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TW201349328A - 液處理裝置、液處理方法及記憶媒體 - Google Patents

液處理裝置、液處理方法及記憶媒體 Download PDF

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TW201349328A
TW201349328A TW102104204A TW102104204A TW201349328A TW 201349328 A TW201349328 A TW 201349328A TW 102104204 A TW102104204 A TW 102104204A TW 102104204 A TW102104204 A TW 102104204A TW 201349328 A TW201349328 A TW 201349328A
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organic solvent
solvent
liquid processing
substrate
liquid
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TW102104204A
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吉田勇一
吉原孝介
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東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明的課題是在於提供一種在對晶圓(W)供給有機溶劑而進行液處理時，可一邊抑制處理能力的降低，一邊抑制液處理後的晶圓(W)上的異物的殘留之技術。其解決手段係從噴嘴部(1)來對載置於液處理模組(2)的晶圓(W)供給溶劑時，對晶圓(W)供給未精製之清淨度低的第1溶劑之後，供給被精製之清淨度高的第2溶劑。因此，可一邊抑制清淨度高的第2溶劑的使用量，一邊壓低留在晶圓(W)的異物的量。而且，藉由此手法，可不多量精製清淨度高的溶劑即可，由於精製工程的時間間隔變長，所以可抑制液處理裝置的處理能力的降低。

Description

液處理裝置、液處理方法及記憶媒體
本發明是有關由噴嘴來對保持於基板保持部的基板供給有機溶劑而進行液處理的技術。
在半導體裝置的製造製程中，有利用藥液來進行液處理的製程，有利用有機溶劑來作為藥液的情況。具體而言，可舉在光微影技術(Photolithography)工程的阻劑塗佈處理中，在對半導體晶圓(以下稱為「晶圓」)的表面供給阻劑液之前，供給溶劑之預濕處理(專利文獻1)。並且也有有機溶劑使用在顯像處理的情況。
另一方面，因為電路圖案的微細化進展，所以可預料到目前為止不太成問題的極小尺寸的異物(微粒)的存在會影響良品率。如此的微粒可舉來自有機溶劑的原液之異物、或在有機溶劑從原液槽通過流路的期間混入之來自輸送路徑的異物、或離子化的金屬等。
如此的濕製程處理後之抑制留在晶圓上的微粒之手法，可考慮提升吐出的處理液的清淨度本身之手法，例如藉由過濾條件的最適化或循環過濾的重複進行。 但，濕製程的處理液的過濾速率大多是與處理液的供給速率相同，有無法設定成最適的過濾速率的情況。而且，一旦為了使必要量的處理液在有限的處理時間內(考慮處理能力)達成製程上必要的過濾精度而使過濾條件最適化，則會因為現實上過濾精度與處理能力是形成折衷選擇的關係，所以會發生不能取得原本所欲達成的性能之問題。
