TW201405378A - 光學位移偵測裝置及方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提出一種光學位移偵測裝置及光學位移偵測方法。光學位移偵測裝置,包含:光源,投射探照光至待測表面;影像擷取單元,其根據從待測表面反射的光線,以產生影像訊號;以及處理單元,根據影像訊號,產生曝光狀態值與影像特徵值,並根據初始曝光範圍、曝光狀態值與影像特徵值,以決定曝光範圍。
Description
本發明係有關一種光學位移偵測裝置及光學位移偵測方法;特別是指一種適應性選擇曝光範圍之光學位移偵測裝置及光學位移偵測方法。
光學位移偵測裝置有各種應用方式,其中最常見的應用方式就是光學滑鼠。在光學滑鼠中,光源發出的光線被導引至桌面或其他表面,反射後為滑鼠內部的感測晶片所接收,感測晶片將光學訊號轉換為電子訊號輸出,再由後級處理器針對電子訊號加以運算,以決定滑鼠的位移。
詳言之,就一般光學滑鼠而言,當待測表面具有局部偏暗的現象時,也就是有暗角產生時,即使對曝光狀態的偵測結果落於自動曝光(autoexposure,AE)範圍內,此時若光學滑鼠所追蹤待測表面上的圖案進入暗角,感測晶片對待測表面的圖案紋理差異,敏感度便會降低,而不易萃取出正確的特徵圖案。因特徵不夠顯著,後續的位移計算也就容易產生錯誤。
有鑑於此,本發明即針對上述先前技術之不足,提出一種光學位移偵測裝置及光學位移偵測方法,藉由適應性選擇曝光範圍,使得光學位移偵測裝置追蹤圖案時可以避免計算錯誤,提高位移偵測的精確度。
本發明目的之一在提供一種光學位移偵測裝置。
本發明另一目的在提供一種光學位移偵測方法。
為達上述之目的,就其中一個觀點言,本發明提供了一種光學位移偵測裝置,包含:一光源,投射一探照光至一待測表面;一影像擷取單元,其根據從該待測表面反射的光線,以產生一影像訊號;以及一處理單元,根據該影像訊號,產生一曝光狀態值與一影像特徵值,並根據一初始曝光範圍、該曝光狀態值與該影像特徵值,以決定一曝光範圍。
就另一觀點言,本發明也提供了一種光學位移偵測方法,包含:投射一探照光至一待測表面;根據從該待測表面反射的光線,以產生一影像訊號;根據該影像訊號,產生一曝光狀態值與一影像特徵值;以及根據一初始曝光範圍、該曝光狀態值與該影像特徵值,以決定一曝光範圍。
在其中一種實施型態中,該處理單元宜根據以下情況,決定該曝光範圍:(1)當該初始曝光範圍為高曝光範圍,且該曝光狀態值低於一狀態預設值或該影像特徵值高於一特徵預設值時,該處理單元決定該曝光範圍為一低曝光範圍;(2)當該初始曝光範圍為高曝光範圍,且該曝光狀態值不低於該狀態預設值且該影像特徵值不高於該特徵預設值時,該處理單元決定該曝光範圍為該高曝光範圍;(3)當該初始曝光範圍為低曝光範圍,且該曝光狀態值高於該狀態預設值且該影像特徵值低於該特徵預設值,該處理單元決定該曝光範圍為該高曝光範圍;(4)當該初始曝光範圍為低曝光範圍,且該曝光狀態值不高於該狀態預設值或該影像特徵值不低於該特徵預設值,該處理單元決定該曝光範圍為該低曝光範圍。
在另一種實施型態中,該處理單元宜根據以下情況,決定該曝光範圍:(1)當該初始曝光範圍為高曝光範圍,且該曝
