基材中無裂縫的情況，亦包括具有未沿厚度方向貫通基材的裂縫的情況、或雖具有部分地貫通的裂縫但整體上保持一體的連續形狀的情況等。
使用圖1(圖1(a)~圖1(d))~圖4(圖4(a)~圖4(d))說明本發明的樹脂片積層體的構成。另外，該些構成為一例，本發明的樹脂片積層體並不限定於該些構成。
圖1(a)是本發明的樹脂片積層體的構成的一例。於具有長度方向與寬度方向且連續的基材1上，形成為預定形狀的含螢光體樹脂片2的多個區塊沿長度方向積層為一行。
圖1(b)是本發明的樹脂片積層體的構成的另一例。於具有長度方向與寬度方向且連續的基材1上，形成為預定形狀的含螢光體樹脂片2的多個區塊沿長度方向積層為兩行。如此，含螢光體樹脂片2的行並非必須為一行，可視需要形成多行。
圖1(c)是本發明的樹脂片積層體的構成的另一例。於具有長度方向與寬度方向且連續的基材1上，形成為預定形狀的含螢光體樹脂片2的多個區塊沿長度方向積層為一行，且於基材1的不存在含螢光體樹脂片2的部分，以沿長度方向成行的方式開口有在搬送樹脂片積層體時使用的孔(搬送孔3)。於使用本發明的樹脂片積層體將含螢光體樹脂片貼附於半導體發光元件的發光面上的步驟中，在一面沿長度方向傳送樹脂片積層體一面進行對位的情況下，可藉由使用此種搬送孔3以齒輪式傳送裝置進行搬送，而進行精確的對位。
圖1(d)是本發明的樹脂片積層體的構成的另一例。於具有長度方向與寬度方向且連續的基材1上，形成為預定形狀的含螢光體樹脂片2的多個區塊沿長度方向積層為三行，且於基材1的不存在含螢光體樹脂片2的部分，以沿長度方向成行的方式開口有搬送孔3。於在基材1上形成搬送孔3的情況下，亦可如上所 述般形成多行含螢光體樹脂片的區塊。
而且，排列於基材1上的含螢光體樹脂片2的區塊並非必須為矩形，亦可為如圖2(a)所示的六邊形或除此以外的多邊形，而且亦可為如圖2(b)所示的圓形。而且，亦可如圖2(c)所示般規則地或不規則地排列有矩形、橢圓形、六邊形等不同形狀。基本上形成與半導體發光元件的發光面的形狀一致的形狀。當接著於在發光面側具有電極的半導體發光元件時，為了避開電極接合部分而貼附含螢光體樹脂片，亦可如圖3(a)所示般於一部分設置切口，或如圖3(b)所示般開孔。
圖4(a)是表示本發明的樹脂片積層體的構成的一例的剖面圖。含螢光體樹脂片2的區塊直接接觸並排列於基材1上。圖4(b)是本發明的樹脂片積層體的構成剖面圖的另一例，在基材1與含螢光體樹脂片2之間存在脫模層4。脫模層4是為了將基材1與含螢光體樹脂片2之間的接著力設為適合於步驟的最佳接著力而形成，可利用公知的脫模層。圖4(c)是本發明的樹脂片積層體的構成剖面圖的另一例。於含螢光體樹脂片2的與基材不同側的面上具有接著層5。接著層5是為了提高含螢光體樹脂片2與半導體發光元件的接著力而形成，於成分中包含接著成分或感壓式接著成分、即所謂的黏著成分。在含螢光體樹脂片2本身具有接著性的情況下或具有熱融黏性的情況下，不需要接著層5。
此處所提及的「含螢光體樹脂片具有接著性」是指含螢光體樹脂片本身具有與半導體發光元件接著的性能。具體而言，可列舉如下情況：(1)含螢光體樹脂片中的樹脂成分包含感壓性接著成分、即所謂的黏著成分，藉由黏著而與半導體發光元件接 著；或者(2)於含螢光體樹脂片中的樹脂成分中包含於常溫下硬化的成分或利用加熱而硬化的成分，藉由硬化反應而與半導體發光元件接著。
而且，此處所提及的「含螢光體樹脂成分具有熱融黏性」是指於含螢光體樹脂片中的樹脂成分中包含彈性模數因溫度上升而大幅下降的熱塑性成分，藉由加熱並進行貼合而密接於半導體發光元件，且藉由冷卻至室溫而使彈性模數再次上升，並藉由固定化而進行與半導體發光元件的接著。而且，亦可於含螢光體樹脂片的樹脂成分中兼具硬化性與熱融黏性，藉由加熱使彈性模數下降而密接於半導體發光元件，進而藉由加熱使含螢光體樹脂片硬化，從而在半導體發光元件上固定化。
接著層5亦可含有螢光體，但由於通常若以高濃度含有粒子，則接著力下降，故而理想的是接著層5不含螢光體、或含有濃度較含螢光體樹脂片2低的螢光體。亦可包括圖4(b)所示的脫模層4、及圖4(c)所示的接著層5的兩者。
圖4(d)是本發明的樹脂片積層體的構成剖面圖的另一例。於基材1上排列有含螢光體樹脂片2，且基材1於與含螢光體樹脂片2的各區塊的邊界大致相同的位置具有凹部(基材上的槽6)。此時，只要基材為一體，則基材的凹部亦可成為部分地貫通基材的裂痕。若為此種構成，則於僅剝離含螢光體樹脂片2的一個區塊時，鄰接的區塊不會被剝離，故而較佳。其原因在於：於將分割成區塊的含螢光體樹脂片2以區塊為單位自基材剝離時，若基材中不存在此種凹部，則當區塊非常小時，有鄰接的區塊亦同時被剝離的擔憂，但若以不貫通基材的深度設置有凹部，則應 力分散，不會對鄰接的區塊作用大的剝離力。於圖4(b)所示的具有脫模層4的構成的情況下、或圖4(c)所示的於含螢光體樹脂片2上具有接著層的情況下、或者具有圖4(b)的脫模層4及圖4(c)的接著層5的情況下，均可應用此種基材1的凹部。
(基材)