〔先行技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕 日本特開2007-299941號公報
本發明是有鑑於如此的情事而研發者，其目的是在於提供一種在對基板供給有機溶劑而進行液處理時，可一邊抑制處理能力的降低，一邊抑制液處理後的基板上的異物的殘留之技術。
本發明的液處理裝置，係經由噴嘴來對水平保持於基板保持部的基板供給有機溶劑而進行液處理之液處理裝置，其特徵係具備：第1有機溶劑供給機構，其係對前述噴嘴供給第1有機溶劑； 第2有機溶劑供給機構，其係對前述噴嘴供給清淨度比前述第1有機溶劑更高的第2有機溶劑；及控制部，其係控制成對前述基板供給前述第1有機溶劑，其次對該基板供給前述第2有機溶劑。
本發明的液處理方法，係經由噴嘴來對水平保持於基板保持部的基板供給有機溶劑而進行液處理之液處理方法，其特徵係包含：對基板供給第1有機溶劑之工程；及其次對該基板供給清淨度比前述第1有機溶劑更高的第2有機溶劑之工程。
本發明的記憶媒體，係記憶被使用在經由噴嘴來對水平保持於基板保持部的基板供給有機溶劑而進行液處理的液處理裝置的電腦程式之記憶媒體，其特徵為：前述電腦程式係編入有步驟群，而使能夠實行上述的液處理方法。
本發明是在從噴嘴來對載置於液處理模組的基板供給有機溶劑時，對基板供給清淨度低的有機溶劑之後，供給清淨度高的有機溶劑。因此，可一邊壓低清淨度高的有機溶劑的供給量，一邊抑制留在基板的異物的量。並且，不需要多量精製清淨度高的有機溶劑，可縮短有機溶劑的精製所要的時間，因此液處理裝置的處理能力的降低也可抑制。
21‧‧‧旋轉夾頭
1‧‧‧噴嘴部
3‧‧‧第1溶劑噴嘴
4‧‧‧第2溶劑噴嘴
30‧‧‧第1溶劑供給機構
31‧‧‧第1溶劑槽
33、36‧‧‧泵
34、37‧‧‧過濾器部
40‧‧‧第2溶劑供給機構
41‧‧‧第2溶劑槽
42‧‧‧溶劑精製機構
48‧‧‧循環路
9‧‧‧控制部
W‧‧‧晶圓
圖1是表示本發明的實施形態的阻劑塗佈裝置的構成圖。
圖2是表示本發明的實施形態的阻劑塗佈裝置的一部分的立體圖。
圖3是表示使用在本發明的實施形態之第1溶劑供給機構的構成的構成圖。
圖4是表示本發明的實施形態之第2溶劑供給機構的構成的構成圖。
圖5是表示本發明的實施形態之有機溶劑的精製工程的說明圖。
圖6是表示本發明的實施形態之預濕處理工程的說明圖。
圖7是表示本發明的實施形態之預濕處理工程的說明圖。
圖8是表示本發明的實施形態之阻劑液塗佈工程的說明圖。
圖9是表示第2供給流路的其他實施例的構成的構成圖。
圖10是表示使用本發明的液處理裝置之負片式系統的構成的概略縱剖面圖。
圖11是表示使用本發明的液處理裝置之負片式系統 的顯像處理的工程的流程圖。
圖12是表示實施例之液處理裝置的特性的特性圖。
〔第1實施形態〕
說明有關將本發明的液處理裝置適用於阻劑塗佈裝置的實施形態。首先，若簡單說明有關阻劑塗佈裝置的全體構成，則如圖1所示般，阻劑塗佈裝置是具備：包含吐出有機溶劑(以下稱為「溶劑」)的2根溶劑噴嘴3、4及阻劑液噴嘴5之噴嘴部1、及設在各該等溶劑噴嘴3、4及阻劑液噴嘴5之處理液的供給源31、41、51及處理液的供給機構30、40、50、及控制包含一連串的處理工程的阻劑塗佈裝置的動作之控制部9。
