TW201347035A

TW201347035A - 用於具有延長生命週期的電漿反應器的氣體分散板

Info

Publication number: TW201347035A
Application number: TW102103686A
Authority: TW
Inventors: Curtis Marx; Jose Luis Gonzalez; Giovanni Foggiato; Barry Kitazumi
Original assignee: Greene Tweed Of Delaware
Priority date: 2012-02-02
Filing date: 2013-01-31
Publication date: 2013-11-16
Also published as: WO2013116840A2; US20130200170A1; WO2013116840A3

Abstract

本發明包括一種向一反應腔室提供反應物氣體之氣體分散板，其包括：一板體，其具有一第一表面及一第二表面，該板體具有至少一個注入通道，該注入通道自該第一表面跨越該板至該第二表面，沿著自該第一表面至該第二表面之通道的距離界定出該通道之長度，其中該注入通道包括一離子阱腔室，氣體自該板之該第一表面流過該離子阱腔室至該板之第二表面。在一實施例中，該通道包括：一入口部分，其插入該第一表面與該腔室之間；及一出口部分，其插入該離子阱腔室與該第二表面之間。

Description

用於具有延長生命週期的電漿反應器的氣體分散板

蝕刻係用於各種微觀加工製程(包括半導體裝置加工)中，以便在製造期間將層自半導體晶圓之表面化學移除。蝕刻為一重要之製程步驟，並且在完成製造之前，具有相關半導體裝置層之晶圓要經歷許多蝕刻步驟。由於該步驟對加工可用最終產品之重要性，良好地維持及控制蝕刻製程及設備是重要的。對於一些製程而言，蝕刻步驟係使用氣體電漿來進行。雖然氣體電漿之高反應性使其非常適合於蝕刻製程，但電漿之反應傾向性亦使得電漿之控制及束縛面臨挑戰，因為正在電離之反應物傾向於與其所接觸之任何材料反應及/或使該材料降級。

例如，為向反應腔室(發生晶圓蝕刻之處)供應反應物，將使反應物氣體通過氣體分散板(「GDP」)或(如一般所知，通過噴淋頭)來使氣體注入至反應腔室中，同時控制氣體流量及分佈。在氣體分散板中，存在允許氣體注入至製程腔室中之孔的陣列。

已認識到：當此種孔配置係用於為半導體蝕刻提供反應物氣體時，製程腔室內之反應物離子可回流至一或多個孔中且蝕刻該一或多個孔的內壁，從而擴大該一或多個孔之尺寸。久而久之，此擴大導致進入反應腔室及在該反應腔室內的氣體流量改變。此等氣體流量變化造成半導體晶圓表面之不均勻蝕刻。該等不均勻性直接影響可自該晶圓獲得之積體電路的可實現產率、降低製程之總產率並增加生產成本。

當反應物離子到達以通常由金屬製成之氣體分散板的冷卻板界接(interface)之腔室時，另一問題顯露出來。反應物離子是帶電的且於到達金屬冷卻板之後，會將電漿電氣連接至該板，從而引起電弧放電。此種電弧放電導致電漿與金屬板之「電氣短接」，且亦影響蝕刻之均勻性。蝕刻內壁及電氣短接兩者均引起粒子之形成，此等粒子被分散至晶圓表面上。該等粒子將在由晶圓製得之積體電路中引入電氣缺陷及物理缺陷，同時影響產率。

此項技術中仍存在對以下之需要：抑制電漿之反應物離子穿透至GDP孔中的能力，或在離子已穿透之情況下，減弱或消除離子到達氣體分散板之金屬冷卻板的能力。

本發明包括一種向反應腔室提供反應物氣體之氣體分散板，其包括：一板體，其具有一第一表面及一第二表面，該板體具有至少一個注入通道，該注入通道自該第一表面跨越該板至該第二表面，沿著自該第一表面至該第二表面之通道的距離界定出該通道之長度，其中該注入通道包括一離子阱腔室，氣體自該板之第一表面流過該離子阱腔室至該板之第二表面。在一實施例中，該通道包括：一入口部分，其被插入該第一表面與該腔室之間；及一出口部分，其插入該離子阱腔室與該第二表面之間。