作為長條基材1，可使用公知的金屬、薄膜、玻璃、陶瓷、紙等。具體而言，可列舉：鋁(亦包括鋁合金)、鋅、銅、鐵等金屬板或箔；層壓、塗佈有醋酸纖維素、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚乙烯、聚酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚苯硫醚、聚碸、聚醚碸、聚苯乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚乙烯縮醛(polyvinyl acetal)、芳族聚醯胺等樹脂膜、塑膠(聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯等)的紙；如上所述般層壓或蒸鍍有金屬的紙或者塑膠膜等。該些之中，就將含螢光體樹脂片2貼附於半導體發光元件時的密接性而言，基材較佳為柔軟的薄膜狀，而且，為了消除在對薄膜狀的基材進行處理時產生斷裂等的擔憂，較佳為強度高的薄膜。就該些要求特性或經濟性方面而言，較佳為樹脂膜，其中，尤佳為PET膜。於進行搬送孔等的打孔加工時，就藉由機械加工的打孔性而言，聚苯硫醚膜更合適。在樹脂硬化時需要200℃以上的高溫的情況下，就耐熱性方面而言，更佳為聚醯亞胺膜。而且，在基材為金屬版的情況下，亦可對表面實施鉻系或鎳系等的鍍敷處理或陶瓷處理。
基材的膜厚並無特別限制，下限較佳為25μm以上，更佳為50μm以上。而且，上限較佳為5000μm以下，更佳為3000μm以下。
含螢光體樹脂片2的成分只要是主要包含樹脂及螢光體者，便可無特別限定地使用各式各樣的含螢光體樹脂片。亦可視需要包含其他成分。
(螢光體)
螢光體吸收自半導體發光元件射出的光而轉換波長，並射出波長與半導體發光元件的光不同的光。藉此，自半導體發光元件射出的光的一部分、與自螢光體射出的光的一部分混合，而獲得包含白色的多色系的發光裝置。具體而言，可藉由在藍色系半導體發光元件中光學性地組合利用來自半導體發光裝置的光而發出黃色系的發光色的螢光體，從而使用單一的半導體發光元件獲得白色系的發光。
如上所述的螢光體中有發綠色光的螢光體、發藍色光的螢光體、發黃色光的螢光體、發紅色光的螢光體等各種螢光體。作為本發明中所使用的具體的螢光體，可列舉無機螢光體、有機螢光體、螢光顏料、螢光染料等公知的螢光體。作為有機螢光體，可列舉烯丙基磺醯胺-三聚氰胺-甲醛(allyl sulfonamide melamine-formaldehyde)共縮合染色物或苝系螢光體等，就可長時間使用的方面而言，較佳為使用苝系螢光體。作為尤佳地用於本發明的螢光物質，可列舉無機螢光體。以下，對本發明中所使用的無機螢光體進行記載。
作為發綠色光的螢光體，例如有SrAl2O4：Eu、Y2SiO5：Ce,Tb、MgAl11O19：Ce,Tb、Sr7Al12O25：Eu、(Mg、Ca、Sr、Ba中的至少1種以上)Ga2S4：Eu等。
作為發藍色光的螢光體，例如有Sr5(PO4)3Cl：Eu、 (SrCaBa)5(PO4)3Cl：Eu、(BaCa)5(PO4)3Cl：Eu、(Mg、Ca、Sr、Ba中的至少1種以上)2B5O9Cl：Eu,Mn、(Mg、Ca、Sr、Ba中的至少1種以上)(PO4)6Cl2：Eu,Mn等。
作為發綠色至黃色光的螢光體，有至少由鈰活化的釔-鋁氧化物螢光體、至少由鈰活化的釔-釓-鋁氧化物螢光體、至少由鈰活化的釔-鋁-石榴石氧化物螢光體、及至少由鈰活化的釔-鎵-鋁氧化物螢光體等(所謂的釔-鋁-石榴石(Yttrium Aluminum Garnet，YAG)系螢光體)。具體而言，可使用Ln3M5O12：R(Ln為選自Y、Gd、La中的至少1種以上，M包含Al、Ca中的至少任一者，R為鑭系)、(Y1-xGax)3(Al1-yGay)5O12：R(R為選自Ce、Tb、Pr、Sm、Eu、Dy、Ho中的至少1種以上，0<x<0.5、0<y<0.5)。
作為發紅色光的螢光體，例如有Y2O2S：Eu、La2O2S：Eu、Y2O3：Eu、Gd2O2S：Eu等。
而且，作為對應於目前主流的藍色LED而發光的螢光體，可列舉Y3(Al,Ga)5O12：Ce、(Y,Gd)3Al5O12：Ce、Lu3Al5O12：Ce、Y3Al5O12：Ce等YAG系螢光體、Tb3Al5O12：Ce等鋱-鋁-石榴石(Terbium Aluminum Garnet，TAG)系螢光體、(Ba,Sr)2SiO4：Eu系螢光體或Ca3Sc2Si3O12：Ce系螢光體、(Sr,Ba,Mg)2SiO4：Eu等矽酸鹽系螢光體、(Ca,Sr)2Si5N8：Eu、(Ca,Sr)AlSiN3：Eu、CaSiAlN3：Eu等氮化物系螢光體、Ca(Si,Al)12(O,N)16：Eu等氮氧化物系螢光體、進而(Ba,Sr,Ca)Si2O2N2：Eu系螢光體、Ca8MgSi4O16Cl2：Eu系螢光體、SrAl2O4：Eu、Sr4Al14O25：Eu等螢光體。
該些螢光體中，就發光效率或亮度等方面而言，較佳為使用YAG系螢光體、TAG系螢光體、矽酸鹽系螢光體。
除上述以外，亦可根據作為用途或目的的發光色而使用公知的螢光體。
螢光體的粒子尺寸並無特別限制，D50較佳為0.05μm以上，更佳為3μm以上。而且，D50較佳為30μm以下，更佳為20μm以下。此處，所謂D50是指於利用雷射繞射散射式粒度分佈測定法進行測定所獲得的體積基準粒度分佈中，自小粒徑側的通過量累計為50%時的粒徑。若D50為上述範圍，則薄片中的螢光體的分散性良好，而可獲得穩定的發光。
(樹脂)
本發明中所使用的樹脂為於內部含有螢光體的樹脂，最終形成薄片。由此，只要為使螢光體均質地分散於內部、且可形成薄片的樹脂，亦可為任何樹脂。具體而言，可列舉矽酮樹脂、環氧樹脂、聚芳酯樹脂、PET改質聚芳酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、環烯烴、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚丙烯樹脂、改質丙烯酸樹脂、聚苯乙烯樹脂及丙烯腈-苯乙烯共聚物樹脂等。於本發明中，就透明性方面而言，較佳為使用矽酮樹脂或環氧樹脂。進而，就耐熱性方面而言，尤佳為使用矽酮樹脂。