液處理模組2是具備旋轉夾頭21，該旋轉夾頭21是吸附晶圓W的背面中央部而保持於水平的基板保持部，旋轉夾頭21是經由旋轉軸22來與旋轉機構23連接。在旋轉夾頭21的周圍是設有杯體(詳細是杯裝配體)24，該杯體24是包圍旋轉夾頭21上的晶圓W，在上方側具備開口部。杯體24是構成接受自晶圓W甩掉的溶劑，從下部的排液路25排出，且從下部的排氣路26排氣而使霧(mist)不會飛散於處理環境。
如圖2所示般，噴嘴部1是藉由包含臂11、移動體12、未圖示的昇降機構及導軌13的移動機構，構 成可移動於晶圓W的中央部上方的吐出位置與杯體24之外的待機部27之間。
含於噴嘴部1的溶劑噴嘴3、4是用以在對晶圓W吐出阻劑液之前供給溶劑，進行為了在晶圓W上容易擴散阻劑的預濕處理。
其次，敘述有關溶劑供給源31(41)及溶劑供給機構30(40)。將通過溶劑供給機構30由此送至溶劑噴嘴3的溶劑稱為第1溶劑，且將溶劑供給機構30稱為第1溶劑供給機構30。並且，將通過溶劑供給機構40由此送至溶劑噴嘴4的溶劑稱為第2溶劑，且將溶劑供給機構40稱為第2溶劑供給機構40。
第1溶劑供給機構30是如圖3所示般從供給路38的上游側起具備溶劑供給源的溶劑槽31、一旦儲存溶劑的中間槽32、泵33、過濾器部34及流量調整閥35。
過濾器部34是在內部設有由微粒除去用例如尼龍或聚乙烯等所構成的過濾器，可除去50nm程度大小的微粒。另外，在中間槽32、泵33及過濾器部34中，雖未圖示，但實際設有通風閥，藉由開啟通風閥，可將溶存於溶劑中的氣體脫氣。
第2溶劑供給機構40是如圖4所示般構成溶劑從工廠內的裝置外部的作用室經由配管39來供給至中間槽32，此配管39及傳送作用室內的溶劑的部位是相當於溶劑供給源。從中間槽32到第2溶劑噴嘴4的供給路 49是由上游側依序設有閥V1、後述的循環槽47、過濾器部37、捕捉器(trap)43、泵36、捕捉器44、閥V3及流量調整閥45，且在流量調整閥45連接第2溶劑噴嘴4。而且，在供給路49的捕捉器44的下游側與流量控制閥45的上游側之間設有例如由配管所構成的循環路48，在過濾器部37的上游側，循環路48是被連接至循環槽47。並且，循環路48是從捕捉器44側往循環槽47依序設有閥V4、流量調整閥46、閥V2。
在循環溶劑時，如圖5所示般，溶劑是在從過濾器部37的上游側的分歧點到捕捉器44的下游側的分歧點為止的過濾器部37側的流路及循環路48循環，藉由使用所謂循環路徑的用語來將此時的迴路與循環路48區別。就此例而言，此循環路徑是相當於溶劑精製機構42。
先說明有關第2溶劑供給機構40的一部分的機器，捕捉器43是用以除去只靠設在過濾器部37的通風閥(未圖示)所無法完全除去之比較大的氣泡者。捕捉器44是用以除去殘留於泵36內的氣體者。
阻劑供給機構50是構成泵、閥、過濾器等的機器會被設於配管，可由噴嘴5來吐出所定量阻劑液。
回到圖1，在液處理裝置是設有例如電腦所構成的控制部9。控制部9是具有程式儲存部，在程式儲存部是儲存有程式，該程式是以能夠在外部的搬送臂與旋轉夾頭21之間實施晶圓W的交接或旋轉夾頭21的旋轉或 阻劑液及溶劑的供給順序之方式編排指令。此程式是例如藉由軟碟、光碟、硬碟、MO(光磁碟)、記憶卡等的記憶媒體來儲存而安裝於控制部9。
接著說明有關上述液處理裝置的作用。首先，晶圓W會藉由未圖示的外部的搬送機構來交接保持於旋轉夾頭21。接著，使晶圓W例如以50rpm的旋轉數來繞鉛直軸旋轉，且以第1溶劑噴嘴3能夠位於晶圓W的中央部上方之方式來使噴嘴部1移動。
