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TW201333152A - 隱形切割用薄膜基材、隱形切割用薄膜、及電子零件之製造方法 - Google Patents

隱形切割用薄膜基材、隱形切割用薄膜、及電子零件之製造方法 Download PDF

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TW201333152A
TW201333152A TW101149705A TW101149705A TW201333152A TW 201333152 A TW201333152 A TW 201333152A TW 101149705 A TW101149705 A TW 101149705A TW 101149705 A TW101149705 A TW 101149705A TW 201333152 A TW201333152 A TW 201333152A
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中野重則
錦織雅弘
橋本芳惠
宮下雄介
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三井 杜邦聚合化學股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種隱形切割用薄膜基材，係厚度為50μm以上且200μm以下之範圍，初期應力為9MPa以上且19MPa以下之範圍，擴張率為102%以上且120%以下之範圍，霧值為10以下，總光線穿透率為90%以上。

Description

隱形切割用薄膜基材、隱形切割用薄膜、及電子零件之製造方法
本發明係關於隱形切割用薄膜基材、及使用其之隱形切割用薄膜與電子零件之製造方法。
在切割半導體晶圓時，係一邊使用冷卻水及洗淨水、一邊藉由切割刀片切斷晶圓，於其次之擴張步驟中，藉由將對應至所切斷之晶圓的切割用薄膜進行擴張，而進行晶片之小片化。此時，以切割用薄膜固定半導體晶圓，以防止晶片飛散。
另一方面，作為半導體晶圓之切割方法，已提案有藉雷射光切割半導體晶圓的方法(例如參照日本專利特開2007-245173號公報)。關於利用雷射之切割法，過去已知有使雷射集光、吸收於晶圓表面而挖掘溝槽之表面剝蝕方式。近年來，提案有將雷射光集光於晶圓內部以形成改質區域後，拉伸與晶圓對應之切割用薄膜，藉此以上述改質區域作為起點而分割晶圓的方法(例如隱形切割法)。
在利用雷射光的切割法中，於使雷射光經由切割用薄膜而照射的情況，為了在不阻礙所照射之雷射光之下分斷晶圓，故對切割用薄膜要求具有高透明性。又，對於切割用薄膜，尚要求具有可良好地進行雷射照射後之晶圓分斷的性狀。
關於上述實情，作為與利用雷射光之切割法有關的技術，已揭示有例如含有具既定拉張彈性係數或黏著力等之黏著 層、與具既定拉張彈性係數之基材層，且擴張率及霧值為既定範圍的切割薄膜(例如參照日本專利特開2011-61097號公報)。根據此切割薄膜，可得到高分斷率。
作為使用離子聚合物之切割技術，揭示有一種具備了含鉀離子聚合物之層的切割帶用基材(例如參照日本專利特開2011-40449號公報)。根據此切割帶用基材，則抗靜電性能優越。又，揭示有一種半導體晶圓用之片材，係以離子聚合物樹脂作為基質聚合物，具有調配了既定結晶分散劑的基材片材、與黏著劑層(例如參照日本專利特開2000-273416號公報及特開2000-345129號公報)。根據此半導體晶圓用之片材，可得到擴張均勻性。
另外，作為使用了含離子聚合物之交聯樹脂的切割技術，記載有一種切割薄膜，係藉由將作為基材薄膜之菲卡軟化點及熱收縮所造成之應力增大設為既定範圍，則在加熱收縮步驟後，不引起鬆弛所造成的不良情形(例如參照日本專利特開2011-216508號公報)。又，由防止鬚狀切削屑之絲狀化的觀點而言，揭示有一種由鋅或鎂等之金屬離子所交聯的離子聚合物樹脂(例如日本專利特開2011-210887號公報)。
再者，揭示有一種3層構造之晶圓切割帶用基材，係在使用了EMAA之30μm厚之黏著劑塗佈層、與使用了低密度聚乙烯之30μm厚之擴張環接觸層之間，配置了含有結晶性聚丙烯之40μm厚的中間層(例如參照日本專利特開 2003-158098號公報)。根據此晶圓切割帶用基材，則均勻擴張性優越。又，揭示有一種3層構造之半導體晶圓固定用黏著帶，係在使用了低密度聚乙烯之2層之間，配置使用了乙烯-甲基丙烯酸-(丙烯酸2-甲基-丙酯)3元共聚物或其之鋅離子聚合物樹脂的中心層(例如參照日本專利特開平7-230972號公報)。根據此半導體晶圓固定用黏著帶，可防止擴張時之縮頸及對拾取銷的附著。
然而，關於日本專利特開2011-61097號公報記載之切割用薄膜，由效率佳地分割基板的觀點而言，具有某程度的適性；關於日本專利特開2011-40449號公報記載之切割帶用基材，雖藉由使用鉀離子聚合物而期待提升抗靜電性能，但由透明性或晶圓之分斷性的任一觀點而言，尚有未必適合市場要求的情形。又，日本專利特開2000-273416號公報及特開2000-345129號公報記載之片材，係假定由切割刀片所進行之切割，而難以應用至由雷射光所進行的切割。再者，日本專利特開2011-216508號公報雖揭示關於將離子聚合物應用至晶圓加工用黏著帶，但其為用於消除以刀片進行之切割時的課題的技術，並未預設雷射切割時之加工性。
於日本專利特開2011-210887號公報亦揭示有關於將離子聚合物應用至晶圓加工用黏著帶，但此揭示亦屬於用於消除 以刀片進行之切割時的課題的技術，並未預設雷射切割時之加工性。
如上述，關於切割用薄膜之雷射加工性，尚期待更進一步的改良。
另外，於日本專利特開2003-158098號公報記載之晶圓切割帶用基材，係於構成積層構造之中間層使用聚丙烯等之聚烯烴。一般由於聚丙烯等在被伸長時之應力極大，故尤其在藉隱形切割法於雷射照射後將切割用薄膜進行擴張時，在擴張了切割用薄膜時容易導致白化現象。相反地，於構成為以使用了3元共聚物之層作為中間層之3層構造的日本專利特開7-230972號公報所記載之技術中，由於伸長初期之應力過小，故難以良好地進行晶圓分斷。此時，為了提高晶圓之分斷性，必須增加帶之擴張量，但若增加帶之擴張量則增加帶之撓量，而有對搬送步驟等造成不良影響之虞。
如此，在利用了雷射光之習知切割技術中，於使雷射光經由切割用薄膜而照射時，由使所照射之雷射光不受到其吸收或散射等之影響而集光至晶圓內部的觀點而言，目前尚不一定能確保充分之透明性。再者，由決定雷射光照射位置的觀點而言，必須有可見區域之透明性。
另外，於利用雷射光之隱形切割法，係於雷射照射後藉由將切割用薄膜進行擴散而使切割用薄膜均勻擴張，以對應至切割用薄膜之晶圓內部的裂痕為起點進行分斷。此時為了提 高分斷性，切割用薄膜所需的應力被要求必須到達不對白化等其他性狀造成不良影響的既定範圍。尤其是在切割用薄膜之應力不足時，未必能得到充分的分斷性。再者，對於切割用薄膜尚要求具備抗靜電性。
本發明係有鑑於上述實情而形成者，提供一種適合於以雷射光所進行之隱形切割，透明性與晶圓分斷性優越的隱形切割用薄膜基材，以及隱形切割用薄膜、及晶圓分斷性優越的電子零件之製造方法。
所謂晶圓之分斷性，係指利用雷射光所形成之晶圓內部之改質區域中之分割的容易度。由得到良好之分斷性的觀點而言，切割用薄膜基材最好具有9MPa以上且19MPa以下之範圍(較佳下限值為超過10MPa之範圍)的應力，並具有102%以上的擴張性(擴張率)。
本發明者等人為了在製作具備有黏著層與基材之隱形切割用薄膜時，改善所設置之上述基材(以下有時稱為「隱形切割用薄膜基材」)的晶圓分斷性(亦即初期應力)與擴張性，而進行了潛心研究。本發明係藉由將上述薄膜基材之厚度保持為適當厚度，並將薄膜基材之初期應力及擴張率調節為既定範圍，而達到薄膜基材之分斷性與擴張性的平衡，並根據此見解而達成本發明。
用於解決上述課題的具體手段係如下述。
<1>一種隱形切割用薄膜基材，係使用作為具備黏著層與基材之隱形切割用薄膜的上述基材，厚度為50μm以上且200μm以下之範圍，初期應力為9MPa以上且19MPa以下之範圍，擴張率為102%以上且120%以下之範圍，霧值為10以下，總光線穿透率為90%以上。
<2>如<1>之隱形切割用薄膜基材，其中，含有離子聚合物樹脂，其係選自乙烯-(甲基)丙烯酸系共聚物之鎂離子聚合物及乙烯-(甲基)丙烯酸系共聚物之鋅離子聚合物，共聚物中之來自(甲基)丙烯酸烷基酯之構成單位的共聚合比為未滿7質量%。
<3>如<2>之隱形切割用薄膜基材，其中，上述鎂離子聚合物及上述鋅離子聚合物之至少一者，係上述來自(甲基)丙烯酸之構成單位之於共聚物中的共聚合比為超過10質量%且30質量%以下。
<4>如<2>或<3>之隱形切割用薄膜基材，其中，上述鎂離子聚合物及上述鋅離子聚合物之至少一種，係中和度超過0%且60%以下。
<5>如<2>或<3>之隱形切割用薄膜基材，其中，上述鎂離子聚合物及上述鋅離子聚合物之至少一種，係中和度為10%以上且40%以下。
<6>如<1>之隱形切割用薄膜基材，其中，具有使與上述黏著層相接之層X與第1層Y與第2層Z依序重疊積層的 多重層構造、或使與上述黏著層相接之層X與第2層Z與第1層Y依序重疊積層的多重層構造，上述層X、上述層Y及上述層Z之厚度為10μm以上且100μm以下之範圍。
<7>如<6>之隱形切割用薄膜基材，其中，與上述黏著層相接之層X係含有樹脂A，上述樹脂A之彎曲剛性率為100MPa以上且350MPa以下之範圍；上述第1層Y係含有樹脂B，上述樹脂B之彎曲剛性率為5MPa以上且350MPa以下之範圍；上述第2層Z係含有樹脂C，上述樹脂C之彎曲剛性率為50MPa以上且350MPa以下之範圍；分別由上述樹脂A或上述樹脂C之彎曲剛性率減去上述樹脂B之彎曲剛性率之差的絕對值的較大者之值，為50MPa以上且345MPa以下之範圍內。
<8>如<6>或<7>之隱形切割用薄膜基材，其中，與上述黏著層相接之層X係含有樹脂A，上述樹脂A為乙烯-不飽和羧酸2元共聚物之離子聚合物。
<9>如<8>之隱形切割用薄膜基材，其中，由上述2元共聚物中之不飽和羧酸所衍生之構成單位的含量為1質量%以上且35質量%以下。
<10>如<6>至<9>中任一項之隱形切割用薄膜基材，其中，上述第1層Y係含有樹脂B，上述樹脂B為選自低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、乙烯醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-不飽和羧酸2元共聚物及其之離子聚合物、乙烯-不飽 和羧酸-不飽和羧酸酯3元共聚物及其之離子聚合物、以及乙烯-不飽和羧酸酯2元共聚物的至少1種。
<11>如<6>至<10>中任一項之隱形切割用薄膜基材，其中，上述第2層Z係含有樹脂C，上述樹脂C為選自乙烯-不飽和羧酸2元共聚物及其之離子聚合物、以及乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯3元共聚物及其之離子聚合物的至少一種。
<12>如<1>至<11>中任一項之隱形切割用薄膜基材，其中，含有融點為155℃以上且185℃以下之抗靜電劑。
<13>如<1>至<12>中任一項之隱形切割用薄膜基材，其中，表面電阻率為1×109Ω/sq以上且1×1012Ω/sq以下。
<14>一種隱形切割用薄膜，係具備黏著層與<1>至<13>中任一項之隱形切割用薄膜基材。
<15>一種電子零件之製造方法，係包含：於晶圓背面貼附<14>之隱形切割用薄膜的步驟；與對貼附了上述隱形切割用薄膜之晶圓，由上述隱形切割用薄膜側照射雷射光，經由隱形切割用薄膜藉雷射光對上述晶圓進行切割的步驟。