光狀態值低於一第二狀態預設值或該影像特徵值高於一特徵預設值時,該處理單元決定該曝光範圍為一低曝光範圍;(2)當該初始曝光範圍為高曝光範圍,且該曝光狀態值不低於該第二狀態預設值且該影像特徵值不高於該特徵預設值時,該處理單元根據以下情況(3)或(4)的情況,決定該曝光範圍;(3)當前述情況(2)發生,或該初始曝光範圍為低曝光範圍,且該曝光狀態值高於一第一狀態預設值且該影像特徵值低於該特徵預設值時,該處理單元決定該曝光範圍為該高曝光範圍;(4)當前述情況(2)發生,或該初始曝光範圍為低曝光範圍,且該曝光狀態值不高於該第一狀態預設值或該影像特徵值不低於該特徵預設值時,該處理單元決定該曝光範圍為該低曝光範圍。
在又一種實施型態中,該處理單元宜根據以下情況,決定該曝光範圍:(1)當該初始曝光範圍為高曝光範圍,且該曝光狀態值低於一狀態預設值或該影像特徵值高於一第二特徵預設值時,該處理單元決定該曝光範圍為一低曝光範圍;(2)當該初始曝光範圍為高曝光範圍,且該曝光狀態值不低於該狀態預設值且該影像特徵值不高於該第二特徵預設值時,該處理單元根據以下(3)或(4)的情況,決定該曝光範圍;(3)當前述情況(2)發生,或該初始曝光範圍為低曝光範圍,且該曝光狀態值高於該狀態預設值且該影像特徵值低於一第一特徵預設值時,該處理單元決定該曝光範圍為該高曝光範圍;(4)當前述情況(2)發生,或該初始曝光範圍為低曝光範圍,且該曝光狀態值不高於該狀態預設值或該影像特徵值不低於該第一特徵預設值時,該處理單元決定該曝光範圍為該低曝光範圍。
在又另一種實施型態中,該處理單元宜根據以下情況,決定該曝光範圍:(1)當該初始曝光範圍為高曝光範圍,且該
曝光狀態值低於一第二狀態預設值或該影像特徵值高於一第二特徵預設值時,該處理單元決定該曝光範圍為一低曝光範圍;(2)當該初始曝光範圍為高曝光範圍,且該曝光狀態值不低於該第二狀態預設值且該影像特徵值不高於該第二特徵預設值時,該處理單元根據以下(3)或(4)的情況,決定該曝光範圍;(3)當前述情況(2)發生,或該初始曝光範圍為低曝光範圍,且該曝光狀態值高於一第一狀態預設值且該影像特徵值低於一第一特徵預設值時,該處理單元決定該曝光範圍為該高曝光範圍;(4)當前述情況(2)發生,或該初始曝光範圍為低曝光範圍,且該曝光狀態值不高於該第一狀態預設值或該影像特徵值不低於該第一特徵預設值時,該處理單元決定該曝光範圍為該低曝光範圍。
上述所有實施型態中,該處理單元可根據該曝光範圍,以調整該影像訊號,進而決定該光學位移偵測裝置之位移。
底下藉由具體實施例詳加說明,當更容易瞭解本發明之目的、技術內容、特點及其所達成之功效。
本發明中的圖式均屬示意,主要意在表示各裝置以及各元件之間之功能作用關係,至於形狀、厚度與寬度則並未依照比例繪製。
請參閱第1圖,顯示本發明之光學位移偵測裝置的第一個實施例。光學位移偵測裝置在本實施例中之應用為光學滑鼠100,包含光源11、影像擷取單元13、處理單元15。其中,光源11例如但不限於為發光二極體(light emitting diode,LED)元件或雷射二極體(laser diode,LD)元件,投射探照光至待測
表面10,例如但不限於桌面或其他表面,使得影像擷取單元13藉由接收自待測表面10上反射的光線,擷取待測表面10上的圖案或粗糙度,轉換後產生影像訊號以輸入處理單元15。影像擷取單元13例如但不限於為感測表面影像之影像感測器或感測表面粗糙度之粗糙度感測器,其為此領域之技術者所熟知,在此不予贅述。處理單元15接收影像訊號,進而計算出曝光狀態值與影像特徵值。