另一方面，在第1溶劑供給機構30是將從第1溶劑槽31供給的溶劑暫時性地儲存於中間槽32之後，藉由泵33來送至過濾器部34，進行比過濾器的網眼(孔部)大的微粒的除去。而且，藉由泵33的吐出動作，利用流量調整閥35，以所設定的流量，從第1溶劑噴嘴3來對晶圓W供給例如1.5ml的第1溶劑。圖6是表示此狀態，第1溶劑是藉由離心力來慢慢地朝晶圓W的外周方向擴散。
噴嘴部1在供給第1溶劑之後，迅速地移動，以第2溶劑噴嘴4能夠位於晶圓W的中央部上方之方式移動。另外，晶圓W是被保持緩和地旋轉的狀態。在此先敘述有關第2溶劑從第2溶劑噴嘴4吐出之前的處理。
在第2溶劑供給機構40中，溶劑會從工廠內的作用室內經由配管39來送至中間槽41，再被送至循環槽47。另外，在裝置的啟動時，也包含循環路48充滿溶劑。然 後如圖5所示般關閉閥V1，V3，開啟閥V2、V4，驅動泵36，藉此溶劑會經由循環路48來循環。亦即，溶劑是流動於由循環槽47→過濾器部37→捕捉器43→泵36→捕捉器44→流量調整閥46→循環槽47所構成的迴路(循環路徑)，例如使循環50周。
藉由此操作，溶劑會被重複過濾，提高清淨度。在使通過1次過濾器部37時，例如70nm程度大小的微粒是無法通過過濾器部37被除去，但比過濾器部37的開口部更小的微粒，例如40nm程度大小的微細的微粒會通過過濾器部37。可是在使重複通過過濾器部37的期間，前述微細的微粒會藉由分子間力來開始附著於過濾器部37，其附著量會逐漸變多。而且，微細的微粒的附著會藉由分子間力而增加，隨之開口部也變窄，因此更微細的微粒的除去也可能。一旦如此溶劑重複通過過濾器部37，則有關在1次的通過未被完成除去的微細的微粒也可以高的除去率來除去。
其次，停止泵36，關閉閥V2、V4，開啟閥V1、V3。然後藉由驅動泵36，清淨度高的第2溶劑會從噴嘴4吐出至晶圓W。此情況，亦藉由流量調整閥45來以調整後的流量來進行吐出。重複說明，第2溶劑噴嘴4是在移動至晶圓W的中央部上方之後，迅速地對晶圓W的中央部(中心部)例如供給1.0ml的第2溶劑。如圖7所示般，第2溶劑是與第1溶劑同樣，藉由離心力來從晶圓W的中央部擴散至周緣，此時使第1溶劑從中央部推 出至外周方向擴散而去。
接著使晶圓W的旋轉數上昇至阻劑塗佈用的設定旋轉數。由於第1溶劑是僅1次通過過濾器部34，因此在溶劑中殘留有微細的微粒。相對的，第2溶劑是如已述般藉由循環路48來重複通過過濾器部37，除去至微細的微粒為止。因此，若在供給第1溶劑之後，供給清淨度高的第2溶劑，則第2溶劑會將微粒與第1溶劑一起推出至晶圓W的外周方向。因此在供給第2溶劑之後，留在晶圓W上的微粒會變少。
預濕處理的終了後，如圖8所示般，使阻劑液噴嘴5移動至晶圓W的中央部上方，在使晶圓W的旋轉數上昇的狀態下，從阻劑液噴嘴5對晶圓W進行阻劑的吐出。由於晶圓W的表面是藉由溶劑來浸潤，因此阻劑液會持高的均一性來擴散於晶圓W的表面全體，形成均一性高的阻膜。
如上述般，使溶劑重複循環來進行精製處理的工程是在裝置的維修時或晶圓W的批間空閒時間長時等進行，在進行阻劑的塗佈處理時，就此例而言是將完成精製處理之循環槽47內的溶劑供給至晶圓W。但在晶圓W流動於裝置內時，當循環槽47內的精製完成溶劑變少時，不得不例如在批間進行溶劑的精製處理。此情況晶圓W的塗佈處理會停止，但藉由使用第1溶劑及第2溶劑，可抑制第2溶劑的使用量。例如在進行預濕需要2.5ml的溶劑時抑制第2溶劑的使用量。因此扮演緩衝槽的角色之 循環槽47內的第2溶劑的消耗速度慢，所以精製工程的時間間隔會拉長。又，由於不須多量精製溶劑即可，所以加上該等的主要因素，結果塗佈處理的總停止時間會變短。因此可抑制液處理裝置的處理能力的降低。