作為本發明中所使用的矽酮樹脂，較佳為硬化型矽酮橡膠。亦可使用單液型、二液型(三液型)中的任一種液體構成。於硬化型矽酮橡膠中，作為由空氣中的水分或觸媒引起縮合反應的類型，有脫醇型、脫肟型、脫醋酸型、脫羥胺型等。而且，作為由觸媒引起矽氫化反應的類型，有加成反應型。亦可使用該些 任一種類型的硬化型矽酮橡膠。尤其是加成反應型的矽酮橡膠不會伴隨著硬化反應而產生副產物，就硬化收縮小的方面、及容易藉由加熱而加快硬化的方面而言更佳。
作為一例，加成反應型的矽酮橡膠是藉由含有鍵結於矽原子的烯基的化合物、與含有鍵結於矽原子的氫原子的化合物的矽氫化反應而形成。作為此種材料，可列舉藉由乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、丙烯基三甲氧基矽烷、降莰烯基三甲氧基矽烷、辛烯基三甲氧基矽烷等含有鍵結於矽原子的烯基的化合物、與甲基氫聚矽氧烷、二甲基聚矽氧烷-共聚-甲基氫聚矽氧烷、乙基氫聚矽氧烷、甲基氫聚矽氧烷-共聚-甲基苯基聚矽氧烷等含有鍵結於矽原子的氫原子的化合物的矽氫化反應而形成者。而且，除此以外，例如亦可利用如日本專利特開2010-159411號公報所記載的公知者。
而且，作為市售者，亦可使用一般的LED用途的矽酮密封材料。作為具體例，有東麗道康寧(Dow Corning Toray)公司製造的OE-6630A/B、OE-6336A/B或信越化學工業股份有限公司製造的SCR-1012A/B、SCR-1016A/B等。
而且，在樹脂具有熱融黏性的情況下，因無需於含螢光體樹脂片上另外設置下述接著層，故而使步驟簡化。就光學特性或耐久性而言，最佳為加成反應型矽酮橡膠且具有熱融黏性者。
(其他成分)
而且，亦可添加用以實現塗佈膜穩定化的分散劑或均化劑(leveling agent)作為添加劑，且添加矽烷偶合劑等接著助劑等作為薄片表面的改質劑。而且，亦可添加矽酮微粒子等無機粒子作 為螢光體沈澱抑制劑。
用於抑制螢光體沈澱的矽酮微粒子較佳為平均粒徑(D50)為0.01μm以上且未滿5μm。若為0.01μm以上，則容易製造矽酮微粒子且容易向含螢光體樹脂片中分散。若未滿5μm，則不會對含螢光體樹脂片的透射率造成不良影響。
(螢光體含量)
螢光體的含量較佳為含螢光體樹脂片整體的53wt%(重量百分比)以上，更佳為60wt%以上。藉由將含螢光體樹脂片中的螢光體含量設為上述範圍，可提高含螢光體樹脂片的耐光性。另外，螢光體含量的上限並無特別規定，就易於製成作業性優異的薄片的觀點而言，較佳為含螢光體樹脂片整體的95wt%以下，更佳為90wt%以下，進而較佳為85wt%以下，尤佳為80wt%以下。
(含螢光體樹脂片的膜厚)
就提高含螢光體樹脂片的耐熱性的觀點而言，含螢光體樹脂片的膜厚較佳為200μm以下，更佳為100μm以下。
本發明中的薄片的膜厚是指基於JIS K7130(1999)塑膠-薄膜及薄片-厚度測定方法中的利用機械掃描的厚度測定方法A法而測定的膜厚(平均膜厚)。
LED處於在小空間內產生大量的熱的環境中，尤其是在高功率(high-power)LED的情況下，發熱顯著。由此種發熱導致螢光體的溫度上升，由此導致LED的亮度下降。因此，重要的是如何使產生的熱高效地散出。於本發明中，可藉由將薄片膜厚設為上述範圍而獲得耐熱性優異的薄片。而且，若薄片膜厚存在差異，則於每一個半導體發光元件中螢光體量會產生差異，結果， 發光光譜產生差異。因此，薄片膜厚的差異較佳為±5%以內，更佳為±3%以內，進而較佳為±1.5%以內。另外，此處所提及的膜厚差異是基於JIS K7130(1999)塑膠-薄膜及薄片-厚度測定方法中的藉由機械掃描的厚度測定方法A法而測定膜厚，且利用下述所示的式子算出。
更具體而言，採用藉由機械掃描的厚度測定方法A法的測定條件，使用市售的接觸式厚度計等測微計(micrometer)測定膜厚，計算所獲得的膜厚的最大值或最小值與平均膜厚的差，並將該值除以平均膜厚且以百分率表示的值成為膜厚差異B(%)。
膜厚差異B(%)=(最大膜厚偏差值＊-平均膜厚)/平均膜厚×100
＊最大膜厚偏差值是選擇膜厚的最大值或最小值中與平均膜厚的差較大者。
(其他構成)
脫模層4的材料並無特別限制，可使用一般所利用的材料。作為通用的脫模劑，有蠟、液態石蠟(liquid paraffin)、矽酮系、氟系等脫模劑，但通常作為樹脂的脫模劑，多使用矽酮系、氟系的脫模劑，於本發明中亦可較佳地使用該些脫模劑。尤其是矽銅系的脫模劑的脫模性高，故而較佳。脫模層4的材料選定或向基材上的塗佈量根據所需的剝離強度來決定。即，可藉由適當地選定脫模劑的種類、量，而於將含螢光體樹脂片加工成所需的形狀時，含螢光體樹脂片不會自基材剝離，而且於將含螢光體樹脂片貼附於半導體發光元件時，含螢光體樹脂片迅速地自基材剝離。即便在使用同僚的同一脫模劑的情況下，剝離強度亦會因含螢光 體樹脂片的組成而異，因此，為了獲得所需的剝離性，理想的是針對所使用的每一片含螢光體樹脂片調整剝離強度。
接著層5的材料並無特別限制，可列舉一般的橡膠系、丙烯酸系、胺基甲酸乙酯(urethane)系、矽酮系黏著劑等。雖可使用任何一種，但作為適宜於耐熱性、絕緣性、透明性的黏著劑，矽酮系黏著劑較為有用。
理想的是接著層5的厚度為2μm以上且200μm以下。無論黏著劑的種類如何，只要為2μm以上，便可獲得高黏著強度。藉由使接著層5的厚度為200μm以下，而於將含螢光體樹脂片2加工成所需的形狀時，可在接著層5的黏著性不產生不良情況的前提下進行加工，而且，於貼附於半導體發光元件後不會帶來光學損失。而且，在必須埋入半導體發光元件表面的構造或安裝電極等突起物的情況下，由於該些構造通常為100μm以下，故而若接著層5的膜厚為200μm以下，則可獲得充分的埋入性。
