TW201333919A - 用以寫入相同資料之顯示器驅動波型 - Google Patents

Abstract

本發明提供用於使跨越一顯示元件之一電壓之極性交替之系統、方法及設備，其包括編碼於電腦儲存媒體上之電腦程式。在一項態樣中，一顯示元件在一極性交替之後維持處於一當前狀態中。一驅動信號波型自一第一極性之一保持電壓實質上直接轉變為一第二極性之一寫入電壓，且自該第二極性之該寫入電壓實質上直接轉變為該第二極性之一保持電壓。

Description

用以寫入相同資料之顯示器驅動波型

本發明係關於用於在跨越一顯示元件之一電壓之極性之一交替期間維持該顯示元件之一當前狀態之系統及方法。

機電系統(EMS)包括具有電及機械元件、致動器、變換器、感測器、光學組件(諸如，鏡及光學膜層)及電子器件之裝置。機電系統可以各種尺度來製造，包括但不限於微米級及奈米級。舉例而言，微機電系統(MEMS)裝置可包括具有介於自約一微米至數百微米或數百微米以上之範圍之大小之結構。奈米機電系統(NEMS)裝置可包括具有小於一微米之大小(舉例而言，小於幾百奈米之大小)之結構。機電元件可使用沈積、蝕刻、微影及/或蝕除基板及/或所沈積材料層之若干部分或添加若干層以形成電氣及機電裝置之其他微加工製程來形成。

一種類型之機電系統裝置稱作一干涉式調變器(IMOD)。如本文中所用，術語干涉式調變器或干涉光調變器係指使用光學干涉原理選擇性地吸收及/或反射光之一裝置。在某些實施方案中，一干涉式調變器可包括一對導電板，該對導電板中之一或兩者可係完全或部分透明的及/或反射的且能夠在施加一適當電信號之後旋即相對運動。在一實施方案中，一個板可包括沈積於一基板上之一固定層，而另一個板可包括以一氣隙與該固定層分離之一反射膜。一個板相對於另一個板之位置可改變入射於該干 涉式調變器上之光的光學干涉。干涉式調變器裝置具有一寬廣範圍之應用，且預期用於改良現有產品並形成新的產品，尤其係具有顯示能力之彼等產品。

在干涉式調變器系統之某些實施方案中，為了避免機電系統組件中之一電荷堆積，在特定時間切換施加至特定電極之電壓之極性。舉例而言，將具有一正極性電位差之一MEMS組件切換至一負極性電位差以便減小該組件中之電荷堆積量。用於轉變所施加之電壓之極性之驅動波型按慣例包括用於清空顯示元件之一清空脈衝(諸如以一接地電壓)。

本發明之系統、方法及裝置各自具有數項發明態樣，該數項發明態樣中沒有一項單獨決定本文中所揭示之可期望屬性。

本發明中所闡述之標的物之一項發明態樣可實施於用於驅動一顯示器之一設備中，該顯示器包括一或多排顯示元件。該設備包括一共同驅動器、一分段驅動器及一控制器。該控制器經組態以控制該共同驅動器及該分段驅動器以便對於其中與已寫入至該排顯示元件之影像資料實質上相同之影像資料再次寫入於一緊隨其後之圖框中之至少某些排而言，其中一後續寫入極性與該排顯示元件之一當前保持極性相反，該共同驅動器將一第一極性之一保持電壓施加至該排顯示元件之一共同線、實質上直接將該共同線轉變為第二極性之一保持電壓。第二極性之寫入電壓可大 於第二極性之保持電壓。

本發明中所闡述之標的物之另一發明態樣可實施於一種寫入與已寫入至一排顯示元件之影像資料實質上相同之影像資料之方法中，其中一寫入極性與該排顯示元件之一當前偏壓極性相反。該方法包括將一第一極性之一保持電壓施加至該排顯示元件之一共同線以維持該等顯示元件中之每一者之一當前狀態，將該共同線實質上直接轉變為一第二極性之一寫入電壓，且將該共同線實質上直接轉變為該第二極性之一偏壓電壓。第二極性之寫入電壓可大於第二極性之偏壓電壓。

本發明中所闡述之標的物之另一發明態樣可實施於一種用於寫入與已寫入至一排顯示元件之影像資料實質上相同之影像資料之設備中，其中一寫入極性與該排顯示元件之一當前偏壓極性相反。該設備包括一共同驅動器、一分段驅動器及用於控制該共同驅動器及該分段驅動器之構件以便當與已寫入至該排顯示元件之影像資料實質上相同之影像資料再次寫入於一緊隨其後之圖框中時，其中一後續寫入極性與該排顯示元件之一當前偏壓極性相反，接著該共同驅動器將一第一極性之一保持電壓施加至該排顯示元件以維持該等顯示元件中之每一者之一當前狀態、實質上直接轉變為一第二極性之一寫入電壓且實質上直接轉變為該第二極性之一保持電壓。第二極性之寫入電壓大於第二極性之保持電壓。

本發明中所闡述之標的物之另一發明態樣可實施於用於 針對經組態以將資料寫入至包括一排顯示元件之一顯示器之一程式處理資料之一電腦程式產品中。該電腦程式產品包括其上儲存有程式碼之一非暫時性電腦可讀媒體，以便當與已寫入至該排顯示元件之影像資料實質上相同之影像資料再次寫入於一緊隨其後之圖框中時，其中一後續偏壓極性與該排顯示元件之一當前偏壓極性相反。該程式碼致使處理電路將一第一極性之一保持電壓施加至該排顯示元件之一共同線以維持該等顯示元件中之每一者之一當前狀態，將該共同線實質上直接轉變為一第二極性之一寫入電壓，且將該共同線實質上直接轉變為該第二極性之一保持電壓。第二極性之寫入電壓可大於第二極性之保持電壓。

在隨附圖式及下文說明中陳述本說明書中所闡述之標的物之一或多項實施方案之細節。依據說明、圖式及申請專利範圍，其他特徵、態樣及優點將變得顯而易見。注意，以下圖式之相對尺寸可能未按比例繪製。

在各圖式中，相同元件符號及名稱指示相同元件。

以下說明系針對用於闡述本發明之發明態樣之目的之某些實施方案。然而，熟習此項技術者將易於認識到可以眾多不同方式應用本文之教示。所闡述之實施方案可實施於可經組態以顯示一影像(無論是運動影像(例如，視訊)還是靜止(stationary)影像(例如，靜態(still)影像)，且無論是文字影像、圖形影像還是圖片影像)之任一裝置或系統中。更特定而言，預期該等所闡述之實施例可包括於以下各種 電子裝置中或與其相關聯：(諸如但不限於)行動電話、啟用多媒體網際網路之蜂巢式電話、行動電視接收器、無線裝置、智慧電話、Bluetooth®裝置、個人資料助理(PDA)、無線電子郵件接收器、手持式或可攜式電腦、小筆電、筆記型電腦、智慧筆電、平板電腦、印表機、影印機、掃描機、傳真裝置、GPS接收器/導航儀、相機、MP3播放器、攝錄影機、遊戲機、手錶、時鐘、計算器、電視監視器、平板顯示器、電子閱讀裝置(亦即，電子閱讀器)、電腦監視器、汽車顯示器(包括里程計及速度計顯示器等)、駕駛艙控制件及/或顯示器、攝影機景物顯示器(諸如，一車輛中之一後視攝影機之顯示器)、電子相片、電子告示牌或標牌、投影機、建築結構、微波爐、冰箱、立體聲系統、卡式記錄器或播放器、DVD播放器、CD播放器、VCR、無線電設備、可攜式記憶體晶片、洗衣機、乾衣機、洗衣機/乾衣機、停車計時器、封裝(諸如，機電系統(EMS)、微機電系統(MEMS)及非MEMS應用)、美學結構(例如，一件珠寶上之影像顯示器)及各種EMS裝置。本文中之教示亦可用於非顯示應用中，諸如但不限於電子切換裝置、射頻濾波器、感測器、加速度計、陀螺儀、運動感測裝置、磁力計、用於消費型電子裝置之慣性組件、消費型電子裝置產品之部分、變容器、液晶裝置、電泳裝置、驅動方案、製造製程及電子測試裝備。因此，該等教示並非意欲限制於僅在圖中繪示之實施方案，而是具有廣泛應用，如熟習此項技術者將易於明瞭。

在某些實施方案中，可使用總是跨越經組態以在EMS裝置(諸如干涉式調變器)中致動且釋放之兩個電極產生相同電極電位差之保持電壓、定址電壓及分段電壓。在某些其他實施方案中，可使用使跨越該等電極之電位差之極性交替之信號。跨越該等電極之極性交替(即，寫入程序之極性交替)可減小或抑制在一單個極性之重複寫入操作之後可能發生之該等電極上的電荷累積。儘管本文所闡述之方法可用於具有經組態以相對於彼此移動之至少兩個或兩個以上電極之任何ESM裝置之上下文中，但剩餘論述將集中在具有一可移動電極及用作具有一此等調變器陣列之一顯示器中之一像素或子像素之一靜止電極之干涉式調變器上。此一陣列可配置成列及行。在某些實施方案中，一列中之調變器共用一共同線。

在用於干涉式調變器之一驅動方案之某些實施方案中，當新資料寫入至一列干涉式調變器時，分段線將一適當電壓施加至該列中之每一調變器以便根據該資料致動或釋放每一調變器。然後在該共同線上驅動一寫入脈衝達一時間以致動或釋放該等調變器，此後將該共同線保持在一保持電壓。一特定時間之後，當在該線上重新更新資料時，重複此過程。該共同線經常保持在一釋放電壓(例如，接地)達一時間週期以便在針對新資料施加新的寫入脈衝之前釋放所有經致動調變器。然而如上文所述，切換施加至該等調變器之電壓之極性可係有用的。在某些實施方案中，在每一圖框處翻轉該極性。亦即，每一次當新資料寫入至該 等調變器時，可翻轉該極性。

在一習用驅動方案中，將該共同線保持在釋放電壓處，無論新資料是否寫入至該等調變器。釋放電壓處之時間週期可造成將沿該共同線之實質上所有該等調變器轉變為經釋放狀態。因此，所顯示之影像可包括對應於經釋放調變器之亮區段。若正用相同資料重寫該螢幕之一暗區域，則使該極性交替可在所顯示之影像中造成一不期望之假影，此乃因不必要地釋放且然後重新致動了所有經致動調變器。