<16>一種方法，係將薄膜基材使用作為隱形切割用薄膜基材者，該薄膜基材係厚度為50μm以上且200μm以下之範圍，初期應力為9MPa以上且19MPa以下之範圍，擴張率為102%以上且120%以下之範圍，霧值為10以下，總光線穿透率為90%以上。
<17>一種薄膜基材之使用，係用於製造隱形切割用薄膜者，該薄膜基材係厚度為50μm以上且200μm以下之範圍，初期應力為9MPa以上且19MPa以下之範圍，擴張率為102%以上且120%以下之範圍，霧值為10以下，總光線穿透率為90%以上。
尚且，本說明書中使用「~」所表示的數值範圍，係指包含「~」前後記載之數值作為下限值及上限值的範圍。
根據本發明，提供適合以雷射光進行之切割，透明性與晶圓分斷性優越之隱形切割用薄膜基材及隱形切割用薄膜。又，根據本發明，提供晶圓分斷性優越的電子零件之製造方法。
以下，針對本發明之隱形切割用薄膜基材、使用其之隱形切割用薄膜及電子零件之製造方法，參照圖式進行說明。
[隱形切割用薄膜基材及隱形切割用薄膜]
參照圖1~圖4，針對隱形切割用薄膜1進行說明，經由該說明詳述本發明之隱形切割用薄膜基材。圖1為表示隱形切割用薄膜之構成例的概略剖面圖。
隱形切割係藉由將雷射集光於矽晶圓內部而於晶圓內形成改質層(裂痕等)，藉帶擴張等賦予外部應力而進行晶片分割的切割方法。
如圖1所示，隱形切割用薄膜1係具備隱形切割用薄膜基材11(以下稱為基材11)、與設置基板11上的黏著層12。
基材11可為單層或多層之任一構成。在基材11構成為多層的情況，基材11係如圖2所示般，可成為下述構造：將與成隱形切割用薄膜之黏著層12相接的層11X與中間層11Y(或11Z)與內層11Z(或11Y)重疊積層的3層構造。
隱形切割法中，係利用切割用薄膜之伸長力，將晶圓進行晶片化。在近年來受到矚目之隱形切割法中，於生產微小尺寸之半導體晶片的情況，過去係直接使用習知廣泛利用之刀片切割或雷射切割時所使用的切割片材。然而，若使用此種習知之切割片材，則有擴張初期之強度(初期應力)過低的情形。若薄膜之初期應力過低，則伸長力未充分傳達至晶圓內部所形成的改質部，故難以將晶圓晶片化。亦即，在未充分得到初期應力之薄膜時，無法藉分割線分割各晶片，成為複數個晶片連結的狀態，而有半導體晶片之生產率降低之虞。因此，本發明中，為了改善隱形切割用薄膜基材之晶圓分斷性(亦即初期強度(亦稱為初期應力))及擴張性，而藉由將上述基材之厚度保持為既定厚度，並將上述基材之初期應力及擴張率調節為既定範圍，則達到分斷性與擴張性的平衡。
尤其是在基材構成為多層的情況，為了與上述同樣地改善晶圓分斷性(初期強度)及擴張性，而對相接至黏著層之層X重疊積層層11Y(第1層Y)與層11Z(第2層Z)，而將基材之 初期應力調節為9MPa以上且19MPa以下之範圍，藉此達到分斷性與擴張性的平衡。又，本發明之薄膜基材係在作成多重層構造之下，仍維持層之透明性，雷射之擴散或吸收少，隱形切割之加工適性優越。
隱形切割用薄膜1係一面構成為黏著面，被用於以藉雷射光照射而於晶圓所形成之裂痕為起點、依非接觸式將晶圓進行分斷(分離)的所謂隱形切割中。具體而言，如圖3A所示，將隱形切割用薄膜1置於切割台6上並貼附至晶圓W背面，經由隱形切割用薄膜1照射雷射。藉雷射照射將雷射光L導光至晶圓W內部，如圖3B所示般，藉雷射光於晶圓W內部複數形成改質區域W1。其後，如圖4所示般，對隱形切割用薄膜1賦予外部應力並朝箭頭方向擴張，藉此以上述改質區域W1為起點而將晶圓W分離為個別的晶片。
尚且，隱形切割用薄膜1不僅可應用至上述隱形切割，亦可應用至由切割刀片所進行之切割方法或利用了雷射光之其他切割方法中。
(基材)
基材可構成為單層或2層以上之構成。
~A.單層構成~
首先，說明基材構成為單層構造的情形。
圖1為表示基材11成為單層構造的例子。圖1中，基材11係使用乙烯-(甲基)丙烯酸系共聚物之鎂離子聚合物及/或 乙烯-(甲基)丙烯酸系共聚物之鋅離子聚合物而形成的離子聚合物樹脂基材。
作為鎂離子聚合物，較佳為乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物、或乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物之至少一部分被鎂所中和的鎂離子聚合物。共聚物中，可為嵌段共聚物、無規共聚物、接枝共聚物之任一種，若考慮透明性，較佳係使用2元無規共聚物、3元無規共聚物、2元無規共聚物之接枝共聚物或3元無規共聚物之接枝共聚物，更佳係2元無規共聚物或3元無規共聚物。
上述離子聚合物樹脂中，較佳之鎂離子聚合物，係以藉高壓自由基聚合法所合成之乙烯與(甲基)丙烯酸之共聚物為基底，將使上述(甲基)丙烯酸之共聚合比設為超過10質量%且30質量%以下之範圍者，藉鎂離子進行了中和。由鎂離子所進行之中和度為超過0%且60%之範圍，若為此範圍則擴張性與分斷性優越。較佳之中和度為10%以上且60%以下之範圍，若為此範圍內則透明性優越。更佳之中和度為10%以上且40%以下之範圍，若為此範圍內則擴張性、分斷性及透明性之平衡優越。
其中，鎂離子聚合物中之(甲基)丙烯酸之共聚合比，係由擴張性、成形加工性、分斷性及透明性之平衡優越、工業上容易取得的觀點而言，更佳為超過10質量%且20質量%以 下。
作為鋅離子聚合物，較佳為乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物、或乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物之至少一部分被鋅所中和的鋅離子聚合物。共聚物係與上述鎂離子聚合物同樣地，可為嵌段共聚物、無規共聚物、接枝共聚物之任一種，若考慮透明性，較佳係使用2元無規共聚物、3元無規共聚物、2元無規共聚物之接枝共聚物或3元無規共聚物之接枝共聚物，更佳係2元無規共聚物或3元無規共聚物。
較佳之鋅離子聚合物，係以藉高壓自由基聚合法所合成之乙烯與(甲基)丙烯酸之共聚物為基底，將使上述(甲基)丙烯酸之共聚合比設為超過10質量%且30質量%以下之範圍者，藉鋅離子進行了中和。由鋅離子所進行之中和度為超過0%且60%之範圍，若為此範圍則擴張性與分斷性優越。較佳之中和度為10%以上且60%以下之範圍，若為此範圍則透明性優越。更佳之中和度為10%以上且40%以下之範圍，若為此範圍內則擴張性、分斷性及透明性之平衡優越。
其中，鋅離子聚合物中之(甲基)丙烯酸之共聚合比，係由擴張性、成形加工性、分斷性及透明性之平衡優越、工業上容易取得的觀點而言，更佳為超過10質量%且20質量%以下。
構成離子聚合物之乙烯-(甲基)丙烯酸系共聚物，係至少使 乙烯與丙烯酸或甲基丙烯酸進行了共聚合的共聚物，進而亦可為使第3共聚合成分進行了共聚合的3元以上之多元共聚物。
作為形成多元共聚物的單體，除了乙烯及可與該乙烯進行共聚合之上述(甲基)丙烯酸之外，作為第3共聚合成分，亦可使不飽和羧酸酯(例如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異辛酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸異丁酯、順丁烯二酸二甲酯、順丁烯二酸二乙酯等之(甲基)丙烯酸烷基酯)、乙烯基酯(例如醋酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等)、不飽和烴(例如丙烯、丁烯、1,3-丁二烯、戊烯、1,3-戊二烯、1-己烯等)、乙烯基硫酸或乙烯基硝酸等之氧化物、鹵化物(例如氯乙烯、氟乙烯等)、含乙烯基之1、2級胺化合物、一氧化碳、二氧化硫等進行共聚合。
其中，作為上述第3共聚合成分，較佳為不飽和羧酸酯，更佳為(甲基)丙烯酸烷基酯(烷基部位之較佳碳數為1~4)。
來自上述第3共聚合成分之構成單位於乙烯-(甲基)丙烯酸系共聚物中之含有比率，較佳為未滿7質量%之範圍。
本發明之離子聚合物樹脂，亦可含有不飽和羧酸酯，特佳係將來自(甲基)丙烯酸烷基酯之構成單位於共聚物後所占的含有比率設為未滿7質量%。若來自(甲基)丙烯酸烷基酯之構成單位的含有比率未滿7質量%，則因保持切割用薄膜 之應力，故得到優越的分斷性。作為來自(甲基)丙烯酸烷基酯之構成單位的含有比率，較佳係設為5質量%以下，更佳係不具有來自(甲基)丙烯酸烷基酯之構成單位(含有比率：0%[質量比])。
~B.多層構成~
接著，說明基材構成為多層構造的情形。
基材11係如圖2所示，可設置成選自下述者之由3層以上所構成的多層構造：至少使與黏著層12相接之層11X與層11Y(第1層Y)與層11Z(第2層Z)依此順序重疊積層之多重層構造；及至少使與上述黏著層12相接之層X與層11Z(第2層Z)與層11Y(第1層Y)依此順序重疊積層之多重層構造。
基材11係如圖2所示般，於其一側與用於將晶圓固定化之黏著層12相接觸，而可構成隱形切割用薄膜。在作為隱形切割用薄膜時，黏著層12係如圖2所示，與基材11之多重層構造中之「與黏著層相接之層11X」密黏。因此，與黏著層相接之層11X係設置成位於多重層構造之表面(最外層)。
在基板11具有使與黏著層相接之層X與第1層Y與第2層Z依此順序配置的多重層構造的情況，第1層Y係成為形成3層構造的中間層。又，此多重層構造係除了與黏著層相接之層X與第1層Y與第2層Z之3層之外，亦可構成 為在與黏著層相接之層X與第1層Y之間或第1層Y與第2層Z之間、或與黏著層相接之層X/第1層Y/第2層Z之3層構造之一端的第2層Z上，進一步設置了其他層的4層以上的多重層構造。
又，基板11之具有與黏著層相接之層X與第1層Y與第2層Z之多重層構造的其他態樣，係亦可構成為反向地配置第1層Y與第2層Z，而依此順序配置與黏著層相接之層X與第2層Z與第1層Y的多重層構造。此時，第2層Z成為形成3層構造之中間層。此多重層構造之情形亦與上述構造之情形相同地，可構成為在與黏著層相接之層X與第2層Z之間或第2層Z與第1層Y之間、或與黏著層相接之層X/第2層Z/第1層Y之3層構造之一端的第1層Y上，進一步設置了其他層的4層以上的多重層構造。
[與黏著層相接之層X]
與黏著層相接之層X，係如圖2所示般用於將晶圓固定化，與例如由黏著劑所構成之黏著層12密黏的層，至少含有樹脂(本說明書中亦稱為「樹脂A」)。作為密黏的方法，可使用於層X面將黏著劑依公知方法、例如使用凹版輥塗佈機、逆輥塗佈機、吻式輥塗佈機、浸輥塗佈機、棒塗機、刀塗機、噴塗機等進行直接塗佈的方法，或依於剝離片材上將黏著劑以上述公知方法進行塗佈而設置黏著層後，將此貼黏於層X，而轉印黏著層的方法等。作為層X之樹脂A， 較佳係使用具有極性、與紫外線硬化性較佳地構成之黏著層12之黏著劑間的適性佳的樹脂。黏著層12係如後述般較佳為構成為紫外線硬化性的層，此時，可使用能與紫外線硬化性之組成保有良好密黏的樹脂而適當構成。
與黏著層相接之層X係含有樹脂A。作為上述樹脂A之彎曲剛性率，較佳為100MPa以上且350MPa以下之範圍。樹脂A之彎曲剛性率為上述範圍時，表示其適合隱形切割所進行之加工(分斷加工、尤其是初期應力之維持)。其中，樹脂A之彎曲剛性率，係由晶圓分斷性的觀點而言，更佳為150MPa以上且350MPa以下，再更佳為180MPa以上且350MPa以下。
作為與黏著層相接之層X所含有之樹脂A，較佳為熱可塑性樹脂，更佳為烯烴系聚合物，例如含有乙烯及不飽和羧酸作為共聚合成分的乙烯-不飽和羧酸系共聚物。其中，適合使用使乙烯與不飽和羧酸經共聚合之2元共聚物(乙烯-不飽和羧酸2元共聚物)之離子聚合物。藉由使用乙烯-不飽和羧酸2元共聚物之離子聚合物，則透明性(霧值及總光線穿透率)及分斷性優越。
於成為離子聚合物之基底聚合物的上述乙烯-不飽和羧酸2元共聚物中，由不飽和羧酸所衍生之構成單位的含有比例，較佳為1質量%以上且35質量%以下之範圍，更佳為5質量%以上且25質量%以下之範圍，特佳為10質量%以上 且20質量%以下之範圍。由不飽和羧酸所衍生之構成單位的含有比例為1質量%以上時，係指積極地含有該構成單位，藉由含有不飽和羧酸則透明性或接黏性良好。藉由使由不飽和羧酸所衍生之構成單位的含有比例為35質量%以下，則可維持實用的耐熱性。