本發明亦包括相關之方法。

當結合隨附圖式一起閱讀時，可更好地理解前述發明內容。應理解，本發明並不限於所示之精確佈置及手段設置(instrumentality)。在圖式中：圖1為具有兩個注入通道之先前技術GDP的橫剖面示意性圖示；圖2為包括金屬冷卻板之先前技術GDP的橫剖面示意性圖示，其例示出孔及轉角內部可能的離子轟擊及蝕刻；圖3為本發明之GDP的示意性圖示(橫剖面)，其展示出離子阱與注入通道的入口部分是同軸的且通道的出口部分係彼此同軸且與腔室是同軸的；圖4a為本發明之GDP的示意性圖示(橫剖面)，其中一單獨注入通道具有兩個入口部分及一單一出口部分，該出口部分具有多個孔以用於使氣體注入至反應腔室中。圖4b展示出反轉佈置；圖5為本發明之GDP的示意性圖示(橫剖面)，其中穿過注入通道入口部分之假想垂直軸線相對於穿過注入通道出口部分之假想垂直軸偏置，在圖5中，僅展示出(板體之)一單元板且其展示為一兩片式部件。然而，可將此示範性單元板及本發明之其他單元板製備成單片形式；圖6為本發明的GDP的示意性圖示(橫剖面)，其中注入通道之入口部分係成一銳角(<_a)及一鈍角(<_o)，且偏置對準以便消除自電漿腔室至冷卻板之直接線路；以及圖7為本發明之GDP的一替代示意性圖示(橫剖面)，其中注入通道之入口部分及出口部分各自係移置對準且成角度，以便消除自電漿腔室至冷卻板之直接線路。

本發明包括：一種向反應腔室提供反應物氣體之氣體分散板(GDP)；增加用以向反應腔室提供反應物氣體之GDP的生命週期之方法；以及減少用以向反應腔室提供反應物氣體之GDP中的注入通道之降級，且防止反應性離子到達金屬冷卻板進而減少於所處理之晶圓上的微粒產生或分散的方法。

在一實施例中，本發明係用以向反應腔室提供反應物氣體，在該反應腔室中半導體晶圓經受蝕刻。然而，本發明可用於必須向一腔室提供反應物氣體(在半導體處理或其他應用中)之任何情況，包括但不限於用於：使用電漿以供其他類型處理之半導體設備，該等其他類型處理諸如光阻劑之剝除、半導體晶圓之化學氣相沈積或清潔、滅菌、金屬部件或塑膠部件之清潔；及可應用於金屬部件及塑膠部件之表面改質設備，諸如用於殘餘氣體分析之設備。

在習知GDP中，注入通道經工程化以自板體11之第一表面通過該板體至該板體之第二表面，從而為氣體流動提供一大體上筆直且直接之路徑。圖1展示一習知板之橫剖面。在縱向橫剖面中，圖1例示出氣體分散頭中之典型注入通道。該注入通道具有一入口，氣體經由該入口注入並且終止於一出口，所注入氣體退出該出口而進入反應腔室中。習知而言，該等通道具有約0.5mm的均一直徑，並且該板之厚度可為約25mm(1 吋)。用於此單元板之典型材料可為矽、碳化矽以及其他材料。

圖2展示出先前技術之經配置氣體分散板19中各種離子穿透至注入通道17中的路徑，該氣體分散板包括一單元板23及一冷卻板21。冷卻板21用來保持GDP 19之非金屬部分(單元板23)冷卻，因為電漿使單元板23變熱。如圖2中由箭頭所示意例示，甚至在存在冷卻頭之情況下，反應性離子各自「回流」穿過注入通道之出口及側壁，從而引起蝕刻且擴大孔之尺寸，且當氣體流動穿過一或多個注入通道時影響氣體流動動力學。

該蝕刻可產生粒子，該等粒子可變得與晶圓表面直接接觸。該等粒子可造成晶圓表面上之缺陷，極大地影響良好積體電路之所得產率。在一些情況下，反應物氣體離子回流足夠遠以到達入口之進口，在該入口處可存在與金屬冷卻板之界面。因為該板之電勢遠低於電漿之電勢，所以存在電漿與冷卻板之「電氣短接」。後一現象影響存在於注入出口附近的離子密度及晶圓上之電漿反應，從而導致晶圓表面處之不均勻蝕刻。如同注入通道之壁蝕刻一般，該「短接」亦產生粒子，也落至晶圓表面上。