在該極性交替期間，在顯示資料欲針對該等調變器保持相同之情形中，該等調變器在極性交替之後的狀態將與該等調變器在該極性交替之前的狀態相同。因此，可沒必要釋放該等調變器。根據某些實施方案，一寫入波型自以一第一極性之一保持電壓實質上直接轉變為不同於該第一極性之一第二極性之寫入電壓，從而在該極性改變期間消除一清空循環。

可實施本發明中所闡述之標的物之特定實施方案以實現以下潛在優點中之一或多者。可減小或消除在極性交替期間在寫入資料之前由於清空調變器而產生之不期望之視覺假影。類似地，可減小極性反轉之時間，從而增加圖框速率。

所闡述實施方案可應用於其之一適合EMS或MEMS裝置之一實例系一反射顯示裝置。反射顯示裝置可併入干涉式調變器(IMOD)以使用光學干涉原理來選擇性地吸收及/或 反射入射於其上之光。IMOD可包括一吸收體、可相對於該吸收體移動之一反射體及界定於該吸收體與該反射體之間的一光學諧振腔。該反射體可移動至可改變該光學諧振腔之大小且藉此影響該干涉式調變器之反射比之兩個或兩個以上不同位置。IMOD之反射比光譜可形成可跨越可見波長移位以產生不同色彩之相當寬闊光譜帶。可藉由改變光學諧振腔之厚度來調整該光譜帶之位置。改變該光學諧振腔之一種方式係藉由改變該反射體之位置。

圖1展示繪示一干涉式調變器(IMOD)顯示裝置之一系列像素中之兩個毗鄰像素之一等角視圖之一實例。該IMOD顯示裝置包括一或多個干涉MEMS顯示元件。在此等裝置中，MEMS顯示元件之像素可處於一亮狀態或暗狀態中。在亮(「鬆弛」、「敞開」或「接通」)狀態中，該顯示元件將入射可見光之一大部分反射(例如)至一使用者。相反地，在暗(「經致動」、「閉合」或「關斷」)狀態中，顯示元件反射極少入射可見光。在某些實施方案中，可將接通狀態及關斷狀態之光反射比性質反轉。MEMS像素可經組態以主要在特定波長下反射，從而除黑色及白色之外還允許一彩色顯示。

IMOD顯示裝置可包括一列/行IMOD陣列。每一IMOD可包括一對反射層，亦即，一可移動反射層及一固定部分反射層，該等層定位於彼此相距一可變化且可控制距離處以形成一氣隙(亦稱作一光學間隙或腔)。該可移動反射層可在至少兩個位置之間移動。在一第一位置(亦即，一經鬆 弛位置)中，該可移動反射層可定位於距該固定部分反射層達一相對大距離處。在一第二位置(亦即，一經致動位置)中，該可移動反射層可更接近於該部分反射層而定位。自兩個層反射之入射光可取決於該可移動反射層之位置而相長地或相消地干涉，從而針對每一像素產生一全反射或非反射狀態。在某些實施方案中，IMOD可在不被致動時處於一反射狀態中，從而反射在可見光譜內之光，且可在不被致動時處於一暗狀態中，從而吸收及/或相消地干涉在可見範圍內的光。然而，在某些其他實施方案中，一IMOD可在不被致動時處於一暗狀態中且在被致動時處於一反射狀態中。在某些實施方案中，引入一所施加電壓可驅動像素改變狀態。在某些其他實施方案中，一所施加電荷可驅動像素改變狀態。

圖1中所繪示的像素陣列之部分包括兩個毗鄰干涉式調變器12。在左側之IMOD 12(如所圖解說明)中，將一可移動反射層14圖解說明為處於距一光學堆疊16達一預定距離處之一鬆弛位置中，該光學堆疊包括一部分反射層。跨越左側之IMOD 12施加之電壓V₀不足以致使可移動反射層14之致動。在右側之IMOD 12中，將可移動反射層14圖解說明為處於接近或毗鄰光學堆疊16之一經致動位置中。跨越右側之IMOD 12施加之電壓V_bias足以將可移動反射層14維持在該經致動位置中。

在圖1中，大體上用指示入射於像素12上之光及在左側自像素12反射之光15的箭頭13圖解說明像素12之反射性 質。儘管未詳細地圖解說明，但熟習此項技術者將理解，入射於像素12上之光13之大部分將透射穿過透明基板20朝向光學堆疊16。入射於光學堆疊16上之光之一部分將透射穿過光學堆疊16之部分反射層，且一部分將向回反射穿過透明基板20。光13之透射穿過光學堆疊16之部分將在可移動反射層14處向回反射朝向(且穿過)透明基板20。自光學堆疊16之部分反射層反射之光與自可移動反射層14反射之光之間的干涉(相長性的或相消性的)將判定自像素12反射之光15之波長。

光學堆疊16可包括一單個層或數個層。該(等)層可包括一電極層、一部分反射且部分透射層及一透明介電層中之一或多者。在某些實施方案中，光學堆疊16導電、部分透明且部分反射，且可(舉例而言)藉由將上述層中之一或多者沈積至一透明基板20上來製作。該電極層可由各種材料形成，諸如各種金屬(舉例而言，氧化銦錫(ITO))。該部分反射層可由部分反射之各種材料(諸如，(例如)鉻(Cr)之各種金屬、半導體及電介質)形成。該部分反射層可係由一或多個材料層形成，且該等層中之每一者皆可係由一單個材料或一材料組合形成。在某些實施方案中，光學堆疊16可包括充當一光學吸收體及導體兩者之一單個半透明厚度之金屬或半導體，同時(例如光學堆疊16或IMOD其他結構之)不同更多導電層或部分可用於在IMOD像素之間用匯流排傳送(bus)信號。光學堆疊16亦可包括一或多個絕緣層或介電層，其覆蓋一或多個導電層或一導電/光學吸收層。

在某些實施方案中，可將光學堆疊16之該(等)層圖案化成若干平行條帶，且如下文進一步闡述可在一顯示裝置中形成列電極。如熟習此項技術者將理解，術語「圖案化」在本文中係指遮蔽以及蝕刻製程。在某些實施方案中，一高度導電及反射材料(諸如鋁(Al))可用於可移動反射層14，且此等條帶可形成一顯示裝置中之行電極。可移動反射層14可形成為一所沈積金屬層或若干所沈積金屬層(正交於光學堆疊16之列電極)之一系列平行條帶以形成沈積於柱18之頂部上之行及沈積於柱18之間的一介入犧牲材料。當蝕除該犧牲材料時，可在可移動反射層14與光學堆疊16之間形成一經界定間隙19或光學腔。在某些實施方案中，柱18之間的間隔可係大約1微米至1000微米，而間隙19可小於10,000埃(Å)。

在某些實施方案中，該IMOD之每一像素(無論是處於經致動狀態中還是處於經鬆弛狀態中)基本上係由該等固定及移動反射層形成之一電容器。當不施加電壓時，可移動反射層14保持處於一機械鬆弛狀態中，如圖1中左側之像素12所圖解說明，其中在可移動反射層14與光學堆疊16之間存在間隙19。然而，當將一電位差(一電壓)施加至一選定列及行中之至少一者時，在對應像素處形成於列電極與行電極之交叉點處之電容器變為帶電，且靜電力將該等電極拉到一起。若所施加之電壓超過一臨限值，則可移動反射層14可變形且移動而接近或緊靠著光學堆疊16。光學堆疊16內之一介電層(未展示)可防止短路且控制層14與層16 之間的分離距離，如圖1中右側之致動像素12所圖解說明。不管所施加電位差之極性如何，行為皆相同。儘管在某些例項中可將一陣列中之一系列像素稱為「列」或「行」，但熟習此項技術者將易於理解，將一個方向稱為一「列」且將另一方向稱為一「行」系任意的。重申地，在某些定向中，可將列視為行，且將行視為列。此外，該等顯示元件可均勻地配置成正交之列與行(一「陣列」)，或配置成非線性組態，舉例而言，相對於彼此具有特定位置偏移(一「馬賽克」)。術語「陣列」及「馬賽克」可係指任一組態。因此，儘管將顯示器稱為包括一「陣列」或「馬賽克」，但在任何例項中，元件本身無需彼此正交地配置或安置成一均勻分佈，而是可包括具有不對稱形狀及不均勻分佈式元件之配置。

圖2展示圖解說明併入有一3×3干涉式調變器顯示器之一電子裝置之一系統方塊圖之一實例。該電子裝置包括可經組態以執行一或多個軟體模組之一處理器21。除執行一作業系統之外，處理器21亦可經組態以執行一或多個軟體應用程式，包括一網頁瀏覽器、一電話應用程式、一電子郵件程式或任一其他軟體應用程式。

處理器21可經組態以與一陣列驅動器22通信。陣列驅動器22可包括將信號提供至(例如)一顯示器陣列或面板30之一列驅動器電路24及一行驅動器電路26。圖2中之線1-1展示圖1中所圖解說明之IMOD顯示裝置之剖面圖。儘管出於清晰起見，圖2圖解說明一3×3 IMOD陣列，但顯示器陣列 30可含有極大數目個IMOD且可在列中具有與在行中不同數目個IMOD，且反之亦然。

圖3展示圖解說明圖1之干涉式調變器之可移動反射層位置與所施加電壓之關係曲線之一圖之一實例。對於MEMS干涉式調變器，列/行(亦即，共同/分段)寫入程序可利用如圖3中所圖解說明之此等裝置之一滯後性質。在一項實例性實施方案中，一干涉式調變器可使用約一10伏電位差以致使可移動反射層(或鏡)自經鬆弛狀態改變為經致動狀態。當電壓自彼值減小時，可移動反射層在電壓降回至(在此實例中)10伏以下時維持其狀態，然而，可移動反射層在電壓降至2伏以下之前不完全鬆弛。因此，如圖3中所展示，存在大約3伏至7伏(在此實例中)之一電壓範圍，在該電壓範圍內存在一施加電壓窗，在該窗內該裝置穩定地處於經鬆弛狀態或經致動狀態中。在本文中將其稱為「滯後窗」或「穩定窗」。對於具有圖3之滯後特性之一顯示器陣列30，列/行寫入程序可經設計以一次定址一或多個列，以使得在對一給定列之定址期間，將所定址列中欲被致動之像素曝露於約10伏(在此實例中)之一電壓差，且將欲被鬆弛之像素曝露於接近零伏之一電壓差。在定址之後，該等像素曝露於一穩定狀態或約5伏(在此實例中)之偏壓電壓差，以使得其保持處於先前選通狀態中。在此實例中，在被定址之後，每一像素經受在約3伏至7伏之「穩定窗」內之一電位差。此滯後性質特徵使得(諸如)圖1中所圖解說明之像素設計能夠在相同所施加電壓條件下保持穩定 地處於一經致動或經鬆弛預先存在狀態中。由於每一IMOD像素(無論是處於經致動狀態中還是處於經鬆弛狀態中)基本上係由該等固定及移動反射層形成之一電容器，因此可在該滯後窗內之一穩定電壓下保持此穩定狀態而實質上不消耗或損失電力。此外，若所施加電壓電位保持實質上固定，則基本上極小或沒有電流流動至該IMOD像素中。