亦可於含螢光體樹脂片2上設置保護膜。保護膜的材料並無特別限制，可列舉聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、賽璐凡等。而且，亦可藉由矽酮系或氟系等公知的脫模劑對保護膜進行脫模處理。在如圖4(c)所示般於含螢光體樹脂片2上存在接著層5的情況下，可於接著層5上設置保護膜。
(樹脂片積層體的製作方法)
對製造本發明的樹脂片積層體的方法進行說明。另外，該些為一例，本發明的樹脂片積層體的製造方法並不限定於該些。
利用下述方法將含螢光體樹脂片2積層於基材1上。接 著，藉由積層光阻劑(photoresit)，並實施圖案(pattern)加工，而形成防蝕圖案，將該防蝕圖案作為遮罩，利用可溶解含螢光體樹脂片2的化學製劑實施蝕刻，從而將含螢光體樹脂片2分割成所需的形狀。光阻劑可利用市售者。
而且，作為另一種方法，使形成有圖案的網版(screen)印刷版重疊於基材1上，利用刮漿板(squeegee)將使螢光體分散於樹脂溶液中而成的漿料(paste)充填至網版印刷版，並進行印刷、乾燥，藉此形成分割成所需的形狀的含螢光體樹脂片2。於該方法中，由於在將含螢光體樹脂片2形成於基材上時使用網版印刷等可印刷成圖案狀的方法，故而可直接獲得所需的圖案的含螢光體樹脂片2。網版印刷版必須選擇對包含於含螢光體樹脂片2中的溶劑具有耐久性者。較佳為對不鏽鋼絲網(stainless steel screen)實施利用高耐化學品性樹脂的圖案而成者。
又一種方法是利用下述方法將含螢光體樹脂片2形成於基材1上。其後，藉由利用模具進行的打孔(punching)、利用雷射進行的加工、或利用刀具進行的切削中的任一種加工方法，將含螢光體樹脂片2分割、加工成所需的形狀。於將含螢光體樹脂片2分割成各個區塊時，重要的是以基材成為一體化的狀態的方式，至少於一部分未貫通基材，作為用以實現該目的的方法，理想的是利用刀具進行的切削。利用刀具的切削方法有簡單的壓入刀具而進行切割的方法、及利用旋轉刀進行切割的方法。作為利用旋轉刀進行切斷的裝置，可較佳地利用被稱為切片機(dicer)的於將半導體基板切斷(切割(dicing))成個別的晶片時使用的裝置。若使用切片機，則可藉由設定旋轉刀的厚度或條件而精確 地控制分割線的寬度，故而與單純藉由刀具的壓入而進行切斷相比，可獲得較高的加工精度。
於任一種利用刀具的方法中，只要進行非常精確的刀具的位置控制，則均可分割含螢光體樹脂片2並且不切斷基材，但實際上始終以完全相同的深度進行切斷非常困難。由此，為了防止在切斷深度略有偏差的情況下無法準確地分割含螢光體樹脂片2，較佳為將切斷深度預先設定為部分地切斷基材的深度。在利用該方法製造本發明的樹脂片積層體的情況下，事實上在大部分情況下，於與含螢光體樹脂片2的切斷位置大致相同的位置上刻有未貫通基材的凹部。在該情況下，凹部多形成為連續或間斷的槽狀，只要未將基材分斷，則凹部亦可成為部分地貫通基材的裂縫。
雖利用任一種方法均可較佳地製造本發明的樹脂片積層體，但尤佳為形成含螢光體樹脂片2後加工成各個區塊的方法。由於不存在因使抗蝕劑、化學製劑或版材接觸於含螢光體樹脂片2而導致的薄片損傷的擔憂，故而容易獲得均勻的含螢光體樹脂片2。
對本發明的樹脂片積層體的製作方法進行更具體的說明。另外，以下為一例，樹脂片積層體的製作方法並不限定於此。首先，製作使螢光體分散於樹脂中所得的溶液(以下稱為「薄片溶液」)作為用於形成含螢光體樹脂片的塗佈液。薄片溶液是藉由在適當的溶劑中混合螢光體與樹脂而獲得。在使用加成反應型矽酮樹脂的情況下，若將含有鍵結於矽原子的烯基的化合物、與含有鍵結於矽原子的氫原子的化合物混合，則有在室溫下便開始硬化反應的情況，因此，亦可進一步將乙炔化合物等矽氫化反應延 遲劑調配在薄片溶液中，而延長適用期(pot life)。而且，亦可於薄片溶液中混合用以實現塗佈膜穩定化的分散劑或均化劑作為添加劑，且混合矽烷偶合劑等接著助劑等作為薄片表面的改質劑。而且，亦可於薄片溶液中混合矽酮微粒子等無機粒子作為螢光體沈澱抑制劑。
溶劑只要可調整流動狀態的樹脂的黏度，則無特別限定。例如，可列舉甲苯、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、己烷、丙酮等。
將該些成分以成為預定組成的方式調配後，利用均質機(homogenizer)、自轉公轉型攪拌機、三輥機(Three rollers)、球磨機(ball mill)、行星式球磨機、珠磨機(Beads-mill)等攪拌機.混練機均質地進行混合分散，藉此可獲得薄片溶液。較佳為於混合分散後、或混合分散的過程中，亦於真空或減壓條件下進行消泡。
接著，將薄片溶液塗佈於基材上，並使其乾燥。塗佈可藉由逆輥塗佈機(reverse roll coater)、刮刀塗佈機(blade coater)、狹縫式擠出塗佈機(slit die coater)、直接凹版塗佈機(direct gravure coater)、補償凹版塗佈機(offset gravure coater)、接觸式塗佈機(kiss coater)、網版印刷、自然輥塗佈機(natural roll coater)、氣刀塗佈機(air-knife coater)、輥式刮刀塗佈機(roll blade coater)、磨棒輥刮刀塗佈機(burr bar roll blade coater)、雙流塗佈機(Two streams coater)、桿式塗佈機(rod coater)、線棒塗佈機(wire bar coater)、敷料器(applicator)、浸漬塗佈機(dip coater)、簾幕式塗佈機(curtain coater)、旋轉塗佈機(spin coater)、刀式塗佈機 (knife coater)等進行。為了獲得薄片膜厚的均勻性，較佳為利用狹縫式擠出塗佈機進行塗佈。而且，亦可使用網版印刷或凹版印刷、平版印刷等印刷法進行製作。尤佳為使用網版印刷。