需說明的是,曝光狀態值係指影像擷取單元13所擷取之一幀影像中,相關於曝光狀態的指標值,例如可為該幀影像中,所有或某特取範圍的像素的亮度平均值,或是其經某種加權運算後的結果。曝光狀態值較高表示整幀影像的曝光亮度較高,反之則較低。此外,影像特徵值係指相關於該幀影像之一種或數種影像品質的指標值,例如有關影像清晰度、雜訊、對比、失真等,可以有各種計算的方式,例如,可根據相鄰像素間的亮度差異來計算。影像特徵值較高表示整幀影像的品質較高,反之則較低。
第2圖顯示本實施例的控制示意圖,如前所述,處理單元15控制光源11投射探照光至待測表面10,影像擷取單元13接收自待測表面10上反射的光線,產生影像訊號輸入處理單元15。處理單元15根據影像訊號,計算出曝光狀態值與影像特徵值,並根據初始曝光範圍、曝光狀態值與影像特徵值,以決定曝光範圍,並且可更根據曝光範圍,以調整影像訊號,進而決定光學滑鼠100之位移。
需說明的是,曝光範圍為光學滑鼠100可控制之參數,例如但不限於包含以下之一、或其組合:光源11發光強度、光源11的發光時間、影像擷取單元13的取像(曝光)時間等,
或是將上各參數經過運算後,產生一個綜合的參數設定。另外,初始曝光範圍例如但不限於可為一開機預設值、或為光學滑鼠100對環境偵測後由處理單元15所決定,或是根據先前最後一次曝光範圍的儲存值來決定。
第3圖顯示本發明的第二個實施例。本實施例意在舉例說明本發明之光學位移偵測裝置200,除了光源21、影像擷取單元23、與處理單元25之外,可更包含記憶單元27與傳輸介面單元29。其中,記憶單元27用以作為儲存裝置,以儲存處理單元25運算中資料與運算後結果;而傳輸介面單元29用以將運算後結果輸出與接受外部訊號之介面。
第4圖顯示本發明的第三個實施例。顯示本發明決定曝光範圍的一種實施方式之流程圖。如圖所示,首先,藉由光源發射探照光至待測表面(S11);接著,由影像擷取單元感測待測表面影像(S12);再由處理單元計算表面影像之曝光狀態值(S13);判斷初始曝光範圍是否為高曝光範圍(S14);並根據以下情況決定曝光範圍:(1)當該初始曝光範圍為高曝光範圍,且該曝光狀態值低於一狀態預設值或該影像特徵值高於一特徵預設值時(S15),該處理單元決定該曝光範圍為一低曝光範圍(S16);(2)當該初始曝光範圍為高曝光範圍,且該曝光狀態值不低於該狀態預設值且該影像特徵值不高於該特徵預設值時(S15),該處理單元決定該曝光範圍為該高曝光範圍(S18);(3)當該初始曝光範圍為低曝光範圍,且該曝光狀態值高於該狀態預設值且該影像特徵值低於該特徵預設值(S17),該處理單元決定該曝光範圍為該高曝光範圍(S18);(4)當該初始曝光範圍為低曝光範圍,且該曝光狀態值不
高於該狀態預設值或該影像特徵值不低於該特徵預設值(S17),該處理單元決定該曝光範圍為該低曝光範圍(S16)。