在某些實施方案中，可藉由根據一給定列中之像素之狀態之所期望改變(若存在)，沿該組行電極以「分段」電壓之形式施加資料信號來形成一影像之一圖框。可依次定址該陣列之每一列，以使得一次一列地寫入該圖框。為將該期望資料寫入至一第一列中之像素，可將對應於該第一列中像素之所期望狀態之分段電壓施加於行電極上，且可將以一特定「共同」電壓或信號之形式之一第一列脈衝施加至第一列電極。然後該組分段電壓可經改變以對應於第二列中之像素之狀態之期望之改變(若存在)，且可將一第二共同電壓施加至第二列電極。在某些實施方案中，第一列中之像素不受沿行電極施加之分段電壓之改變影響，且在第一共同電壓列脈衝期間保持處於其已被設定之狀態中。可以一順序方式對整個列系列或另一選擇係對整個行系列重複此製程以產生影像圖框。可藉由以某一所期望數目個圖框/秒之速度連續地重複此製程來用新影像資料再新及/或更新該等圖框。

跨越每一像素施加之分段信號及共同信號之組合(亦 即，跨越每一像素之電位差)判定每一像素之所得狀態。圖4展示圖解說明當施加各種共同電壓及分段電壓時一干涉式調變器之各種狀態之一表之一實例。如熟習此項技術者將理解，可將「分段」電壓施加至行電極或列電極，且可將「共同」電壓施加至行電極或列電極中之另一者。

如圖4中(以及圖5B中所展示之時序圖中)所圖解說明，當沿一共同線施加一釋放電壓VC_REL時，不管沿分段線施加之電壓(亦即，高分段電壓VS_H及低分段電壓VS_L)如何，沿該共同線之所有干涉式調變器元件皆將被置於一經鬆弛狀態(另一選擇係，稱作一經釋放或未經致動狀態)中。特定而言，當沿一共同線施加釋放電壓VC_REL時，在沿彼像素之對應分段線施加高分段電壓VS_H及低分段電壓VS_L之兩種情況下，跨越該調變器像素之電位電壓(另一選擇係，稱作一像素電壓)皆處於鬆弛窗(參見圖3，亦稱作一釋放窗)內。

當將一保持電壓(諸如，一高保持電壓VC_{HOLD_H}或一低保持電壓VC_{HOLD_L})施加於一共同線上時，干涉式調變器之狀態將保持恆定。舉例而言，一經鬆弛IMOD將保持在一經鬆弛位置中，且一經致動IMOD將保持在一經致動位置中。可選擇該等保持電壓以使得在沿對應分段線施加高分段電壓VS_H及低分段電壓VS_L之兩種情況下，該像素電壓皆將保持在一穩定窗內。因此，分段電壓擺動(亦即，高VS_H與低分段電壓VS_L之間的差)小於正穩定窗或負穩定窗之寬度。

當將一定址電壓或致動電壓(諸如，一高定址電壓VC_{ADD_H}或一低定址電壓VC_{ADD_L})施加於一共同線上時，可藉由沿各別分段線施加分段電壓而將資料選擇性地寫入至沿彼線之調變器。可選擇分段電壓以使得致動取決於所施加之分段電壓。當沿一共同線施加一定址電壓時，施加一個分段電壓將導致一像素電壓處於一穩定窗內，從而致使該像素保持不被致動。相比而言，施加另一分段電壓將導致一像素電壓超出該穩定窗，從而導致該像素致動。致使致動之特定分段電壓可取決於使用哪一定址電壓而變化。在某些實施方案中，當沿共同線施加高定址電壓VC_{ADD_H}時，高分段電壓VS_H之施加可致使一調變器保持在其當前位置中，而低分段電壓VS_L之施加可致使該調變器致動。作為一推論，當施加一低定址電壓VC_{ADD_L}時，分段電壓之效應可係相反的，其中高分段電壓VS_H致使該調變器致動且低分段電壓VS_L對該調變器之狀態無影響(亦即，保持穩定)。

在某些實施方案中，可使用跨越該等調變器產生相同極性電位差之保持電壓、定址電壓及分段電壓。在某些其他實施方案中，可使用使調變器之電位差之極性隨時交替之信號。跨越調變器之極性之交替(亦即，寫入程序之極性之交替)可減小或抑制在一單個極性之重複寫入操作之後可能發生之電荷累積。

圖5A展示圖解說明在圖2之3×3干涉式調變器顯示器中之一顯示資料圖框之一圖之一實例。圖5B展示可用於寫入 圖5A中所圖解說明之顯示資料圖框之共同信號及分段信號之一時序圖之一實例。可將該等信號施加至類似於圖2之陣列之一3×3陣列，此將最終導致圖5A中所圖解說明之線時間60e顯示配置。圖5A中之經致動調變器係處於一暗狀態中，亦即，其中所反射光之一相當大部分係在可見光譜之外，從而導致呈現給(例如)一觀看者之一暗外觀。在寫入圖5A中所圖解說明之圖框之前，像素可處於任一狀態中，但圖5B之時序圖中所圖解說明之寫入程序假定每一調變器在第一線時間60a之前已被釋放且駐留於一未經致動狀態中。

在第一線時間60a期間：將一釋放電壓70施加於共同線1上；施加於共同線2上之電壓以一高保持電壓72開始且移動至一釋放電壓70；且沿共同線3施加一低保持電壓76。因此，沿共同線1之調變器(共同1,分段1)、(1,2)及(1,3)保持處於一經鬆弛或未經致動狀態中達第一線時間60a之持續時間，沿共同線2之調變器(2,1)、(2,2)及(2,3)將移動至一經鬆弛狀態，且沿共同線3之調變器(3,1)、(3,2)及(3,3)將保持處於其先前狀態中。參考圖4，沿分段線1、2及3施加之分段電壓將對該等干涉式調變器之狀態無影響，此乃因在線時間60a期間共同線1、2或3皆不曝露於致使致動之電壓位準(亦即，VC_REL-鬆弛與VC_{HOLD_L}-穩定)。

在第二線時間60b期間，共同線1上之電壓移動至一高保持電壓72，且由於無定址電壓或致動電壓施加於共同線1上，因此不管所施加之分段電壓如何，沿共同線1之所有 調變器皆保持處於一經鬆弛狀態中。沿共同線2之調變器因施加釋放電壓70而保持處於一經鬆弛狀態中，且沿共同線3之調變器(3,1)、(3,2)及(3,3)將在沿共同線3之電壓移動至一釋放電壓70時鬆弛。

在第三線時間60c期間，藉由將一高定址電壓74施加於共同線1上來定址共同線1。由於在施加此定址電壓期間沿分段線1及2施加一低分段電壓64，因此跨越調變器(1,1)及(1,2)之像素電壓大於調變器之正穩定窗之高端(亦即，電壓差超過一預定義臨限值)，且致動調變器(1,1)及(1,2)。相反地，由於沿分段線3施加一高分段電壓62，因此跨越調變器(1,3)之像素電壓小於調變器(1,1)及(1,2)之像素電壓，且保持在調變器之正穩定窗內；調變器(1,3)因此保持經鬆弛。亦在線時間60c期間，沿共同線2之電壓降低至一低保持電壓76，且沿共同線3之電壓保持處於一釋放電壓70，從而使沿共同線2及3之調變器處於一經鬆弛位置中。

在第四線時間60d期間，共同線1上之電壓返回至一高保持電壓72，從而使沿共同線1上之調變器處於其各別經定址狀態中。共同線2上之電壓降低至一低定址電壓78。由於沿分段線2施加一高分段電壓62，因此跨越調變器(2,2)之像素電壓低於該調變器之負穩定窗之下部端，從而致使調變器(2,2)致動。相反地，由於沿分段線1及3施加一低分段電壓64，因此調變器(2,1)及(2,3)保持在一經鬆弛位置中。共同線3上之電壓增加至一高保持電壓72，從而使沿共同線3之調變器處於一經鬆弛狀態中。

最終，在第五線時間60e期間，共同線1上之電壓保持處於高保持電壓72，且共同線2上之電壓保持處於一低保持電壓76，從而使沿共同線1及2之調變器處於其各別經定址狀態中。共同線3上之電壓增大至一高定址電壓74以定址沿共同線3之調變器。當在分段線2及3上施加一低分段電壓64時，調變器(3,2)及(3,3)致動，而沿分段線1施加之高分段電壓62致使調變器(3,1)保持在一經鬆弛位置中。因此，在第五線時間60e結束時，3×3像素陣列處於圖5A中所展示之狀態中，且只要沿該等共同線施加保持電壓，該像素陣列即將保持處於彼狀態中，而不管在正定址沿其他共同線(未展示)之調變器時可發生之分段電壓之變化如何。

在圖5B之時序圖中，一既定寫入程序(亦即，線時間60a至60e)可包括對高保持電壓及定址電壓或低保持電壓及定址電壓之使用。一旦已針對一既定共同線完成該寫入程序(且將該共同電壓設定至具有與致動電壓相同極性之保持電壓)，該像素電壓即保持在一既定穩定窗內，而不穿過鬆弛窗直至將一釋放電壓施加於彼共同線上為止。此外，由於每一調變器係作為該寫入程序之在定址調變器之前的部分而被釋放，因此一調變器之致動時間而非釋放時間可判定線時間。具體而言，在其中一調變器之釋放時間大於致動時間之實施方案中，可施加該釋放電壓達長於一單個線時間，如圖5B中所繪示。在某些其他實施方案中，沿共同線或分段線施加之電壓可變化以計及不同調變器(諸如不同色彩之調變器)之致動及釋放電壓之變化。