薄片的乾燥可使用熱風乾燥機或紅外線乾燥機等一般的加熱裝置進行。於薄片的加熱硬化時，使用熱風乾燥機或紅外線乾燥機等一般的加熱裝置。在該情況下，加熱硬化條件通常為於40℃~250℃下進行1分鐘~5小時，較佳為於100℃~200℃下進行2分鐘~3小時。
以上述方式形成於基材上的含螢光體樹脂片2可利用如上所述的方法而分割為預定的形狀及區塊。
而且，如圖2(圖2(a)~圖2(c))及圖3(圖3(a)~圖3(b))所示，在欲獲得單純的矩形以外的含螢光體樹脂片2的分割形狀的情況下，只要預先準備具有所需的圖案者作為光罩或網版即可。在將均勻的含螢光體樹脂片2後續加工成區塊形狀的情況下，必須於將螢光體樹脂層分割成個別的區塊的加工前後，藉由雷射加工等實施加工。
(含螢光體樹脂片2與半導體發光元件的貼合)
接著，對使用本發明的樹脂片積層體的附有含螢光體樹脂片的半導體發光元件的製造方法進行說明。本發明的樹脂片積層體由於是在長條基材上包括含有螢光體及樹脂的樹脂片，且上述樹脂片的區塊於上述長條基材的長度方向上重複配置，故而可較佳地利用於附有含螢光體樹脂片的半導體發光元件的製造方法中，該附有含螢光體樹脂片的半導體發光元件的製造方法的特徵在於至少包括： (A)對位步驟，使上述長條基材上的上述含螢光體樹脂片的一區塊與一半導體發光元件的發光面對向；以及(B)接著步驟，利用加壓工具進行加壓，而使上述含螢光體樹脂片的上述一區塊與上述一半導體發光元件的發光面接著，且藉由重複進行(A)及(B)的步驟，而連續地進行含螢光體樹脂片與半導體發光元件的接著。
另外，所謂重複進行(A)及(B)的步驟是指重複進行如下操作，即，於對長條基材上的上述含螢光體樹脂片的第n個區塊與第n個半導體發光元件的發光面這一組進行(A)及(B)步驟後，對第n+1個區塊與第n+1個半導體發光元件的發光面這一組進行(A)及(B)步驟。此處，n為1以上的整數。
圖5(a)、圖5(b)、圖5(c)、圖5(d)是使用本發明的樹脂片積層體的附有含螢光體樹脂片2的半導體發光元件的製造方法的第1例。於長條基材1上排列有含螢光體樹脂片2的區塊，於與該些區塊相對的位置上，於移動平台(stage)8上配置有半導體發光元件9。第1例是將上述半導體發光元件沿一方向重複配置於進行上述接著步驟的平台上的附有含螢光體樹脂片的半導體發光元件的製造方法。
如圖5(a)所示，以含螢光體樹脂片2的第一區塊、與第一半導體發光元件9的發光面對向的方式對準各自的位置。於對該兩者進行對位時，較佳為裝備有光學對位系統。
接著，如圖5(b)所示，藉由使用加壓工具7自基材1側進行加壓，而使含螢光體樹脂片2與半導體發光元件9接著。
接著，如圖5(c)所示，將加壓工具7提拉至上方而停 止加壓。此時，藉由預先適當地調整基材1與含螢光體樹脂片2的接著力、及含螢光體樹脂片2與半導體發光元件9的接著力，而於提拉加壓工具7的同時，將基材1自含螢光體樹脂片2剝離，從而成為僅含螢光體樹脂片2接著於半導體發光元件9的狀態。
作為適當地調整基材1與樹脂片的接著力的方法，可列舉選擇基材1的材質的方法、或如圖4(b)所示般在基材1與含螢光體樹脂片2之間設置脫模層4的方法。
接著，如圖5(d)所示，使樹脂片積層體、及排列有半導體發光元件的平台移動，使含螢光體樹脂片2的第二區塊(圖中以符號2'表示)、與第二半導體發光元件9(圖中以符號9'表示)對向而進行對位。
如此，可藉由重複進行圖5(b)~圖5(d)所示的操作，而以高處理量連續地生產附有含螢光體樹脂片2的半導體發光元件10。
於該第1例中，半導體發光元件預先重複配置於一方向上。使用本發明的樹脂片積層體的附有含螢光體樹脂片的半導體發光元件的製造方法並非必須限定於此種實施方式，例如亦可為將半導體發光元件個別地傳送至平台的形態，但第1例所示的形態是作為更佳的實施方式而被例示。
於圖6(a)、圖6(b)、圖6(c)、圖6(d)中表示使用本發明的樹脂片積層體的附有含螢光體樹脂片2的半導體發光元件的製造方法的第2例。第2例是上述含螢光體樹脂片於長度方向上的排列間距與上述半導體發光元件於一方向上的排列間距相同的附有含螢光體樹脂片的半導體發光元件的製造方法。
此處，所謂含螢光體樹脂片的區塊的排列間距與半導體發光元件的排列間距相同是指間距相同至在使含螢光體樹脂片接著於半導體發光元件時無需重新進行對位的程度。
於第1例中，由於樹脂片積層體中的含螢光體樹脂片2的區塊的排列間距與半導體發光元件9的排列間距不同，故而必須對含螢光體樹脂片2的各個區塊與半導體發光元件9個別地進行對位。於第2例中，亦可個別地進行對位，但由於亦可預先進行含螢光體樹脂片2的多個區塊與多個半導體發光元件9的對位，故而可省略個別的對位。
因此，第2例中的較佳的實施方式是一種附有含螢光體樹脂片的半導體發光元件的製造方法，其特徵在於：上述(A)步驟是如下(C)對位步驟，即，一次性地使上述含螢光體樹脂片的多個區塊與上述半導體發光元件的多個發光面分別對向；上述(B)步驟是如下(D)接著步驟，即，利用加壓工具進行加壓，而使上述含螢光體樹脂片的區塊與上述半導體發光元件的發光面依序接著，且藉由重複進行(C)及(D)的步驟，而連續地進行含螢光體樹脂片與半導體發光元件的接著。