發明人已發現：注入通道之設計可經工程化以使反應性離子之空間電荷擴張進入出口中之離子束的尺寸。如圖2中所描繪，向注入通道之出口部分(及向反應腔室)行進之氣體將隨機地使行進中之反應性離子注入返回到通道中。帶有其空間電荷之離子束的尺寸將在該離子束行進穿過通道時擴張，並且該離子束可藉由通道側壁吸收。發明人已認識到：若GDP可經配置以遏止「冷卻板離子」25及「垂直離子」29之活性(並且在某種程度上並行地遏止「側壁離子」27之活性)，則可以改善或消除蝕刻之消極效應。

藉由工程化通道以包括至少一離子阱腔室，如(例如)圖3中所描繪，(亦即，藉由相對於通道而擴大通道之子部分)，發明人已發現離子束之擴張速率可『被迫』迅速增加，因而將反應性離子俘獲於離子阱腔室內。離子於阱中螯合且被阻止於注入通道之內壁上實施任何降級行為，且被阻止到達金屬冷卻板。

圖3示意性地例示出單元板內離子阱之實行方案。在圖3中，GDP 101包括一冷卻板103及一單元板105，兩個板均以橫剖面展示。該冷卻板含有一第一表面107及一第二表面109。該單元板亦包括一第一表面111及一第二表面113。注入通道115a、115b跨越板體117(在圖3中，該板體包括一單元板105及一冷卻板103)。該注入通道包括離子阱腔室117a、117b。該離子阱腔室可位於注入通道之大致中點處(如在圖3中所示)或其可處於該中點之任一側上，例如更接近反應腔室或更接近氣體源。圖3示意性地例示出離子阱腔室117a、117b之實行方案。存在於反應腔室中之離子向冷卻板103遷移。隨著進入注入通道115a、115b，離子阱腔室117a、117b打破離子雲於注入通道中之限制。一旦離子雲到達離子阱腔室117a、117b，離子雲即迅速地擴張且離子束縛於在阱內，無法在通道中向前或向後行進。在離子阱之空間中，推進離子穿過通道之電場(包括在離子之間及之中的斥力)呈現不均勻性，從而進一步束縛阱中之離子。

另外，包括至少一離子阱腔室可用以藉由阻止反應物離子到達通道之入口部分及到達金屬冷卻板而減少及/或消除電弧放電，若該金屬冷卻板由如鋁之金屬製成，則將引起電弧放電現象及粒子之產生。

本發明之板體可由單片製成或可包括若干層化或以其他方式佈置於一起之板或片。在一些實施例中，較佳可為：板體包括一單元板及一冷卻板。取決於GDP之最終用途，板體之單元板(以及及/或GDP之任何其他構件)可由對蝕刻氣體及/或腐蝕性或反應性化學品有抗性之任何材料製成。然而，在某些應用中，較佳可為：板體之單元板由矽製成。若該單元板用以向反應腔室提供蝕刻氣體以用於半導體處理，則可能需要所選擇之材料對蝕刻氣體有抗性及/或能夠為上部電極提供射頻功率，該射頻功率點燃反應器內之電漿，並且在蝕刻循環期間維持該電漿。

板體(以及及/或GDP之任何其他構件，包括單元板或冷卻板)可由一種所選擇之材料製成，或可由第一材料製成，該第一材料上可置放替代材料之一或多個層或膜例如以增加蝕刻抗性。用於任一情況之適合材料可包括但不限於：矽、碳化矽、氧化釔、YAG、氮氧化鋁、氮化鋁、藍寶石及其他抗蝕刻材料。在一實施例中，板體可由矽製成。在另一實施例中，其可由塗佈有氧化釔之矽製成。

在大多數實施例中，較佳可為：冷卻板是金屬的，其由金屬及/或塗有一或多個金屬層之基板形成。

在一些實施例中，較佳可為：GDP為雙片、三片或多於三片之氣體分散板，該GDP可例如包括：一單元板(含有至少一個注入通道)、一氣體進入板、一冷卻板、一面板及/或如所需之其他板。此外，在一些實施例中，如下所述之板體自身係由整合在一起的兩個或兩個以上之板或構件形成。

板體可為任何厚度，包括例如約5mm至約10mm或至多約25mm之板厚度。

參閱圖3，在一實施例中，本發明之板體119可包括至少一個注入通道117a、117b，該注入通道自板體之第一表面121跨越板體之橫向平面至板體之第二表面123。沿著自該第一表面至該第二表面之通道的距離界定出注入通道之長度。該注入通道包括一入口部分125，其自板體119之第一表面124延伸一定距離；及一出口部分127，其自板體之第二表面123延伸一定距離。