第5圖顯示本發明的第四個實施例。顯示本發明決定曝光範圍的另一種實施方式之流程圖。如圖所示,首先,藉由光源發射探照光至待測表面(S21);接著,由影像擷取單元感測待測表面影像(S22);再由處理單元計算表面影像之曝光狀態值以決定初始曝光範圍(S23);判斷初始曝光範圍是否為高曝光範圍(S24);並根據以下情況決定曝光範圍:(1)當該初始曝光範圍為高曝光範圍,且該曝光狀態值低於一第二狀態預設值或該影像特徵值高於一特徵預設值時(S25),該處理單元決定該曝光範圍為一低曝光範圍(S26);(2)當該初始曝光範圍為高曝光範圍,且該曝光狀態值不低於該第二狀態預設值且該影像特徵值不高於該特徵預設值時(S25),該處理單元根據以下情況(3)或(4)的情況,決定該曝光範圍;(3)當前述情況(2)發生,或該初始曝光範圍為低曝光範圍,且該曝光狀態值高於一第一狀態預設值且該影像特徵值低於該特徵預設值時(S27),該處理單元決定該曝光範圍為該高曝光範圍(S28);(4)當前述情況(2)發生,或該初始曝光範圍為低曝光範圍,且該曝光狀態值不高於該第一狀態預設值或該影像特徵值不低於該特徵預設值時(S27),該處理單元決定該曝光範圍為該低曝光範圍(S26)。
第6圖顯示本發明的第五個實施例。顯示本發明決定曝光範圍的又一種實施方式之流程圖。如圖所示,首先,藉由光源發射探照光至待測表面(S31);接著,由影像擷取單元感
測待測表面影像(S32);再由處理單元計算表面影像之曝光狀態值以決定初始曝光範圍(S33);判斷初始曝光範圍是否為高曝光範圍(S34);並根據以下情況決定曝光範圍:(1)當該初始曝光範圍為高曝光範圍,且該曝光狀態值低於一狀態預設值或該影像特徵值高於一第二特徵預設值時(S35),該處理單元決定該曝光範圍為一低曝光範圍(S36);(2)當該初始曝光範圍為高曝光範圍,且該曝光狀態值不低於該狀態預設值且該影像特徵值不高於該第二特徵預設值時(S35),該處理單元根據以下(3)或(4)的情況,決定該曝光範圍;(3)當前述情況(2)發生,或該初始曝光範圍為低曝光範圍,且該曝光狀態值高於該狀態預設值且該影像特徵值低於一第一特徵預設值時(S37),該處理單元決定該曝光範圍為該高曝光範圍(S38);(4)當前述情況(2)發生,或該初始曝光範圍為低曝光範圍,且該曝光狀態值不高於該狀態預設值或該影像特徵值不低於該第一特徵預設值時(S37),該處理單元決定該曝光範圍為該低曝光範圍(S36)。
第7圖顯示本發明的第六個實施例。顯示本發明決定曝光範圍的又另一種實施方式之流程圖。如圖所示,首先,藉由光源發射探照光至待測表面(S41);接著,由影像擷取單元感測待測表面影像(S42);再由處理單元計算表面影像之曝光狀態值以決定初始曝光範圍(S43);判斷初始曝光範圍是否為高曝光範圍(S44);並根據以下情況決定曝光範圍:(1)當該初始曝光範圍為高曝光範圍,且該曝光狀態值低於一第二狀態預設值或該影像特徵值高於一第二特徵預設值時(S45),該處理單元決定該曝光範圍為一低曝光範圍(S46);
(2)當該初始曝光範圍為高曝光範圍,且該曝光狀態值不低於該第二狀態預設值且該影像特徵值不高於該第二特徵預設值時(S45),該處理單元根據以下(3)或(4)的情況,決定該曝光範圍;(3)當前述情況(2)發生,或該初始曝光範圍為低曝光範圍,且該曝光狀態值高於一第一狀態預設值且該影像特徵值低於一第一特徵預設值時(S47),該處理單元決定該曝光範圍為該高曝光範圍(S48);(4)當前述情況(2)發生,或該初始曝光範圍為低曝光範圍,且該曝光狀態值不高於該第一狀態預設值或該影像特徵值不低於該第一特徵預設值時(S47),該處理單元決定該曝光範圍為該低曝光範圍(S46)。