若根據上述的實施形態，則從噴嘴部1來對載置於液處理模組2的晶圓W供給溶劑時，是在對晶圓W供給未精製之清淨度低的第1溶劑之後，供給被精製之清淨度高的第2溶劑。因此，可一邊抑制清淨度高的第2溶劑的使用量，一邊壓低留在晶圓W的異物的量。而且，藉由此手法，如已述般可抑制液處理裝置的處理能力的降低。
並且，溶劑精製機構42亦可為將溶劑蒸餾來提高清淨度的構成。例如預濕用的溶劑為使用PGMEA(丙二醇單甲醚醋酸酯，Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate)或PGME(丙二醇單甲醚，Propylene Glycol Mono-methyl Ether)等時，亦可藉由蒸餾來精製。圖9是表示如此的溶劑精製機構42，在與圖3所示的第1溶劑供給機構30同樣的構成中，於過濾器部34的後段設置蒸餾槽61。蒸餾槽61是具備用以加熱蒸餾槽61中的溶劑之加熱部64，可加熱至溶劑的沸點以上的一定溫度。在蒸餾槽61的上部是設有冷卻器62。冷卻器62是以螺旋狀的內管、及包圍內管用以使冷卻水流通於內管的周圍的外管所構成，構成可在使被回收的藥液的蒸氣通過內管的期間冷卻、液化。
在冷卻器62的出口側的下方設置儲存槽63，將在冷卻器62所被液化的溶劑回收。溶劑是藉由蒸餾來除去所含有的異物(例如微粒或離子化的金屬)，成為清淨度高的溶劑。被儲存於儲存槽63之清淨度高的第2溶劑是藉由泵64來從溶劑噴嘴4吐出至晶圓W。如此的構成也可精製清淨度高的溶劑。
並且，在與第1溶劑供給機構30同樣的構成的供給路中，放慢溶劑的流速，以過濾器部34的通過速度變慢的方式構成也可取得清淨度高的溶劑。例如降低泵33的吸引量，放慢溶劑的速度。含於溶劑的微粒緩慢地通過過濾器部34時，因為分子間力而容易被吸附於過濾器，所以除去效率會提升。藉由如此的構成也可提高溶劑的清淨度，因此可取得同樣的效果。
並且，本發明的液處理裝置亦可為不使晶圓W旋轉，使在晶圓W的寬度方向排成一列的複數個噴嘴吐出有機溶劑的狀態下，橫越晶圓W上，藉此在晶圓W的表面全體施以液處理之液處理裝置。
〔第2實施形態〕
並且，本發明的液處理裝置亦可適用於顯像裝置。負片(negative)型系統的顯像裝置是在被曝光的阻劑膜的區域之中，將光照射強度弱的區域予以選擇性地進行溶解除去，進行圖案形成。
此負片型系統的顯像裝置的顯像處理工程是具有： 液膜形成工程，其係將含有溶劑的顯像液供給至例如以一定速度旋轉的基板，而於晶圓W上形成液膜；及顯像工程，其係藉由顯像液的液膜來溶解阻劑膜，而進行圖案形成，藉由交替重複液膜形成工程及顯像工程來進行顯像。如圖10所示般，顯像裝置是與前述的液處理裝置同樣藉由旋轉夾頭71來將晶圓W保持於水平，經由旋轉軸72來繞鉛直軸旋轉，另外在旋轉夾頭71的周圍設有與第1實施形態同樣的杯體。並且亦可使用與第1實施形態同樣的杯體。在晶圓W的上方是設有對保持於旋轉夾頭71的晶圓W供給顯像液的噴嘴部73。
噴嘴部73是具備：用以供給清淨度低的第1顯像液之第1顯像液噴嘴75、及用以供給清淨度高的第2顯像液之第2顯像液噴嘴76。第1顯像液噴嘴75是經由第1顯像液供給機構77來與顯像液供給源81連接，第2顯像液噴嘴76是經由第2顯像液供給路78來與顯像液供給源82連接。第2顯像液供給機構78是具備包含例如與圖4所示同樣使重複通過過濾器部的循環路徑之溶劑精製機構80，可提高第2顯像液的清淨度。並且，顯像裝置是設有用以在被保持於旋轉夾頭71的晶圓W的上方側供給洗滌液之洗滌液噴嘴部74。洗滌液噴嘴74是經由洗滌液供給機構79來與洗滌液供給源83連接，與噴嘴部73同樣，沿著導軌移動，構成可藉由昇降機構來昇降。並且具備控制包含一連串的處理工程的顯像裝置的動作之控制 部90。