在一實施例中，注入通道115a、115b之側壁具有大體上圓形之橫剖面，儘管可使用具有其他橫剖面形狀之注入通道。

注入通道115a、115b包括至少一離子阱腔室117a、117b。當在橫剖面上觀察時，由離子阱腔室之側壁所形成的形狀(「S_c」)之周長大於當在大體上鄰接離子阱腔室之橫剖面上觀察時由注入通道之側壁所形成的形狀(「S_p」)之周長。S_c之周長與S_p之周長之間的差值量值可取決於GDP之最終用途應用而改變。然而，在一些實施例中，較佳可為：S_p之周長為S_c之周長的約0.1%、約0.5%、約1%、約5%、約10%、約15%、約20%、約25%、約30%、約35%、約40%、約45%以及約50%或約50%以下。

在一些實施例中，S_c係呈多邊形之形狀，如正方形、長方形或六邊形，儘管可選擇任何形狀。例如，S_c可具有以下形狀：規則多邊形、不規則多邊形、三角形、圓形及橢圓形、卵圓形、菱形、卵圓形、平行四邊形、斜方形、五邊形、八邊形、七邊形以及六邊形。在一些實施例中，由離子阱腔室界定之空間係呈複雜幾何實體形式，諸如(例如)四面幾何實體、八面幾何實體、十二面幾何實體或二十面幾何實體，以便自該腔室截取之任何S_c組可呈變化形狀形式。

與離子阱腔室之長度比較，沿著注入通道之橫軸的相對長度L_c可為任何尺寸，並且將取決於例如以下而必要地改變：GDP之最終應用、所包括的離子阱腔室之數目、用於電漿之操作RF及偏壓功率、所使用之電漿密度及/或所選擇用於該應用之反應物氣體。在一些實施例中，該腔室之橫向距離(如自該腔室入口至該室腔出口所量測)可為但不限於注入通道長度之約5%、約10%、約15%、約20%、約25%、約30%、約35%、約40%、約45%以及約50%。

在一實施例中，離子阱腔室插入板體之第一表面與注入通道之出口部分之間，或插入板體之第二表面與入口部分之間。較佳可為：離子阱腔室插入通道之入口部分與通道之出口部分之間。較佳可為：該一或多個室與注入通道同軸。然而，在一些實施例中，該腔室可與該通道偏置，亦即，腔室之軸線可平行於該通道之軸線但不與其同軸。此消除來自反應腔室之離子穿透至金屬冷卻板之直接路徑。

參閱圖4a及圖4b，板體可包括一入口部分、至少一離子阱腔室以及兩個或兩個以上出口部分，藉以氣體經由入口部分進入注入通道中，並且氣體經由至少一或多個出口部分外流至反應腔室中，或事實上可為反轉之情況。在此等實施例中，S_c之周長大於S_pi及S_po各自之周長，其中S_pi係由通道入口部分處之橫剖面所形成的形狀，且S_pi為於離子阱入口處通道之橫剖面所形成的形狀，或為反轉之情況。

參閱圖5，本發明之一實施例包括一板體119，該板體具有至少一偏置注入通道129，該注入通道為包括至少三個部分的一注入通道，該三個部分中之至少兩個彼此互通。例如，如在圖5中所示，偏置注入通道129可包括三個部分：一入口部分125、一離子阱部分117以及一出口部分127。入口部分125為注入通道129的自入口131跨越至離子阱之彼部分。入口133(注入通道之出口部分127)為自出口137跨越至離子阱腔室出口135之部分。偏置注入通道129之入口部分125及出口部分127各自具有假想軸線X及X₁。在該實施例中，軸線X及X₁偏置；亦即，該等軸線彼此平行但非同軸。

在圖6中所示範之另一實施例中，假想軸線X及X，可偏置及/或相對於彼此不平行地定位。在此實施例中，該入口部分及/或出口部分使得入口部分或出口部分之假想軸線X及X₁與截取自板體之假想水平面h相交以形成約10度至約60度、約20度至約50度以及約30度至約40度之角度A。

然而，圖式例示出具有圓形橫剖面之通道及離子阱腔室。

熟習該項技術者將瞭解，可在不脫離本發明之廣泛發明概念之情況下，對以上所述之實施例作出變化。因此，應理解，本發明不限於所揭示之特定實施例，但本發明意欲涵蓋如由隨附申請專利範圍所限定之本發明的精神及範疇內的修改。