如圖6(a)所示，於基材1上排列有含螢光體樹脂片2的區塊，於與該些區塊相對的位置上，於平台8上配置有半導體發光元件9。基材1上的含螢光體樹脂片2、與平台8上的半導體發光元件9以相等的間距排列，同時使含螢光體樹脂片2的多個區塊與多個半導體發光元件9對位並對向。
如圖6(b)所示，藉由使用加壓工具7自基材1側進行加壓，而使含螢光體樹脂片2的第一區塊與第一半導體發光元件9接著。
接著，如圖6(c)所示，將加壓工具7提拉至上方而停止加壓。此時，藉由預先適當地調整基材1與含螢光體樹脂片2的接著力、及含螢光體樹脂片2與半導體發光元件9的接著力，而於提拉加壓工具7的同時，將基材1自含螢光體樹脂片2剝離，從而成為僅含螢光體樹脂片2接著於半導體發光元件9的狀態。
繼而，如圖6(d)所示，加壓工具7移動，而移動至含螢光體樹脂片2的第二區塊、與第二半導體發光元件9的上方。
其後，可藉由重複進行圖6(b)~圖6(d)所示的步驟，而以高處理量連續地生產附有含螢光體樹脂片的半導體發光元件10。
含螢光體樹脂片的區塊的排列間距與半導體發光元件的排列間距相同的範圍無需遍及長條基材整體。若各自的間距相同的部分有幾個~十幾個左右，即可對該範圍實施上述第2例，可縮短製程時間(tact time)。於間距存在偏差的部分，只要重新進行步驟(D)即可。
而且，於圖6(d)中例示了使加壓工具移動的方法，但只要加壓工具、與經對位的樹脂片積層體及平台的組合處於相對移動的關係即可。因此，亦可使加壓工具靜止，而使經對位的樹脂片積層體及平台的組合移動，或亦可使兩者均移動。
而且，在含螢光體樹脂片的區塊的排列間距與半導體發光元件的排列間距相同的情況下，可對含螢光體樹脂片的多個區 塊與半導體發光元件實施加壓，而同時使該些接著。即，於上述(E)步驟中，可藉由對經對向的含螢光體樹脂片的多個區塊中的2個以上同時加壓，而使上述含螢光體樹脂片的2個以上的區塊接著於2個以上的半導體發光元件的發光面。
作為第2例的變化例，可列舉如下方法，即，於上述(D)步驟中，藉由對經對向的含螢光體樹脂片的多個區塊中的2個以上同時加壓，而使上述含螢光體樹脂片的2個以上的區塊接著於2個以上的半導體發光元件的發光面。圖7表示利用批次加壓工具13將含螢光體樹脂片2的3個區塊、與3個半導體發光元件9同時加壓接著的例子。於圖7中，同時受到加壓、接著的含螢光體樹脂片的區塊與半導體發光元件的數量分別為3個，但個數並無限制。
圖8(圖8A(a)、圖8A(b)、圖8A(c)、圖8A(d)~圖8B(e)、圖8B(f)、圖8B(g)、圖8B(g'))是使用本發明的樹脂片積層體的附有含螢光體樹脂片2的半導體發光元件的製造方法的第3例，且是基材1與含螢光體樹脂片2的接著力相對較高，而除加壓工具7以外另外需要剝離工具的情況下的例子。
圖8A(a)中，於基材1上排列有含螢光體樹脂片2的區塊，且於與含螢光體樹脂片2的區塊相對的位置上，於移動平台8上配置有半導體發光元件9。於樹脂片積層體的基材1側配置有加壓工具7及剝離輥11。
如圖8A(b)所示，藉由使用加壓工具7自基材1側進行加壓，而使含螢光體樹脂片2與半導體發光元件9接著。與此同時、或者在此之後，剝離輥11下降至與加壓工具7相同的高度， 並接觸於基材1。
如圖8A(c)所示，在即便加壓工具7上升而解除加壓，基材1與含螢光體樹脂片2的接著力亦相對較強的情況下，基材1不會自動地自含螢光體樹脂片2剝離。
如圖8A(d)所示，將基材1、含螢光體樹脂片2及半導體發光元件9於接著的狀態下向圖式右方向傳送。
如圖8B(e)及圖8B(f)所示，藉由加壓工具7使含螢光體樹脂片2的第二區塊與第二半導體發光元件9接著，且將樹脂片積層體與半導體發光元件進一步向圖式右方向傳送。
於圖8B(g)中，於第1含螢光體樹脂片2及第1半導體發光元件9到達至剝離輥11的時間點時，自半導體發光元件9的端部依序向上方提拉基材1，從而將基材1自含螢光體樹脂片2的區塊剝離。
作為將基材1自含螢光體樹脂層2剝離的工具，除如圖8A(a)~圖8B(g)所示的剝離輥11以外，亦可為如圖8(g')所示的藉由吸附向上方提拉基材1的真空吸附剝離工具12。
而且，於圖8A(a)~圖8B(g')中，以可變更接著前後的半導體發光元件的搬送速度的方式對含螢光體樹脂片2的第二區塊與第2半導體發光元件9進行對位。其原因在於：由於基材1上的含螢光體樹脂片2的區塊的排列間距、與半導體發光元件9的排列間距不同，故而若於使含螢光體樹脂片2的第一區塊與第一半導體發光元件9接著前後，基材1與半導體發光元件9的搬送速度均固定，則無法對含螢光體樹脂片2的第二區塊與第2半導體發光元件9進行對位。在含螢光體樹脂片2的區塊的排列 間距與半導體發光元件9的排列間距相同的情況下，無需進行此種調整。
於使含螢光體樹脂片接著於半導體發光元件的發光面時，根據含螢光體樹脂片或基材的柔軟性，而存在於接著面中含入氣泡的情況。氣泡一旦進入則難以去除，會導致來自半導體發光元件的發光散射，而明顯損及光學特性。因此，重要的是於接著時不使氣泡進入，作為其方法，有如下方法較為有效，即，於使含螢光體樹脂片與半導體發光元件接著時，先對一部分進行加壓，並自該部分朝向其他區域進行加壓，而非遍及整個面同時一致地進行加壓。
圖9(a)、圖9(b)以示意的方式表示防止氣泡含入的加壓工具構造的一例。於加壓工具內部包括如鉸鏈(hinge)般的可動部分14、及利用彈簧(spring)等的彈性體構造15。若開始加壓，則工具的具有彈性體構造15的一側先開始對樹脂片積層體進行加壓，藉由將加壓工具向下壓，而使彈性體構造15縮小，同時可動部分14摺疊，而自彈性體構造15的一端朝向其相反側的一端加壓，從而自圖中右方朝左方擠出空氣，因此，可防止含入氣泡。