另外，作為由乙烯所衍生之構成單位的含有比例，較佳為99質量%以上且65質量%以下的範圍，更佳為90質量%以上且80質量%以下的範圍。
作為構成乙烯-不飽和羧酸2元共聚物之不飽和羧酸，可舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、順丁烯二酸酐、順丁烯二酸單酯等，特佳為丙烯酸或甲基丙烯酸。
作為離子聚合物之將成為基底聚合物之2元共聚物中之羧基進行中和的金屬離子，可舉例如鋰離子、鈉離子、鉀離子等之鹼金屬離子；鎂離子、鈣離子、鋅離子、鋁離子等之多價金屬之離子等。
此等之中，更佳為鎂離子或鋅離子。此等金屬離子可單獨使用1種，亦可組合使用2種以上。離子聚合物係2元共聚物中之羧基之100%以下之範圍被上述金屬離子所中和，其中和度較佳為90%以下、更佳20%以上且85%以下之範圍。
作為鎂離子聚合物，較佳係乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物之至少一部分被鎂所中和的鎂離子聚合物。共聚物可為嵌段共聚 物、無規共聚物、或接枝共聚物之任一種，若考慮到透明性，較佳為2元無規共聚物。
上述離子聚合物樹脂中，較佳之鎂離子聚合物，係以藉高壓自由基聚合法所合成之乙烯與(甲基)丙烯酸之共聚物為基底，將使上述(甲基)丙烯酸之共聚合比設為超過10質量%且30質量%以下之範圍者，藉鎂離子進行了中和。由鎂離子所進行之中和度為超過0%且60%之範圍，若為此範圍則擴張性與分斷性優越。較佳之中和度為10%以上且60%以下之範圍，若為此範圍內則透明性優越。更佳之中和度為10%以上且40%以下之範圍，若為此範圍則擴張性、分斷性及透明性之平衡優越。
其中，鎂離子聚合物中之(甲基)丙烯酸的共聚合比，係由擴張性、成形加工性、分斷性、及透明之平衡優越、工業上容易取得的觀點而言，更佳係超過10質量%且20質量%以下。
作為鋅離子聚合物，較佳係乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物之至少一部分被鋅所中和的鋅離子聚合物。共聚物可與上述鎂離子聚合物同樣地為嵌段共聚物、無規共聚物、或接枝共聚物之任一種，若考慮到透明性，較佳為2元無規共聚物。
較佳之鋅離子聚合物，係以藉高壓自由基聚合法所合成之乙烯與(甲基)丙烯酸之共聚物為基底，將使上述(甲基)丙烯酸之共聚合比設為超過10質量%且30質量%以下之範圍 者，藉鋅離子進行了中和。由鋅離子所進行之中和度為超過0%且90%之範圍，若為此範圍則擴張性與分斷性優越。較佳之中和度為10%以上且90%以下之範圍，若為此範圍內則透明性優越。
其中，鋅離子聚合物中之(甲基)丙烯酸的共聚合比，係由擴張性、成形加工性、分斷性、及透明之平衡優越、工業上容易取得的觀點而言，更佳係超過10質量%且20質量%以下。
作為形成與黏著層相接之層X的離子聚合物，由容易取得的觀點而言，較佳為乙烯-丙烯酸共聚物之鎂(Mg)離子聚合物或鋅(Zn)離子聚合物、及乙烯-甲基丙烯酸共聚物之鎂(Mg)離子聚合物或鋅(Zn)離子聚合物。
作為上述與黏著層相接之層X的厚度，較佳為10μm以上且100μm以下之範圍。其厚度為上述範圍內時，表示適合於隱形切割之加工(分斷加工、尤其是初期應力之維持)。與黏著層相接之層X的較佳厚度，為15μm以上且80μm以下。
作為與黏著層相接之層X之於隱形切割用薄膜基材中之厚度的比率，係由作為薄膜基材之穩定生產的觀點而言，較佳係薄膜基材整體厚度之10%以上。第1層Y之厚度的比率，係由達到分斷性與擴張性之平衡的觀點而言，較佳為薄膜基材整體厚度的20%以上。
[第1層Y]
構成基材11之多重層構造的層11Y(第1層Y)，較佳係配置作為設於上述與黏著層相接之層X與後述層11Z(第2層Z)之間的中間層(圖2之符號11Y)，或對上述與黏著層相接之層X經由層11Z(第2層Z)而設置的內層(圖2符號之11Y)。
第1層Y係含有樹脂B。作為上述樹脂B之彎曲剛性率，較佳為5MPa以上且350MPa以下之範圍。樹脂B之彎曲剛性率為上述範圍時，表示適合隱形切割之加工(分斷加工、尤其是初期應力之維持)。其中，由擴張性的觀點而言，樹脂B之彎曲剛性率更佳為5MPa以上且330MPa以下，再更佳為10MPa以上且270MPa以下。
作為第1層Y所含有之樹脂B，較佳為熱可塑性樹脂，例如適合使用低密度聚乙烯(low-density polyethylene；LDPE)、直鏈狀低密度聚乙烯(linear low-density polyethylene；LLDPE)、乙烯醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-不飽和羧酸2元共聚物及其之離子聚合物、乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯3元共聚物及其之離子聚合物、乙烯-不飽和羧酸酯2元共聚物等。
上述樹脂B之例子中，乙烯-不飽和羧酸2元共聚物及其之離子聚合物、以及乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯3元共聚物及其之離子聚合物，係由不飽和羧酸所衍生之構成單位的含有比例較佳為1質量%以上且35質量%以下之範圍，更佳5質量%以上且25質量%以下之範圍，特佳10質量% 以上且20質量%以下之範圍。由不飽和羧酸所衍生之構成單位之含有比例為1質量%以上時，表示積極地含有該構成單位，藉由含有不飽和羧酸而透明性或金屬接黏性變得良好。藉由使由不飽和羧酸所衍生之構成單位之含有比例為35質量%以下，則可維持實用之耐熱性。
另外，作為由乙烯所衍生之構成單位的含有比例，較佳為99質量%以上且65質量%以下之範圍，更佳為90質量%以上且80質量%以下之範圍。
作為構成上述2元共聚物或上述3元共聚物的不飽和羧酸，可舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、順丁烯二酸酐、順丁烯二酸單酯等，特佳為丙烯酸或甲基丙烯酸。
作為構成上述3元共聚物之不飽和羧酸酯，可舉例如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異辛酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸異丁酯、順丁烯二酸二甲酯、順丁烯二酸二乙酯等之(甲基)丙烯酸烷基酯等。其中，更佳為(甲基)丙烯酸烷基酯(烷基部位之較佳碳數為1~4)。
作為離子聚合物之將成為基底聚合物之2元共聚物或3元共聚物中之羧基進行中和的金屬離子，較佳為鎂、鋅、鈉、鉀等，其中更佳為鎂及鋅。離子聚合物係2元共聚物中之羧基之100%以下之範圍被上述金屬離子所中和，其中和度較 佳為90%以下、更佳20%以上且85%以下之範圍。
作為鎂離子聚合物，較佳係乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物、或乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物之至少一部分被鎂所中和的鎂離子聚合物。共聚物可為嵌段共聚物、無規共聚物、或接枝共聚物之任一種，若考慮到透明性，較佳為2元無規共聚物、3元無規共聚物、2元無規共聚物之接枝共聚物或3元無規共聚物之接枝共聚物，更佳為2元無規共聚物或3元無規共聚物。
上述離子聚合物樹脂中，較佳之鎂離子聚合物，係以藉高壓自由基聚合法所合成之乙烯與(甲基)丙烯酸之共聚物為基底，將使上述(甲基)丙烯酸之共聚合比設為超過10質量%且30質量%以下之範圍者，藉鎂離子進行了中和。由鎂離子所進行之中和度為超過0%且60%之範圍，若為此範圍則擴張性與分斷性優越。較佳之中和度為10%以上且60%以下之範圍，若為此範圍內則透明性優越。更佳之中和度為10%以上且40%以下之範圍，若為此範圍內則擴張性、分斷性及透明性之平衡優越。
其中，鎂離子聚合物中之(甲基)丙烯酸之共聚合比，係由擴張性、成形加工性、分斷性及透明性之平衡優越、工業上容易取得的觀點而言，更佳為超過10質量%且20質量%以下。
作為鋅離子聚合物，較佳為乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙 烯-(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物、或乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物之至少一部分被鋅所中和的鋅離子聚合物。共聚物係與上述鎂離子聚合物同樣地，可為嵌段共聚物、無規共聚物、接枝共聚物之任一種，若考慮透明性，較佳係使用2元無規共聚物、3元無規共聚物、2元無規共聚物之接枝共聚物或3元無規共聚物之接枝共聚物，更佳係2元無規共聚物或3元無規共聚物。
較佳之鋅離子聚合物，係以藉高壓自由基聚合法所合成之乙烯與(甲基)丙烯酸之共聚物為基底，將使上述(甲基)丙烯酸之共聚合比設為超過10質量%且30質量%以下之範圍者，藉鋅離子進行了中和。由鋅離子所進行之中和度為超過0%且90%之範圍，若為此範圍則擴張性與分斷性優越。較佳之中和度為10%以上且90%以下之範圍，若為此範圍則透明性優越。
其中，鋅離子聚合物中之(甲基)丙烯酸之共聚合比，係由擴張性、成形加工性、分斷性及透明性之平衡優越、工業上容易取得的觀點而言，更佳為超過10質量%且20質量%以下。
上述樹脂B之例子中，乙烯-不飽和羧酸酯共聚物較佳為乙烯-(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物。
作為構成乙烯-(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物之(甲基)丙烯酸烷基酯，較佳可舉例如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸 異丁酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異辛酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸異丁酯、順丁烯二酸二甲酯、順丁烯二酸二乙酯等。
本發明中，較佳態樣之一係將第1層Y設置作為配置在與黏著層相接之層X與第2層Z之間之中間層的態樣。其他較佳態樣之一係將第2層Z設置作為配置在與黏著層相接之層X與第1層Y之間之中間層的態樣。
在第1層Y係設置作為配置在構成多重層構造之與黏著層相接之層X與第2層Z之間之中間層的情況，係構成為相對於與黏著層相接之層X及第2層Z呈較柔軟的層，由緩和作為薄膜基材之應力(尤其是初期應力)、使其具有擴張機能的觀點而言，作為第1層Y所含有之樹脂B，較佳為例如低密度聚乙烯(low-density polyethylene；LDPE)、直鏈狀低密度聚乙烯(linear low-density polyethylene；LLDPE)、乙烯醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-不飽和羧酸2元共聚物及其之離子聚合物、乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯3元共聚物及其之離子聚合物。