根據上述原理操作之干涉式調變器之詳細結構可千變萬化。舉例而言，圖6A至圖6E展示包括可移動反射層14及其支撐結構之干涉式調變器之不同實施方案之剖面圖之實例。圖6A展示圖1之干涉式調變器顯示器之一部分剖面圖之一實例，其中一金屬材料條帶(亦即，可移動反射層14)沈積於自基板20正交延伸之支撐件18上。在圖6B中，每一IMOD之可移動反射層14在形狀上大體係方形或矩形且於拐角處或接近拐角處在繋鏈32上附接至支撐件。在圖6C中，可移動反射層14在形狀上大體係方形或矩形且懸掛在一可變形層34上，可變形層34可包括一撓性金屬。可變形層34可在可移動反射層14之周邊周圍直接或間接連接至基板20。此等連接在本文中稱作支撐柱。圖6C中所展示之實施方案具有自將可移動反射層14之光學功能與其機械功能(由可變形層34實施)解耦導出之額外益處。此解耦允許用於反射層14之結構設計及材料與用於可變形層34之彼等結構設計及材料彼此獨立地最優化。

圖6D展示一IMOD之另一實例，其中可移動反射層14包括一反射子層14a。可移動反射層14擱置於一支撐結構(諸如，支撐柱18)上。支撐柱18提供可移動反射層14與下部固定電極(亦即，所圖解說明之IMOD中之光學堆疊16之部分)之分離，以使得(舉例而言)當可移動反射層14處於一經鬆弛位置中時，在可移動反射層14與光學堆疊16之間形成一間隙19。可移動反射層14亦可包括可經組態以充當一電極之一導電層14c及一支撐層14b。在此實例中，導電層 14c安置於支撐層14b之遠離基板20之一側上，且反射子層14a安置於支撐層14b之接近於基板20之另一側上。在某些實施方案中，反射子層14a可導電且可安置於支撐層14b與光學堆疊16之間。支撐層14b可包括一介電材料(舉例而言，氧氮化矽(SiON)或二氧化矽(SiO₂))之一或多個層。在某些實施方案中，支撐層14b可係一層堆疊，諸如(舉例而言)一SiO₂/SiON/SiO₂三層堆疊。反射子層14a及導電層14c中之任一或兩者可包括(例如)具有約0.5%銅(Cu)之一鋁(Al)合金或另一反射金屬材料。在介電支撐層14b上方及下方採用導電層14a、14c可平衡應力且提供經增強之導電性。在某些實施方案中，反射子層14a及導電層14c可出於各種設計目的(諸如，達成可移動反射層14內之特定應力分佈)而由不同材料形成。

如圖6D中所圖解說明，某些實施方案亦可包括一黑色遮罩結構23。黑色遮罩結構23可形成於光學非作用區(諸如，在像素之間或在柱18下方)中以吸收周圍光或雜散光。黑色遮罩結構23亦可藉由抑制光自一顯示裝置之非作用部分反射或透射穿過一顯示裝置之非作用部分來改良該顯示器之光學性質，從而增加對比度比率。另外，黑色遮罩結構23可導電且經組態以用作一電匯流排層。在某些實施方案中，該等列電極可連接至黑色遮罩結構23以減小所連接之列電極之電阻。黑色遮罩結構23可使用各種方法(包括沈積及圖案化技術)來形成。黑色遮罩結構23可包括一或多個層。舉例而言，在某些實施方案中，黑色遮罩結 構23包括充當一光學吸收體之一鉻鉬(MoCr)層、一層及充當一反射體及一匯流排層之一鋁合金，其分別具有介於約30 Å至80 Å、500 Å至1000 Å及500 Å至6000 Å之範圍內之一厚度。可使用各種技術(包括光微影及乾式蝕刻)來圖案化該一或多個層，包括(舉例而言)MoCr及SiO₂層之四氟化碳(CF₄)及/或氧氣(O₂)及鋁合金層之氯氣(Cl₂)及/或三氯化硼(BCl₃)。在某些實施方案中，黑色遮罩23可係一標準具或干涉堆疊結構。在此干涉堆疊黑色遮罩結構23中，導電吸收體可用於在每一列或行之光學堆疊16中之下部固定電極之間傳輸或用匯流排傳送信號。在某些實施方案中，一間隔物層35可用來將吸收體層16a與黑色遮罩23中之導電層大體電隔離。

圖6E展示一IMOD之另一實例，其中可移動反射層14係自支撐的。與圖6D相比，圖6E之實施方案不包括支撐柱18。而是，可移動反射層14在多個位置處接觸下伏光學堆疊16，且可移動反射層14之曲率提供當跨越該干涉式調變器之電壓不足以致使致動時可移動反射層14返回至圖6E之未經致動位置之足夠支撐。為清楚起見，此處展示可含有複數個數種不同層之光學堆疊16，其包括一光學吸收體16a及一電介質16b。在某些實施方案中，光學吸收體16a既可充當一固定電極且亦可充當一部分反射層。在某些實施方案中，光學吸收體16a比可移動反射層14薄一數量級(十倍或更多)。在某些實施方案中，光學吸收體16a薄於反射子層14a。

在諸如圖6A至圖6E中所展示之彼等實施方案之實施方案中，該等IMOD用作直觀裝置，其中自透明基板20之前側(亦即，與其上配置有調變器之彼側相對之側)觀看影像。在此等實施方案中，可對該裝置之後部分(亦即，該顯示裝置之處於可移動反射層14後面之任一部分，包括(舉例而言)圖6C中所圖解說明之可變形層34)進行組態及操作而不對顯示裝置之影像品質造成衝擊或負面影響，此乃因反射層14光學遮蔽該裝置之彼等部分。舉例而言，在某些實施方案中，可在可移動反射層14後面包括一匯流排結構(未圖解說明)，該匯流排結構提供將調變器之光學性質與調變器之機電性質(諸如電壓定址及由於此定址導致之移動)分離之能力。另外，圖6A至圖6E之實施方案可簡化處理(諸如，(例如)圖案化)。

圖7展示圖解說明一干涉式調變器之一製造製程80之一流程圖之一實例，且圖8A至圖8E展示此一製造製程80之對應階段之剖面示意性圖解之實例。在某些實施方案中，製造製程80可經實施以製造諸如圖1及6中所圖解說明之一般類型之干涉式調變器之一機電系統裝置。一機電系統裝置之該製造亦可包括圖7中未展示之其他方塊。參考圖1、6及7，製程80在方塊82處開始以在基板20上方形成光學堆疊16。圖8A圖解說明在基板20上方形成之此一光學堆疊16。基板20可係一透明基板(諸如，玻璃或塑膠)，其可係撓性的或相對剛性且不易彎曲的，且可已經歷先前製備製程(諸如，清潔)以促進光學堆疊16之有效形成。如上文所 論述，光學堆疊16可係導電的，部分透明且部分反射的且可係(舉例而言)藉由將具有所期望性質之一或多個層沈積至透明基板20上製作而成。在圖8A中，光學堆疊16包括具有子層16a及16b之一多層結構，但在某些其他實施方案中可包括更多或更少之子層。在某些實施方案中，子層16a、16b中之一者可經組態而具有光學吸收及導電性質兩者，諸如，組合式導體/吸收體子層16a。另外，子層16a、16b中之一或多者可圖案化成平行條帶，且可形成一顯示裝置中之列電極。此圖案化可藉由一遮蔽及蝕刻製程或此項技術中已知之另一合適製程來執行。在某些實施方案中，子層16a、16b中之一者可係一絕緣或介電層，諸如沈積於一或多個金屬層(例如，一或多個反射層及/或導電層)上方之子層16b。另外，可將光學堆疊16圖案化成形成該顯示器之列之個別且平行條帶。注意，圖8A至圖8E可並非按比例繪製。舉例而言，在某些實施方案中，該光學堆疊之子層中之一者(光學吸收層)可極薄，但圖8A至圖8E中展示子層16a、16b有點厚。

製程80在方塊84處繼續在光學堆疊16上方形成一犧牲層25。稍後移除犧牲層25(參見方塊90)以形成腔19且因此在圖1中所圖解說明之所得干涉式調變器12中未展示犧牲層25。圖8B圖解說明包括形成於光學堆疊16上方之一犧牲層25之一經部分製作之裝置。在光學堆疊16上方形成犧牲層25可包括以經選擇以在隨後移除之後提供具有一所期望設計大小之一間隙或腔19(亦參見圖1及圖8E)的一厚度沈積 一種二氟化氙(XeF₂)可蝕刻材料(諸如，鉬(Mo)或非晶矽(a-Si))。可使用諸如物理汽相沈積(PVD，其包括諸多不同技術，諸如濺鍍)、電漿增強型化學汽相沈積(PECVD)、熱化學汽相沈積(熱CVD)或旋塗等沈積技術來實施犧牲材料之沈積。

製程80在方塊86處繼續形成一支撐結構(諸如，圖1、圖6及圖8C中所圖解說明之柱18)。形成柱18可包括以下步驟：圖案化犧牲層25以形成一支撐結構孔口，然後使用諸如PVD、PECVD、熱CVD或旋塗之一沈積方法來將一材料(諸如，一聚合物或一無機材料，諸如氧化矽)沈積至該孔口中以形成柱18。在某些實施方案中，形成於該犧牲層中之支撐結構孔口可延伸穿過犧牲層25及光學堆疊16兩者至下伏基板20，以便柱18之下部端接觸基板20，如圖6A中所圖解說明。另一選擇係，如圖8C中所繪示，形成於犧牲層25中之孔口可延伸穿過犧牲層25，但不穿過光學堆疊16。舉例而言，圖8E圖解說明與光學堆疊16之一上表面接觸之支撐柱18之下部端。可藉由將一支撐結構材料層沈積於犧牲層25上方並圖案化支撐結構材料之位於遠離犧牲層25中之孔口處之部分來形成柱18或其他支撐結構。該等支撐結構可位於該等孔口內(如圖8C中所圖解說明)，但亦可至少部分地延伸於犧牲層25之一部分上方。如上文所述，對犧牲層25及/或支撐柱18之圖案化可藉由一圖案化及蝕刻製程來執行，但亦可藉由替代性蝕刻方法來執行。