Claims

一種向一反應腔室提供氣體之氣體分散板(GDP)，該氣體分散板包括：一板體，其具有一第一表面及一第二表面，該板體具有至少一注入通道，該注入通道自該第一表面跨越該板體至該第二表面，沿著自該第一表面至該第二表面之該注入通道的距離界定出該注入通道之長度，其中該注入通道包括一離子阱腔室。
如申請專利範圍第1項之氣體分散板，其中該板體包括一冷卻板及一單元板，且該單元板之一第一表面面朝該冷卻板之一第一表面。
如申請專利範圍第1項之氣體分散板，其中該注入通道包括一入口部分，該入口部分插入該第一表面與該離子阱腔室之間。
如申請專利範圍第1項之氣體分散板，其中該注入通道包括一出口部分，該出口部分插入該離子阱腔室與該第二表面之間。
如申請專利範圍第3項之氣體分散板，其中該注入通道包括兩個或兩個以上出口部分。
如申請專利範圍第2項之氣體分散板，其中該注入通道包括兩個或兩個以上入口部分。
如申請專利範圍第1項之氣體分散板，其中該通道具有一通常為圓形之橫剖面。
如申請專利範圍第1項之氣體分散板，其中該注入通道包括兩個或兩個以上離子阱腔室。
如申請專利範圍第1項之氣體分散板，其中該腔室具有一腔室入口及一腔室出口，且該離子阱腔室入口與該離子阱腔室出口之距離為該通道長度之至少約5%。
如申請專利範圍第1項之氣體分散板，其中該離子阱腔室具有一離子阱腔室入口及一離子阱腔室出口，且該腔室入口至該腔室出口之距離為以下之一：該通道長度之約5%、約10%、約15%、約20%、約25%、約30%、約35%、約40%、約45%以及約50%。
如申請專利範圍第1項之氣體分散板，其中由該離子阱腔室之一橫剖面所形成的形狀為一正方形。
如申請專利範圍第1項之氣體分散板，其中由該離子阱腔室之一橫剖面所形成的形狀為一多邊形。
如申請專利範圍第1項之氣體分散板，其中由該離子阱腔室之一橫剖面所形成的形狀為一不規則多邊形。
如申請專利範圍第1項之氣體分散板，其中由該離子阱腔室之一橫剖面所形成的形狀係選自：圓形、橢圓形、菱形、卵圓形、平行四邊形、斜方形以及不規則多邊形。
如申請專利範圍第1項之氣體分散板，其中該注入通道係由至少一側壁界定，該側壁包含選自以下之材料：矽、碳化矽、氧化釔、YAG、氮氧化鋁、氮化鋁以及藍寶石。
如申請專利範圍第1項之氣體分散板，其中該離子阱腔室係由至少一側壁界定，材料選自：矽、碳化矽、氧化釔、YAG、氮氧化鋁、氮化鋁以及藍寶石。
如申請專利範圍第1項之氣體分散板，其中該離子阱腔室係與該注入通道同軸。
如申請專利範圍第1項之氣體分散板，其中該注入通道包括一入口部分及一出口部分。
如申請專利範圍第18項之，其中該入口部分之一橫剖面的一假想垂直軸線(x)相對於該出口部分之一橫剖面的一假想垂直軸線(x’)偏置。
一種延長一氣體分散板之有用生命週期的方法，該方法包括製備一氣體分散板，該氣體分散板包括：一板體，其具有一第一表面及一第二表面，該板體具有至少一注入通道，該注入通道自該第一表面跨越該板至該第二表面，沿著自該第一表面至該第二表面之該通道的距離界定出該通道之長度，其中該注入通道包括一離子阱腔室。
一種減少一氣體分散板中一注入通道之降級的方法，該方法包括製備一氣體分散板，該氣體分散板包括：一板體，其具有一第一表面及一第二表面，該板體具有至少一注入通道，該注入通道自該第一表面跨越該板至該第二表面，沿著自該第一表面至該第二表面之該通道的距離界定出該通道之長度，其中該注入通道包括一離子阱腔室，藉以一氣體可自該板之該第一表面流動至該板之該第二表面，且該板體包括一冷卻板及一單元板，且該單元板之一第一表面面朝該反應腔室，且該單元板之一第二表面面朝該冷卻板之一第一表面。