另外，在第2層Z係設置作為配置在與黏著層相接之層X與第1層Y之間之中間層的情況，由緩和作為薄膜基材之應力(尤其是初期應力)、使其具有擴張機能、並使其具有於擴張時與層Y相接之擴張台間之滑性、或耐黏連性的觀點而言，作為第2層Z所含有之樹脂C，較佳為例如低密度聚 乙烯(low-density polyethylene；LDPE)、直鏈狀低密度聚乙烯(linear low-density polyethylene；LLDPE)、乙烯-不飽和羧酸2元共聚物及其之離子聚合物、乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯3元共聚物及其之離子聚合物。
作為上述第1層Y之厚度，較佳為10μm以上且100μm以上之範圍。其厚度為上述範圍內時，表示適合隱形切割之加工(分斷加工、尤其是初期應力之維持)。第1層Y之較佳厚度為15μm以上且80μm以下。
作為第1層Y於隱形切割用薄膜基材中之厚度的比率，係由作為薄膜基材之穩定生產的觀點而言，較佳為薄膜基材整體厚度之10%以上。第1層Y之厚度比率，係由達到分斷性與擴張性之平衡的觀點而言，較佳為薄膜基材整體厚度之20%以上。
[第2層Z]
構成基材11之多重層構造的層11Z(第2層Z)，較佳係配置作為對上述與黏著層相接之層X經由層11Y(第1層Y)而設置的內層(圖2符號之11Z)，或設於上述與黏著層相接之層X與上述層11Y(第1層Y)之間的中間層(圖2之符號11Z)。
第2層Z係含有樹脂C。作為上述樹脂C之彎曲剛性率，較佳為50MPa以上且350MPa以下之範圍。樹脂C之彎曲剛性率為上述範圍時，表示適合隱形切割之加工(分斷加 工、尤其是初期應力之維持)。其中，由晶圓分斷性的觀點而言，樹脂C之彎曲剛性率更佳為50MPa以上且330MPa以下，再更佳為70MPa以上且330MPa以下。
作為第2層Z所含有之樹脂C，較佳為熱可塑性樹脂，例如適合使用乙烯-不飽和羧酸2元共聚物及其之離子聚合物、乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯3元共聚物及其之離子聚合物。
上述樹脂C之例子中，乙烯-不飽和羧酸2元共聚物及其之離子聚合物、以及乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯3元共聚物及其之離子聚合物，係由不飽和羧酸所衍生之構成單位的含有比例較佳為1質量%以上且35質量%以下之範圍，更佳5質量%以上且20質量%以下之範圍。由不飽和羧酸所衍生之構成單位之含有比例為1質量%以上時，表示積極地含有該構成單位，藉由含有不飽和羧酸而透明性或金屬接黏性變得良好。藉由使由不飽和羧酸所衍生之構成單位之含有比例為35質量%以下，則可維持實用之耐熱性。
另外，作為由乙烯所衍生之構成單位的含有比例，較佳為99質量%以上且65質量%以下之範圍，更佳為95質量%以上且80質量%以下之範圍。
關於構成上述2元共聚物或上述3元共聚物的不飽和羧酸，以及構成上述3元共聚物之不飽和羧酸酯的細節，係與已述之第1層Y中之構成2元共聚物或3元共聚物之不飽 和羧酸、及不飽和羧酸酯同義，較佳態樣亦相同。
作為離子聚合物之將成為基底聚合物之2元共聚物中之羧基進行中和的金屬離子，可舉例如鋰離子、鈉離子、鉀離子等之鹼金屬離子；鎂離子、鈣離子、鋅離子、鋁離子等之多價金屬之離子等。
此等之中，較佳為鎂離子或鋅離子。此等金屬離子可單獨使用1種，亦可組合使用2種以上。離子聚合物係2元共聚物中之羧基之100%以下之範圍被上述金屬離子所中和，其中和度較佳為90%以下、更佳20%以上且85%以下之範圍。
上述中，作為鎂離子聚合物，較佳係乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物、或乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物之至少一部分被鎂所中和的鎂離子聚合物。
作為鋅離子聚合物，較佳為乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物、或乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物之至少一部分被鋅所中和的鋅離子聚合物。
此等鎂離子聚合物、鋅離子聚合物之細節，係與已述之第1層Y之項中所說明的鎂離子聚合物、鋅離子聚合物相同，較佳態樣亦相同。
作為上述第2層Z之厚度，較佳為10μm以上且100μm以上之範圍。其厚度為上述範圍內時，表示適合隱形切割之 加工(分斷加工、尤其是初期應力之維持)。第2層Z之較佳厚度為15μm以上且80μm以下。
作為第2層Z於隱形切割用薄膜基材中之厚度的比率，係由作為薄膜基材之穩定生產的觀點而言，較佳為薄膜基材整體厚度之10%以上。第2層Z之厚度比率，係由達到分斷性與擴張性之平衡的觀點而言，較佳為薄膜基材整體厚度之20%以上。
本發明中，分別由上述與黏著層相接之層X中所含之樹脂A之彎曲剛性率或上述層Z所含之樹脂C之彎曲剛性率減去層Y所含之樹脂B之彎曲剛性率之差的絕對值(|樹脂A之彎曲剛性率-樹脂B之彎曲剛性率|或|樹脂C之彎曲剛性率-樹脂B之彎曲剛性率|)的較大者之值，為50MPa以上且345MPa以下之範圍內。又，「| |」之記號表示絕對值。
上述值為50MPa以上時，則即使在X之強度較低的情況，晶圓分斷性仍更優越，或即使在X之強度較高的情況，擴張性仍更優越。又，在上述值為345MPa以下時，由可將與黏著層相接之層X之強度(彎曲剛性率)緩和至分斷性良好之程度而言為較有利。
其中，基於上述相同理由，上述差之絕對值之較大者的值，更佳為50MPa以上且330MPa以下之範圍。
本發明之隱形切割用薄膜基材，由隱形切割之晶圓的分斷性更加優越的觀點而言，較佳係與黏著層相接之層X之厚 度為15μm以上且80μm以下，上述層Y之厚度為15μm以上且80μm以下，上述層Z之厚度為15μm以上且80μm以下的態樣。
本發明之隱形切割用薄膜基材，較佳係含有將與黏著層相接之層X與第1層Y與第2層Z依序重疊積層的多重層構造、或將與黏著層相接之層X與第2層Z與第1層Y依序重疊積層的多重層構造，上述與黏著層相接之層X含有樹脂A，上述樹脂A之彎曲剛性率為180MPa以上且350MPa以下，上述第1層Y含有樹脂B，上述樹脂B之彎曲剛性率為10MPa以上且270MPa以下，上述第2層Z含有樹脂C，上述樹脂C之彎曲剛性率為70MPa以上且330MPa以下的態樣。
再者，本發明之隱形切割用薄膜基材，較佳係含有將與黏著層相接之層X與第1層Y與第2層Z依序重疊積層的多重層構造，上述與黏著層相接之層X所含之樹脂A為乙烯-丙烯酸共聚物之Zn離子聚合物或Mg離子聚合物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物之Zn離子聚合物或Mg離子聚合物；上述第1層Y所含有之樹脂B為低密度聚乙烯(low-density polyethylene；LDPE)、直鏈狀低密度聚乙烯(linear low-density polyethylene；LLDPE)、乙烯醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸2元共聚物及其之Zn離子聚合物、乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸(較佳碳數1~4之)烷基酯3 元共聚物及其之Zn離子聚合物；上述第2層Z所含之樹脂C為乙烯-(甲基)丙烯酸2元共聚物及其之Zn離子聚合物及Mg離子聚合物、及乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯3元共聚物及其之離子聚合物的態樣。
構成隱形切割用薄膜基材之與黏著層相接之層X與第2層Z(或層Y)與第1層Y(或層Z)的層厚(μm)比率(X/Z/Y(或X/Y/Z))，係層X之比率為10%以上且80%以下，層Y之比率為10%以上且70%以下，層Z之比率為10%以上且80%以下。各層厚之比率係依合計成為100%之方式選擇。比率[%]係藉「各層之厚度/總厚×100」所求得。
~物性~
本發明之隱形切割用薄膜基材的霧值，係由提高分斷性的觀點而言，較佳係不阻礙雷射光之穿透而越小越好。具體而言，霧值設為10以下。霧值為10以下時，表示其具有適合利用了雷射光之隱形切割之加工的透明性。其中，霧值較佳為9.0以下，更佳8.0以下。
霧值係使用霧值計，依JIS K 7136所測定之值。
另外，本發明之隱形切割用薄膜基材之總光線穿透率，係由提高使用了隱形切割步驟中之攝影機的照射位置精度的觀點而言，設為90%以上。總光線穿透率為90%以上時，表示其具備了適合利用了雷射光之隱形切割之加工的光穿透性。總光線穿透率係使用HM-150型(村上色彩研究所(股) 製)，於23℃、50%相對濕度環境下，根據JIS K 7361所測定的值。
本發明之隱形切割用薄膜基材之初期應力，係設為9MPa以上且19MPa以下之範圍，較佳下限值為超過10MPa之範圍。更佳係初期應力為10MPa以上且未滿17MPa。初期應力未滿9MPa時，則無法保持分斷晶圓時之外部應力，無法良好進行晶圓分割。又，若初期應力超過19MPa，則擴張率惡化、無法均勻分斷等而分斷性劣化。
本發明之初期應力係根據JIS K 7127，針對隱形切割用薄膜基材之MD方向及TD方向，於試驗速度：500mm/秒、試驗片：寬10mm×長200mm、夾具間：100mm之條件下，於試驗片伸長6%時所測定之應力，並依MD及TD之測定值的平均進行評價。
本發明之隱形切割用薄膜基材的擴張率係設為102%以上且120%以下，較佳104%以上且120%以下，更佳104%以上且110%以下。若擴張率為未滿上述範圍之下限值(102%)，則無法保持分斷晶圓時之外部應力，無法良好進行晶圓分斷。擴張率超過上述範圍之上限值(120%)的隱形切割用薄膜基材，係初期應力9MPa以上且19MPa以下之範圍，現實上無法存在。
擴張率係依以下方法所測定之值。
亦即，由所製作之隱形切割用薄膜基材切出縱(MD)方向 300mm以上×橫(TD)方向300mm以上的4角形試驗片。於此試料片藉油性筆等筆記用具描畫141mm正方的正方形以作成測定對象1，依使台中心與測定對像1上所描繪之正方形之中心重合的方式，將此測定對象1安裝於8吋晶圓用之晶圓擴張裝置(TECHNOVISION公司製之晶圓擴張裝置TEX-218G GR-8)。接著，將台上拉15mm，將隱形切割用薄膜擴張後靜置60秒，測定測定對像1之正方形之各邊長度(邊長)。針對所得之邊長4點，分別計算伸長率(%；=擴張後之邊長/擴張前之邊長×100)，求得其平均值。
作為基材11之厚度，為50μm以上且200μm以下的範圍。基材之總厚度為上述範圍內時，表示其為適合隱形切割的基材厚度。又，基材厚度係由擴張性與透明性的觀點而言，較佳為150μm以下，又，由分斷性的觀點而言，較佳為80μm以上。
另外，基材11較佳係不使雷射光L散射者，且較佳係表面及背面平滑者。基材11之表面及背面較佳係其表面粗度Ra(算出平均粒度)為1.0μm以下。
表面粗度(Ra)係使用光干涉式之非接觸型表面形狀粗度測定器，根據JIS B 0601-2001所測定之值。
本發明之隱形切割用薄膜基材的表面電阻率，係由抗靜電性能之觀點而言，較佳為1.0×109Ω/sq以上且1.0×1012Ω/sq%以下。表面電阻率之調整係例如日本專利第4606029號所揭 示般，可使用添加含有聚醚酯成分之抗靜電劑之方法、或事先將離子傳導性化合物添加至隱形切割用薄膜基材中的方法等公知方法而進行。
表面電阻率係使用Hiresta-UP(三菱化學(股)製)，依試驗溫度23℃、相對濕度50%之條件，設為施加電壓500V而測定之值。
本發明之隱形切割用薄膜基材較佳係含有含聚醚酯成分之抗靜電劑。抗靜電劑之融點較佳係155℃以上且185℃以下，更佳160℃以上且185℃以下，特佳160℃以上且180℃以下。藉由含有此種抗靜電劑，則可不損及薄膜基材之透明性而提高抗靜電性。抗靜電劑之融點為上述範圍內時，可較高地維持含有抗靜電劑時之離子聚合物樹脂(尤其是鋅離子聚合物或鎂離子聚合物)的透明性。