製程80在方塊88處繼續，以形成一可移動反射層或膜， 諸如圖1、圖6及圖8D中所圖解說明之可移動反射層14。可移動反射層14可藉由運用包括例如反射層(諸如，鋁、鋁合金或其他反射層)沈積之一或多個沈積步驟以及一或多個圖案化、遮蔽及/或蝕刻步驟形成。可移動反射層14可導電，且稱作一導電層。在某些實施方案中，可移動反射層14可包括如圖8D中所展示之複數個子層14a、14b、14c。在某些實施方案中，諸如子層14a、14c之子層中之一或多者可包括針對其光學性質而選擇之高度反射子層，且另一子層14b可包括針對其機械性質而選擇之一機械子層。由於犧牲層25仍存在於方塊88處所形成之部分製作之干涉式調變器中，因此可移動反射層14在此階段通常不可移動。含有一犧牲層25之一經部分製作之IMOD在本文中亦可稱為一「未釋放」IMOD。如上文結合圖1所闡述，可將可移動反射層14圖案化成形成該顯示器之行之個別且平行條帶。

製程80在方塊90處繼續以形成一腔(諸如，圖1、圖6及圖8E中所圖解說明之腔19)。可藉由將犧牲材料25(在方塊84處所沈積)曝露於一蝕刻劑來形成腔19。舉例而言，可藉由通過將犧牲層25曝露於一氣態或蒸氣蝕刻劑(諸如自固體XeF₂得到之蒸氣)達對移除期望量之材料有效之一時間週期之乾式化學蝕刻來移除諸如Mo或非晶Si之一可蝕刻犧牲材料。通常相對於圍繞腔19之結構選擇性地移除該犧牲材料。亦可使用諸如濕式蝕刻及/或電漿蝕刻之其他蝕刻方法。由於在方塊90期間移除犧牲層25，因此可移動反 射層14通常在此階段之後可移動。在移除犧牲材料25之後，所得完全或部分製作之IMOD在本文中可稱作一「經釋放」IMOD。

如上文參考上文的圖2至圖4、圖5A及圖5B所論述，一顯示器可包括連接至一顯示元件(諸如調變器)陣列之複數個共同線及複數個分段線。可藉由一分段驅動器(諸如行驅動器電路26)及一共同驅動器(諸如列驅動器電路24)將驅動波型施加至該等分段線以將資料寫入至該顯示器。熟習此項技術者將認識到，該分段驅動器亦可對應於列驅動器電路24，且該行驅動器可對應於行驅動器電路26。下文出於說明之目的，將參考行驅動器電路26闡述該分段驅動器，且將參考列驅動器電路24闡述該行驅動器。

亦如上文參考圖5A及圖5B所論述，可根據各自對應於一線時間60之一系列共同線寫入操作將影像資料寫入至包括複數個顯示元件之一顯示器。在一第一列顯示元件之一寫入程序之後，藉由沿連接至該第一列之共同線(諸如圖5A之共同1)施加一保持電壓(例如，高保持電壓72或低保持電壓76)將沿該第一列之顯示元件置於一保持狀態中。然後可藉由將一寫入電壓施加至連接至下一列顯示元件之共同線(諸如圖5A之共同2)繼續進行該寫入程序以將資料寫入至下一列顯示元件。一旦已寫入該顯示器之所有列，然後該寫入程序可繼續進行至用於用新資料更新該第一列顯示元件之下一資料寫入循環以寫入一新圖框。為了將新資料寫入至該第一列顯示元件，首先在應用正寫入至該第 一列之資料之前將沿該第一列之顯示元件轉變為經釋放狀態。可使用在寫入新資料之前釋放該等顯示元件之過程，此乃因在該線時間期間施加一定址電壓(諸如高定址電壓74或低定址電壓78)將針對一第一分段電壓致動經釋放顯示元件，且針對一第二分段電壓保持處於經釋放狀態中之經釋放顯示元件，但不可釋放處於任一分段電壓下之經致動顯示元件。亦即，施加寫入電壓(諸如一高定址電壓74，或一低定址電壓78)與分段電壓(諸如高分段電壓62或低分段電壓64)之任一組合可對應於其處跨越顯示元件之電位差將在如上文參考圖3所論述用於將一顯示元件轉變為一經釋放狀態之電位差之範圍之外的電壓位準。舉例而言，返回參考圖3，一顯示元件之一經釋放狀態可對應於在約-2 V至約+2 V之範圍中之跨越該顯示元件之一電位差。施加至該共同線之保持電壓及寫入電壓可具有大於(例如)約7 V之一量值。該分段電壓可具有小於(例如)約3 V之一量值。因此，施加至一顯示元件之共同線電壓與分段線電壓之任一組合可在將把該顯示元件轉變為一釋放狀態之電位差之範圍之外。因此，將對應於該經釋放狀態(諸如0 V)之一電壓施加至該第一列之共同線以在將新資料寫入至該第一列之前將沿該第一列之經致動顯示元件之狀態改變為經釋放狀態。

經常存在正顯示一靜態未改變影像之時間週期。舉例而言，整個影像可在兩個後續圖框之間相同。而且，兩個圖框可不同，但一既定線可自一第一圖框至一第二圖框含有 相同資料。在此等情形中僅維持該(該等)共同線上之保持電壓係可能的，其中不發生資料寫入。然而，為了減小該等顯示元件上之電荷堆積，週期性地反轉此等保持電壓之極性可係有益的。舉例而言，可在每一圖框時反轉寫入及/或保持電壓之極性。若自先前圖框至後續圖框沒有資料改變，則可用相同資料重新寫入該圖框，且每一線之最終保持電壓可與開始的保持電壓極性相反。此可藉助上文所闡述之用於改變影像之通常的寫入程序完成，但當與當前正顯示相同之資料欲寫入至一列顯示元件時，在針對該列寫入資料之前將該等顯示元件轉變為經釋放狀態可係沒必要的。亦即，由於在相同資料寫入至該列顯示元件時處於經致動狀態中之顯示元件應保持在經致動狀態中，因此在寫入相同資料之前將沿該列之該等顯示元件轉變為經釋放狀態係沒必要的。根據某些實施方案，當正用與先前寫入循環相同之資料寫入一列時，消除用於轉變沿該列之顯示元件之一清空脈衝。下文將參考圖9及圖10A更詳細地闡述此等情形下施加至共同線之波型。

圖9圖解說明用於自一第一極性轉變為一第二極性且將資料寫入至一顯示器之習用驅動波型。如圖9中所圖解說明，一共同線信號波型可在如低保持電壓76所圖解說明之一負極性保持電壓位準VC_{HOLD_L}處開始。為了減小該等顯示元件中之電荷堆積，列驅動器電路25可經組態以使顯示元件之極性交替。在極性交替期間，該波型可自低保持電壓76轉變為一釋放電壓70(諸如一接地電壓)。熟習此項技 術者將認識到，一釋放電壓70可基於該顯示元件之一滯後回應對應於其他電壓位準，如上文參考圖3所論述。

共同線信號波型可將該電壓維持在釋放電壓位準70達對應於清空脈衝1000之一時間週期，如圖9中所圖解說明。清空脈衝1000可對應於一釋放週期或其間釋放沿該共同線之實質上所有顯示元件之一週期。清空脈衝1000之後，共同線信號波型轉變為如藉由高保持電壓72所圖解說明之正保持電壓VC_{HOLD_H}。該共同線信號波型然後可經組態以藉由施加具有一高定址電壓74之一寫入脈衝而將資料寫入至一顯示器。

由於根據習用驅動方案之極性交替總是包括清空脈衝1000，因此在寫入之前將沿該共同線之實質上所有顯示元件設定為經鬆弛狀態。此包括處於一經致動狀態中之顯示元件，且應在該極性交替之後保持在一經致動狀態中。若重新寫入相同影像(亦即，當一先前圖框與緊隨其後圖框相同時)，則此可適用於一影像中之所有經致動顯示元件。此亦可適用於該等圖框其整體上不相同但可在特定區中相同之情形。舉例而言，一或多個線可在先前圖框及緊隨其後圖框兩者中相同。舉例而言，在一顯示器之一暗部分在極性交替之後應保持相同之情形中，在極性交替之前處於經致動狀態中之顯示元件應保持在經致動狀態中。藉由清空此等顯示元件(舉例而言，藉由將共同線維持在一釋放電壓70處)，可產生所顯示影像中之假影。該等假影可包括由於僅在重新寫入相同資料之前於清空脈衝1000期 間由於施加釋放電壓位準70造成之顯示元件之釋放而自該顯示器之部分發射及/或反射達一短暫週期之光。

因此，根據某些態樣，下文闡述驅動一顯示器之一方法，其減小或消除上文所闡述之視覺假影之影響。參考圖10A闡述驅動波型之某些實施方案。圖10A圖解說明根據某些實施方案用於將資料寫入至一顯示器之驅動波型。圖10A之驅動波型圖解說明藉由切換一共同線信號波型之極性跨越一顯示元件自負極性至正極性之極性交替。然而，如上文所論述，該等驅動波型對於跨越顯示元件自一正極性之極性交替可與跨越該顯示元件自負極性之極性交替類似但在方向上相反。

圖10B展示圖解說明根據某些實施方案併入有一3×3干涉式調變器顯示器之一電子裝置之一系統方塊圖之一實例，該電子裝置包括用於從複數個電壓當中進行選擇之一選擇單元。如圖10B中所圖解說明，一列驅動器電路24可包括複數個選擇單元100(諸如多工器)，該複數個選擇單元中之每一者包括經組態以透過複數個電壓匯流排線101自一電源102接收複數個電壓位準之複數個輸入。如所圖解說明，至每一選擇單元100的輸入中之每一者可透過至複數個電壓匯流排線101中之一者的一連接耦合至一電壓位準。舉例而言，電壓匯流排線101可包括提供電壓VC_{ADD_H}、VC_{HOLD_H}、VC_REL、VC_{HOLD_L}及VC_{ADD_L}之匯流排線。選擇單元100中之每一者可包括一選擇信號輸入以使得可基於該選擇信號自至選擇單元100的輸入選擇每一 選擇單元100之輸出。一控制器104可經組態以基於欲寫入至顯示器的資料將選擇信號提供至選擇單元100中之每一者。每一多工器之選擇信號可係一個三位元匯流排，其中該三個位元之狀態定義哪一輸入耦合至該輸出。儘管圖解說明為列驅動器電路24之部分，但亦可將控制器104提供於列驅動器電路24外部，且在某些實施方案中，其可經組態以控制一列驅動器24及行驅動器26兩者。