圖10是防止氣泡含入的加壓工具的第2例。利用加壓輥16自基材1側對含螢光體樹脂片2的區塊進行加壓，而使含螢光體樹脂片2的區塊接著於半導體發光元件9的發光面上。加壓輥16自圖的右側朝向左側進行加壓，藉此，接著界面的空氣依序被擠出，而可防止含入氣泡。
圖9(a)、圖9(b)及圖10中所示的防止氣泡含入的 加壓工具構造可應用於圖5(a)~圖5(d)至圖8A(a)~圖8B(g')所說明的任一種製造方法中。而且，圖9(a)、圖9(b)及圖10均為加壓工具自基材側進行加壓的情況下的例子，但如以下所說明般，於加壓工具自半導體發光元件側進行加壓的情況下亦可應用。即，較佳為先對加壓對象的區塊的一部分進行加壓，並自該部分朝向其他區域進行加壓。
圖5(a)~圖5(d)至圖10所示的製造方法均為如下方法，即，將本發明的樹脂片積層體以使含螢光體樹脂片2朝下的方式配置，於含螢光體樹脂片2的下方，將半導體發光元件9以發光面朝上的方式排列於平台上，並利用加壓工具7自樹脂片積層體的基材1側進行加壓而接著，但樹脂片積層體、半導體發光元件及加壓工具的配置的上下順序並非必須限定於該順序，亦可將樹脂片積層體配置於下方，而將半導體發光元件配置於上方，且於接著步驟中，加壓工具亦可自半導體發光元件側進行加壓。
於圖11中表示一例。該例是包括如下步驟的方法：(E)以樹脂片的區塊位於上方的方式將樹脂片積層體配置於平台上；(F)使半導體發光元件的發光面朝下而與上述樹脂片的區塊對向；以及(G)藉由自半導體發光元件側進行加壓，而使上述樹脂片的區塊與上述半導體發光元件的發光面接著。
樹脂片積層體是以使基材1在下方且使含螢光體樹脂片2的區塊朝上的方式配置於平台8上。半導體發光元件9配置於含 螢光體樹脂片2的區塊的上部，藉由吸附保持半導體發光元件的加壓工具7，自半導體發光元件9的上部進行加壓，而使含螢光體樹脂片2的區塊與半導體發光元件9接著。
在圖5(a)~圖5(d)至圖11所示的所有情況下，於含螢光體樹脂片2的區塊具有接著性、黏著性時、或於含螢光體樹脂片2的區塊上積層有接著性、黏著性的樹脂層時，藉由利用加壓工具進行加壓，而使含螢光體樹脂片2與半導體發光元件9相互接著。於含螢光體樹脂片2具有熱融黏性時、或於含螢光體樹脂片2上積層有具有熱融黏性的樹脂時，於利用加壓工具進行加壓期間賦予熱，藉此使含螢光體樹脂片2的區塊與半導體發光元件9相互接著。
作為於加壓期間賦予熱的方法，可應用使加壓工具7具有加熱功能的方法、使供半導體發光元件9排列的平台8具有加熱功能而對半導體發光元件9進行加熱的方法、利用紅外線等輻射熱的方法、使加壓部位的氛圍溫度上升的方法等。
於圖5(a)~圖5(d)及圖7~圖11中的各製造方法中，藉由本發明的樹脂片積層體與半導體發光元件相對移動，而連續地進行含螢光體樹脂片2的區塊與半導體發光元件9的接著。作為使樹脂片積層體與半導體發光元件相對地移動的方向，例如，如圖12(a)所示，一般使包括基材1及含螢光體樹脂片2的區塊的樹脂片積層體的長度方向、與排列有半導體發光元件的平台的方向平行，但並非必須平行，亦可如圖12(b)所示般正交。亦即，半導體發光元件沿一方向重複配置於進行接著步驟的平台時的「一方向」亦可與含螢光體樹脂片的長度方向不同。
而且，於圖13中表示將半導體發光元件9二維地排列於沿XY方向移動的平台19上的情況下的例子。一面使樹脂片積層體與XY移動平台19相互沿X方向移動，一面對二維地配置的半導體發光元件的1列大小的排列依序進行與含螢光體樹脂片2的接著，若完成1列大小的半導體發光元件與含螢光體樹脂片2的接著，則接著使XY移動平台向Y方向移動相當於1行半導體發光元件的量，且對第2列依序接著含螢光體樹脂片2，藉此，可對配置成二維狀的半導體發光元件連續地接著含螢光體樹脂片2。
樹脂片積層體上的含螢光體樹脂片2亦可配置成二維狀，如圖14所示，亦可分別將樹脂片積層體與半導體發光元件排列成二維狀，且呈二維狀相對地移動，而依序進行含螢光體樹脂片2與半導體發光元件9的接著。亦即，在樹脂片的區塊於長條基材的長度方向上重複配置的情況下，不會妨礙該區塊亦於該長度方向以外的方向上重複配置。
同樣地，在半導體發光元件沿一方向重複配置於進行接著步驟的平台上的情況下，不會妨礙該半導體發光元件亦重複配置於該一方向以外的方向上。而且，例如若可針對圖14中的Y方向上的多列進行含螢光體樹脂片與半導體發光元件的對位，則亦可同時使2列以上的含螢光體樹脂片與半導體發光元件接著。
於圖5(a)~圖5(d)及圖7~圖11中的各製造方法中，以本發明的樹脂片積層體的含螢光體樹脂片2均平面性地貼附於半導體發光元件的上部發光面的圖加以表示，但各製造方法全部可用作將含螢光體樹脂片2貼附至半導體發光元件的側面部分為止的方法。於圖15(a)、圖15(b)、圖15(c)中表示一例。
如圖15(a)所示，在配置於平台8上的半導體發光元件9上，以含螢光體樹脂片2為下表面的方式配置本發明的樹脂片積層體，且於基材側配置具有凹部的加壓工具7。含螢光體樹脂片2被設計得大於半導體發光元件9的上部發光面。
如圖15(b)所示，利用具有凹部的加壓工具7，自基材側將樹脂片積層體按壓至半導體發光元件9上並進行加壓。此時，半導體發光元件9由加壓工具7的凹部包圍，而將樹脂片積層體按壓至半導體發光元件9的上表面及側面的一部分並進行加壓。