融點係藉由示差掃描熱量測家(differential scanning calorimetry；DSC)，計測測定試料與基準物質間之熱量差，由表現之波峰波形所求得。
作為上述抗靜電劑，可舉例如低分子型抗靜電劑或高分子型抗靜電劑，較佳係高分子型抗靜電劑，作為高分子型抗靜電劑，可舉例如於分子內具有磺酸鹽之乙烯基共聚物、烷基磺酸鹽、烷基苯磺酸鹽、甜菜鹼等。再者，可舉例如聚醚、聚醯胺彈性體、聚酯彈性體、聚醚醯胺或聚醚酯醯胺之無機質子酸的鹽等。作為無機質子酸的鹽，可舉例如鹼金屬鹽、 鹼土族金屬、鋅鹽、或銨鹽。
作為聚醚酯醯胺，可舉例如由聚醯胺嵌段物與聚氧烷二醇嵌段物所構成、使此等嵌段物經酯鍵結的嵌段共聚物。
聚醚酯醯胺中之聚醯胺嵌段物，為例如二羧酸(例：草酸、琥珀酸、己二酸、癸二酸、十二烷二酸、對酞酸、異酞酸、1,4-環己烷二羧酸等)與二胺(例：乙二胺、四亞甲二胺、五亞甲二胺、六亞甲二胺、十亞甲二胺、2,2,4-三甲基六亞甲二胺、2,4,4-甲基六亞甲二胺、1,3-雙(胺基甲基)環己烷、1,4-雙(胺基甲基)環己烷、亞甲基雙(4-胺基環己烷)、間茬二胺、對茬二胺等)之聚縮合，ε-己內醯胺、ω-十二內醯胺等之內醯胺之開環聚合，6-胺基己酸、9-胺基壬酸、11-胺基十一酸、12-胺基十二酸等之胺基羧酸的聚縮合，或由上述內醯胺與二羧酸與二胺之共聚合所得者。此種聚醯胺鏈段為尼龍4、尼龍6、尼龍46、尼龍66、尼龍610、尼龍612、尼龍6T、尼龍11、尼龍12、尼龍6/66、尼龍6/12、尼龍6/610、尼龍66/12、尼龍6/66/610等，特佳為尼龍11、尼龍12等。聚醯胺嵌段物之分子量為例如400~5000左右。
另外，作為聚醚嵌段物，可例示聚氧乙二醇、聚氧丙二醇、聚氧四亞甲二醇、聚氧乙烯-聚氧丙二醇等之聚氧烷二醇或此等之混合物等。此等之分子量為例如400~6000左右、更佳600~5000左右。
作為抗靜電劑，亦可使用已上市之市售物，作為具體例， 可舉例如BASF Japan公司製之IRGASTAT P-16、同P-18、同P-20、同P-22等，三洋化成工業公司製之PELESTAT230、PELESTAT HC250、PELESTAT300、PELESTAT2450、PELECTRON PVH，三井杜邦Polychemical公司製之Entira MK400、MK440、SD100等。
上述抗靜電劑可於熱可塑性樹脂中依既定量進行熔融混合，或將抗靜電劑進行乾式摻合、再將其熔融混合。
上述抗靜電劑可被含於構成薄膜基材之層X、層Y及層Z的任一者中，亦可被含於層X、層Y及層Z之所有層中。在含有紫外線吸收劑時，可藉由將紫外線吸收劑進行混練的方法等上述方法進行。
在含有上述抗靜電劑時，作為上述抗靜電劑於薄膜基材中之含量，係相對於離子聚合物樹脂，較佳為超過10質量%且30質量%，更佳為超過10質量%且20質量。藉由使抗靜電劑之含量超過10質量%，則薄膜基材之抗靜電效果優越。藉由使抗靜電劑之含量為30質量%以下，則可保有薄膜基材之透明性。藉由將抗靜電劑之含量設為上述範圍，則可將薄膜基材之表面電阻率適當調整為1.0×109Ω/sq以上且1.0×1012Ω/sq以下的範圍。
本發明之隱形切割用薄膜基材中，除了上述成分之外，可進一步調配任意之各種添加劑。作為此種添加劑之一例，可舉例如抗氧化劑、熱穩定劑、光穩定劑、紫外線吸收劑、滑 劑、抗黏連劑、防銹劑、抗菌劑、難燃劑、難燃助劑、交聯劑、交聯助劑等。又，視需要亦可對隱形切割用薄膜基材進行電子束照射。
作為隱形切割用薄膜基材之製造方法，可使用習知之T字模流延成形法、T字模夾鉗成形法、充氣成形法、擠出重合法、砑光成形法等之方法。
(黏著層)
黏著層12並無特別限定，較佳係構成為紫外線硬化性的層，例如可使用紫外線硬化形式之丙烯酸系黏著劑等所形成。
作為紫外線硬化形式之丙烯酸系黏著劑的具體例，可舉例如至少含有(甲基)丙烯酸或(甲基)丙烯酸酯等之(甲基)丙烯酸系單體的(甲基)丙烯酸系聚合物、上述(甲基)丙烯酸系單體與官能性單體(例如聚丙烯酸丁酯或聚丙烯酸2-乙基己酯等之聚丙烯酸酯)的共聚物、胺基甲酸乙酯丙烯酸酯系寡聚物、及此等聚合物之混合物、與光聚合起始劑的紫外線硬化性黏著劑。
上述聚合物之平均分子量，較佳為50萬~100萬左右的高分子量。平均分子量係藉凝膠滲透層析(GPC)所測定之聚苯乙烯換算的重量平均分子量。
作為上述(甲基)丙烯酸酯，可舉例如三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲 基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、寡聚酯(甲基)丙烯酸酯等。
上述胺基甲酸乙酯丙烯酸酯系寡聚物，係具有至少2個碳-碳不飽和雙鍵之紫外線聚合性化合物，可舉例如：對使聚酯型或聚醚型等之多醇化合物，與多價異氰酸酯化合物(例如2,4-二異氰酸甲苯酯、2,6-二異氰酸甲苯酯、1,3-二異氰酸茬酯、1,4-二異氰酸茬酯、二苯基甲烷4,4-二異氰酸酯等)反應所得的末端異氰酸酯胺基甲酸乙酯預聚物，使具有羥基之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如丙烯酸2-羥基乙酯、甲基丙烯酸2-羥基乙酯、丙烯酸2-羥基丙酯、甲基丙烯酸2-羥基丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯)進行反應而得者。
作為上述光聚合起始劑，可舉例如異丙基苯偶姻醚、異丁基苄醚、二苯基酮、米其勒酮、氯硫、十二基硫、二甲基硫、二乙基硫、苄基二甲基縮酮、α-羥基環己基苯基酮、2-羥基甲基苯基丙烷等。光聚合起始劑可單獨或組合使用2種以上。藉由於黏著層中添加光聚合起始劑，則可抑制硬化反應時間或放射線照小量而效率佳地進行硬化反應。
另外，黏著層亦較佳係與上述基材同樣地透明性較高。
作為黏著層之可見光的光線穿透率，較佳係於可見光之 400nm~800nm之總波長區域下，黏著層之光線穿透率為90%以上。
再者，在使用了基材之光線穿透率成為90%以上之波長的可見光線的情況下，較佳係於隱形切割用薄膜整體之光線穿透率為90%以上，更佳係在使用了400nm~800nm之總波長區域之光的情況下，隱形切割用薄膜整體之光線穿透率為90%以上。
尚且，光線穿透率係使用分光光度計所測定之值。
黏著層12之厚度較佳為5μm以上、更佳10μm以上。
本發明之隱形切割用薄膜的霧值，係由提高分斷率的觀點而言，最好不阻礙雷射光之穿透而越小越佳。具體而言，霧值較佳為10.0以下、更佳9.0以下、再更佳8.0以下。霧值之測定方法係如上述。
另外，薄膜擴張後，最好於薄膜之整體或一部分不致確認到白化現象。
本發明之隱形切割用薄膜的初期應力，較佳係超過9MPa，更佳為10MPa以上且19MPa以下，再更佳10MPa以上且未滿17MPa。若初期應力為超過9MPa之範圍，則可保有分斷晶圓時之外部應力，良好地進行晶圓分斷。又，若初期應力為19MPa以下，則在擴張性方面較為有利。初期應力之測定方法係如上述(根據JIS K 7127)。
本發明之隱形切割用薄膜的擴張率，較佳為102%以上且 120%以下，更佳為104%以上且120%以下。若擴張率為上述範圍之下限值以上，則可保持晶圓分斷時之外部應力，良好地進行晶圓分斷。若擴張率為上述範圍之上限值以下，則薄膜均勻地伸長，可抑制擴張之不均或薄膜應變的發生。擴張率的測定方法係如上述。
[電子零件之製造方法]
針對使用了本發明之隱形切割用薄膜的電子零件之製造方法進行詳述。
本發明之電子零件之製造方法，係設置下述步驟而構成：於晶圓背面，貼附已述之本發明之隱形切割用薄膜的步驟(薄膜貼附步驟)；與對貼附了上述隱形切割用薄膜之晶圓，由上述隱形切割用薄膜側照射雷射光，經由隱形切割用薄膜藉雷射光對上述晶圓進行切割的步驟(切割步驟)。本發明之電子零件之製造方法中，視需要亦可進一步設置其他步驟而構成。
如圖3A所示，將隱形切割用薄膜1之黏著層12固定於晶圓W之背面(與元件形成面為相反側之面)，並將隱形切割用薄膜1放置成其黏著層12之端部與切割台6相接，藉黏著層12固定於切割台(薄膜貼附步驟)。
接著，由切割台1之基材11側照射雷射光，經由隱形切割用薄膜1將雷射光L導光至晶圓W內部，藉此沿著晶圓W內部之切割線，如圖3B所示般形成改質部(改質區 域)W1。其後，如圖4所示，藉由將隱形切割用薄膜1之端部朝箭頭方向拉伸，而使薄膜擴張(切割步驟)。藉此，以上述改質部W1為起點，使晶圓W沿著改質部W1分割為複數個。
接著，在對隱形切割用薄膜1之黏著層12照射紫外線時，黏著層12固化，該層之黏著力降低。藉此，可由隱形切割用薄膜1剝取複數之晶圓、亦即個別的晶片(電子零件)，得到所需之電子零件。
作為雷射，可配合情況選擇產生脈衝雷射光之Nd：YAG雷射、Nd：YVO雷射、Nd：YLF雷射、鈦紅寶石雷射、CO2雷射、氬離子雷射等之公知雷射。
本發明之電子零件之製造方法，係以矽晶圓為對象，但亦可使用例如玻璃晶圓、碳化矽晶圓、紅寶石晶圓、磷化鎵晶圓、砷化鎵晶圓等之化合物半導體晶圓等。
(實施例)
以下，藉由實施例說明本發明，但本發明並不限定於此等實施例。又，乙烯單位含量係表示來自乙烯之構成單位的含有比率，甲基丙烯酸單位含量係表示來自甲基丙烯酸之構成單位的含有比率，丙烯酸異丁酯單位含量係表示來自丙烯酸異丁酯之構成單位的含有比率。
[A]實施例1~27及比較例1~4
以下表示之實施例1~27及比較例1~4中所使用的原料的 組成及物性、以及所得之薄膜及片材之物性的測定方法，係如下述。
-1.原材料- (1)離子聚合物(IO-1)
基底聚合物：乙烯-甲基丙烯酸共聚物(乙烯單位含量：85質量%，甲基丙烯酸單位含量：15質量%)
金屬陽離子源：鎂
中和度：35%
MFR(190℃、2160g負重)：5.9g/10分鐘
(2)離子聚合物(IO-2)
基底聚合物：乙烯-甲基丙烯酸共聚物(乙烯單位含量：85質量%，甲基丙烯酸單位含量：15質量%)
金屬陽離子源：鎂
中和度：54%
MFR(190℃、2160g負重)：0.7g/10分鐘
(3)離子聚合物(IO-3)
基底聚合物：乙烯-甲基丙烯酸-丙烯酸異丁酯共聚物(乙烯單位含量：80質量%，甲基丙烯酸單位含量：10質量%，丙烯酸異丁酯含量：10質量%)
金屬陽離子源：鋅
中和度：70%
MFR(190℃、2160g負重)：1.0g/10分鐘
(4)離子聚合物(IO-4)
基底聚合物：乙烯-甲基丙烯酸共聚物(乙烯單位含量：89質量%，甲基丙烯酸單位含量：11質量%)
金屬陽離子源：鋅
中和度：65%
MFR(190℃、2160g負重)：5.0g/10分鐘
(5)離子聚合物(IO-5)
基底聚合物：乙烯-甲基丙烯酸-丙烯酸異丁酯共聚物(乙烯單位含量：81質量%，甲基丙烯酸單位含量：11.5質量%，丙烯酸異丁酯單位含量：7.5質量%)
金屬陽離子源：鎂
中和度：14%
MFR(190℃、2160g負重)：5.9g/10分鐘
(6)離子聚合物(IO-6)
基底聚合物：乙烯-甲基丙烯酸-丙烯酸異丁酯共聚物(乙烯單位含量：82質量%，甲基丙烯酸單位含量：13質量%，丙烯酸異丁酯單位含量：5質量%)
金屬陽離子源：鎂
中和度：27%
MFR(190℃、2160g負重)：5.9g/10分鐘
(7)離子聚合物(IO-7)
基底聚合物：乙烯-甲基丙烯酸共聚物(乙烯單位含量：85 質量%，甲基丙烯酸單位含量：15質量%)
金屬陽離子源：鋅
中和度：59%
MFR(190℃、2160g負重)：0.9g/10分鐘
(8)乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物(EMAA)
乙烯-甲基丙烯酸共聚物(乙烯單位含量：91質量%，甲基丙烯酸單位含量：9質量%)