如圖10A中所圖解說明，共同線信號之極性交替包括將共同線信號波型自藉由負保持電壓VC_{HOLD_L}表示之一低保持電壓76實質上直接轉變為藉由正寫入電壓VC_{ADD_H}表示之寫入電壓(諸如一高定址電壓74)。此轉變可對應於將圖10B之多工器100中之一者之選擇輸入自對應於將VC_{HOLD_L}輸入連接至輸出之一位元組態改變為對應於將VC_{ADD_H}輸入連接至該輸出之一位元組態。在習用實施方案中，如圖9中所展示，將在此兩者之間施加具有對應於VC_REL之一位元組態之一選擇輸入。在某些實施方案中不執行此中間選擇輸入施加。

實質上直接轉變為一第二極性之一寫入電壓可包括在實質上小於通常用以釋放沿該線之顯示元件之通常的清空脈衝1000之一轉變時間中完成自第一極性之保持電壓至第二極性之寫入電壓的轉變。舉例而言，可部分基於選擇單元100之切換速度之轉變時間可小於釋放週期之約1/10。根據某些實施方案，通常的釋放週期可小於或等於約40 μs且轉變時間可小於或等於約4 μs。在自第一極性之保持電壓 至第二極性之寫入電壓之轉變期間，仍存在其間共同線電壓通過接地電壓位準之某一週期，如圖10A中所圖解說明。因此，仍可在共同線電壓之轉變期間釋放某些顯示元件。然而，大多數顯示元件由於清空脈衝1000之消除將不在轉變期間釋放。此外，將藉助施加寫入電壓(諸如圖10A之高定址電壓74)將經釋放之任何顯示元件重新寫回至一經致動狀態。該轉變時間可對應於將仍轉變為一非致動狀態之顯示元件轉變回至一經致動狀態而不對所顯示影像具有一視覺上可辨別之影響之一時間。因此，在該轉變期間釋放之顯示元件之視覺效應不大可能被該影像之一觀察者可辨別。

在高定址電壓74之後，將共同線信號波型轉變為藉由一正保持電壓VC_{HOLD_H}表示之一高保持電壓72。圖10A中所圖解說明之波型與圖9中所圖解說明之波型之間的根本區別在於圖9之清空脈衝1000之消除。

對於一既定顯示元件，可將該顯示元件對於施加一電位差之一回應時間定義為等於自將該電位差施加至該顯示元件至處於一經致動狀態中之該顯示元件之一半可移動層變得與該光學堆疊分離之時間的一時間。在某些實施方案中，如圖10B中所圖解說明之一選擇單元100之切換速度可快於一顯示元件對於一電壓改變之一回應時間。在此一情形中，該共同線信號波型可自一第一極性之一保持電壓實質上直接轉變為第二極性之一保持電壓而不在該轉變期間釋放任何顯示元件，即使該轉變行進穿過該等顯示元件之 釋放窗。舉例而言，若一選擇單元100之切換速度足夠快以使得該電壓在該釋放窗內之週期少於一顯示元件之一回應時間，則將不可能在相反極性電壓之間的一轉變期間非故意地釋放一顯示元件。

透過施加圖10A之波型，通常在該極性切換期間不將在極性交替之前處於一經致動狀態中之沿該共同線之顯示元件轉變為一非致動或經鬆弛狀態。另外，藉由施加高定址電壓74及對應的低分段電壓64將在該切換期間轉變為一非致動或經鬆弛狀態之幾個顯示元件快速轉變回至經致動狀態。因此，在將實質上相同之影像資料寫入至該排顯示元件(其中一寫入極性與一當前偏壓極性相反)時消除清空脈衝(亦即，消除釋放電壓保持)可減小所顯示影像中之視覺假影。

圖11圖解說明將資料寫入至一顯示器之一方法之一流程圖。方法1200包括將一第一極性之一保持電壓施加至一排顯示元件之一共同線以維持該等顯示元件中之每一者之一當前狀態，如方塊1202中所圖解說明。舉例而言，如上文參考圖10A所論述，可將對應於一負極性且具有一低保持電壓76之一保持電壓施加至沿該共同線之該排顯示元件。參考圖10B，可將一列顯示元件之共同線透過一選擇單元100電連接至對應於一VC_{HOLD_L}電壓位準之一輸入。該方法可繼續行進至方塊1204以用於將該共同線實質上直接轉變為一第二極性之一寫入電壓。在圖10A之實例性波型中，該共同線可自低保持電壓76實質上直接轉變為高定址 電壓74。參考圖10B，可藉由選擇單元100將該列顯示元件之共同線自VC_{HOLD_L}即刻切換為VC_{ADD_H}。該方法然後可繼續行進至方塊1206，且可將一共同線電壓實質上直接轉變為該第二極性之一保持電壓。參考圖10B，可藉由選擇單元100將該列顯示元件之共同線自VC_{ADD_H}切換為VC_{HOLD_H}。如上文圖10A中所圖解說明，舉例而言，可將該共同線電壓自高定址電壓74實質上直接轉變為高保持電壓72。如圖10A中所圖解說明，該第二極性之寫入電壓(諸如高定址電壓74)大於該第二極性之保持電壓(諸如高保持電壓72)。

雖然以上說明係針對其中正執行一圖框寫入程序且因此在線時間期間正將定址電壓施加至寫入資料之一情形，但若自一個極性至另一者之切換足夠快以將該線之所有顯示元件之狀態可靠地維持處於其當前狀態中，則可消除定址脈衝，且該轉變可係自一個極性之一保持電壓直接至相反極性之一保持電壓。在此情形中，作為一項實例，可將一多工器100之選擇輸入自對應於將VC_{HOLD_L}輸入連接至輸出之一位元組態改變至對應於將VC_{HOLD_H}輸入連接至輸出之一位元組態。圖12A及圖12B展示圖解說明包括複數個干涉式調變器之一顯示裝置40之系統方塊圖之實例。顯示裝置40可係(例如)一智慧電話、一蜂巢式電話或行動電話。然而，顯示裝置40之相同組件或該等組件之輕微變化形式亦用作對諸如電視機、平板電腦、電子閱讀器、手持裝置及可攜式媒體播放器等各種類型之顯示裝置之圖解說明。

顯示裝置40包括一殼體41、一顯示器30、一天線43、一揚聲器45、一輸入裝置48及一麥克風46。殼體41可由各種製造製程(包括注入模製及真空成形)中之任一者形成。另外，殼體41可由各種材料中之任何一種製成，其包括但不限於塑膠、金屬、玻璃、橡膠及陶瓷，或其一組合。殼體41可包括可移除部分(未展示)，該等可移除部分可與具有不同色彩或含有不同標誌、圖片或符號之其他可移除部分互換。

顯示器30可係各種顯示器中之任一者，包括一雙穩態顯示器或類比顯示器，如本文中所闡述。顯示器30亦可經組態以包括一平板顯示器(諸如，電漿顯示器、EL、OLED、STN LCD或TFT LCD)或一非平板顯示器(諸如，一CRT或其他電子管裝置)。另外，顯示器30可包括一干涉式調變器顯示器，如本文中所闡述。

在圖12B中示意性地圖解說明顯示裝置40之組件。顯示裝置40包括一殼體41且可包括至少部分地包封於其中之額外組件。舉例而言，顯示裝置40包括一網路介面27，網路介面27包括耦合至一收發器47之一天線43。收發器47連接至一處理器21，處理器21連接至調節硬體52。調節硬體52可經組態以調節一信號(例如，過濾一信號)。調節硬體52連接至一揚聲器45及一麥克風46。處理器21亦連接至一輸入裝置48及一驅動器控制器29。驅動器控制器29耦合至一圖框緩衝器28且耦合至一陣列驅動器22，該陣列驅動器又耦合至一顯示器陣列30。在某些實施方案中，一電力供應 器50可按照特定顯示裝置40設計要求將電力提供至實質上所有組件。

網路介面27包括天線43及收發器47，以便顯示裝置40可通過一網路與一或多個裝置通信。網路介面27亦可具有某些處理能力以減輕(例如)處理器21之資料處理要求。天線43可傳輸及接收信號。在某些實施方案中，天線43根據IEEE 16.11標準(包括IEEE 16.11(a)、IEEE 16.11(b)或IEEE 16.11(g))或IEEE 802.11標準(包括IEEE 802.11a、IEEE 802.11b、IEEE 802.11g、IEEE 802.11n)及其另外實施方案傳輸及接收RF信號。在某一其他實施方案中，天線43根據藍芽(BLUETOOTH)標準傳輸及接收RF信號。在一蜂巢式電話之情形中，天線43經設計以接收分碼多重存取(CDMA)、分頻多重存取(FDMA)、分時多重存取(TDMA)、全球行動通信系統(GSM)、GSM/通用封包無線電服務(GPRS)、增強型資料GSM環境(EDGE)、地面中繼式無線電(TETRA)、寬頻-CDMA(W-CDMA)、演進資料最優化(EV-DO)、1xEV-DO、EV-DO修訂版A、EV-DO修訂版B、高速封包存取(HSPA)、高速下行鏈路封包存取(HSDPA)、高速上行鏈路封包存取(HSUPA)、演進式高速封包存取(HSPA+)、長期演進(LTE)、AMPS或用於在一無線網路(諸如，利用3G或4G技術之一系統)內通信之其他已知信號。收發器47可預處理自天線43接收之信號，以使得其可由處理器21接收並由其進一步操縱。收發器47亦可處理自處理器21接收之信號，以使得可經由天線43自顯示裝 置40傳輸該等信號。

在某些實施方案中，可由一接收器替換收發器47。另外，在某些實施方案中，可由一影像源來替換網路介面27，該影像源可儲存或產生欲發送至處理器21之影像資料。處理器21可控制顯示裝置40之總體操作。處理器21自網路介面27或一影像源接收資料(諸如，經壓縮影像資料)，及將該資料處理成原始影像資料或處理成容易被處理成原始影像資料之一格式。處理器21可將經處理資料發送至驅動器控制器29或發送至圖框緩衝器28以供儲存。原始資料通常是指識別一影像內每一位置處之影像特性之資訊。舉例而言，此等影像特性可包括顏色、飽和度及灰度階。

處理器21可包括一微控制器、CPU或邏輯單元以控制顯示裝置40之操作。調節硬體52可包括用於將信號傳輸至揚聲器45及用於自麥克風46接收信號之放大器及濾波器。調節硬體52可係顯示裝置40內之離散組件，或可併入於處理器21或其他組件內。