需注意的是,上述實施例中,初始曝光範圍可以為一開機預設值、或為對環境偵測後所決定,或是根據先前最後一次曝光範圍的儲存值來決定,皆屬本發明的範圍。狀態預設值、第一狀態預設值、第二狀態預設值皆為曝光狀態值的門檻值,其中,例如但不限於第一狀態預設值大於或等於第二狀態預設值。特徵預設值、第一特徵預設值、第二特徵預設值皆為影像特徵值的門檻值,其中,例如但不限於第一特徵預設值小於或等於第二特徵預設值。另外,目前光學滑鼠的應用中,曝光範圍的設定值一般在0-255,而實際上的選定多設定於中位數100-150。應用本發明,例如但不限於設定低曝光範圍為100-150,高曝光範圍為151-190,或是,將低曝光範圍與高曝光範圍於0-255間,不相重疊的兩個範圍,例如但不限於設定低曝光範圍為90-140,高曝光範圍為161-200。當然,低曝光範圍與高曝光範圍亦可以為重疊或相鄰的兩個範圍。此外,根
據本發明,決定曝光範圍為高曝光範圍或低曝光範圍,不限於固定的兩個曝光範圍,亦可以根據實際應用的需要,動態調整高曝光範圍與低曝光範圍的設定;例如,將所決定的曝光範圍作為初始曝光範圍後,經過上述實施例之判斷,再次選擇的高曝光範圍或低曝光範圍,可依據需要調整其範圍。
以上已針對較佳實施例來說明本發明,唯以上所述者,僅係為使熟悉本技術者易於了解本發明的內容而已,並非用來限定本發明之權利範圍。在本發明之相同精神下,熟悉本技術者可以思及各種等效變化。例如,實施例中圖示直接連接的兩電路或元件間,可插置不影響主要功能的其他電路或元件;又如,各結構部份的形狀不限於實施例所示而可以改變等等。因此,本發明的範圍應涵蓋上述及其他所有等效變化。
10‧‧‧待測表面
11,21‧‧‧光源
13,23‧‧‧感測晶片
15,25‧‧‧處理控制電路
27‧‧‧記憶單元
29‧‧‧傳輸介面單元
100‧‧‧光學滑鼠
200‧‧‧光學位移偵測裝置
第1圖顯示本發明的第一個實施例。
第2圖顯示第一個實施例的控制示意圖。
第3圖顯示本發明的第二個實施例。
第4圖顯示本發明的第三個實施例。
第5圖顯示本發明的第四個實施例。
第6圖顯示本發明的第五個實施例。
第7圖顯示本發明的第六個實施例。
10‧‧‧待測表面
11‧‧‧光源
13‧‧‧感測晶片
15‧‧‧處理控制電路
100‧‧‧光學滑鼠
Claims (12)
- 一種光學位移偵測裝置,包含:一光源,投射一探照光至一待測表面;一影像擷取單元,其根據從該待測表面反射的光線,以產生一影像訊號;以及一處理單元,根據該影像訊號,產生一曝光狀態值與一影像特徵值,並根據一初始曝光範圍、該曝光狀態值與該影像特徵值,以決定一曝光範圍。
- 如申請專利範圍第1項所述之光學位移偵測裝置,其中該處理單元根據以下情況,決定該曝光範圍:(1)當該初始曝光範圍為高曝光範圍,且該曝光狀態值低於一狀態預設值或該影像特徵值高於一特徵預設值時,該處理單元決定該曝光範圍為一低曝光範圍;(2)當該初始曝光範圍為高曝光範圍,且該曝光狀態值不低於該狀態預設值且該影像特徵值不高於該特徵預設值時,該處理單元決定該曝光範圍為該高曝光範圍;(3)當該初始曝光範圍為低曝光範圍,且該曝光狀態值高於該狀態預設值且該影像特徵值低於該特徵預設值,該處理單元決定該曝光範圍為該高曝光範圍;(4)當該初始曝光範圍為低曝光範圍,且該曝光狀態值不高於該狀態預設值或該影像特徵值不低於該特徵預設值,該處理單元決定該曝光範圍為該低曝光範圍。