MFR(190℃、2160g負重)：3.0g/10分鐘
(9)聚醚酯成分(B-1)
商品名：IRGASTAT P-16(融點(DSC測定)：158℃，BASF Japan(股)製，聚醚酯醯胺嵌段共聚物)
(10)聚醚酯成分(B-2)
商品名：IRGASTAT P-18(融點(DSC測定)：173℃，BASF Japan(股)製，聚醚酯醯胺嵌段共聚物)
(11)聚醚酯成分(B-3)
商品名：IRGASTAT P-20(融點(DSC測定)：195℃，BASF Japan(股)製，聚醚酯醯胺嵌段共聚物)
-2.物性測定方法-
針對隱形切割用薄膜基材之物性，使用由後述實施例及比較例所製造之離子聚合物薄膜基材等進行測定。測定結果示於下述表1~表2。
(1)初期應力
針對所製作之各隱形切割用薄膜基材的縱(MD)方向及橫(TD)方向，根據JIS K 7127，於下述條件下測定伸長6%時之應力。下表1~表2所示之值，為MD及TD之平均值。
<條件>
．試驗速度：500mm/秒
．試驗片：寬10mm×長200mm
．夾具間：100mm
(2)霧值
針對所製作之各隱形切割用薄膜基材，使用村上色彩研究所(股)製之HM-150型，於溫度23℃、相對濕度50%之環境下，根據JIS K 7136所測定的值。
(3)擴張性(擴張率)
由所製作之隱形切割用薄膜基材切出縱(薄膜之MD方向)300mm以上×橫(薄膜之TD方向)300mm以上的4角形之薄膜基材片，於此所切取之薄膜基材片藉油性筆等筆記用具描畫141mm正方的正方形(以下為測定對象1)。於8吋晶圓用之晶圓擴張裝置(TECHNOVISION公司製之晶圓擴張裝置TEX-218G GR-8)，安裝測定對像1。此時，依使晶圓擴張裝置之台中心、與測定對象1上所描繪之正方形之中心重合的方式進行安裝。接著，將台上拉15mm，將隱形切割用薄膜擴張後靜置60秒，測定測定對像1之正方形之各邊長度(邊長)。針對所得之邊長4點，分別計算伸長率(%；=擴 張後之邊長/擴張前之邊長×100)，求得其平均值作為擴張率[%]。
(4)分斷性
依下述評價基準，評價所製作之各隱形切割用薄膜基材之分斷性能。又，所謂分斷率[%]，係指藉「(實施經分斷之數)/(總分割數)×100」所求得的值。
<評價基準>
A：分斷率為80%以上且100%以下。
B：分斷率為60%以上且未滿80%。
C：分斷率為未滿60%。
D：分斷不容易進行。
(5)表面電阻率
使用三菱化學(股)製之Hiresta-UP，於23℃、50%相對濕度環境下，設為施加電壓500V進行測定。
(6)總光線穿透率
針對所製作之各隱形切割用薄膜基材，使用村上色彩研究所(股)製之HM-150型，於23℃、50%相對濕度之環境下，根據JIS K 7361進行測定。
首先，作為不含有抗靜電劑之情況的例子，以實施例1~4與比較例進行對比而表示。
[實施例1]
使用50mm 單軸擠出機充氣成形機，於此成形機之樹脂 投入口投入上述離子聚合物(IO-1)，設為模具溫度190℃，製作80μm厚之離子聚合物薄膜基材(隱形切割用薄膜基材)。對此製作之薄膜基材，進行初期應力、霧值、擴張率及總光線穿透率的測定。結果示於下表1。
[實施例2]
於實施例1中，除了將離子聚合物(IO-1)取代為離子聚合物(IO-6)，並將模具溫度取代為200℃之外，其餘與實施例1同樣進行而製作離子聚合物薄膜基材(隱形切割用薄膜基材)。對此製作之薄膜基材，進行初期應力、霧值、擴張率及總光線穿透率的測定。結果示於下表1。
[實施例3]
於實施例1中，除了將離子聚合物(IO-1)取代為離子聚合物(IO-2)，並將模具溫度取代為230℃之外，其餘與實施例1同樣進行而製作離子聚合物薄膜基材(隱形切割用薄膜基材)。對此製作之薄膜基材，進行初期應力、霧值、擴張率及總光線穿透率的測定。結果示於下表1。
[實施例4]
於實施例1中，除了將離子聚合物(IO-1)取代為離子聚合物(IO-4)，並將模具溫度取代為180℃之外，其餘與實施例1同樣進行而製作離子聚合物薄膜基材(隱形切割用薄膜基材)。對此製作之薄膜基材，進行初期應力、霧值、擴張率及總光線穿透率的測定。結果示於下表1。
[比較例1]
於實施例1中，除了將離子聚合物(IO-1)取代為離子聚合物(IO-3)，並將模具溫度取代為210℃之外，其餘與實施例1同樣進行而製作離子聚合物薄膜基材(隱形切割用薄膜基材)。對此製作之薄膜基材，進行初期應力、霧值、擴張率及總光線穿透率的測定。結果示於下表1。
[比較例2]
於實施例1中，除了將離子聚合物(IO-1)取代為離子聚合物(IO-5)，並將模具溫度取代為180℃之外，其餘與實施例1同樣進行而製作離子聚合物薄膜基材(隱形切割用薄膜基材)。對此製作之薄膜基材，進行初期應力、霧值、擴張率及總光線穿透率的測定。結果示於下表1。
[比較例3]
於實施例1中，除了將離子聚合物(IO-1)取代為離子聚合物(IO-7)，並將模具溫度取代為210℃、厚度220μm之外，其餘與實施例1同樣進行而製作離子聚合物薄膜基材(隱形切割用薄膜基材)。對此製作之薄膜基材，進行初期應力、霧值、擴張率及總光線穿透率的測定。結果示於下表1。
[比較例4]
於實施例1中，除了將離子聚合物(IO-1)取代為EMAA，並將模具溫度取代為180℃之外，其餘與實施例1同樣進行而製作薄膜基材(隱形切割用薄膜基材)。對此製作之薄膜基 材，進行初期應力、霧值、擴張率及總光線穿透率的測定。結果示於下表1。
接著，以實施例5~實施例9表示含有抗靜電劑之情況的例子。
[實施例5]
於實施例1中，將離子聚合物(IO-1)取代為離子聚合物(IO-1)85質量份、IRGASTAT P-16(聚醚酯成分(B-1))7.5質量份、及IRGASTAT P-18(聚醚酯成分(B-2))7.5質量份，並將此等成分進行乾摻合。將此經乾摻合之原料投入至具備有全螺旋式之螺桿(40mm )的單軸擠出機的樹脂投入口後，進行熔融混練而顆粒化。使用所得之顆粒，與實施例1同樣地製作離子聚合物薄膜基材(隱形切割用薄膜基材)。針對所製作之薄膜基材，進行初期應力、霧值、擴張率及總光線穿透率的測定。結果示於下表2。
[實施例6]
於實施例1中，將離子聚合物(IO-1)取代為離子聚合物(IO-1)85質量份及IRGASTAT P-18(聚醚酯成分(B-2))15質量份，並將此等成分進行乾摻合。將此經乾摻合之原料投入至具備有全螺旋式之螺桿(40mm )的單軸擠出機的樹脂投入口後，進行熔融混練而顆粒化。使用所得之顆粒，與實施例1同樣地製作離子聚合物薄膜基材(隱形切割用薄膜基材)。針對所製作之薄膜基材，進行初期應力、霧值、擴張 率及總光線穿透率的測定。結果示於下表2。
[實施例7]
於實施例5中，除了將離子聚合物(IO-1)取代為離子聚合物(IO-2)之外，其餘與實施例5同樣進行而製作離子聚合物薄膜基材(隱形切割用薄膜基材)。對此製作之薄膜基材，進行初期應力、霧值、擴張率及總光線穿透率的測定。結果示於下表2。
[實施例8]
於實施例6中，除了將離子聚合物(IO-1)取代為離子聚合物(IO-2)之外，其餘與實施例6同樣進行而製作離子聚合物薄膜基材(隱形切割用薄膜基材)。對此製作之薄膜基材，進行初期應力、霧值、擴張率及總光線穿透率的測定。結果示於下表2。
[實施例9]
於實施例6中，除了將離子聚合物(IO-1)取代為離子聚合物(IO-2)，並將IRGASTAT P-18(15質量份)取代為IRGASTAT P-16(聚醚酯成分(B-1))15質量份之外，其餘與實施例6同樣地製作離子聚合物薄膜基材(隱形切割用薄膜基材)。針對所製作之薄膜基材，進行初期應力、霧值、擴張率及總光線穿透率的測定。結果示於下表2。
[比較例5]
於實施例6中，除了將離子聚合物(IO-1)取代為離子聚合 物(IO-2)，並將IRGASTAT P-18(15質量份)取代為IRGASTAT P-20(聚醚酯成分(B-3))15質量份之外，其餘與實施例6同樣地製作離子聚合物薄膜基材(隱形切割用薄膜基材)。針對所製作之薄膜基材，進行初期應力、霧值、擴張率及總光線穿透率的測定。結果示於下表2。
[實施例10~18]
準備由實施例1~9所製作之離子聚合物薄膜基材作為基材，並準備紫外線硬化型丙烯酸系黏著劑(荒川化學工業公司製之BEAMSET575(胺基甲酸乙酯丙烯酸酯系寡聚物)作為黏著層形成用之黏著材。
使用上述基材著劑，於基材上，將使紫外線硬化型丙烯酸系黏著材溶解於醋酸乙酯者進行棒塗佈，藉此製作如圖1所示之由離子聚合物薄膜基材11/乾燥厚20μm之黏著層12的多重層構造所構成的9種隱形切割用薄膜。
[實施例19~27]
使用實施例10~18所製作之隱形切割用薄膜，如圖3A所示，將各隱形切割用薄膜1之黏著層12固定於晶圓W背面，再將隱形切割用薄膜1之黏著層12端部與切割台6接觸而固定於切斷台。接著，由切割帶1之基材11側照射雷射光，經由隱形切割用薄膜1進行導光，藉此如圖3B所示，沿著晶圓W內部之切割線形成改質部W1。其後，如圖4所示，將隱形切割用薄膜1之端部朝箭頭方向拉伸而擴張薄膜，以改質部W1為起點分割為複數個。其後，對黏著層12照射紫外線，取出複數之晶片，而得到所需之電子零件。
[B]實施例28~89及比較例6~10
以下所示之實施例28~49及比較例6~10中所使用之原料的組成及物性、以及所得薄膜及片材之物性的測定方法，係 如下所述。
-1.原材料- (1)離子聚合物(IO-11)
基底聚合物：乙烯-甲基丙烯酸共聚物(乙烯單位含量：85質量%，甲基丙烯酸單位含量：15質量%)
金屬陽離子源：鎂
中和度：35%
MFR(190℃，2160g負重)：5.9g/10分鐘
彎曲剛性率(根據JIS K 7106)：330MPa
(2)離子聚合物(IO-12)
基底聚合物：乙烯-甲基丙烯酸共聚物(乙烯單位含量：85質量%，甲基丙烯酸單位含量：15質量%)
金屬陽離子源：鎂
中和度：54%
MFR(190℃，2160g負重)：0.7g/10分鐘
彎曲剛性率(根據JIS K 7106)：320MPa
(3)離子聚合物(IO-13)
基底聚合物：乙烯-甲基丙烯酸-丙烯酸異丁酯共聚物(乙烯單位含量：80質量%，甲基丙烯酸單位含量：10質量%，丙烯酸異丁酯：10質量%)
金屬陽離子源：鋅
中和度：70%
MFR(190℃，2160g負重)：1.0g/10分鐘
彎曲剛性率(根據JIS K 7106)：90MPa
(4)離子聚合物(IO-14)
基底聚合物：乙烯-甲基丙烯酸共聚物(乙烯單位含量：89質量%，甲基丙烯酸單位含量：11質量%)
金屬陽離子源：鋅
中和度：65%
MFR(190℃，2160g負重)：5.0g/10分鐘
彎曲剛性率(根據JIS K 7106)：260MPa
(5)離子聚合物(IO-15)
基底聚合物：乙烯-甲基丙烯酸共聚物(乙烯單位含量：85質量%，甲基丙烯酸單位含量：15質量%)
金屬陽離子源：鋅
中和度：23%
MFR(190℃，2160g負重)：5.0g/10分鐘
彎曲剛性率(根據JIS K 7106)：200MPa
(6)離子聚合物(IO-16)
基底聚合物：乙烯-甲基丙烯酸共聚物(乙烯單位含量：85質量%，甲基丙烯酸單位含量：15質量%)
金屬陽離子源：鋅
中和度：59%
MFR(190℃，2160g負重)：0.9g/10分鐘
彎曲剛性率(根據JIS K 7106)：310MPa
(7)乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物(EMMA)
乙烯-甲基丙烯酸共聚物(乙烯單位含量：91質量%，甲基丙烯酸單位含量：9質量%)
MFR(190℃，2160g負重)：3.0g/10分鐘
彎曲剛性率(根據JIS K 7106)：140MPa
(8)乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)
乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(乙烯單位含量：81質量%，醋酸乙烯酯單位含量：19質量%)
MFR(190℃，2160g負重)：2.5g/10分鐘
彎曲剛性率(根據JIS K 7106)：40MPa
(9)聚烯烴(C1)
線狀低密度聚乙烯(LLDPE：Prime Polymer(股)製，Evolue SP2320，密度：919kg/m3，MFR：1.9g/10分鐘)
彎曲剛性率(根據JIS K 7106)：240MPa
(10)聚烯烴(C2)
低密度聚乙烯(LDPE：密度：920kg/m3，MFR：1.6g/10分鐘)
彎曲剛性率(根據JIS K 7106)：140MPa
(11)聚烯烴(C3)
無規聚丙烯(r-PP：Prime Polymer(股)製，Prime Polypro F219DA，密度：910kg/m3，MFR：8.0g/10分鐘)
彎曲剛性率(根據JIS K 7106)：960MPa
(12)聚烯烴(C4)
均聚丙烯(homo-PP：Prime Polymer(股)製，Prime Polypro F113DA，密度：910kg/m3，MFR：3.0g/10分鐘)
彎曲剛性率(根據JIS K 7106)：1290MPa
(13)聚醚酯成分(B-1)
商品名：IRGASTAT P-16，BASF Japan(股)製
(14)聚醚酯成分(B-2)
商品名：IRGASTAT P-18，BASF Japan(股)製
(15)聚醚酯成分(B-4)
商品名：PELESTAT230，三洋化成工業(股)製，(融點(DSC測定)：163℃)
-2.物性測定方法-
針對隱形切割用薄膜基材之物性，使用由後述實施例及比較例所製造之離子聚合物薄膜基材等進行測定。測定結果示於下述表3~表5。
(1)初期應力
針對所製作之各隱形切割用薄膜基材的縱(MD)方向，根據JIS K 7127，於下述條件下測定伸長6%時之應力。
<條件>
．試驗速度：500mm/秒
．試驗片：寬10mm×長200mm
．夾具間：100mm
(2)霧值-分斷性
針對所製作之各隱形切割用薄膜基材，依與上述[A]之情況相同的方法，進行測定及評價。
(3)總光線穿透率
針對所製作之各隱形切割用薄膜基材，使用村上色彩研究所(股)製之HM-150型，於23℃、50%相對濕度之環境下，根據JIS K 7361進行測定。
(4)擴張性(擴張率)
由所製作之隱形切割用薄膜基材切出縱(薄膜之MD方向)300mm以上×橫(薄膜之TD方向)300mm以上的4角形之薄膜基材片，於此所切取之薄膜基材片藉油性筆等筆記用具描畫141mm正方的正方形(以下為測定對象2)。依與上述[A]相同的方法，測定於測定對象2所描畫之正方形之各邊長度(邊長)。針對所得之邊長4點，分別計算伸長率(%；=擴張後之邊長/擴張前之邊長×100)，求得其平均值作為擴張率[%]。又，以目視確認在擴張後之薄膜是否發生白化現象。
(5)彎曲剛性率(歐森式)
將原材料藉設定為190℃之壓製成形機進行壓製成形，作成250mm×250mm、2mm厚之壓製片材。對所作成之2mm厚片材，根據JIS K 7106，測定彎曲剛性率。
[實施例28]
使用螺桿徑45mm 之3種3層充氣成形機，使用IO-12(Mg)作為與黏著層相接之層X形成用樹脂，以IO-13(Zn)作為層Y形成用樹脂，以IO-12(Mg)作為層Z形成用樹脂，依模具溫度：220℃之條件，製作具有與黏著層相接之層X/層Y/層Z之多重層構造的3層薄膜(總厚80μm；隱形切割用薄膜基材)。此3層薄膜之與黏著層相接之層X、層Y及層Z的厚度，分別為25μm、30μm及25μm。接著，針對所製作之3層薄膜，進行初期應力、霧值、總光線穿透率、及擴張率的測定。結果示於下表3。
[實施例29]
將離子聚合物(IO-11(Mg))85質量份、IRGASTAT P-16(聚醚酯成分(B-1))7.5質量份、及IRGASTAT P-18(聚醚酯成分(B-2))7.5質量份，藉由螺桿徑40mm 之單軸擠出機進行熔融混練，調製用於形成與黏著層相接之層X與層Z的離子聚合物組成物。接著，於實施例1中，除了使用該離子聚合物組成物作為與黏著層相接之層X形成用樹脂，使用IO-14(Zn)作為層Y形成用樹脂，並將模具溫度由220℃取代為210℃之外，其餘與實施例1同樣地進行，製作3層薄膜。對此製作之3層薄膜，進行初期應力、霧值、總光線穿透率及擴張率的測定。其等結果合併記於下表3。同時，經測定表面電阻率後，表面電阻率為1.7×1014Ω/sq。
[實施例30]
於實施例28中，除了將與黏著層相接之層X形成用樹脂取代為IO-15(Zn)，將層Z形成用樹脂取代為IO-15(Zn)，並將模具溫度由220℃取代為200℃之外，其餘與實施例28同樣地進行，製作3層薄膜。對此製作之3層薄膜，進行初期應力、霧值、總光線穿透率及擴張率的測定。其等結果合併記於下表3。
[實施例31]
於實施例28中，除了將與黏著層相接之層X形成用樹脂取代為IO-14(Zn)，將層Z形成用樹脂取代為IO-14(Zn)，並將模具溫度由220℃取代為200℃之外，其餘與實施例28同樣地進行，製作3層薄膜。對此製作之3層薄膜，進行初期應力、霧值、總光線穿透率及擴張率的測定。其等結果合併記於下表3。
[實施例32]
於實施例28中，除了將與黏著層相接之層X形成用樹脂取代為IO-16(Zn)，將層Y形成用樹脂取代為C1，將層Z形成用樹脂取代為IO-16(Zn)，將模具溫度由220℃取代為210℃，且將3層薄膜之層X(A)、層Y、及層Z之層厚分別設為28μm、21μm、及30μm之外，其餘與實施例28同樣地進行，製作3層薄膜。對此製作之3層薄膜，進行初期應力、霧值、總光線穿透率及擴張率的測定。其等結果合併記於下表3。
[實施例33]
於實施例28中，除了將與黏著層相接之層X形成用樹脂取代為IO-16(Zn)，將層Y形成用樹脂取代為C1，將層Z形成用樹脂取代為IO-16(Zn)，並將模具溫度由220℃取代為210℃之外，其餘與實施例28同樣地進行，製作3層薄膜。對此製作之3層薄膜，進行初期應力、霧值、總光線穿透率及擴張率的測定。其等結果合併記於下表3。
[實施例34]
於實施例28中，除了將與黏著層相接之層X形成用樹脂取代為IO-16(Zn)，將層Y形成用樹脂取代為C1，將層Z形成用樹脂取代為IO-16(Zn)，將模具溫度由220℃取代為210℃，且將3層薄膜之層X、層Y、及層Z之層厚分別設為20μm、40μm、及20μm之外，其餘與實施例28同樣地進行，製作3層薄膜。對此製作之3層薄膜，進行初期應力、霧值、總光線穿透率及擴張率的測定。其等結果合併記於下表3。
[實施例35]
於實施例28中，除了將與黏著層相接之層X形成用樹脂取代為IO-16(Zn)，將層Y形成用樹脂取代為EMMA，將層Z形成用樹脂取代為IO-16(Zn)，並將模具溫度由220℃取代為200℃之外，其餘與實施例28同樣地進行，製作3層薄膜。對此製作之3層薄膜，進行初期應力、霧值、總光線穿 透率及擴張率的測定。其等結果合併記於下表3。
[實施例36]
於實施例28中，除了將與黏著層相接之層X形成用樹脂取代為IO-16(Zn)，將層Z形成用樹脂取代為IO-16(Zn)，並將模具溫度由220℃取代為210℃之外，其餘與實施例28同樣地進行，製作3層薄膜。對此製作之3層薄膜，進行初期應力、霧值、總光線穿透率及擴張率的測定。其等結果合併記於下表3。
[實施例37]
於實施例28中，除了將與黏著層相接之層X形成用樹脂取代為IO-16(Zn)，將層Y形成用樹脂取代為EVA，將層Z形成用樹脂取代為IO-16(Zn)，並將模具溫度由220℃取代為210℃之外，其餘與實施例28同樣地進行，製作3層薄膜。對此製作之3層薄膜，進行初期應力、霧值、總光線穿透率及擴張率的測定。其等結果合併記於下表3。
[實施例38]
於實施例28中，除了將與黏著層相接之層X形成用樹脂取代為IO-16(Zn)，將層Y形成用樹脂取代為C2，將層Z形成用樹脂取代為IO-16(Zn)，將模具溫度由220℃取代為210℃，且將3層薄膜之層X、層Y、及層Z之層厚分別設為28μm、22μm、及30μm(3層薄膜之總厚：80μm)之外，其餘與實施例28同樣地進行，製作3層薄膜。對此製作之 3層薄膜，進行初期應力、霧值、總光線穿透率及擴張率的測定。其等結果合併記於下表3。
[實施例39]
使用螺桿徑40mm 之3種3層流延薄膜成形機，使用IO-16(Zn)作為與黏著層相接之層X形成用樹脂，以EMMA作為層Y形成用樹脂，以IO-16(Zn)作為層Z形成用樹脂，依模具溫度：210℃之條件，製作具有與黏著層相接之層X/層Y/層Z之多重層構造的3層薄膜(總厚77μm；隱形切割用薄膜基材)。此3層薄膜之與黏著層相接之層X、層Y及層Z的厚度，分別為29μm、20μm及28μm。接著，針對所製作之3層薄膜，進行初期應力、霧值、總光線穿透率、及擴張率的測定。結果示於下表3。
[實施例40]
於實施例39中，除了將與層Y形成用樹脂取代為C1之外，其餘與實施例39同樣地進行，製作3層薄膜。對此製作之3層薄膜，進行初期應力、霧值、總光線穿透率及擴張率的測定。其等結果合併記於下表3。
[實施例41]
將離子聚合物(IO-16(Zn))85質量份、PELESTAT230(B-4)15質量份，藉由螺桿徑30mm 之雙軸擠出機進行熔融混練，調製用於形成與黏著層相接之層X與層Z的離子聚合物組成物。接著，於實施例28中，除了 使用該離子聚合物組成物作為與黏著層相接之層X形成用樹脂，使用C2作為層Y形成用樹脂，使用該離子聚合物樹脂組成物作為層Z形成用樹脂，並將模具溫度由220℃取代為210℃之外，其餘與實施例28同樣地進行，製作3層薄膜。對此製作之3層薄膜，進行初期應力、霧值、總光線穿透率及擴張率的測定。其等結果合併記於下表3。同時，經測定表面電阻率後，表面電阻率為1.3×1010Ω/sq。
[實施例42]
於實施例28中，除了將與黏著層相接之層X形成用樹脂取代為IO-16(Zn)，將層Y形成用樹脂取代為C1，將層Z形成用樹脂取代為IO-16(Zn)，並將模具溫度由220℃取代為210℃之外，其餘與實施例28同樣地進行，製作具有層X/層Z/層Y之多重層構造的3層薄膜。對此製作之3層薄膜，進行初期應力、霧值、總光線穿透率及擴張率的測定。其等結果合併記於下表4。
[實施例43]
於實施例28中，除了將與黏著層相接之層X形成用樹脂取代為IO-16(Zn)，將層Y形成用樹脂取代為C2，將層Z形成用樹脂取代為IO-16(Zn)，將模具溫度由220℃取代為210℃，且將3層薄膜之層X、層Y、及層Z之層厚分別設為30μm、20μm、及30μm(3層薄膜之總厚：80μm)之外，其餘與實施例28同樣地進行，製作具有層X/層Z/層Y構 成之多重層構造的3層薄膜。對此製作之3層薄膜，進行初期應力、霧值、總光線穿透率及擴張率的測定。其等結果合併記於下表4。
[實施例44]
於實施例28中，除了將與黏著層相接之層X形成用樹脂取代為IO-16(Zn)，將層Y形成用樹脂取代為C2，將層Z形成用樹脂取代為IO-16(Zn)，將模具溫度由220℃取代為210℃，且將3層薄膜之層X、層Y、及層Z之層厚分別設為20μm、30μm、及30μm(3層薄膜之總厚：80μm)之外，其餘與實施例28同樣地進行，製作具有層X/層Z/層Y構成之多重層構造的3層薄膜。對此製作之3層薄膜，進行初期應力、霧值、總光線穿透率及擴張率的測定。其等結果合併記於下表4。
[實施例45]
於實施例28中，除了將與黏著層相接之層X形成用樹脂取代為IO-16(Zn)，將層Y形成用樹脂取代為C2，將層Z形成用樹脂取代為IO-16(Zn)，將模具溫度由220℃取代為210℃，且將3層薄膜之層X、層Y、及層Z之層厚分別設為20μm、40μm、及20μm(3層薄膜之總厚：80μm)之外，其餘與實施例28同樣地進行，製作具有層X/層Z/層Y構成之多重層構造的3層薄膜。對此製作之3層薄膜，進行初期應力、霧值、總光線穿透率及擴張率的測定。其等結果合 併記於下表4。