驅動器控制器29可直接自處理器21或自圖框緩衝器28獲取由處理器21產生之原始影像資料，且可適當地將原始影像資料重新格式化以供高速傳輸至陣列驅動器22。在某些實施方案中，驅動器控制器29可將原始影像資料重新格式化成具有一光柵樣格式之一資料流，以使得其具有適合於跨越顯示器陣列30進行掃描之一時間次序。然後，驅動器控制器29將經格式化資訊發送至陣列驅動器22。儘管一驅 動器控制器29(諸如，一LCD控制器)經常作為一獨立積體電路(IC)與系統處理器21相關聯，但此等控制器可以諸多方式實施。舉例而言，控制器可作為硬體嵌入於處理器21中、作為軟體嵌入於處理器21中或以硬體形式與陣列驅動器22完全整合在一起。

陣列驅動器22可自驅動器控制器29接收經格式化資訊且可將視訊資料重新格式化成一組平行波型，該組平行波型每秒多次地施加至來自顯示器之x-y像素矩陣之數百條且有時數千條(或更多)引線。

在某些實施方案中，驅動器控制器29、陣列驅動器22及顯示器陣列30適用於本文中所闡述之顯示器類型中之任一者。舉例而言，驅動器控制器29可係一習用顯示器控制器或一雙穩態顯示器控制器(諸如，一IMOD控制器)。另外，陣列驅動器22可係一習用驅動器或一雙穩態顯示器驅動器(諸如，一IMOD顯示器驅動器)。此外，顯示器陣列30可係一習用顯示器陣列或一雙穩態顯示器陣列(諸如，包括一IMOD陣列之一顯示器)。在某些實施方案中，驅動器控制器29可與陣列驅動器22整合在一起。此一實施方案可在高度整合系統(例如，行動電話、可攜式電子裝置、錶或小區域顯示器)中有用。

在某些實施方案中，輸入裝置48可經組態以允許(例如)一使用者控制顯示裝置40之操作。輸入裝置48可包括一小鍵盤(諸如，一QWERTY鍵盤或一電話小鍵盤)、一按鈕、一開關、一搖桿、一觸敏式螢幕、與顯示器陣列30整合在 一起之一觸敏螢幕或一壓敏或熱敏膜。麥克風46可組態為顯示裝置40之一輸入裝置。在某些實施方案中，可使用透過麥克風46之語音命令來控制顯示裝置40之操作。

電力供應器50可包括各種能量儲存裝置。舉例而言，電力供應器50可係一可再充電電池，諸如一鎳-鎘電池或一鋰離子電池。在使用一可再充電電池之實施方案中，可使用來自(例如)一壁式插座或一光伏打裝置或陣列之電力給該可再充電電池充電。另一選擇為，該可再充電電池可無線可充電。電源供應器50亦可係一可再生能源、一電容器或一太陽能電池，包括一塑膠太陽能電池或太陽能電池塗料。電源供應器50亦可經組態以自一壁式插座接收電力。

在某些實施方案中，控制可程式化性駐留於驅動器控制器29中，該驅動器控制器可位於電子顯示器系統中之若干個地方中。在某些其他實施方案中，控制可程式化性駐留於陣列驅動器22中。上文所闡述之最優化可以任何數目個硬體及/或軟體組件實施且可以各種組態實施。

結合本文中所揭示之實施方案所闡述之各種說明性邏輯、邏輯區塊、模組、電路及演算法步驟可實施為電子硬體、電腦軟體或兩者之組合。已就功能性大體闡述了硬體與軟體之可互換性且在上文所闡述之各種說明性組件、區塊、模組、電路及步驟中圖解說明了硬體與軟體之可互換性。此功能性是以硬體還是軟體來實施取決於特定應用及強加於總體系統之設計約束。

用於實施與本文中所揭示之態樣一起闡述之各種說明性 邏輯、邏輯區塊、模組及電路之硬體及資料處理裝置可藉助一通用單晶片或多晶片處理器、一數位信號處理器(DSP)、一特殊應用積體電路(ASIC)、一場可程式化閘陣列(FPGA)或其他可程式化邏輯裝置、離散閘或電晶體邏輯、離散硬體組件或經設計以執行本文中所闡述之功能之其任一組合來實施或執行。一通用處理器可係一微處理器或任何習用處理器、控制器、微控制器或狀態機。一處理器亦可作為計算裝置之一組合形式實施，諸如一DSP與微處理器之一組合，複數個微處理器，一或多個微處理器結合一DSP核心的組合，或任何其他此種組態。在某些實施方案中，可藉由一既定功能所特有之電路來執行特定步驟及方法。

在一或多個態樣中，可以硬體、數位電子電路、電腦軟體、韌體(包括本說明書中所揭示之結構及其結構等效物)或其任一組合來實施所闡述之功能。亦可將本說明書中所闡述之標的物之實施方案實施為一或多個電腦程式，亦即，編碼於一電腦儲存媒體上以供資料處理設備執行或用以控制資料處理裝置之操作之一或多個電腦程式指令模組。

若以軟體實施，則該等功能可儲存於一電腦可讀媒體上或作為一電腦可讀媒體上之一或多個指令或碼進行傳輸。可以可駐存於一電腦可讀媒體上之一處理器可執行軟體模組實施本文所揭示之一方法或演算法之該等步驟。電腦可讀媒體包括電腦儲存媒體及通信媒體兩者，其包括可使得 能夠將一電腦程式自一個地方傳送至另一地方之任何媒體。一儲存媒體可係可由一電腦存取之任何可用媒體。藉由舉例之方式，且並非加以限制，此電腦可讀媒體可包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其他光磁碟儲存器、磁碟儲存器或其他磁性儲存裝置或可用於以指令或資料結構之形式儲存所期望程式碼且可由一電腦存取之任何其他媒體。而且，可將任何連接適當地稱作一電腦可讀媒體。如本文中所使用之磁碟及碟包括：光碟(CD)、雷射碟、光學碟、數位多功能碟(DVD)、軟磁碟及藍光碟，其中磁碟通常以磁性方式再現資料，而碟藉助雷射以光學方式再現資料。上文之組合亦可包括於電腦可讀媒體之範疇內。另外，一方法或演算法之操作可駐存為可併入至一電腦程式產品中之一機器可讀媒體及電腦可讀媒體上之一個或任何碼與指令組合或集合。

熟習此項技術者可易於明瞭對本發明中所闡述之實施方案之各種修改，且本文中所定義之一般原理可適用於其他實施方案而不背離本發明之精神或範疇。因此，申請專利範圍並不意欲限於本文中所展示之實施方案，而是被授予與本發明、本文中所揭示之原理及新穎特徵相一致之最寬廣範疇。本文中排他性地使用措辭「實例性」來意指「用作一實例，例項或圖解說明」。在本文中闡述為「實例性」之任一實施方案未必解釋為比其他可能性或實施方案更佳或更有利。另外，熟習此項技術者將易於瞭解，術語「上部」及「下部」有時係用於便於闡述該等圖，且指示 對應於該圖在一適當定向之頁面上之定向之相對位置，且可不反映如所實施之一IMOD之適當定向。

亦可將本說明書中在單獨實施方案之背景下闡述之某些特徵以組合形式實施於一單項實施方案中。相反地，亦可將在一單項實施方案之背景下闡述之各種特徵單獨地或以任一適合子組合之形式實施於多項實施方案中。此外，儘管上文可將特徵闡述為以某些組合之形式起作用，且甚至最初係如此主張的，但在某些情形中，可自一所主張組合去除來自該組合之一或多個特徵，且所主張之組合可係針對一子組合或一子組合之變化形式。

類似地，雖然在該等圖式中以一特定次序繪示操作，但熟習此項技術者將易於認識到無需以所展示之特定次序或以順序次序執行此等操作或執行所有所圖解說明之操作以達成可期望之結果。此外，該等圖式可以一流程圖之形式示意性地繪示一或多個實例性製程。然而，可將未繪示之其他操作併入於示意性地圖解說明之實例性製程中。舉例而言，可在所圖解說明操作中之任一者之前、之後、同時或之間執行一或多個額外操作。在某些情形下，多任務及平行處理可係有利的。此外，上文所闡述之實施方案中之各種系統組件之分離不應被理解為需要在所有實施方案中進行此分離，而應理解為所闡述之程式組件及系統通常可一起整合於一單個軟體產品中或封裝至多個軟體產品中。另外，其他實施方案亦在以下申請專利範圍之範疇內。在某些情形下，申請專利範圍中所陳述之動作可以一不同次 序執行且仍達成可期望結果。