以圖11所示的流程圖來說明顯像裝置的工程，一旦曝光處理終了後的晶圓W被搬入至顯像裝置(步驟S1)，則晶圓W會旋轉(步驟S2)，且第1顯像液噴嘴75會移動至晶圓W的中心部上方(步驟S3)。其次，進行重複液膜形成工程及顯像工程的顯像處理工程(步驟S4)。液膜形成工程是在使晶圓W旋轉的狀態下，顯像液會被例如供給0.5秒，於晶圓W上形成顯像液的液膜。在顯像工程中，顯像液的供給會被停止1.5秒，藉由液膜來進行阻劑膜的溶解，亦即顯像處理。藉由交替重複複數次例如n=8次此液膜形成工程及顯像工程來達成顯像處理工程。
從第1次到第(n-1)次的液膜形成工程是供給例如合計23ml未精製的第1顯像液。然後第n次的液膜形成工程是供給2ml清淨度高的第2顯像液。顯像處理工程終了後，進行用以除去晶圓W上的殘留溶解物或微粒之洗滌處理(步驟S5)，乾燥後(步驟S6)藉由外部的搬送裝置來搬出。
利用本發明的液處理裝置之顯像裝置是以未精製的清淨度低的第1顯像液來進行顯像處理之後，以被精製之清淨度高的第2顯像液來進行顯像，因此對於顯像所必要的顯像液的量例如25ml而言，可一邊將清淨度高的顯像液壓在少量例如2ml，一邊進行微粒的殘留少的顯像處理。因此，不必多量精製清淨度高的顯像液，所以可 防止處理能力的降低。又，由於在顯像處理後殘留於晶圓W的微粒少，因此可使步驟S5的洗滌處理的時間或洗滌液的量減少，或可省略洗滌處理工程。
並且，顯像工程亦可為進行n次供給之中的第1~m次(m是m<n的自然數)是進行第1顯像液的供給，第m+1~n次(m=n-1時是僅第n次)是供給第2顯像液，或第1~n-1次是進行第1顯像液的供給，第n次是在添加第1顯像液之後，添加第2顯像液。另外，在第1~n-1次的期間使用第2顯像液的行為亦為本發明的申請專利範圍所包含。
〔實施例〕
為了評價本發明，利用第1實施形態的液處理裝置來進行其次那樣的評價試驗。分別針對利用2ml清淨度高的溶劑來對晶圓W(直徑30cm)進行處理時(參考例)、及利用10ml清淨度低的溶劑來進行處理時(比較例)、及供給10ml清淨度低的溶劑之後，供給2ml清淨度高的溶劑來進行處理時(實施例)，調查使晶圓W以2000rpm旋轉15秒進行甩掉乾燥之後每一片晶圓W殘留40nm以上的微粒數。另外，所謂清淨度高的溶劑是在與圖4所示同樣的第2溶劑供給機構40取得者，所謂清淨度低的溶劑是在與圖3所示同樣的第1溶劑供給機構30取得者。
圖12是表示各例殘留的微粒數的說明圖。僅 以清淨度低的溶劑(10ml)來進行處理的比較例，殘留的微粒數是172個/晶圓。又，僅以清淨度高的溶劑(2ml)來進行處理的參考例，殘留的微粒數是76個/晶圓。另一方面，供給清淨度低的溶劑(10ml)之後，供給清淨度高的溶劑(2ml)來進行處理的實施例，殘留的微粒數是82個/晶圓，可知與僅以清淨度高的溶劑(2ml)來進行處理的參考例作比較改善至大略同水準。此結果證明若使用清淨度低的溶劑，則對應於清淨度低的部分，雖附著於晶圓W上，但之後藉由清淨度高的溶劑，該微粒會被洗掉。因此在利用本發明的實施形態之液處理裝置時，可縮小清淨度高的溶劑的使用量，一邊維持高的處理能力，一邊壓低微粒的殘留數。
1‧‧‧噴嘴部
3‧‧‧第1溶劑噴嘴
4‧‧‧第2溶劑噴嘴
5‧‧‧阻劑液噴嘴
9‧‧‧控制部
21‧‧‧旋轉夾頭
22‧‧‧旋轉軸