[實施例46]
於實施例28中，除了將與黏著層相接之層X形成用樹脂取代為IO-16(Zn)，將層Y形成用樹脂取代為C2，將層Z形成用樹脂取代為IO-16(Zn)，將模具溫度由220℃取代為210℃，且將3層薄膜之層X、層Y、及層Z之層厚分別設為15μm、50μm、及15μm(3層薄膜之總厚：80μm)之外，其餘與實施例28同樣地進行，製作具有層X/層Z/層Y構成之多重層構造的3層薄膜。對此製作之3層薄膜，進行初期應力、霧值、總光線穿透率及擴張率的測定。其等結果合併記於下表4。
[實施例47]
將離子聚合物(IO-16(Zn))85質量份、PELESTAT230(B-4)15質量份，藉由螺桿徑30=mm 之雙軸擠出機進行熔融混練，調製用於形成與黏著層相接之層X的離子聚合物組成物。又，將離子聚合物(IO-13(Zn))85質量份、及PELESTAT230(B-4)15質量份，藉由螺桿徑30mm 之雙軸擠出機進行熔融混練，調製用於形成層Z的離子聚合物組成物Z。
接著，於實施例28中，除了使用該離子聚合物組成物作為與黏著層相接之層X形成用樹脂，使用C2作為層Y形成用樹脂，使用該離子聚合物樹脂組成物Z作為層Z形成用 樹脂，並將模具溫度由220℃取代為210℃，且將3層薄膜之層X、層Y、及層Z的層厚分別取代為45μm、15μm及30μm(3層薄膜之總厚：90μm)以外，其餘與實施例28同樣地進行，製作具有層X/層Z/層Y構成之多重層構造的3層薄膜。對此製作之3層薄膜，進行初期應力、霧值、總光線穿透率及擴張率的測定。其等結果合併記於下表4。同時，經測定表面電阻率後，表面電阻率為1.5×1011Ω/sq。
[實施例48]
於實施例47中，除了將3層薄膜之層X、層Y、及層Z之層厚分別設為35μm、15μm、及40μm(3層薄膜之總厚：90μm)之外，其餘與實施例47同樣地進行，製作具有層X/層Z/層Y構成之多重層構造的3層薄膜。對此製作之3層薄膜，進行初期應力、霧值、總光線穿透率及擴張率的測定。其等結果合併記於下表4。同時，經測定表面電阻率後，表面電阻率為2.1×1011Ω/sq。
[實施例49]
於實施例47中，除了將3層薄膜之層X、層Y、及層Z之層厚分別設為40μm、15μm、及25μm(3層薄膜之總厚：80μm)之外，其餘與實施例47同樣地進行，製作具有層X/層Z/層Y構成之多重層構造的3層薄膜。對此製作之3層薄膜，進行初期應力、霧值、總光線穿透率及擴張率的測定。其等結果合併記於下表4。同時，經測定表面電阻率後，表 面電阻率為1.7×1011Ω/sq。
[比較例6]
於實施例28中，除了將與黏著層相接之層X形成用樹脂取代為IO-13(Zn)，將層Z形成用樹脂取代為IO-13(Zn)，並將模具溫度由220℃取代為210℃之外，其餘與實施例28同樣地進行，製作薄膜。於此，各層均使用IO-13(Zn)所形成，實質上所製作之薄膜係由單一層所構成。又，對所製作之薄膜，進行初期應力、霧值、總光線穿透率及擴張率的測定。其等結果合併記於下表5。
[比較例7]
於實施例39中，除了將與黏著層相接之層X形成用樹脂取代為C4，將層Y形成用樹脂取代為C4，將層Z形成用樹脂取代為C4，並將模具溫度由210℃取代為240℃，且將總厚度設為80μm之外，其餘與實施例39同樣地進行，製作薄膜。於此，各層均使用C4所形成，實質上所製作之薄膜係由單一層所構成。對此製作之薄膜，進行初期應力、霧值、總光線穿透率及擴張率的測定。其等結果合併記於下表5。
[比較例8]
於實施例28中，除了將與黏著層相接之層X形成用樹脂取代為IO-16(Zn)，將層Y形成用樹脂取代為C1，將層Z形成用樹脂取代為IO-16(Zn)，將模具溫度由220℃取代為 210℃，且將3層薄膜之層X、層Y、及層Z之層厚分別設為70μm、90μm、及70μm(3層薄膜之總厚：230μm)之外，其餘與實施例28同樣地進行，製作3層薄膜。對此製作之3層薄膜，進行初期應力、霧值、總光線穿透率的測定。其等結果合併記於下表5。又，雖測定了擴張率，但晶圓擴張裝置台未上升，無法測定(NG)。
[比較例9]
於實施例28中，除了將與黏著層相接之層X形成用樹脂取代為C2，將層Y形成用樹脂取代為EVA，將層Z形成用樹脂取代為C2，將模具溫度由220℃取代為200℃之外，其餘與實施例28同樣地進行，製作3層薄膜。對此製作之3層薄膜，進行初期應力、霧值、及總光線穿透率的測定。其等結果合併記於下表5。
[比較例10]
於實施例28中，除了將與黏著層相接之層X形成用樹脂取代為IO-16(Zn)，將層Y形成用樹脂取代為C3，將層Z形成用樹脂取代為IO-16(Zn)，將模具溫度由220℃取代為210℃之外，其餘與實施例28同樣地進行，製作3層薄膜。對此製作之3層薄膜，進行初期應力、霧值、總光線穿透率及擴張率的測定。其等結果合併記於下表5。
[實施例50~69]
準備實施例28~49所製作之離子聚合物薄膜基材作為基 材，並準備紫外線硬化型丙烯酸系黏著劑(荒川化學工業公司製之BEAMSET575(胺基甲酸乙酯丙烯酸酯系寡聚物)作為黏著層形成用之黏著材。
使用上述基材及黏著劑，於基材上，將使紫外線硬化型丙烯酸系黏著材溶解於醋酸乙烯酯者進行棒塗佈，而如圖2所示之般製作由離子聚合物薄膜基材11/乾燥厚20μm黏著層12之多重層構造所構成的隱形切割用薄膜。
[實施例70~89]
使用實施例50~69所製作之隱形切割用薄膜，如圖3A所示，將各隱形切割用薄膜1之黏著層12固定於晶圓W背面，再將隱形切割用薄膜1之黏著層12端部與切割台6接觸而固定於切斷台。接著，由切割帶1之基材11側照射雷射光，經由隱形切割用薄膜1進行導光，藉此如圖3B所示，沿著晶圓W內部之切割線形成改質部W1。其後，如圖4所示，將隱形切割用薄膜1之端部朝箭頭方向拉伸而擴張薄膜，以改質部W1為起點分割為複數個。其後，對黏著層12照射紫外線，取出複數之晶片，而得到所需之電子零件。
如上述表3~表5所示，實施例中，於霧值及總光線穿透率方面得到良好結果，而得到透明性高、或初期應力亦良好、適合於隱形切割之薄膜基材及切割用薄膜。
相對於此，比較例6及比較例9中，雖得到某程度之霧值或光線穿透率，但初期應力過小，而有隱形切割時之分斷性差劣的結果。比較例7則相反地，初期應力過高，隱形切割時之擴張時未得到良好之擴張率，又，比較例10中雖可進行擴張，但擴張後發生白化現象。而且，比較例8因總厚過厚，而無法保有擴張性，分斷性差劣。
日本申請案2001-284379、2012-053389及2012-122540之揭示內容，整體引用至本說明書中作為參照。
本說明書所記載之所有文獻、專利申請案及技術規格，係將各文獻、專利申請案及技術規格依具體且各別記載時相同之程度，引用於本說明書中作為參照。
1‧‧‧隱形切割用薄膜
6‧‧‧切割台
11‧‧‧基材
11X‧‧‧層
11Y‧‧‧第1層Y、中間層、內層
11Z‧‧‧第2層Z
12‧‧‧黏著層
L‧‧‧雷射光
W‧‧‧晶圓
W1‧‧‧改質部
圖1為表示本發明一實施形態之隱形切割用薄膜之構成例的概略剖面圖。
圖2為表示圖1形切割用薄膜基材之其他構成例的概略剖面圖。
圖3A為表示在晶圓之切割時，經由隱形切割用薄膜照射雷射時的概略圖。
圖3B為表示在晶圓之切割時，於晶圓形成了改質部之狀 態的概略圖。
圖4為表示對隱形切割用薄膜賦予外部應力而將晶圓分離為複數晶片時的概略圖。

Claims (15)

  1. 一種隱形切割用薄膜基材，係使用作為具備黏著層與基材之隱形切割用薄膜的上述基材，厚度為50μm以上且200μm以下之範圍，初期應力為9MPa以上且19MPa以下之範圍，擴張率為102%以上且120%以下之範圍，霧值為10以下，總光線穿透率為90%以上。
  2. 如申請專利範圍第1項之隱形切割用薄膜基材，其中，含有離子聚合物樹脂，其係選自乙烯-(甲基)丙烯酸系共聚物之鎂離子聚合物及乙烯-(甲基)丙烯酸系共聚物之鋅離子聚合物，共聚物中之來自(甲基)丙烯酸烷基酯之構成單位的共聚合比為未滿7質量%。
  3. 如申請專利範圍第2項之隱形切割用薄膜基材，其中，上述鎂離子聚合物及上述鋅離子聚合物之至少一者，係上述來自(甲基)丙烯酸之構成單位之於共聚物中的共聚合比為超過10質量%且30質量%以下。
  4. 如申請專利範圍第2或3項之隱形切割用薄膜基材，其中，上述鎂離子聚合物及上述鋅離子聚合物之至少一種，係中和度超過0%且60%以下。
  5. 如申請專利範圍第2或3項之隱形切割用薄膜基材，其中，上述鎂離子聚合物及上述鋅離子聚合物之至少一種，係中和度為10%以上且40%以下。
  6. 如申請專利範圍第1項之隱形切割用薄膜基材，其中， 具有使與上述黏著層相接之層X與第1層Y與第2層Z依序重疊積層的多重層構造、或使與上述黏著層相接之層X與第2層Z與第1層Y依序重疊積層的多重層構造，上述層X、上述層Y及上述層Z之厚度為10μm以上且100μm以下之範圍。
  7. 如申請專利範圍第6項之隱形切割用薄膜基材，其中，與上述黏著層相接之層X係含有樹脂A，上述樹脂A之彎曲剛性率為100MPa以上且350MPa以下之範圍；上述第1層Y係含有樹脂B，上述樹脂B之彎曲剛性率為5MPa以上且350MPa以下之範圍；上述第2層Z係含有樹脂C，上述樹脂C之彎曲剛性率為50MPa以上且350MPa以下之範圍；分別由上述樹脂A或上述樹脂C之彎曲剛性率減去上述樹脂B之彎曲剛性率之差的絕對值的較大者之值，為50MPa以上且345MPa以下之範圍內。
  8. 如申請專利範圍第6或7項之隱形切割用薄膜基材，其中，與上述黏著層相接之層X係含有樹脂A，上述樹脂A為乙烯-不飽和羧酸2元共聚物之離子聚合物。
  9. 如申請專利範圍第8項之隱形切割用薄膜基材，其中，由上述2元共聚物中之不飽和羧酸所衍生之構成單位的含量為1質量%以上且35質量%以下。
  10. 如申請專利範圍第6或7項之隱形切割用薄膜基材，其中，上述第1層Y係含有樹脂B，上述樹脂B為選自低 密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、乙烯醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-不飽和羧酸2元共聚物及其之離子聚合物、乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯3元共聚物及其之離子聚合物、以及乙烯-不飽和羧酸酯2元共聚物的至少1種。
  11. 如申請專利範圍第6或7項之隱形切割用薄膜基材，其中，上述第2層Z係含有樹脂C，上述樹脂C為選自乙烯-不飽和羧酸2元共聚物及其之離子聚合物、以及乙烯-不飽和羧酸-不飽和羧酸酯3元共聚物及其之離子聚合物的至少一種。
  12. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之隱形切割用薄膜基材，其中，含有融點為155℃以上且185℃以下之抗靜電劑。
  13. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之隱形切割用薄膜基材，其中，表面電阻率為1.0×109Ω/sq以上且1.0×1012Ω/sq以下。
  14. 一種隱形切割用薄膜，係具備黏著層與申請專利範圍第1至13項中任一項之隱形切割用薄膜基材。
  15. 一種電子零件之製造方法，係包含：於晶圓背面貼附申請專利範圍第14項之隱形切割用薄膜的步驟；與對貼附了上述隱形切割用薄膜之晶圓，由上述隱形切割用薄膜側照射雷射光，經由隱形切割用薄膜藉雷射光對上述晶圓進行切割的步驟。
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