一種減少反應腔室電漿與氣體分散板之電氣連接的方法，該氣體分散板包括一界接非金屬分散板，該方法包括製備一板，該板包括一板體，其具有一第一表面及一第二表面，該板體具有至少一注入通道，該注入通道自該第一表面跨越該板至該第二表面，沿著自該第一表面至該第二表面之該通道的距離界定出該通道之長度，其中該注入通道包括一離子阱腔室，藉以一氣體可自該板之該第一表面流動至該板之該第二表面。
一種減少粒子產生以便減少沈積於晶圓上之粒子的方法，該方法包括製備一板，該板包括一板體，其具有一第一表面及一第二表面，該板體具有至少一注入通道，該注入通道自該第一表面跨越該板至該第二表面，沿著自該第一表面至該第二表面之該通道的距離界定出該通道之長度，其中該注入通道包括一離子阱腔室，藉以一氣體可自該板之該第一表面流動至該板之該第二表面。
一種阻止反應物離子與一氣體分散頭中一冷卻板之一表面電氣接觸的方法，該方法包括製備一氣體分散板，其中該氣體分散板包括一板體，其具有一第一表面及一第二表面，該板體具有至少一注入通道，該注入通道自該第一表面跨越該板，界定出該通道之長度，其中該注入通道包括一離子阱腔室，且其中該板體包括一冷卻板及一單元板，且該單元板之一第一表面面朝該反應腔室，且該單元板之一第二表面面朝該冷卻板之一第一表面。
如申請專利範圍第20、21、22、23及24中任一項之方法，其中該注入通道包括一入口部分，該入口部分插入該第一表面與該反應腔室之間。
如申請專利範圍第21、22、23及24中任一項之方法，其中該注入通道包括一出口部分，該出口部分插入該離子阱腔室與該第二表面之間。
如申請專利範圍第26項之方法，其中該注入通道包括兩個或兩個以上出口部分。
如申請專利範圍第25項之方法，其中該注入通道包括兩個或兩個以上入口部分。
如申請專利範圍第21、22、23及24中任一項之方法，其中該注入通道具有一通常為圓形之橫剖面。
如申請專利範圍第21、22、23及24中任一項之方法，其中該注入通道包括兩個或兩個以上離子阱腔室。
如申請專利範圍第21、22、23及24中任一項之方法，其中該離子阱腔室具有一腔室入口及一離子阱腔室出口，且該離子阱腔室入口與該離子阱腔室出口之距離為該通道長度之至少約5%。
如申請專利範圍第21、22、23及24中任一項之方法，其中該離子阱腔室具有一離子阱腔室入口及一離子阱腔室出口，且該腔室入口至該腔室出口之距離為以下之一：該注入通道長度之約5%、約10%、約15%、約20%、約25%、約30%、約35%、約40%、約45%以及約50%。
如申請專利範圍第21、22、23及24中任一項之方法，其中由該離子阱腔室之一橫剖面所形成的形狀為一正方形。
如申請專利範圍第21、22、23及24中任一項之方法，其中由該離子阱腔室之一橫剖面所形成的形狀為一多邊形。
如申請專利範圍第21、22、23及24中任一項之方法，其中由該離子阱腔室之一橫剖面所形成的形狀為一不規則多邊形。
如申請專利範圍第21、22、23及24中任一項之方法，其中由該離子阱腔室之一橫剖面所形成的形狀係選自：圓形、橢圓形、菱形、卵圓形、平行四邊形、斜方形以及不規則多邊形。
如申請專利範圍第21、22、23及24中任一項之方法，其中該注入通道係由至少一側壁界定，該側壁包含選自以下之材料：矽、碳化矽、氧化釔、YAG、氮氧化鋁、氮化鋁以及藍寶石。
如申請專利範圍第21、22、23及24中任一項之方法，其中該離子阱腔室係由至少一側壁界定，該側壁包含選自以下之材料：矽、碳化矽、氧化釔、YAG、氮氧化鋁、氮化鋁以及藍寶石。
如申請專利範圍第21、22、23及24中任一項之方法，其中該離子阱腔室係與該注入通道同軸。
如申請專利範圍第21、22、23及24中任一項之方法，其中該注入通道包括一入口部分及一出口部分。
如申請專利範圍第41項之氣體分散板，其中該入口部分之一橫剖面的一假想垂直軸線(x)相對於該出口部分之一橫剖面的一假想垂直軸線(x’)偏置。