12‧‧‧像素/干涉式調變器

13‧‧‧箭頭/光

14‧‧‧可移動反射層

14a‧‧‧反射子層

14b‧‧‧支撐層

14c‧‧‧導電層

15‧‧‧光

16‧‧‧光學堆疊

16a‧‧‧吸收體層

16b‧‧‧電介質

18‧‧‧柱

19‧‧‧腔

20‧‧‧基板

21‧‧‧處理器

22‧‧‧陣列驅動器

23‧‧‧黑色遮罩結構

24‧‧‧列驅動器電路

25‧‧‧犧牲層

26‧‧‧行驅動器電路

27‧‧‧網路介面

28‧‧‧圖框緩衝器

29‧‧‧驅動器控制器

30‧‧‧顯示器陣列或面板

32‧‧‧繋鏈

34‧‧‧可變形層

35‧‧‧間隔物層

40‧‧‧顯示裝置

41‧‧‧殼體

43‧‧‧天線

45‧‧‧揚聲器

46‧‧‧麥克風

47‧‧‧收發器

48‧‧‧輸入裝置

50‧‧‧電力供應器

52‧‧‧調節硬體

60a‧‧‧第一線時間

60b‧‧‧第二線時間

60c‧‧‧第三線時間

60d‧‧‧第四線時間

60e‧‧‧第五線時間

62‧‧‧高分段電壓

64‧‧‧低分段電壓

70‧‧‧釋放電壓

72‧‧‧高保持電壓

74‧‧‧高定址電壓

76‧‧‧低保持電壓

78‧‧‧低定址電壓

100‧‧‧選擇單元

101‧‧‧電壓匯流排線

102‧‧‧電源

104‧‧‧控制器

1000‧‧‧清空脈衝

V₀‧‧‧電壓

V_bias‧‧‧電壓

VC_{ADD_H}‧‧‧高定址電壓

VC_{ADD_L}‧‧‧低定址電壓

VC_{HOLD_H}‧‧‧正保持電壓

VC_{HOLD_L}‧‧‧負保持電壓

VC_REL‧‧‧釋放電壓

VS_H‧‧‧高分段電壓

VS_L‧‧‧低分段電壓

圖1展示繪示一干涉式調變器(IMOD)顯示裝置之一系列像素中之兩個毗鄰像素之一等角視圖之一實例。

圖2展示圖解說明併入有一3×3干涉式調變器顯示器之一電子裝置之一系統方塊圖之一實例。

圖3展示圖解說明圖1之干涉式調變器之可移動反射層位置與所施加電壓之關係曲線之一圖式之一實例。

圖4展示圖解說明當施加各種共同電壓及分段電壓時一干涉式調變器之各種狀態之一表之一實例。

圖5A展示圖解說明在圖2之3×3干涉式調變器顯示器中之一顯示資料圖框之一圖之一實例。

圖5B展示可用於寫入圖5A中所圖解說明之顯示資料圖框之共同信號及分段信號之一時序圖之一實例。

圖6A展示圖1之干涉式調變器顯示器之一部分剖面圖之一實例。

圖6B至圖6E展示干涉式調變器之不同實施方案之剖面圖之實例。

圖7展示圖解說明一干涉式調變器之一製造製程之一流程圖之一實例。

圖8A至圖8E展示製作一干涉式調變器之一方法中之各個階段之剖面示意性圖解之實例。

圖9圖解說明用於自一第一極性轉變為一第二極性且將資料寫入至一顯示器之一習用驅動波型。

圖10A圖解說明根據某些實施方案用於將資料寫入至一顯示器之驅動波型。

圖10B展示圖解說明根據某些實施方案併入有一3×3干涉式調變器顯示器之一電子裝置之一系統方塊圖之一實例，該電子裝置包括用於從複數個電壓當中進行選擇之一選擇單元。

圖11圖解說明將資料寫入至一顯示器之一方法之一流程圖。

圖12A及圖12B展示圖解說明包括複數個干涉式調變器之一顯示裝置之系統方塊圖之實例。

62‧‧‧高分段電壓

64‧‧‧低分段電壓

72‧‧‧高保持電壓

74‧‧‧高定址電壓

76‧‧‧低保持電壓

Claims (27)

1. 一種用於驅動一顯示器之設備，該顯示器包括一或多排顯示元件，該設備包含：一共同驅動器；一分段驅動器；及一控制器，其經組態以控制該共同驅動器及該分段驅動器以便對於其中與已寫入至該排顯示元件之影像資料實質上相同之影像資料再次寫入於一緊隨其後之圖框中之至少某些排而言，其中一後續寫入極性與該排顯示元件之一當前保持極性相反，該共同驅動器：將一第一極性之一保持電壓施加至該排顯示元件之一共同線；將該共同線實質上直接轉變為一第二極性之一寫入電壓；及將該共同線實質上直接轉變為該第二極性之一保持電壓，其中該第二極性之該寫入電壓大於該第二極性之該保持電壓。
2. 如請求項1之設備，其中在該共同線實質上直接轉變為該寫入電壓之前，該控制器經組態以根據欲寫入至該共同線之該等顯示元件之資料控制該分段驅動器以驅動分段線。
3. 如請求項2之設備，其中跨越一顯示元件之該寫入電壓位準與該分段電壓位準之間的一電壓差經組態以致動沿該排顯示元件之該顯示元件。
4. 如請求項1之設備，其中該控制器進一步經組態以控制該共同驅動器以便當實質上不同於已寫入至該排顯示元件之影像資料之新影像資料寫入於一後續圖框中時，該共同驅動器接著藉由在寫入該新影像資料時施加一清空脈衝達一釋放週期來將該排中之經致動顯示元件驅動至一非致動狀態，且其中實質上直接轉變為一第二極性之一寫入電壓包括：在實質上小於該釋放週期之一轉變時間中完成自該第一極性之該保持電壓至該第二極性之該寫入電壓的一轉變。
5. 如請求項4之設備，其中該轉變時間小於一顯示元件之一回應時間。
6. 如請求項4之設備，其中每一顯示元件經組態以在一第一釋放臨限電壓與一第二釋放臨限電壓之間的一釋放電壓範圍內釋放，且其中該轉變時間包括在該釋放電壓範圍內的自該第一釋放臨限電壓之一第一轉變及在該釋放電壓範圍之外的一第二轉變時間，且其中該第一轉變時間小於一顯示元件之一回應時間。
7. 如請求項4之設備，其中該釋放週期小於或等於約40 μs。
8. 如請求項4之設備，其中該轉變時間對應於將轉變為一非致動狀態之顯示元件轉變回至一經致動狀態而不對所顯示影像具有一視覺上可辨別之影響之一時間。
9. 如請求項1之設備，其中實質上直接轉變為一第二極性之一寫入電壓包括：在小於或等於約4 μs之一轉變時間中，在該共同驅動器之輸出處完成該轉變。
10. 如請求項1之設備，其進一步包含：一顯示器，其包括複數排該等顯示元件；一處理器，其經組態以與該顯示器通信，該處理器經組態以處理影像資料；及一記憶體裝置，其經組態以與該處理器通信。
11. 如請求項10之設備，其進一步包含：一影像源模組，其經組態以將該影像資料發送至該處理器。
12. 如請求項11之設備，其中該影像源模組包括一接收器、收發器及傳輸器中之至少一者。
13. 如請求項10之設備，其進一步包含：一輸入裝置，其經組態以接收輸入資料及將該輸入資料傳遞至該處理器。
14. 如請求項1之設備，其中該實質上相同之影像資料包括實質上相同之影像資料之一整個圖框。
15. 如請求項1之設備，其中該共同驅動器包括經組態以自複數個電壓輸入選擇一電壓輸出之一選擇單元，且其中該控制器經組態以將該選擇單元之該輸出自該第一極性之一電壓輸入直接切換至該第二極性之一電壓輸入。
16. 一種寫入與已寫入至一排顯示元件之影像資料實質上相同之影像資料之方法，其中一寫入極性與該排顯示元件之一當前偏壓極性相反，該方法包含：將一第一極性之一保持電壓施加至該排顯示元件之一共同線以維持該等顯示元件中之每一者之一當前狀態； 將該共同線實質上直接轉變為一第二極性之一寫入電壓；及將該共同線實質上直接轉變為該第二極性之一偏壓電壓，其中該第二極性之該寫入電壓大於該第二極性之該偏壓電壓。
17. 如請求項16之方法，其中在該共同線實質上直接轉變為該寫入電壓之前，該方法進一步包含：根據欲寫入至該共同線之該等顯示元件之資料驅動分段線。
18. 如請求項17之方法，其中將跨越一顯示元件之該寫入電壓與該分段電壓位準之間的一電壓差組態為致動沿該排顯示元件之該顯示元件。
19. 如請求項16之方法，其中當實質上不同於已寫入至該排顯示元件之影像資料之新影像資料寫入於一後續圖框中時，接著在寫入新影像資料時施加一清空電壓達一釋放週期，且其中實質上直接轉變為一第二極性之一寫入電壓包括：在實質上小於該釋放週期之一轉變時間中完成自該第一極性之該保持電壓至該第二極性之該寫入電壓的一轉變。
20. 一種用於寫入與已寫入至一排顯示元件之影像資料實質上相同之影像資料之設備，其中一寫入極性與該排顯示元件之一當前偏壓極性相反，該設備包含：一共同驅動器；一分段驅動器；及用於控制該共同驅動器及該分段驅動器之構件，以便 當與已寫入至該排顯示元件之影像資料實質上相同之影像資料再次寫入於一緊隨其後之圖框中時，其中一後續寫入極性與該排顯示元件之一當前偏壓極性相反，接著該共同驅動器將一第一極性之一保持電壓施加至該排顯示元件以維持該等顯示元件中之每一者之一當前狀態、實質上直接轉變為一第二極性之一寫入電壓且實質上直接轉變為該第二極性之一保持電壓，其中該第二極性之該寫入電壓大於該第二極性之該保持電壓。
21. 如請求項20之設備，其中在該共同線實質上直接轉變為該寫入電壓之前，該分段驅動器經組態以根據欲寫入至該共同線之該等顯示元件之資料驅動分段線。
22. 如請求項21之設備，其中跨越一顯示元件之該寫入電壓與該分段電壓位準之間的一電壓差經組態以致動沿該排顯示元件之該顯示元件。
23. 如請求項20之設備，當實質上不同於已寫入至該排顯示元件之影像資料之新影像資料寫入於一後續圖框中時，接著在寫入新影像資料時施加一清空電壓達一釋放週期，且其中實質上直接轉變為一第二極性之一寫入電壓包括：在實質上小於該釋放週期之一時間中完成該轉變。
24. 一種用於針對經組態以將資料寫入至包括一排顯示元件之一顯示器之一程式處理資料之電腦程式產品，該電腦程式產品包含：一非暫時性電腦可讀媒體，其上儲存有程式碼以便當 與已寫入至該排顯示元件之影像資料實質上相同之影像資料再次寫入於一緊隨其後之圖框中時，其中一後續偏壓極性與該排顯示元件之一當前偏壓極性相反，該程式碼致使處理電路：將一第一極性之一保持電壓施加至該排顯示元件之一共同線以維持該等顯示元件中之每一者之一當前狀態；將該共同線實質上直接轉變為一第二極性之一寫入電壓；及將該共同線實質上直接轉變為該第二極性之一保持電壓，其中該第二極性之該寫入電壓大於該第二極性之該保持電壓。
25. 如請求項24之電腦程式產品，其中在該共同線實質上直接轉變為該寫入電壓之前，該電腦程式產品進一步包含用於根據欲寫入至該共同線之該等顯示元件之資料致使處理電路驅動分段線之程式碼。
26. 如請求項25之電腦程式產品，其中跨越一顯示元件之該寫入電壓與該分段電壓之間的一電壓差經組態以致動沿該排顯示元件之該顯示元件。
27. 如請求項24之電腦程式產品，其中當實質上不同於已寫入至該排顯示元件之影像資料之新影像資料寫入於一後續圖框中時，接著實質上直接轉變為一第二極性之一寫入電壓包括：在實質上小於該釋放週期之一時間中完成該轉變。