如圖15(c)所示，藉由使加壓工具7向上部移動並離開，而製造整個上表面及側面的一部分由含螢光體樹脂片2被覆的半導體發光元件9。在半導體發光元件9於側面亦具有發光的放射方向的情況下，必須以此方式由含螢光體樹脂片2覆蓋至側面，根據本發明，可容易地被覆側面。
1‧‧‧基材
2‧‧‧含螢光體樹脂片

Claims (20)

  1. 一種樹脂片積層體，其特徵在於：於長條基材上包括含有螢光體及樹脂的樹脂片，且上述樹脂片的區塊於上述長條基材的長度方向上重複配置。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的樹脂片積層體，其中上述樹脂片的膜厚為200μm以下。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的樹脂片積層體，其中上述樹脂片於上述長條基材的寬度方向上配置有多行。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的樹脂片積層體，其中於上述長條基材中設置有搬送孔。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的樹脂片積層體，其中在上述長條基材與上述樹脂片之間包括脫模層。
  6. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的樹脂片積層體，其中於上述樹脂片的與上述長條基材為相反側的面上設置有接著層或黏著層。
  7. 如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的樹脂片積層體，其中上述樹脂片具有熱融黏性。
  8. 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述的樹脂片積層體，其中於上述長條基材的與上述樹脂片的區塊大致一致的位置上設置有槽。
  9. 如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述的樹脂片積層體，其中上述樹脂片貼附於發光二極體的發光面上。
  10. 一種附有含螢光體樹脂片的半導體發光元件的製造方法，其使用如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的樹脂 片積層體，且上述附有含螢光體樹脂片的半導體發光元件的製造方法的特徵在於至少包括：(A)對位步驟，使上述長條基材上的上述含螢光體樹脂片的一區塊與一半導體發光元件的發光面對向；以及(B)接著步驟，利用加壓工具進行加壓，而使上述含螢光體樹脂片的上述一區塊與上述一半導體發光元件的發光面接著，且藉由重複進行上述(A)及上述(B)的步驟，而連續地進行上述含螢光體樹脂片與上述半導體發光元件的接著。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的附有含螢光體樹脂片的半導體發光元件的製造方法，其中上述半導體發光元件於進行上述接著步驟的平台上沿一方向重複配置。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的附有含螢光體樹脂片的半導體發光元件的製造方法，其中上述含螢光體樹脂片於長度方向上的排列間距與上述半導體發光元件於一方向上的排列間距相同。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的附有含螢光體樹脂片的半導體發光元件的製造方法，其中上述(A)步驟是如下(C)對位步驟：一次性地使上述含螢光體樹脂片的多個區塊與上述半導體發光元件的多個發光面分別對向；上述(B)步驟是如下(D)接著步驟：利用加壓工具進行加壓，而使上述含螢光體樹脂片的區塊與上述半導體發光元件的發光面依序接著，且藉由重複進行上述(C)及上述(D)的步驟，而連續地進行上述含螢光體樹脂片與上述半導體發光元件的接著。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的附有含螢光體樹脂片的半導體發光元件的製造方法，其中於上述(D)步驟中，藉由同時對對向的上述含螢光體樹脂片的多個區塊中的2個以上進行加壓，而使上述含螢光體樹脂片的2個以上的區塊接著於2個以上的上述半導體發光元件的發光面。
  15. 如申請專利範圍第10項至第14項中任一項所述的附有含螢光體樹脂片的半導體發光元件的製造方法，其中於上述接著步驟中，上述加壓工具自基材側進行加壓。
  16. 如申請專利範圍第10項至第14項中任一項所述的附有含螢光體樹脂片的半導體發光元件的製造方法，其中於上述接著步驟中，上述加壓工具自半導體發光元件側進行加壓。
  17. 如申請專利範圍第10項至第16項中任一項所述的附有含螢光體樹脂片的半導體發光元件的製造方法，其中於使上述含螢光體樹脂片的區塊與上述半導體發光元件的發光面接著後，另外使用與上述加壓工具不同的剝離工具將上述基材剝離。
  18. 如申請專利範圍第10項至第17項中任一項所述的附有含螢光體樹脂片的半導體發光元件的製造方法，其中於上述接著步驟中，上述加壓工具先對加壓對象的區塊的一部分進行加壓，且自上述加壓對象的區塊的一部分朝向其他區域進行加壓。
  19. 如申請專利範圍第17項所述的附有含螢光體樹脂片的半導體發光元件的製造方法，其中上述加壓工具為加壓輥。
  20. 如申請專利範圍第9項至第18項中任一項所述的附有含螢光體樹脂片的半導體發光元件的製造方法，其中於上述接著步驟中，一併進行加壓與加熱。
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