23‧‧‧旋轉機構
25‧‧‧排液路
26‧‧‧排氣路
30‧‧‧第1溶劑供給機構
31‧‧‧第1溶劑槽
40‧‧‧第2溶劑供給機構
41‧‧‧第2溶劑槽
42‧‧‧溶劑精製機構
50‧‧‧阻劑供給機構
51‧‧‧供給源

Claims (15)

  1. 一種液處理裝置，係經由噴嘴來對水平保持於基板保持部的基板供給有機溶劑而進行液處理之液處理裝置，其特徵係具備：第1有機溶劑供給機構，其係對前述噴嘴供給第1有機溶劑；第2有機溶劑供給機構，其係對前述噴嘴供給清淨度比前述第1有機溶劑更高的第2有機溶劑；及控制部，其係控制成對前述基板供給前述第1有機溶劑，其次對該基板供給前述第2有機溶劑。
  2. 如申請專利範圍第1項之液處理裝置，其中，有關對1片的基板之有機溶劑的吐出量，係第2有機溶劑的吐出量比前述第1有機溶劑的吐出量更少。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之液處理裝置，其中，前述第1有機溶劑的噴嘴與第2有機溶劑的噴嘴係彼此相異。
  4. 如申請專利範圍第1~3項中的任一項所記載之液處理裝置，其中，前述第2溶劑供給機構係具備用以精製有機溶劑的溶劑精製機構。
  5. 如申請專利範圍第4項之液處理裝置，其中，前述溶劑精製機構係具備含泵及過濾器之溶劑的循環路徑，藉由使此循環路徑循環複數次來除去溶劑中所含的異物。
  6. 如申請專利範圍第1~5項中的任一項所記載之液處理裝置，其中，供給有機溶劑來進行的液處理係於對基 板供給阻劑液之前，對基板的中央部吐出有機溶劑，且使基板旋轉，藉由有機溶劑來浸潤該基板的表面之處理。
  7. 如申請專利範圍第1~5項中的任一項所記載之液處理裝置，其中，供給有機溶劑來進行的液處理係對被曝光後的基板進行之負片顯像處理。
  8. 一種液處理方法，係經由噴嘴來對水平保持於基板保持部的基板供給有機溶劑而進行液處理之液處理方法，其特徵係包含：對基板供給第1有機溶劑之工程；及其次對該基板供給清淨度比前述第1有機溶劑更高的第2有機溶劑之工程。
  9. 如申請專利範圍第8項之液處理方法，其中，有關對1片的基板之有機溶劑的吐出量，係第2有機溶劑的吐出量比前述第1有機溶劑的吐出量更少。
  10. 如申請專利範圍第8或9項之液處理方法，其中，前述第2有機溶劑係由與吐出第1有機溶劑的噴嘴不同的噴嘴吐出。
  11. 如申請專利範圍第8~10項中的任一項所記載之液處理方法，其中，包含藉由溶劑精製機構來精製有機溶劑而取得第2有機溶劑之工程。
  12. 如申請專利範圍第11項之液處理方法，其中，藉由溶劑精製機構來精製的工程係藉由使包含泵及過濾器之溶劑的循環路徑循環複數次來除去溶劑中所含的異物之工程。
  13. 如申請專利範圍第8~12項中的任一項所記載之液處理方法，其中，供給有機溶劑來進行的液處理係於對基板供給阻劑液之前，對基板的中央部吐出有機溶劑，且使基板旋轉，藉由有機溶劑來浸潤該基板的表面之處理。
  14. 如申請專利範圍第8~12項中的任一項所記載之液處理方法，其中，供給有機溶劑來進行的液處理係對被曝光後的基板進行之負片顯像處理。
  15. 一種記憶媒體，係記憶被使用在經由噴嘴來對水平保持於基板保持部的基板供給有機溶劑而進行液處理的液處理裝置的電腦程式之記憶媒體，其特徵為：前述電腦程式係編入有步驟群，而使能夠實行申請專利範圍第8~14項中的任一項所記載之液處理方法。
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