- 如申請專利範圍第1項所述之光學位移偵測裝置,其中該處理單元根據以下情況,決定該曝光範圍:(1)當該初始曝光範圍為高曝光範圍,且該曝光狀態值低於一 第二狀態預設值或該影像特徵值高於一特徵預設值時,該處理單元決定該曝光範圍為一低曝光範圍;(2)當該初始曝光範圍為高曝光範圍,且該曝光狀態值不低於該第二狀態預設值且該影像特徵值不高於該特徵預設值時,該處理單元根據以下情況(3)或(4)的情況,決定該曝光範圍;(3)當前述情況(2)發生,或該初始曝光範圍為低曝光範圍,且該曝光狀態值高於一第一狀態預設值且該影像特徵值低於該特徵預設值時,該處理單元決定該曝光範圍為該高曝光範圍;(4)當前述情況(2)發生,或該初始曝光範圍為低曝光範圍,且該曝光狀態值不高於該第一狀態預設值或該影像特徵值不低於該特徵預設值時,該處理單元決定該曝光範圍為該低曝光範圍。
- 如申請專利範圍第1項所述之光學位移偵測裝置,其中該處理單元根據以下情況,決定該曝光範圍:(1)當該初始曝光範圍為高曝光範圍,且該曝光狀態值低於一狀態預設值或該影像特徵值高於一第二特徵預設值時,該處理單元決定該曝光範圍為一低曝光範圍;(2)當該初始曝光範圍為高曝光範圍,且該曝光狀態值不低於該狀態預設值且該影像特徵值不高於該第二特徵預設值時,該處理單元根據以下(3)或(4)的情況,決定該曝光範圍;(3)當前述情況(2)發生,或該初始曝光範圍為低曝光範圍,且該曝光狀態值高於該狀態預設值且該影像特徵值低於一第一特徵預設值時,該處理單元決定該曝光範圍為該高曝光範圍;(4)當前述情況(2)發生,或該初始曝光範圍為低曝光範圍,且該曝光狀態值不高於該狀態預設值或該影像特徵值不低於該第一特徵預設值時,該處理單元決定該曝光範圍為該低曝光範圍。
- 如申請專利範圍第1項所述之光學位移偵測裝置,其中該處理單元根據以下情況,決定該曝光範圍:(1)當該初始曝光範圍為高曝光範圍,且該曝光狀態值低於一第二狀態預設值或該影像特徵值高於一第二特徵預設值時,該處理單元決定該曝光範圍為一低曝光範圍;(2)當該初始曝光範圍為高曝光範圍,且該曝光狀態值不低於該第二狀態預設值且該影像特徵值不高於該第二特徵預設值時,該處理單元根據以下(3)或(4)的情況,決定該曝光範圍;(3)當前述情況(2)發生,或該初始曝光範圍為低曝光範圍,且該曝光狀態值高於一第一狀態預設值且該影像特徵值低於一第一特徵預設值時,該處理單元決定該曝光範圍為該高曝光範圍;(4)當前述情況(2)發生,或該初始曝光範圍為低曝光範圍,且該曝光狀態值不高於該第一狀態預設值或該影像特徵值不低於該第一特徵預設值時,該處理單元決定該曝光範圍為該低曝光範圍。
- 如申請專利範圍第1項所述之光學位移偵測裝置,其中該處理單元根據該曝光範圍,以調整該影像訊號,進而決定該光學位移偵測裝置之位移。
- 一種光學位移偵測方法,包含:投射一探照光至一待測表面;根據從該待測表面反射的光線,以產生一影像訊號;根據該影像訊號,產生一曝光狀態值與一影像特徵值;以及根據一初始曝光範圍、該曝光狀態值與該影像特徵值,以決定一曝光範圍。
- 如申請專利範圍第7項所述之光學位移偵測方法,其中該決定該曝光範圍之步驟包括:根據以下情況,決定該曝光範圍: (1)當該初始曝光範圍為高曝光範圍,且該曝光狀態值低於一狀態預設值或該影像特徵值高於一特徵預設值時,決定該曝光範圍為一低曝光範圍;(2)當該初始曝光範圍為高曝光範圍,且該曝光狀態值不低於該狀態預設值且該影像特徵值不高於該特徵預設值時,決定該曝光範圍為該高曝光範圍;(3)當該初始曝光範圍為低曝光範圍,且該曝光狀態值高於該狀態預設值且該影像特徵值低於該特徵預設值,決定該曝光範圍為該高曝光範圍;(4)當該初始曝光範圍為低曝光範圍,且該曝光狀態值不高於該狀態預設值或該影像特徵值不低於該特徵預設值,決定該曝光範圍為該低曝光範圍。
- 如申請專利範圍第7項所述之光學位移偵測方法,其中該決定該曝光範圍之步驟包括:根據以下情況,決定該曝光範圍:(1)當該初始曝光範圍為高曝光範圍,且該曝光狀態值低於一第二狀態預設值或該影像特徵值高於一特徵預設值時,該處理單元決定該曝光範圍為一低曝光範圍;(2)當該初始曝光範圍為高曝光範圍,且該曝光狀態值不低於該第二狀態預設值且該影像特徵值不高於該特徵預設值時,該處理單元根據以下情況(3)或(4)的情況,決定該曝光範圍;(3)當前述情況(2)發生,或該初始曝光範圍為低曝光範圍,且該曝光狀態值高於一第一狀態預設值且該影像特徵值低於該特徵預設值時,該處理單元決定該曝光範圍為該高曝光範圍;(4)當前述情況(2)發生,或該初始曝光範圍為低曝光範圍,且該曝光狀態值不高於該第一狀態預設值或該影像特徵值不低於該 特徵預設值時,該處理單元決定該曝光範圍為該低曝光範圍。
- 如申請專利範圍第7項所述之光學位移偵測方法,其中該決定該曝光範圍之步驟包括:根據以下情況,決定該曝光範圍:(1)當該初始曝光範圍為高曝光範圍,且該曝光狀態值低於一狀態預設值或該影像特徵值高於一第二特徵預設值時,該處理單元決定該曝光範圍為一低曝光範圍;(2)當該初始曝光範圍為高曝光範圍,且該曝光狀態值不低於該狀態預設值且該影像特徵值不高於該第二特徵預設值時,該處理單元根據以下(3)或(4)的情況,決定該曝光範圍;(3)當前述情況(2)發生,或該初始曝光範圍為低曝光範圍,且該曝光狀態值高於該狀態預設值且該影像特徵值低於一第一特徵預設值時,該處理單元決定該曝光範圍為該高曝光範圍;(4)當前述情況(2)發生,或該初始曝光範圍為低曝光範圍,且該曝光狀態值不高於該狀態預設值或該影像特徵值不低於該第一特徵預設值時,該處理單元決定該曝光範圍為該低曝光範圍。
- 如申請專利範圍第7項所述之光學位移偵測方法,其中該決定該曝光範圍之步驟包括:根據以下情況,決定該曝光範圍:(1)當該初始曝光範圍為高曝光範圍,且該曝光狀態值低於一第二狀態預設值或該影像特徵值高於一第二特徵預設值時,該處理單元決定該曝光範圍為一低曝光範圍;(2)當該初始曝光範圍為高曝光範圍,且該曝光狀態值不低於該第二狀態預設值且該影像特徵值不高於該第二特徵預設值時,該處理單元根據以下(3)或(4)的情況,決定該曝光範圍;(3)當前述情況(2)發生,或該初始曝光範圍為低曝光範圍,且該曝光狀態值高於一第一狀態預設值且該影像特徵值低於一第一 特徵預設值時,該處理單元決定該曝光範圍為該高曝光範圍;(4)當前述情況(2)發生,或該初始曝光範圍為低曝光範圍,且該曝光狀態值不高於該第一狀態預設值或該影像特徵值不低於該第一特徵預設值時,該處理單元決定該曝光範圍為該低曝光範圍。
- 如申請專利範圍第7項所述之光學位移偵測方法,更包括:根據該曝光範圍,以調整該影像訊號,進而決定該光學位移偵測裝置之位移。
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